JP5301251B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
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Description
本発明は、視野角制御用サブ画素を備えた液晶表示装置に関し、特に表示用サブ画素が
横電界方式で作動し、視野角制御用サブ画素が縦電界方式で作動する視野角制御用サブ画
素を備えた視野角制御効果が良好な液晶表示装置に関する。
横電界方式で作動し、視野角制御用サブ画素が縦電界方式で作動する視野角制御用サブ画
素を備えた視野角制御効果が良好な液晶表示装置に関する。
液晶表示装置はＣＲＴ（陰極線管）と比較して軽量、薄型、低消費電力という特徴があ
るため、表示用として多くの電子機器に使用されている。液晶表示装置は、所定方向に整
列した液晶分子の向きを電界により変えて、液晶層の光の透過量を変化させて画像を表示
させるものである。このような液晶表示装置には、外光が液晶層に入射し、反射板で反射
されて再び液晶層を透過して出射する反射型のものと、バックライト装置からの入射光が
液晶層を透過する透過型のものと、その両方を備えた半透過型のものとが存在している。
るため、表示用として多くの電子機器に使用されている。液晶表示装置は、所定方向に整
列した液晶分子の向きを電界により変えて、液晶層の光の透過量を変化させて画像を表示
させるものである。このような液晶表示装置には、外光が液晶層に入射し、反射板で反射
されて再び液晶層を透過して出射する反射型のものと、バックライト装置からの入射光が
液晶層を透過する透過型のものと、その両方を備えた半透過型のものとが存在している。
液晶表示装置の液晶層に電界を印加する方法として、縦電界方式のものと横電界方式の
ものとがある。縦電界方式の液晶表示装置は、液晶層を挟んで配置される一対の電極によ
り、概ね縦方向の電界を液晶分子に印加するものである。この縦電界方式の液晶表示装置
としては、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＶＡ（Vertical Alignment）モード、ＭＶ
Ａ（Multi-domain Vertical Alignment）モード等のものが知られている。横電界方式の
液晶表示装置は、液晶層を挟んで配設される一対の基板のうちの一方の内面側に一対の電
極を互いに絶縁して設け、概ね横方向の電界を液晶分子に対して印加するものである。こ
の横電界方式の液晶表示装置としては、一対の電極が平面視で重ならないＩＰＳ（In-Pla
ne Switching）モードのものと、重なるＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードのもの
とが知られている。
ものとがある。縦電界方式の液晶表示装置は、液晶層を挟んで配置される一対の電極によ
り、概ね縦方向の電界を液晶分子に印加するものである。この縦電界方式の液晶表示装置
としては、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＶＡ（Vertical Alignment）モード、ＭＶ
Ａ（Multi-domain Vertical Alignment）モード等のものが知られている。横電界方式の
液晶表示装置は、液晶層を挟んで配設される一対の基板のうちの一方の内面側に一対の電
極を互いに絶縁して設け、概ね横方向の電界を液晶分子に対して印加するものである。こ
の横電界方式の液晶表示装置としては、一対の電極が平面視で重ならないＩＰＳ（In-Pla
ne Switching）モードのものと、重なるＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードのもの
とが知られている。
このうち、ＩＰＳモードの液晶表示パネルは、画素電極と共通電極とからなる一対の電
極をそれぞれ互いに電気的に絶縁された状態で噛み合うようにくし歯状に形成し、画素電
極と共通電極との間に横方向の電界を液晶に印加するものである。このＩＰＳモードの液
晶表示装置は、縦電界方式の液晶表示装置よりも視野角が広いという利点を有している。
極をそれぞれ互いに電気的に絶縁された状態で噛み合うようにくし歯状に形成し、画素電
極と共通電極との間に横方向の電界を液晶に印加するものである。このＩＰＳモードの液
晶表示装置は、縦電界方式の液晶表示装置よりも視野角が広いという利点を有している。
また、ＦＦＳモードの液晶表示装置は、絶縁膜を介して共通電極と画素電極とからなる
一対の電極をそれぞれ異なる層に配置し、液晶層側の共通電極又は画素電極にスリット状
の開口を設け、このスリット状開口を通る概ね横方向の電界を液晶層に印加するものであ
る。このＦＦＳモードの液晶表示装置は、広い視野角を得ることができると共に画像コン
トラストを改善できるという効果があるので、近年、多く用いられるようになってきてい
る。このＦＦＳモードの液晶表示装置には、画素電極がスイッチング素子としてのＴＦＴ
（Thin Film Transistor）と同じ平面に形成されたものと、共通電極及び画素電極が共に
ＴＦＴの上方に配置されたものとが知られている。このうち、共通電極及び画素電極が共
にＴＦＴの上方に配置されたＦＦＳモードの液晶表示装置は、ＴＦＴ等の表面が樹脂層か
ら形成される層間膜で被覆され、この層間膜の表面に透明導電性材料からなる下電極が形
成されている。この下電極は画素電極及び共通電極の何れとしても作動させることが可能
である。
一対の電極をそれぞれ異なる層に配置し、液晶層側の共通電極又は画素電極にスリット状
の開口を設け、このスリット状開口を通る概ね横方向の電界を液晶層に印加するものであ
る。このＦＦＳモードの液晶表示装置は、広い視野角を得ることができると共に画像コン
トラストを改善できるという効果があるので、近年、多く用いられるようになってきてい
る。このＦＦＳモードの液晶表示装置には、画素電極がスイッチング素子としてのＴＦＴ
（Thin Film Transistor）と同じ平面に形成されたものと、共通電極及び画素電極が共に
ＴＦＴの上方に配置されたものとが知られている。このうち、共通電極及び画素電極が共
にＴＦＴの上方に配置されたＦＦＳモードの液晶表示装置は、ＴＦＴ等の表面が樹脂層か
ら形成される層間膜で被覆され、この層間膜の表面に透明導電性材料からなる下電極が形
成されている。この下電極は画素電極及び共通電極の何れとしても作動させることが可能
である。
上述のように、横電界方式の液晶表示装置は広い視野角を有しているが、秘匿情報を表
示するときは、他人に視認されないようにするため、狭い視野角の方が望ましい。そこで
、特許文献１に示されているように、ＦＦＳモードで作動する表示領域に隣接してＦＦＳ
モードで作動する視野角制御用サブ画素を設けて視野角を狭くした液晶表示装置が知られ
ている。この視野角制御用サブ画素は、表示用サブ画素とは異なる電界を液晶分子に印加
させて液晶分子の配向を異ならせることにより、視野角を狭くするものである。
示するときは、他人に視認されないようにするため、狭い視野角の方が望ましい。そこで
、特許文献１に示されているように、ＦＦＳモードで作動する表示領域に隣接してＦＦＳ
モードで作動する視野角制御用サブ画素を設けて視野角を狭くした液晶表示装置が知られ
ている。この視野角制御用サブ画素は、表示用サブ画素とは異なる電界を液晶分子に印加
させて液晶分子の配向を異ならせることにより、視野角を狭くするものである。
また、縦電界方式の液晶表示装置には表示面側の透明基板に共通電極が形成されている
が、横電界方式の液晶表示装置の表示面側の透明基板には、この共通電極が形成されてい
ないために人の指等からの静電気に起因して液晶分子の配向が乱れることがある。そこで
、特許文献２に示されているように、静電気による画像の乱れを防止するために、横電界
方式の液晶表示装置の表示面側の透明基板の外面に静電気防止用の透明導電性電極を成形
した液晶表示装置が知られている。
特開２００７−１７８７３６号公報
特開２００８−２０９５２９号公報
が、横電界方式の液晶表示装置の表示面側の透明基板には、この共通電極が形成されてい
ないために人の指等からの静電気に起因して液晶分子の配向が乱れることがある。そこで
、特許文献２に示されているように、静電気による画像の乱れを防止するために、横電界
方式の液晶表示装置の表示面側の透明基板の外面に静電気防止用の透明導電性電極を成形
した液晶表示装置が知られている。
しかしながら、上記特許文献１に開示されている液晶表示装置では、視野角制御用サブ
画素は表示用サブ画素と同じＦＦＳモードで作動するものであり、フリンジ電界で液晶を
垂直に立たせているために、視野角制御効果が少なく、液晶配向の乱れによる光漏れが生
じやすく、また、駆動に高い電圧を要するという問題があった。更に、上記特許文献２に
開示されている液晶表示装置では、静電気防止用の透明導電性電極がカラーフィルタ基板
の透明ガラス基板の表示面側に形成されているために傷つき易く、また接地し難いという
問題があった。
画素は表示用サブ画素と同じＦＦＳモードで作動するものであり、フリンジ電界で液晶を
垂直に立たせているために、視野角制御効果が少なく、液晶配向の乱れによる光漏れが生
じやすく、また、駆動に高い電圧を要するという問題があった。更に、上記特許文献２に
開示されている液晶表示装置では、静電気防止用の透明導電性電極がカラーフィルタ基板
の透明ガラス基板の表示面側に形成されているために傷つき易く、また接地し難いという
問題があった。
本発明は、上述のような従来技術の問題点を解決すべくなされたものであって、横電界
方式で駆動される液晶表示装置において、視野角制御効果が高く、液晶配向の乱れによる
光漏れが生じ難く、駆動電圧が低く、更に透明導電性電極の性質を有効活用してコスト面
や信頼性を向上させた液晶表示装置を提供することを目的とする。
方式で駆動される液晶表示装置において、視野角制御効果が高く、液晶配向の乱れによる
光漏れが生じ難く、駆動電圧が低く、更に透明導電性電極の性質を有効活用してコスト面
や信頼性を向上させた液晶表示装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明の液晶表示装置は、液晶層を挟持して対向配置された第１基板及び第２基板を有し、１ピクセル毎に表示用サブ画素と視野角制御用サブ画素が隣接配置された液晶表示装置であって、前記第１基板は、前記表示用サブ画素には横電界方式で駆動される画素電極及び共通電極が形成されていると共に、前記視野角制御用サブ画素に視野角制御用電極を備え、前記横電界方式で駆動される画素電極及び共通電極は、絶縁膜を挟んで形成された下側の画素電極と複数のスリットが形成された上側の共通電極とからなり、ＦＦＳモードで作動するものであり、前記視野角制御用電極は前記下側の画素電極と同じ層に形成され、前記第２基板の前記液晶層側には、前記表示用サブ画素及び前記視野角制御用サブ画素に跨って形成された透明導電性電極を備え、前記第２基板は樹脂製遮光部材を有し、前記透明導電性電極は前記樹脂製遮光部材を含む前記第２基板の表面を覆うように成膜されている。
本発明の液晶表示装置においては、表示用サブ画素は、第１基板に横電界方式で駆動さ
れる画素電極及び共通電極が形成されており、これらの電極配置に応じてＩＰＳモード又
はＦＦＳモードの何れでも駆動させることができる。また、視野角制御用サブ画素は、第
１基板に視野角制御用電極を、第２基板に透明導電性電極を備えており、縦電界方式の液
晶表示装置として作動する。そのため、本発明の液晶表示装置によれば、視野角制御用サ
ブ画素は、従来例の視野角制御用サブ画素に比すると容易に液晶分子を垂直に立たせるこ
とができるため、良好な視野角制御効果を奏することができる。
れる画素電極及び共通電極が形成されており、これらの電極配置に応じてＩＰＳモード又
はＦＦＳモードの何れでも駆動させることができる。また、視野角制御用サブ画素は、第
１基板に視野角制御用電極を、第２基板に透明導電性電極を備えており、縦電界方式の液
晶表示装置として作動する。そのため、本発明の液晶表示装置によれば、視野角制御用サ
ブ画素は、従来例の視野角制御用サブ画素に比すると容易に液晶分子を垂直に立たせるこ
とができるため、良好な視野角制御効果を奏することができる。
また、第２基板に形成されている透明導電性電極は表示用サブ画素及び前記視野角制御
用サブ画素に跨って形成されているから、表示用サブ画素領域では静電気防止用のシール
ド電極として作動する。そのため、本発明の液晶表示装置によれば、別途液晶表示装置の
表示面にシールド部材を設ける必要がなくなるので、安価な液晶表示装置を供給すること
ができる。
用サブ画素に跨って形成されているから、表示用サブ画素領域では静電気防止用のシール
ド電極として作動する。そのため、本発明の液晶表示装置によれば、別途液晶表示装置の
表示面にシールド部材を設ける必要がなくなるので、安価な液晶表示装置を供給すること
ができる。
加えて、本発明の液晶表示装置によれば、視野角制御用サブ画素のセルギャップを表示用サブ画素領域のセルギャップよりも大きくすることができるため、物理的に良好な視野角制御効果が得られる。しかも、上述の特許文献１に開示されている液晶表示装置と比すると、視野角制御用サブ画素が縦電界方式で作動するものであるため、視野角制御効果が高く、液晶配向の乱れによる光漏れが生じ難く、しかも、同等の視野角制御効果を得るための駆動電圧が低くなる。
表示用サブ画素をＦＦＳモードで作動させるので、上側の電極が共通電極として作動するものであると、透明導電性電極との間の距離は共通電極の方が近いから、画素電極として作動する下側の電極は透明導電性電極に生じた電界の影響を受け難くなる。そのため、本発明の液晶表示装置によれば、より外部からの静電気の影響が少なく、表示画質が良好な液晶表示装置が得られる。
視野角制御用電極はコンタクトホールを介してドレイン電極と接続する必要があるが、視野角制御用電極は、下側の画素電極と同じ層に形成されているので、下側の画素電極をドレイン電極に接続する必要がある場合には、両者を同時に形成することができるため、製造が容易になる。
表示用サブ画素をＦＦＳモードで作動させるので、上側の電極が共通電極として作動するものであると、透明導電性電極との間の距離は共通電極の方が近いから、画素電極として作動する下側の電極は透明導電性電極に生じた電界の影響を受け難くなる。そのため、本発明の液晶表示装置によれば、より外部からの静電気の影響が少なく、表示画質が良好な液晶表示装置が得られる。
視野角制御用電極はコンタクトホールを介してドレイン電極と接続する必要があるが、視野角制御用電極は、下側の画素電極と同じ層に形成されているので、下側の画素電極をドレイン電極に接続する必要がある場合には、両者を同時に形成することができるため、製造が容易になる。
樹脂製遮光部材は、直接液晶層と接触していると樹脂製遮光部材から不純物が液晶層中に溶出して液晶層を劣化させる可能性があるため、従来はトップコート層が必要とされていた。本発明の液晶表示装置によれば、樹脂製遮光部材の表面に透明導電性電極が形成されているので、トップコート層を省略しても樹脂製遮光部材中の不純物が液晶層中に溶出する可能性が減少するので、製造が容易となる。
また、本発明の液晶表示装置においては、前記液晶層の配向はホモジニアス配向であり、前記視野角制御用サブ画素における配向膜のラビング方向および該ラビング方向に対する液晶の光学軸方向が前記表示用サブ画素と同じとされている。
ホモジニアス配向の液晶を用い、前記視野角制御用サブ画素における配向膜のラビング方向および該ラビング方向に対する液晶の光学軸方向を前記表示用サブ画素と同じにすれば、横電界方式用の液晶と縦電界方式用の液晶として同種のものを使用し得る。そのため、本発明の液晶表示装置によれば、表示用サブ画素と視野角制御用サブ画素との間に液晶層が混ざり合わないようにするための隔壁を設ける必要がなくなり、簡単な構成でありながら視野角制御効果が非常に良好な液晶表示装置が得られる。
また、本発明の液晶表示装置においては、前記液晶層の配向はホモジニアス配向であり、前記視野角制御用サブ画素における配向膜のラビング方向および該ラビング方向に対する液晶の光学軸方向が前記表示用サブ画素と同じとされている。
ホモジニアス配向の液晶を用い、前記視野角制御用サブ画素における配向膜のラビング方向および該ラビング方向に対する液晶の光学軸方向を前記表示用サブ画素と同じにすれば、横電界方式用の液晶と縦電界方式用の液晶として同種のものを使用し得る。そのため、本発明の液晶表示装置によれば、表示用サブ画素と視野角制御用サブ画素との間に液晶層が混ざり合わないようにするための隔壁を設ける必要がなくなり、簡単な構成でありながら視野角制御効果が非常に良好な液晶表示装置が得られる。
また、本発明の液晶表示装置においては、前記透明導電性電極にはコモン電圧が印加さ
れていることが好ましい。
れていることが好ましい。
第２基板に形成されている透明導電性電極は、フローティング状態であってもそれなり
のシールド効果及び視野角制御効果があるが、透明導電性電極にコモン電圧が印加されて
いる状態とすると、視野角制御用画素において、焼きつきが起こりにくく、視野角制御の
効果がより達成されるようになる。
のシールド効果及び視野角制御効果があるが、透明導電性電極にコモン電圧が印加されて
いる状態とすると、視野角制御用画素において、焼きつきが起こりにくく、視野角制御の
効果がより達成されるようになる。
以下、実施形態及び図面を参照にして本発明を実施するための最良の形態を説明するが
、以下に示す実施形態は、本発明をここに記載したものに限定することを意図するもので
はなく、本発明は特許請求の範囲に示した技術思想を逸脱することなく種々の変更を行っ
たものにも均しく適用し得るものである。
、以下に示す実施形態は、本発明をここに記載したものに限定することを意図するもので
はなく、本発明は特許請求の範囲に示した技術思想を逸脱することなく種々の変更を行っ
たものにも均しく適用し得るものである。
図１は第１実施形態の液晶表示装置の１ピクセル分のカラーフィルタ基板を透視して表
した平面図である。図２は図１のII−II線の矢印方向から投影した断面図である。図３は
第１実施形態の図１のIII−III線の矢印方向から投影した断面図である。図４は第２実施
形態の液晶表示装置の１ピクセル分のカラーフィルタ基板を透視して表した平面図である
。図５は図４のＶ−Ｖ線の矢印方向から投影した断面図である。図６は図４のVI−VI線の
矢印方向から投影した断面図である。図７は第２実施形態の変形例を示す図５に対応する
断面図である。図８は第２実施形態の変形例を示す図６に対応する対応断面図である。図
９は第３実施形態の１ピクセル分のカラーフィルタ基板を透視して表した平面図である。
図１０は図９のＸ−Ｘ線の矢印方向から投影した断面図である。図１１は図９のXI−XI線
の矢印方向から投影した断面図である。
した平面図である。図２は図１のII−II線の矢印方向から投影した断面図である。図３は
第１実施形態の図１のIII−III線の矢印方向から投影した断面図である。図４は第２実施
形態の液晶表示装置の１ピクセル分のカラーフィルタ基板を透視して表した平面図である
。図５は図４のＶ−Ｖ線の矢印方向から投影した断面図である。図６は図４のVI−VI線の
矢印方向から投影した断面図である。図７は第２実施形態の変形例を示す図５に対応する
断面図である。図８は第２実施形態の変形例を示す図６に対応する対応断面図である。図
９は第３実施形態の１ピクセル分のカラーフィルタ基板を透視して表した平面図である。
図１０は図９のＸ−Ｘ線の矢印方向から投影した断面図である。図１１は図９のXI−XI線
の矢印方向から投影した断面図である。
なお、ここで述べるアレイ基板及びカラーフィルタ基板の「表面」とは各種配線が形成
された面ないしは液晶と対向する側の面を示すものとする。また、この明細書における説
明のために用いられた各図面においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大き
さとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせて表示しており、必ずしも実際の寸法に
比例して表示されているものではない。
された面ないしは液晶と対向する側の面を示すものとする。また、この明細書における説
明のために用いられた各図面においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大き
さとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせて表示しており、必ずしも実際の寸法に
比例して表示されているものではない。
［第１実施形態］
第１実施形態の液晶表示装置１０Ａは、カラー表示の横電界方式のＦＦＳモードの表示
領域１６Ａと縦電界方式の視野角制御領域１７Ａを備える装置であり、要部の構成を図１
〜図３を用いて説明する。第１実施形態の液晶表示装置１０Ａは、図２及び図３に示すよ
うに、液晶表示パネル１１Ａを有し、この液晶表示パネル１１Ａの背面側には第１偏光板
１２が貼付され、表示面側には第２偏光板１３が貼付され、第１偏光板１２の背面側には
バックライト装置１４が配設されている。
第１実施形態の液晶表示装置１０Ａは、カラー表示の横電界方式のＦＦＳモードの表示
領域１６Ａと縦電界方式の視野角制御領域１７Ａを備える装置であり、要部の構成を図１
〜図３を用いて説明する。第１実施形態の液晶表示装置１０Ａは、図２及び図３に示すよ
うに、液晶表示パネル１１Ａを有し、この液晶表示パネル１１Ａの背面側には第１偏光板
１２が貼付され、表示面側には第２偏光板１３が貼付され、第１偏光板１２の背面側には
バックライト装置１４が配設されている。
図２及び図３に示すように、液晶表示パネル１１Ａは液晶層ＬＣがアレイ基板ＡＲとカ
ラーフィルタ基板ＣＦで挟持される構成となっている。なお、表示領域１６ＡはＦＦＳモ
ードで作動するものであり、視野角制御領域１７ＡはＥＣＢモードで作動するものであり
、液晶層ＬＣを共通使用することができる。液晶表示パネル１１Ａは行方向（図１のＸ軸
方向）及び列方向（図１のＹ軸方向）に複数個整列した各画素（ピクセル）１５Ａを有し
ている。図１に示すように、１ピクセル１５Ａは表示領域１６Ａと、表示領域１６Ａに隣
接して配設される視野角制御領域１７Ａで構成されている。表示領域１６Ａ、例えばＲ（
赤）・Ｇ（緑）・Ｂ（青）の３色表示の表示用サブ画素１８Ａで構成され、これらの色の
光の混色で各画素の色が定められる。視野角制御領域１７Ａは１つの視野角制御用サブ画
素１９Ａを備えている。
ラーフィルタ基板ＣＦで挟持される構成となっている。なお、表示領域１６ＡはＦＦＳモ
ードで作動するものであり、視野角制御領域１７ＡはＥＣＢモードで作動するものであり
、液晶層ＬＣを共通使用することができる。液晶表示パネル１１Ａは行方向（図１のＸ軸
方向）及び列方向（図１のＹ軸方向）に複数個整列した各画素（ピクセル）１５Ａを有し
ている。図１に示すように、１ピクセル１５Ａは表示領域１６Ａと、表示領域１６Ａに隣
接して配設される視野角制御領域１７Ａで構成されている。表示領域１６Ａ、例えばＲ（
赤）・Ｇ（緑）・Ｂ（青）の３色表示の表示用サブ画素１８Ａで構成され、これらの色の
光の混色で各画素の色が定められる。視野角制御領域１７Ａは１つの視野角制御用サブ画
素１９Ａを備えている。
図１に示すように、アレイ基板ＡＲの表示用サブ画素１８Ａと視野角制御用サブ画素１
９ＡにはいずれもＸ軸方向に延在するアルミニウムやモリブデン等の金属からなる走査線
２０と、Ｙ軸方向に延在するアルミニウムやモリブデン等の金属からなる信号線２１と、
走査線２０と信号線２１の交差点近傍に配設される薄膜トランジスタＴＦＴを備えている
。なお、表示用サブ画素１８ＡのＴＦＴと視野角制御用サブ画素１９ＡのＴＦＴはいずれ
も同一構成である。
９ＡにはいずれもＸ軸方向に延在するアルミニウムやモリブデン等の金属からなる走査線
２０と、Ｙ軸方向に延在するアルミニウムやモリブデン等の金属からなる信号線２１と、
走査線２０と信号線２１の交差点近傍に配設される薄膜トランジスタＴＦＴを備えている
。なお、表示用サブ画素１８ＡのＴＦＴと視野角制御用サブ画素１９ＡのＴＦＴはいずれ
も同一構成である。
アレイ基板ＡＲは透明な絶縁性を有するガラスや石英、プラスチック等からなる第１透
明基板２２を基体としている。第１透明基板２２上には、液晶ＬＣに面する側に、走査線
２０が形成されている。走査線２０からはゲート電極Ｇが延設されている。また、走査線
２０、ゲート電極Ｇを覆うようにして窒化ケイ素や酸化ケイ素等からなる透明なゲート絶
縁膜２３が積層されている。そして、平面視でゲート電極Ｇと重なるゲート絶縁膜２３上
には非晶質シリコンや多結晶シリコンなどからなる半導体層２４が形成されている。ゲー
ト絶縁膜２３上には信号線２１が形成されている。この信号線２１からはソース電極Ｓが
延設され、このソース電極Ｓは半導体層２４の表面と部分的に接触している。
明基板２２を基体としている。第１透明基板２２上には、液晶ＬＣに面する側に、走査線
２０が形成されている。走査線２０からはゲート電極Ｇが延設されている。また、走査線
２０、ゲート電極Ｇを覆うようにして窒化ケイ素や酸化ケイ素等からなる透明なゲート絶
縁膜２３が積層されている。そして、平面視でゲート電極Ｇと重なるゲート絶縁膜２３上
には非晶質シリコンや多結晶シリコンなどからなる半導体層２４が形成されている。ゲー
ト絶縁膜２３上には信号線２１が形成されている。この信号線２１からはソース電極Ｓが
延設され、このソース電極Ｓは半導体層２４の表面と部分的に接触している。
更に、信号線２１及びソース電極Ｓと同一の材料で同時に形成されたドレイン電極Ｄが
ゲート絶縁膜２３上に設けられており、このドレイン電極Ｄはソース電極Ｓと近接配置さ
れて半導体層２４と部分的に接触している。液晶表示パネル１１Ａの隣接する走査線２０
と信号線２１とによって囲まれた領域が１サブ画素領域に相当する。そしてゲート電極Ｇ
、ゲート絶縁膜２３、半導体層２４、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄによってスイッチン
グ素子となる薄膜トランジスタＴＦＴが構成されている。更に、信号線２１、薄膜トラン
ジスタＴＦＴ及びゲート絶縁膜２３の露出部分を覆うようにして例えば窒化ケイ素や酸化
ケイ素等からなる透明なパッシベーション膜２５が積層されている。パッシベーション膜
２５を覆うようにしてフォトレジスト等の透明樹脂材料からなり表面が平坦となされた層
間膜（平坦化樹脂層）２６が形成されている。
ゲート絶縁膜２３上に設けられており、このドレイン電極Ｄはソース電極Ｓと近接配置さ
れて半導体層２４と部分的に接触している。液晶表示パネル１１Ａの隣接する走査線２０
と信号線２１とによって囲まれた領域が１サブ画素領域に相当する。そしてゲート電極Ｇ
、ゲート絶縁膜２３、半導体層２４、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄによってスイッチン
グ素子となる薄膜トランジスタＴＦＴが構成されている。更に、信号線２１、薄膜トラン
ジスタＴＦＴ及びゲート絶縁膜２３の露出部分を覆うようにして例えば窒化ケイ素や酸化
ケイ素等からなる透明なパッシベーション膜２５が積層されている。パッシベーション膜
２５を覆うようにしてフォトレジスト等の透明樹脂材料からなり表面が平坦となされた層
間膜（平坦化樹脂層）２６が形成されている。
表示領域１６Ａでは、層間膜２６を覆うようにしてＩＴＯ（Indium Thin Oxide）ない
しＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明導電性材料からなる下電極２７が隣接する表示
用サブ画素１８Ａに跨って形成されている。この下電極２７は表示領域１６Ａの周辺部等
においてコモン配線（図示せず）に接続されており、共通電極として作動する。表示領域
１６Ａの下電極２７、視野角制御領域１７Ａの層間膜２６を覆うようにして例えば窒化ケ
イ素や酸化ケイ素等からなる透明な電極間絶縁膜２８が積層されている。電極間絶縁膜２
８を覆うようにしてＩＴＯないしＩＺＯ等の透明導電性材料からなる上電極２９が夫々の
表示用サブ画素１８Ａに形成され、視野角制御用画素電極３０が視野角制御用サブ画素１
９Ａが形成されている。
しＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明導電性材料からなる下電極２７が隣接する表示
用サブ画素１８Ａに跨って形成されている。この下電極２７は表示領域１６Ａの周辺部等
においてコモン配線（図示せず）に接続されており、共通電極として作動する。表示領域
１６Ａの下電極２７、視野角制御領域１７Ａの層間膜２６を覆うようにして例えば窒化ケ
イ素や酸化ケイ素等からなる透明な電極間絶縁膜２８が積層されている。電極間絶縁膜２
８を覆うようにしてＩＴＯないしＩＺＯ等の透明導電性材料からなる上電極２９が夫々の
表示用サブ画素１８Ａに形成され、視野角制御用画素電極３０が視野角制御用サブ画素１
９Ａが形成されている。
表示用サブ画素１８Ａでは、電極間絶縁膜２８、下電極２７、層間膜２６、パッシベー
ション膜２５を貫通してＴＦＴのドレイン電極Ｄに達するコンタクトホール３１が形成さ
れ、上電極２９はＴＦＴのドレイン電極Ｄに電気的に接続されている。そのため、上電極
２９は画素電極として作動する。同じく視野角制御用サブ画素１９Ａでは、電極間絶縁膜
２８、層間膜２６、パッシベーション膜２５を貫通してＴＦＴのドレイン電極Ｄに達する
コンタクトホール３１が形成され、視野角制御用画素電極３０がＴＦＴのドレイン電極Ｄ
に電気的に接続されている。さらに、上電極２９及び視野角制御用画素電極３０の表面を
覆うように、例えばポリイミドからなる第１配向膜３２が積層されている。第１配向膜３
２には信号線２１の延在方向にラビング処理が施されている。
ション膜２５を貫通してＴＦＴのドレイン電極Ｄに達するコンタクトホール３１が形成さ
れ、上電極２９はＴＦＴのドレイン電極Ｄに電気的に接続されている。そのため、上電極
２９は画素電極として作動する。同じく視野角制御用サブ画素１９Ａでは、電極間絶縁膜
２８、層間膜２６、パッシベーション膜２５を貫通してＴＦＴのドレイン電極Ｄに達する
コンタクトホール３１が形成され、視野角制御用画素電極３０がＴＦＴのドレイン電極Ｄ
に電気的に接続されている。さらに、上電極２９及び視野角制御用画素電極３０の表面を
覆うように、例えばポリイミドからなる第１配向膜３２が積層されている。第１配向膜３
２には信号線２１の延在方向にラビング処理が施されている。
上電極２９には、信号線２１の延在方向に延在する「く」字状のスリット状開口（以下
「スリット」と称する）３３が形成されている。表示用サブ画素１８Ａは縦長であるため
、スリット３３を横方向に延在させるとスリット３３の両端の数が多くなる。このスリッ
ト３３の端部は液晶分子の異常配向領域となる。そこで、第１の実施形態の液晶表示装置
１０Ａでは、図１に示すように、スリット３３の延在方向をＹ軸方向にすることにより、
スリット３３の端部の数を少なくし、開口率の低下を低減している。
「スリット」と称する）３３が形成されている。表示用サブ画素１８Ａは縦長であるため
、スリット３３を横方向に延在させるとスリット３３の両端の数が多くなる。このスリッ
ト３３の端部は液晶分子の異常配向領域となる。そこで、第１の実施形態の液晶表示装置
１０Ａでは、図１に示すように、スリット３３の延在方向をＹ軸方向にすることにより、
スリット３３の端部の数を少なくし、開口率の低下を低減している。
「く」字状のスリット３３の延在方向はラビング方向に対して約＋５度及び約−５度傾
斜している。全てのスリット３３をラビング方向に対して時計方向あるいは反時計方向に
傾くようにすると、液晶分子が一方向にねじれるため視角方向によって色が変化する現象
が現れる。これは、液晶分子を見る方向によって見かけのリタデ−ションが変化するため
である。これを低減するために、第１の実施形態の液晶表示パネル１１Ａではスリット３
３の延在方向が時計方向に対して約＋５度傾くドメインと約−５度傾くドメインを設けて
いる。
斜している。全てのスリット３３をラビング方向に対して時計方向あるいは反時計方向に
傾くようにすると、液晶分子が一方向にねじれるため視角方向によって色が変化する現象
が現れる。これは、液晶分子を見る方向によって見かけのリタデ−ションが変化するため
である。これを低減するために、第１の実施形態の液晶表示パネル１１Ａではスリット３
３の延在方向が時計方向に対して約＋５度傾くドメインと約−５度傾くドメインを設けて
いる。
また、カラーフィルタ基板ＣＦは透明な絶縁性を有するガラスや石英、プラスチック等
からなる第２透明基板３４を基体としている。第２透明基板３４の最下層（ここでは、カ
ラーフィルタ基板やアレイ基板の製造工程で最初に透明基板に形成される層を意味する。
）には、ＩＴＯないしＩＺＯ等の透明導電性材料からなる共通電極３５が形成されている
。そして、共通電極３５上には、走査線２０及び信号線２１に対向する位置に遮光性を有
する樹脂からなる遮光部材３６が形成されており、表示用サブ画素１８Ａに表示用サブ画
素１８Ａ毎に異なる色の光（たとえば、Ｒ、Ｇ、Ｂあるいは無色）を透過するカラーフィ
ルタ層３７が形成されている。
からなる第２透明基板３４を基体としている。第２透明基板３４の最下層（ここでは、カ
ラーフィルタ基板やアレイ基板の製造工程で最初に透明基板に形成される層を意味する。
）には、ＩＴＯないしＩＺＯ等の透明導電性材料からなる共通電極３５が形成されている
。そして、共通電極３５上には、走査線２０及び信号線２１に対向する位置に遮光性を有
する樹脂からなる遮光部材３６が形成されており、表示用サブ画素１８Ａに表示用サブ画
素１８Ａ毎に異なる色の光（たとえば、Ｒ、Ｇ、Ｂあるいは無色）を透過するカラーフィ
ルタ層３７が形成されている。
遮光部材３６とカラーフィルタ層３７を覆うようにして例えばフォトレジスト等の透明
樹脂材料からなるオーバーコート層３８が積層されている。このオーバーコート層３８は
異なる色のカラーフィルタ層３７による段差を平坦にし、また、遮光部材３６やカラーフ
ィルタ層３７から流出する不純物が液晶層ＬＣに入らないように遮断するために形成され
る。オーバーコート層３８及び露出している共通電極３５を覆うようにして、例えばポリ
イミドからなる第２配向膜３９が形成されている。第２配向膜３９には第１配向膜３２と
は逆方向のラビング処理が施されている。
樹脂材料からなるオーバーコート層３８が積層されている。このオーバーコート層３８は
異なる色のカラーフィルタ層３７による段差を平坦にし、また、遮光部材３６やカラーフ
ィルタ層３７から流出する不純物が液晶層ＬＣに入らないように遮断するために形成され
る。オーバーコート層３８及び露出している共通電極３５を覆うようにして、例えばポリ
イミドからなる第２配向膜３９が形成されている。第２配向膜３９には第１配向膜３２と
は逆方向のラビング処理が施されている。
このようにして形成されたアレイ基板ＡＲ及びカラーフィルタ基板ＣＦを互いに対向さ
せ、両基板の周囲にシール材（図示せず）を設けることにより両基板を貼り合せ、両基板
間にホモジニアス配向の液晶を充填することにより第１実施形態に係る液晶表示装置１０
Ａの液晶表示パネル１１Ａが得られる。なお、液晶層ＣＬを所定の厚みに保持するための
スペーサ（図示せず）がカラーフィルタ基板ＣＦに形成されている。
せ、両基板の周囲にシール材（図示せず）を設けることにより両基板を貼り合せ、両基板
間にホモジニアス配向の液晶を充填することにより第１実施形態に係る液晶表示装置１０
Ａの液晶表示パネル１１Ａが得られる。なお、液晶層ＣＬを所定の厚みに保持するための
スペーサ（図示せず）がカラーフィルタ基板ＣＦに形成されている。
上述の構成により、表示用サブ画素１８Ａでは、ＴＦＴがＯＮ状態になると、下電極２
７と上電極２９との間に電界が発生し、液晶層ＬＣの液晶分子の配向が変化する。これに
より、液晶層ＬＣの光透過率が変化してＦＦＳモードで画像を表示することとなる。また
、下電極２７と上電極２９が電極間絶縁膜２８を挟んで対向する領域は、補助容量を形成
し、ＴＦＴがＯＦＦ状態になったときに下電極２７と上電極２９との間の電界を所定時間
保持する。また、表示用サブ画素１８Ａでは、カラーフィルタ基板ＣＦの共通電極３５は
シールド電極として作動するので、人の指などによって液晶表示パネル１１Ａに印加され
る静電気によって表示画像が乱れることを抑制することができる。
７と上電極２９との間に電界が発生し、液晶層ＬＣの液晶分子の配向が変化する。これに
より、液晶層ＬＣの光透過率が変化してＦＦＳモードで画像を表示することとなる。また
、下電極２７と上電極２９が電極間絶縁膜２８を挟んで対向する領域は、補助容量を形成
し、ＴＦＴがＯＦＦ状態になったときに下電極２７と上電極２９との間の電界を所定時間
保持する。また、表示用サブ画素１８Ａでは、カラーフィルタ基板ＣＦの共通電極３５は
シールド電極として作動するので、人の指などによって液晶表示パネル１１Ａに印加され
る静電気によって表示画像が乱れることを抑制することができる。
視野角制御用サブ画素１９Ａでは、そのＴＦＴがＯＮ状態になると、アレイ基板ＡＲの
視野角制御用画素電極３０とカラーフィルタ基板ＣＦの共通電極３５との間に電界が発生
し、液晶層ＬＣのホモジニアス配向する液晶分子の配向方向が表示面に対して垂直に変化
する。これにより、視野角制御用サブ画素１９Ａにおいて、無彩色の光漏れが発生するの
で、左右方向からは表示領域１６Ａが視認し難くなり、見かけ上表示領域１６Ａの視野角
が狭くなる。
視野角制御用画素電極３０とカラーフィルタ基板ＣＦの共通電極３５との間に電界が発生
し、液晶層ＬＣのホモジニアス配向する液晶分子の配向方向が表示面に対して垂直に変化
する。これにより、視野角制御用サブ画素１９Ａにおいて、無彩色の光漏れが発生するの
で、左右方向からは表示領域１６Ａが視認し難くなり、見かけ上表示領域１６Ａの視野角
が狭くなる。
このように、視野角制御用サブ画素１９Ａの共通電極３５を、表示領域１６Ａ側にまで
延在させて表示用サブ画素１８Ａの静電気防止のシールド用として共通使用することによ
り、別途静電気防止のシールド部材を設ける必要がなく、安価な液晶表示装置１０Ａを供
給することができる。また、共通電極３５は、第２透明基板３４の最下層に形成されてい
るので、上電極２９から最大限に離間しており、共通電極３５に生じた電界が表示用の電
界に及ぼす影響が少なくなる。
延在させて表示用サブ画素１８Ａの静電気防止のシールド用として共通使用することによ
り、別途静電気防止のシールド部材を設ける必要がなく、安価な液晶表示装置１０Ａを供
給することができる。また、共通電極３５は、第２透明基板３４の最下層に形成されてい
るので、上電極２９から最大限に離間しており、共通電極３５に生じた電界が表示用の電
界に及ぼす影響が少なくなる。
また、第１実施形態の液晶表示装置１０Ａでは、共通電極３５は、透明基板の液晶層側
に形成されているので、静電気防止用のシールド部材が透明基板の表示面側に形成されて
いる上記特許文献２に開示されている液晶表示装置と比すると、傷つき難くなる。更に、
第１実施形態の液晶表示装置１０Ａでは、視野角制御用サブ画素１９Ａが縦電界方式で駆
動されるため、視野角制御用サブ画素が横電界方式で駆動される特許文献１に開示されて
いる液晶表示装置と比すると、ＦＦＳモード用に設定されている表示用サブ画素を１８Ａ
のセル厚よりも視野角制御用サブ画素１９Ａのセル厚を大きくできるために、充分な視野
角制御効果を得ることができる。なお、最適な屈折率異方性Δnと液晶の層厚ｄとの積Δ
ｎｄは、表示用サブ画素１８Ａで約３６０ｎｍ、視野角制御用サブ画素１９Ａで約６００
ｎｍである。
に形成されているので、静電気防止用のシールド部材が透明基板の表示面側に形成されて
いる上記特許文献２に開示されている液晶表示装置と比すると、傷つき難くなる。更に、
第１実施形態の液晶表示装置１０Ａでは、視野角制御用サブ画素１９Ａが縦電界方式で駆
動されるため、視野角制御用サブ画素が横電界方式で駆動される特許文献１に開示されて
いる液晶表示装置と比すると、ＦＦＳモード用に設定されている表示用サブ画素を１８Ａ
のセル厚よりも視野角制御用サブ画素１９Ａのセル厚を大きくできるために、充分な視野
角制御効果を得ることができる。なお、最適な屈折率異方性Δnと液晶の層厚ｄとの積Δ
ｎｄは、表示用サブ画素１８Ａで約３６０ｎｍ、視野角制御用サブ画素１９Ａで約６００
ｎｍである。
また、表示用サブ画素１８Ａの上電極２９は、視野角制御用サブ画素１９Ａの視野角制
御用画素電極３０と同層に形成されているとともに、画素電極として作動させるようにし
ている。そのため、表示用サブ画素１８Ａ及び視野角制御用サブ画素１９ＡにおけるＴＦ
Ｔのドレイン電極へのコンタクトホール３１の製造工程を同じにすることができ、製造が
容易となる。
御用画素電極３０と同層に形成されているとともに、画素電極として作動させるようにし
ている。そのため、表示用サブ画素１８Ａ及び視野角制御用サブ画素１９ＡにおけるＴＦ
Ｔのドレイン電極へのコンタクトホール３１の製造工程を同じにすることができ、製造が
容易となる。
なお、共通電極３５はフローティング状態であってもシールド効果及び視野角制御効果
がある。しかしながら、共通電極３５と視野角制御用画素電極３０との間に視野角制御用
電圧、例えばコモン電位が印加されている状態にすると、よりシールド効果及び視野角制
御効果が達成される。
がある。しかしながら、共通電極３５と視野角制御用画素電極３０との間に視野角制御用
電圧、例えばコモン電位が印加されている状態にすると、よりシールド効果及び視野角制
御効果が達成される。
［第２実施形態］
次に、第２実施形態の液晶表示装置１０Ｂを図４〜図６を用いて説明する。図４〜図６
は夫々第１実施形態の液晶表示装置１０Ａにおける図１〜図３に対応する。そこで、第２
実施形態の液晶表示装置１０Ｂにおいては、第１実施形態の液晶表示装置１０Ａと構成が
同一の部分については同一の参照符号を付与し、添え字がある参照符号については添え字
を「Ｂ」に変え、その詳細な説明は省略する。
次に、第２実施形態の液晶表示装置１０Ｂを図４〜図６を用いて説明する。図４〜図６
は夫々第１実施形態の液晶表示装置１０Ａにおける図１〜図３に対応する。そこで、第２
実施形態の液晶表示装置１０Ｂにおいては、第１実施形態の液晶表示装置１０Ａと構成が
同一の部分については同一の参照符号を付与し、添え字がある参照符号については添え字
を「Ｂ」に変え、その詳細な説明は省略する。
第２実施形態の液晶表示装置１０Ｂと第１実施形態の液晶表示装置１０Ａとの間の構成が相違する点は、
（１）第１実施形態の液晶表示装置１０Ａがカラー表示用のものであるのに対し、第２実施形態の液晶表示装置１０Ｂがモノクロ表示用のものである点、
（２）第１実施形態の液晶表示装置１０Ａでは、上電極２９が画素電極として作動し、下電極２７が共通電極として作動するのに対し、第２実施形態の表示用サブ画素１８Ｂでは、上電極２９が共通電極として作動し、下電極２７が画素電極として作動するようになされている点、
（３）第１実施形態の液晶表示装置１０Ａでは第２基板３４の表面に直接共通電極３５が形成されているのに対し、第２実施形態の液晶表示装置１０Ｂでは、第２基板３４の最下層に遮光部材３６が形成され、その遮光部材３６の表面及び露出している第２基板３４の表面を覆うように共通電極３５が形成されている点、
（４）第２実施形態の上電極２９に形成されているスリット３３は、第１実施形態のスリット３３のような「く」字状ではなく、信号線２１の延在方向と平行な直線となっている点、
である。
（１）第１実施形態の液晶表示装置１０Ａがカラー表示用のものであるのに対し、第２実施形態の液晶表示装置１０Ｂがモノクロ表示用のものである点、
（２）第１実施形態の液晶表示装置１０Ａでは、上電極２９が画素電極として作動し、下電極２７が共通電極として作動するのに対し、第２実施形態の表示用サブ画素１８Ｂでは、上電極２９が共通電極として作動し、下電極２７が画素電極として作動するようになされている点、
（３）第１実施形態の液晶表示装置１０Ａでは第２基板３４の表面に直接共通電極３５が形成されているのに対し、第２実施形態の液晶表示装置１０Ｂでは、第２基板３４の最下層に遮光部材３６が形成され、その遮光部材３６の表面及び露出している第２基板３４の表面を覆うように共通電極３５が形成されている点、
（４）第２実施形態の上電極２９に形成されているスリット３３は、第１実施形態のスリット３３のような「く」字状ではなく、信号線２１の延在方向と平行な直線となっている点、
である。
この第２実施形態の液晶表示装置１０Ｂは、図４に示すように、モノクロ表示のＦＦＳ
モードの表示領域１６Ｂと縦電界方式のＥＣＢモードの視野角制御領域１７Ｂを備えてい
る。表示用サブ画素１８Ｂ及び視野角制御用サブ画素１９Ｂの平面視した形状は、第１実
施形態の液晶表示装置１０Ａのように「く」字状でなく、矩形である。
モードの表示領域１６Ｂと縦電界方式のＥＣＢモードの視野角制御領域１７Ｂを備えてい
る。表示用サブ画素１８Ｂ及び視野角制御用サブ画素１９Ｂの平面視した形状は、第１実
施形態の液晶表示装置１０Ａのように「く」字状でなく、矩形である。
第２実施形態の液晶表示装置１０Ｂにおいては、視野角制御用サブ画素１９Ｂ側のアレイ基板ＡＲの構成は、第１実施形態の液晶表示装置１０Ａの視野角制御用サブ画素１９Ａ側のアレイ基板ＡＲの構成と同一である。したがって、第２実施形態の液晶表示装置１０Ｂの視野角制御用サブ画素１９Ｂでは、電極間絶縁膜２８、層間膜２６、パッシベーション膜２５を貫通してＴＦＴのドレイン電極Ｄにまで達するようにコンタクトホール３１が形成されている。それに対し、表示用サブ画素１８Ｂでは、層間膜２６、パッシベーション膜２５を貫通してＴＦＴのドレイン電極Ｄに達するコンタクトホール３１が形成されている。なお、第２実施形態の上電極２９に形成されているスリット３３は、信号線２１の延在方向と平行な直線となっているので、第１配向膜３２と第２配向膜３９のラビングの方向はスリット３３の延在方向に対して約５度傾斜している。
上述のように、第２実施形態の液晶表示装置１０Ｂにおいては、表示用サブ画素１８Ｂの上電極２９が共通電極として作動するので、表示用画素電極として作動する下電極２７よりも上電極２９が静電気防止用の共通電極３５に近いために、共通電極３５が表示用の電界に及ぼす影響がより少なくなる。
また、遮光部材３６が共通電極３５で覆われているので、共通電極３５が遮光部材３６
からの不純物の流出を防止することができる。これにより、第１実施形態の液晶表示装置
１０Ａで使用されていたオーバーコート層３８の削除が可能となる。
からの不純物の流出を防止することができる。これにより、第１実施形態の液晶表示装置
１０Ａで使用されていたオーバーコート層３８の削除が可能となる。
「第２実施形態の変形例］
なお、第２実施形態の液晶表示装置１０Ｂでは、視野角制御用サブ画素１９Ｂの視野角
制御用画素電極３０は電極間絶縁膜２８上に形成され、表示用サブ画素１８Ｂの上電極２
９も電極間絶縁膜２８上に形成されている例を示した。しかしながら、第２実施形態の液
晶表示装置１０Ｂでは視野角制御用サブ画素１９Ｂの視野角制御用画素電極３０を電極間
絶縁膜２８の下、すなわち、層間膜２６上に形成することもできる。この第２実施形態の
変形例の液晶表示装置１０Ｃを図７及び図８を用いて説明する。
なお、第２実施形態の液晶表示装置１０Ｂでは、視野角制御用サブ画素１９Ｂの視野角
制御用画素電極３０は電極間絶縁膜２８上に形成され、表示用サブ画素１８Ｂの上電極２
９も電極間絶縁膜２８上に形成されている例を示した。しかしながら、第２実施形態の液
晶表示装置１０Ｂでは視野角制御用サブ画素１９Ｂの視野角制御用画素電極３０を電極間
絶縁膜２８の下、すなわち、層間膜２６上に形成することもできる。この第２実施形態の
変形例の液晶表示装置１０Ｃを図７及び図８を用いて説明する。
なお、第２実施形態の変形例の液晶表示装置１０Ｃのカラーフィルタ基板ＣＦを透視し
て表した平面図は、図４と同一であるので、図示省略する。また、第２実施形態の変形例
の液晶表示装置１０Ｃが第２実施形態の液晶表示装置１０Ｂと構成が相違する点は、視野
角制御用画素電極３０を下電極２７と同じ層間膜２６上に形成した点のみであり、その他
の構成は全て第２実施形態の液晶表示装置１０Ｂと同一である。そこで、第２実施形態の
変形例の液晶表示装置１０Ｃが第２実施形態の液晶表示装置１０Ｂと構成が同一の部分に
は同一の参照符号を付与すると共に、添え字がある参照符号については添え字を「Ｃ」に
変え、その詳細な説明は省略する。
て表した平面図は、図４と同一であるので、図示省略する。また、第２実施形態の変形例
の液晶表示装置１０Ｃが第２実施形態の液晶表示装置１０Ｂと構成が相違する点は、視野
角制御用画素電極３０を下電極２７と同じ層間膜２６上に形成した点のみであり、その他
の構成は全て第２実施形態の液晶表示装置１０Ｂと同一である。そこで、第２実施形態の
変形例の液晶表示装置１０Ｃが第２実施形態の液晶表示装置１０Ｂと構成が同一の部分に
は同一の参照符号を付与すると共に、添え字がある参照符号については添え字を「Ｃ」に
変え、その詳細な説明は省略する。
この第２実施形態の変形例の液晶表示装置１０Ｃによれば、視野角制御用画素電極３０
及び下電極２７をそれぞれドレイン電極Ｄに電気的に接続させるためのコンタクトホール
３１を同時に形成することができ、しかも、視野角制御用画素電極３０及び下電極２７も
同時に形成できるので、製造工数を少なくすることができる。
及び下電極２７をそれぞれドレイン電極Ｄに電気的に接続させるためのコンタクトホール
３１を同時に形成することができ、しかも、視野角制御用画素電極３０及び下電極２７も
同時に形成できるので、製造工数を少なくすることができる。
［第３実施形態］
次に、第３実施形態の液晶表示装置１０Ｄを図９〜図１１を用いて説明する。図９〜図
１１は夫々第２実施形態の液晶表示装置１０Ｂにおける図４〜図６に対応する。そこで、
第３実施形態の液晶表示装置１０Ｄにおいては、第２実施形態の液晶表示装置１０Ｂと構
成が同一の部分については同一の参照符号を付与し、添え字がある参照符号については添
え字を「Ｄ」に変え、その詳細な説明は省略する。
次に、第３実施形態の液晶表示装置１０Ｄを図９〜図１１を用いて説明する。図９〜図
１１は夫々第２実施形態の液晶表示装置１０Ｂにおける図４〜図６に対応する。そこで、
第３実施形態の液晶表示装置１０Ｄにおいては、第２実施形態の液晶表示装置１０Ｂと構
成が同一の部分については同一の参照符号を付与し、添え字がある参照符号については添
え字を「Ｄ」に変え、その詳細な説明は省略する。
第３実施形態の液晶表示装置１０Ｄと第２実施形態の液晶表示装置１０Ｂの構成が相違
する点は、第２実施形態の液晶表示装置１０Ｂがモノクロ表示用のものであるのに対し、
第３実施形態の液晶表示装置１０Ｄはカラー表示用のものである点である。図９に示すよ
うに、液晶表示装置１０Ｄの１ピクセル１５Ｄは表示領域１６Ｄと、表示領域１６Ｄに隣
接して配設される視野角制御領域１７Ｄで構成されている。表示領域１６Ｄは例えばＲ（
赤）・Ｇ（緑）・Ｂ（青）の３色表示の表示用サブ画素１８Ｄで構成されている。視野角
制御領域１７Ｄは１つの視野角制御用サブ画素１９Ｄを備えている。
する点は、第２実施形態の液晶表示装置１０Ｂがモノクロ表示用のものであるのに対し、
第３実施形態の液晶表示装置１０Ｄはカラー表示用のものである点である。図９に示すよ
うに、液晶表示装置１０Ｄの１ピクセル１５Ｄは表示領域１６Ｄと、表示領域１６Ｄに隣
接して配設される視野角制御領域１７Ｄで構成されている。表示領域１６Ｄは例えばＲ（
赤）・Ｇ（緑）・Ｂ（青）の３色表示の表示用サブ画素１８Ｄで構成されている。視野角
制御領域１７Ｄは１つの視野角制御用サブ画素１９Ｄを備えている。
図１０及び図１１に示すように、第３実施形態の液晶表示装置１０Ｄの各表示用サブ画
素１８Ｄのアレイ基板ＡＲ側の構成は、実質的に第２実施形態の表示用サブ画素１８Ｂの
アレイ基板ＡＲの構成と実質的に同一である。第３実施形態のカラーフィルタ基板ＣＦは
第２透明基板３４の最下層に遮光部材３６が形成されており、表示用サブ画素１８Ｄには
、表示用サブ画素１８Ｄ毎に異なる色の光（例えばＲ、Ｇ、Ｂあるいは無色）を透過する
カラーフィルタ層３７が形成されている。そして、遮光部材３６とカラーフィルタ層３７
を覆うようにして共通電極３５が形成され、共通電極３５を覆うようにして第２配向膜３
９が形成されている。第２配向膜３９には第１配向膜３２とは逆方向のラビング処理がさ
れている。
素１８Ｄのアレイ基板ＡＲ側の構成は、実質的に第２実施形態の表示用サブ画素１８Ｂの
アレイ基板ＡＲの構成と実質的に同一である。第３実施形態のカラーフィルタ基板ＣＦは
第２透明基板３４の最下層に遮光部材３６が形成されており、表示用サブ画素１８Ｄには
、表示用サブ画素１８Ｄ毎に異なる色の光（例えばＲ、Ｇ、Ｂあるいは無色）を透過する
カラーフィルタ層３７が形成されている。そして、遮光部材３６とカラーフィルタ層３７
を覆うようにして共通電極３５が形成され、共通電極３５を覆うようにして第２配向膜３
９が形成されている。第２配向膜３９には第１配向膜３２とは逆方向のラビング処理がさ
れている。
この第３実施形態の液晶表示装置１０Ｄによれば、遮光部材３６とカラーフィルタ層３
７が共通電極３５で覆われているので、共通電極３５が遮光部材３６やカラーフィルタ層
３７からの不純物の流出を防止することができる。これにより、第１実施形態の液晶表示
装置１０Ａで使用されていたオーバーコート層の削除が可能となる。
７が共通電極３５で覆われているので、共通電極３５が遮光部材３６やカラーフィルタ層
３７からの不純物の流出を防止することができる。これにより、第１実施形態の液晶表示
装置１０Ａで使用されていたオーバーコート層の削除が可能となる。
なお、上記第１実施形態〜第３実施形態（第２実施形態の変形例も含む）の液晶表示装
置１０Ａ〜１０Ｄでは、表示用サブ画素がＦＦＳモードで作動する場合について説明した
。しかしながら、本発明は、視野角制御用サブ画素が縦電界方式で駆動されているもので
ある限り、表示用サブ画素がＩＰＳモードで作動する場合であっても同様の作用効果を奏
する。この場合、表示用サブ画素の画素電極及び共通電極が互いに電気的に絶縁された状
態で噛み合うようにくし歯状に形成されていればよく、かかる構成自体は既に周知である
のでその具体的構成についての説明は省略する。
置１０Ａ〜１０Ｄでは、表示用サブ画素がＦＦＳモードで作動する場合について説明した
。しかしながら、本発明は、視野角制御用サブ画素が縦電界方式で駆動されているもので
ある限り、表示用サブ画素がＩＰＳモードで作動する場合であっても同様の作用効果を奏
する。この場合、表示用サブ画素の画素電極及び共通電極が互いに電気的に絶縁された状
態で噛み合うようにくし歯状に形成されていればよく、かかる構成自体は既に周知である
のでその具体的構成についての説明は省略する。
１０Ａ〜１０Ｄ…液晶表示装置 １１Ａ〜１１Ｄ…液晶表示パネル １２…第１偏光板
１３…第２偏光板 １４…バックライト １５Ａ〜１５Ｄ…１ピクセル（１画素） １
６Ａ〜１６Ｄ…表示領域 １７Ａ〜１７Ｄ…視野角制御領域 １８Ａ〜１８Ｄ…表示用サ
ブ画素 １９Ａ〜１９Ｄ…視野角制御用サブ画素 ２０…走査線 ２１…信号線 ２２…
第１透明基板 ２３…ゲート絶縁膜 ２４…半導体層 ２５…パッシベーション膜 ２６
…層間膜 ２７…下電極 ２８…電極間絶縁膜 ２９…上電極 ３０…視野角制御用画素
電極 ３１…コンタクトホール ３２…第１配向膜 ３３…スリット ３４…第２透明基
板 ３５…共通電極 ３６…遮光部材 ３７…カラーフィルタ層 ３８…オーバーコート
層 ３９…第２配向膜 ＡＲ…アレイ基板 ＣＦ…カラーフィルタ基板 Ｄ…ドレイン電
極 Ｇ…ゲート電極 ＬＣ…液晶層 Ｓ…ソース電極 ＴＦＴ…薄膜トランジスタ
１３…第２偏光板 １４…バックライト １５Ａ〜１５Ｄ…１ピクセル（１画素） １
６Ａ〜１６Ｄ…表示領域 １７Ａ〜１７Ｄ…視野角制御領域 １８Ａ〜１８Ｄ…表示用サ
ブ画素 １９Ａ〜１９Ｄ…視野角制御用サブ画素 ２０…走査線 ２１…信号線 ２２…
第１透明基板 ２３…ゲート絶縁膜 ２４…半導体層 ２５…パッシベーション膜 ２６
…層間膜 ２７…下電極 ２８…電極間絶縁膜 ２９…上電極 ３０…視野角制御用画素
電極 ３１…コンタクトホール ３２…第１配向膜 ３３…スリット ３４…第２透明基
板 ３５…共通電極 ３６…遮光部材 ３７…カラーフィルタ層 ３８…オーバーコート
層 ３９…第２配向膜 ＡＲ…アレイ基板 ＣＦ…カラーフィルタ基板 Ｄ…ドレイン電
極 Ｇ…ゲート電極 ＬＣ…液晶層 Ｓ…ソース電極 ＴＦＴ…薄膜トランジスタ
Claims (3)
- 液晶層を挟持して対向配置された第１基板及び第２基板を有し、１ピクセル毎に表示用サブ画素と視野角制御用サブ画素が隣接配置された液晶表示装置であって、
前記第１基板は、前記表示用サブ画素には横電界方式で駆動される画素電極及び共通電極が形成されていると共に、前記視野角制御用サブ画素に視野角制御用電極を備え、
前記横電界方式で駆動される画素電極及び共通電極は、絶縁膜を挟んで形成された下側の画素電極と複数のスリットが形成された上側の共通電極とからなり、ＦＦＳモードで作動するものであり、
前記視野角制御用電極は前記下側の画素電極と同じ層に形成され、
前記第２基板の前記液晶層側には、前記表示用サブ画素及び前記視野角制御用サブ画素に跨って形成された透明導電性電極を備え、
前記第２基板は樹脂製遮光部材を有し、前記透明導電性電極は前記樹脂製遮光部材を含む前記第２基板の表面を覆うように成膜されている液晶表示装置。 - 前記液晶層の配向はホモジニアス配向であり、前記視野角制御用サブ画素における配向膜のラビング方向および該ラビング方向に対する液晶の光学軸方向が前記表示用サブ画素と同じとされている請求項１に記載の液晶表示装置。
- 前記透明導電性電極にはコモン電圧が印加されている請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
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| KR101870986B1 (ko) * | 2011-09-19 | 2018-06-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 제조방법 |
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| CN103268042B (zh) * | 2013-05-20 | 2015-11-25 | 昆山龙腾光电有限公司 | 液晶显示装置 |
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| CN108363245B (zh) * | 2018-01-31 | 2021-02-09 | 厦门天马微电子有限公司 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
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| CN110824763B (zh) * | 2019-11-06 | 2023-01-24 | 昆山龙腾光电股份有限公司 | 显示面板及制作方法和显示装置 |
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| JP4117148B2 (ja) * | 2002-05-24 | 2008-07-16 | 日本電気株式会社 | 半透過型液晶表示装置 |
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- 2009-06-30 US US12/494,676 patent/US8004644B2/en not_active Expired - Fee Related
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