CN101663612B - 液晶显示装置 - Google Patents

液晶显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN101663612B
CN101663612B CN2007800525741A CN200780052574A CN101663612B CN 101663612 B CN101663612 B CN 101663612B CN 2007800525741 A CN2007800525741 A CN 2007800525741A CN 200780052574 A CN200780052574 A CN 200780052574A CN 101663612 B CN101663612 B CN 101663612B
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
liquid crystal
recess
protuberance
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2007800525741A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101663612A (zh
Inventor
今井元
菊池哲郎
北川英树
原义仁
嶋田纯也
今出光则
片冈义晴
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Publication of CN101663612A publication Critical patent/CN101663612A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101663612B publication Critical patent/CN101663612B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133553—Reflecting elements
    • G02F1/133555—Transflectors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133553—Reflecting elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134372—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for fringe field switching [FFS] where the common electrode is not patterned
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136231—Active matrix addressed cells for reducing the number of lithographic steps
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136231—Active matrix addressed cells for reducing the number of lithographic steps
    • G02F1/136236—Active matrix addressed cells for reducing the number of lithographic steps using a grey or half tone lithographic process
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line

Abstract

本发明涉及液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法。制造效率高地提供高画质的半透过型和反射型的液晶显示装置。本发明的液晶显示装置包括：以夹持液晶的方式配置的第一基板和第二基板；形成于所述第一基板的用于施加控制所述液晶的取向的电压的第一电极和第二电极；具有与所述第一电极电连接的电极的晶体管；形成于所述第一基板的具有凸部、凹部或者开口的金属层；和形成于所述第一基板的所述金属层上的用于使入射光向显示面反射的反射层的液晶显示装置，金属层由与所述晶体管的栅极电极相同的材料形成，反射层具有与所述金属层的所述凸部、凹部或者开口相应地形成的凸部、凹部或者台阶。

Description

液晶显示装置
技术领域
本发明涉及能够利用反射光进行显示的反射型或者半透过型的液晶显示装置。
背景技术
在液晶显示装置(LCD)中，包括：在夹持液晶层的一对基板(上部基板和下部基板)的一方上设置像素电极(图像元素电极)，在另一方上设置对置电极，与在两电极间产生的电场相对应地在与基板面垂直的面内控制液晶的取向，由此进行显示的TN(Twisted Nematic；扭曲向列)模式的液晶显示装置；在一对对置基板的一方上设置像素电极和对置电极(下部电极)，在大体平行于基板面的面内控制液晶的取向从而进行显示的FFS(Fringe-Field Switching；边缘场切换)模式的液晶显示装置和IPS(In-Plane Switching；面内开关)模式的液晶显示装置。
另外，在液晶显示装置中，包括：利用画面背面的背光源作为显示用的光源的透过型液晶显示装置；利用外光的反射光的反射型液晶显示装置和利用外光的反射光和背光源两者的半透过型液晶显示装置(反射/透过型液晶显示装置)。反射型液晶显示装置和半透过型液晶显示装置具有与透过型液晶显示装置相比，消耗电力小，在明亮的地方容易看清画面的特征；半透过型液晶显示装置与反射型液晶显示装置相比，具有即使在昏暗的地方也可以容易看清画面的特征。
图31是表示在专利文献1中记载的现有FFS模式的半透过型液晶显示装置的下部基板100的结构的截面图。
如图31所示，该下部基板100具有TFT区域、透过区域和反射区域，在TFT区域中在有机树脂膜101上形成有栅极电极103、有源层106、源极/漏极电极107等，在透过区域和反射区域中形成有对置电极102、像素电极105等。在像素电极105上形成有多个狭缝，与向被狭 缝夹持的电极部分和对置电极102之间施加的电压或者电场相对应地控制配置于下部基板100上的液晶(未图示)的取向。
在反射区域的对置电极102和像素电极105之间，配置有反射入射光的反射板109。对置电极102，在透过区域与基板110相接设置，在反射区域中形成于配置在基板110上的有机树脂膜101之上。在反射区域的有机树脂膜101的上表面通过蚀刻形成压纹图案，反映该上表面的形状从而在对置电极102上也形成有多个凸部(或者凹部)。
专利文献1：日本特开2006-317905号公报
发明内容
在反射型液晶显示装置或者半透过型液晶显示装置中，为了利用反射光进行明亮的显示，需要将从各方位入射的入射光，通过反射层的反射面，遍及显示面整体更加均匀地有效反射。因此，反射面并不是完全的平面，具有适度的凹凸比较好。
图32是表示反射面的倾斜度和反射光的出射角之间的关系的图。图32(a)表示，光从具有折射率Na的介质a向具有折射率Nb的介质b入射时的入射角α和出射角β之间的关系。此时，根据斯涅尔定律，以下关系成立。
Na*sinα＝Nb*sinβ
图32(b)是表示在垂直入射到液体显示装置的显示面的入射光被相对于显示面(或者基板)仅倾斜θ的反射面反射的情况下的入射光和反射光的关系的图。如图所示，垂直入射到显示面的入射光被相对于显示面仅倾斜角度θ的反射面反射，向出射角Φ的方向射出。
在表1中表示基于斯涅尔定律，按各反射面的角度θ计算出射角Φ的结果。
[表1]
  θ   Φ   90-Φ
  0   0   90
  2   6.006121   83.99388
  4   12.04967   77.95033
  6   18.17181   71.82819
  8   24.42212   65.57788
  10   30.86588   59.13412
  12   37.59709   52.40291
  14   44.76554   45.23446
  16   52.64382   37.35618
  18   61.84543   28.15457
  20   74.61857   15.38143
  20.5   79.76542   10.23458
  20.6   81.12757   8.872432
  20.7   82.73315   7.266848
  20.8   84.80311   5.19888
  20.9   88.85036   1.149637
  20.905   89.79914   0.200856
该表的值是将空气(air)的折射率作为1.0，将玻璃基板和液晶层的折射率作为1.5计算的。如表1所示，若反射面的角度θ超过20度，则出射角Φ变得非常大(90-Φ变得非常小)，出射光的大部分未到达利用者。所以，即使在反射层的反射面带有凹凸，为了有效地使用反射光，也需要在反射面的更多的部分将角度θ设为20度以下。
记载有在如图31所示的下部基板100的反射区域，与设置于有机树脂膜101的表面的压纹图案相对应地在对置电极102上形成凹凸，但未考虑为了有效地活用反射光而调整反射板109的倾斜角度、将反射板109的表面的倾斜设为20度以下。
为了使反射面具有希望的倾斜角度，如上所述，考虑在有机树脂膜101的表面上形成压纹图案，反映该压纹图案地在反射面上形成希望的凹凸。但是，在此情况下，需要形成有机树脂膜101的工序、在有机树脂膜101上形成掩模的工序、通过掩模向有机树脂膜101实施蚀刻处理的工序、除去掩模的工序，会产生材料和工序数增加的问题。
本发明是鉴于上述问题研发的，其目的在于，制造高效地提供能够有效利用反射光的高画质的反射型液晶显示装置和半透过型液晶显示装置。
本发明的液晶显示装置包括：以夹持液晶的方式配置的第一基板和第二基板；形成于上述第一基板的用于施加控制上述液晶的取向的电压的第一电极和第二电极；具有与上述第一电极电连接的电极的晶体管；形成于上述第一基板的具有凸部、凹部或者开口的金属层；和形成于上述第一基板的上述金属层上的用于使入射光向显示面反射的反射层，上述金属层由与上述晶体管的栅极电极相同的材料形成，上述反射层具有与上述金属层的上述凸部、凹部或者开口相应地形成的凸部、凹部或者台阶。
在某实施方式中，上述第二电极具有凸部、凹部或者开口，上述反射层具有与上述第二电极的上述凸部、凹部或者开口相应地形成的凸部、凹部或者台阶。
某实施方式包括半导体层，该半导体层在上述反射层下，由与上述晶体管的半导体部分相同的材料形成，并且具有凸部、凹部或者开口，上述反射层具有与上述半导体层的上述凸部、凹部或者开口相应地形成的凸部、凹部或者台阶。
在某实施方式中，上述反射层由与上述晶体管的源极电极或者漏极电极相同的材料形成。
在某实施方式中，在上述金属层和上述第二电极之间形成有绝缘层，在上述绝缘层上，形成有将上述金属层和上述第二电极电连接的接触孔。
在某实施方式中，上述反射层具有开口。
在某实施方式中，上述第二电极形成在上述金属层上，并且具有与上述金属层的上述凸部、凹部或者开口相应地形成的凸部、凹部或者台阶。
在某实施方式中，上述第二电极形成在上述金属层下，并且具有凸部、凹部或者开口，上述金属层具有与上述第二电极的上述凸部、凹部或者开口相应地形成的凸部、凹部或者台阶。
在某实施方式中，上述第一电极是像素电极，上述第二电极是形成在上述第一电极下的对置电极。
在某实施方式中，上述第一电极是像素电极，上述第二电极是与上述第一电极在同一面上形成的对置电极。
本发明的其他的液晶显示装置包括：以夹持液晶的方式配置的第一基板和第二基板；形成于上述第一基板的用于施加控制上述液晶的取向的电压的第一电极和第二电极；具有与上述第一电极电连接的电极的晶体管；和形成于上述第一基板，具有凸部、凹部或者开口，使入射光向显示面反射的金属层，上述金属层由与上述晶体管的栅极电极相同的材料形成。
在某实施方式中，上述第一电极是像素电极，上述第二电极是形成于上述金属层上的对置电极。
在某实施方式中，上述第一电极是像素电极，上述第二电极是形成于上述金属层下，并且具有凸部、凹部或者开口的对置电极，上述金属层具有与上述第二电极的上述凸部、凹部或者开口相应地形成的凸部、凹部或者台阶。
在某实施方式中，上述第一电极是像素电极，上述第二电极是与上述第一电极在同一面上形成的对置电极。
本发明的其他的液晶显示装置包括具备使入射光向显示面反射的反射层的反射区域、和TFT区域，其包括：以夹持液晶的方式配置的第一基板和第二基板；形成于上述第一基板的用于施加控制上述液晶的取向的电压的第一电极和第二电极；形成于上述TFT区域的具有栅极层、半导体层、源极电极和漏极电极的晶体管，在上述反射区域形成有：由与上述晶体管的上述栅极层、上述半导体层、上述源极电极或者上述漏极电极相同的材料形成，并且具有凸部、凹部或者开口的层。
在某实施方式中，上述反射层由与上述晶体管的上述栅极层、上述源极电极或者上述漏极电极相同的材料形成，并且具有凸部、凹部或者台阶。
本发明的液晶显示装置的制造方法是包括以夹持液晶的方式配置的第一基板和第二基板、和用于施加控制上述液晶的取向的电压的第一电极和第二电极，并且包括具备使入射光向显示面反射的反射层的反射区域和TFT区域的液晶显示装置的制造方法，包括：(a)在上述TFT区域，形成栅极层的工序；(b)在上述TFT区域的上述栅极层上，形成半导体层的工序；和(c)在上述TFT区域中的上述半导体层上， 形成源极电极和漏极电极的工序，其中，在上述工序(a)中，在上述反射区域，由与上述TFT区域的上述栅极层相同的材料形成具有凸部、凹部或者开口的第一金属层，或者，在上述工序(c)中，在上述反射区域，由与上述TFT区域的上述源极电极或者漏极电极相同的材料形成具有凸部、凹部或者开口的第二金属层。
在某实施方式中，上述第一金属层或者上述第二金属层构成上述反射层。
在某实施方式中，在上述工序(b)中，在上述反射区域，由与上述TFT区域的上述半导体层相同的材料形成具有凸部、凹部或者开口的半导体层。
在某实施方式中，在上述工序(c)中，在上述第二金属层，形成与上述第一金属层的凸部、凹部或者开口相应的凸部、凹部或者台阶。
根据本发明，在液晶显示装置的反射区域，形成有由与构成晶体管的层相同的材料形成的层或者同一工序中层叠的层，与该层的形状相应地在反射层(包括具有作为反射层的功能的层)形成有凸部、凹部或者台阶。所以，能够制造高效地提供能够高效利用反射光的高画质的反射型液晶显示装置和半透过型液晶显示装置。
附图说明
图1是示意性地表示实施方式1的液晶显示装置的截面形状的图。
图2是示意性地表示实施方式1的液晶显示装置的TFT基板的结构的平面图。
图3是示意性地表示实施方式1的液晶显示装置的TFT基板的截面构造的图。
图4是示意性地表示实施方式1的TFT基板的反射层的形状的平面图。
图5是表示实施方式1的TFT基板的制造方法的平面图。
图6是表示实施方式1的TFT基板的制造方法的截面图。
图7是示意性地表示实施方式2的液晶显示装置的TFT基板的结构的平面图。
图8是示意性地表示实施方式2的液晶显示装置的TFT基板的截面构造的图。
图9是表示实施方式2的TFT基板的制造方法的平面图。
图10是表示实施方式2的TFT基板的制造方法的截面图。
图11是示意性地表示实施方式3的液晶显示装置的TFT基板的结构的平面图。
图12是示意性地表示实施方式3的液晶显示装置的TFT基板的截面构造的图。
图13是表示实施方式3的TFT基板的制造方法的平面图。
图14是表示实施方式3的TFT基板的制造方法的截面图。
图15是示意性地表示实施方式4的液晶显示装置的TFT基板的结构的平面图。
图16是示意性地表示实施方式4的液晶显示装置的TFT基板的截面构造的图。
图17是表示实施方式4的TFT基板的制造方法的平面图。
图18是表示实施方式4的TFT基板的制造方法的截面图。
图19是示意性地表示实施方式5的液晶显示装置的TFT基板的结构的平面图。
图20是示意性地表示实施方式5的液晶显示装置的TFT基板的截面结构的图。
图21是表示实施方式5的TFT基板的制造方法的平面图。
图22是表示实施方式5的TFT基板的制造方法的截面图。
图23是示意性地表示实施方式6的液晶显示装置的TFT基板的结构的平面图。
图24是示意性地表示实施方式6的液晶显示装置的TFT基板的截面构造的图。
图25是表示实施方式6的TFT基板的制造方法的平面图。
图26是表示实施方式6的TFT基板的制造方法的截面图。
图27是示意性地表示实施方式7的液晶显示装置的TFT基板的结构的平面图。
图28是示意性地表示实施方式7的液晶显示装置的TFT基板的截面构造的图。
图29是表示实施方式7的TFT基板的制造方法的平面图。
图30是表示实施方式7的TFT基板的制造方法的截面图。
图31是表示现有FFS模式的半透过型液晶显示装置的下部基板的结构的截面图。
图32是表示液晶显示装置的反射面的倾斜度和反射光之间的关系的图，(a)是表示光从具有折射率Na的介质a入射到具有折射率Nb的介质b时的入射角α和入射角β之间的关系，(b)是表示LCD的显示面的角度和入射光及反射光的关系的图。
符号说明
10    液晶显示装置
12    TFT基板
14    对置基板
16    液晶
18    液晶层
22    透明基板
24    层间绝缘层
26    像素电极
28，28′对置电极
30    反射部
31    调整层
32    TFT部
34    透明基板
36    CF层
40    显示面
42    反射区域
43    反射光
44    TFT区域
46    透过区域
48    光源
49    透过光
50    像素
52    源极线
54    栅极线(栅极电极)
56    Cs线(Cs金属层)
58    绝缘层
60    TFT
61    反射层
62    半导体层
63    源极电极
64    漏极电极
65，65′接触孔
70，71  开口
70′  凹部
75    接触孔
80、81凹部
82    凸部
83    台阶
85    凹部
87    开口
100   下部基板
101   有机树脂膜
102   对置电极
103   栅极电极
105   像素电极
106   有源层
107   源极/漏极电极
109   反射板
110   基板
具体实施方式
(实施方式1)
以下，参照附图，说明本发明的液晶显示装置的第一实施方式。
图1是示意性地表示本实施方式的液晶显示装置10的截面形状的图，是表示在液晶显示装置10中矩阵状地配置的多个像素中的一个像素的结构的截面图。
本实施方式的液晶显示装置10是采用了有源矩阵方式的FFS模式的半透过型的液晶显示装置。如图1所示，液晶显示装置10具备TFT(Thin Film Transistor：薄膜晶体管)基板(第一基板)12、包含彩色滤光片(CF)等的对置基板(第二基板)14、包含封入在TFT基板12和对置基板14之间的液晶16的液晶层18。
TFT基板12具备透明基板22、层间绝缘层(PAS)24、像素电极(第一电极)26和配置于像素电极26之下的对置电极(共用电极或者下部电极)28，包括反射部30和TFT部32。像素电极26与在TFT部32中形成的TFT的漏极电极电连接，通过像素电极26和对置电极28，向液晶16施加电压或者电场，由此按每个像素控制液晶16的取向从而进行显示。此外，在这里未图示，在TFT基板12上也配置有栅极线(扫描线)、源极线(信号线)和Cs线(辅助电容电极线)。
对置基板14具备透明基板34、CF层(彩色滤光片层)36等。透明基板34的上侧的面成为液晶显示装置的显示面40。此外，TFT基板12和对置基板14，各自具备取向膜、偏光板等光学膜层，在这里省略图示。
在液晶显示装置10中，将形成反射部30的区域称为反射区域42，将形成TFT部32的区域称为TFT区域44。在反射区域42中，从显示面40入射的光，被在反射部30中的反射层反射，经过液晶层18和对置基板14从显示面40作为反射光43被射出。进一步，液晶显示装置10，具有在反射区域42和TFT区域44以外的区域形成的透过区域46，在透过区域46中，从液晶显示装置10的光源48发出的光，经过TFT基板12、液晶层18和对置基板14，从显示面40作为透过光49被射出。
此外，如图1所示，通过在反射部30之上的对置基板14的下面，设置由透过性树脂等构成的调整层31，能够使反射区域42的液晶层 18的厚度为透过区域46的液晶层18的厚度的大致一半。由此，能够使液晶层18的反射光43和透过光49的光学长度相等。
接着，使用图2～图4非常详细地说明TFT基板12的结构。
图2是示意性地表示在液晶显示装置10中矩阵状地配置的多个像素中的一个像素的TFT基板12的结构的平面图。
如图所示，像素50具有上述反射区域42、TFT区域44和透过区域46。在像素50的边界部分，在矩阵状地配置的多个像素的列方向(图的上下方向)上源极线52延伸，在行方向(图的左右方向)上栅极线(栅极金属层)54延伸。此外，在像素50的中央部分，在行方向上Cs线(也称为金属层或者Cs金属层)56延伸。
在TFT区域44的TFT部32中形成有TFT60，在透过区域46上形成有对置电极28、像素电极26等。另外，在反射区域42上，形成有构成如图1所示的反射部30的Cs线56、对置电极28、反射层61、像素电极26等。
图3是示意性地表示如图2所示的TFT基板12的A-A′截面的截面图。
如图3所示，在TFT基板12的TFT部32上，在栅极线(栅极电极)54之上形成有绝缘层58，在绝缘层58之上形成有半导体层62。此外，此处将位于TFT部32的栅极线54的部分称为栅极电极54。半导体层62由例如本征非晶硅层(Si(i)层)、掺杂有磷的n+非晶硅层(Si(n+)层)构成。在半导体层62之上，形成有源极电极63和漏极电极64，如图2所示，源极电极63电连接在源极线52上，漏极电极64通过形成于层间绝缘层24的接触孔65电连接在像素电极26上。
在反射区域42，由与栅极线(栅极电极)54相同的部件形成有Cs金属层(称为金属层或者Cs线)56，在Cs金属层56之上，层叠有绝缘层58、对置电极28、半导体层62、反射层61、层间绝缘层24和像素电极26。此外，Cs金属层56与TFT60的栅极电极54、半导体层62与TFT60的半导体层62、反射层61与TFT60的源极电极63和漏极电极64分别同时地用同样材料形成。
Cs金属层56具有开口70，对置电极28具有开口71，半导体层62从开口70的上部到开口71的内侧形成为岛状。反映该开口70、开 口71和半导体层62的形状，在反射层61上分别形成有凹部80、凹部81和凸部82。另外，通过在开口71的内侧形成半导体层62，在反射层61上形成有台阶83。在绝缘层58上形成有接触孔75，通过该接触孔75对置电极28电连接在Cs金属层56上。
此外，在Cs金属层56上，代替开口70或者除开口70之外，也可以形成凸部或者凹部(凹陷)，另外，也可以将Cs金属层56形成为岛状(Cs金属层56的各岛部分也包括“Cs金属层56的凸部”)。另外，也可以在对置电极28上，代替开口71或者除开口71之外，形成凸部或者凹部(凹陷)，也可以将对置电极28形成为岛状(对置电极28的各岛部分也包括“对置电极28的凸部”)。进一步，也可以将半导体层62作为具有开口、凸部或者凹部的层形成。在任何情况下，在反射层61上，与Cs金属层56、对置电极28和半导体层62的凸部、凹部或者开口相应地形成凸部、凹部或者台阶。
图4是示意性地表示从显示面40侧看到的反射层61的形状的图。
如图所示，在反射层61上，分别形成有多个：与Cs金属层56的开口70相应地形成的凹部80；与对置电极28的开口71相应地形成的凹部81；与半导体层62的凸部(岛状地形成的半导体层62)相应地形成的凸部82；和与绝缘层58的接触孔75相应地形成的凹部85。另外，在凹部81和凸部82重合的部分形成有台阶83。
此外，在此，为了容易理解结构，分别图示有8～10个左右的凹部80、凹部81和凸部82，但凹部80、凹部81和凸部82并不限于图示的数量，可以形成更多。
根据本发明，在反射层61上，形成有上述这样的多个凹部、凸部或者台阶(以下，有时也称为凹部等)，但在这些凹部等的角部、斜面上，含有多个相对于基板的角度在20度以下的面(有效反射面)，因此能够有效地利用反射光。另外，在凹部等的角部，形成有多个具有相互不同倾斜角的面，因此反射光不会仅朝向一定的方向。因此，通过形成多个凹部等，能够得到扩展到更广范围的反射光。
另外，反射层61反映位于比反射层61更靠下的多个层的形状而形成，因此在反射层61上能够容易形成更多的凹部等，另外，也容易 形成多个凹部等重合的形状。因此，在反射层61的表面上能够容易地形成更多的有效反射面。
进一步，根据本发明，反射层61反映与构成TFT60的层同时地由同样材料构成的层的形状而形成，因此，为了形成凹部等，不需要另外追加层叠工序、光刻工序等。所以，能够制造高效地以低成本提供反射效率良好的液晶显示装置。另外，在构成TFT60的各层整形时，能够容易地调节凹部等的形状、深度和斜面倾斜角，所以在反射层61的表面上能够容易地形成更多的有效反射面。
接着，使用图5和图6，说明实施方式1的TFT基板12的制造方法。
图5是用于说明TFT基板12的制造方法的平面图，其示意性地表示图2中所示部分的制造工序。另外，图6是用于说明TFT基板12的制造方法的截面图，示意性地表示图3所示部分的制造工序。
如图5(a)和图6(a)所示，首先，通过溅射等方法在洗净的透明基板之上成膜由Ta(钽)构成的金属薄膜。该金属薄膜除了Ta以外，也能够使用Al(铝)、Ti(钛)、Cr(铬)、Mo(钼)、W(钨)或者这些的合金等形成，也能够通过由这些材料构成的层与氮化膜的层叠物形成。
其后，在金属薄膜之上形成抗蚀剂膜，通过曝光、显影工序制成抗蚀剂图案后，实施干蚀刻，制成栅极电极54和Cs金属层(第一金属层)56。栅极电极54的厚度是例如50～1000nm。此外，也可以在蚀刻中使用湿蚀刻。此时，在Cs金属层56上，形成有多个开口70。在形成开口70的情况下，使用半色调曝光，能够调节开口70的侧面的倾斜角度，另外，也可以代替开口70形成凹部(凹陷)。此外，在该工序中，图2所示的栅极线54和Cs线56也用同一金属同时地形成。
接着，如图5(b)和图6(b)所示，通过P-CVD法，使用SiH4、NH3、N2的混合气体，在基板全面上制成由SiN(氮化硅)构成的绝缘层58。绝缘层58也可以通过SiO2(氧化硅)、Ta2O5(氧化钽)、Al2O3 (氧化铝)等形成。绝缘层58的厚度是例如100～600nm。
接着，在绝缘层58上，形成本征非晶硅(a-Si)膜(Si(i)膜)和在多晶硅中掺杂磷(P)的n+a-Si膜(Si(n+)膜)。a-Si膜的厚度是 例如20-300nm，n+a-Si膜的厚度是例如20～100nm。其后，通过由光刻法对这些膜进行整形，形成半导体层62。此处，在Cs金属层56的上部，在与Cs金属层56的开口70重合的位置，岛状地形成多个环状的半导体层62。
接着，如图5(c)和图6(c)所示，通过光刻法在绝缘层58上形成到达Cs金属层56的接触孔75。
接着，如图5(d)和图6(d)所示，在绝缘层58和半导体层62之上，通过溅射法形成ITO、IZO等的透明电极膜，将形成的透明电极膜用光刻法进行图案整形，在反射区域42和透过区域46中形成对置电极28。此时在对置电极28上形成多个开口71。多个开口71中的至少一部分，形成于与Cs金属层56的开口70、半导体层62重合的位置，由此，在对置电极28的表面形成凹部、凸部和台阶。另外，在对置电极28上也形成与接触孔75相应的凹部。
接着，如图5(e)和图6(e)所示，通过溅射法等在基板全面形成由Al等构成的金属薄膜，实施光刻法从而形成源极电极63、源极线52、漏极电极64和反射层(第二金属层)61。此时，在反射层61上形成反映Cs金属层56的开口70、半导体层62、绝缘层58的接触孔75和对置电极28的开口71的形状的凹部80、凹部81、凹部82、台阶83和凹部85。此外，在金属薄膜上，作为栅极电极54的材料可以使用以上例举的材料。反射层61的厚度是例如30～1000nm。
接着，如图5(f)和图6(f)所示，在基板上通过旋涂来涂敷感光性丙烯酸树脂，形成层间绝缘层24。层间绝缘层24的厚度是例如0.3～5μm。此外，在这里省略图示，在层间绝缘层24上，在漏极电极64的上部形成接触孔65。另外，在层间绝缘层24之下作为保护层，能够通过P-CVD法形成SiNx、SiO2等薄膜，但在这里省略图示。保护膜的厚度是例如50～1000nm。
最后，在层间绝缘层24之上形成像素电极26，如图2和图3所示的TFT基板12完成。通过溅射法等将ITO、IZO等的透明电极膜层叠，通过将层叠的透明电极膜用光刻法进行图案整形而得到像素电极26。像素电极26和漏极电极64通过接触孔65电连接。
此外，优选尽量多地形成凹部80、凹部81、凸部82、台阶83和凹部85。因此，优选在制造工序中的掩模和曝光的界限内，在反射面上尽可能多地形成Cs金属层56的开口70、岛状的半导体层62和对置电极28的开口71。优选的开口70、开口71和岛状的半导体层62的大小是直径2～10μm。
(实施方式2)
接着，使用图7～10，对本发明的液晶显示装置的第二实施方式进行说明。本实施方式的液晶显示装置，与实施方式1只有TFT基板12的结构的一部分不同，在以下说明的部分之外，包括制造方法、效果等都与实施方式1相同。在与实施方式1的构成要素相同的构成要素上标有同样的参照符号，并省略详细说明。
图7是示意性地表示图1所示的液晶显示装置10的其中一个像素50中的TFT基板12的结构的平面图。另外，图8是示意性地表示图7中所示的TFT基板12的A-A′截面的截面图。
如图7和图8所示，在实施方式2的TFT基板12的反射区域42中，在Cs金属层56之上，以与Cs金属层56相接的方式层叠有对置电极28，在对置电极28之上依次层叠有绝缘层58、半导体层62和反射层61。反射层61上形成有开口(间隙或者狭缝)87，由于该开口87的存在，反射层61被分割为二部分。
如图8所示，在反射层61上形成反映Cs金属层56的开口70的凹部80、反映对置电极28的开口71的凹部81、和反映岛状地形成的半导体层62的凸部82，并且在反射层61自身上也形成有开口87。由此，在反射层61的表面上能够形成多个角部。此外，代替反射层61的开口87，也可以形成凹部或者凸部。
接着，使用图9或者图10，说明实施方式2的TFT基板12的制造方法。
图9是用于说明TFT基板12的制造方法的平面图，其示意性地表示图7所示的部分的制造工序。另外，图10是用于说明TFT基板12的制造方法的截面图，示意性地表示图8所示部分的制造工序。
如图9(a)和图10(a)所示，首先，在洗净的透明基板之上，通过溅射等方法成膜由Ta(钽)等构成的金属薄膜。其后，通过光刻 法，形成栅极电极54和具有开口70的Cs金属层56。在该工序中，图7所示的栅极线54和Cs线56也用同一金属同时地形成。
接着，如图9(b)和图10(b)所示，在包括栅极电极54和Cs金属层56的基板上，通过溅射法等将ITO、IZO等的透明电极膜层叠，通过光刻法将层叠的透明电极膜进行图案整形，从而形成对置电极28。此时在对置电极28上形成多个开口71。
接着，如图9(c)和图10(c)所示，绝缘层58层叠在基板全面后，在绝缘层58之上层叠半导体膜，将层叠的半导体膜通过光刻法进行整形从而形成半导体层62。
接着，如图9(d)和图10(d)所示，通过溅射法等在基板全面上形成由Al等构成的金属薄膜，并实施光刻法，形成源极电极63、源极线52、漏极电极64和反射层61。此时，在反射层61上，反映Cs金属层56的开口70、对置电极28的开口71和半导体层62的形状，形成凹部80、凹部81和凸部82，另外，在反射层61自身也形成开口87。
接着，如图9(e)和图10(e)所示，在基板上通过旋涂来涂敷感光性丙烯酸树脂，从而形成层间绝缘层24。层间绝缘层24中，在漏极电极64的上部形成接触孔65。
最后，在层间绝缘层24之上形成像素电极26，如图7和图8所示的TFT基板12完成。
(实施方式3)
接着，使用图11～14，对本发明的液晶显示装置的第三实施方式进行说明。本实施方式的液晶显示装置，与实施方式1只有TFT基板12的结构的一部分不同，在以下说明的部分之外，包括制造方法、效果等都与实施方式1相同。与实施方式1的构成要素相同的构成要素上标有同样的参照符号，省略详细说明。
图11是示意性地表示图1所示的液晶显示装置10的其中一个像素50中的TFT基板12的结构的平面图。另外，图12是示意性地表示图11所示的TFT基板12的A-A′截面的截面图。
如图11和图12所示，在实施方式3的TFT基板12的反射区域42中，在对置电极28之上，以与对置电极28相接的方式层叠有Cs 金属层56，在Cs金属层56之上层叠有绝缘层58，在绝缘层58上层叠有半导体层62和反射层61。反射层61上形成有开口(间隙或者狭缝)87，由于此开口87的存在，反射层61被分割为二部分。
如图12所示，在反射层61上形成有反映Cs金属层56的开口70的凹部80、反映对置电极28的开口71的凹部81和反映岛状地形成的半导体层62的凸部82，并且在反射层61自身也形成有开口87。由此，在反射层61的表面上能够形成多个角部。此外，代替反射层61的开口87，也可以形成凹部或者凸部。
接着，使用图13或者图14，说明实施方式3的TFT基板12的制造方法。
图13是用于说明TFT基板12的制造方法的平面图，其示意性地表示图11所示的部分的制造工序。另外，图14是用于说明TFT基板12的制造方法的截面图，其示意性地表示图12所示部分的制造工序。
如图13(a)和图14(a)所示，首先，在透明基板上，通过溅射法等将ITO、IZO等的透明电极膜层叠，用光刻法将层叠的透明电极膜进行图案整形，从而形成对置电极28。此时在对置电极28上形成多个开口71。
接着，如图13(b)和图14(b)所示，通过溅射等方法成膜由Ta(钽)等构成的金属薄膜，通过光刻法形成栅极电极54和具有开口70的Cs金属层56。此时，在Cs金属层56上形成反映对置电极28的开口71的凹部。此外，在此工序中，图11所示的栅极线54和Cs线56也用同一金属同时地形成。
接着，如图13(c)和图14(c)所示，绝缘层58层叠在基板全面，在其之上层叠半导体膜之后，将层叠的半导体膜通过光刻法进行整形从而形成半导体层62。
接着，如图13(d)和图14(d)所示，通过溅射法等在基板全面上形成由Al等构成的金属薄膜，并实施光刻法，形成源极电极63、源极线52、漏极电极64和反射层61。此时，在反射层61上，反映Cs金属层56的开口70、对置电极28的开口71和半导体层62的形状，形成凹部80、凹部81和凸部82，另外，在反射层61自身也形成开口87。
接着，如图13(e)和图14(e)所示，在基板上通过旋涂来涂敷感光性丙烯酸树脂，从而形成层间绝缘层24。在层间绝缘层24中，在漏极电极64的上部形成接触孔65。
最后，在层间绝缘层24之上形成像素电极26，如图11和图12所示的TFT基板12完成。
(实施方式4)
接着，用图15～18，对本发明的液晶显示装置的第四实施方式进行说明。本实施方式的液晶显示装置，与实施方式1只有TFT基板12的结构的一部分不同，在以下说明的部分之外，包括制造方法、效果等也都与实施方式1相同。与实施方式1的构成要素相同的构成要素上标有同样的参照符号，省略详细说明。
图15是示意性地表示图1所示的液晶显示装置10的其中一个像素50中的TFT基板12的结构的平面图。另外，图16是示意性地表示图15中所示的TFT基板12的A-A′截面的截面图。
如图15和图16所示，在实施方式4的TFT基板12的反射区域42中，在Cs金属层56之上，以与Cs金属层56相接的方式层叠有对置电极28，在对置电极28之上层叠有绝缘层58，在此，不层叠半导体层62和反射层61(在TFT区域44上与实施方式1同样，形成有半导体层62、源极电极63和漏极电极64)。
在实施方式4的反射区域42中，Cs金属层56作为反射层发挥作用。因此，在Cs金属层56上不形成开口70而形成凹部70′，由此在Cs金属层56的表面形成多个角部、倾斜面，提高反射光的利用效率。
接着，用图17和图18，说明实施方式4的TFT基板12的制造方法。
图17是用于说明TFT基板12的制造方法的平面图，其示意性地表示图15所示的部分的制造工序。另外，图18是用于说明TFT基板12的制造方法的截面图，其示意性地表示图16所示部分的制造工序。
如图17(a)和图18(a)所示，首先，通过溅射等方法成膜由Ta(钽)等构成的金属薄膜，通过光刻法形成栅极电极54和具有凹部70′的Cs金属层56。在此工序中，图15所示的栅极线54和Cs线56也用同一金属同时地形成。
接着，如图17(b)和图18(b)所示，通过溅射法等将ITO、IZO等的透明电极膜层叠，用光刻法将层叠的透明电极膜进行图案整形，从而形成对置电极28。此时在对置电极28上形成反映凹部70′的凹部。
接着，如图17(c)和图18(c)所示，在基板全面层叠绝缘层58，并在其之上层叠半导体膜。其后，将层叠的半导体膜通过光刻法进行整形从而形成半导体层62。在此，半导体层62只在TFT区域44形成。
接着，如图17(d)和图18(d)所示，通过溅射法等在基板全面上层叠由Al等构成的金属薄膜，并实施光刻法形成源极电极63、漏极电极64和源极线52。此时，在反射区域42和透过区域46上层叠的金属薄膜被全部除去。
接着，如图17(e)和图18(e)所示，在基板上通过旋涂来涂敷感光性丙烯酸树脂，从而形成层间绝缘层24。层间绝缘层24中，在漏极电极64的上部形成接触孔65。
最后，在层间绝缘层24之上形成像素电极26，如图15和图16所示的TFT基板12完成。
(实施方式5)
接着，用图19～22，对本发明的液晶显示装置的第五实施方式进行说明。本实施方式的液晶显示装置，与实施方式1只有TFT基板12的结构的一部分不同，在以下说明的部分之外，包括制造方法、效果等都与实施方式1相同。与实施方式1的构成要素相同的构成要素上标有同样的参照符号，省略详细说明。
图19是示意性地表示图1所示的液晶显示装置10的其中一个像素50中的TFT基板12的结构的平面图。另外，图20是示意性地表示图19中所示的TFT基板12的A-A′截面的截面图。
如图19和图20所示，在实施方式5的TFT基板12的反射区域42中，在对置电极28之上，以与对置电极28相接的方式层叠有Cs金属层56，在Cs金属层56之上层叠有绝缘层58，在此半导体层62和反射层61不层叠(在TFT区域44中与实施方式1同样，形成有半导体层62、源极电极63和漏极电极64)。
在实施方式5的反射区域42中，Cs金属层56作为反射层发挥作用。因此，在Cs金属层56上不形成开口70而形成凹部70′，另外在对置电极28上形成开口71。所以，在Cs金属层56上，除凹部70′之外还形成反映开口71的凹部，所以在其表面形成多个角部、倾斜面，从而提高反射光的利用效率。此外，在此，Cs金属层56电连接在对置电极28上，因此Cs金属层56也具有作为对置电极的功能。
接着，用图21和图22，说明实施方式5的TFT基板12的制造方法。
图21是用于说明TFT基板12的制造方法的平面图，其示意性地表示图19所示的部分的制造工序。另外，图22是用于说明TFT基板12的制造方法的截面图，其示意性地表示图20所示部分的制造工序。
如图21(a)和图22(a)所示，首先，通过溅射法等将ITO、IZO等的透明电极膜层叠，用光刻法将层叠的透明电极膜整形，从而形成对置电极28。此时在对置电极28上形成多个开口71。
接着，如图21(b)和图22(b)所示，通过溅射等方法成膜由Ta(钽)等构成的金属薄膜，通过光刻法形成栅极电极54和Cs金属层56。此时，在Cs金属层56上形成凹部70′。另外，在Cs金属层56上也形成反映对置电极28的开口71的凹部。此外，在此工序中，图19所示的栅极线54和Cs线56也用同一金属同时地形成。
接着，如图21(c)和图22(c)所示，在基板全面层叠绝缘层58，在其之上层叠半导体膜。其后，将层叠的半导体膜通过光刻法进行整形从而形成半导体层62。在此，半导体层62只在TFT区域44形成。
接着，如图21(d)和图22(d)所示，通过溅射法等在基板全面上层叠由Al等构成的金属薄膜，实施光刻法形成源极电极63、漏极电极64和源极线52。此时，在反射区域42和透过区域46上层叠的金属薄膜被全部除去。
接着，如图21(e)和图22(e)所示，在基板上通过旋涂来涂敷感光性丙烯酸树脂，从而形成层间绝缘层24。层间绝缘层24中，在漏极电极64的上部形成接触孔65。
最后，在层间绝缘层24之上形成像素电极26，如图19和图20所示的TFT基板12完成。
(实施方式6)
接着，用图23～26，对本发明的液晶显示装置的第六实施方式进行说明。本实施方式的液晶显示装置，是IPS模式的半透过型液晶显示装置，其整体的结构与图1所示的结构基本相同。但是，与实施方式1的液晶显示装置相比，TFT基板12的结构不同。因此，以下以与实施方式1不同的TFT基板12的结构为中心进行说明，对包括制造方法、效果等与实施方式1相同的部分省略说明。另外，与实施方式1的构成要素相同的构成要素上标有同样的参照符号，省略其说明。
图23是示意性地表示本实施方式的液晶显示装置中的一个像素50中的TFT基板12的结构的平面图。另外，图24是示意性地表示图23中所示的TFT基板12的A-A′截面的截面图。
如图23和图24所示，在实施方式6的TFT基板12的上表面(层间绝缘层24的上表面)，分别形成有具有多个突出部的梳子形状的像素电极26和对置电极28′，与向在像素电极26的突出部分和对置电极28′的突出部分之间施加的电压相应地进行液晶的取向控制。
像素电极26通过形成于层间绝缘层24上的接触孔65，电连接在TFT60的漏极电极64上，对置电极28′通过形成于层间绝缘层24上的接触孔65′，电连接在形成于反射区域42中的反射层61。在反射层61之下，从下开始依次形成有：具有开口70的Cs金属层56、绝缘层58和岛状地形成的半导体层62。反射层61通过形成于绝缘层58上的接触孔75，电连接在Cs金属层56上。
反射层61具有：与Cs金属层56的开口70相应地形成的凹部80、与岛状的半导体层62相应地形成的凸部82、与开口70和半导体层62相应地形成的台阶83和与层间绝缘层24的接触孔75相应地形成的凹部85。由此，在反射层61的表面形成多个角部、倾斜面，从而提高反射光的利用功率。
接着，用图25和图26，说明实施方式6的TFT基板12的制造方法。
图25是用于说明TFT基板12的制造方法的平面图，其示意性地表示图23所示的部分的制造工序。另外，图26是用于说明TFT基板12的制造方法的截面图，其示意性地表示图24所示部分的制造工序。
如图25(a)和图26(a)所示，首先，通过溅射等方法成膜由Ta(钽)等构成的金属薄膜，通过光刻法形成栅极电极54和Cs金属层56。此时，在Cs金属层56上形成开口70。另外，在此工序中，图23所示的栅极线54和Cs线56也用同一金属同时地形成。
接着，如图25(b)和图26(b)所示，在基板全面层叠绝缘层58，在其之上层叠半导体膜。其后，将层叠的半导体膜通过光刻法进行整形从而形成半导体层62。在此，在反射区域42中，形成分别岛状地形成的多个半导体层62，其中的至少一部分被形成为与开口70重合。
接着，如图25(c)和图26(c)所示，通过光刻法等在绝缘层58上形成接触孔75。
接着，如图25(d)和图26(d)所示，通过溅射法等在基板全面上层叠由Al等构成的金属薄膜，实施光刻法形成源极电极63、漏极电极64、反射层61和源极线52。此时，在反射层61上形成：反映Cs金属层56的开口70的形状的凹部80、反映岛状地形成的半导体层62的形状的凸部82、反映开口70和半导体层62的形状的台阶83和反映层间绝缘层24的接触孔75的形状的凹部85。
接着，如图25(e)和图26(e)所示，在基板上通过旋涂来涂敷感光性丙烯酸树脂，从而形成层间绝缘层24。层间绝缘层24中，通过光刻法等，在漏极电极64的上部形成接触孔65，另外在反射层61的上部形成接触孔65′。
最后，在层间绝缘层24之上通过溅射法等将ITO、IZO等的透明电极膜层叠后，通过光刻法对透明电极膜进行图案整形，形成像素电极26和对置电极28′，如图23和图24所示的TFT基板12完成。
(实施方式7)
接着，用图27～30，对本发明的液晶显示装置的第七实施方式进行说明。
本实施方式的液晶显示装置也与实施方式6相同，是IPS模式的半透过型液晶显示装置，TFT基板12以外的结构与图1所示的结构基本相同。因此，以下以TFT基板12的结构为中心进行说明，对包括制造方法、效果等与实施方式1相同的部分省略说明。另外，与实施方式1的构成要素相同的构成要素上标有同样的参照符号，省略其说明。
图27是示意性地表示本实施方式的液晶显示装置中的一个像素50中的TFT基板12的结构的平面图。另外，图28是示意性地表示图27中所示的TFT基板12的A-A′截面的截面图。
如图27和图28所示，在实施方式7的TFT基板12的上表面(层间绝缘层24的上表面)，分别形成有具有多个突出部的梳子形状的像素电极26和对置电极28′，与向在像素电极26的突出部分和对置电极28′的突出部分之间施加的电压相应地进行液晶的取向控制。
像素电极26通过形成于层间绝缘层24上的接触孔65，电连接在TFT60的漏极电极64上，对置电极28′通过形成于层间绝缘层24上的接触孔65′，电连接在形成于反射区域42的反射层61。但是，在实施方式7中，反射层61只在对置电极28的一部分之下形成，因此在这里Cs金属层56具有使入射光向显示面反射的反射层的功能。
反射区域42的比反射层61更靠下的部分，从下开始依次形成有Cs金属层56和绝缘层58。在反射区域42没有形成半导体层62。反射层61通过形成在绝缘层58上的接触孔75电连接于Cs金属层56。因此，对置电极28′通过接触孔65′、反射层61和接触孔75电连接于Cs金属层56。
此外，因为Cs金属层56具有作为反射层的功能，所以在Cs金属层56上不形成开口而形成凹部70′。通过形成凹部70′，在反射层61的表面形成多个角部、倾斜面，提高反射光的利用效率。
接着，用图29和图30，说明实施方式7的TFT基板12的制造方法。
图29是用于说明TFT基板12的制造方法的平面图，其示意性地表示图27所示的部分的制造工序。另外，图30是用于说明TFT基板12的制造方法的截面图，其示意性地表示图28所示部分的制造工序。
如图29(a)和图30(a)所示，首先，通过溅射等方法成膜由Ta(钽)等构成的金属薄膜，通过光刻法形成栅极电极54和Cs金属层56。此时，在Cs金属层56上形成凹部70′。另外，在此工序中，图27所示的栅极线54和Cs线56也用同一金属同时地形成。
接着，如图29(b)和图30(b)所示，在基板全面上层叠绝缘层58，在其之上层叠半导体膜。其后，将层叠的半导体膜通过光刻法进 行整形，形成半导体层62。此时，层叠在反射区域42上的半导体膜被全部除去，不在反射区域42上形成半导体层62。
接着，如图29(c)和图30(c)所示，通过光刻法等在绝缘层58上形成接触孔75。
接着，如图29(d)和图30(d)所示，通过溅射法等在基板全面上层叠由Al等构成的金属薄膜，实施光刻法形成源极电极63、漏极电极64、反射层61和源极线52。此时，在反射区域42中，以覆盖接触孔75的方式仅在接触孔75的上部形成反射层61。
接着，如图29(e)和图30(e)所示，在基板上通过旋涂来涂敷感光性丙烯酸树脂，从而形成层间绝缘层24。层间绝缘层24中，通过光刻法等，在漏极电极64的上部形成接触孔65，另外在反射层61的上部形成接触孔65′。
最后，在层间绝缘层24之上通过溅射法等将ITO、IZO等的透明电极膜层叠后，通过光刻法对透明电极膜进行图案整形，从而形成像素电极26和对置电极28′，如图27和图28所示的TFT基板12完成。
在上述的实施方式中，形成于反射区域42的Cs金属层56的多个开口部和凹部，在与基板垂直观察的情况下，全部形成为圆形，也可以将这些开口部、凹部的一部分或者全部形成为椭圆形或者四边形等其他的形状。另外，在反射区域42中，将圆形的多个半导体层62形成为岛形，也可以将这些的一部分或者全部形成为椭圆形或者四边形等其他的形状。
另外，在反射层61下的绝缘层58上形成接触孔75的情况下，也可以在形成接触孔75的同时，在绝缘层58上形成凹部。由此，在反射层61能够形成更多的凹部、台阶，从而提高反射光的利用功率。
另外，在反射区域42中，在Cs金属层56、绝缘层58和半导体层62位于反射层61之下的情况下，在整形这些层时，可以使用半色调曝光形成开口、凹部、凸部等。通过使用半色调曝光，能够将开口等的侧面的倾斜角度容易地调节为希望的角度，另外，也可能容易地在开口等的内侧设置更多的台阶。由此，也在反射层61上形成具有更多的角部、希望的倾斜角度的斜面，从而提高反射光的利用效率。
另外，在从基板铅垂方向观看的情况下，形成于各层的开口等可以配置成同心圆状地重合，更为优选，以开口等的边缘彼此重合的方式配置。在开口等的边缘彼此重合的情况下，在反射层61的表面，由于形成更复杂的起伏构造，因此能够将反射光更广范围地均匀反射。
在反射层61上，优选尽可能多地形成凹部、凸部、台阶。因此，凹部等的大小和形状不需要限于上述情况，也可以形成为四边形以外的多边形、凹部等的边缘是锯齿状的形状、将这些组合的形状等各种形状。
本发明的液晶显示装置，如上述的实施方式所示，在反射层的表面具有多个台阶、角部，形成多个倾斜角度为20度以下的斜面，因此得到有效反射面大且散射特性优良的反射区域。另外，反射面的台阶和角部是基于在整形TFT的栅极层、半导体层、源极电极或者漏极电极的同时被整形的层而形成的，所以能够不增加制造工序，容易地得到具有优良的反射特性的反射区域。因此，能够高效且低价地提供能够均匀且高明亮度的显示的液晶显示装置。
本申请发明的液晶显示装置在如上所述的制造方法下形成，因此能够用与透过型的液晶显示装置大体相同的材料和工序制造。所以，能够低成本地提供反射效率优良的液晶显示装置。
此外，在本发明的液晶显示装置中，也包括利用液晶面板的显示器装置、电视机、便携式电话等。另外，本实施方式作为半透过型的液晶显示装置的例子使用，但具有与上述反射部相同的形态的反射型液晶显示装置等也包括在本申请发明的一个方式中。
产业上的可利用性
根据本发明，能够低成本地提供FFS模式和IPS模式的高画质的半透过型液晶显示装置和反射型液晶显示装置。本发明的液晶显示装置适用于各种液晶显示装置，例如便携式电话、车载导航等的车载显示装置、ATM或贩卖机等的显示装置、便携式显示装置、笔记本电脑等，能够很好地适用于利用反射光进行显示的半透过型液晶显示装置和反射型液晶显示装置。

Claims (16)

1.一种液晶显示装置，其包括：
以夹持液晶的方式配置的第一基板和第二基板；
形成于所述第一基板的用于施加控制所述液晶的取向的电压的第一电极和第二电极；
具有与所述第一电极电连接的电极的晶体管；
形成于所述第一基板的具有凸部、凹部或者开口的金属层；和
形成于所述第一基板的所述金属层上的用于使入射光向显示面反射的反射层，所述液晶显示装置的特征在于：
所述金属层由与所述晶体管的栅极电极相同的材料形成，
所述反射层具有与所述金属层的所述凸部、凹部或者开口相应地形成的凸部、凹部或者台阶。
2.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：
所述第二电极具有凸部、凹部或者开口，
所述反射层具有与所述第二电极的所述凸部、凹部或者开口相应地形成的凸部、凹部或者台阶。
3.如权利要求1或2所述的液晶显示装置，其特征在于：
其包括半导体层，该半导体层在所述反射层下，由与所述晶体管的半导体部分相同的材料形成，并且具有凸部、凹部或者开口，
所述反射层具有与所述半导体层的所述凸部、凹部或者开口相应地形成的凸部、凹部或者台阶。
4.如权利要求1或2所述的液晶显示装置，其特征在于：
所述反射层由与所述晶体管的源极电极或者漏极电极相同的材料形成。
5.如权利要求1或2所述的液晶显示装置，其特征在于：
在所述金属层和所述第二电极之间形成有绝缘层，
在所述绝缘层上，形成有将所述金属层和所述第二电极电连接的接触孔。
6.如权利要求1或2所述的液晶显示装置，其特征在于：
所述反射层具有开口。
7.如权利要求1或2所述的液晶显示装置，其特征在于：
所述第二电极形成在所述金属层上，并且具有与所述金属层的所述凸部、凹部或者开口相应地形成的凸部、凹部或者台阶。
8.如权利要求1或2所述的液晶显示装置，其特征在于：
所述第二电极形成在所述金属层下，并且具有凸部、凹部或者开口，
所述金属层具有与所述第二电极的所述凸部、凹部或者开口相应地形成的凸部、凹部或者台阶。
9.如权利要求1或2所述的液晶显示装置，其特征在于：
所述第一电极是像素电极，所述第二电极是形成在所述第一电极下的对置电极。
10.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：
所述第一电极是像素电极，所述第二电极是与所述第一电极在同一面上形成的对置电极。
11.一种液晶显示装置，其包括：
以夹持液晶的方式配置的第一基板和第二基板；
形成于所述第一基板的用于施加控制所述液晶的取向的电压的第一电极和第二电极；
具有与所述第一电极电连接的电极的晶体管；和
形成于所述第一基板，具有凸部、凹部或者开口，使入射光向显示面反射的金属层，所述液晶显示装置的特征在于：
所述金属层由与所述晶体管的栅极电极相同的材料形成。
12.如权利要求11所述的液晶显示装置，其特征在于：
所述第一电极是像素电极，
所述第二电极是形成于所述金属层上的对置电极。
13.如权利要求11所述的液晶显示装置，其特征在于：
所述第一电极是像素电极，
所述第二电极是形成于所述金属层下，并且具有凸部、凹部或者开口的对置电极，
所述金属层具有与所述第二电极的所述凸部、凹部或者开口相应地形成的凸部、凹部或者台阶。
14.如权利要求11所述的液晶显示装置，其特征在于：
所述第一电极是像素电极，所述第二电极是与所述第一电极在同一面上形成的对置电极。
15.一种液晶显示装置，其包括具备使入射光向显示面反射的反射层的反射区域、和TFT区域，其特征在于，包括：
以夹持液晶的方式配置的第一基板和第二基板；
形成于所述第一基板的用于施加控制所述液晶的取向的电压的第一电极和第二电极；和
形成于所述TFT区域的具有栅极层、半导体层、源极电极和漏极电极的晶体管，
在所述反射区域形成有：由与所述晶体管的所述栅极层、所述半导体层、所述源极电极和所述漏极电极中的至少一个相同的材料形成，并且具有凸部、凹部或者开口的层。
16.如权利要求15所述的液晶显示装置，其特征在于：
所述反射层由与所述晶体管的所述栅极层、所述源极电极或者所述漏极电极相同的材料形成，并且具有凸部、凹部、开口或者台阶。
CN2007800525741A 2007-04-13 2007-12-27 液晶显示装置 Expired - Fee Related CN101663612B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007105996 2007-04-13
JP105996/2007 2007-04-13
PCT/JP2007/075147 WO2008129748A1 (ja) 2007-04-13 2007-12-27 液晶表示装置、及び液晶表示装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101663612A CN101663612A (zh) 2010-03-03
CN101663612B true CN101663612B (zh) 2011-07-27

Family

ID=39875286

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007800525741A Expired - Fee Related CN101663612B (zh) 2007-04-13 2007-12-27 液晶显示装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8659726B2 (zh)
EP (1) EP2144109B1 (zh)
JP (1) JP5184517B2 (zh)
CN (1) CN101663612B (zh)
WO (1) WO2008129748A1 (zh)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4926063B2 (ja) * 2005-08-03 2012-05-09 シャープ株式会社 液晶表示装置およびそれを備えた電子機器
WO2007108268A1 (ja) * 2006-03-23 2007-09-27 Sharp Kabushiki Kaisha 液晶表示装置
CN101484839B (zh) * 2006-06-30 2012-07-04 夏普株式会社 液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法
US8111356B2 (en) 2006-09-12 2012-02-07 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display panel provided with microlens array, method for manufacturing the liquid crystal display panel, and liquid crystal display device
US7995167B2 (en) * 2006-10-18 2011-08-09 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and method for manufacturing liquid crystal display device
JPWO2008047517A1 (ja) * 2006-10-18 2010-02-18 シャープ株式会社 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法
EP2124093A4 (en) * 2006-12-14 2010-06-30 Sharp Kk LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE
EP2128690B1 (en) * 2007-01-24 2013-10-23 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
US20100118238A1 (en) * 2007-01-31 2010-05-13 Junya Shimada Liquid crystal display device
WO2009001508A1 (ja) * 2007-06-26 2008-12-31 Sharp Kabushiki Kaisha 液晶表示装置、及び液晶表示装置の製造方法
US8872180B2 (en) * 2008-05-13 2014-10-28 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and method for manufacturing liquid crystal display device
CN102637630B (zh) 2011-05-20 2014-02-19 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法
CN102650780B (zh) 2011-05-30 2014-11-19 京东方科技集团股份有限公司 一种像素结构、液晶显示面板及制作方法
US9075271B2 (en) 2011-09-06 2015-07-07 Japan Display Inc. Liquid crystal display device
JP5938181B2 (ja) * 2011-09-06 2016-06-22 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
JP5824301B2 (ja) * 2011-09-06 2015-11-25 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
US9250486B2 (en) 2011-09-08 2016-02-02 Japan Display Inc. Liquid crystal display device
JP5816496B2 (ja) * 2011-09-08 2015-11-18 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
KR102004397B1 (ko) * 2012-09-19 2019-07-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
KR102343277B1 (ko) * 2015-03-26 2021-12-24 삼성디스플레이 주식회사 반사층을 포함하는 표시 장치
US10224407B2 (en) 2017-02-28 2019-03-05 Sandisk Technologies Llc High voltage field effect transistor with laterally extended gate dielectric and method of making thereof

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001004695A1 (fr) * 1999-07-07 2001-01-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dispositif d'affichage a cristaux liquides translucide
CN1402056A (zh) * 2001-08-22 2003-03-12 日本电气株式会社 液晶显示器
CN1544987A (zh) * 2003-11-24 2004-11-10 友达光电股份有限公司 具有多域垂直配向模式的晶体管液晶显示器

Family Cites Families (93)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5691277A (en) 1979-12-25 1981-07-24 Citizen Watch Co Ltd Liquiddcrystal display panel
JPS58125084A (ja) 1982-01-21 1983-07-25 株式会社東芝 液晶表示装置およびその製造方法
JPS63296004A (ja) 1987-05-28 1988-12-02 Konica Corp 光学フィルタ及び光学フィルタを内蔵したカラ−プル−フ作成装置
JP2638630B2 (ja) 1988-11-30 1997-08-06 富士写真フイルム株式会社 ネガフィルム測定装置および自動カラー写真焼付装置
JPH04372934A (ja) 1991-06-24 1992-12-25 Toshiba Corp 液晶表示装置用アレイ基板の製造方法
DE69220643T2 (de) * 1991-09-10 1998-01-22 Sharp Kk Flüssigkristall-Anzeigegerät vom Reflexionstyp und Verfahren zu dessen Herstellung
TW540747U (en) * 1992-02-19 2003-07-01 Sharp Kk A reflective substrate and a liquid crystal display device using the same
JP3198625B2 (ja) 1992-05-29 2001-08-13 オムロン株式会社 マイクロレンズアレイ基板とその製造方法及び同基板を用いた画像表示装置
JPH06258637A (ja) * 1993-03-04 1994-09-16 Sony Corp 液晶表示装置
JPH06331831A (ja) 1993-05-25 1994-12-02 Sekisui Chem Co Ltd 光制御シートおよびこれを備えた面状発光装置
JPH08190089A (ja) 1995-01-10 1996-07-23 Rohm Co Ltd 液晶表示装置
JP2990046B2 (ja) 1995-08-16 1999-12-13 日本電気株式会社 反射型液晶表示装置及びその製造方法
JPH0964366A (ja) 1995-08-23 1997-03-07 Toshiba Corp 薄膜トランジスタ
JP3149793B2 (ja) * 1996-07-22 2001-03-26 日本電気株式会社 反射型液晶表示装置及びその製造方法
JP3666181B2 (ja) 1997-03-21 2005-06-29 ソニー株式会社 反射型兼透過型表示装置
DE69840797D1 (de) 1997-06-12 2009-06-10 Sharp Kk Anzeigevorrichtung mit vertikal ausgerichtetem Flüssigkristall
US6330047B1 (en) * 1997-07-28 2001-12-11 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and method for fabricating the same
US6333518B1 (en) 1997-08-26 2001-12-25 Lg Electronics Inc. Thin-film transistor and method of making same
JPH11109390A (ja) 1997-09-30 1999-04-23 Toshiba Corp 液晶表示装置
JP4044187B2 (ja) * 1997-10-20 2008-02-06 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス型表示装置およびその作製方法
JPH11133399A (ja) * 1997-10-27 1999-05-21 Hitachi Ltd 反射型液晶表示装置とその製造方法
JPH11237625A (ja) 1998-02-23 1999-08-31 Alps Electric Co Ltd フォトマスクおよびこれを用いた凹凸体の製造方法
JP3019831B2 (ja) * 1998-03-11 2000-03-13 日本電気株式会社 反射型液晶表示装置及びその製造方法
JP3700387B2 (ja) 1998-04-15 2005-09-28 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置、液晶表示装置の駆動方法及び電子機器
US6839108B1 (en) 1998-05-16 2005-01-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
JPH11337961A (ja) 1998-05-26 1999-12-10 Sharp Corp 反射型液晶表示装置およびその製造方法
JP2000010124A (ja) 1998-06-22 2000-01-14 Ricoh Co Ltd 反射型液晶表示装置およびその製造方法
JP2000047200A (ja) * 1998-07-31 2000-02-18 Hitachi Ltd 拡散反射板とそれを用いた液晶表示装置およびその製法
US6992718B1 (en) * 1998-08-31 2006-01-31 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Illuminating apparatus, display panel, view finder, video display apparatus, and video camera mounting the elements
US6287899B1 (en) 1998-12-31 2001-09-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panels for a liquid crystal display and a method for manufacturing the same
JP3916334B2 (ja) 1999-01-13 2007-05-16 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ
JP2000329906A (ja) 1999-05-21 2000-11-30 Seiko Epson Corp マイクロレンズアレイ基板とその製造方法
KR100407413B1 (ko) * 1999-07-19 2003-11-28 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 반사판 및 그 제조방법, 및 반사판을 구비한 반사형표시소자 및 그 제조방법
US6909481B2 (en) 2000-11-07 2005-06-21 Seiko Epson Corporation Liquid crystal display and electronic appliance
TW578028B (en) 1999-12-16 2004-03-01 Sharp Kk Liquid crystal display and manufacturing method thereof
JP2001201619A (ja) 2000-01-21 2001-07-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 反射板及び反射型液晶表示パネル、並びにその製造方法。
JP2001281698A (ja) 2000-03-30 2001-10-10 Advanced Display Inc 電気光学素子の製法
KR100457117B1 (ko) 2000-04-17 2004-11-16 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 반사판, 반사형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법, 광학부재, 표시 장치, 조명 장치, 표시판 및 파동 부재
US6747289B2 (en) * 2000-04-27 2004-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating thereof
JP4785229B2 (ja) 2000-05-09 2011-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2001337323A (ja) 2000-05-29 2001-12-07 Mitsubishi Electric Corp 反射型液晶表示装置とその製造方法、およびそれを用いた携帯機器
US7215393B2 (en) * 2000-07-28 2007-05-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Reflective plate and display device using the plate
JP3712637B2 (ja) 2000-08-11 2005-11-02 シャープ株式会社 液晶表示装置およびその欠陥修正方法
JP2002062665A (ja) 2000-08-16 2002-02-28 Koninkl Philips Electronics Nv 金属膜の製造方法、該金属膜を有する薄膜デバイス、及び該薄膜デバイスを備えた液晶表示装置
JP3904828B2 (ja) * 2000-12-07 2007-04-11 株式会社日立製作所 液晶表示装置
TW571165B (en) 2000-12-15 2004-01-11 Nec Lcd Technologies Ltd Liquid crystal display device
JP2002184908A (ja) * 2000-12-19 2002-06-28 Sony Corp 電子回路装置
JP3875125B2 (ja) 2001-04-11 2007-01-31 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP2002323705A (ja) * 2001-04-25 2002-11-08 Seiko Epson Corp 電気光学装置および電子機器
JP4111785B2 (ja) 2001-09-18 2008-07-02 シャープ株式会社 液晶表示装置
TW517393B (en) 2001-11-09 2003-01-11 Prime View Int Co Ltd TFT LCD structure with protrusion structure and its manufacturing method
JP2002236283A (ja) 2001-12-03 2002-08-23 Omron Corp 画像表示装置とその製造方法、及びマイクロレンズアレイ基板とその製造方法
TWI292849B (zh) 2001-12-31 2008-01-21 Prime View Int Corp Ltd
JP2003222854A (ja) * 2002-01-31 2003-08-08 Casio Comput Co Ltd 液晶表示装置およびその製造方法
JP4009776B2 (ja) * 2002-02-06 2007-11-21 カシオ計算機株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
JP3900975B2 (ja) 2002-03-06 2007-04-04 オムロン株式会社 反射板、反射型表示装置および電子機器並びに光反射方法および画像表示方法
JP4004835B2 (ja) 2002-04-02 2007-11-07 株式会社アドバンスト・ディスプレイ 薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法
JP4029663B2 (ja) 2002-05-22 2008-01-09 セイコーエプソン株式会社 半透過反射型液晶装置、およびそれを用いた電子機器
JP4117148B2 (ja) * 2002-05-24 2008-07-16 日本電気株式会社 半透過型液晶表示装置
JP4133088B2 (ja) 2002-08-01 2008-08-13 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 液晶表示装置
JP2004258366A (ja) 2003-02-26 2004-09-16 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器
JP2004264653A (ja) 2003-03-03 2004-09-24 Seiko Epson Corp 電気光学基板及びその製造方法、電気光学装置、電子機器
JP2004325503A (ja) 2003-04-21 2004-11-18 Sharp Corp 液晶表示装置
JP2005157105A (ja) 2003-11-27 2005-06-16 Sanyo Electric Co Ltd 半透過型液晶表示装置
JP2005173037A (ja) 2003-12-09 2005-06-30 Fujitsu Display Technologies Corp 液晶表示装置及びその製造方法
JP4338511B2 (ja) 2003-12-24 2009-10-07 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP4401221B2 (ja) 2003-12-25 2010-01-20 シャープ株式会社 液晶表示装置の製造方法
JP2005195733A (ja) 2004-01-05 2005-07-21 Hitachi Maxell Ltd マイクロレンズアレイを有する透明基板及び液晶表示装置
SG114747A1 (en) 2004-02-25 2005-09-28 Mitsubishi Gas Chemical Co Etching composition for laminated film including reflective electrode and method for forming laminated wiring structure
JP4499481B2 (ja) * 2004-06-03 2010-07-07 富士通株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
JP4606822B2 (ja) 2004-09-10 2011-01-05 シャープ株式会社 半透過型液晶表示装置の製造方法
JP2006098525A (ja) 2004-09-28 2006-04-13 Hitachi Maxell Ltd 光学部品及びその製造方法並びに当該方法で製造された光学部品を有する液晶表示装置
JP4578958B2 (ja) * 2004-12-16 2010-11-10 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP2006184673A (ja) 2004-12-28 2006-07-13 Seiko Epson Corp 液晶装置及び電子機器
JP4138759B2 (ja) * 2005-02-03 2008-08-27 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置および電子機器
JP2006220711A (ja) 2005-02-08 2006-08-24 Seiko Epson Corp 液晶装置、液晶装置用基板及び電子機器
JP2006220922A (ja) 2005-02-10 2006-08-24 Sony Corp 表示装置およびその製造方法
JP4440150B2 (ja) * 2005-03-16 2010-03-24 シャープ株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
JP4446307B2 (ja) 2005-04-08 2010-04-07 シャープ株式会社 積層フィルムの製造方法、積層フィルム、および表示装置の製造方法
KR100648223B1 (ko) * 2005-05-11 2006-11-24 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 반투과형 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치
US7705937B2 (en) * 2005-06-30 2010-04-27 Nec Lcd Technologies, Ltd. Transflective liquid crystal display device
JP4039444B2 (ja) 2005-07-15 2008-01-30 エプソンイメージングデバイス株式会社 液晶表示装置及び電子機器
JP4919644B2 (ja) 2005-10-04 2012-04-18 三菱電機株式会社 液晶表示装置
JP4637815B2 (ja) * 2005-12-05 2011-02-23 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置及び電子機器
EP1958019B1 (en) * 2005-12-05 2017-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
CN101432655B (zh) * 2006-05-01 2013-08-21 夏普株式会社 液晶显示器和液晶显示器的制造方法
US8300186B2 (en) * 2006-05-01 2012-10-30 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device comprising a reflection region having tilted first and second recesses and method for manufacturing the same
JP2008009425A (ja) * 2006-06-02 2008-01-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置及び電子機器
US7847904B2 (en) * 2006-06-02 2010-12-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic appliance
JP2007329099A (ja) 2006-06-09 2007-12-20 Sharp Corp 面光源装置および液晶表示装置
JPWO2008047517A1 (ja) * 2006-10-18 2010-02-18 シャープ株式会社 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法
JP2008242307A (ja) 2007-03-28 2008-10-09 Sharp Corp マイクロレンズアレイ付き液晶表示パネル
WO2009001508A1 (ja) * 2007-06-26 2008-12-31 Sharp Kabushiki Kaisha 液晶表示装置、及び液晶表示装置の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001004695A1 (fr) * 1999-07-07 2001-01-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dispositif d'affichage a cristaux liquides translucide
CN1402056A (zh) * 2001-08-22 2003-03-12 日本电气株式会社 液晶显示器
CN1544987A (zh) * 2003-11-24 2004-11-10 友达光电股份有限公司 具有多域垂直配向模式的晶体管液晶显示器

Also Published As

Publication number Publication date
JP5184517B2 (ja) 2013-04-17
EP2144109A4 (en) 2011-01-19
WO2008129748A1 (ja) 2008-10-30
US8659726B2 (en) 2014-02-25
JPWO2008129748A1 (ja) 2010-07-22
CN101663612A (zh) 2010-03-03
EP2144109B1 (en) 2012-05-23
EP2144109A1 (en) 2010-01-13
US20100053517A1 (en) 2010-03-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101663612B (zh) 液晶显示装置
CN101600987B (zh) 液晶显示装置
US8570473B2 (en) Display substrate, liquid crystal display panel having the same, and method of manufacturing the liquid crystal display panel
CN101688993B (zh) 液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法
CN101589331B (zh) 液晶显示装置
WO2017020518A1 (zh) 阵列基板、液晶显示面板及显示装置
CN101432656B (zh) 液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法
US7929096B2 (en) Liquid crystal display
US20070182908A1 (en) Liquid crystal display and thin film transistor array panel therefor
KR101391836B1 (ko) 어레이 기판 및 이를 포함하는 액정표시장치
CN104423107A (zh) 液晶显示装置及其制造方法
TWI446542B (zh) 陣列基板及其製造方法，具有陣列基板之顯示面板，以及具有陣列基板之液晶顯示裝置
CN101529318B (zh) 液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法
KR20050045471A (ko) 수평전계방식 액정표시소자 및 그 제조방법
KR101899095B1 (ko) 표시장치 및 그 제조방법
KR20140119912A (ko) 박막 트랜지스터 액정표시장치
JP2004151459A (ja) 液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置
JP2009139853A (ja) 液晶表示装置
KR101423909B1 (ko) 표시 기판 및 이를 구비하는 액정 표시 장치
US20150055066A1 (en) Thin film transistor substrate, method of manufacturing the same, and display device including the same
US20080111956A1 (en) Thin film transistor substrate capable of avoiding aperture reduction
CN101529317B (zh) 液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法
US9921448B2 (en) Display device
JP2008152157A (ja) 液晶表示装置およびその製造方法
KR20150137278A (ko) 어레이 기판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20110727

Termination date: 20191227

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee