JPH05173158A - 反射型液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents

反射型液晶表示装置およびその製造方法

Info

Publication number
JPH05173158A
JPH05173158A JP3345178A JP34517891A JPH05173158A JP H05173158 A JPH05173158 A JP H05173158A JP 3345178 A JP3345178 A JP 3345178A JP 34517891 A JP34517891 A JP 34517891A JP H05173158 A JPH05173158 A JP H05173158A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
reflection
display device
crystal display
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3345178A
Other languages
English (en)
Inventor
Kozo Nakamura
浩三 中村
Seiichi Mitsui
精一 三ツ井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP3345178A priority Critical patent/JPH05173158A/ja
Publication of JPH05173158A publication Critical patent/JPH05173158A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 良好な反射特性を有し、表示品位が向上した
反射型液晶表示装置を提供する。 【構成】 スイッチング素子である薄膜トランジスタ4
0上に反射電極38を形成する際に、相互に平行な帯状
の凸部42aを有する有機絶縁膜42を形成し、その上
に反射電極38を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、入射光を反射すること
によって表示を行う反射型液晶表示装置およびその製造
方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、ワードプロセッサ、ラップトップ
パソコン、ポケットテレビなどへの液晶表示装置の応用
が急速に進展している。特に、液晶表示装置の中でも外
部から入射した光を反射させて表示を行う反射型液晶表
示装置は、バックライトが不要であるため消費電力が低
く、薄型であり軽量化が可能であるため注目されてい
る。
【0003】従来から、反射型液晶表示装置にはTN
(ツイステッドネマティック)方式、並びにSTN(ス
ーパーツイステッドネマティック)方式が用いられてい
るけれども、これらの方式では偏光板によって必然的に
自然光の光強度の1/2が表示に利用されないことにな
り、表示が暗くなるという問題がある。
【0004】このような問題に対して、偏光板を用い
ず、自然光の全ての光線を有効に利用しようとする表示
モードが提案されている。このようなモードの例とし
て、相転移型ゲスト・ホスト方式が挙げられる(D.
L.White and G.N.Taylor:J.A
ppl.Phys.45 4718 1974)。この
モードでは、電界によるコレステリック・ネマティック
相転移現象が利用されている。この方式に、さらにマイ
クロカラーフィルタを組合わせた反射型マルチカラーデ
ィスプレイも提案されている(Tohru Koizu
mi and Tatsuo Uchida Procee
dings of the SID,Vol.29/2,
157,1988)。
【0005】このような偏光板を必要としないモードで
さらに明るい表示を得るためには、あらゆる角度からの
入射光に対し、表示画面に垂直な方向へ散乱する光の強
度を増加させる必要がある。そのためには、最適な反射
特性を有する反射板を作成することが必要となる。上述
の文献には、ガラスなどからなる基板の表面を研磨剤で
粗面化し、フッ化水素酸でエッチングする時間を変える
ことによって表面の凹凸を制御し、その凹凸上に銀の薄
膜を形成した反射板について記載されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記文
献に記載の反射板には、ガラス基板に研磨剤によって傷
をつけることによって凹凸部が形成されるため、均一な
形状の凹凸部が形成されない。また、凹凸部の形状の再
現性が悪いという問題点があるため、このようなガラス
基板を用いると再現性よく良好な反射特性を有する反射
型液晶表示装置を提供することができない。
【0007】本発明の目的は、上述の問題を解決し、良
好な反射特性を有する反射板を容易に、かつ再現性良く
作成することができ、表示品位が向上する反射型液晶表
示装置およびその製造方法を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、液晶層を介在
して対向配置される一対の基板の一方基板上に、他方基
板側からの入射光を反射する反射板を有する反射型液晶
表示装置において、前記反射板は、相互に平行な帯状の
複数の凸部を有する絶縁膜上に形成されていることを特
徴とする反射型液晶表示装置である。
【0009】また本発明は、前記反射板は、表示絵素と
なる電極であることを特徴とする。
【0010】また本発明は、液晶層を介在して対向配置
される一対の基板の一方基板上に、他方基板側からの入
射光を反射する反射板を有する反射型液晶表示装置の製
造方法において、前記一方基板上に感光性樹脂を塗布
し、前記感光性樹脂を相互に平行な帯状の透孔が形成さ
れた遮光手段を介して露光および現像した後に熱処理を
行い、得られた帯状の凸部上に、前記帯状の凸部に沿う
金属薄膜から成る前記反射板を形成することを特徴とす
る反射型液晶表示装置の製造方法である。
【0011】
【作用】本発明に従えば、液晶層を介在して対向配置さ
れる一対の基板の一方基板上に、他方基板からの入射光
を反射する反射板を有する反射型液晶表示装置におい
て、相互に平行な帯状の複数の凸部を有する絶縁膜上
に、前記反射板が形成されている。前記反射板は、絶縁
膜の帯状の凸部に沿った凸部を有する形状となる。絶縁
膜には帯状の凸部を均一に形成することができるため、
反射板の凸部も均一となり、全面的に均一な反射特性が
得られる。
【0012】また本発明に従えば、前記反射板は表示絵
素となる電極であり、液晶層側に位置しているため視差
がなくなる。
【0013】また本発明に従えば、液晶層を介在して対
向配置される一対の基板の一方基板上に、他方基板から
の入射光を反射する反射板を有する反射型液晶表示装置
の製造方法において、まず前記一方基板上に感光性樹脂
を塗布する。塗布された感光性樹脂は、相互に平行な帯
状の透孔が形成された遮光手段を介して露光後、現像さ
れ、その後熱処理が行われる。前述の工程で形成された
相互に平行な帯状の凸部上に、前記帯状の凸部に沿う金
属薄膜から成る反射板を形成する。感光性樹脂の加工は
容易に行えるため、反射板の形状を容易に制御すること
ができる。感光性樹脂には、帯状の凸部を均一に形成す
ることができるため、反射板の凸部も均一となり、全面
的に均一な反射特性が得られる。
【0014】
【実施例】図1は本発明の一実施例である反射型液晶表
示装置30の断面の斜視図であり、図2は図1に示され
る基板31の平面図である。ガラスなどから成る絶縁性
の基板31上に、クロム、タンタル等から成る複数のゲ
ートバス配線32が互いに平行に設けられ、ゲートバス
配線32からはゲート電極33が分岐している。ゲート
バス配線32は走査線として機能している。
【0015】ゲート電極33を覆って基板31上の全面
に、窒化シリコン(SiNx )、酸化シリコン(SiO
x )等から成るゲート絶縁膜34が形成されている。ゲ
ート電極33の上方のゲート絶縁膜34上には、非晶質
シリコン(以下、a−Siと記す)、多結晶シリコン、
CdSe等から成る半導体層35が形成されている。半
導体層35の両端部には、a−Siなどから成るコンタ
クト電極41が形成されている。一方のコンタクト電極
41上にはチタン、モリブデン、アルミニウム等から成
るソース電極36が重畳形成され、他方のコンタクト電
極41上には、ソース電極36と同様にチタン、モリブ
デン、アルミニウム等から成るドレイン電極37が重畳
形成されている。
【0016】図2に示すようにソース電極36には、ゲ
ートバス配線32に前述のゲート絶縁膜34を挟んで交
差するソースバス配線39が接続されている。ソースバ
ス配線39は、信号線として機能している。ソースバス
配線39も、ソース電極36と同様の金属で形成されて
いる。ゲート電極33、ゲート絶縁膜34、半導体層3
5、ソース電極36およびドレイン電極37は薄膜トラ
ンジスタ(以下、TFTと記す)40を構成し、該TF
T40は、スイッチング素子の機能を有する。ゲートバ
ス配線32、ソースバス配線39およびTFT40を覆
って、基板31上全面に有機絶縁膜42が形成されてい
る。有機絶縁膜42の反射電極38が形成される領域に
は相互に平行な複数の凸部42aが帯状に形成されてお
り、ドレイン電極37部分にはコンタクトホール43が
形成されている。
【0017】有機絶縁膜42の形成方法やこれにコンタ
クトホール43を形成する工程上の問題、および液晶表
示装置30を作成する際のセル厚のばらつきを小さくす
るため、凸部42aの高さHは10μm以下が好ましい
(一般にセルの厚さは10μm以下である)。また帯状
の凸部42aのピッチは、100μm以下が好ましい。
【0018】有機絶縁膜42の凸部42a形成領域上に
アルミニウム、銀などから成る反射電極38が形成さ
れ、反射電極38はコンタクトホール43においてドレ
イン電極37と接続される。さらにその上には配向膜4
4が形成される。
【0019】反射電極38は、図2に示されるようにゲ
ートバス配線32の一部およびソースバス配線39の一
部に有機絶縁膜42を介して重畳されるように形成され
ている。このため反射電極38の面積を大きくすること
ができ、表示画面の開口率が大きくなり、明るい表示が
可能となる。反射電極38のパターニング不良をなくす
ためには、反射電極38の端部には凸部42aを形成し
ない構成とすればよい。また反射電極38とゲートバス
配線32およびソースバス配線39との絶縁不良が生じ
るときには、重畳する部分には凸部42aを形成しない
構成とすればよい。
【0020】基板45上には、カラーフィルタ46が形
成される。カラーフィルタ46の基板31の反射電極3
8に対向する位置にはマゼンタまたはグリーンのフィル
タ46aが形成され、反射電極38に対向しない位置に
はブラックのフィルタ46bが形成される。カラーフィ
ルタ46上の全面にはITO(Indium TinOxide)など
から成る透明な電極47、さらにその上には配向膜48
が形成される。
【0021】両基板31,45は、反射電極38とフィ
ルタ46aとが一致するように対向して貼り合わせら
れ、間に液晶49が注入されて反射型液晶表示装置30
が完成する。
【0022】図3は図1および図2に示される帯状の凸
部を有する反射電極38を基板31上に形成する形成方
法を説明する工程図であり、図4は図3に示す形成方法
を説明する図2に示される切断面線IV−IVから見た
断面図であり、図5は図3に示す形成方法を説明する図
2に示される切断面線V−Vから見た断面図であり、図
6は図3の工程a7で用いられるマスク51の平面図で
ある。図4(1)および図5(1)は図3の工程a4を
示し、図4(2)および図5(2)は図3の工程a7を
示し、図4(3)および図5(3)は図3の工程a9を
示している。
【0023】工程a1ではガラスなどから成る絶縁性の
基板31上にスパッタリング法によって3000Åの厚
さのタンタル金属層を形成し、この金属層をホトリソグ
ラフ法およびエッチングによってパターニングを行い、
ゲートバス配線32およびゲート電極33を形成する。
工程a2では、プラズマCVD法によって4000Åの
厚さの窒化シリコンから成るゲート絶縁膜34を形成す
る。
【0024】工程a3では半導体層35となる厚さ10
00Åのa−Si層と、コンタクト層41となる厚さ4
00Åのn+ 型a−Si層とをこの順で連続的に形成す
る。形成されたn+ 型a−Si層およびa−Si層のパ
ターニングを行い、半導体層35およびコンタクト層4
1を形成する。工程a4では、基板31の全面に厚さ2
000Åのモリブデン金属をスパッタ法によって形成
し、このモリブデン金属層のパターニングを行って、ソ
ース電極36、ドレイン電極37およびソースバス配線
39を形成し、TFT40が完成する。図4(1)およ
び図5(1)は、工程a4までの処理終了後のTFT4
0が形成された基板31の断面図である。
【0025】工程a5では、TFT40を形成した基板
31上全面にポリイミド樹脂を2μmの厚さに形成し、
有機絶縁膜42を形成する。工程a6では、ホトリソグ
ラフ法およびドライエッチング法を用いて有機絶縁膜4
2にコンタクトホール43を形成する。工程a7では、
有機絶縁膜42上にホトレジスト50を塗布し、図6に
示されるマスク51を用いて反射電極38形成領域に相
互に平行な帯状の凸部50aをパターニングする。図4
(2)および図5(2)に、工程a7までの処理終了後
の基板31の断面図を示す。マスク51には、反射電極
38形成領域に図6に示されるように斜線で示す相互に
平行な帯状の遮光領域51aが形成されている。
【0026】工程a8では、ホトレジスト50に応じて
有機絶縁膜42をドライエッチングして有機絶縁膜42
に帯状の凸部42aを形成する。その後、熱処理を行
い、凸部42aを角が取れた形に形成する。コンタクト
ホール43およびTFT40上の有機絶縁膜42はホト
レジスト50によって保護されており、エッチングは行
われない。
【0027】工程a9では凸部42aを有する機絶縁膜
42上全面にアルミニウム層を形成し、図4(3)およ
び図5(3)に示されるように凸部42a上に反射電極
38を形成する。反射電極38は、有機絶縁膜42に形
成されたコンタクトホール43を介してTFT40のド
レイン電極37と接続されている。
【0028】有機絶縁膜42上の凸部42aの形状は、
マスク51の形状、ホトレジスト50の厚さ、ドライエ
ッチングの時間によって制御することができることが確
認されている。また、凸部42aの角は、凸部42aの
形成後、熱処理をすることによって容易に取ることがで
きる。
【0029】図1に示される他方の基板45に形成され
る電極47は、たとえばITO(インジウム錫酸化物)
から成り、厚さは1000Åである。電極38,47上
の配向膜44,48は、ポリイミドなどを塗布後焼成す
ることによって形成されている。基板31,45間には
たとえば7μmのスペーサを混入した図示しない接着性
シール剤をスクリーン印刷することによって液晶49を
封入する空間が形成され、前記空間を真空脱気すること
によって液晶49が注入される。液晶49としては、た
とえば黒色色素を混入したゲストホスト液晶(メルク社
製、商品名 ZLI2327)に光学活性物質(メルク
社製、商品名 S811)を4.5%混入したものを用
いる。
【0030】図7は、本発明の反射型液晶表示装置30
の反射特性の測定に用いられる反射板70の製造工程を
説明する工程図であり、図8は図7の工程を説明する断
面図である。工程b1では、図8(1)に示すように厚
さ1.1mmのガラス(商品名 7059 コーニング
社製)71の一方表面に、レジスト材料としてたとえば
OFPR−800(東京応化社製)を好ましくは500
rpm〜3000rpmでスピンコートによって塗布す
る。本実施例では800rpmで30秒間塗布し、レジ
スト72を厚さ4μmに成膜した。工程b2では、レジ
スト72を100℃で30分間プリベークし、工程b3
では、図8(2)に示すようにレジスト72上に帯状の
透光73aを有するホトマスク73を配置して露光を行
い、工程b4では、図8(3)に示すようにレジスト7
2を現像し、基板71表面に微細な帯状の凸部74を形
成した。現像液としては、「NMD−3 2.38%
(東京応化社製)」を用いた。
【0031】工程b5では、ガラス基板71上の凸部7
4を好ましくは120〜250℃で熱処理し、図8
(4)に示されるように角がとれて滑らかな凸部74を
形成する。本実施例では180℃で30分間熱処理を行
った。工程b6では、凸部74を形成した基板71上に
金属薄膜75を形成した。金属薄膜としてはアルミニウ
ム、ニッケル、クロム、銀、銅などをあげることができ
る。金属薄膜75の厚さは0.01μm〜1.0μm程
度が適している。本実施例ではアルミニウムを真空蒸着
することによって金属薄膜75を形成した。以上によっ
て反射板70を得た。
【0032】図9は、反射板70の反射特性の測定法を
説明する斜視図である。通常、液晶表示装置30に用い
られる基板31,45および液晶49層の屈折率は各々
約1.5である。反射板70の表面と液晶49層とが接
する構成を想定し、本実施例では屈折率1.5の紫外線
硬化樹脂77を用いてガラス基板76を反射板70に密
着させて、反射板70の反射特性を測定した。この測定
結果は、反射板75の表面と液晶49層の境界における
反射特性と同様の結果を与えることを確認している。
【0033】図9に示すように、反射特性の測定は、反
射板70に入射する入射光79の散乱光80をホトマル
チメータ78で検出することによって行われる。反射板
70には、その法線方向に対し角度θ、反射板面内の回
転角度ψをもって入射光79が入射する。ホトマルチメ
ータ78は、金属薄膜75上の入射光79が照射される
点を通る反射板70の法線方向に固定されている。入射
光79の入射角度θと面内角度ψを変えて入射光79の
金属薄膜75による散乱光80の強度を測定することに
よって反射特性が得られた。
【0034】本実施例で用いた凸部74の形状は微細な
帯状であり、凸部74は凸部74の長手方向が面内回転
角度ψ=−90°からψ=90°の方向に沿うように形
成されている。
【0035】図10は、入射角度θと反射強度との関係
を示すグラフである。入射角度θである入射光78の反
射強度は、θ=0°の線に対する角度θの方向に、原点
0からの距離として表されている。θ=80°の反射強
度をP1、θ=70°の反射強度をP2、θ=60°の
反射強度をP3、θ=50°の反射強度をP4、θ=4
0°の反射強度をP5、θ=30°の反射強度をP6、
θ=−30°の反射強度をP7、θ=−40°の反射強
度をP8、θ=−50°の反射強度をP9、θ=−60
°の反射強度をP10、θ=−80°の反射強度をP1
1で示している。図10では、酸化マグネシウムの標準
白色板の反射特性曲線を破線81で示している。
【0036】図11は、面内回転角度ψと反射強度との
関係を示すグラフである。面内回転角度ψが0°付近に
おいて、反射強度はピークに達する。したがって反射板
70の凸部74の長手方向に対して直交する方向からの
入射光78が、最も強く反射する。
【0037】図12は、本発明の一実施例の液晶表示装
置30において、印加電圧と反射率との関係を示すグラ
フである。反射率は、標準白色板における法線方向への
拡散光に対するパネル法線方向への拡散光80の強度の
比率を求めることによって得られる。図12の反射率
は、入射角度θ=30°、面内回転角度ψ=0°の入射
光78について測定されている。電圧を印加すれば、1
0V以上の電圧で反射率は150%、コントラスト比は
8であり、明るい表示が得られた。
【0038】以上のように本実施例によれば、反射電極
38の凹凸を、形状の制御が容易な有機絶縁膜42に形
成された凸部42aに沿って形成するため、容易に反射
電極38に凹凸を形成でき、また反射電極38の凹凸を
再現性良く形成できる。このため反射型液晶表示装置の
表示品位が向上する。
【0039】本実施例の反射型液晶表示装置30では、
反射電極38を形成した面が液晶49側に位置している
ため視差がなくなり、良好な表示画面が得られる。ま
た、本実施例では凹凸を有する反射電極38が液晶49
層側すなわち液晶49層にほぼ隣接する位置に配置され
ている構成となるため、凸部42aの高さHはセル厚よ
りも小さく、凸部の傾斜角度は液晶の配向を乱さない程
度に穏やかにすることが望ましい。
【0040】また本実施例では、反射電極38の形成領
域のみに凸部42aを形成したけれども、基板31全面
に凸部42aを形成してもよい。また反射電極38を透
明電極として、別に反射板を設けても良く、この場合に
も同様に、帯状の凸部を形成した有機絶縁膜上に反射板
が形成される。また、スイッチング素子としてTFT4
0を用いるアクティブマトリクス駆動方式の反射型液晶
表示装置30について説明したけれどもこれに限られる
ものではなく、単純マトリクス駆動方式などの反射型液
晶表示装置でも同様の効果が得られる。
【0041】さらに、本実施例では有機絶縁膜42のパ
ターンニングをドライエッチング法によって行ったが、
有機絶縁膜42がポリイミド樹脂の場合にはアルカリ溶
液によるウエットエッチング法によって行ってもよい。
また有機絶縁膜42としてポリイミド樹脂を用いたが、
アクリル樹脂等の他の有機材料を用いてもよい。さらに
本実施例では基板31として、ガラスなどからなる透明
な材料を用いたが、シリコン基板のような不透明な材料
でも同様な効果が発揮され、この場合には回路を基板上
に集積できる利点がある。
【0042】なお、前記実施例においては、表示モード
として相転移型ゲスト・ホストモードを取り挙げたけれ
どもこれに限定されることはなく、たとえば2層式ゲス
ト・ホストのような他の光吸収モード、高分子分散型液
晶表示装置のような光散乱型表示モード、強誘電性液晶
表示装置で使用される複屈折表示モードなどでも同様の
効果が得られる。また本実施例では、スイッチング素子
としてTFT40を用いた場合について説明したが、た
とえばMIM(Metal-Insulator-Metal)素子、ダイオー
ド、バリスタ等を用いたアクティブマトリクス基板にも
適用することができる。
【0043】
【発明の効果】本発明によれば、感光性樹脂を露光、現
像し、熱処理を行って得られた帯状の相互に平行な凸部
上に、反射板を前記凸部に沿って形成する。反射板の形
状は感光性樹脂によって形成される凸部によって決ま
る。感光性樹脂は容易に凸部を形成することができるた
め、反射板形成が容易であり、また形成の再現性が向上
し、反射型液晶表示装置の表示品位が向上する。
【0044】相互に平行な帯状の凸部に沿って反射板を
形成するため、良好な反射特性が得られ、反射型液晶表
示装置の表示品位が向上する。
【0045】また、反射板を表示絵素となる電極とする
ことによって、反射板が液晶層側に位置するため視差が
なくなり、反射型液晶表示装置の表示品位が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例である反射型液晶表示装置3
0の断面の斜視図である。
【図2】図1に示される基板31の平面図である。
【図3】図1および図2に示される基板31上に凹凸を
有する反射電極38を形成する形成方法を説明する工程
図である。
【図4】図3に示す形成方法を説明する図2に示される
切断面線IV−IVから見た断面図である。
【図5】図3に示す形成方法を説明する図2に示される
切断面線V−Vから見た断面図である。
【図6】図3の工程s7で用いるマスク51の平面図で
ある。
【図7】本発明の反射型液晶表示装置30の反射特性の
測定に用いられる反射板70の製造工程を説明する工程
図である。
【図8】図7の工程を説明する断面図である。
【図9】反射板70の反射特性の測定法を説明する斜視
図である。
【図10】入射角度θと反射強度との関係を示すグラフ
である。
【図11】回転角度ψと反射強度との関係を示すグラフ
である。
【図12】本発明の一実施例の液晶表示装置30におい
て、印加電圧と反射強度との関係を示すグラフ出ある。
【符号の説明】
30 反射型液晶表示装置 31 基板 38 反射電極 42 有機絶縁膜 42a 凸部 45 基板 49 液晶 51 ホトマスク

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 液晶層を介在して対向配置される一対の
    基板の一方基板上に、他方基板側からの入射光を反射す
    る反射板を有する反射型液晶表示装置において、 前記反射板は、相互に平行な帯状の複数の凸部を有する
    絶縁膜上に形成されていることを特徴とする反射型液晶
    表示装置。
  2. 【請求項2】 前記反射板は、表示絵素となる電極であ
    ることを特徴とする請求項1記載の反射型液晶表示装
    置。
  3. 【請求項3】 液晶層を介在して対向配置される一対の
    基板の一方基板上に、他方基板側からの入射光を反射す
    る反射板を有する反射型液晶表示装置の製造方法におい
    て、 前記一方基板上に感光性樹脂を塗布し、前記感光性樹脂
    を相互に平行な帯状の透孔が形成された遮光手段を介し
    て露光および現像した後に熱処理を行い、得られた帯状
    の凸部上に、前記帯状の凸部に沿う金属薄膜から成る前
    記反射板を形成することを特徴とする反射型液晶表示装
    置の製造方法。
JP3345178A 1991-12-26 1991-12-26 反射型液晶表示装置およびその製造方法 Pending JPH05173158A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3345178A JPH05173158A (ja) 1991-12-26 1991-12-26 反射型液晶表示装置およびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3345178A JPH05173158A (ja) 1991-12-26 1991-12-26 反射型液晶表示装置およびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05173158A true JPH05173158A (ja) 1993-07-13

Family

ID=18374823

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3345178A Pending JPH05173158A (ja) 1991-12-26 1991-12-26 反射型液晶表示装置およびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH05173158A (ja)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5576860A (en) * 1992-08-19 1996-11-19 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device in which the heights of the reflection plate projections are less than half the thicknesses of the two aligning films together
JPH1164882A (ja) * 1997-08-12 1999-03-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 反射型液晶パネルおよびその製造方法
KR100258290B1 (ko) * 1995-07-17 2000-06-01 야스카와 히데아키 액정장치
US6208395B1 (en) 1995-08-16 2001-03-27 Nec Corporation Reflective liquid crystal display and method for fabricating the same
KR100305628B1 (ko) * 1998-03-11 2001-09-26 가네꼬 히사시 반사형 액정 표시 장치 및 그 제조방법
KR100390198B1 (ko) * 1999-01-26 2003-07-04 알프스 덴키 가부시키가이샤 반사형 액정표시장치 및 그 제조방법
US7158197B2 (en) 1995-07-17 2007-01-02 Seiko Epson Corporation Reflective type color liquid crystal device and an electronic apparatus using this
US7220625B2 (en) * 2000-11-10 2007-05-22 Nec Lcd Technologies Method of fabricating reflection type liquid crystal display
KR100734461B1 (ko) * 2004-12-16 2007-07-03 샤프 가부시키가이샤 액정 표시 장치
CN100362404C (zh) * 1998-02-09 2008-01-16 精工爱普生株式会社 液晶板及电子设备
US7768603B2 (en) 2004-06-03 2010-08-03 Fujitsu Limited Liquid crystal display device and method of manufacturing the same

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5576860A (en) * 1992-08-19 1996-11-19 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device in which the heights of the reflection plate projections are less than half the thicknesses of the two aligning films together
US7995163B2 (en) 1995-07-17 2011-08-09 Seiko Epson Corporation Reflective type color liquid crystal device and an electronic apparatus using this
US7286194B2 (en) 1995-07-17 2007-10-23 Seiko Epson Corporation Reflective type color liquid crystal device and an electronic apparatus using this
US6147728A (en) * 1995-07-17 2000-11-14 Seiko Epson Corporation Reflective color LCD with color filters having particular transmissivity
US7304701B2 (en) 1995-07-17 2007-12-04 Seiko Epson Corporation Reflective type color liquid crystal device and an electronic apparatus using this
US7289174B1 (en) 1995-07-17 2007-10-30 Seiko Epson Corporation Reflective type color liquid crystal device and an electronic apparatus using this
KR100258290B1 (ko) * 1995-07-17 2000-06-01 야스카와 히데아키 액정장치
US7158197B2 (en) 1995-07-17 2007-01-02 Seiko Epson Corporation Reflective type color liquid crystal device and an electronic apparatus using this
US7209197B2 (en) 1995-07-17 2007-04-24 Seiko Epson Corporation Reflective color LCD with color filters having particular transmissivity
US7834958B2 (en) 1995-07-17 2010-11-16 Seiko Epson Corporation Reflective type color liquid crystal device and an electronic apparatus using this
US6208395B1 (en) 1995-08-16 2001-03-27 Nec Corporation Reflective liquid crystal display and method for fabricating the same
JPH1164882A (ja) * 1997-08-12 1999-03-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 反射型液晶パネルおよびその製造方法
CN100362404C (zh) * 1998-02-09 2008-01-16 精工爱普生株式会社 液晶板及电子设备
KR100305628B1 (ko) * 1998-03-11 2001-09-26 가네꼬 히사시 반사형 액정 표시 장치 및 그 제조방법
KR100390198B1 (ko) * 1999-01-26 2003-07-04 알프스 덴키 가부시키가이샤 반사형 액정표시장치 및 그 제조방법
US7514303B2 (en) 2000-11-10 2009-04-07 Nec Lcd Technologies, Ltd. Method of fabricating reflection type liquid crystal display
US7220625B2 (en) * 2000-11-10 2007-05-22 Nec Lcd Technologies Method of fabricating reflection type liquid crystal display
US7768603B2 (en) 2004-06-03 2010-08-03 Fujitsu Limited Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
US7554631B2 (en) 2004-12-16 2009-06-30 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
KR100734461B1 (ko) * 2004-12-16 2007-07-03 샤프 가부시키가이샤 액정 표시 장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2812851B2 (ja) 反射型液晶表示装置
US5526149A (en) Reflection type liquid crystal display device
JP2825713B2 (ja) 反射型液晶表示装置およびその製造方法
EP0557110B1 (en) A reflective substrate, a method for producing the same, and a liquid crystal display device using the same
US5408345A (en) Reflection type liquid crystal display device wherein the reflector has bumps
JP2793076B2 (ja) 反射型液晶表示装置およびその製造方法
JP2698218B2 (ja) 反射型液晶表示装置及びその製造方法
JP2756206B2 (ja) 反射型液晶表示装置及びその製造方法
JP3066192B2 (ja) 反射型アクティブマトリクス基板の製造方法
JP3284187B2 (ja) 液晶表示装置およびその製造方法
JP3471246B2 (ja) 液晶表示装置の製造方法
JP3012596B2 (ja) 反射型液晶表示装置およびその製造方法
JPH05173158A (ja) 反射型液晶表示装置およびその製造方法
JPH06175126A (ja) 反射型液晶表示装置およびその製造方法
JP2000029030A (ja) 液晶表示装置
JPH0736030A (ja) 反射型液晶表示装置
JP2740401B2 (ja) 反射型液晶表示装置およびその製造方法
US20030043309A1 (en) Active matrix substrate and manufacturing method thereof
JPH06235940A (ja) 反射型液晶表示装置
KR19990060923A (ko) 반사형 액정표시소자의 반사판 및 그 제조방법
JP2003098537A (ja) 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
JPH1010525A (ja) 反射型基板およびその製造方法並びに反射型液晶表示装置
JP3193906B2 (ja) 反射型液晶表示装置の製造方法
JPH06342153A (ja) 反射型液晶表示装置およびその作成方法
JP3575764B2 (ja) 液晶表示装置の製造方法