JP3149793B2 - 反射型液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
反射型液晶表示装置及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、反射型液晶表示装
置及びその製造方法に関し、特に薄膜トランジスタを使
った表示装置及びその製造方法に関する。
置及びその製造方法に関し、特に薄膜トランジスタを使
った表示装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の反射型液晶表示装置としては、図
７に示すような特開平５−２２４１８６号公報に記載さ
れた例がある。すなわち、ガラス等の絶縁基板１の上
に、ゲート電極２があり、その上にゲート絶縁膜３があ
り、その上に島状に残された半導体層４がある。その半
導体層４の一端上にはドレイン電極６が形成され、他端
上には画素電極を兼ねた反射板５に接続されている電極
が形成され、とくに反射板５は高反射率を有するアルミ
（Ａｌ）等の金属で形成されている。
７に示すような特開平５−２２４１８６号公報に記載さ
れた例がある。すなわち、ガラス等の絶縁基板１の上
に、ゲート電極２があり、その上にゲート絶縁膜３があ
り、その上に島状に残された半導体層４がある。その半
導体層４の一端上にはドレイン電極６が形成され、他端
上には画素電極を兼ねた反射板５に接続されている電極
が形成され、とくに反射板５は高反射率を有するアルミ
（Ａｌ）等の金属で形成されている。
【０００３】上述の構成は、いわゆるＭＯＳ型トランジ
スタと同様な機能を有するもので、特に逆スタガ型薄膜
トランジスタと称するものである。この薄膜トランジス
タでは、半導体層４として非晶質シリコン（アモルファ
スシリコンと呼ぶことも多い）又は多結晶シリコン（ポ
リシリコンと呼ぶことも多い）がよく用いられ、半導体
層４とドレイン電極６等の金属との接続部分にはオーミ
ック接触のためにｎ型不純物を半導体層４にドープして
あることが多い。
スタと同様な機能を有するもので、特に逆スタガ型薄膜
トランジスタと称するものである。この薄膜トランジス
タでは、半導体層４として非晶質シリコン（アモルファ
スシリコンと呼ぶことも多い）又は多結晶シリコン（ポ
リシリコンと呼ぶことも多い）がよく用いられ、半導体
層４とドレイン電極６等の金属との接続部分にはオーミ
ック接触のためにｎ型不純物を半導体層４にドープして
あることが多い。
【０００４】次に、トランジスタの動作について簡単に
説明する。ゲート電極２に所定電圧以上を印加すると、
ドレイン電極６と反射板５の間に電流が流れ、ドレイン
電極６と反射板５は同電位となる。その後ゲート電極２
を再び元の電圧に戻すとドレイン電極６と反射板５との
間に電流は流れなくなるから反射板５に電荷を保持した
ままにすることができる。
説明する。ゲート電極２に所定電圧以上を印加すると、
ドレイン電極６と反射板５の間に電流が流れ、ドレイン
電極６と反射板５は同電位となる。その後ゲート電極２
を再び元の電圧に戻すとドレイン電極６と反射板５との
間に電流は流れなくなるから反射板５に電荷を保持した
ままにすることができる。
【０００５】反射型液晶表示装置では、上記薄膜トラン
ジスタの形成されている基板と対向電極８を有する対向
基板９とが液晶７を介在させて対向配置されている。そ
こで、先に説明した原理により薄膜トランジスタにより
反射板５と対向電極８の間の電圧が制御できるようにな
っており、その間の電圧に応じて液晶７が光学的に変化
するので表示が可能となる。カラー表示をするために
は、反射板５上にカラーフィルタ１０を形成すればよ
い。
ジスタの形成されている基板と対向電極８を有する対向
基板９とが液晶７を介在させて対向配置されている。そ
こで、先に説明した原理により薄膜トランジスタにより
反射板５と対向電極８の間の電圧が制御できるようにな
っており、その間の電圧に応じて液晶７が光学的に変化
するので表示が可能となる。カラー表示をするために
は、反射板５上にカラーフィルタ１０を形成すればよ
い。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】第一に、図７の構造で
は、非晶質シリコン等は光照射による電流が発生するの
で、図７に示すように、半導体層４に光が直接照射され
ると、反射板５に蓄えた電荷がドレイン電極６に逃げ
て、コントラストが低下する等の表示劣化が起きるとい
う問題点がある。このことは明るい環境で使用するため
の反射型液晶表示装置の目的に反することである。従っ
て、半導体層４に光が直接当たらない様に遮光層などを
別に設ける等の工夫が必要である。
は、非晶質シリコン等は光照射による電流が発生するの
で、図７に示すように、半導体層４に光が直接照射され
ると、反射板５に蓄えた電荷がドレイン電極６に逃げ
て、コントラストが低下する等の表示劣化が起きるとい
う問題点がある。このことは明るい環境で使用するため
の反射型液晶表示装置の目的に反することである。従っ
て、半導体層４に光が直接当たらない様に遮光層などを
別に設ける等の工夫が必要である。
【０００７】第二に、図７の反射板５に、明るさ向上の
ため反射率のよいアルミ（Ａｌ）を用いると、Ａｌが半
導体層４の非晶質シリコン中又は多結晶シリコン中に拡
散して薄膜トランジスタの特性が劣化するという問題点
がある。クロム等の金属では特性劣化の問題はないが、
反射率が低いため、暗い画面となり、実用的ではない。
ため反射率のよいアルミ（Ａｌ）を用いると、Ａｌが半
導体層４の非晶質シリコン中又は多結晶シリコン中に拡
散して薄膜トランジスタの特性が劣化するという問題点
がある。クロム等の金属では特性劣化の問題はないが、
反射率が低いため、暗い画面となり、実用的ではない。
【０００８】第三に、図７の半導体層４について、ドレ
イン電極６と反射板５との間の半導体層は液晶と接触し
ているが、この例では液晶中のイオン等で半導体表面が
汚染されるので動作信頼性が著しく悪いという問題点が
ある。なお、図示してはいないが、液晶と半導体層４と
の界面には配向膜としてポリイミド等の有機膜が形成さ
れているのが一般的であると言えるが、その場合でも、
ポリイミドでは液晶中のイオンをブロックできず、半導
体表面が汚染される。その解決策として有効な手段は、
半導体をむき出しにしないように、プラズマエンハンス
トＣＶＤ法等により成膜された窒化シリコン（ＳｉＮ
ｘ）等の無機絶縁膜を半導体層４上に設けることであ
る。しかし、薄膜トランジスタを有する基板全体に無機
絶縁膜を成膜しただけでは、各電極は外部に存在する回
路との電気接続ができないので、必要な部分にのみ無機
絶縁膜を残すように形成する工程が必要であり、その工
程増加がコストの面で問題である。
イン電極６と反射板５との間の半導体層は液晶と接触し
ているが、この例では液晶中のイオン等で半導体表面が
汚染されるので動作信頼性が著しく悪いという問題点が
ある。なお、図示してはいないが、液晶と半導体層４と
の界面には配向膜としてポリイミド等の有機膜が形成さ
れているのが一般的であると言えるが、その場合でも、
ポリイミドでは液晶中のイオンをブロックできず、半導
体表面が汚染される。その解決策として有効な手段は、
半導体をむき出しにしないように、プラズマエンハンス
トＣＶＤ法等により成膜された窒化シリコン（ＳｉＮ
ｘ）等の無機絶縁膜を半導体層４上に設けることであ
る。しかし、薄膜トランジスタを有する基板全体に無機
絶縁膜を成膜しただけでは、各電極は外部に存在する回
路との電気接続ができないので、必要な部分にのみ無機
絶縁膜を残すように形成する工程が必要であり、その工
程増加がコストの面で問題である。
【０００９】本発明は、半導体層に直接光が直接当たる
ことにより引き起こされる表示劣化をなくすとともに明
るい反射型液晶表示装置を低コストで提供することを目
的とする。
ことにより引き起こされる表示劣化をなくすとともに明
るい反射型液晶表示装置を低コストで提供することを目
的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の反射型液晶表示
装置は、薄膜トランジスタが順スタガ型に構成され、ゲ
ート絶縁膜上のゲート電極と、ソース電極上の反射板を
同時に形成できる構造となっている。半導体層がゲート
絶縁膜で覆われているので反射板として高反射率である
アルミ又はアルミを主成分とする合金を使用でき、明る
い反射型液晶装置が低コストで得られる。
装置は、薄膜トランジスタが順スタガ型に構成され、ゲ
ート絶縁膜上のゲート電極と、ソース電極上の反射板を
同時に形成できる構造となっている。半導体層がゲート
絶縁膜で覆われているので反射板として高反射率である
アルミ又はアルミを主成分とする合金を使用でき、明る
い反射型液晶装置が低コストで得られる。
【００１１】また、その製造方法としては、絶縁基板上
に、ドレイン電極及びソース電極を形成する工程と、そ
の上全体に半導体層及びゲート絶縁膜及び少なくとも一
部をアルミ又はアルミを主成分とする合金を順次成膜し
た後、ドレイン電極とソース電極を股がる位置の上に半
導体層及びゲート絶縁膜及びゲート電極を島状に形成す
るのと同時に、ソース電極上の少なくとも一部に、半導
体層及びゲート絶縁膜及び反射板を形成することを特徴
とする。また、上記ソース電極上に反射板を形成する前
に半導体層及びゲート絶縁膜を除去して反射板をソース
電極上に直接形成することも特徴とする。
に、ドレイン電極及びソース電極を形成する工程と、そ
の上全体に半導体層及びゲート絶縁膜及び少なくとも一
部をアルミ又はアルミを主成分とする合金を順次成膜し
た後、ドレイン電極とソース電極を股がる位置の上に半
導体層及びゲート絶縁膜及びゲート電極を島状に形成す
るのと同時に、ソース電極上の少なくとも一部に、半導
体層及びゲート絶縁膜及び反射板を形成することを特徴
とする。また、上記ソース電極上に反射板を形成する前
に半導体層及びゲート絶縁膜を除去して反射板をソース
電極上に直接形成することも特徴とする。
【００１２】本発明の構造のようにすると、課題であっ
た半導体層への光照射の問題はゲート電極が遮光膜の役
目をすることにより解決でき、また、半導体層にアルミ
が直接接触することによる問題もなくなる。さらに、ア
ルミの上に薄膜トランジスタを作らずに済むのでアルミ
の変質やヒロックと呼ばれるアルミの変形現象による不
具合も生じない。そして、非常に構造が簡素であるので
製造工程数を少なくできるものである。
た半導体層への光照射の問題はゲート電極が遮光膜の役
目をすることにより解決でき、また、半導体層にアルミ
が直接接触することによる問題もなくなる。さらに、ア
ルミの上に薄膜トランジスタを作らずに済むのでアルミ
の変質やヒロックと呼ばれるアルミの変形現象による不
具合も生じない。そして、非常に構造が簡素であるので
製造工程数を少なくできるものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】次に、発明の実施の形態について
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
【００１４】図１を参照すると、本発明の最良の実施の
形態は、絶縁基板１上にドレイン電極６とソース電極１
１があり、その上に順に、半導体層４、ゲート絶縁膜
３、そしてゲート電極２及び反射板５を有している。こ
こで、ゲート電極２と反射板５の両者は、少なくとも一
部をアルミ（Ａｌ）等の高反射率の同一の金属材料から
成っている。
形態は、絶縁基板１上にドレイン電極６とソース電極１
１があり、その上に順に、半導体層４、ゲート絶縁膜
３、そしてゲート電極２及び反射板５を有している。こ
こで、ゲート電極２と反射板５の両者は、少なくとも一
部をアルミ（Ａｌ）等の高反射率の同一の金属材料から
成っている。
【００１５】図１では、反射板５と、ソース電極１１の
間にゲート絶縁膜３と半導体層４が介在しているが、図
３に示すようにこれらは除去することもできる。
間にゲート絶縁膜３と半導体層４が介在しているが、図
３に示すようにこれらは除去することもできる。
【００１６】続いて製造方法について、図２を参照して
説明する。絶縁基板１上に金属膜を成膜し、リソグラフ
ィ法等によりドレイン電極６及びソース電極１１をパタ
ーン化して形成した図が図２（ａ）である。次に、連続
して、半導体層、ゲート絶縁膜、高反射率の金属層を成
膜し、リソグラフィ法等により、半導体層４、ゲート絶
縁膜３、ゲート電極２、及び反射板５をパターン化して
形成したのが図２（ｂ）である。パターン化は図２
（ａ）、図２（ｂ）の２回だけであるので、リソグラフ
ィ法では、露光用のマスクは２枚で済むことになる。ま
た、印刷法では、版は２枚で済むことになる。
説明する。絶縁基板１上に金属膜を成膜し、リソグラフ
ィ法等によりドレイン電極６及びソース電極１１をパタ
ーン化して形成した図が図２（ａ）である。次に、連続
して、半導体層、ゲート絶縁膜、高反射率の金属層を成
膜し、リソグラフィ法等により、半導体層４、ゲート絶
縁膜３、ゲート電極２、及び反射板５をパターン化して
形成したのが図２（ｂ）である。パターン化は図２
（ａ）、図２（ｂ）の２回だけであるので、リソグラフ
ィ法では、露光用のマスクは２枚で済むことになる。ま
た、印刷法では、版は２枚で済むことになる。
【００１７】ただし、先に述べたように反射板５とソー
ス電極１１の間に示してあるゲート絶縁膜３と半導体層
４が無い構造を作るときは、その為のさらに一回のリソ
グラフィ工程又は印刷工程が必要である。
ス電極１１の間に示してあるゲート絶縁膜３と半導体層
４が無い構造を作るときは、その為のさらに一回のリソ
グラフィ工程又は印刷工程が必要である。
【００１８】次ち、本発明の実施の形態の動作について
説明をする。
説明をする。
【００１９】まず、薄膜トランジスタの動作自体は従来
例と同じであるが、本発明では薄膜トランジスタよりも
たらされた電荷は、ソース電極１１と反射板５の間の容
量と反射板５と対向電極８の間の容量の合成容量につい
て保持されることになる。すなわち、ソース電極１１と
反射板５の間はゲート絶縁膜３により絶縁されているか
らこの部分の容量をＣinとし、反射板５と対向電極８の
間の液晶により絶縁されている部分の容量をＣlcとする
と、反射板５と対向電極８の間の電圧Ｖlcは、ソース電
極１１と対向電極８の間の電圧Ｖを用いてＶlc＝Ｖ×Ｃ
lc／（Ｃlc＋Ｃin） …式（１）である。従って、
ソース電極の電位を薄膜トランジスタで変化させること
により、液晶に印加される電圧Ｖlcが変わるから、その
電圧に応じて液晶７が光学的に変化して表示が可能とな
るものである。ただし、上述の説明では反射板５の初期
電位が無い場合であるが、実際には反射板５が電気的に
接続されていない状態（フローティング状態）であるの
で、原理的には反射体５の初期電位によってＶlcが変化
する。しかし、実際の応用では反射体５は、比抵抗１０
12 Ωｃｍ程度のわずかに導電性を有する液晶中に置か
れているので、各電極に電圧を与えていないときの反射
板５の初期電位は対向電極８の電位と同じであり特に問
題はない。
例と同じであるが、本発明では薄膜トランジスタよりも
たらされた電荷は、ソース電極１１と反射板５の間の容
量と反射板５と対向電極８の間の容量の合成容量につい
て保持されることになる。すなわち、ソース電極１１と
反射板５の間はゲート絶縁膜３により絶縁されているか
らこの部分の容量をＣinとし、反射板５と対向電極８の
間の液晶により絶縁されている部分の容量をＣlcとする
と、反射板５と対向電極８の間の電圧Ｖlcは、ソース電
極１１と対向電極８の間の電圧Ｖを用いてＶlc＝Ｖ×Ｃ
lc／（Ｃlc＋Ｃin） …式（１）である。従って、
ソース電極の電位を薄膜トランジスタで変化させること
により、液晶に印加される電圧Ｖlcが変わるから、その
電圧に応じて液晶７が光学的に変化して表示が可能とな
るものである。ただし、上述の説明では反射板５の初期
電位が無い場合であるが、実際には反射板５が電気的に
接続されていない状態（フローティング状態）であるの
で、原理的には反射体５の初期電位によってＶlcが変化
する。しかし、実際の応用では反射体５は、比抵抗１０
12 Ωｃｍ程度のわずかに導電性を有する液晶中に置か
れているので、各電極に電圧を与えていないときの反射
板５の初期電位は対向電極８の電位と同じであり特に問
題はない。
【００２０】なお、反射板５とソース電極１１の間のゲ
ート絶縁膜３及び半導体層４が無い場合、又は反射板５
とソース電極１１が電気的に接触している場合は、式
（１）でＣin＝０なので当然Ｖlc＝Ｖである。
ート絶縁膜３及び半導体層４が無い場合、又は反射板５
とソース電極１１が電気的に接触している場合は、式
（１）でＣin＝０なので当然Ｖlc＝Ｖである。
【００２１】
【実施例】次に、本発明の第一実施例について図１を参
照して詳細に説明する。
照して詳細に説明する。
【００２２】ガラス等の絶縁基板１上に、半導体層への
拡散問題を生じない金属薄膜としてＣｒのドレイン電極
６とソース電極１１があり、ドレイン電極６とソース電
極１１の間にまたがって非結晶シリコン又は多結晶シリ
コンから成る半導体層４と、その上に窒化シリコンから
成るゲート絶縁膜３、さらにその上に高反射率の金属層
としてアルミ（Ａｌ）から成るゲート電極２を有してい
る。一方、ソース電極１１上には半導体層４、その上に
ゲート絶縁膜３、さらにその上に反射板５があり、特に
これら三つの層の材料は、それぞれ先の半導体層４、ゲ
ート絶縁膜３、ゲート電極２の材料と一致するものであ
る。
拡散問題を生じない金属薄膜としてＣｒのドレイン電極
６とソース電極１１があり、ドレイン電極６とソース電
極１１の間にまたがって非結晶シリコン又は多結晶シリ
コンから成る半導体層４と、その上に窒化シリコンから
成るゲート絶縁膜３、さらにその上に高反射率の金属層
としてアルミ（Ａｌ）から成るゲート電極２を有してい
る。一方、ソース電極１１上には半導体層４、その上に
ゲート絶縁膜３、さらにその上に反射板５があり、特に
これら三つの層の材料は、それぞれ先の半導体層４、ゲ
ート絶縁膜３、ゲート電極２の材料と一致するものであ
る。
【００２３】次に、第一実施例の構造の製造方法につい
て図２を参照して説明する。
て図２を参照して説明する。
【００２４】ガラス等の絶縁基板上に加熱スパッタ法等
によりＣｒ薄膜を５０ｎｍから１００ｎｍ程度の膜厚で
膜を付け、次にリソグラフィ法又は印刷法によりドレイ
ン電極６とソース電極１１をパターン化する。このエッ
チングのときにパターンの端がテーパ形状になるように
すると、後でその上に半導体層４を付けたときに段差部
分で亀裂が入りにくくなるので良い。これにより図２
（ａ）の様になる。
によりＣｒ薄膜を５０ｎｍから１００ｎｍ程度の膜厚で
膜を付け、次にリソグラフィ法又は印刷法によりドレイ
ン電極６とソース電極１１をパターン化する。このエッ
チングのときにパターンの端がテーパ形状になるように
すると、後でその上に半導体層４を付けたときに段差部
分で亀裂が入りにくくなるので良い。これにより図２
（ａ）の様になる。
【００２５】次に、図２（ａ）の上全面にプラズマエン
ハンストＣＶＤ法等により非晶質シリコンを３０ｎｍか
ら１５０ｎｍの膜厚で成膜し、真空を破らずに連続して
窒化シリコン膜を２００ｎｍから５００ｎｍの膜厚で成
膜する。さらにそのままの基板上にアルミ（Ａｌ）をス
パッタ法等により１００ｎｍから８００ｎｍの膜厚で成
膜する。
ハンストＣＶＤ法等により非晶質シリコンを３０ｎｍか
ら１５０ｎｍの膜厚で成膜し、真空を破らずに連続して
窒化シリコン膜を２００ｎｍから５００ｎｍの膜厚で成
膜する。さらにそのままの基板上にアルミ（Ａｌ）をス
パッタ法等により１００ｎｍから８００ｎｍの膜厚で成
膜する。
【００２６】その後、リソグラフィ法又は印刷法により
半導体層４及びゲート絶縁膜３及びゲート電極２から成
る順スタガ型薄膜トランジスタを構成する部分と、反射
板５を有する部分とをパターン化すると図２（ｂ）の様
になる。
半導体層４及びゲート絶縁膜３及びゲート電極２から成
る順スタガ型薄膜トランジスタを構成する部分と、反射
板５を有する部分とをパターン化すると図２（ｂ）の様
になる。
【００２７】以降の工程は本発明にかかる部分では無い
ので簡単に述べるが、透明な導電膜から成る対向電極８
を有する対向基板９を、先の薄膜トランジスタ及び反射
板を有する基板に球状のスペーサを使って約５ミクロン
メートルの間隔あけて重ね、その間に液晶を封入する工
程と、ドレイン電極６とゲート電極２とをそれぞれ液晶
を封入した部分の外に引き出した配線に信号を与える回
路を接続する工程等を経て液晶表示装置が完成する。
ので簡単に述べるが、透明な導電膜から成る対向電極８
を有する対向基板９を、先の薄膜トランジスタ及び反射
板を有する基板に球状のスペーサを使って約５ミクロン
メートルの間隔あけて重ね、その間に液晶を封入する工
程と、ドレイン電極６とゲート電極２とをそれぞれ液晶
を封入した部分の外に引き出した配線に信号を与える回
路を接続する工程等を経て液晶表示装置が完成する。
【００２８】次に、本発明の第二実施例について図３を
参照して詳細に説明する。
参照して詳細に説明する。
【００２９】ガラス等の絶縁基板１上に、Ｃｒ薄膜によ
るドレイン電極６とソース電極１１があり、ドレイン電
極６とソース電極１１の間にまたがって非結晶シリコン
又は多結晶シリコンから成る半導体層４、その上に窒化
シリコンから成るゲート絶縁膜３、さらにその上にアル
ミ（Ａｌ）から成るゲート電極２を有している。ここま
での説明では第一実施例と同じであるが、ソース電極１
１上には第一実施例で存在する半導体層４及びゲート絶
縁膜３の全部若しくは少なくともその一部が無く、直接
反射板５とソース電極１１が接する部分が少なくとも一
部あり、特にその反射板５の材料とゲート電極２の材料
は同一である。
るドレイン電極６とソース電極１１があり、ドレイン電
極６とソース電極１１の間にまたがって非結晶シリコン
又は多結晶シリコンから成る半導体層４、その上に窒化
シリコンから成るゲート絶縁膜３、さらにその上にアル
ミ（Ａｌ）から成るゲート電極２を有している。ここま
での説明では第一実施例と同じであるが、ソース電極１
１上には第一実施例で存在する半導体層４及びゲート絶
縁膜３の全部若しくは少なくともその一部が無く、直接
反射板５とソース電極１１が接する部分が少なくとも一
部あり、特にその反射板５の材料とゲート電極２の材料
は同一である。
【００３０】次に、第二実施例の構造の製造方法につい
て図４を参照して説明する。
て図４を参照して説明する。
【００３１】ガラス等の絶縁基板上に加熱スパッタ法等
によりＣｒ薄膜を５０ｎｍから１００ｎｍ程度の膜厚で
成膜し、次にリソグラフィ法又は印刷法によりドレイン
電極６とソース電極１１をパターン化する。これにより
図４（ａ）の様になる。
によりＣｒ薄膜を５０ｎｍから１００ｎｍ程度の膜厚で
成膜し、次にリソグラフィ法又は印刷法によりドレイン
電極６とソース電極１１をパターン化する。これにより
図４（ａ）の様になる。
【００３２】次に、（ａ）の上全面にプラズマエンハン
ストＣＶＤ法等により非晶質シリコンを３０ｎｍから１
５０ｎｍの膜厚で成膜し、真空を破らずに連続して窒化
シリコン膜を２００ｎｍから５００ｎｍの膜厚で成膜す
る。次に、第一実施例と異なり、後に反射板５が作られ
る位置の全部又は少なくとも一部を除去すると同時に、
ドレイン電極６とソース電極１１にまたがる位置に島状
に半導体層４及びゲート絶縁膜３を残す。すると図４
（ｂ）の様になる。その後、基板上全体にアルミ（Ａ
ｌ）をスパッタ法等により１００ｎｍから８００ｎｍの
膜厚で成膜する。次に、リソグラフィ法又は印刷法によ
り半導体層４及びゲート絶縁膜３の上にアルミ（Ａｌ）
のゲート電極２が形成され薄膜トランジスタを構成する
部分ができ、またソース電極１１と接触した反射板５を
有する部分がパターン化され図４（ｃ）の様になる。
ストＣＶＤ法等により非晶質シリコンを３０ｎｍから１
５０ｎｍの膜厚で成膜し、真空を破らずに連続して窒化
シリコン膜を２００ｎｍから５００ｎｍの膜厚で成膜す
る。次に、第一実施例と異なり、後に反射板５が作られ
る位置の全部又は少なくとも一部を除去すると同時に、
ドレイン電極６とソース電極１１にまたがる位置に島状
に半導体層４及びゲート絶縁膜３を残す。すると図４
（ｂ）の様になる。その後、基板上全体にアルミ（Ａ
ｌ）をスパッタ法等により１００ｎｍから８００ｎｍの
膜厚で成膜する。次に、リソグラフィ法又は印刷法によ
り半導体層４及びゲート絶縁膜３の上にアルミ（Ａｌ）
のゲート電極２が形成され薄膜トランジスタを構成する
部分ができ、またソース電極１１と接触した反射板５を
有する部分がパターン化され図４（ｃ）の様になる。
【００３３】以降、先と同様の工程を経て完成する。
【００３４】第一実施例に基づいた別の実施の形態とし
ては、第三実施形態例として図５に示すようにゲート電
極及び反射板の金属膜を二重にし、アルミに孔を形成し
て反射板に凹凸形状をつけることもできる。反射板に凹
凸をつけるのは、表示したときに鏡のような映りこみを
防ぎ、また色々な方向からよく見えるように視野角を広
げるためである。
ては、第三実施形態例として図５に示すようにゲート電
極及び反射板の金属膜を二重にし、アルミに孔を形成し
て反射板に凹凸形状をつけることもできる。反射板に凹
凸をつけるのは、表示したときに鏡のような映りこみを
防ぎ、また色々な方向からよく見えるように視野角を広
げるためである。
【００３５】その場合、反射板５の一層目を例えばクロ
ム（Ｃｒ）１２とし、二層目をアルミ（Ａｌ）１３とす
れば、アルミの凹凸形状をリソグラフィによりつくると
きに、一層目のＣｒがエッチングストッパーとなるの
で、凹凸の加工がし易い。すなわち、これはゲート電極
２及び反射板５を少なくとも一部をアルミとした例であ
る。
ム（Ｃｒ）１２とし、二層目をアルミ（Ａｌ）１３とす
れば、アルミの凹凸形状をリソグラフィによりつくると
きに、一層目のＣｒがエッチングストッパーとなるの
で、凹凸の加工がし易い。すなわち、これはゲート電極
２及び反射板５を少なくとも一部をアルミとした例であ
る。
【００３６】次に、第二実施例に基づいた別の実施の形
態として、第四の実施形態例として図６の構造を例示す
る。すなわち、既に述べたように、図３に示したソース
電極１１上に半導体層４及びゲート絶縁膜３の少なくと
も一部に穴が空けられていて、直接に反射板５とソース
電極１１が接する部分が少なくとも一部あり、そして反
射板５の材料とゲート電極２の材料は同一である構造の
例である。このようにすると、第三実施形態例よりも反
射板の凹凸形状を大きくできるので、表示したときに鏡
のような映りこみを防ぐことと、色々な方向からよく見
えるように視野角を広げることが効率良くできることに
ついて効果的である。
態として、第四の実施形態例として図６の構造を例示す
る。すなわち、既に述べたように、図３に示したソース
電極１１上に半導体層４及びゲート絶縁膜３の少なくと
も一部に穴が空けられていて、直接に反射板５とソース
電極１１が接する部分が少なくとも一部あり、そして反
射板５の材料とゲート電極２の材料は同一である構造の
例である。このようにすると、第三実施形態例よりも反
射板の凹凸形状を大きくできるので、表示したときに鏡
のような映りこみを防ぐことと、色々な方向からよく見
えるように視野角を広げることが効率良くできることに
ついて効果的である。
【００３７】その第四の実施形態例の製造方法は、第二
の実施形態例の製造方法と同様である。ここでは、図６
に示されるように、反射板の下に半導体層４とゲート絶
縁膜３を残しておき、半導体層４及びゲート絶縁膜３の
一部分にドライエッチング又はウエットエッチング等に
より穴を空ける工程が含まれている。
の実施形態例の製造方法と同様である。ここでは、図６
に示されるように、反射板の下に半導体層４とゲート絶
縁膜３を残しておき、半導体層４及びゲート絶縁膜３の
一部分にドライエッチング又はウエットエッチング等に
より穴を空ける工程が含まれている。
【００３８】さらに実施の形態について補足する。
【００３９】図１、図３、図５、又は図６の絶縁基板１
上とドレイン電極６及びソース電極１１の間には酸化シ
リコンＳｉＯｘや窒化シリコンＳｉＮｘ等の無機膜を全
面に敷いても良い。絶縁基板１に汚染イオン等が存在す
る場合に、ドレイン電極６とソース電極１１の間の半導
体層４が直接に絶縁基板１と称するのを防ぐためであ
る。
上とドレイン電極６及びソース電極１１の間には酸化シ
リコンＳｉＯｘや窒化シリコンＳｉＮｘ等の無機膜を全
面に敷いても良い。絶縁基板１に汚染イオン等が存在す
る場合に、ドレイン電極６とソース電極１１の間の半導
体層４が直接に絶縁基板１と称するのを防ぐためであ
る。
【００４０】反射板５としてのアルミ（Ａｌ）は、アル
ミ（Ａｌ）を主成分とする合金、例えばＡｌ−Ｎｄでも
良い。
ミ（Ａｌ）を主成分とする合金、例えばＡｌ−Ｎｄでも
良い。
【００４１】さらに、８０％以上の反射率を有する材料
ならばアルミに限定されるものではない。例えば白金や
銀などが考えられるが、これらは製造コストを増加させ
るので、実用性の点から９０％以上の反射率を有するア
ルミまたはその合金が望ましいと言える。また、反射板
は光を乱反射して表示を色々な方向から見やすくする為
に、粗面としても良い。
ならばアルミに限定されるものではない。例えば白金や
銀などが考えられるが、これらは製造コストを増加させ
るので、実用性の点から９０％以上の反射率を有するア
ルミまたはその合金が望ましいと言える。また、反射板
は光を乱反射して表示を色々な方向から見やすくする為
に、粗面としても良い。
【００４２】前述した実施例では、ドレイン電極、ソー
ス電極の材料としてＣｒを用いたが、Ｗ，Ｍｏ，Ｔｉな
どを用いても良い。これらは反射率が８０％に満たない
ので、反射板材料として使うのは不適当と考えられる。
ス電極の材料としてＣｒを用いたが、Ｗ，Ｍｏ，Ｔｉな
どを用いても良い。これらは反射率が８０％に満たない
ので、反射板材料として使うのは不適当と考えられる。
【００４３】
【発明の効果】本発明の第一の効果は、図１及び図３に
示すようにゲート電極により半導体層４が遮光されてお
り、直接光が半導体層４に照射されることがないので、
ソース電極１１からドレイン電極６へ逃げる電荷が無
く、コントラスト比低下等の表示劣化を起こさないこと
である。
示すようにゲート電極により半導体層４が遮光されてお
り、直接光が半導体層４に照射されることがないので、
ソース電極１１からドレイン電極６へ逃げる電荷が無
く、コントラスト比低下等の表示劣化を起こさないこと
である。
【００４４】第二の効果は、本発明の構造では、半導体
層４のドレイン電極６とソース電極１１の間の半導体層
４の表面が液晶又はポリイミドに曝されることが無いの
で、液晶又はポリイミド中のイオンによる半導体表面の
汚染がなく薄膜トランジスタの動作信頼性が向上するこ
とである。
層４のドレイン電極６とソース電極１１の間の半導体層
４の表面が液晶又はポリイミドに曝されることが無いの
で、液晶又はポリイミド中のイオンによる半導体表面の
汚染がなく薄膜トランジスタの動作信頼性が向上するこ
とである。
【００４５】第三の効果は、反射板５より上には特別な
構造をつくる必要が無いので、反射板５及びゲート電極
２の材料であるアルミ等の膜を厚くして、反射板５を荒
らし、鏡のような映りこみを防ぎ、表示を色々な方向か
ら見やすくすることができることである。さらに、反射
板５を、アルミと、アルミとエッチング選択性のある金
属の二層にすれば、エッチングによりアルミに凹凸形状
をつくれるので、反射板を荒らすことが容易である。
構造をつくる必要が無いので、反射板５及びゲート電極
２の材料であるアルミ等の膜を厚くして、反射板５を荒
らし、鏡のような映りこみを防ぎ、表示を色々な方向か
ら見やすくすることができることである。さらに、反射
板５を、アルミと、アルミとエッチング選択性のある金
属の二層にすれば、エッチングによりアルミに凹凸形状
をつくれるので、反射板を荒らすことが容易である。
【００４６】また、アルミを厚くできればゲート電極２
も低抵抗にできるので信号の伝達遅延も少なくできると
いう効果も有する。
も低抵抗にできるので信号の伝達遅延も少なくできると
いう効果も有する。
【００４７】以上、本発明は、従来の技術の課題を全て
解決しつつ、従来よりも少ない工程で優れた明るい反射
型液晶表示装置を提供するものである。
解決しつつ、従来よりも少ない工程で優れた明るい反射
型液晶表示装置を提供するものである。
【図１】本発明の第一の実施形態例を示す反射型液晶表
示装置の断面図である。
示装置の断面図である。
【図２】本発明の第一の実施形態例の製造過程を示す薄
膜トランジスタ側基板の断面図である。
膜トランジスタ側基板の断面図である。
【図３】本発明の第二の実施形態例を示す反射型液晶表
示装置の断面図である。
示装置の断面図である。
【図４】本発明の第二の実施形態例の製造過程を示す薄
膜トランジスタ側基板の断面図である。
膜トランジスタ側基板の断面図である。
【図５】本発明の第三の実施形態例を示す薄膜トランジ
スタ側基板の断面図である。
スタ側基板の断面図である。
【図６】本発明の第四の実施形態例を示す薄膜トランジ
スタ側基板の断面図である。
スタ側基板の断面図である。
【図７】従来の技術を示す反射型液晶表示装置の断面図
である。
である。
１ 絶縁基板 ２ ゲート電極 ３ ゲート絶縁膜 ４ 半導体層 ５ 反射板 ６ ドレイン電極 ７ 液晶 ８ 対向電極 ９ 対向基板 １０ カラーフィルタ １１ ソース電極 １２ Ｃｒ １３ Ａｌ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野口 今朝男 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気 株式会社内 (56)参考文献 特開 平７−218930（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1368 G02F 1/1335 520 G02F 1/1343
Claims (6)
- 【請求項１】 絶縁基板上に、ドレイン電極及びソース
電極を有し、前記ドレイン電極と前記ソース電極の間に
股がる位置上に、半導体層及びゲート絶縁膜及びゲート
電極膜がこの順に積層された薄膜トランジスタと、前記
ソース電極上に形成され、かつ前記ゲート電極と同一材
料で形成された反射板とを有し、前記ソース電極と前記
反射板との間には前記半導体層及び前記ゲート絶縁膜が
介在していることを特徴とする反射型液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記半導体層及びゲート絶縁膜の少なく
とも一部に貫通孔が形成され、前記反射板の一部が前記
貫通孔を介して前記ソース電極に電気的に接続されてい
ることを特徴とする請求項１記載の反射型液晶表示装
置。 - 【請求項３】 絶縁基板上に、ドレイン電極及びソース
電極を形成する工程と、前記ドレイン電極及び前記ソー
ス電極上に半導体層及びゲート絶縁膜及び少なくとも一
部をアルミ又はアルミを主成分とする合金を順次成膜し
た後、パターニングを行い、前記ドレイン電極の一部及
び前記ソース電極の一部と重なるように前記半導体層、
前記ゲート絶縁膜及び前記アルミ又は前記アルミを主成
分とする合金からなるゲート電極を形成すると同時に、
前記ソース電極の一部と重なるように前記半導体層、前
記ゲート絶縁膜及び前記アルミ又は前記アルミを主成分
とする合金からなる反射板とを形成する工程を有するこ
とを特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記反射板に凹凸形状を形成することを
特徴とする請求項３記載の反射型液晶表示装置の製造方
法。 - 【請求項５】 絶縁基板上に、ドレイン電極及びソース
電極を形成する工程と、前記ドレイン電極及び前記ソー
ス電極上に半導体層及びゲート絶縁膜を成膜する工程
と、前記半導体層及び前記ゲート絶縁膜を、後に反射板
が作られる位置の少なくとも一部を除去すると同時に、
前記ドレイン電極及び前記ソース電極にまたがる位置に
島状に前記半導体層及び前記ゲート絶縁膜を残す工程
と、アルミ又はアルミを主成分とする合金を成膜した
後、パターニングを行い、前記アルミ又は前記アルミを
主成分とする合金からなるゲート電極を形成すると同時
に、前記ソース電極と接触した前記アルミ又は前記アル
ミを主成分とする合金からなる 反射板とを形成する工程
を有することを特徴とする請求項１記載の反射型液晶表
示装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記絶縁基板上にあらかじめ無機膜を全
面に成膜する工程を有することを特徴とする請求項３記
載の反射型液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19128696A JP3149793B2 (ja) | 1996-07-22 | 1996-07-22 | 反射型液晶表示装置及びその製造方法 |
| TW086110439A TW353807B (en) | 1996-07-22 | 1997-07-22 | Reflection type liquid crystal display element and its production |
| US08/898,388 US6154264A (en) | 1996-07-22 | 1997-07-22 | Reflective liquid crystal display with gate covering semiconductor and reflector isolated from pixel electrode |
| KR1019970035515A KR100229371B1 (ko) | 1996-07-22 | 1997-07-22 | 반사형 액정 디스플레이 및 이의 형성 방법 |
| US09/621,744 US6545735B1 (en) | 1996-07-22 | 2000-07-21 | Reflective plate structure provided in a reflective liquid crystal display having a thin film transistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19128696A JP3149793B2 (ja) | 1996-07-22 | 1996-07-22 | 反射型液晶表示装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1039297A JPH1039297A (ja) | 1998-02-13 |
| JP3149793B2 true JP3149793B2 (ja) | 2001-03-26 |
Family
ID=16272044
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19128696A Expired - Lifetime JP3149793B2 (ja) | 1996-07-22 | 1996-07-22 | 反射型液晶表示装置及びその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6154264A (ja) |
| JP (1) | JP3149793B2 (ja) |
| KR (1) | KR100229371B1 (ja) |
| TW (1) | TW353807B (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4223094B2 (ja) * | 1998-06-12 | 2009-02-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電気光学表示装置 |
| JP4292596B2 (ja) * | 1998-06-19 | 2009-07-08 | ソニー株式会社 | 拡散反射板及びその製造方法と表示装置 |
| KR20000015173A (ko) * | 1998-08-27 | 2000-03-15 | 김영환 | 박막 트랜지스터 액정표시소자 |
| US6654082B1 (en) * | 1998-09-16 | 2003-11-25 | Optrex Corporation | Liquid crystal display element and color display device having particular transflector |
| KR100421901B1 (ko) * | 1998-12-10 | 2004-04-17 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반사형액정표시장치의반사판 |
| US6801293B1 (en) | 1999-10-06 | 2004-10-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for manufacturing an in-plane electric field mode liquid crystal element |
| KR100766493B1 (ko) * | 2001-02-12 | 2007-10-15 | 삼성전자주식회사 | 박막트랜지스터 액정표시장치 |
| KR100462376B1 (ko) * | 2001-12-31 | 2004-12-17 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 반사형 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| KR100606448B1 (ko) * | 2003-12-29 | 2006-07-31 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | ２마스크를 적용한 액정표시소자 제조방법 |
| KR101133759B1 (ko) * | 2004-12-28 | 2012-04-09 | 삼성전자주식회사 | 전기 영동 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| US7873250B2 (en) * | 2005-02-21 | 2011-01-18 | Chimei Innolux Corporation | LCD with reduced flicker and a method for manufacturing thereof |
| EP2128690B1 (en) * | 2007-01-24 | 2013-10-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| EP2124094A4 (en) * | 2007-01-31 | 2011-09-07 | Sharp Kk | LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE |
| WO2008129748A1 (ja) * | 2007-04-13 | 2008-10-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | 液晶表示装置、及び液晶表示装置の製造方法 |
| EP2166403A4 (en) * | 2007-06-26 | 2011-05-25 | Sharp Kk | Liquid crystal display arrangement and method for producing a liquid crystal display |
| JP5395566B2 (ja) * | 2009-08-20 | 2014-01-22 | パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 | 表示装置及びその製造方法 |
| CN104485338B (zh) * | 2014-12-15 | 2017-06-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及制作方法、液晶显示面板和反射式液晶显示器 |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3832034A (en) * | 1973-04-06 | 1974-08-27 | Ibm | Liquid crystal display assembly |
| JPS5655920A (en) * | 1979-10-13 | 1981-05-16 | Toshiba Corp | Liquid crystal display device |
| JPS5694386A (en) * | 1979-12-27 | 1981-07-30 | Suwa Seikosha Kk | Liquiddcrystal display unit |
| US4431272A (en) * | 1980-05-08 | 1984-02-14 | Kabushiki Kaisha Suwa Seikosha | Liquid crystal display device |
| US4382658A (en) * | 1980-11-24 | 1983-05-10 | Hughes Aircraft Company | Use of polysilicon for smoothing of liquid crystal MOS displays |
| JPS58125084A (ja) * | 1982-01-21 | 1983-07-25 | 株式会社東芝 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| JPS61138285A (ja) * | 1984-12-10 | 1986-06-25 | ホシデン株式会社 | 液晶表示素子 |
| JPS62285464A (ja) * | 1986-06-03 | 1987-12-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法 |
| JP2759207B2 (ja) * | 1988-06-16 | 1998-05-28 | カシオ計算機株式会社 | 画素電極と薄膜トランジスタの形成方法 |
| JP2859896B2 (ja) * | 1988-11-15 | 1999-02-24 | 株式会社東芝 | 液晶表示装置 |
| US5042918A (en) * | 1988-11-15 | 1991-08-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid crystal display device |
| JP2764139B2 (ja) * | 1989-10-20 | 1998-06-11 | ホシデン・フィリップス・ディスプレイ株式会社 | アクティブマトリックス液晶表示素子 |
| FR2679057B1 (fr) * | 1991-07-11 | 1995-10-20 | Morin Francois | Structure d'ecran a cristal liquide, a matrice active et a haute definition. |
| JPH05224186A (ja) * | 1992-02-12 | 1993-09-03 | Stanley Electric Co Ltd | 反射型液晶表示装置 |
| JP3066192B2 (ja) * | 1992-07-10 | 2000-07-17 | シャープ株式会社 | 反射型アクティブマトリクス基板の製造方法 |
| JPH0618908A (ja) * | 1992-07-02 | 1994-01-28 | Ricoh Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2896067B2 (ja) * | 1994-02-04 | 1999-05-31 | 三洋電機株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP2864464B2 (ja) * | 1994-12-22 | 1999-03-03 | 日本ビクター株式会社 | 反射型アクティブ・マトリクス・ディスプレイ・パネル及びその製造方法 |
| JP2768313B2 (ja) * | 1995-06-13 | 1998-06-25 | 日本電気株式会社 | 反射型液晶表示装置 |
| JP3146138B2 (ja) * | 1995-08-30 | 2001-03-12 | シャープ株式会社 | 反射型液晶表示装置及び情報端末機器 |
-
1996
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-
1997
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-
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