JP2007114811A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明にかかる液晶表示装置の製造方法は、液晶層を挟んで互いに対向して配置された1対の基板のうちの一方の基板上に、外光を反射する反射電極と背面光源からの光を透過する透過電極とを1画素内に構成する画素電極を備えた液晶表示装置の製造方法であって、透過電極を形成するステップと、形成された前記透過電極上に反射電極を形成するステップとを備え、前記反射電極を形成するステップは、パターン形成前に当該反射電極を覆う導電性材料を形成するステップと、パターン形成後に当該導電性材料を除去するステップとを備えたものである。
【選択図】 図1
Description
ハーフトーン露光を用いて前記有機膜に凹凸パターンを形成するステップと、前記第1の絶縁膜及び第2の絶縁膜をエッチングによりパターニングするステップと、透過電極を形成するステップと、形成された前記透過電極上に反射電極を絶縁層を介さずに形成するステップとをさらに備えるようにするとよい。このような製造方法によれば、さらに、写真工程を減らすことができ、製造が容易となり、高歩留りを実現できる。
非晶質ITOを形成するステップと、非晶質ITOをパターニングするステップと、
非晶質ITOを結晶化ITOにするステップとを備えたことを特徴とする。この非晶質ITOを結晶化ITOにするステップにおいては、200℃以上に加熱することでITOの結晶化を行なうとよい。
図1に本発明の実施の形態1にかかる半透過型液晶表示装置の製造プロセスフローを示す。この製造プロセスでは、7回の写真工程により半透過型a−SiのTFTアレイを製造している。
図2に本発明の実施の形態2にかかる半透過型液晶表示装置の製造プロセスフローを示す。この製造プロセスでは、6回の写真工程により半透過型a−SiのTFTアレイを製造している。
図3に本発明の実施の形態3にかかる半透過型液晶表示装置の製造プロセスフローを示す。この製造プロセスでは、6枚のマスクを用いて半透過型a−SiのTFTアレイを製造している。
図4に本発明の実施の形態4にかかる半透過型液晶表示装置の製造プロセスフローを示す。この製造プロセスでは、5回の写真工程を用いて半透過型a−SiのTFTアレイを製造している。
図8に本発明の実施の形態5にかかる半透過型液晶表示装置の構成を示す。この構成は実施の形態1から4のいずれでも実現可能であるが、本実施の形態は、実施の形態1に示すプロセスフローにより形成させた例について示す。
図9に本発明の実施の形態6にかかる半透過型液晶表示装置の構成を示す。この構成は、実施の形態1から4のいずれでも実現可能であるが、この実施の形態6では、実施の形態1のプロセスフローにより形成させた例について示す。
このような構成においては、以下の効果を有する。一般的に有機膜上に形成される透過電極(導電性薄膜9)と、その透過電極上に絶縁膜を介さずに形成される金属薄膜の密着力は、有機膜上に直接形成された金属薄膜より低く、以降の製造工程中に有機膜上の透過電極上と、その透過電極上に形成された金属薄膜が剥離する問題が生じる。この課題に対し、本実施の形態のような構成をとることで金属薄膜の剥離が著しく改善する。好適な例としては、透過電極を1μm以上金属薄膜の内側に包含する構成がよい。なお、絶縁基板上の透過電極と、金属薄膜の密着力は良好であり、透過部開口部では透過電極と金属薄膜の剥離の問題は生じない。
3 半導体能動膜 4 オーミックコンタクト膜
5 ソース電極 6 ドレイン電極
7 第2の絶縁膜 8 有機膜
9 導電性薄膜 10,11 第3の金属薄膜
Claims (7)
- 液晶層を挟んで互いに対向して配置された1対の基板のうちの一方の基板上に、外光を反射する反射電極と背面光源からの光を透過する透過電極とを1画素内に構成する画素電極を備えた液晶表示装置の製造方法であって、
透過電極を形成するステップと、
形成された前記透過電極上に反射電極を形成するステップとを備え、
前記反射電極を形成するステップは、
パターン形成前に当該反射電極を覆う導電性材料を形成するステップと、
パターン形成後に当該導電性材料を除去するステップとを備えた液晶表示装置の製造方法。 - 前記反射電極は、アルミニウムを含む材料により構成され、前記導電性材料は、クロム、モリブデン、タンタル、タングステンのいずれかを含む材料により構成されたことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 液晶層を挟んで互いに対向して配置された1対の基板のうちの一方の基板上に、外光を反射する反射電極と背面光源からの光を透過する透過電極とを1画素内に構成する画素電極を備えた液晶表示装置の製造方法であって、
絶縁基板上に第1の金属薄膜を形成し、パターニングするステップと、
第1の絶縁膜、半導体能動膜、オーミックコンタクト膜、第2の金属薄膜を成膜するステップと、
ハーフトーン露光を用いてレジストパターンを形成し、前記半導体能動膜、オーミックコンタクト膜及び第2の金属薄膜をエッチングによりパターニングするステップと、
透過電極を形成するステップと、
形成された前記透過電極上に反射電極を絶縁層を介さずに形成するステップとを備えた液晶表示装置の製造方法。 - 前記半導体能動膜、オーミックコンタクト膜及び第2の金属薄膜をエッチングによりパターニングするステップ後に、第2の絶縁膜及び有機膜を形成するステップと、
ハーフトーン露光を用いて前記有機膜に凹凸パターンを形成するステップと、
前記第1の絶縁膜及び第2の絶縁膜をエッチングによりパターニングするステップと、
透過電極を形成するステップと、
形成された前記透過電極上に反射電極を絶縁層を介さずに形成するステップとをさらに備えたことを特徴とする請求項3に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 液晶層を挟んで互いに対向して配置された1対の基板のうちの一方の基板上に、外光を反射する反射電極と背面光源からの光を透過する透過電極とを1画素内に構成する画素電極を備えた液晶表示装置の製造方法であって、
絶縁基板上に第1の金属薄膜を形成し、パターニングするステップと、
第1の絶縁膜、半導体能動膜、オーミックコンタクト膜、第2の金属薄膜を成膜するステップと、
前記半導体能動膜、オーミックコンタクト膜及び第2の金属薄膜をエッチングによりパターニングするステップ後に、第2の絶縁膜及び有機膜を形成するステップと、
ハーフトーン露光を用いて前記有機膜に凹凸パターンを形成するステップと、
前記第1の絶縁膜及び第2の絶縁膜をエッチングによりパターニングするステップと、
透過電極を形成するステップと、
形成された前記透過電極上に反射電極を絶縁層を介さずに形成するステップとを備えたことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 前記透過電極を形成するステップは、
非晶質ITOを形成するステップと、非晶質ITOをパターニングするステップと、
非晶質ITOを結晶化ITOにするステップとを備えたことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記非晶質ITOを結晶化ITOにするステップにおいて、200℃以上に加熱することでITOの結晶化を行なうことを特徴とする請求項6に記載の液晶表示装置の製造方法。
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KR20110070532A (ko) * | 2009-12-18 | 2011-06-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 박막트랜지스터 제조방법 |
KR101774484B1 (ko) | 2011-02-15 | 2017-09-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 인듐 산화막의 비할로겐성 식각액 및 이를 이용한 표시 기판의 제조 방법 |
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2007
- 2007-02-02 JP JP2007024128A patent/JP2007114811A/ja active Pending
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