JP4167085B2

JP4167085B2 - 液晶表示装置

Info

Publication number: JP4167085B2
Application number: JP2003030657A
Authority: JP
Inventors: 知範西野; 正行引場; 恒一阿武
Original assignee: 株式会社日立ディスプレイズ
Priority date: 2003-02-07
Filing date: 2003-02-07
Publication date: 2008-10-15
Anticipated expiration: 2023-02-07
Also published as: US20040150759A1; CN1310071C; US7298430B2; JP2004240268A; CN1519619A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示装置に係り、特に、部分透過型と称される液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
部分透過型の液晶表示装置は、一つの画素内に外光を反射させる領域と、バックライトからの光を透過させ領域とを備えている。このような液晶表示装置は、たとえば携帯電話のように屋内外で使用される機器に多く使用されており、使用環境が明るいときは外光を利用して画像を表示し、使用環境が暗いときにはバックライトの光を利用して画像を表示する（例えば、「特許文献１」参照）。
【０００３】
一般に、部分透過型の液晶表示装置は液晶層を介して対向配置したガラス等の透明な２枚の基板で構成される。そして、２枚の透明基板のうちの一方の透明基板には、第１の方向（Ｘ方向、通常は水平方向）に延在し第２の方向（Ｙ方向、通常は垂直方向）に並設された複数のゲート線と、Ｙ方向に延在されＸ方向に並設される複数のドレイン線とが形成されている。これら複数のゲート線と複数のドレイン線が形成された領域が画素領域である。画素領域には、薄膜トランジスタ等のスイッチング素子と画素電極とで構成される複数の画素が形成されている。そして、ゲート線とドレイン線の交差部近傍に上記スイッチング素子が形成され、隣り合う２本のゲート線と隣り合う２本のドレイン線とで囲まれた領域に上記スイッチング素子と画素電極で１つの画素が形成される。スイッチング素子はゲート線から供給される走査信号により選択されて動作し、ドレイン線からの映像信号が当該スイッチング素子を介して画素電極に供給される。
【０００４】
部分透過型の液晶表示装置の各画素電極は、一つの画素領域に配置された光透過性画素電極と光反射性の画素電極とで構成されている。光透過性である２枚の透明基板に有する一方の画素電極は、例えばＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）のような透光性の導電層で形成され、光反射性である他方の画素電極はアルミニウム（Ａｌ）等の金属層のような非透光性の導電層で形成されている。
【０００５】
また、液晶表示装置を構成する２枚の透明基板のうちの他方の透明基板には、各画素領域に共通に形成された透光性の導電層からなる対向電極が形成されている。そして、一方の透明基板に形成された画素電極と、他方の透明基板に形成された対向電極との間に電界を発生させ、その電界によって画素領域内の液晶層を構成する液晶分子の配向方向を制御して画素の点灯（オン）と消灯（オフ）による映像を表示する。
【０００６】
部分透過型液晶表示装置は、透光性の導電層からなる画素電極の上層に絶縁膜を設け、この絶縁膜の一部を取り除いて該透光性の導電層からなる画素電極を露出させて光透過領域を形成し、前記絶縁膜の上層であって該光透過領域を除く領域に前述の非透光性の導電膜からなる画素電極を形成して光反射領域としている。また、Ａｌ等の金属からなる共通電極が画素領域を囲むように形成され、画素電極を共通電極とオーバラップさせて形成したマルチドメイン液晶表示素子も既知である（例えば、「特許文献２」の（段落００１４−００１５、００２０、００３１）参照）。
【０００７】
【特許文献１】
特開２００１−３５０１５８号公報
【特許文献２】
特開２０００−１９４０１６号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
他方、近年、より高精細な液晶表示装置が求められており、液晶表示装置の画素数が増加している。部分透過型の液晶表示装置では、表示の際に反射領域と透過領域の境界部近傍に枠体状の輝度差が生じる。この原因を追求した結果、前記絶縁膜を取り除いてできた開口の側壁面に相当する箇所が急峻な段差となっており、この段差の存在で配向膜が良好に形成できない。そのために、透過領域の絶縁膜近傍では液晶層の配向に乱れが生じ易く、配向が乱れた部分では液晶層を制御することができなくなり、表示不良が発生することが判明した。この表示不良は、例えば、光透過モードにおける黒表示の際に、配向の乱れた個所からバックライトの光が漏れて、当該箇所において完全な黒表示ができなくなる現象である。その結果として、画像表示面にはコントラストの低下した画像が表示される。
【０００９】
本発明の目的は、部分透過型の液晶表示装置における一画素の光反射領域と光透過領域の境界部近傍に生じる枠体状の輝度差を防止して高コントラストの画像表示を実現することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１１】
液晶層を介して対向配置された第１基板および第２基板と、前記第１基板は第１の方向に延在し第１の方向（通常は水平方向、後述する実施例の図面ではＸ方向）に交差する第２の方向（通常は垂直方向、後述する実施例の図面ではＹ方向）に並設された複数のゲート線と、前記第２の方向に延在し前記第１の方向に並設された複数のドレイン線と、前記ゲート線と平行に配置される保持容量線（ストレージ線とも言う）とを備え、
前記複数のゲート線のうちの隣り合う２本のゲート線と前記複数のドレイン線のうちの隣り合う２本のドレイン線とで囲まれた領域に画素とスイッチング素子とを備え、
前記画素は前記第１基板の背面から入射する光を透過させる光透過領域と、前記第２基板側から入射する光を反射させる光反射領域とを有し、
前記光透過領域は透光性の第１画素電極を備え、前記光反射領域は光反射性の第２画素電極を備え、
前記第２画素電極よりも下層に絶縁膜と前記保持容量線に接続された保持容量電極を備え、
前記保持容量電極を前記透過領域と前記反射領域の境界部とに重ねて形成した。
【００１２】
前記第１画素電極を、前記保持容量電極の上層に形成し、前記保持容量電極に形成された陽極酸化膜を介して保持容量を形成する。
【００１３】
また、液晶層を介して対向配置された第１基板と第２基板の一方に並設された複数のゲート線と、前記複数のゲート線の各ゲート線と交差して並設された複数のドレイン線とを有し、
前記ゲート線とドレイン線に囲まれた領域を画素領域とし、前記画素領域には、前記ゲート信号線から印加される走査信号によって動作するスイッチング素子と、前記スイッチング素子を介して前記ドレイン信号線から映像信号が供給される画素電極を備え、
前記画素電極は、前記画素領域を区分する一方の光透過領域に透光性の導電層からなる第１画素電極と、他方の光反射領域に非透光性の導電膜からなる第２画素電極とで構成され、
前記第１画素電極の上層に絶縁膜を有し、前記光透過領域に相当する前記絶縁膜の領域に前記第１画素電極を露出させる開口を有し、
前記絶縁膜の前記光反射領域に第２画素電極が形成され、
前記絶縁膜の前記開口の側壁面に相当する箇所に前記ゲート線と同層に形成された保持容量電極を配置した。
【００１４】
なお、前記第１基板の背面にバックライトを備えて、透過型表示モード（光透過モード）での光源とする。
【００１５】
上記構成とすることにより、光透過領域を囲む部分における枠体状の輝度差の発生が防止され、高品質の画像表示を実現できる。
【００１６】
なお、本発明は以上の構成に限定されず、本発明の技術思想を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による液晶表示装置の実施例を図面を用いて説明をする。同じ部位には同じ記号を付してある。液晶表示装置は、テレビ、パソコン、携帯用端末のディスプレイ等に使用されている。液晶表示装置は、軽量で且つ消費電力が少ないため携帯電話機などの小型電子端末の表示手段として利用されている。また、携帯用端末は屋内外で使用されるため、部分透過型の液晶表示装置が用いられる。部分透過型の液晶表示装置は、使用環境が明るいときは外光を利用して画像を表示し、使用環境が暗いときには背面に配置したバックライトの光を利用して画像を表示する。前者の場合は光反射モードとして用い、後者の場合は光透過モードとして用いるようになっている。液晶表示装置はガラスを好適とする第１基板と第２基板とを液晶層を介して対向配置し、第１基板の背面にバックライトを備える。
【００１８】
図１は液晶表示装置を画像観察窓側から見たときの配線を示す概略図である。第１基板ＳＵＢ１はＸ方向（水平方向）に延在されＹ方向（垂直方向）に並設される複数のゲート線ＧＬと、Ｙ方向に延在されＸ方向に並設される複数のドレイン線ＤＬと、ゲート線ＧＬと平行に配置される保持容量線（ストレージ線とも言う）ＣＬとを備える。互いに交差するゲート線ＧＬとドレイン線ＤＬとが形成された領域が画素領域ＡＲである。画素領域では、隣り合う２本のゲート線ＧＬと隣り合う２本のドレイン線ＤＬとで囲まれた領域に１つの画素が形成される。この画素を３種類（赤用画素、緑用画素、青用画素）使ってカラー画像をパネル前面に表示することができる。なお、ゲート線ＧＬはゲートドライバＧＤｒにより、またドレイン線ＤｌはドレインドライバＤＤｒで駆動される。
【００１９】
図２は本発明による液晶表示装置の画素の構成の一実施例を示す平面図であり、図３は図２のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。一つの画素内には、ゲート線ＧＬからの走査信号によって制御されるスイッチング素子ＴＦＴと、ドレイン線ＤＬからの映像信号がスイッチング素子を介して供給される画素電極ＰＸとを備える。多くの液晶表示装置ではスイッチング素子として薄膜トランジスタが使用されているので、以下、スイッチング素子を薄膜トランジスタとして説明する。また、画素は第１基板の背面からの光を透過させる光透過領域ＬＴＡと、第２のパネル側から入射する光を反射させる光反射領域ＬＲＡとを有する。光透過領域ＬＴＡは透光性の第１画素電極（又は透光性電極という）を備え、光反射領域ＬＲＡは光反射性の第２画素電極（又は反射電極という）を備える。これら、反射電極ＲＰＸと光透過電極ＴＰＸとで画素電極ＰＸを構成している。１つの画素中において反射電極の形成されていない領域を光透過領域ＬＴＡである。
【００２０】
反射電極ＲＰＸより下層にはゲート線ＧＬ、ゲート電極ＧＴ、ドレイン線ＤＬ、ドレイン電極ＤＴ、半導体層ＡＳ、ストレージ線ＣＬ、保持容量電極（ストレージ電極とも言う）ＣＴ、透光性の導電層からなる画素電極（透光性電極）ＴＰＸが形成されている。さらに、第２画素電極よりも下層にはストレージ線ＣＬに接続されて保持容量を形成する保持容量電極ＣＴが形成される。図示しない第２基板側から見たときに、保持容量電極ＣＴは光透過領域と光反射領域の境界部と重なって形成されている。また保持容量電極ＣＴは遮光性の材料で形成されている。ここで、前記絶縁膜の光透過領域に相当する領域に開口を設けているのは、光透過領域における液晶層内を通過する光の光路長と光反射領域における当該液晶層内を通過する光の光路長をほぼ等しくするためである。
【００２１】
第１基板である透明基板ＳＵＢ１の液晶層側の面に、ゲート線ＧＬが形成され、その一部は画素領域側に若干延在された部分を有している。この延在部は薄膜トランジスタＴＦＴのゲート電極ＧＴを形成する。このゲート線ＧＬおよびゲート電極ＧＴはたとえばアルミニュウム（Ａｌ）あるいはその合金とその表面を陽極化成して形成された陽極酸化膜ＯＬとで構成されている。
【００２２】
また、画素領域内に、図中Ｘ方向に延在する保持容量線ＣＬがあり、この保持容量線ＣＬはたとえば図中上方に位置づけられるゲート線ＧＬに近接して配置されている。この保持容量線ＣＬは画素領域の中央側へ比較的大きく延在する部分を有し、この延在部によって後述する容量素子Ｃｓｔｇの保持容量電極ＣＴを形成する。
【００２３】
さらに、本実施例による画素は、たとえば、その領域内のほぼ中央に光透過領域ＬＴＡを形成し、この光透過領域ＬＴＡを囲むようにして光反射領域ＬＲＡを形成するように構成する。該光透過領域ＬＴＡと光反射領域ＬＲＡとの境界部に相当する箇所には所定の幅を有する保持容量電極ＣＴが形成されている。保持容量電極ＣＴは反射電極の形成されていない部位において遮光層として作用する。また、保持容量線ＣＬが光透過領域ＬＴＡにも配置されている。
【００２４】
保持容量電極ＣＴ及び保持容量線ＣＬは、たとえば前記ゲート信号線ＧＬと同工程で形成され、その材料はアルミニュウム（Ａｌ）あるいはその合金で形成される。また、保持容量電極ＣＴ及び保持容量線ＣＬは、その表面に陽極酸化膜ＯＬが形成されている。そして、画素領域内に、たとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＴＺＯ（Indium Tin Zinc Oxide)、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide)、ＳｎＯ₂（酸化スズ）、Ｉｎ₂０₃（酸化インジウム）等からなる透光性の導電層が形成されている。この透光性の導電層は、光透過領域ＬＴＡを充分に被って形成され、該光透過領域ＬＴＡにおける画素電極ＴＰＸの役割を果たす。
【００２５】
また、たとえば該透光性の導電層は保持容量電極ＣＴ及び保持容量線ＣＬの上層にも形成されている。保持容量電極ＣＴ及び保持容量線ＣＬの表面には陽極酸化膜ＯＬが介在され、この陽極酸化膜ＯＬが容量素子Ｃｓｔｇの一つの誘電体膜を構成するようになっている。
【００２６】
本発明の部分透過型液晶表示装置は、保持容量電極が遮光層を兼ねているため、保持容量を減らすことなく透過領域を拡大させることができる。さらに、前記ゲート電極ＧＴを跨ぐようにしてゲート絶縁膜ＧＩとアモルファスＳｉからなる半導体層ＡＳの順次積層体が形成されている。これらゲート電極ＧＴ、ゲート絶縁膜ＧＩ、半導体層ＡＳは薄膜トランジスタＴＦＴを構成する部材で、該半導体層ＡＳの上面にドレイン電極およびソース電極を形成することによって、いわゆる逆スタガ構造のＭＩＳ（Metal Insulator Semiconductor ）トランジスタが形成されることになる。
【００２７】
なお、ゲート絶縁膜ＧＩと半導体層ＡＳの順次積層体は、ドレイン線ＤＬの形成領域の全域に及んで延在され、これにより該ドレイン線ＤＬの形成において該ドレイン信号線ＤＬが段差のない部分に形成される。ドレイン信号線ＤＬが該段差によって段切れが生じないようにするためである。
【００２８】
また、ドレイン線ＤＬの一部には薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域における半導体層ＡＳ上にまで延在する延在部を有し、この延在部は該薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極ＳＤ１として構成されるようになっている。
【００２９】
さらに、ドレイン線ＤＬの形成の際に、前記ドレイン電極ＳＤ１に対して該薄膜トランジスタＴＦＴのチャネル長に相当する長さ分だけ離間されてソース電極ＳＤ２が形成され、このソース電極ＳＤ２は透光性電極ＴＰＸ上にまで延在する延在部が形成されている。この延在部は反射電極ＲＰＸとの接続を図るために形成されている。
【００３０】
そして、このように構成された第１基板ＳＵＢ１の表面には、保護膜ＰＡＳのうちの一つである無機保護膜ＰＡＳ１がたとえばシリコン窒化膜等で形成されている。また、この無機保護膜ＰＡＳ１の表面には、有機保護膜ＰＡＳ２がたとえば樹脂等の材料で形成されている。上述した無機保護膜ＰＡＳ１とこの有機保護膜ＰＡＳ２とで、主として薄膜トランジスタＴＦＴを液晶との直接の接触を回避する保護膜ＰＡＳを構成している。このようにした理由は保護膜ＰＡＳ全体としてその誘電率を低減させるためである。
【００３１】
ここで、有機保護膜ＰＡＳ２に形成された前記開口ＨＬ２は画素領域における光透過領域ＬＴＡとなるもので、該開口ＨＬ２から露出された透光性電極ＴＰＸが光透過領域ＬＴＡにおける画素領域ＰＸとして機能する。なお、有機保護膜ＰＡＳ２の光透過領域ＬＴＡに相当する領域において開口ＨＬを形成している。また有機保護膜ＰＡＳ２は、光透過領域ＬＴＡにおける液晶内を通過する光の光路長と光反射領域ＬＲＡにおける液晶内を通過する光の光路長とがほぼ等しくなるように形成されている。
【００３２】
さらに、この有機保護膜ＰＡＳ２の表面、すなわち光反射領域ＬＲＡに該当する領域には、反射板を兼ねる反射電極ＲＰＸが形成されている。この反射電極ＲＰＸはたとえばＡｌあるいはその合金、あるいはそれらを含む積層体で形成されている。いずれにしても反射効率の良好な材料を用い、積層体で形成する場合にはそれを最上層に形成して構成される。
【００３３】
また、この反射電極ＲＰＸは保護膜ＰＡＳ２に形成された前記開口ＣＨ２を通して薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ２と接続され、光透過領域ＬＴＡにおける透光性電極ＴＰＸと導電位になるように構成されている。また、この反射電極ＲＰＸは、光透過領域ＬＴＡ、すなわち保護膜ＰＡＳ２の開口内における形成は回避され、これにより光反射領域ＬＲＡに形成される該反射電極ＲＰＸと光透過領域ＬＴＡに形成される前記画素電極ＴＰＸは、平面的に観た場合、保護膜ＰＡＳ２の前記開口の側壁面によって画されるようになっている。
【００３４】
なお、このように構成された第１基板ＳＵＢ１の表面には配向膜が形成され、この配向膜は液晶と直接に接触するようになって該液晶の分子の初期配向を決定するようになっている。
【００３５】
このように構成された液晶表示装置において、保持容量電極ＣＴ及び保持容量線ＣＬは、図１に示すように、光透過領域ＬＴＡと光反射領域ＬＲＡとの境界部に跨って形成されることになる。光透過領域ＬＴＡは有機保護膜ＰＡＳ２に開口を形成した部分となっており、光反射領域ＬＲＡは該保護膜ＰＡＳが形成された部分となっている。このため、光透過領域ＬＴＡと光反射領域ＬＲＡとの境界部は有機保護膜ＰＡＳ２の開口の側壁面に相当する。
【００３６】
透過領域での光路長と反射領域での光路長を近似させるために、有機保護膜２は厚く形成されている。そのため、有機保護膜ＰＡＳ２の開口の側壁面に近接する透過領域では配向膜のラビング処理が精度よく行なうことが困難であり、この部分は液晶の配向が充分になされない部分となる。
【００３７】
このため、光透過領域ＬＴＡにおいて黒表示する際に、該部分にて完全な黒表示がなされることはなく、枠体状の模様が認識されることになる。それ故、この部分に保持容量電極ＣＴ及び保持容量線ＣＬを形成し、上述した不都合を解消せんとしている。
【００３８】
図４は光透過領域ＬＴＡと光反射領域ＬＲＡとの境界部における断面図である。液晶層と接触して配置される配向膜ＯＲＩ１は、有機保護膜ＰＡＳ２の開口ＨＬ２の側壁面およびその近傍の底面において適正なラビング処理ができなくなる。このため、この部分における液晶（図４中にＡで示す）は適正な挙動ができず、たとえば光透過領域ＬＴＡにおいて黒表示する際に、該部分にて完全な黒表示がなされなくなる。
【００３９】
本発明の液晶表示装置では、適正なラビング処理が出来ない部分において遮光層として保持容量電極ＣＴ及び保持容量線ＣＬを形成している。液晶表示装置の製造工程において、適正なラビング処理ができていない領域にのみ遮光層（図示せず）を形成することは難しい。図４の断面図では、液晶表示装置の製造工程での位置ずれを考慮し、遮光層上に有機保護膜ＰＡＳ２の開口ＨＬ２の端部を配置した。遮光層が光反射領域ＬＲＡと光透過領域ＬＴＡとに跨って形成されるため、適正なラビング処理ができていない領域で確実に遮光を行なうことができる。また、図４の液晶表示装置は、遮光層の上に保護膜ＰＡＳ２を形成したので、遮光領域を狭くすることができる。よって、光透過モード及び光反射モードにおける画面の輝度は向上する。
【００４０】
なお、図４は透明基板ＳＵＢ１と液晶層ＬＣを介して配置される透明基板（第２基板）ＳＵＢ２をも示しており、この第２基板ＳＵＢ２の液晶側の面には、カラーフィルタＦＩＬ、オーバコート膜ＯＣ、対向電極ＣＴ、配向膜ＯＲＩ２が形成されている。
【００４１】
また、この実施例では、前記遮光層は、薄膜トランジスタＴＦＴに近接する部分において形成されていない構成となっている。このようにした理由は、まず、光透過領域ＬＴＡと光反射領域ＬＲＡとの境界部において、前記遮光層を形成しない部分を形成することによって、透光性の導電層からなる透光性電極ＴＰＸが該遮光層を跨ぐことのない領域を形成することにある。透光性電極ＴＰＸは段差のある部分において段切れが生じやすい性質を有し、この段切れによって光透過領域ＬＴＡに形成される該透光性電極ＴＰＸが薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ２と電気的に断線するのを回避させている。
【００４２】
また、遮光層の形成されていない部分を特に薄膜トランジスタＴＦＴに近接した部分としたのは、結果として遮光層と該薄膜トランジスタＴＦＴのゲート電極ＧＴとの距離を離し、これらが互いに電気的に接続されることを回避させている。
【００４３】
図５は本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す平面図である。図５のＩ−Ｉ線での断面構造は図２と同様である。図５の画素では、保持容量線ＣＬから延びる保持容量電極ＣＴが一部で切断されている。他の構成は図２と同様なので、説明を省略する。すなわち、図５において、遮光層ＩＬＩはゲート線ＧＬ、ゲート電極、保持容量線ＣＬ、保持容量電極ＣＴ合と同層に形成されているが、電気的に保持容量電極ＣＴに接続されていない。本実施例の構成によれば、画素電極の保持容量の調節が容易にできる。
【００４４】
図６は、本発明による液晶表示装置の画素のさらに他の実施例を示す平面図である。また、図７は図６のII−II線に沿った断面図である。本実施例では透過領域ＬＴＡを少なくし、反射領域ＬＲＡを多く形成してある。保持容量電極ＣＴは保持容量線ＣＬから反射電極層の下層に延在し、有機保護膜ＰＡＳ２の開口ＨＬの端部を超えて透過領域まで達している。保持電極ＣＴは遮光機能を有する個所と、反射電極の下層にあるため遮光機能を有しない個所とで分離していないので、効率的に保持容量を得ることがきる。
【００４５】
【発明の効果】
以上説明したことから明らかなように、本発明による液晶表示装置によれば、光透過領域を囲む部分に枠体状の輝度差を生じるのを防止することができる。また、透過領域を大きくしても充分に保持容量を確保することができ、高コントラストで高品質の画像表示を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の液晶表示装置を画像観察窓側から見たときの配線を示す概略図である。
【図２】本発明による液晶表示装置の画素の一実施例を示す平面図である。
【図３】図２のＩ−Ｉ線における断面図である。
【図４】本発明の一実施例の効果を説明するための断面図である。
【図５】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を説明する平面図である。
【図６】本発明による液晶表示装置の画素のさらに他の実施例を説明する平面図である。
【図７】図６のII−II線における断面図である。
【符号の説明】
ＬＴＡ・・・・光透過領域、ＬＲＡ・・・・光反射領域、ＧＬ・・・・ゲート線、ＤＬ・・・・ドレイン線、ＣＬ・・・・保持容量線（ストレージ線）、ＴＦＴ…薄膜トランジスタ（スイッチング素子）、ＧＴ・・・・ゲート電極、ＧＩ・・・・ゲート絶縁膜、ＡＳ・・・・半導体層、ＴＰＸ・・・・第１画素電極（透光性電極）、ＲＰＸ・・・・第２画素電極（反射電極）、ＰＡＳ・・・・保護膜、ＰＡＳ１・・・・無機材からなる保護膜、ＰＡＳ２・・・・有機材からなる保護膜。

Claims

液晶層を介して対向配置された第１基板および第２基板と、前記第１基板は第１の方向に延在し第１の方向に交差する第２の方向に並設された複数のゲート線と、前記第２の方向に延在し前記第１の方向に並設された複数のドレイン線と、前記ゲート線と平行に配置される保持容量線とを備え、
前記複数のゲート線のうちの隣り合う２本のゲート線と前記複数のドレイン線のうちの隣り合う２本のドレイン線とで囲まれた領域に画素とスイッチング素子とを備え、
前記画素は前記第１基板の背面から入射する光を透過させる光透過領域と、前記第２基板側から入射する光を反射させる光反射領域とを有し、
前記光透過領域は透光性の第１画素電極を備え、前記光反射領域は光反射性の第２画素電極を備え、
前記第２画素電極よりも下層に絶縁膜と、前記保持容量線に接続された保持容量電極とを備え、
前記光透過領域と前記光反射領域の境界部は、前記第１基板の前記第２基板側表面に形成された保護膜の開口の側壁面に相当し、
前記開口は、前記第 1 画素電極を露出させ、
前記境界部は、前記第 1 の方向に延在する２つの第１の辺と、前記第１の辺と交差する２つの第２の辺とを有し、
前記保持容量線は、前記境界部の前記第１の辺の一方に跨って形成され、
前記保持容量電極は、前記境界部の前記第２の辺の少なくとも一部に跨って形成され、
前記保持容量線および前記保持容量電極は、前記反射電極の形成されていない部位において遮光層として作用することを特徴とする液晶表示装置。