JP5172023B2 - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
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Description
前記第1の基板は、映像信号線と、画素電極と、第1の電極が前記映像信号線に接続され第2の電極が前記画素電極と接続された薄膜トランジスタと、前記第2の電極よりも上層に形成された第1のシリコン窒化膜と、前記第1のシリコン窒化膜よりも上層に形成された有機絶縁膜と、前記有機絶縁膜よりも上層に形成された容量電極と、前記容量電極よりも上層で前記画素電極よりも下層に形成された第2のシリコン窒化膜とを有し、前記第2のシリコン窒化膜は、前記第1のシリコン窒化膜の成膜温度よりも低温で成膜された膜であり、前記第1のシリコン窒化膜と前記第2のシリコン窒化膜は、両者を一括でドライエッチして形成したコンタクトホールを有し、前記コンタクトホールを介して前記第2の電極と前記画素電極とが接続されており、前記容量電極には、前記画素電極とは異なる電位が印加されており、前記画素電極と前記第2のシリコン窒化膜と前記容量電極とによって保持容量を構成している。
Claims (21)
- 映像信号線と画素電極とを有する第1の基板と、前記第1の基板に対向して配置される第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板との間に挟持される液晶とを有する液晶表示装置の製造方法であって、
前記第1の基板上に、第1の電極が前記映像信号線に接続され第2の電極が前記画素電極と接続された薄膜トランジスタを形成する工程と、
前記第2の電極よりも上層に第1のシリコン窒化膜を形成する工程と、
前記第1のシリコン窒化膜よりも上層に有機絶縁膜を形成する工程と、
前記有機絶縁膜よりも上層に容量電極を形成する工程と、
前記有機絶縁膜を形成した後に、前記容量電極より上層かつ前記画素電極よりも下層に前記第1のシリコン窒化膜の成膜温度よりも低温で第2のシリコン窒化膜を成膜する工程と、
前記第2の電極上に、前記第1のシリコン窒化膜と前記第2のシリコン窒化膜とを一括で貫通し前記第2の電極と前記画素電極とを電気的に接続するコンタクトホールを形成する工程とを有し、
前記容量電極には前記画素電極とは異なる電位が印加され、前記画素電極と前記第2のシリコン窒化膜と前記容量電極とは保持容量を構成する、
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 前記コンタクトホールを形成する工程では、前記第1のシリコン窒化膜と前記第2のシリコン窒化膜とを一括でドライエッチして前記コンタクトホールを形成することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第2のシリコン窒化膜は、前記第2の電極と接触する領域を持たないことを特徴とする請求項1または2に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記容量電極は、少なくとも一部に反射膜を有することを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第2の電極は、前記反射膜をパターニングする際に用いるエッチング液またはエッチングガスによってエッチングされる材料を有していることを特徴とする請求項4に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第2の電極は、前記反射膜と同じ材料を有していることを特徴とする請求項4または5に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記有機絶縁膜は、前記反射膜に対応する箇所に凹凸を有し、
前記反射膜は、前記有機絶縁膜の前記凹凸を反映した凹凸を有することを特徴とする請求項4から6の何れか一項に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記有機絶縁膜の前記凹凸は、山と谷との間の高さが0.3μm以下であることを特徴とする請求項7に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記コンタクトホールにおいて、前記第2のシリコン窒化膜の下面が、前記第1のシリコン窒化膜の上面と、少なくとも一箇所で接触していることを特徴とする請求項1から8の何れか一項に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記コンタクトホールにおいて、前記第2のシリコン窒化膜の下面が、前記第1のシリコン窒化膜の上面と、全周にわたって接触していることを特徴とする請求項1から8の何れか一項に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記コンタクトホールにおいて、前記第2のシリコン窒化膜の下面の端部が、前記第1のシリコン窒化膜の上面の端部と、ほぼ一致していることを特徴とする請求項1から10の何れか一項に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記コンタクトホールにおいて、前記第2のシリコン窒化膜の下面の端部が、前記第1のシリコン窒化膜の上面の端部よりも、後退していることを特徴とする請求項1から10の何れか一項に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記コンタクトホールにおいて、前記有機絶縁膜が、前記第2のシリコン窒化膜から露出していないことを特徴とする請求項1から12の何れか一項に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記容量電極は、少なくとも一部に透明導電膜を有することを特徴とする請求項1から13の何れか一項に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記画素電極は、透明導電膜を有することを特徴とする請求項1から14の何れか一項に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第2のシリコン窒化膜は、表面近傍が、それ以外の部分よりもエッチレートが速い膜であることを特徴とする請求項1から15の何れか一項に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第2のシリコン窒化膜の前記表面近傍の前記エッチレートがそれ以外の部分よりも速い部分の膜厚は、前記第2のシリコン窒化膜の膜厚の5%以上、30%以下であることを特徴とする請求項16に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第2のシリコン窒化膜は、プラズマCVD法により成膜されていることを特徴とする請求項1から17の何れか一項に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記容量電極は、対向電極の役割を兼ね、前記画素電極と前記対向電極との間に発生する電界により前記液晶を駆動することを特徴とする請求項1から18の何れか一項に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第2の基板は、対向電極を有し、前記画素電極と前記対向電極との間に発生する電界により前記液晶を駆動することを特徴とする請求項1から18の何れか一項に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第1のシリコン窒化膜を形成する工程および前記第2のシリコン窒化膜を成膜する工程では、プラズマCVD法を用いて前記第1のシリコン窒化膜および前記第2のシリコン窒化膜のそれぞれを成膜することを特徴とする請求項20に記載の液晶表示装置の製造方法。
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