JP3085530B2 - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

液晶表示装置及びその製造方法

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    • G02F1/136222—Colour filters incorporated in the active matrix substrate

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置及びそ
の製造方法に関し、反射板を有する反射型液晶表示装置
及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図６は、第１の従来例に係る反射型液晶
表示装置の構成を示す断面図である。
【０００３】この反射型液晶表示装置は、薄膜トランジ
スタが形成されている薄膜トランジスタ基板（以下、
「ＴＦＴ基板」と呼ぶ）５０と、ＴＦＴ基板５０と対向
して配置されている対向基板５１と、これら二つの基板
５０、５１の間に挟持された液晶層１３と、からなって
いる。
【０００４】ＴＦＴ基板５０は、第１の透明絶縁基板１
と、第１の透明絶縁基板１上に形成されたゲート電極２
と、第１の透明絶縁基板１上にゲート電極２を覆って形
成されたゲート絶縁膜４と、ゲート電極２の上方におい
て、ゲート絶縁膜４上に形成された半導体層５と、ゲー
ト絶縁膜４上において半導体層５と接触して形成されて
いるソース電極６及びドレイン電極７と、半導体層５、
ソース電極６、ドレイン電極７及びゲート絶縁膜４を覆
って形成されているパッシベーション膜８と、パッシベ
ーション膜８上に形成され、ソース電極６とコンタクト
ホール６ａを介して接続された画素電極１１と、パッシ
ベーション膜８及び画素電極１１上に形成された液晶配
向層１６と、からなる。
【０００５】画素電極１１は金属からなり、反射板を兼
ねている。
【０００６】対向基板５１は、第２の透明絶縁基板１５
と、第２の透明絶縁基板１５上に形成されたブラックマ
トリクス９と、第２の透明絶縁基板１５上にブラックマ
トリクス９と隣接して形成されたカラーフィルター１０
と、ブラックマトリクス９及びカラーフィルター１０を
覆って形成されている対向電極１４と、対向電極１４を
覆って形成されている液晶配向層１６と、からなる。
【０００７】ＴＦＴ基板５０と対向基板５１とは液晶配
向層１６同士が向かい合うように設置され、向かい合う
液晶配向層１６の間に液晶層１３が挟持されている。
【０００８】一般に、ＴＦＴ基板５０と対向基板５１と
を重ね合わせる時に、ずれが生じることがある。このよ
うなずれが生じても表示に悪影響を与えないようにする
ため、遮光しなければならない領域はブラックマトリク
ス９で確実に覆わなければならない。このため、対向基
板５０上にカラーフィルター１０及びブラックマトリク
ス９が形成されている第１の従来例に係る液晶表示装置
においては、重ね合わせのマージンをとる必要があり、
開口率は低くならざるを得なかった。
【０００９】この結果、第１の従来例に係る反射型液晶
表示装置は明るい表示を行うことができないという問題
を有していた。
【００１０】この問題点を解決するため、特開平８−２
９７８７号公報は以下のような反射型液晶表示装置を提
案している。
【００１１】図７は、特開平８−２９７８７号公報に開
示されている反射型液晶表示装置の断面図である。
【００１２】この反射型液晶表示装置は、薄膜トランジ
スタが形成されている薄膜トランジスタ基板（ＴＦＴ基
板）５０と、ＴＦＴ基板５０と対向して配置されている
対向基板５１と、これら二つの基板５０、５１の間に挟
持された液晶層１３と、からなっている。
【００１３】ＴＦＴ基板５０は、第１の透明絶縁基板１
と、第１の透明絶縁基板１上に形成されたゲート電極２
と、第１の透明絶縁基板１上にゲート電極２を覆って形
成されたゲート絶縁膜４と、ゲート電極２の上方におい
て、ゲート絶縁膜４上に形成された半導体層５と、ゲー
ト絶縁膜４上において半導体層５と接触して形成されて
いるソース電極６及びドレイン電極７と、半導体層５、
ソース電極６、ドレイン電極７及びゲート絶縁膜４を覆
って形成されているパッシベーション膜８と、パッシベ
ーション膜８上に形成されたブラックマトリクス９と、
パッシベーション膜８上においてブラックマトリクス９
に隣接して形成された反射板３と、反射板３上において
ブラックマトリクス９に隣接して形成されたカラーフィ
ルター１０と、ブラックマトリクス９及びカラーフィル
ター１０を覆って形成されているオーバーコート層１２
と、オーバーコート層１２上に形成され、ソース電極６
とコンタクトホール６ａを介して接続された画素電極１
１と、画素電極１１上に形成された液晶配向層１６と、
からなる。
【００１４】対向基板５１は、第２の透明絶縁基板１５
と、第２の透明絶縁基板１５上に形成された対向電極１
４と、対向電極１４を覆って形成されている液晶配向層
１６と、からなる。
【００１５】ＴＦＴ基板５０と対向基板５１とは液晶配
向層１６同士が向かい合うように設置され、向かい合う
液晶配向層１６の間に液晶層１３が挟持されている。
【００１６】図７に示した反射型液晶表示装置において
は、ブラックマトリクス９及びカラーフィルター１０が
薄膜トランジスタ基板５０側に形成されているため、薄
膜トランジスタ基板５０と対向基板５１との重ね合わせ
マージンをとる必要がなく、図６に示した第１の従来例
に係る液晶表示装置の構成に比べて、開口率を大きくす
ることができ、より明るい表示を行うことが可能となっ
ている。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図７に
示した反射型液晶表示装置においては、以下のような新
たな問題が生じる。
【００１８】図７に示した反射型液晶表示装置において
は、反射板３が配線金属とは別に新たに設けられ、カラ
ーフィルター１０の形成前に作製されるため、この反射
型液晶表示装置の製造プロセスは、カラーフィルター１
０が薄膜トランジスタ基板５０側に形成される透過型液
晶表示装置の製造プロセスと大きく異なる。
【００１９】このため、同一の製造ラインを用いて、図
７に示した反射型液晶表示装置と透過型液晶表示装置と
を同時に製造することは不可能であり、図７に示した反
射型液晶表示装置は製造効率が低く、製造コストが高い
ものであった。
【００２０】この問題点は前述の第１の従来例に係る反
射型液晶表示装置においても同様に生じていた。すなわ
ち、第１の従来例に係る反射型液晶表示装置において
は、画素電極１１が反射板を兼ねた金属電極であり、光
を透過させないものであるため、第１の従来例に係る液
晶表示装置と同様の製造工程を用いて透過型の液晶表示
装置を製造することは不可能であった。
【００２１】また、特開平６−１１００５８号公報、特
開平７−７２４７３号公報、特開平８−１６６５８５号
公報及び特開平８−２５４６９６号公報は反射板を備え
る反射型液晶表示装置を開示しているが、何れの反射型
液晶表示装置も、図６及び図７に示した従来例に係る反
射型液晶表示装置と同様に、同一の製造ラインで透過型
液晶表示装置とともに製造することは不可能であった。
【００２２】さらに、特開平９−１４６０８７号公報
は、凹凸を有する反射層を備えた反射型液晶表示装置を
開示しているが、この液晶表示装置も、図６及び図７に
示した従来例に係る反射型液晶表示装置と同様に、同一
の製造ラインで透過型液晶表示装置とともに製造するこ
とは不可能であるという問題点を有していた。
【００２３】本発明はこのような従来の反射型液晶表示
装置における問題点に鑑みてなされたものであり、透過
型液晶表示装置と同一の製造ラインで製造することがで
き、ひいては、製造効率を高めることができる反射型液
晶表示装置及びその製造方法を提供することを目的とす
る。
【００２４】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明は、カラーフィルターやブラックマトリクス
が薄膜トランジスタ基板上に形成される反射型液晶表示
装置において、金属配線の形成時に同時に反射板を形成
することによって、透過型液晶表示装置と同一の製造プ
ロセスで製造することができる反射型液晶表示装置及び
その製造方法を提供する。
【００２５】具体的には、本発明のうち、請求項１は、
第１の透明絶縁基板と、第２の透明絶縁基板と、第１及
び第２の透明絶縁基板の間に挟持された液晶層と、第１
の透明絶縁基板上に形成された薄膜トランジスタと、薄
膜トランジスタ上に形成されたカラーフィルターと、カ
ラーフィルター上に形成された透明画素電極と、からな
り、薄膜トランジスタは、走査線と電気的に接続された
ゲート電極と、ゲート電極を覆って形成されたゲート絶
縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された半導体層と、信号
線に電気的に接続されたドレイン電極と、透明画素電極
に電気的に接続されたソース電極と、からなるものであ
る液晶表示装置において、第１の透明絶縁基板上には、
ゲート電極と同一材料で同時に形成され、かつ、ゲート
電極とは電気的に接続されていない反射板が設けられて
いることを特徴とする液晶表示装置を提供する。
【００２６】本請求項に係る反射型液晶表示装置が透過
型液晶表示装置と構造的に相違している点は反射板を備
えている点であり、反射板以外の構造は同一である。
【００２７】通常、ゲート電極は、フォトリソグラフィ
ー技術を用いて、金属層をパターニングすることにより
形成される。同様に、反射板も、フォトリソグラフィー
技術を用いて、金属層をパターニングすることにより形
成することができる。このため、反射板を形成しないパ
ターンを有するフォトリソグラフィー用マスクと、反射
板を形成するパターンを有するフォトリソグラフィー用
マスクとの２種類のマスクを用意しておけば、何れかの
マスクを選択して用いることにより、必要に応じて、反
射板が形成された液晶表示装置又は反射板が形成されて
いない液晶表示装置（すなわち、透過型液晶表示装置）
を製造することができる。
【００２８】このように、本請求項に係る反射型液晶表
示装置によれば、パターンの異なる２種類のマスクを用
意するだけで、反射型液晶表示装置を透過型液晶表示装
置と同一の製造プロセスで製造することができる。
【００２９】請求項２は、第１の透明絶縁基板と、第２
の透明絶縁基板と、第１及び第２の透明絶縁基板の間に
挟持された液晶層と、第１の透明絶縁基板上に形成され
た薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタ上に形成され
たカラーフィルターと、カラーフィルター上に形成され
た透明画素電極と、からなり、薄膜トランジスタは、走
査線と電気的に接続されたゲート電極と、ゲート電極を
覆って形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形
成された半導体層と、信号線に電気的に接続されたドレ
イン電極と、透明画素電極に電気的に接続されたソース
電極と、からなるものである液晶表示装置において、ゲ
ート絶縁膜上には、ソース電極又はドレイン電極と同一
材料で同時に形成された反射板が設けられていることを
特徴とする液晶表示装置を提供する。
【００３０】本請求項に係る液晶表示装置は、反射板が
ゲート絶縁膜上に形成される点及びソース電極又はドレ
イン電極と同時に形成される点を除き、請求項１に係る
液晶表示装置と同様の構造を有している。
【００３１】このため、本請求項に係る液晶表示装置に
よっても、請求項１に係る液晶表示装置と同様に、パタ
ーンの異なる２種類のマスクを用意するだけで、反射型
液晶表示装置を透過型液晶表示装置と同一の製造プロセ
スで製造することができる。
【００３２】請求項３に記載されているように、反射板
はアルミニウム又はアルミニウム合金からなるものであ
ることが好ましい。
【００３３】アルミニウム又はアルミニウム合金は反射
率が高いため、反射板として適しているからである。
【００３４】アルミニウム合金としては、請求項４に記
載されているように、アルミニウムとネオジウムとの合
金を選択することができる。
【００３５】請求項５に記載されているように、反射板
の下方には、アルミニウムが下層に拡散することを防止
するための拡散防止層が設けられていることが好まし
い。
【００３６】アルミニウムは、例えば、シリコンと直接
接触すると、シリコン中に拡散する性質を有している。
このため、アルミニウムからなる反射板の下方にアルミ
ニウムの拡散を防止する拡散防止層を設けておくことが
好ましい。
【００３７】このような拡散防止層としては、請求項６
に記載されているように、例えば、チタニウムからなる
層を用いることができる。
【００３８】請求項７に記載されているように、第１の
透明絶縁基板又はゲート絶縁膜上には凹凸部が形成され
ており、反射板は凹凸部を覆って形成されているもので
あることが好ましい。
【００３９】例えば、金属からなる反射板を用いると、
周囲の物体や観察者の顔などが反射板に鏡のように写り
込み、表示品位が悪くなることがある。これに対して、
凹凸部を設けることによって、反射板が散乱反射板とし
て機能し、写り込み現象を抑制することができる。
【００４０】この凹凸部は種々の材料から形成すること
ができる。
【００４１】例えば、請求項８に記載されているよう
に、後に行われる加熱工程において変形せず、かつ、液
晶表示に悪影響を与えるような高濃度の不純物を有しな
い材料を選択することが好ましい。このような材料とし
ては、例えば、感光性レジストがある。
【００４２】また、凹凸部は種々の方法により形成する
ことができる。
【００４３】例えば、請求項９に記載されているよう
に、凹凸部は、窒化シリコン膜などの絶縁膜を成膜し、
この絶縁膜をパターニングすることにより形成すること
ができる。
【００４４】あるいは、請求項１０に記載されているよ
うに、第１の透明絶縁基板又はゲート絶縁膜の表面を削
ることにより、凹凸部を形成することもできる。
【００４５】請求項１１は、第１の透明絶縁基板と、第
２の透明絶縁基板と、第１及び第２の透明絶縁基板の間
に挟持された液晶層と、第１の透明絶縁基板上に形成さ
れた薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタ上に形成さ
れたカラーフィルターと、カラーフィルター上に形成さ
れた透明画素電極と、からなり、薄膜トランジスタは、
走査線と電気的に接続されたゲート電極と、ゲート電極
を覆って形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に
形成された半導体層と、信号線に電気的に接続されたド
レイン電極と、透明画素電極に電気的に接続されたソー
ス電極と、からなるものである液晶表示装置を製造する
方法において、第１の透明絶縁基板上に、ゲート電極と
同一材料で同時に形成され、かつ、ゲート電極とは電気
的に接続されていない反射板を設ける過程を備えること
を特徴とする液晶表示装置の製造方法を提供する。
【００４６】本請求項に係る方法によれば、請求項１に
係る液晶表示装置の場合と同様に、パターンの異なる２
種類のマスクを用意するだけで、反射型液晶表示装置を
透過型液晶表示装置と同一の製造プロセスで製造するこ
とができる。
【００４７】請求項１２は、第１の透明絶縁基板と、第
２の透明絶縁基板と、第１及び第２の透明絶縁基板の間
に挟持された液晶層と、第１の透明絶縁基板上に形成さ
れた薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタ上に形成さ
れたカラーフィルターと、カラーフィルター上に形成さ
れた透明画素電極と、からなり、薄膜トランジスタは、
走査線と電気的に接続されたゲート電極と、ゲート電極
を覆って形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に
形成された半導体層と、信号線に電気的に接続されたド
レイン電極と、透明画素電極に電気的に接続されたソー
ス電極と、からなるものである液晶表示装置を製造する
方法において、ゲート絶縁膜上に、ソース電極又はドレ
イン電極と同一材料で同時に形成された反射板を設ける
過程を備えることを特徴とする液晶表示装置の製造方法
を提供する。
【００４８】本請求項に係る方法によれば、請求項２に
係る液晶表示装置の場合と同様に、パターンの異なる２
種類のマスクを用意するだけで、反射型液晶表示装置を
透過型液晶表示装置と同一の製造プロセスで製造するこ
とができる。
【００４９】請求項１３は、第１の透明絶縁基板又はゲ
ート絶縁膜上に凹凸部を形成する過程をさらに備える液
晶表示装置の製造方法を提供する。この場合、反射板は
凹凸部を覆って形成される。
【００５０】第１の透明絶縁基板又はゲート絶縁膜上に
凹凸部を形成することにより、凹凸部上に形成される反
射板の表面積は、反射板が平面上に形成される場合と比
較して、より大きくなる。このため、反射効率を高める
ことができる。
【００５１】請求項１４は、第１の透明絶縁基板と、第
２の透明絶縁基板と、第１及び第２の透明絶縁基板の間
に挟持された液晶層と、第１の透明絶縁基板上に形成さ
れた薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタ上に形成さ
れたカラーフィルターと、カラーフィルター上に形成さ
れた透明画素電極と、からなり、薄膜トランジスタは、
走査線と電気的に接続されたゲート電極と、ゲート電極
を覆って形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に
形成された半導体層と、信号線に電気的に接続されたド
レイン電極と、透明画素電極に電気的に接続されたソー
ス電極と、からなるものである液晶表示装置を製造する
方法において、第１の透明絶縁基板上にゲート電極及び
反射板を形成するパターンを有するフォトリソグラフィ
ー用の第１のマスクと、第１の透明絶縁基板上にゲート
電極のみを形成するパターンを有するフォトリソグラフ
ィー用の第２のマスクとを用意する過程と、第１及び第
２のマスクの何れかを用いて、第１の透明絶縁基板上に
ゲート電極及び反射板の双方、又は、ゲート電極のみを
形成する過程と、を備える反射型及び透過型液晶表示装
置の製造方法を提供する。
【００５２】本請求項に係る方法によれば、請求項１に
係る液晶表示装置の場合と同様に、パターンの異なる２
種類のマスクを用意するだけで、反射型液晶表示装置と
透過型液晶表示装置とを同一の製造プロセスで製造する
ことが可能になる。
【００５３】請求項１５は、第１の透明絶縁基板と、第
２の透明絶縁基板と、第１及び第２の透明絶縁基板の間
に挟持された液晶層と、第１の透明絶縁基板上に形成さ
れた薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタ上に形成さ
れたカラーフィルターと、カラーフィルター上に形成さ
れた透明画素電極と、からなり、薄膜トランジスタは、
走査線と電気的に接続されたゲート電極と、ゲート電極
を覆って形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に
形成された半導体層と、信号線に電気的に接続されたド
レイン電極と、透明画素電極に電気的に接続されたソー
ス電極と、からなるものである液晶表示装置を製造する
方法において、ゲート絶縁膜上にドレイン電極及びソー
ス電極並びに反射板を形成するパターンを有するフォト
リソグラフィー用の第１のマスクと、ゲート絶縁膜上に
ドレイン電極及びソース電極のみを形成するパターンを
有するフォトリソグラフィー用の第２のマスクとを用意
する過程と、第１及び第２のマスクの何れかを用いて、
ゲート絶縁膜上にドレイン電極及びソース電極並びに反
射板、又は、ドレイン電極及びソース電極を形成する過
程と、を備える反射型及び透過型液晶表示装置の製造方
法を提供する。
【００５４】本請求項に係る方法によれば、請求項２に
係る液晶表示装置の場合と同様に、パターンの異なる２
種類のマスクを用意するだけで、反射型液晶表示装置と
透過型液晶表示装置とを同一の製造プロセスで製造する
ことが可能になる。
【００５５】請求項１４又は１５に係る製造方法におい
ても、請求項１６に記載されているように、第１の透明
絶縁基板又はゲート絶縁膜上に凹凸部を形成する過程を
さらに備えていることが好ましい。
【００５６】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１の実施形態
に係る液晶表示装置の構成を表す断面図である。
【００５７】この反射型液晶表示装置は、薄膜トランジ
スタが形成されている薄膜トランジスタ基板（ＴＦＴ基
板）６０と、ＴＦＴ基板６０と対向して配置されている
対向基板６１と、これら二つの基板６０、６１の間に挟
持された液晶層３３と、からなっている。
【００５８】ＴＦＴ基板６０は、第１の透明絶縁基板２
１と、第１の透明絶縁基板２１上に形成され、アルミニ
ウム又はアルミニウム−ネオジウム合金等のアルミニウ
ム合金により形成されたゲート電極２２と、第１の透明
絶縁基板２１上に形成され、ゲート電極２２とは電気的
に接続されていない反射板２３と、第１の透明絶縁基板
１上にゲート電極２２及び反射板２３を覆って形成され
たゲート絶縁膜２４と、ゲート電極２２の上方におい
て、ゲート絶縁膜２４上に形成された半導体層２５と、
ゲート絶縁膜２４上において半導体層２５と接触して形
成されているソース電極２６及びドレイン電極２７と、
半導体層２５、ソース電極２６、ドレイン電極２７及び
ゲート絶縁膜２４を覆って形成されているパッシベーシ
ョン膜２８と、パッシベーション膜８２上に形成された
ブラックマトリクス２９と、パッシベーション膜２８上
においてブラックマトリクス２９に隣接して形成された
カラーフィルター３０と、ブラックマトリクス２９及び
カラーフィルター３０を覆って形成されているオーバー
コート層３２と、オーバーコート層３２上に形成され、
ソース電極２６とコンタクトホール２６ａを介して接続
された画素電極３１と、からなる。
【００５９】後述するように、反射板２３は、ゲート電
極２２と同一材料で同時に形成される。反射板２３は、
カラーフィルター３０の全体を覆うことができる程度の
大きさを有している。
【００６０】画素電極３１上には、画素電極３１を覆う
ようして液晶配向層３６が形成される。
【００６１】対向基板６１は、第２の透明絶縁基板３５
と、第２の透明絶縁基板３５上に形成された対向電極３
４と、からなる。
【００６２】対向電極３４上には、対向電極３４を覆う
ようにして液晶配向層３６が形成される。
【００６３】ＴＦＴ基板６０と対向基板６１とは液晶配
向層３６同士が向かい合うように設置され、向かい合う
液晶配向層３６の間に液晶層３３が挟持されている。
【００６４】以下、本実施形態に係る液晶表示装置の製
造方法を示す。
【００６５】第１の透明絶縁基板２１上にスパッタによ
りアルミニウムを成膜し、フォトリソグラフィー技術を
用いてパターニングを行うことにより、ゲート電極２２
及び反射板２３を同時に形成する。
【００６６】アルミニウムは反射率が非常に高く、反射
板として適した材料である。
【００６７】この場合、純粋なアルミニウムはヒロック
を生じやすく、液晶表示装置を生産する際の歩留まりを
低下させるため、数％のネオジウムが混入したアルミニ
ウム−ネオジウム合金を用いることが好ましい。
【００６８】その後、化学的気相成長方法（以下「ＣＶ
Ｄ」と呼ぶ）により、ゲート絶縁膜２４となる窒化シリ
コン膜を全面に成膜する。
【００６９】さらに、ゲート絶縁膜２４上に、ドーピン
グされていないアモルファスシリコン（以下「ａ−Ｓ
ｉ」とする）とｎ+型にドーピングされたアモルファス
シリコン（以下「ｎ+型ａ−Ｓｉ」とする）を連続して
ＣＶＤにより成膜し、これらをパターニングし、半導体
層２５を形成する。ｎ+型ａ−Ｓｉはドレイン電極２７
及びソース電極２６とａ−Ｓｉとのオーミックコンタク
トを確保するためのものである。
【００７０】半導体層２５上にクロムをスパッタにより
成膜し、このクロム膜をパターニングし、ドレイン電極
２７及びソース電極２６を形成する。
【００７１】その後、ｎ+型ａ−Ｓｉがエッチングされ
るガス系を用いてドライエッチングを行い、ドレイン電
極２７とソース電極２６の間のｎ+型ａ−Ｓｉを除去す
る。これは、ソース電極２６とドレイン電極２７と間を
ｎ+型ａ−Ｓｉを介して直接電流が流れることを防止す
るためである。
【００７２】この後、ＣＶＤにより窒化シリコンを成膜
し、この窒化シリコン膜をパターニングしてパッシベー
ション膜２８を形成する。パッシベーション膜２８はイ
オン等の不純物が半導体層２５へ入り、薄膜トランジス
タが動作不良を起こすことを防止する。
【００７３】以上のようにして、第１の透明絶縁基板２
１上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成される。
【００７４】このようにして作製した薄膜トランジスタ
の上面に、アクリル系の感光性ポリマー中に黒色の顔料
を分散したブラックレジストをフォトリソグラフィー工
程によりパターンニングし、ブラックマトリクス２９を
形成する。
【００７５】ブラックレジストは絶縁性の高いものを使
用する。ブラックレジストの絶縁性が低いと薄膜トラン
ジスタ上のブラックマトリクス２９が何らかの電位をも
つこととなり、薄膜トランジスタのバックチャネルを活
性化させ、良好な表示ができなくなる。
【００７６】次に、パッシベーション膜２８上におい
て、３回のフォトリソグラフィー工程によりアクリル系
の感光性ポリマーで赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色
（Ｂ）の顔料を分散した材料をパターニングし、ブラッ
クマトリクス２９に隣接して、カラーフィルタ３０を形
成する。
【００７７】次に、感光性であって、透明性の高いアク
リル系ポリマーをフォトリソグラフィー工程によりパタ
ーニングし、ブラックマトリクス２９及びカラーフィル
ター３０上にオーバーコート層３２を形成する。オーバ
ーコート層３２は、カラーフィルター３０から溶出する
イオン等の不純物が液晶層３３へ混入することを防止
し、また、ＴＦＴ基板６０の表面を平坦化するため液晶
層３３の厚さを均一よく制御可能にすると共に、ディス
クリネーションの発生を抑え、良好な表示を得ることに
寄与する。
【００７８】カラーフィルター３０及びオーバーコート
層３２の材料としては後の加熱工程にも十分に耐えうる
ように、２００度以上の温度においても変質しないもの
を選択する。
【００７９】また、本実施形態においては、オーバーコ
ート層３２の材料としてアクリル系ポリマーを用いた
が、例えばポリシラザンなどの、透明であって、スピン
コーティングにより形成可能な絶縁膜であれば、いかな
る絶縁膜であっても使用可能である。
【００８０】また、スパッタリングやＣＶＤにより絶縁
膜を形成し、この絶縁膜を研磨して平坦化膜を形成する
ことも可能である。この方法によれば、非常に平らな膜
面を形成できるので、高精細なパターニングが可能であ
ると同時に、耐熱性に優れた液晶表示装置を得ることが
できる。
【００８１】画素電極３１は、オーバーコート層３２上
にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）をスパ
ッタにより成膜し、パターニングすることにより形成さ
れる。
【００８２】対向基板６１を形成する第２の透明絶縁基
板３５上にはＩＴＯをスパッタにより成膜し、対向電極
３４が形成される。
【００８３】このように形成されたＴＦＴ基板６０上と
対向基板６１上にポリイミドからなる液晶配向層３６を
それぞれ形成する。
【００８４】黒色の２色性色素を添加したカイラル剤入
りネマティック液晶（以下「ＧＨネマティック液晶」と
呼ぶ）が２７０度の角度でツイストして配向されるよう
に、両基板６０、６１をラビング処理した後、ギャップ
に応じた直径を有するポリマービーズをスペーサーとし
て全面に散布し、液晶配向層３６どうしが向かい合うよ
うに二つの基板６０、６１を重ね、接着し、二つの基板
６０、６１間にＧＨネマティック液晶を注入する。
【００８５】本実施形態においては、液晶層３３として
ＧＨネマティック液晶を用いたが、反射型の液晶層とし
てポリマー分散型液晶や１枚の偏光板を使用した４５度
ツイスト配向のネマティック液晶などを用いることれも
できる。
【００８６】以上のようにして、本実施形態に係る反射
型液晶表示装置がつくられる。
【００８７】本実施形態に係る液晶表示装置の効果を以
下に説明する。
【００８８】第１に、本実施形態に係る液晶表示装置
は、カラーフィルター３０及びブラックマトリクス２９
が薄膜トランジスタ基板６０の構成要素として形成され
ているため、薄膜トランジスタ基板６０と対向基板６１
との重ね合わせずれを考慮したマージンをとる必要がな
い。
【００８９】この結果、本実施形態に係る液晶表示装置
においては、開口率を高くすることが可能となり、より
明るい表示を行うことができる。
【００９０】図３は透過型液晶表示装置の構成を示す断
面図である。図１と図３との比較から明白であるよう
に、本実施形態に係る液晶表示装置が図３に示した透過
型液晶表示装置と相違する点は反射板２３を備えている
点のみである。反射板２３以外の本実施形態に係る液晶
表示装置の構成は透過型液晶表示装置と同様である。
【００９１】通常、ゲート電極２５は、フォトリソグラ
フィー技術を用いて、金属層をパターニングすることに
より形成される。同様に、反射板２３も、フォトリソグ
ラフィー技術を用いて、金属層をパターニングすること
により形成することができる。このため、反射板２３を
形成しないパターンを有するフォトリソグラフィー用マ
スクと、反射板２３を形成するパターンを有するフォト
リソグラフィー用マスクとの２種類のマスクを用意して
おけば、何れかのマスクを選択して用いることにより、
必要に応じて、反射板２３が形成された液晶表示装置
（すなわち、反射型液晶表示装置）又は反射板２３が形
成されていない液晶表示装置（すなわち、透過型液晶表
示装置）を製造することができる。
【００９２】このように、本実施形態に係る反射型液晶
表示装置によれば、パターンの異なる２種類のマスクを
用意するだけで、反射型液晶表示装置を透過型液晶表示
装置と同一の製造プロセスで製造することができる。
【００９３】層構造が異なる等の理由により製造工程が
異なる液晶表示装置を同一の製造ラインで製造する場
合、成膜やエッチング等を行う際の最適な条件も変わる
ため、製造装置の設定を変更しなくてはならない。設定
の変更には時間がかかるため、生産の効率が非常に悪く
なる。また、液晶表示装置の製造装置は非常に高価であ
るので、設定の切り替えをなくすために製造装置を増設
することは製造コストの増加につながる。
【００９４】本実施形態によれば、反射型液晶表示装置
は透過型液晶表示装置と製造工程が同一であるので、製
造装置の設定を変更することなく、透過型液晶表示装置
と同一の製造ラインを用いて反射型液晶表示装置をも製
造することが可能である。
【００９５】アルミニウム又はアルミニウム合金は反射
率が高く、反射板として適した材料である。しかし、ア
ルミニウムは直接シリコンに接触するとシリコン中に拡
散をし、トランジスタの動作を乱す原因となる。よっ
て、通常はアルミニウムとシリコンとの間に、アルミニ
ウムのシリコン中への拡散を防止する拡散防止膜を形成
する。
【００９６】図１に示した本実施形態においては、ゲー
ト絶縁膜２４が拡散防止膜としての役割を果たすため、
新たに拡散防止膜を形成する必要がない。すなわち、製
造工程を増やすことなく、高反射であり、輝度の大きい
液晶表示装置を得ることができる。
【００９７】図２は、本発明の第２の実施形態に係る液
晶表示装置の構成を表す断面図である。
【００９８】本実施形態に係る液晶表示装置が前述の第
１の実施形態に係る液晶表示装置と異なる点は、第１の
透明絶縁基板２１上に凹凸部１００が形成されている点
である。この凹凸部１００が形成されている点以外にお
いては、本実施形態に係る液晶表示装置は第１の実施形
態に係る液晶表示装置と同様の構成を有している。
【００９９】以下、凹凸部１００の製造過程を示す。こ
の凹凸部１００を製造する過程以外の製造過程は前述の
第１の実施形態に係る液晶表示装置における製造過程と
同一である。
【０１００】先ず、透明絶縁基板２１上に窒化シリコン
膜をＣＶＤにより成膜し、この窒化シリコン膜をパター
ニングし、凹凸部１００を形成する。
【０１０１】凹凸部１００の材料としてＣＶＤ成膜の窒
化シリコン膜を用いたが、後の加熱工程などで変形せ
ず、液晶表示に悪影響を与えるような高濃度の不純物な
どを有しない材料であれば、いかなる材料を用いること
もできる。例えば、感光性のレジスト等を用いれば、高
さの大きい凹凸部１００を容易に作製することができ
る。
【０１０２】また、透明絶縁基板２１の表面を削ること
によって、凹凸部１００を形成することも可能である。
【０１０３】その後の工程は、第１の実施形態の場合と
同様である。
【０１０４】本実施形態に係る液晶表示装置によれば、
前述の第１の実施形態に係る液晶表示装置によって得ら
れる効果以外に、次のような効果を得ることができる。
【０１０５】金属等の反射板を用いた反射型液晶表示装
置の場合、周囲の物体や観察者の顔などが鏡のように写
り込み、表示品位が悪くなることがある。これに対し
て、本実施形態においては、凹凸部１００を設けている
ため、反射板２３が散乱反射板として機能し、写り込み
現象が抑制される。
【０１０６】よって、本実施形態によれば、輝度が高
く、かつ、写り込み現象のない反射型液晶表示装置が提
供される。
【０１０７】図３は透過型液晶表示装置の構成を示す断
面図である。図２と図３との比較から明白であるよう
に、本実施形態に係る液晶表示装置が図３に示した透過
型液晶表示装置と相違する点は凹凸部１００及び反射板
２３を備えている点である。凹凸部１００及び反射板２
３以外の本実施形態に係る液晶表示装置の構成は透過型
液晶表示装置と同様である。
【０１０８】従って、第１の実施形態の場合と同様に、
反射板２３を形成しないパターンを有するフォトリソグ
ラフィー用マスクと、反射板２３を形成するパターンを
有するフォトリソグラフィー用マスクとの２種類のマス
クを用意しておけば、何れかのマスクを選択して用いる
ことにより、必要に応じて、反射板２３が形成された液
晶表示装置（すなわち、反射型液晶表示装置）又は反射
板２３が形成されていない液晶表示装置（すなわち、透
過型液晶表示装置）を製造することができる。
【０１０９】特に、凹凸部１００及び反射板２３の双方
を備える液晶表示装置を製造する場合には、凹凸部１０
０を形成するための工程を反射板２３の形成工程の前に
追加するだけでよく、その後の製造工程は透過型液晶表
示装置の製造工程は全く同一である。
【０１１０】このように、本実施形態に係る反射型液晶
表示装置によれば、凹凸部の形成工程を追加するだけ
で、透過型液晶表示装置と全く同一の製造工程の下に反
射型液晶表示装置を製造することが可能である。
【０１１１】層構造が異なる等の理由により製造工程が
異なる液晶表示装置を同一の製造ラインで製造する場
合、成膜やエッチング等を行う際の最適な条件も変わる
ため、製造装置の設定を変更しなくてはならない。設定
の変更には時間がかかるため、生産の効率が非常に悪く
なる。また、液晶表示装置の製造装置は非常に高価であ
るので、設定の切り替えをなくすために製造装置を増設
することは製造コストの増加につながる。
【０１１２】本実施形態によれば、反射型液晶表示装置
は透過型液晶表示装置と製造工程が同一であるので、製
造装置の設定を変更することなく、透過型液晶表示装置
と同一の製造ラインを用いて、写り込み現象を防止する
ことができる反射型液晶表示装置をも製造することが可
能である。
【０１１３】図４は、本発明の第３の実施形態に係る液
晶表示装置の構成を表す断面図である。
【０１１４】この反射型液晶表示装置は、薄膜トランジ
スタが形成されている薄膜トランジスタ基板（ＴＦＴ基
板）６０と、ＴＦＴ基板６０と対向して配置されている
対向基板６１と、これら二つの基板６０、６１の間に挟
持された液晶層３３と、からなっている。
【０１１５】ＴＦＴ基板６０は、第１の透明絶縁基板２
１と、第１の透明絶縁基板２１上に形成され、アルミニ
ウム又はアルミニウム−ネオジウム合金等のアルミニウ
ム合金により形成されたゲート電極２２と、第１の透明
絶縁基板１上にゲート電極２２を覆って形成されたゲー
ト絶縁膜２４と、ゲート電極２２の上方において、ゲー
ト絶縁膜２４上に形成された半導体層２５と、ゲート絶
縁膜２４上において半導体層２５と接触して形成されて
いるソース電極２６及びドレイン電極２７と、ソース電
極２６と一体に形成され、ゲート絶縁膜２４上を延びる
反射板２３と、半導体層２５、ソース電極２６、ドレイ
ン電極２７及び反射板２３を覆って形成されているパッ
シベーション膜２８と、パッシベーション膜８２上に形
成されたブラックマトリクス２９と、パッシベーション
膜２８上においてブラックマトリクス２９に隣接して形
成されたカラーフィルター３０と、ブラックマトリクス
２９及びカラーフィルター３０を覆って形成されている
オーバーコート層３２と、オーバーコート層３２上に形
成され、ソース電極２６とコンタクトホール２６ａを介
して接続された画素電極３１と、からなる。
【０１１６】後述するように、反射板２３は、ソース電
極２６と同一材料で同時に形成される。反射板２３は、
カラーフィルター３０の全領域をカバーできる程度の大
きさを有している。
【０１１７】また、画素電極３１上には、画素電極３１
を覆うようにして液晶配向層３６が形成される。
【０１１８】対向基板６１は、第２の透明絶縁基板３５
と、第２の透明絶縁基板３５上に形成された対向電極３
４と、からなる。
【０１１９】対向電極３４上には、対向電極３４を覆う
ようにして液晶配向層３６が形成される。
【０１２０】ＴＦＴ基板６０と対向基板６１とは液晶配
向層３６同士が向かい合うように設置され、向かい合う
液晶配向層３６の間に液晶層３３が挟持されている。
【０１２１】以下、本実施形態に係る液晶表示装置の製
造方法を示す。
【０１２２】第１の透明絶縁基板２１上にスパッタによ
りアルミニウムを成膜し、フォトリソグラフィー技術を
用いて、パターニングを行うことにより、ゲート電極２
２を形成する。
【０１２３】その後、ＣＶＤによりゲート絶縁膜２４と
なる窒化シリコンを全面に成膜する。ゲート絶縁膜２４
上に、ドーピングされていないａ−Ｓｉ膜とｎ+型ａ−
Ｓｉ膜とを連続してＣＶＤにより成膜し、これらの膜を
パターニングして半導体層２５を形成する。
【０１２４】ｎ+型ａ−Ｓｉ膜はドレイン電極２７及び
ソース電極２６とａ−Ｓｉ膜とのオーミックコンタクト
を確保するためのものである。
【０１２５】次いで、半導体層２５及びゲート絶縁膜２
４上に、チタニウム膜２７ａとアルミニウム膜２７ｂと
をスパッタにより成膜し、これらの膜２７ａ、２７ｂを
パターニングしてドレイン電極２７、ソース電極２６及
び反射板２３を形成する。
【０１２６】アルミニウム膜の下にチタニウム膜を配置
したのはアルミニウムがａ−Ｓｉ膜に拡散し、トランジ
スタ動作を乱すのを防ぐためである。
【０１２７】その後、ｎ+型ａ−Ｓｉ膜をエッチングす
ることができるガス系においてドライエッチングを行
い、ドレイン電極２７とソース電極２６との間のｎ+型
ａ−Ｓｉ膜を除去する。これは、ソース電極２６とドレ
イン電極２７との間において、ｎ+型ａ−Ｓｉ膜を介し
て直接電流が流れることを防止するためである。
【０１２８】この後、ＣＶＤにより窒化シリコンを成膜
し、パターニングしてパッシベーション膜２８を形成す
る。パッシベーション膜２８はイオン等の不純物が半導
体層２５に入り、薄膜トランジスタが動作不良を起こす
ことを防止する。
【０１２９】以上のようにして、第１の透明絶縁基板２
１上に薄膜トランジスタが形成される。
【０１３０】次いで、パッシベーション膜２８上におい
て、アクリル系の感光性ポリマー中に黒の顔料を分散し
たブラックレジストをフォトリソグラフィー工程により
パターニングし、ブラックマトリクス２９を形成する。
【０１３１】ブラックレジストは絶縁性の高いものを使
用する。ブラックレジストの絶縁性が低いと薄膜トラン
ジスタ上のブラックマトリクス２９が何らかの電位をも
つこととなり、トランジスタのバックチャネルを活性化
させ、良好な表示ができなくなるからである。
【０１３２】次に、３回のフォトリソグラフィー工程に
よりアクリル系の感光性ポリマーで３原色である赤
（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の顔料を分散した材料をパ
ターニングし、パッシベーション膜２８上においてブラ
ックマトリクス２９に隣接して、カラーフィルタ３０を
形成する。 次に、ブラックマトリクス２９及びカラー
フィルタ３０上に、感光性であって、かつ、透明性の高
いアクリル系ポリマーをフォトリソグラフィー工程によ
りパターニングし、オーバーコート層３２を形成する。
【０１３３】オーバーコート層３２は、カラーフィルタ
ー３０から溶出するイオン等の不純物が液晶層３３へ混
入することを防止し、また、ＴＦＴ基板６０上を平坦化
するため、液晶層３３の厚さを均一に制御可能にすると
ともに、ディスクリネーションの発生を抑え、良好な液
晶表示を得ることに寄与する。
【０１３４】カラーフィルター３０及びオーバーコート
層３２の材料としては、後の加熱工程にも十分に耐えう
るように、２００度以上の温度でも変質しないものを選
択する。
【０１３５】本実施形態においては、オーバーコート層
３２の材料としてアクリル系ポリマーを用いたが、透明
でスピンコーティングにより形成可能な絶縁膜であれ
ば、いかなる膜でも使用可能である。例えば、ポリシラ
ザンなどを用いることができる。
【０１３６】また、スパッタリングやＣＶＤにより絶縁
膜を形成し、研磨し、平坦化膜を形成する方法も可能で
ある。この方法によれば、非常に平らな膜面を形成でき
るので、高精細なパターニングが可能であると同時に耐
熱性にも優れている。
【０１３７】次いで、オーバーコート層３２上にＩＴＯ
（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）をスパッタによ
り成膜し、パターニングすることにより画素電極３１を
形成する。
【０１３８】以上のようにして、ＴＦＴ基板６０が形成
される。
【０１３９】第２の透明絶縁基板３５上にはＩＴＯをス
パッタにより成膜し、対向電極３４を形成し、対向基板
６１を得た。
【０１４０】このように形成されたＴＦＴ基板６０上と
対向基板６１上にポリイミドからなる液晶配向層３６を
それぞれ形成する。両基板６０、６１を黒色の２色性色
素を添加したカイラル剤入りネマティック液晶（ＧＨネ
マティック液晶）が２７０度ツイストして配向するよう
にラビング処理した後、ギャップに応じた径を有するポ
リマービーズをスペーサーとして全面に散布する。次い
で、液晶配向層３６どうしが向かい合うように両基板６
０、６１を重ね、接着し、両基板６０、６１間にＧＨネ
マティック液晶を注入する。
【０１４１】本実施形態においては、液晶層３３として
ＧＨネマティック液晶を用いたが、反射型の液晶層とし
てポリマー分散型液晶や偏光板１枚を使用した４５度ツ
イスト配向のネマティック液晶などを用いることもでき
る。
【０１４２】以上のようにして、本実施形態に係る反射
型液晶表示装置を作製した。
【０１４３】本実施形態に係る液晶表示装置の効果を以
下に説明する。
【０１４４】第１に、本実施形態に係る液晶表示装置
は、カラーフィルター３０及びブラックマトリクス２９
が薄膜トランジスタ基板６０の構成要素として形成され
ているため、薄膜トランジスタ基板６０と対向基板６１
との重ね合わせずれを考慮したマージンをとる必要がな
い。
【０１４５】この結果、本実施形態に係る液晶表示装置
においては、開口率を高くすることが可能となり、輝度
の大きい表示を行うことができる。
【０１４６】図５は透過型液晶表示装置の構成を示す断
面図である。図４と図５との比較から明白であるよう
に、本実施形態に係る液晶表示装置が図５に示した透過
型液晶表示装置と相違する点は反射板２３を備えている
点のみである。反射板２３以外の本実施形態に係る液晶
表示装置の構成は透過型液晶表示装置と同様である。
【０１４７】通常、ドレイン電極２７又はソース電極２
６は、フォトリソグラフィー技術を用いて、金属層をパ
ターニングすることにより形成される。同様に、反射板
２３も、フォトリソグラフィー技術を用いて、金属層を
パターニングすることにより形成することができる。こ
のため、反射板２３を形成しないパターンを有するフォ
トリソグラフィー用マスクと、反射板２３を形成するパ
ターンを有するフォトリソグラフィー用マスクとの２種
類のマスクを用意しておけば、何れかのマスクを選択し
て用いることにより、必要に応じて、反射板２３が形成
された液晶表示装置（すなわち、反射型液晶表示装置）
又は反射板２３が形成されていない液晶表示装置（すな
わち、透過型液晶表示装置）を製造することができる。
【０１４８】このように、本実施形態に係る反射型液晶
表示装置によれば、パターンの異なる２種類のマスクを
用意するだけで、反射型液晶表示装置を透過型液晶表示
装置と同一の製造プロセスで製造することができる。
【０１４９】層構造が異なる等の理由により製造工程が
異なる液晶表示装置を同一の製造ラインで製造する場
合、成膜やエッチング等を行う際の最適な条件も変わる
ため、製造装置の設定を変更しなくてはならない。設定
の変更には時間がかかるため、生産の効率が非常に悪く
なる。また、液晶表示装置の製造装置は非常に高価であ
るので、設定の切り替えをなくすために製造装置を増設
することは製造コストの増加につながる。
【０１５０】本実施形態によれば、反射型液晶表示装置
は透過型液晶表示装置と製造工程が同一であるので、製
造装置の設定を変更することなく、透過型液晶表示装置
と同一の製造ラインを用いて反射型液晶表示装置をも製
造することが可能である。
【０１５１】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、カラー
フィルターやブラックマトリクスが薄膜トランジスタ基
板上に形成される反射型液晶表示装置において、金属配
線と同一材料で、金属配線と同時に反射板が形成され
る。このため、製造工程を変更することなく、高反射率
のアルミニウム反射板を透過型液晶表示装置と同一の製
造方法で作成することができるため、高性能の反射型液
晶表示装置を低コストで生産することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置の
構成を示す断面図である。
【図２】本発明の第２の実施形態に係る液晶表示装置の
構成を示す断面図である。
【図３】第１及び第２の実施形態と同様の工程で作製で
きる透過型液晶表示装置の構成を示す断面図である。
【図４】本発明の第３の実施形態に係る液晶表示装置の
構成を示す断面図である。
【図５】第３の実施形態と同様の工程で作製できる透過
型液晶表示装置の構成を示す断面図である。
【図６】第１の従来例の液晶表示装置の構成を示す断面
図である。
【図７】第２の従来例の液晶表示装置の構成を示す断面
図である。
【符号の説明】
１、１５ 透明絶縁基板 ２ ゲート電極 ３ 反射板 ４ ゲート絶縁膜 ５ 半導体層 ６ ソース電極 ７ ドレイン電極 ８ パッシベーション膜 ９ ブラックマトリクス １０ カラーフィルター １１ 画素電極 １２ オーバーコート層 １３ 液晶層 １４ 対向電極 １６ 液晶配向層 ５０ ＴＦＴ基板 ５１ 対向基板 ２１、３５ 透明絶縁基板 ２２ ゲート電極 ２３ 反射板 ２４ ゲート絶縁膜 ２５ 半導体層 ２６ ソース電極 ２７ ドレイン電極 ２８ パッシベーション膜 ２９ ブラックマトリクス ３０ カラーフィルター ３１ 画素電極 ３２ オーバーコート層 ３３ 液晶層 ３４ 対向電極 ３６ 液晶配向層 ６０ ＴＦＴ基板 ６１ 対向基板 １００ 凹凸部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平７−72473（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−29787（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−67581（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−14622（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−286182（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−334759（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1335 G02F 1/1368

Claims (16)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１の透明絶縁基板と、第２の透明絶縁
    基板と、前記第１及び第２の透明絶縁基板の間に挟持さ
    れた液晶層と、前記第１の透明絶縁基板上に形成された
    薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成さ
    れたカラーフィルターと、前記カラーフィルター上に形
    成された透明画素電極と、からなり、前記薄膜トランジ
    スタは、走査線と電気的に接続されたゲート電極と、前
    記ゲート電極を覆って形成されたゲート絶縁膜と、前記
    ゲート絶縁膜上に形成された半導体層と、信号線に電気
    的に接続されたドレイン電極と、前記透明画素電極に電
    気的に接続されたソース電極と、からなるものである液
    晶表示装置において、前記第１の透明絶縁基板上には、
    前記ゲート電極と同一材料で同時に形成され、かつ、前
    記ゲート電極とは電気的に接続されていない反射板が設
    けられていることを特徴とする液晶表示装置。
  2. 【請求項２】 第１の透明絶縁基板と、第２の透明絶縁
    基板と、前記第１及び第２の透明絶縁基板の間に挟持さ
    れた液晶層と、前記第１の透明絶縁基板上に形成された
    薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成さ
    れたカラーフィルターと、前記カラーフィルター上に形
    成された透明画素電極と、からなり、前記薄膜トランジ
    スタは、走査線と電気的に接続されたゲート電極と、前
    記ゲート電極を覆って形成されたゲート絶縁膜と、前記
    ゲート絶縁膜上に形成された半導体層と、信号線に電気
    的に接続されたドレイン電極と、前記透明画素電極に電
    気的に接続されたソース電極と、からなるものである液
    晶表示装置において、前記ゲート絶縁膜上には、前記ソ
    ース電極又は前記ドレイン電極と同一材料で同時に形成
    された反射板が設けられていることを特徴とする液晶表
    示装置。
  3. 【請求項３】 前記反射板はアルミニウム又はアルミニ
    ウム合金からなるものであることを特徴とする請求項１
    又は２に記載の液晶表示装置。
  4. 【請求項４】 前記アルミニウム合金はアルミニウムと
    ネオジウムとの合金であることを特徴とする請求項３に
    記載の液晶表示装置。
  5. 【請求項５】 前記反射板の下方には、前記アルミニウ
    ムが下層に拡散することを防止するための拡散防止層が
    設けられていることを特徴とする請求項３又は４に記載
    の液晶表示装置。
  6. 【請求項６】 前記拡散防止層はチタニウムからなるも
    のであることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装
    置。
  7. 【請求項７】 前記第１の透明絶縁基板又は前記ゲート
    絶縁膜上には凹凸部が形成されており、前記反射板は前
    記凹凸部を覆って形成されているものであることを特徴
    とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の液晶表示装
    置。
  8. 【請求項８】 前記凹凸部は、後に行われる加熱工程に
    おいて変形せず、かつ、液晶表示に悪影響を与えるよう
    な高濃度の不純物を有しない材料からなるものであるこ
    とを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
  9. 【請求項９】 前記凹凸部は、絶縁膜を成膜し、該絶縁
    膜をパターニングすることにより形成されるものである
    ことを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
  10. 【請求項１０】 前記凹凸部は、前記第１の透明絶縁基
    板又は前記ゲート絶縁膜の表面を削ることにより形成さ
    れるものであることを特徴とする請求項７に記載の液晶
    表示装置。
  11. 【請求項１１】 第１の透明絶縁基板と、第２の透明絶
    縁基板と、前記第１及び第２の透明絶縁基板の間に挟持
    された液晶層と、前記第１の透明絶縁基板上に形成され
    た薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成
    されたカラーフィルターと、前記カラーフィルター上に
    形成された透明画素電極と、からなり、 前記薄膜トランジスタは、走査線と電気的に接続された
    ゲート電極と、前記ゲート電極を覆って形成されたゲー
    ト絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された半導体層
    と、信号線に電気的に接続されたドレイン電極と、前記
    透明画素電極に電気的に接続されたソース電極と、から
    なるものである液晶表示装置を製造する方法において、 前記第１の透明絶縁基板上に、前記ゲート電極と同一材
    料で同時に形成され、かつ、前記ゲート電極とは電気的
    に接続されていない反射板を設ける過程を備えることを
    特徴とする液晶表示装置の製造方法。
  12. 【請求項１２】 第１の透明絶縁基板と、第２の透明絶
    縁基板と、前記第１及び第２の透明絶縁基板の間に挟持
    された液晶層と、前記第１の透明絶縁基板上に形成され
    た薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成
    されたカラーフィルターと、前記カラーフィルター上に
    形成された透明画素電極と、からなり、 前記薄膜トランジスタは、走査線と電気的に接続された
    ゲート電極と、前記ゲート電極を覆って形成されたゲー
    ト絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された半導体層
    と、信号線に電気的に接続されたドレイン電極と、前記
    透明画素電極に電気的に接続されたソース電極と、から
    なるものである液晶表示装置を製造する方法において、 前記ゲート絶縁膜上に、前記ソース電極又は前記ドレイ
    ン電極と同一材料で同時に形成された反射板を設ける過
    程を備えることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
  13. 【請求項１３】 前記第１の透明絶縁基板又は前記ゲー
    ト絶縁膜上に凹凸部を形成する過程をさらに備えてお
    り、前記反射板は前記凹凸部を覆って形成されるもので
    あることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の液晶
    表示装置の製造方法。
  14. 【請求項１４】 第１の透明絶縁基板と、第２の透明絶
    縁基板と、前記第１及び第２の透明絶縁基板の間に挟持
    された液晶層と、前記第１の透明絶縁基板上に形成され
    た薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成
    されたカラーフィルターと、前記カラーフィルター上に
    形成された透明画素電極と、からなり、 前記薄膜トランジスタは、走査線と電気的に接続された
    ゲート電極と、前記ゲート電極を覆って形成されたゲー
    ト絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された半導体層
    と、信号線に電気的に接続されたドレイン電極と、前記
    透明画素電極に電気的に接続されたソース電極と、から
    なるものである液晶表示装置を製造する方法において、 前記第１の透明絶縁基板上に前記ゲート電極及び反射板
    を形成するパターンを有するフォトリソグラフィー用の
    第１のマスクと、前記第１の透明絶縁基板上に前記ゲー
    ト電極のみを形成するパターンを有するフォトリソグラ
    フィー用の第２のマスクとを用意する過程と、 前記第１及び第２のマスクの何れかを用いて、前記第１
    の透明絶縁基板上に前記ゲート電極及び前記反射板の双
    方、又は、前記ゲート電極のみを形成する過程と、 を備える反射型及び透過型液晶表示装置の製造方法。
  15. 【請求項１５】 第１の透明絶縁基板と、第２の透明絶
    縁基板と、前記第１及び第２の透明絶縁基板の間に挟持
    された液晶層と、前記第１の透明絶縁基板上に形成され
    た薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成
    されたカラーフィルターと、前記カラーフィルター上に
    形成された透明画素電極と、からなり、 前記薄膜トランジスタは、走査線と電気的に接続された
    ゲート電極と、前記ゲート電極を覆って形成されたゲー
    ト絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された半導体層
    と、信号線に電気的に接続されたドレイン電極と、前記
    透明画素電極に電気的に接続されたソース電極と、から
    なるものである液晶表示装置を製造する方法において、 前記ゲート絶縁膜上に前記ドレイン電極及び前記ソース
    電極並びに反射板を形成するパターンを有するフォトリ
    ソグラフィー用の第１のマスクと、前記ゲート絶縁膜上
    に前記ドレイン電極及び前記ソース電極のみを形成する
    パターンを有するフォトリソグラフィー用の第２のマス
    クとを用意する過程と、 前記第１及び第２のマスクの何れかを用いて、前記ゲー
    ト絶縁膜上に前記ドレイン電極及び前記ソース電極並び
    に前記反射板、又は、前記ドレイン電極及び前記ソース
    電極を形成する過程と、 を備える反射型及び透過型液晶表示装置の製造方法。
  16. 【請求項１６】 前記第１の透明絶縁基板又は前記ゲー
    ト絶縁膜上に凹凸部を形成する過程をさらに備えてお
    り、前記反射板は前記凹凸部を覆って形成されるもので
    あることを特徴とする請求項１４又は１５に記載の反射
    型及び透過型液晶表示装置の製造方法。
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