JP2011164369A - 液晶表示パネル及び電子機器 - Google Patents

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Abstract

【課題】横電界方式の視野角制御用サブ画素を備えた液晶表示パネルにおいて、共通電極
の電気抵抗を小さくしてクロストークを低減すること。
【解決手段】液晶層LCを挟持して対向配置された第1基板AR及び第2基板CFを有し
、第1基板ARには画素電極として作動する第1電極52と共通電極として作動する第2
電極53が絶縁膜を挟んで交互に並列して形成され、表示領域の同一画素に表示用サブ画
素16Aと視野角制御用サブ画素17Aが配置され、非表示領域に共通配線43が形成さ
れる液晶表示パネルであって、非表示領域の共通配線43と視野角制御用サブ画素17A
の第2電極53を導通する補助配線40Aが形成されている。
【選択図】 図1

Description

本発明は、視野角制御用サブ画素を備えた液晶表示パネル及び電子機器に関し、特に視
野角制御用サブ画素が横電界方式で作動する液晶表示パネル及び電子機器に関する。
液晶表示パネルはCRT(陰極線管)と比較して軽量、薄型、低消費電力という特徴が
あるため、表示用として多くの電子機器に使用されている。液晶表示パネルは、所定方向
に整列した液晶分子の向きを電界により変えて、液晶層の光の透過量を変化させて画像を
表示させるものである。このような液晶表示パネルには、外光が液晶層に入射し、反射板
で反射されて再び液晶層を透過して出射する反射型のものと、バックライト装置からの入
射光が液晶層を透過する透過型のものと、その両方を備えた半透過型のものとが存在して
いる。
液晶表示パネルの液晶層に電界を印加する方法として、縦電界方式のものと横電界方式
のものとが知られている。縦電界方式の液晶表示パネルは、液晶層を挟んで配置される一
対の電極により、概ね縦方向の電界を液晶分子に印加するものである。この縦電界方式の
液晶表示パネルとしては、TN(Twisted Nematic)モード、VA(Vertical Alignment
)モード、MVA(Multi-domain Vertical Alignment)モード、ECB(electrically
controlled birefringence)モード等のものが知られている。横電界方式の液晶表示パネ
ルは、液晶層を挟んで配設される一対の基板のうちの一方の内面側に一対の電極を互いに
絶縁して設け、概ね横方向の電界を液晶分子に対して印加するものである。この横電界方
式の液晶表示パネルとしては、一対の電極が平面視で重ならないIPS(In-Plane Switc
hing)モードのものと、重なるFFS(Fringe Field Switching)モードのものとが知ら
れている。
このうち、IPSモードの液晶表示パネルは、画素電極と共通電極とからなる一対の電
極をそれぞれ互いに電気的に絶縁された状態で噛み合うようにくし歯状に形成し、画素電
極と共通電極との間に横方向の電界を液晶に印加するものである。IPSには、両電極が
同一層に形成されるものと、絶縁膜を挟んで別の層に形成されるものがある。このIPS
モードの液晶表示装置は、縦電界方式の液晶表示装置よりも視野角が広いという利点を有
している。
また、FFSモードの液晶表示パネルは、絶縁膜を介して上電極と下電極とからなる一
対の電極をそれぞれ異なる層に配置し、上電極にスリット状開口を設け、このスリット状
開口を通る概ね横方向の電界を液晶層に印加するものである。このFFSモードの液晶表
示パネルは、広い視野角を得ることができると共に画像コントラストを改善できるという
効果があるので、近年、多く用いられるようになってきている。
上述のように、横電界方式の液晶表示パネルは広い視野角を有しているが、覗かれたく
ない秘匿情報を表示するときは、他人に視認されないようにするため、狭い視野角の方が
望ましい。そこで、下記特許文献1に示されているように、表示用液晶パネルに視野角制
御用液晶パネルを追加して視野角特性を制御する方法が知られている。しかしながら、こ
の方法では、視野角制御用パネルを追加することによって液晶表示パネルの厚みが大幅に
増大するという問題があった。この問題に対しては、下記特許文献2及び3に示されてい
るように、R(赤)、G(緑)、B(青)の表示用サブ画素の他に視野角制御用サブ画素
を追加して、視野角制御用サブ画素に印加する電圧を制御することによって視野角特性を
制御する方法が知られている。
また、下記特許文献2に開示されている視野角制御用サブ画素を備えた液晶表示パネル
は、表示用サブ画素が横電界方式のIPSモードであり、視野角制御用サブ画素が縦電界
方式のECBモードのものである。視野角制御用サブ画素においてバックライトからの光
を透過させると、斜視方向には光が漏れてコントラストが悪くなるために見え難くなり、
視野角制御効果を奏することができる。
また、下記特許文献3に開示されている視野角制御用サブ画素を備えた液晶表示パネル
は、表示用サブ画素及び視野角制御用サブ画素はいずれも横電界方式のFFSモードで作
動するものである。視野角制御用サブ画素のスリット状開口はラビング方向に対して直角
に延在している。このために、一対の電極間に電界が印加された場合、液晶分子は、アレ
イ基板と平行な方向には回転しないが、垂直な方向に傾斜する。したがって、表示用サブ
画素の画像は、直視方向には影響されないが、液晶が傾斜した斜視方向には光が漏れてコ
ントラストが悪くなるために見え難くなり、視野角制御効果を奏することができる。その
ため、下記特許文献3に開示されている視野角制御用サブ画素が横電界方式の液晶表示パ
ネルは、視野角制御用サブ画素と表示用サブ画素を同じモードで作動させて、同様の駆動
制御を行うことができるので、製造や駆動が容易となるという利点を有している。
特開平5−108023号公報 特開2007−156403号公報 特開2009−222747号公報 特開2005−258408号公報
しかしながら、上述のようなFFSモードの液晶表示パネルは、スリット状開口を有す
る共通電極が複数の画素にまたがって形成され、共通電極の外部への電気的接続は表示領
域の周縁部で行われるために、共通電極の抵抗値が大きくなり、クロストークの不良をも
たらすという問題があった。特に、液晶表示パネルが高解像度になると、画素数が増加す
るためにスリット状開口の占める面積が大きくなって共通電極の電気抵抗が増大すると共
に、共通電極と画素電極との容量カップリングによる共通電極の電位のずれ、すなわち、
クロストークが発生し易くなるという問題があった。
一方、視野角制御用サブ画素が形成されていないIPSモードの液晶表示パネルにおい
ては、たとえば、下記特許文献4に開示されているように、表示用サブ画素の画素電極及
び共通電極共に透明導電性材料で形成した際の各電極の電気抵抗が大きくなることを防止
する目的で、表示用サブ画素の画素電極及び共通電極共に透明電極と金属電極との二重構
造とすることが知られている。しかしながら、FFSモードの液晶表示パネルの表示用サ
ブ画素の場合、画素電極と共通電極とが平面視で重畳していることから、画素電極及び共
通電極共に透明電極と金属電極との二重構造とすることは、開口率の低下に繋がるため、
採用することができない。
本発明は、上述のような従来技術の問題点を解決すべくなされたものであって、FFS
モードやIPSモードの横電界方式の視野角制御用サブ画素を備えた液晶表示パネルにお
いて、共通電極の電気抵抗を小さくしてクロストークを低減し、しかも、視野角制御機能
が良好な液晶表示パネルを提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明の液晶表示パネルは、液晶層を挟持して対向配置され
た第1基板及び第2基板を有し、複数の画素が形成されるとともに、各前記画素は、表示
用サブ画素と視野角制御用サブ画素を備えており、前記第1基板上には画素電極として作
動する第1電極が、前記表示用サブ画素と前記視野角制御用サブ画素とにそれぞれ形成さ
れ、前記第1基板上には共通電極として作動する第2電極が、前記表示用サブ画素と前記
視野角制御用サブ画素とに亘って、前記第1電極の上に絶縁膜を介して形成されている液
晶表示パネルであって、前記視野角制御用サブ画素には、前記第2電極と導通する補助配
線が形成されていることを特徴とする。
本発明の液晶表示パネルは、表示用サブ画素及び視野角制御用サブ画素は、共に横電界
方式で作動するものであるから、表示用サブ画素と同様の駆動制御で視野角制御を行うこ
とができる。このために、製造や駆動が容易となる。加えて、本発明の液晶表示パネルで
は、共通電極と非表示領域の共通配線を導通する補助配線を設けているので、共通電極の
電気抵抗が低くなるので、クロストークを低減することができるようになる。
また、本発明の液晶表示パネルによれば、前記第1基板の前記視野角制御用サブ画素に
は信号線及び走査線が形成されており、前記補助配線は前記信号線又は前記走査線と同一
の層に形成されていることが好ましい。
本発明の液晶表示パネルによれば、補助配線を信号線又は走査線と同一の工程で形成す
ることができるので、補助配線を形成する工程の追加を防止することができる。また、補
助配線が第1、第2電極と同じ第1基板に形成されるので、第2基板に形成される遮光層
のように、第1基板と第2基板を張り合わせるときの位置ずれが生じることがない。
なお、視野角制御用サブ画素が表示用サブ画素と走査線の延在方向に隣接するときは、
補助配線を信号線と同一の層に形成すれば、補助配線が複数の視野角制御用サブ画素の共
通電極と連通することができる。また、視野角制御用サブ画素が表示用サブ画素と信号線
の延在方向に隣接するときは、補助配線を走査線と同一の層に形成すれば、補助配線を複
数の視野角制御用サブ画素の共通電極と連通することができる。
また、本発明の液晶表示パネルにおいては、前記補助配線は前記視野角制御用サブ画素
の前記第1電極の端部側に位置していることが好ましい。
横電界方式の液晶表示パネルでは、画素電極として作動する第1電極の端部側では液晶
分子の配向が一定に定まらないために、光漏れし易い領域となる。本発明の液晶表示パネ
ルによれば、この光漏れし易い領域に、金属材料からなる補助配線によって遮光している
ので、直視方向の光漏れをより低減することができるようになる。
また、本発明の液晶表示パネルにおいては、前記視野角制御用サブ画素の前記第2電極
には複数のスリットが形成されており、前記補助配線は、前記スリットの幅の中心に対応
する位置に、前記補助配線から延びる延在部を備えているものとすることができる。
視野角制御用サブ画素の共通電極として作動する第2電極がスリット状開口を有してい
る場合、スリット状開口の幅の中心に対応する位置及びスリット状開口間の幅の中心に対
応する位置から垂直方向に光漏れするが、前者の方が垂直方向の光漏れが強く生じる。本
発明の液晶表示パネルによれば、金属材料からなる補助配線がスリット状開口の幅の中心
に対応する位置に延在されているので、視野角制御用サブ画素の共通電極として作動する
第2電極がスリット状開口を有しているものとした際にも良好に直視方向の光漏れを抑制
することができるようになる。
また、本発明の液晶表示パネルにおいては、前記視野角制御用サブ画素の前記第2電極
には複数のスリットが形成されており、前記補助配線は、隣り合う前記スリットの間の中
心に対応する位置に、前記補助配線から延びる延在部を備えているものとすることができ
る。
視野角制御用サブ画素の共通電極として作動する第2電極がスリット状開口を有してい
る場合、スリット状開口間の幅の中心に対応する位置からも垂直方向に光漏れする。本発
明の液晶表示パネルによれば、金属材料からなる補助配線がスリット状開口間の幅の中心
に対応する位置に延在されているので、視野角制御用サブ画素の共通電極として作動する
第2電極がスリット状開口を有しているものとした際にも良好に直視方向の光漏れを抑制
することができるようになる。
また、本発明の液晶表示パネルにおいては、前記補助配線は金属材料からなることが好
ましい。
金属材料は透明導電性材料に比べると導電性が極めて良好であるので、共通電極の電気
抵抗を小さくする効果が良好に現れる。なお、本発明の液晶表示パネルで使用し得る金属
材料としては、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、モリブデン、タングステン、
チタン、銅等がある。なお、金属材料は不透明であるから、金属材料からなる補助配線を
表示用サブ画素の共通電極に重畳して形成すると開口率が低下してしまうが、本発明の液
晶表示パネルでは金属材料からなる補助配線を視野角制御用サブ画素に形成しているので
、表示用サブ画素の開口率への影響はない。
上記目的を達成するため、本発明の電気機器は、上記何れかに記載の液晶表示パネルを
備えていることを特徴とする。
本発明の電子機器によれば、上記の効果を奏することができる液晶表示パネルを備えた
電子機器が得られる。
第1実施形態の1画素のアレイ基板の概要を示す平面図である。 第1実施形態の図1のII−II線の断面図である。 第1実施形態の図1のIII−III線の断面図である。 第1実施形態の補助配線と共通配線の接続を示す液晶表示パネルのアレイ基板の平面図である。 視野角制御用サブ画素の光漏れを示す平面図である。 第2実施形態の1画素のアレイ基板の概要を示す平面図である。 第3実施形態の1画素のアレイ基板の概要を示す平面図である。 第4実施形態の1画素のアレイ基板の概要を示す平面図である。 第5実施形態の1画素のアレイ基板の概要を示す平面図である。 第6実施形態の1画素のアレイ基板の概要を示す平面図である。 第7実施形態の1画素のアレイ基板の概要を示す平面図である。
以下、実施形態及び図面を参照にして本発明を実施するための形態を説明するが、以下
に示す実施形態は、本発明をここに記載したものに限定することを意図するものではなく
、本発明は特許請求の範囲に示した技術思想を逸脱することなく種々の変更を行ったもの
にも均しく適用し得るものである。また、この明細書における説明のために用いられた各
図面においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各
部材毎に縮尺を異ならせて表示しており、必ずしも実際の寸法に比例して表示されている
ものではない。
[第1実施形態]
第1実施形態の液晶表示パネル10Aの要部の構成を図1〜図4を用いて説明する。な
お、図1においては、第1配向膜32(図2参照)は図示省略されている。第1実施形態
の液晶表示パネル10Aは、各画素11Aに、カラー表示のFFSモードの表示部12A
とFFSモードの視野角制御部13Aを備えている。図2及び図3に示すように、液晶表
示パネル10Aは、液晶層LCがアレイ基板AR及びカラーフィルター基板CFによって
挟持され、アレイ基板ARの液晶層LCとは反対側の外面に第1偏光板14が、カラーフ
ィルター基板CFの液晶層LCとは反対側の外面に第2偏光板15が設けられている。第
1実施形態の液晶表示パネル10Aでは、第1偏光板14と第2偏光板15とは互いにク
ロスニコル配置されており、ノーマリーブラックモードで作動する。
液晶表示パネル10Aは、行方向(図1のX軸方向)及び列方向(図1のY軸方向)に
複数個整列した各画素11Aを有している。図1に示すように、1画素11Aは、表示部
12Aと、表示部12Aに隣接して配設される視野角制御部13Aとで構成されている。
表示部12Aは、例えばR(赤)・G(緑)・B(青)の3色表示の表示用サブ画素16
Aで構成され、これらの色の光の混色で各画素の色が定められる。視野角制御部13Aは
1つの視野角制御用サブ画素17Aを備えている。
アレイ基板ARの表示用サブ画素16A及び視野角制御用サブ画素17Aは、いずれも
行方向に延在するアルミニウムやモリブデン等の不透明な金属からなる走査線18と、列
方向に延在するアルミニウムやモリブデン等の不透明な金属からなる信号線19と、走査
線18と信号線19の交差点近傍に配設された薄膜トランジスターTFTとを備えている
。なお、表示用サブ画素16Aの薄膜トランジスターTFTと視野角制御用サブ画素17
Aの薄膜トランジスターTFTは同一構成である。
アレイ基板ARは、例えば透明な絶縁性を有するガラスや石英、プラスチック等からな
る第1透明基板20を基体としている。第1透明基板20上には液晶層LCに面する側に
、走査線18が形成されており、走査線18からはゲート電極Gが延設されている。走査
線18及びゲート電極Gを覆うようにして例えば窒化ケイ素や酸化ケイ素等からなる透明
なゲート絶縁膜21が積層されている。そして、平面視でゲート電極Gと重なるゲート絶
縁膜21上には例えば非晶質シリコンや多結晶シリコンなどからなる半導体層22が形成
されている。
また、ゲート絶縁膜21上には例えばアルミニウムやモリブデン等の金属からなる複数
の信号線19が、列方向に形成されている。これらの走査線18及び信号線19によって
区画された領域のそれぞれがサブ画素領域となる。この信号線19からはソース電極Sが
延設され、このソース電極Sは半導体層22の表面と部分的に接触している。
さらに、信号線19と同一の材料で同時に形成されたドレイン電極Dがゲート絶縁膜2
1上に設けられており、このドレイン電極Dは、ソース電極Sと近接配置されて、半導体
層22の表面と部分的に接触している。例えば、R・G・Bの3つの表示用サブ画素16
Aで1画素11Aの略正方形の表示部12Aを構成しているので、これを3等分する各表
示用サブ画素16Aは走査線18側が短辺で信号線19側が長辺の長方形となる。ゲート
電極G、ゲート絶縁膜21、半導体層22、ソース電極S、ドレイン電極Dによってスイ
ッチング素子となる薄膜トランジスターTFTが構成される。
さらに、信号線19、薄膜トランジスターTFT及びゲート絶縁膜21の露出部分を覆
うようにして例えば窒化ケイ素や酸化ケイ素等からなる透明なパッシベーション膜23が
積層されている。そして、パッシベーション膜23を覆うようにして、例えばフォトレジ
スト等の透明樹脂材料からなる層間樹脂膜24が積層されている。層間樹脂膜24は信号
線19、薄膜トランジスターTFT及びゲート絶縁膜21によるパッシベーション膜23
の凹凸面を平坦化する。
そして、層間樹脂膜24を覆うようにして例えばITO(Indium Thin Oxide)ないし
IZO(Indium Zinc Oxide)等の透明導電性材料からなる下電極25が形成されている
。層間樹脂膜24とパッシベーション膜23を貫通してドレイン電極Dに達する第1コン
タクトホール26が形成されており、この第1コンタクトホール26を介して下電極25
とドレイン電極Dとが電気的に接続されている。そのため、下電極25は画素電極として
作動する。
下電極25を覆うようにして、例えば窒化ケイ素や酸化ケイ素等からなる透明な電極間
絶縁膜27が積層されている。そして、電極間絶縁膜27を覆うようにしてITOないし
IZO等の透明導電性材料からなる上電極28が形成されている。上電極28は各画素1
1Aに跨って形成され、図示省略したコモン配線と電気的に接続されている。そのため、
上電極28は共通電極として作動する。
図1に示すように、表示用サブ画素16Aの上電極28には複数の第1スリット状開口
29Aが形成され、視野角制御用サブ画素17Aの上電極28には複数の第2スリット状
開口30Aが形成されている。これらのスリット状開口29A、30Aはフォトリソグラ
フィー法によって上電極28の表面に塗布されたフォトレジスト材料を露光及び現像した
後、エッチングすることによって形成される。そして、上電極28及びスリット状開口2
9A、30Aの内面を覆うように、例えばポリイミドからなる第1配向膜32が積層され
ている。第1配向膜32にはラビング処理が施されている。液晶層LCに電界が印加され
ないときは、液晶分子はラビング処理方向に整列する。
カラーフィルター基板CFは、透明な絶縁性を有するガラスや石英、プラスチック等か
らなる第2透明基板33を基体としている。第2透明基板33の液晶層LC側の表面には
、アレイ基板ARの不透明な走査線18、信号線19及び薄膜トランジスターTFTに対
向する位置に、例えば遮光性を有する遮光層34が形成され、また、3つの表示用サブ画
素16Aには、それぞれ異なる色の光(例えば、R、G、Bの3色)を透過するカラーフ
ィルター層35が形成されている。図3に示すように、視野角制御用サブ画素17Aには
、カラーフィルター層35は形成されていない。
そして、遮光層34及びカラーフィルター層35を覆うようにして例えばフォトレジス
ト等の透明樹脂材料からなるオーバーコート層36が積層されている。カラーフィルター
基板CFのオーバーコート層36は異なる色のカラーフィルター層35による段差を平坦
にし、また、遮光層34やカラーフィルター層35からの不純物が液晶層LCに入らない
ように遮断するために形成されているものである。そして、オーバーコート層36を覆う
ようにして、例えばポリイミドからなる第2配向膜37が形成されている。この第2配向
膜37には偏光板の光軸と平行または直交なラビング処理が施されている。
次に、表示用サブ画素16Aの上電極28の第1スリット状開口29A、視野角制御用
サブ画素17Aの上電極28の第2スリット状開口30A、及び、ラビング処理方向RA
について詳細に説明する。図1に示すように、第1スリット状開口29Aは信号線19の
延在方向に延在する「く」字状に形成されている。表示用サブ画素16Aは縦長であるた
め、第1スリット状開口29Aを横方向に延在させると第1スリット状開口29Aの両端
の数が多くなる。第1スリット状開口29Aの端部は液晶分子の異常配向領域となる。そ
こで、第1の実施形態の液晶表示パネル10Aでは、第1スリット状開口29Aの延在方
向を縦方向にすることにより、第1スリット状開口29Aの端部の数を少なくし、開口率
の低下を低減している。
また、「く」字状の第1スリット状開口29Aは、信号線19の延在方向に対して+α
(時計方向を正とし、αを正とする。)傾斜する第1サブスリット状開口38と、−α傾
斜する第2サブスリット状開口39とからなる。αは、種々の条件により異なるが、3°
〜15°が好ましい。全ての第1スリット状開口29Aをラビング処理方向RAに対して
時計方向又は反時計方向に傾くようにすると、液晶分子が一方向に回転するため視角方向
によって色が変化する現象が現れる。これは、液晶分子を見る方向によって見かけのリタ
デ−ションが変化するためである。ここではαとして最適値に近い5°を採用している。
また、第2スリット状開口30Aは、図1に示すように、走査線18の延在方向と平行に
延在するように形成されている。
次に、視野角制御用サブ画素17Aの共通電極として作動する上電極28の電気抵抗を
小さくする対策の補助配線40Aについて説明する。表示用サブ画素16Aおよび視野角
制御用サブ画素17Aの上電極28は液晶表示パネル10Aの全画素11Aに跨って形成
されている。そして、上電極28は表示領域41の周縁に沿って非表示領域(表示領域4
1以外の領域)に形成される引き回し配線42の上層を越えて、図4に示す共通配線43
まで延在し、共通配線43と第2コンタクトホール44で電気的に接続されている。なお
、上電極28と共通配線43と電気的な接続は、第2コンタクトホール44を介さず直接
接続するような構成としてもよい。また、図4では簡略化して、第2コンタクトホール4
4を一つしか示していないが、当然ながら複数形成してあってもよい。
そして共通配線43は共通電極として作動するための電源が供給される接続端子45を
有している。この共通配線43の形状は図4では互いに接続するようして四辺に形成され
ているが、これはあくまでも例示であって、例えば三辺に形成されていてもよいし、二辺
に形成されていてもよい。また、各辺独立して形成されているようなものでもよい。また
ここで述べた表示領域41とは、複数の画素11Aが形成されている領域のことであり、
表示に寄与する領域のことである。そして非表示領域はいわゆる額縁領域とも呼ばれてい
る領域であり、表示に寄与することはなく、この非表示領域には上述した共通配線43の
他に、走査線18や信号線19と接続する引き回し配線が形成されていたり、この引き回
し配線が、信号線18や信号線19を駆動するための駆動回路が形成されていたりしてい
る。
このように、上電極28は、第1スリット状開口29Aが形成されているために面積が
狭くなり、しかも、表示領域41内では共通配線43に接続されないために、共通電極の
抵抗値が大きくなる。特に、液晶表示パネルが高解像度になると、画素数が増加するため
にスリット状開口の占める面積が大きくなって共通電極の電気抵抗が増大すると共に、共
通電極と画素電極との容量カップリングによる共通電極の電位のずれ、すなわち、クロス
トークが発生し易くなる。
そこで、第1実施形態の液晶表示パネル10Aでは、補助配線40Aを信号線19と同
一層に、同一部材によって、同一工程で形成している。図1に示すように、補助配線40
Aは信号線19と平行に形成されている。またY方向に隣接する画素11Aにおいて、視
角制御用サブ画素17Aは同じ位置に連続するように存在している。そしてY方向に沿っ
て各画素11Aの視角制御用サブ画素17Aに連続するように補助配線40Aが形成され
ている。
図2に示すように、上電極28には、電極間絶縁膜27と下電極25と層間樹脂膜24
とパッシベーション膜23を貫通して補助配線40Aに達する第3コンタクトホール46
が形成されており、この第3コンタクトホール46を介して上電極28と補助配線40A
とが電気的に接続されている。なお、第3コンタクトホール46の位置は、視角制御用サ
ブ画素17Aの領域であればどこに設けても構わないが、第3コンタクトホール46その
ものは遮光性を有するものなので、できるだけ補助配線40と近い方に形成したほうが好
ましい。また図1のように視角制御用サブ画素17Aの領域において、視角制御用サブ画
素に形成されている薄膜トランジスターTFTと対称となる位置に形成しておく方が、視
角制御用サブ画素17が機能する上で好ましい。
図1に示すように、視野角制御用サブ画素17Aが表示用サブ画素16Aと走査線18
の方向に隣接しているので、補助配線40Aを信号線19Aと同一の層に形成することに
より、補助配線40Aが複数の視野角制御用サブ画素の共通電極と連通することができる
。複数の視野角制御用サブ画素の共通電極と連通した補助配線40Aは、図4に示すよう
に、非表示領域の共通配線43と第4コンタクトホール47を介して電気的に接続されて
いる。なお、補助配線40Aと共通配線43とは第4コンタクトホール47を介して電気
的に接続されているが、補助配線40Aと共通配線43とが直接接続されているようにし
てもよい。
このように、補助配線40Aが信号線19と同一層に、同一部材によって、同一工程で
形成されているので、工程を追加することなく、補助配線40Aを形成することができる
ようになる。また、補助配線40Aの材質は、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金
、モリブデン、タングステン、チタン、銅等の不透明な金属であり、透明導電性材料に比
べると導電性が極めて低いので、共通電極の電気抵抗を小さくする効果が高い。
なお、金属材料は不透明であるから、金属材料の補助配線を表示用サブ画素16Aの共
通電極に重畳して形成すると、開口率が低下するが、第1実施形態の液晶表示パネル10
Aでは、補助配線40Aは視野角制御用サブ画素17Aに形成されているので、表示用サ
ブ画素の開口率の低下はない。また補助配線40は、視野角制御用サブ画素17Aにおい
て、下電極25の端部側に位置しているので、視野角制御用サブ画素17としての機能の
低下を抑えることができる。
このようにして形成されたアレイ基板AR及びカラーフィルター基板CFを互いに対向
させ、両基板の周囲にシール材(図示省略)を設けることにより両基板を貼り合せ、両基
板間に液晶を充填することにより第1実施形態に係る液晶表示パネル10Aが得られる。
この液晶表示パネル10Aはノーマリーブラックモードで作動するものであり、図1に示
すように、アレイ基板ARの第1偏光板14の光軸(透過軸)L1Aは走査線18と同じ
方向であり、カラーフィルター基板CFの第2偏光板15の光軸L2Aは信号線19と同
じ方向とされている。そして、液晶表示パネル10Aの背面に配設されたバックライトユ
ニット(図示省略)から入射光Lが照射されている(図2及び図3参照)。
表示部12Aにおいて、薄膜トランジスターTFTがOFF状態では、第1偏光板14
によって走査線18と同じ方向の直線偏光に変換された入射光はそのまま第2偏光板15
に入射されるので、入射光は液晶表示パネル10Aを透過できず、黒表示となる。薄膜ト
ランジスターTFTがON状態になると、下電極25と上電極28との間に電界が発生し
、液晶層LCの液晶分子の配向が変化し、液晶層LCを通過する光に所定の位相差(1/
2波長)を付与する。これにより、第1偏光板14によって走査線18に平行な直線偏光
に変換された入射光は、90°位相が変化されて第2偏光板15に入射するため、入射光
は液晶表示パネル10Aを通過することができ、カラーフィルター層35による有彩色の
表示を行うことができる。
薄膜トランジスターTFTがOFF状態では、視野角制御用サブ画素17Aの第2スリ
ット状開口30A内に位置する液晶分子はアレイ基板ARの面と平行になっているので、
液晶表示パネル10Aの直視、斜視のいずれの方向にも光は漏れないため、表示部12A
における表示に影響は与えない。薄膜トランジスターTFTがON状態になると、下電極
25と上電極28との間に電界が発生し、図2の拡大図に示すように、視野角制御用サブ
画素17Aの第2スリット状開口30A内に位置する液晶分子がアレイ基板ARの面に対
して傾斜するため、その傾斜方向にバックライト光源からの入射光が漏れるようになる。
そのため、液晶表示パネル10Aの直視方向に対しては表示の影響が無いが、液晶表示パ
ネル10Aの斜視方向に対しては、コントラストが悪くなり、画像を視認し難くなる。
[第2実施形態]
次に、第2実施形態の液晶表示パネル10Bを、図6を用いて説明する。図6は第1実
施形態の液晶表示パネル10Aにおける図1に対応する。第2実施形態の液晶表示パネル
10Bにおいては、第1実施形態の液晶表示パネル10Aと構成が同一の部分については
同一の参照符号を付与し、添え字がある参照符号については添え字を「B」に変え、その
詳細な説明は省略する。第2実施形態の液晶表示パネル10Bは第1実施形態の液晶表示
パネル10Aの補助配線40Aを延在させて第1遮光部材48Bとして機能するようにし
たものである。
図2の拡大図に示すように、視野角制御用サブ画素17Aの上電極28の第2スリット
状開口30Aの幅の中心部分と、第2スリット状開口30A間の幅の中心部分は電界ON
時の電界の方向が電界OFF時の液晶分子と略垂直となる。このために、第2スリット状
開口30Aの幅の中心部分の液晶分子と、第2スリット状開口30A間の幅の中心部分の
液晶分子は回転方向が定まらずに、図5に示すような現象が直視方向にて観察された。そ
して図5に示すように、印加電圧を上げていくと、直視方向に最大幅約2μmの光漏れが
生じる。この光漏れは、印加電圧を徐々に上げていくと、第2スリット状開口30Aの幅
の中心部分が第2スリット状開口30A間の幅の中心部分よりも早く生じ、且つ、長い範
囲に生じる。
そこで、第2実施形態では、図6に示すように、平面視で、第2スリット状開口30B
の幅の中央部分の位置に補助配線40Bから延在された延在部となる所定の幅Wの第1遮
光部材48Bが第2スリット状開口30Bの全長にわたって設けられている。図5のよう
な場合、光漏れの幅が最大約2μmであるので、漏れた光を遮光する第1遮光部材48B
の幅Wは2μm以上に設定することが好ましい。これにより、第2スリット状開口30B
の幅の中心部分の光漏れを、第1遮光部材48Bによって、良好に低減することができる
なお、光漏れの幅である2μmにあわせて第1遮光部材48Bの幅Wを設定しているが
、これは第2スリット状開口30Bの幅が5〜6μmにしていたことによるものである。
したがって第1遮光部材48Bの幅Wを第2スリット状開口20Aの幅の半分程度の幅と
なるように形成すればよい。
また、第1遮光部材48Bを信号線19と同一の層に形成しているので、第1遮光部材
48Aがアレイ基板ARに形成されるため、カラーフィルター基板CFに遮光部材を形成
した場合のように、アレイ基板ARとカラーフィルター基板CFを張り合わせるときの位
置ずれが生じても、第1遮光部材48Bと第2スリット状開口30Aの位置がずれること
がない。
[第3実施形態]
次に、第3実施形態の液晶表示パネル10Cを、図7を用いて説明する。図7は第2実
施形態の液晶表示パネル10Bにおける図6に対応する。第3実施形態の液晶表示パネル
10Cにおいては、第2実施形態の液晶表示パネル10Bと構成が同一の部分については
同一の参照符号を付与し、添え字がある参照符号については添え字を「C」に変え、その
詳細な説明は省略する。第3実施形態の液晶表示パネル10Cは第2実施形態の液晶表示
パネル10Bの補助配線40Bを延在させて更に第2遮光部材49Cからなる延在部を設
けたものである。
第3実施形態の液晶表示パネル10Cの第1遮光部材48Cは、図7に示すように、平
面視で、第2スリット状開口30C間の幅の中心部分の位置にも補助配線40Cから延在
された第2遮光部材49Cが形成されている。このように、第3実施形態の液晶表示パネ
ル10Cは第2スリット状開口30C間の光漏れも遮光するために、直射方向の光漏れを
より低減することができる。なお。第2スリット状開口30C間の光漏れの長さは第2ス
リット状開口30Cの幅の中心部分の光漏れの長さよりも短いために、第2遮光部材49
Cの長さは第1遮光部材48Cの長さよりも短くなっている。これにより、遮光部材によ
る開口率の低下を低減することができる。
[第4実施形態]
次に、第4実施形態の液晶表示パネル10Dを、図8を用いて説明する。図8は第3実
施形態の液晶表示パネル10Cにおける図7に対応する。第4実施形態の液晶表示パネル
10Dにおいては、第3実施形態の液晶表示パネル10Cと構成が同一の部分については
同一の参照符号を付与し、添え字がある参照符号については添え字を「D」に変え、その
詳細な説明は省略する。第4実施形態の液晶表示パネル10Dと第3実施形態の液晶表示
パネル10Cとの間の構成が相違する主な点は、遮光部材の幅である。
第4実施形態の液晶表示パネル10Dの第1遮光部材48Dと第2遮光部材49Dの両
端は、図8に示すように、平面視で、第2スリット状開口30Dの端部の全稜線の位置に
おいて、第2スリット状開口30Dの中央部に位置する部分ないし第2スリット状開口3
0D間の中央部に位置する部分の幅よりも太くされている。このように、第4実施形態の
液晶表示パネル10Dでは、電界の方向がラビング処理の方向RDと異なる第2スリット
状開口30D及び第2スリット状開口30D間の両端部分も遮光するために、直射方向の
光漏れをより低減することができる。
[第5実施形態]
次に、第5実施形態の液晶表示パネル10Eを、図9を用いて説明する。図9は第2実
施形態の液晶表示パネル10Bにおける図6に対応する。第5実施形態の液晶表示パネル
10Eにおいては、第2実施形態の液晶表示パネル10Bと構成が同一の部分については
同一の参照符号を付与し、添え字がある参照符号については添え字を「E」に変え、その
詳細な説明は省略する。
第5実施形態の液晶表示パネル10Eと第2実施形態の液晶表示パネル10Bとの間の
構成が相違する主な点は、第2実施形態の視野角制御部13Bの第2スリット状開口30
Bの延在方向が走査線18と平行であるのに対して、第5実施形態の視野角制御部13E
の第2スリット状開口30Eの延在方向が信号線19と平行である点である。
第5実施形態の液晶表示パネル10Eでは、表示部12Eの第1スリット状開口29E
の延在方向は、シングルドメインであり、走査線と角度+α1傾斜している。そして、視
野角制御部13Eの第2スリット状開口30Eの延在方向は信号線19と平行になってい
る。補助配線40Eとともに、補助配線40Eの延在部である第1遮光部材48Eが、第
2実施形態の液晶表示パネル10Bと同様に、平面視で、第2スリット状開口30Eの幅
の中央部分の位置に2μm以上の幅で第2スリット状開口30Eの全長にわたって設けら
れ、ソース電極Sと同一層に、同一部材によって、同一工程で形成されている。
また、更に補助配線40Eの延在部である第2遮光部材49Eも、平面視で、第2スリ
ット状開口30E間の位置に2μm以上の幅で第2スリット状開口30Cの全長よりも僅
か短めに設けられ、信号線19と同一層に、同一部材によって、同一工程で形成されてい
る。このように、本発明は視野角制御領域のスリット状開口が信号線19と平行である液
晶表示パネルにも適用することができる。
[第6実施形態]
次に、第6実施形態の液晶表示パネル10Fを、図10を用いて説明する。図10は第
3実施形態の液晶表示パネル10Cにおける図7に対応する。第6実施形態の液晶表示パ
ネル10Fにおいては、第3実施形態の液晶表示パネル10Cと構成が同一の部分につい
ては同一の参照符号を付与し、添え字がある参照符号については添え字を「F」に変え、
その詳細な説明は省略する。第6実施形態の液晶表示パネル10Fと第3実施形態の液晶
表示パネル10Cとの間の構成が相違する主な点は、視野角制御用サブ画素の位置である
第6実施形態の液晶表示パネル10Fでは、図10に示すように、視野角制御用サブ画
素17Fが3つの表示用サブ画素16Fの信号線19が延在する方向(図10の上下方向
)に隣接しながら、3つの表示用サブ画素16Fに亘って形成されている。したがって、
複数の視野角制御用サブ画素17Fは走査線18と平行に整列するので、補助配線40F
は走査線18と同一層に、同一部材によって、同一工程で形成されている。これにより、
補助配線40Fは複数の視野角制御用サブ画素17Fを跨ぐことができる。
このようにして、製造工程を追加することなく、補助配線40Fを形成することができ
る。また、補助配線40Fの延在部である第1遮光部材48Fと第2遮光部材49Fが走
査線18と同一の層に形成されることで、第1遮光部材48Fと第2遮光部材49Fはア
レイ基板ARに形成される。そのため、カラーフィルター基板CFに遮光部材を設けた場
合のように、アレイ基板ARとカラーフィルター基板CFを張り合わせるときの位置ずれ
によって、第1遮光部材48Bおよび第2遮光部材49Fの位置が第2スリット状開口3
0Fの位置がずれることがなくなる。
[第7実施形態]
次に、第7実施形態の液晶表示パネル10Gを、図11を用いて説明する。図11は第
1実施形態の液晶表示パネル10Aにおける図1に対応する。第7実施形態の液晶表示パ
ネル10Gにおいては、第1実施形態の液晶表示パネル10Aと構成が同一の部分につい
ては同一の参照符号を付与し、添え字がある参照符号については添え字を「G」に変え、
その詳細な説明は省略する。第7実施形態の液晶表示パネル10Gと第1実施形態の液晶
表示パネル10Aとの間の構成が相違する主な点は、第1実施形態の液晶表示パネル10
Aが第1電極をベタ状に形成しているのに対して、第7実施形態の液晶表示パネル10G
は第1電極に複数のスリットが形成されている点である。
第7実施形態の液晶表示パネル10Gでは、図11に示すように、表示部12Gの画素
電極として作動する第1電極50と共通電極として作動する第2電極51は、第1電極5
0の上に電極間絶縁膜27からなる層を介して第2電極51が形成されている。そして第
1電極50と第2電極51とは、信号線19に対して+αと−αの角度をなして延在する
「く」字状の細長い端子が櫛歯状になって、平面視において互いにかみ合うよう形成され
ている。視野角制御部13Gの画素電極として作動する第1電極52と共通電極として作
動する第2電極53も同様に、第1電極52の上に電極間絶縁膜27からなる層を介して
第2電極53が形成されている。そして第1電極52と第2電極52とは、走査線18と
平衡に延在する端子が櫛歯状になって、平面氏において互いにかみ合うように形成されて
いる。
そして、補助配線40Gが信号線19と同一層に、同一部材によって、同一工程で形成
されている。図11に示すように、補助配線40Gは信号線19と平行に形成され、第3
コンタクトホール46を介して上電極28と補助配線40Gとが電気的に接続されている
。なお、図11では第1電極と第2電極の関係をわかりやすくするために、表示用サブ画
素16Gや視野角制御用サブ画素17Gにおいて、第2電極の櫛歯状の部分しか描いてい
ないが、第2電極は他の実施形態体と同様に、例えば走査線18、信号線19、TFT等
の上にも形成されており、表示用サブ画素16Gと視野角制御用サブ画素17Gとに亘っ
て形成されている。
以上、本発明の実施形態として液晶表示パネルの例を説明した。このような本発明の液
晶表示パネルは、パーソナルコンピュータ、携帯電話機、携帯情報端末、カーナビゲーシ
ョンシステムなどの各種電子機器に使用することができる。なお、これらの各種電子機器
の基本的構成は当業者に周知であるので、詳細な説明は省略する。
10A〜10G…液晶表示パネル 11A〜11G…画素 12A〜12G…表示部
13A〜13G…視野角制御部 14…第1偏光板 15…第2偏光板 16A〜16G
…表示用サブ画素 17A〜17G…視野角制御用サブ画素 18…走査線 19…信号
線 20…第1透明基板 21…ゲート絶縁膜 22…半導体層 23…パッシベーショ
ン膜 24…層間樹脂膜 25…下電極 26…第1コンタクトホール 27…電極間絶
縁膜 28…上電極 29A〜29G…第1スリット状開口 30A〜30G…第2スリ
ット状開口 32…第1配向膜 33…第2透明基板 34…遮光層 35…カラーフィ
ルター層 36…オーバーコート層 37…第2配向膜 38…第1サブスリット状開口
39…第2サブスリット状開口 40A〜40G…補助配線 41…表示領域 42…
引き回し配線 43…共通配線 44…第2コンタクトホール 45…接続端子 46…
第3コンタクトホール 47…第4コンタクトホール 48B〜48G…第1遮光部材
49C〜48G…第2遮光部材 50…表示部の第1電極 51…表示部の第2電極 5
2…視野角制御部の第1電極 53…視野角制御部の第2電極 AR…アレイ基板 CF
…カラーフィルター基板 D…ドレイン電極 G…ゲート電極 L1…第1偏光板の光軸
L2…第2偏光板の光軸 LC…液晶層 S…ソース電極 TFT…薄膜トランジスタ

Claims (7)

  1. 液晶層を挟持して対向配置された第1基板及び第2基板を有し、複数の画素が形成され
    るとともに、各前記画素は、表示用サブ画素と視野角制御用サブ画素を備えており、
    前記第1基板上には画素電極として作動する第1電極が、前記表示用サブ画素と前記視
    野角制御用サブ画素とにそれぞれ形成され、
    前記第1基板上には共通電極として作動する第2電極が、前記表示用サブ画素と前記視
    野角制御用サブ画素とに亘って、前記第1電極の上に絶縁膜を介して形成されている液晶
    表示パネルであって、
    前記視野角制御用サブ画素には、前記第2電極と導通する補助配線が形成されているこ
    とを特徴とする液晶表示パネル。
  2. 前記第1基板の前記視野角制御用サブ画素には信号線及び走査線が形成されており、
    前記補助配線は前記信号線又は前記走査線と同一の層に形成されていることを特徴とす
    る請求項1に記載の液晶表示パネル。
  3. 前記補助配線は前記視野角制御用サブ画素の前記第1電極の端部側に位置していること
    を特徴とする請求項1又は2に記載の液晶表示パネル。
  4. 前記視野角制御用サブ画素の前記第2電極には複数のスリットが形成されており、
    前記補助配線は、前記スリットの幅の中心に対応する位置に、前記補助配線から延びる
    延在部を備えていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の液晶表示パネル。
  5. 前記視野角制御用サブ画素の前記第2電極には複数のスリットが形成されており、
    前記補助配線は、隣り合う前記スリットの間の中心に対応する位置に、前記補助配線か
    ら延びる延在部を備えていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の液晶表示
    パネル。
  6. 前記補助配線は、金属材料からなることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の
    液晶表示パネル。
  7. 請求項1〜6のいずれかに記載の液晶表示パネルを備えたことを特徴とする電子機器。
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