JP2868323B2 - 反射型液晶表示デバイス - Google Patents
反射型液晶表示デバイスInfo
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- JP2868323B2 JP2868323B2 JP803991A JP803991A JP2868323B2 JP 2868323 B2 JP2868323 B2 JP 2868323B2 JP 803991 A JP803991 A JP 803991A JP 803991 A JP803991 A JP 803991A JP 2868323 B2 JP2868323 B2 JP 2868323B2
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- crystal display
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、表示装置に利用する薄
膜トランジスタを有した反射型液晶表示デバイスに関す
るものである。
膜トランジスタを有した反射型液晶表示デバイスに関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、アクティブ素子を利用した液晶表
示デバイスが、ポケットテレビまたは情報端末機器とし
て利用されるようになってきた。
示デバイスが、ポケットテレビまたは情報端末機器とし
て利用されるようになってきた。
【０００３】以下に従来の反射型液晶表示デバイスにつ
いて説明する。図３は従来の反射型液晶表示デバイスの
断面図であり、１は透明絶縁基板、２はゲート・バス電
極、３はスイッチング素子、４は画素電極、５はゲート
絶縁膜、６は液晶、７は対向透明電極、８はブラックス
トライプ、９はコンタクトメタル、10は補助容量電極、
11は光吸収材である。
いて説明する。図３は従来の反射型液晶表示デバイスの
断面図であり、１は透明絶縁基板、２はゲート・バス電
極、３はスイッチング素子、４は画素電極、５はゲート
絶縁膜、６は液晶、７は対向透明電極、８はブラックス
トライプ、９はコンタクトメタル、10は補助容量電極、
11は光吸収材である。
【０００４】以上のように構成された反射型液晶表示デ
バイスについて、以下その動作を説明する。まず、画素
を選択するゲート信号がゲート電極２に加わるとスイッ
チング素子３がオン状態になり、ソース電極の画像信号
がスイッチング素子３を通り、画素電極４に電流が流れ
る。これにより、画素電極４と対向透明電極７とに挟ま
れた液晶層６に電圧が印加され、液晶が動作する。液晶
層に加わる電圧がある電圧以下の場合、液晶分子は無秩
序に配列しており（オフ状態）、ある電圧以上で透明絶
縁基板１に垂直に配向しようとする（オン状態）。この
とき、光は対向透明電極７を有する透明絶縁基板１側か
ら照射される。オフ状態では入射された光は散乱し、白
表示となる。一方、オン状態の場合、入射した光は画素
電極４を有した透明絶縁基板１を透過し、光吸収材11で
吸収され、光が入射された方向へは戻らない。これによ
って、画素の輝度を変化させることができる。これを各
画素電極ごとに制御することによって画素どうしの間に
コントラストの差が生じ、画像が得られる。ブラックス
トライプ８は、表示上画素を分離し画質を向上させる役
割をもつ。
バイスについて、以下その動作を説明する。まず、画素
を選択するゲート信号がゲート電極２に加わるとスイッ
チング素子３がオン状態になり、ソース電極の画像信号
がスイッチング素子３を通り、画素電極４に電流が流れ
る。これにより、画素電極４と対向透明電極７とに挟ま
れた液晶層６に電圧が印加され、液晶が動作する。液晶
層に加わる電圧がある電圧以下の場合、液晶分子は無秩
序に配列しており（オフ状態）、ある電圧以上で透明絶
縁基板１に垂直に配向しようとする（オン状態）。この
とき、光は対向透明電極７を有する透明絶縁基板１側か
ら照射される。オフ状態では入射された光は散乱し、白
表示となる。一方、オン状態の場合、入射した光は画素
電極４を有した透明絶縁基板１を透過し、光吸収材11で
吸収され、光が入射された方向へは戻らない。これによ
って、画素の輝度を変化させることができる。これを各
画素電極ごとに制御することによって画素どうしの間に
コントラストの差が生じ、画像が得られる。ブラックス
トライプ８は、表示上画素を分離し画質を向上させる役
割をもつ。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では、スイッチング素子３を有する透明絶縁基板
１の下部に光吸収材11を形成する構造であるために、透
明絶縁基板１の界面で光が反射し、黒表示の画質を劣化
させ、コントラストを低下させていた。かつ、構成部品
が多く、製造工程も複雑になるために高コストである問
題が生じていた。
の構成では、スイッチング素子３を有する透明絶縁基板
１の下部に光吸収材11を形成する構造であるために、透
明絶縁基板１の界面で光が反射し、黒表示の画質を劣化
させ、コントラストを低下させていた。かつ、構成部品
が多く、製造工程も複雑になるために高コストである問
題が生じていた。
【０００６】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、コントラストを改善し、良好な画質を得ることがで
き、かつ、製造工程を簡略化できる反射型液晶表示デバ
イスを提供することを目的とする。
で、コントラストを改善し、良好な画質を得ることがで
き、かつ、製造工程を簡略化できる反射型液晶表示デバ
イスを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の反射型液晶表示デバイスは、薄膜トランジス
タのドレイン電極と電気的に接続された画素電極が光を
吸収する部材で構成されているようにしたものである。
に本発明の反射型液晶表示デバイスは、薄膜トランジス
タのドレイン電極と電気的に接続された画素電極が光を
吸収する部材で構成されているようにしたものである。
【０００８】
【作用】この構成によれば、入射した光は画素電極で吸
収され、ガラス基板にまでは達しないため、このガラス
基板の界面での反射が防止されてコントラストの低下が
なく、画質の向上が可能となる。また、従来の構成にお
いては不可欠であったガラス基板の裏面側の光吸収材が
不必要になるなど、製造工程を従来の反射型液晶表示デ
バイスより少なくとも４工程を簡略化でき、マスク枚数
を２枚削減できるため、コストを大幅に削減することが
できる。
収され、ガラス基板にまでは達しないため、このガラス
基板の界面での反射が防止されてコントラストの低下が
なく、画質の向上が可能となる。また、従来の構成にお
いては不可欠であったガラス基板の裏面側の光吸収材が
不必要になるなど、製造工程を従来の反射型液晶表示デ
バイスより少なくとも４工程を簡略化でき、マスク枚数
を２枚削減できるため、コストを大幅に削減することが
できる。
【０００９】
【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。図１は、本発明の一実施例における
反射型液晶表示デバイスのアレイ側基板の平面構造を示
すものである。この図１において、31はソース・バス電
極である。22はゲート・バス電極としてスパッタリング
で形成したクロム金属、23はプラズマＣＶＤで形成した
非晶質珪素である。この半導体部をゲート・バス電極22
より小さくし、ゲート・バス配線上に形成する。24は画
素電極であり、真空蒸着したカーボンで形成される。こ
れはリフトオフによってパターンを形成する。25はプラ
ズマＣＶＤにより成膜した非晶質窒化珪素からなるゲー
ト絶縁膜である。
しながら説明する。図１は、本発明の一実施例における
反射型液晶表示デバイスのアレイ側基板の平面構造を示
すものである。この図１において、31はソース・バス電
極である。22はゲート・バス電極としてスパッタリング
で形成したクロム金属、23はプラズマＣＶＤで形成した
非晶質珪素である。この半導体部をゲート・バス電極22
より小さくし、ゲート・バス配線上に形成する。24は画
素電極であり、真空蒸着したカーボンで形成される。こ
れはリフトオフによってパターンを形成する。25はプラ
ズマＣＶＤにより成膜した非晶質窒化珪素からなるゲー
ト絶縁膜である。
【００１０】図２は図１に示した平面図のＡ−Ａ断面を
示す反射型液晶表示デバイスの断面図である。21は絶縁
基板としてのガラス基板である。26は動的散乱モード電
気光学効果を用いた液晶材料からなる液晶層、27は対向
透明電極としてスパッタリングによって成膜したインジ
ュウム−錫酸化膜（ＩＴＯ）である。また28はクロム金
属で形成したブラックストライプ、29はドレイン電極と
半導体層との接触をオーム接触にするための中間メタル
層としてのコンタクトメタル、そして30は画素電極24と
の間に補助容量を形成するための補助容量電極である。
示す反射型液晶表示デバイスの断面図である。21は絶縁
基板としてのガラス基板である。26は動的散乱モード電
気光学効果を用いた液晶材料からなる液晶層、27は対向
透明電極としてスパッタリングによって成膜したインジ
ュウム−錫酸化膜（ＩＴＯ）である。また28はクロム金
属で形成したブラックストライプ、29はドレイン電極と
半導体層との接触をオーム接触にするための中間メタル
層としてのコンタクトメタル、そして30は画素電極24と
の間に補助容量を形成するための補助容量電極である。
【００１１】以上のように構成された反射形液晶表示デ
バイスについて、その基本的な動作は従来例の動作と同
様である。特に上記構成によれば、薄膜トランジスタの
半導体部をゲート・バス電極22の上に形成し、ドレイン
電極を真空蒸着したカーボンで形成した画素電極24とす
ることによって、ガラス基板21の界面での反射がなくな
り、従来の反射型液晶表示デバイスよりコントラストを
向上させることができて高画質を実現できる。また、ガ
ラス基板１の裏面側の光吸収材が不必要になるなど、製
造工程を簡略化でき、コストを大幅に削減することがで
きる。
バイスについて、その基本的な動作は従来例の動作と同
様である。特に上記構成によれば、薄膜トランジスタの
半導体部をゲート・バス電極22の上に形成し、ドレイン
電極を真空蒸着したカーボンで形成した画素電極24とす
ることによって、ガラス基板21の界面での反射がなくな
り、従来の反射型液晶表示デバイスよりコントラストを
向上させることができて高画質を実現できる。また、ガ
ラス基板１の裏面側の光吸収材が不必要になるなど、製
造工程を簡略化でき、コストを大幅に削減することがで
きる。
【００１２】また、薄膜トランジスタのドレイン電極と
画素電極の接続のための配線が不要なため、高開口率を
実現できる。
画素電極の接続のための配線が不要なため、高開口率を
実現できる。
【００１３】
【発明の効果】以上のように本発明は、反射形液晶表示
デバイスにおいて、薄膜トランジスタのドレイン電極
を、真空蒸着したカーボンで形成した画素電極とするこ
とによって、入射した光がガラス基板の界面で反射する
ことがなく、このため黒表示の輝度をあげるために生じ
るコントラストの低下を改善でき、画質の向上を図るこ
とができる。また、光吸収材をガラス基板の裏面に形成
する必要がなく、製造工程を従来の反射型液晶表示デバ
イスより簡略化でき、コストを大幅に削減することがで
きる優れた反射型液晶表示デバイスを実現できるもので
ある。
デバイスにおいて、薄膜トランジスタのドレイン電極
を、真空蒸着したカーボンで形成した画素電極とするこ
とによって、入射した光がガラス基板の界面で反射する
ことがなく、このため黒表示の輝度をあげるために生じ
るコントラストの低下を改善でき、画質の向上を図るこ
とができる。また、光吸収材をガラス基板の裏面に形成
する必要がなく、製造工程を従来の反射型液晶表示デバ
イスより簡略化でき、コストを大幅に削減することがで
きる優れた反射型液晶表示デバイスを実現できるもので
ある。
【００１４】なお、画素電極を導電性の高い黒色有機薄
膜で形成してもよい。
膜で形成してもよい。
【図１】本発明の一実施例における反射型液晶表示デバ
イスの平面図である。
イスの平面図である。
【図２】図１におけるＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図３】従来の反射型液晶表示デバイスの断面図であ
る。
る。
22 ゲート・バス電極 24 カーボンブラック画素電極 25 ゲート絶縁膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G02F 1/136 500 G02F 1/1333 G02F 1/1335 G02F 1/1343
Claims (1)
- 【請求項１】 スイッチング素子として薄膜トランジス
タを用いたアクティブマトリックス方式であるととも
に、液晶の電気光学効果に動的散乱モードを使用した液
晶表示デバイスにおいて、上記薄膜トランジスタのドレ
イン電極と電気的に接続された画素電極が光を吸収する
部材で構成されている反射型液晶表示デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP803991A JP2868323B2 (ja) | 1991-01-28 | 1991-01-28 | 反射型液晶表示デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP803991A JP2868323B2 (ja) | 1991-01-28 | 1991-01-28 | 反射型液晶表示デバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04250425A JPH04250425A (ja) | 1992-09-07 |
| JP2868323B2 true JP2868323B2 (ja) | 1999-03-10 |
Family
ID=11682204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP803991A Expired - Fee Related JP2868323B2 (ja) | 1991-01-28 | 1991-01-28 | 反射型液晶表示デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2868323B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006058393A (ja) * | 2004-08-17 | 2006-03-02 | Sony Corp | 液晶表示装置およびパネル |
-
1991
- 1991-01-28 JP JP803991A patent/JP2868323B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04250425A (ja) | 1992-09-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |