CN105652496B - 一种阵列基板及触摸屏 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种阵列基板及触摸屏,所述阵列基板包括像素电极层、第一触控电极层以及依次层叠设置在所述第一触控电极层上的绝缘层、第二触控电极层;其中所述像素电极层与所述第一触控电极层、所述第二触控电极层中至少一个不重叠,并且至少在所述像素电极层的垂直投影区域无所述绝缘层。通过上述方式,本发明能够在减小触控电极间的寄生电容的同时,不影响液晶电容和存储电容的大小。
Description
技术领域
本发明涉及触控技术领域,特别是涉及一种阵列基板及触摸屏。
背景技术
随着电子技术的不断发展,触摸屏已逐渐普及到人们的生活中。触摸屏具有坚固耐用、反应速度快、节省空间、易于交流等优点,利用触摸屏,用户只需要手指轻轻触碰屏幕上的图文字符即可实现对主机的操作,从而使得人机交互更为直截了当。
触摸屏包括覆盖表面式触摸屏(On-cell Touch Panel)和内嵌式触摸屏(In-cellTouch Panel)。其中,内嵌式触摸屏是将触控感应功能嵌入到冶金像素中,可以更好地实现面板的薄型化和轻量化,备受厂商青睐。
如图1所示,图1是现有技术一种液晶面板的结构示意图。液晶面板包括上基板11、下基板12以及位于上基板11和下基板12之间的液晶层13。下基板12上形成有薄膜晶体管TFT的源漏金属层121、有机绝缘层122、公共电极层123、钝化层124和像素电极层125。
如图2所示,图2是现有技术一种内嵌式触摸屏的结构示意图。现有的内嵌式触摸屏中,通常是在下基板12上增加触控电极层21和绝缘层22。触控电极层21和公共电极层123作为感应电极用以实现触摸屏的触控感应功能。其中,绝缘层22覆盖公共电极层123,触控电极层21位于部分绝缘层22上,钝化层124覆盖触控电极层21和绝缘层22。像素电极层125位于钝化层124上。由于触控电极层21和公共电极层123之间会产生寄生电容,因此现有技术中为了避免寄生电容过大,通常会形成较厚的绝缘层22,以降低触控电极层21和公共电极层123之间的寄生电容。
然而,如图2所示,绝缘层22的厚度将会改变像素电极层125和上基板11之间的间距,以及像素电极125和公共电极层123之间的间距,因此若需要增加绝缘层22的厚度以降低触控电极的寄生电容时,液晶电容和存储电容的大小也会受到影响,降低显示品质。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种阵列基板及触摸屏,能够在减小触控电极间的寄生电容的同时,不影响液晶电容和存储电容的大小。
为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种用于触摸屏的阵列基板,包括像素电极层、第一触控电极层以及依次层叠设置在所述第一触控电极层上的绝缘层、第二触控电极层;其中所述像素电极层与所述第一触控电极层、所述第二触控电极层中至少一个不重叠,并且至少在所述像素电极层的垂直投影区域无所述绝缘层。
其中,还包括钝化层;所述像素电极层与所述第二触控电极层不重叠,所述像素电极层包括多个像素电极条,所述绝缘层包括多个间隔排列于所述第一触控电极层上的绝缘层,所述第二触控电极层位于其中一个所述绝缘层,所述钝化层设置在所述第二触控电极层以及绝缘层之间的第一触控电极层上,所述多个像素电极条分别设置在绝缘层之间的所述钝化层上,每个所述像素电极条的垂直投影区域无所述绝缘层。
其中,还包括钝化层;所述像素电极层与所述第二触控电极层不重叠,所述像素电极层包括多个像素电极条,所述绝缘层覆盖部分所述第一触控电极层,所述钝化层设置在所述第二触控电极层以及未被所述绝缘层覆盖的所述第一触控电极层上,所述多个像素电极条设置在所述钝化层上,每个所述像素电极条的垂直投影区域以及像素电极条之间无所述绝缘层。
其中,所述第一触控电极层为公共电极层。
其中,所述第二触控电极层位于黑色矩阵的垂直投影区域内。
为解决上述技术问题,本发明采用的另一个技术方案是:提供一种触摸屏,包括阵列基板、彩色滤光基板和位于所述阵列基板和所述彩色滤光基板之间的液晶层,所述阵列基板包括像素电极层、第一触控电极层以及依次层叠设置在所述第一触控电极层上的绝缘层、第二触控电极层;其中所述像素电极层与所述第一触控电极层、所述第二触控电极层中至少一个不重叠,并且至少在所述像素电极层的垂直投影区域无所述绝缘层。
其中,所述阵列基板还包括钝化层;所述像素电极层与所述第二触控电极层不重叠,所述像素电极层包括多个像素电极条,所述绝缘层包括多个间隔排列于所述第一触控电极层上的绝缘层,所述第二触控电极层位于其中一个所述绝缘层,所述钝化层设置在所述第二触控电极层以及绝缘层之间的第一触控电极层上,所述多个像素电极条分别设置在绝缘层之间的所述钝化层上,每个所述像素电极条的垂直投影区域无所述绝缘层。
其中,所述阵列基板还包括钝化层;所述像素电极层与所述第二触控电极层不重叠,所述像素电极层包括多个像素电极条,所述绝缘层覆盖部分所述第一触控电极层,所述钝化层设置在所述第二触控电极层以及未被所述绝缘层覆盖的所述第一触控电极层上,所述多个像素电极条设置在所述钝化层上,每个所述像素电极条的垂直投影区域以及像素电极条之间无所述绝缘层。
其中,所述第一触控电极层为公共电极层。
其中,所述彩色滤光基板包括黑色矩阵,所述第二触控电极层位于所述黑色矩阵的垂直投影区域内。
本发明的有益效果是:区别于现有技术的情况,本发明在第一触控电极层和第二触控电极层之间设置有绝缘层,且在像素电极层的垂直投影区域不设置有所述绝缘层,即第一触控电极层和第二触控电极层之间的绝缘层未在像素电极层的垂直投影区域内形成有,因此形成在第一触控电极层和第二触控电极层之间的绝缘层的厚度不会对像素电极与另一基板上的公共电极之间的间距造成影响,也不会对像素电极与阵列基板上的公共电极之间的间距造成影响,因此当增加第一触控电极层和第二触控电极层之间的绝缘层的厚度以降低触控电极层之间的寄生电容时,可以避免对液晶电容和存储电容的产生影响。
附图说明
图1是现有技术一种液晶面板的结构示意图;
图2是现有技术一种内嵌式触摸屏的结构示意图;
图3是本发明用于触摸屏的阵列基板一实施方式的结构示意图;
图4是本发明用于触摸屏的阵列基板另一实施方式的结构示意图;
图5是本发明触摸屏一实施方式的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合附图和实施方式对本发明进行详细说明。
在对本发明进行介绍之前,先对适用于本发明的阵列基板的液晶面板进行说明。阵列基板和彩色滤光基板相对贴合,然后在阵列基板和彩色滤光基板之间加入液晶从而得到液晶面板。其中,由阵列基板上的像素电极和彩色滤光基板上的公共电极所形成的平行板电容为液晶电容,由阵列基板上的像素电极和阵列基板上的公共电极所形成的平行板电容为存储电容。
参阅图3,本发明阵列基板的一实施方式中,阵列基板包括像素电极层31、第一触控电极层32以及依次层叠设置在第一触控电极层32上的绝缘层33、第二触控电极层34,即绝缘层33位于第一触控电极层32和第二触控电极层34之间。
其中,在进行触控功能时,第一触控电极层32可以是驱动电极,第二触控电极层34可以是感应电极,两者相互配合实现触控检测。
像素电极层31和第二触控电极层34不重叠,并且像素电极层31的垂直投影区域不设置有绝缘层33,即形成在第一触控电极层32和第二触控电极层34之间的绝缘层33,未在像素电极层31的垂直投影区域内形成。因此,当将阵列基板和另一彩色滤光基板相对贴合时,形成在第一触控电极层32和第二触控电极层34之间的绝缘层33的厚度不会对像素电极层31和彩色滤光基板上的公共电极层之间的间距造成影响,也不会对像素电极层31和阵列基板上的公共电极层之间的间距造成影响,由此当需要增加第一触控电极层32和第二触控电极层34之间的绝缘层33的厚度以降低触控电极层32、34之间的寄生电容时,可以避免对液晶电容和存储电容的大小产生影响,能够保证显示品质。
进一步地,本发明实施方式中,阵列基板还包括钝化层35。第一触控电极层32为阵列基板的公共电极层。其中,像素电极层31与第二触控电极层34不重叠。像素电极层31与第一触控电极层32部分重叠,其位于第一触控电极层32上。绝缘层33包括多个间隔排列于第一触控电极层32上的绝缘层33,第二触控电极层34位于其中一个绝缘层33上,绝缘层33之间的第一触控电极层32上无绝缘层33。
其中,钝化层35设置在第二触控电极层34、绝缘层33之间的第一触控电极层32以及未被第二触控电极层34覆盖的绝缘层33上。像素电极层31包括多个像素电极条311,多个像素电极条311分别位于绝缘层33之间的钝化层35上,即多个像素电极条311位于直接覆盖在第一触控电极层32上的钝化层35上,且像素电极条311直接与钝化层35接触,从而使得像素电极套311的垂直投影区域内无绝缘层33。
因此,本实施方式中,像素电极条311之间设置有绝缘层33,且像素电极条311之间的绝缘层33上也设置有钝化层35。
其中,阵列基板进一步还包括基底36以及依次形成于基底36上的栅极绝缘层37、ILD(Insulator layer,绝缘层)层38、源漏金属层39以及有机绝缘层40。第一触控电极层31形成于有机绝缘层40上。
因此,本实施方式的阵列基板,可以通过如下方法步骤形成:
步骤S41:提供基底36。
步骤S42:在基底36上依次形成栅极绝缘层37、ILD层38、源漏金属层39以及有机绝缘层40。
步骤S43:在有机绝缘层40上形成第一触控电极层32。
步骤S44:在第一触控电极层32上形成绝缘层33,绝缘层33覆盖第一触控电极层32。
步骤S45:除去部分绝缘层33以形成多个间隔排列于第一触控电极层32上的绝缘层33,并暴露绝缘层33之间的第一触控电极层32。
步骤S46:在其中一个绝缘层33上形成第二触控电极层34。
步骤S47:在第二触控电极层34、位于绝缘层33之间的第一触控电极层32以及未被第二触控电极层34覆盖的绝缘层33上形成钝化层35。
步骤S48:在绝缘层33之间的钝化层35上形成像素电极条311。
在步骤S45和步骤S46中,在第一触控电极层32上形成绝缘层33后,也可以是在绝缘层33上先形成第二触控电极层34,然后以第二触控电极层34为自对准光罩以除去部分没有被第二触控电极层34覆盖的绝缘层33,以在第一触控电极层32上形成多个间隔排列的绝缘层33,并暴露绝缘层33之间的第一触控电极层32。
通过上述方式,可以使得像素电极条311的垂直投影区域内无绝缘层33,从而当需要设置绝缘层33或者设置不同厚度的绝缘层33以降低第一触控电极层32和第二触控电极层34之间的寄生电容时,可以避免绝缘层33对液晶电容和存储电容的大小的影响。并且,通过使像素电极条311形成于绝缘层33之间,可以以绝缘层33的高度为参考来形成各个像素电极条311,有利于保证各个像素电极条311的平坦度,所述平坦度即是指各个像素电极条的高度的一致性。
参阅图4,在本发明阵列基板的另一实施方式中,与图3所示的实施方式主要不同的是,除了与第二触控电极层34对应的位置上形成有绝缘层33外,第一触控电极层32的其他位置上不形成有绝缘层33,即像素电极条11之间不设置有绝缘层33。
因此,在形成本实施方式的阵列基板步骤中,形成第一触控电极层32后,在第一触控电极层32上形成绝缘层33,然后在绝缘层33上形成第二触控电极层34,之后可以以第二触控电极层34为自对准光罩对绝缘层33进行曝光,以除去除第二触控电极层34覆盖的绝缘层33之外的其他绝缘层。然后,在第二触控电极层34上和暴露的第一触控电极层32上形成钝化层35,然后在与第一触控电极层32直接接触的钝化层35上形成多个像素电极条311,其中多个像素电极条311与第二触控电极层34不重叠,由此使得像素电极条311的垂直投影区域上无绝缘层33,绝缘层33仅位于第一触控电极层32和第二触控电极层33之间。
本实施方式的阵列基板,通过除去第二触控电极层34覆盖的绝缘层33之外的其他绝缘层,可以简化工艺过程。
其中,在本发明的阵列基板的实施方式中,第二触控电极层34位于黑色矩阵对应的垂直投影区域内,即第二触控电极层34位于像素单元之间,所述黑色矩阵位于彩色滤光基板上,一个所述像素单元与彩色滤光基板上的一个红色色阻层(R)或者一个绿色色阻层(G)或者一个蓝色色阻层(B)相对应。
其中,在另一种实施方式中,第一触控电极层32也可以是额外增加在阵列基板中用以实现触摸感应的触控电极层,此时像素电极层31可以与第一触控电极层32、34均不重叠。
参阅图5,在本发明触摸屏一实施方式中,触摸屏为具有触摸功能的液晶显示屏。其中,触摸屏包括阵列基板51、彩色滤光基板52以及位于阵列基板和彩色滤光基板52之间的液晶层53。
其中,阵列基板51为上述任一实施方式所述的阵列基板。其中,以图3所示的阵列基板为例进行说明。本实施方式的触摸屏中,液晶层53中设置有间隔物531,用以保证液晶间隙。阵列基板51包括像素电极层31、第一触控电极层32以及依次层叠设置在第一触控电极层32上的绝缘层33、第二触控电极层34,即绝缘层33位于第一触控电极层32和第二触控电极层34之间。
其中,像素电极层31和第二触控电极层34不重叠,并且像素电极层31的垂直投影区域不设置有绝缘层33,即形成在第一触控电极层32和第二触控电极层34之间的绝缘层33,未在像素电极层31的垂直投影区域内形成。因此,当将阵列基板51和彩色滤光基板52相对贴合时,形成在第一触控电极层32和第二触控电极层34之间的绝缘层33的厚度不会对像素电极层31和彩色滤光基板52上的公共电极层之间的间距造成影响,也不会对像素电极层31和阵列基板51上的公共电极层之间的间距造成影响,由此当需要增加第一触控电极层32和第二触控电极层34之间的绝缘层33的厚度以降低触控电极层32、34之间的寄生电容时,可以避免对液晶电容和存储电容的大小产生影响,能够保证显示品质。
进一步地,阵列基板51还包括钝化层35。第一触控电极层32为阵列基板51的公共电极层。其中,像素电极层31与第二触控电极层34不重叠。像素电极层31与第一触控电极层32部分重叠,其位于第一触控电极层32上。绝缘层33包括多个间隔排列于第一触控电极层32上的绝缘层33,第二触控电极层34位于其中一个绝缘层33上,绝缘层33之间的第一触控电极层32上无绝缘层33。
其中,钝化层35设置在第二触控电极层34、绝缘层33之间的第一触控电极层32以及未被第二触控电极层34覆盖的绝缘层33上。像素电极层31包括多个像素电极条311,多个像素电极条311分别位于绝缘层33之间的钝化层35上,即多个像素电极条311位于直接覆盖在第一触控电极层32上的钝化层35上,且像素电极条311直接与钝化层35接触,从而使得像素电极套311的垂直投影区域内无绝缘层33。
其中,阵列基板51进一步还包括基底36以及依次形成于基底36上的栅极绝缘层37、ILD(Insulator layer,绝缘层)层38、源漏金属层39以及有机绝缘层40。第一触控电极层31形成于有机绝缘层40上。
其中,彩色滤光基板52包括玻璃基底521、形成于玻璃基底上的色阻层,所述色阻层包括红色色阻层、绿色色阻层、蓝色色阻层,每个色阻层对应阵列基板51上的一个像素单元,其中图中仅示出红色色阻层523和绿色色阻层524。彩色滤光基板52还包括位于色阻层之间的黑色矩阵522以及平坦层525。平坦层525为透明平坦层。其中,彩色滤光基板52上还设置有公共电极层(图中未示)。
其中,间隔物531位于黑色矩阵522的垂直投影区域内的液晶层53中。
其中,阵列基板51的第二触控电极层34位于黑色矩阵522的垂直投影区域内。
本实施方式的触摸屏,通过在像素电极层的垂直投影区域不设置有绝缘层33,从而当需要在第一触控电极层32和第二触控电极层34之间设置绝缘层33或者设置不同厚度的绝缘层33,以降低第一触控电极层32和第二触控电极层34之间的寄生电容时,可以避免绝缘层33对液晶电容和存储电容的大小的影响。
以上所述仅为本发明的实施方式,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种用于触摸屏的阵列基板,包括像素电极层、第一触控电极层以及依次层叠设置在所述第一触控电极层上的绝缘层、第二触控电极层,所述像素电极层与所述第一触控电极层、所述第二触控电极层中至少一个不重叠,其特征在于,
至少在所述像素电极层的垂直投影区域无所述绝缘层。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括钝化层;
所述像素电极层与所述第二触控电极层不重叠,所述像素电极层包括多个像素电极条,所述绝缘层包括多个间隔排列于所述第一触控电极层上的绝缘层,所述第二触控电极层位于其中一个所述绝缘层,所述钝化层设置在所述第二触控电极层以及绝缘层之间的第一触控电极层上,所述多个像素电极条分别设置在绝缘层之间的所述钝化层上,每个所述像素电极条的垂直投影区域无所述绝缘层。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括钝化层;
所述像素电极层与所述第二触控电极层不重叠,所述像素电极层包括多个像素电极条,所述绝缘层覆盖部分所述第一触控电极层,所述钝化层设置在所述第二触控电极层以及未被所述绝缘层覆盖的所述第一触控电极层上,所述多个像素电极条设置在所述钝化层上,每个所述像素电极条的垂直投影区域以及像素电极条之间无所述绝缘层。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一触控电极层为公共电极层。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二触控电极层位于黑色矩阵的垂直投影区域内。
6.一种触摸屏,包括阵列基板、彩色滤光基板和位于所述阵列基板和所述彩色滤光基板之间的液晶层,所述阵列基板包括像素电极层、第一触控电极层以及依次层叠设置在所述第一触控电极层上的绝缘层、第二触控电极层,所述像素电极层与所述第一触控电极层、所述第二触控电极层中至少一个不重叠,其特征在于,
至少在所述像素电极层的垂直投影区域无所述绝缘层。
7.根据权利要求6所述的触摸屏,其特征在于,所述阵列基板还包括钝化层;
所述像素电极层与所述第二触控电极层不重叠,所述像素电极层包括多个像素电极条,所述绝缘层包括多个间隔排列于所述第一触控电极层上的绝缘层,所述第二触控电极层位于其中一个所述绝缘层,所述钝化层设置在所述第二触控电极层以及绝缘层之间的第一触控电极层上,所述多个像素电极条分别设置在绝缘层之间的所述钝化层上,每个所述像素电极条的垂直投影区域无所述绝缘层。
8.根据权利要求6所述的触摸屏,其特征在于,所述阵列基板还包括钝化层;
所述像素电极层与所述第二触控电极层不重叠,所述像素电极层包括多个像素电极条,所述绝缘层覆盖部分所述第一触控电极层,所述钝化层设置在所述第二触控电极层以及未被所述绝缘层覆盖的所述第一触控电极层上,所述多个像素电极条设置在所述钝化层上,每个所述像素电极条的垂直投影区域以及像素电极条之间无所述绝缘层。
9.根据权利要求6所述的触摸屏,其特征在于,所述第一触控电极层为公共电极层。
10.根据权利要求6所述的触摸屏,其特征在于,所述彩色滤光基板包括黑色矩阵,所述第二触控电极层位于所述黑色矩阵的垂直投影区域内。
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