JP6457879B2 - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
<表示装置の構成>
図1は、第1実施形態の有機EL表示装置における構成を示す図である。具体的には、EL表示装置を平面視した場合における概略の構成を示している。なお、本明細書では、EL表示装置を画面(表示領域)に垂直な方向から見た様子を「平面視」と呼ぶ。図1に示すように、EL表示装置100は、基板101上に形成された、画素部(表示領域)102、走査線駆動回路103、データ線駆動回路104、及びドライバIC105を備えている。ドライバIC105は、走査線駆動回路103及びデータ線駆動回路104に信号を与える制御部として機能する。
まず、図6Aに示すように、第1基板301上に下地層302を形成し、その上に公知の方法により薄膜トランジスタ(TFT)202を形成する。第1基板301としては、ガラス基板、石英基板、フレキシブル基板(ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートその他の曲げることが可能な基板)等を用いることができる。第1基板301が透光性を有する必要がない場合には、金属基板、セラミックス基板、半導体基板を用いることも可能である。
図9は、第2実施形態の有機EL表示装置200の画素の構成を示す図である。図10は、第2実施形態の有機EL表示装置200の画素の一部の構成を示す図である。第1実施形態との違いは、第2実施形態の有機EL表示装置では、第1コンタクトホール310の全部の範囲に重なるように第2コンタクトホール401が設けられる点である。その他の構成については、第1の実施形態の有機EL表示装置100と同じであるため、詳細な説明は省略する。
図11は、第3実施形態の有機EL表示装置300の画素の構成を示す図である。図12及び図13は、第3実施形態の有機EL表示装置300の製造工程を示す図である。第1実施形態との違いは、第3実施形態の有機EL表示装置では、第1コンタクトホール310を覆うように第2導体を設け、さらに有機EL素子の下方に容量電極を設けた点である。その他の構成については、第1の実施形態の有機EL表示装置100と同じであるため、詳細な説明は省略する。
102:画素部
103:走査線駆動回路
104:データ線駆動回路
105:ドライバIC
201:画素
202:薄膜トランジスタ
203:画素電極
204:開口部
301:第1基板
302:下地層
303:半導体層
304:ゲート絶縁膜
305:ゲート電極
306:層間絶縁膜
307、308:ソース電極又はドレイン電極
309:第1絶縁層
310:第1コンタクトホール
311:第2絶縁層
312:第2コンタクトホール
313:画素電極(アノード)
314:第3絶縁層(バンク)
315:EL層
316:共通電極(カソード)
317:第4絶縁層
318:充填材
319:第2基板
320:カラーフィルタ
321:ブラックマスク
Claims (18)
- 第1導体と、
前記第1導体の一部を露出させる第1コンタクトホールを有する第1絶縁層と、
前記第1コンタクトホールの少なくとも一部及び前記第1絶縁層の表面の一部を露出させる第2コンタクトホールを有する第2絶縁層と、
前記第2コンタクトホールの一部に重なるとともに前記第1導体に電気的に接続された画素電極と、
前記第2コンタクトホールの他の一部を介して前記第1絶縁層に接する第3絶縁層と、
を含み、
前記第3絶縁層が前記第1絶縁層に接する領域は、平面視で前記画素電極と重畳しない、表示装置。 - 前記画素電極は、前記第1導体に接する第2導体を介して前記第1導体に電気的に接続される、請求項1に記載の表示装置。
- 前記第2導体は、ITO、IZO、ZnOから選ばれた少なくとも一つを含む透明導電材料で構成される、請求項2に記載の表示装置。
- 平面視において、前記第2コンタクトホールは、前記第1コンタクトホールの一部分と重なる、請求項1から3のいずれか一項に記載の表示装置。
- 平面視において、前記第2コンタクトホールは、前記第1コンタクトホールの全体と重なる、請求項1から3のいずれか一項に記載の表示装置。
- 前記第1絶縁層及び前記第3絶縁層は、樹脂材料で構成され、
前記第2絶縁層は、無機材料で構成される、請求項1から5のいずれか一項に記載の表示装置。 - 前記無機材料は、酸化シリコン又は窒化シリコンを含む、請求項6に記載の表示装置。
- 前記第1導体は、Mo、Al、W、Crから選ばれた少なくとも一つを含む金属材料で構成され、
前記画素電極は、ITO、IZO、ZnOから選ばれた少なくとも一つを含む透明導電材料で構成される、請求項1から7のいずれか一項に記載の表示装置。 - さらに、前記第3絶縁層に設けられた前記画素電極を露出させる開口部内に、発光層が設けられている、請求項1から8のいずれか一項に記載の表示装置。
- 第1導体を形成すること、
前記第1導体の一部を露出させるように第1コンタクトホールが設けられた第1絶縁層を形成すること、
前記第1コンタクトホールの少なくとも一部及び前記第1絶縁層の表面の一部を露出させるように第2コンタクトホールが設けられた第2絶縁層を形成すること、
前記第2コンタクトホールの一部に重なるとともに前記第1導体に電気的に接続される画素電極を形成すること、並びに、
前記第2コンタクトホールの他の一部を介して前記第1絶縁層に接する第3絶縁層を形成すること、
を含み、
前記第3絶縁層が前記第1絶縁層に接する領域は、平面視で前記画素電極と重畳しないように設けられる、表示装置の製造方法。 - さらに、前記第1コンタクトホールを形成した後、前記第1コンタクトホールの全体を覆うように、前記第1導体に電気的に接続される第2導体を形成すること、
を含み、
前記画素電極は、前記第2導体を介して前記第1導体に電気的に接続される、請求項10に記載の表示装置の製造方法。 - 前記第2導体は、ITO、IZO、ZnOから選ばれた少なくとも一つを含む透明導電材料で構成される、請求項11に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第2コンタクトホールは、前記第1コンタクトホールの一部分と重なるように形成される、請求項10から12のいずれか一項に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第2コンタクトホールは、前記第1コンタクトホールの全体と重なるように形成される、請求項10から12のいずれか一項に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第1絶縁層及び前記第3絶縁層は、樹脂材料で構成され、
前記第2絶縁層は、無機材料で構成される、請求項10から14のいずれか一項に記載の表示装置の製造方法。 - 前記無機材料は、酸化シリコン又は窒化シリコンを含む、請求項15に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第1導体は、Mo、Al、W、Crから選ばれた少なくとも一つを含む金属材料で構成され、
前記画素電極は、ITO、IZO、ZnOから選ばれた少なくとも一つを含む透明導電材料で構成される、請求項10から16のいずれか一項に記載の表示装置の製造方法。 - さらに、前記第3絶縁層に前記画素電極を露出させる開口部を形成すること、及び、前記開口部内に、発光層を形成すること、を含む、請求項10から17のいずれか一項に記載の表示装置の製造方法。
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