CN101506722B - 液晶显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及液晶显示装置。本发明提供一种以OCB模式驱动透过区域和反射区域两方的半透过型液晶显示装置，并且提供在以OCB模式驱动透过区域和反射区域两方时能够抑制透过率和反射率的降低、抑制像素变暗的半透过型液晶显示装置。本发明的液晶显示装置在各像素(11)内的仅一处设置有产生用于促进液晶层中包含的液晶分子向弯曲取向取向转移的弯曲核的核产生部，并且，通过电压的施加使透过区域和反射区域的液晶层的液晶分子从展曲取向向弯曲取向取向转移。

Description

液晶显示装置

技术领域

本发明涉及液晶显示装置，特别是涉及使用OCB模式(OpticallySelf-Compensated Birefringence mode：光学自补偿双折射模式)的半透过型液晶显示装置。

背景技术

现有技术中，液晶显示装置被广泛使用于电视机、笔记本PC(个人计算机)、台式PC、PDA(便携式终端)和便携式电话等各种电子机器。这是因为液晶显示装置比CRT(Cathode Ray Tube：阴极射线管)更薄、更轻，能够以低电压驱动，消费电力更小的缘故。

在液晶显示装置中，半透过型液晶显示装置具有透过和反射显示模式，因为能够与周边环境的亮度相应地熄灭背光源，所以能够低消费电力化，适于便携式电话等便携式信息终端。

另一方面，液晶电视机等使用液晶面板进行动画显示正在急速地普及，需要使液晶面板的响应速度变得高速，进行良好的动画显示。于是，最近特别关注的是响应速度快的OCB模式(Optically Self-Compensated Birefringence mode：光学自补偿双折射模式)。该OCB模式中，在实施过使液晶分子平行且在同一方向上取向的取向处理的两枚基板之间夹有液晶层，在各个基板表面设置有相位差板，还在两基板上以正交尼科耳的方式配置有偏光板。作为相位差板，使用主轴混合排列的负的相位差板。

图28和图29是示意性地表示使用OCB模式的现有的液晶显示装置101的概略结构的截面图，图28表示无电压施加时的状态，图29表示电压施加时的状态。

上述液晶显示装置101中的液晶面板105，如图28和图29所示，包括在第一玻璃基板152上形成有第一透明电极156和未图示的彩色滤光片而成的彩色滤光片基板141、和在第二玻璃基板151上形成有TFT(Thin Film Transistor：薄膜晶体管)133、配线层(未图示)、绝缘层126和第二透明电极122而成的TFT基板142，包含液晶分子190的液晶层155被该彩色滤光片基板141和TFT基板142夹持。

如图28和图29所示，使用OCB模式的液晶显示装置101中，液晶分子190在没有施加电压的状态下，为如图28所示的展曲(spray)取向，而在施加电压时转移为如图29所示的弯曲(bend)取向。并且，在该弯曲取向的状态下进行显示。

专利文献1中，公开有将这样的OCB模式应用于半透过型液晶显示装置的技术。

图30是示意性地表示上述专利文献1中记载的液晶显示装置的概略结构的截面图。

专利文献1所示的液晶显示装置中，如图30所示，使反射区域a中的液晶分子190的取向(图30的g区域)，是将透过区域b中的液晶分子190的取向(图30的f区域)恰好取半的取向，即一端为垂直取向，另一端为水平取向。

并且，TFT基板142的显示区域a中，形成有设置有反射电极123的台阶树脂层154。其中，使该台阶树脂层154的对透过显示作贡献的部分的液晶层的厚度为对反射显示作贡献的部分的液晶层的厚度的约2倍，透过区域和反射区域中光路长度相等。

专利文献1：日本国公开专利公报“特开2005-84593号公报(2005年3月31日公开)”

专利文献2：日本国公开专利公报“特开2002-207206号公报(2002年7月26日公开)”

专利文献3：日本国公开专利公报“特开2002-350902号公报(2002年12月4日公开)”

专利文献4：日本国公开专利公报“特开2005-31680号公报(2005年2月3日公开)”

专利文献5：日本国专利公报“特许第3334714号公报(2002年10月15日发行)”

发明内容

但是，上述专利文献1中公开的技术中，需要在微小区域中实现垂直取向和水平取向，会产生难以应用于产品的问题。

因此，要求透过区域和反射区域都是OCB模式的结构。

此处，为了实现OCB模式，需要进行向弯曲取向的转移。并且可以认为，为了实现该向弯曲取向的转移，使用产生取向转移的核的技术是有效的。

作为上述产生核的技术，例如在专利文献2中提出有在信号线和像素电极之间产生横电场的技术，在专利文献3中提出有为了增强横电场而在像素电极之间形成配线电极的技术，在专利文献4中提出有为了在像素内生成弯曲取向而形成金属电极的技术，在专利文献5中提出有为了产生横电场而在像素电极上形成缺失部的技术。

将半透过型液晶显示装置中，为了使透过区域和反射区域都是OCB模式而考虑在半透过型液晶显示装置中应用在像素电极上形成缺失部(狭缝)的技术作为产生核的技术的情况下的结构，示于图31和图32。图31是示意性地表示在半透过型液晶显示装置中应用在像素电极上形成缺失部(狭缝)的技术的液晶显示装置中的TFT基板的一个像素的概略结构的平面图。此外，图32是示意性地表示将在半透过型液晶显示装置中应用在像素电极形成缺失部(狭缝)的技术的液晶显示装置以与图31所示的K-K线相当的线切断时的该液晶显示装置中的液晶面板的截面的概略结构的截面图，表示该液晶面板的截面结构和液晶分子的取向状态。其中，为了便于说明，对于具有与图28～图30同样功能的结构要素附加相同的编号，省略其说明。

图31和图32所示的液晶显示装置中，在反射区域a的反射电极123和透过区域b的第二透明电极122分别设置有作为核产生部的狭缝112a。此外，在该狭缝112a、112a的下层，隔着绝缘层126在第二玻璃基板151上与栅极总线131平行地分别形成有作为辅助电容电极的共用电极124。其中，图31和图32所示的液晶显示装置中，像素电极121也由反射电极123和第二透明电极122构成。

由此，如图32中等电位线x所示，在狭缝112a附近产生横电场，形成弯曲取向的核。其中，栅极总线131和数据总线132与TFT133连接，TFT133的漏极电极133d通过接触孔115与像素电极121连接。

此外，将半透过型液晶显示装置中，为了使透过区域和反射区域都是OCB模式而考虑在半透过型液晶显示装置中应用在像素电极上形成突起物的技术作为产生核的技术的情况下的结构，示于图33和图34。

图33是示意性地表示在半透过型液晶显示装置中应用在像素电极上形成突起物的技术的液晶显示装置中的TFT基板的一个像素的概略结构的平面图。

此外，图34是示意性地表示将在半透过型液晶显示装置中应用在像素电极上形成突起物的技术的液晶显示装置以与图33所示的L-L线相当的线切断时的该液晶显示装置中的液晶面板的截面的概略结构的截面图，表示该液晶面板的截面结构和液晶分子的取向状态。其中，为了便于说明，对于具有与图28～图32同样功能的结构要素附加相同的编号，省略其说明。

图33和图34所示的液晶显示装置中，在反射区域a的反射电极123和透过区域b的第二透明电极122分别设置有作为核产生部的突起物112b。

其中，在图33和图34所示的液晶显示装置中，像素电极121也由反射电极123和第二透明电极122构成。

由此，在突起物112b的附近形成弯曲取向的核。其中，栅极总线131和数据总线132与TFT133连接，TFT133的漏极电极133d通过接触孔115与像素电极121连接。

但是，已知在如上所述形成狭缝112a作为核产生部的情况下，在狭缝112a上，由于不能够驱动液晶分子190，所以透过率和反射率降低，在如上所述在半透过型液晶显示装置中为了使透过区域b和反射区域a都是OCB模式而在透过区域b和反射区域a分别形成狭缝112a时，导致像素整体变暗。

此外，已知在如上所述形成突起物112b作为核产生部的情况下，由于在突起物112b上液晶层155的厚度实质上变小，透过率和反射率降低，所以在如上所述在半透过型液晶显示装置中为了使透过区域b和反射区域a都是OCB模式而在透过区域b和反射区域a分别形成突起物112b的情况下，也会产生画面整体变暗的问题。

本发明鉴于上述问题点而提出，其目的在于，提供一种以OCB模式驱动透过区域和反射区域两方的半透过型液晶显示装置，并且提供在以OCB模式驱动透过区域和反射区域两方时能够抑制透过率和反射率的降低、抑制像素变暗的半透过型液晶显示装置。

为了解决上述课题，本发明的液晶显示装置包括相对的一对基板和被该一对基板夹持的液晶层，在一个像素内具有透过区域和反射区域，上述反射区域的液晶层的厚度形成为小于上述透过区域的液晶层的厚度，上述液晶显示装置的特征在于：在上述各像素内的仅一处设置有产生用于促进上述液晶层中包含的液晶分子向弯曲取向取向转移的弯曲核的核产生部，并且通过电压的施加使上述透过区域和反射区域的液晶层的液晶分子从展曲取向向弯曲取向取向转移。

根据上述结构，通过以OCB模式驱动透过区域的反射区域两者，不需要如上述专利文献1所示，在微小区域实现垂直取向和水平取向，比较现实，能够充分地产品化。因此，根据上述结构，能够提供一种能够实现低消费电力化、并且能够高速响应、能够适用于显示动画的便携式终端等的半透过型的液晶显示装置。此外，根据上述结构，通过仅在像素内的一处具备核产生部，能够抑制透过率和反射率的降低并以OCB模式驱动上述两区域。因此，根据上述结构，起到以下效果：能够提供一种能够以OCB模式驱动透过区域和反射区域两方，并且抑制在以OCB模式驱动两区域时像素变暗的半透过型液晶显示装置。

此外，本发明的液晶显示装置中，优选上述核产生部设置在各像素的反射区域和透过区域的边界附近(即，两区域的边界部或其附近)。此处，边界附近优选为例如距离边界线不足20微米的范围，更严密而言为5微米以内的范围。此外，本发明的液晶显示装置中，上述核产生部也可以是跨过上述反射区域和透过区域设置的结构。

根据上述各结构，弯曲取向的传播不会在反射区域和透过区域的边界停止，能够在透过区域和反射区域这两方区域可靠地实现弯曲取向，所以起到能够提供显示品质高的半透过型液晶显示装置的效果。

此外，本发明的液晶显示装置中，优先各像素的反射区域和透过区域的边界线在俯视时具有凹凸，该反射区域和透过区域中任意一方的区域具有被另一方区域局部包围的形状。此外，本发明的液晶显示装置中，优选上述核产生部设置在反射区域。此外，本发明的液晶显示装置中，优选上述核产生部设置在透过区域。

例如，以反射区域具有形成凸出的部分、核产生部设置在透过区域的结构为例进行说明，则首先由核产生部在透过区域形成弯曲取向的核，当所产生的弯曲取向扩展到透过区域整体时尚未转移到弯曲取向的反射区域的凸出形状的区域，成为被弯曲取向已扩展的透过区域的凹状的区域覆盖其3方的状态。如此，通过在展曲取向区域和弯曲取向区域的边界起作用的表面张力，使边界线的长度缩短的力即使边界线的凸部为一直线状的力起作用，结果，弯曲取向扩大到被已弯曲取向的透过区域所包围的反射区域。

如上所述，根据上述结构，弯曲取向通过要使边界线的长度缩短的力越过两区域的边界传播。因此，根据上述结构，弯曲取向的传播不会在反射区域和透过区域的边界停止，能够在透过区域和反射区域这两方的区域可靠地实现弯曲取向，所以能够同时起到以下效果：能够提供显示品质高的半透过型液晶显示装置，并且具备核产生部的场所不限定为边界部等，能够自由地选定场所。

此外，本发明的液晶显示装置中，优选上述核产生部包括夹着绝缘层设置在不同平面的两层电极，上述核产生部是在上述两层电极中上述液晶层一侧的电极的与另一方的电极隔着上述绝缘层重叠的区域的一部分所设置的开口部，上述两电极具有电位差。此外，本发明的液晶显示装置中，优选上述液晶层一侧的电极是像素电极。此外，本发明的液晶显示装置中，优选上述液晶层一侧的电极是相对电极。

根据上述结构，通过夹着绝缘层设置在不同平面的两层电极的电位差产生横电场，因此能够可靠地产生促进向弯曲取向转移的核。

本发明的液晶显示装置中，优选上述核产生部是形成在上述一对基板中一方的基板的与液晶层相对的表面上的突起物。此外，本发明的液晶显示装置中，优选上述突起物形成在像素电极上。此外，本发明的液晶显示装置中，优选上述突起物形成在相对电极上。

根据上述结构，能够容易地具备核产生部。

附图说明

图1是示意性地表示本发明的实施方式的液晶显示装置中的TFT基板的一个像素的概略结构的平面图。

图2是示意性地表示将本发明的实施方式的液晶显示装置以与图1所示的A-A线相当的线切断时的液晶显示装置中的液晶面板的截面的概略结构的截面图。

图3是示意性地表示本发明的实施方式的液晶显示装置的主要部分的概略结构的截面图。

图4是示意性地表示本发明的实施方式的液晶显示装置中的TFT基板的一个像素的概略结构的平面图。

图5是示意性地表示将本发明的实施方式的液晶显示装置以与图4所示的B-B线相当的线切断时的液晶显示装置中的液晶面板的截面的概略结构的截面图。

图6是示意性地表示本发明的实施方式的液晶显示装置中的TFT基板的一个像素的概略结构的图，(a)表示俯视图，(b)表示(a)所示的TFT基板中的第二透明电极和反射电极各自的边界线对应的反射电极的端面。

图7是示意性地表示本发明的实施方式的液晶显示装置中的TFT基板的一个像素的概略结构的图，(a)表示俯视图，(b)表示(a)所示的TFT基板中的第二透明电极和反射电极各自的边界线对应的反射电极的端面。

图8是示意性地表示本发明的实施方式的液晶显示装置中的TFT基板的一个像素的概略结构的图，(a)表示俯视图，(b)表示(a)所示的TFT基板中的第二透明电极和反射电极各自的边界线对应的反射电极的端面。

图9是示意性地表示将本发明的实施方式的液晶显示装置以与图6(a)所示的C-C线相当的线切断时的液晶显示装置中的液晶面板的截面的概略结构的截面图。

图10是表示本发明的实施方式的液晶显示装置中的TFT基板的第二透明电极和反射电极的边界线的图。

图11是示意性地表示本发明的实施方式的液晶显示装置中的TFT基板的一个像素的概略结构的平面图。

图12是示意性地表示将本发明的实施方式的液晶显示装置以与图11所示的D-D线相当的线切断时的液晶显示装置中的液晶面板的截面的概略结构的截面图。

图13是示意性地表示本发明的实施方式的液晶显示装置中的TFT基板的一个像素的概略结构的图，(a)表示俯视图，(b)表示(a)所示的TFT基板中的第二透明电极和反射电极各自的边界线对应的反射电极的端面。

图14是是示意性地表示将本发明的实施方式的液晶显示装置以与图13(a)所示的E-E线相当的线切断时的液晶显示装置中的液晶面板的截面的概略结构的截面图。

图15是示意性地表示本发明的实施方式的液晶显示装置中的TFT基板的一个像素的概略结构的平面图。

图16是示意性地表示将本发明的实施方式的液晶显示装置以与图15所示的F-F线相当的线切断时的液晶显示装置中的液晶面板的截面的概略结构的截面图。

图17是示意性地表示本发明的实施方式的液晶显示装置中的TFT基板的一个像素的概略结构的平面图。

图18是示意性地表示将本发明的实施方式的液晶显示装置以与图17所示的G-G线相当的线切断时的液晶显示装置中的液晶面板的截面的概略结构的截面图。

图19是示意性地表示本发明的实施方式的液晶显示装置中的TFT基板的一个像素的概略结构的平面图。

图20是示意性地表示将本发明的实施方式的液晶显示装置以与图19所示的H-H线相当的线切断时的液晶显示装置中的液晶面板的截面的概略结构的截面图。

图21是示意性地表示本发明的实施方式的液晶显示装置中的液晶面板的截面的概略结构的截面图。

图22是示意性地表示本发明的实施方式的液晶显示装置中的液晶面板的截面的概略结构的截面图。

图23是示意性地表示本发明的实施方式的液晶显示装置中的液晶面板的截面的概略结构的截面图。

图24是示意性地表示本发明的实施方式的液晶显示装置中的TFT基板的一个像素的概略结构的平面图。

图25是示意性地表示将本发明的实施方式的液晶显示装置以与图24所示的I-I线相当的线切断时的液晶显示装置中的液晶面板的截面的概略结构的截面图。

图26是示意性地表示本发明的实施方式的液晶显示装置中的TFT基板的一个像素的概略结构的平面图。

图27是示意性地表示将本发明的实施方式的液晶显示装置以与图26所示的J-J线相当的线切断时的液晶显示装置中的液晶面板的截面的概略结构的截面图。

图28是示意性地表示使用OCB模式的现有液晶显示装置的无施加电压时的概略结构的截面图。

图29是示意性地表示使用OCB模式的现有液晶显示装置的施加电压时的概略结构的截面图。

图30是示意性地表示专利文献1中记载的液晶显示装置的概略结构的截面图。

图31是示意性地表示在半透过型液晶显示装置中应用在像素电极上形成缺失部的技术的液晶显示装置中的TFT基板的一个像素的概略结构的平面图。

图32是示意性地表示将在半透过型液晶显示装置中应用在像素电极上形成缺失部(狭缝)的技术的液晶显示装置，以与图31所示的K-K线相当的线切断时的液晶显示装置中的液晶面板的截面的概略结构的截面图。

图33是示意性地表示在半透过型液晶显示装置中应用在像素电极上形成突起物的技术的液晶显示装置中的TFT基板的一个像素的概略结构的平面图。

图34是示意性地表示将在半透过型液晶显示装置中应用在像素电极上形成突起物的技术的液晶显示装置，以与图33所示的L-L线相当的线切断时的该液晶显示装置中的液晶面板的截面的概略结构的截面图。

符号说明

1   液晶显示装置

5   液晶面板

11  像素

12a 狭缝

12b 突起物

15  接触孔

21  像素电极

22  第二透明电极

23  反射电极

24  共用电极

25  中间电极

26  绝缘层

28  辅助电极

31  栅极总线

32  数据总线

33  TFT

41  彩色滤光片基板(基板)

42  TFT基板(基板)

51  第二玻璃基板

52  第一玻璃基板

53  彩色滤光片

54  台阶树脂层

55  液晶层

56  第一透明电极

58  第一取向膜

59  第二取向膜

61  第一直线偏光板

62  第二直线偏光板

63  第一相位差板

64  第二相位差板

65  第三相位差板

66  第四相位差板

81  光源部

82  光源

83  导光板

90  液晶分子

具体实施方式

[实施方式1]

对本发明的一个实施方式，基于图1～图5进行说明如下。

图3是示意性地表示本发明的实施方式的液晶显示装置的主要部分的概略结构的截面图。

如图3所示，液晶显示装置1包括液晶面板5和在其背面形成的光源部81(背光源)。上述光源部81中包括光源82和导光板83。

另一方面，液晶面板5包括彩色滤光片基板41和TFT基板42、和被该彩色滤光片基板41和TFT基板42夹住的液晶层55。

上述液晶显示装置1是在1个像素中具有作为反射显示部的反射区域a和作为透过显示部的透过区域b，并且通过与周边环境的亮度相应地点亮或熄灭上述光源部81而切换透过显示和反射显示的半透过型的液晶显示装置。上述液晶显示装置1形成为在透过区域b的液晶层55的膜厚比在反射区域a更薄。

上述TFT基板42包括第二玻璃基板51作为底层基板，在该第二玻璃基板51的与上述彩色滤光片基板41相对的面一侧，作为电极层，在上述反射区域a设置有反射电极23，在上述透过区域b，在与上述反射电极23同一层，设置有第二透明电极22。此外，在上述电极层上，即，在上述第二透明电极22和反射电极23上，以覆盖这些电极层的方式形成有第二取向膜59。

另一方面，上述彩色滤光片基板41包括第一玻璃基板52作为底层基板，具有在该第一玻璃基板52上从彩色滤光片53一侧起依次形成有彩色滤光片53、第一透明电极56和第一取向膜58的结构。

对上述第一取向膜58和第二取向膜59实施用于使上述液晶层55中的液晶分子展曲取向的水平取向处理。

此外，在上述彩色滤光片基板41的反射区域a，在彩色滤光片53和第一透明电极56之间形成有台阶树脂层54。该台阶树脂层54通过控制液晶层55的厚度，使反射区域a和透过区域b中作为光透过液晶层55的距离的光路长度的差减少。

上述液晶显示装置1中，在透过区域b，如箭头d所示，从光源部81向上述液晶面板5照射的光仅一次通过液晶层55并从显示面射出，成为显示光，由此进行显示。另一方面，在反射区域a，从观察者e一侧向显示面入射的光，如箭头c所示，通过液晶层55后，被上述反射电极23反射，再次通过液晶层55，并从显示面射出成为显示光。

因此，在本实施方式中，以使在反射区域a和透过区域b中通过液晶层55的光路长度相等的方式，上述台阶树脂层54的与第一玻璃基板52垂直方向的长度、换言之即台阶树脂层54的高度，被设定为第一玻璃基板52和第二玻璃基板51之间的距离的大致一半的长度。

此外，彩色滤光片基板41的与液晶层55的相反一侧，从第一玻璃基板52一侧起依次形成有第二相位差板64、第一相位差板63和第一直线偏光板61。

另一方面，TFT基板42中的第二玻璃基板51的与液晶层55的相反一侧，从第二玻璃基板51一侧起依次形成有第三相位差板65、第四相位差板66和第二直线偏光板62。

此处，第二相位差板64和第三相位差板65是由主轴混合排列的具有负的折射率各向异性的光学介质构成的相位差膜(负的相位差膜)，第一相位差板63和第四相位差板66是兼备负的单轴性相位差膜的功能和正的单轴性相位差膜的功能的所谓双轴性相位差膜。

并且，对第一取向膜58和第二取向膜59，已实施用于使液晶分子展曲取向的水平取向处理。

接着，对上述液晶显示装置1中的上述彩色滤光片基板41和TFT基板42的结构，用图1和图2更加详细地进行说明。

图1是示意性地表示上述TFT基板42中的一个像素的概略结构的平面图。如图1所示，各像素11中，设有像素电极21、在像素电极21的周围隔着未图示的绝缘层相互交叉形成的栅极总线31和数据总线32、在各像素11形成的TFT(Thin Film Transistor：薄膜晶体管)33。像素电极21由第二透明电极22和反射电极23构成，反射电极23与TFT33的漏极电极33d通过接触孔15连接。

并且，像素电极21的中心附近即第二透明电极22与反射电极23的边界附近，作为辅助电容电极的共用电极24与栅极总线31平行，并且与栅极总线31形成在同一层。

在该共用电极24与第二透明电极重叠的部分，与数据总线32在同一层形成有中间电极25。并且，该中间电极25与像素电极21通过接触孔15电连接。

根据该结构，在中间电极25与共用电极24之间，形成用于稳定像素电极21的电位的辅助电容。

此外，数据总线32、栅极总线31和共用电极24各自连接到驱动电路，分别具备能够从外部独立地赋予任意电位的单元。

此外，在第二透明电极22的与上述共用电极24重叠的部分，形成有作为核产生部的狭缝12a、换言之即第二透明电极22的缺口。此处，核产生部指的是用于产生使OCB模式中的液晶分子的取向从展曲取向向弯曲取向转移时的弯曲取向的核(弯曲核)的部分。

该狭缝12a形成在第二透明电极22与反射电极23的边界附近的第二透明电极22上。其中，图1中举例表示的是长方形的狭缝12a，但是也能够是矩形等其他形状。

如上所述，在第二透明电极22上形成的狭缝12a下设置共用电极24时，第二透明电极22与共用电极24之间会产生电位差。而且，通过该电位差，在狭缝12a的附近产生横电场，形成向弯曲取向转移的核。

图2是示意性地表示将上述液晶显示装置1，以与图1所示的A-A线相当的线切断本实施方式的液晶显示装置1时的该液晶显示装置中的液晶面板5的截面的概略结构的截面图，表示该液晶面板5的截面结构和上述液晶层55中的液晶分子90的取向状态。其中，图2中，x表示等电位线。

如上所述，彩色滤光片基板41中，形成有作为用于使反射区域a中液晶层55的厚度比透过区域b中液晶层55的厚度更薄的台阶部分的台阶树脂层54。该台阶树脂层54的高度，如上所述，为第一玻璃基板52与第二玻璃基板51的距离的大致一半的长度。

另一方面，该台阶树脂层54的与第一玻璃基板52平行的面的形状是与相对的反射电极23的平面形状大致相同的形状。

此外，台阶树脂层54的与第一玻璃基板52平行的面和垂直的面大致直角相交。更具体而言，台阶树脂层54的端面为矩形。

此外，如上所述，第二透明电极22上形成有狭缝12a，在第二透明电极22和共用电极24之间形成有绝缘层26。

而且，如图2所示，狭缝12a部分的等电位线x弯曲，电场具有与第二玻璃基板51平行方向的成分。并且，作为与该第二玻璃基板51平行方向的电场的横电场，形成作为液晶分子90从展曲取向向弯曲取向转移的起点的核。

向弯曲取向的转移从该核扩展到像素11的整体。此时，在反射区域a和透过区域b的边界，存在台阶树脂层54引起的液晶层55的厚度差，但是本申请的发明人发现，只要核充分地接近边界，则弯曲取向会越过该台阶树脂层54的台阶而扩展。

其中，本实施方式中，使台阶树脂层54与狭缝12a之间的距离为5微米。弯曲取向基本不受台阶树脂层54的厚度差的影响，从透过区域b传播到反射区域a。另一方面，使上述距离设为20微米以上的情况下，观察到存在弯曲取向的传播停止的情况。

此外，本实施方式中，也能够不使核发生部为狭缝12a，而是为突起物12b。

图4是示意性地表示使用突起物12b作为核发生部的本实施方式的其他液晶显示装置1中的TFT基板的一个像素11的概略结构的平面图。此外，图5是示意性地表示以与图4所示的B-B线相当的线切断本实施方式的液晶显示装置1时的液晶显示装置1中的液晶面板5的截面的概略结构的截面图，表示图4所示的液晶显示装置1的截面结构和液晶分子90的取向状态。

如图4和图5所示，该液晶显示装置1中，除了不使用图1和图2所示的狭缝12a而改为使用突起物12b作为核产生部以外，具有与图1和图2所示的液晶显示装置1相同的结构。本实施方式中，上述突起物12b设置在TFT基板42上，具有长方体形状。更具体而言，上述突起物12b形成在TFT基板42中形成的第二透明电极22上、且在第二透明电极22与反射电极23的边界线附近。

该液晶显示装置1中，弯曲取向以由作为核产生部的突起物12b产生的弯曲取向的核为起点传播。图4和图5所示的液晶显示装置1中，在反射区域a与透过区域b的边界，也存在台阶树脂层54引起的液晶层55的厚度差，但是只要由作为核产生部的突起物12b产生的弯曲取向的核充分接近上述边界，则弯曲取向越过该台阶树脂层54的台阶而扩展。

其中，图4和图5所示的液晶显示装置1中，在使台阶树脂层54与突起物12b的距离为5微米的情况下，弯曲取向也基本不受台阶的影响而传播，但是在使台阶树脂层54与突起物12b的距离为20微米的情况下，存在弯曲取向的传播在台阶处停止的情况。

此外，本实施方式中，上述突起物12b的形状为长方体形状，但是该突起物12b的形状并不限定于上述长方体形状，也能够为例如梯形等其他形状。

此外，如上所述使用突起物12b作为核产生部的情况下，突起物12b与狭缝12a不同，不是利用共用电极24与像素电极21之间的电位差而产生核。从而，上述突起物12b只要设置在反射区域a与透过区域b的边界附近，则形成该突起物12b的场所不必限定于与共用电极24重叠的位置。

此外，图1和图2所示的液晶显示装置1中，举出在第二透明电极22的与共用电极24重叠的区域形成有上述狭缝12a的情况为例进行了说明，但是本实施方式并不限定于此。如上所述使用狭缝(设置在电极上的开口部)作为上述核产生部的情况下，作为上述核产生部，也可以是以下结构：包括夹着绝缘层设置在不同平面的两层电极，该两层电极中，液晶层55一侧的电极在隔着上述绝缘层与另一方的电极重叠的区域的一部分具有狭缝，并且上述两个电极具有电位差。

[实施方式2]

对本发明的实施方式2，基于图6～图12进行说明如下。其中，本实施方式中，以与上述实施方式1的不同点为中心进行说明。其中，为了便于说明，对与上述实施方式1具有同样功能的结构要素附加相同的编号，省略其说明。

本实施方式的特征在于，第二透明电极22与反射电极23的边界线不是一直线状，更具体而言，上述第二透明电极22与反射电极23的边界线具有弯曲部(台阶部、凹凸)，第二透明电极22和反射电极23中任意一方的电极，具有被另一方电极部分包围的区域。

图6(a)、图7(a)和图8(a)是示意性地表示本实施方式的液晶显示装置1的TFT基板42的一个像素11的概略结构的平面图，图6(b)、图7(b)和图8(b)分别表示图6(a)、图7(a)和图8(a)所示的TFT基板42的第二透明电极22和反射电极23各自的边界线对应的反射电极23的端面。

如图6～图8所示，本实施方式的像素11中，第二透明电极22和反射电极23的边界线并不是一直线状，而是例如在俯视时，如图6(a)所示的矩形、如图7(a)所示的仅由钝角构成的梯形、如图8(a)所示的包含锐角的梯形等具有台阶(图6(a)、图7(a)和图8(a)所示的h)，如上述图6(b)、图7(b)、图8(b)所示，上述第二透明电极22和反射电极23的端面形成为矩形。

此外，本实施方式的液晶显示装置1中，作为核产生部的狭缝12a并不形成在第二透明电极22和反射电极23的边界附近，而是形成在反射电极23的大致中心部分。具体而言，在作为反射电极23的中心部的与平行于栅极总线31形成的共用电极24重叠的部分，形成有狭缝12a。其中，本实施方式中，未形成中间电极25。

图9是示意性地表示以与图6(a)所示的C-C线相当的线切断本实施方式的液晶显示装置1时的该液晶显示装置1中的液晶面板5的截面的概略结构的截面图，表示该液晶面板5的截面结构和液晶分子90的取向状态。如图9所示，本实施方式的液晶显示装置1也与上述实施方式1相同，在彩色滤光片基板41的反射区域a、更具体而言在与上述反射电极23对应的位置，形成有台阶树脂层54。其中，本实施方式中，台阶树脂层54的与第一玻璃基板52平行的面的形状，也是与相对的反射电极23的平面形状大致相同的形状。即，是与图6(a)所示的与第二透明电极22的边界线为矩形的反射电极23的平面形状相同的形状。

如上述实施方式1中所考察的，本申请的发明人发现：在反射区域a和透过区域b以横切像素电极21的方式一直线状地分割的情况下，在与第二透明电极22和反射电极23的边界分离地设置有狭缝12a时，存在导致弯曲取向的传播在该边界停止，不越过边界传播的情况，与此相对，在边界线不是一直线状的情况下，例如在边界线是曲折的多条直线的情况或曲线的情况下，如图6～图8所示，上述狭缝12a无论是否希望形成在第二透明电极22和反射电极23的边界，弯曲取向都易于越过上述边界即台阶树脂层54的台阶而传播。

从而，本实施方式中，形成上述狭缝12a的场所不必限定于反射区域a和透过区域b的边界附近。本实施方式中，如图6～图8所示，共用电极24形成在与反射区域a和透过区域b的边界分离的位置，伴随此，上述狭缝12a也形成在上述与反射区域a和透过区域b的边界分离的位置。

以下对本实施方式的上述液晶显示装置1的作用进行说明。

例如图6(a)所示的结构中，上述边界线为矩形，核产生部形成在反射区域a。该情况下，首先由上述核产生部形成弯曲取向的核，接着产生的弯曲取向扩展到反射区域a整体。然后，在反射区域a和透过区域b的边界，弯曲取向的传播暂时停止。这是因液晶层55的厚度而变化。

但是，如图6～图8所示，第二透明电极22和反射电极23的边界线如上所述具有弯曲部(台阶h)，因为该弯曲部(台阶h)的端面形成为矩形，所以在边界线附近产生展曲取向区域的一部分被弯曲取向区域夹住的状态。

而且，弯曲取向向台阶h的一方扩展时，如果上述反射区域a和透过区域b的边界部分的形状为矩形，则弯曲取向和展曲取向的边界沿台阶h为矩形。因此，展曲取向的一部分被弯曲取向包围。而且，因表面张力使边界面尽可能地变短，所以矩形部分为了成为一直线状而越过台阶h，结果被弯曲取向包围的展曲取向部分转移为弯曲取向，以此为契机弯曲取向扩展到像素11的整体。

其中，图6(a)所示的第二透明电极22和反射电极23的边界线和与其对应的台阶树脂层54的形状为矩形，但是其形状并不需要为完全的矩形，只要能够发现展曲取向区域被弯曲取向区域包围的状态即可，例如用图7(a)和图8(a)所示的形状也能得到同样的效果。

图7(a)所示的边界线的俯视图的形状仅由钝角构成，所以具有容易制造的优点，但是另一方面，存在由上述边界的表面张力使弯曲取向扩大的能力比图6(a)所示的矩形的边界线的俯视图形状差的缺点。

图8(a)所示的边界线与图6(a)所示的矩形的边界线的形状相比，由上述边界的表面张力使弯曲取向扩大的能力更优，但是边界线为锐角状所以存在制造困难的缺点。

此外，图6(a)、图7(a)和图8(a)中，举例表示的是反射区域a的凸部存在3处、另一方的透过区域b的凸部存在两处的边界线。由此，2处展曲取向区域被弯曲取向包围，由此与被包围的区域为1处的情况相比，弯曲取向的扩大更加确实。此外，因为边界线的曲率半径变小，所以边界线上的展曲取向和弯曲取向的共存难以稳定，弯曲取向的扩大更为确实。

其中，边界线的凸部的个数并不限定于上述实施方式。因为只要展曲取向区域被弯曲取向区域以凹状包围的区域至少存在1处，就能够促进向弯曲取向的转移。

此外，边界线的种类也不限定于上述实施方式。例如，边界线也可以是如图10(a)所示的波浪形状，或者如图10(b)所示的锯齿般的三角形状相连的形状，也能够为其他弯曲形状。这是因为在本实施方式中，考虑为了如上所述在弯曲取向的传播中利用使展曲取向和弯曲取向的边界线的长度变为最小，只要上述边界部分存在任何凹凸即可。其中，为了使如上所述边界线上的展曲取向和弯曲取向的共存难以稳定，优选凹凸的曲率半径较小。此处，图10(a)和图10(b)表示本实施方式的反射电极23的与第二透明电极22相接的端面。

此外，本实施方式中，核产生部形成在反射区域a。该结构中，由于不因形成核产生部而产生透过区域b的显示效率的降低，对相比于反射显示更加重视透过显示的情况有利。

此外，图6～图8、图9、图10所示的液晶显示装置1中，透过区域b中不需要形成例如图31所示的共用电极124。从而，能够提高透过区域b的透过率。

其中，本实施方式中，图6～图10所示的液晶显示装置1中，使用狭缝12a作为核产生部，但是本实施方式并不限定于此。本实施方式中，也与上述实施方式1同样，也能够不用狭缝12a而用突起物12b作为核产生部。

图11是表示使用突起物12b作为核产生部的本实施方式的其他液晶显示装置1的一个像素11的结构的平面图。此外，图12是示意性地表示以与图11所示的D-D线相当的线切断本实施方式的液晶显示装置1时的液晶显示装置1中的液晶面板5的截面的概略结构的截面图，表示图11所示的液晶显示装置1的截面结构和液晶分子90的取向状态。

如图11和图12所示，该液晶显示装置1中，除了不使用图6和图9所示的狭缝12a而改为使用突起物12b作为核产生部以外，具有与图6和图9所示的液晶显示装置1相同的结构。本实施方式中，也与上述实施方式1中图12和图13所示的液晶显示装置1同样，作为核产生部的突起物12b设置在TFT基板42，具有长方体形状。更具体而言，上述突起物12b形成在TFT基板42的反射电极23的中央附近部。

其中，本实施方式中，该突起物12b的形状也不限定于上述长方体形状，能够为例如梯形等其他形状。

此外，本实施方式中，形成该突起物12b的场所不必限于与共用电极24重叠的位置，此外，也不限定于反射区域a和透过区域b的边界附近。本实施方式中，共用电极24形成在与核产生部不重叠的第二透明电极22和反射电极23的边界线附近。

如图12所示，本实施方式中，由突起物12b在反射区域a、更具体而言在反射区域a(反射电极23)的中心部(中心附近)形成弯曲取向的核，与上述图6～图10所示的液晶显示装置1同样，通过在第二透明电极22和反射电极23的边界产生的展曲取向区域和弯曲取向区域的边界的表面张力，弯曲取向向透过区域b传播。具体而言，本实施方式的液晶显示装置1中，第二透明电极22和反射电极23的边界线和与其对应的台阶树脂层54的形状为矩形。因此，尽管与透过区域b之间存在台阶，在反射区域a中产生的弯曲取向也会传播到透过区域b。

其中，本实施方式中，列举以核产生部形成在反射区域a的中心部、更具体而言例如在反射区域a中与上述边界线的凸部相对的区域的情况为例进行了说明，但是核产生部并非必须形成在上述区域。如上所述，根据本实施方式，通过在与上述边界线的凸部相对的区域设置核产生部，能够更加容易地形成未弯曲取向的区域被已弯曲取向的区域局部包围的形状。但是，如上所述，根据本实施方式，通过要使边界线的长度变短的力使弯曲取向越过两个区域的边界传播，所以具备核产生部的场所并不如上述实施方式1所述限定于边界部等，能够自由地选定场所。即，在反射区域a设置上述核产生部的情况下，核产生部能够设置在反射区域a中的任意位置。

[实施方式3]

对本发明的实施方式3，基于图13和图14进行说明如下。其中，对于本实施方式，以与实施方式1和实施方式2的不同点为中心进行说明。其中，为了便于说明，对于具有与上述实施方式1和实施方式2同样功能的结构要素附加相同的编号，省略其说明。

本实施方式的特征在于，作为核产生部的狭缝12a与实施方式2不同，形成在第二透明电极22上。其他结构与实施方式2相同。

图13(a)是示意性地表示本实施方式的液晶显示装置1的TFT基板42的一个像素11的概略结构的平面图，是在第二透明电极22上设置核产生部的一个例子。此外，图13(b)表示图13(a)所示的TFT基板42的第二透明电极22和反射电极23各自的边界线对应的反射电极23的端面，图14是示意性地表示以与图13(a)所示的E-E线相当的线切断本实施方式的液晶显示装置1时的该液晶显示装置1中的液晶面板5的截面的概略结构的截面图，表示该液晶面板5的截面结构和液晶分子90的取向状态。

如图13(a)所示，本实施方式的像素11中，作为核产生部的狭缝12a形成在作为第二透明电极22的中心部的与平行于栅极总线31形成的共用电极24重叠的部分。

以下对本实施方式的上述液晶显示装置1的作用进行说明。

如图13和图14所示，本实施方式中，在透过区域b由上述狭缝12a形成弯曲取向的核，接着，产生的弯曲取向扩展到透过区域b的整个区域。然后，在透过区域b和反射区域a的边界，与上述实施方式2同样，通过界面的表面张力的作用，弯曲取向越过边界传播到反射区域a。

本实施方式的结构，对于各像素11中所占的反射区域a的面积如图13所示小于透过区域b的面积的情况有利。这是因为通过将核产生部形成在与反射区域a相比较面积更大的透过区域b，能够扩大共用电极24与栅极总线31的间隙，由此能够抑制共用电极24与栅极总线31的短路。

此外，本实施方式中，也能够不使用狭缝12a而使用突起物12b作为核产生部。

图15是示意性地表示本实施方式的液晶显示装置1的一个像素11的概略结构的平面图，图16是示意性地表示以与图15所示的F-F线相当的线切断本实施方式的液晶显示装置1时的该液晶显示装置1中的液晶面板5的截面的概略结构的截面图，表示该液晶面板5的截面结构和液晶分子90的取向状态。图15和图16的区域a表示反射区域，区域b表示透过区域。

如图15和图16所示，本实施方式中，作为核产生部的突起物12b形成在第二玻璃基板51的第二透明电极22上。

本实施方式的液晶显示装置1中，第二透明电极22和反射电极23的边界线和与其对应的台阶树脂层54的形状为矩形，所以尽管存在台阶树脂层54引起的液晶层55的厚度差，在透过区域b中由突起物12b产生的弯曲取向也传播到反射区域a。

其中，本实施方式中，列举在透过区域b的中心部形成核产生部的情况为例进行了说明，但是核产生部并非必须形成在透过区域b的中心部。在透过区域b设置上述核产生部的情况下，核产生部能够设置在透过区域b中的任意位置。

[实施方式4]

对本发明的实施方式4，基于图17和图18进行说明如下。其中，本实施方式中，以与上述各实施方式的不同点为中心进行说明。其中，为了便于说明，对于具有与上述各实施方式同样的功能的结构要素附加相同的编号，省略其说明。

本实施方式的特征在于，第二透明电极22和反射电极23的边界线为矩形，并且在该第二透明电极22的凸部形成核产生部。换言之，在位于反射电极23的邻接的2个凸部所夹的部分的第二透明电极22，形成核产生部。

图17是示意性地表示本实施方式的液晶显示装置1的一个像素11的概略结构的平面图，图18是示意性地表示以与图17所示的G-G线相当的线切断本实施方式的液晶显示装置1时的该液晶显示装置1中的液晶面板5的截面的概略结构的截面图，表示该液晶面板5的截面结构和液晶分子90的取向状态。

如图17和图18所示，本实施方式中，第二透明电极22和反射电极23的边界线为矩形，作为核产生部的狭缝12a形成在上述矩形的边界部分中第二透明电极22形成为凸状的部分、并且与共用电极24重叠的部分。

以下对本实施方式的上述液晶显示装置1的作用进行说明。

如图17和图18所示，本实施方式中，反射区域a和透过区域b的边界部(边界附近，具体而言在台阶内)的透过区域b形成弯曲取向的核，与上述实施方式2同样通过界面的表面张力，尽管存在液晶层55的厚度差，弯曲取向也传播到反射区域a。本实施方式的结构中，通过使第二透明电极22和反射电极23的边界线和与其对应的台阶树脂层54的形状为矩形，弯曲取向易于扩大。从而，能够在像素11内的任何位置设置核产生部，设计的自由度增大。从而，如图17和图18所示，也能够在边界部形成狭缝12a。

此外，本实施方式中，也能够不使用狭缝12a而使用突起物12b作为核产生部。

图19是示意性地表示本实施方式的液晶显示装置1的一个像素11的概略结构的平面图，图20是示意性地表示以与图19所示的H-H线相当的线切断本实施方式的液晶显示装置1时的该液晶显示装置1中的液晶面板5的截面的概略结构的截面图，表示该液晶面板5的截面结构和液晶分子90的取向状态。图19和图20的区域a表示反射区域，区域b表示透过区域。

如图19和图20所示，本实施方式中，第二透明电极22和反射电极23的边界线为矩形，作为核产生部的突起物12b形成在矩形的边界部分中反射电极23形成为凸状的部分。本实施方式中，在反射区域a和透过区域b的边界附近的透过区域b形成弯曲取向的核，弯曲取向与上述实施方式2同样通过界面的表面张力而传播。

[实施方式5]

对本发明的实施方式5，基于图21～图22进行说明如下。其中，本实施方式中，以与上述各实施方式的不同点为中心进行说明。其中，为了便于说明，对于具有与上述各实施方式同样的功能的结构要素附加相同的编号，省略其说明。

本实施方式的特征在于，作为核产生部的狭缝12a不是形成在TFT基板42，而是形成在彩色滤光片基板41上。

图21和图22是示意性地表示切断本实施方式的液晶显示装置1时的该液晶显示装置1中的液晶面板5的截面的概略结构的截面图，表示该液晶面板5的截面结构和液晶分子90的取向状态。

如图21所示，本实施方式的液晶显示装置1中，狭缝12a形成在透过区域b的第一透明电极56上。此外，如图22所示，本实施方式的其他液晶显示装置中，狭缝12a形成在反射区域a的第一透明电极56上。

具体而言，图21所示的液晶显示装置1中，在第一玻璃基板52的与TFT基板42的相对面一侧、与TFT基板42的第二透明电极22相对的位置(液晶面板5的透过区域b)形成有辅助电极28，在其上隔着绝缘层26形成有第一透明电极56。而且，在第一透明电极56的与上述辅助电极28重叠的部分，形成有作为核产生部的狭缝12a、换言之形成有第一透明电极56的切口。

此外，图22所示的液晶显示装置1中，在第一玻璃基板52上形成的台阶树脂层54的与TFT基板42的相对面上，形成有辅助电极28，在其上隔着绝缘层26形成有第一透明电极56。而且，在第一透明电极56的与上述辅助电极28重叠的部分，形成有作为核产生部的狭缝12a、换言之形成有第一透明电极56的切口。

其中，上述实施方式中，用辅助电极28和第一透明电极56形成夹着绝缘层设置在不同平面的两层电极，但是也可以不使用辅助电极28而改为使用共用电极24，只要在第一透明电极56、辅助电极28之间，或是第一透明电极56、共用电极24之间存在电位差即可。

此外，本实施方式中，也能够不使用狭缝12a而使用突起物12b作为核产生部。

图23是示意性地表示切断本实施方式的液晶显示装置1时的该液晶显示装置1中的液晶面板5的截面的概略结构的截面图，表示该液晶面板5的截面结构和液晶分子90的取向状态。

如图23所示，本实施方式的其他液晶显示装置中，突起物12b形成在透过区域b的第一透明电极56上。与在TFT基板42形成突起部12b的情况不同，在彩色滤光片基板41上形成突起物12b的情况下，能够与台阶树脂层54同时形成突起物12b，所以能够不增加制造工艺而形成突起物12b。

此外，本实施方式中，上述核产生部的形成位置既可以在反射区域a也可以在透过区域b，此外，并不限定于各区域的中央部，能够形成在任意位置。

本发明并不限定于上述各实施方式，在权利要求所示的范围内能够进行各种变更，将不同的实施方式中分别公开的技术方法适当组合而得的实施方式也包含在本发明的技术范围内。

例如，基于中间电极25的辅助电容的形成并非必需的，但也能够适用于任意一种实施方式。

此外，作为核产生部的狭缝12a和突起物12b的位置和形状、第二透明电极22和反射电极23的边界线的种类、边界线和核产生部的组合，都没有特别限定。

例如，形成核产生部的位置，并不限定于透过区域b或反射区域a的任意一方，能够跨两个区域形成。图24～图27举例表示该结构。

图24和图26是示意性地表示本发明的液晶显示装置1的一个像素11的概略结构的平面图，图25和图27分别是示意性地表示以与图24和图26所示的I-I线和J-J线相当的线切断本发明的液晶显示装置1时的该液晶显示装置1中的液晶面板5的截面的概略结构的截面图，表示该液晶面板5的截面结构和液晶分子90的取向状态。

如图24和图25所示，本发明的液晶显示装置中，还能够使边界线为一直线状，核产生部为狭缝12a，该狭缝12a跨反射区域a和透过区域b，形成在TFT基板42上。

此外，如图26和图27所示，本发明的液晶显示装置中，也能够使边界线为一直线状，核产生部为突起物12b，该突起物12b跨反射区域a和透过区域b，形成在TFT基板42上。

此外，形成核产生部的位置，特别是在边界线不是一直线状的情况下，并不限定于像素内的任意一个位置，例如，能够设为透过区域或反射区域的中心附近、周边部、边界附近、边界的凸部的范围内等。当然，在边界线如上述实施方式2、3、4所示具有台阶的情况下，也能够跨该台阶形成上述核产生部。即，也可以在上述台阶部(边界部)跨反射区域a和透过区域b形成上述核产生部。

此外，夹着绝缘层26形成在狭缝12a的下层的电极并不限定于共用电极24，也可以是栅极总线31、数据总线32等其他电极。

此外，如果一个像素中形成的核产生部的个数是1个，则一个像素内产生的弯曲取向转移的核的个数、即由上述核产生部产生的核的个数并不限定于1个。

此外，本实施方式中，是在显示面一侧的基板上设置有台阶树脂层等，在与上述显示面一侧的基板夹着液晶层相反一侧的基板上，具备形成有反射单元的反射显示部和没有形成反射单元的透过显示部，上述反射显示部中的反射像素电极兼作反射单元的结构，但是本发明并不限定于此，也可以在反射像素电极之外另设反射单元，此外，如图30所示，也可以是台阶树脂层和反射电极设置在与显示侧相反一侧的基板而形成反射显示部的结构。但是，在核产生部是如图24所示的狭缝的情况下，核产生部形成在形成有台阶树脂层的一方基板时，通过该台阶树脂层可能会使反射区域的核产生的效果要弱于核产生部形成在没有形成台阶树脂层的一方基板的情况。此外，如果核产生部形成在没有形成台阶树脂层的一方基板上，在核产生部如图26所示为突起物的情况下无须担心突起被埋入树脂。因此，能够避免因突起被树脂所埋而导致作为突起的效果(核产生部的效果)变弱的可能性。从而，核产生部虽然可以形成在上述任意一个基板上，但是优选形成在没有形成台阶树脂层的一方基板上。

其中，本发明的液晶显示装置也可以具有以下结构：相互相对配置的第一和第二基板；上述第一和第二基板之间封入有非施加电压时为展曲取向、显示时需要成为弯曲取向的液晶，上述第一基板上形成的栅极总线和与上述栅极总线大致垂直方向上配置的数据总线；与上述栅极总线和上述数据总线连接的TFT；由上述栅极总线和上述数据总线划分的像素区域内形成的透明和反射两像素电极；反射像素电极上的液晶层的厚度比透过像素电极上的液晶层的厚度更薄；其中，在像素电极上的仅一处具有向弯曲取向的转移机构。

本发明的液晶显示装置，如上所述，在各像素内的仅一处设置有产生用于促进液晶层中包含的液晶分子向弯曲取向取向转移的弯曲核的核产生部，并且，通过施加电压使透过区域和反射区域的液晶层的液晶分子从展曲取向向弯曲取向取向转移，所以起到以下效果：能够提供一种能够以OCB模式驱动透过区域和反射区域两者，并且能够抑制以OCB模式驱动两个区域时像素变暗的情况的半透过型液晶显示装置。

产业上的可利用性

本发明的液晶显示装置是响应速度快、透过率和反射率高的半透过型的液晶显示装置，所以能够适用于例如电视机和监视器等图像显示装置、文字处理机和个人计算机等OA机器、此外还有摄像机、数码相机、便携式电话等显示动画的便携式终端所具备的图像显示装置等用途。

Claims (11)

1.一种液晶显示装置，其包括相对的一对基板和被该一对基板夹持的液晶层，在一个像素内具有透过区域和反射区域，所述反射区域的液晶层的厚度形成为小于所述透过区域的液晶层的厚度，所述液晶显示装置的特征在于：

在所述各像素内的仅一处设置有产生用于促进所述液晶层中包含的液晶分子向弯曲取向进行取向转移的弯曲核的核产生部，并且，通过电压的施加使所述透过区域和反射区域的液晶层的液晶分子从展曲取向向弯曲取向进行取向转移，

各像素的反射区域和透过区域的边界线在俯视时具有凹凸，该反射区域和透过区域中任意一方的区域具有被另一方区域局部包围的形状。

2.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：

所述核产生部设置在反射区域。

3.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：

所述核产生部设置在透过区域。

4.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：

所述核产生部设置在各像素的反射区域和透过区域的边界附近。

5.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：

所述核产生部跨所述反射区域和透过区域设置。

6.如权利要求1～5中任意一项所述的液晶显示装置，其特征在于：

所述核产生部包括夹着绝缘层设置在不同平面的两层电极，

所述核产生部是在所述两层电极中所述液晶层一侧的电极的与另一方的电极隔着所述绝缘层重叠的区域的一部分所设置的开口部，

所述两电极具有电位差。

7.如权利要求6所述的液晶显示装置，其特征在于：

所述液晶层一侧的电极是像素电极。

8.如权利要求6所述的液晶显示装置，其特征在于：

所述液晶层一侧的电极是相对电极。

9.如权利要求1～5中任意一项所述的液晶显示装置，其特征在于：

所述核产生部是形成在所述一对基板中一方的基板的与液晶层相对的表面上的突起物。

10.如权利要求9所述的液晶显示装置，其特征在于：

所述突起物形成在设置于所述基板的像素电极上。

11.如权利要求9所述的液晶显示装置，其特征在于：

所述突起物形成在设置于所述基板的相对电极上。

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