JP2604867B2 - 反射型液晶表示デバイス - Google Patents

反射型液晶表示デバイス

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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、表示装置に利用する薄膜トランジスタを有
した反射型液晶表示デバイスに関するものである。
従来の技術 近年、アクティブ素子を利用した液晶表示デバイスは
ポケットテレビまたは情報端末機器として利用されるよ
うになってきた。
以下に従来の反射型液晶表示デバイスについて説明す
る。
第３図は従来の反射型液晶表示デバイスの断面図であ
り、１は絶縁基板、２はソース電極、３はスイッチング
素子、４は絶縁体層、５は反射画素電極、６はゲート絶
縁膜、７は絶縁体層、８は液晶、９は対向共通電極、10
は対向透明基板、11はブラックストライプである。
以上のように構成された反射型液晶表示デバイスにつ
いて、以下その動作を説明する。
まず、画素を選択するゲート信号がゲート電極３に加
わると半導体部４がオン状態になり、ソース電極の画像
信号が半導体部４を通り、反射画素電極５に電流が流れ
る。これにより、反射画素電極５と対向共通電極10に挟
まれた液晶層９に電圧が印加され、液晶が動作する。こ
のとき、表示を見やすくするための光は対向透明基板10
側から照射され、反射画素電極５で入射光は反射され
る。ここで、光は液晶層８を通る際に偏光され、偏光さ
れなかった画素との間にコントラストの差が生じ、画像
が得られる。ブラックストライプ11は表示上画素を分離
し画質を向上させる役割をもつ。
発明が解決しようとする課題 しかしながら上記従来の構成ではスイッチング素子の
上部に絶縁体層７を成膜し、コンタクトホールを形成し
た後、反射画素電極５を形成する構造であるために、透
過型液晶表示デバイスに比べ製造工程が複雑であり、マ
スク枚数が多く、かつ、高コストである問題が生じてい
た。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので製造工程
を簡略化でき、マスク枚数を削減できるため、コストを
大幅に削減できる反射型液晶表示デバイスを提供するこ
とを目的とする。
課題を解決するための手段 この目的を達成するために本発明の反射型液晶表示デ
バイスは、薄膜トランジスタ構造のスイッチング素子を
ゲート電極のバス配線上部にゲート電極幅より小さく複
数形成し、上記複数の薄膜トランジスタのドレイン電極
が高反射率を有し、少なくとも異なるゲートバス配線に
接続し、かつ、光の拡散効率の高い導電性材料で形成さ
れた画素電極の構成を有している。
作用 この構成によって、製造工程を従来の反射型液晶表示
デバイスより少なくとも４工程を簡略化でき、マスク枚
数を２枚削減できるため、コストを大幅に削減すること
ができる。
実施例 以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
第１図は本発明の一実施例における反射型液晶表示デ
バイスのアレイ側基板の平面構造を示すものである。第
１図において、22はソース・バス電極である。23はゲー
ト・バス電極としてスパッタリングで形成したクロム金
属、24はプラズマCVDで形成した非晶質珪素である。こ
の半導体部をゲート・バス電極23より小さくし、ゲート
・バス配線上に形成する。25は低真空状態で蒸着したア
ルミニウムで形成された拡散反射電極である。アルミニ
ウム表面に細かな凹凸を設けることによって拡散反射物
質として使用する。26はプラズマCVDにより成膜した非
晶質窒化珪素からなるゲート絶縁膜である。
第２図は第１図における平面図のＡ−Ａ′断面を示す
反射型表示デバイスの断面図である。21は絶縁基板とし
てガラス基板、22,23,24,25と26は上記第１図に示すと
おり、29はゲスト・ホストモードの液晶、30は対向透明
電極としてスパツタリングによって成膜したインジュウ
ム−錫酸化膜（ITO）、31は対向基板としてガラス基
板、32はクロム金属で形成したブラックストライプ、33
はドレイン電極と半導体層との接触をオーム接触にする
ための中間メタル層としてのコンタクトメタルである。
以上のように構成された反射形液晶表示デバイスにつ
いて、その動作は従来例の動作と同様である。
以上のように本実施例によれば、薄膜トランジスタの
半導体部をゲート・バス電極上に形成し、ドレイン電極
を低真空圧状態で蒸着したアルミニウムで構成した拡散
反射電極とすることによって、従来の反射型液晶表示デ
バイスより製造工程を簡略化でき、マスク枚数を削減で
きるため、コストを大幅に削減することができる。
また、薄膜トランジスタのドレイン電極と画素電極の
接続のための配線が不要なため、高開口率を実現でき
る。
さらに、薄膜トランジスタのドレイン電極である拡散
画素電極をITOで形成すれば透過型液晶表示デバイスと
して用いることができる。すなわち、同じマスクで反射
型と透過型の構造が可能となり、コトスがさらに削減す
ることができる利点もある。
なお、上記実施例では、拡散反射電極をアルミニウム
で形成したが、酸化マグネシュウムを反射拡散材料とし
て画素電極部に形成し、ITOをその上部に形成した構成
でもよい。
発明の効果 以上のように本発明は反射型液晶表示デバイスにおい
て、薄膜トランジスタの半導体部をゲート・バス電極上
に形成し、ドレイン電極を低真空圧状態で蒸着したアル
ミニウムで構成した拡散反射電極とすることによって、
薄膜トランジスタのドレイン電極と画素電極の接続のた
めの配線が不要なため、高開口率を実現でき、かつ、製
造工程を従来の反射型液晶表示デバイスより簡略化で
き、マスク枚数を削減できるため、コストを大幅に削減
することができる優れた反射型液晶表示デバイスを実現
できるものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例における反射型液晶表示デバ
イスの平面図、第２図は第１図Ａ−Ａ′断面における断
面図、第３図は従来の反射型液晶表示デバイスを示す断
面図である。 22……ソース・バス電極、23……ゲート・バス電極、24
……薄膜トランジスタの半導体層、25……拡散反射電
極、26……ゲート絶縁層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 堀田 定▲吉▼ 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−68326（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−77887（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−15680（ＪＰ，Ａ)

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】スイッチング素子として薄膜トランジスタ
    を用いたアクティブマトリックス方式の液晶表示デバイ
    スにおいて、ゲート電極のバス配線上部にゲート電極幅
    と同等もしくは小さい薄膜トランジスタの半導体部を有
    し、上記薄膜トランジスタのドレイン電極と電気的に接
    続された画素電極が光を反射する部材で構成され、前記
    薄膜トランジスタが前記画素電極に複数形成され、前記
    複数の薄膜トランジスタの各ドレイン電極が、少なくと
    も相異なる前記バス配線に接続されていることを特徴と
    する反射型液晶表示デバイス。
  2. 【請求項２】各表示画素に補助容量が形成されているこ
    とを特徴とする請求項（１）記載の反射型液晶表示デバ
    イス。
  3. 【請求項３】画素電極が光拡散板であることを特徴とす
    る請求項（１）記載の反射型液晶表示デバイス。
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