JP2009122569A - 液晶装置および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】FFS方式の液晶装置100において、光反射層8aはドレイン電極5bを介して薄膜トランジスタ30に電気的に接続され、画素電極7aは、光反射層8aおよびドレイン電極5bを介して薄膜トランジスタ30に電気的に接続されている。従って、画素電極7aと共通電極9aとが絶縁膜74を介して重なっている部分に形成された容量成分C1と、共通電極9aと光反射層8aとが絶縁膜73を介して重なっている部分に形成された容量成分C2とを合成した容量成分を保持容量60として利用することができる。
【選択図】図3
Description
(全体構成)
図1(a)、(b)は各々、本発明を適用した液晶装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのH−H′断面図である。
図2を参照して、本発明を適用した液晶装置100およびそれに用いた素子基板10の構成を説明する。図2は、本発明を適用した液晶装置100に用いた素子基板10の画像表示領域10aの電気的な構成を示す等価回路図である。
図3(a)、(b)は各々、本発明の実施の形態1に係る液晶装置100の画素1つ分の断面図、および素子基板10において相隣接する画素の平面図であり、図3(a)は、図3(b)のA1−A1′線に相当する位置で液晶装置100を切断したときの断面図に相当する。また、図3(b)では、画素電極7aは長い点線で示し、データ線5aおよびそれと同時形成された薄膜は一点鎖線で示し、走査線3aは二点鎖線で示してある。また、図3(b)では、光反射層は、右上がりの斜線を付した領域として示してある。
絶縁膜73、74には、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、あるいはそれらの積層膜を用いることができる。本形態において、絶縁膜73、74はいずれも、シリコン酸化膜に比して誘電率が高いシリコン窒化膜からなり、その厚さは100〜300nmである。それ故、絶縁膜73、74はいずれも、誘電体層として十分機能することができる。また、絶縁膜73、74としてシリコン窒化膜を用いると、シリコン窒化膜の屈折率が高いので、ITO膜との界面での不要な反射を抑制することができる。なお、層間絶縁膜72は、厚さが1.5〜2.0μmの厚い感光性樹脂からなる平坦化膜として形成されている。
図4は、本発明の実施の形態1に係る液晶装置の製造工程のうち、素子基板の製造工程を示す工程断面図である。本形態の液晶装置100に用いた素子基板10を製造するには、まず、図4(a)に示すように、ガラス基板からなる透光性基板10bの表面にシリコン酸化膜からなる下地保護膜(図示せず)を形成した後、薄膜トランジスタ形成工程を行う。具体的には、まず、ポリシリコン膜からなる半導体層1aを島状に形成する。それには、基板温度が150〜450℃の温度条件下で、透光性基板10bの全面に、非晶質シリコン膜からなる半導体層をプラズマCVD法により、例えば、40〜50nmの厚さに形成した後、レーザアニール法などにより、シリコン膜を多結晶化させ、次に、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングし、半導体層1aを形成する。次に、CVD法などを用いて、半導体層1aの表面にシリコン窒化膜やシリコン酸化膜、あるいはそれらの積層膜からなるゲート絶縁膜2を形成する。次に、透光性基板10bの表面全体にモリブデン膜、アルミニウム膜、チタン膜、タングステン膜、タンタル膜などの金属膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングし、走査線3a(ゲート電極)を形成する。次に、半導体層1aに不純物を導入して、薄膜トランジスタ30のソース領域1c、ドレイン領域1d、チャネル領域1bを形成する。
以上説明したように、本形態の液晶装置100ではFFS方式が採用されており、上側の画素電極7aにはフリンジ電界形成用の複数のスリット7bが形成され、複数のスリット7bと重なる領域には下側の共通電極9aが存在する。このため、上側の画素電極7aと下側の共通電極9aとの間に形成したフリンジ電界で液晶層50を駆動することができる。
図5(a)、(b)は各々、本発明の実施の形態2に係る液晶装置100の画素1つ分の断面図、および素子基板10において相隣接する画素の平面図であり、図5(a)は、図5(b)のA2−A2′線に相当する位置で液晶装置100を切断したときの断面図に相当する。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態1と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示することにしてそれらの説明を省略する。
実施の形態1、2では、画素電極7aおよび共通電極9aのうち、共通電極9aが下層側に位置する一方の電極として形成され、画素電極7aが上層側に位置する他方の電極として形成されていたが、以下に説明する実施の形態3,4のように、画素電極7aおよび共通電極9aのうち、画素電極7aが下層側に位置する一方の電極として形成され、共通電極9aが上層側に位置する他方の電極として形成されている構成を採用してもよい。
図8(a)、(b)は各々、本発明の実施の形態4に係る液晶装置100の画素1つ分の断面図、および素子基板10において相隣接する画素の平面図であり、図8(a)は、図8(b)のA4−A4′線に相当する位置で液晶装置100を切断したときの断面図に相当する。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態1、3と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示することにしてそれらの説明を省略する。
上記実施の形態では、半透過反射型の液晶装置100に本発明を適用した例であったが、全反射型の液晶装置に本発明を適用してもよい。すなわち、上記実施の形態において、複数の画素100aのいずれにおいても、画素電極7aおよび共通電極9aと平面視で重なる領域の全てに光反射層8aを形成すれば、各実施の形態のいずれにおいても全反射型の液晶装置100を構成することができる。
上記実施の形態では、半導体層1aとしてポリシコン膜を用いた例であったが、半導体層としてアモルファスシリコン膜や単結晶シリコン層を用いた液晶装置100に本発明を適用してもよい。また、画素スイッチング素子として薄膜ダイオード素子(非線形素子)を用いた液晶装置に本発明を適用してもよい。さらに、上記実施の形態では、光反射層8aの表面が平滑であったが、液晶装置100を直視型の表示装置として用いる場合に、光反射層8aでの反射によって背景の写り込みが発生することを防止することを目的に、光反射層8aの下層側に凹凸を形成して光反射層8の表面に光散乱用の凹凸を付した液晶装置に本発明を適用してもよい。
次に、上述した実施形態に係る液晶装置100を適用した電子機器について説明する。図9(a)に、液晶装置100を備えたモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す。パーソナルコンピュータ2000は、表示ユニットとしての液晶装置100と本体部2010を備える。本体部2010には、電源スイッチ2001及びキーボード2002が設けられている。図9(b)に、液晶装置100を備えた携帯電話機の構成を示す。携帯電話機3000は、複数の操作ボタン3001及びスクロールボタン3002、並びに表示ユニットとしての液晶装置100を備える。スクロールボタン3002を操作することによって、液晶装置100に表示される画面がスクロールされる。図9(c)に、液晶装置100を適用した情報携帯端末(PDA:Personal Digital Assistants)の構成を示す。情報携帯端末4000は、複数の操作ボタン4001及び電源スイッチ4002、並びに表示ユニットとしての液晶装置100を備える。電源スイッチ4002を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が液晶装置100に表示される。
Claims (7)
- 複数の画素の各々で画素スイッチング素子に電気的に接続する透光性の画素電極と、該画素電極との間にフリンジ電界を形成するための透光性の共通電極とが第1誘電体層を介して平面視で重ねて形成された素子基板と、該素子基板に対向配置された対向基板と、該対向基板と前記素子基板との間に保持された液晶層と、を有し、
前記素子基板上には前記画素電極および前記共通電極より下層側で前記画素電極および前記共通電極に平面視で重ねて光反射層が形成された半透過反射型あるいは全反射型の液晶装置において、
前記光反射層は、前記画素電極および前記共通電極のうちの下層側に位置する一方の電極に対して第2誘電体層を介して平面視で重ねて形成されているとともに、上層側に位置する他方の電極と同電位が印加され、
前記複数の画素の各々には、前記画素電極と前記共通電極との間に形成された容量成分と、前記一方の電極と前記光反射層との間に形成された容量成分とにより保持容量が形成されていることを特徴とする液晶装置。 - 前記一方の電極は前記共通電極であり、
前記他方の電極は前記画素電極であり、
前記光反射層は、前記複数の画素の各々に独立して形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶装置。 - 前記光反射層は、前記画素スイッチング素子に電気的に接続され、
前記画素電極は、前記光反射層を介して前記画素スイッチング素子に電気的に接続されていることを特徴とする請求項2に記載の液晶装置。 - 前記一方の電極は前記画素電極であり、
前記他方の電極は前記共通電極であることを特徴とする請求項1に記載の液晶装置。 - 前記光反射層は、前記複数の画素に跨って形成され、
前記共通電極は、前記光反射層に複数個所で接続されていることを特徴とする請求項4に記載の液晶装置。 - 前記光反射層は、前記複数の画素に跨って帯状に延在していることを特徴とする請求項5に記載の液晶装置。
- 請求項1乃至6の何れか一項に記載の液晶装置を備えていることを特徴とする電子機器。
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