JP5010585B2 - 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
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Description
Na*sinα = Nb*sinβ
12 TFT基板
14 対向基板
16 液晶
18 液晶層
22 透明基板
26 層間絶縁層
28 画素電極
30 反射部
32 TFT部
34 対向電極
36 CF層
38 透明基板
40 表示面
42 反射領域
44 TFT領域
以下、図面を参照しながら、本発明による液晶表示装置の第1の実施形態を説明する。
以下、図面を参照しながら、本発明による液晶表示装置の第2の実施形態を説明する。なお、実施形態1における構成要素と同じ要素には同一の参照番号を付け、その説明を省略する。
以下、図面を参照しながら、本発明による液晶表示装置の第3の実施形態を説明する。なお、実施形態1における構成要素と同じ要素には同一の参照番号を付け、その説明を省略する。
以下、図面を参照しながら、本発明による液晶表示装置の第4の実施形態を説明する。なお、実施形態1における構成要素と同じ要素には同一の参照番号を付け、その説明を省略する。
以下、図面を参照しながら、本発明による液晶表示装置の第5の実施形態を説明する。なお、実施形態1における構成要素と同じ要素には同一の参照番号を付け、その説明を省略する。
Claims (21)
- 入射光を表示面に向けて反射させる反射領域を備えた液晶表示装置であって、
前記反射領域は、開口部を有する金属層と、前記金属層の上に形成された絶縁層と、前記絶縁層の上に形成された、開口部を有する半導体層と、前記半導体層の上に形成された反射層とを有し、
前記反射領域は、前記反射層の表面に形成された第1凹部と、前記第1凹部の中の前記反射層の表面に形成された第2凹部とを有し、
前記半導体層の開口部は前記金属層の開口部の内側に位置することを特徴とする液晶表示装置。 - 前記第1凹部の内側であって、前記第2凹部の外側における、前記反射層の表面は、前記基板の面と平行な面を有する、請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記第1凹部は前記金属層の開口部に応じて形成されており、前記第2凹部は前記半導体層の開口部に応じて形成されている、請求項1又は2に記載の液晶表示装置。
- 前記反射領域は、前記反射層の表面に形成された第3凹部を有し、前記第3凹部は、前記金属層および前記絶縁層が積層された領域であって、前記半導体層が形成されていない領域に形成されている、請求項1から3のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
- 前記反射領域の中に、前記第1凹部および前記第2凹部が複数形成されている、請求項1から4のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
- 前記第1凹部の形状が円形である、請求項1から5のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
- 前記第2凹部の形状が円形である、請求項1から6のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
- 前記第1凹部および前記第2凹部のそれぞれの形状が円形であり、前記第1凹部の中心の位置と前記第2凹部の中心の位置が同じである、請求項1から7のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
- 前記第1凹部および前記第2凹部のそれぞれの形状が円形であり、前記第1凹部の中心の位置と前記第2凹部の中心の位置が異なる、請求項1から8のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
- 前記第1凹部および前記第2凹部の少なくとも一方の形状が楕円形である、請求項1から5のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
- 前記第1凹部および前記第2凹部の少なくとも一方の形状が四角形である、請求項1から5のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
- 前記基板の上に形成された半導体素子を備え、
前記金属層、前記半導体層、および前記反射層は、それぞれ、前記半導体素子のゲート電極、半導体部分、およびソース・ドレイン電極と同じ材料で形成されている、請求項1又は2に記載の液晶表示装置。 - 入射光を表示面に向けて反射させる反射領域を備えた液晶表示装置の製造方法であって、
前記反射領域に、開口部を有する金属層を形成するステップと、
前記金属層および前記金属層の開口部の上に、絶縁層を形成するステップと、
前記絶縁層の上に、開口部を有する半導体層を形成するステップと、
前記半導体層および前記半導体層の開口部の上に、反射層を形成するステップとを含み、
前記半導体層の開口部は前記金属層の開口部の内側に形成されることを特徴とする製造方法。 - 前記金属層の開口部の上部における前記反射層の表面に第1凹部が形成され、前記第1凹部の内側の前記反射層の表面に第2凹部が形成される、請求項13に記載の製造方法。
- 前記金属層および前記半導体層が、それぞれ複数の開口部を有する、請求項13又は14に記載の製造方法。
- 前記金属層の開口部および前記半導体層の開口部の形状が円形である、請求項13から15のいずれか1項に記載の製造方法。
- 前記金属層の円形の開口部と、前記半導体層の円形の開口部の中心の位置が同じである、請求項16に記載の製造方法。
- 前記金属層の円形の開口部と、前記半導体層の円形の開口部の中心の位置が異なる、請求項16に記載の製造方法。
- 前記金属層の開口部と、前記半導体層の開口部の少なくとも一方の形状が、楕円形である、請求項13に記載の製造方法。
- 前記金属層の開口部と、前記半導体層の開口部の少なくとも一方の形状が、四角形である、請求項13から15のいずれか1項に記載の製造方法。
- 前記液晶表示装置は半導体素子を備えており、
前記金属層を形成するステップにおいて、前記半導体素子のゲート電極が形成され、前記半導体層を形成するステップにおいて、前記半導体素子の半導体部が形成され、前記半導体素子を形成するステップにおいて、前記半導体素子のソース・ドレイン電極が形成されている、請求項13から20のいずれか1項に記載の製造方法。
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