CN106067471A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种不使制造工艺增加、且可靠性高的显示装置及其制造方法。所述显示装置包括：第一导体；第一绝缘层，具有使所述第一导体的一部分露出的第一接触孔；第二绝缘层，具有使所述第一接触孔的至少一部分及所述第一绝缘层的表面的一部分露出的第二接触孔；像素电极，与所述第二接触孔的一部分重叠，并且与所述第一导体电连接；和第三绝缘层，经由所述第二接触孔与所述第一绝缘层接触。

Description

显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种包含多个像素的显示装置。尤其是涉及一种在各像素中具有包含有机发光层的发光元件的显示装置。
背景技术
一直以来，已知具有形成于基板上的多个像素的显示装置。作为这样的显示装置的代表例，可举出LCD(Liquid Crystal Display)、OLED(Organic Light Emitting Diode)显示屏等。特别是近年来，正在加快开发响应特性、视场角特性优异的OLED显示屏。
所谓OLED显示屏，是在各像素中具有利用场致发光(electroluminescence)现象的发光元件的显示装置。使用有机发光层作为发光元件的显示装置也被称为有机EL(Electro Luminescence)显示装置。这样的显示装置通过构成发光层的发光材料的选择而能够以各种波长的颜色进行发光。
通常而言，形成于基板上的各像素包括发光元件、和供给用于驱动发光元件的电流的驱动用晶体管。驱动用晶体管在基板上形成之后，被由有机树脂材料构成的绝缘层覆盖，然后在该绝缘层上形成发光元件。该绝缘层作为用于缓和由晶体管导致的起伏的平坦化膜使用。作为典型例子，例如，已知有专利文献1中记载的结构的显示装置。
专利文献1：日本特开2014－142641号公报
发明内容
例如，对于专利文献1的图22所示的显示装置，在驱动用晶体管7001上设置有树脂层7017作为平坦化膜。在树脂层7017中，设置有到达电极(构成驱动用晶体管7001的一部分)的接触孔。并且，以覆盖树脂层7017整体(包括上述接触孔)的方式设置有由氮化硅构成的第二保护绝缘层7018。也就是说，树脂层7017为被第二保护绝缘层7018密封的状态。
然而，根据本申请发明人们的经验可知，在形成作为平坦化膜的树脂层之后的制造过程中，存在因加热等导致由树脂层产生包含水分的气体的情况。因此，在为专利文献1中记载的上述结构的情况下，由树脂层产生的气体丧失了逃路，有可能产生下述情形，即，水分滞留在树脂层与其上的保护层之间的界面处，或者保护层发生剥落(peeling)。上述问题会招致损害显示装置的可靠性的结果。
本发明的课题之一在于提供一种不使制造工艺增加、且可靠性高的显示装置及其制造方法。
本发明的一实施方式中的显示装置包括：
第一导体；
第一绝缘层，具有使所述第一导体的一部分露出的第一接触孔；
第二绝缘层，具有使所述第一接触孔的至少一部分及所述第一绝缘层的表面的一部分露出的第二接触孔；
像素电极，与所述第二接触孔的一部分重叠，并且与所述第一导体电连接；和
第三绝缘层，经由所述第二接触孔与所述第一绝缘层接触。
所述像素电极可以经由与所述第一导体接触的第二导体与所述第一导体电连接。
本发明的一实施方式中的显示装置的制造方法包括下述工序：
形成第一导体；
形成第一绝缘层，其以使所述第一导体的一部分露出的方式设置有第一接触孔；
形成第二绝缘层，其以使所述第一接触孔的至少一部分及所述第一绝缘层的表面的一部分露出的方式设置有第二接触孔；
形成像素电极，其与所述第二接触孔的一部分重叠并且与所述第一导体电连接；和
形成第三绝缘层，其经由所述第二接触孔与所述第一绝缘层接触。
还可以包括下述工序：在形成所述第一接触孔后，以覆盖所述第一接触孔的整体的方式形成与所述第一导体电连接的第二导体，
所述像素电极经由所述第二导体与所述第一导体电连接。
附图说明
图1是表示第一实施方式的有机EL显示装置的结构的图。
图2是表示第一实施方式的有机EL显示装置的像素部的结构的图。
图3是表示第一实施方式的有机EL显示装置的像素的结构的图。
图4是表示第一实施方式的有机EL显示装置的像素的一部分的结构的图。
图5A是表示作为比较例的有机EL显示装置的像素的一部分的结构的图。
图5B是表示第一实施方式的有机EL显示装置的像素的一部分的结构的图。
图5C是表示作为比较例的有机EL显示装置的像素的一部分的结构的图。
图6A是表示第一实施方式的有机EL显示装置的阵列基板的制造工序的图。
图6B是表示第一实施方式的有机EL显示装置的阵列基板的制造工序的图。
图7A是表示第一实施方式的有机EL显示装置的阵列基板的制造工序的图。
图7B是表示第一实施方式的有机EL显示装置的阵列基板的制造工序的图。
图8是表示第一实施方式的有机EL显示装置的阵列基板的制造工序的图。
图9是表示第二实施方式的有机EL显示装置的像素的结构的图。
图10是表示第二实施方式的有机EL显示装置的像素的一部分的结构的图。
图11是表示第三实施方式的有机EL显示装置的像素的结构的图。
图12A是表示第三实施方式的有机EL显示装置的阵列基板的制造工序的图。
图12B是表示第三实施方式的有机EL显示装置的阵列基板的制造工序的图。
图13A是表示第三实施方式的有机EL显示装置的阵列基板的制造工序的图。
图13B是表示第三实施方式的有机EL显示装置的阵列基板的制造工序的图。
符号说明
100：有机EL显示装置
102：像素部
103：扫描线驱动电路
104：数据线驱动电路
105：驱动IC
201：像素
202：薄膜晶体管
203：像素电极
204：开口部
301：第一基板
302：基底层
303：半导体层
304：栅极绝缘膜
305：栅电极
306：层间绝缘膜
307、308：源电极或漏电极
309：第一绝缘层
310：第一接触孔
311：第二绝缘层
312：第二接触孔
313：像素电极(正极)
314：第三绝缘层(堤)
315：EL层
316：公共电极(负极)
317：第四绝缘层
318：填充材料
319：第二基板
320：彩色滤光片
321：黑掩模
具体实施方式
以下，针对本发明的各实施方式，一边参照附图一边进行说明。但是，本发明可以在不脱离其主旨的范围内以各种方案进行实施，并不解释为限定于以下列举的实施方式中记载的内容。
另外，对于附图，为了使说明更明确，与实际的方案相比，存在对各部分的宽度、厚度、形状等进行示意性表示的情况，但这只是一个例子，并不限定本发明的说明。另外，在本说明书和各图中，有时对与针对已出现的图进行过说明的要素具有相同功能的要素，标注相同的附图标记，并省略重复的说明。
(第一实施方式)
＜显示装置的结构＞
图1是表示第一实施方式的有机EL显示装置100的结构的图。具体而言，表示俯视EL显示装置100时的简要结构。需要说明的是，在本说明书中，将从与画面(显示区域)垂直的方向观察EL显示装置的情形称为“俯视”。如图1所示，EL显示装置100包括形成于基板101上的像素部(显示区域)102、扫描线驱动电路103、数据线驱动电路104、及驱动IC105。驱动IC105作为向扫描线驱动电路103及数据线驱动电路104传输信号的控制部发挥功能。
需要说明的是，数据线驱动电路104有时也包括在驱动IC105中。在图1中，示出了在基板101上一体形成驱动IC105的例子，但还可以以如IC芯片那样的形态另行配置在基板101上。另外，还可以采用将驱动IC105设置于FPC(Flexible Printed Circuits)进行外置的形态。
在图1所示的像素部102，多个像素201沿行方向及列方向排列，呈矩阵状配置。从数据线驱动电路104向各像素201传输与图像数据相应的数据信号。根据这些数据信号来驱动设置于各像素201内的晶体管，能够进行与图像数据相应的画面显示。作为晶体管，典型地可以使用薄膜晶体管(Thin Film Transistor)。但是，并不限于薄膜晶体管，只要是具备电流控制功能的元件即可，可以使用任何元件。另外，薄膜晶体管既可以为N沟道型也可以为P沟道型。在本实施方式中，用于显示部102的薄膜晶体管为N沟道型。
图2是表示第一实施方式的有机EL显示装置100中的像素部102的结构的图。具体而言，表示作为像素部102一部分的4个像素201的俯视结构。需要说明的是，在图2中，列举了4个像素，但实际上呈矩阵状配置数百万个以上的像素201。另外，像素201的内部结构并不限定于图2所示的结构。
在像素201的内部具有薄膜晶体管202。如后文所述，薄膜晶体管202作为电流控制元件(对发光元件供给适当的电流)发挥功能。也就是说，形成下述结构：像素电极203与薄膜晶体管202的源电极或漏电极电连接，向将像素电极203作为正极的发光元件供给电流。需要说明的是，此处省略了说明，但可以在像素201的内部设置作为开关元件发挥功能的薄膜晶体管，还可以以像素使用多个晶体管的方式构成。
对于本实施方式的有机EL显示装置100，以与像素电极203邻接的方式设置有排水用的开口部204。为了将由树脂层(作为平坦化膜发挥功能)产生的包含水分的气体等排出到外部，开口部204设置于覆盖所述树脂层的无机绝缘层。具体的结构后述。
需要说明的是，在本实施方式中，作为像素201的排列的一个例子，示出了将像素201进行条形排列的例子，但还可以为其他的DELTA排列、Bayer排列或实现Pentile结构的排列。
图3是表示第一实施方式的有机EL显示装置100中的像素201的结构的图。具体而言，是表示用线段III－III’将图2所示的像素201切断而得的截面的结构的图。在图3中，在第一基板301上设置有由氧化硅、氮化硅、氧化铝等无机材料构成的绝缘层作为基底层302，在所述基底层302上形成有薄膜晶体管202。作为基底层302，例如也可以为氧化硅层和氮化硅层的层合结构。所述结构只要考虑与第一基板301的密合性、对薄膜晶体管202的气体阻隔性而适当确定即可。
作为第一基板301，可以使用玻璃基板、石英基板、柔性(flexible)基板(聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、及其他能弯曲的基板)。在第一基板301不必具有透光性的情况下，也可以使用金属基板、陶瓷基板、半导体基板。特别是在使用柔性基板作为基板的情况下，期望设置具有上述那样的层合结构的基底层从而提高来自外部的保护功能。
薄膜晶体管202可以用任何方法形成。薄膜晶体管202的结构既可以为顶栅型也可以为底栅型。在本实施方式中，薄膜晶体管202包括：设置于基底层302上的半导体层303、覆盖半导体层303的栅极绝缘膜304、设置于栅极绝缘膜304上的栅电极305、覆盖栅电极305的层间绝缘膜306、以及设置于层间绝缘膜306上并分别与半导体层303连接的源电极及漏电极307、308。
需要说明的是，构成薄膜晶体管202的各层的材料没有特别限定。例如，作为半导体层303，典型地可以使用多晶硅或非晶硅(amorphoussilicon)。作为栅极绝缘膜304，可以使用氧化硅。作为层间绝缘膜306，可以使用氧化硅或氮化硅，或者将它们层合使用。
在如上所述构成的薄膜晶体管202上设置有作为平坦化膜发挥功能的第一绝缘层309。在本实施方式中，作为第一绝缘层309，使用由树脂材料构成的薄膜。例如，可以使用聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸、环氧树脂等有机树脂材料。上述材料可利用溶液涂布法形成膜，具有平坦化效果高的特点。
第一绝缘层309具有使源电极或漏电极308的一部分露出(即，与源电极或漏电极308的一部分重叠)的第一接触孔310。此处，使用图4来说明漏电极308和第一接触孔310的位置关系。图4是表示第一实施方式的有机EL显示装置100中的像素201的一部分的结构的图。具体而言，表示图2中的开口部204的附近的俯视放大图。
第一接触孔310是用于将后述的像素电极313与源电极或漏电极308进行电连接的开口部。因此，如图4所示，第一接触孔310设置于源电极或漏电极308的外形的内侧，在形成第一接触孔310的时刻，成为在第一接触孔310的底面露出有源电极或漏电极308的状态。
需要说明的是，本实施方式中的源电极或漏电极与权利要求书中的“第一导体”对应。但是，“第一导体”并不限定于源电极或漏电极，可以为与像素电极进行电连接的任何导体。
在第一绝缘层309上设置有作为保护层发挥功能的第二绝缘层311。在本实施方式中，作为第二绝缘层311，使用由无机材料构成的薄膜。例如，可以使用氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等无机材料。由于氮化硅膜的气体阻隔性优异，所以作为保护层是特别有用的。
第二绝缘层311具有与第一接触孔310的一部分和第一绝缘层309的表面的一部分重叠的第二接触孔312。如图3及图4所示，第二接触孔312通过与第一接触孔310的一部分重叠，从而使源电极或漏电极308的一部分露出。另外，由于也与第一绝缘层309的表面的一部分重叠，所以也使第一绝缘层309的表面的一部分露出。如上所述，本实施方式的第二接触孔312以从第一接触孔310的内部跨至第一绝缘层309的表面上的方式进行设置。
像素电极313以与第二接触孔312的一部分重叠、并与源电极或漏电极308进行电连接的方式设置。在本实施方式的情况下，由于像素电极313与第二接触孔312的一部分重叠，所以在未重叠的部分成为第一绝缘层309的表面的一部分露出的状态。所述露出的第一绝缘层309的一部分(图4中用斜线表示的区域204)对应于图2所示的排水用的开口部204。
在本实施方式的有机EL显示装置100中，像素电极313作为构成有机EL元件的阳极(正极)发挥功能。像素电极313根据顶部发光(top emission)型或底部发光(bottom emission)型的不同而形成不同的结构。例如，在为顶部发光型的情况下，作为像素电极313，使用反射率高的金属膜，或者使用氧化铟锡类透明导电膜(例如ITO)、氧化锌类透明导电膜(例如IZO、ZnO)等功函数高的透明导电膜和金属膜的层合结构即可。反之，在为底部发光型的情况下，作为像素电极313使用上述透明导电膜即可。在本实施方式中，以顶部发光型的有机EL显示装置为例进行说明。
在邻接的像素电极313之间，配置有由树脂材料构成的第三绝缘层314。第三绝缘层314在作为像素发光区域的部分具有开口部。即，第三绝缘层314以覆盖薄膜晶体管202的上方、像素电极313的边缘部(边沿部)的方式进行设置。如上所述，由于第三绝缘层314作为划分各像素的部件发挥功能，所以通常也被称为“隔壁”、“堤(bank)”。对于第三绝缘层314的开口部，优选以使内壁成为圆锥形状的方式设置。如此，在形成后述的发光层时，能够减少像素电极313在端部中的覆盖(coverage)不良。
需要说明的是，第三绝缘层314不仅覆盖像素电极313的端部，还可以作为掩埋由第一接触孔310产生的凹部的填充材料发挥功能。作为第三绝缘层314，可以使用聚酰亚胺类、聚酰胺类、丙烯酸类、环氧类或硅氧烷类等树脂材料。
此处，在为本实施方式的结构的情况下，第三绝缘层314经由上述排水用的开口部204与第一绝缘层309接触。因此，在形成第三绝缘层314后(即，在形成后述的发光层之前)的第一绝缘层309的脱水处理(具体而言，加热处理)中，在第一绝缘层309内产生的包含水分的气体经由开口部204向第三绝缘层314侧逃逸，并通过第三绝缘层314内而排出到外部。也就是说，不会像现有技术那样将水分封闭在第一绝缘层309内，即使在设置作为保护层的第二绝缘层311之后也能够进行脱水处理。如此，能够实现可靠性高的显示装置。
在像素电极313及第三绝缘层314上设置有场致发光层(EL层)315。EL层315至少具有由有机材料构成的发光层，作为有机EL元件的发光部发挥功能。EL层315除了发光层以外，还可以包含电子注入层、电子传输层、空穴注入层、空穴传输层等各种电荷传输层。
需要说明的是，在本实施方式中，形成如下结构，即，设置发出白光的EL层315，通过彩色滤光片显示RGB各种颜色。然而，EL层315可以使用其他结构、其他材料，并不特别限定于本实施方式的结构。另外，EL层315可以仅在各像素电极313上形成。即，可以不在第三绝缘层314上形成EL层，而是将其涂布于每一个像素。例如，可以由3个亚像素构成1个像素，在3个亚像素上分别形成与R(红)、G(绿)、B(蓝)各种颜色对应的EL层；也可以由4个亚像素构成1个像素，在4个亚像素上分别形成与R(红)、G(绿)、B(蓝)、W(白)各种颜色对应的EL层。
在EL层315上设置有作为有机EL元件的阴极(负极)发挥功能的公共电极316。由于本实施方式的有机EL显示装置100为顶部发光型，所以使用透明电极作为公共电极316。作为构成透明电极的薄膜，使用MgAg薄膜或透明导电膜(ITO、IZO)。公共电极316以横跨各像素的方式设置于像素部102的整个表面。另外，公共电极316在显示部102的端部附近的周边区域隔着下层的导电层而电连接至外部端子。
在本实施方式中，EL元件由像素电极313、EL层315及公共电极316构成。进而，为了保护EL元件不受外部的水分等的侵害，设置有由无机材料构成的第四绝缘层317。作为第四绝缘层317，优选使用氮化硅膜等细密性好的无机绝缘膜。
在本实施方式中，将以上说明过的第一基板301至第四绝缘层317统称为阵列基板。
在阵列基板上，隔着作为粘接材料及保护材料发挥功能的填充材料(填料)318设置有对置基板。作为填充材料318，可以使用聚酰亚胺类、聚酰胺类、丙烯酸类、环氧类或硅氧烷类的树脂材料。为了确保阵列基板与对置基板之间的间隙，可以在填充材料318中设置间隔件。上述间隔件既可以混合在填充材料中，也可以利用树脂等形成在阵列基板上。另外，只要能够在基板周边部分实现充分的密封、及能够保持阵列基板与对置基板之间的空隙，也可以不使用填充材料318，而以使内部为中空的方式仅密封基板周边部分。另外，还可以不使用对置基板，而将由聚酰亚胺类、聚酰胺类、丙烯酸类、环氧类或硅氧烷类树脂材料构成的层直接作为密封层使用。
需要说明的是，在本实施方式中，所谓“对置基板”，包括第二基板319、设置于第二基板319的主面(与第一基板301相对的面)上的与RGB各种颜色分别对应的彩色滤光片320、及设置于彩色滤光片之间的黑掩模321。作为黑掩模321，可以由钛(Ti)、铬(Cr)等反射率相对地比其他金属低的金属材料形成，或者由含有黑色或近似黑色的着色材料的树脂形成。
但是，对置基板的结构并不限定于此。例如，还可以在设置彩色滤光片320及黑掩模321之后，以兼有平坦化的方式设置保护层。另外，还可以省略黑掩模321，如果以用RGBW各种颜色区分每一个像素的方式设置EL层315，则也可以从对置基板中省略彩色滤光片。进而，如果省略彩色滤光片或者将彩色滤光片形成于第一基板301侧，则也可以省略对置基板本身。
对于如上所述构成的本实施方式的有机EL显示装置100，相对于第二绝缘层311设置的第二接触孔312兼有作为用于将源电极或漏电极308与像素电极313进行电连接的开口部的功能、和作为排水用的开口部的功能这两者。如此，仅通过设置第二接触孔312，就能够实现漏电极308与像素电极313的电连接，并且，能够将来自平坦化膜的包含水分的气体排出，能够提高作为有机EL显示装置的可靠性。
需要说明的是，也可以分开设置用于使源电极或漏电极露出的开口部和排水用的开口部，但在该情况下，为了形成各开口部而必须分别采取设计余量(design margin)，因此作为整体用于确保开口部的面积有可能变大。在本实施方式的情况下，由于利用单一的开口部就能够达成源电极或漏电极与像素电极的电连接、和排水用的开口部的形成这两者，所以具有下述优点：与分别各自进行设置的情形相比，成为非常紧凑的结构。
例如，图5A是表示将用于使源电极或漏电极露出的开口部401和排水用的开口部402分开设置时的一个例子(比较例1)的图。与此相对，图5B是表示设置基于本实施方式的开口部204时的一个例子(实施例1)的图，图5C是表示设置基于本实施方式的开口部204时的另一个例子(实施例2)的图。
在图5A的情况下，必须在开口部401和开口部402这两处确保设计余量，难以高密度地进行集成化。但是，如图5B及图5C所示，基于本实施方式的开口部204用单一的开口部能够同时确保漏电极与像素电极的电连接和排水用的开口部。因此，例如像素尺寸相同时，能够使图5B的发光区域404的宽度(X’)比图5A的发光区域403的宽度(X)大。如此，能够提高像素的开口率，能够有助于提高显示装置的亮度。另外，例如发光区域的宽度相同时，能够使图5C的像素间距(Y’)比图5A的像素间距(Y)窄。如此，能够提高像素的布局(layout)密度，能够有助于显示装置的高精细化。
以下，参照图6～8来说明具有上述结构的本实施方式的有机EL显示装置100中的阵列基板的制造工序。
＜显示装置的制造方法＞
首先，如图6A所示，在第一基板301上形成基底层302，然后在基底层302上形成薄膜晶体管(TFT)202。作为第一基板301，可以使用玻璃基板、石英基板、柔性基板(聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等其他能够弯曲的基板)等。在第一基板301不必具有透光性的情况下，也可以使用金属基板、陶瓷基板、半导体基板。
作为基底层302，典型地可以使用由氧化硅或氮化硅构成的绝缘层或者它们的层合膜。基底层302具有如下功能，即，防止来自第一基板301的污染物质的侵入、缓和由第一基板301的伸缩而产生的应力。
如上所述，薄膜晶体管202可以利用任何方法形成。例如，在基底层302上形成由硅构成的半导体层303，并以覆盖半导体层303的方式形成由氧化硅构成的栅极绝缘膜304。在栅极绝缘膜304上形成由金属材料构成的栅电极305，并以覆盖栅电极305的方式形成层间绝缘膜306。作为层间绝缘膜306，可以使用由氧化硅或氮化硅构成的绝缘层或者它们的层合膜。进而，在层间绝缘膜306及栅极绝缘膜304中形成到达半导体层303的接触孔之后，形成由金属材料构成的源电极及漏电极307、308。
通过以上工艺形成薄膜晶体管202。需要说明的是，虽然在本实施方式中给出了形成顶栅型薄膜晶体管作为薄膜晶体管202的例子，但也可以形成底栅型薄膜晶体管。
形成薄膜晶体管202后，如图6B所示，形成第一绝缘层309，并形成到达源电极或漏电极308的第一接触孔310。在本实施方式中，作为第一绝缘层309，形成由感光性丙烯酸树脂构成的树脂层，并通过使用光掩模(photomask)进行曝光从而形成第一接触孔310。需要说明的是，由于第一绝缘层309作为平坦化膜使用，所以膜厚优选为1～3μm。
接下来，如图7A所示，以覆盖设置有第一接触孔310的第一绝缘层309的方式形成第二绝缘层311。在本实施方式中，作为第二绝缘层311，使用了氮化硅层，但也可以为氧化硅层。考虑到对水分等的阻隔性，膜厚以30～300nm的范围适当设定即可。利用通常的光刻在第二绝缘层311上形成图案，设置第二接触孔312。如图4所示，第二接触孔312以横跨第一接触孔310的一部分和第一绝缘层309的一部分的方式呈矩形状设置。
在对第二绝缘层311形成第二接触孔312后，如图7B所示，形成像素电极313。需要说明的是，像素电极313以分别对应于与多个像素对应的位置的方式形成。进而，像素电极313以覆盖第一接触孔310的整体和第二接触孔312的一部分的方式形成。在本实施方式的情况下，具体而言，形成由ITO薄膜夹持银薄膜的三层结构的导电层，对该导电层进行图案形成从而形成像素电极313。在本实施方式中，由于为朝向显示装置的上方(使远离第一基板301的方向为上)将光导出的结构，所以将银薄膜用作反射层。如上所述形成的像素电极313作为本实施方式的有机EL表元件中的阳极(正极)发挥功能。
接下来，如图8所示，形成作为堤发挥功能的第三绝缘层314。第三绝缘层314可如下得到，即，形成膜厚为1μm左右的树脂层后，在与像素的发光区域对应的部分处形成开口部。也就是说，第三绝缘层314以覆盖薄膜晶体管202的上方、像素电极313的边缘部(边沿部)的方式形成。结果，第三绝缘层314的一部分经由第二接触孔312的一部分与第一绝缘层309接触。
在本实施方式中，在形成第三绝缘层314后，进行加热处理用于将水分从第一绝缘层309及第三绝缘层314中排出。但是，该工序并非必须。之后，在像素电极313及第三绝缘层314上形成EL层315。在本实施方式中，作为EL层315，对全部像素共用地形成发出白光的层。如此，能够简化制造工艺，能够构建生产率高的制造工艺。需要说明的是，EL层315除了发光层以外，还可以包括电荷注入层、电荷传输层或上述两者。另外，EL层315可利用已知方法形成。例如，可以利用蒸镀形成低分子的EL材料、利用喷墨法、旋涂法等形成高分子的EL材料。
接下来，形成作为有机EL元件的阴极发挥功能的公共电极316。在本实施方式中，作为公共电极316，使用利用溅射法形成的ITO膜或IZO膜。当然也可以使用其他透明导电膜，还可以使用以光透过程度的薄膜的形式形成MgAg这样的金属膜。之后，作为保护膜形成由氮化硅构成的第四绝缘层317。此时，理想的是，不使公共电极316和第四绝缘层317接触外部大气，连续形成公共电极316和第四绝缘层317。
按照上述方式，本实施方式的有机EL显示装置的阵列基板得以完成。进而，利用填充材料318对完成后的阵列基板粘贴图3所示的对置基板(由第二基板319、彩色滤光片320及黑掩模321构成的基板)时，能够得到图3所示的有机EL显示装置100。
(第二实施方式)
图9是表示第二实施方式的有机EL显示装置200的像素201的结构的图。图10是表示第二实施方式的有机EL显示装置200的像素201的一部分的结构的图。其与第一实施方式的不同之处在于，在第二实施方式的有机EL显示装置中，以与第一接触孔310的全部范围重叠的方式设置有第二接触孔401。其他结构与第一实施方式的有机EL显示装置100相同，故而省略详细的说明。
在第一实施方式中，在图3所示的结构中，示出了设置于第二绝缘层311的第二接触孔312与设置于第一绝缘层309的第一接触孔310的一部分重叠的例子。在本实施方式的情况下，如图9所示，第一接触孔310内的第二绝缘层311被全部除去，第二接触孔401与第一接触孔310的全部范围重叠。也就是说，成为第二接触孔401的区域包含成为第一接触孔310的区域。
另外，根据图10所示的俯视图，第一接触孔310设置于第二接触孔312的内侧。因此，在第一接触孔310的底面的整个范围内，配置于其下的源电极或漏电极308的一部分露出。
由图4和图10的比较可知，在形成本实施方式的结构的情况下，由于源电极或漏电极308与像素电极313的接触面积增加，所以可以使两者的电连接良好。进而，随着第二接触孔312的面积变大，排水用的开口部402的面积也变大，来自第一绝缘层309的包含水分的气体的排出性能进一步提高。
如上所述，对于本实施方式的有机EL显示装置200，除了对第一实施方式的有机EL显示装置100说明过的效果以外，还能够使漏电极308与像素电极313的电连接、和来自第一绝缘层309的包含水分的气体的排出性能进一步良好。
(第三实施方式)
图11是表示第三实施方式的有机EL显示装置300的像素201的结构的图。图12A、图12B、图13A及图13B是表示第三实施方式的有机EL显示装置300的制造工序的图。其与第一实施方式的不同之处在于，在第三实施方式的有机EL显示装置中，以覆盖第一接触孔310的方式设置第二导体，进而在有机EL元件的下方设置电容电极。其他结构与第一实施方式的有机EL显示装置100相同，故而省略详细的说明。
在本实施方式的有机EL显示装置300中，如图11所示，在第一接触孔310上设置有第二导体501。第二导体501作为用于将源电极或漏电极308与像素电极313进行电连接的电极发挥功能。第二导体501可以由各种导电材料构成，但优选使用能够在与构成后述的电容电极502的导电材料之间确保蚀刻时的选择比的材料。在本实施方式中，可以由包含选自ITO、IZO、ZnO中的至少一种的透明导电材料构成第二导体501。如此，第二导体501可以作为形成电容电极502时的蚀刻阻止件发挥功能。
进而，在本实施方式的有机EL显示装置300中，在像素电极313与第一绝缘层309之间设置有第三导体502。第三导体502与像素电极308成对而作为电容器电极发挥功能。即，由于形成在电容器电极502与像素电极308之间配置有第二绝缘层311作为电介质的结构，所以第三导体502作为与EL元件连接的电容器的一个电极发挥功能。需要说明的是，第三导体502既可以与电源线电连接，也可以与公共电极316电连接。
第三导体502可以由各种导电材料构成。在本实施方式中，形成用钼(Mo)薄膜夹持铝(Al)薄膜的层合结构，但并不限定于该结构。
接下来，对第三实施方式的有机EL显示装置300的制造工序进行说明。需要说明的是，形成第一接触孔310之前的工艺、和形成像素电极313之后的工艺与第一实施方式相同，故而省略此处的说明。
利用与第一实施方式相同的工艺形成第一接触孔310后，在本实施方式中，如图12A所示，利用溅射法形成由ITO构成的薄膜，对形成的薄膜进行图案形成从而形成第二导体501。此时，对于第二导体501的形状，以从上方观察有机EL显示装置300时与第一接触孔310的全部范围重叠的方式形成。
形成第二导体501后，接下来，如图12B所示，形成第三导体502。具体而言，以覆盖第二导体501及第一绝缘层309的方式，按照钼薄膜、铝薄膜及钼薄膜的顺序进行层合，对它们进行图案形成从而形成第三导体502。此时，由于第二导体501和第三导体502相对于蚀刻第三导体502时使用的蚀刻剂具有充分的选择比，所以第二导体501不会被蚀刻除去。
需要说明的是，假如在未设置第二导体501的情况下，在其下方存在由包含铝等的金属材料构成的源电极或漏电极308。因此，有可能在蚀刻第三导体502时也蚀刻源电极或漏电极308。在形成本实施方式的结构的情况下，由于第二导体501作为蚀刻阻止件发挥功能，所以在形成第三导体502时不会蚀刻至源电极或漏电极308。
形成第三导体502后，如图13A所示，形成具有第二接触孔312的第二绝缘层311。第二接触孔312与第一实施方式同样地，以横跨第一接触孔310的一部分及第一绝缘层309的一部分而进行重叠的方式形成。但是，与第一实施方式不同的是，即使形成第二接触孔312也不露出源电极或漏电极308，取而代之的是露出第二导体501。
形成第二绝缘层311之后，接下来，如图13B所示，形成像素电极313。像素电极313可以由包含选自ITO、IZO、ZnO的至少一种的透明导电材料形成。在本实施方式中，像素电极313也以覆盖第一接触孔310的整体和第二接触孔312的一部分的方式形成。需要说明的是，在图13B中，像素电极313以覆盖第二导体501的端部的方式形成，但也可以以使端部露出的方式形成。
如上所述，根据本实施方式，通过在像素电极313的下方设置作为电容器电极发挥功能的第三导体502，能够将像素的大致整个范围作为电容进行有效利用。另外，在形成上述电容时，通过在第一接触孔310的上方设置作为蚀刻阻止件发挥功能的第二导体501，能够在不蚀刻源电极或漏电极308的情况下形成第三导体502。
作为本发明的实施方式，上述各实施方式只要不相互矛盾，就能够适当组合并进行实施。另外，基于各实施方式的显示装置，本领域技术人员可以适当进行技术特征的追加、删除或设计变更，或者也可进行工序的追加、省略或条件变更，只要具备本发明的主旨就包括在本发明的范围内。
另外，对于即使是与由上述各实施方式的方案带来的作用效果不同的其他作用效果、但根据本说明书的记载可明确获得或者本领域技术人员容易预测到的作用效果，当然应理解为是由本发明带来的作用效果。

Claims (18)

1.一种显示装置，其包括：
第一导体；
第一绝缘层，具有使所述第一导体的一部分露出的第一接触孔；
第二绝缘层，具有使所述第一接触孔的至少一部分及所述第一绝缘层的表面的一部分露出的第二接触孔；
像素电极，与所述第二接触孔的一部分重叠，并且与所述第一导体电连接；和
第三绝缘层，经由所述第二接触孔与所述第一绝缘层接触。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述像素电极经由与所述第一导体接触的第二导体与所述第一导体电连接。
3.如权利要求2所述的显示装置，其中，所述第二导体由包含选自ITO、IZO、ZnO中的至少一种的透明导电材料构成。
4.如权利要求1所述的显示装置，其中，在俯视下，所述第二接触孔与所述第一接触孔的一部分重叠。
5.如权利要求1所述的显示装置，其中，在俯视下，所述第二接触孔与所述第一接触孔的整体重叠。
6.如权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一绝缘层及所述第三绝缘层包含树脂材料，
所述第二绝缘层包含无机材料。
7.如权利要求6所述的显示装置，其中，所述无机材料包含氧化硅或氮化硅。
8.如权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一导体为包含选自Mo、Al、W、Cr中的至少一种的金属层，
所述像素电极为包含选自ITO、IZO、ZnO中的至少一种的透明导电层。
9.如权利要求1所述的显示装置，其中，在使设置于所述第三绝缘层的所述像素电极露出的开口部内，进一步设置有发光层。
10.一种显示装置的制造方法，包括下述工序：
形成第一导体；
形成第一绝缘层，所述第一绝缘层以使所述第一导体的一部分露出的方式设置有第一接触孔；
形成第二绝缘层，所述第二绝缘层以使所述第一接触孔的至少一部分及所述第一绝缘层的表面的一部分露出的方式设置有第二接触孔；
形成像素电极，所述像素电极与所述第二接触孔的一部分重叠并且与所述第一导体电连接；和
形成第三绝缘层，所述第三绝缘层经由所述第二接触孔与所述第一绝缘层接触。
11.如权利要求10所述的显示装置的制造方法，其中，进一步包括下述工序：在形成所述第一接触孔后，以覆盖所述第一接触孔的整体的方式形成与所述第一导体电连接的第二导体，
所述像素电极经由所述第二导体与所述第一导体电连接。
12.如权利要求11所述的显示装置的制造方法，其中，所述第二导体包含选自ITO、IZO、ZnO中的至少一种。
13.如权利要求10所述的显示装置的制造方法，其中，所述第二接触孔以与所述第一接触孔的一部分重叠的方式形成。
14.如权利要求10所述的显示装置的制造方法，其中，所述第二接触孔以与所述第一接触孔的整体重叠的方式形成。
15.如权利要求10所述的显示装置的制造方法，其中，
所述第一绝缘层及所述第三绝缘层包含树脂材料，
所述第二绝缘层包含无机材料。
16.如权利要求15所述的显示装置的制造方法，其中，所述无机材料包含氧化硅或氮化硅。
17.如权利要求10所述的显示装置的制造方法，其中，
所述第一导体以包含选自Mo、Al、W、Cr中的至少一种的金属层的形式形成，
所述像素电极以包含选自ITO、IZO、ZnO中的至少一种的透明导电层的形式形成。
18.如权利要求10所述的显示装置的制造方法，其中，进一步包括下述工序：
在所述第三绝缘层中形成使所述像素电极露出的开口部；及
在所述开口部内形成发光层。
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