JP2010250265A - 液晶表示装置および電子機器 - Google Patents

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Abstract

【課題】視角制御画素１０２に対して十分な書き込みを確保する。
【解決手段】視角制御画素１０２は、走査線１１２と視角制御線１１５との交差に対応し
て設けられる。ここで、視角制御画素１０２は、ＴＦＴと液晶容量とを備え、走査線１１
２に選択電圧が印加されたときに、液晶容量の一端たる画素電極が視角制御線１１５に接
続される。液晶容量の他端は、コモン電極であり、共通線１０８ｅに接続される。走査線
駆動回路１４０は、１〜２４０行目の走査線１１２に順番に選択電圧を印加する。視角制
御回路１６０は、選択された走査線に位置する視角制御画素１０２に、視角制御のオンオ
フに応じた視角制御信号を、視角制御線１１５を介して供給する。
【選択図】図１

Description

本発明は、視角制御機能を備える液晶表示装置および電子機器に関する。
携帯電話機やＰＤＡ（personal digital assistants）などの電子機器の表示部には、
小型、薄型、低消費電力などの利点を有する液晶表示装置が広く用いられている。この種
の電子機器に適用される液晶表示装置では、通常では広い視角が求められる一方で、他人
に覗かれたくないなどの理由により一時的に狭い視角が求められる場合もある。そこで、
表示画素に加え、視角制御画素を設けるとともに、該視角制御画素をオフ状態またはオン
状態のいずれかに制御することによって、視角が広い状態と狭い状態とで切り替え可能と
する視角制御機能を有する液晶表示装置が提案されている（特許文献１参照）。
特開２００８−１９１６４５号公報（図２）
しかしながら、表示部のサイズが大きくなったり、解像度が高くなったりしたときに、
視角制御画素や配線などの負荷が重くなり、視角制御画素に対する書き込み能力の低下が
懸念された。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、その目的の１つは、視角制御画素
に対する書き込み能力の低下を防止する技術を提供することにある。
上記目的を達成するために本発明に係る液晶表示装置は、走査線とデータ線との交差に
対応してそれぞれ設けられ、各々は、前記走査線に選択電圧が印加されたときに一端と他
端との間が導通状態となるとともに前記一端が前記データ線に接続された表示画素スイッ
チング素子と、前記表示画素スイッチング素子の他端に接続された表示画素電極と、を含
み、前記表示画素電極とコモン電極とにおける電圧によって液晶層が駆動される表示画素
と、前記走査線と視角制御線との交差に対応して設けられ、各々は、前記走査線に選択電
圧が印加されたときに、一端と他端との間が導通状態となるとともに前記一端が前記視角
制御線に接続された視角制御画素スイッチング素子と、前記視角制御画素スイッチング素
子の他端に接続された視角制御画素電極と、を含み、視角度に対する透過率または反射率
の特性が前記表示画素とは異なる視角制御画素と、複数の前記走査線を所定の順番で選択
し、選択した走査線に前記選択電圧を印加する走査線駆動回路と、前記選択電圧が印加さ
れた走査線に対応する視角制御画素に対し、視角制御に応じた電圧の視角制御信号を、前
記視角制御線を介して供給する視角制御回路と、を具備することを特徴とする。本発明に
よれば、視角制御画素に対し、視角制御に応じた電圧の視角制御信号を、走査線への選択
電圧の印加にあわせて順番に書き込むので、書き込み時における負荷が軽くなり、十分な
書き込み能力を確保することが可能となる。
本発明において、前記選択電圧が印加された走査線に対応する表示画素の階調成分に応
じた電圧のデータ信号を、前記データ線に供給するデータ線駆動回路を有する構成として
も良い。
また、このような構成において、前記視角制御回路は、２以上の視角制御線をまとめて
駆動することも好ましい。これにより、視角制御信号の出力数が減少するので、視角制御
回路の簡略化や低コスト化をはかることが可能となる。
前記視角制御回路は、１または２以上の視角制御画素毎に視角制御のオンまたはオフに
応じた電圧の視角制御信号を供給しても良い。これにより、任意の表示パターンで視角制
御をオンさせることが可能である。前記視角制御回路は、１または２以上の視角制御画素
毎に視角制御の度合いに応じた電圧の視角制御信号を供給しても良い。これにより、任意
の表示パターンで視角制御の度合いを変化させることも可能である。
また、本発明において、前記視角制御線は、前記データ線と交差しないように設けられ
た構成も好ましい。この構成によれば、データ線に、視角制御線の電圧変化に伴うノイズ
が混入するのを抑えることが可能となる。
なお、本発明は、液晶表示装置のほか、該液晶表示装置を有する電子機器としても概念
することが可能である。
第１実施形態に係る液晶表示装置の構成を示すブロック図である。 同液晶表示装置における表示パネル等の構成を示す斜視図である。 同液晶表示装置の表示画素および視角制御画素の等価回路を示す図である。 同液晶表示装置の表示画素および視角制御画素の構成を示す平面図である。 同液晶表示装置の視角特性等を示す図である。 同表示パネル等の構成を示す平面図である。 同液晶表示装置の動作を示す図である。 同液晶表示装置の視角制御の一例を示す図である。 第２実施形態に係る液晶表示装置の視角特性等を示す図である。 同液晶表示装置の動作を示す図である。 同液晶表示装置の視角制御の一例を示す図である。 応用・変形例（その１）に係る液晶表示装置の構成を示す図である。 応用・変形例（その２）に係る液晶表示装置の構成を示す図である。 応用・変形例（その３）に係る液晶表示装置の構成を示す図である。 実施形態に係る液晶表示装置を適用した携帯電話を示す図である。
＜第１実施形態＞
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係
る液晶表示装置の構成を示すブロック図である。
この図に示されるように、液晶表示装置１０は、表示パネル１００の周辺に、表示制御
回路２０、走査線駆動回路１４０、データ線駆動回路１５０および視角制御回路１６０が
配置した構成となっている。
このうち、表示パネル１００は、図２に示されるように、素子基板１００ａと対向基板
１００ｂとを一定の間隙を保って貼り合わせられた構成となっている。なお、素子基板１
００ａと対向基板１００ｂとの間隙には液晶層が封入されるが、図２では省略されている
。
表示パネル１００の背面側には、ＬＥＤ５２を有するバックライト５０が設けられ、観
察側に向けて白色光を照射する。また、素子基板１００ａの背面側には偏光板４０ａが、
対向基板１００ｂの観察側には偏光板４０ｂが、それぞれ設けられている。
表示パネル１００には、図１に示されるように、２４０行の走査線１１２が横（Ｘ）方
向に沿って設けられる一方、９６０（＝３２０×３）列のデータ線１１４が縦（Ｙ）方向
に沿って、かつ、各走査線１１２と互いに電気的に絶縁を保つように設けられている。さ
らに、２４０行の走査線１１２と９６０列のデータ線１１４との各交差に対応して、それ
ぞれサブ表示画素１０１が設けられる。
ここで、Ｘ方向にわたって互いに隣接する３つのサブ表示画素１０１は、それぞれＲ（
赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）に対応したものであり、これらのＲ・Ｇ・Ｂの３つのサブ表示
画素１０１の加法混色によって、カラー表示の単位となる画素が構成される。このため、
本実施形態では、縦２４０画素×横３２０画素でカラー画像を表示することになる。
なお、本実施形態のようにカラー表示する場合、表示単位となる１画素は、複数の異な
る色のサブ表示画素１０１から構成される。この構成では、サブ表示画素の各々がそれぞ
れ表示画素に相当することになる。一方、後述するように単色表示する構成では、表示画
素は、表示単位となる１画素に一致することになる。
また、表示パネル１００には、視角制御線１１５が、３列のデータ線１１４に対し１列
の割合でＹ方向に沿って計３２０列分、各走査線１１２と互いに電気的に絶縁を保つよう
に設けられている。そして、２４０行の走査線１１２と３２０列の視角制御線１１５との
各交差に対応して、それぞれ視角制御画素１０２が設けられる。
したがって、本実施形態では、Ｒ・Ｇ・Ｂのサブ表示画素１０１の３個に対し１個の割
合で視角制御画素１０２が設けられる。
すべてのデータ線１１４の一端は、図において上側に引き出されて、データ線駆動回路
１５０にそれぞれ接続される。これに対し、すべての視角制御線１１５の一端は、データ
線駆動回路１５０とは反対側の、図において下側に引き出されて、視角制御回路１６０に
それぞれ接続されている。
なお、データ線駆動回路１５０および視角制御回路１６０の機能については、表示制御
回路２０や走査線駆動回路１４０とともに後述する。
図３は、サブ表示画素１０１および視角制御画素１０２の等価回路を示す図であり、任
意の２行において隣接する２画素分の構成を示している。
この図に示されるように、Ｒ・Ｇ・Ｂのサブ表示画素１０１もＣの視角制御画素１０２
も電気的には互いに同一の等価回路で示され、それぞれｎチャネル型の薄膜トランジスタ
ー（thin film transistor：以下単に「ＴＦＴ」と略称する）１１６と液晶容量とを有す
る構成となっている。
本実施形態において表示パネル１００は、素子基板１００ａと対向基板１００ｂとの間
に液晶層１０５を封入した構成であって、液晶層にかかる電界方向を基板面方向としたＦ
ＦＳ（fringe field switching）モードとしたものである。後述するようにサブ表示画素
１０１および視角制御画素１０２の各々では、それぞれコモン電極１０８の表面に、絶縁
層等を介して画素電極が形成された構造となっている。このため、画素電極とコモン電極
１０８との間では、絶縁層等によって一種の容量成分が生じる。この容量成分が液晶容量
であり、この液晶容量の保持電圧で生じた電界に応じて、液晶分子の配向方向が変化する
構成となっている。
ただし、サブ表示画素１０１と視角制御画素１０２とでは、画素電極の形状が異なって
いるので、液晶層１０５に働く電界の方向も異なっている。両者を区別するために、サブ
表示画素１０１および視角制御画素１０２におけるＴＦＴ、液晶容量（画素電極）の符号
をそれぞれ異ならせている。
詳細には、サブ表示画素１０１にあっては、表示画素スイッチング素子として機能する
ＴＦＴ１１６のゲート電極が走査線１１２に接続される一方、そのソース電極がデータ線
１１４に接続され、そのドレイン電極が画素電極(表示画素電極）１１８に接続されてい
る。液晶容量１２０の一端である画素電極１１８は、ＴＦＴ１１６のドレイン電極に接続
される一方、液晶容量１２０の他端であるコモン電極１０８は、共通線１０８ｅに共通接
続されている。
視角制御画素１０２にあっても同様に、視角制御画素スイッチング素子として機能する
ＴＦＴ１１７のゲート電極が走査線１１２に接続される一方、そのソース電極が視角制御
線１１５に接続され、そのドレイン電極が画素電極（視角制御画素電極）１１９に接続さ
れている。液晶容量１３０の一端である画素電極１１９は、ＴＦＴ１１６のドレイン電極
に接続される一方、液晶容量１３０の他端であるコモン電極１０８は、共通線１０８ｅに
共通接続されている。なお、共通線１０８ｅには、図示省略した給電回路によって電圧Ｖ
comが印加されている。
図４は、素子基板１００ａにおいてＲ・Ｇ・Ｂのサブ表示画素１０１および視角制御画
素１０２に相当する領域の構成を示す平面図である。
本実施形態において、ＴＦＴ１１６、１１７はアモルファスシリコン型であって、その
ゲート電極が半導体層よりも下側（紙面奥側）に位置するボトムゲート型とした構成であ
る。
図において、第１電極層となるゲート配線のパターニングによって、走査線１１２およ
び共通線１０８ｅが形成され、さらに、第２導電層となるＩＴＯ（indium tin oxide）層
のパターニングにより、矩形形状のコモン電極１０８が共通線１０８ｅと重なるように形
成されている。この重なりにより、コモン電極１０８は、共通線１０８ｅと電気的に接続
されることになる。
次に、ゲート絶縁膜（図示省略）が形成され、さらにＴＦＴ１１６の半導体層３０およ
びＴＦＴ１１７の半導体層３１がそれぞれ島状に形成されている。第３導電層となる金属
層のパターニングにより、ＴＦＴ１１６のソース電極を兼ねるデータ線１１４、ＴＦＴ１
１７のソース電極を兼ねる視角制御線１１５、ＴＦＴ１１６のドレイン電極３２、および
、ＴＦＴ１１７のドレイン電極３３がそれぞれ形成されている。
続いて層間絶縁膜（図示省略）が形成された後、サブ表示画素１０１にあっては、該層
間絶縁膜を貫通してドレイン電極３２に達するコンタクトホール３４が設けられる一方、
視角制御画素１０２にあっては、該層間絶縁膜を貫通してドレイン電極３３に達するコン
タクトホール３５が設けられる。
そして、第４導電層となるＩＴＯ層のパターニングにより、櫛歯状の画素電極１１８が
平面的に見てドレイン電極３２と重なるように形成される一方、はしご状の画素電極１１
９が、平面的に見てドレイン電極３３と重なるように形成される。
これにより、画素電極１１８は、コンタクトホール３４を介してドレイン電極３２に接
続され、画素電極１１９についても、コンタクトホール３５を介してドレイン電極３３に
接続されることになる。
この後、ポリイミド等からなる配向膜が画素の配列領域にわたって形成されるとともに
、Ｙ方向に平行であって逆平行（アンチパラレル）方向のラビング処理が施される。ここ
で、素子基板１００ａにおいて背面側に設けられる偏光板４０ａは、その透過軸がラビン
グ方向と直交する方向に設定される。
対向基板１００ｂについては特に図示しないが、コモン電極１０８と対向する領域にお
いて開口部を有する遮光層が設けられるとともに、サブ表示画素１０１にあっては、開口
部においてそれぞれＲＧＢのいずれかに対応するカラーフィルターが設けられる。これに
対し、視角制御画素１０２にあっては、該開口部においてカラーフィルターが設けられず
に、素通しの状態となっている。
なお、対向基板１００ｂにおいて液晶層１０５に接する面には、素子基板１００ａと同
様な配向膜が形成される。該配向膜に施されるラビングの方向は、Ｙ方向に平行であって
逆平行（アンチパラレル）方向であり、素子基板１００ａにおけるラビング方向と同方向
である。また、対向基板１００ｂの観察側に設けられる偏光板４０ｂは、その透過軸が、
ラビング方向と同方向に設定される。
バックライト５０から表示パネル１００に背面側から照射される光は、偏光板４０ａに
よって直線偏光に変換されて、サブ表示画素１０１および視角制御画素１０２のそれぞれ
に入射する。
サブ表示画素１０１において、コモン電極１０８と画素電極１１８との間（すなわち液
晶容量１２０）で印加される電圧がオフ電圧である場合、液晶分子がラビング方向に応じ
た方向に沿って配向するので、液晶層１０５に入射した直線偏光は、その入射時の直線偏
光状態を保って液晶層１０５から出射する。ただし、この直線偏光方向は、偏光板４０ｂ
の吸収軸にほぼ一致しているので、該偏光板４０ｂによって遮断される。
したがって、サブ表示画素１０１では、オフ電圧の印加状態にあっては、視角度の大小
にかかわらず、図５（ａ）においてｏｆｆで示されるように暗状態となる。
ここで、視角度については、図２に示されるように、透過率の測定対象となる着目画素
ｐから観察側に向かう基板法線方向の方位を０度とし、着目画素ｐを通過して、かつ、Ｙ
方向に平行な軸ｑを中心にして回転させたときの角度θで規定している。
サブ表示画素１０１において、コモン電極１０８と画素電極１１８との間の印加電圧が
オン電圧である場合、液晶分子は、画素電極１１８におけるスリットとほぼ直交する方向
に配向する。このため、液晶層１０５に入射した直線偏光は、該液晶層１０５によって位
相差が与えられるために、入射時の偏光方向と直交する方向に変換されて、該液晶層１０
５から出射する。変換された偏光方向は、偏光板４０ｂの透過軸とほぼ一致するので、偏
光板４０ｂを透過する。
したがって、サブ表示画素１０１では、オン電圧の印加状態にあっては、表示光として
視認される明状態となる。このとき、サブ表示画素１０１の視角特性では、図５（ａ）に
おいて表示画素ｏｎで示されるように視角度θがゼロにおいて透過率が最大となり、視角
度θが大きくなるにつれて、徐々に透過率が低下する。
なお、図５（ａ）においては、透過率の最大値を１００％とし、最小値を０％として正
規化している、
一方、視角制御画素１０２において、コモン電極１０８と画素電極１１９との間（すな
わち液晶容量１３０）の印加電圧がオフ電圧である場合、サブ表示画素１０１と同様な理
由から、視角度θの大小にかかわらず、図５（ｂ）においてｏｆｆで示されるサブ表示画
素１０１と同様に暗状態となる。
したがって、視角制御画素１０２にオフ電圧を印加して、サブ表示画素１０１を、ＲＧ
Ｂ成分に応じた透過率に制御すると、サブ表示画素１０１の透過光に基づく画像を、視角
度θの広い範囲で視認させることが可能となる（広視角モード）。
これをコントラスト比でみてみると、図５（ｂ）において実線で示されるように、視角
度θが−８０度から＋８０度の広い範囲で２０以上となるので、この範囲であれば、どの
方向からみても画像が見易い。
これに対し、視角制御画素１０２において、コモン電極１０８と画素電極１１９との間
の印加電圧がオン電圧である場合、素子基板１００ａの側に位置する液晶分子は、基板方
向とほぼ垂直方向となるように配向する。この配向状態を視角度θがゼロの方向からみた
とき、液晶層１０５において位相差変化がないので、視角制御画素１０２の視角特性では
、図５（ａ）において破線で示されるように、視角度θがゼロにおいては暗状態となる。
ただし、視角度θがゼロでない、斜め方向からみたときでは、位相差変化が生じて、視角
制御画素１０２の透過率が変化する。詳細には、透過率は、視角度θがゼロから±５０度
程度なるまでの範囲では、視角度θが大きくなるにつれて、液晶層１０５による位相差変
化に応じて増加し、視角度θが±５０度程度でピークを迎え、以降視角度θが大きくなる
につれて、液晶層１０５による位相差変化に応じて減少する。
このため、視角制御画素１０２にオン電圧を印加すると、該視角制御画素１０２は、正
面から見ると暗状態の黒表示であるが、横側に傾けた方向から見ると、増加した透過率の
分だけ明るくみえる。
したがって、視角制御画素１０２にオン電圧を印加して、サブ表示画素１０１を、ＲＧ
Ｂ成分に応じた透過率に制御した場合、サブ表示画素１０１の透過光に基づく画像を、正
面からは、視認させることはできる。しかしながら、横側に傾けた方向からでは、サブ表
示画素１０１の透過率が、それほど変化しないのに対し、視角制御画素１０２の透過率が
増加するために、コントラスト比が低下する。このため、視角制御画素１０２にオン電圧
を印加すれば、サブ表示画素１０１による透過光に基づく画像を、正面以外では、視認し
難くすることが可能となる（狭視角モード）。
これをコントラスト比でみてみると、図５（ｂ）において破線で示されるように、視角
度θが−５０度以下の範囲および＋５０度の以上の範囲で、２以下となるので、これらの
範囲では画像が非常に見え難くなる。
このように、視角制御画素１０２にオフ電圧を印加するか、オン電圧を印加するかによ
って、広視角モードと狭視角モードとで切り替えることが可能である。ここで、視角制御
画素１０２に対する電圧の印加を、すべての視角制御画素１０２に対して一括して実行す
る構成では、視角制御画素１０２の液晶容量１３０に対する電圧の書込能力が問題となる
。この問題は、例えば表示パネル１００のサイズが大きくなって、液晶容量１３０の１個
あたりの容量サイズが増したり、視角制御線１１５の配線抵抗・寄生容量が増加したりし
た場合だけでなく、表示パネルの１００の解像度が高くなって、液晶容量１３０の個数が
増加した場合に、顕著となる。
そこで本実施形態では、視角制御画素１０２をすべて一括ではなく、一部ずつ順番にオ
ンまたはオフ電圧を書き込む構成としている。そのための主要構成が表示制御回路２０、
走査線駆動回路１４０および視角制御回路１６０である。
表示制御回路２０は、各種の制御信号を生成して、各部を制御するものである。詳細に
は、表示制御回路２０は、制御信号Ｃtr-yによって走査線駆動回路１４０を制御し、制御
信号Ｃtr-xによってデータ線駆動回路１５０を制御し、制御信号Ｃtr-cによって視角制御
回路１６０を制御する。
走査線駆動回路１４０は、制御信号Ｃtr-yにしたがって１〜２４０行目の走査線１１２
に、それぞれ走査信号を供給するものである。
詳細には、走査線駆動回路１４０は、走査線１１２を１、２、３、…、２４０行目とい
う順番で選択するとともに、選択した走査線への走査信号を選択電圧ＶＧＨに相当するＨ
レベルとし、それ以外の走査線への走査信号を非選択電圧ＶＧＬに相当するＬレベルとす
る。
ここで便宜上、１、２、３、…、２４０行目の走査線１１２に供給される走査信号を、
それぞれＹ1、Ｙ2、Ｙ3、…、Ｙ240と表記し、特に行を特定しないで一般的に説明する場
合には、ｉを用いてＹiと表記する。
視角制御回路１６０は、走査線駆動回路１４０によって選択される走査線に位置する視
角制御画素１０２に対し、視角制御のオンオフに応じた電圧の視角制御信号を、視角制御
線１１５を介して供給するものである。
詳細には、視角制御回路１６０は、視角制御画素のマトリクス配列に対応した記憶領域
を有し、各記憶領域は、それぞれ視角制御のオンまたはオフを指定する１ビットの視角制
御ビットＤcを記憶する。ここで、視角制御回路１６０は、選択走査線に位置する視角制
御画素１０２の視角制御ビットＤcを記憶領域から１行分読み出すとともに、視角制御ビ
ットＤcで指定されたオンまたはオフに応じた電圧の視角制御信号に変換し、視角制御線
１１５に供給する。この供給動作を、視角制御回路１６０は、選択走査線に位置する３２
０列分のそれぞれについて並列的に実行する。
なお、左から数えて１、２、３、…、３２０列目の視角制御線１１５に供給される視角
制御信号を、それぞれＸc1、Ｘc2、Ｘc 3、…、Ｘc320と表記している。
また、視角制御のオンオフに変更が生じると、表示制御回路２０は、変更後の視角制御
ビットＤcを供給するとともに、視角制御回路１６０における記憶領域の内容を書き換え
る構成となっている。
データ線駆動回路１５０は、走査線駆動回路１４０によって選択される走査線に位置す
るサブ表示画素１０１に対し、Ｒ・Ｇ・Ｂのいずれかに応じた階調成分に応じた電圧のデ
ータ信号を、データ線１１４を介して供給するものである。
詳細には、データ線駆動回路１５０は、サブ表示画素１０１のマトリクス配列に対応し
た記憶領域（図示省略）を有し、各記憶領域は、それぞれサブ表示画素１０１のＲＧＢの
いずれかの階調成分を指定する表示データＤaを記憶する。ここで、データ線駆動回路１
５０は、選択走査線に位置するサブ表示画素１０１の表示データＤaを記憶領域から１行
分読み出すとともに、表示データＤaで指定された階調成分に応じた電圧のデータ信号に
変換し、データ線１１４に供給する。この供給動作を、データ線駆動回路１５０は、選択
走査線aに位置する９６０列分のそれぞれについて並列的に実行する。
ここで、左から数えてｊ番目の画素(表示単位）に対応するＲ・Ｇ・Ｂのデータ信号を
、それぞれＸRj、ＸGj、ＸBjと表記している。ｊは、本実施形態では１から３２０までの
整数である。
また、表示すべき画像に変更が生じると、表示制御回路２０は、変更後の表示データＤ
aを供給するとともに、データ線駆動回路１５０における記憶領域の内容を書き換える構
成となっている。
表示パネル１００におけるＴＦＴ１１６、１１７をアモルファスシリコン型としたとき
、走査線駆動回路１４０や、データ線駆動回路１５０、視角制御回路１６０については、
表示パネル１００に対して、それぞれ個別の、または、これらの機能を適宜組み合わせた
半導体（ベアチップ）が、ＣＯＧ（chip on glass）技術を用いて実装される。
また、走査線駆動回路１４０やデータ線駆動回路１５０については、それぞれ１チップ
ではなく、図６に示されるように２個に分割されて、あるいは、それぞれ３個以上に分割
されて、ＣＯＦ（chip on film）技術などによって表示パネル１００に実装されても良い
。なお、図６において、表示制御回路２０は、二点鎖線で示される領域側に設けられる。
また、視角制御回路１６０についても、２個以上に分割しても良い。
さらに、ＴＦＴ１１６、１１７については他の構造、例えばゲート電極の配置でいえば
トップゲート型としても良いし、プロセスでいえばポリシリコン型としても良い。ＴＦＴ
１１６、１１７をポリシリコン型とするのであれば、走査線駆動回路１４０や、データ線
駆動回路１５０、視角制御回路１６０の構成素子を、素子基板にあって画素のマトリクス
配列の周辺に造り込んでも良い。
次に、液晶表示装置１０における電圧の書き込み動作について図７を参照して説明する
。図７は、液晶表示装置１０の各部における動作を示す図である。
走査線駆動回路１４０は、上述したように、また、同図に示されるように、フレームに
わたって走査線１１２を１、２、３、…、２４０行目という順番で選択するとともに、選
択した走査線への走査信号を選択電圧ＶＧＨに相当するＨレベルとし、それ以外の走査線
への走査信号を非選択電圧ＶＧＬに相当するＬレベルとする。
なお、フレームとは、表示パネル１００を駆動することによって、画像の１コマ分を表
示させるのに要する期間をいい、表示パネル１００の垂直走査周波数が６０Ｈｚであれば
、その逆数である１６．７ミリ秒である。
ここで、本実施形態では、液晶容量１２０、１３０を交流駆動する際に、書き込む電圧
の極性をフレームにわたって同一とするとともに、次のフレームにおいて反転させる面反
転方式とする。このため、表示制御回路２０は、あるフレーム（図７において「ｎフレー
ム」と表記している）において正極性を指定し、次の（ｎ＋１）フレームの期間において
負極性を指定して、以下同様にフレーム毎に極性を反転させる。
なお、極性とは、液晶容量１２０（１３０）に電圧を保持させる際に、画素電極１１８
（１１９）をコモン電極１０８よりも高位側とする場合を正極性とし、低位側とする場合
を負極性とする。
また、電圧については、液晶容量１２０（１３０）に印加される電圧を除き、図示省略
した接地電位を電圧ゼロの基準とする。液晶容量１２０（１３０）に印加される電圧は、
コモン電極１０８と画素電極１１８（１１９）との電位差であり、他の電圧と区別する必
要があるからである。
まず、ｎフレームにおいては、走査線駆動回路１４０によって走査信号Ｙ1だけがＨレ
ベルとなる。
走査信号Ｙ1がＨレベルとなる期間において、データ線駆動回路１５０は、１行目にお
けるサブ表示画素１０１の表示データＤaを読み出すとともに、当該表示データＤaで指定
された電圧だけ、電圧Ｖcomを基準に高位側とした電圧のデータ信号に変換し、それぞれ
データ線１１４に供給する。
これにより例えば、左から数えてｊ番目の画素に対応するＲのデータ信号ＸRjは、１行
ｊ列の画素のうち、表示データＤaで指定されたＲの階調成分に応じた分（図７において
↑で示される電圧）だけ電圧Ｖcomよりも高位側とした電圧となる。
一方、走査信号Ｙ1がＨレベルとなる期間において、視角制御回路１６０は、１行目に
おける視角制御画素１０２の視角制御ビットＤcを読み出すとともに、当該視角制御ビッ
トＤcが、オンを指定しているのであれば視角制御信号を電圧Ｖon(+)とし、オフを指定し
ているのであれば視角制御信号を電圧Ｖcomとする。
図７では、左から数えてｊ番目の画素に対応する視角制御信号Ｘcjが、１行ｊ列の画素
に対応した視角制御ビットＤcで視角制御のオンが指定されているために、走査信号Ｙ1が
Ｈレベルとなる期間において電圧Ｖon(+)となっている状態を示している。
さて走査信号Ｙ1がＨレベルであると、１行目に位置するＴＦＴ１１６、ＴＦＴ１１７
がオン状態（導通状態）となる。このため、１行目における画素電極１１８には、データ
線１１４に供給されたデータ信号がオン状態のＴＦＴ１１６を介して印加されるので、１
行目のサブ表示画素１０１における液晶容量１２０には、それぞれ階調に応じた正極性の
電圧が書き込まれる。
同様に、１行目における画素電極１１９には、視角制御線１１５に供給された視角制御
信号がオン状態のＴＦＴ１１７を介して印加されるので、１行目の視角制御画素１０２に
おける液晶容量１３０には、視角制御のオンが指定されていれば、正極性のオン電圧がそ
れぞれ書き込まれ、視角制御のオフが指定されていれば、オフ電圧としてゼロ電圧がそれ
ぞれ書き込まれる。
なお、走査信号Ｙ1がＬレベルに切り替わると、１行目に位置するＴＦＴ１１６、ＴＦ
Ｔ１１７がオフ状態（非導通状態）となるが、液晶容量１２０、１３０の各々にそれぞれ
書き込まれた電圧は、その容量成分によって保持される。
次に、走査信号Ｙ2だけがＨレベルとなる。走査信号Ｙ2がＨレベルとなる期間において
、データ線駆動回路１５０は、２行目のサブ表示画素１０１の各々に対応する表示データ
Ｄaで指定された電圧だけ、電圧Ｖcomを基準に高位側とした電圧のデータ信号に変換し、
それぞれデータ線１１４に供給する一方、視角制御回路１６０は、２行目における視角制
御画素１０２の各々に対応する視角制御ビットＤcのオンオフに応じた電圧の視角制御信
号を、それぞれ視角制御線１１５に供給する。
これにより、２行目のサブ表示画素１０１における液晶容量１２０には、それぞれ階調
成分に応じた正極性の電圧が書き込まれ、２行目の視角制御画素１０２における液晶容量
１３０には、視角制御のオンオフに応じた正極性の電圧が書き込まれることになる。
なお、図７では、視角制御信号Ｘcjが、２行ｊ列の画素に対応した視角制御ビットＤc
で視角制御のオフが指定されているために、走査信号Ｙ2がＨレベルとなる期間において
電圧Ｖcomとなっている状態を示している。
ｎフレームにおいては、以下同様な動作が、３、４、５、…、２４０行目の順に実行さ
れる。これにより、すべてのサブ表示画素１０１における液晶容量１２０には、それぞれ
階調成分に応じた正極性の電圧が書き込まれるとともに、すべての視角制御画素１０２に
おける液晶容量１３０には、それぞれ視角制御のオンオフに応じた正極性の電圧が書き込
まれることなる。
次の（ｎ＋１）フレームにおいては、書き込み極性が反転して負極性となる以外、ｎフ
レームと同様な動作が実行される。
なお、負極性となった場合、データ信号ＸRjは、Ｒの表示データＤaで指定された階調
成分に応じた分（図において↓で示される電圧）だけ電圧Ｖcomよりも低位側とした電圧
となり、視角制御のオンが指定されたときの視角制御信号Ｘcjは、電圧Ｖcomを基準に電
圧Ｖon(+)を反転させた電圧Ｖon(-)となる。
図７には、データ信号ＸRj、視角制御信号Ｘcjのほか、ｉ行ｊ列の画素のうち、サブ表
示画素１０１におけるＲの画素電極１１８の電圧Ｒ(i,j)、および、視角制御画素１０２
において視角制御オンが指定されたときの画素電極１１９の電圧Ｃ(i,j)の波形が示され
ている。
このうち、電圧Ｒ(i,j)は、走査信号ＹiがＨレベルとなったときに、データ信号ＸRjの
電圧となり、以後、走査信号ＹiがＬレベルとなっても保持される。液晶容量１２０の他
端は、電圧Ｖcomのコモン電極１０８であるので、ｉ行ｊ列の画素のうち、サブ表示画素
１０１におけるＲの液晶容量１２０に書き込まれて保持される電圧は、電圧Ｒ(i,j)にお
いてハッチングで示されたものとなる。
同様に、電圧Ｃ(i,j)は、走査信号ＹiがＨレベルとなったときに、視角制御信号Ｘcjの
電圧が書き込まれ、以後、走査信号ＹiがＬレベルとなっても保持される。液晶容量１３
０の他端についてもコモン電極１０８であるので、ｉ行ｊ列の画素のうち、視角制御画素
１０２における液晶容量１３０に書き込まれて保持される電圧は、電圧Ｃ(i, j)の波形に
おいてハッチングで示されたものとなる。
なお、視角制御画素１０２において視角制御オフが指定されたときの画素電極１１９の
電圧Ｃ(i,j)は、特に図示しないが、電圧Ｖcomとなるので、液晶容量１３０には、オフ電
圧としてのゼロ電圧が書き込まれて保持されることになる。
また、図７において、走査信号Ｙ1〜Ｙ240の電圧を示す縦スケールに対し、データ信号
ＸRj、視角制御信号Ｘcj等の電圧を示す縦スケールを、便宜的に拡大している。
本実施形態に係る液晶表示装置１０によれば、視角制御画素１０２に対し、視角制御の
オンオフに応じた電圧の視角制御信号を、すべて一括ではなく、走査線１１２の選択にあ
わせて１、２、３、…、２４０行目の順番で１行ずつ書き込むので、書き込み時における
負荷が軽くなって、視角制御画素１０２の液晶容量１３０に対して十分な書き込みが可能
となる。
また、本実施形態では、表示単位の画素毎に視角制御をオンオフすることができる。こ
のため、任意の表示パターンで視角制御をオンオフさせることが可能である。例えば、図
８に示されるように、表示パネル１００の表示領域のうち、ある特定の領域に限って視角
制御をオンにし、当該特定領域についてのみ狭視角モードとして、斜め方向から見難くさ
せる一方、他の領域については視角制御をオフにし、広視角モードとすることができる。
これにより、表示パネル１００の各表示領域において、それぞれ異なる画像を表示させた
ときに、視角制御オンの領域で表示される特定の画像を狭視角とする一方、他の領域で表
示される画像を広視角とすることができるので、特定の画像については、正面以外の方向
から見ようとしても見難くすることが可能となる。したがって、例えば表示パネル１００
を車等のセンターコンソールに設置したときに、特定の画像については、後部座席側から
見ることはできるが、助手席側および運転席側からはほとんど見ることができないように
することが可能となる。
なお、上述したように視角制御のオンオフは視角制御ビットＤcによって指定される。
このため、表示制御回路２０は、視角制御をオンとすべき領域に属する視角制御画素１０
２に対し、視角制御ビットＤcによってオンを指定し、視角制御をオフとすべき領域に属
する視角制御画素１０２に対し、視角制御ビットＤcによってオフを指定することになる
。
また、視角制御画素１０２の液晶容量１３０に対して十分な書き込みを確保する、とい
う観点からすれば、視角制御のオンオフを必ずしも視角制御画素１０２毎に指定する必要
はなく、互いに隣接する表示単位の画素に対応する視角制御画素の複数個を単位としてオ
ンまたはオフを指定する構成としても良いし、すべての視角制御画素１０２に対して一律
にオンまたはオフを指定する構成としても良い。
＜第２実施形態＞
上述した第１実施形態では、表示単位の画素毎に、視角制御をオンまたはオフのいずれ
かで２値的に変化させるものであったが、この第２実施形態は、視角制御のオンを２以上
の種類として、例えば３種類として視角制御の度合いを変化させるものである。詳細には
、第２実施形態では、第１実施形態における視角制御のオンと同程度に視角制御した状態
を「ｏｎ１」とし、以下、視角制御を段階的にオフに近づけて「ｏｎ２」、「ｏｎ３」と
する。なお、第２実施形態において、第１実施形態における視角制御のオフとした状態を
「ｏｆｆ」とする。このように、第２実施形態において視角制御の度合いを「ｏｎ１」、
「ｏｎ２」、「ｏｎ３」、「ｏｆｆ」の４種類で規定するときに、視角制御画素１０２に
おいて、コモン電極１０８と画素電極１１９との間で印加される電圧は、絶対値でみて、
ｏｎ１＞ｏｎ２＞ｏｎ３＞ｏｆｆ
という関係になる。
視角制御画素１０２の液晶容量１３０では、印加電圧が高くなるにつれて、素子基板１
００ａの側に位置する液晶分子が初期配向状態から基板方向とほぼ垂直方向となるように
配向変化するが、視角度θがゼロの方向からみたときでは、液晶層１０５における位相差
が生じないので、暗状態からほとんど変化しない。ただし、視角度θがゼロでない、斜め
方向からみたときでは、位相差変化が生じるので、図９（ａ）に示されるように、印加電
圧が大きくなるにつれて、第１実施形態においてオフ電圧を印加した状態に相当する「ｏ
ｆｆ」からオン電圧を印加した状態に相当する「ｏｎ１」に近づく。
このことは視角制御画素１０２を斜め方向からみたときに、印加電圧が高くなるにつれ
て、視角制御画素１０２の透過率が増加し、これによって、サブ表示画素１０１による透
過光に基づく画像のコントラスト比を低下させて、視認し難くさせることを意味する。
したがって、図９（ｂ）に示されるように、斜め方向からみたときに、視角制御の「ｏ
ｆｆ」から「ｏｎ１」まで、コントラスト比が徐々に低下することによって、視角制御の
度合いを変化させることが可能となる。
第２実施形態では、視角制御の度合いが４種類であるから、その度合いを規定する視角
制御ビットＤcは２ビットとなる。このため、第２実施形態における視角制御回路１６０
は、視角制御画素のマトリクス配列に対応した記憶領域の各々において、２ビットの視角
制御ビットＤcを記憶する一方、選択走査線に位置する視角制御画素１０２の視角制御ビ
ットＤcを記憶領域から１行分読み出すとともに、読み出した視角制御ビットＤcに応じて
次のような電圧の視角制御信号に変換し、視角制御線１１５に供給することになる。詳細
には、視角制御回路１６０は、視角制御信号を、正極性が指定されている場合であって、
視角制御ビットＤcによって「ｏｎ１」が指定されていれば電圧Ｖon1(+)とし、「ｏｎ２
」が指定されていれば電圧Ｖon2(+)とし、「ｏｎ３」が指定されていれば電圧Ｖon3(+)と
する一方、負極性が指定されている場合であって、視角制御ビットＤcによって「ｏｎ１
」が指定されていれば電圧Ｖon1(-)とし、「ｏｎ２」が指定されていれば電圧Ｖon2(-)と
し、「ｏｎ３」が指定されていれば電圧Ｖon3(-)とする。
図１０は、視角制御信号Ｘcjのほか、ｉ行ｊ列の画素の視角制御画素１０２において視
角制御の「ｏｎ１」が指定されたときの画素電極１１９の電圧Ｃ(i,j)の波形が示されて
いる。
この図に示されるように、正極性の電圧Ｖon1(+)、Ｖon2(+)、Ｖon3(+)と、負極性の電
圧Ｖon1(-)、Ｖon2(-)、Ｖon3(-)とは、それぞれコモン電極１０８に印加された電圧Ｖco
mを基準に対称の関係にある。
第２実施形態では、表示単位の画素毎に視角制御の度合いを変化させることが可能とな
る。詳細には、例えば図１１に示されるように、表示パネル１００の表示領域のうち、特
定の領域、例えばユーザー識別番号や、パスワード、暗証番号などのように他人に覗かれ
ては困るような入力（表示）領域を「ｏｎ１」とし、この「ｏｎ１」の領域から周辺に向
かうにつれて「ｏｎ２」、「ｏｎ３」、「ｏｆｆ」として、表示領域で表示すべき内容に
応じて視角制御の度合いを段階的に変化させることが可能となる。
なお、第２実施形態においても、第１実施形態と同様に、視角制御画素１０２の液晶容
量１３０に対して十分な書き込みを確保する、という観点からすれば、視角制御の度合い
を必ずしも視角制御画素１０２毎に指定する必要はなく、互いに隣接する表示単位の画素
に対応する視角制御画素の複数個を単位として視角制御の度合いを指定する構成としても
良いし、すべての視角制御画素１０２に対して一律に視角制御の度合いをを指定する構成
としても良い。
また、第２実施形態では、視角制御のオンを３種類として説明したが、２種類であって
も良いし、４種類以上であっても良いのはもちろんである。
＜応用・変形例＞
本発明は、上述した第１および第２実施形態に限られず、次のように様々な応用・変形
が可能である。
＜その１＞
例えば、視角制御回路１６０は、視角制御線１１５を、１列ずつ個別に駆動するのでは
なく、図１２に示されるように、２列ずつまとめて駆動する構成としても良い。もちろん
、視角制御線１１５を３以上の列数ずつまとめて駆動しても良い。
このように視角制御線１１５を複数の列ずつまとめて駆動すると、視角制御回路１６０
の出力数を削減することができるので、視角制御回路１６０の構成簡略化や低コスト化を
図ることが可能となる。また、視角制御線１１５と視角制御回路１６０との接続点数も減
少するので、接続ピッチを緩和することも可能となる。
＜その２＞
また、第１および第２実施形態において、視角制御回路１６０は、画素のマトリクス配
列を挟んで、データ線駆動回路１５０とは反対の辺側に実装したが、この理由は、視角制
御線１１５とデータ線１１４とを交差させないためである。換言すれば、データ線１１４
と視角制御線１１５とを絶縁層を介して交差させてしまうと、視角制御線１１５で電圧が
切り替わりに伴うノイズが、その交差部分で生じる容量成分を介してデータ線１１４に重
畳されるので、サブ表示画素に書き込まれる電圧に影響を与え、表示品位を低下させてし
まう。この表示品位を避けるために、実施形態にあっては、視角制御線１１５とデータ線
１１４とを交差させなかったのである。
したがって、視角制御線１１５とデータ線１１４とを交差させない限りにおいては、例
えば図１３に示されるように視角制御線１１５を屈曲させることにより、視角制御回路１
６０を、画素のマトリクス配列を挟んで、走査線駆動回路１４０とは反対の辺に実装して
も良い。また、視角制御線１１５を図１３とは反対方向に屈曲させることにより、視角制
御回路１６０を、走査線駆動回路１４０と同じ辺側に実装しても良い。
＜その３＞
Ｒ・Ｇ・Ｂのサブ表示画素１０１およびＣの視角制御画素１０２の配列は、図１に限ら
れず、例えば図１４に示されるように、表示の単位となる画素を、ＲＧＢＣの２×２で構
成しても良い。このような２×２の配列では、Ｃの視角制御画素１０２に対応する視角制
御線１１５は、Ｇのサブ表示画素１０１に対応するデータ線１１４を兼用する。このため
、視角制御回路１６０は、データ線駆動回路１５０の機能を兼用することになる。詳細に
は、視角制御回路１６０は、ＲＧの走査線１１２が選択されたとき、データ線１１４にＲ
の階調成分に応じた電圧のデータ信号を供給し、データ線を兼用する視角制御線１１５に
Ｇの階調成分に応じた電圧のデータ信号を供給する一方、ＢＣの走査線１１２が選択され
たとき、データ線１１４にＢの階調成分に応じた電圧のデータ信号を供給し、データ線を
兼用する視角制御線１１５に視角制御のオンオフに応じた電圧の視角制御信号を供給する
ことになる。
＜その４＞
上述した説明では、書込極性の基準をコモン電極１０８に印加される電圧Ｖcomとした
。これは、ＴＦＴ１１６、１１７が理想的なスイッチとして機能する場合であり、実際に
は、ゲート・ドレイン間の寄生容量に起因して、オンからオフに状態変化するときにドレ
イン電極（画素電極１１８）の電位が低下する現象（プッシュダウン、突き抜け、フィー
ルドスルーなどと呼ばれる）が発生する。液晶層の劣化を防止するため、液晶容量１２０
、１３０については交流駆動としなければならないが、コモン電極１０８への電圧Ｖcom
を書込極性の基準として交流駆動すると、プッシュダウンのために、負極性書込による液
晶容量１２０、１３０の電圧実効値が、正極性書込による実効値よりも若干大きくなって
しまう（ＴＦＴ１１６がｎチャネルの場合）。
そこで、書込極性の基準電圧とコモン電極１０８の電圧Ｖcomとを別々とするとともに
、書込極性の基準電圧を、プッシュダウンの影響が相殺されるように、電圧Ｖcomよりも
高位側に設定しても良い。
あるいは、正極性のオン電圧Ｖon(+)と負極性のオン電圧Ｖon(-)とを視角制御信号とし
て供給したときに、プッシュダウンの影響が相殺されるように、電圧Ｖon(+)、Ｖon(-)を
それぞれ個別に調整可能な構成としても良い。
また、視角制御オフに対応する視角制御信号については、コモン電極１０８と同一の電
圧Ｖcomに限られず、液晶容量１３０の印加電圧をしきい値電圧以下とする電圧であれば
良い。このため、特に図示しないが、正極性であれば、電圧Ｖcom（または極性の基準電
圧）よりわずかに高めの電圧Ｖoff(+)とすれば良いし、負極性であれば、電圧Ｖcom（基
準電圧）よりわずかに低めの電圧Ｖoff(-)とすれば良い。
＜その５＞
コモン電極１０８については、時間的に一定の電圧Ｖcomとはせずに、正極性とする場
合には相対的に低い電圧とし、負極性とする場合には相対的に高い電圧としても良い。ま
た、コモン電極１０８については、各画素にわたって共通とするのではなく、例えば、走
査線１１２に対応する行毎に分割しても良い。
＜その他＞
また、サブ表示画素１０１および視角制御画素１０２については、透過型に限られず、
反射型としても良い。
反射型とする場合には、コモン電極１０８として、反射性の導電層をパターニングした
ものを用いても良いし、別途の反射性金属層を設けても良い。さらに、透過型および反射
型の両者を組み合わせた、いわゆる半透過半反射型としても良い。
また、サブ表示画素１０１については、Ｒ・Ｇ・Ｂの３つに限られず、例えばＧを、Ｙ
Ｇ（黄緑）およびＥＧ（エメラルドグリーン）に分けて、これらの４色のサブ表示画素で
カラー表示の単位となる画素を構成して、広色帯化を図った構成としても良い。
さらに、カラーではなく単色表示とする構成でも良い。単色表示とする構成では、１個
の表示画素が表示単位となる１画素になるとともに、視角制御画素１０２が設けられる。
また、１画素を構成する表示画素は、例えばカラーフィルターを除去した（または、カラ
ーフィルターを該色とした）サブ表示画素１０１の１個と同等な構成となる。
また、フレームにおける書き込み極性については、面反転方式に限られず、行（ライン
）反転方式や、列反転方式、画素反転方式など種々のものが適用可能である。
＜電子機器＞
次に、上述した実施形態等に係る液晶表示装置１０を有する電子機器について説明する
。図１５は、実施形態や応用・変形例に係る液晶表示装置１０を用いた携帯電話１２００
の構成を示す図である。
この図に示されるように、携帯電話１２００は、複数の操作ボタン１２０２や方向キー
１２０４のほか、受話口１２０６、送話口１２０８とともに、上述した液晶表示装置を備
えるものである。なお、液晶表示装置のうち、表示パネル１００のみ外観として表れ、他
については、携帯電話１２００の筐体内となる。
なお、実施形態等に係る液晶表示装置１０は、図１５に示した携帯電話以外の電子機器
にも適用可能である。このような電子機器としては、例えばデジタルスチルカメラや、ノ
ートパソコン、液晶テレビ、ビューファインダー型（またはモニタ直視型）のビデオレコ
ーダー、カーナビゲーション装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステー
ション、テレビ電話、タッチパネルを備えた機器等などの表示部を有するものが挙げられ
る。
１０…液晶表示装置、１００…表示パネル、１０１…サブ表示画素、１０２…視角制御画
素、１０５…液晶層、１０８…コモン電極、１１２…走査線、１１４…データ線、１１５
…視角制御線、１１６、１１７…ＴＦＴ、１１８、１１９…画素電極、１２０、１３０…
液晶容量、１４０…走査線駆動回路、１５０…データ線駆動回路、１６０…視角制御回路
、１２００…携帯電話

Claims (7)

  1. 走査線とデータ線との交差に対応してそれぞれ設けられ、各々は、
    前記走査線に選択電圧が印加されたときに一端と他端との間が導通状態となるとともに
    前記一端が前記データ線に接続された表示画素スイッチング素子と、前記表示画素スイッ
    チング素子の他端に接続された表示画素電極と、を含み、前記表示画素電極とコモン電極
    とにおける電圧によって液晶層が駆動される表示画素と、
    前記走査線と視角制御線との交差に対応して設けられ、各々は、
    前記走査線に選択電圧が印加されたときに、一端と他端との間が導通状態となるととも
    に前記一端が前記視角制御線に接続された視角制御画素スイッチング素子と、前記視角制
    御画素スイッチング素子の他端に接続された視角制御画素電極と、を含み、視角度に対す
    る透過率または反射率の特性が前記表示画素とは異なる視角制御画素と、
    複数の前記走査線を所定の順番で選択し、選択した走査線に前記選択電圧を印加する走
    査線駆動回路と、
    前記選択電圧が印加された走査線に対応する視角制御画素に対し、視角制御に応じた電
    圧の視角制御信号を、前記視角制御線を介して供給する視角制御回路と、
    を具備することを特徴とする液晶表示装置。
  2. 前記選択電圧が印加された走査線に対応する表示画素の階調成分に応じた電圧のデータ
    信号を、前記データ線に供給するデータ線駆動回路を有する
    ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
  3. 前記視角制御回路は、２以上の視角制御線をまとめて駆動する
    ことを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
  4. 前記視角制御回路は、１または２以上の視角制御画素毎に視角制御のオンまたはオフに
    応じた電圧の視角制御信号を供給する
    ことを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
  5. 前記視角制御回路は、１または２以上の視角制御画素毎に視角制御の度合いに応じた電
    圧の視角制御信号を供給する
    ことを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
  6. 前記視角制御線は、前記データ線と交差しないように設けられている
    ことを特徴とする請求項２または３に記載の液晶表示装置。
  7. 請求項１乃至６のいずれかに記載の液晶表示装置を有することを特徴とする電子機器。
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