JP3410656B2 - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置及びその製造方法Info
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- JP3410656B2 JP3410656B2 JP08539998A JP8539998A JP3410656B2 JP 3410656 B2 JP3410656 B2 JP 3410656B2 JP 08539998 A JP08539998 A JP 08539998A JP 8539998 A JP8539998 A JP 8539998A JP 3410656 B2 JP3410656 B2 JP 3410656B2
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- reflective electrode
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】透過電極と反射電極を備えた
液晶表示装置に関する。
液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の液晶表示装置のアクティブマトリ
クス基板の１画素の断面図を図５に示す。アクティブマ
トリクス基板は、ゲート電極２、ゲート絶縁膜４、半導
体層５、半導体コンタクト層６、透過電極８、ソース電
極９ｂ、ドレイン電極９ｃ、層間絶縁膜１０、反射電極
１１、コンタクト部１２を備えている。
クス基板の１画素の断面図を図５に示す。アクティブマ
トリクス基板は、ゲート電極２、ゲート絶縁膜４、半導
体層５、半導体コンタクト層６、透過電極８、ソース電
極９ｂ、ドレイン電極９ｃ、層間絶縁膜１０、反射電極
１１、コンタクト部１２を備えている。
【０００３】液晶表示装置は、図示しない対向基板と上
記アクティブマトリクス基板の間に液晶層を介在させ
て、アクティブマトリクス基板の透明電極８及び反射電
極１１と対向基板に形成された対向電極の間に電圧を印
加して液晶の配向状態を変化させて表示を行う。
記アクティブマトリクス基板の間に液晶層を介在させ
て、アクティブマトリクス基板の透明電極８及び反射電
極１１と対向基板に形成された対向電極の間に電圧を印
加して液晶の配向状態を変化させて表示を行う。
【０００４】反射電極１１では外光等を反射電極１１に
て反射させて表示を行い、反射電極１１が形成されてい
ない透過電極８の領域では下方に設置されたバックライ
ト等からの光を上方に透過させ表示を行う。従って、図
５のアクティブマトリクス基板を備えた液晶表示装置
は、バックライトの光と外光を利用して明るい表示が得
られる。
て反射させて表示を行い、反射電極１１が形成されてい
ない透過電極８の領域では下方に設置されたバックライ
ト等からの光を上方に透過させ表示を行う。従って、図
５のアクティブマトリクス基板を備えた液晶表示装置
は、バックライトの光と外光を利用して明るい表示が得
られる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】透過電極８に用いられ
る酸化インジュウム系の薄膜は、カバレッジ特性が悪い
ため、ドレイン電極との接続部であるコンタクト部で断
線が生じやすく、断線が生じた場合、スイッチング素子
から透過電極８や反射電極１１に液晶駆動用の電圧が印
加されず表示不良となる。
る酸化インジュウム系の薄膜は、カバレッジ特性が悪い
ため、ドレイン電極との接続部であるコンタクト部で断
線が生じやすく、断線が生じた場合、スイッチング素子
から透過電極８や反射電極１１に液晶駆動用の電圧が印
加されず表示不良となる。
【０００６】また、反射電極１１上に透過電極８を形成
する場合、反射電極１１の端部では透過電極８が反射電
極１１を乗り越える形になるため、カバレッジ特性の悪
い透過電極８に断線等が発生や抵抗値が増大して表示不
良となる。
する場合、反射電極１１の端部では透過電極８が反射電
極１１を乗り越える形になるため、カバレッジ特性の悪
い透過電極８に断線等が発生や抵抗値が増大して表示不
良となる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁性基板上
に形成されたスイッチング素子と、該スイッチング素子
上に形成された層間絶縁膜と、該層間絶縁膜の前記スイ
ッチング素子上に形成されたコンタクト部を介して前記
スイッチング素子と電気的に接続された反射電極及び透
過電極とを備えた液晶表示装置において、前記反射電極
と前記透過電極からなる絵素電極を備え、前記コンタク
ト部上には前記反射電極が形成されていることを特徴と
する。
に形成されたスイッチング素子と、該スイッチング素子
上に形成された層間絶縁膜と、該層間絶縁膜の前記スイ
ッチング素子上に形成されたコンタクト部を介して前記
スイッチング素子と電気的に接続された反射電極及び透
過電極とを備えた液晶表示装置において、前記反射電極
と前記透過電極からなる絵素電極を備え、前記コンタク
ト部上には前記反射電極が形成されていることを特徴と
する。
【０００８】また、前記透過電極は、酸化インジュウム
を主成分とする材料であることを特徴とする。また、前
記反射電極は、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、
Ｗ、Ｎｉのいづれかの金属、及びこれらの金属を主成分
とする材料であることを特徴とする。
を主成分とする材料であることを特徴とする。また、前
記反射電極は、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、
Ｗ、Ｎｉのいづれかの金属、及びこれらの金属を主成分
とする材料であることを特徴とする。
【０００９】また、絶縁性基板上に形成されたスイッチ
ング素子と、該スイッチング素子上に形成された層間絶
縁膜と、該層間絶縁膜のスイッチング素子上に形成され
たコンタクト部を介してスイッチング素子と電気的に接
続された反射電極及び透過電極とを備えた液晶表示装置
の製造方法において、前記コンタクト部が形成された前
記層間絶縁膜上に、透過電極材料を成膜した後に反射電
極材料を成膜する工程と、前記透過電極材料と前記反射
電極材料を前記反射電極の領域と前記透過電極の領域を
含む絵素形状にパターニングする工程と、前記反射電極
材料を前記反射電極の領域の形状にパターニングする工
程により、前記反射電極と前記透過電極からなる絵素電
極を形成することを特徴とする。
ング素子と、該スイッチング素子上に形成された層間絶
縁膜と、該層間絶縁膜のスイッチング素子上に形成され
たコンタクト部を介してスイッチング素子と電気的に接
続された反射電極及び透過電極とを備えた液晶表示装置
の製造方法において、前記コンタクト部が形成された前
記層間絶縁膜上に、透過電極材料を成膜した後に反射電
極材料を成膜する工程と、前記透過電極材料と前記反射
電極材料を前記反射電極の領域と前記透過電極の領域を
含む絵素形状にパターニングする工程と、前記反射電極
材料を前記反射電極の領域の形状にパターニングする工
程により、前記反射電極と前記透過電極からなる絵素電
極を形成することを特徴とする。
【００１０】また、絶縁性基板上に形成されたスイッチ
ング素子と、該スイッチング素子上に形成された層間絶
縁膜と、該層間絶縁膜のスイッチング素子上に形成され
たコンタクト部を介してスイッチング素子と電気的に接
続された反射電極及び透過電極とを備えた液晶表示装置
の製造方法において、前記コンタクト部が形成された前
記層間絶縁膜上に、透過電極材料を成膜した後に反射電
極材料を成膜する工程と、前記反射電極材料を前記反射
電極の領域の形状にパターニングする工程と、前記透過
電極材料を前記反射電極の領域と前記透過電極の領域を
含む絵素形状にパターニングする工程により、前記反射
電極と前記透過電極からなる絵素電極を形成することを
特徴とする。
ング素子と、該スイッチング素子上に形成された層間絶
縁膜と、該層間絶縁膜のスイッチング素子上に形成され
たコンタクト部を介してスイッチング素子と電気的に接
続された反射電極及び透過電極とを備えた液晶表示装置
の製造方法において、前記コンタクト部が形成された前
記層間絶縁膜上に、透過電極材料を成膜した後に反射電
極材料を成膜する工程と、前記反射電極材料を前記反射
電極の領域の形状にパターニングする工程と、前記透過
電極材料を前記反射電極の領域と前記透過電極の領域を
含む絵素形状にパターニングする工程により、前記反射
電極と前記透過電極からなる絵素電極を形成することを
特徴とする。
【００１１】以下に本発明による作用について説明す
る。一般的に透過電極として使われる酸化インジュウム
系薄膜は、カバレッジ特性が悪い。本発明によれば、層
間絶縁膜のコンタクト部を介して、反射電極と透過電極
からなる絵素電極と、スイッチング素子とを接続する場
合に、コンタクト部上にカバレッジ特性の優れた金属層
からなる反射電極を形成することにより、絵素電極とス
イッチング素子との接続信頼性を向上させることができ
る。
る。一般的に透過電極として使われる酸化インジュウム
系薄膜は、カバレッジ特性が悪い。本発明によれば、層
間絶縁膜のコンタクト部を介して、反射電極と透過電極
からなる絵素電極と、スイッチング素子とを接続する場
合に、コンタクト部上にカバレッジ特性の優れた金属層
からなる反射電極を形成することにより、絵素電極とス
イッチング素子との接続信頼性を向上させることができ
る。
【００１２】また、本発明によれば、反射電極と透過電
極からなる絵素電極において、透過電極上に反射電極が
形成されているため、カバレッジ特性の悪い透過電極に
反射電極による段差が形成されないため、段差での断切
れが軽減される。また、本発明によれば、透過材料と反
射材料を連続成膜することによってプロセス短縮が図
れ、カバレッジ特性の悪い透過電極に反射電極による段
切れが発生しない液晶表示装置を作ることができる。
極からなる絵素電極において、透過電極上に反射電極が
形成されているため、カバレッジ特性の悪い透過電極に
反射電極による段差が形成されないため、段差での断切
れが軽減される。また、本発明によれば、透過材料と反
射材料を連続成膜することによってプロセス短縮が図
れ、カバレッジ特性の悪い透過電極に反射電極による段
切れが発生しない液晶表示装置を作ることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】（実施形態１）図１に、透過反射
両用型液晶表示装置のアクティブマトリクス基板の１絵
素の構成を示す。図２に図１のＡ−Ａ断面を示す。ガラ
スからなる絶縁性基板１の上にＴａからなる導電性の薄
膜を形成し、フォトリソグラフィ技術を用いて、前記導
電性の薄膜をパターニングしてゲート配線３およびゲー
ト電極２を形成する。絶縁性基板１は他の透明な絶縁性
材料でもよく、またゲート材料についてもＡｌ、Ｃｒ、
Ｍｏ、Ｗ、Ｃｕ、Ｔｉ等の導電性を有する他の材料を用
いてもよい。
両用型液晶表示装置のアクティブマトリクス基板の１絵
素の構成を示す。図２に図１のＡ−Ａ断面を示す。ガラ
スからなる絶縁性基板１の上にＴａからなる導電性の薄
膜を形成し、フォトリソグラフィ技術を用いて、前記導
電性の薄膜をパターニングしてゲート配線３およびゲー
ト電極２を形成する。絶縁性基板１は他の透明な絶縁性
材料でもよく、またゲート材料についてもＡｌ、Ｃｒ、
Ｍｏ、Ｗ、Ｃｕ、Ｔｉ等の導電性を有する他の材料を用
いてもよい。
【００１４】次にゲート絶縁膜４としてＳｉＮｘ、半導
体層５としてアモルファスＳｉ、半導体コンタクト層６
としてＰをドープしたｎ＋型アモルファスＳｉをＣＶＤ
法で連続成膜した。そしてフォトリソグラフィ技術を用
いて半導体層５と半導体コンタクト層６をパターニング
する。次にＣｒからなる導電膜を成膜し、フォトリソグ
ラフィ技術を用いて該導電膜をパターニングしてソース
配線９ａ、ソース電極９ｂ、ドレイン電極９ｃを形成す
る。本実施形態では該導電膜としてＣｒを用いるがＡ
ｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｕ、Ｔｉ等の導電性を有する他
の材料を用いてもよい。
体層５としてアモルファスＳｉ、半導体コンタクト層６
としてＰをドープしたｎ＋型アモルファスＳｉをＣＶＤ
法で連続成膜した。そしてフォトリソグラフィ技術を用
いて半導体層５と半導体コンタクト層６をパターニング
する。次にＣｒからなる導電膜を成膜し、フォトリソグ
ラフィ技術を用いて該導電膜をパターニングしてソース
配線９ａ、ソース電極９ｂ、ドレイン電極９ｃを形成す
る。本実施形態では該導電膜としてＣｒを用いるがＡ
ｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｕ、Ｔｉ等の導電性を有する他
の材料を用いてもよい。
【００１５】次にソース電極９ｂ、ドレイン電極９ｃを
マスクとして半導体コンタクト層６をエッチングし、半
導体コンタクト層６をソース側６ａとドレイン側６ｂに
分けることによりＴＦＴ７が形成される。次に有機樹脂
膜からなる層間絶縁膜１０を成膜し、フォトリソグラフ
ィ技術を用いてドレインコンタクトホール１２等の層間
絶縁膜１０の不要部分を削除する。このとき、反射電極
１１を形成する部分の層間絶縁膜１０に入射光を散乱さ
せるための凹凸部１４を形成する。本実施形態では層間
絶縁膜１０に有機樹脂膜を用いたが、層間絶縁膜１０は
異なる材料の積層膜であってもよく、また表面に凹凸を
形成しなくてもよい。
マスクとして半導体コンタクト層６をエッチングし、半
導体コンタクト層６をソース側６ａとドレイン側６ｂに
分けることによりＴＦＴ７が形成される。次に有機樹脂
膜からなる層間絶縁膜１０を成膜し、フォトリソグラフ
ィ技術を用いてドレインコンタクトホール１２等の層間
絶縁膜１０の不要部分を削除する。このとき、反射電極
１１を形成する部分の層間絶縁膜１０に入射光を散乱さ
せるための凹凸部１４を形成する。本実施形態では層間
絶縁膜１０に有機樹脂膜を用いたが、層間絶縁膜１０は
異なる材料の積層膜であってもよく、また表面に凹凸を
形成しなくてもよい。
【００１６】次に透過電極材料を成膜し、フォトリソグ
ラフィ技術を用いて透過電極材料をパターニングし透過
電極８を形成する。本実施形態では該透過電極材料にＩ
ＴＯ（Ｉｎ−Ｓｎ−０）を用いた。次に反射電極材料を
成膜し、フォトリソグラフィ技術によって反射電極材料
をパターニングし反射電極１１を形成する。本実施形態
では、反射電極１１にＡｌを用いた。以上により本実施
形態のアクティブマトリクス基板が得られる。
ラフィ技術を用いて透過電極材料をパターニングし透過
電極８を形成する。本実施形態では該透過電極材料にＩ
ＴＯ（Ｉｎ−Ｓｎ−０）を用いた。次に反射電極材料を
成膜し、フォトリソグラフィ技術によって反射電極材料
をパターニングし反射電極１１を形成する。本実施形態
では、反射電極１１にＡｌを用いた。以上により本実施
形態のアクティブマトリクス基板が得られる。
【００１７】本実施形態の液晶表示装置は、図示しない
対向基板と上記アクティブマトリクス基板の間に液晶層
を介在させて、アクティブマトリクス基板の透明電極８
及び反射電極１１と対向基板に形成された対向電極の間
に電圧を印加して液晶の配向状態を変化させて表示を行
う。
対向基板と上記アクティブマトリクス基板の間に液晶層
を介在させて、アクティブマトリクス基板の透明電極８
及び反射電極１１と対向基板に形成された対向電極の間
に電圧を印加して液晶の配向状態を変化させて表示を行
う。
【００１８】反射電極１１では外光等を反射電極１１に
て反射させて表示を行い、反射電極１１が形成されてい
ない透過電極８の領域では下方に設置されたバックライ
ト等からの光を上方に透過させ表示を行う。従って、本
実施形態の液晶表示装置は、バックライトの光と外光を
利用して明るい表示が得られる。
て反射させて表示を行い、反射電極１１が形成されてい
ない透過電極８の領域では下方に設置されたバックライ
ト等からの光を上方に透過させ表示を行う。従って、本
実施形態の液晶表示装置は、バックライトの光と外光を
利用して明るい表示が得られる。
【００１９】ドレインコンタクト部１２においてドレイ
ン電極９ｃとの接続を反射電極１１で行うことにより、
別に接続用の金属を形成することなくドレイン接続の信
頼性を高めた透過電極と反射電極を備えた液晶表示装置
が形成できる。
ン電極９ｃとの接続を反射電極１１で行うことにより、
別に接続用の金属を形成することなくドレイン接続の信
頼性を高めた透過電極と反射電極を備えた液晶表示装置
が形成できる。
【００２０】透過電極８は、ＩＴＯ膜からなる酸化膜の
場合、成膜時に下層膜が酸化される導電材料であればそ
の表面を酸化させるため、酸化絶縁膜によってＩＴＯ膜
と下層膜のコンタクトが悪化する。特に絶縁性の高い酸
化膜を形成するＡｌやＴａではコンタクト抵抗が大きく
なる。
場合、成膜時に下層膜が酸化される導電材料であればそ
の表面を酸化させるため、酸化絶縁膜によってＩＴＯ膜
と下層膜のコンタクトが悪化する。特に絶縁性の高い酸
化膜を形成するＡｌやＴａではコンタクト抵抗が大きく
なる。
【００２１】また、反射電極１１が透過電極８を覆い、
カバエッジ特性の悪い透過電極８を反射電極１１の下層
にすることにより、透過電極８の断線等が少なく透過電
極８と反射電極１１の電気的接続に優れ、段切れ等の不
良の発生を抑えることのできる透過反射両用液晶表示装
置が形成できる。
カバエッジ特性の悪い透過電極８を反射電極１１の下層
にすることにより、透過電極８の断線等が少なく透過電
極８と反射電極１１の電気的接続に優れ、段切れ等の不
良の発生を抑えることのできる透過反射両用液晶表示装
置が形成できる。
【００２２】（実施形態２）図３に実施形態２のアクテ
ィブマトリクス基板を示す。実施形態１と同一構成には
同一の符号を付している。ガラスからなる絶縁性基板１
の上にＴａからなる導電性の薄膜を形成し、フォトリソ
グラフィ技術を用いて該導電性の薄膜をパターニングし
て、ゲート配線３及びゲート電極２を形成する。絶縁性
基板１は、他の透明基板を用いてもよく、またゲート材
料についてもＡｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｕ、Ｔｉ等の導
電性を有する他の材料を用いてもよい。
ィブマトリクス基板を示す。実施形態１と同一構成には
同一の符号を付している。ガラスからなる絶縁性基板１
の上にＴａからなる導電性の薄膜を形成し、フォトリソ
グラフィ技術を用いて該導電性の薄膜をパターニングし
て、ゲート配線３及びゲート電極２を形成する。絶縁性
基板１は、他の透明基板を用いてもよく、またゲート材
料についてもＡｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｕ、Ｔｉ等の導
電性を有する他の材料を用いてもよい。
【００２３】次にゲート絶縁膜４としてＳｉＮｘ、半導
体層５としてアモルファスＳｉ、半導体コンタクト層６
としてＰをドープしたｎ＋型アモルファスＳｉをＣＶＤ
法で連続成膜した。そしてフォトリソグラフィ技術を用
いて半導体層５と半導体コンタクト層６をパターニング
する。次にＣｒからなる導電膜を成膜し、フォトリソグ
ラフィ技術を用いて該導電膜をパターニングしてソース
配線９ａ、ソース電極９ｂ及びドレイン電極９ｃを形成
する。本実施形態では該導電膜としてＣｒを用いいるが
Ａｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｕ、Ｔｉ等の導電性を有する
他の材料を用いてもよい。
体層５としてアモルファスＳｉ、半導体コンタクト層６
としてＰをドープしたｎ＋型アモルファスＳｉをＣＶＤ
法で連続成膜した。そしてフォトリソグラフィ技術を用
いて半導体層５と半導体コンタクト層６をパターニング
する。次にＣｒからなる導電膜を成膜し、フォトリソグ
ラフィ技術を用いて該導電膜をパターニングしてソース
配線９ａ、ソース電極９ｂ及びドレイン電極９ｃを形成
する。本実施形態では該導電膜としてＣｒを用いいるが
Ａｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｕ、Ｔｉ等の導電性を有する
他の材料を用いてもよい。
【００２４】次にソース電極９ｂ、ドレイン電極９ｃを
マスクとして半導体コンタクト層６をエッチングし、半
導体コンタクト層６のソース側６ａとドレイン側６ｂに
分けることによりＴＦＴ７が形成される。次に有機樹脂
膜からなる層間絶縁膜１０を成膜し、フォトリソグラフ
ィ技術を用いてドレインコンタクトホール１２等の層間
絶縁膜１０の不要部分を削除する。このとき、反射電極
１１を形成する部分の層間絶縁膜１０に入射光を散乱さ
せるための凹凸部１４を形成する。本実施形態では層間
絶縁膜１０に有機樹脂膜を用いたが、層間絶縁膜１０は
異なる材料の積層膜であってもよく、また表面に凹凸を
形成しなくてもよい。
マスクとして半導体コンタクト層６をエッチングし、半
導体コンタクト層６のソース側６ａとドレイン側６ｂに
分けることによりＴＦＴ７が形成される。次に有機樹脂
膜からなる層間絶縁膜１０を成膜し、フォトリソグラフ
ィ技術を用いてドレインコンタクトホール１２等の層間
絶縁膜１０の不要部分を削除する。このとき、反射電極
１１を形成する部分の層間絶縁膜１０に入射光を散乱さ
せるための凹凸部１４を形成する。本実施形態では層間
絶縁膜１０に有機樹脂膜を用いたが、層間絶縁膜１０は
異なる材料の積層膜であってもよく、また表面に凹凸を
形成しなくてもよい。
【００２５】以下の工程を図３を用いて順を追って説明
する。次に透過電極材料１５を成膜し、次に連続して反
射電極材料１６を成膜する。本実施形態では透過電極材
料１５にＩＴＯ（Ｉｎ−Ｓｎ−０）を、反射電極材料１
６にＡｌを用いた（図３ａ）。
する。次に透過電極材料１５を成膜し、次に連続して反
射電極材料１６を成膜する。本実施形態では透過電極材
料１５にＩＴＯ（Ｉｎ−Ｓｎ−０）を、反射電極材料１
６にＡｌを用いた（図３ａ）。
【００２６】次にフォトリソグラフィ技術を用いて透過
電極材料１５と反射電極材料１６とを、反射電極、透過
電極を含めた絵素電極形状に、連続して同様の形状にパ
ターニングする。本実施形態では、エッチング溶液とし
て塩酸系エッチャントを使用した（図３ｂ）。次にフォ
トリソグラフィ技術を用いて、透過領域１３上を覆って
いる反射電極材料１６を除去し、透過電極８と反射電極
１１を形成する。本実施形態ではエッチング溶液として
リン酸一硝酸一酢酸の混酸を用いた（図３ｃ）。
電極材料１５と反射電極材料１６とを、反射電極、透過
電極を含めた絵素電極形状に、連続して同様の形状にパ
ターニングする。本実施形態では、エッチング溶液とし
て塩酸系エッチャントを使用した（図３ｂ）。次にフォ
トリソグラフィ技術を用いて、透過領域１３上を覆って
いる反射電極材料１６を除去し、透過電極８と反射電極
１１を形成する。本実施形態ではエッチング溶液として
リン酸一硝酸一酢酸の混酸を用いた（図３ｃ）。
【００２７】以上により透過電極８と反射電極１１の電
気的接続に優れ、段切れ等の不良の発生を抑えることの
できる液晶表示装置が得られる。
気的接続に優れ、段切れ等の不良の発生を抑えることの
できる液晶表示装置が得られる。
【００２８】また、コンタクト部１２では透過電極上に
反射電極が形成されるため、透過電極のカバレッジが悪
くドレイン電極と透過電極の電気的接続が不十分であっ
ても、反射電極によってドレイン電極との電気的接続が
得られる。
反射電極が形成されるため、透過電極のカバレッジが悪
くドレイン電極と透過電極の電気的接続が不十分であっ
ても、反射電極によってドレイン電極との電気的接続が
得られる。
【００２９】（実施形態３）図４に実施形態３のアクテ
ィブマトリクス基板を示す。実施形態１と同一構成には
同一の符号を付している。ガラスからなる絶縁性基板１
の上にＴａからなる導電性の薄膜を形成し、フォトリソ
グラフィ技術を用いて該導電性の薄膜をパターニングし
て、ゲート配線３及びゲート電極２を形成する。絶縁性
基板１は、他の透明基板を用いてもよく、またゲート材
料についてもＡｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｕ、Ｔｉ等の導
電性を有する他の材料を用いてもよい。
ィブマトリクス基板を示す。実施形態１と同一構成には
同一の符号を付している。ガラスからなる絶縁性基板１
の上にＴａからなる導電性の薄膜を形成し、フォトリソ
グラフィ技術を用いて該導電性の薄膜をパターニングし
て、ゲート配線３及びゲート電極２を形成する。絶縁性
基板１は、他の透明基板を用いてもよく、またゲート材
料についてもＡｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｕ、Ｔｉ等の導
電性を有する他の材料を用いてもよい。
【００３０】次にゲート絶縁膜４としてＳｉＮｘ、半導
体層５としてアモルファスＳｉ、半導体コンタクト層６
としてＰをドープしたｎ＋型アモルファスＳｉをＣＶＤ
法で連続成膜した。そしてフォトリソグラフィ技術を用
いて半導体層５と半導体コンタクト層６をパターニング
する。次にＣｒからなる導電膜を成膜し、フォトリソグ
ラフィ技術を用いて該導電膜をパターニングしてソース
配線９ａ、ソース電極９ｂ及びドレイン電極９ｃを形成
する。本実施形態では該導電膜としてＣｒを用いいるが
Ａｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｕ、Ｔｉ等の導電性を有する
他の材料を用いてもよい。
体層５としてアモルファスＳｉ、半導体コンタクト層６
としてＰをドープしたｎ＋型アモルファスＳｉをＣＶＤ
法で連続成膜した。そしてフォトリソグラフィ技術を用
いて半導体層５と半導体コンタクト層６をパターニング
する。次にＣｒからなる導電膜を成膜し、フォトリソグ
ラフィ技術を用いて該導電膜をパターニングしてソース
配線９ａ、ソース電極９ｂ及びドレイン電極９ｃを形成
する。本実施形態では該導電膜としてＣｒを用いいるが
Ａｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｕ、Ｔｉ等の導電性を有する
他の材料を用いてもよい。
【００３１】次にソース電極９ｂ、ドレイン電極９ｃを
マスクとして半導体コンタクト層６をエッチングし、半
導体コンタクト層６のソース側６ａとドレイン側６ｂに
分けることによりＴＦＴ７が形成される。
マスクとして半導体コンタクト層６をエッチングし、半
導体コンタクト層６のソース側６ａとドレイン側６ｂに
分けることによりＴＦＴ７が形成される。
【００３２】次に有機樹脂膜からなる層間絶縁膜１０を
成膜し、フォトリソグラフィ技術を用いてドレインコン
タクトホール１２等の層間絶縁膜１０の不要部分を削除
する。このとき、反射電極１１を形成する部分の層間絶
縁膜１０に入射光を散乱させるための凹凸部１４を形成
する。本実施形態では層間絶縁膜１０に有機樹脂膜を用
いたが、層間絶縁膜１０は異なる材料の積層膜であって
もよく、また表面に凹凸を形成しなくてもよい。
成膜し、フォトリソグラフィ技術を用いてドレインコン
タクトホール１２等の層間絶縁膜１０の不要部分を削除
する。このとき、反射電極１１を形成する部分の層間絶
縁膜１０に入射光を散乱させるための凹凸部１４を形成
する。本実施形態では層間絶縁膜１０に有機樹脂膜を用
いたが、層間絶縁膜１０は異なる材料の積層膜であって
もよく、また表面に凹凸を形成しなくてもよい。
【００３３】以下の工程を図４を用いて順を追って説明
する。次に透過電極材料１５を成膜し、次に連続して反
射電極材料１６を成膜する。本実施形態では透過電極材
料１５にＩＴＯ（Ｉｎ−Ｓｎ−０）を、反射電極材料１
６にＡｌを用いた（図４ａ）。
する。次に透過電極材料１５を成膜し、次に連続して反
射電極材料１６を成膜する。本実施形態では透過電極材
料１５にＩＴＯ（Ｉｎ−Ｓｎ−０）を、反射電極材料１
６にＡｌを用いた（図４ａ）。
【００３４】次にフォトリソグラフィ技術を用いて、反
射電極材料１６を反射電極１１の形状にパターニングす
る。本実施形態では、エッチング溶液としてリン酸一硝
酸一酢酸の混酸を用いた（図４ｂ）。次にフォトリソグ
ラフィ技術を用いて、透過電極材料１５を透過電極８の
形状にパターニングする。本実施形態ではエッチング溶
液として塩酸系エッチャントを用いた（図４ｃ）。
射電極材料１６を反射電極１１の形状にパターニングす
る。本実施形態では、エッチング溶液としてリン酸一硝
酸一酢酸の混酸を用いた（図４ｂ）。次にフォトリソグ
ラフィ技術を用いて、透過電極材料１５を透過電極８の
形状にパターニングする。本実施形態ではエッチング溶
液として塩酸系エッチャントを用いた（図４ｃ）。
【００３５】以上により透過電極８と反射電極１１の電
気的接続に優れ、段切れ等の不良の発生を抑えることの
できる液晶表示装置が得られる。
気的接続に優れ、段切れ等の不良の発生を抑えることの
できる液晶表示装置が得られる。
【００３６】反射電極材料１６をパターニングする際
に、透過電極材料１５をパターニングしないため、透過
電極材料１５が層間絶縁膜１０の保護層として作用する
ので、層間絶縁膜１０のエッチングによるダメージによ
る表示荒れや絵素間リークを防ぐことができる。
に、透過電極材料１５をパターニングしないため、透過
電極材料１５が層間絶縁膜１０の保護層として作用する
ので、層間絶縁膜１０のエッチングによるダメージによ
る表示荒れや絵素間リークを防ぐことができる。
【００３７】また、コンタクト部１２では透過電極上に
反射電極が形成されるため、透過電極のカバレッジが悪
くドレイン電極と透過電極の電気的接続が不十分であっ
ても、反射電極によってドレイン電極との電気的接続が
得られる。
反射電極が形成されるため、透過電極のカバレッジが悪
くドレイン電極と透過電極の電気的接続が不十分であっ
ても、反射電極によってドレイン電極との電気的接続が
得られる。
【００３８】
【発明の効果】本発明によれば、層間絶縁膜のコンタク
ト部を介して、反射電極と透過電極からなる絵素電極
と、スイッチング素子とを接続する場合に、コンタクト
部上にカバレッジ特性の優れた金属層からなる反射電極
を形成することにより、絵素電極とスイッチング素子と
の接続信頼性を向上させることができる。
ト部を介して、反射電極と透過電極からなる絵素電極
と、スイッチング素子とを接続する場合に、コンタクト
部上にカバレッジ特性の優れた金属層からなる反射電極
を形成することにより、絵素電極とスイッチング素子と
の接続信頼性を向上させることができる。
【００３９】また本発明によれば、反射電極と透過電極
からなる絵素電極において、透過電極上に反射電極が形
成されているため、カバレッジ特性の悪い透過電極に反
射電極による段差が形成されないため、段差での断切れ
が軽減される。また本発明によれば、透過材料と反射材
料を連続成膜することによってプロセス短縮が図れ、カ
バレッジ特性の悪い透過電極に反射電極による段切れが
発生しない液晶表示装置を作ることができる。
からなる絵素電極において、透過電極上に反射電極が形
成されているため、カバレッジ特性の悪い透過電極に反
射電極による段差が形成されないため、段差での断切れ
が軽減される。また本発明によれば、透過材料と反射材
料を連続成膜することによってプロセス短縮が図れ、カ
バレッジ特性の悪い透過電極に反射電極による段切れが
発生しない液晶表示装置を作ることができる。
【図１】実施形態１の液晶表示装置のアクティブマトリ
クス基板の１絵素を示す図である。
クス基板の１絵素を示す図である。
【図２】実施形態１の液晶表示装置の図１のＡ−Ａによ
る断面図である。
る断面図である。
【図３】実施形態２の液晶表示装置の製造工程を示す断
面図である。
面図である。
【図４】実施形態３の液晶表示装置の製造工程を示す断
面図である。
面図である。
【図５】従来の液晶表示装置のアクティブマトリクス基
板の断面図である。
板の断面図である。
【符号の説明】
１ 絶縁性基板
２ ゲート電極
３ ゲート配線
４ ゲート絶縁膜
５ 半導体層
６ａ 半導体コンタクト層（ソース電極側）
６ｂ 半導体コンタクト層（ドレイン電極側）
７ ＴＦＴ部
８ 透過電極
９ａ ソース配線
９ｂ ソース電極
９ｃ ドレイン電極
１０ 層間絶縁膜
１１ 反射電極
１２ コンタクト部
１３ 透過領域
１４ 反射電極凹凸部
１５ 透過電極材料
１６ 反射電極材料
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 島田 尚幸
大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号
シャープ株式会社内
(56)参考文献 特開 平７−318929（ＪＰ，Ａ)
実開 平１−104051（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G02F 1/1343
G02F 1/1335 520
G02F 1/1368
Claims (5)
- 【請求項１】 絶縁性基板上に形成されたスイッチング
素子と、該スイッチング素子上に形成された層間絶縁膜
と、該層間絶縁膜の前記スイッチング素子上に形成され
たコンタクト部を介して前記スイッチング素子と電気的
に接続された反射電極及び透過電極とを備えた液晶表示
装置において、前記反射電極と前記透過電極からなる絵素電極を備え、 前記コンタクト部上には前記反射電極が形成されている
ことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記透過電極は、酸化インジュウムを主
成分とする材料であることを特徴とする請求項１に記載
の液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記反射電極は、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｔ
ｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉのいづれかの金属、及びこれ
らの金属を主成分とする材料であることを特徴とする請
求項１または請求項２に記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 絶縁性基板上に形成されたスイッチング
素子と、該スイッチング素子上に形成された層間絶縁膜
と、該層間絶縁膜のスイッチング素子上に形成されたコ
ンタクト部を介してスイッチング素子と電気的に接続さ
れた反射電極及び透過電極とを備えた液晶表示装置の製
造方法において、 前記コンタクト部が形成された前記層間絶縁膜上に、透
過電極材料を成膜した後に反射電極材料を成膜する工程
と、 前記透過電極材料と前記反射電極材料を前記反射電極の
領域と前記透過電極の領域を含む絵素形状にパターニン
グする工程と、前記反射電極材料を前記反射電極の領域
の形状にパターニングする工程により、前記反射電極と
前記透過電極からなる絵素電極を形成することを特徴と
する液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項５】 絶縁性基板上に形成されたスイッチング
素子と、該スイッチング素子上に形成された層間絶縁膜
と、該層間絶縁膜のスイッチング素子上に形成されたコ
ンタクト部を介してスイッチング素子と電気的に接続さ
れた反射電極及び透過電極とを備えた液晶表示装置の製
造方法において、 前記コンタクト部が形成された前記層間絶縁膜上に、透
過電極材料を成膜した後に反射電極材料を成膜する工程
と、 前記反射電極材料を前記反射電極の領域の形状にパター
ニングする工程と、前記透過電極材料を前記反射電極の
領域と前記透過電極の領域を含む絵素形状にパターニン
グする工程により、前記反射電極と前記透過電極からな
る絵素電極を形成することを特徴とする液晶表示装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08539998A JP3410656B2 (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08539998A JP3410656B2 (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11281992A JPH11281992A (ja) | 1999-10-15 |
| JP3410656B2 true JP3410656B2 (ja) | 2003-05-26 |
Family
ID=13857714
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08539998A Expired - Fee Related JP3410656B2 (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
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| KR100803109B1 (ko) * | 2001-06-14 | 2008-02-13 | 삼성전자주식회사 | 반사 투과형 액정표시장치 및 이의 제조방법 |
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| JP3977099B2 (ja) * | 2002-02-25 | 2007-09-19 | 株式会社アドバンスト・ディスプレイ | 液晶表示装置及びその製造方法 |
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| JP4237442B2 (ja) | 2002-03-01 | 2009-03-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半透過型液晶表示装置 |
| JP4087620B2 (ja) | 2002-03-01 | 2008-05-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置の作製方法 |
| US7317208B2 (en) | 2002-03-07 | 2008-01-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device with contact structure and manufacturing method thereof |
| KR100820851B1 (ko) * | 2002-07-08 | 2008-04-11 | 삼성전자주식회사 | 반사-투과형 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
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| JP2007114811A (ja) * | 2007-02-02 | 2007-05-10 | Advanced Display Inc | 液晶表示装置の製造方法 |
| JP2007193371A (ja) * | 2007-04-26 | 2007-08-02 | Advanced Display Inc | 液晶表示装置 |
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| JP5130916B2 (ja) | 2008-01-08 | 2013-01-30 | 三菱電機株式会社 | アクティブマトリクス用走査線駆動回路 |
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| JP5594479B2 (ja) * | 2011-09-16 | 2014-09-24 | Ｎｌｔテクノロジー株式会社 | 液晶表示装置 |
-
1998
- 1998-03-31 JP JP08539998A patent/JP3410656B2/ja not_active Expired - Fee Related
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