CN101432656A - 液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法 - Google Patents

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CN101432656A CNA2007800157519A CN200780015751A CN101432656A CN 101432656 A CN101432656 A CN 101432656A CN A2007800157519 A CNA2007800157519 A CN A2007800157519A CN 200780015751 A CN200780015751 A CN 200780015751A CN 101432656 A CN101432656 A CN 101432656A
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Abstract

本发明涉及液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法。本发明的目的是以低成本提供高画质的半透射型和反射型的液晶显示装置，本发明的液晶显示装置包括向显示面反射入射光的反射部，反射部包括在基板上形成的反射层，并且包括在反射层的表面形成的第一凹部和在第一凹部中的在反射层的表面形成的第二凹部。第一凹部与Cs金属层的开口部相对应，第二凹部与半导体层的开口部相对应。

Description

液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法
技术领域
本发明涉及利用反射光进行显示的反射型或半透射型的液晶显示装置。
背景技术
液晶显示装置(LCD)包括利用画面背面的背光源作为显示用的光源的透射型LCD、利用外来光的反射光作为光源的反射型LCD、和同时利用外来光的反射光和背光源两者作为光源的半透射型LCD。反射型LCD和半透射型LCD与透射型LCD相比，具有耗电量小、在明亮的环境下易于观看画面的特征，半透射型LCD与反射型LCD相比，具有即使在昏暗的环境下也易于观看画面的特征。
图13是表示现有反射型LCD(例如，专利文献1)中的有源矩阵基板100的截面图。
如该图所示，该有源矩阵基板100包括绝缘性基板101、和叠层在绝缘性基板101上的栅极层102、栅极绝缘层104、半导体层106、金属层108、反射层110。栅极层102、栅极绝缘层104、半导体层106和金属层108叠层在绝缘性基板101上之后，用1个掩膜实施蚀刻，形成为具有岛状叠层结构。然后，通过在该叠层结构上形成反射层110，形成具有凹凸的反射面112。此外，在有源矩阵基板100的上部，虽然没有被图示，但是形成有透明电极、液晶面板、彩色滤光片基板(CF基板)等。
专利文献1：日本特开平9-54318号公报
发明内容
在上述有源矩阵型基板100中，反射层110的一部分形成为，在没有形成栅极层102等的部分(即岛之间的部分，以下称为“间隙部”)，到达绝缘性基板101。因此，在间隙部中，反射面112的表面向绝缘性基板101的方向陷入，形成具有深窪(或凹部)的面。
在反射型液晶显示装置或半透明型液晶显示装置中，为了利用反射光进行明亮的显示，有必要将从各个方位入射的入射光经由反射面112扩展至整个显示面，使反射更加均匀、高效。所以，反射面112优选不是完全的平面，而具有适度的凹凸。
但是，上述有源矩阵型基板100的反射面112具有深窪。因此，光难以到达在窪底部的反射面，并且即使光到达窪底部的反射面，由于其反射光难以向液晶面板一侧反射，也存在反射光对于显示并没有被有效利用的问题。而且，由于反射面112的很多部分相对于液晶显示装置的显示面具有大的角度，所以存在从该部分射出的反射光没有被有效地用于显示的问题。
图14是表示反射面112的倾斜与反射光的关系的图。图14(a)表示光从折射率为Na的介质a入射折射率为Nb的介质b时的入射角α与出射角β的关系。在这种情况下，由斯涅耳定律，以下关系成立。
Na*sinα＝Nb*sinβ
图14(b)是表示向LCD的显示面垂直入射的入射光由相对于显示面(或基板)仅倾斜θ的反射面所反射时的入射光和反射光的关系的图。如图所示，向显示面垂直入射的入射光由相对于显示面仅倾斜角度θ的反射面反射后，向出射角
Figure A200780015751D00071
的方向射出。
表1表示基于斯涅耳定律，对反射面的每个角度θ根据斯涅耳定律计算出射角
Figure A200780015751D00072
的结果。
【表1】
Figure A200780015751D00073
该表中的数值是将空气(air)的折射率设为1.0，将玻璃基板和液晶层的折射率设为1.5计算得出的。如表1所示，反射面的角度θ超过20度时，出射角
Figure A200780015751D00081
变得很大(即
Figure A200780015751D00082
变得很小)，出射光几乎到达不了使用者。所以，即使在反射层的反射面上设置凹凸部分，为了有效利用反射光，也需要在反射面的更多部分上使角度θ在20度以下。
由于上述有源矩阵型基板100的反射面112有很多部分大于20度，所以反射光并没有被有效地用于显示。为了解决这个问题，考虑在反射层110之下形成绝缘层，在该绝缘层之上形成反射层110。但是，在这种情况下，必定需要形成绝缘层的工序和在绝缘层形成用于连接反射层110与TFT的漏极的接触孔的工序，所以会产生材料和工序数量增加的问题。
本发明借鉴上述课题而完成，其目的是以低成本提供高画质的半透射型的液晶显示装置。
本发明的显示装置是包括向显示面反射入射光的反射区域的液晶显示装置，上述反射区域包括形成在基板上的包含金属材料的反射层，上述反射区域包括在上述反射层的表面形成的第一凹部，和在上述第一凹部中的在上述反射层的表面形成的第二凹部。
在某实施方式中，在上述第一凹部的内侧且上述第二凹部的外侧的上述反射层的表面，具有与上述基板的面平行的面。
在某实施方式中，在上述反射区域，在上述反射层之下形成有：具有开口部的金属层、在上述金属层上形成的绝缘层、和在上述绝缘层上形成的具有开口部的半导体层，上述半导体层的开口部位于上述金属层的开口部的内侧。
在某实施方式中，上述第一凹部与上述金属层的开口部对应地形成，上述第二凹部与上述半导体层的开口部对应地形成。
在某实施方式中，在上述反射区域，在上述反射层之下形成有：具有开口部的金属层、在上述金属层上形成的绝缘层、和在上述绝缘层上形成的具有开口部的半导体层，上述金属层的开口部位于上述半导体层的开口部的内侧。
在某实施方式中，上述第一凹部与上述半导体层的开口部对应地形成，上述第二凹部与上述金属层的开口部对应地形成。
在某实施方式中，上述反射区域包括在上述反射层的表面形成的第三凹部，上述第三凹部是上述金属层与上述绝缘层叠层的区域，在未形成上述半导体层的区域形成。
在某实施方式中，在上述反射区域中形成有多个上述第一凹部和上述第二凹部。
在某实施方式中，上述第一凹部的形状是圆形。
在某实施方式中，上述第二凹部的形状是圆形。
在某实施方式中，上述第一凹部和上述第二凹部的形状分别为圆形，上述第一凹部的中心位置与上述第二凹部的中心位置相同。
在某实施方式中，上述第一凹部和上述第二凹部的形状分别为圆形，上述第一凹部的中心位置与上述第二凹部的中心位置不同。
在某实施方式中，上述第一凹部和上述第二凹部的至少一方的形状是椭圆形。
在某实施方式中，上述第一凹部和上述第二凹部的至少一方的形状是四边形。
在某实施方式中，液晶显示装置包括在上述基板上形成的半导体元件，上述金属层、上述半导体层和上述反射层由分别与上述半导体元件的栅极电极、半导体部分和源极/漏极电极相同的材料形成。
本发明的液晶显示装置的制造方法是包括向显示面反射入射光的反射区域的液晶显示装置的制造方法，其包括：在上述反射区域形成具有开口部的金属层的步骤；在上述金属层和上述金属层的开口部上形成绝缘层的步骤；在上述绝缘层上形成具有开口部的半导体层的步骤；和在上述半导体层和上述半导体层的开口部上形成反射层的步骤。
在某实施方式中，上述半导体层的开口部形成在上述金属层的开口部的内侧。
在某实施方式中，在上述金属层的开口部的上部的上述反射层的表面形成第一凹部，在上述第一凹部的内侧的上述反射层的表面形成第二凹部。
在某实施方式中，上述金属层的开口部形成在上述半导体层的开口部的内侧。
在某实施方式中，在上述半导体层的开口部的上部的上述反射层的表面形成第一凹部，在上述第一凹部的内侧的上述反射层的表面形成第二凹部。
在某实施方式中，上述金属层和上述半导体层分别具有多个开口部。
在某实施方式中，上述金属层的开口部和上述半导体层的开口部的形状为圆形。
在某实施方式中，上述金属层的开口部与上述半导体层的圆形的开口部的中心位置相同。
在某实施方式中，上述金属层的圆形的开口部与上述半导体层的圆形的开口部的中心位置不同。
在某实施方式中，上述金属层的开口部和上述半导体层的开口部的至少一方的形状是椭圆形。
在某实施方式中，上述金属层的开口部和上述半导体层的开口部的至少一方的形状是四边形。
在某实施方式中，上述液晶显示装置包括半导体元件，在形成上述金属层的步骤中形成上述半导体元件的栅极电极，在形成上述半导体层的步骤中形成上述半导体元件的半导体部，在形成上述半导体元件的步骤中形成上述半导体元件的源极/漏极电极。
根据本发明，以低成本提供高画质的半透射型和反射型的液晶显示装置。
附图说明
图1是示意性地表示实施方式1的液晶显示装置的截面形状的图；
图2是表示实施方式1的液晶显示装置的平面图，(a)表示像素区域的结构，(b)表示反射部的结构；
图3是表示实施方式1的TFT部和反射部的结构的截面图，(a)表示反射部的结构，(b)表示TFT部的结构；
图4是用于比较实施方式1和现有的液晶显示装置的反射部的结构的模式图，(a)表示实施方式1的反射部的截面，(b)表示现有的液晶显示装置的反射部的截面，(c)是表示反射部的角部的表面的角度的图；
图5是表示实施方式1的TFT部的制造方法的平面图；
图6是表示实施方式1的TFT部的制造方法的截面图；
图7是表示实施方式1的反射部的制造方法的平面图；
图8是表示实施方式1的反射部的制造方法的截面图；
图9是表示实施方式2的液晶显示装置的截面图；
图10是表示实施方式3的液晶显示装置的反射层的截面图；
图11是表示实施方式4的液晶显示装置的反射层的平面图；
图12是表示实施方式5的液晶显示装置的反射层的平面图；
图13是表示现有的反射型LCD的有源矩阵基板的截面图；
图14是表示液晶显示装置的反射面的倾斜与反射光的关系的图，(a)表示光从折射率为Na的介质a入射折射率为Nb的介质b时的入射角α与出射角β的关系，(b)是表示LCD的显示面的角度与入射光和反射光的关系的图。
符号说明
10   液晶显示装置
12   TFT基板
14   相对基板
16   液晶
18   液晶层
22   透明基板
26   层间绝缘层
28   像素电极
30   反射部
32   TFT部
34   相对电极
36   CF层
38   透明基板
40   显示面
42   反射区域
44   TFT区域
具体实施方式
(实施方式1)
下面参照附图，说明本发明的液晶显示装置的第一实施方式。
图1是示意性地表示本实施方式的液晶显示装置10的截面形状的图。液晶显示装置10是基于有源矩阵方式的反射透射型的液晶显示装置(LCD)。如图1所示，液晶显示装置10包括TFT(Thin Film Transistor：薄膜晶体管)基板12、例如彩色滤光片基板(CF基板)等相对基板14和包含密封在TFT基板12与相对基板14之间的液晶16的液晶层18。
TFT基板12具备透明基板22、层间绝缘层26、像素电极28，并包括反射部30和TFT部32。并且，在TFT基板12上还形成有如后所述的栅极线(扫描线)、源极线(信号线)和Cs线(辅助电容电极线)。
相对电极14包括相对电极34、彩色滤光片层(CF层)36和透明基板38。透明基板38的上部的面是液晶显示装置的显示面40。并且，TFT基板12和相对基板14分别包括取向膜和偏光板，在这里省略图示。
在液晶显示装置10中，形成有反射部30的区域称为反射区域42，形成有TFT部32的区域称为TFT区域44。在反射区域，从显示面40入射的光被反射部30反射，通过液晶层18和相对基板14，从显示面40射出。而且，液晶显示装置10还包括形成在反射区域42和TFT区域44以外的区域的透射区域46。在透射区域46，从显示装置10的光源发出的光通过TFT基板12、液晶层18和相对基板14从显示面40射出。
并且，如图1所示，通过在反射部30上部的相对基板14一侧设置由透过性树脂等形成的层31，也能够使反射区域42的液晶层18的厚度为透射区域46的液晶层18的厚度的一半。由此，能够使反射区域42和透射区域46的光路长度相等。并且，图1表示层31形成在相对电极34和CF层36之间，但层31也可以形成在相对电极34的相对于液晶层18一侧的面上。
图2(a)表示从显示面40的上方所看到的液晶显示装置10的局部的平面图。如图所示，在液晶显示装置10中，多个像素50以矩阵状配置。各个像素50都形成有上述反射部30和TFT部32，TFT部32形成有TFT。
在像素50的分界部分，源极线52在列方向上延伸，栅极线(栅极金属层)54在行方向上延伸。此外，在像素50的中心部分，Cs线(Cs金属层)56在行方向上延伸。在反射部30的层间绝缘层26，形成有用于连接像素电极28与TFT的漏极电极的接触孔58。
图2(b)是示意性地表示在Cs线56上部的反射部30的结构的平面图。并且，在该图中，接触孔58的图示被省略。如图所示，在反射部30形成有多个圆形的凹凸部(锥形部)48。并且，如后所述，在反射部30形成有反射层63，该反射层63与TFT部32的TFT的漏极电极相连接。
图3(a)表示反射部30的凹凸部48的截面(在图2(b)中箭头B所示部分的截面)。如图所示，在反射部30叠层有Cs金属层(金属层)56、栅极绝缘层61、半导体层62和反射层63。Cs金属层56具有开口部65，半导体层62具有开口部66，开口部66形成在Cs金属层56的开口部65的内侧。
反射层63的表面形成有凹部67，凹部67的内侧的反射层63的表面形成有凹部68。在相对于透明基板22垂直地观看时，凹部67和凹部68具有同心圆的形状。在凹部67的内侧，反射层63形成为具有台阶差。在凹部67的内侧且凹部68的外侧，形成有反射层63的表面与透明基板22的面大致平行形成的区域。
凹部67是通过在Cs金属层56的开口部65上形成栅极绝缘层61、半导体层62和反射层63，由反射层63下凹而形成的。此外，凹部68是通过在半导体层62的开口部66上形成反射层63，由反射层63下凹而形成的。
在凹部67的外侧形成有凸部69，在凸部69的外侧形成有凹部70。凹部70是在Cs金属层56和栅极绝缘层61叠层但是没有形成半导体层62的区域之上叠层反射层63而形成的。
图3(b)是表示TFT部32的栅极金属层(金属层)54、栅极绝缘层61、半导体层62和反射层63的结构的截面图。TFT部32的栅极金属层54与反射部30的Cs金属层56同时以同种部件形成。与此相同，TFT部32的栅极绝缘层61、半导体层62和反射层63分别与反射部30的栅极绝缘层61、半导体层62和反射层63同时以相同部件形成。
图4是表示比较实施方式1的反射部30与图13所示的现有的液晶显示装置的反射部的构造的截面图。图4(a)示意性地表示实施方式1的反射部30的构造，图4(b)示意性地表示现有的液晶显示装置的反射部的构造。并且，在这些图中，为了简化，反射部30的凹部67、68、70的斜面和现有的液晶显示装置的反射部中形成的斜面被表现为垂直面，并且台阶差的角部(图中虚线圆所示的部分)被表现为弯折为直角。
如这些图所示，在实施方式1的反射部30的反射层63的表面，在凹部67和凹部68各自的上面的边缘和底面的边缘形成8个角部，而且在凹部70的上面和底面的边缘形成两个角部。另一方面，在现有的液晶显示装置中，在反射部的1个凹部只形成4个角部。
在图4中，这些角被表现为直角，但实际的角部如图4(c)所示，连续地形成具有从与基板平行的面到相对于基板成大于20度的角度(在该图中以30度为例进行表示)的面。所以，如果在反射部形成更多的凹部，则能够在反射层63的表面形成更多的相对于基板的角度为20度以下的面(有效反射面)。
如图4(a)和(b)中比较所示，在实施方式1的反射部，与现有的液晶显示装置相比，由于形成更多的凹部，所以在凹部形成的同时形成更多的角部，因此在反射层63的表面能够形成更多的有效反射面。此外，也能够使凹部中角部与角部之间形成的斜面本身的倾斜为20度以下，由此，可以进一步增加有效反射面的面积。
此外，在实施方式1中，位于凹部67、68和70的底部的反射层63形成在栅极绝缘层61或半导体层62上。另一方面，在现有的液晶显示装置中，凹部的底面的反射层形成在玻璃基板上，在反射层和玻璃基板之间，既无栅极绝缘层，也无半导体层。所以，实施方式1中的凹部67、68和70的底面形成得比现有的液晶显示装置中的凹部的底面浅。
在现有的液晶显示装置中，由于凹部的底面形成在较深的位置，所以凹部内面的倾斜角增大，难以在凹部内大量形成倾斜20度以下的有效反射面。并且，该凹部是在形成栅极层102、栅极绝缘层104、半导体层106之后，将这些层一并去除而形成的，所以也难以控制凹部内面的倾斜角，增加有效反射面。
在本实施方式的显示装置中，由于与Cs金属层56和半导体层62各自的开口部相对应地形成两重凹部，所以在这些层叠层时能够调整开口部的大小和位置关系等。由此，控制凹部内的反射面的倾斜而大量形成倾斜在20度以下的有效反射面，能够使更多的光向显示面一侧反射。
以下说明实施方式1中的TFT基板12的制造方法。
图5是表示TFT部32的TFT基板12的制造方法的平面图，图6是表示TFT部32的TFT基板12的制造方法的图，是图2(a)的箭头A所示部分的截面图。
如图5(a)和图6(a)所示，首先，在洗净的透明基板22上用溅射等方法成膜Al(铝)构成的金属薄膜。并且，该金属薄膜除了用Al以外，也可以用Ti(钛)、Cr(铬)、Mo(钼)、Ta(钽)、W(钨)或者它们的合金等形成，也可以由这些材料形成的层与氮化膜的叠层物而形成。
之后，在金属薄膜上形成抗蚀剂膜，由曝光、显影工序形成抗蚀图案后，实施干刻或湿刻，制成栅极金属层(金属层)54。栅极金属层54的厚度为50～1000nm以下。
这样，用光刻法形成在TFT部32的栅极金属层54成为TFT的栅极电极。并且，在这个工序中，图2(a)所示的栅极线(栅极金属层)54和图3(a)所示的反射部30的Cs金属层56也是以同一金属同时形成的。并且，反射部30的Cs金属层56既可以用挖去图案(
Figure A200780015751D0015133814QIETU
パタ—ン)形成，也可以用剩余图案(
Figure A200780015751D0015161827QIETU
しパタ—ン)形成。
接着，如图5(b)和图6(b)所示，在基板的整个面上以P-CVD法，使用SiH4、NH3、N2的混合气体，形成由SiN(氮化硅)构成的栅极绝缘层61。栅极绝缘层61也可由SiO2(氧化硅)、Ta2O5(氧化钽)、Al2O3(氧化铝)等形成。栅极绝缘层61的厚度为100～600nm。并且，在该工序中，也同时形成图3(a)所示的反射部30的栅极绝缘层61。
接着，在栅极绝缘层61上，形成无定形硅(a-Si)膜和在无定形硅上掺杂磷(P)的n+a-Si膜。a-Si膜的厚度为30～300nm，n+a-Si膜的厚度为20～100nm。之后，通过对这些膜使用光刻法进行整形，形成半导体层62。并且，在这个工序中，也同时形成图3(a)所示的反射部30的半导体层62。
接着，如图5(c)和图6(c)所示，由溅射法等在基板整个面上形成Al等的金属薄膜，实施光刻法形成反射层63。并且，金属薄膜可以使用作为栅极金属层54的材料的上述列举的材料。反射层63的厚度为30～1000nm以下。
在TFT部32，反射层63形成TFT的源极电极和漏极电极。这时，在图2(a)中的源极线52也作为反射层63的一部分形成，也同时形成图3(a)所示的反射部30的反射层63。
接着，如图5(d)和图6(d)所示，用旋涂方式涂敷感光性丙烯酸树脂，形成层间绝缘层(层间树脂层)26。层间绝缘层26的厚度为0.3～5μm以下。并且，在反射层63和层间绝缘层26之间，可以使用P-CVD法形成SiNx、SiO2等薄膜作为保护膜，在这里省略图示。保护膜的厚度为50～1000nm以下。层间绝缘层26和保护膜不仅形成在TFT部32，也形成在包括反射部30的透明基板22的上部整个面上。
接着，如图5(e)和图6(e)所示，在层间绝缘膜26上，以溅射法等形成ITO、IZO等透明电极膜。对该透明电极膜用光刻法进行图案整形，形成像素电极28。像素电极28不仅形成在TFT部32，也包括反射部30，形成在像素的上部整个面上。
下面使用图7和图8，说明在反射部32的TFT基板12的制造方法。
图7是表示在反射部30的TFT基板12的制造方法的平面图。图8是表示在反射部30的TFT基板12的制造方法的图，是图2(b)中的箭头C所示部分的截面图。并且，图7和图8中的(a)～(e)所示的工序，分别对应于图5和图6中的(a)～(e)的工序。
如图7(a)和图8(a)所示，与TFT部32的栅极金属层54用同一金属在同时用同样的方法形成反射部30的Cs金属层56，此时，在反射部30的Cs金属层56上形成多个开口部65。
接着，如图7(b)和图8(b)所示，用与TFT部32同样的方法形成栅极绝缘层61之后，形成半导体层62。此时，在半导体层62上形成多个开口部66。半导体层62的开口部66形成在Cs金属层56的开口部65之上，从基板所在面的上方观看时，在开口部65的内侧与开口部65形成同心圆状。
接着，如图7(c)和图8(c)所示，用与TFT部32同样的方法形成反射层63。此时，在Cs金属层56的开口部65的上部的反射层63的表面，形成凹部67，在半导体层62的开口部66的上部的反射层63的表面，形成凹部68。
接着，如图7(d)和图8(d)所示，用感光性丙烯酸树脂形成层间绝缘层26。然后，使用曝光装置进行显影处理，在反射部30的中心附近形成接触孔58。
接着，如图7(e)和图8(e)所示，形成像素电极28。在反射部30，像素电极28形成在层间绝缘膜26和接触孔58上，像素电极28的金属部件通过接触孔58与反射层63连接。所以，TFT部32的TFT的漏极电极，通过接触孔58与像素电极28电连接。
并且，优选尽可能多地形成凹部67、68和70。所以优选在制造工序中的掩膜和曝光的限度内，在反射面上尽可能多地形成Cs金属层56和半导体层62的开口部。Cs金属层56和半导体层62的开口部的优选大小为直径2～10μm。
(实施方式2)
下面以附图为参考，说明本发明的液晶显示装置的第二实施方式。并且，对与实施方式1的结构要素相同的要素标注相同的参照符号，省略其说明。
图9是示意性地表示本实施方式的液晶显示装置的截面形状的图。该液晶显示装置是从实施方式1的液晶显示装置中除去层间绝缘层26而形成的液晶显示装置，除以下所述各点外，均与实施方式1的液晶显示装置相同。此外，在图9中，省略相对基板14的详细结构和TFT部32的图示。
如图所示，在实施方式2中没有形成层间绝缘层26，像素电极28经由没有被图示的绝缘膜，形成在反射部30和TFT部32的反射层63上。反射部30和TFT部32的结构和制造方法，除去除层间绝缘膜26这一点以外，均与实施方式1相同。并且，液晶显示装置中的像素配置和配线结构，均与图2(a)所示内容相同。
根据该结构，也能够和实施方式1同样地扩大反射层63的有效反射面的面积，将更多的光反射到显示面。
(实施方式3)
下面以附图为参考，说明本发明的液晶显示装置的第三实施方式。并且，对与实施方式1的结构要素相同的要素标注相同的参照符号，省略其说明。
图10是示意性地表示本实施方式的液晶显示装置的反射部30的截面形状的图。该液晶显示装置，反射部30的Cs金属层(金属层)56的开口部65和半导体层62的开口部66相对的位置与实施方式1不同，除此以外具有与实施方式1相同的结构。
如图所示，在实施方式3中，从基板所在面的上部观看时，Cs金属层56的开口部65位于半导体层62的开口部66的内侧。所以，在反射层63的表面上形成的凹部67，形成在半导体层62的开口部66的上部，位于凹部67的内侧的凹部68形成在Cs金属层56的开口部65的上部。
根据该结构，也能够和实施方式1同样地扩大反射层63的有效反射面的面积，将更多的光反射到显示面。
(实施方式4)
下面以附图为参考，说明本发明的液晶显示装置的第四实施方式。并且，对与实施方式1的结构要素相同的要素标注相同的参照符号，省略其说明。
图11是表示从基板面之上观看本实施方式的反射部30的反射层63的凹部67和凹部68时的平面图。如图所示，在该实施方式中，凹部67和凹部68没有配置成同心圆状，而是按照各自的中心位置不同的方式配置。除此以外，与实施方式1的结构相同。
在本实施方式中，在形成半导体层62时，开口部66的中心位置按照与形成在比其更下层的Cs金属层(金属层)56的开口部65的中心位置不同的方式配置。所以，在半导体层62上形成反射层63时，凹部68的中心与凹部67的中心错开配置。凹部67可以与多个凹部68重叠配置，而且，凹部68也可以与多个凹部67重叠配置。
根据该结构，也能够和实施方式1同样地扩大反射层63的有效反射面的面积，将更多的光反射到显示面。并且，本实施方式的反射部30的结构也可以用于实施方式2的反射部30。此外，也可以如实施方式3所示，将半导体层62的开口部66形成得大于Cs金属层56的开口部65。
(实施方式5)
下面以附图为参考，说明本发明的液晶显示装置的第五实施方式。并且，对与实施方式1的结构要素相同的要素标注相同的参照符号，省略其说明。
图12是表示从基板面之上观看本实施方式的反射部30的反射层63的凹部67和凹部68时的平面图。如图所示，在该实施方式中，凹部67形成为四边形，凹部68形成为圆形或椭圆形。凹部68以其一部分与凹部67重叠的方式配置。凹部67的四边形的形状和大小并不相同，由多个不同形状和大小组合而形成。
在本实施方式中，在形成Cs金属层(金属层)56时，开口部65形成为四边形，在形成半导体层62时，开口部66形成为圆形或椭圆形。所以，在半导体层62上形成反射层63时，在Cs金属层56的四边形的开口部65的上部形成凹部67，在半导体层62的圆形或椭圆形的开口部66的上部形成凹部68。
根据该结构，也能够和实施方式1同样地扩大反射层63的有效反射面的面积，将更多的光反射到显示面。并且，本实施方式的反射部30的结构也可以用于实施方式2的反射部30。此外，也可以将半导体层62的开口部66形成为四边形，将Cs金属层56的开口部65形成为圆形或椭圆形。并且，也可以将半导体层62的开口部66和Cs金属层56的开口部65形成为交织四边形、圆形、椭圆形的形式。
更进一步，在上述各实施方式中，优选在反射部30内尽可能多地形成凹部67、68和70。所以，各凹部的大小和形状不受上述内容限制，可以形成多种形状，如四边形以外的多边形、凹部边缘为锯齿状的形状、和将上述各种形状组合的形状等。并且，也可以通过用剩余图案形成与Cs金属层56和半导体层62的开口部相对应的部分，将凹部67、68、70形成为凸部。
此外，液晶显示装置还包括使用液晶面板的显示器装置、电视机、便携式电话等。本实施方式以半透射型的液晶显示装置为例进行了说明，但与上述反射部具有同样形态的反射型液晶显示装置也包括在本发明的一种方式中。
此外，由于本发明的液晶显示装置由上述制造方法形成，所以能够用与透射型的液晶显示装置相同的材料和工序制造。所以能够以低成本提供反射效率高的液晶显示装置。
产业上的可利用性
使用本发明，以低成本提供高画质的半透射型和反射型的液晶显示装置。本发明的液晶显示装置适用于各种液晶显示装置，例如，适用于便携式电话、汽车导航等车载显示装置、ATM和自动售货机等的显示装置、便携式显示装置、笔记本型PC等利用反射光进行显示的半透射型和反射型的液晶显示装置。

Claims (27)

1.一种液晶显示装置，其包括向显示面反射入射光的反射区域，其特征在于：
所述反射区域包括在基板上形成的反射层，
所述反射区域包括在所述反射层的表面形成的第一凹部，和在所述第一凹部中的在所述反射层的表面形成的第二凹部。
2.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：
在所述第一凹部的内侧且所述第二凹部的外侧的所述反射层的表面，具有与所述基板的面平行的面。
3.如权利要求1或2所述的液晶显示装置，其特征在于：
在所述反射区域，在所述反射层之下形成有：具有开口部的金属层、在所述金属层上形成的绝缘层、和在所述绝缘层上形成的具有开口部的半导体层，所述半导体层的开口部位于所述金属层的开口部的内侧。
4.如权利要求3所述的液晶显示装置，其特征在于：
所述第一凹部与所述金属层的开口部对应地形成，所述第二凹部与所述半导体层的开口部对应地形成。
5.如权利要求1或2所述的液晶显示装置，其特征在于：
在所述反射区域，在所述反射层之下形成有：具有开口部的金属层、在所述金属层上形成的绝缘层、和在所述绝缘层上形成的具有开口部的半导体层，所述金属层的开口部位于所述半导体层的开口部的内侧。
6.如权利要求5所述的液晶显示装置，其特征在于：
所述第一凹部与所述半导体层的开口部对应地形成，所述第二凹部与所述金属层的开口部对应地形成。
7.如权利要求1～6中任一项所述的液晶显示装置，其特征在于：
所述反射区域包括在所述反射层的表面形成的第三凹部，所述第三凹部是所述金属层与所述绝缘层叠层的区域，在未形成所述半导体层的区域形成。
8.如权利要求1～7中任一项所述的液晶显示装置，其特征在于：
在所述反射区域中形成有多个所述第一凹部和所述第二凹部。
9.如权利要求1～8中任一项所述的液晶显示装置，其特征在于：
所述第一凹部的形状是圆形。
10.如权利要求1～9中任一项所述的液晶显示装置，其特征在于：
所述第二凹部的形状是圆形。
11.如权利要求1～10中任一项所述的液晶显示装置，其特征在于：
所述第一凹部和所述第二凹部的形状分别为圆形，所述第一凹部的中心位置与所述第二凹部的中心位置相同。
12.如权利要求1～10中任一项所述的液晶显示装置，其特征在于：
所述第一凹部和所述第二凹部的形状分别为圆形，所述第一凹部的中心位置与所述第二凹部的中心位置不同。
13.如权利要求1～8中任一项所述的液晶显示装置，其特征在于：
所述第一凹部和所述第二凹部的至少一方的形状是椭圆形。
14.如权利要求1～8中任一项所述的液晶显示装置，其特征在于：
所述第一凹部和所述第二凹部的至少一方的形状是四边形。
15.如权利要求3所述的液晶显示装置，其特征在于：
其包括在所述基板上形成的半导体元件，
所述金属层、所述半导体层和所述反射层由分别与所述半导体元件的栅极电极、半导体部分和源极/漏极电极相同的材料形成。
16.一种制造方法，其为包括向显示面反射入射光的反射区域的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，包括：
在所述反射区域形成具有开口部的金属层的步骤；
在所述金属层和所述金属层的开口部上形成绝缘层的步骤；
在所述绝缘层上形成具有开口部的半导体层的步骤；和
在所述半导体层和所述半导体层的开口部上形成反射层的步骤。
17.如权利要求16所述的制造方法，其特征在于：
所述半导体层的开口部形成在所述金属层的开口部的内侧。
18.如权利要求17所述的制造方法，其特征在于：
在所述金属层的开口部的上部的所述反射层的表面形成第一凹部，在所述第一凹部的内侧的所述反射层的表面形成第二凹部。
19.如权利要求16所述的制造方法，其特征在于：
所述金属层的开口部形成在所述半导体层的开口部的内侧。
20.如权利要求19所述的制造方法，其特征在于：
在所述半导体层的开口部的上部的所述反射层的表面形成第一凹部，在所述第一凹部的内侧的所述反射层的表面形成第二凹部。
21.如权利要求16～20中任一项所述的制造方法，其特征在于：
所述金属层和所述半导体层分别具有多个开口部。
22.如权利要求16～21中任一项所述的制造方法，其特征在于：
所述金属层的开口部和所述半导体层的开口部的形状为圆形。
23.如权利要求22所述的制造方法，其特征在于：
所述金属层的圆形的开口部与所述半导体层的圆形的开口部的中心位置相同。
24.如权利要求22所述的制造方法，其特征在于：
所述金属层的圆形的开口部与所述半导体层的圆形的开口部的中心位置不同。
25.如权利要求16所述的制造方法，其特征在于：
所述金属层的开口部和所述半导体层的开口部的至少一方的形状是椭圆形。
26.如权利要求16～21中任一项所述的制造方法，其特征在于：
所述金属层的开口部和所述半导体层的开口部的至少一方的形状是四边形。
27.如权利要求16～26中任一项所述的制造方法，其特征在于：
所述液晶显示装置包括半导体元件，
在形成所述金属层的步骤中形成所述半导体元件的栅极电极，在形成所述半导体层的步骤中形成所述半导体元件的半导体部，在形成所述半导体元件的步骤中形成所述半导体元件的源极/漏极电极。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102566165A (zh) * 2010-12-20 2012-07-11 北京京东方光电科技有限公司 阵列基板及其制造方法和液晶显示器
US11276844B2 (en) 2016-10-17 2022-03-15 Lg Chem, Ltd. Optical filter for preventing reflection and organic light-emitting device

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101238408B (zh) * 2005-08-03 2011-06-01 夏普株式会社 液晶显示装置和具有该液晶显示装置的电子设备
US7978298B2 (en) * 2006-03-23 2011-07-12 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
WO2007129519A1 (ja) * 2006-05-01 2007-11-15 Sharp Kabushiki Kaisha 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法
WO2008001595A1 (fr) * 2006-06-30 2008-01-03 Sharp Kabushiki Kaisha Dispositif d'affichage à cristaux liquides et procédé de fabrication du dispositif d'affichage à cristaux liquides
CN101517462B (zh) 2006-09-12 2011-09-14 夏普株式会社 带有微透镜阵列的液晶显示面板、其制造方法和液晶显示装置
US8421967B2 (en) * 2006-12-14 2013-04-16 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and process for producing liquid crystal display device
WO2008090682A1 (ja) * 2007-01-24 2008-07-31 Sharp Kabushiki Kaisha 液晶表示装置
US20100118238A1 (en) * 2007-01-31 2010-05-13 Junya Shimada Liquid crystal display device
CN101663612B (zh) * 2007-04-13 2011-07-27 夏普株式会社 液晶显示装置
CN101688993B (zh) 2007-06-26 2011-09-21 夏普株式会社 液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法
WO2009139104A1 (ja) * 2008-05-13 2009-11-19 シャープ株式会社 液晶表示装置、及び液晶表示装置の製造方法
JP2010145927A (ja) * 2008-12-22 2010-07-01 Casio Computer Co Ltd 液晶表示装置
JP5694840B2 (ja) * 2011-04-20 2015-04-01 富士フイルム株式会社 有機撮像素子および有機撮像素子の製造方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2990046B2 (ja) * 1995-08-16 1999-12-13 日本電気株式会社 反射型液晶表示装置及びその製造方法
TW578028B (en) * 1999-12-16 2004-03-01 Sharp Kk Liquid crystal display and manufacturing method thereof
JP2002202503A (ja) * 2000-10-31 2002-07-19 Toshiba Corp 液晶表示装置
JP2002323705A (ja) * 2001-04-25 2002-11-08 Seiko Epson Corp 電気光学装置および電子機器
TW517393B (en) * 2001-11-09 2003-01-11 Prime View Int Co Ltd TFT LCD structure with protrusion structure and its manufacturing method
JP3900975B2 (ja) * 2002-03-06 2007-04-04 オムロン株式会社 反射板、反射型表示装置および電子機器並びに光反射方法および画像表示方法
JP3964324B2 (ja) * 2002-12-27 2007-08-22 三菱電機株式会社 半透過型表示装置の製造方法および半透過型表示装置
JP4319872B2 (ja) * 2003-08-07 2009-08-26 三菱電機株式会社 反射型液晶表示装置の製法
JP2005173037A (ja) * 2003-12-09 2005-06-30 Fujitsu Display Technologies Corp 液晶表示装置及びその製造方法
JP4499481B2 (ja) 2004-06-03 2010-07-07 富士通株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
KR20060073374A (ko) * 2004-12-24 2006-06-28 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
US7248317B2 (en) * 2005-04-21 2007-07-24 Toppoly Optoelectronics Corporation Transflective display panels and methods for making the same
WO2007129519A1 (ja) * 2006-05-01 2007-11-15 Sharp Kabushiki Kaisha 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法
WO2008001595A1 (fr) * 2006-06-30 2008-01-03 Sharp Kabushiki Kaisha Dispositif d'affichage à cristaux liquides et procédé de fabrication du dispositif d'affichage à cristaux liquides
US8421967B2 (en) * 2006-12-14 2013-04-16 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and process for producing liquid crystal display device
WO2008090682A1 (ja) * 2007-01-24 2008-07-31 Sharp Kabushiki Kaisha 液晶表示装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102566165A (zh) * 2010-12-20 2012-07-11 北京京东方光电科技有限公司 阵列基板及其制造方法和液晶显示器
US11276844B2 (en) 2016-10-17 2022-03-15 Lg Chem, Ltd. Optical filter for preventing reflection and organic light-emitting device

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