JPH04163528A - アクティブマトリクス表示装置 - Google Patents
アクティブマトリクス表示装置Info
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- JPH04163528A JPH04163528A JP2292719A JP29271990A JPH04163528A JP H04163528 A JPH04163528 A JP H04163528A JP 2292719 A JP2292719 A JP 2292719A JP 29271990 A JP29271990 A JP 29271990A JP H04163528 A JPH04163528 A JP H04163528A
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Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、アクティブマトリクス表示装置の構造に関す
るものであり、特に高精細液晶表示装置に用いる薄膜ト
ランジスタ（以下ＴＰＴと略称する。）アクティブマト
リクス表示装置の構造に関するものである。
るものであり、特に高精細液晶表示装置に用いる薄膜ト
ランジスタ（以下ＴＰＴと略称する。）アクティブマト
リクス表示装置の構造に関するものである。
〈従来の技術〉
アクティブマトリクス表示装置、特に液晶を用いるアク
ティブマトリクス表示装置は表示コントラストが高く、
表示容量に制約が少ない等の利点があるため研究開発が
盛んに行なわれており、天川化も進みつつある。ところ
がアクティブマトリクス表示装置に用いるアクティブマ
トリクス基板は製造工程が複雑で歩留りが低いために、
コストが高いという欠点がある。
ティブマトリクス表示装置は表示コントラストが高く、
表示容量に制約が少ない等の利点があるため研究開発が
盛んに行なわれており、天川化も進みつつある。ところ
がアクティブマトリクス表示装置に用いるアクティブマ
トリクス基板は製造工程が複雑で歩留りが低いために、
コストが高いという欠点がある。
典型的なアクティブマトリクス基板について、その主要
な部分の平面図を第３図に、その部分の断面図を第４図
に示す。このアクティブマトリクス基板は、透明絶縁性
基板１と、この透明絶縁性基板ｌ上にマ） ＩＪクス状
に配列された絵素電極ＩＩと、ゲートバス配線３と、ソ
ースバス配線７と、これら絵素電極１１、ゲートバス配
線３及びソースバス配線７に接続されているヌイッチン
グ素子であるＴＰＴを有する。
な部分の平面図を第３図に、その部分の断面図を第４図
に示す。このアクティブマトリクス基板は、透明絶縁性
基板１と、この透明絶縁性基板ｌ上にマ） ＩＪクス状
に配列された絵素電極ＩＩと、ゲートバス配線３と、ソ
ースバス配線７と、これら絵素電極１１、ゲートバス配
線３及びソースバス配線７に接続されているヌイッチン
グ素子であるＴＰＴを有する。
前記透明絶縁性基板ｌ上に形成されたＴＰＴ近傍の断面
構造は、第４図に示す通りである。透明絶縁性基板１上
にゲート電極２が形成され、ゲート電極２は基板１上の
全面に形成されているゲート絶縁膜４によって覆われて
いる。ゲート電極２の上方のゲート絶縁膜４上には、ア
モルファヌシリコン（以下ではａ−３ｔと略称する）か
らなる半導体層５が形成されている。半導体層Ｓ上には
十 両端部においてｎ 型ａ Ｓｉからなるコンタクト層
（図示していない。）が形成され、コンタクト層上には
それぞれソース電極６とドレイン電極８が形成されてい
る。ソース電極６はドレイン電極８とは反対側の部分に
おいてソースバス配線７に接続している。このソースバ
ス配線７はソース電極６の上記部分と同様にゲート絶縁
膜４上に形成されている。そして、前記絵素電極ｌｌは
大部分が絶縁膜４上に形成される一方で一部分が前記ド
レイン電極８上に重畳して形成されている。なお、前記
ゲート電極２はゲートバス配線（図示せず〕に接続され
ている。
構造は、第４図に示す通りである。透明絶縁性基板１上
にゲート電極２が形成され、ゲート電極２は基板１上の
全面に形成されているゲート絶縁膜４によって覆われて
いる。ゲート電極２の上方のゲート絶縁膜４上には、ア
モルファヌシリコン（以下ではａ−３ｔと略称する）か
らなる半導体層５が形成されている。半導体層Ｓ上には
十 両端部においてｎ 型ａ Ｓｉからなるコンタクト層
（図示していない。）が形成され、コンタクト層上には
それぞれソース電極６とドレイン電極８が形成されてい
る。ソース電極６はドレイン電極８とは反対側の部分に
おいてソースバス配線７に接続している。このソースバ
ス配線７はソース電極６の上記部分と同様にゲート絶縁
膜４上に形成されている。そして、前記絵素電極ｌｌは
大部分が絶縁膜４上に形成される一方で一部分が前記ド
レイン電極８上に重畳して形成されている。なお、前記
ゲート電極２はゲートバス配線（図示せず〕に接続され
ている。
このようにして形成されているＴＦＴ上には保護膜（図
示せず）が形成され、更にこのようにして形成された透
明絶縁性基板ｌ上の全面には配向膜（図示せずンが形成
され、この基板を配向膜、透明電極等が形成されている
透明絶縁性基板（図示せず）との間に液晶層を封入する
ことによりアクティブマトリクヌ液晶表示装置が形成さ
れる。
示せず）が形成され、更にこのようにして形成された透
明絶縁性基板ｌ上の全面には配向膜（図示せずンが形成
され、この基板を配向膜、透明電極等が形成されている
透明絶縁性基板（図示せず）との間に液晶層を封入する
ことによりアクティブマトリクヌ液晶表示装置が形成さ
れる。
ところが、前記のように形成されたアクティブマトリク
ス基板には不良の発生することがある。
ス基板には不良の発生することがある。
この不良の原因に一つにソースバス配線７と絵素を極１
１との間のショートがある。これは、ソースバス配線７
と絵素電極１１とは同じゲート絶縁膜４上に形成されて
いるばかりでなく、相互の間隔が高精細にすればする程
接近することが要因と考えられる。
１との間のショートがある。これは、ソースバス配線７
と絵素電極１１とは同じゲート絶縁膜４上に形成されて
いるばかりでなく、相互の間隔が高精細にすればする程
接近することが要因と考えられる。
そこで、このソースバス配線７と絵素電極１１との間の
ショートを防止するためには、当該配線７と絵素電極１
１とを異なる層上に形成する構造が提案される。
ショートを防止するためには、当該配線７と絵素電極１
１とを異なる層上に形成する構造が提案される。
第５図は、ソースバス配線と絵素電極を別の層に形成し
たアクティブマトリクス基板の断面図を示す。第５図に
おいて第４図と同等部分は同一符号で示１層間絶縁膜１
０は、ＴＰＴが形成されている透明絶縁性基板ｌのほぼ
全面に形成されている。この層間絶縁膜ｌＯはＴＦＴの
ドレイン電極８の端部の中央部上面において欠如してい
るホールが形成されており、このホールが層間絶縁膜１
０上に形成されている絵素電極１１をドレイン電極８に
電気的に接続するためのコンタクトホー１ｖ１２として
寄与している。即ち、絵素電極１１は層間絶縁膜１０上
から上記ドレイン電極８の端部上を覆うよう形成されて
いる。
たアクティブマトリクス基板の断面図を示す。第５図に
おいて第４図と同等部分は同一符号で示１層間絶縁膜１
０は、ＴＰＴが形成されている透明絶縁性基板ｌのほぼ
全面に形成されている。この層間絶縁膜ｌＯはＴＦＴの
ドレイン電極８の端部の中央部上面において欠如してい
るホールが形成されており、このホールが層間絶縁膜１
０上に形成されている絵素電極１１をドレイン電極８に
電気的に接続するためのコンタクトホー１ｖ１２として
寄与している。即ち、絵素電極１１は層間絶縁膜１０上
から上記ドレイン電極８の端部上を覆うよう形成されて
いる。
このような構造のアクティブマトリクス基板は、ソース
バス配線７と絵素を極１１はそれらの間に層間絶縁膜１
０が存在する立体的構造をなしていることから、平面に
投影した場合の間隔をなくすることが可能となる。この
構造のアクティブマトリクス基板の平面図を第６図に示
しており、この図から明らかなようにソーヌバス配ｔＡ
７と絵素電極１１が重なっている。なお、重なっている
部分は第６図に斜線で示す。又、ゲートバス配線３と絵
素電極が重なっている部分も斜線で示す。従って絵素を
極１１の面積を大きくすることができる。
バス配線７と絵素を極１１はそれらの間に層間絶縁膜１
０が存在する立体的構造をなしていることから、平面に
投影した場合の間隔をなくすることが可能となる。この
構造のアクティブマトリクス基板の平面図を第６図に示
しており、この図から明らかなようにソーヌバス配ｔＡ
７と絵素電極１１が重なっている。なお、重なっている
部分は第６図に斜線で示す。又、ゲートバス配線３と絵
素電極が重なっている部分も斜線で示す。従って絵素を
極１１の面積を大きくすることができる。
絵素電極１１の面積が大きいと、表示装置に用いた場合
の開口率が大きくなり表示品位が高まるという利点もあ
る。更に、この層間絶縁膜ｌＯをポリイミド樹脂などの
樹脂を塗布することにより形成すると、アクティブマト
リクス基板表面の段差を平坦化することができ、液晶表
示装置に用いた場合に問題となる段差による液晶の配向
不良を低減することもできる。
の開口率が大きくなり表示品位が高まるという利点もあ
る。更に、この層間絶縁膜ｌＯをポリイミド樹脂などの
樹脂を塗布することにより形成すると、アクティブマト
リクス基板表面の段差を平坦化することができ、液晶表
示装置に用いた場合に問題となる段差による液晶の配向
不良を低減することもできる。
このようなアクティブマトリクス基板は、以下のように
して製造される。まず、ガラス等の透明絶縁性の基板ｌ
の上に’ｒａ−ｃｒ等から成るゲート電極２を形成する
。次に、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘ等から成るゲート絶縁膜４
．非晶質シリコン（以下ａ−８ｉと略す。）、多結晶シ
リコン、ＣｄＳｅ等から成る半導体層５を積層する。更
に、Ｔ ｌ＋Ｍ ｏ ＋ Ａ Ｉ等から成るソース電極
６及びドレイン電極８を形成する。通常、オーミックコ
ンタクトを取るために半導体層５とソース電極６及びド
レイン電極８の間にリンをドープしたａ−８ｉ（以＋ 下ｎ−８ｉと略称する。）層９が設けられる。最後Ｋ・
ポリイミド樹脂・ナクリル樹脂等から成る有機系層間絶
縁膜１０．ＩＴＯ等の透明導電膜から成る絵素電極１１
を形成する。
して製造される。まず、ガラス等の透明絶縁性の基板ｌ
の上に’ｒａ−ｃｒ等から成るゲート電極２を形成する
。次に、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘ等から成るゲート絶縁膜４
．非晶質シリコン（以下ａ−８ｉと略す。）、多結晶シ
リコン、ＣｄＳｅ等から成る半導体層５を積層する。更
に、Ｔ ｌ＋Ｍ ｏ ＋ Ａ Ｉ等から成るソース電極
６及びドレイン電極８を形成する。通常、オーミックコ
ンタクトを取るために半導体層５とソース電極６及びド
レイン電極８の間にリンをドープしたａ−８ｉ（以＋ 下ｎ−８ｉと略称する。）層９が設けられる。最後Ｋ・
ポリイミド樹脂・ナクリル樹脂等から成る有機系層間絶
縁膜１０．ＩＴＯ等の透明導電膜から成る絵素電極１１
を形成する。
〈発明が解決しようとする課題〉
前記層間絶縁膜となる有機系絶縁膜上に直接絵素電極と
なる透明電極膜例えば金属酸化物例えばＩＴＯ（Ｉｎｄ
ｉｕｍｔｉｎ ｏｘｉｄｅ ）の膜をパターニングす
ると、有機系絶縁膜とＩＴＯの膜の密着性が悪いため、
ＩＴＯのはがれがおころ。このようなはがれが発生する
とアクティブマトリクス基板の歩留りを低下させ、コス
ト高を招き、このアそこで、本発明はアクティブマトリ
クス表示装置に用いるアクティブマトリクス基板にあっ
て、絵素電極である透明電極のパターニング時のはがれ
が防止しうるアクティブマトリクス基板の提供を目的と
する。
なる透明電極膜例えば金属酸化物例えばＩＴＯ（Ｉｎｄ
ｉｕｍｔｉｎ ｏｘｉｄｅ ）の膜をパターニングす
ると、有機系絶縁膜とＩＴＯの膜の密着性が悪いため、
ＩＴＯのはがれがおころ。このようなはがれが発生する
とアクティブマトリクス基板の歩留りを低下させ、コス
ト高を招き、このアそこで、本発明はアクティブマトリ
クス表示装置に用いるアクティブマトリクス基板にあっ
て、絵素電極である透明電極のパターニング時のはがれ
が防止しうるアクティブマトリクス基板の提供を目的と
する。
〈課題を解決するための手段〉
本発明のアクティブマトリクス表示装置によれば、絶縁
性透明基板、該基板上に設けられた薄膜トランジスタア
レイ、該薄膜トランジスタアレイを覆うように形成され
た透明絶縁膜及び該透明絶縁膜に形成されたコンタクト
ホールを介して前記薄膜トランジスタアレイの各薄膜ト
ランジスタのドレイン電極と電気的に接続している絵素
電極を有するアクティブマトリクス表示装置にあって、
前記透明絶縁膜が有機系絶縁膜、無機系絶縁膜の順に積
層された多層膜とすることによって上記目的が達成され
る。なお、ここで前記有機系絶縁膜に形成されたコンタ
クトホールより前記無機系絶縁膜に形成されたコンタク
トホールの方を小さくすることができる。そして、前記
有機系絶縁膜をポリイミド樹脂膜またはアクリル樹脂膜
とし、又前記無機系絶縁膜を酸化シリコン膜または窒化
シリコン膜とすることにより、上記目的が良好に達成さ
れる。
性透明基板、該基板上に設けられた薄膜トランジスタア
レイ、該薄膜トランジスタアレイを覆うように形成され
た透明絶縁膜及び該透明絶縁膜に形成されたコンタクト
ホールを介して前記薄膜トランジスタアレイの各薄膜ト
ランジスタのドレイン電極と電気的に接続している絵素
電極を有するアクティブマトリクス表示装置にあって、
前記透明絶縁膜が有機系絶縁膜、無機系絶縁膜の順に積
層された多層膜とすることによって上記目的が達成され
る。なお、ここで前記有機系絶縁膜に形成されたコンタ
クトホールより前記無機系絶縁膜に形成されたコンタク
トホールの方を小さくすることができる。そして、前記
有機系絶縁膜をポリイミド樹脂膜またはアクリル樹脂膜
とし、又前記無機系絶縁膜を酸化シリコン膜または窒化
シリコン膜とすることにより、上記目的が良好に達成さ
れる。
〈作 用〉
本発明によれば、有機系絶縁膜と絵素電極膜である透明
電極膜との間に無機系絶縁膜が介在しており、絵素電極
膜は無機系絶縁膜上に配置されるために密着性が高まり
、はがれが防止できる。ここで、無機系絶縁膜を酸化シ
リコン膜または窒化シリコン膜とすることにより絵素電
極膜との密着性が良好であり望ましい。又、有機系絶縁
膜をポリイミド樹脂またはアクリル樹脂により形成する
ことが望ましい。
電極膜との間に無機系絶縁膜が介在しており、絵素電極
膜は無機系絶縁膜上に配置されるために密着性が高まり
、はがれが防止できる。ここで、無機系絶縁膜を酸化シ
リコン膜または窒化シリコン膜とすることにより絵素電
極膜との密着性が良好であり望ましい。又、有機系絶縁
膜をポリイミド樹脂またはアクリル樹脂により形成する
ことが望ましい。
く実施例〉
本発明のアクティブマトリクス表示装置に用いるアクテ
ィブマトリクス基板の一実施例の断面図を第１図に示す
。第１図において、第５図と同等部分は同一符号にて示
している。第１図において層間絶縁膜が有機系絶縁膜ｌ
Ｏと、その有機系絶縁膜１０と絵素電極１１との間に介
在する無機系絶縁膜１１０との２層構造となっている。
ィブマトリクス基板の一実施例の断面図を第１図に示す
。第１図において、第５図と同等部分は同一符号にて示
している。第１図において層間絶縁膜が有機系絶縁膜ｌ
Ｏと、その有機系絶縁膜１０と絵素電極１１との間に介
在する無機系絶縁膜１１０との２層構造となっている。
この有機系絶縁膜ｌＯはポリイミド樹脂、アクＩＪ ）
し樹脂等の有機系材料であるが、実施例ではポリイミド
樹脂の例を挙げる。そして、前記無機系絶縁膜１１０は
酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等の無機系材料である
が、実施例では酸化シリコンの例を挙げる。又、有機系
絶縁膜ｌＯの膜厚は５０００〜２００００Ａ程度とする
ことができ、無機系絶縁膜１１０の膜厚は５００〜５０
００Ａこの無機系絶縁膜１１０は、有機系絶縁膜ＩＯの
上方全面を覆うよう形成されており、絵素電極１１がド
レイン電極８と接続するためのコンタクトホールが形成
されており、当該コンタクトホールは絶縁膜ｌＯに形成
されているコンタクトホールより小さくされている。な
お、無機系絶縁物１１０は、この実施例では有機系絶縁
膜１０の全面を覆うように形成されている例を説明した
が、絵素電極１１のはがれ防止の目的からは絵素電極１
１に対応する部分乃至それより−まわり大きく形成する
こともできる。
し樹脂等の有機系材料であるが、実施例ではポリイミド
樹脂の例を挙げる。そして、前記無機系絶縁膜１１０は
酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等の無機系材料である
が、実施例では酸化シリコンの例を挙げる。又、有機系
絶縁膜ｌＯの膜厚は５０００〜２００００Ａ程度とする
ことができ、無機系絶縁膜１１０の膜厚は５００〜５０
００Ａこの無機系絶縁膜１１０は、有機系絶縁膜ＩＯの
上方全面を覆うよう形成されており、絵素電極１１がド
レイン電極８と接続するためのコンタクトホールが形成
されており、当該コンタクトホールは絶縁膜ｌＯに形成
されているコンタクトホールより小さくされている。な
お、無機系絶縁物１１０は、この実施例では有機系絶縁
膜１０の全面を覆うように形成されている例を説明した
が、絵素電極１１のはがれ防止の目的からは絵素電極１
１に対応する部分乃至それより−まわり大きく形成する
こともできる。
第１図に示す、本発明の一実施例であるアクティブマト
リクス基板の製造方法を第２図（ａ）、ら）。
リクス基板の製造方法を第２図（ａ）、ら）。
（ｃ）に従って説明する。まず、ガラス基板ｌ上に、ス
パッタリング法により３０００ＡのＴａ膜を形成して、
フォトリソグラフィによりパターニングしてゲート電極
２とする。次に、プラズマＣＶＤ法により４０００Ｘの
ＳｉＮｘから成るゲート絶縁膜４．１００ＯＡのａ−８
ｉから成る半導体層０ ＋ ５及び４００Ａのｎ −３ｉ層９を連続して形成して、
パターニングする。更に、スパッタリング法により２０
０ＯＡのＭｏを形成して、ソース電極６及びドレイン電
極８の形状にパターニングすることによりＴＰＴプレイ
をマトリクス状に形成する（第２図（ａ））。このとき
ソース電極６と接続するソーヌパス配線７も形成される
。ポリイミド樹脂を１μｍ塗布し、パターニングし、有
機系絶縁膜１０を形成する。次に、スパッタリング法に
より、１００ＯＡの５ｉＯｚ膜を形成し、コンタクトホ
ールの径がポリイミド樹脂パターニングしたときのマス
クよりも小さいマスクを用いてパターニングし、無機系
絶縁膜１１０を形成する。
パッタリング法により３０００ＡのＴａ膜を形成して、
フォトリソグラフィによりパターニングしてゲート電極
２とする。次に、プラズマＣＶＤ法により４０００Ｘの
ＳｉＮｘから成るゲート絶縁膜４．１００ＯＡのａ−８
ｉから成る半導体層０ ＋ ５及び４００Ａのｎ −３ｉ層９を連続して形成して、
パターニングする。更に、スパッタリング法により２０
０ＯＡのＭｏを形成して、ソース電極６及びドレイン電
極８の形状にパターニングすることによりＴＰＴプレイ
をマトリクス状に形成する（第２図（ａ））。このとき
ソース電極６と接続するソーヌパス配線７も形成される
。ポリイミド樹脂を１μｍ塗布し、パターニングし、有
機系絶縁膜１０を形成する。次に、スパッタリング法に
より、１００ＯＡの５ｉＯｚ膜を形成し、コンタクトホ
ールの径がポリイミド樹脂パターニングしたときのマス
クよりも小さいマスクを用いてパターニングし、無機系
絶縁膜１１０を形成する。
（第２図う））最後に、スパッタリング法により、１０
００ＡのＩＴＯ膜を形成し、絵素電極の形状にパターニ
ングし、絵素電極１１を形成する（第２図（Ｃ））。
００ＡのＩＴＯ膜を形成し、絵素電極の形状にパターニ
ングし、絵素電極１１を形成する（第２図（Ｃ））。
前記実施例のアクティブマトリクス基板においては、層
間絶縁層が有機系絶縁膜ｌＯであるポリイミド樹脂膜１
０の上に形成された、無機系絶縁膜１１０であるＳ ｉ
０２膜１１０の上に、更に絵素電極１１であるＩＴＯ
ＩＩが形成されているため、ＩＴＯは５ｉＯｚ膜との密
着性が良くはがれが防止される。そして、このアクティ
ブマトリクス基板を液晶表示素子に用いる場合には、該
アクティブマトリクス基板上に液晶の配向膜として更に
ポリイミド樹脂が塗布されることとなるが、ポリイミド
樹脂膜ｌＯの上面が酸化シリコン膜１１０で覆われるの
でポリイミド樹脂膜１０に悪影響を及ぼすことがない。
間絶縁層が有機系絶縁膜ｌＯであるポリイミド樹脂膜１
０の上に形成された、無機系絶縁膜１１０であるＳ ｉ
０２膜１１０の上に、更に絵素電極１１であるＩＴＯ
ＩＩが形成されているため、ＩＴＯは５ｉＯｚ膜との密
着性が良くはがれが防止される。そして、このアクティ
ブマトリクス基板を液晶表示素子に用いる場合には、該
アクティブマトリクス基板上に液晶の配向膜として更に
ポリイミド樹脂が塗布されることとなるが、ポリイミド
樹脂膜ｌＯの上面が酸化シリコン膜１１０で覆われるの
でポリイミド樹脂膜１０に悪影響を及ぼすことがない。
即ち、第５図に示すアクティブマ） ＩＪクス基板のよ
うに絵素電極１１が層間絶縁膜１０を部分的に覆ってい
る場合、液晶の配向膜として更にポリイミド樹脂を直接
塗布すると、該ポリイミド樹脂が層間然縁膜ｌＯである
ポリイミド樹脂に接触するため、層間絶縁膜１０月のポ
リイミド樹脂が膨潤し、クラックや膜剥がれが発生しや
すいという問題があるが、本発明ではポリイミド樹脂膜
ｌＯの表面が酸化シリコン樹脂膜１１０で覆われており
、このような問題が生じ難くなる。
うに絵素電極１１が層間絶縁膜１０を部分的に覆ってい
る場合、液晶の配向膜として更にポリイミド樹脂を直接
塗布すると、該ポリイミド樹脂が層間然縁膜ｌＯである
ポリイミド樹脂に接触するため、層間絶縁膜１０月のポ
リイミド樹脂が膨潤し、クラックや膜剥がれが発生しや
すいという問題があるが、本発明ではポリイミド樹脂膜
ｌＯの表面が酸化シリコン樹脂膜１１０で覆われており
、このような問題が生じ難くなる。
〈発明の効果〉
本発明のアクティブマ）ＩＪクス表示装置に用いるアク
ティブマトリクス基板によれば、絵素電極がパターニン
グ時の剥がれが防止できる。この結果、アクティブマト
リクス基板の歩留まりが向上し、アクティブマトリクヌ
表示装置の実用性を高めることかできる効果がある。
ティブマトリクス基板によれば、絵素電極がパターニン
グ時の剥がれが防止できる。この結果、アクティブマト
リクス基板の歩留まりが向上し、アクティブマトリクヌ
表示装置の実用性を高めることかできる効果がある。
第１図は本発明のアクティブマトリクヌ表示装置に用い
るアクティブマトリクス基板の１％施例を示す断面図を
示し、 第２図１．ら）、（ｃ）は本発明の前記ｌ実施例の製造
工程を示す断面図を示し、 第３図は従来構造のアクティブマ） ＩＪクヌ基板の要
部平面図を示し、 第４図は従来構造のアクティブマトリクス基板の断面図
を示し、 第５図は従来構造を改良したアクティブマトリクス基板
の断面図を示し、 第６図は改良されたアクティブマトリクス基板の要部平
面図を示す。 ｌ：透明絶縁性基板 ２：ゲート電極３：ゲートパス
ライン ４：ゲート絶縁膜５：ａ−８ｉ膜 ６：
ソーヌ電極７：ソースパスライン ８ニドレイン電極１
１：絵素電極 １２：コンタクトホール１１Ｏ：無
機系絶縁膜 代理人 弁理士 梅 １） 勝（他２名）第１図 （ｂ） （Ｃ） 第２図 第３図
るアクティブマトリクス基板の１％施例を示す断面図を
示し、 第２図１．ら）、（ｃ）は本発明の前記ｌ実施例の製造
工程を示す断面図を示し、 第３図は従来構造のアクティブマ） ＩＪクヌ基板の要
部平面図を示し、 第４図は従来構造のアクティブマトリクス基板の断面図
を示し、 第５図は従来構造を改良したアクティブマトリクス基板
の断面図を示し、 第６図は改良されたアクティブマトリクス基板の要部平
面図を示す。 ｌ：透明絶縁性基板 ２：ゲート電極３：ゲートパス
ライン ４：ゲート絶縁膜５：ａ−８ｉ膜 ６：
ソーヌ電極７：ソースパスライン ８ニドレイン電極１
１：絵素電極 １２：コンタクトホール１１Ｏ：無
機系絶縁膜 代理人 弁理士 梅 １） 勝（他２名）第１図 （ｂ） （Ｃ） 第２図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、絶縁性透明基板、該基板上に設けられた薄膜トラン
ジスタアレイ、該薄膜トランジスタアレイを覆うように
形成された透明絶縁膜及び該透明絶縁膜に形成されたコ
ンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタアレイの
各薄膜トランジスタのドレイン電極と電気的に接続して
いる絵素電極を有するアクティブマトリクス表示装置に
あって、前記透明絶縁膜が有機系絶縁膜、無機系絶縁膜
の順に積層された多層膜であることを特徴とするアクテ
ィブマトリクス表示装置。 ２、前記有機系絶縁膜がポリイミド樹脂膜またはアクリ
ル樹脂膜であることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載のアクティブマトリクス表示装置。 ３、前記無機系絶縁膜が酸化シリコン膜または窒化シリ
コン膜であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載のアクティブマトリクス表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29271990A JP2963529B2 (ja) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | アクティブマトリクス表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29271990A JP2963529B2 (ja) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | アクティブマトリクス表示装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11747699A Division JPH11326941A (ja) | 1999-04-26 | 1999-04-26 | アクティブマトリクス表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04163528A true JPH04163528A (ja) | 1992-06-09 |
| JP2963529B2 JP2963529B2 (ja) | 1999-10-18 |
Family
ID=17785431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29271990A Expired - Lifetime JP2963529B2 (ja) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | アクティブマトリクス表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2963529B2 (ja) |
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- 1990-10-29 JP JP29271990A patent/JP2963529B2/ja not_active Expired - Lifetime
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