JP3187004B2 - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置およびその製造方法Info
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Description
光性物質からなる走査線電極と信号線電極およびその交
点に非線形素子をマトリクス状に形成し、その上に層間
絶縁膜を有する液晶表示装置に関するものである。
示装置として液晶表示装置が多く用いられているが、な
かでも動画表示が可能なアクティブマトリクス型の液晶
表示装置は、その表示性能の良さから注目を集めてい
る。
置は、透明基板の上に多数の画素電極と各画素電極を駆
動する多数の薄膜ダイオードや薄膜トランジスタなどの
非線形素子を2次元のマトリクス状に配列した構成とな
っている。
膜トランジスタを用いた場合について説明を行う。図3
は、アクティブマトリクス型の液晶表示装置の全体を示
す。
信号線(ソース)電極5とのマトリクスの多数の交点に
画素手段を形成し、画素領域8の外周部には走査線(ゲ
ート)電極2と信号線(ソース)電極5を外部の駆動回
路に接続するゲート側実装電極13aとソース側実装電
極13bが形成される実装電極領域12a,12bが設
けられている。
0を形成し、その後に走査線(ゲート)電極2、薄膜ト
ランジスタTrおよび信号線(ソース)電極5を形成す
る。このような構成では、図3の左下に示す拡大図のよ
うに画素電極10と走査線(ゲート)電極2および信号
線(ソース)電極5との短絡を防止するために、フォト
工程の合わせ精度に対応した距離[矢印a,b]だけ走
査線(ゲート)電極2および信号線(ソース)電極5よ
り離して画素電極10を形成する必要があり、表示部分
の開口率を大きくすることができなかった。4は半導体
層である。9はドレイン電極である。
2、薄膜トランジスタTrおよび信号線(ソース)電極
5と画素電極10との間に層間絶縁膜を形成して、走査
線(ゲート)電極2および信号線(ソース)電極5と画
素電極10の距離を小さくしてもそれらの間の短絡を層
間絶縁膜によって防ぎ、表示部分の開口率を大きくする
ことが考えられている。
などの透明基板1の上に走査線(ゲート)電極2、薄膜
トランジスタTrおよび信号線(ソース)電極5を形成
し、その上に層間絶縁膜7を形成し、さらにその上に画
素電極10を形成してアクティブマトリックス型液晶表
示装置が形成される。3はゲート絶縁膜、4は半導体層
である。11はドレイン電極9と画素電極10を電気的
に接続するためのコンタクトホールである。
ように、層間絶縁膜7に設けられたコンタクトホール1
1を介して走査線または信号線に電気的に接続されたゲ
ート側実装電極13a,ソース側実装電極13bが実装
電極領域12a,12bの層間絶縁膜7の上面から層間
絶縁膜の段部14を経て層間絶縁膜7の外側にわたって
形成されている。なお、実装電極領域12a,12bで
は、その信頼性および実装のリペア性を考慮して層間絶
縁膜7は除去されている。
走査線(ゲート)電極2の数および信号線(ソース)電
極5の数が増加するにつれて、配線抵抗による信号遅延
が表示品位に及ぼす影響が大きくなるので、高精細ディ
スプレイを実現するためには低抵抗配線材料を用いる必
要がある。
信号線(ソース)電極5の材料には、低抵抗金属である
アルミニウムが一般に用いられている。また、信号線
(ソース)電極5は走査線(ゲート)電極2の上を横切
るために走査線(ゲート)電極2の段差部での断線が懸
念される。
を防止するために、図6に示すように、透明基板1の上
にまず初めにチタンからなる導電性膜を成膜してフォト
リソグラフィーおよびエッチングすることにより第1の
信号線(ソース)電極5aとドレイン電極9とを形成
し、次にアルミニウムからなる導電性膜を成膜してフォ
トリソグラフィーおよび湿式エッチングすることにより
第2の信号線(ソース)電極5bを形成する。すなわち
信号線(ソース)電極5をチタンからなる導電膜の上に
アルミニウムからなる導電膜を積層した構成とすること
で信号線(ソース)電極5の断線を防止している。
の信頼性を考慮して、第1の信号線(ソース)電極5a
であるチタンにより第1の実装電極6aを形成し、層間
絶縁膜7を形成した後、画素電極10を形成すると同時
に第2の実装電極6bが形成されている。
ティブマトリクス型の液晶表示装置では、一般に前記層
間絶縁膜7としてアクリル系の樹脂を用いているが、第
1の実装電極6aであるチタンがアルミニウムのエッチ
ャントとして一般的に用いられているリン酸系のエッチ
ャントにさらされることによって、チタン表面が変質
し、図6の斜線部Xで示した第1の実装電極6aである
チタン上で、層間絶縁膜7がはがれるといった重大な問
題があった。また、層間絶縁膜7がはがれるとダストと
なりさらなる不良を作り出すといった深刻な問題があっ
た。
装電極6aであるチタンの上で層間絶縁膜7の膜はがれ
が生じないようなアクティブマトリクス基板を具備した
液晶表示装置を提供するものである。
は、実装電極および信号線の構成を規定したことを特徴
とする。
に起因した平坦膜の密着性不良を解消することができ
る。
装置は、透明基板の上に遮光性物質からなる走査線電極
と信号線電極およびその交点に非線形素子をマトリクス
状に形成し、その上に層間絶縁膜を有する液晶表示装置
であって、前記信号線電極を、チタンの導電膜からなる
第1の信号線電極にアルミニウムの導電膜とモリブデン
の導電膜とを積層した第2の信号線電極を積層して構成
し、前記第1の信号線電極を実装電極としたことを特徴
とする。
ンの導電膜表面の変質が抑えられ、実装電極と層間絶縁
膜との密着性を高めて層間絶縁膜の剥離を抑えることが
できる。
造方法は、請求項1記載の液晶表示装置において、第2
の信号線電極は、アルミニウムからなる導電膜にモリブ
デンからなる導電膜を積層し、アルミニウムからなる導
電膜とモリブデンからなる導電膜とを同時にパターンニ
ングしてなることを特徴とする。
と図4に基づいて説明する。なお前記従来例を示す図3
〜図6と同様をなすものには同一の符号をつけて説明す
る。
形態1)を示す。画素領域8の要部の構造は従来例と同
じ断面構造で、図4に示すようにガラスや石英などの透
明基板1の上に、例えばAlをスパッタリング、フォト
リソグラフィーおよびエッチングを行うことにより走査
線(ゲート)電極2を形成する。
マCVD法によりSiNx、次いで半導体層4としてa
−Siを連続的に堆積する。そして図1に示すような信
号線(ソース)電極5a,5bを以下のようにして形成
する。
電膜を形成し、前記導電膜にさらにアルミニウムからな
る導電膜を積層する。得られた積層膜にフォトリソグラ
フィーおよび例えばリン酸を主成分とするエッチャント
にて湿式エッチングを行い、次いで塩素系ガスにて乾式
エッチングを行うことにより第1の信号線(ソース)電
極5aが形成される。
に、スパッタ法によりチタンを堆積し、フォトリソグラ
フィーおよび塩素系ガスにて乾式エッチングを行うこと
により第2の信号線(ソース)電極5bと第1の実装電
極6aとがチタンからなる導電膜にて形成される。
実装電極6aの上には、感光性のアクリル系透明性樹脂
を塗布、プリベーク、露光、現像およびポストベークを
行うことによって層間絶縁膜7が3μm程度の膜厚で形
成される。
10とを電気的に接続するためのコンタクトホール11
が形成されている。実装電極領域12a,12bでは、
第1の実装電極6aと第2の実装電極6bとを電気的に
接続するためのコンタクトホール11が形成される。
ように、チタンの導電膜とアルミニウムの導電膜との積
層膜にて形成された第1の信号線(ソース)電極5a
と、チタンからなる第2の信号線(ソース)電極5bと
で形成され、第1の実装電極6aは第2の信号線(ソー
ス)電極5bを形成するチタンの導電膜にて形成されて
いる。
行った後にチタンからなる第2の信号線(ソース)電極
5bを形成することで、チタン表面の変質が抑えられ、
層間絶縁膜7とチタンとの密着性低下による層間絶縁膜
の膜はがれを防止することができた。
O)をスパッタリング、フォトリソグラフィーおよびエ
ッチングすることにより画素電極10および第2の実装
電極6bが形成され、アクティブマトリクス基板が完成
する。
信号線(ソース)電極5aをチタンの導電膜とアルミニ
ウムの導電膜との2層の積層膜にて形成したが、本発明
はこれに限定されるものではなく、2層以上の多層構造
としたり、あるいはチタンの導電膜とアルミニウムの導
電膜とが含まれていればその他の導電膜をさらに含むも
のであってもよい。また、材料および導電膜の製造方法
も上記に限定されるものではない。
形態2)を示す。画素領域8の要部の構造は上記(実施
の形態1)とほぼ同様であるが、この(実施の形態2)
では、以下のように信号線(ソース)電極5が形成され
る。
フォトリソグラフィーおよび例えば塩素系ガスにて乾式
エッチングを行うことにより第1の信号線(ソース)電
極5aと第1の実装電極6aとを形成する。
の上にスパッタ法によりアルミニウムの導電膜を形成
し、前記導電膜にさらにモリブデンの導電膜を積層す
る。得られた積層膜にフォトリソグラフィーおよび例え
ばリン酸を主成分とするエッチャントにて湿式エッチン
グを行うことにより第2の信号線(ソース)電極5bが
形成される。
ンからなる第1の信号線(ソース)電極5aと、アルミ
ニウムの導電膜とモリブデンの導電膜との積層膜にて形
成された第2の信号線(ソース)電極5bとで形成さ
れ、第1の実装電極6aは、第1の信号線(ソース)電
極5aと同様のチタンにて形成されている。
5bを形成するに際し、アルミニウムの導電膜とモリブ
デンの導電膜とを同時にエッチングすることで、モリブ
デンにより、従来例を示す図6の斜線部Xに対応する図
2の斜線部Yにおいて露出したチタン表面のアルミニウ
ムのエッチャントによる変質が抑えられ、層間絶縁膜7
との密着性低下を抑制することができ、層間絶縁膜7の
膜はがれを防止することができた。
O)をスパッタリング、フォトリソグラフィーおよびエ
ッチングすることにより画素電極10および第2の実装
電極32が形成され、アクティブマトリクス基板が完成
する。
極10と第2の実装電極6bは同時に形成する必要はな
いが、同時に形成する方が工程が簡略化されて好まし
い。また、第2の実装電極6bは形成する必要はない
が、形成した方が実装電極の断線防止となり好ましい。
さらに、非線形素子として薄膜トランジスタを用いたが
薄膜ダイオードやMIMを用いても構わない。
ると、信号線(ソース)電極を、チタンの導電膜からな
る第1の信号線電極にアルミニウムの導電膜とモリブデ
ンの導電膜とを積層した第2の信号線電極を積層して構
成し、前記第1の信号線電極を実装電極とすることで、
モリブデンにより層間絶縁膜と接触する第1の信号線電
極を形成するチタンの導電膜の表面の変質を抑え、層間
絶縁膜との密着強度を高め層間絶縁膜の剥離を防止する
ことができる。
からなる導電膜にモリブデンからなる導電膜を積層し、
アルミニウムからなる導電膜とモリブデンからなる導電
膜とを同時にパターンニングして構成することで、上記
の液晶表示装置を実現できる。
電極領域の一部分の断面図
電極領域の一部分の断面図
Claims (2)
- 【請求項1】透明基板の上に遮光性物質からなる走査線
電極と信号線電極およびその交点に非線形素子をマトリ
クス状に形成し、その上に層間絶縁膜を有する液晶表示
装置であって、 前記信号線電極を、チタンの導電膜からなる第1の信号
線電極にアルミニウムの導電膜とモリブデンの導電膜と
を積層した第2の信号線電極を積層して構成し、前記第
1の信号線電極を実装電極とした液晶表示装置。 - 【請求項2】請求項1記載の液晶表示装置において、 第2の信号線電極は、アルミニウムからなる導電膜にモ
リブデンからなる導電膜を積層し、アルミニウムからな
る導電膜とモリブデンからなる導電膜とを同時にパター
ンニングしてなる液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30772897A JP3187004B2 (ja) | 1997-11-11 | 1997-11-11 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP30772897A JP3187004B2 (ja) | 1997-11-11 | 1997-11-11 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
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JP2000348869A Division JP3406292B2 (ja) | 2000-11-16 | 2000-11-16 | 液晶表示装置 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11142868A JPH11142868A (ja) | 1999-05-28 |
JP3187004B2 true JP3187004B2 (ja) | 2001-07-11 |
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-
1997
- 1997-11-11 JP JP30772897A patent/JP3187004B2/ja not_active Expired - Fee Related
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