JP4499481B2 - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
図1は本発明の第1の実施形態の液晶表示装置を示す断面図、図2は同じくその平面図である。本実施形態は、本発明をチャネル保護タイプのTFTを有する半透過型液晶表示装置に適用した例を示している。
次に、ガラス基板の上側全面に例えばITO等の透明導電体をスパッタリングして、コモン電極44を形成する。その後、コモン電極44の上に感光性樹脂を塗布し、露光及び現像処理を行って、配向規制用突起45を形成する。配向規制用突起45は、透過領域A1,A2及び反射領域Bの中心位置に形成する。これらの配向規制用突起45は、例えば直径が10μm、高さが2.5μmとする。
図9は、第1の実施形態の変形例の液晶表示装置を示す断面図である。なお、図9において、図1と同一物には同一符号を付してその詳しい説明を省略する。また、図9においては、配向規制用突起、λ/4波長板及び偏光板の図示を省略している。
以下、本発明の第2の実施形態について説明する。
ーン14aには開口部15を形成し、絶縁膜パターン19aには開口部20を形成しておく。これらの開口部15,20は、大きさ及び配列ピッチが相互に異なる。
以下、本発明の第3の実施形態について説明する。本実施形態は、本発明をチャネルエッチングタイプのTFTを有する液晶表示装置の製造方法に適用した例について説明している。
以下、本発明の第4の実施形態について説明する。本実施形態においても、本発明をチャネルエッチングタイプのTFTを有する液晶表示装置の製造方法に適用した例について説明している。
前記第1の基板に対向して配置されて光を透過する第2の基板と、
前記第1の基板上に形成され、前記第2の基板を透過した光を反射する反射膜と、
前記第1の基板と前記反射膜との間に積層して形成された複数の膜と、
前記第1の基板と前記第2の基板との間に封入された液晶とを有し、
前記複数の膜には膜毎に配列ピッチが異なるパターンが形成され、前記反射膜の表面には前記複数の膜の前記パターンに応じた凹凸が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
前記第1の基板の前記反射電極を形成する領域上に前記薄膜トランジスタの形成と同時に、膜毎に配列ピッチが異なるパターンを有する複数の膜を積層して形成し、その後、前記複数の膜の上に、前記複数の膜のパターンに応じた凹凸を表面に有する反射膜を形成して前記反射電極とすることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
前記第1の金属膜をパターニングして、ゲートバスライン及び補助容量バスラインを形成する工程と、
前記第1の基板の上側全面に第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜上に第1の半導体膜を形成する工程と、
前記第1の半導体膜上に第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の絶縁膜をパターニングして少なくとも薄膜トランジスタのチャネルを保護するチャネル保護膜を形成する工程と、
前記第1の基板の上側全面に第2の半導体膜を形成する工程と、
前記第2の半導体膜の上に第2の金属膜を形成する工程と、
前記第2の金属膜、前記第1の半導体膜及び前記第2の半導体膜をパターニングして、前記薄膜トランジスタの活性層の形状を確定するとともに、データバスラインと、前記薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極と、第1の絶縁膜を介して前記補助容量バスラインに対向する補助容量電極とを形成する工程と、
前記第1の基板の上側全面に第3の絶縁膜を形成する工程と、
前記第3の絶縁膜上に、前記第3の絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタのソース電極及び前記補助容量電極と電気的に接続される反射電極を形成する工程と、
前記第1の基板に第2の基板を対向させて配置し、これらの第1及び第2の基板間に液晶を封入する工程とを有し、
前記反射電極の下方の前記補助容量バスライン、前記第1の半導体膜、前記第2の半導体膜、前記第2の絶縁膜及び前記第3の絶縁膜のうちの少なくとも2以上に、膜毎に配列ピッチが異なるパターンを形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
前記第1の金属膜をパターニングして、ゲートバスライン及び補助容量バスラインを形成する工程と、
前記第1の基板の上側全面に第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜上に第1の半導体膜を形成する工程と、
前記第1の半導体膜上に第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の絶縁膜をパターニングして少なくとも薄膜トランジスタのチャネルを保護するチャネル保護膜を形成する工程と、
前記第1の基板の上側全面に第2の半導体膜を形成する工程と、
前記第2の半導体膜の上に第2の金属膜を形成する工程と、
前記第2の金属膜、前記第1の半導体膜及び前記第2の半導体膜をパターニングして、前記薄膜トランジスタの活性層の形状を確定するとともに、データバスラインと、前記薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極と、反射電極とを形成する工程と、
前記基板の上側全面に第3の絶縁膜を形成する工程と、
前記第3の絶縁膜に開口部を形成して前記反射電極を露出させる工程と、
前記第1の基板に対向させて第2の基板を配置し、これらの第1及び第2の基板間に液晶を封入する工程とを有し、
前記反射電極の下方の前記補助容量バスライン、前記第1の半導体膜及び前記第2の絶縁膜のうちの少なくとも2以上に、膜毎に配列ピッチが異なるパターンを形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
前記第1の金属膜をパターニングして、ゲートバスライン及び補助容量バスラインを形成する工程と、
前記第1の基板の上側全面に第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜上に半導体膜を形成する工程と、
前記第半導体膜をパターニングする工程と、
前記第1の基板の上側全面に第2の金属膜を形成する工程と、
前記第2の金属膜をパターニングして、データバスラインと、薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極と、前記第1の絶縁膜を介して前記補助容量バスラインに対向する補助容量電極とを形成する工程と、
前記第1の基板の上側全面に第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の絶縁膜に開口部を形成する工程と、
前記第1の基板の上側全面に第3の金属膜を形成する工程と、
前記第3の金属膜をパターニングして反射電極を形成する工程と、
前記第1の基板に対向させて第2の基板を配置し、これらの第1及び第2の基板間に液晶を封入する工程とを有し、
前記反射電極の下方の前記補助容量バスライン、前記半導体膜及び前記第2の絶縁膜の少なくとも2以上に、膜毎に配列ピッチが異なるパターンを形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
前記第1の金属膜をパターニングして、ゲートバスライン及び補助容量バスラインを形成する工程と、
前記第1の基板の上側全面に第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜上に半導体膜を形成する工程と、
前記第半導体膜をパターニングする工程と、
前記第1の基板の上側全面に第2の金属膜を形成する工程と、
前記第2の金属膜をパターニングして、データバスラインと、薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極と、反射電極とを形成する工程と、
前記基板の上側全面に第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の絶縁膜に開口部を形成して前記反射電極を露出させる工程と、
前記第1の基板に対向させて第2の基板を配置し、これらの第1及び第2の基板間に液晶を封入する工程とを有し、
前記反射電極の下方の前記補助容量バスライン及び前記半導体膜に、膜毎に配列ピッチが異なるパターンを形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
12,21,29,64,84…金属膜、
13…ゲートバスライン、
14…補助容量バスライン、
14a,24a,79,96…金属膜パターン、
15,20,25,28,78,83,95…開口部
16,18,27,62,73,82,91,97…絶縁膜、
17,74,75,92,93…半導体膜、
19…チャネル保護膜、
19a…絶縁膜パターン、
22…データバスライン、
23…TFT、
23a…ソース電極、
23b…ドレイン電極、
24…補助容量電極、
32a,64a,84a,99a…透明画素電極、
33,61,85…反射電極、
40…対向基板、
43…カラーフィルタ、
44…コモン電極、
45…ドメイン規制用突起、
47…透明樹脂膜、
50…液晶、
51a,51b…λ/4波長板、
52a,52b…偏光板。
Claims (3)
- 第1の基板と、
前記第1の基板に対向して配置されて光を透過する第2の基板と、
前記第1の基板上に形成され、前記第2の基板を透過した光を反射する反射膜と、
前記第1の基板と前記反射膜との間に積層して形成された複数の膜と、
前記第1の基板と前記第2の基板との間に封入された液晶とを有する液晶表示装置であって、
前記複数の膜には膜毎に配列ピッチが異なるパターンが形成され、前記反射膜の表面には前記複数の膜の前記パターンに応じた凹凸が形成されており、
1画素領域内に、前記反射膜で反射する光により表示を行う反射領域と、前記第1及び第2の基板を透過する光により表示を行う透過領域とを有することを特徴とする液晶表示装置。 - 第1の基板上に第1の金属膜を形成する工程と、
前記第1の金属膜をパターニングして、ゲートバスライン及び補助容量バスラインを形成する工程と、
前記第1の基板の上側全面に第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜上に第1の半導体膜を形成する工程と、
前記第1の半導体膜上に第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の絶縁膜をパターニングして少なくとも薄膜トランジスタのチャネルを保護するチャネル保護膜を形成する工程と、
前記第1の基板の上側全面に第2の半導体膜を形成する工程と、
前記第2の半導体膜の上に第2の金属膜を形成する工程と、
前記第2の金属膜、前記第1の半導体膜及び前記第2の半導体膜をパターニングして、前記薄膜トランジスタの活性層の形状を確定するとともに、データバスラインと、前記薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極と、反射電極とを形成する工程と、
前記基板の上側全面に第3の絶縁膜を形成する工程と、
前記第3の絶縁膜に開口部を形成して前記反射電極を露出させる工程と、
前記第1の基板に対向させて第2の基板を配置し、これらの第1及び第2の基板間に液晶を封入する工程とを有し、
前記反射電極の下方の前記補助容量バスライン、前記第1の半導体膜及び前記第2の絶縁膜のうちの少なくとも2以上に、膜毎に配列ピッチが異なるパターンを形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 第1の基板上に第1の金属膜を形成する工程と、
前記第1の金属膜をパターニングして、ゲートバスライン及び補助容量バスラインを形成する工程と、
前記第1の基板の上側全面に第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜上に半導体膜を形成する工程と、
前記第半導体膜をパターニングする工程と、
前記第1の基板の上側全面に第2の金属膜を形成する工程と、
前記第2の金属膜をパターニングして、データバスラインと、薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極と、反射電極とを形成する工程と、
前記基板の上側全面に第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の絶縁膜に開口部を形成して前記反射電極を露出させる工程と、
前記第1の基板に対向させて第2の基板を配置し、これらの第1及び第2の基板間に液晶を封入する工程とを有し、
前記反射電極の下方の前記補助容量バスライン及び前記半導体膜に、膜毎に配列ピッチが異なるパターンを形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
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