JP3043638B2 - 反射型液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents

反射型液晶表示装置およびその製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に関
し、とくにスイッチング素子として薄膜トランジスタを
利用したアクティブマトリックス型またはスイッチング
素子を必要としないパッシブマトリックス型の反射型液
晶表示装置および製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶表示装置は薄型・軽量である
利点により、ポケットテレビまたは情報端末機器などに
広く応用されている。特に、バックライトを必要としな
い反射型液晶表示装置は、超薄型・軽量であるとともに
消費電力を大幅に削減できることから市場のニーズが高
まっている。しかし、現在広く実用化されている透過型
カラー液晶表示装置から単にバックライトを取り除き裏
面に光反射板を配設した構成では、光の利用効率が低く
実用的な明るさを得ることができないという問題があ
る。
【０００３】そこで、光の利用効率を向上させるための
反射型液晶表示装置として、画素電極自体に反射作用を
もたせた構造や偏光板を不要としたものなどがある。
【０００４】例えばＳｏｃｉｅｔｙ ｆｏｒ Ｉｎｆｏ
ｒｍａｔｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ'９２学会予稿集（４
３７頁）に報告されている技術は、液晶材料として２色
性色素を含むゲスト・ホスト型液晶を使用するもので、
その構成は図７に示すように、絶縁基板４１上に形成し
たボトムゲート型ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）のドレイ
ン電極５と、Ａｌ（アルミニウム）からなる画素電極４
３とを層間絶縁膜４２を介して接続させた構造を有し、
層間絶縁膜４２の表面に設けられた凹凸により画素電極
４３を光拡散性を有する反射板として機能させている。
画素電極４３からの反射光は、ゲスト・ホスト型の液晶
層１０により透過または吸収される。この構成では、偏
光板が不要であることと画素電極自体を反射板としたこ
とにより光利用効率を大幅に向上させている。
【０００５】ここで重要なのは反射板を凹凸形状にして
いる点である。もし反射面が平坦であるならば、反射光
の指向性が強くなるために、表示を見るのに適した角度
域（以下「視野角」という）が狭くなり、また平面鏡と
同じく周りの風景がそのまま反射して映るので、表示が
見づらくなるという問題が生じる。そこで、反射面を凹
凸形状にして、反射光を周囲に一様に散乱させることが
重要となる。しかし上述の層間絶縁膜４２に凹凸を形成
して画素電極４３に光拡散反射板としての機能を与える
方法では、製造工程が複雑であり、製造コストが高くな
るという問題がある。また、層間絶縁膜４２に凹凸形状
を形成するのにフォトリソグラフィー技術を用いて行う
が、この技術ではμｍオーダーの微小な形状を形成・制
御することが困難であるとともに、形状が台形などにな
りやすく、一様な反射散乱特性が得られないという問題
もある。
【０００６】また、図７の構成は、層間絶縁膜４２を介
してドレイン電極５と画素電極４３とを接続するコンタ
クトホール４４の形成が困難であるという問題もある。
さらに図７のアクティブマトリックス基板を形成するに
は、少なくとも６回のフォトリソグラフィー工程が必要
であることも問題である。つまり６種類ものマスクが必
要であり、６回もの露光、現像およびエッチング工程が
必要なので、コスト増大や歩留り低下の原因になる。ま
た、それだけ位置合わせ誤差を考慮する必要があり、そ
の結果としてアクティブマトリックス基板の大型化が困
難である。
【０００７】そこでこれらの問題を解決するために、例
えば特開平４−３３８７２１号公報には、誘電体多層膜
で反射膜を形成する技術が開示されている。この従来例
は、誘電体多層膜鏡の反射率を制御して光利用効率を高
めることができるなどの利点がある。しかし、光反射板
として用いる誘電体多層膜鏡は光拡散性が乏しいので、
反射光の指向性が強く、視野角は広くならない。
【０００８】また、別の従来例として、特開平７−３０
６４０４号公報に、光拡散膜を最表面に形成し、平面反
射板を透明画素電極の裏側に設置する技術が開示されて
いる。しかし、光拡散膜を表面に形成すると外部からの
光が液晶層に入射する前に散乱されるので、液晶の複屈
折性を利用した表示機能が十分に働かない。さらに、ア
クティブマトリックス基板の形成も、最低７回のフォト
リソグラフィー工程が必要であり、コストや歩留りおよ
び基板の大型化における対策が配慮されていない。
【０００９】以上のように、従来例には問題が多いが、
凹凸反射面を簡単に製造する方法として絶縁基板の粗面
化が有利である。いわゆる磨りガラスの利用である。粗
面化絶縁基板にＡｌ膜などを形成すれば、簡単に凹凸反
射板を作製することができる。しかしこの場合、特開昭
５９−１００４８８号公報に記載されているように、凹
凸パターン上にＴＦＴを作製しなければならない。よっ
てフォトリソグラフィー工程の露光時にハレーションが
起こりやすく、デザインルールが制限されるという問題
がある。また、凹凸形状がトランジスタ特性の劣化およ
び歩留りの低下をもたらすという問題も生じる。
【００１０】そこで同公報には基板のうちＴＦＴを作製
する部分は平坦なままで、画素部分のみを凹凸形状にす
るという技術が開示されている。しかし、それには平坦
部分を残すための複雑なフォトエッチング工程が必要に
なるので、良好な解決策にはなっていない。さらにアク
ティブマトリックス基板の形成には、最低７回のフォト
リソグラフィー工程が必要となり、コストや歩留りおよ
び基板の大型化においては前述の従来技術と同様の問題
がある。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上述のように従来の技
術では、凹凸形状を形成して良好な光拡散性を有する反
射板を作製するには複雑なフォトエッチング工程が必要
であるので、コスト高の問題はもちろんのこと、反射特
性の制御が非常に困難である。また、薄膜トランジスタ
および反射板を含むアクティブマトリックス基板の形成
には６回以上ものフォトリソグラフィー工程を要するた
め、６種類以上のマスク、６回以上の露光、現像工程が
必要である。したがってコスト増大や歩留り低下の原因
になるとともに、マスクの位置合わせ誤差を考慮する必
要があり、その結果としてアクティブマトリックス基板
の大型化が阻害されるという問題がある。
【００１２】本発明の目的は、凹凸形状の良好な反射特
性を有する光拡散反射板を特別な技術を用いずに形成で
きる低コストな反射型液晶表示装置を提供することにあ
る。
【００１３】特に薄膜トランジスタを含むアクティブマ
トリックス型における基板の形成に必要なフォトリソグ
ラフィー工程の回数を減少することができ、低コストで
高歩留りな生産を可能にする反射型液晶表示装置を提供
することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の反射型液晶表示
装置は、反射板を有する基板が、表面が粗面化されて凹
凸形状になされている基板上に金属膜を有する光拡散反
射板と、その上に表面を平坦化した透明誘電体膜とを有
し、さらにその上に複数の透明画素電極を有することを
特徴とする。また、スイッチング素子を有するアクティ
ブマトリックス基板として用いる場合には、反射板を有
する基板が、表面が粗面化されて凹凸形状になされてい
る基板上に金属膜を有する光拡散反射板と、その上に表
面を平坦化した透明誘電体膜とを有し、さらにその上に
複数の透明画素電極と前記複数の画素電極に各々接続さ
れるスイッチング素子によって構成されることを特徴と
する。
【００１５】また、本発明の反射型液晶表示装置の製造
方法は、反射型液晶表示装置において、反射板を有する
基板の形成工程が、絶縁基板の表面を粗面化して凹凸形
状に成型する第１の工程と、その上に金属膜を形成して
光拡散反射板を形成する第２の工程と、その上に透明誘
電体膜を形成して表面を平坦化する第３の工程と、さら
にその上に複数の透明画素電極を形成する第４の工程と
を含むことを特徴とする。また、スイッチング素子を有
するアクティブマトリックス基板として製造する場合に
は、反射板を有する基板の形成工程が、絶縁基板の表面
を粗面化して凹凸形状に成型する第１の工程と、その上
に金属膜を形成して光拡散反射板を形成する第２の工程
と、その上に透明誘電体膜を形成して表面を平坦化する
第３の工程と、さらにその上に複数の透明画素電極を形
成する第４の工程と前記複数の透明電極に各々接続され
るスイッチング素子を形成する第５の工程とを含むこと
を特徴とする。
【００１６】本発明によれば、凹凸形状の光拡散反射板
は、ガラス表面の機械的研磨とフッ化水素などによる薬
液処理およびＡｌなどの金属膜の形成という簡単な技術
と工程により作製可能であるとともに、研磨や薬液処理
の条件を変えることで簡単に凹凸形状を制御できるの
で、表示装置の視野角や反射率を自由に制御することが
可能である。
【００１７】また、凹凸形状基板上においても、例えば
ポリイミド系樹脂などをスピンコートすることで表面を
平滑化すれば、その上にＴＦＴを作製できる。
【００１８】さらに、２回または３回のフォトリソグラ
フィー工程のみでアクティブマトリックス基板となる薄
膜トランジスタアレイ基板を作製することが可能であ
り、したがってマスク数や製造工程を大幅に減少するこ
とができるので、製造コストを低減させ歩留りを向上さ
せることができるとともに、位置合わせ誤差の発生も低
下するのでデザインルールに余裕ができ、基板の大型化
が可能になる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
てまず説明する。
【００２０】この反射型液晶表示装置は、ガラス等から
なる一対の絶縁性基板が液晶層を間に挟んで対向配置さ
れ、上側に配置された対向基板側より入射される外部光
を下側に配設された基板上に形成された光拡散反射板に
より反射拡散させて表示を行うようになっている。光拡
散反射板は、例えば凹凸を有する基板にＡｌ等の金属膜
を形成したものである。そこで、その凹凸を有する光拡
散反射板上に表面を平坦化した透明誘電体膜を形成して
いるので、その上に薄膜トランジスタ等のスイッチング
素子を形成できる。従って、アクティブマトリックス型
の反射型液晶表示装置の構造が簡単になる。また、本発
明の別の実施形態として、凹凸を有する光拡散反射板上
に透明誘電体膜をスピンコートにより形成して、その上
にスイッチング素子を設けないで、液晶に印加する実効
電圧の変化のみで表示を行うパッシブマトリックス型の
反射型液晶表示装置にも適用できる。スピンコートによ
り透明誘電体膜を厚く形成すれば反射板と配線または画
素電極との間の寄生容量を低減できるからである。 （実施例１）図１は本発明にかかる実施例１の反射型液
晶表示装置のアクティブマトリックス基板の一部分を示
す平面図であり、図２には図１中に示されたＡ−Ａ線に
沿った断面図を示す。また、図４は図２中に示された表
面を粗面化処理して凹凸を設けた絶縁基板１の断面を一
部拡大して模式的に図示したものである。
【００２１】アクティブマトリックス基板は、まず表面
が粗面化処理された絶縁基板１の全面にアルミニウム、
銀、金、銅などからなる金属膜２が形成され、その上に
ポリイミド系樹脂などからなる透明誘電体膜３が表面が
平坦化されるように形成されており、その上に透明画素
電極６およびＴＦＴ２０が形成され、さらにその上に液
晶分子を配向させる処理を行った配向膜（図示せず）が
形成された構成になっている。
【００２２】上記アクティブマトリックス基板において
は図１に示すように、クロム、タンタル、モリブデン、
アルミニウムなどからなる複数のゲートバス配線２１が
互いに平行に設けられ、これらと直交するようにＩＴＯ
（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）などからなる複
数のソースバス配線２２が互いに平行に設けられてい
る。ゲートバス配線２１とソースバス配線２２の各交差
部には、スイッチング素子としてＴＦＴ２０が形成され
ており、ゲートバス配線２１から分岐してＴＦＴ２０の
ゲート電極９が設けられ、ソースバス配線２２から分岐
してＴＦＴ２０のソース電極４が設けられている。各Ｔ
ＦＴ２０のドレイン電極５にはＩＴＯなどからなる透明
画素電極６が接続されている。
【００２３】ＴＦＴ２０の構成は次の通りである。まず
透明誘電体膜３の上にＩＴＯなどの透明導電膜からなる
ソース電極４、ドレイン電極５が形成されており、ドレ
イン電極５には画素電極６が接続されている。その上に
はソース電極４とドレイン電極５の両方に接続するよう
にアモルファスシリコン半導体層７が形成されている。
半導体層７の上には、窒化シリコンなどからなるゲート
絶縁膜８が形成され、さらにその上にクロム、タンタ
ル、モリブデン、アルミニウムなどからなるゲート電極
９が形成されている。
【００２４】上記アクティブマトリックス基板と対向配
設される対向基板は、ガラスなどからなる透明絶縁基板
１３上にカラーフィルタ１２が形成され、その上にＩＴ
Ｏなどの透明導電膜からなる共通電極１１が形成されて
おり、さらにその上には配向膜（図示せず）が形成され
た構成になっている。
【００２５】この反射型液晶表示装置は、以下のように
して製造することができる。
【００２６】まず、ガラス基板の表面を砂擦り研磨など
の機械的手法により粗面化処理する。この研磨手法は、
フラットなガラス板を製造するときに用いられる一般的
な技術であり、この様な機械的研磨では、表面凹凸の高
さ（凹面の底と凸面の頂点との高さの差）や凹凸のピッ
チ（隣り合う凸面の頂点の間隔）は、０．１μｍ程度に
しか粗くならない。そこで、本実施例ではザクロ石（ア
ルミニウム、鉄などの珪酸塩鉱物）の粉末を用いて研磨
を行い、凹凸高さは１〜２μｍ、凹凸ピッチは５〜１５
μｍとなるようにした。
【００２７】続いて、表面を粗面化したガラス基板を例
えばフッ酸、バッファードフッ化水素などの薬液に浸漬
させる。機械的研磨によってガラス基板の表面は尖状の
鋭い凹凸形状になっているので、後にこの上に形成する
金属膜２のカバレッジや反射膜の光拡散一様性を向上さ
せる目的で、薬液処理によってこれを滑らかにする。薬
液の種類や浸漬時間によって凹凸高さは変化するが、本
実施例では１０％フッ酸に５分間浸漬させることで、凹
凸高さ１〜２μｍのものを０．４〜１．２μｍに変化さ
せた。
【００２８】このようにして簡単な工程によって、ガラ
ス基板（図２の絶縁基板１）の表面を高低差０．４〜
１．２μｍ、ピッチ５〜１５μｍの滑らかな凹凸形状に
加工することが可能である。
【００２９】次に、アルミニウム、銀、金、銅またはこ
れらの材料を主体とする合金などの光反射率の高い金属
膜を基板全面にスパッタ法により０．１〜１μｍの膜厚
に成膜して光拡散反射板２を形成する。
【００３０】その上にポリイミド系樹脂などからなる透
明誘電体膜３を２〜５μｍの膜厚にスピンコートして、
凹凸形状の基板表面を平坦化させる。具体的には、まず
粘性のある液状のプレポリマー（前駆重合体）を基板上
に塗布し、次に基板全面でプレポリマーの膜厚がほぼ均
一になるようにスピンコータで引き伸ばした後、焼成炉
中に例えば２５０℃で３０分間保持してプレポリマーを
硬化させることで、表面の平坦な透明誘電体膜３を形成
する。
【００３１】その後、ＩＴＯなどからなる透明導電膜を
スパッタ法により０．０１〜０．３μｍの膜厚に成膜し
た後、フォトリソグラフィー技術を用いて所定の形状に
エッチング加工して、ソースバス配線２２、ソース電極
４、ドレイン電極５ならびに画素電極６を形成する。
【００３２】次いで、上記基板にホスフィンガス中でプ
ラズマ処理を施した後、プラズマＣＶＤ（化学気相成
長）法により半導体層７となるアモルファスシリコンを
膜厚０．０３〜０．３μｍ、プラズマＣＶＤ法によりゲ
ート絶縁膜８となる窒化シリコンまたは酸化シリコンを
膜厚０．２〜０．６μｍ、スパッタ法によりゲート電極
９となるクロム、タンタル、モリブデン、アルミニウム
などの金属膜を膜厚０．１〜０．５μｍに連続して堆積
させる。そして、フォトリソグラフィー技術で金属膜を
所定の形状にエッチング加工してゲート電極９およびゲ
ートバス配線２１を形成する。さらに、同一のレジスト
マスクまたはレジストを剥離してパターン化された上記
金属膜をマスクとして、ゲート絶縁膜８および半導体層
７をエッチング加工する。以上によりアクティブマトリ
ックス基板が得られる。
【００３３】このようにして、２回のフォトリソグラフ
ィー工程のみでアクティブマトリックス基板を形成する
ことが可能である。
【００３４】一方対向基板は、ガラス基板１３上に光遮
光部分と赤・緑・青色の着色層部分からなるカラーフィ
ルタ１２を形成し、その上にＩＴＯ膜をスパッタして透
明共通電極１１を形成することで得られる。
【００３５】以上のようにして得られる２つの基板の電
極形成側表面に配向膜を塗布して後、この両基板を配向
膜塗布面を内側にして、間に直径３〜８μｍのプラスチ
ックビーズを挟んで対向させ、シール樹脂を用いて貼り
合わせる。その後、あらかじめシール樹脂の一部を開口
させて設けておいた注入口から、２種類以上の２色性色
素とカイラル中心を有する光学活性物質とを含んだ液晶
材料を注入し、注入口を封止する。以上によりゲストホ
ストモードの反射型液晶表示装置が得られる。
【００３６】ゲストホストモードとは、液晶中に添加し
た２色性をもつ棒状分子である色素が、かなりの程度液
晶分子にならって配向するという現象を利用したもので
ある。液晶分子が光の入射面に対して立っているときは
色素分子も立っていて、光は液晶層を透過し、液晶分子
が光の入射面に対して寝ているときには色素分子も寝て
いて、光は色素に吸収されて液晶層を透過しないという
原理で、光スイッチング素子に応用できる手法である。
そして、２種類以上の２色性色素を添加することによ
り、可視領域の波長光をすべて吸収することができる。
このモードを利用すれば、従来のツイストネマティック
（ＴＮ）型液晶表示装置で必要であった偏光板が不要に
なるので、偏光板による光の吸収および一偏光成分のみ
しか利用できないという問題が解決されて、光の利用効
率を大幅に向上させることができる。 （実施例２）図３は本発明にかかる実施例２の反射型液
晶表示装置の一部分を示す断面図である。
【００３７】この実施例では実施例１とほぼ同じ構造で
あるが、アクティブマトリックス基板において、光拡散
反射膜２がほぼ透明画素電極６の下部領域のみに設けら
れており、それ以外の領域の反射膜を除去した構造であ
る点が異なる。実施例１の場合には、光拡散反射面２に
よって反射された外部光が半導体層７に入射（光の軌跡
を図３中に破線で図示）しやすい構造であるため、光の
入射により半導体層７のオフ抵抗が低下してリーク電流
が増大し、表示品位が劣化するという問題が考えられ
る。それに対して実施例２では、半導体層７の下側に位
置する光拡散反射面２を除去することで、半導体層７に
入射する反射光の侵入を大幅に低減した構造になってい
る。
【００３８】この反射型液晶表示装置は以下のようにし
て製造することができる。まず、実施例１と同様にガラ
ス基板１を粗面化処理した後金属膜をスパッタし、その
後フォトリソグラフィー技術を用いて不要な金属膜部分
をエッチング除去して光拡散反射板２を形成する。その
後の工程は実施例１と同様にして反射型液晶表示装置を
得ることができる。 （実施例３）図５は本発明にかかる実施例３の反射型液
晶表示装置の一部分を示す断面図である。
【００３９】この実施例も実施例１とほぼ同様な構造で
あるが、アクティブマトリックス基板において、透明誘
電体膜３の上に無機膜４５を有している点で異なる。そ
の無機膜４５の上の透明電極６およびＴＦＴ２０は実施
例１と同様に形成されている。実施例１の場合には、透
明誘電体膜３と半導体層７が直に接するので、透明誘電
体膜３の材料の選択次第では、それら二つの層の界面の
界面準位が増加したり、透明誘電体膜３に存在する不純
物を取り込んだりして薄膜トランジスタの特性が悪くな
ることも考えられる。その場合に、半導体の分野におい
て絶縁膜として実績のある酸化シリコン膜や窒化シリコ
ン膜等の無機膜４５を０．０３〜０．２μｍの膜厚で透
明誘電体膜３と半導体層７の間に形成することにより半
導体層７が透明誘電体膜３と直接に接することを避ける
ことができる。
【００４０】以上のように、本実施例においては３回の
フォトリソグラフィー工程のみでアクティブマトリック
ス基板を形成することが可能である。 （実施例４）また、本発明の技術はパッシブマトリック
ス型にも適用が可能である。パッシブマトリックス型
は、薄膜トランジスタ等のスイッチング素子による手段
によらず、液晶に印加する実効電圧の変化のみで表示を
行う。すなわち、図６の断面図に示すように、ＴＦＴが
存在せず、行電極４６と列電極４７によって構成され、
液晶に印加する電圧を制御する。行電極および列電極は
配線であるとともに画素電極でもあるので透明導電材料
であるＩＴＯなどを用いる。行電極４６は粗面化絶縁基
板側にあり、列電極４７はカラーフィルタを有する対向
基板側に設けられている。
【００４１】パッシブマトリックス型では、実効電圧を
変化させて液晶表示を行うために、行電極４６に結合さ
れる寄生容量が大きいと列電極４７に与える駆動パルス
が歪んで画質が著しく低下する。そこで、透明誘電体膜
３をスピンコートにより塗布すれば例えばその膜厚を５
μｍ以上に厚くできるので、行電極４６と光反射膜（金
属膜）２との間の寄生容量が少なくなる。また、透明誘
電体膜３が平坦化されているので、その上の行電極４６
が凹凸段差により切れる心配がない。
【００４２】なお上記実施例１において、粗面化処理絶
縁基板の凹凸形状が高低差０．４〜１．２μｍ、ピッチ
５〜１５μｍである例を示したが、本発明の反射型液晶
表示装置の製造方法においては、高低差は０．１〜５μ
ｍ、ピッチは０．５〜５０μｍの間で光学的に良好な凹
凸形状の面を得ることができた。
【００４３】また、絶縁基板の機械的研磨法としては砂
擦り研磨法以外に、微粒子を基板表面に強く吹き付けて
所望の凹凸面を形成するサンドブラスト法などを用いる
ことができる。
【００４４】さらに、透明誘電体膜３としてはポリイミ
ド系樹脂以外に、ポリアミド、ポリエステル、アクリル
樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリシラザンな
どの高分子化合物またはこれらを基礎とする材料等を用
いることができる。
【００４５】
【発明の効果】本発明によれば、簡単な製造工程により
凹凸形状を作製・制御して良好な反射特性を持つ光拡散
反射板を形成することが可能であるとともに、その上に
表面を平坦化した透明誘電体膜を有するので、その上に
２または３回のフォトリソグラフィー工程のみでスイッ
チング素子を設けたアクティブマトリックス基板を製造
することができる。
【００４６】したがって、表示品位が高く信頼性に優れ
た反射型液晶表示装置を、低コスト、高歩留りで製造す
ることができる。また、ＴＦＴのデザインルールに余裕
ができ大型化・微細化が容易になることから、表示装置
の大型化・高精細化が可能になる。
【００４７】また、反射板をアクティブマトリックス基
板内部に組み込んだ構造であるとともに、ゲストホスト
モードを利用すれば、偏光板が不要であるため、光の利
用効率が十分高い反射型液晶表示装置を製造することが
可能である。
【００４８】さらに、本発明の技術はパッシブマトリッ
クス型にも適用が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にかかる実施例１の反射型液晶表示装置
のアクティブマトリックス基板の一部分を示す平面図。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図。
【図３】本発明にかかる実施例２の反射型液晶表示装置
を示す断面図。
【図４】本発明の反射型液晶表示装置の実施例１に用い
た表面粗面化絶縁基板の断面の拡大模式図。
【図５】本発明にかかる実施例３の反射型液晶表示装置
の構造を示す断面図。
【図６】本発明にかかる実施例４のパッシブマトリック
ス型の反射型液晶表示装置を示す断面図。
【図７】従来の反射型液晶表示装置の一例についての構
造を示す断面図。
【符号の説明】
１ 表面粗面化絶縁基板 ２ 光反射膜（金属膜） ３ 透明誘電体膜 ４ ソース電極 ５ ドレイン電極 ６ 画素電極 ７ 半導体層 ８ ゲート絶縁膜 ９ ゲート電極 １０ 液晶層 １１ 共通透明電極 １２ カラーフィルタ １３ 透明絶縁基板 ２０ ＴＦＴ（薄膜トランジスタ） ２１ ゲートバス配線 ２２ ソースバス配線 ４１ 絶縁基板 ４２ 層間絶縁膜 ４３ 反射膜兼画素電極 ４４ コンタクトホール ４５ 無機膜 ４６ 行電極 ４７ 列電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−80327（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−212931（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−75022（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−36897（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1335 520 G02F 1/1333 500 G02F 1/136 500

Claims (9)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数の画素電極と前記複数の画素電極に
    各々接続される複数のスイッチング素子とがマトリック
    ス状に配置されたアクティブマトリックス基板と、透明
    電極を有する対向基板と、両基板間に封入された液晶層
    とを備える反射型液晶表示装置において、前記アクティ
    ブマトリックス基板が、表面が粗面化されて凹凸形状に
    なされている基板上に金属膜を有する光拡散反射板と、
    その上に表面を平坦化した透明誘電体膜と、さらにその
    上に無機膜とを有し、さらに前記無機膜の上に複数の透
    明画素電極と前記複数の透明画素電極に各々接続される
    複数のスイッチング素子を有することを特徴とする反射
    型液晶表示装置。
  2. 【請求項２】前記凹凸形状が、高低差０．１〜５μｍ、
    ピッチ０．５〜５０μｍの範囲で選択され、かつ矩形型
    ではない滑らかな波型であることを特徴とする請求項１
    記載の反射型液晶表示装置。
  3. 【請求項３】前記光拡散反射板の金属膜の少なくとも一
    部の領域が除去されていることを特徴とする請求項１記
    載の反射型液晶表示装置。
  4. 【請求項４】二つの基板間に液晶が封入され、前記二つ
    の基板の片方の基板に光反射板を有する反射型液晶表示
    装置において、前記反射板を有する基板の形成工程が、
    基板の表面を粗面化して凹凸形状に成型する第１の工程
    と、その上に金属膜を形成して光拡散反射板を形成する
    第２の工程と、その上に透明誘電体膜を形成して表面を
    平坦化する第３の工程と、さらにその上に複数の透明画
    素電極を形成する第４の工程を含むことを特徴とする反
    射型液晶表示装置の製造方法。
  5. 【請求項５】複数の画素電極と前記複数の画素電極に各
    々接続される複数のスイッチング素子とがマトリックス
    状に配置されたアクティブマトリックス基板と、透明電
    極を有する対向基板と、両基板間に封入された液晶層と
    を備える反射型液晶表示装置の製造方法において、前記
    アクティブマトリックス基板の形成工程が、絶縁基板の
    表面を粗面化して凹凸形状に成形する第１の工程と、そ
    の上に金属膜を形成して光拡散反射板を形成する第２の
    工程と、その上に透明誘電体膜を形成して表面を平坦化
    する第３の工程と、さらにその上に複数の透明画素電極
    を形成する第４の工程と、前記複数の透明画素電極に各
    々接続される複数のスイッチング素子を形成する第５の
    工程とを含むことを特徴とする反射型液晶表示装置の製
    造方法。
  6. 【請求項６】絶縁基板の表面を粗面化して凹凸形状に成
    形する前記第１の工程が、ガラス基板の表面を機械的研
    磨によって粗面化した後、薬液処理によってその表面の
    尖状部分を滑らかにすることにより成形することを特徴
    とする請求項４または５記載の反射型液晶表示装置の製
    造方法。
  7. 【請求項７】前記第３の工程における透明誘電体膜の形
    成が高分子化合物をスピンコートするものであることを
    特徴とする請求項４または５記載の反射型液晶表示装置
    の製造方法。
  8. 【請求項８】前記高分子化合物が、ポリアミド、ポリイ
    ミド、ポリエステル、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シ
    リコーン樹脂、またはポリシラザンのうち少なくとも一
    つを含むことを特徴とする請求項７記載の反射型液晶表
    示装置の製造方法。
  9. 【請求項９】複数の透明画素電極に各々接続される前記
    複数のスイッチング素子とをマトリックス状に配置形成
    する前記第５の工程が、基板表面を平坦化した透明誘電
    体膜上に透明導電膜を成膜した後、前記透明導電膜を画
    素電極およびソース・ドレイン電極配線を形成し、その
    上に半導体膜、ゲート絶縁膜、ゲート電極となる金属膜
    を連続して成膜した後、前記半導体膜、ゲート絶縁膜、
    金属膜をゲート電極配線を島状に形成することを特徴と
    する請求項５記載の反射型液晶表示装置の製造方法。
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