JP2004061952A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004061952A JP2004061952A JP2002221607A JP2002221607A JP2004061952A JP 2004061952 A JP2004061952 A JP 2004061952A JP 2002221607 A JP2002221607 A JP 2002221607A JP 2002221607 A JP2002221607 A JP 2002221607A JP 2004061952 A JP2004061952 A JP 2004061952A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- pixel electrode
- region
- insulating film
- pixel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133371—Cells with varying thickness of the liquid crystal layer
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2203/00—Function characteristic
- G02F2203/09—Function characteristic transflective
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
【解決手段】基板上の画素領域に、それを区分する一方の光透過領域に透光性の導電層からなる第1画素電極と、他方の光反射領域に非透光性の導電膜からなる第2画素電極が形成され、
第1画素電極は絶縁膜に対して下層に位置づけられ、前記光透過領域に相当する領域の前記絶縁膜に孔開けがされて該第1画素電極を露出させるとともに、前記絶縁膜の該光反射領域に第2画素電極が形成され、
前記前記絶縁膜の孔開けがされた該孔の側壁面に相当する箇所にて遮光された構成となっている。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示装置に係り、特に、部分透過型と称される液晶表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
部分透過型と称される液晶表示装置は、たとえば携帯電話用の小型液晶表示装置等として用いられ、必要に応じて太陽の反射光あるいは内蔵するバックライトの光によって表示面の映像を認識できるようになっている。前者の場合は光反射モードとして用い、後者の場合は光透過モードとして用いるようになっている。
【0003】
すなわち、液晶を介して対向配置される各透明基板のうち、その一方の透明基板の液晶側の面には、x方向に延在されy方向に並設されるゲート信号線とy方向に延在されx方向に並設されるドレイン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、これら各画素領域には一方のゲート信号線からの走査信号の供給により駆動されるスイッチング素子と、このスイッチング素子を介して一方のドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極とが形成されている。
【0004】
この画素電極は、画素領域において区分された一方の領域において、たとえばITO(Indium−Tin−Oxide)のような透光性の導電層で形成し、他方の領域にAl等の金属層のような非透光性の導電層で形成している。
【0005】
そして、該画素電極は、他方の透明基板の液晶側の面にて、各画素領域に共通に形成された透光性の導電層からなる対向電極との間に電界を発生せしめ、その電界によって画素領域内の液晶を挙動させるようになっている。
【0006】
この場合、前記透光性の画素電極が形成された部分を光透過領域として用い、前記非透光性の画素電極が形成された部分を光反射領域として用いている。
【0007】
また、このような構成において、透光性の導電層からなる画素電極を絶縁膜に対して下層に位置づけ、光透過領域に相当する領域の前記絶縁膜に孔開けして該透光性の導電層からなる画素電極を露出させるとともに、前記絶縁膜の上層であって該光透過領域を除く領域、すなわち光反射領域に非透光性の導電膜からなる画素電極を形成したものが知られている。
【0008】
ここで、前記絶縁膜の光透過領域に相当する領域に孔開けをしているのは、光透過領域における液晶内を通過する光の光路長と光反射領域における液晶内を通過する光の光路長をほぼ等しくするためである。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、このような構成からなる液晶表示装置は、その表示の際に前記絶縁膜の孔(光透過領域)の周辺において枠体状の輝度差が生じていることが見出された。
【0010】
この原因を追求した結果、前記絶縁膜の孔の側壁面に相当する箇所は急峻な段差となっていることから、液晶の配向の乱れが生じ易く、たとえば光透過モードにおける黒表示の際に、該箇所において完全な黒表示ができず、上述した不都合が生じることが判明した。
【0011】
本発明は、このような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、光透過領域を囲む部分に枠体状の輝度差を生じるのを防止した液晶表示装置を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【0013】
手段1.
本発明による液晶表示装置は、たとえば、基板上の画素領域に、それを区分する一方の光透過領域に透光性の導電層からなる第1画素電極と、他方の光反射領域に非透光性の導電膜からなる第2画素電極が形成され、
第1画素電極は絶縁膜に対して下層に位置づけられているとともに、前記光透過領域に相当する領域の前記絶縁膜に孔開けがされて該第1画素電極を露出させ、前記絶縁膜の該光反射領域に第2画素電極が形成され、
少なくとも前記絶縁膜の孔開けがされた該孔の側壁面に相当する箇所にて遮光された構成となっていることを特徴とするものである。
【0014】
手段2.
本発明による液晶表示装置は、たとえば、手段1の構成を前提とし、液晶を介して対向配置される各基板の一方に前記第1画素電極と第2画素電極とが形成されているとともに、少なくとも前記絶縁膜の孔の側壁面に相当する箇所にて前記絶縁膜の下層に位置づけられた遮光膜を備えることを特徴とするものである。
【0015】
手段3.
本発明による液晶表示装置は、たとえば、手段1の構成を前提とし、液晶を介して対向配置される各基板の一方に前記第1画素電極と第2画素電極とが形成され、前記各基板の他方の前記絶縁膜の孔の側壁面に相当する箇所に遮光膜を備えることを特徴とするものである。
【0016】
手段4.
本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶を介して対向配置される各基板の一方に、並設された複数のゲート信号線とこれら各ゲート信号線と交差して並設される複数のドレイン信号線が形成され、
これら各信号線に囲まれた領域を画素領域とし、この画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって動作するスイッチング素子と、このスイッチング素子を介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極を備え、
この画素電極は、画素領域を区分する一方の光透過領域に透光性の導電層からなる第1画素電極と、他方の光反射領域に非透光性の導電膜からなる第2画素電極とで構成され、
第1画素電極は絶縁膜に対して下層に位置づけられているとともに、前記光透過領域に相当する領域の前記絶縁膜に孔開けがされて該第1画素電極を露出させ、前記絶縁膜の該光反射領域に第2画素電極が形成され、
少なくとも前記絶縁膜の孔の側壁面に相当する箇所にて前記絶縁膜の下層に位置づけられた遮光膜を備え、この遮光膜は前記ゲート信号線の材料と同一の材料からなることを特徴とするものである。
【0017】
手段5.
本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶を介して対向配置される各基板の一方に、並設された複数のゲート信号線とこれら各ゲート信号線と交差して並設される複数のドレイン信号線が形成され、
これら各信号線に囲まれた領域を画素領域とし、この画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって動作するスイッチング素子と、このスイッチング素子を介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極を備え、
この画素電極は、光透過領域を囲んで形成される光反射領域に非透光性の導電層からなる第1画素電極と、前記光反射領域に透光性の導電膜からなる第2画素電極とで構成され、
第2画素電極は絶縁膜に対して下層に位置づけられているとともに、前記光透過領域に相当する領域の前記絶縁膜に孔開けがされて該第2画素電極を露出させ、前記絶縁膜の該光反射領域に第1画素電極が形成され、
少なくとも前記絶縁膜の孔の側壁面に相当する箇所にて前記絶縁膜の下層に位置づけられた遮光膜を備え、
この遮光層は、前記第2画素電極の下層に形成されているとともに、前記絶縁膜の孔の側壁面に相当する箇所の一部にて形成されていない箇所が存在することを特徴とするものである。
【0018】
手段6.
本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶を介して対向配置される各基板の一方に、並設された複数のゲート信号線とこれら各ゲート信号線と交差して並設される複数のドレイン信号線が形成され、
これら各信号線に囲まれた領域を画素領域とし、この画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって動作するスイッチング素子と、このスイッチング素子を介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極を備え、
この画素電極は、光透過領域を囲んで形成される光反射領域に非透光性の導電層からなる第1画素電極と、前記光反射領域に透光性の導電膜からなる第2画素電極とで構成され、
第2画素電極は絶縁膜に対して下層に位置づけられているとともに、前記光透過領域に相当する領域の前記絶縁膜に孔開けがされて該第2画素電極を露出させ、前記絶縁膜の該光反射領域に第1画素電極が形成され、
少なくとも前記絶縁膜の孔の側壁面に相当する箇所にて前記絶縁膜の下層に位置づけられた遮光膜を備え、
この遮光層は、前記ゲート信号線の材料と同一の材料から構成されて前記第2画素電極の下層に形成されているとともに、前記絶縁膜の孔の側壁面に相当する箇所の一部にて形成されていない部分が存在し、この部分として前記スイッチング素子に近接する部分を含むことを特徴とするものである。
【0019】
なお、本発明は以上の構成に限定されず、本発明の技術思想を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による液晶表示装置の実施例を図面を用いて説明をする。
【0021】
実施例1.
図1は、本発明による液晶表示装置の画素の構成の一実施例を示す平面図である。また、図1のII−II線における断面図を図2に示している。
【0022】
この図における画素は、図中x方向に延在しy方向に並設されるゲート信号線GLとy方向に延在しx方向に並設されるドレイン信号線DLとで囲まれる領域(画素領域)内に形成されるものとなっている。
【0023】
まず、透明基板SUB1の液晶側の面に、前記ゲート信号線GLが形成され、その一部は画素領域側に若干延在された部分を有し、この延在部は後に説明する薄膜トランジスタTFTのゲート電極GTを形成するようになっている。このゲート信号線GLおよびゲート電極GTはたとえばアルミニュウム(Al)あるいはその合金とその表面を陽極化成して形成された陽極酸化膜とで構成されている。
【0024】
また、画素領域内に図中x方向に延在する容量信号線CLがあり、この容量信号線CLはたとえば図中上方に位置づけられるゲート信号線GLに近接して配置されている。この容量信号線CLは画素領域の中央側へ比較的大きく延在する部分を有し、この延在部によって後述する容量素子Cstgの一つの電極CT1を形成するようになっている。この容量信号線CLおよび電極CT1はたとえば前記ゲート信号線GLと同工程で形成され、その材料もアルミニュウム(Al)あるいはその合金とその表面を陽極化成して形成された陽極酸化膜とで構成されている。
【0025】
さらに、本実施例による画素は、たとえば、その領域内のほぼ中央に光透過領域LTAを形成し、この光透過領域LTAを囲むようにして光反射領域LRAを形成するように構成するが、該光透過領域LTAと光反射領域LRAとの境界部に相当する箇所に所定の幅を有する遮光層LILが形成されている。この遮光層は、たとえば前記ゲート信号線GLと同工程で形成され、その材料はアルミニュウム(Al)あるいはその合金で形成され、その表面に陽極酸化膜が形成されていないものとなっている。この遮光層LILは画素領域内に独立した島状に形成され、陽極化成することが困難だからである。しかし、この遮光層LILにおいてその表面に陽極酸化膜が形成されていないことはなんら不都合となるものでない。この遮光層の機能は後に詳述する。
【0026】
そして、画素領域内の前記薄膜トランジスタTFT側の約半分の領域にたとえばITO(Indium Tin Oxide)、ITZO(Indium Tin Zinc Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、SnO2(酸化スズ)、In2O3(酸化インジウム)等からなる透光性の導電層が形成されている。この透光性の導電層は、後述の説明から明らかとなるように、光透過領域LTAを充分に被って形成され、該光透過領域LTAにおける画素電極PX(T)の役割を果たすようになっている。
【0027】
また、たとえば該透光性の導電層の形成と同時に前記容量素子Cstgの電極CT1の上面にも該透光性の導電層が形成され、この透光性の導電層は該容量素子Cstgの他の電極CT2を構成するようになっている。この場合、前記電極CT1とCT2との間には前記電極CT1の表面の陽極酸化膜が介在され、この陽極酸化膜が前記容量素子Cstgの一つの誘電体膜を構成するようになっている。
【0028】
さらに、前記ゲート電極GTを跨ぐようにしてゲート絶縁膜GIとアモルファスSiからなる半導体層ASの順次積層体が形成されている。これらゲート電極GT、ゲート絶縁膜GI、半導体層ASは薄膜トランジスタTFTを構成する部材で、該半導体層ASの上面にドレイン電極およびソース電極を形成することによって、いわゆる逆スタガ構造のMIS(Metal Insulator Semiconductor)トランジスタが形成されることになる。
【0029】
なお、ゲート絶縁膜GIと半導体層ASの順次積層体は、後述するドレイン信号線DLの形成領域の全域に及んで延在され、これにより該ドレイン信号線DLの形成において該ドレイン信号線DLが段差のない部分に形成されるようになっている。ドレイン信号線DLが該段差によって段切れが生じないようにするためである。
【0030】
また、光透過領域LTAにおける画素電極PX(T)を構成する前記透光性の導電層と、前記容量素子Cstgの電極CT2を構成する前記透光性の導電層との間に、導通をとる部分において、前記ゲート絶縁膜GI’と半導体層AS’の順次積層体が形成され、この積層体に形成された孔を通して前記導通を図るようにしている。この場合の導通は、たとえば次の工程で形成されるドレイン信号線DLの形成の際に該ドレイン信号線DLの材料と同一の材料からなる導通層SDでなされるようになっている。このように比較的複雑な構成によって、画素電極PX(T)を構成する前記透光性の導電層と、前記容量素子Cstgの電極CT1を構成する前記透光性の導電層との導通を図るのは、容量素子Cstgの電極CT1を構成する材料等との関係から生じる応力の緩和を図るためである。
【0031】
なお、前記ゲート絶縁膜GI’と半導体層AS’の形成は、たとえば薄膜トランジスタTFTの形成領域におけるゲート絶縁膜GIと半導体層ASの形成の際に同時に行なわれるようになっている。
【0032】
そして、図中y方向に延在しx方向に並設されるドレイン信号線DLが形成されている。上述したように、これらドレイン信号線DLはゲート絶縁膜GIおよび半導体層ASの順次積層体上に形成され、その平坦性の故にいわゆる段切れの憂いなく形成されるものとなっている。
【0033】
また、ドレイン信号線DLの一部には薄膜トランジスタTFTの形成領域における半導体層AS上にまで延在する延在部を有し、この延在部は該薄膜トランジスタTFTのドレイン電極SD1として構成されるようになっている。
【0034】
さらに、ドレイン信号線DLの形成の際に、前記ドレイン電極SD1に対して該薄膜トランジスタTFTのチャネル長に相当する長さ分だけ離間されてソース電極SD2が形成され、このソース電極SD2は前記画素電極PX(T)上にまで延在する延在部が形成されている。この延在部は、また、後述する画素電極PX(R)との接続を図るためのものともなっている。
【0035】
さらに、ドレイン信号線DLの形成の際に、光透過領域LTAにおける画素電極PX(T)を構成する前記透光性の導電層と、前記容量素子Cstgの電極CT2を構成する前記透光性の導電層との間の導通を図るための導通層SDが形成されることは上述した通りである。
【0036】
そして、このように構成された透明基板SUB1の表面には、保護膜PASのうちの一つである無機保護膜PAS1がたとえばシリコン窒化膜等で形成されている。この無機保護膜PAS1は、薄膜トランジスタTFTの近傍において、後述する画素電極PX(R)とのコンタクトをとるための孔CH1と、光透過領域LTAを露出させるための開口部HL1とが形成されている。
【0037】
また、この無機保護膜PAS1の表面には、有機保護膜PAS2がたとえば樹脂等の材料で形成されている。上述した無機保護膜PAS1とこの有機保護膜PAS2とで、主として薄膜トランジスタTFTを液晶との直接の接触を回避する保護膜PASを構成している。このようにした理由は保護膜PAS全体としてその誘電率を低減させるためである。
【0038】
この有機保護膜PAS2は、前記無機保護膜PAS1に形成された前記孔CH1の箇所に該孔CH1と中心軸を同じにしたより小さめの孔CH2が形成され、前記無機保護膜PAS1に形成された前記開口部HL1の箇所に該開口部HL1と中心軸を同じにしたより小さめの開口部HL2が形成されている。
【0039】
ここで、有機保護膜PAS2に形成された前記開口部HL2は画素領域における光透過領域LTAとなるもので、該開口部HL2から露出された画素電極PX(T)が光透過領域LTAにおける画素領域PXとして機能する。
【0040】
なお、有機保護膜PAS2の光透過領域LTAに相当する領域において開口部HL2を形成しているのは、光透過領域LTAにおける液晶内を通過する光の光路長と光反射領域LRAにおける液晶内を通過する光の光路長をほぼ等しくするためである。
【0041】
さらに、この有機保護膜PAS2の表面、すなわち光反射領域LRAに該当する領域には、反射板を兼ねる画素電極PX(R)が形成されている。この画素電極PX(R)はたとえばAlあるいはその合金、あるいはそれらを含む積層体で形成されている。いずれにしても反射効率の良好な材料を用い、積層体で形成する場合にはそれを最上層に形成して構成される。
【0042】
また、この画素電極PX(R)は保護膜PAS2に形成された前記孔CH2を通して薄膜トランジスタTFTのソース電極SD2と接続され、光透過領域LTAにおける画素電極PX(T)と導電位になるように構成されている。
【0043】
また、この画素電極PX(R)は、光透過領域LTA、すなわち保護膜PAS2の開口部内における形成は回避され、これにより光反射領域LRAに形成される該画素電極PX(R)と光透過領域LTAに形成される前記画素電極PX(T)は、平面的に観た場合、保護膜PAS2の前記開口部の側壁面によって画されるようになっている。
【0044】
さらに、この画素電極PX(R)の周辺のうち、図中y方向と平行な各辺がドレイン信号線DLに重畳されているとともに、図中x方向と平行な各辺が容量信号線CLに重畳されている。画素領域を若干はみ出すようにして前記画素電極PX(R)を形するようにし、これにより画素の開口率の向上を図るためである。
【0045】
なお、画素電極PX(R)のドレイン信号線DLあるいは容量信号線CLとの間の寄生容量は、保護膜PASのうち保護膜PAS1が誘電率の比較的小さな有機材料によって構成されていることから特に問題とならないようになっている。
【0046】
また、前記画素電極PX(R)は、容量素子の形成領域においてその電極CT2との間に前記保護膜PAS1、PAS2を誘電体膜として介在させる電極を兼ねた構成となっている。これにより、容量信号線CLと該画素電極PX(R)との間には二段構成からなる容量素子Cstgが形成され、その占有面積が小さいにも拘わらず大きな容量を得ることができるようになっている。
【0047】
なお、このように構成された透明基板SUB1の表面には配向膜が形成され、この配向膜は液晶と直接に接触するようになって該液晶の分子の初期配向を決定するようになっている。
【0048】
このように構成された液晶表示装置において、前記遮光層ILIは、図1に示すように、光透過領域LTAと光反射領域LRAとの境界部に形成されることになる。
【0049】
光透過領域LTAは保護膜PASに開口部を形成した部分となっており、光反射領域LRAは該保護膜PASが形成された部分となっている。このため、光透過領域LTAと光反射領域LRAとの境界部は該保護膜PASの開口部の側壁面に相当し、この部分は液晶の配向が充分になされない部分となる。配向膜のラビング処理が精度よく行なうことが困難だからである。
【0050】
このため、光透過領域LTAにおいて黒表示する際に、該部分にて完全な黒表示がなされることはなく、枠体状の模様が認識されることになる。それ故、この部分に遮光層ILIを形成し、上述した不都合を解消せんとしている。
【0051】
図3は、光透過領域LTAと光反射領域LRAとの境界部における断面を示した図である。液晶と接触して配置される配向膜ORI1は、有機保護膜PAS2の開口部HL2の側壁面およびその近傍の底面において適正なラビング処理ができなくなる。このため、この部分における液晶(図中Aで示す)は適正な挙動ができず、たとえば光透過領域LTAにおいて黒表示する際に、該部分にて完全な黒表示がなされなくなる。
【0052】
このため、適正なラビング処理が出来ない部分において遮光層ILIを形成している。液晶表示装置の製造工程において、適正なラビング処理ができていない領域にのみ遮光層ILIを形成することは難しい。図3の断面図では、液晶表示装置の製造工程での位置ずれを考慮し、遮光層ILI上に有機保護膜PAS2の開口部HL2の端部を配置した。遮光層ILIが光反射領域LRAと光透過領域LTAとに跨って形成されるため、適正なラビング処理ができていない領域で確実に遮光を行なうことができる。また、図3の液晶表示装置は、遮光層ILIの上に保護膜PAS2を形成したので、遮光領域を狭くすることができる。よって、光透過モード及び光反射モードにおける画面の輝度は向上する。
【0053】
なお、図3は透明基板SUB1と液晶LCを介して配置される透明基板SUB2をも示しており、この透明基板SUB2の液晶側の面には、カラーフィルタFIL、オーバコート膜OC、対向電極CT、配向膜ORI2が形成されている。
【0054】
また、この実施例では、前記遮光層ILIは、薄膜トランジスタTFTに近接する部分において形成されていない構成となっている。
【0055】
このようにした理由は、まず、光透過領域LTAと光反射領域LRAとの境界部において、前記遮光層ILIを形成しない部分を形成することによって、透光性の導電層からなる画素電極PX(T)が該遮光層ILIを跨ぐことのない領域を形成することにある。該画素電極PX(T)は段差のある部分において段切れが生じやすい性質を有し、この段切れによって光透過領域LTAに形成される該画素電極PX(T)が薄膜トランジスタTFTのソース電極SD2と電気的に断線するのを回避させている。
【0056】
また、遮光層ILIの形成されていない部分を特に薄膜トランジスタTFTに近接した部分としたのは、結果として遮光層ILIと該薄膜トランジスタTFTのゲート電極GTとの距離を離し、これらが互いに電気的に接続されることを回避させている。
【0057】
実施例2.
図4は、本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す平面図で、図1に対応した図となっている。
【0058】
図1の場合と比較して異なる構成は、前記遮光層ILIは、光透過領域LTAと光反射領域LRAの境界部のうち、薄膜トランジスタTFTに近接する部分のみに限定されず、他の部分、たとえば容量素子Cstgに近接する部分にも形成されないように構成していることにある。
【0059】
遮光層ILIを跨いで形成される画素電極PX(T)が該遮光層ILIの段差で段切れを生じる不都合をより高い確率で解消するためである。
【0060】
実施例3.
図5は、本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す平面図で、図1に対応した図となっている。
【0061】
図1の場合と比較して異なる構成は、前記遮光層ILIは、光透過領域LTALTAと光反射領域LRAの境界部の全域に沿って切れ目なく形成されていることにある。
【0062】
画素電極PX(T)が遮光層ILIを跨いで形成することにより生じる不都合を何らかの手段で解消できるなら、光透過領域LTAと光反射領域LRAの境界部に形成する遮光層は、その一部において形成されない部分を設ける必要がなくなるからである。
【0063】
ここで、上記不都合を解消する手段としては、たとえば、前記遮光層ILIを画素電極PX(T)の上層に形成することによって、該画素電極PX(T)の段切れの憂いはなくなることから、この場合において前記遮光層ILIは、光透過領域LTAと光反射領域LRAの境界部の全域に沿って切れ目なく形成できるようになる。
【0064】
実施例4.
図6は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図3に対応した図となっている。
【0065】
図3の場合と比較して異なる構成は、遮光膜ILIは光反射領域LRAに及んで延在されていることにある。換言すれば、該遮光膜ILIは光透過領域LTAからその外方へ延在されて形成されている。
【0066】
この延在部は光反射領域LRAの部分であることから表示に影響を与えるようなことはないからである。
【0067】
実施例5.
なお、上述した各実施例では、遮光層ILIは透明基板SUB1側に形成したものであるが、必ずしもこれに限定されることはなく、透明基板SUB2側の対応する位置に形成しても同様の効果を奏する。
【0068】
実施例6.
また、上述した各実施例では、光透過領域LTAを画素領域の中央に位置づけ、その周辺に光反射領域LRAを形成するようにしたものである。しかし、たとえば図中x方向に延在する仮想の線を境界にその上方に光反射領域LRAを下方に光透過領域LTAを形成した場合においても、これら光反射領域LRAと光透過領域LTAとの境界部に本発明を適用できることはいうまでもない。
【0069】
【発明の効果】
以上説明したことから明らかなように、本発明による液晶表示装置によれば、光透過領域を囲む部分に枠体状の輝度差を生じるのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による液晶表示装置の画素の一実施例を示す平面図である。
【図2】図1のII−II線における断面図である。
【図3】本発明の効果を説明するための断面図である。
【図4】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す平面図である。
【図5】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す平面図である。
【図6】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す断面図である。
【符号の説明】
LTA…光透過領域、LRA…光反射領域、GL…ゲート信号線、DL…ドレイン信号線、CL…容量信号線、TFT…薄膜トランジスタ、GT…ゲート電極、GI…ゲート絶縁膜、AS…半導体層、PX(T)…透光性の導電層からなる画素電極、PX(R)…反射板を兼ねる画素電極、PAS…保護膜、PAS1…無機材からなる保護膜、PAS2…有機材からなる保護膜。
Claims (6)
- 基板上の画素領域に、それを区分する一方の光透過領域に透光性の導電層からなる第1画素電極と、他方の光反射領域に非透光性の導電膜からなる第2画素電極が形成され、
第1画素電極は絶縁膜に対して下層に位置づけられているとともに、前記光透過領域に相当する領域の前記絶縁膜に孔開けがされて該第1画素電極を露出させ、前記絶縁膜の該光反射領域に第2画素電極が形成され、
少なくとも前記絶縁膜の孔開けがされた該孔の側壁面に相当する箇所にて遮光された構成となっていることを特徴とする液晶表示装置。 - 液晶を介して対向配置される各基板の一方に前記第1画素電極と第2画素電極とが形成されているとともに、少なくとも前記絶縁膜の孔の側壁面に相当する箇所にて前記絶縁膜の下層に位置づけられた遮光膜を備えることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 液晶を介して対向配置される各基板の一方に前記第1画素電極と第2画素電極とが形成され、前記各基板の他方の前記絶縁膜の孔の側壁面に相当する箇所に遮光膜を備えることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 液晶を介して対向配置される各基板の一方に、並設された複数のゲート信号線とこれら各ゲート信号線と交差して並設される複数のドレイン信号線が形成され、
これら各信号線に囲まれた領域を画素領域とし、この画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって動作するスイッチング素子と、このスイッチング素子を介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極を備え、
この画素電極は、画素領域を区分する一方の光透過領域に透光性の導電層からなる第1画素電極と、他方の光反射領域に非透光性の導電膜からなる第2画素電極とで構成され、
第1画素電極は絶縁膜に対して下層に位置づけられているとともに、前記光透過領域に相当する領域の前記絶縁膜に孔開けがされて該第1画素電極を露出させ、前記絶縁膜の該光反射領域に第2画素電極が形成され、
少なくとも前記絶縁膜の孔の側壁面に相当する箇所にて前記絶縁膜の下層に位置づけられた遮光膜を備え、この遮光膜は前記ゲート信号線の材料と同一の材料からなることを特徴とする液晶表示装置。 - 液晶を介して対向配置される各基板の一方に、並設された複数のゲート信号線とこれら各ゲート信号線と交差して並設される複数のドレイン信号線が形成され、
これら各信号線に囲まれた領域を画素領域とし、この画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって動作するスイッチング素子と、このスイッチング素子を介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極を備え、
この画素電極は、光透過領域を囲んで形成される光反射領域に非透光性の導電層からなる第1画素電極と、前記光反射領域に透光性の導電膜からなる第2画素電極とで構成され、
第2画素電極は絶縁膜に対して下層に位置づけられているとともに、前記光透過領域に相当する領域の前記絶縁膜に孔開けがされて該第2画素電極を露出させ、前記絶縁膜の該光反射領域に第1画素電極が形成され、
少なくとも前記絶縁膜の孔の側壁面に相当する箇所にて前記絶縁膜の下層に位置づけられた遮光膜を備え、
この遮光層は、前記第2画素電極の下層に形成されているとともに、前記絶縁膜の孔の側壁面に相当する箇所の一部にて形成されていない箇所が存在することを特徴とする液晶表示装置。 - 液晶を介して対向配置される各基板の一方に、並設された複数のゲート信号線とこれら各ゲート信号線と交差して並設される複数のドレイン信号線が形成され、
これら各信号線に囲まれた領域を画素領域とし、この画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって動作するスイッチング素子と、このスイッチング素子を介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極を備え、
この画素電極は、光透過領域を囲んで形成される光反射領域に非透光性の導電層からなる第1画素電極と、前記光反射領域に透光性の導電膜からなる第2画素電極とで構成され、
第2画素電極は絶縁膜に対して下層に位置づけられているとともに、前記光透過領域に相当する領域の前記絶縁膜に孔開けがされて該第2画素電極を露出させ、前記絶縁膜の該光反射領域に第1画素電極が形成され、
少なくとも前記絶縁膜の孔の側壁面に相当する箇所にて前記絶縁膜の下層に位置づけられた遮光膜を備え、
この遮光層は、前記ゲート信号線の材料と同一の材料から構成されて前記第2画素電極の下層に形成されているとともに、前記絶縁膜の孔の側壁面に相当する箇所の一部にて形成されていない部分が存在し、この部分として前記スイッチング素子に近接する部分を含むことを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002221607A JP2004061952A (ja) | 2002-07-30 | 2002-07-30 | 液晶表示装置 |
US10/629,631 US20040032550A1 (en) | 2002-07-30 | 2003-07-30 | Display device |
CNB031498736A CN1252517C (zh) | 2002-07-30 | 2003-07-30 | 液晶显示装置 |
US11/495,634 US7342626B2 (en) | 2002-07-30 | 2006-07-31 | Display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002221607A JP2004061952A (ja) | 2002-07-30 | 2002-07-30 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004061952A true JP2004061952A (ja) | 2004-02-26 |
JP2004061952A5 JP2004061952A5 (ja) | 2005-10-27 |
Family
ID=31492095
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002221607A Pending JP2004061952A (ja) | 2002-07-30 | 2002-07-30 | 液晶表示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20040032550A1 (ja) |
JP (1) | JP2004061952A (ja) |
CN (1) | CN1252517C (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009258694A (ja) * | 2008-03-18 | 2009-11-05 | Nec Lcd Technologies Ltd | 液晶表示装置 |
US7663716B2 (en) | 2004-09-01 | 2010-02-16 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal display device and electronic apparatus |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101041088B1 (ko) * | 2003-06-10 | 2011-06-13 | 삼성전자주식회사 | 반사-투과형 어레이 기판과, 이의 제조 방법 및 이를 갖는액정 표시 장치 |
KR101023978B1 (ko) * | 2004-03-18 | 2011-03-28 | 삼성전자주식회사 | 반투과 액정표시장치의 제조방법과 이에 의한 액정표시장치 |
CN100394275C (zh) * | 2004-04-23 | 2008-06-11 | 夏普株式会社 | 液晶显示装置 |
TWI358595B (en) * | 2007-03-09 | 2012-02-21 | Au Optronics Corp | Liquid crystal display panel |
CN101776824B (zh) * | 2009-01-08 | 2013-09-18 | 群创光电股份有限公司 | 影像显示系统 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3085530B2 (ja) * | 1998-11-18 | 2000-09-11 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
TW548484B (en) * | 1999-07-16 | 2003-08-21 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal display device, electronic apparatus and substrate for liquid crystal device |
JP4196505B2 (ja) * | 1999-12-13 | 2008-12-17 | ソニー株式会社 | 表示装置及びその製造方法とカラーフィルタ |
KR100661825B1 (ko) * | 1999-12-28 | 2006-12-27 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반사투과형 액정 표시장치의 어레이 기판 및 그의 제조방법 |
KR100397399B1 (ko) * | 2001-02-22 | 2003-09-13 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반투과형 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
JP3633591B2 (ja) * | 2001-07-27 | 2005-03-30 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置用基板、電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び、電子機器 |
JP4050119B2 (ja) * | 2001-10-02 | 2008-02-20 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
JP4029663B2 (ja) * | 2002-05-22 | 2008-01-09 | セイコーエプソン株式会社 | 半透過反射型液晶装置、およびそれを用いた電子機器 |
JP3964324B2 (ja) * | 2002-12-27 | 2007-08-22 | 三菱電機株式会社 | 半透過型表示装置の製造方法および半透過型表示装置 |
-
2002
- 2002-07-30 JP JP2002221607A patent/JP2004061952A/ja active Pending
-
2003
- 2003-07-30 US US10/629,631 patent/US20040032550A1/en not_active Abandoned
- 2003-07-30 CN CNB031498736A patent/CN1252517C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-07-31 US US11/495,634 patent/US7342626B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7663716B2 (en) | 2004-09-01 | 2010-02-16 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal display device and electronic apparatus |
JP2009258694A (ja) * | 2008-03-18 | 2009-11-05 | Nec Lcd Technologies Ltd | 液晶表示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7342626B2 (en) | 2008-03-11 |
US20040032550A1 (en) | 2004-02-19 |
CN1252517C (zh) | 2006-04-19 |
CN1475850A (zh) | 2004-02-18 |
US20060262240A1 (en) | 2006-11-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4167085B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
US7538827B2 (en) | Pixel structure | |
JP5075583B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
JP5165169B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
US8134155B2 (en) | Liquid crystal display device capable of reducing leakage current, and fabrication method thereof | |
JP2003207795A (ja) | 液晶表示装置 | |
JP2003195330A (ja) | 液晶表示装置 | |
JP2009122569A (ja) | 液晶装置および電子機器 | |
US20100201898A1 (en) | Liquid crystal display device | |
US7990500B2 (en) | Liquid crystal display device | |
US7321406B2 (en) | Liquid crystal display device and method of fabricating the same | |
JP2006091886A (ja) | カラーフィルタ表示板及びこれを含む液晶表示装置 | |
US7342626B2 (en) | Display device | |
KR20070059295A (ko) | 반투과형 액정 표시 장치 | |
US7583344B2 (en) | Liquid crystal display device | |
KR101133754B1 (ko) | 액정 표시 장치 | |
JP2009053389A (ja) | 半透過型液晶表示パネル及び電子機器 | |
WO2007139198A1 (ja) | 半透過型液晶表示装置 | |
JP4107047B2 (ja) | 半透過型液晶表示装置 | |
KR20050063016A (ko) | 다중 도메인 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는액정 표시 장치 | |
US7164456B2 (en) | Liquid crystal display device and method of fabricating the same wherein having particular reflective electrode | |
JP2002323704A (ja) | 液晶表示装置 | |
JP2005164789A (ja) | 液晶表示装置 | |
JP2004177848A (ja) | 液晶表示装置 | |
JP2007139934A (ja) | 液晶表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050711 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050711 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071101 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071113 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080311 |