JP2735099B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
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- G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に関
し、特に、階調反転が生じにくく、広い視野角を得られ
る液晶表示装置に関する。
し、特に、階調反転が生じにくく、広い視野角を得られ
る液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置には、液晶に電界を印加す
ることにより電界を印加する方式の一つとして、各電極
層にそれぞれ定常的に一定電圧信号を供給するスタティ
ック駆動方式がある。スタティック駆動方式は、装置が
大容量の表示の場合に、信号線層数が膨大な数となって
しまう。そこで、大容量の情報表示の際には、時分割し
て信号電圧を供給するマルチプレックス駆動方式が採用
される。
ることにより電界を印加する方式の一つとして、各電極
層にそれぞれ定常的に一定電圧信号を供給するスタティ
ック駆動方式がある。スタティック駆動方式は、装置が
大容量の表示の場合に、信号線層数が膨大な数となって
しまう。そこで、大容量の情報表示の際には、時分割し
て信号電圧を供給するマルチプレックス駆動方式が採用
される。
【０００３】マルチブレックス駆動方式の中でも、電極
層に与えた電荷が次フレームにまで保持するアクティブ
マトリクス方式が表示品位が高い方式として知られてい
る。さらに、アクティブマトリクス方式について、これ
を液晶に印加する電界の方向で分類すると、液晶を挟む
ガラス基板に電界を垂直に印加する方式と平行に印加す
る方式とがある。ガラス基板に平行に電界を印加する方
式（以後、ＩＰＳ方式と記す）は、例えば、特公昭６３
−２１９０７号公報にて開示されおり、広い視野角が得
られるために大型モニター用途に適している。本発明
は、ＩＰＳ方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置
を対象とする。
層に与えた電荷が次フレームにまで保持するアクティブ
マトリクス方式が表示品位が高い方式として知られてい
る。さらに、アクティブマトリクス方式について、これ
を液晶に印加する電界の方向で分類すると、液晶を挟む
ガラス基板に電界を垂直に印加する方式と平行に印加す
る方式とがある。ガラス基板に平行に電界を印加する方
式（以後、ＩＰＳ方式と記す）は、例えば、特公昭６３
−２１９０７号公報にて開示されおり、広い視野角が得
られるために大型モニター用途に適している。本発明
は、ＩＰＳ方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置
を対象とする。
【０００４】まず、従来のこの種の液晶表示装置の構造
を説明する。
を説明する。
【０００５】図８〜図１０は、この種の液晶表示装置の
一例の主に各画素の電極層構造を示す図である。図８は
平面図、図９は図８中の切断線Ｃ−Ｃ′による断面図、
図１０は図９中の薄膜トランジスタ（以後、一部を除い
てＴＦＴと記す）側基板部のみの平面図である。
一例の主に各画素の電極層構造を示す図である。図８は
平面図、図９は図８中の切断線Ｃ−Ｃ′による断面図、
図１０は図９中の薄膜トランジスタ（以後、一部を除い
てＴＦＴと記す）側基板部のみの平面図である。
【０００６】図８および図９において、この液晶表示装
置において、ＴＦＴ側ガラス基板１１１上には、共通電
極層１０５が形成され、映像信号線層１０２および画素
電極層１０３は絶縁膜１０６を介し形成される。これ
ら、電極層上は保護絶縁膜１０８で被覆され、その上に
は液晶層１０７を配向させるのに必要であるＴＦＴ側配
向膜１０９が塗布されラビング処理される。このように
して、ＴＦＴ側基板部２０１が構成される。一方、対向
側ガラス基板１１２上には遮光用の不透明金属膜１０
１′がマトリクス状に設けられ、その上に液晶層１０７
を配向させるのに必要である対向側配向膜１１０が塗布
されラビング処理される。ラビング方向はＴＦＴ側基板
部２０１に施した方向と同方向である。このようにし、
対向側基板部２０２が作成される。ＴＦＴ側基板部２０
１と対向側基板部２０２の間には、液晶層１０７が封入
される。最後に、ＴＦＴ側ガラス基板１１１の電極層パ
ターンを形成しない面には偏光板がラビング方向に透過
軸が一致するよう貼りつけられ、対向側ガラス基板１１
２の不透明金属膜１０１′が存在しない側には対向側偏
光板１１４が、透過軸がＴＦＴ側偏光板１１３の透過軸
方向と直交するように貼りつけられる。以上により、液
晶表示装置が完成する。
置において、ＴＦＴ側ガラス基板１１１上には、共通電
極層１０５が形成され、映像信号線層１０２および画素
電極層１０３は絶縁膜１０６を介し形成される。これ
ら、電極層上は保護絶縁膜１０８で被覆され、その上に
は液晶層１０７を配向させるのに必要であるＴＦＴ側配
向膜１０９が塗布されラビング処理される。このように
して、ＴＦＴ側基板部２０１が構成される。一方、対向
側ガラス基板１１２上には遮光用の不透明金属膜１０
１′がマトリクス状に設けられ、その上に液晶層１０７
を配向させるのに必要である対向側配向膜１１０が塗布
されラビング処理される。ラビング方向はＴＦＴ側基板
部２０１に施した方向と同方向である。このようにし、
対向側基板部２０２が作成される。ＴＦＴ側基板部２０
１と対向側基板部２０２の間には、液晶層１０７が封入
される。最後に、ＴＦＴ側ガラス基板１１１の電極層パ
ターンを形成しない面には偏光板がラビング方向に透過
軸が一致するよう貼りつけられ、対向側ガラス基板１１
２の不透明金属膜１０１′が存在しない側には対向側偏
光板１１４が、透過軸がＴＦＴ側偏光板１１３の透過軸
方向と直交するように貼りつけられる。以上により、液
晶表示装置が完成する。
【０００７】次に、動作について説明する。
【０００８】図１０に示す走査信号線１１５のＯＮ／Ｏ
ＦＦ信号により、半導体層１１６を含む薄膜トランジス
タ１１７がスイッチングし、薄膜トランジスタ１１７が
ＯＮであるときは、映像信号線層１０２から電荷が画素
電極層１０３に流れ込む。薄膜トランジスタ１１７をＯ
ＦＦした後には、電荷を保持し、ある一定の電位を保
つ。共通電極層１０５には、常時一定の直流電圧が印加
されており、画素電リタデーションを変化させる。この
液晶層１０７のリタデーション変化と偏光板の光学特性
により、画素電極層１０３と共通電極層１０５との間の
ごとく横電界が適切に印加できない部位は、所望の透過
率を得ることができないが、この部分は図９に示すよう
に対向側基板部２０２で不透明金属膜１０１′をマトリ
クス状に形成することにより光漏れがないようにしてい
る。
ＦＦ信号により、半導体層１１６を含む薄膜トランジス
タ１１７がスイッチングし、薄膜トランジスタ１１７が
ＯＮであるときは、映像信号線層１０２から電荷が画素
電極層１０３に流れ込む。薄膜トランジスタ１１７をＯ
ＦＦした後には、電荷を保持し、ある一定の電位を保
つ。共通電極層１０５には、常時一定の直流電圧が印加
されており、画素電リタデーションを変化させる。この
液晶層１０７のリタデーション変化と偏光板の光学特性
により、画素電極層１０３と共通電極層１０５との間の
ごとく横電界が適切に印加できない部位は、所望の透過
率を得ることができないが、この部分は図９に示すよう
に対向側基板部２０２で不透明金属膜１０１′をマトリ
クス状に形成することにより光漏れがないようにしてい
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ここで、問題となる現
象について、以下に一例を用いて説明する。
象について、以下に一例を用いて説明する。
【００１０】図１１に示すような、背景色として視感性
の高い中間調に、白い窓表示をした場合には、中間調表
示部内で輝度むらが生じる。図１１中のａ、ｂ、ｃ点
は、輝度の高い順にａ＞ｂ＞ｃとなる。この現象は、次
のように説明される。白窓を表示するｎ＋ｘ番目の映像
信号線層の電位は図１２（ａ）のようになっており、中
間調を表示するｎ番目の映像信号線層は図１２（ｂ）の
ようになっている。単位画素についてＴＦＴ側基板部２
０１と対向側基板部２０２との容量結合図を図１３に示
す。また、図８中の切断線Ｄ−Ｄ″による断面図（要部
のみを示す）を図１５に示す。映像信号線層１０２とマ
トリクス状に形成された不透明金属膜１０１′との容量
結合ＣD-BMにより、不透明金属膜１０１′の電位は映像
信号線層１０２の電位変動により変調を受ける。これに
より、液晶層１０７に作用する横電界は乱される。ま
た、不透明金属膜１０１′の変動は、画素電極層１０３
の容量結合Ｃpi-BM により、不透明金属膜１０１′の変
動は画素電極層１０３を変調させる。これにより、画素
電極層電位が適切に印加できず、所望の輝度が得られな
くなる。以上の現象を簡単にまとめると、図１６のよう
になる。
の高い中間調に、白い窓表示をした場合には、中間調表
示部内で輝度むらが生じる。図１１中のａ、ｂ、ｃ点
は、輝度の高い順にａ＞ｂ＞ｃとなる。この現象は、次
のように説明される。白窓を表示するｎ＋ｘ番目の映像
信号線層の電位は図１２（ａ）のようになっており、中
間調を表示するｎ番目の映像信号線層は図１２（ｂ）の
ようになっている。単位画素についてＴＦＴ側基板部２
０１と対向側基板部２０２との容量結合図を図１３に示
す。また、図８中の切断線Ｄ−Ｄ″による断面図（要部
のみを示す）を図１５に示す。映像信号線層１０２とマ
トリクス状に形成された不透明金属膜１０１′との容量
結合ＣD-BMにより、不透明金属膜１０１′の電位は映像
信号線層１０２の電位変動により変調を受ける。これに
より、液晶層１０７に作用する横電界は乱される。ま
た、不透明金属膜１０１′の変動は、画素電極層１０３
の容量結合Ｃpi-BM により、不透明金属膜１０１′の変
動は画素電極層１０３を変調させる。これにより、画素
電極層電位が適切に印加できず、所望の輝度が得られな
くなる。以上の現象を簡単にまとめると、図１６のよう
になる。
【００１１】この従来例をも含め、従来の液晶表示装置
では、対向側基板部２０２の不透明電極層１０１′がマ
トリクス状に形成されているため、不透明金属電位の変
調は、変調点を中心に同心円状に波及する。図１１中の
点ａ、ｂ、ｃでの不透明金属電位を図１４（ａ）〜
（ｃ）に示す。これによる横電界の乱れが輝度むらの原
因となる。この問題を解決する方法として、対向側基板
部２０２に設置する遮光膜として不透明金属膜ではな
く、非導電性の樹脂膜で形成する方式が特開平７−２３
００７４号公報にて開示されている。しかし、樹脂の場
合に、十分な遮光をなすためには、金属膜の１０倍程度
の膜厚が必要であり、この程度の膜厚になると、形成箇
所と他の箇所との段差による液晶のディスクリネーショ
ン（転傾）が発生しやすくなり、残像が生じるという問
題点がある。
では、対向側基板部２０２の不透明電極層１０１′がマ
トリクス状に形成されているため、不透明金属電位の変
調は、変調点を中心に同心円状に波及する。図１１中の
点ａ、ｂ、ｃでの不透明金属電位を図１４（ａ）〜
（ｃ）に示す。これによる横電界の乱れが輝度むらの原
因となる。この問題を解決する方法として、対向側基板
部２０２に設置する遮光膜として不透明金属膜ではな
く、非導電性の樹脂膜で形成する方式が特開平７−２３
００７４号公報にて開示されている。しかし、樹脂の場
合に、十分な遮光をなすためには、金属膜の１０倍程度
の膜厚が必要であり、この程度の膜厚になると、形成箇
所と他の箇所との段差による液晶のディスクリネーショ
ン（転傾）が発生しやすくなり、残像が生じるという問
題点がある。
【００１２】本発明の課題は、ＴＦＴ基板側の映像信号
電圧の変位により不透明金属膜が変調を受け、その変調
が同心円状に波及することよって表示画面のある一部の
パターンが他部に影響することを抑制した液晶表示装置
を提供することである。
電圧の変位により不透明金属膜が変調を受け、その変調
が同心円状に波及することよって表示画面のある一部の
パターンが他部に影響することを抑制した液晶表示装置
を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、第１の
ガラス基板と、該第１のガラス基板上に配された画素電
極層、薄膜トランジスタ、および信号線層とを含む薄膜
トランジスタ側基板部と、前記第１のガラス基板に対向
して配された第２のガラス基板と、該第２のガラス基板
上にマトリクス状に配された遮光用の不透明金属膜とを
含む対向側基板部と、前記薄膜トランジスタ側基板部の
前記対向側基板部を臨む板面に配された薄膜トランジス
タ側配向膜と、前記対向側基板部の前記薄膜トランジス
タ側基板部を臨む板面に配された対向側配向膜と、両配
向膜間にて保持された液晶層と、両基板部の外側板面に
配された偏光手段とを有するアクティブマトリクス型の
液晶表示装置において、マトリクス状の前記不透明金属
膜は、その各一枠が電気的に独立した複数の短冊部が集
合してなるものであることを特徴とする液晶表示装置が
得られる。
ガラス基板と、該第１のガラス基板上に配された画素電
極層、薄膜トランジスタ、および信号線層とを含む薄膜
トランジスタ側基板部と、前記第１のガラス基板に対向
して配された第２のガラス基板と、該第２のガラス基板
上にマトリクス状に配された遮光用の不透明金属膜とを
含む対向側基板部と、前記薄膜トランジスタ側基板部の
前記対向側基板部を臨む板面に配された薄膜トランジス
タ側配向膜と、前記対向側基板部の前記薄膜トランジス
タ側基板部を臨む板面に配された対向側配向膜と、両配
向膜間にて保持された液晶層と、両基板部の外側板面に
配された偏光手段とを有するアクティブマトリクス型の
液晶表示装置において、マトリクス状の前記不透明金属
膜は、その各一枠が電気的に独立した複数の短冊部が集
合してなるものであることを特徴とする液晶表示装置が
得られる。
【００１４】本発明によればまた、隣り合う前記短冊部
間下に、その間隔以上の寸法の前記信号線層を配したこ
とを特徴とする前記液晶表示装置が得られる。
間下に、その間隔以上の寸法の前記信号線層を配したこ
とを特徴とする前記液晶表示装置が得られる。
【００１５】本発明によればさらに、隣り合う前記短冊
部間に、非導電性の不透明樹脂膜を配したことを特徴と
する前記液晶表示装置が得られる。
部間に、非導電性の不透明樹脂膜を配したことを特徴と
する前記液晶表示装置が得られる。
【００１６】本発明によればまた、隣り合う前記短冊部
間は、前記画素電極と前記信号線層との間の上に位置す
ることを特徴とする前記液晶表示装置が得られる。
間は、前記画素電極と前記信号線層との間の上に位置す
ることを特徴とする前記液晶表示装置が得られる。
【００１７】即ち、本発明では、対向側基板部に設置さ
れている不透明金属膜（遮光パターン）を、少くとも画
素毎に電気的に切り離し、ある画素の映像信号線層の電
位の変動がその映像信号線層に対向する不透明金属膜と
の容量結合により他画素に影響を与えることを抑制す
る。
れている不透明金属膜（遮光パターン）を、少くとも画
素毎に電気的に切り離し、ある画素の映像信号線層の電
位の変動がその映像信号線層に対向する不透明金属膜と
の容量結合により他画素に影響を与えることを抑制す
る。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施の形態による液晶表示装置を説明する。
実施の形態による液晶表示装置を説明する。
【００１９】［実施の形態１］図１は、本発明の実施の
形態１による液晶表示装置の要部を示す図である。尚、
本実施の形態において、従来例と同一部または同様部に
ついては、図示および詳細な説明を省略する。ただし、
以下の説明において、必要に応じて、従来例の図面のい
ずれかを参照する。
形態１による液晶表示装置の要部を示す図である。尚、
本実施の形態において、従来例と同一部または同様部に
ついては、図示および詳細な説明を省略する。ただし、
以下の説明において、必要に応じて、従来例の図面のい
ずれかを参照する。
【００２０】図１において、本液晶表示装置は、従来例
と同様に、第１のガラス基板としてのＴＦＴ側ガラス基
板（図示せず）と、ＴＦＴ側ガラス基板上に配された共
通電極層１０５、画素電極層１０３、薄膜トランジスタ
（図示せず）、ならびに映像信号線層１０２および走査
信号線層（図示せず）とを含むＴＦＴ側基板部と、ＴＦ
Ｔ側ガラス基板に対向して配された第２のガラス基板と
しての対向側ガラス基板（図示せず）と、対向側ガラス
基板上にマトリクス状に配された遮光用の不透明金属膜
とを含む対向側基板部と、ＴＦＴ側基板部の対向側基板
部を臨む板面に配されたＴＦＴ側配向膜（図示せず）
と、対向側基板部のＴＦＴ側基板部を臨む板面に配され
た対向側配向膜（図示せず）と、両配向膜間にて保持さ
れた液晶層（図示せず）と、両基板部の外側板面に配さ
れた偏光手段（図示せず）とを有するアクティブマトリ
クス型の液晶表示装置である。
と同様に、第１のガラス基板としてのＴＦＴ側ガラス基
板（図示せず）と、ＴＦＴ側ガラス基板上に配された共
通電極層１０５、画素電極層１０３、薄膜トランジスタ
（図示せず）、ならびに映像信号線層１０２および走査
信号線層（図示せず）とを含むＴＦＴ側基板部と、ＴＦ
Ｔ側ガラス基板に対向して配された第２のガラス基板と
しての対向側ガラス基板（図示せず）と、対向側ガラス
基板上にマトリクス状に配された遮光用の不透明金属膜
とを含む対向側基板部と、ＴＦＴ側基板部の対向側基板
部を臨む板面に配されたＴＦＴ側配向膜（図示せず）
と、対向側基板部のＴＦＴ側基板部を臨む板面に配され
た対向側配向膜（図示せず）と、両配向膜間にて保持さ
れた液晶層（図示せず）と、両基板部の外側板面に配さ
れた偏光手段（図示せず）とを有するアクティブマトリ
クス型の液晶表示装置である。
【００２１】本実施の形態において、マトリクス状の不
透明金属膜は、その各一枠が電気的に独立した２つの短
冊部１０１ａおよび２つの短冊部１０１ｂが集合してな
るものである。隣り合う短冊部、即ち、２つの短冊部１
０１ａ間ならびに短冊部１０１ａと短冊部１０１ｂとの
間の各隙間は、ＴＦＴ側基板上に設けられた映像信号線
層１０２により遮光されている。このため、この箇所か
らの光漏れはない。他の構造は、従来技術と同様であ
る。
透明金属膜は、その各一枠が電気的に独立した２つの短
冊部１０１ａおよび２つの短冊部１０１ｂが集合してな
るものである。隣り合う短冊部、即ち、２つの短冊部１
０１ａ間ならびに短冊部１０１ａと短冊部１０１ｂとの
間の各隙間は、ＴＦＴ側基板上に設けられた映像信号線
層１０２により遮光されている。このため、この箇所か
らの光漏れはない。他の構造は、従来技術と同様であ
る。
【００２２】実施の形態１における単位画素について、
ＴＦＴ側基板部と対向側基板部との容量結合図を図２に
示す。図２において、図１１に示した画面を表示したと
きの映像信号線層１０２の電位は、従来例と同様に、白
窓を表示するｎ＋ｘ番目の映像信号線層の電位は図１２
（ａ）のようになっており、中間調を表示するｎ番目の
映像信号線層は図１２（ｂ）のようになっている。
ＴＦＴ側基板部と対向側基板部との容量結合図を図２に
示す。図２において、図１１に示した画面を表示したと
きの映像信号線層１０２の電位は、従来例と同様に、白
窓を表示するｎ＋ｘ番目の映像信号線層の電位は図１２
（ａ）のようになっており、中間調を表示するｎ番目の
映像信号線層は図１２（ｂ）のようになっている。
【００２３】ただし、本実施の形態では、各映像信号線
層１０２の変動に因る不透明金属膜（短冊部１０１ａ、
１０１ｂ）のａ、ｂ、ｃ点（図１１）での電位変調は、
図４のようになる。各点では、すぐ下の映像信号線層１
０２の影響のみを受けており、離れた映像信号線層１０
２の影響を受けていないことがわかる。しかも、図１の
切断線Ａ−Ａ′による断面図である図３からわかるよう
に、容量結合ＣD-BMの大きさは、映像信号線層１０２と
不透明金属膜とのオーバーラップが減ったために小さく
なっており、従来技術と比較して、不透明金属膜の映像
信号線層１０２による変調は小さくなっている。即ち、
横電界の乱れによる不均一性は、結局白窓を出した上下
が他の部分よりもやや明るくなる程度であり、表示画面
は、従来と比較して、表示パターンの影響を受けなくな
る。このため、均一性が増して画質が向上する。
層１０２の変動に因る不透明金属膜（短冊部１０１ａ、
１０１ｂ）のａ、ｂ、ｃ点（図１１）での電位変調は、
図４のようになる。各点では、すぐ下の映像信号線層１
０２の影響のみを受けており、離れた映像信号線層１０
２の影響を受けていないことがわかる。しかも、図１の
切断線Ａ−Ａ′による断面図である図３からわかるよう
に、容量結合ＣD-BMの大きさは、映像信号線層１０２と
不透明金属膜とのオーバーラップが減ったために小さく
なっており、従来技術と比較して、不透明金属膜の映像
信号線層１０２による変調は小さくなっている。即ち、
横電界の乱れによる不均一性は、結局白窓を出した上下
が他の部分よりもやや明るくなる程度であり、表示画面
は、従来と比較して、表示パターンの影響を受けなくな
る。このため、均一性が増して画質が向上する。
【００２４】このように、本実施の形態による液晶表示
装置によれば、容量結合ＣD-BMが小さくなることによっ
て遮光用の不透明金属膜の電位の変調が小さくなる点
と、不透明金属膜の配置を短冊状にすることによって電
圧波及効果の抑制がなされる点との２点により、画質が
向上する。
装置によれば、容量結合ＣD-BMが小さくなることによっ
て遮光用の不透明金属膜の電位の変調が小さくなる点
と、不透明金属膜の配置を短冊状にすることによって電
圧波及効果の抑制がなされる点との２点により、画質が
向上する。
【００２５】［実施の形態２］図５は、本発明の実施の
形態２による液晶表示装置の要部を示す図である。尚、
本実施の形態においても、従来例と同一部または同様部
については、図示および詳細な説明を省略する。また、
以下の説明において、必要に応じて、従来例の図面のい
ずれかを参照する。
形態２による液晶表示装置の要部を示す図である。尚、
本実施の形態においても、従来例と同一部または同様部
については、図示および詳細な説明を省略する。また、
以下の説明において、必要に応じて、従来例の図面のい
ずれかを参照する。
【００２６】図５において、本液晶表示装置も、従来例
と同様に、共通電極層１０５と、画素電極層１０３と、
対向側ガラス基板上にマトリクス状に配された遮光用の
不透明金属膜とを有するアクティブマトリクス型の液晶
表示装置である。
と同様に、共通電極層１０５と、画素電極層１０３と、
対向側ガラス基板上にマトリクス状に配された遮光用の
不透明金属膜とを有するアクティブマトリクス型の液晶
表示装置である。
【００２７】本実施の形態において、マトリクス状の不
透明金属膜は、その各一枠が電気的に独立した２つの短
冊部１０１ｃおよび２つの短冊部１０１ｄが集合してな
るものである。隣り合う短冊部１０１ｃと短冊部１０１
ｄとの間には、非導電性の不透明樹脂膜１０４が形成さ
れている。このため、この箇所からの光漏れはない。他
の構造は、従来例と同様である。
透明金属膜は、その各一枠が電気的に独立した２つの短
冊部１０１ｃおよび２つの短冊部１０１ｄが集合してな
るものである。隣り合う短冊部１０１ｃと短冊部１０１
ｄとの間には、非導電性の不透明樹脂膜１０４が形成さ
れている。このため、この箇所からの光漏れはない。他
の構造は、従来例と同様である。
【００２８】実施の形態２での単位画素について、ＴＦ
Ｔ側基板部と対向側基板部との容量結合図を図６に示
す。また、図５の切断線Ｂ−Ｂ′による断面図を図７に
示す。図１１に示した画面を表示したときの映像信号線
層１０２の電位変動に因る不透明金属膜（短冊部１０１
ｃ、短冊部１０１ｄ）の変調は、実施の形態１と同様
に、図４のようになる。
Ｔ側基板部と対向側基板部との容量結合図を図６に示
す。また、図５の切断線Ｂ−Ｂ′による断面図を図７に
示す。図１１に示した画面を表示したときの映像信号線
層１０２の電位変動に因る不透明金属膜（短冊部１０１
ｃ、短冊部１０１ｄ）の変調は、実施の形態１と同様
に、図４のようになる。
【００２９】ただし、図７からわかるように、隣り合う
短冊部１０１ｃと短冊部１０１ｄとの間は、画素電極層
１０３と映像信号線層１０２との間の上に位置している
おり、映像信号線層１０２上の不透明金属膜の電位の容
量結合ＣD-BMを介しての変調は、不透明金属膜と画素電
極層１０３との容量結合が無視できるほど小さいため、
画素電極層１０３はほとんど変調を受けない。このた
め、不透明金属膜の変調が画素電極層１０３の電位に影
響することは、ほぼなくなり、横電界を乱すのは不透明
金属膜が電位を持つ効果のみとなり、実施の形態１に比
べ、パターンを表示した際に他の部分にパターンの影響
が現れなくなり、さらに画質が向上する。
短冊部１０１ｃと短冊部１０１ｄとの間は、画素電極層
１０３と映像信号線層１０２との間の上に位置している
おり、映像信号線層１０２上の不透明金属膜の電位の容
量結合ＣD-BMを介しての変調は、不透明金属膜と画素電
極層１０３との容量結合が無視できるほど小さいため、
画素電極層１０３はほとんど変調を受けない。このた
め、不透明金属膜の変調が画素電極層１０３の電位に影
響することは、ほぼなくなり、横電界を乱すのは不透明
金属膜が電位を持つ効果のみとなり、実施の形態１に比
べ、パターンを表示した際に他の部分にパターンの影響
が現れなくなり、さらに画質が向上する。
【００３０】対向側基板部２０２に設けられた非導電性
の不透明樹脂膜１０４、面積的に小さいためディスクリ
ネーションの発生による残像の問題は生じない。
の不透明樹脂膜１０４、面積的に小さいためディスクリ
ネーションの発生による残像の問題は生じない。
【００３１】このように、本実施の形態による液晶表示
装置によれば、容量結合Ｃpi-BM がほぼ０であることに
よって対向側の不透明金属膜の電位の変調を画素電極層
１０３が受けない点と、不透明金属膜の配置を短冊状に
することによって電圧波及効果の抑制がなされる点との
２点により、画質が向上する。
装置によれば、容量結合Ｃpi-BM がほぼ０であることに
よって対向側の不透明金属膜の電位の変調を画素電極層
１０３が受けない点と、不透明金属膜の配置を短冊状に
することによって電圧波及効果の抑制がなされる点との
２点により、画質が向上する。
【００３２】
【発明の効果】本発明による液晶表示装置は、マトリク
ス状の不透明金属膜が、その各一枠が電気的に独立した
複数の短冊部が集合してなるものであるため、対向側基
板部上の遮光用の不透明金属膜を画素毎に電気的に切り
離すことにより、表示面内において、他の部分が表示パ
ターンの影響を受けない、所望の画像を得ることがで
き、表示品位が高く、視角特性が良好である。
ス状の不透明金属膜が、その各一枠が電気的に独立した
複数の短冊部が集合してなるものであるため、対向側基
板部上の遮光用の不透明金属膜を画素毎に電気的に切り
離すことにより、表示面内において、他の部分が表示パ
ターンの影響を受けない、所望の画像を得ることがで
き、表示品位が高く、視角特性が良好である。
【図１】本発明の実施の形態１による液晶表示装置の単
位画素の平面図である。
位画素の平面図である。
【図２】本発明の実施の形態１による液晶表示装置の電
気的特性を説明するための概略的な斜視図である。
気的特性を説明するための概略的な斜視図である。
【図３】本発明の実施の形態１による液晶表示装置の電
気的特性を説明するための概略的な断面図である。
気的特性を説明するための概略的な断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１による液晶表示装置のブ
ラックマトリクス電位の時間変化を示す図である。
ラックマトリクス電位の時間変化を示す図である。
【図５】本発明の実施の形態２による液晶表示装置の単
位画素の平面図である。
位画素の平面図である。
【図６】本発明の実施の形態２による液晶表示装置の電
気的特性を説明するための概略的な斜視図である。
気的特性を説明するための概略的な斜視図である。
【図７】本発明の実施の形態２による液晶表示装置の電
気的特性を説明するための概略的な断面図である。
気的特性を説明するための概略的な断面図である。
【図８】従来例による液晶表示装置における単位画素の
平面図である。
平面図である。
【図９】図８における切断線Ｃ−Ｃ´による断面図であ
る。
る。
【図１０】図８に示す単位画素のＴＦＴ基板側の概略的
な平面図である。
な平面図である。
【図１１】従来例による液晶表示装置における技術で画
質が悪化する表示画面の一例を示す図である。
質が悪化する表示画面の一例を示す図である。
【図１２】図１１に示した３点の位置における不透明金
属膜の電位変化を示す波形図である。
属膜の電位変化を示す波形図である。
【図１３】従来例による液晶表示装置における電気的特
性を説明するための概略的な斜視図である。
性を説明するための概略的な斜視図である。
【図１４】従来例による液晶表示装置におけるブラック
マトリクス電位の時間変化を示す図である。
マトリクス電位の時間変化を示す図である。
【図１５】従来例による液晶表示装置における電気的特
性を説明するための概略的な断面図である。
性を説明するための概略的な断面図である。
【図１６】従来例による液晶表示装置における画質低下
現象を説明するための図である。
現象を説明するための図である。
１０１´ 不透明金属膜 １０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃ、１０１ｄ 短冊部 １０２ 映像信号線層 １０３ 画素電極層 １０４ 不透明樹脂膜 １０５ 共通電極層 １０６ 絶縁膜 １０７ 液晶層 １０８ 保護絶縁膜 １０９ ＴＦＴ側配向膜 １１０ 対向側配向膜 １１１ ＴＦＴ側ガラス基板 １１２ 対向側ガラス基板 １１３ ＴＦＴ側偏光板 １１４ 対向側偏光板 １１５ 走査信号線層 １１６ 半導体膜 １１７ 薄膜トランジスタ ２０１ ＴＦＴ側基板部 ２０２ 対向側基板部
Claims (4)
- 【請求項１】 第１のガラス基板と、該第１のガラス基
板上に配された画素電極層、薄膜トランジスタ、および
信号線層とを含む薄膜トランジスタ側基板部と、前記第
１のガラス基板に対向して配された第２のガラス基板
と、該第２のガラス基板上にマトリクス状に配された遮
光用の不透明金属膜とを含む対向側基板部と、前記薄膜
トランジスタ側基板部の前記対向側基板部を臨む板面に
配された薄膜トランジスタ側配向膜と、前記対向側基板
部の前記薄膜トランジスタ側基板部を臨む板面に配され
た対向側配向膜と、両配向膜間にて保持された液晶層
と、両基板部の外側板面に配された偏光手段とを有する
アクティブマトリクス型の液晶表示装置において、マト
リクス状の前記不透明金属膜は、その各一枠が電気的に
独立した複数の短冊部が集合してなるものであることを
特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 隣り合う前記短冊部間下に、その間隔以
上の寸法の前記信号線層を配したことを特徴とする請求
項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 隣り合う前記短冊部間に、非導電性の不
透明樹脂膜を配したことを特徴とする請求項１に記載の
液晶表示装置。 - 【請求項４】 隣り合う前記短冊部間は、前記画素電極
層と前記信号線層との間の上に位置することを特徴とす
る請求項３に記載の液晶表示装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14902396A JP2735099B2 (ja) | 1996-06-11 | 1996-06-11 | 液晶表示装置 |
| KR1019970023766A KR100265498B1 (ko) | 1996-06-11 | 1997-06-10 | 휘도불균일을유발하지않으며고신뢰성의디스플레이를제공할수있는액정디스플레이 |
| US08/872,739 US5995182A (en) | 1996-06-11 | 1997-06-11 | Liquid crystal display with light shield containing discontinuous metal pattern and nonconductive opaque resin |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14902396A JP2735099B2 (ja) | 1996-06-11 | 1996-06-11 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09329805A JPH09329805A (ja) | 1997-12-22 |
| JP2735099B2 true JP2735099B2 (ja) | 1998-04-02 |
Family
ID=15465988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14902396A Expired - Lifetime JP2735099B2 (ja) | 1996-06-11 | 1996-06-11 | 液晶表示装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5995182A (ja) |
| JP (1) | JP2735099B2 (ja) |
| KR (1) | KR100265498B1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10325961A (ja) * | 1994-03-17 | 1998-12-08 | Hitachi Ltd | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| US6266117B1 (en) * | 1995-09-14 | 2001-07-24 | Hiatchi, Ltd | Active-matrix liquid crystal display |
| JP3685869B2 (ja) | 1996-05-08 | 2005-08-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| KR100477130B1 (ko) * | 1997-09-25 | 2005-08-29 | 삼성전자주식회사 | 평면구동방식액정표시장치의박막트랜지스터기판및제조방법 |
| JP4130490B2 (ja) | 1997-10-16 | 2008-08-06 | 三菱電機株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP3479696B2 (ja) * | 1997-12-08 | 2003-12-15 | ビオイ−ハイディス テクノロジー カンパニー リミテッド | 液晶表示装置 |
| KR100293808B1 (ko) * | 1997-12-17 | 2001-10-24 | 박종섭 | 색띰방지용액정표시장치 |
| US6310675B1 (en) * | 1997-12-22 | 2001-10-30 | Zvi Yaniv | Liquid crystal display |
| JP3267224B2 (ja) * | 1997-12-26 | 2002-03-18 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| GB9811477D0 (en) * | 1998-05-29 | 1998-07-29 | Sharp Kk | Liquid crystal device |
| KR100859232B1 (ko) * | 2000-04-05 | 2008-09-18 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 액정표시패널 |
| CN100432802C (zh) * | 2000-04-05 | 2008-11-12 | 松下电器产业株式会社 | 液晶显示板 |
| KR100730495B1 (ko) * | 2000-12-15 | 2007-06-20 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| US6882395B2 (en) * | 2001-10-19 | 2005-04-19 | Industrial Technology Research Institute | Wide viewing angle fringe field multi-domain aligned LCD with electrically conductive grids and method for fabricating |
| JP4047586B2 (ja) * | 2002-01-10 | 2008-02-13 | Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 | 横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| JP4380570B2 (ja) * | 2005-03-25 | 2009-12-09 | エプソンイメージングデバイス株式会社 | 液晶装置及び電子機器 |
| KR101189275B1 (ko) * | 2005-08-26 | 2012-10-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
| JP5301251B2 (ja) * | 2008-11-27 | 2013-09-25 | 株式会社ジャパンディスプレイウェスト | 液晶表示装置 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59129832A (ja) * | 1983-01-18 | 1984-07-26 | Canon Inc | 光学変調装置 |
| JPH0750381B2 (ja) * | 1984-12-20 | 1995-05-31 | キヤノン株式会社 | カラー液晶表示装置 |
| FI74871B (fi) * | 1986-06-26 | 1987-12-31 | Sinisalo Sport Oy | Skyddsklaede. |
| US5032883A (en) * | 1987-09-09 | 1991-07-16 | Casio Computer Co., Ltd. | Thin film transistor and method of manufacturing the same |
| JPH0610702B2 (ja) * | 1987-11-18 | 1994-02-09 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | カラー液晶表示装置およびその製造方法 |
| JPH0322221U (ja) * | 1989-07-14 | 1991-03-07 | ||
| KR930002921B1 (ko) * | 1989-12-30 | 1993-04-15 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시장치의 칼라필터 |
| DE69333323T2 (de) * | 1992-09-18 | 2004-09-16 | Hitachi, Ltd. | Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung |
| JPH07230074A (ja) * | 1994-02-21 | 1995-08-29 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| KR0163933B1 (ko) * | 1995-01-27 | 1999-01-15 | 김광호 | 박막트랜지스터 액정 디스플레이의 기생용량 및 축적용량의 구조 및 그 제조 방법 |
-
1996
- 1996-06-11 JP JP14902396A patent/JP2735099B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-06-10 KR KR1019970023766A patent/KR100265498B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-06-11 US US08/872,739 patent/US5995182A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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|---|---|
| JPH09329805A (ja) | 1997-12-22 |
| KR980003719A (ko) | 1998-03-30 |
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| US5995182A (en) | 1999-11-30 |
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