TWI612689B - 發光裝置 - Google Patents

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久保田大介
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Abstract

在有規則性地排列反射電極的發光裝置中抑制由反射電極反射的光導致的干涉條紋的產生。在發光元件的反射電極的表面形成多個凹部。多個凹部的形狀彼此不同並不具有旋轉對稱性。由於反射電極的表面的形狀的不規則性得到提高，因此由反射電極反射的光的干涉得到抑制。為了在反射電極的表面形成多個凹部，例如使成為反射電極的基底的絕緣層的表面成為凹凸狀。在反射電極的表面形成反映了絕緣層的表面形狀的凹凸表面。

Description

發光裝置
本發明係關於一種具有電致發光(Electroluminescence，EL)元件等發光元件的發光裝置。
已知有EL顯示裝置作為主動矩陣型的顯示裝置。主動矩陣型EL顯示裝置由多個像素電路構成螢幕。在每個像素電路中設置有EL元件。在EL顯示裝置中，由像素電路控制EL元件的亮度，由此進行灰階顯示。
在設置在像素電路中的EL元件的一般結構中，在由光透過電極和光反射電極構成的一對電極之間設置有發光層。發光層所產生光被光反射電極反射，並且穿過光透過電極而被提取。一般而言，在EL元件中，光透過電極(以下，也稱為透光電極)用作陰極，光反射電極(以下，也稱為反射電極)用作陽極。
在EL顯示裝置的螢幕中，多個反射電極有規則性地排列。因此，有這些反射電極像鏡子般作用而在螢 幕中反射影像的問題。另外，由於反射電極有規則性地排列，所以由各個反射電極反射的光繞射而在螢幕上出現干涉條紋。作為解決上述問題的方法之一，可以舉出在反射電極的表面形成凹凸形狀的方法。於是，在專利文獻1及專利文獻2中，為了在反射電極的表面形成凹凸形狀，在具有點狀的凹凸形狀的樹脂膜上依次層疊透光電極(陰極)、發光層及金屬電極(陽極)。
[專利文獻1]日本公開專利申請案第2000-40584號公報
[專利文獻2]日本公開專利申請案第2003-243152號公報
但是，在專利文獻1及專利文獻2中，在樹脂膜的表面形成的點狀的平面形狀是具有高對稱性的圓。
於是，本發明的一個實施例的目的之一是提供一種能夠藉由提高反射電極的表面形狀的不規則性來抑制外光的反射導致的影像的反射以及干涉條紋的產生的發光裝置。另外，本發明的一個實施例的目的之一是提供一種在提高反射電極的表面形狀的不規則性的同時容易實現大螢幕化及高解析度的發光裝置。
本發明的一個實施例是一種發光裝置，包括：第一電極；第一電極上的發光層；以及隔著發光層重 疊於第一電極的第二電極，其中，在第一電極的重疊於發光層及第二電極的區域的表面設置有多個凹部，並且，多個凹部的平面形狀彼此不同且不具有旋轉對稱性。
在上述方式中，凹部的深度例如可以為大於或等於0.2μm且小於或等於1.5μm。此外，在上述方式中，凹部的傾斜角度可以為大於或等於2°且小於或等於15°。另外，在上述方式中，凹部的平面形狀的外接圓的直徑可以為大於或等於5μm且小於或等於30μm。
根據本發明的一個實施例，可以提供一種能夠藉由提高反射電極的表面形狀的不規則性來抑制外光的反射導致的影像的反射以及干涉條紋的產生的發光裝置。根據本發明的一個實施例，可以提供一種在提高反射電極的表面形狀的不規則性的同時容易實現大螢幕化及高解析度的發光裝置。
10‧‧‧EL顯示裝置
20‧‧‧像素部
21‧‧‧閘極驅動器
22‧‧‧源極驅動器
30‧‧‧像素電路
31‧‧‧EL元件
32‧‧‧電晶體
33‧‧‧電晶體
34‧‧‧電容元件
41‧‧‧閘極線
42‧‧‧源極線
45‧‧‧佈線
51‧‧‧控制器
52‧‧‧電源電路
60‧‧‧EL面板
71、72‧‧‧基板
81‧‧‧密封劑
82‧‧‧端子部
91‧‧‧FPC
100‧‧‧光
101‧‧‧電路基板
102‧‧‧CF基板
103‧‧‧電晶體層
104‧‧‧空間
111‧‧‧反射電極層
112‧‧‧透光電極層
113‧‧‧發光層
121至124‧‧‧絕緣層
130‧‧‧開口
140‧‧‧區域
141、141a‧‧‧凹部
142‧‧‧開口
180‧‧‧遮光層
181至183‧‧‧濾色片層
184‧‧‧外套層
185‧‧‧外套層
在圖式中：圖1顯示出EL面板的結構的一個例子的剖面圖；圖2A顯示出反射電極層的結構的一個例子的俯視圖，圖2B顯示出反射電極層的結構的一個例子的剖面圖，圖2C顯示出凹部的平面形狀的一個例子的俯視圖；圖3A顯示出EL顯示裝置的結構的一個例子的方塊圖，圖3B顯示出EL面板的結構的一個例子的平面圖，圖3C顯示出像素電路的結構的一個例子的電路圖； 圖4顯示出EL面板的結構的一個例子的剖面圖；圖5A顯示出像素電路的結構的一個例子的電路圖，圖5B顯示出像素電路的平面佈局的一個例子的平面圖；圖6A和圖6B是示出像素電路的製造方法的一個例子的平面圖；圖7A和圖7B是示出像素電路的製造方法的一個例子的平面圖；圖8A和圖8B是示出像素電路的製造方法的一個例子的平面圖；圖9A是示出凹部的佈局的基本圖案的一個例子的平面圖，圖9B是示出形成凹部的區域的基本圖案的一個例子的平面圖，圖9C是說明用來形成凹部的光遮罩的基本遮罩圖案的製造方法的平面圖，圖9D是說明用來形成凹部的光遮罩的基本遮罩圖案的平面圖；圖10A至圖10E各是說明用來形成凹部的光遮罩的設計例的圖；圖11A至圖11E各示出具備使用發光裝置構成的顯示部的電子裝置的一個例子的圖，圖11F是示出照明設備的一個例子的圖。
以下參照圖式對本發明的實施方式進行詳細說明。注意，本發明不侷限於以下說明，所屬技術領域的普通技術人員可以很容易地理解一個事實，就是本發明在 不脫離其精神及其範圍的條件下，其方式及詳細內容可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發明不應該被解釋為僅限定於以下所示的實施方式的記載內容中。
另外，在用於說明發明的實施方式的圖式中，相同部分或具有相同功能的部分用相同的符號表示，並省略重複說明。
注意，在本說明書中，半導體裝置是指包括半導體元件(如電晶體或二極體)的電路以及包括該電路的裝置。另外，半導體裝置亦是指能夠利用半導體特性而發揮作用的任何裝置。例如，積體電路、具備積體電路的晶片、顯示裝置、發光裝置、照明設備以及電子裝置等都是半導體裝置。
實施方式1
參照圖1、圖2A至2C及圖3A至3C說明本實施方式。在本實施方式中，作為發光裝置的一個例子，說明主動矩陣型的電致發光顯示裝置。EL顯示裝置是包括EL面板、控制器、電源電路等的發光裝置，也是半導體裝置。
〈EL顯示裝置的結構例子〉
圖3A是示出主動矩陣型的EL顯示裝置的結構的一個例子的方塊圖。圖3B是示出構成EL顯示裝置的EL面板的結構的一個例子的平面圖。圖3C是示出像素電路的結構的一個例子的電路圖。
如圖3A所示，EL顯示裝置10包括像素部20、閘極驅動器21、源極驅動器22、控制器51以及電源電路52等。
像素部20包括：排列為陣列狀的多個像素電路30；以垂直方向排列的多個閘極線41；以及以水平方向排列的多個源極線42。相同的行的像素電路30連接於該行的閘極線41，且相同的列的像素電路30連接於該列的源極線42。
控制器51控制EL顯示裝置10。控制器51使用影像信號生成輸入到像素部20的資料信號以及用來控制螢幕的改寫的同步信號等。作為同步信號，例如包括水平同步信號、垂直同步信號以及參考時脈信號等。
電源電路52具有對像素部20及驅動器21及22供應電源電壓的功能。
源極線42連接於源極驅動器22。源極驅動器22具有將從控制器51輸入的資料信號輸出到源極線42的功能。
閘極線41連接於閘極驅動器21。閘極驅動器21具有根據從控制器51輸入的控制信號將閘極信號輸出到閘極線41的功能。閘極信號是用來選擇輸入資料信號的像素電路30。
圖3B示出在同一基板上製造有像素部20及驅動器21及22的EL面板的結構的一個例子。EL面板有時也稱為EL模組。藉由在外殼中組裝EL面板60、控制 器51及電源電路52等構成EL顯示裝置10。
如圖3B所示，EL面板60包括基板71及基板72。在基板71上製造有像素部20、驅動器21及22及端子部82。也可以將構成驅動器21及22的電路的全部或一部分組裝在IC晶片上而將該IC晶片組裝在基板71上。
注意，對IC晶片的組裝方法沒有特別的限制。也可以採用將裸晶片(bare chip)直接組裝在基板71上的方式(COG：Chip on Glass)。另外，也可以將IC晶片膠帶載具封裝TCP(TCP：Tape Carrier Package)或SOF(System on Film)上組裝而將TCP或SOF組裝在基板71上。
端子部82形成有用來使像素部20及驅動器(21、22)連接於外部電路的多個端子。端子部82與可撓印刷電路91(FPC：Flexible printed circuit)連接。注意，端子部82不與FPC91連接的結構也可以包括在EL面板中。
在基板71與基板72相對的區域的周邊部設置有密封劑81。因密封劑81而將基板72組裝在基板71上。例如，在EL面板60具有頂部發射結構的情況下，像素部20的EL元件所發射的光穿過基板72而發射到外部。
圖3C是示出像素電路30的結構的一個例子的電路圖。像素電路30至少包括電路部，該電路部使用 控制EL元件31及EL元件31的發光的電晶體等構成。在電路部中至少設置有使像素電路30連接於源極線42的開關以及EL元件31的電流源。在圖3C的例子中，作為該電路部設置有電晶體32、電晶體33及電容元件34。
EL元件31包括兩個電極(陽極及陰極)以及夾在該兩個電極之間的發光層。EL元件31是能夠根據流過在兩個電極之間的電流而改變發光強度的元件。EL元件31中的一個電極連接於被輸入恆壓的佈線45。發光層至少包含發光物質。作為發光物質，有有機EL材料、無機EL材料等。另外，作為發光層的發光，有從單重激發態回到基態時的發光(螢光)以及從三重激發態回到基態時的發光(磷光)。
電晶體32用作用來控制像素電路30與源極線42之間的連接的開關，電晶體32連接源極線42與電晶體33的閘極。閘極線41連接於電晶體32的閘極。
電晶體33用作EL元件31的電流源。電晶體33連接被輸入恆壓的佈線與EL元件31。根據電晶體33的閘極電壓而控制流過電晶體33的源極-汲極之間的電流值。因此，根據輸入到源極線42的資料線的電壓而調節EL元件31的亮度。
電容器34用作用來保持電晶體33的閘極電壓的儲存電容器。
〈像素電路的結構〉
以下，參照圖1說明EL面板60的更具體的結構。在本實施方式中，說明如下情況：藉由提高EL元件的反射電極的表面形狀的不規則性可以抑制干涉條紋以及反射電極所反射的光導致的影像的反射。
圖1是示出EL面板60的結構的一個例子的剖面圖，說明像素電路30的疊層結構的一個例子的圖。EL面板60包括用作EL面板60的背板的電路基板101及濾色片(CF)基板102。注意，在此，EL面板60具有將EL元件31所產生的光100從CF基板102一側提取的頂部發射結構。
〈電路基板的結構例子〉
電路基板101包括形成在基板71上的電晶體層103以及形成在電晶體層103上的EL元件31。在電晶體層103中設置有構成像素部20及驅動器21及22的電晶體、電容器及佈線群。在圖1中，典型地示出像素電路30的電晶體33及絕緣層121。
對電晶體33的結構沒有特別的限制，適合於形成在電路基板101上的電路的特性的電晶體被選擇。作為電晶體33，如圖1所示，可以採用頂閘極結構或底閘極結構。此外，作為構成電晶體33的半導體層，可以採用使用非晶矽膜、多晶矽膜、單晶矽膜或氧化物半導體膜構成的單層結構或多層結構的半導體膜。
絕緣層121可以採用單層結構的膜或兩層以 上的疊層膜，對其厚度沒有特別的限制。此外，絕緣層121的頂面較佳為平坦面。作為構成絕緣層121的絕緣膜，例如可以舉出使用氧化矽、氧氮化矽、氧化鋁、丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、苯並環丁烯樹脂、聚醯胺樹脂、環氧樹脂、矽氧烷類樹脂、SOG或聚矽氮烷類SOG等構成的絕緣膜。
電晶體層103由絕緣層122覆蓋。在絕緣層122上層疊有反射電極層111、發光層113及透光電極層112。使用該疊層體構成EL元件31。反射電極層111藉由形成在絕緣層122中的開口連接於電晶體33。反射電極層111是用作EL元件31的陽極的導電層。此外，透光電極層112是用作EL元件31的陰極的導電層。
發光層113是包含發光物質的層。作為發光物質有螢光化合物(例如，香豆素545T)、磷光化合物(例如，三(2-苯基吡啶)銥(Ⅲ)(簡稱：Ir(ppy)3))等。當將磷光化合物用於發光物質時，可以提高EL元件31的發光效率，所以是較佳的。
EL元件31在反射電極層111與透光電極層112之間還可以包括發光層113以外的層。EL元件31具有至少一個以上的包含發光物質的發光層。EL元件31也可以採用發光層與發光層以外的層的疊層結構。作為發光層以外的層，例如可以舉出包含電洞注入性高的物質、電洞傳輸性高的物質、電洞傳輸性低(阻擋電洞的物質)的物質、電子傳輸性高的物質、電子注入性高的物質以及雙極 性(具有高電子傳輸性及高電洞傳輸性的物質)的物質等的層。
在絕緣層122的表面的一部分不規則地形成有多個凹部。因為反射電極層111以接觸於絕緣層122的表面的方式形成，所以在該反射電極層111的表面形成有反映了絕緣層122的表面的凹凸的多個凹部。藉由在反射電極層111的表面不規則地形成多個凹部，可以抑制由像素部20的多個反射電極層111反射的光的干涉。
絕緣層122可以與絕緣層121同樣地形成。在此，為了在絕緣層122的表面形成多個凹部，絕緣層122較佳為使用容易進行加工的感光樹脂材料(光聚合體、光敏丙烯酸樹脂及光敏聚醯亞胺等)製造。
反射電極層111可以具有單層結構或層疊有多個膜的疊層結構，對其厚度沒有特別的限制。反射電極層111包括能夠反射光100的至少一個光反射導電膜。例如，作為光反射導電膜，可以使用鉬、鈦、鉭、鎢、鋁、銀、銅、鉻、釹、鈧等金屬膜或包含這些金屬中任一者的合金膜等。
作為包含鋁的合金，可以舉出鋁-鎳-鑭合金、鋁-鈦合金、鋁-釹合金等。作為包含銀的合金，可以舉出銀-釹合金、鎂-銀合金等。此外，可以使用含有金、銅的合金。作為光反射導電膜，可以使用金屬氮化物。明確而言，可以使用包含氮化鈦、氮化鉬、氮化鎢等構成的金屬氮化物膜。
例如，作為反射電極層111，可以形成在包含鋁-鎳-鑭合金的膜上層疊鈦膜的兩層結構的膜。
此外，作為反射電極層111，也可以形成在光反射導電膜上層疊使可見光透過的透光導電膜的疊層膜。作為透光導電膜，例如可以舉出包含如下金屬氧化物的膜：包含氧化鎢的銦氧化物；包含氧化鎢的銦鋅氧化物；包含氧化鈦的銦氧化物；包含氧化鈦的銦錫氧化物；銦錫氧化物(也稱為ITO)；銦鋅氧化物；添加有氧化矽的銦錫氧化物等。
在電路基板101中的絕緣層122上形成有絕緣層123。在絕緣層123的重疊於絕緣層121的區域中形成有開口130。絕緣層123用作區分相鄰的像素電路30的EL元件31的分隔壁。開口130中的層疊有反射電極層111、發光層113、透光電極層112的區域用作EL元件31。
在絕緣層123上形成有絕緣層124。絕緣層124用作維持電路基板101與CF基板102之間的間隙的間隔物。
絕緣層123及絕緣層124可以採用單層結構或兩層以上的疊層結構，對其厚度沒有特別的限制。絕緣層123及絕緣層124較佳為使用感光樹脂材料如光聚合體、光敏丙烯酸樹脂及光敏聚醯亞胺等形成。此外，絕緣層124也可以使用能夠藉由CVD法或濺射法等形成的氧化矽膜等無機絕緣材料形成。
在像素部20整體中，以覆蓋絕緣層123及絕緣層124的方式層疊地設置有發光層113及透光電極層112。在此，在所有像素電路30中，EL元件31具有發射相同波長區的光的結構。明確而言，作為發光層113使用發射呈現白色的光的層。發光層113可以具有單層結構或兩層以上的疊層結構。
透光電極層112可以具有單層結構或疊層結構，使用使可見光透過的透光導電膜形成。作為使可見光透過的導電膜，例如可以舉出包含如下金屬氧化物的膜：包含氧化鎢的銦氧化物；包含氧化鎢的銦鋅氧化物；包含氧化鈦的銦氧化物；包含氧化鈦的銦錫氧化物；銦錫氧化物；銦鋅氧化物；添加有氧化矽的銦錫氧化物等。此外，也可以使用薄得能夠使光透過(較佳具有大於或等於5nm且小於或等於30nm左右的厚度)的金屬(銀等)膜。
另外，也可以設置具有光反射性和光透過性的兩個性質的半透光電極層(也稱為半反射電極層)而代替透光電極層112。半透光電極層例如可以使用金屬薄膜(較佳為小於或等於20nm，更佳為小於或等於10nm)與上述透光金屬氧化物膜的疊層膜形成。作為金屬薄膜，可以使用銀、鎂或包含這些金屬材料的合金的單層結構或疊層結構的膜。
藉由使用半透光電極層，可以使EL元件31具有微腔結構。在微腔結構中，由於發光層113的發光的一部分在反射電極層111與半透光電極層之間重複反射， 所以可以提高特定波長區的光的強度而提取特定波長區的光。
〈CF基板的結構例子〉
CF基板102也可稱為反基板。CF基板102形成有黑矩陣和濾色片。基板72形成有濾色片層181至183。各濾色片層181至183是用以將發光層113發射的光(白色光)100變換為不同顏色的光的光學濾色層。例如，藉由作為濾色片層181至183使用紅色、綠色及藍色的濾色片，彩色顯示可實施在EL面板60上。注意，在基板71上也可以形成濾色片層181至183。
此外，在按每個像素的顏色(例如，紅色、綠色及藍色)使用不同的層形成發光層113的情況下，既可以設置濾色片，亦可以不設置濾色片。
遮光層180具有遮斷穿過基板72而進入EL面板60的光的功能。遮光層180可以具有單層結構或包括兩層以上的疊層結構。作為包括於遮光層180中的膜，例如可以舉出包含鉻、鈦、鎳或分散有碳黑的高分子材料等構成的膜。
外套層184具有使CF基板102表面平坦化的功能以及防止雜質(典型為水及/或氧)的擴散的功能。外套層184例如可以使用聚醯亞胺樹脂、環氧樹脂、丙烯酸樹脂等形成。
此外，在CF基板102上也可以設置用來防止 EL元件31的劣化的乾燥劑。由於相同的理由，較佳為在基板71與基板72之間的空間104中填充氮氣體或氬氣體等惰性氣體或者樹脂材料等固體物質。藉由在空間104中填充折射率高的物質(樹脂等)，可以提高光100的提取效率。
基板71可以使用具有耐受電路基板101的製程的程度的耐熱性的基板，基板72可以使用具有耐受CF基板102的製程的程度的耐熱性的基板。
作為可用作基板71及72的基板例子，包括無鹼玻璃基板、硼矽酸鋇玻璃基板、硼矽酸鋁玻璃基板、陶瓷基板、石英基板、藍寶石基板、金屬基板、不鏽鋼基板、塑膠基板、聚對苯二甲酸乙二醇酯基板、聚醯亞胺基板等。
此外，對在製造電路基板101及CF基板102時使用的基底基板(玻璃基板等)進行剝離，且使用附著有黏合層的撓性基板。作為撓性基板的例子，典型地可以舉出塑膠基板，除了塑膠基板之外還可以使用厚度為大於或等於50μm且小於或等於500μm的薄玻璃或金屬箔等。藉由使用撓性基板作為基板71及基板72，可以彎曲EL面板60本身。
〈反射電極層(反射電極)的結構例子〉
根據本實施方式可以提高EL元件的反射電極的表面形狀的不規則性，由此可以抑制由EL面板螢幕反射的外 光導致的影像的反射以及干涉條紋。以下，參照圖2A至2C更詳細地說明反射電極的結構。
圖2A是示出反射電極層111的結構的一個例子的平面圖，圖2B是示出反射電極層111的結構的一個例子的剖面圖。圖2C是示出形成在反射電極層111的表面的凹部的平面形狀的一個例子的平面圖。
反映了絕緣層122的表面的形狀而在反射電極層111的表面形成有多個凹部141。注意，如圖2A所示，在絕緣層122的一部分的區域140中形成有多個凹部。在此，只有絕緣層122中的層疊有EL元件31的區域形成凹部141。區域140包括絕緣層123中的形成有開口130的整個區域。
在絕緣層122中形成有開口142，反射電極層111藉由開口142連接於電晶體33。在此，不使區域140包括開口142以防止在開口142中發生反射電極層111與電晶體33之間的連接不良。
如圖2A所示，較佳的是形成在一個反射電極層111的表面的多個凹部141的平面形狀彼此不同，並且不使該多個凹部141的平面形狀為具有旋轉對稱性的形狀如圓或正多角形等。因此，反射電極層111的表面形狀的不規則性得到提高，所以反射電極層111的反射光不容易干涉。
此外，較佳為由凹部141使反射電極層111的表面為曲面。這是因為在反射電極層111的高度差過大 時難以在其表面上形成發光層113。並且，這是因為將光100提取到基板72的外部的效率下降。因此，將凹部141的深度D1例如設定為大於或等於0.2μm且小於或等於1.5μm。較佳為將深度D1設定為大於或等於0.2μm且小於或等於1.2μm。
此外，將凹部141的傾斜角度θ1的大小設定為大於或等於2°且小於或等於15°，較佳為設定為大於或等於2°且小於或等於12°。
參照圖2B說明凹部141的深度D1以及傾斜角度θ1。深度D1可以根據凹部141中的絕緣層122的最厚的部分(將該部分稱為凹部的山)的厚度H1與最薄的部分(將該部分稱為凹部的谷)的厚度H2之差而算出。就是說，D1=H1-H2。
傾斜角度θ1是指在反射電極層111的剖面中由輔助線L01與輔助線L02形成的角度。在反射電極層111的剖面中，輔助線L01是經過凹部141的谷的底部的平行於基板71的表面的直線。此外，輔助線L02是經過凹部141的山的頂部及谷的底部的直線。
另外，凹部141的平面形狀的大小根據區域140(反射電極層111)的大小而決定，例如可以為大於或等於5μm且小於或等於30μm。如圖2C所示，凹部141的大小可以根據凹部141的外接圓Cir01的直徑Φ1而決定。另外，凹部141的大小可以根據反射電極層111的剖面中的凹部141的山與山之間的間隔而決定。當凹部141 過小時，光100被反射電極層111的表面散射而降低光100的提取效率。當凹部141過大時，不容易得到抑制干涉條紋的效果。
注意，如凹部141a那樣的包括區域140的邊界的凹部141的大小也可以小於或等於10μm。在形成在一個反射電極層111的區域140中的多個凹部141中，在所有凹部141中具有大於10μm且小於30μm的大小的凹部141所占的比率為高於或等於60%。
如圖2A所示，雖然多個凹部141的形狀及大小彼此不同，但是較佳為在多個反射電極層111中以相同的密度設置凹部141。例如，區域140(或開口130)的面積中的凹部141所占的面積為高於或等於30%且低於或等於70%即可，較佳為高於或等於40%且低於或等於60%。
如圖2A至2C所示，藉由在反射電極層111的表面設置形狀及大小不同的多個凹部141，可以不規則地改變反射電極層111的表面的凹凸。因此，在像素部20中，由於多個反射電極層111的反射光的干涉而可以使干涉條紋不容易產生在EL面板60的螢幕中。
另外，由於反射電極層111的厚度為幾百nm左右，所以在形成在絕緣層122中的凹部的形狀與凹部141的形狀相同時可以形成上述那樣的凹部141。由此，可以將參照圖2A至圖2C說明的凹部141的形狀應用於形成在絕緣層122中的凹部。
使反射電極層111的表面具有凹凸形狀的方法不侷限於在絕緣層122的表面形成多個凹部的方法。也可以在具有平坦的表面的絕緣層122上形成構成反射電極層111的導電膜，在其表面形成多個凹部或多個凸部。
另外，雖然EL面板60具有頂部發射結構，但是也可以採用底部發射結構。在此情況下，將待成為反射電極層111的導電膜與待成為透光電極層112的導電膜調換即可。發光層113及形成在發光層113上的反射電極層的表面形狀都具有與透光電極層112的表面相同的凹凸形狀。
本實施方式可以與其他實施方式之任一者適當地組合而實施。
實施方式2
如實施方式1所示，在EL元件的反射電極的表面形成形狀不同的多個凹部，但是在設計上難以使像素部整體中的所有反射電極的表面形狀不同。於是，在本實施方式中，對在提高反射電極的表面形狀的不規則性的同時容易實現大螢幕化及高解析度的發光裝置進行說明。
在本實施方式中，說明作為發光裝置的主動矩陣型EL面板。
圖4是示出EL面板的結構例子的剖面圖，圖5A是示出像素電路的結構的一個例子的電路圖，圖5B是示出像素電路的結構的一個例子的平面佈局圖。
如圖4所示，EL面板260具有與EL面板60(圖1及圖3B)類似的結構，EL面板260包括電路基板201及CF基板202。在電路基板201上使用密封劑(未圖示)固定CF基板202。與EL面板60同樣，EL面板260具有頂部發射結構，將像素部的光200從CF基板202一側發射。
另外，在設置在像素部中的EL元件中設置有發射白光的發光層，並且藉由在CF基板202上設置濾色片進行彩色顯示。注意，彩色顯示的方法不侷限於此。
形成在電路基板201上的電路包括具有一個導電型的電晶體形成，本實施方式中的電晶體都是n通道型電晶體。另外，在本實施方式中，使形成在電路基板201上的電晶體成為其通道形成在氧化物半導體層中的電晶體。以下，將上述電晶體稱為OS電晶體。
〈像素電路的排列例子：電路〉
在EL面板的像素部中形成有多個閘極線301(以下也稱為GL301)、多個源極線321(以下也稱為SL321)、電源線302(以下也稱為ANL302)以及電源線322(以下稱為PVL322)。
像素電路230包括EL元件ED1(以下也稱為ED1)、三個電晶體(M1、M2及M3)以及一個電容器Cp1。電晶體M1是控制像素電路230與SL321之間的導通的開關。在電晶體M1中，閘極連接於GL301，汲極連 接於SL321，源極連接於電晶體M2的閘極。電晶體M2用作ED1的電流源。在電晶體M2中，汲極連接於ANL302，源極連接於ED1的陽極。電容器Cp1連接於電晶體M2的閘極與ED1的陽極之間。電晶體M3具有在電晶體M1處於導通狀態時使ED1的陽極的電壓固定的功能。在電晶體M3中，閘極連接於GL301，汲極連接於ED1的陽極，源極連接於PVL322。
注意，在此為了容易理解像素電路230的功能，區別電晶體M1至M3的源極和汲極。然而，電晶體的源極和汲極有時根據供應到電晶體的電壓而彼此互換。因此，在本發明的方式中，電晶體的源極和汲極的區別不侷限於本實施方式的記載。在此，因為使用n通道型電晶體構成電路，所以將主要輸入高位準信號及高電源電壓的端子(電極)稱為汲極，將主要輸入低位準信號及低電源電壓的端子(電極)稱為源極。
在此，在ED1的陰極、ANL302及PVL322中，供應固定電壓作為電源電壓。在ANL302中，供應正電壓作為高電源電壓，在ED1的陰極及PVL322中，供應負電壓作為低電源電壓。注意，使供應到ED1的陰極的電源電壓低於供應到PVL322的電源電壓。
〈像素電路的結構的例子：平面佈局、疊層結構〉
在EL面板260的所有像素電路230中，ED1為發射白光的發光元件，並且藉由在濾色片基板上設置紅色、綠 色、藍色(RGB)的濾色片，進行彩色顯示。由此，單位像素(Pix)使用在相同的行中相鄰設置的對應於RGB的三個像素電路230構成。圖5B對應於單位像素的平面佈局。在圖4中，作為EL面板260的剖面示出像素電路230的剖面。注意，圖4不是沿著所定的切斷線切斷像素電路230的剖面圖，而是說明像素電路230的疊層結構的圖。圖4示出電晶體M2、電容器Cp1及ED1。
〈〈電路基板〉〉
以下，參照圖4至圖8B說明像素電路230的結構及其製造方法。注意，在電路基板201中，藉由製造像素電路230的製程同時製造源極驅動器及閘極驅動器。因此，具有與像素電路230相同的結構的電晶體及電容元件形成在驅動器中。電路基板201可以以類似於形成電路基板101的方式製造。
〈電晶體及電容器〉
首先，在基板401上形成第一層的佈線與電極(GL301、ANL302、及電極303)(圖6A)。電極303構成電晶體M2的閘極電極及電容器Cp1的端子(電極)。第一層的佈線與電極(301、302及303)由具有單層結構或包括兩個以上層的疊層結構的導電膜形成。作為上述導電膜，可以使用鋁、鉻、銅、鉭、鈦、鉬及鎢等的金屬膜、添加有其他金屬元素的金屬膜、包含一種或多種 這些金屬元素的合金或由化合物構成的膜等。例如，藉由濺射法形成厚度在180nm至250nm範圍的鎢膜，並且藉由光微影製程和蝕刻製程對該鎢膜進行加工來形成第一層的佈線與電極(301至303)。
接著，形成覆蓋第一層的佈線與電極(301至303)的絕緣層351(參照圖4)。絕緣層351構成電晶體M1至M3的閘極絕緣層。絕緣層351可以具有單層結構或疊層結構。作為構成絕緣層351的膜，可以舉出包含氧化物諸如氧化矽、氧化鋁及氧化鉿等的膜、包含氮化物諸如氮化矽、氮化鋁等的膜、包含氧氮化物諸如氧氮化矽、氧氮化鋁等的膜或者包含氮氧化物諸如氮氧化矽、氮氧化鋁等的膜。
注意，在本說明書中，“氧氮化物”是指氧含量大於氮含量的物質，“氮氧化物”是指氮含量大於氧含量的物質。
例如，作為絕緣層351，形成厚度在300nm至450nm範圍中的氮化矽膜和厚度在20nm至100nm範圍的氧氮化矽膜。也可以藉由進行兩次以上的氮化矽膜的成膜製程來形成氮化矽膜的疊層膜。
在絕緣層351上形成氧化物半導體層311、氧化物半導體層312及氧化物半導體層313(圖6A)。藉由濺射法、塗佈法、脈衝雷射蒸鍍法、雷射剝除法等形成一層或兩層以上的氧化物半導體膜。作為氧化物半導體膜，可以形成包含In-Ga氧化物、In-Zn氧化物、In-M-Zn氧化 物(M為Al、Ti、Ga、Y、Zr、La、Ce、Nd或Hf)等的金屬氧化物構成的半導體膜。
接著，藉由光微影製程及蝕刻製程，在絕緣層351中形成開口411及開口412(圖6A)。開口411用來形成連接電晶體M1與電容器Cp1。開口412用來形成連接電晶體M2與ANL302。
在絕緣層351上形成第二層的佈線與電極(SL321、PVL322、電極323、電極324及電極325)(圖6B)。第二層的佈線與電極(321至325)可以與第一層的佈線與電極(301至303)以類似方式形成。例如，藉由濺射法形成銅膜，藉由光微影製程及蝕刻製程對銅膜進行加工，來形成第二層的佈線與電極(321至325)。此外，也可以使用鈦膜-鋁膜-鈦膜的三層結構的膜形成第二層的佈線與電極(321至325)。
電極323構成電晶體M1的源極電極。電極324構成電晶體M2的汲極電極及電容器Cp1的電極(端子)。另外，重疊絕緣層351、電極303及電極324的區域構成以絕緣層351為電介體的電容器Cp1(圖4)。
藉由上述製程，形成電晶體M1至M3及電容器Cp1。
〈EL元件〉
接著，形成覆蓋電晶體M1至M3及電容器Cp1的絕緣層352(圖4)。絕緣層352可以與絕緣層351以類似 方式形成。例如，作為絕緣層352形成氧氮化矽膜-氧氮化矽膜-氮化矽膜的三層結構的膜。接著，在絕緣層352中形成到達電極324的開口413(圖6B)。
以覆蓋絕緣層352的方式形成絕緣層353(圖4)。在此，與絕緣層122同樣(參照圖1及圖2A至2C)，絕緣層353形成有多個凹部。因此，在此，使用容易進行加工的感光樹脂材料(光聚合體、光敏丙烯酸樹脂、光敏聚醯亞胺等)形成絕緣層353。此外，絕緣層353形成有用來連接ED1與電極324的開口414(圖7A)。
例如，也可以藉由反覆進行感光樹脂材料的曝光製程及顯影製程兩次來形成絕緣層353。首先，在絕緣層352的表面塗佈正型感光樹脂材料。然後，使用對形成開口414的部分進行曝光的光遮罩而對該感光樹脂材料進行曝光處理，進行顯影製程及燒結製程，來形成絕緣層353的下層。再次塗佈正型感光樹脂材料，進行曝光製程、顯影製程及燒結製程，來形成絕緣層353的上層。在第二次曝光製程中，使用對開口414及凹部361進行曝光的光遮罩。
藉由上述製程，形成具有凹部361的絕緣層353。如圖7A所示，形成有凹部361的區域360重疊於反射電極331用作ED1的陰極的區域。在此，凹部361沒有形成在絕緣層353中的不重疊於反射電極331的區域中。
在此，單位像素PIX包括紅色、綠色及藍色(RGB)的三個像素(PixR、PixG、PixB)。在單位像素PIX所包括的三個區域360中，所有凹部361的平面形狀不同。如此，藉由形成多個凹部361，可以使以列方向相鄰的反射電極331的表面的凹凸形狀不同。由此，在將像素部的所有反射電極當作一個鏡面時，可以提高該鏡面的表面的凹凸形狀的不規則性。此外，藉由以像素PIX為單位決定凹部361的平面形狀及它們的配置，在使EL面板260大面積化或高密度化的情況下也可以容易設計光遮罩，該光遮罩用來在絕緣層353中形成凹部361。
接著，在絕緣層353上形成反射電極331(圖4與圖7B)。在此，例如形成鈦膜、鋁膜及鈦膜的三層結構的金屬膜，藉由光微影製程及蝕刻製程，對該金屬膜進行加工來形成反射電極331。另外，作為反射電極331，也可以使用添加有氧化矽的銦錫氧化物膜與銀膜的疊層膜。因為反射電極331的表面的形狀反映絕緣層353的表面形狀，所以在反射電極331的表面形成多個凹部361。
在反射電極331上形成透光導電層334(圖4)。在此，採用作為ED1的陰極設置半透光電極的微腔結構。透光導電層334用作調整反射電極331與半透光導電層332之間的光程長度的調整層。透光導電層334的厚度根據從像素提取的光的顏色而調節。在此，因為單位像素PIX由紅色、綠色及藍色(RGB)的三個像素(PixR、PixG及PixB)構成，所以根據RGB的光的波長範圍調節 透光導電層334的厚度。透光導電層334的表面具有與反射電極331相同的凹凸狀。
使用感光樹脂材料覆蓋反射電極331及透光導電層334而形成具有開口420的絕緣層354。開口420與形成有反射電極331的凹部361的區域360重疊(圖4、圖7B)。
在絕緣層354上形成用作間隔物的絕緣層355(圖4、圖8A)。絕緣層355可以使用感光樹脂材料形成。在此，如圖8A所示，在重疊於SL321的區域中形成絕緣層355。
以覆蓋絕緣層353及絕緣層354的方式形成發光層333及半透光導電層332。半透光導電層332由所有像素電路230共用，並用作ED1的陰極。在開口420中，層疊有反射電極331、透光導電層334、發光層333及半透光導電層332的部分用作ED1。
藉由上述製程，完成電路基板201。
〈〈CF基板〉〉
CF基板202可以與CF基板102同樣地製造。在基板402上形成用作黑矩陣的遮光層379。然後，形成構成濾色片的濾色片層(380R、380G及380B)。如圖8B所示，沿著SL321形成對應於RGB的線狀的濾色片層(380R、380G及380B)。
藉由上述製程，完成CF基板202。在電路基 板201上由密封劑固定CF基板202。再者，對基板402進行組裝光學構件及FPC等的所需組裝製程，完成EL面板260。
本實施方式可以與其他實施方式適當地組合而實施。
實施方式3
在本實施方式中，說明在將像素部的所有反射電極當作一個鏡面時，可以在提高鏡面的表面形狀的不規則性的同時容易實現大螢幕化及高清晰化的發光裝置。在本實施方式中，以EL面板260(圖4)為例子說明提高反射電極的表面形狀的不規則性的方法。
如實施方式1及實施方式2所述，作為在反射電極的表面形成多個凹部方法之一，有在用作反射電極的基底層的絕緣層表面形成多個凹部的方法。因此，為了提高EL面板260的絕緣層351的表面形狀的不規則性，在絕緣層353的表面不規則地配置多個凹部361(參照圖7A)。
然而，在使EL面板260大螢幕化及像素多量化的情況下，在絕緣層353中形成凹部的光遮罩圖案的設計上，使形成在絕緣層353中的所有凹部形狀不同成為負擔。於是，在本實施方式中，說明在提高反射電極的表面形狀的不規則性的同時使用其數量比單位像素非常少的佈局圖案而設計用來在絕緣層353中形成凹部的光遮罩的方 法。
圖9A是示出成為凹部361的佈局的基準的佈局圖案的一個例子的平面圖。圖9B是用來規定單位像素PIX中的形成凹部361的區域的基準佈局圖案510。
圖9A所示的基準佈局圖案500的平面形狀為藉由平移操作或旋轉操作能夠對平面進行貼磚的形狀即可。在此，其形狀為正方形。與此同樣，圖9B的基準佈局圖案510的形狀也為正方形。
在圖9A中，以陰影表示的圖案501對應於凹部361。圖案501的形狀為不具有旋轉對稱性的形狀。在基準佈局圖案500中，所有圖案501的形狀不同。為了使圖案501本身的形狀成為不規則的形狀，圖案501較佳為徒手描繪。如圖9A所示，較佳為將各圖案501之間的間隔設定為大致均勻。在基準佈局圖案510中，以多個圖案501所占的面積的比率為40%以上且60%以下的方式設計基準佈局圖案510。
在圖9B中，白色的圖案511對應於形成有凹部361的區域360(圖7A)。從基準佈局圖案500和基準佈局圖案510可以獲得凹部形成用光遮罩的基準遮罩圖案。明確而言，如圖9C所示，基準佈局圖案500與基準佈局圖案510重疊而得到的佈局圖案成為用來設計凹部形成用光遮罩的基準遮罩圖案。
在此，利用基準佈局圖案510的形狀為具有四次旋轉對稱性的正方形的情況，來使用一個基準佈局圖 案500形成四個凹部形成用光遮罩的基準遮罩圖案。明確而言，使用使基準佈局圖案510旋轉0°、90°、180°或270°的佈局圖案分別製造凹部形成用基準遮罩圖案。圖9D示出藉由上述方法得到的四個基準遮罩圖案(520A、520B、520C及520D)。以下，將基準遮罩圖案(520A、520B、520C及520D)分別稱為遮罩圖案A、遮罩圖案B、遮罩圖案C及遮罩圖案D。
雖然藉由對基準佈局圖案510進行旋轉操作來設計遮罩圖案A至D，但是因為凹部的圖案501的形狀不具有旋轉對稱性，所以可以使從相同的基準佈局圖案500得到的遮罩圖案A至D彼此不同。注意，在所得到的遮罩圖案A至D中，也可以對圖案501的形狀的一部分及其配置進行微小調整。
如圖9D所示，在遮罩圖案A至D中，較佳為以相同的密度配置凹部的圖案501。由此，在藉由圖9C的方法得到的遮罩圖案中，也可以微小調整圖案501的形狀的一部分及其配置。
以下，按每個像素(例如，PixR、PixG、PixB)示出在遮罩圖案A至D的圖案511的面積中凹部的圖案501的總面積所占的比率。
A(49.6%、53.1%、54.2%)
B(50.5%、56.2%、52.6%)
C(49.6%、52.9%、50.5%)
D(48.7%、54.4%、50.4%)
如此，在多個遮罩圖案A至D中，在圖案511的面積中圖案501的總面積所占的比率較佳為在其平均值的±10%的範圍內，更佳為在其平均值的±5%的範圍內。圖9D的例子的平均值為51.9%。
藉由對這些遮罩圖案A至D中的一個或多個進行平移操作，可以設計用來形成凹部361的遮罩圖案。圖10A至圖10E示出該遮罩圖案的設計範例。
圖10A是使用一個遮罩圖案的設計例，在此使用遮罩圖案A。圖10B至圖10E是使用四個遮罩圖案A至D的設計例。
圖10B是在每個行和每個列中使每個單位像素的遮罩圖案A至D按A→B→C→D的順序反覆排列的例子。為了使圖10C的遮罩圖案A至D的排列的規則性低於圖10B的遮罩圖案A至D，使圖10C的列方向的遮罩圖案A至D按A→C→B→D的順序排列。
在圖10D或圖10E的例子中，使用與圖10B或圖10C相同的排列，在每個行和每個列中按每兩個單位像素改變遮罩圖案。
如圖10B至圖10E所示，藉由使用多個遮罩圖案，在像素部中可以提高反射電極331的表面形狀的不規則性。此外，在像素部中，形成在絕緣層353中的多個凹部361的分佈是對應於圖10A至圖10E的遮罩圖案的排列的分佈。也就是說，絕緣層353在像素部中包括將具有凹部的共同的分佈的一種或多種區域排列為陣列狀的區 域。
此外，在像素部中形成具有凹部的共同的分佈的多種反射電極，由此在像素部中將具有相同的表面形狀的多種反射電極排列為陣列狀。
因為使用相同的基準佈局圖案500製造遮罩圖案A至D，所以即使在絕緣層353中使用多個遮罩圖案A至D形成凹部361，在EL面板260中也可以進行良好的顯示。這是因為在相鄰的單位像素PIX中反射電極331的反射特性沒有大不相同。
雖然在此使用一個基準佈局圖案500設計四個遮罩圖案A至D，但是藉由使用多個基準佈局圖案500可以增大凹部形成用基準遮罩圖案的數量。例如，藉由使用兩種基準佈局圖案500可以得到八種凹部形成用基準遮罩圖案。注意，在使用多個基準佈局圖案500的情況下，較佳為以圖案501的分佈類似的方式設計遮罩圖案，以防止顏色不均勻等導致EL面板260的顯示品質的劣化。
雖然在此示出藉由對基準佈局圖案510進行90°的旋轉而設計四個遮罩圖案A至D的例子，但是旋轉角度不侷限於90°。例如，藉由將旋轉角度設定為60°，可以從一種基準佈局圖案500得到六種凹部形成用基準遮罩圖案。根據基準佈局圖案510的旋轉操作的角度可以擴大凹部的基準佈局圖案500。
在基準佈局圖案510具有反射對稱性的情況下，也可以將藉由對凹部形成用基準遮罩圖案進行反射操 作來獲得的圖案用作基準遮罩圖案。如圖9B所示，由於基準佈局圖案510具有反射對稱性，所以在圖9C的設計例中可以從一個基準佈局圖案500得到4×2=8種凹部形成用基準遮罩圖案。就是說，也可以將對遮罩圖案A至D分別進行反射操作而得到的圖案用作基準遮罩圖案。
如上所述，本實施方式的光遮罩的設計方法是在像素部整體中在提高多個反射電極的表面形狀的不規則性的同時容易實現大螢幕化及高清晰化的設計方法。
本實施方式可以與本說明書所示的其他實施方式適當地組合。
實施方式4
在本實施方式中，說明在顯示部中具備發光裝置的電子裝置。另外，作為發光裝置的一個例子說明照明設備。
作為採用使用發光裝置構成的顯示部的電子裝置，例如可以舉出電視機(也稱為電視或電視接收機)、用於電腦等的顯示器、數位相機、數位攝影機、數位相框、行動電話機(也稱為行動電話、行動電話裝置)、可攜式遊戲機、可攜式資訊終端、音訊播放裝置、彈珠機等大型遊戲機等。圖11A至圖11E示出這些電子裝置的具體例子。
圖11A示出電視機的一個例子。在電視機7100中，外殼7101組裝有顯示部7103。由顯示部7103能夠顯示影像，並可以將發光裝置用於顯示部7103。此 外，在此示出利用支架7105支撐外殼7101的結構。
可以藉由利用外殼7101所具備的操作開關、另外提供的遙控器7110進行電視機7100的操作。藉由利用遙控器7110所具備的操作鍵7109，可以進行頻道及音量的操作，並可以對在顯示部7103上顯示的影像進行操作。此外，也可以採用在遙控器7110中設置顯示從該遙控器7110輸出的資訊的顯示部7107的結構。
另外，電視機7100採用具備接收機、數據機等的結構。可以藉由接收機接收一般的電視廣播。再者，藉由數據機連接到有線或無線方式的通訊網路，能夠進行單向(從發送者到接收者)或雙向(發送者和接收者之間或接收者之間等)的資料通訊。
圖11B示出電腦的一個例子。電腦7200包括主體7201、外殼7202、顯示部7203、鍵盤7204、外部連接埠7205、指向裝置7206等。
圖11C示出可攜式遊戲機的一個例子。可攜式遊戲機7300包括外殼7301和外殼7302的兩個外殼，並且藉由連接部7303可以開閉地連接。外殼7301組裝有顯示部7304，而外殼7302組裝有顯示部7305。此外，可攜式遊戲機7300還具備揚聲器部7306、儲存媒體插入部7307、LED燈7308、輸入裝置(操作鍵7309、連接端子7310、感測器7311(包括測定力量、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉動速度、距離、光、液、磁、溫度、化學物質、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電 力、輻射線、流量、濕度、斜率、振動、氣味或紅外線的功能)、麥克風7312等。
可攜式遊戲機7300具有如下功能：讀出儲存在儲存媒體中的程式或資料並將其顯示在顯示部上；以及藉由與其他可攜式遊戲機進行無線通訊而實現資料共享的功能。另外，可攜式遊戲機7300所具有的功能不侷限於此，而可以具有各種功能。
當然，可攜式遊戲機7300的結構不侷限於圖11C所示的結構，只要至少在顯示部7304及顯示部7305的兩者或一者中使用發光裝置即可。此外，在可攜式遊戲機7300中可以適當地設置附屬部件。
圖11D示出行動電話機的一個例子。行動電話機7400包括組裝在外殼7401中的顯示部7402、操作按鈕7403、外部連接埠7404、揚聲器7405、麥克風7406等。
在行動電話機7400中，藉由用手指等觸摸顯示部7402，可以輸入資料。此外，可以用手指等觸摸顯示部7402來進行打電話或製作電子郵件的操作。
顯示部7402主要有三種螢幕模式。第一模式是主要用於顯示影像的顯示模式。第二模式是主要用於輸入諸如文字的資料的輸入模式。第三模式是混合顯示模式和輸入模式這兩種模式的顯示和輸入模式。
例如，在打電話或製作電子郵件的情況下，將顯示部7402設定為以文字輸入為主的文字輸入模式， 並進行顯示在螢幕的文字的輸入操作即可。在此情況下，較佳的是，在顯示部7402的螢幕的大部分上顯示鍵盤或號碼按鈕。
另外，藉由在行動電話機7400內部設置具有陀螺儀和加速度感測器等檢測傾斜度的感測器的檢測裝置，判斷行動電話機7400的方向(縱向或橫向)，而可以對顯示部7402的螢幕顯示進行自動切換。
此外，螢幕模式可藉由觸摸顯示部7402或對外殼7401的操作按鈕7403進行操作加以切換。也可以根據顯示在顯示部7402上的影像種類切換螢幕模式。例如，當顯示在顯示部上的影像信號為動態影像的資料時，將螢幕模式切換成顯示模式，而當顯示在顯示部上的影像信號為文字資料時，將螢幕模式切換成輸入模式。
另外，在輸入模式中，信號由顯示部7402中的光感測器檢測，當在一定期間中沒有顯示部7402的觸摸操作輸入時，也可以以從輸入模式切換成顯示模式的方式控制螢幕模式。
還可以將顯示部7402用作影像感測器。例如，藉由用手掌或手指觸摸顯示部7402，來拍攝掌紋、指紋等，而可以進行身份識別。另外，藉由在顯示部中使用發射近紅外光的背光或發射近紅外光的感測用光源，也能夠拍攝手指靜脈、手掌靜脈等。
圖11E示出折疊式電腦的一個例子。折疊式電腦7450具備由鉸鏈7454連接的外殼7451L和外殼 7451R。另外，除了操作按鈕7453、左側揚聲器7455L及右側揚聲器7455R之外，在電腦7450的側面還具備有未圖示的外部連接埠7456。此外，藉由以設置在外殼7451L中的顯示部7452L和設置在外殼7451R中的顯示部7452R彼此相對的方式折疊鉸鏈7454，可以由外殼保護顯示部。
顯示部7452L和顯示部7452R不但可以顯示影像，而且可以藉由用手指等觸摸它們來輸入資訊。例如，可以藉由用手指觸摸而選擇表示已安裝的程式的圖示來啟動程式。或者，可以藉由改變接觸於所顯示的影像的兩個部分的手指的間隔來放大或縮小影像。另外，可以藉由移動接觸於所顯示的影像的一個部分的手指來移動影像。此外，也可以藉由使它們顯示鍵盤的影像從而用手指觸摸而選擇所顯示的文字或記號，來輸入資料。
另外，也可以將陀螺儀、加速度感測器、全球定位系統(Global Positioning System：GPS)接收器、指紋感測器、攝影機安裝在電腦7450中。例如，藉由設置具有陀螺儀、加速度感測器等檢測傾斜度的感測器的檢測裝置，藉由判斷電腦7450的方向(電腦7450是橫向或縱向地置放於橫向模式或縱向模式)可以自動切換顯示螢幕的方向。
另外，電腦7450可以與網路連接。電腦7450不但可以顯示網際網路上的資訊，而且可以用作遙控與網路連接的其他電子裝置的終端。
圖11F示出照明設備的一個例子。在照明設備7500中，本發明的一個方式的發光裝置7503a、發光裝置7503b、發光裝置7503c、發光裝置7503d組裝在外殼7501中而作為光源。照明設備7500可以安裝在天花板上或牆上等。
注意，本實施方式可以與本說明書所示的其他實施方式適當地組合。
31‧‧‧EL元件
33‧‧‧電晶體
71、72‧‧‧基板
100‧‧‧光
101‧‧‧電路基板
102‧‧‧CF基板
103‧‧‧電晶體層
104‧‧‧空間
111‧‧‧反射電極層
112‧‧‧透光電極層
113‧‧‧發光層
121至124‧‧‧絕緣層
130‧‧‧開口
180‧‧‧遮光層
181至183‧‧‧濾色片層
184‧‧‧外套層

Claims (9)

  1. 一種發光裝置，包括：第一電極；該第一電極上的發光層；以及第二電極，該第二電極隔著介於該第一電極與該第二電極間的該發光層重疊於該第一電極，其中，在該第一電極的重疊於該發光層及該第二電極的區域的表面設置有多個凹部，其中，在該第二電極的重疊於該第一電極的該區域的區域的表面設置有多個凹部，以及其中，該第一電極中的該多個凹部的平面形狀彼此不同且不具有旋轉對稱性。
  2. 一種發光裝置，包括：絕緣層；以及該絕緣層上的多個發光元件，其中，該發光元件包括：第一導電層；該第一導電層上的發光層；以及第二導電層，該第二導電層隔著介於該第一導電層與該第二導電層間的該發光層重疊於該第一導電層，其中，在該絕緣層的重疊於該第一導電層、該發光層及該第二導電層的區域的表面設置有多個凹部，其中，在該第二導電層的重疊於該絕緣層的該區域的區域的表面設置有多個凹部，以及 其中，該絕緣層中的該多個凹部的平面形狀彼此不同且不具有旋轉對稱性。
  3. 一種發光裝置，包括：絕緣層；該絕緣層的一部分上的第一電極；該第一電極上的發光層；以及第二電極，該第二電極隔著介於該第一電極與該第二電極間的該發光層重疊於該第一電極，其中，該絕緣層的該部分的底部表面為平坦的，其中，該絕緣層的該部分的頂部表面設置有多個凹部，該頂部表面面向該底部表面，其中，在該第二電極的重疊於該絕緣層的該部分的部分的表面設置有多個凹部，以及其中，該絕緣層中的該多個凹部的平面形狀彼此不同且不具有旋轉對稱性。
  4. 根據申請專利範圍第1、2及3項中任一項之發光裝置，其中，該凹部的深度為大於或等於0.2μm且小於或等於1.5μm。
  5. 根據申請專利範圍第1、2及3項中任一項之發光裝置，其中，該凹部的傾斜角度為大於或等於2°且小於或等於15°。
  6. 根據申請專利範圍第1或3項之發光裝置， 其中，該凹部的該平面形狀的外接圓的直徑為大於或等於5μm且小於或等於30μm。
  7. 根據申請專利範圍第2項之發光裝置，其中，該凹部的該平面形狀的外接圓的直徑大於10μm且小於30μm。
  8. 根據申請專利範圍第2或3項之發光裝置，其中，該絕緣層包括將具有該多個凹部的共同的分佈的一種或多種區域排列為陣列狀的區域。
  9. 根據申請專利範圍第2項之發光裝置，其中，該發光裝置包含像素部，其中該發光元件為具有排列為陣列狀之相同結構的發光元件之一者。
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