JP4009776B2 - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4009776B2 JP4009776B2 JP2002028961A JP2002028961A JP4009776B2 JP 4009776 B2 JP4009776 B2 JP 4009776B2 JP 2002028961 A JP2002028961 A JP 2002028961A JP 2002028961 A JP2002028961 A JP 2002028961A JP 4009776 B2 JP4009776 B2 JP 4009776B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- reflective layer
- display device
- crystal display
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
この発明は液晶表示装置およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
図14は従来の反射型の液晶表示装置の一例の一部の断面図を示したものである。この液晶表示装置は、ガラス基板などからなる薄膜トランジスタ基板1を備えている。薄膜トランジスタ基板1の上面の各所定の箇所には、アルミニウムやアルミニウム合金などのアルミニウム系金属からなるゲート電極2を含む走査ライン(図示せず)が設けられている。
【0003】
ゲート電極2などを含む薄膜トランジスタ基板1の上面全体には窒化シリコンからなるゲート絶縁膜3が設けられている。ゲート絶縁膜3の上面の所定の箇所でゲート電極2に対応する部分には真性アモルファスシリコンからなる半導体薄膜4が設けられている。半導体薄膜4の上面のほぼ中央部には窒化シリコンからなるチャネル保護膜5が設けられている。
【0004】
チャネル保護膜5の上面両側およびその両側における半導体薄膜4の上面にはn型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層6、7が設けられている。一方のオーミックコンタクト層6の上面にはクロムやクロム合金などのクロム系金属からなるソース電極8が設けられている。他方のオーミックコンタクト層7の上面およびゲート絶縁膜3の上面の所定の箇所にはクロム系金属からなるドレイン電極9を含むデータライン(図示せず)が設けられている。
【0005】
そして、ゲート電極2、ゲート絶縁膜3、半導体薄膜4、チャネル保護膜5、オーミックコンタクト層6、7、ソース電極8およびドレイン電極9により、薄膜トランジスタ10が構成されている。
【0006】
薄膜トランジスタ10などを含むゲート絶縁膜3の上面全体にはポリイミドやアクリル樹脂などの有機材料からなるオーバーコート膜11が設けられている。オーバーコート膜11のソース電極8の所定の箇所に対応する部分にはコンタクトホール12が設けられている。オーバーコート膜11の上面の画素電極形成領域の大部分は、微細なテーパ付きの凹部13が形成されていることにより、微細な凸凹となっている。
【0007】
オーバーコート膜11の上面の画素電極形成領域には高反射性のアルミニウム系金属からなる画素電極14がコンタクトホール12を介してソース電極8に接続されて設けられている。この場合、画素電極14は、オーバーコート膜11の上面の微細な凸凹に追従して、微細な凸凹状に形成されている。
【0008】
ここで、画素電極14を高反射性のアルミニウム系金属によって形成しているのは、画素電極14に反射機能を持たせるためである。また、画素電極14を微細な凸凹状に形成しているのは、外光を散乱反射させることにより、防眩機能(例えば、観測者自身や観測者の背後の景色などの映り込みを防止する機能)を持たせるためである。
【0009】
次に、上記従来の液晶表示装置の薄膜トランジスタ基板1側の製造方法について説明する。まず、図15に示すように、薄膜トランジスタ基板1の上面の所定の箇所にアルミニウム系金属からなるゲート電極2を含む走査ライン(図示せず)を形成する。次に、ゲート電極2などを含む薄膜トランジスタ基板1の上面全体に窒化シリコンからなるゲート絶縁膜3、真性アモルファスシリコン膜21および窒化シリコン膜を連続して成膜し、窒化シリコン膜をパターニングすることにより、チャネル保護膜5を形成する。次に、真性アモルファスシリコン膜21の上面に形成された自然酸化膜(図示せず)をNH4F溶液を用いて除去する。
【0010】
次に、チャネル保護膜5を含む真性アモルファスシリコン膜21の上面全体にn型アモルファスシリコン膜22を成膜する。次に、n型アモルファスシリコン膜22および真性アモルファスシリコン膜21を連続してパターニングすることにより、図16に示すように、オーミックコンタクト層6、7および半導体薄膜4を形成する。
【0011】
次に、図17に示すように、一方のオーミックコンタクト層6の上面にクロム系金属からなるソース電極8を形成する。また、ソース電極8の形成と同時に、他方のオーミックコンタクト層7の上面およびゲート絶縁膜3の上面の所定の箇所にクロム系金属からなるドレイン電極9を含むデータライン(図示せず)を形成する。
【0012】
次に、薄膜トランジスタ10などを含むゲート絶縁膜3の上面全体に塗布法によりポリイミドやアクリル樹脂などの有機材料からなるオーバーコート膜11を形成する。次に、オーバーコート膜11のソース電極8の所定の箇所に対応する部分にコンタクトホール12を形成する。次に、オーバーコート膜11の上面の画素電極形成領域の大部分に、図14に示すように、微細なテーパ付きの凹部13を形成する。
【0013】
ここで、微細なテーパ付きの凹部13の形成方法について説明する(特開平10−319422公報参照)。まず、図17に示すように、コンタクトホール12を含むオーバーコート膜11の上面にレジスト膜23をパターン形成する。この場合、レジスト膜23の画素電極形成領域の大部分に対応する部分には微細な凸部23aが形成されている。
【0014】
次に、熱処理を行うことにより、凸部23aの上部の角を取って当該上部を丸くする。次に、ポリイミドやアクリル樹脂などの有機材料からなるオーバーコート膜11のうち、凸部23aを含むレジスト膜23で覆われていない部分をウェットエッチングによりハーフエッチングする。すると、図14に示すように、凸部23aの上部を角を取って丸くしていることにより、オーバーコート膜11の上面の画素電極形成領域の大部分に微細なテーパ付きの凹部13が形成される。
【0015】
この場合、オーバーコート膜11を窒化シリコンなどからなる無機材料をCVD法により成膜して形成すると、その上面に微細なテーパ付きの凹部13を形成することは困難である。そこで、上述の如く、オーバーコート膜11をポリイミドやアクリル樹脂などの有機材料を塗布法により塗布して形成している。
【0016】
次に、レジスト膜23を剥離する。次に、図14に示すように、オーバーコート膜11の上面の画素電極形成領域にアルミニウム系金属からなる画素電極2をコンタクトホール12を介してソース電極8に接続させて形成する。この場合、画素電極14は、オーバーコート膜11の上面の微細な凸凹に追従して、微細な凸凹状に形成される。かくして、図14に示す薄膜トランジスタ基板1側が得られる。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】
このように、上記従来の液晶表示装置では、反射機能を有する凸凹な画素電極14下のオーバーコート膜11の上面に微細なテーパ付きの凹部13を形成するために、オーバーコート膜11をポリイミドやアクリル樹脂などの有機材料を塗布法により塗布して形成している。しかしながら、塗布法により塗布されたポリイミドやアクリル樹脂などの有機材料からなるオーバーコート膜11では、CVD法により成膜された窒化シリコンなどの無機材料からなる絶縁膜と比較して緻密さに欠けるなどのため、画素電極14を形成するためのアルミニウム系金属膜をスパツタ法により成膜するときの耐熱性、当該アルミニウム系金属膜をウェットエッチングして画素電極14を形成するときの耐薬品浸食性、耐湿性に問題が発生しやすいという問題があった。
そこで、この発明は、凸凹な反射層下の絶縁層の上面を微細な凸凹ではなくほぼ平坦とすることができる液晶表示装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【0018】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の発明は、2枚の基板間に液晶が封入された液晶表示装置において、前記2枚の基板のうちの表示面側とは反対側の基板の内面側に表示面側が微細な凸凹でその反対側がほぼ平坦な多結晶状態の金属からなる反射層が設けられるとともに、前記表示面側とは反対側の基板の内面側に複数の画素電極がマトリクス状に配置され、前記複数の画素電極にそれぞれスイッチング素子が接続され、前記反射層は前記スイッチング素子を構成する電極のいずれかと同一の平面上に該電極と同一の材料によって形成されて設けられていることを特徴とするものである。請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記反射層は前記表示面側とは反対側の基板と前記各画素電極との間にそれぞれ設けられていることを特徴とするものである。請求項3に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記反射層と前記画素電極との間に無機材料からなる絶縁膜が設けられていることを特徴とするものである。請求項4に記載の発明は、2枚の基板間に液晶が封入された液晶表示装置の製造方法において、前記2枚の基板のうちの表示面側とは反対側の基板の内面側に表示面側およびその反対側がほぼ平坦な多結晶状態の金属からなる反射層を形成し、前記表示面側とは反対側の基板の内面側に複数の画素電極をマトリクス状に形成し、前記反射層を前記複数の画素電極にそれぞれ接続されるスイッチング素子を構成するいずれかの電極の形成と同時に該電極と同一の材料によって形成し、該反射層の表示面側に異方性エッチングにより微細な凹部を形成することを特徴とするものである。請求項5に記載の発明は、請求項4に記載の発明において、前記反射層を、前記複数の画素電極にそれぞれ対応するように形成することを特徴とするものである。請求項6に記載の発明は、請求項4に記載の発明において、前記反射層上に無機材料からなる絶縁膜を形成し、その上に前記画素電極を形成することを特徴とするものである。請求項7に記載の発明は、請求項4に記載の発明において、前記反射層と同時に形成する前記電極の表面に陽極酸化膜を形成することを特徴とするものである。請求項8に記載の発明は、請求項4に記載の発明において、前記異方性エッチングは加工液を用いたハーフエッチングであることを特徴とするものである。請求項9に記載の発明は、請求項4に記載の発明において、前記反射層をアルミニウム系金属によって形成することを特徴とするものである。請求項10に記載の発明は、請求項9に記載の発明において、前記異方性エッチングはふっ酸系溶液を用いたハーフエッチングであることを特徴とするものである。請求項11に記載の発明は、請求項10に記載の発明において、前記ふっ酸系溶液はNH4F溶液であることを特徴とするものである。そして、この発明によれば、表示面とは反対側がほぼ平坦な反射層の表示面側を微細な凸凹としているので、凸凹な反射層下の絶縁層の上面を微細な凸凹とする必要はなく、従って凸凹な反射層下の絶縁層の上面をほぼ平坦とすることができる。
【0019】
【発明の実施の形態】
(第1実施形態)
図1はこの発明の第1実施形態としての液晶表示装置の要部の断面図を示し、図2は同液晶表示装置の薄膜トランジスタ基板側の要部の透過平面図を示したものである。ただし、この場合、図1は図2のA−A線に沿う部分に相当する断面図である。
【0020】
この液晶表示装置は、ガラス基板などからなる薄膜トランジスタ基板31および対向基板51を備えている。薄膜トランジスタ基板31の上面側には、マトリクス状に配置された複数の画素電極32と、これらの画素電極32にそれぞれ接続された複数の薄膜トランジスタ33と、行方向に配置され、薄膜トランジスタ33に走査信号を供給する複数の走査ライン34と、列方向に配置され、薄膜トランジスタ33にデータ信号を供給する複数のデータライン35と、行方向に配置され、各画素電極32と重合する部分で補助容量部を形成する複数の補助容量ライン36と、各画素電極32のほぼ中央部と重合する位置に配置された複数の反射層37とが設けられている。
【0021】
すなわち、薄膜トランジスタ基板31の上面の各所定の箇所には、高反射性のアルミニウム系金属からなるゲート電極38を含む走査ライン34、補助容量ライン36および反射層37が設けられている。この場合、ゲート電極38を含む走査ライン34の表面および補助容量ライン36の表面にはそれぞれ陽極酸化膜39、40が設けられているが、反射層37の表面には陽極酸化膜は設けられていない。また、反射層37の上面は、微細な凹部37aが形成されていることにより、微細な凸凹状となっている。
【0022】
ゲート電極38などを含む薄膜トランジスタ基板31の上面全体には窒化シリコンからなるゲート絶縁膜41が設けられている。ゲート絶縁膜41の上面の所定の箇所でゲート電極38に対応する部分には真性アモルファスシリコンからなる半導体薄膜42が設けられている。半導体薄膜42の上面のほぼ中央部には窒化シリコンからなるチャネル保護膜43が設けられている。
【0023】
チャネル保護膜43の上面両側およびその両側における半導体薄膜42の上面にはn型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層44、45が設けられている。一方のオーミックコンタクト層44の上面にはクロム系金属からなるソース電極46が設けられている。他方のオーミックコンタクト層45の上面およびゲート絶縁膜41の上面の所定の箇所にはクロム系金属からなるドレイン電極47を含むデータライン35が設けられている。
【0024】
そして、ゲート電極38、陽極酸化膜39、ゲート絶縁膜41、半導体薄膜42、チャネル保護膜43、オーミックコンタクト層44、45、ソース電極46およびドレイン電極47により、薄膜トランジスタ33が構成されている。
【0025】
薄膜トランジスタ33などを含むゲート絶縁膜41の上面全体には窒化シリコンからなるオーバーコート膜48が設けられている。オーバーコート膜48のソース電極46の所定の箇所に対応する部分にはコンタクトホール49が設けられている。オーバーコート膜48上には、反射層37の全体を覆うITOからなる画素電極32が設けられ、該画素電極32はコンタクトホール49を介してソース電極46に接続されている。画素電極32を含むオーバーコート膜48の上面には配向膜50が設けられている。
【0026】
一方、対向基板51の下面にはブラックマスク52および赤、緑、青のカラーフィルタ53が設けられ、その下面には対向電極54が設けられ、その下面には配向膜55が設けられている。そして、薄膜トランジスタ基板31と対向基板51とはシール材(図示せず)を介して互いに貼り合わされている。また、シール材の内側における両基板31、51の配向膜50、55間には液晶56が封入されている。なお、図2において、反射層37よりも小さめの一点鎖線で囲まれた領域は、ブラックマスク52の開口部52aである。
【0027】
このように、この液晶表示装置では、画素電極32の中央部下にオーバーコート膜48およびゲート絶縁膜41を介して反射層37を設け、且つ、図2に示すように、反射層37を画素電極32よりも小さめでブラックマスク52の開口部52aよりも大きめとしている。この場合、反射層37は、できるだけ大きくした方が望ましい。従って、図2において、反射層37の上辺を補助容量ライン36に可及的に近づけ、左右辺を画素電極32の左右辺と一致させまたはその外側に配置し、下辺を走査ライン34に可及的に近づけるようにしてもよい。
【0028】
そして、この反射型の液晶表示装置では、対向基板51の上面側(表示面側)から入射された外光が対向基板51、カラーフィルタ53、対向電極54、配向膜55、液晶56、配向膜50、画素電極32および両絶縁膜48、41を透過して反射層37の微細な凸凹な上面で散乱反射され、この散乱反射光が上記とは逆の光路を経て対向基板51の上面側に出射され、これにより表示を行う。
【0029】
次に、図1および図2に示す液晶表示装置の薄膜トランジスタ基板31側の製造方法の一例について説明する。まず、図3に示すように、薄膜トランジスタ基板31の上面全体にスパッタ法によりアルミニウム系金属膜を成膜し、アルミニウム系金属膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、ゲート電極38を含む走査ライン34、補助容量ライン36および反射層37を形成する。この場合のパターニングは、ゲート電極38を含む走査ライン34および補助容量ライン36は次の工程で陽極酸化を行うため、配線により電気的に接続され、反射層37は、いずれの配線とも接続されないよう電気的に分離された島状に形成する。
【0030】
この状態では、反射層37の下面は薄膜トランジスタ基板31の平坦な上面に追従して平坦であり、上面もほぼ平坦である。また、この場合、反射層37を、ゲート電極38などの形成と同時にゲート電極38などと同一の材料つまり高反射性のアルミニウム系金属膜によって形成しているので、プロセスの増加は生じない。
【0031】
次に、陽極酸化処理を行うことにより、ゲート電極38を含む走査ライン34の表面および補助容量ライン36の表面にそれぞれ陽極酸化膜39、40を形成する。この場合、反射層37は島状であるため、反射層37には陽極酸化用電流が供給されず、従って反射層37の表面には陽極酸化膜は形成されない。このように、陽極酸化処理の前にパターニングしておくと、非陽極酸化部分である反射層37上にレジスト膜を形成することなく陽極酸化処理を行うことが可能となり、プロセスの増加は生じない。
【0032】
次に、図4に示すように、陽極酸化膜39、40などを含む薄膜トランジスタ基板31の上面にレジスト膜61をパターン形成する。この場合、レジスト膜61の反射層37に対応する部分には開口部62が形成されている。次に、ふっ酸系溶液例えばNH4F溶液を用いてハーフエッチングを行うと、図5に示すように、反射層37の上面に微細な凹部37aが形成される。
【0033】
ここで、微細な凹部37aの形成を考察するに、第1に、例えばアルミニウム合金膜は多結晶状態であり、このアルミニウム合金膜に対するNH4F溶液によるエッチングは異方性であるため、アルミニウム合金膜の結晶方位毎にエッチレートが異なる。第2に、アルミニウム合金膜の結晶粒界に不純物が偏析しているため、アルミニウム合金膜の結晶粒界のエッチング速度が他の部分よりも早い。以上の2点から、NH4F溶液を用いてハーフエッチングを行うと、反射層37の上面に微細な凹部37aが形成されるものと思われる。
【0034】
次に、レジスト膜61を剥離する。次に、図6に示すように、ゲート電極38などを含む薄膜トランジスタ基板31の上面全体にCVD法により窒化シリコンからなるゲート絶縁膜41、真性アモルファスシリコン膜63および窒化シリコン膜を連続して成膜し、窒化シリコン膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、チャネル保護膜43を形成する。次に、真性アモルファスシリコン膜31の上面に形成された自然酸化膜(図示せず)をNH4F溶液を用いて除去する。
【0035】
次に、チャネル保護膜43を含む真性アモルファスシリコン膜63の上面全体にCVD法によりn型アモルファスシリコン膜64を成膜する。次に、n型アモルファスシリコン膜64および真性アモルファスシリコン膜63をフォトリソグラフィ法により連続してパターニングすることにより、図7に示すように、オーミックコンタクト層44、45および半導体薄膜42を形成する。
【0036】
次に、図8に示すように、半導体薄膜42およびオーミックコンタクト層44、45を含むゲート絶縁膜41の上面全体にスパッタ法によりクロム系金属膜を成膜し、クロム系金属膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、ソース電極46およびドレイン電極47を含むデータライン35を形成する。
【0037】
次に、薄膜トランジスタ33などを含むゲート絶縁膜41の上面全体にCVD法により窒化シリコンからなるオーバーコート膜48を成膜する。次に、オーバーコート膜48のソース電極46の所定の箇所に対応する部分にフォトリソグラフィ法によりコンタクトホール49を形成する。
【0038】
次に、図1に示すように、コンタクトホール49内を含むオーバーコート膜48の上面全体にスパッタ法によりITO膜を成膜し、ITO膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、画素電極32をコンタクトホール49を介してソース電極46に接続させて形成する。次に、画素電極32を含むオーバーコート膜48の上面に配向膜50を形成する。かくして、図1に示す薄膜トランジスタ基板31側が得られる。
【0039】
このように、この製造方法では、薄膜トランジスタ基板31上に、高反射性のアルミニウム系金属により、上面に微細な凹部37aを有する反射層37を形成しているので、反射層37下の薄膜トランジスタ基板31の上面に微細な凹部を形成する必要はない。また、ITOからなる画素電極32は反射機能を備えていないので微細な凸凹状とする必要はなく、従ってその下のオーバーコート膜48の上面に微細な凹部を形成する必要もない。この結果、オーバーコート膜48を窒化シリコンなどからなる無機材料をCVD法により成膜して形成しても、何ら支障はなく、オーバーコート膜48の耐熱性、耐薬品浸食性、耐湿性を向上することができる。
【0040】
(第2実施形態)
図9はこの発明の第2実施形態としての液晶表示装置の薄膜トランジスタ基板31側の図1同様の断面図を示したものである。この液晶表示装置において、図1に示す場合と異なる点は、反射層37を、薄膜トランジスタ基板31上ではなく、ゲート絶縁膜41上に設けたことである。
【0041】
次に、この液晶表示装置の薄膜トランジスタ基板31側の製造方法の一例の一部について説明する。この場合、図7に示す状態において、当然のことながら、薄膜トランジスタ基板31上には反射層37は形成されていない。そして、図7に示す状態において、半導体薄膜42およびオーミックコンタクト層44、45を含むゲート絶縁膜41の上面全体にスパッタ法によりアルミニウム系金属膜を成膜し、アルミニウム系金属膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、図10に示すように、ソース電極46およびドレイン電極47などを形成し、その形成と同時に、ゲート絶縁膜41の上面の所定の箇所に反射層37を形成する。パターニングは、反射層37が、ソース電極46、およびドレイン電極47を含むデータライン35などのいずれの配線にも接続されないよう電気的に分離された島状に形成する。
【0042】
この状態では、反射層37の下面はゲート絶縁膜41のほぼ平坦な上面に追従してほぼ平坦であり、上面もほぼ平坦である。また、この場合、反射層37を、ソース電極46およびドレイン電極47などの形成と同時にソース電極46およびドレイン電極47などと同一の材料つまり高反射性のアルミニウム系金属膜によって形成しているので、プロセスの増加は生じない。
【0043】
次に、図11に示すように、薄膜トランジスタ33およびデータライン35などを含むゲート絶縁膜41の上面にレジスト膜71をパターン形成する。この場合、レジスト膜71の反射層37に対応する部分には開口部72が形成されている。次に、ふっ酸系溶液例えばNH4F溶液を用いてハーフエッチングを行うと、反射層37の上面に微細な凹部37aが形成される。次に、レジスト膜71を剥離する。
【0044】
次に、図9に示すように、薄膜トランジスタ33などを含むゲート絶縁膜41の上面全体にCVD法により窒化シリコンからなるオーバーコート膜48を成膜する。次に、オーバーコート膜48のソース電極46の所定の箇所に対応する部分にフォトリソグラフィ法によりコンタクトホール49を形成する。
【0045】
次に、コンタクトホール49内を含むオーバーコート膜48の上面全体にスパッタ法によりITO膜を成膜し、ITO膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、画素電極32をコンタクトホール49を介してソース電極46に接続させて形成する。次に、画素電極32を含むオーバーコート膜48の上面に配向膜50を形成する。かくして、図9に示す薄膜トランジスタ基板31側が得られる。
【0046】
このように、この製造方法では、ゲート絶縁膜41上に、高反射性のアルミニウム系金属により、上面に微細な凹部37aを有する反射層37を形成しているので、反射層37下のゲート絶縁膜41の上面に微細な凹部を形成する必要はない。また、ITOからなる画素電極32は反射機能を備えていないので微細な凸凹状とする必要はなく、従ってその下のオーバーコート膜48の上面に微細な凹部を形成する必要もない。この結果、この場合も、オーバーコート膜48を窒化シリコンなどからなる無機材料をCVD法により成膜して形成しても、何ら支障はなく、オーバーコート膜48の耐熱性、耐薬品浸食性、耐湿性を向上することができる。
【0047】
(第3実施形態)
図12はこの発明の第3実施形態としての液晶表示装置の薄膜トランジスタ基板31側の図1同様の断面図を示したものである。この液晶表示装置において、図1に示す場合と異なる点は、画素電極32に反射板としての機能を持たせたことである。
【0048】
次に、この液晶表示装置の薄膜トランジスタ基板31側の製造方法の一例の一部について説明する。この場合、図8に示す状態において、当然のことながら、薄膜トランジスタ基板31上には反射層37は形成されていない。そして、図8に示す状態において、コンタクトホール49内を含むオーバーコート膜48の上面全体にスパッタ法によりアルミニウム系金属膜を成膜し、アルミニウム系金属膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、図13に示すように、画素電極32をコンタクトホール49を介してソース電極46に接続させて形成する。
【0049】
この状態では、画素電極32の下面はゲート絶縁膜41のほぼ平坦な上面に追従してほぼ平坦であり、上面もほぼ平坦である。また、この場合、画素電極32を高反射性のアルミニウム系金属膜によって形成しているだけであるので、プロセスの増加は生じない。
【0050】
次に、ふっ酸系溶液例えばNH4F溶液を用いてハーフエッチングを行うと、図12に示すように、画素電極32の上面に微細な凹部32aが形成される。次に、画素電極32を含むオーバーコート膜48の上面に配向膜50を形成する。かくして、図12に示す薄膜トランジスタ基板31側が得られる。
【0051】
このように、この製造方法では、オーバーコート膜48上に、高反射性のアルミニウム系金属により、上面に微細な凹部32aを有する画素電極32を形成しているので、画素電極32下のオーバーコート膜48の上面に微細な凹部を形成する必要はない。従って、この場合も、オーバーコート膜48を窒化シリコンなどからなる無機材料をCVD法により成膜して形成しても、何ら支障はなく、オーバーコート膜48の耐熱性、耐薬品浸食性、耐湿性を向上することができる。また、画素電極32の上面に微細な凹部32aを形成するとき、レジスト膜を用いていないので、上記第1、第2実施形態の場合と比較して、製造工程数を少なくすることができる。
【0052】
(その他の実施形態)
なお、上記各実施形態では、チャネル保護タイプのアモルファスシリコン薄膜トランジスタについて説明したが、これに限らず、チャネルエッチタイプのアモルファスシリコン薄膜トランジスタやボトムゲートタイプのポリシリコン薄膜トランジスタなどであってもよい。また、スイッチング素子として、薄膜トランジスタの他、MIMなどの非線形素子を用いた液晶表示装置にも適用可能である。さらに、スイッチング素子を用いた液晶表示装置に限らず、単純マトリクス型の液晶表示装置などにも適用可能である。
【0053】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、表示面とは反対側がほぼ平坦な反射層の表示面側を微細な凸凹としているので、凸凹な反射層下の絶縁層の上面を微細な凸凹とする必要はなく、従って凸凹な反射層下の絶縁層の上面をほぼ平坦とすることができる。この結果、画素電極下の絶縁膜(オーバーコート膜)を窒化シリコンなどの無機材料によって形成することが可能となり、画素電極下の絶縁膜の耐熱性、耐薬品浸食性、耐湿性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1実施形態としての液晶表示装置の要部の断面図。
【図2】図1に示す液晶表示装置の薄膜トランジスタ基板側の透過平面図。
【図3】図1および図2に示す液晶表示装置の薄膜トランジスタ基板側の製造に際し、当初の製造工程の断面図。
【図4】図3に続く製造工程の断面図。
【図5】図4に続く製造工程の断面図。
【図6】図5に続く製造工程の断面図。
【図7】図6に続く製造工程の断面図。
【図8】図7に続く製造工程の断面図。
【図9】この発明の第2実施形態としての液晶表示装置の薄膜トランジスタ基板側の図1同様の断面図。
【図10】図9に示す薄膜トランジスタ基板側の製造に際し、所定の製造工程の断面図。
【図11】図10に続く製造工程の断面図。
【図12】この発明の第3実施形態としての液晶表示装置の薄膜トランジスタ基板側の図1同様の断面図。
【図13】従来の液晶表示装置の薄膜トランジスタ基板側の透過平面図。
【図14】図13に示す薄膜トランジスタ基板側の製造に際し、当初の製造工程の断面図。
【図15】図14に続く製造工程の断面図。
【図16】図15に続く製造工程の断面図。
【図17】図16に続く製造工程の断面図。
【符号の説明】
31 薄膜トランジスタ基板
32 画素電極
32a 凹部
33 薄膜トランジスタ
37 反射層
37a 凹部
38 ゲート電極
41 ゲート絶縁膜
46 ソース電極
47 ドレイン電極
48 オーバーコート膜
51 対向基板
56 液晶
Claims (11)
- 2枚の基板間に液晶が封入された液晶表示装置において、前記2枚の基板のうちの表示面側とは反対側の一の基板の内面側に表示面側が微細な凸凹でその反対側がほぼ平坦な多結晶状態の金属からなる反射層が設けられるとともに、前記表示面側とは反対側の基板の内面側に複数の画素電極がマトリクス状に配置され、前記複数の画素電極にそれぞれスイッチング素子が接続され、前記反射層は前記スイッチング素子を構成する電極のいずれかと同一の平面上に該電極と同一の材料によって形成されて設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
- 請求項1に記載の発明において、前記反射層は前記表示面側とは反対側の基板と前記各画素電極との間にそれぞれ設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
- 請求項1に記載の発明において、前記反射層と前記画素電極との間に無機材料からなる絶縁膜が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
- 2枚の基板間に液晶が封入された液晶表示装置の製造方法において、前記2枚の基板のうちの表示面側とは反対側の基板の内面側に表示面側およびその反対側がほぼ平坦な多結晶状態の金属からなる反射層を形成し、前記表示面側とは反対側の基板の内面側に複数の画素電極をマトリクス状に形成し、前記反射層を前記複数の画素電極にそれぞれ接続されるスイッチング素子を構成するいずれかの電極の形成と同時に該電極と同一の材料によって形成し、該反射層の表示面側に異方性エッチングにより微細な凹部を形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
- 請求項4に記載の発明において、前記反射層を、前記複数の画素電極にそれぞれ対応するように形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
- 請求項4に記載の発明において、前記反射層上に無機材料からなる絶縁膜を形成し、その上に前記画素電極を形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
- 請求項4に記載の発明において、前記反射層と同時に形成する前記電極の表面に陽極酸化膜を形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
- 請求項4に記載の発明において、前記異方性エッチングは加工液を用いたハーフエッチングであることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
- 請求項4に記載の発明において、前記反射層をアルミニウム系金属によって形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
- 請求項9に記載の発明において、前記異方性エッチングはふっ酸系溶液を用いた前記反射層に対するハーフエッチングであることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
- 請求項10に記載の発明において、前記ふっ酸系溶液はNH4F溶液であることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002028961A JP4009776B2 (ja) | 2002-02-06 | 2002-02-06 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002028961A JP4009776B2 (ja) | 2002-02-06 | 2002-02-06 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003228062A JP2003228062A (ja) | 2003-08-15 |
JP4009776B2 true JP4009776B2 (ja) | 2007-11-21 |
Family
ID=27749956
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002028961A Expired - Fee Related JP4009776B2 (ja) | 2002-02-06 | 2002-02-06 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4009776B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8659726B2 (en) | 2007-04-13 | 2014-02-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display and method of manufacturing liquid crystal display |
-
2002
- 2002-02-06 JP JP2002028961A patent/JP4009776B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003228062A (ja) | 2003-08-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100316036B1 (ko) | 횡방향전계형액티브매트릭스액정디스플레이장치및그제조방법 | |
US7733453B2 (en) | Method of fabricating a liquid crystal display device using a three mask process and double layer electrodes | |
US6642580B1 (en) | Thin film transistor array substrate and manufacturing method thereof | |
JP4354542B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
US7205570B2 (en) | Thin film transistor array panel | |
TW583468B (en) | Liquid crystal display apparatus serving both as transmission type and reflection type and method of manufacturing the same | |
JP2004199049A (ja) | 液晶表示装置用アレイ基板とその製造方法 | |
KR100673331B1 (ko) | 액정 표시장치 제조방법 및 그 제조방법에 따른액정표시장치 | |
JP2000077666A (ja) | Ito膜接続構造、tft基板及びその製造方法 | |
US6850299B2 (en) | Liquid crystal display device | |
KR100482167B1 (ko) | 액정표시장치및그제조방법 | |
US6549251B2 (en) | LCD having barrier layer in same plane as gate electrode and method of fabricating | |
JP4009776B2 (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
JPH09311327A (ja) | 液晶表示装置 | |
JPH11326941A (ja) | アクティブマトリクス表示装置 | |
JPH07199222A (ja) | 液晶表示装置 | |
JP4587265B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
KR100742985B1 (ko) | 반사형 및 투과반사형 액정표시장치와 그 제조방법 | |
JPH08262491A (ja) | 液晶表示素子およびその製造方法 | |
JP2001264802A (ja) | マトリクスアレイ基板 | |
KR100611043B1 (ko) | 액정 표시장치 제조방법 | |
JP3193859B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
KR100236614B1 (ko) | 액정표시장치의 제조방법 | |
KR0139348B1 (ko) | 액정표시판넬 제조방법 | |
KR0139345B1 (ko) | 액정용 박막트랜지스터 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041001 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20060208 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20060406 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060816 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060822 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061020 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070123 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070322 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070807 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070820 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100914 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100914 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110914 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120914 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130914 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |