JPH0736030A - 反射型液晶表示装置 - Google Patents
反射型液晶表示装置Info
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- JPH0736030A JPH0736030A JP5183093A JP18309393A JPH0736030A JP H0736030 A JPH0736030 A JP H0736030A JP 5183093 A JP5183093 A JP 5183093A JP 18309393 A JP18309393 A JP 18309393A JP H0736030 A JPH0736030 A JP H0736030A
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- liquid crystal
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- display device
- crystal display
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 表示品位が高く、明るい表示が得られ、簡単
な製造工程により製造することができる反射型液晶表示
装置を提供する。 【構成】 一対の透光性基板３１、４５が液晶層５０を
挟んで対向配設されている。一方の基板上に、反射電極
３８が形成され、他方の基板上に、表示絵素周辺部に対
向するように光散乱機能を有する遮光部が設けられ、そ
の上に、基板のほぼ全面に渡って透光性共通電極４８が
形成されている。有機樹脂からなる光散乱用凸部４６を
形成したり、基板４５表面にサンドブラスト法またはエ
ッチングにより凹凸部を形成したり、または、白色塗料
を塗布する等の方法により遮光部に光散乱機能を賦与す
ることができる。
な製造工程により製造することができる反射型液晶表示
装置を提供する。 【構成】 一対の透光性基板３１、４５が液晶層５０を
挟んで対向配設されている。一方の基板上に、反射電極
３８が形成され、他方の基板上に、表示絵素周辺部に対
向するように光散乱機能を有する遮光部が設けられ、そ
の上に、基板のほぼ全面に渡って透光性共通電極４８が
形成されている。有機樹脂からなる光散乱用凸部４６を
形成したり、基板４５表面にサンドブラスト法またはエ
ッチングにより凹凸部を形成したり、または、白色塗料
を塗布する等の方法により遮光部に光散乱機能を賦与す
ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ワードプロセッサ、ラ
ップトップパソコン、ポケットテレビ等に用いられる反
射型液晶表示装置に関する。
ップトップパソコン、ポケットテレビ等に用いられる反
射型液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶表示装置においては、ワード
プロセッサ、ラップトップパソコン、ポケットテレビ等
に対する応用が急速に進展している。特に、外部から入
射した光を反射させて表示を行う反射型液晶表示装置
は、バックライトが不要であるので消費電力が少なく、
薄型化、軽量化が可能であるので注目されている。
プロセッサ、ラップトップパソコン、ポケットテレビ等
に対する応用が急速に進展している。特に、外部から入
射した光を反射させて表示を行う反射型液晶表示装置
は、バックライトが不要であるので消費電力が少なく、
薄型化、軽量化が可能であるので注目されている。
【０００３】上記反射型液晶表示装置には、従来からＴ
Ｎ（ツイステッドネマティック）方式およびＳＴＮ（ス
ーパーツイステッドネマティック）方式が用いられてい
る。しかし、これらの方式においては、直線偏光子の存
在により自然光の光強度の１／２が表示に利用されない
ので、表示が暗くなるという問題がある。それに対し
て、自然光の全てを有効に利用しようとする表示モード
が提案されている。このような表示モードの１つとし
て、例えば、相転移型ゲスト・ホストモード（D.L.Whit
e and G.N.Taylor:J.Appl.Phys.45 4718 1974参照）が
挙げられる。このモードでは、電界によるコレステリッ
ク・ネマティック相転移現象が利用され、さらにマイク
ロカラーフィルターを組み合わせた反射型マルチカラー
ディスプレイ（Tohru Koizumi,Tatsuo Uchida,Proceedi
ngs of the SID Vol.29/2 157 1988参照）も提案されて
いる。
Ｎ（ツイステッドネマティック）方式およびＳＴＮ（ス
ーパーツイステッドネマティック）方式が用いられてい
る。しかし、これらの方式においては、直線偏光子の存
在により自然光の光強度の１／２が表示に利用されない
ので、表示が暗くなるという問題がある。それに対し
て、自然光の全てを有効に利用しようとする表示モード
が提案されている。このような表示モードの１つとし
て、例えば、相転移型ゲスト・ホストモード（D.L.Whit
e and G.N.Taylor:J.Appl.Phys.45 4718 1974参照）が
挙げられる。このモードでは、電界によるコレステリッ
ク・ネマティック相転移現象が利用され、さらにマイク
ロカラーフィルターを組み合わせた反射型マルチカラー
ディスプレイ（Tohru Koizumi,Tatsuo Uchida,Proceedi
ngs of the SID Vol.29/2 157 1988参照）も提案されて
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記相転移型
ゲスト・ホストモードにおいて、着色した背景に表示部
が白く抜けるネガ表示タイプの反射型液晶表示装置は、
絵素周辺部に電界の不均一性に起因する配向むら（着色
むら）が発生するという問題がある。これを防止する方
法として、絵素周辺部にクロムまたはクロム酸化物等か
らなる格子状のブラックマスクを形成して遮光する方法
がある。しかし、この方法による場合には、電圧印加時
の白表示の中に格子状の黒いラインが発生して表示品位
の低下を招くという問題がある。また、非表示部が利用
できず、有効表示面積が低下するので、反射型液晶表示
装置の利点の１つである明るい表示を得ることができな
いという問題もある。
ゲスト・ホストモードにおいて、着色した背景に表示部
が白く抜けるネガ表示タイプの反射型液晶表示装置は、
絵素周辺部に電界の不均一性に起因する配向むら（着色
むら）が発生するという問題がある。これを防止する方
法として、絵素周辺部にクロムまたはクロム酸化物等か
らなる格子状のブラックマスクを形成して遮光する方法
がある。しかし、この方法による場合には、電圧印加時
の白表示の中に格子状の黒いラインが発生して表示品位
の低下を招くという問題がある。また、非表示部が利用
できず、有効表示面積が低下するので、反射型液晶表示
装置の利点の１つである明るい表示を得ることができな
いという問題もある。
【０００５】絵素周辺部に発生する配向むらを防止する
その他方法として、非表示部に絶縁性の凸部を設けて、
非表示部における液晶層の厚みを薄くする方法（特開昭
５６−１１６０１７号公報参照）、液晶層を間に挟んで
対向配設される両基板の内、少なくとも一方の基板の非
表示部を平行配向処理し、その他の部分を垂直配向処理
する方法（特開昭５６−１３８７２０号公報）、一方の
基板を平行配向処理し、他方の基板を垂直配向処理する
方法（特開昭５６−１３８７２１号公報）、液晶セルの
背面に設けられる反射板を、表示部に対応する部分を高
反射率とし、非表示部に対応する部分を表示部に対応す
る部分よりも低い反射率とする方法（特開昭５９−８６
０３０号公報）等が提案されている。しかし、これらの
方法は、いずれも製造工程が複雑になるので製造コスト
が上昇する等の問題があり、技術的に困難なものもあ
る。さらに、これらの方法を全て用いても、表示品位が
高く、明るい表示の反射型液晶表示装置とするには、不
十分であった。
その他方法として、非表示部に絶縁性の凸部を設けて、
非表示部における液晶層の厚みを薄くする方法（特開昭
５６−１１６０１７号公報参照）、液晶層を間に挟んで
対向配設される両基板の内、少なくとも一方の基板の非
表示部を平行配向処理し、その他の部分を垂直配向処理
する方法（特開昭５６−１３８７２０号公報）、一方の
基板を平行配向処理し、他方の基板を垂直配向処理する
方法（特開昭５６−１３８７２１号公報）、液晶セルの
背面に設けられる反射板を、表示部に対応する部分を高
反射率とし、非表示部に対応する部分を表示部に対応す
る部分よりも低い反射率とする方法（特開昭５９−８６
０３０号公報）等が提案されている。しかし、これらの
方法は、いずれも製造工程が複雑になるので製造コスト
が上昇する等の問題があり、技術的に困難なものもあ
る。さらに、これらの方法を全て用いても、表示品位が
高く、明るい表示の反射型液晶表示装置とするには、不
十分であった。
【０００６】本発明は上記従来の問題点を解決するため
になされたものであり、表示品位が高く、明るい表示が
得られ、簡単な製造工程により製造することができる反
射型液晶表示装置を提供することを目的とする。
になされたものであり、表示品位が高く、明るい表示が
得られ、簡単な製造工程により製造することができる反
射型液晶表示装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の反射型液晶表示
装置は、液晶層を挟んで対向配設される一対の基板の少
なくとも片方が透光性を有し、該一対基板のうちの一方
の基板の液晶層側に、表示絵素となる反射電極が形成さ
れ、他方の基板の液晶層側のほぼ全面に透光性共通電極
が形成され、該他方の基板側から入射される外部光を該
反射電極により反射させて表示を行う反射型液晶表示装
置において、該他方の基板の液晶層側に、表示絵素周辺
部に対応するように光散乱機能を有する遮光部が設けら
れているので、そのことにより上記目的が達成される。
装置は、液晶層を挟んで対向配設される一対の基板の少
なくとも片方が透光性を有し、該一対基板のうちの一方
の基板の液晶層側に、表示絵素となる反射電極が形成さ
れ、他方の基板の液晶層側のほぼ全面に透光性共通電極
が形成され、該他方の基板側から入射される外部光を該
反射電極により反射させて表示を行う反射型液晶表示装
置において、該他方の基板の液晶層側に、表示絵素周辺
部に対応するように光散乱機能を有する遮光部が設けら
れているので、そのことにより上記目的が達成される。
【０００８】前記遮光部は、有機樹脂からなる光散乱用
凸部と、該凸部の上を覆って形成された遮光膜とからな
っていてもよい。
凸部と、該凸部の上を覆って形成された遮光膜とからな
っていてもよい。
【０００９】前記遮光部は、他方の基板表面にサンドブ
ラスト法により形成した凹凸部と、該凹凸部の上を覆っ
て形成された遮光膜とからなっていてもよい。
ラスト法により形成した凹凸部と、該凹凸部の上を覆っ
て形成された遮光膜とからなっていてもよい。
【００１０】前記遮光部は、他方の基板表面にエッチン
グにより形成された凹凸部と、該凹凸部の上を覆って形
成された遮光膜とからなっていてもよい。
グにより形成された凹凸部と、該凹凸部の上を覆って形
成された遮光膜とからなっていてもよい。
【００１１】前記遮光部は、白色塗料からなる遮光膜で
あってもよい。
あってもよい。
【００１２】
【作用】本発明においては、液晶層を挟んで対向配設さ
れる一対の基板の内、一方の基板の液晶層側に、表示絵
素となる反射電極が形成されている。他方の透光性を有
する基板の液晶層側に、表示絵素周辺部に対向するよう
に光散乱機能を有する遮光部が設けられ、その上に、基
板のほぼ全面に渡って透光性共通電極が形成されてい
る。
れる一対の基板の内、一方の基板の液晶層側に、表示絵
素となる反射電極が形成されている。他方の透光性を有
する基板の液晶層側に、表示絵素周辺部に対向するよう
に光散乱機能を有する遮光部が設けられ、その上に、基
板のほぼ全面に渡って透光性共通電極が形成されてい
る。
【００１３】有機樹脂からなる光散乱用凸部を形成した
り、基板表面にサンドブラスト法またはエッチングによ
り凹凸部を形成したり、または、白色塗料を塗布する等
の方法により遮光部に光散乱機能を賦与することができ
る。
り、基板表面にサンドブラスト法またはエッチングによ
り凹凸部を形成したり、または、白色塗料を塗布する等
の方法により遮光部に光散乱機能を賦与することができ
る。
【００１４】表示絵素周辺部に光散乱機能を有する遮光
部が形成され、その上に透光性を有する共通電極を形成
しているので、電圧印加時に非表示部（表示絵素周辺
部）で光散乱が起こる。よって、非表示部と表示部とで
反射率が同程度になり、自然光の強弱を問わず、非表示
部を有効利用することができる。よって、明るい表示が
得られ、表示品位も向上することができる。
部が形成され、その上に透光性を有する共通電極を形成
しているので、電圧印加時に非表示部（表示絵素周辺
部）で光散乱が起こる。よって、非表示部と表示部とで
反射率が同程度になり、自然光の強弱を問わず、非表示
部を有効利用することができる。よって、明るい表示が
得られ、表示品位も向上することができる。
【００１５】
【実施例】以下に、本発明の実施例について図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【００１６】（実施例１）図１に本発明の一実施例であ
る反射型液晶表示装置の断面図を示し、図２にこの反射
型液晶表示装置の一方の基板３１の平面図を示す。
る反射型液晶表示装置の断面図を示し、図２にこの反射
型液晶表示装置の一方の基板３１の平面図を示す。
【００１７】この反射型液晶表示装置３０は、図１に示
すように、ガラスなどからなる一対の透明絶縁性基板３
１、４５が液晶層５０を間に挟んで対向配設され、基板
４５側から入射される外部光を基板３１上に形成された
反射電極３８により反射させて表示を行うようになって
いる。なお、基板３１は、透明でなくともよい。このこ
とは、以下同様である。
すように、ガラスなどからなる一対の透明絶縁性基板３
１、４５が液晶層５０を間に挟んで対向配設され、基板
４５側から入射される外部光を基板３１上に形成された
反射電極３８により反射させて表示を行うようになって
いる。なお、基板３１は、透明でなくともよい。このこ
とは、以下同様である。
【００１８】一方の基板３１上には、図２に示すよう
に、クロムまたはタンタルなどからなる複数のゲートバ
スライン（走査線）３２が互いに平行に設けられ、それ
に交差するようにソースバスライン（信号線）３９が互
いに平行に設けられている。
に、クロムまたはタンタルなどからなる複数のゲートバ
スライン（走査線）３２が互いに平行に設けられ、それ
に交差するようにソースバスライン（信号線）３９が互
いに平行に設けられている。
【００１９】ゲートバスライン３２とソースバスライン
３９との交差部近傍には、ゲートバスラインから分岐し
てゲート電極３３が設けられている。このゲート電極３
３を覆って基板３１の全面に、窒化シリコン（Ｓｉ
ＮX）または酸化シリコン（ＳｉＯX）等からなるゲート
絶縁膜３４が形成されている。ゲート電極上方のゲート
絶縁膜３４上には、非晶質シリコン（以下、ａ−Ｓｉと
称する）、多結晶シリコンまたはＣｄＳｅ等からなる半
導体層３５が形成されている。半導体層３５の両端に
は、その上で分断された状態でｎ+ａ−Ｓｉ等からなる
コンタクト電極４１が形成されている。一方のコンタク
ト電極４１の上には、チタン、モリブデンまたはアルミ
ニウム等からなるソース電極３６が重畳されて、チタ
ン、モリブデンまたはアルミニウム等からなるソースバ
スライン３９に接続されている。他方のコンタクト電極
４１の上には、チタン、モリブデンまたはアルミニウム
等からなるドレイン電極３７が重畳されている。上記ゲ
ート電極３３、ゲート絶縁膜３４、半導体層３５、コン
タクト電極４１、ソース電極３６およびドレイン電極３
７から薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称する）４０
が構成され、ＴＦＴ４０は表示絵素を選択するスイッチ
ング素子としての機能を有する。
３９との交差部近傍には、ゲートバスラインから分岐し
てゲート電極３３が設けられている。このゲート電極３
３を覆って基板３１の全面に、窒化シリコン（Ｓｉ
ＮX）または酸化シリコン（ＳｉＯX）等からなるゲート
絶縁膜３４が形成されている。ゲート電極上方のゲート
絶縁膜３４上には、非晶質シリコン（以下、ａ−Ｓｉと
称する）、多結晶シリコンまたはＣｄＳｅ等からなる半
導体層３５が形成されている。半導体層３５の両端に
は、その上で分断された状態でｎ+ａ−Ｓｉ等からなる
コンタクト電極４１が形成されている。一方のコンタク
ト電極４１の上には、チタン、モリブデンまたはアルミ
ニウム等からなるソース電極３６が重畳されて、チタ
ン、モリブデンまたはアルミニウム等からなるソースバ
スライン３９に接続されている。他方のコンタクト電極
４１の上には、チタン、モリブデンまたはアルミニウム
等からなるドレイン電極３７が重畳されている。上記ゲ
ート電極３３、ゲート絶縁膜３４、半導体層３５、コン
タクト電極４１、ソース電極３６およびドレイン電極３
７から薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称する）４０
が構成され、ＴＦＴ４０は表示絵素を選択するスイッチ
ング素子としての機能を有する。
【００２０】さらに、この基板３１上には、複数の凸部
４２ａが不規則に形成されている。凸部４２ａは、後述
するコンタクトホール４３の形成領域を除いて形成され
てもよく、コンタクトホール４３の形成領域に形成され
ていてもよい。また、全面に凸部４２ａを形成後、コン
タクトホール４３の形成領域に形成された凸部４２ａ部
分を除去してもよい。凸部４２ａを覆って基板３１の全
面に、有機絶縁膜４２が形成されている。この有機絶縁
膜４２には、凸部４２ａに応じた凸部４２ｂが形成され
ている。有機絶縁膜４２の上には、アルミニウム、銀等
からなる反射電極３８が形成され、有機絶縁膜４２に形
成されたコンタクトホールを介してドレイン電極３７と
接続されている。有機絶縁膜４２の上には、配向膜４４
が形成されている。
４２ａが不規則に形成されている。凸部４２ａは、後述
するコンタクトホール４３の形成領域を除いて形成され
てもよく、コンタクトホール４３の形成領域に形成され
ていてもよい。また、全面に凸部４２ａを形成後、コン
タクトホール４３の形成領域に形成された凸部４２ａ部
分を除去してもよい。凸部４２ａを覆って基板３１の全
面に、有機絶縁膜４２が形成されている。この有機絶縁
膜４２には、凸部４２ａに応じた凸部４２ｂが形成され
ている。有機絶縁膜４２の上には、アルミニウム、銀等
からなる反射電極３８が形成され、有機絶縁膜４２に形
成されたコンタクトホールを介してドレイン電極３７と
接続されている。有機絶縁膜４２の上には、配向膜４４
が形成されている。
【００２１】上記一方の基板３１と対向配設される他方
の基板４５上には、一方の基板３１上の表示絵素周辺部
（ゲートバスライン３２、ソースバスライン３９および
スイッチング素子４０）に対応する位置に、複数の凸部
４６が不規則に形成されている。この凸部４６を覆うよ
うに、アルミニウム等からなる遮光膜４７が形成されて
いる。凸部４６と遮光膜４７とからなる遮光部を覆って
基板４５のほぼ全面に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等
からなる共通電極４８が形成され、その上に配向膜４９
が形成されている。
の基板４５上には、一方の基板３１上の表示絵素周辺部
（ゲートバスライン３２、ソースバスライン３９および
スイッチング素子４０）に対応する位置に、複数の凸部
４６が不規則に形成されている。この凸部４６を覆うよ
うに、アルミニウム等からなる遮光膜４７が形成されて
いる。凸部４６と遮光膜４７とからなる遮光部を覆って
基板４５のほぼ全面に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等
からなる共通電極４８が形成され、その上に配向膜４９
が形成されている。
【００２２】この反射型液晶表示装置の製造は、例えば
以下のようにして行うことができる。まず、図３（１）
に示すように、ガラスなどからなる透光性基板４５上全
面に、有機樹脂として透明な感光性ポリイミド（フォト
ニース、東レ（株）製）５２ａを１．２μｍの厚みに塗
布する。
以下のようにして行うことができる。まず、図３（１）
に示すように、ガラスなどからなる透光性基板４５上全
面に、有機樹脂として透明な感光性ポリイミド（フォト
ニース、東レ（株）製）５２ａを１．２μｍの厚みに塗
布する。
【００２３】これを、図３（２）に示すように、マスク
６１を用いて露光し、図３（３）に示すような凸部４６
を形成する。このマスク６１としては、図４に示すよう
に、一方の基板３１の表示絵素周辺部に対応する位置
に、円形の開口部６１ａ、６１ｂが不規則に形成された
マスクを用いることができる。この図４において、開口
部６１ａの直径Ｄ1は、開口部６１ｂの直径Ｄ2よりも大
きく形成され、例えば、Ｄ1は１０μｍ、Ｄ2は５μｍと
することができる。マスク６１の開口部の形状は、１種
類の円形でもよく、また３種類以上の円形でもよい。
６１を用いて露光し、図３（３）に示すような凸部４６
を形成する。このマスク６１としては、図４に示すよう
に、一方の基板３１の表示絵素周辺部に対応する位置
に、円形の開口部６１ａ、６１ｂが不規則に形成された
マスクを用いることができる。この図４において、開口
部６１ａの直径Ｄ1は、開口部６１ｂの直径Ｄ2よりも大
きく形成され、例えば、Ｄ1は１０μｍ、Ｄ2は５μｍと
することができる。マスク６１の開口部の形状は、１種
類の円形でもよく、また３種類以上の円形でもよい。
【００２４】形成された凸部４６は、熱処理により角を
取り去って、図３（４）に示すような形状の凸部とす
る。
取り去って、図３（４）に示すような形状の凸部とす
る。
【００２５】次に、図３（５）に示すように、凸部４６
が形成された基板４５上全面に、スパッタリング法によ
りアルミニウム４７を２０００オングストロームの厚み
に堆積する。これを、図５に示すようなマスクを用いて
パターニングする。このマスクは、一方の基板３１上の
反射電極３８に対応する位置に光透過領域１０１が形成
され、ゲートバスライン３２、ソースバスライン３９お
よびスイッチング素子４０に対応する位置に遮光領域１
０２が形成されている。このパターニングにより、一方
の基板３１上の表示絵素周辺部に対応する位置に遮光膜
４７がパターン形成される。遮光膜４７には凸部４６に
応じた凹凸が形成されるので、凸部４６および遮光膜４
７からなる遮光部は光散乱機能を有するものとなる。
が形成された基板４５上全面に、スパッタリング法によ
りアルミニウム４７を２０００オングストロームの厚み
に堆積する。これを、図５に示すようなマスクを用いて
パターニングする。このマスクは、一方の基板３１上の
反射電極３８に対応する位置に光透過領域１０１が形成
され、ゲートバスライン３２、ソースバスライン３９お
よびスイッチング素子４０に対応する位置に遮光領域１
０２が形成されている。このパターニングにより、一方
の基板３１上の表示絵素周辺部に対応する位置に遮光膜
４７がパターン形成される。遮光膜４７には凸部４６に
応じた凹凸が形成されるので、凸部４６および遮光膜４
７からなる遮光部は光散乱機能を有するものとなる。
【００２６】その後、図３（６）に示すように、凸部４
６と遮光膜４７とからなる遮光部を覆って基板４５上の
ほぼ全面に、ＩＴＯを１０００オングストロームの厚み
に堆積して、共通電極４８とする。さらに、その上に配
向膜４９を積層する。
６と遮光膜４７とからなる遮光部を覆って基板４５上の
ほぼ全面に、ＩＴＯを１０００オングストロームの厚み
に堆積して、共通電極４８とする。さらに、その上に配
向膜４９を積層する。
【００２７】この状態の他方の基板４５と一方の基板３
１とを、一方の基板３１上のＴＦＴ４０および両バスラ
イン３２、３９と、他方の基板４５上の遮光部とが対向
するように貼り合わせる。貼り合わせた基板間隙に、誘
電異方性が正であるネマチック液晶に旋光性物質と二色
性色素とを加えた液晶を注入して液晶層５０を形成す
る。これにより反射型液晶表示装置３０が完成する。
１とを、一方の基板３１上のＴＦＴ４０および両バスラ
イン３２、３９と、他方の基板４５上の遮光部とが対向
するように貼り合わせる。貼り合わせた基板間隙に、誘
電異方性が正であるネマチック液晶に旋光性物質と二色
性色素とを加えた液晶を注入して液晶層５０を形成す
る。これにより反射型液晶表示装置３０が完成する。
【００２８】得られた反射型液晶表示装置３０に対し
て、反射特性の測定を行った。この測定は、液晶表示装
置に入射した光の散乱光をホトマルチメータで検出する
ことにより行った。反射電極３８と共通電極４８との間
に電圧を印加した場合、θ＝３０°から入射した光に対
してパネル法線方向の反射率は約５０％であった。従来
の反射型液晶表示装置と比較して高反射率を示し、表示
品位が高く明るい表示の反射型液晶表示装置とすること
ができた。
て、反射特性の測定を行った。この測定は、液晶表示装
置に入射した光の散乱光をホトマルチメータで検出する
ことにより行った。反射電極３８と共通電極４８との間
に電圧を印加した場合、θ＝３０°から入射した光に対
してパネル法線方向の反射率は約５０％であった。従来
の反射型液晶表示装置と比較して高反射率を示し、表示
品位が高く明るい表示の反射型液晶表示装置とすること
ができた。
【００２９】上記実施例において、他方の基板４５上に
凸部４６を形成するために感光性ポリイミド樹脂を用い
たが、感光性アクリル樹脂などを用いてもよい。
凸部４６を形成するために感光性ポリイミド樹脂を用い
たが、感光性アクリル樹脂などを用いてもよい。
【００３０】（実施例２）この実施例では、図６（１）
〜（５）に示すように、他方の基板４５表面にサンドブ
ラスト法により凹凸部４６ａを形成し、その上に遮光膜
４７を形成した。その他の構成は実施例１と同様なもの
とすることができる。
〜（５）に示すように、他方の基板４５表面にサンドブ
ラスト法により凹凸部４６ａを形成し、その上に遮光膜
４７を形成した。その他の構成は実施例１と同様なもの
とすることができる。
【００３１】まず、図６（１）に示すように、ガラスな
どからなる透光性基板４５上において一方の基板３１上
のゲートバスライン３２、ソースバスライン３９および
スイッチング素子４０に対応する位置以外の部分全面
を、有機樹脂５１によりマスキングする。次に、図６
（２）に示すように、有機樹脂５１の上からサンドブラ
スト法により凹凸を形成する。その後、有機樹脂５１を
剥離することにより、基板４５表面に図６（３）に示す
ような凹凸部４６ａが形成される。
どからなる透光性基板４５上において一方の基板３１上
のゲートバスライン３２、ソースバスライン３９および
スイッチング素子４０に対応する位置以外の部分全面
を、有機樹脂５１によりマスキングする。次に、図６
（２）に示すように、有機樹脂５１の上からサンドブラ
スト法により凹凸を形成する。その後、有機樹脂５１を
剥離することにより、基板４５表面に図６（３）に示す
ような凹凸部４６ａが形成される。
【００３２】その後の工程は実施例１と同様にして行う
ことができる。凹凸部４６ａが形成された基板４５上全
面にスパッタリング法によりアルミニウム４７を２００
０オングストロームの厚みに堆積し、図５に示したよう
なマスクを用いてパターニングする。このパターニング
により、図６（４）に示すように、一方の基板３１上の
表示絵素周辺部に対応する位置に遮光膜４７がパターン
形成される。遮光膜４７には凹凸部４６ａに応じた凹凸
が形成されるので、凹凸部４６ａおよび遮光膜４７から
なる遮光部は光散乱機能を有するものとなる。
ことができる。凹凸部４６ａが形成された基板４５上全
面にスパッタリング法によりアルミニウム４７を２００
０オングストロームの厚みに堆積し、図５に示したよう
なマスクを用いてパターニングする。このパターニング
により、図６（４）に示すように、一方の基板３１上の
表示絵素周辺部に対応する位置に遮光膜４７がパターン
形成される。遮光膜４７には凹凸部４６ａに応じた凹凸
が形成されるので、凹凸部４６ａおよび遮光膜４７から
なる遮光部は光散乱機能を有するものとなる。
【００３３】その後、図６（５）に示すように、凹凸４
６ａと遮光膜４７とからなる遮光部を覆って基板４５上
のほぼ全面に、ＩＴＯを１０００オングストロームの厚
みに堆積して、共通電極４８とする。さらに、その上に
配向膜４９を積層する。
６ａと遮光膜４７とからなる遮光部を覆って基板４５上
のほぼ全面に、ＩＴＯを１０００オングストロームの厚
みに堆積して、共通電極４８とする。さらに、その上に
配向膜４９を積層する。
【００３４】この状態の他方の基板４５と、実施例１と
同様な一方の基板３１とを、一方の基板３１上のＴＦＴ
４０および両バスライン３２、３９と、他方の基板４５
上の遮光部とが対向するように貼り合わせる。貼り合わ
せた基板間隙に、誘電異方性が正であるネマチック液晶
に旋光性物質と二色性色素とを加えた液晶を注入して液
晶層５０を形成する。これにより反射型液晶表示装置が
完成する。
同様な一方の基板３１とを、一方の基板３１上のＴＦＴ
４０および両バスライン３２、３９と、他方の基板４５
上の遮光部とが対向するように貼り合わせる。貼り合わ
せた基板間隙に、誘電異方性が正であるネマチック液晶
に旋光性物質と二色性色素とを加えた液晶を注入して液
晶層５０を形成する。これにより反射型液晶表示装置が
完成する。
【００３５】得られた反射型液晶表示装置に対して、実
施例１と同様にして反射特性の測定を行った。反射電極
３８と共通電極４８との間に電圧を印加した場合、θ＝
３０°から入射した光に対してパネル法線方向の反射率
は約５０％であった。従来の反射型液晶表示装置と比較
して高反射率を示し、表示品位が高く明るい表示の反射
型液晶表示装置とすることができた。
施例１と同様にして反射特性の測定を行った。反射電極
３８と共通電極４８との間に電圧を印加した場合、θ＝
３０°から入射した光に対してパネル法線方向の反射率
は約５０％であった。従来の反射型液晶表示装置と比較
して高反射率を示し、表示品位が高く明るい表示の反射
型液晶表示装置とすることができた。
【００３６】（実施例３）この実施例では、図６（１）
〜（５）に示すように、他方の基板４５表面にエッチン
グにより凹凸部４６ａを形成し、その上に遮光膜４７を
形成した。その他の構成は実施例１と同様なものとする
ことができる。
〜（５）に示すように、他方の基板４５表面にエッチン
グにより凹凸部４６ａを形成し、その上に遮光膜４７を
形成した。その他の構成は実施例１と同様なものとする
ことができる。
【００３７】まず、実施例２と同様、図６（１）に示す
ように、ガラスなどからなる透光性基板４５上において
一方の基板３１上のゲートバスライン３２、ソースバス
ライン３９およびスイッチング素子４０に対応する位置
以外の部分全面を、有機樹脂５１によりマスキングす
る。次に、図６（２）に示すように有機樹脂５１の上か
ら基板４５表面を５μｍの研磨剤で粗面化し、フッ化水
素酸を用いて凹凸を形成する。その後、有機樹脂５１を
剥離することにより、基板４５表面に図６（３）に示す
ような凹凸部４６ａが形成される。
ように、ガラスなどからなる透光性基板４５上において
一方の基板３１上のゲートバスライン３２、ソースバス
ライン３９およびスイッチング素子４０に対応する位置
以外の部分全面を、有機樹脂５１によりマスキングす
る。次に、図６（２）に示すように有機樹脂５１の上か
ら基板４５表面を５μｍの研磨剤で粗面化し、フッ化水
素酸を用いて凹凸を形成する。その後、有機樹脂５１を
剥離することにより、基板４５表面に図６（３）に示す
ような凹凸部４６ａが形成される。
【００３８】その後の工程は実施例１と同様にして行う
ことができる。凹凸部４６ａが形成された基板４５上全
面にスパッタリング法によりアルミニウム４７を２００
０オングストロームの厚みに堆積し、図５に示したよう
なマスクを用いてパターニングする。このパターニング
により、図６（４）に示すように、一方の基板３１上の
表示絵素周辺部に対応する位置に遮光膜４７がパターン
形成される。遮光膜４７には凹凸部４６ａに応じた凹凸
が形成されるので、凹凸部４６ａおよび遮光膜４７から
なる遮光部は光散乱機能を有するものとなる。
ことができる。凹凸部４６ａが形成された基板４５上全
面にスパッタリング法によりアルミニウム４７を２００
０オングストロームの厚みに堆積し、図５に示したよう
なマスクを用いてパターニングする。このパターニング
により、図６（４）に示すように、一方の基板３１上の
表示絵素周辺部に対応する位置に遮光膜４７がパターン
形成される。遮光膜４７には凹凸部４６ａに応じた凹凸
が形成されるので、凹凸部４６ａおよび遮光膜４７から
なる遮光部は光散乱機能を有するものとなる。
【００３９】その後、図６（５）に示すように、凹凸４
６ａと遮光膜４７とからなる遮光部を覆って基板４５上
のほぼ全面に、ＩＴＯを１０００オングストロームの厚
みに堆積して、共通電極４８とする。さらに、その上に
配向膜４９を積層する。
６ａと遮光膜４７とからなる遮光部を覆って基板４５上
のほぼ全面に、ＩＴＯを１０００オングストロームの厚
みに堆積して、共通電極４８とする。さらに、その上に
配向膜４９を積層する。
【００４０】この状態の他方の基板４５と、実施例１と
同様な一方の基板３１とを、一方の基板３１上のＴＦＴ
４０および両バスライン３２、３９と、他方の基板４５
上の遮光部とが対向するように貼り合わせる。貼り合わ
せた基板間隙に、誘電異方性が正であるネマチック液晶
に旋光性物質と二色性色素とを加えた液晶を注入して液
晶層５０を形成する。これにより反射型液晶表示装置が
完成する。
同様な一方の基板３１とを、一方の基板３１上のＴＦＴ
４０および両バスライン３２、３９と、他方の基板４５
上の遮光部とが対向するように貼り合わせる。貼り合わ
せた基板間隙に、誘電異方性が正であるネマチック液晶
に旋光性物質と二色性色素とを加えた液晶を注入して液
晶層５０を形成する。これにより反射型液晶表示装置が
完成する。
【００４１】得られた反射型液晶表示装置に対して、実
施例１と同様にして反射特性の測定を行った。反射電極
３８と共通電極４８との間に電圧を印加した場合、θ＝
３０°から入射した光に対してパネル法線方向の反射率
は約５０％であった。従来の反射型液晶表示装置と比較
して高反射率を示し、表示品位が高く明るい表示の反射
型液晶表示装置とすることができた。
施例１と同様にして反射特性の測定を行った。反射電極
３８と共通電極４８との間に電圧を印加した場合、θ＝
３０°から入射した光に対してパネル法線方向の反射率
は約５０％であった。従来の反射型液晶表示装置と比較
して高反射率を示し、表示品位が高く明るい表示の反射
型液晶表示装置とすることができた。
【００４２】（実施例４）この実施例では、図７（１）
〜（４）に示すように、他方の基板４５上に白色塗料を
塗布することにより遮光膜７０を形成した。その他の構
成は実施例１と同様なものとすることができる。
〜（４）に示すように、他方の基板４５上に白色塗料を
塗布することにより遮光膜７０を形成した。その他の構
成は実施例１と同様なものとすることができる。
【００４３】まず、図７（１）に示すように、ガラスな
どからなる透光性基板４５上において一方の基板３１上
のゲートバスライン３２、ソースバスライン３９および
スイッチング素子４０に対応する位置以外の部分全面
を、有機樹脂５１によりマスキングする。次に、図７
（２）に示すように有機樹脂５１の上から基板４５上に
白色塗料７０を塗布する。その後、有機樹脂５１を剥離
することにより、基板４５上に図７（３）に示すような
マトリクス状の遮光膜７０が形成される。遮光膜７０は
白色塗料からなるので、光散乱機能を有するものとな
る。
どからなる透光性基板４５上において一方の基板３１上
のゲートバスライン３２、ソースバスライン３９および
スイッチング素子４０に対応する位置以外の部分全面
を、有機樹脂５１によりマスキングする。次に、図７
（２）に示すように有機樹脂５１の上から基板４５上に
白色塗料７０を塗布する。その後、有機樹脂５１を剥離
することにより、基板４５上に図７（３）に示すような
マトリクス状の遮光膜７０が形成される。遮光膜７０は
白色塗料からなるので、光散乱機能を有するものとな
る。
【００４４】その後の工程は実施例１と同様にして行う
ことができる。図７（４）に示すように、遮光膜７０を
覆って基板４５上のほぼ全面に、ＩＴＯを１０００オン
グストロームの厚みに堆積して、共通電極４８とする。
さらに、その上に配向膜４９を積層する。
ことができる。図７（４）に示すように、遮光膜７０を
覆って基板４５上のほぼ全面に、ＩＴＯを１０００オン
グストロームの厚みに堆積して、共通電極４８とする。
さらに、その上に配向膜４９を積層する。
【００４５】この状態の他方の基板４５と、実施例１と
同様な一方の基板３１とを、一方の基板３１上のＴＦＴ
４０および両バスライン３２、３９と、他方の基板４５
上の遮光部とが対向するように貼り合わせる。貼り合わ
せた基板間隙に、誘電異方性が正であるネマチック液晶
に旋光性物質と二色性色素とを加えた液晶を注入して液
晶層５０を形成する。これにより反射型液晶表示装置が
完成する。
同様な一方の基板３１とを、一方の基板３１上のＴＦＴ
４０および両バスライン３２、３９と、他方の基板４５
上の遮光部とが対向するように貼り合わせる。貼り合わ
せた基板間隙に、誘電異方性が正であるネマチック液晶
に旋光性物質と二色性色素とを加えた液晶を注入して液
晶層５０を形成する。これにより反射型液晶表示装置が
完成する。
【００４６】得られた反射型液晶表示装置に対して、実
施例１と同様にして反射特性の測定を行った。反射電極
３８と共通電極４８との間に電圧を印加した場合、θ＝
３０°から入射した光に対してパネル法線方向の反射率
は約５０％であった。従来の反射型液晶表示装置と比較
して高反射率を示し、表示品位が高く明るい表示の反射
型液晶表示装置とすることができた。
施例１と同様にして反射特性の測定を行った。反射電極
３８と共通電極４８との間に電圧を印加した場合、θ＝
３０°から入射した光に対してパネル法線方向の反射率
は約５０％であった。従来の反射型液晶表示装置と比較
して高反射率を示し、表示品位が高く明るい表示の反射
型液晶表示装置とすることができた。
【００４７】上記実施例１、２および３において、遮光
膜４７の材料としてアルミニウムを用いたが、本発明は
これに限られず、クロム、モリブデン等、他の材料を用
いることもできる。表示モードとしては、相転移型ゲス
ト・ホストモード以外の表示モードを用いることもでき
る。例えば、２層式ゲスト・ホストモードのような他の
光吸収型表示モード、高分子分散型液晶表示装置のよう
な光散乱型表示モード、または偏光板１枚を用いた１枚
偏光板方式等にも適用可能である。スイッチング素子と
してＴＦＴ以外のＭＩＭ（Metal Insulator Metal）、
ダイオード、バリスタ等を用いたアクティブマトリクス
駆動方式や、単純マトリックス方式に適用することもで
きる。また、カラーフィルターを用いたカラー表示の場
合にも、同様に表示品位を向上させて明るい表示を得る
ことができる。
膜４７の材料としてアルミニウムを用いたが、本発明は
これに限られず、クロム、モリブデン等、他の材料を用
いることもできる。表示モードとしては、相転移型ゲス
ト・ホストモード以外の表示モードを用いることもでき
る。例えば、２層式ゲスト・ホストモードのような他の
光吸収型表示モード、高分子分散型液晶表示装置のよう
な光散乱型表示モード、または偏光板１枚を用いた１枚
偏光板方式等にも適用可能である。スイッチング素子と
してＴＦＴ以外のＭＩＭ（Metal Insulator Metal）、
ダイオード、バリスタ等を用いたアクティブマトリクス
駆動方式や、単純マトリックス方式に適用することもで
きる。また、カラーフィルターを用いたカラー表示の場
合にも、同様に表示品位を向上させて明るい表示を得る
ことができる。
【００４８】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
においては、液晶層を間に挟んで対向配設される一方の
基板上に反射電極が形成され、他方の基板上に表示絵素
周辺部に対応するように光散乱機能を有する遮光部が設
けられているので、表示品位の高い、明るい表示の反射
型液晶表示装置が得られる。有機樹脂からなる光散乱用
凸部を形成したり、基板表面にサンドブラスト法または
エッチングにより凹凸部を形成したり、または、白色塗
料を塗布する等の方法により、容易に遮光部に光散乱機
能を賦与することができる。
においては、液晶層を間に挟んで対向配設される一方の
基板上に反射電極が形成され、他方の基板上に表示絵素
周辺部に対応するように光散乱機能を有する遮光部が設
けられているので、表示品位の高い、明るい表示の反射
型液晶表示装置が得られる。有機樹脂からなる光散乱用
凸部を形成したり、基板表面にサンドブラスト法または
エッチングにより凹凸部を形成したり、または、白色塗
料を塗布する等の方法により、容易に遮光部に光散乱機
能を賦与することができる。
【図１】本発明の一実施例である反射型液晶表示装置を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】図１に示される一方の基板３１の平面図であ
る。
る。
【図３】実施例１における他方の基板４５の製造工程を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図４】図３に示されるマスク６１の平面図である。
【図５】他方の基板４５上に遮光膜を形成する際に用い
られるマスクの平面図である。
られるマスクの平面図である。
【図６】実施例２および３における他方の基板４５の製
造工程を示す断面図である。
造工程を示す断面図である。
【図７】実施例４における他方の基板４５の製造工程を
示す断面図である。
示す断面図である。
３０ 反射型液晶表示装置 ３１、４５ 透明絶縁性基板 ３２ ゲートバスライン ３３ ゲート電極 ３４ ゲート絶縁膜 ３５ 半導体層 ３６ ソース電極 ３７ ドレイン電極 ３８ 反射電極 ４０ ＴＦＴ ４１ コンタクト電極 ４２ 有機絶縁膜 ４２ａ、４２ｂ、４６ 凸部 ４３ コンタクトホール ４４、４９ 配向膜 ４６ａ 凹凸部 ４７、７０ 遮光膜 ４８ 透明共通電極 ５０ 液晶層 ５１ 有機樹脂 ６１ マスク
Claims (5)
- 【請求項１】 液晶層を挟んで対向配設される一対の基
板の少なくとも片方が透光性を有し、該一対基板のうち
の一方の基板の液晶層側に、表示絵素となる反射電極が
形成され、他方の基板の液晶層側のほぼ全面に透光性共
通電極が形成され、該他方の基板側から入射される外部
光を該反射電極により反射させて表示を行う反射型液晶
表示装置において、 該他方の基板の液晶層側に、表示絵素周辺部に対応する
ように光散乱機能を有する遮光部が設けられている反射
型液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記遮光部は、有機樹脂からなる光散乱
用凸部と、該凸部の上を覆って形成された遮光膜とから
なる請求項１に記載の反射型液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記遮光部は、他方の基板表面にサンド
ブラスト法により形成した凹凸部と、該凹凸部の上を覆
って形成された遮光膜とからなる請求項１に記載の反射
型液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記遮光部は、他方の基板表面にエッチ
ングにより形成された凹凸部と、該凹凸部の上を覆って
形成された遮光膜とからなる請求項１に記載の反射型液
晶表示装置。 - 【請求項５】 前記遮光部は、白色塗料からなる遮光膜
である請求項１に記載の反射型液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5183093A JPH0736030A (ja) | 1993-07-23 | 1993-07-23 | 反射型液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5183093A JPH0736030A (ja) | 1993-07-23 | 1993-07-23 | 反射型液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0736030A true JPH0736030A (ja) | 1995-02-07 |
Family
ID=16129646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5183093A Withdrawn JPH0736030A (ja) | 1993-07-23 | 1993-07-23 | 反射型液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0736030A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5699135A (en) * | 1994-10-18 | 1997-12-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Reflection type liquid crystal display device and method of manufacturing the same |
| KR100268010B1 (ko) * | 1997-09-25 | 2000-10-16 | 구본준 | 반사형액정표시소자의반사판및그제조방법 |
| KR20020020192A (ko) * | 2000-09-06 | 2002-03-14 | 니시무로 타이죠 | 액정표시장치 |
| KR100378754B1 (ko) * | 1999-06-28 | 2003-04-07 | 샤프 가부시키가이샤 | 액정 표시 장치의 제조 방법 |
| KR100385762B1 (ko) * | 1999-07-14 | 2003-05-28 | 산요 덴키 가부시키가이샤 | 반사형 액정 표시 장치의 제조 방법 |
| KR100390198B1 (ko) * | 1999-01-26 | 2003-07-04 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | 반사형 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| KR100453091B1 (ko) * | 1997-09-17 | 2005-09-15 | 가부시끼가이샤 도시바 | 액정마이크로캡슐및액정표시소자 |
| KR100906724B1 (ko) * | 2002-12-31 | 2009-07-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반사투과형 액정표시장치와 그 제조방법 |
| US7847904B2 (en) | 2006-06-02 | 2010-12-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic appliance |
| US8338865B2 (en) | 2006-05-16 | 2012-12-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and semiconductor device |
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| US9207504B2 (en) | 2006-04-06 | 2015-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device, semiconductor device, and electronic appliance |
| US11960174B2 (en) | 2006-06-02 | 2024-04-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic appliance |
-
1993
- 1993-07-23 JP JP5183093A patent/JPH0736030A/ja not_active Withdrawn
Cited By (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| KR100378754B1 (ko) * | 1999-06-28 | 2003-04-07 | 샤프 가부시키가이샤 | 액정 표시 장치의 제조 방법 |
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| US9207504B2 (en) | 2006-04-06 | 2015-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device, semiconductor device, and electronic appliance |
| US10684517B2 (en) | 2006-04-06 | 2020-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device, semiconductor device, and electronic appliance |
| US11921382B2 (en) | 2006-04-06 | 2024-03-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device, semiconductor device, and electronic appliance |
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| US11442317B2 (en) | 2006-04-06 | 2022-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device, semiconductor device, and electronic appliance |
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