JP5258603B2

JP5258603B2 - 液晶表示装置

Info

Publication number: JP5258603B2
Application number: JP2009019186A
Authority: JP
Inventors: 城治西村
Original assignee: 株式会社ジャパンディスプレイウェスト
Priority date: 2009-01-30
Filing date: 2009-01-30
Publication date: 2013-08-07
Anticipated expiration: 2029-01-30
Also published as: JP2010175886A

Description

本発明はＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードの液晶表示装置に関し、特に、カラ
ーフィルター基板の内面側に静電気防止用の透明導電性電極を形成しても透過率低下を抑
制することができるＦＦＳモードの液晶表示装置に関する。

液晶表示装置はＣＲＴ（陰極線管）と比較して軽量、薄型、低消費電力という特徴があ
るため、表示用として多くの電子機器に使用されている。液晶表示装置は、所定方向に整
列した液晶分子の向きを電界により変えて、液晶層の光の透過量を変化させて画像を表示
させるものである。これには外光が液晶層に入射し、反射板で反射されて再び液晶層を透
過して出射される反射型のものと、バックライト装置からの入射光が液晶層を透過する透
過型のものと、その両方の性質を備えた半透過型のものとがある。

また、液晶表示装置の液晶層に電界を印加する方法として、縦電界方式のものと横電界
方式のものとがある。縦電界方式の液晶表示装置は、液晶層を挟んで配置される一対の電
極により、概ね縦方向の電界を液晶分子に印加するものである。この縦電界方式の液晶表
示装置としては、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＶＡ（Vertical Alignment）モード
、ＭＶＡ（Multi-domain Vertical Alignment）モード等のものが知られている。横電界
方式の液晶表示装置は、液晶層を挟んで配置される一対の基板のうちの一方の内面側に一
対の電極が互いに絶縁して設けられており、概ね横方向の電界を液晶分子に対して印加す
るものである。この横電界方式の液晶表示装置としては、一対の電極が平面視で重ならな
いＩＰＳ（In-Plane Switching）モードのものと、重なるＦＦＳモードのもの（下記特許
文献１参照）とが知られている。横電界方式の液晶表示装置は広い視野角を得ることがで
きるという効果があるので、近年、多く用いられるようになってきている。

また、縦電界方式の液晶表示装置には表示面側の透明基板に共通電極が形成されている
が、ＦＦＳモードの液晶表示装置の表示面側の透明基板には、この共通電極が形成されて
いないために人の指等からの静電気に起因して液晶分子の配向が乱れることがある。そこ
で、ＦＦＳモードの液晶表示装置において、静電気による画像の乱れを防止するために、
下記特許文献２にはカラーフィルター基板の外表面（表示面側）に静電気防止用の透明導
電性電極を形成したものが、また、下記特許文献３にはカラーフィルター基板の内面（液
晶層側）に静電気防止用の透明導電性電極を形成したものが、それぞれ開示されている。

特開２００１−０５６４７６号公報特開２００５−０４３９０１号公報特開２００８−１２９４０５号公報

静電気防止用の透明導電性電極は、ＩＴＯ（Indium Thin Oxide）ないしＩＺＯ（Indiu
m Zinc Oxide）等からなり、通常はスパッタリング法によって形成される。そのため、静
電気防止用の透明導電性電極をカラーフィルター基板の外表面に形成するためには、液晶
を封入した液晶表示装置を真空雰囲気下に配置する必要がある。そのため、上記特許文献
２に開示されているＦＦＳモードの液晶表示装置においては、静電気防止用の透明導電性
電極を形成する際にパネル割れなどの歩留まり低下を起こすという問題点が存在している
。加えて、カラーフィルター基板の外表面には偏光板が貼付されるが、この偏光板の形成
材料によっては静電気防止用の透明導電性電極が溶けてしまうことがあり、その場合には
所定のシールド効果を奏さなくなる可能性がある。

しかも、静電気防止用の透明導電性電極をカラーフィルター基板の外表面に形成した場
合、この透明導電性電極を特定の外部電位と電気的に接続するために導電性ペーストを塗
布する必要があるため、ペースト塗布部を形成する必要上、額縁領域が大きくなるという
問題点が生じる。加えて、外部電位と静電気防止用の透明導電性電極との間の電気的導通
チェック工程が必要となり、工程増によるコスト増加及び製造歩留まり低下という問題点
も存在している。

そのため、静電気防止用の透明導電性電極は、上記特許文献３に開示されているように
、カラーフィルター基板の内面側に形成することが望ましいことになる。しかしながら、
本発明者等の研究によると、従来のＦＦＳモードの液晶表示装置において、静電気防止用
の透明導電性電極をカラーフィルター基板の内面側に形成すると、アレイ基板側に形成さ
れている上電極のスリット状開口の端部でのリバースツイストドメイン増加や面内輝度分
布の幅の増大による透過率低下が生じるという問題点が存在していることが見出された。

本発明は、このような従来技術の問題点を解決すべくなされたものであって、静電気防
止用の透明導電性電極をカラーフィルター基板の内面に形成すると共に、アレイ基板側に
形成されている上電極のスリット状開口の形状を最適化することにより透過率低下を抑え
たＦＦＳモードの液晶表示装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明の液晶表示装置は、
液晶層を挟持して対向配置された第１基板及び第２基板を有し、
前記第１基板には、
互いに絶縁された状態でマトリクス状に形成された複数の信号線及び走査線と、前記走査線及び信号線によって区画されたサブ画素領域毎に形成された複数のスリット状開口を有する上電極と、前記上電極と絶縁層を介して前記第１基板側に形成された下電極とを備え、
前記第２基板には、前記液晶層側に静電気防止用の透明導電性電極を備えた液晶表示装置において、
前記静電気防止用の透明導電性電極は、平面視で前記上電極に形成されているスリット状開口の端部を除いた領域に形成され、
前記上電極のスリット状開口の幅をＷ、前記スリット状開口間に位置する線状の上電極部分の幅をＬとしたとき、
Ｌ≧Ｗ
の条件を満たしている。

本発明の液晶表示装置は、第１基板には、走査線及び信号線によって区画されたサブ画
素領域毎に形成された複数のスリット状開口を有する上電極と、前記上電極と絶縁層を介
して前記基板側に形成された下電極とを備えており、ＦＦＳモードの液晶表示装置となる
。しかも、従来のＦＦＳモードの液晶表示装置では、上電極のスリット状開口の幅をＷ、
スリット状開口間に位置する線状の上電極部分の幅をＬとしたとき、Ｌ<Ｗとなっていた
。そのため、第２基板の液晶層側に静電気防止用の透明導電性電極を形成すると、スリッ
ト状開口の端部でリバースツイストドメインが増加すると共に、表示面内で輝度部分布の
不均一性が増大するために透過率が低下していた。

このような現象が生じる理由は、静電気防止用の透明導電性電極と上電極との間に形成
される電界によって、上電極と下電極との間に生じる電界分布が変化し、上電極と下電極
との間、スリット状開口の端部及び上電極の上面における液晶分子のツイスト量が変化し
てしまうためである。

それに対し、本発明の液晶表示装置によれば、上記ＷとＬとの関係をＬ≧Ｗとなるようにしたため、以下に示す実施例及び比較例の測定結果から明確に確認できるように、スリット状開口の端部でリバースツイストドメインが増加することがなく、しかも、表示面内で輝度部分布の不均一性が増大しないために、透過率の低下が抑制された液晶表示装置が得られる。しかも、本発明の液晶表示装置では、静電気防止用の透明導電性電極を第２基板の内面側に形成したため、静電気防止用の透明導電性電極を第２基板の外面に形成した場合に比すると、低コスト及び短工程を実現できる。なお、本発明の液晶表示装置においては、カラーフィルター層は必要に応じて形成すればよいものであり、必ずしも必要な構成ではない。
さらに、ＦＦＳモードの液晶表示装置では、第２基板の内面側に液晶表示装置の静電気防止用の透明導電性電極を形成すると、上電極に形成されているスリット状開口の端部でリバースツイストドメインが発生し易くなる。それに対し、本発明の液晶表示装置では、平面視で上電極に形成されているスリット状開口の端部には静電気防止用の透明導電性電極が形成されないので、リバースツイストドメインが発生し難くなるため、より上記効果を奏する液晶表示装置が得られる。

また、本発明の液晶表示装置においては、前記スリット状開口は、単位画素を形成する
複数の前記サブ画素間で互いに連結されていることが好ましい。

ＦＦＳモードの液晶表示装置においては、上電極に形成されるスリット状開口を単位画
素を形成する複数の前記サブ画素間で互いに連結すると、単位画素内でのスリット状開口
の端部の数が減少するので、リバースツイストドメインの発生が減少する。そのため、本
発明の液晶表示装置によれば、上記ＷとＬとの関係をＬ≧Ｗとなるようにしたことによる
効果と単位画素内でのスリット状開口の端部の数が減少したことによる効果とが相まって
、よりリバースツイストドメインが発生し難くなると共に、透過率の低下が抑制される。

また、本発明の液晶表示装置においては、前記スリット開口は、複数の単位画素を形成
する複数の前記サブ画素間で互いに連結されているものとしてもよい。

ＦＦＳモードの液晶表示装置においては、上電極に形成されるスリット状開口を複数の
単位画素を形成する複数の前記サブ画素間で互いに連結すると、複数の単位画素内でのス
リット状開口の端部の数がより減少する。そのため、本発明の液晶表示装置によれば、上
記ＷとＬとの関係をＬ≧Ｗとなるようにしたことによる効果と複数の単位画素内でのスリ
ット状開口の端部の数が減少したことによる効果とが相まって、よりリバースツイストド
メインが発生し難くなると共に、透過率の低下が抑制される。

実施例のアレイ基板側の３サブ画素分の模式平面図である。比較例のアレイ基板側の３サブ画素分の模式平面図である。図１のIII−III線の断面図である。実施例、比較例及び従来例の液晶表示装置の輝度分布を示す図である。実施例、比較例及び従来例の液晶表示装置の電位−透過率曲線を示す図である。変形例１のアレイ基板側の３サブ画素分の模式平面図である。変形例２のアレイ基板側の３サブ画素分の模式平面図である。変形例３において静電気保護用の透明導電性電極と重ねて表したアレイ基板側の３サブ画素分の模式平面図である。変形例４において静電気保護用の透明導電性電極と重ねて表したアレイ基板側の３サブ画素分の模式平面図である。

以下、実施例及び比較例により図面を参照しながら本発明を実施するための最良の形態
を説明するが、以下に示す実施例は、本発明をここに記載したものに限定することを意図
するものではなく、本発明は特許請求の範囲に示した技術的思想を逸脱することなく種々
の変更を行ったものにも均しく適用し得るものである。なお、この明細書における説明の
ために用いられた各図面においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさと
するため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせて表示しており、必ずしも実際の寸法に比例
して表示されているものではない。

図１は実施例のアレイ基板側の３サブ画素分の模式平面図である。図２は比較例のアレ
イ基板側の３サブ画素分の模式平面図である。図３は図１のIII−III線の断面図である。
図４は実施例、比較例及び従来例の液晶表示装置の輝度分布を示す図である。図５は実施
例、比較例及び従来例の液晶表示装置の電位−透過率曲線を示す図である。図６は変形例
１のアレイ基板側の３サブ画素分の模式平面図である。図７は変形例２のアレイ基板側の
３サブ画素分の模式平面図である。図８は変形例３において静電気保護用の透明導電性電
極と重ねて表したアレイ基板側の３サブ画素分の模式平面図である。図９は変形例４にお
いて静電気保護用の透明導電性電極と重ねて表したアレイ基板側の３サブ画素分の模式平
面図である。

［実施例］
実施例の液晶表示装置１０ＡはＦＦＳモードで動作するものであり、この液晶表示装置
１０Ａの要部の構成を図１及び図３を用いて説明する。図１に示すように、液晶表示装置
１０Ａの単位画素１１は、光の三原色である赤色のサブ画素１２Ｒ、緑色のサブ画素１２
Ｇ及び青色のサブ画素１２Ｂで構成されており、これら３つのサブ画素の混色によって単
位画素１１の色が定まる。

図３に示すように、液晶表示装置１０Ａの背面側には第１偏光板１３が貼付され、表示
面側には第２偏光板１４が貼付され、第１偏光板１３の背面側には液晶表示装置１０Ａに
光を照射するバックライト装置（図示省略）が配設されている。

液晶表示装置１０Ａは、液晶層ＬＣがアレイ基板ＡＲとカラーフィルター基板ＣＦで挟
持される構成となっている。アレイ基板ＡＲは透明な絶縁性を有するガラスや石英、プラ
スチック等からなる第１透明基板１６を基体としている。第１透明基板１６上には、液晶
ＬＣに面する側に、アルミニウムやモリブデン等の金属からなる走査線１７が図１の行方
向（横方向）に延在するように形成されている。この走査線１７の一部はゲート電極Ｇと
されている。

また、走査線１７とゲート電極Ｇを覆うようにして窒化ケイ素や酸化ケイ素等からなる
透明なゲート絶縁膜１８が積層されている。そして、平面視でゲート電極Ｇと重なるゲー
ト絶縁膜１８上には非晶質シリコンや多結晶シリコンなどからなる半導体層１９が形成さ
れている。ゲート絶縁膜１８上にはアルミニウムやモリブデン等の金属からなる複数の信
号線２０が図１の列方向（縦方向）に延在するように形成されている。これらの走査線１
７及び信号線２０によって区画される領域のそれぞれが１サブ画素を形成する。この信号
線２０からはソース電極Ｓが延在され、このソース電極Ｓは半導体層１９の表面と部分的
に接触している。

更に、信号線２０及びソース電極Ｓと同一の材料で同時に形成されたドレイン電極Ｄが
ゲート絶縁膜１８上に設けられており、このドレイン電極Ｄはソース電極Ｓと近接配置さ
れて半導体層１９と部分的に接触している。１単位画素は略正方形であるので、これを３
等分するサブ画素１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂは走査線１７側が短辺で信号線２０側が長辺の
長方形となる。ゲート電極Ｇ、ゲート絶縁膜１８、半導体層１９、ソース電極Ｓ、ドレイ
ン電極Ｄによってスイッチング素子となる薄膜トランジスターＴＦＴが構成され、それぞ
れのサブ画素１２Ｒ、１２Ｇ、１２ＢにこのＴＦＴが形成されている。

更に、信号線２０、ＴＦＴ及びゲート絶縁膜１８の露出部分を覆うようにして例えば窒
化ケイ素や酸化ケイ素等からなる透明なパッシベーション膜２１が積層されている。そし
て、パッシベーション膜２１を覆うようにして、例えばフォトレジスト等の透明樹脂材料
からなる平坦化樹脂層２２が積層されている。そして、平坦化樹脂層２２を覆うようにし
てＩＴＯないしＩＺＯ等の透明導電性材料からなる下電極２３が形成されている。平坦化
樹脂層２２とパッシベーション膜２１を貫通してドレイン電極Ｄに達するコンタクトホー
ル２４が形成されており、このコンタクトホール２４を介して下電極２３とドレイン電極
Ｄとが電気的に接続されている。そのため、ここでは下電極２３は画素電極として作動す
る。

下電極２３を覆うようにして例えば窒化ケイ素や酸化ケイ素等からなる透明な電極間絶
縁膜２５が積層されている。そして、電極間絶縁膜２５を覆うようにしてＩＴＯないしＩ
ＺＯ等の透明導電性材料からなる上電極２６Ａが形成されている。各サブ画素１２Ｒ、１
２Ｇ、１２Ｂの上電極２６Ａは一体に形成されており、共通電極として作動する。図１に
示すように、上電極２６Ａには複数のスリット状開口２７Ａが形成されている。スリット
状開口２７Ａは方形状であり、その長手方向は走査線１７の延在方向に対して右下がりに
約５度傾斜しているものと、右上がりに約５度傾斜しているものの２種類形成されている
。そして、中央部の２種類のスリット状開口２７Ａは、一方側の端部が連結されて横Ｖ字
状となるようにされている。このようにスリットの延在方向が異なる領域を備えることに
より、それぞれの側でＶＴ（電圧−透過率）特性が異なるようになるので、視野角による
色の差を低減することができる。

そして、この実施例の液晶表示装置１０Ａでは、スリット状開口２７Ａの幅Ｗと、スリ
ット状開口２７Ａ間の上電極２６Ａ部分の幅Ｌとの関係は、Ｌ≧Ｗとなるようになされて
いる。また、上電極２６Ａ及びスリット状開口２７Ａ部分を覆って例えばポリイミドから
なる配向膜２８が積層されている。この配向膜２８には信号線２０の延在方向と平行に液
晶方向配向処理（ラビング処理）が施されている。

カラーフィルター基板ＣＦは透明な絶縁性を有するガラスや石英、プラスチック等から
なる第２透明基板２９を基体としている。第２透明基板２９には、遮光層３０と、サブ画
素毎に異なる色の光（例えば、Ｒ、Ｇ、Ｂ）を透過するカラーフィルター層３１が形成さ
れている。遮光層３０は走査線１７、信号線２０、ＴＦＴ、ドレイン電極Ｄと平面視で重
畳するように形成されている。サブ画素１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂの遮光層３０が形成され
ていない領域が実効表示領域であり、そこにはカラーフィルター層３１が形成されている
。

遮光層３０とカラーフィルター層３１を覆うようにして例えばフォトレジスト等の透明
樹脂材料からなるオーバーコート層３２が積層されている。このオーバーコート層３２は
異なる色のカラーフィルター層３１による段差を平坦にし、また、遮光層３０やカラーフ
ィルター層３１から流出する不純物が液晶層ＬＣに入らないように遮断するために設けら
れているものである。オーバーコート層３２を覆うようにして例えばポリイミドからなる
配向膜３３が形成されている。この配向膜３３にはアレイ基板ＡＲに形成された配向膜２
８と逆方向の液晶方向配向処理が施されている。更に、実施例の液晶表示装置１０Ａでは
、カラーフィルター基板ＣＦの第２透明基板２９と遮光層３０及びカラーフィルター層３
１との間に、ＩＴＯないしＩＺＯからなる静電気防止用の透明導電性電極３４が形成され
ている。

このようにして形成されたアレイ基板ＡＲ及びカラーフィルター基板ＣＦを互いに対向
させ、両基板の周囲にシール材（図示省略）を設けることにより両基板を貼り合せ、両基
板間に液晶を充填することにより第１実施例に係る液晶表示装置１０Ａが得られる。なお
、液晶層ＬＣを所定の厚みに保持するためのスペーサー（図示省略）がカラーフィルター
基板ＣＦに形成されている。

また、上述のアレイ基板ＡＲ及びカラーフィルター基板ＣＦを貼り合わせた際に、静電
気防止用の透明導電性電極３４は、液晶表示装置１０Ａの周辺部の額縁領域（図示省略）
で、両基板間の導通手段、例えばトランスファ電極を介して、グラウンド電位、コモン配
線、前記上電極及び前記下電極から選択された一つに電気的に接続されている。なお、グ
ラウンド電位は、液晶表示装置を駆動するためのドライバー回路の基準電位として何れの
液晶表示装置にも存在している電位であり、また、コモン配線は液晶表示装置の一対の電
極に印加される電圧の基準となる電圧が印加されている何れの液晶表示装置も存在してい
る配線であり、これらの具体的な構成については図示省略した。

上述の構成により、ＴＦＴがＯＮ状態になって下電極２３と上電極２６Ａ間に電圧が印
加されると、両電極２３、２６Ａ間に電界が発生して液晶層ＬＣの液晶分子の配向が変化
する。これにより、液晶層ＬＣの光透過率が変化して画像を表示することとなる。この実
施例の液晶表示装置１０Ａの図１のIVａ−IVａ部分の輝度分布を図４の曲線ａに、また、
実施例の液晶表示装置１０Ａの下電極２３と上電極２６Ａとの間に印加された電圧と透過
率との関係を図５の曲線ａに示した。

［比較例］
次に、比較例の液晶表示装置５０の構成を、図２を用いて説明する。比較例の液晶表示
装置５０が第１実施形態の液晶表示装置１０Ａと構成が相違する点は、スリット状開口２
７の幅Ｗ及びスリット状開口間に位置する上電極２６の幅Ｌのみであり、その他の構成は
同一である。そのため、比較例の液晶表示装置５０においては、第１実施形態の液晶表示
装置１０Ａと構成が同一の箇所には同一の参照符号を付与してその詳細な説明は省略する
。

比較例の液晶表示装置５０は、実施例の液晶表示装置１０Ａとは異なり、従来例のＦＦ
Ｓモードの液晶表示装置で普通に採用されているように、スリット状開口２７の幅Ｗ及び
スリット状開口間に位置する上電極２６の幅Ｌとの間の関係がＬ<Ｗとされている。この
比較例の液晶表示装置５０の図２のIVｂ−IVｂ部分の輝度分布を図４の曲線ｂに、また、
比較例の液晶表示装置５０の下電極２３と上電極２６との間に印加された電圧と透過率と
の関係を図５の曲線ｂに示した。

なお、従来例の液晶表示装置は、静電気防止用の透明導電性電極がカラーフィルター基
板ＣＦの表示面側（具体的には、カラーフィルター基板ＣＦの第２透明基板と偏光板との
間）に形成されている以外は、比較例の液晶表示装置５０と同様の構成を備えている。す
なわち、従来例の液晶表示装置では、スリット状開口の幅Ｗ及びスリット状開口間に位置
する上電極の幅Ｌとの間の関係は、比較例の液晶表示装置５０の場合と同様に、Ｌ<Ｗと
されている。この従来例の液晶表示装置における図２のIVｂ−IVｂ部分に対応する部分の
輝度分布を図４の曲線ｃに、また、同じく下電極と上電極との間に印加された電圧と透過
率との関係を図５の曲線ｃに示した。

図４及び図５に示した結果から、以下のことが分かる。すなわち、従来例の液晶表示装
置では、図４の曲線ｃ及び図５の曲線ｃに示すように、面内の輝度分布の幅が最も小さく
なっていると共に輝度が最も高くなっている。これに対し、比較例の液晶表示装置５０で
は、図４の曲線ｂ及び図５の曲線ｂに示すように、面内の輝度分布の幅が最も大きくなっ
ていると共に輝度が最も低くなっている。

従来例の液晶表示装置と比較例の液晶表示装置５０との間の構成の差異は、静電気防止
用の透明導電性電極がカラーフィルター基板ＣＦの液晶層ＬＣ側に形成されているか表示
面側に形成されているかのみである。そのため、従来例の液晶表示装置においては、単に
静電気防止用の透明導電性電極がカラーフィルター基板ＣＦの液晶層ＬＣ側に形成したの
みでは、アレイ基板側に形成されている上電極のスリット状開口の端部でのリバースツイ
ストドメインが増加するために面内輝度分布の幅が増大し、これによって透過率が低下し
ていることが分かる。このような現象は、静電気防止用の透明導電性電極と上電極との間
に形成される電界によって、上電極と下電極との間に生じる電界分布が変化し、上電極と
下電極との間、スリット状開口の端部及び上電極の上面における液晶分子のツイストが変
化してしまうためと考えられる。

それに対し、実施例の液晶表示装置１０Ａでは、スリット状開口２７Ａの幅Ｗとスリッ
ト状開口２７Ａ間の上電極２６Ａ部分の幅Ｌとの関係はＬ≧Ｗとなるようになされている
ので、図４の曲線ａ及び図５の曲線ａに示すように、従来例の液晶表示装置と比較例の液
晶表示装置５０との中間の特性が得られている。すなわち、実施例の液晶表示装置１０Ａ
では、従来例の液晶表示装置よりは面内の輝度分布の幅が大きくなっていると共に輝度が
低くなっているが、比較例の液晶表示装置５０よりは面内の輝度分布の幅が小さくなって
いると共に輝度が高くなっている。

実施例の液晶表示装置１０Ａと比較例の液晶表示装置５０との間の構成の差異は、スリ
ット状開口の幅Ｗとスリット状開口間の上電極部分の幅Ｌとの間の関係が、Ｌ≧Ｗ（実施
例）となっているか、或いは、Ｌ<Ｗ（比較例）となっているかの違いのみである。その
ため、実施例の液晶表示装置１０Ａでは、静電気防止用の透明導電性電極と上電極との間
に形成される電界によって上電極と下電極との間に電界分布の変化が生じても、比較例の
液晶表示装置５０よりもアレイ基板側に形成されている上電極のスリット状開口の端部で
のリバースツイストドメインが増加し難くなっているものと推測される。なお、上記実施
例では、スリット状開口として方形状のものを用いた例を示したが、長円形状のものや、
先端部が先細ったバナナ形状となっているものも使用し得る。

［変形例１］
次に、実施例の液晶表示装置１０Ａに対する変形例１の液晶表示装置１０Ｂを図６を用
いて説明する。なお、変形例１の液晶表示装置１０Ｂにおいては、実施例の液晶表示装置
１０Ａと構成が同一の箇所には同一の参照符号を付与してその詳細な説明は省略する。

実施例の液晶表示装置１０Ａでは、図１に示したように、スリット状開口２７Ａの長手
方向は走査線１７の延在方向に対して右下がりに約５度傾斜しているものと、右上がりに
約５度傾斜しているものの２種類形成されており、中央部の２種類のスリット状開口２７
Ａは一方側の端部が連結されて横Ｖ字状となるようにされている。このような構成の液晶
表示装置１０Ａにおいては、スリット状開口２７Ａはそれぞれのサブ画素１２Ｒ、１２Ｇ
、１２Ｂ内において両端に端部が存在している。スリット状開口２７Ａの端部は、リバー
スツイストドメインとなるため、輝度の低下に繋がる。

そこで、変形例１の液晶表示装置１０Ｂでは、図６に示すように、１単位画素を形成す
る３つのサブ画素１２Ｒ、１２Ｇ及び１２Ｂ間でスリット状開口２７Ｂを連結することに
よって、スリット状開口２７Ｂの端部の数を減少させたものである。このような構成の変
形例１の液晶表示装置１０Ｂによれば、スリット状開口２７Ｂの幅Ｗとスリット状開口２
７Ｂ間の上電極２６Ｂ部分の幅Ｌとの間の関係がＬ≧Ｗとなっていることと、スリット状
開口２７Ｂの端部の数が減少したことと相まって、実施例の液晶表示装置１０Ａよりもリ
バースツイストドメインが減少して輝度が高い液晶表示装置１０Ｂが得られる。

［変形例２］
次に、実施例の液晶表示装置１０Ａに対する変形例２の液晶表示装置１０Ｃを図７を用
いて説明する。なお、変形例２の液晶表示装置１０Ｃにおいては、実施例の液晶表示装置
１０Ａと構成が同一の箇所には同一の参照符号を付与してその詳細な説明は省略する。

変形例２の液晶表示装置１０Ｃでは、図７に示すように、行方向に隣接する全てのサブ
画素間でスリット状開口２７Ｃを連結することによって、スリット状開口２７Ｃの端部の
数を変形例１の液晶表示装置１０Ｂよりも減少させたものである。このような構成の変形
例２の液晶表示装置１０Ｃによれば、スリット状開口２７Ｃの幅Ｗとスリット状開口２７
Ｃ間の上電極２６Ｃ部分の幅Ｌとの間の関係がＬ≧Ｗとなっていることと、スリット状開
口２７Ｃの端部の数がより減少したことと相まって、実施例の液晶表示装置１０Ａよりも
リバースツイストドメインが減少してより輝度が高い液晶表示装置１０Ｃが得られる。

［変形例３及び４］
実施例の液晶表示装置１０Ａ及び比較例の液晶表示装置５０との対比から、静電気防止
用の透明導電性電極をカラーフィルター基板ＣＦの液晶層ＬＣ側に形成すると、上電極に
形成されたスリット状開口の端部のリバースツイストドメインが増加することが分かる。
そのため、上電極の端部に対応する位置に静電気防止用の透明導電性電極が存在せず、そ
の他の部分にのみ静電気防止用の透明導電性電極が存在するようにすれば、静電気防止用
の透明導電性電極を形成したことによるリバースツイストドメインの発生を抑制できるこ
とになる。

このような上電極の端部に対応する位置に静電気防止用の透明導電性電極が存在せず、
その他の部分にのみ静電気防止用の透明導電性電極が存在するように静電気防止用の透明
導電性電極を形成した変形例３及び４の液晶表示装置１０Ｄ及び１０Ｅを図８及び図９を
用いて説明する。なお、図８及び図９においては、静電気防止用の透明導電性電極をも重
ねて表してある。また、実施例の液晶表示装置１０Ａと構成が同一の箇所には同一の参照
符号を付与してその詳細な説明は省略する。

変形例３の液晶表示装置１０Ｄは、図８に示したように、上電極２６Ｄに形成されたス
リット状開口２７Ｄは縦「く」字状とされていると共に、スリット状開口２７Ｄの端部が
露出するように静電気防止用の透明導電性電極３４Ｄを形成したものである。このような
構成の変形例３の液晶表示装置１０Ｄにおいても、スリット状開口２７Ｄの幅Ｗとスリッ
ト状開口２７Ｄ間の上電極２６Ｄ部分の幅Ｌとの間の関係がＬ≧Ｗとなっていることと、
スリット状開口２７Ｄの端部でリバースツイストドメインが発生し難くなっていることと
相まって、実施例の液晶表示装置１０Ａよりも輝度が高い液晶表示装置１０Ｄが得られる
。

また、変形例４の液晶表示装置１０Ｅは、図９に示したように、上電極２６Ｅに形成さ
れたスリット状開口２７Ｅは実施例の液晶表示装置１０Ａの場合と同様に形成されている
と共に、スリット状開口２７Ｅの端部が露出するように静電気防止用の透明導電性電極３
４Ｅを形成したものである。このような構成の変形例４の液晶表示装置１０Ｅにおいても
、スリット状開口２７Ｅの幅Ｗとスリット状開口２７Ｅ間の上電極２６Ｅ部分の幅Ｌとの
間の関係がＬ≧Ｗとなっていることと、スリット状開口２７Ｅの端部でリバースツイスト
ドメインが発生し難くなっていることと相まって、実施例の液晶表示装置１０Ａよりも輝
度が高い液晶表示装置１０Ｅが得られる。

１０Ａ〜１０Ｅ…液晶表示装置１１…単位画素１２Ｂ、１２Ｇ、１２Ｒ…サブ画
素１３…偏光板１４…偏光板１６…透明基板１７…走査線１８…ゲート絶縁膜
１９…半導体層２０…信号線２１…パッシベーション膜２２…平坦化樹脂層２
３…下電極２４…コンタクトホール２５…電極間絶縁膜２６、２６Ａ〜２６Ｅ…上
電極２７、２７Ａ〜２７Ｅ…スリット状開口２８…配向膜２９…透明基板３０…
遮光層３１…カラーフィルター層３２…オーバーコート層３３…配向膜３４Ａ、
３４Ｄ、３４Ｅ…透明導電性電極ＡＲ…アレイ基板ＣＦ…カラーフィルター基板Ｃ
Ｌ…液晶層

Claims

液晶層を挟持して対向配置された第１基板及び第２基板を有し、
前記第１基板には、
互いに絶縁された状態でマトリクス状に形成された複数の信号線及び走査線と、前記走査線及び信号線によって区画されたサブ画素領域毎に形成された複数のスリット状開口を有する上電極と、前記上電極と絶縁層を介して前記第１基板側に形成された下電極とを備え、
前記第２基板には、前記液晶層側に静電気防止用の透明導電性電極を備えた液晶表示装置において、
前記静電気防止用の透明導電性電極は、平面視で前記上電極に形成されているスリット状開口の端部を除いた領域に形成され、
前記上電極のスリット状開口の幅をＷ、前記スリット状開口間に位置する線状の上電極部分の幅をＬとしたとき、
Ｌ≧Ｗ
の条件を満たしている液晶表示装置。
前記スリット状開口は、単位画素を形成する複数の前記サブ画素間で互いに連結されている請求項１に記載の液晶表示装置。
前記スリット状開口は、複数の単位画素を形成する複数の前記サブ画素間で互いに連結されている請求項１に記載の液晶表示装置。