JP2003098537A - 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 内面反射方式の反射型又は半透過反射型の電
気光学装置において、鏡面反射等を避けるための絶縁膜
を作り込みつつ、これに起因した画素電極等におけるパ
ターン不良や剥離を低減する。 【解決手段】 反射型の電気光学装置は、ＴＦＴアレイ
基板（１０）上に、絶縁膜（２４１）と、この上に形成
された反射電極（２４２）と、この上に形成された透明
導電性膜（２４３）とを備える。透明導電性膜は、平面
的に見て画素毎に絶縁膜の凹凸領域よりも輪郭が大き
い。或いは、半透過反射型の電気光学装置は、ＴＦＴアレ
イ基板（１０）上に、絶縁膜（２４２）と、この上に形
成された半透過反射電極（２４２’）と、この上に形成
された透明導電性膜（２４３’）とを備える。透明導電
性膜は、平面的に見て画素毎に絶縁膜の凹凸領域よりも
輪郭が大きい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、内面反射方式によ
る反射型又は半透過反射型の液晶装置等の電気光学装置
及びその製造方法、並びにそのような電気光学装置を具
備してなる電子機器の技術分野に属する。

【０００２】

【背景技術】この種の内面反射方式による反射型の電気
光学装置では、例えばＴＦＴ（ThinFilm Transistor）
アレイ基板などの液晶等の電気光学物質に対向する側の
表面に、Ａｌ（アルミニウム）等からなる反射電極が、
画素毎に配置された画素電極として設けられる。そし
て、対向基板側からの入射光を電気光学物質を介して反
射電極により反射させ、対向基板側へ出射させること
で、反射型表示を行うように構成されている。

【０００３】また、この種の内面反射方式による半透過
反射型の電気光学装置では、透明なアレイ基板における
電気光学物質に対向する側の表面に、窓や孔などの光透
過領域を有する半透過反射電極が設けられる。そして、
明所ではバックライト等の光源をオフにして、対向基板
側からの外光を電気光学物質を介して、この半透過反射
電極の光反射領域により反射させ、対向基板側から出射
させることで、反射型表示を行う。暗所では光源をオン
にして、光源光をアレイ基板の裏側から半透過反射電極
の光透過領域を介して透過させ、更に電気光学物質を介
して対向基板側から出射させることで、透過型表示を行
うように構成されている。

【０００４】これらの内面反射方式による反射型又は半
透過反射型の電気光学装置では、反射型表示時に鏡面表
示とならないように或いは視野角を広げるように、反射
電極又は半透過反射電極の反射面に、光散乱用の凹凸を
付けることがある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
如く反射面に凹凸を付けると以下の問題が生じる。

【０００６】即ち、凹凸の反射面上に画素電極を形成す
べく、例えばスパッタリング等により透明導電膜等を形
成し、更にこれに対してエッチングによりパターニング
を行う場合、下地に凹凸が成形されていると、スパッタリ
ング等で成膜される透明導電膜等には、密着の悪い個所
や微細な隙間が発生する。そして、これらの凹凸界面に
おける密着の悪い個所や微細な隙間からエッチャントが
進入し、島状にパターン化された透明導電膜等の周縁が
ギザギザになったり、透明導電膜等が剥離する。即ち、
エッチングによりパターニングする透明導電膜等におけ
るパターン不良が発生し、表示不良或いは信頼性が低下
するという問題点がある。特に、近時における高品位画
像の表示という一般的な要請下で画素ピッチの微細化を
進めると、このようなパターン不良の発生は顕在化して
くるため、この問題は、表示画像の高品位化を推し進め
る上で極めて重大である。

【０００７】本発明は上記問題点に鑑みなされたもので
あり、内面反射方式の反射型又は半透過反射型の電気光
学装置において、鏡面反射等を避けるための凹凸を持つ
絶縁膜を作り込みつつ、これに起因したパターン不良や
剥離が低減可能である電気光学装置及びその製造方法、
並びにそのような電気光学装置を具備してなる電子機器
を提供することを課題とする。

【０００８】

【課題を解決するために手段】本発明の電気光学装置は
上記課題を解決するために、基板上に、画素毎に凹凸領
域を有する絶縁膜と、該絶縁膜上に画素毎に形成された
反射又は半透過反射電極と、該反射又は半透過反射電極
上に画素毎に形成された透明導電性膜とを備えており、
前記透明導電性膜は、平面的に見て画素毎に前記凹凸領
域よりも輪郭が大きい。

【０００９】本発明の電気光学装置によれば、基板上に
おいて、絶縁膜上に、画素毎の画素電極として形成され
た反射又は半透過反射電極と、この上に、同じく画素毎
に形成された透明導電性膜とにより、内面反射方式によ
る反射型又は半透過反射型の電気光学装置が実現され
る。この際、透明導電性膜を、画素電極として複数設け
ると共に、例えば薄膜トランジスタ（以下適宜ＴＦＴ（T
hin Film Transistor）と称す）、薄膜ダイオード（以
下適宜ＴＦＤ（Thin Film Diode）と称す）等の能動素
子を画素毎に設けることにより、所謂アクティブマトリ
クス駆動が可能となる。

【００１０】そして、基板上において、凹凸領域におけ
る絶縁膜により、反射又は半透過反射電極の表面に凹凸
を付けられるので、鏡面表示ではなく、白紙状の反射型
表示が可能となると共に視野角を広げられる。

【００１１】このように凹凸領域における絶縁膜の凹凸
面上に反射又は半透過反射電極及が形成され、更に、こ
の反射又は半透過反射電極の凹凸面上に透明導電性膜が
形成されているが、例えばスパッタリング等にて透明導
電性膜の成膜を行うと、この透明導電性膜のつきまわり
が凹部と凸部とで相異なり、一般的に凹部の方がつきま
わるが悪くなる（即ち、カバレッジが悪くなる）。この
結果、反射又は半透過反射電極と透明導電性膜との間に
ある凹凸界面において、つきまわりが悪い個所が発生し
たり、微細な隙間が発生する。

【００１２】従って仮に、透明導電性膜が、凹凸領域よ
りも輪郭が小さいか或いは両者の輪郭が同じであるとす
れば、前述した背景技術の如く、成膜後における透明導
電性膜のパターニングの際に、上記つきまわりの悪い個
所或いは微細な隙間にエッチャントが進入し、パターン
不良を発生してしまうのである。

【００１３】しかるに、本発明によれば、絶縁膜は画素
毎に凹凸領域を有しており、透明導電性膜は画素毎にこ
の凹凸領域よりも輪郭が大きいので、凹凸領域から外れ
た領域で透明導電性膜のパターニングを行うことにな
る。従って、当該透明導電性膜のパターニングの際に、つ
きまわりの悪い個所或いは微細な隙間にエッチャントが
進入することを効果的に防止し得、パターン不良の発生
を防止し得る。

【００１４】このため、島状の透明導電性膜の周縁や、
島状の反射又は半透過反射電極の周縁がギザギザになっ
たり、透明導電性膜や反射又は半透過反射電極が剥離す
ることを効果的に阻止し得る。これらの結果、エッチン
グによりパターニングされる透明導電性膜や反射又は半
透過反射電極におけるパターン不良が低減され、歩留ま
りが向上可能となると共に信頼性が格段に高まる。特
に、近時における高品位画像の表示という一般的な要請
下で画素ピッチの微細化を進めても、このようなパター
ン不良の発生を効率的に阻止できるので、本発明の電気
光学装置は、表示画像の高品位化を推し進める上で極め
て有利である。

【００１５】加えて、絶縁膜については、基板のほぼ一
面に形成されることで、反射又は半透過反射電極或いは
透明導電性膜に対する下地絶縁膜としても機能する。即
ち、絶縁膜については好ましくは、反射又は半透過反射
電極或いは透明導電性膜が形成される各画素の開口領域
及び非開口領域を含めた、画像表示領域の大部分に形成
される。そして、絶縁性が要求されない基板上の特定領
域については、当該絶縁膜を局所的に形成しないことは
可能である。

【００１６】また、絶縁膜は、各画素の開口領域の全領
域が凹凸領域であってもよい。或いは、画素毎に一部が
凹凸領域であり他の部分が平坦な形状であってもよい。

【００１７】本発明の電気光学装置の一態様では、前記
絶縁膜は、前記基板上で規則的又は不規則な複数の凸部
若しくは複数の凹部が前記凹凸領域に形成されてなる。

【００１８】この態様によれば、規則的又は不規則な配
置や形状を有する複数の凸部によって、若しくは規則的
又は不規則な配置や形状を有する複数の凹部によって、
反射又は半透過反射電極の表面に凹凸を付けられるの
で、比較的簡単に白紙状の反射型表示が可能となると共
に視野角を広げられる。

【００１９】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記透明導電性膜は、平面的に見て画素毎に前記反射又は
半透過反射電極よりも輪郭が大きい。

【００２０】この態様によれば、透明導電性膜は、平面
的に見て画素毎に凹凸領域のみならず、反射又は半透過
反射電極よりも輪郭が大きい。従って、透明導電性膜を
エッチングする際に凹凸の存在しないところでパターニ
ングを行うことになる。よって、透明導電性膜と反射又
は半透過反射電極膜との間、若しくは反射又は半透過反
射電極膜と絶縁膜との間などにおける、凹凸界面におけ
るつきまわりの悪い個所或いは微細な隙間にエッチャン
トが進入することを、輪郭の大きい透明導電性膜により
阻止し得る。このため特に、反射又は半透過反射電極の
周縁がギザギザになったり、反射又は半透過反射電極が
剥離することを効果的に阻止し得る。

【００２１】この態様では、前記透明導電性膜は、ＩＴ
Ｏ（Indium Tin Oxide）膜からなり、前記反射又は半透
過反射電極は、Ａｌ（Aluminum）膜からなってもよい。

【００２２】一般にＩＴＯとＡｌとが露出したところに
アルカリ現像液等を使ってパターニングすると電蝕が発
生する。しかるに、この態様では反射又は半透過反射電
極膜上に透明導電性膜を覆うように形成するため、透明
導電性膜と反射又は半透過反射電極膜とが同時に露出す
ることがないので、電蝕の発生を防止できる。

【００２３】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記半透過反射電極は、画素毎に、光透過用の複数の孔又
は窓が開けられており、前記透明導電性膜は、前記半透
過反射電極上に代えて又は加えて、前記孔又は窓内に形
成されている。

【００２４】この態様によれば、例えば基板の半透過反
射電極と反対側に設けられた光源をオンすれば、光源光
を、半透過反射電極に画素毎に開けられた複数の孔又は
窓を透過させることにより、透過型表示を行える。尚、
このような複数の孔の大きさや配置は、不規則的でも規
則的でもよい。或いは、このような窓の形や位置は任意
であり、画素毎に一つの窓が開けられてもよいし、複数の
窓が開けられてもよい。

【００２５】この態様では、前記孔又は窓内に形成され
た透明導電性膜は、前記絶縁膜上に形成されて、その表
面に凹凸があるように構成してもよい。

【００２６】このように構成すれば、これら複数の孔又
は窓内に形成されている透明導電性膜には、絶縁膜に応
じた凹凸が付けられているので、反射部と透過部の高さ
をほぼ均一にできるため、次工程のラビング工程にて表
示領域全体にわたって均一にラビングができるので、配
向不良がおさえられて表示品質が向上する。

【００２７】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記絶縁膜は、凹凸を有する第１有機樹脂膜と、該第１有
機樹脂膜上に形成されており前記凹凸の段差を緩和する
第２有機樹脂膜とを含んでなる。

【００２８】この態様によれば、例えばアクリル等の２
つの有機樹脂膜を用いて、凹凸における段差或いは急峻
度を調整することが可能となり、これにより、光散乱特
性に優れた反射又は半透過反射電極を構築できる。

【００２９】この態様では、前記第１有機樹脂膜は、画
素毎に前記凹凸領域内にのみ設けられており、第２有機
樹脂膜は、前記画像表示領域の一面に形成されているよ
うに構成してもよい。

【００３０】このように構成すれば、画素毎に凹凸領域
内に点在する多数の凸部からなる第１有機樹脂膜によ
り、或いは、画素毎に凹凸領域に形成され且つ多数の凹
部を含む島状の第１有機樹脂膜により、凹凸が得られ
る。更に、第２有機樹脂膜によって、この凹凸の段差を緩
和できると共に、画像表示領域の一面における反射又は
半透過反射電極或いは透明導電性膜の下地絶縁膜として
の機能を良好に発揮しえる。

【００３１】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記基板上に、前記透明導電性膜に接続された薄膜トラン
ジスタと、該薄膜トランジスタに接続された走査線及び
データ線とを更に備える。

【００３２】この態様によれば、走査線及びデータ線に
走査信号及び画像信号を夫々供給しつつ、薄膜トランジ
スタにより、画素電極として設けられた反射又は半透過
反射電極をスイッチング制御することが可能であり、信
頼性の高いＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の電気
光学装置を実現できる。

【００３３】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記基板に対向配置された対向基板と、前記基板と該対向
基板との間に挟持された電気光学物質とを備える。

【００３４】この態様によれば、一対の基板間に、液晶
等の電気光学物質が挟持されてなる液晶装置等を実現で
きる。

【００３５】この態様では、前記対向基板には、前記透
明導電性膜と同一種類の膜からなる対向電極が形成され
てもよい。

【００３６】このように構成すれば、一対の基板の内側
に夫々形成された同一種類の透明導電性膜により、これ
ら両者間にある電気光学物質に対して良好な電界の印加
が可能となる。仮に種類の異なる電極によってでは、例
えば一方がＡｌ膜からなる電極であり且つ他方がＩＴＯ
膜からなる電極である場合など、これら両者間にある電
気光学物質に対してバランス良く電圧を印加することは
困難である。

【００３７】本発明の電気光学装置の製造方法は上記課
題を解決するために、基板上に、画素毎に凹凸領域を有
する絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜上に画素毎に反
射又は半透過反射電極を形成する工程と、該反射又は半
透過反射電極上に画素毎に透明導電性膜を形成する工程
とを備えており、前記透明導電性膜を形成する工程は、
前記透明導電性膜を、平面的に見て画素毎に前記凹凸領
域よりも輪郭が大きくなるようにエッチングによりパタ
ーニングする工程を含む。

【００３８】本発明の電気光学装置の製造方法によれ
ば、基板上にて、画素毎に凹凸領域を有する絶縁膜を形
成する。次に、この絶縁膜上に、画素毎に、反射又は半
透過反射電極を形成する。次に、この反射又は半透過反
射電極上に、画素毎に透明導電性膜を形成する。これに
より、画素毎に設けられた画素電極として、表面に凹凸
を持つ反射電極又は半透過反射電極が得られる。そして
特に透明導電性膜を形成する工程は、透明導電性膜を凹
凸領域よりも輪郭が大きくなるようにエッチングにより
パターニングする工程を含む。従って、絶縁膜上に、例
えばスパッタリング等により、透明導電性膜を形成し更
にこれをエッチングによりパターニングして透明導電性
膜を形成する際に、凹凸領域から外れた領域で透明導電
性膜のパターニングを行うことになる。よって、透明導
電性膜と反射又は半透過反射電極膜との間、若しくは反
射又は半透過反射電極膜と絶縁膜との間などの、凹凸に
起因した微細な隙間にエッチャントが進入することを阻
止し得る。このため、画素電極を構成する、透明導電性
膜の周縁や反射又は半透過反射電極の周縁がギザギザに
なったり、透明導電性膜や反射又は半透過反射電極が剥
離することを効果的に阻止し得る。特に画素ピッチの微
細化を進めても、このようなパターン不良の発生を効率
的に阻止できる。

【００３９】本発明の電気光学装置の製造方法の一態様
では、前記透明導電性膜を形成する工程は、前記エッチ
ング前に透明導電性膜をスパッタリングで形成する工程
を含む。

【００４０】この態様によれば、透明導電性膜を形成す
る工程では、先ず絶縁膜上に、スパッタリングにより、
透明導電性膜を形成する。続いて、これを凹凸領域から
外れた領域でエッチングによりパターニングして透明導
電性膜を形成するので、凹凸に起因した微細な隙間にエ
ッチャントが進入することを阻止し得る。

【００４１】本発明の電気光学装置の製造方法の他の態
様では、前記反射又は半透過反射電極を形成する工程
は、前記反射又は半透過反射電極をＡｌ膜から形成する
工程を含み、前記透明導電性膜を形成する工程は、前記
透明導電性膜をＩＴＯ（IndiumTin Oxide）膜から形成
すると共に、前記透明導電性膜を平面的に見て画素毎
に、前記反射又は半透過反射電極よりも輪郭が大きくな
るように前記エッチングによりパターニングする工程を
含む。

【００４２】一般にＩＴＯとＡｌとが露出したところに
アルカリ現像液等を使ってパターニングすると電蝕が発
生する。しかるに、この態様では、反射又は半透過反射
電極膜上に透明導電性膜を覆うように形成するため、透
明導電性膜と反射又は半透過反射電極膜とが同時に露出
することがないので、電蝕の発生を防止できる。

【００４３】本発明の電気光学装置の製造方法の他の態
様では、前記絶縁膜を形成する工程は、凹凸を有する第
１有機樹脂膜を画素毎に前記凹凸領域に形成する工程
と、前記第１有機樹脂膜を形成後における前記画像表示
領域の一面に、前記凹凸の段差を緩和する第２有機樹脂
膜を形成する工程とを含む。

【００４４】この態様によれば、画素毎に凹凸領域内に
点在する多数の凸部からなる第１有機樹脂膜により、或
いは、画素毎に凹凸領域に形成され且つ多数の凹部を含
む島状の第１有機樹脂膜により、凹凸が得られる。更
に、第２有機樹脂膜によって、この凹凸の段差を緩和でき
ると共に、画像表示領域の一面における反射又は半透過
反射電極或いは透明導電性膜の下地絶縁膜としての機能
を良好に発揮しえる。

【００４５】この態様では、前記第１有機樹脂膜を形成
する工程は、前記第１有機樹脂膜の材料膜を形成する工
程と、該材料膜を画素毎に前記凹凸領域にのみ残すと共
に前記凹凸を有するようにエッチングする工程とを含ん
でもよい。

【００４６】このように、第１有機樹脂の材料膜を形成
し、これに対してエッチングを行って凹凸領域にのみ残
して第１有機樹脂膜を形成し、その後、画像表示領域の
一面に第２有機樹脂膜を形成することによって、緩やか
な段差を有し且つ反射又は半透過反射電極或いは透明導
電性膜の下地絶縁膜として良好に機能し得る絶縁膜を形
成できる。

【００４７】本発明の電子機器は上記課題を解決するた
めに、上述した本発明の電気光学装置（その各種態様も
含む）を具備してなる。

【００４８】この態様によれば、上述した本発明の電気
光学装置を具備してなるので、装置信頼性が高く且つ高
品位の画像表示が可能な電気光学装置を表示部として有
する、投射型表示装置或いはプロジェクタ、液晶テレ
ビ、パソコンやモバイル或いは携帯端末のモニター部、
ページャ、携帯電話の表示部、カメラのファインダ部な
どの各種電子機器を実現できる。

【００４９】本発明のこのような作用及び他の利得は次
に説明する実施の形態から明らかにされる。

【００５０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。以下の第１実施形態は、本発明をＴ
ＦＴアクティブマトリクス駆動方式の反射型液晶装置に
適用したものであり、第２実施形態は、本発明をＴＦＴ
アクティブマトリクス駆動方式の半透過反射型の液晶装
置に夫々適用したものである。また、第３実施形態は、
本発明をこのような液晶装置を具備してなる各種電子機
器に適用したものである。

【００５１】（第１実施形態）本発明の第１実施形態に
ついて、図１から図１０を参照して説明する。

【００５２】先ず第１実施形態に係る反射型の電気光学
装置の構成について、図１から図７を参照して説明す
る。ここに、図１は、電気光学装置の画像表示領域を構
成するマトリクス状に形成された複数の画素における各
種素子、配線等の等価回路である。図２は、データ線、
走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相
隣接する複数の画素群の平面図である、図３は、図２の
Ａ−Ａ'断面図である。図４は、本実施形態における一
つの画素電極を抽出して示す平面図であり、図５は、図
４のＥ−Ｅ’断面図である。また、図６は、本実施形態
における画素電極の製造方法の一例を示す工程図であ
り、図７は、比較例における図４のＥ−Ｅ’断面に対応
する個所における断面図である。尚、図２から図７にお
いては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大き
さとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてあ
る。

【００５３】図１において、本実施形態における電気光
学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成さ
れた複数の画素には夫々、画素電極２４３と当該画素電
極２４３をスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが
形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが
当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。デ
ータ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎ
は、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接す
る複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給
するようにしても良い。また、ＴＦＴ３０のゲートに走
査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミング
で、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、
Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されてい
る。画素電極２４３は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的
に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０
を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、デー
タ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎ
を所定のタイミングで書き込む。画素電極２４３を介し
て電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定
レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板
（後述する）に形成された対向電極（後述する）との間
で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベル
により分子集合の配向や秩序が変化することにより、光
を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイト
モードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じ
て入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラック
モードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じ
て入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光
学装置からは画像信号に応じたコントラストを持つ光が
出射する。ここで、保持された画像信号がリークするの
を防ぐために、画素電極２４３と対向電極との間に形成
される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。

【００５４】図２において、電気光学装置のＴＦＴアレ
イ基板上には、マトリクス状に複数の画素電極２４３
（点線部９ａ'により輪郭が示されている）が設けられ
ており、画素電極２４３の縦横の境界に各々沿ってデー
タ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。更に容量線
３ｂが、走査線３ａに並んでストライプ状に設けられて
いる。より具体的には、容量線３ｂは、走査線３ａに平
行な本線部と、この本線部におけるデータ線６ａに交差
する個所からデータ線６ａに沿って図中上側に突出した
突出部とを有する。

【００５５】また、半導体層１ａのうち図中右下がりの
斜線領域で示したチャネル領域１ａ'に対向するように
走査線３ａが配置されており、走査線３ａはゲート電極
として機能する。このように、走査線３ａとデータ線６
ａとの交差する個所には夫々、チャネル領域１ａ'に走
査線３ａがゲート電極として対向配置された画素スイッ
チング用のＴＦＴ３０が設けられている。

【００５６】図２及び図３に示すように、データ線６ａ
は、コンタクトホール５を介して半導体層１ａのうち高
濃度ソース領域１ｄに電気的に接続されている。他方、
画素電極９ａは、コンタクトホール８を介して半導体層
１ａのうち高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続され
ている。

【００５７】また、高濃度ドレイン領域１ｅから延設さ
れた画素電位側容量電極１ｆと容量線３ｂの固定電位側
容量電極としての部分とが、誘電体膜としての絶縁膜２
を介して対向配置されることにより、蓄積容量７０が構
築されている。容量線３ｂは、画素電極２４３が配置さ
れた画像表示領域からその周囲に延設され、定電位源と
電気的に接続されて、固定電位とされる。

【００５８】図３において、電気光学装置は、透明又は
不透明なＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置され
る透明な対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基
板１０は、例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板
からなり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基
板からなる。

【００５９】本実施形態では特に、ＴＦＴアレイ基板１
０には、凹凸の第１有機樹脂膜２４１ａ及びこの凹凸を
緩和する第２有機樹脂膜２４１ｂの二層構造を有する凹
凸形成用の絶縁膜２４１が、第２層間絶縁膜７上に形成
されている。更に、この絶縁膜２４１の凹凸面上に、Ａｌ
膜からなる反射電極２４２及びＩＴＯ膜とからなる画素
電極２４３が形成されている。これらの絶縁膜２４１、
反射電極２４２及び画素電極２４３の構成及び作用効果
については、後に図４から図７を参照して詳述する。

【００６０】図３において、画素電極２４３上には、ラ
ビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が
設けられている。配向膜１６は例えば、ポリイミド膜な
どの有機膜からなる。

【００６１】他方、対向基板２０には、その全面に渡っ
て対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビ
ング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設
けられている。対向電極２１は例えば、ＩＴＯ膜などの
透明導電性膜からなる。また配向膜２２は、ポリイミド
膜などの有機膜からなる。更に、対向基板２０には、各
画素の非開口領域に、一般にブラックマスク或いはブラ
ックマトリクス（BM）と称される遮光膜２３が設けられ
ている。このため、対向基板２０の側から入射光が画素
スイッチング用のＴＦＴ３０の半導体層１ａのチャネル
領域１ａ'や低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン
領域１ｃに侵入することは殆どない。更に、遮光膜２３
は、コントラスト比の向上、カラーフィルタを形成した
場合における色材の混色防止などの機能を有する。尚、
本実施形態では、Ａｌ等からなる遮光性のデータ線６ａ
で、各画素の非開口領域のうちデータ線６ａに沿った部
分を遮光することにより、各画素の開口領域のうちデー
タ線６ａに沿った輪郭部分を規定してもよいし（この場
合には、走査線３ａに沿ったストライプ状の遮光膜２３
を設ければよいし）、このデータ線６ａに沿った非開口
領域についても冗長的に又は単独で対向基板２０に設け
られた遮光膜２３で遮光する（この場合には、格子状の
遮光膜２３を設ける）ように構成してもよい。このよう
な遮光に代えて又は加えて、ＴＦＴアレイ基板１０上の
積層体内に、高融点金属膜等からなる内蔵遮光膜を設け
て各画素の開口領域の一部或いは全部を規定してもよ
い。

【００６２】図３に示すように、以上の如く構成され
た、画素電極２４３と対向電極２１とが対面するように
配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間
には、後述のシール材により囲まれた空間に電気光学物
質の一例である液晶が封入され、液晶層５０が形成され
る。液晶層５０は、画素電極２４３からの電界が印加さ
れていない状態で配向膜１６及び２２により所定の配向
状態をとる。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネ
マティック液晶を混合した液晶からなる。シール材は、
ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０をそれらの周辺
で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性
樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値と
するためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のギ
ャップ材が混入されている。

【００６３】更に、画素スイッチング用のＴＦＴ３０の
下には、下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜
１２は、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されること
により、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における
荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴ
ＦＴ３０の特性の劣化を防止する機能を有する。

【００６４】画素スイッチング用のＴＦＴ３０は、ＬＤ
Ｄ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、走査線
３ａ、当該走査線３ａからの電界によりチャネルが形成
される半導体層１ａのチャネル領域１ａ'、走査線３ａ
と半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜
２、半導体層１ａの低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ド
レイン領域１ｃ、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄ
並びに高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。

【００６５】走査線３ａ上には、高濃度ソース領域１ｄ
へ通じるコンタクトホール５及び高濃度ドレイン領域１
ｅへ通じるコンタクトホール８が各々開孔された第１層
間絶縁膜４が形成されている。第１層間絶縁膜４上には
データ線６ａが形成されており、この上には、コンタク
トホール８が開孔された第２層間絶縁膜７が形成されて
いる。

【００６６】尚、本実施形態では特に、コンタクトホール
８は、第１層間絶縁膜４に開孔されたコンタクトホール
８ａと第２層間絶縁膜７に開孔されたコンタクトホール
８ｂとが連通してなり、ＩＴＯ膜からなる画素電極２４
３は、直接高濃度ドレイン領域１ｅに接続されるのでは
なく、データ線６ａと同一のアルミニウム膜等からなる
中継層（ドレイン電極）６ｂを中継して高濃度ドレイン
領域１ｅに接続されている。

【００６７】次に、図４から図７を参照して、本実施形
態における凹凸形成用の絶縁膜２４１、反射電極２４２
及び画素電極２４３の構成及び作用効果について詳述す
る。

【００６８】図４及び図５に示すように、本実施形態で
は、画素毎に第２層間絶縁膜７上における、各画素の開口
領域（即ち、各画素において実際に表示に寄与する光が
液晶層５０を介して反射される領域）に対応する矩形領
域に、凸部が多数点在してなる第１有機樹脂膜２４１ａ
が設けられている。第１有機樹脂膜２４１ａは、例えば
アクリル等からなり、規則的な多数の凸部からなっても
よいし、不規則的な多数の凸部からなってもよい。或い
は、規則的な多数の凹部からなってもよいし、不規則的
な多数の凹部からなってもよい。更に、これらの凹部と
凸部とが混在してあってもよい。更にまた、凸部の先端
については、丸みを帯びていてもよいし、尖っていても
よい。そして、このように画素毎に設けられた凹凸を有
する第１有機樹脂膜２４１ａ上には、例えば第１有機樹
脂膜２４１ａと同じ又は異なるアクリル等からなる第２
有機樹脂膜２４１ｂが積層されており、二層構造を有す
る凹凸形成用の絶縁膜２４１が構築されている。そし
て、第２有機樹脂膜２４１ｂは、各画素の開口領域のみ
ならず、画像表示領域の一面に渡って形成されており、
画素電極２４３の下地となる絶縁膜としても機能してい
る。これらの結果、各画素に対応する矩形領域では比較
的なだらかな凹凸パターン２４１Ｖを多数有すると共に
各画素の間隙では平坦である絶縁膜２４１が、第２層間
絶縁膜７上の一面に構築される。

【００６９】更に、絶縁膜２４１上には、画素毎に、高反
射率のＡｌ膜を用いた反射電極２４２が形成されてお
り、この上に、透明導電性膜の一例たるＩＴＯ膜により
形成された画素電極２４３が構築されている。これらの
結果、絶縁膜２４１の凹凸パターン２４１Ｖに応じて、
画素電極２４３内にある反射電極２４２の表面は、比較
的なだらかな多数の凹凸を有する。

【００７０】従って、本実施形態によれば、Ａｌ膜によ
り形成された凹凸表面を有する反射電極２４２及び画素
電極２４３により、内面反射方式による反射型液晶装置
が実現される。そして、反射電極２４２の凹凸表面によ
り、鏡面表示ではなく、白紙状の反射型表示が可能とな
ると共に視野角を広げられる。

【００７１】ここで、図６の工程図を参照して、図４及
び図５に示した如き構成を有する絶縁膜２４１及び画素
電極２３４における顕著な効果が発揮される、これら絶
縁膜２４１及び画素電極２３４の製造方法について説明
する。尚、第１実施形態の電気光学装置全体の製造プロ
セスについては別途後述する。

【００７２】図６において先ず工程（１）では、第２層
間絶縁膜７上に、アクリル系、エポキシ系などの第１有
機樹脂膜１３をスピンコート、印刷等により塗布する。
次に工程（２）では、各画素の開口領域に対応する矩形
領域に、第１有機樹脂膜１３からなる凸部を残すように
マスクを用いて露光及び現像を行ない、続いてポストベ
ークを行って樹脂を硬化させると共に各凸部の先端に若
干丸みを持たせる。これらにより、急峻な凹凸を持つ第
１有機樹脂膜２４１ａを画素毎に矩形の凹凸領域にのみ
形成する。次に工程（３）では、このように形成した第
１有機樹脂膜２４１ａ上に、これと同一材料からなる第
２有機樹脂膜２４１ｂをスピンコート、印刷等により塗
布し、露光及び現像を行なった後、ポストベークを行っ
て樹脂を硬化させる。これにより、第１有機樹脂膜２４
１ａ及び第２有機樹脂膜２４１ｂからなり、適度に緩や
かとなった凹凸形状を有する絶縁膜２４１が形成され
る。次に工程（４）では、このように形成された絶縁膜
２４１上に、スパッタリング、蒸着等によりＡｌ膜を形成
し、図３及び図４に示した如き矩形にパターニングし
て、画素毎に矩形の反射電極２４２を形成する。尚、反
射電極２４２はＡｌ膜に代えて、Ａｇ（銀）やＣｒ（ク
ロム）等の他の金属を主成分とする膜としてもよいし、
多層膜としてもよい。次に工程（５）では、このように
形成された反射電極２４２上に、スパッタリング等によ
り、ＩＴＯ膜を一面に形成し、更に図３及び図４に示した
如き矩形にパターニングして、画素毎に矩形のＩＴＯ膜
を形成し、反射電極２４２を有する画素電極２４３を完
成させる。

【００７３】以上図６に例示した画素電極２４３の製造
では特に、画素電極２４３を構成するＩＴＯ膜の輪郭は、
絶縁膜２４１の凹凸領域よりも大きいので、画素電極２
４３のパターニングは、凹凸領域から外れた領域で行わ
れる。このため、画素電極２４３と反射電極２４２との
間、画素電極２４３と絶縁膜２４１との間、若しくは反
射電極２４２と絶縁膜２４１との間などにおける、凹凸
界面の微細な隙間に、ＩＴＯ膜をパターニングするため
のエッチャントが進入することを阻止し得る。これらの
結果、画素電極２４３や反射電極２４２におけるパター
ン不良が低減され、歩留まりが向上可能となると共に信
頼性が格段に高まる。

【００７４】例えば図７に示す比較例の如く、ＩＴＯ膜
２４３ｃと、反射電極２４２及び絶縁膜２４１における
凹凸領域の輪郭を同じにしてしまうと、ＩＴＯ膜をエッ
チングによりパターニングしてＩＴＯ膜２４３ｃを形成
する際に、凹凸に応じてつきまわりが悪く微細な隙間が
存在する界面１４ａ及び１４ｂに、エッチャントが進入
する。このため、ＩＴＯ膜２４３ｃの周縁や反射電極２
４２の周縁がエッチング後に、ガタガタになったり、剥離
してしまう。

【００７５】これに対して、本実施形態では、図４から図
６に示したように、画素電極２４３は、平面的に見て絶
縁膜２４１の凹凸領域よりも輪郭が大きいので、各画素
電極２４３を構成するＩＴＯ膜や反射電極２４２におけ
るパターン不良が低減されるのである。

【００７６】尚、このような画素電極２４３と絶縁膜２
４１の凹凸領域との輪郭差としては、例えば凹凸パター
ン２４１ＶにおけるＴＦＴアレイ基板１０に垂直方向の
段差が１０μｍ以下である場合、画素電極２４３の輪郭
の縁が基板面に沿って１μｍ程度以上大きければ、上述
のパターン不良を防ぐ効果が顕著に現れる。

【００７７】また、第１実施形態では、対向基板たる対
向基板２０に配置された透明電極２１と、ＴＦＴアレイ
基板１０上に形成された画素電極２４３を構成するＩＴ
Ｏ膜とは、共にＩＴＯ膜からなるので、これら両者間に
ある液晶層５０に対してバランス良く電界を印加可能と
されている。

【００７８】更にまた本実施形態では特に、図６の工程
（１）〜工程（３）で、２つの有機樹脂膜を用いて絶縁
膜２４１を形成しているので、凹凸における段差或いは
急峻度を調整することが可能となり、これにより、光散
乱特性に優れた画素電極２４３を構築できる。

【００７９】加えて本実施形態では特に、図６の工程
（５）において、画素電極２４３が反射電極２４２より
も輪郭が大きくなるようにパターニングしている。従っ
て、ＩＴＯ膜の形成時に、これらの二つの膜が同時にアル
カリ現像液等のエッチング液に露出することがない。こ
のため、これら両者のアルカリ現像液等に対する同時露
出による電蝕の発生を未然に防げる。

【００８０】以上説明した実施形態では、スイッチング
用ＴＦＴ３０は、チャネル部１ａ'、低濃度ソース領域
１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、さらに高濃度ソース
領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅは半導体材料から
なり、多結晶構造もしくは単結晶構造を持つ。さらに画
素スイッチング用ＴＦＴ３０は、好ましくは図３に示し
たようにＬＤＤ構造を持つが、低濃度ソース領域１ｂ及
び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物イオンの打ち込みを
行わないオフセット構造を持ってよいし、走査線３ａの
一部からなるゲート電極をマスクとして高濃度で不純物
イオンを打ち込み、自己整合的に高濃度ソース及びドレ
イン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであって
もよい。また本実施形態では、画素スイッチング用のＴ
ＦＴ３０のゲート電極を高濃度ソース領域１ｄ及び高濃
度ドレイン領域１ｅ間に１個のみ配置したシングルゲー
ト構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極を
配置してもよい。このようにデュアルゲート或いはトリ
プルゲート以上でＴＦＴを構成すれば、チャネルとソー
ス及びドレイン領域との接合部のリーク電流を防止で
き、オフ時の電流を低減することができる。

【００８１】次に、以上説明した第１実施形態の変形形
態について、図８から図１０を参照して説明する。ここ
に、図８は、第１実施形態の一の変形形態に係る図４の
Ｅ−Ｅ’断面に対応する部分における断面図であり、図
９は、第１実施形態の他の変形形態に係る図４のＥ−
Ｅ’断面に対応する部分における断面図であり、図１０
は、第１実施形態の更に他の変形形態に係る図４のＥ−
Ｅ’断面に対応する部分における断面図である。

【００８２】先ず図８に示すように、絶縁膜２４１を構
成する第２有機樹脂膜２４１ｂを、第２層間絶縁膜７の
一面ではなく、反射電極２４２と同様に画素毎に矩形に
設けてもよい。このように構成しても、凹凸パターン２
４１Ｖを構築する機能は、第１実施形態の場合と同様に
発揮される。

【００８３】或いは図９に示すように、絶縁膜２４１を
構成する第１有機樹脂膜２４１ａを、各画素に対応する
矩形領域内に多数点在する凸部からではなく、表面が荒
らされた一枚の島状の膜として、反射電極２４２と同様
に、画素毎に矩形に設けてもよい。このように構成して
も、凹凸パターン２４１Ｖを構築する機能は、発揮され
る。

【００８４】或いは図１０に示すように、Ａｌ膜で構成
された反射電極２４２を、画素毎に凹凸領域と同一輪郭
ではなく、画素毎に凹凸領域よりも一回り大きい輪郭を
有するように形成してもよい。更に、この際、ＩＴＯ膜で
構成された画素電極２４３を、反射電極２４２よりも一
回り大きい輪郭を有するように形成してもよい。このよ
うに構成しても、画素電極２４３のパターニングの際に
おける、エッチャントの進入を防ぐ効果は、第１実施形
態の場合と同様に得られる。

【００８５】（第１実施形態の製造プロセス）次に、以
上のように構成された第１実施形態に係る電気光学装置
の製造プロセスについて、ＴＦＴアレイ基板１０側のプ
ロセスを中心に、図１１から図１５を参照して説明す
る。ここに図１１から図１５は、画像表示領域１０ａ内
のうち図３で中央付近に示したと同様のＴＦＴ形成領域
の各製造工程における断面構造と、図３で端部付近に示
したと同様の光反射膜形成領域の各製造工程における断
面構造とを、順を追って示す一連の工程図である。

【００８６】先ず図１１の工程（１）では、超音波洗浄
等により清浄化したガラス製等の大型基板１０′を準備
した後、基板温度が１５０℃〜４５０℃の温度条件下
で、大型基板１０′の全面に、シリコン酸化膜からなる
下地絶縁膜１２をプラズマＣＶＤ法により５０ｎｍ〜１
００ｎｍの厚さに形成する。このときの原料ガスとして
は、たとえばモノシランと臭気ガスとの混合ガスやＴＥ
ＯＳと酸素、あるいはジシランとアンモニアを用いるこ
とができる。

【００８７】続いて、基板温度が１５０℃〜４５０℃の
温度条件下で、大型基板１０′の全面に、アモルファス
シリコン膜からなる半導体膜１をＬＰ−ＣＶＤ法により
５０ｎｍ〜１００ｎｍの厚さに形成する。次に、半導体
膜１に対してレーザ光を照射してレーザアニールを施
す。その結果、アモルファスの半導体膜１は、一度溶融
し、冷却固化過程を経て結晶化する。この際には、各領
域へのレーザ光の照射時間が非常に短時間であり、か
つ、照射領域も基板全体に対して局所的であるため、基
板全体が同時に高温に熱せられることがない。それ故、
大型基板１０′としてガラス基板などを用いても熱によ
る変形や割れ等が生じない。

【００８８】続いて、半導体膜１の表面にフォトリソグ
ラフィ技術を用いてレジストマスク５５１を形成する。

【００８９】次に工程（２）では、このレジストマスク
５５１を介して半導体膜１をエッチングする。これによ
り、ＴＦＴ形成領域内の所定領域に島状の半導体膜１ａ
（能動層）を残す。その後、レジストマスク５５１を剥
離除去する。

【００９０】続いて、３５０℃以下の温度条件下で、大
型基板１０′の全面に、ＣＶＤ法などによりシリコン酸
化膜などからなるゲート絶縁膜を含む絶縁膜２を５０ｎ
ｍ〜１００ｎｍの厚さに形成する。このときの原料ガス
は、たとえばＴＥＯＳと酸素ガスとの混合ガスを用いる
ことができる。ここで形成する絶縁膜２は、シリコン酸
化膜に代えてシリコン窒化膜であってもよい。

【００９１】続いて、図示を省略するが、所定のレジス
トマスクを介して半導体膜１ａの延設部分に不純物イオ
ンを打ち込んで、容量線３ｂとの間に蓄積容量６０を構
成するための画素電位側容量電極１ｆを形成する。

【００９２】次に工程（３）では、スパッタ法などによ
り、大型基板１０′の全面に、走査線３ａなどを形成す
るためのアルミニウム膜、ポリシリコン膜などからなる
導電膜３を５００ｎｍ〜１０００ｎｍの厚さに形成した
後、フォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスク５
５２を形成する。

【００９３】次に工程（４）では、レジストマスク５５
２を介して導電膜３をドライエッチングし、走査線３ａ
（ゲート電極）、容量線３ｂなどを形成する。その後、
レジストマスク５５２を剥離除去する。

【００９４】続いて、ＴＦＴ形成領域及び周辺領域にお
ける駆動回路のＮチャネルＴＦＴ部（図示せず）におい
て、走査線３ａやゲート電極をマスクとして、約０．１
×１０¹³／ｃｍ² 〜約１０×１０¹³／ｃｍ² のドーズ量
で低濃度の不純物イオン（リンイオン）を打ち込んで、
走査線３ａに対して自己整合的に低濃度ソース領域１ｂ
および低濃度ドレイン領域１ｃを形成する。ここで、走
査線３ａの真下に位置しているため、不純物イオンが導
入されなかった部分は半導体膜１ａのままのチャネル領
域１ａ′となる。

【００９５】次に、図１２の工程（５）では、ＴＦＴ形
成領域において、走査線３ａ（ゲート電極）より幅の広
いレジストマスク５５３を形成して高濃度の不純物イオ
ン（リンイオン）を約０．１×１０¹⁵／ｃｍ²〜約１０
×１０¹⁵／ｃｍ²のドーズ量で打ち込み、高濃度ソース
領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを形成する。他
方、レジストマスク５５３で覆われた低濃度ソース領域
１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃにおける不純物濃度は
低いままに維持される。

【００９６】これらの不純物導入工程に代えて、低濃度
の不純物の打ち込みを行わずにゲート電極より幅の広い
レジストマスクを形成した状態で高濃度の不純物（リン
イオン）を打ち込み、オフセット構造のソース領域およ
びドレイン領域を形成してもよい。また、走査線３ａを
マスクにして高濃度の不純物を打ち込んで、セルフアラ
イン構造のソース領域およびドレイン領域を形成しても
よいことは勿論である。

【００９７】なお、図示を省略するが、このような工程
によって、周辺駆動回路部のＮチャネルＴＦＴ部を形成
するが、この際には、ＰチャネルＴＦＴ部をマスクで覆
っておく。また、周辺駆動回路のＰチャネルＴＦＴ部を
形成する際には、画素部およびＮチャネルＴＦＴ部をレ
ジストで被覆保護して、ゲート電極をマスクとして、約
０．１×１０¹⁵／ｃｍ²〜約１０×１０¹⁵／ｃｍ²のドー
ズ量でボロンイオンを打ち込むことにより、自己整合的
にＰチャネルのソース・ドレイン領域を形成する。この
際、ＮチャネルＴＦＴ部の形成時と同様、ゲート電極を
マスクとして、約０．１×１０¹³／ｃｍ²〜約１０×１
０¹³／ｃｍ²のドーズ量で低濃度の不純物（ボロンイオ
ン）を導入して、ポリシリコン膜に低濃度領域を形成し
た後、ゲート電極より幅の広いマスクを形成して高濃度
の不純物（ボロンイオン）を約０．１×１０¹⁵／ｃｍ²
〜約１０×１０¹⁵／ｃｍ²のドーズ量で打ち込んで、Ｌ
ＤＤ構造（ライトリー・ドープト・ドレイン構造）のソ
ース領域およびドレイン領域を形成してもよい。また、
低濃度の不純物の打ち込みを行わずに、ゲート電極より
幅の広いマスクを形成した状態で高濃度の不純物（リン
イオン）を打ち込み、オフセット構造のソース領域およ
びドレイン領域を形成してもよい。これらのイオン打ち
込み工程によって、ＣＭＯＳ化が可能になり、周辺駆動
回路の同一基板内への内蔵が可能となる。

【００９８】次に工程（６）では、大型基板１０′の全
面にＣＶＤ法などにより、シリコン酸化膜などからなる
第１層間絶縁膜４を３００ｎｍ〜８００ｎｍの厚さに形
成する。このときの原料ガスは、たとえばＴＥＯＳと酸
素ガスとの混合ガスを用いることができる。

【００９９】続いて、フォトリソグラフィ技術を用いて
レジストマスク５５４を形成する。

【０１００】次に工程（７）では、レジストマスク５５
４を介して第１層間絶縁膜４にドライエッチングを行
い、第１層間絶縁膜４においてソース領域およびドレイ
ン領域に対応する部分などにコンタクトホール５、８ａ
等を形成する。その後、レジストマスク５５４を剥離除
去する。

【０１０１】次に工程（８）では、第１層間絶縁膜４の
表面側に、データ線６ａ（ソース電極）などを構成する
ためのアルミニウム膜などからなる導電膜６をスパッタ
法などで５００ｎｍ〜１０００ｎｍの厚さに形成した
後、フォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスク５
５５を形成する。

【０１０２】次に図１３の工程（９）では、レジストマ
スク５５５を介して導電膜６にドライエッチングを行
い、データ線６ａ及び中継層６ｂを形成する。その後、
レジストマスク５５５を剥離除去する。

【０１０３】次に工程（１０）では、大型基板１０′の
全面にＣＶＤ法などにより、シリコン窒化膜などからな
る第２層間絶縁膜７を１００ｎｍ〜３００ｎｍの膜厚に
形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いて、第２層
間絶縁膜７にコンタクトホールなどを形成するためのレ
ジストマスク５５６を形成する。

【０１０４】次に工程（１１）では、レジストマスク５
５６を介して第２層間絶縁膜７にドライエッチングを行
い、第２層間絶縁膜７のうち、中継層６ｂに至るコンタ
クトホールを開孔する。その後、レジストマスク５５６
を剥離除去する。

【０１０５】次に図１４の工程（１２）では、大型基板
１０′の全面にアクリル樹脂等の感光性樹脂１３を２μ
ｍ〜３μｍの厚さに塗布した後、感光性樹脂１３を、露
光マスク５１０を介してＵＶ光（紫外線）により露光す
る。

【０１０６】次に工程（１３）では、露光された感光性
樹脂１３を現像することによって、反射電極２４２の下
層側のうち、反射電極２４２と平面的に重なる領域に第
１有機樹脂膜２４１ａを形成する。続いてポストベーク
を行って、第１有機樹脂膜２４１ａの膜質を高めると共
に、先端部に若干丸みを持たせる。

【０１０７】このようなフォトリソグラフィ技術を利用
して第１有機樹脂膜２４１ａを形成する際、感光性樹脂
１３としてはネガタイプおよびポジタイプのいずれを用
いてもよいが、ここでは、感光性樹脂１３としてポジタ
イプの場合を例示してあり、感光性樹脂１３を除去した
い部分に対して露光マスク５１０の透光部分５１１を介
して紫外線が照射される。

【０１０８】次に工程（１４）では、第２層間絶縁膜７
及び第１有機樹脂膜２４１ａの表面側にアクリル樹脂等
の感光性樹脂２４１ｍを１μｍ〜２μｍの厚さに塗布し
た後、感光性樹脂２４１ｍを、露光マスク５２０を介し
てＵＶ光（紫外線）により露光する。

【０１０９】次に工程（１５）では、露光された感光性
樹脂２４１ｍを現像することによって、コンタクトホー
ル８ｂが開孔された第２有機樹脂膜２４１ｂを形成す
る。続いてポストベークを行って、第２有機樹脂膜２４
１ｂの膜質を高める。

【０１１０】このようなフォトリソグラフィ技術を利用
して、感光性樹脂からなる第２有機樹脂膜２４１ｂを形
成する際も、感光性樹脂としてはネガタイプおよびポジ
タイプのいずれを用いてもよいが、ここでは、感光性樹
脂としてポジタイプの場合を例示してあり、感光性樹脂
２４１ｍを除去したい部分に対して露光マスク５２０の
透光部分５２１を介して紫外線が照射される。

【０１１１】ここで、第２有機樹脂膜２４１ｂは、流動
性を有する樹脂材料から形成されるため、第２有機樹脂
膜２４１ｂは、第１有機樹脂膜２４１ａの凹凸を適度に
打ち消す。このため、後に形成される反射電極２４２の
表面には、エッジのない、滑らかな形状の凹凸パターン
２４１Ｖが形成される。なお、第２有機樹脂膜２４１ｂ
を形成せずに、第１有機樹脂膜２４１ａのみから凹凸パ
ターン２４１Ｖを形成してもよい。

【０１１２】次に図１５の工程（１６）では、スパッタ
法などによって、大型基板１０′の全面に、Ａｌ膜２４
２ｍを５００ｎｍ〜１０００ｎｍの厚さに形成した後、
フォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスク５５７
を形成する。

【０１１３】次に工程（１７）では、レジストマスク５
５７を介してＡｌ膜２４２ｍにエッチングを行い、所定
領域にＡｌ膜からなる反射電極２４２を残す。その後、
レジストマスク５５７を剥離除去する。このようにして
形成した反射電極２４２の表面には、第１有機樹脂膜２
４１ａの凹凸によって段差５００ｎｍ以上、さらには段
差８００ｎｍ以上の凹凸パターンが形成され、かつ、こ
の凹凸パターンは、第２有機樹脂膜２４１ａによって、
エッジのない、なだらかな形状になっている。

【０１１４】次に工程（１８）では、反射電極２４２の
表面側に、画素電極２４３を形成するために、厚さが４
０ｎｍ〜２００ｎｍのＩＴＯ膜をスパッタ法などで形成
した後、フォトリソグラフィ技術を用いてレジストマス
ク５５８を形成する。

【０１１５】次に工程（１９）では、レジストマスク５
５８を介してＩＴＯ膜をパターニングして画素電極２４
３を形成し、中継層６ｂに電気的に接続する。その後、
レジストマスク５５８を剥離除去する。このようにし
て、反射電極２４２を有する画素電極を形成する。

【０１１６】しかる後には、図３に示すように、画素電
極２４３の表面側にポリイミド膜（配向膜１２）を形成
する。それには、ブチルセロソルブやｎ−メチルピロリ
ドンなどの溶媒に５〜１０重量％のポリイミドやポリア
ミド酸を溶解させたポリイミド・ワニスをフレキソ印刷
した後、加熱・硬化（焼成）する。そして、ポリイミド
膜を形成した基板をレーヨン系繊維からなるパフ布で一
定方向に擦り、ポリイミド分子を表面近傍で一定方向に
配列させる。その結果、後で充填した液晶分子とポリイ
ミド分子との相互作用により液晶分子が一定方向に配列
する。

【０１１７】その結果、ＴＦＴアレイ基板１０を多数取
りできる大型基板１０′が完成する。

【０１１８】このようにして製造した大型基板１０′に
ついては、同じく対向基板２０を多数取りできる大型基
板とシール材５２を介して貼り合わせて大型のパネル構
造体を形成し、しかる後に、大型パネル構造体を単品サ
イズに切断する。

【０１１９】以上の製造プロセスによって、前述した第
１実施形態の電気光学装置が製造される。

【０１２０】本製造プロセスでは特に、既に図６を参照
して説明したように、図１５の工程（１８）及び工程
（１９）におけるＩＴＯ膜２４３ｍをパターニングする
際に、画素電極２４３の輪郭は絶縁膜２４１の凹凸領域
よりも大きいので、ＩＴＯ膜２４３ｍのパターニング
は、凹凸領域から外れた領域で行われる。このため、画
素電極２４３と反射電極２４２との間、画素電極２４３
と絶縁膜２４１との間、若しくは反射電極２４２と絶縁
膜２４１との間などにおける、凹凸界面の微細な隙間
に、ＩＴＯ膜２４３ｍをパターニングするためのエッチ
ャントが進入することを阻止し得る。

【０１２１】加えて、図１５の工程（１８）及び工程
（１９）では、画素電極２４３が反射電極２４２よりも
輪郭が大きくなるようにパターニングしている。従っ
て、画素電極２４３の形成時に、これらの二つの膜が同時
にアルカリ現像液等のエッチング液に露出することがな
い。このため、これら両者のアルカリ現像液等に対する
同時露出による電蝕の発生を未然に防げる。

【０１２２】（第１実施形態の全体構成）以上のように
構成された第１実施形態における電気光学装置の全体構
成を図１６及び図１７を参照して説明する。尚、図１６
は、ＴＦＴアレイ基板１０をその上に形成された各構成
要素と共に対向基板２０の側から見た平面図であり、図
１７は、図１６のＨ−Ｈ'断面図である。

【０１２３】図１６において、ＴＦＴアレイ基板１０の
上には、シール材５２がその縁に沿って設けられてお
り、その内側に並行して、例えば前述した遮光膜２３と
同じ或いは異なる材料から成る画像表示領域１０ａの周
辺を規定する額縁としての遮光膜５３が設けられてい
る。シール材５２の外側の領域には、データ線６ａに画
像信号を所定タイミングで供給することによりデータ線
６ａを駆動するデータ線駆動回路１０１及び外部回路接
続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設
けられており、走査線３ａに走査信号を所定タイミング
で供給することにより走査線３ａを駆動する走査線駆動
回路１０４が、この一辺に隣接する２辺に沿って設けら
れている。走査線３ａに供給される走査信号遅延が問題
にならないのならば、走査線駆動回路１０４は片側だけ
でも良いことは言うまでもない。また、データ線駆動回
路１０１を画像表示領域１０ａの辺に沿って両側に配列
してもよい。更にＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に
は、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動
回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けら
れている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくと
も１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板
２０との間で電気的に導通をとるための導通材１０６が
設けられている。そして、図１７に示すように、図１６
に示したシール材５２とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２
０が当該シール材５２によりＴＦＴアレイ基板１０に固
着されている。

【０１２４】尚、ＴＦＴアレイ基板１０上には、これら
のデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に
加えて、複数のデータ線６ａに画像信号を所定のタイミ
ングで印加するサンプリング回路、複数のデータ線６ａ
に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行
して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時
の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検
査回路等を形成してもよい。

【０１２５】（第２実施形態）次に、本発明の第２実施
形態に係る半透過反射型液晶装置について、図１８及び
図１９を参照して説明する。ここに図１８は、第２実施
形態の構成を示す電気光学装置全体の断面図であり、図
１９は、第２実施形態における画素電極の各種具体例を
示す平面図である。尚、図１から図１７に示した第１実
施形態と同様の構成要素については同様の参照符号を付
し、その説明は適宜省略する。

【０１２６】図１８において、第２実施形態の半透過反
射型液晶装置は、第１実施形態における反射型の画素電
極９ａに代えて、半透過反射型の画素電極９ａ’を備え
るとともに、第１実施形態の構成に加えて、ＴＦＴアレ
イ基板１０の液晶層５０と反対側に、蛍光管１１９と、
蛍光管１１９からの光を偏光板１０７から液晶パネル内
に導くための導光板１１８とを備えている。また、ＴＦ
Ｔアレイ基板１０は、ガラス基板、石英基板等の透明な基
板から構成されている。その他の構成については、第１
実施形態の場合と同様である。

【０１２７】特に、画素電極９ａ’は、図４及び図５に
示した第１実施形態の場合と同様に凹凸２４２Ｖを有す
る絶縁膜２４１を下地としているが、第１実施形態の場
合とは異なり、そのＡｌ膜には光透過用の複数の孔又は
窓が開けられており、この孔又は窓内にも、ＩＴＯ膜が
形成されている。

【０１２８】このような半透過反射型の画素電極９ａ’
の各種具体例について図１９を参照して説明する。ここ
に図１９（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）は夫々、孔や窓等の
光透過用領域を有するＡｌ膜２４２’上にＩＴＯ膜２４
３’が重ねられてなる画素電極９ａ’の拡大平面図であ
る。

【０１２９】図１９（ａ）に示すように、Ａｌ膜２４
２’の脇がくびれて光透過用の開口部とされており、こ
のくびれ部分にＩＴＯ膜２４３’の一部が形成されるこ
とで、半透過反射型の画素電極９ａ’が構成されてもよ
い。

【０１３０】図１９（ｂ）に示すように、Ａｌ膜２４
２’に多数の孔が光透過用に開けられて、この孔にＩＴ
Ｏ膜２４３’の一部が形成されることで、半透過反射型
の画素電極が構成されてもよい。

【０１３１】図１９（ｃ）に示すように、Ａｌ膜２４
２’の中央に比較的大きな窓が一つ光透過用に開けられ
て、この窓にＩＴＯ膜２４３’の一部が形成されること
で、半透過反射型の画素電極９ａ’が構成されてもよ
い。

【０１３２】このようなＡｌ膜２４２’における開口部
等は、レジストを用いたフォト工程／現像工程／剥離工
程で容易に作製することができる。開口部の平面形状
は、図示のほかにも、正方形でもよいし、或いは、多角
形、楕円形、不規則形でもよい。また、Ａｌ膜２４２’
をパターニングするときに同時に開口部等を開孔するこ
とも可能であり、このようにすれば製造工程数を増やさ
ず済む。尚、このような開口部等を設ける以外に、例え
ば、間隙を光が透過可能なように対向基板２０に垂直な
方向から平面的に見て相互に分断された単一層のＡｌ膜
２４２’としてもよい。尚、Ａｌ膜２４２’は、第１実
施形態における反射電極２４２と同じくＣｒ膜、多層膜
等であってもよい。

【０１３３】再び図１８において、蛍光管１１９と共に
バックライトを構成する導光板１１８は、裏面全体に散
乱用の粗面が形成された、或いは散乱用の印刷層が形成
されたアクリル樹脂板などの透明体であり、光源である
蛍光管１１９の光を端面にて受けて、図の上面からほぼ
均一な光を放出するようになっている。

【０１３４】尚、透過型表示時に点灯される光源として
は、小型の液晶装置用には、ＬＥＤ（Light Emitting D
iode）素子や、ＥＬ（Electro-Luminescence）素子等が
適しており、大型の液晶装置用には、導光板を介して側
方から光を導入する蛍光管１１９等が適している。ＴＦ
Ｔアレイ基板１０と導光板１１８との間には、更に、偏
光板、位相差板、反射偏光子等を配置してもよい。

【０１３５】以上のように第２実施形態によれば、画素
電極９ａ’は、高反射率のＡｌ膜２４２’を有するの
で、明所における反射型表示時には、対向基板２０の側
から入射する光を反射可能である。他方、画素電極９
ａ’を構成するＡｌ膜２４２’には光透過領域が設けら
れているので、暗所における透過型表示時には、蛍光管１
１９から発せられ偏光板１１８で導かれるＴＦＴアレイ
基板１０側からの光源光を透過可能である。

【０１３６】以上図１から図１９を参照して説明した各
実施形態では、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動
回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に設ける代わり
に、例えばＴＡＢ（Tape Automated bonding）基板上に
実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周
辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及
び機械的に接続するようにしてもよい。また、対向基板
２０における液晶層５０と反対側や、ＴＦＴアレイ基板
１０における液晶層５０と反対側には、例えば、ＴＮ
（Twisted Nematic）モード、ＳＴＮ（Super Twisted N
ematic）モード、ＶＡ（Vertically Aligned）モード、
ＰＤＬＣ(Polymer Dispersed Liquid Crystal)モード等
の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリ
ーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差
フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。

【０１３７】加えて各実施形態において、画素電極９ａ
に対向する所定領域にＲＧＢのカラーフィルタをその保
護膜と共に、対向基板２０上に又はＴＦＴアレイ基板１
０上に形成してもよい。また、各実施形態において、特
開平９−１２７４９７号公報、特公平３−５２６１１号
公報、特開平３−１２５１２３号公報、特開平８−１７
１１０１号公報等に開示されているように、ＴＦＴアレ
イ基板１０上において画素スイッチング用ＴＦＴ３０に
対向する位置（即ち、ＴＦＴの下側）にも、例えば高融
点金属からなる遮光膜を設けてもよい。また、対向基板
２０上に１画素１個対応するようにマイクロレンズを形
成してもよい。更にまた、対向基板２０上に、何層もの
屈折率の相違する干渉層を堆積することで、光の干渉を
利用して、ＲＧＢ色を作り出すダイクロイックフィルタ
を形成してもよい。このダイクロイックフィルタ付き対
向基板によれば、より明るいカラー電気光学装置が実現
できる。

【０１３８】更に、以上説明した各実施形態では、反射電
極或いは半透過反射電極は、画素スイッチング用ＴＦＴ
と接続された画素電極として構成されているが、これに
限らず、ＴＦＤをスイッチング素子として用いてもよ
い。また、反射電極或いは半透過反射電極をストライプ
状の表示電極として構成することにより、パッシブマト
リクス駆動方式の反射型又は半透過反射型の電気光学装
置を構築することも可能である。この場合には、ストラ
イプ状に延びる反射電極或いは半透過反射電極におけ
る、その長手方向に垂直な断面構造が、図５或いは図８
から図１０に示した如き構造となっていれば、ＩＴＯ膜
のパターニングの際に、ＩＴＯ膜とその下地となる絶縁
膜或いはＡｌ膜との界面に、エッチャントが進入する事
態を、図４から図７を参照して説明したのと同様に効果
的に防止できる。

【０１３９】（第３実施形態）次に、本発明の第３実施
形態について、図２０を参照して説明する。第３実施形
態は、上述した本発明の第１又は第２実施形態の反射型
又は半透過反射型液晶装置を適用した各種の電子機器か
らなる。

【０１４０】先ず、第１又は第２実施形態における液晶
装置を、例えば図２０（ａ）に示すような携帯電話１０
００の表示部１００１に適用すれば、視差が殆ど無く高
精細のカラー表示を行う省エネルギ型の携帯電話を実現
できる。

【０１４１】また、図２０（ｂ）に示すような腕時計１
１００の表示部１１０１に適用すれば、視差が殆ど無く
高精細のカラー表示を行う省エネルギ型の腕時計を実現
できる。

【０１４２】更に、図２０（ｃ）に示すようなパーソナ
ルコンピュータ（或いは、情報端末）１２００におい
て、キーボード１２０２付きの本体１２０４に開閉自在
に取り付けられるカバー内に設けられる表示画面１２０
６に適用すれば、視差が殆ど無く高精細のカラー表示を
行う省エネルギ型のパーソナルコンピュータを実現でき
る。

【０１４３】以上図２０に示した電子機器の他にも、液
晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデ
オテープレコーダ、カーナビゲーション装置、電子手
帳、電卓、ワードプロセッサ、エンジニアリング・ワー
クステーション（ＥＷＳ）、テレビ電話、ＰＯＳ端末、
タッチパネルを備えた装置等などの電子機器にも、第１
又は第２実施形態の反射型又は半透過反射型液晶装置を
適用可能である。

【０１４４】本発明は、上述した各実施形態に限られる
ものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れ
る発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能
であり、そのような変更を伴なう電気光学装置及びその
製造方法並びに電子機器もまた本発明の技術的範囲に含
まれるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】 第１実施形態の電気光学装置における画像表
示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設けられ
た各種素子、配線等の等価回路である。

【図２】 第１実施形態の電気光学装置におけるデータ
線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板
の相隣接する複数の画素群の平面図である。

【図３】 図２のＡ−Ａ'断面図である。

【図４】 第１実施形態における画素電極を拡大して示
す部分拡大平面図である。

【図５】 図４のＥ−Ｅ’断面図である。

【図６】 第１実施形態の反射型液晶装置を構成するＴ
ＦＴアレイ基板上に形成される画素電極の製造プロセス
を示す工程図である。

【図７】 比較例に係る図４のＥ−Ｅ’断面に対応する
部分における断面図である。

【図８】 第１実施形態の一変形形態に係る図４のＥ−
Ｅ’断面に対応する部分における断面図である。

【図９】 第１実施形態の他の変形形態に係る図４のＥ
−Ｅ’断面に対応する部分における断面図である。

【図１０】 第１実施形態の更に他の変形形態に係る図
４のＥ−Ｅ’断面に対応する部分における断面図であ
る。

【図１１】 第１実施形態に係る電気光学装置を構成す
るＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す工程図（その１）
である。

【図１２】 第１実施形態に係る電気光学装置を構成す
るＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す工程図（その２）
である。

【図１３】 第１実施形態に係る電気光学装置を構成す
るＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す工程図（その３）
である。

【図１４】 第１実施形態に係る電気光学装置を構成す
るＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す工程図（その４）
である。

【図１５】 第１実施形態に係る電気光学装置を構成す
るＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す工程図（その５）
である。

【図１６】 第１実施形態の電気光学装置におけるＴＦ
Ｔアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対
向基板の側から見た平面図である。

【図１７】 図１６のＨ−Ｈ'断面図である。

【図１８】 本発明の第２実施形態に係る電気光学装置
におけるＴＦＴアレイ基板の断面図である。

【図１９】 第２実施形態における半透過反射型の画素
電極の各種具体例を示す拡大平面図である。

【図２０】 本発明の第３実施形態である各種電子機器
の外観図である。

【符号の説明】

１ａ…半導体層 １ａ'…チャネル領域 １ｂ…低濃度ソース領域 １ｃ…低濃度ドレイン領域 １ｄ…高濃度ソース領域 １ｅ…高濃度ドレイン領域 １ｆ…画素電位側容量電極 ２…絶縁膜 ３ａ…走査線 ３ｂ…容量線 ４…第１層間絶縁膜 ５…コンタクトホール ６ａ…データ線 ６ｂ…中継層 ７…第２層間絶縁膜 ８、８ａ、８ｂ…コンタクトホール ９ａ…画素電極（反射型） ９ａ’…画素電極（半透過反射型） １０…ＴＦＴアレイ基板 １２…下地絶縁膜 １６…配向膜 ２０…対向基板 ２１…対向電極 ２２…配向膜 ２３…遮光膜 ３０…ＴＦＴ ５０…液晶層 ７０…蓄積容量 １１８…導光板 １１９…蛍光管 ２４１…絶縁膜 ２４１ａ…第１有機樹脂膜 ２４１ｂ…第２有機樹脂膜 ２４１Ｖ…凹凸パターン ２４２…反射電極 ２４３…画素電極 ２４２’…Ａｌ膜 ２４３’…ＩＴＯ膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H092 GA17 HA04 JA24 JA46 JB57 JB58 KA04 KA05 KA12 KB25 MA05 MA13 MA30 MA48 PA10 PA11 QA07 QA10 QA15 5C094 AA02 AA43 BA03 CA19 DA14 DA15 DB01 DB04 EA04 EA05 EA06 EA07 ED11 ED15 FB12 FB14 FB15

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に、 画素毎に凹凸領域を有する絶縁膜と、 該絶縁膜上に画素毎に形成された反射又は半透過反射電
   極と、 該反射又は半透過反射電極上に画素毎に形成された透明
   導電性膜とを備えており、 前記透明導電性膜は、平面的に見て画素毎に前記凹凸領
   域よりも輪郭が大きいことを特徴とする電気光学装置。
2. 【請求項２】 前記絶縁膜は、前記基板上で規則的又は
   不規則な複数の凸部若しくは複数の凹部が前記凹凸領域
   に形成されてなることを特徴とする請求項１に記載の電
   気光学装置。
3. 【請求項３】 前記透明導電性膜は、平面的に見て画素
   毎に前記反射又は半透過反射電極よりも輪郭が大きいこ
   とを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
4. 【請求項４】 前記透明導電性膜は、ＩＴＯ（Indium T
   in Oxide）膜からなり、前記反射又は半透過反射電極
   は、Ａｌ（Aluminum）膜からなることを特徴とする請求
   項３に記載の電気光学装置。
5. 【請求項５】 前記半透過反射電極は、画素毎に光透過
   用の複数の孔又は窓が開けられており、 前記透明導電性膜は、前記半透過反射電極上に代えて又
   は加えて、前記孔又は窓内に形成されていることを特徴
   とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学
   装置。
6. 【請求項６】 前記孔又は窓内に形成された透明導電性
   膜は、前記絶縁膜上に形成されて、その表面に凹凸があ
   ることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
7. 【請求項７】 前記絶縁膜は、凹凸を有する第１有機樹
   脂膜と、該第１有機樹脂膜上に形成されており前記凹凸
   の段差を緩和する第２有機樹脂膜とを含んでなることを
   特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電気
   光学装置。
8. 【請求項８】 前記第１有機樹脂膜は、画素毎に前記凹
   凸領域内にのみ設けられており、第２有機樹脂膜は、前
   記画像表示領域の一面に形成されていることを特徴とす
   る請求項７に記載の電気光学装置。
9. 【請求項９】 前記基板上に、前記透明導電性膜に接続
   された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続
   された走査線及びデータ線とを更に備えたことを特徴と
   する請求項１から８のいずれか一項に記載の電気光学装
   置。
10. 【請求項１０】 前記基板に対向配置された対向基板
    と、 前記基板と該対向基板との間に挟持された電気光学物質
    とを備えたことを特徴とする請求項１から９のいずれか
    一項に記載の電気光学装置。
11. 【請求項１１】 前記対向基板には、前記透明導電性膜
    と同一種類の膜からなる対向電極が形成されていること
    を特徴とする請求項１０に記載の電気光学装置。
12. 【請求項１２】 基板上に、画素毎に凹凸領域を有する
    絶縁膜を形成する工程と、 該絶縁膜上に画素毎に反射又は半透過反射電極を形成す
    る工程と、 該反射又は半透過反射電極上に画素毎に透明導電性膜を
    形成する工程とを備えており、 前記透明導電性膜を形成する工程は、前記透明導電性膜
    を、平面的に見て画素毎に前記凹凸領域よりも輪郭が大
    きくなるようにエッチングによりパターニングする工程
    を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
13. 【請求項１３】 前記透明導電性膜を形成する工程は、
    前記エッチング前に透明導電性膜をスパッタリングで形
    成する工程を含むことを特徴とする請求項１１に記載の
    電気光学装置の製造方法。
14. 【請求項１４】 前記反射又は半透過反射電極を形成す
    る工程は、前記反射又は半透過反射電極をＡｌ膜から形
    成する工程を含み、 前記透明導電性膜を形成する工程は、前記透明導電性膜
    をＩＴＯ（Indium TinOxide）膜から形成すると共に、
    前記透明導電性膜を平面的に見て画素毎に前記反射又は
    半透過反射電極よりも輪郭が大きくなるように前記エッ
    チングによりパターニングする工程を含むことを特徴と
    する請求項１１又は１２に記載の電気光学装置の製造方
    法。
15. 【請求項１５】 前記絶縁膜を形成する工程は、凹凸を
    有する第１有機樹脂膜を画素毎に前記凹凸領域に形成す
    る工程と、前記第１有機樹脂膜を形成後における前記画
    像表示領域の一面に、前記凹凸の段差を緩和する第２有
    機樹脂膜を形成する工程とを含むことを特徴とする請求
    項１１から１４のいずれか一項に記載の電気光学装置の
    製造方法。
16. 【請求項１６】 前記第１有機樹脂膜を形成する工程
    は、前記第１有機樹脂膜の材料膜を形成する工程と、該材
    料膜を画素毎に前記凹凸領域にのみ残すと共に前記凹凸
    を有するようにエッチングする工程とを含むことを特徴
    とする請求項１５に記載の電気光学装置の製造方法。
17. 【請求項１７】 請求項１から１１のいずれか一項に記
    載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子
    機器。