JP2003207795A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JP2003207795A JP2003207795A JP2002005577A JP2002005577A JP2003207795A JP 2003207795 A JP2003207795 A JP 2003207795A JP 2002005577 A JP2002005577 A JP 2002005577A JP 2002005577 A JP2002005577 A JP 2002005577A JP 2003207795 A JP2003207795 A JP 2003207795A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- pixel
- electrode
- liquid crystal
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 広視野角特性および高速応答性に優れた液晶
表示装置を得る。 【解決手段】 画素領域に、ゲート信号線からの走査信
号によって作動するスイッチング素子と、このスイッチ
ング素子を介してドレイン信号線からの映像信号が供給
される画素電極と、この画素電極との間に電界を生じせ
しめる対向電極とを備え、前記画素領域は区分された各
領域からなり、一方の領域には絶縁膜の下層に該領域の
僅かな周辺を除く中央に形成された透光性の材料からな
る対向電極と該絶縁膜の上層に該対向電極に重畳されて
一方向に延在し該方向に交差する方向に並設される電極
群からなる画素電極が形成され、他方の領域には絶縁層
の下層に一方向に延在し該方向に交差する方向に並設さ
れる電極群からなる対向電極と該絶縁膜の上層に一方向
に延在し該方向に交差する方向に並設される電極群から
なり、前記対向電極と交互に配置される画素電極が形成
されている。
表示装置を得る。 【解決手段】 画素領域に、ゲート信号線からの走査信
号によって作動するスイッチング素子と、このスイッチ
ング素子を介してドレイン信号線からの映像信号が供給
される画素電極と、この画素電極との間に電界を生じせ
しめる対向電極とを備え、前記画素領域は区分された各
領域からなり、一方の領域には絶縁膜の下層に該領域の
僅かな周辺を除く中央に形成された透光性の材料からな
る対向電極と該絶縁膜の上層に該対向電極に重畳されて
一方向に延在し該方向に交差する方向に並設される電極
群からなる画素電極が形成され、他方の領域には絶縁層
の下層に一方向に延在し該方向に交差する方向に並設さ
れる電極群からなる対向電極と該絶縁膜の上層に一方向
に延在し該方向に交差する方向に並設される電極群から
なり、前記対向電極と交互に配置される画素電極が形成
されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に係
り、特に、横電界方式と称される液晶表示装置に関す
る。
り、特に、横電界方式と称される液晶表示装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】横電界方式と称される液晶表示装置は、
液晶を介して対向配置される各基板の一方の基板の液晶
側の面の画素領域に、画素電極とこの画素電極との間に
電界を発生せしめる対向電極とを備え、該電界のうち基
板とほぼ平行な成分によって液晶を挙動させる構成とな
っている。
液晶を介して対向配置される各基板の一方の基板の液晶
側の面の画素領域に、画素電極とこの画素電極との間に
電界を発生せしめる対向電極とを備え、該電界のうち基
板とほぼ平行な成分によって液晶を挙動させる構成とな
っている。
【０００３】そして、このような構成をアクティブマト
リクス型のものに適用させたものは、まず、前記一方の
基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線と
これら各ゲート信号線と交差するようにして並設された
複数のドレイン信号線とで囲まれた各領域を前記画素領
域としている。
リクス型のものに適用させたものは、まず、前記一方の
基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線と
これら各ゲート信号線と交差するようにして並設された
複数のドレイン信号線とで囲まれた各領域を前記画素領
域としている。
【０００４】そして、これら各画素領域に、ゲート信号
線からの走査信号によって作動する薄膜トランジスタ
と、この薄膜トランジスタを介してドレイン信号線から
の映像信号が供給される前記画素電極と、該映像信号に
対して基準となる信号が供給される前記対向電極とが備
えられている。
線からの走査信号によって作動する薄膜トランジスタ
と、この薄膜トランジスタを介してドレイン信号線から
の映像信号が供給される前記画素電極と、該映像信号に
対して基準となる信号が供給される前記対向電極とが備
えられている。
【０００５】ここで、画素電極と対向電極はそれぞれ一
方向に延在する帯状のパターンとして形成され、それら
各電極は２個あるいはそれ以上の個数で形成して交互に
配置させるのが通常である。
方向に延在する帯状のパターンとして形成され、それら
各電極は２個あるいはそれ以上の個数で形成して交互に
配置させるのが通常である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに構成された液晶表示装置は、その表示面の垂直方向
に対して大きな角度を有する方向から表示を鮮明に観測
できる特性、すなわち、広視野角に優れた特性を有する
が、高速応答性に対して改善が望まれていた。
うに構成された液晶表示装置は、その表示面の垂直方向
に対して大きな角度を有する方向から表示を鮮明に観測
できる特性、すなわち、広視野角に優れた特性を有する
が、高速応答性に対して改善が望まれていた。
【０００７】本発明は、このような事情に基づいてなさ
れたもので、その目的は広視野角特性および高速応答性
に優れた液晶表示装置を提供することにある。
れたもので、その目的は広視野角特性および高速応答性
に優れた液晶表示装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【０００９】手段１．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される基板のうち一方の
基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線と
これらゲート信号線と交差して並設された複数のドレイ
ン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、この画素領
域に、ゲート信号線からの走査信号によって作動するス
イッチング素子と、このスイッチング素子を介してドレ
イン信号線からの映像信号が供給される画素電極と、こ
の画素電極との間に電界を生じせしめる対向電極とを備
え、前記画素領域は区分された各領域からなり、一方の
領域には絶縁膜の下層に該領域の僅かな周辺を除く中央
に形成された透光性の材料からなる対向電極と該絶縁膜
の上層に該対向電極に重畳されて一方向に延在し該方向
に交差する方向に並設される電極群からなる画素電極が
形成され、他方の領域には絶縁層の下層に一方向に延在
し該方向に交差する方向に並設される電極群からなる対
向電極と該絶縁膜の上層に一方向に延在し該方向に交差
する方向に並設される電極群からなり、前記対向電極と
交互に配置される画素電極が形成されていることを特徴
とするものである。
とえば、液晶を介して対向配置される基板のうち一方の
基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線と
これらゲート信号線と交差して並設された複数のドレイ
ン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、この画素領
域に、ゲート信号線からの走査信号によって作動するス
イッチング素子と、このスイッチング素子を介してドレ
イン信号線からの映像信号が供給される画素電極と、こ
の画素電極との間に電界を生じせしめる対向電極とを備
え、前記画素領域は区分された各領域からなり、一方の
領域には絶縁膜の下層に該領域の僅かな周辺を除く中央
に形成された透光性の材料からなる対向電極と該絶縁膜
の上層に該対向電極に重畳されて一方向に延在し該方向
に交差する方向に並設される電極群からなる画素電極が
形成され、他方の領域には絶縁層の下層に一方向に延在
し該方向に交差する方向に並設される電極群からなる対
向電極と該絶縁膜の上層に一方向に延在し該方向に交差
する方向に並設される電極群からなり、前記対向電極と
交互に配置される画素電極が形成されていることを特徴
とするものである。
【００１０】手段２．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される基板のうち一方の
基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線と
これらゲート信号線と交差して並設された複数のドレイ
ン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、この画素領
域に、ゲート信号線からの走査信号によって作動するス
イッチング素子と、このスイッチング素子を介してドレ
イン信号線からの映像信号が供給される画素電極と、こ
の画素電極との間に電界を生じせしめる対向電極とを備
え、前記画素領域は区分された各領域からなり、一方の
領域には絶縁膜の下層に該領域の僅かな周辺を除く中央
に形成された透光性の材料からなる画素電極と該絶縁膜
の上層に該画素電極に重畳されて一方向に延在し該方向
に交差する方向に並設される電極群からなる対向電極が
形成され、他方の領域には絶縁層の下層に一方向に延在
し該方向に交差する方向に並設される電極群からなる画
素電極と該絶縁膜の上層に一方向に延在し該方向に交差
する方向に並設される電極群からなり、前記画素電極と
交互に配置される対向電極が形成され、前記各領域の各
対向電極はドレイン信号線を被って形成されていること
を特徴とするものである。
とえば、液晶を介して対向配置される基板のうち一方の
基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線と
これらゲート信号線と交差して並設された複数のドレイ
ン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、この画素領
域に、ゲート信号線からの走査信号によって作動するス
イッチング素子と、このスイッチング素子を介してドレ
イン信号線からの映像信号が供給される画素電極と、こ
の画素電極との間に電界を生じせしめる対向電極とを備
え、前記画素領域は区分された各領域からなり、一方の
領域には絶縁膜の下層に該領域の僅かな周辺を除く中央
に形成された透光性の材料からなる画素電極と該絶縁膜
の上層に該画素電極に重畳されて一方向に延在し該方向
に交差する方向に並設される電極群からなる対向電極が
形成され、他方の領域には絶縁層の下層に一方向に延在
し該方向に交差する方向に並設される電極群からなる画
素電極と該絶縁膜の上層に一方向に延在し該方向に交差
する方向に並設される電極群からなり、前記画素電極と
交互に配置される対向電極が形成され、前記各領域の各
対向電極はドレイン信号線を被って形成されていること
を特徴とするものである。
【００１１】手段３．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、手段２の構成を前提にし、前記各領域に形成さ
れる前記絶縁膜のそれぞれは無機材料からなる保護膜と
有機材料からなる保護膜との順次積層体から構成され、
かつ対向電極のそれぞれは透光性の材料から構成されて
いることを特徴とするものである。
とえば、手段２の構成を前提にし、前記各領域に形成さ
れる前記絶縁膜のそれぞれは無機材料からなる保護膜と
有機材料からなる保護膜との順次積層体から構成され、
かつ対向電極のそれぞれは透光性の材料から構成されて
いることを特徴とするものである。
【００１２】手段４．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される基板のうち一方の
基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線と
これらゲート信号線と交差して並設された複数のドレイ
ン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、この画素領
域に、ゲート信号線からの走査信号によって作動するス
イッチング素子と、このスイッチング素子を介してドレ
イン信号線からの映像信号が供給される画素電極と、こ
の画素電極との間に電界を生じせしめる対向電極とを備
え、前記画素領域は区分された各領域からなり、一方の
領域には絶縁膜の下層に該領域の僅かな周辺を除く中央
に形成された反射電極を兼ねる対向電極と該絶縁膜の上
層に該対向電極に重畳されて一方向に延在し該方向に交
差する方向に並設される電極群からなる画素電極が形成
され、他方の領域には絶縁層の下層に一方向に延在し該
方向に交差する方向に並設される電極群からなる対向電
極と該絶縁膜の上層に一方向に延在し該方向に交差する
方向に並設される電極群からなり、前記対向電極と交互
に配置される画素電極が形成されていることを特徴とす
るものである。
とえば、液晶を介して対向配置される基板のうち一方の
基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線と
これらゲート信号線と交差して並設された複数のドレイ
ン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、この画素領
域に、ゲート信号線からの走査信号によって作動するス
イッチング素子と、このスイッチング素子を介してドレ
イン信号線からの映像信号が供給される画素電極と、こ
の画素電極との間に電界を生じせしめる対向電極とを備
え、前記画素領域は区分された各領域からなり、一方の
領域には絶縁膜の下層に該領域の僅かな周辺を除く中央
に形成された反射電極を兼ねる対向電極と該絶縁膜の上
層に該対向電極に重畳されて一方向に延在し該方向に交
差する方向に並設される電極群からなる画素電極が形成
され、他方の領域には絶縁層の下層に一方向に延在し該
方向に交差する方向に並設される電極群からなる対向電
極と該絶縁膜の上層に一方向に延在し該方向に交差する
方向に並設される電極群からなり、前記対向電極と交互
に配置される画素電極が形成されていることを特徴とす
るものである。
【００１３】手段５．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される基板のうち一方の
基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線と
これらゲート信号線と交差して並設された複数のドレイ
ン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、この画素領
域に、ゲート信号線からの走査信号によって作動するス
イッチング素子と、このスイッチング素子を介してドレ
イン信号線からの映像信号が供給される画素電極と、こ
の画素電極との間に電界を生じせしめる対向電極とを備
え、前記画素領域は区分された各領域からなり、一方の
領域には絶縁膜の下層に該領域の僅かな周辺を除く中央
に形成された反射電極を兼ねる対向電極と該絶縁膜の上
層に該対向電極に重畳されて一方向に延在し該方向に交
差する方向に並設される電極群からなる画素電極が形成
され、他方の領域には絶縁層の下層に一方向に延在し該
方向に交差する方向に並設される電極群からなる対向電
極と該絶縁膜の上層に一方向に延在し該方向に交差する
方向に並設される電極群からなり、前記対向電極と交互
に配置される画素電極が形成され、前記絶縁膜は前記他
方の領域においてその層厚が前記一方の領域よりも厚く
形成されていることによって、前記一方の領域の液晶層
の層厚から前記他方の領域のそれよりも約３倍となって
いることを特徴とするものである。
とえば、液晶を介して対向配置される基板のうち一方の
基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線と
これらゲート信号線と交差して並設された複数のドレイ
ン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、この画素領
域に、ゲート信号線からの走査信号によって作動するス
イッチング素子と、このスイッチング素子を介してドレ
イン信号線からの映像信号が供給される画素電極と、こ
の画素電極との間に電界を生じせしめる対向電極とを備
え、前記画素領域は区分された各領域からなり、一方の
領域には絶縁膜の下層に該領域の僅かな周辺を除く中央
に形成された反射電極を兼ねる対向電極と該絶縁膜の上
層に該対向電極に重畳されて一方向に延在し該方向に交
差する方向に並設される電極群からなる画素電極が形成
され、他方の領域には絶縁層の下層に一方向に延在し該
方向に交差する方向に並設される電極群からなる対向電
極と該絶縁膜の上層に一方向に延在し該方向に交差する
方向に並設される電極群からなり、前記対向電極と交互
に配置される画素電極が形成され、前記絶縁膜は前記他
方の領域においてその層厚が前記一方の領域よりも厚く
形成されていることによって、前記一方の領域の液晶層
の層厚から前記他方の領域のそれよりも約３倍となって
いることを特徴とするものである。
【００１４】手段６．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、手段５の構成を前提として、前記一方の領域に
おける絶縁膜は無機材料からなる保護膜で形成され前記
他方の領域における絶縁膜は無機材料からなる保護膜と
有機材料からなる保護膜との順次積層体から形成されて
いるともに、前記対向電極は少なくともドレイン信号線
を被っているものも含むことを特徴とするものである。
とえば、手段５の構成を前提として、前記一方の領域に
おける絶縁膜は無機材料からなる保護膜で形成され前記
他方の領域における絶縁膜は無機材料からなる保護膜と
有機材料からなる保護膜との順次積層体から形成されて
いるともに、前記対向電極は少なくともドレイン信号線
を被っているものも含むことを特徴とするものである。
【００１５】手段７．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される基板のうち一方の
基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線と
これらゲート信号線と交差して並設された複数のドレイ
ン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、この画素領
域に、ゲート信号線からの走査信号によって作動するス
イッチング素子と、このスイッチング素子を介してドレ
イン信号線からの映像信号が供給される画素電極と、こ
の画素電極との間に電界を生じせしめる対向電極とを備
え、前記画素領域は区分された各領域からなり、一方の
領域には絶縁膜の下層に該領域の僅かな周辺を除く中央
に形成された反射電極を兼ねる対向電極と該絶縁膜の上
層に該対向電極に重畳されて一方向に延在し該方向に交
差する方向に並設される電極群からなる画素電極が形成
され、他方の領域には絶縁層の下層に一方向に延在し該
方向に交差する方向に並設される電極群からなる対向電
極と該絶縁膜の上層に一方向に延在し該方向に交差する
方向に並設される電極群からなり、前記対向電極と交互
に配置される画素電極が形成され、前記絶縁膜は前記一
方の領域においてその層厚が前記他方の領域よりも厚く
形成されていることを特徴とするものである。
とえば、液晶を介して対向配置される基板のうち一方の
基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線と
これらゲート信号線と交差して並設された複数のドレイ
ン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、この画素領
域に、ゲート信号線からの走査信号によって作動するス
イッチング素子と、このスイッチング素子を介してドレ
イン信号線からの映像信号が供給される画素電極と、こ
の画素電極との間に電界を生じせしめる対向電極とを備
え、前記画素領域は区分された各領域からなり、一方の
領域には絶縁膜の下層に該領域の僅かな周辺を除く中央
に形成された反射電極を兼ねる対向電極と該絶縁膜の上
層に該対向電極に重畳されて一方向に延在し該方向に交
差する方向に並設される電極群からなる画素電極が形成
され、他方の領域には絶縁層の下層に一方向に延在し該
方向に交差する方向に並設される電極群からなる対向電
極と該絶縁膜の上層に一方向に延在し該方向に交差する
方向に並設される電極群からなり、前記対向電極と交互
に配置される画素電極が形成され、前記絶縁膜は前記一
方の領域においてその層厚が前記他方の領域よりも厚く
形成されていることを特徴とするものである。
【００１６】手段８．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、手段７の構成を前提として、前記他方の領域に
おける絶縁膜は無機材料からなる保護膜で形成され前記
一方の領域における絶縁膜は無機材料からなる保護膜と
有機材料からなる保護膜との順次積層体から形成されて
いることを特徴とするものである。
とえば、手段７の構成を前提として、前記他方の領域に
おける絶縁膜は無機材料からなる保護膜で形成され前記
一方の領域における絶縁膜は無機材料からなる保護膜と
有機材料からなる保護膜との順次積層体から形成されて
いることを特徴とするものである。
【００１７】なお、本発明は以上の構成に限定されず、
本発明の技術思想を逸脱しない範囲で種々の変更が可能
である。
本発明の技術思想を逸脱しない範囲で種々の変更が可能
である。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明による液晶表示装置
の実施例を図面を用いて説明をする。
の実施例を図面を用いて説明をする。
【００１９】実施例１．
《全体の構成》図２は、本発明による液晶表示装置の一
実施例を示す構成図である。同図は等価回路で示してい
るが実際の幾何学配置に対応させて描いている。
実施例を示す構成図である。同図は等価回路で示してい
るが実際の幾何学配置に対応させて描いている。
【００２０】液晶を介して互いに対向配置される一対の
透明基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２があり、該液晶は一方の透
明基板ＳＵＢ１に対する他方の透明基板ＳＵＢ２の固定
を兼ねるシール材ＳＬによって封入されている。
透明基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２があり、該液晶は一方の透
明基板ＳＵＢ１に対する他方の透明基板ＳＵＢ２の固定
を兼ねるシール材ＳＬによって封入されている。
【００２１】シール材ＳＬによって囲まれた前記一方の
透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面には、そのｘ方向に延在
しｙ方向に並設されたゲート信号線ＧＬとｙ方向に延在
しｘ方向に並設されたドレイン信号線ＤＬとが形成され
ている。
透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面には、そのｘ方向に延在
しｙ方向に並設されたゲート信号線ＧＬとｙ方向に延在
しｘ方向に並設されたドレイン信号線ＤＬとが形成され
ている。
【００２２】各ゲート信号線ＧＬと各ドレイン信号線Ｄ
Ｌとで囲まれた領域は画素領域を構成するとともに、こ
れら各画素領域のマトリクス状の集合体は液晶表示部Ａ
Ｒを構成するようになっている。
Ｌとで囲まれた領域は画素領域を構成するとともに、こ
れら各画素領域のマトリクス状の集合体は液晶表示部Ａ
Ｒを構成するようになっている。
【００２３】また、ｘ方向に並設される各画素領域のそ
れぞれにはそれら各画素領域内に走行された共通の対向
電圧信号線ＣＬが形成されている。この対向電圧信号線
ＣＬは各画素領域の後述する対向電極ＣＴに映像信号に
対して基準となる電圧を供給するための信号線となるも
のである。
れぞれにはそれら各画素領域内に走行された共通の対向
電圧信号線ＣＬが形成されている。この対向電圧信号線
ＣＬは各画素領域の後述する対向電極ＣＴに映像信号に
対して基準となる電圧を供給するための信号線となるも
のである。
【００２４】各画素領域には、その片側のゲート信号線
ＧＬからの走査信号によって作動される薄膜トランジス
タＴＦＴと、この薄膜トランジスタＴＦＴを介して片側
のドレイン信号線ＤＬからの映像信号が供給される画素
電極ＰＸが形成されている。
ＧＬからの走査信号によって作動される薄膜トランジス
タＴＦＴと、この薄膜トランジスタＴＦＴを介して片側
のドレイン信号線ＤＬからの映像信号が供給される画素
電極ＰＸが形成されている。
【００２５】この画素電極ＰＸは、前記対向電圧信号線
ＣＬと接続された対向電極ＣＴとの間に電界を発生さ
せ、この電界によって液晶の光透過率を制御させるよう
になっている。
ＣＬと接続された対向電極ＣＴとの間に電界を発生さ
せ、この電界によって液晶の光透過率を制御させるよう
になっている。
【００２６】前記ゲート信号線ＧＬのそれぞれの一端は
前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延在端は垂直
走査駆動回路Ｖの出力端子が接続される端子を構成する
ようになっている。また、前記垂直走査駆動回路Ｖの入
力端子は液晶表示パネルの外部に配置されたプリント基
板からの信号が入力されるようになっている。
前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延在端は垂直
走査駆動回路Ｖの出力端子が接続される端子を構成する
ようになっている。また、前記垂直走査駆動回路Ｖの入
力端子は液晶表示パネルの外部に配置されたプリント基
板からの信号が入力されるようになっている。
【００２７】垂直走査駆動回路Ｖは複数個の半導体装置
からなり、互いに隣接する複数のゲート信号線どおしが
グループ化され、これら各グループ毎に一個の半導体装
置があてがわれるようになっている。
からなり、互いに隣接する複数のゲート信号線どおしが
グループ化され、これら各グループ毎に一個の半導体装
置があてがわれるようになっている。
【００２８】同様に、前記ドレイン信号線ＤＬのそれぞ
れの一端は前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延
在端は映像信号駆動回路Ｈｅの出力端子が接続される端
子を構成するようになっている。また、前記映像信号駆
動回路Ｈｅの入力端子は液晶表示パネルの外部に配置さ
れたプリント基板からの信号が入力されるようになって
いる。
れの一端は前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延
在端は映像信号駆動回路Ｈｅの出力端子が接続される端
子を構成するようになっている。また、前記映像信号駆
動回路Ｈｅの入力端子は液晶表示パネルの外部に配置さ
れたプリント基板からの信号が入力されるようになって
いる。
【００２９】この映像信号駆動回路Ｈｅも複数個の半導
体装置からなり、互いに隣接する複数のドレイン信号線
どおしがグループ化され、これら各グループ毎に一個の
半導体装置があてがわれるようになっている。
体装置からなり、互いに隣接する複数のドレイン信号線
どおしがグループ化され、これら各グループ毎に一個の
半導体装置があてがわれるようになっている。
【００３０】また、ｘ方向に併設された各画素領域に共
通な前記対向電圧信号線ＣＬは図中右側の端部で共通に
接続され、その接続線はシール材ＳＬを超えて延在さ
れ、その延在端において端子ＣＬＴを構成している。こ
の端子ＣＬＴからは映像信号に対して基準となる電圧が
供給されるようになっている。
通な前記対向電圧信号線ＣＬは図中右側の端部で共通に
接続され、その接続線はシール材ＳＬを超えて延在さ
れ、その延在端において端子ＣＬＴを構成している。こ
の端子ＣＬＴからは映像信号に対して基準となる電圧が
供給されるようになっている。
【００３１】前記各ゲート信号線ＧＬは、垂直走査回路
Ｖからの走査信号によって、その一つが順次選択される
ようになっている。
Ｖからの走査信号によって、その一つが順次選択される
ようになっている。
【００３２】また、前記各ドレイン信号線ＤＬのそれぞ
れには、映像信号駆動回路Ｈｅによって、前記ゲート信
号線ＧＬの選択のタイミングに合わせて映像信号が供給
されるようになっている。
れには、映像信号駆動回路Ｈｅによって、前記ゲート信
号線ＧＬの選択のタイミングに合わせて映像信号が供給
されるようになっている。
【００３３】なお、上述した実施例では、垂直走査駆動
回路Ｖおよび映像信号駆動回路Ｈｅは透明基板ＳＵＢ１
に搭載された半導体装置を示したものであるが、たとえ
ば透明基板ＳＵＢ１とプリント基板との間を跨って接続
されるいわゆるテープキャリア方式の半導体装置であっ
てもよく、さらに、前記薄膜トランジスタＴＦＴの半導
体層が多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）から構成される場
合、透明基板ＳＵＢ１面に前記多結晶シリコンからなる
半導体素子を配線層とともに形成されたものであっても
よい。
回路Ｖおよび映像信号駆動回路Ｈｅは透明基板ＳＵＢ１
に搭載された半導体装置を示したものであるが、たとえ
ば透明基板ＳＵＢ１とプリント基板との間を跨って接続
されるいわゆるテープキャリア方式の半導体装置であっ
てもよく、さらに、前記薄膜トランジスタＴＦＴの半導
体層が多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）から構成される場
合、透明基板ＳＵＢ１面に前記多結晶シリコンからなる
半導体素子を配線層とともに形成されたものであっても
よい。
【００３４】《画素の構成》図１（ａ）は、前記画素領
域の構成の一実施例を示す平面図である。また、同図
（ａ）のｂ−ｂ線における断面を図１（ｂ）に、ｃ−ｃ
線における断面を図１（ｃ）に示している。
域の構成の一実施例を示す平面図である。また、同図
（ａ）のｂ−ｂ線における断面を図１（ｂ）に、ｃ−ｃ
線における断面を図１（ｃ）に示している。
【００３５】各図において、透明基板ＳＵＢ１の液晶側
の面に、まず、ｘ方向に延在しｙ方向に並設される一対
のゲート信号線ＧＬが形成されている。
の面に、まず、ｘ方向に延在しｙ方向に並設される一対
のゲート信号線ＧＬが形成されている。
【００３６】これらゲート信号線ＧＬは後述の一対のド
レイン信号線ＤＬとともに矩形状の領域を囲むようにな
っており、この領域を画素領域として構成するようにな
っている。
レイン信号線ＤＬとともに矩形状の領域を囲むようにな
っており、この領域を画素領域として構成するようにな
っている。
【００３７】そして、この画素領域はそのほぼ中央を図
中ｘ方向に走行する仮想の線で画される二つの領域（図
中上方の領域を領域Ａ、下方の領域を領域Ｂとする）に
区分されるようになっている。
中ｘ方向に走行する仮想の線で画される二つの領域（図
中上方の領域を領域Ａ、下方の領域を領域Ｂとする）に
区分されるようになっている。
【００３８】また、ゲート信号線ＧＬと平行に対向電圧
信号線ＣＬが形成され、この対向電圧信号線ＣＬはたと
えば画素領域の領域Ａ側においてその上部に位置づけら
れるようになっている。
信号線ＣＬが形成され、この対向電圧信号線ＣＬはたと
えば画素領域の領域Ａ側においてその上部に位置づけら
れるようになっている。
【００３９】さらに、この対向電圧信号線ＣＬは、画素
領域内において後述のドレイン信号線ＤＬに隣接しかつ
該ドレイン信号線ＤＬに延在して形成されるとともに、
それらは画素領域の領域Ｂの上部にて互いに接続される
パターンとして形成されている。
領域内において後述のドレイン信号線ＤＬに隣接しかつ
該ドレイン信号線ＤＬに延在して形成されるとともに、
それらは画素領域の領域Ｂの上部にて互いに接続される
パターンとして形成されている。
【００４０】すなわち、画素領域の領域Ａにおいてその
四方辺に、領域Ｂにおいて下側の部分を除く三方辺に対
向電圧信号線ＣＬが一体に形成されている。
四方辺に、領域Ｂにおいて下側の部分を除く三方辺に対
向電圧信号線ＣＬが一体に形成されている。
【００４１】さらに、画素領域の領域Ｂにはそのほぼ中
央に図中ｙ方向に延在するたとえば１個の対向電極ＣＴ
が対向電圧信号線ＣＬと一体に形成されている。
央に図中ｙ方向に延在するたとえば１個の対向電極ＣＴ
が対向電圧信号線ＣＬと一体に形成されている。
【００４２】この領域Ｂにおいては、ドレイン信号線Ｄ
Ｌに隣接して配置される対向電圧信号線ＣＬも対向電極
ＣＴとして機能し、上述した対向電極ＣＴと合わせて合
計３個の対向電極ＣＴが形成されている。
Ｌに隣接して配置される対向電圧信号線ＣＬも対向電極
ＣＴとして機能し、上述した対向電極ＣＴと合わせて合
計３個の対向電極ＣＴが形成されている。
【００４３】そして、画素領域の領域ＡにはたとえばIT
O(Indium Tin Oxide)、ITZO(IndiumTin Zinc Oxide)、I
ZO(Indium Zinc Oxide)等からなる透光性の導電膜が形
成されその四辺のそれぞれは対向電圧信号線ＣＬに重畳
されて形成されることにより該対向電圧信号線ＣＬと電
気的に接続されている。
O(Indium Tin Oxide)、ITZO(IndiumTin Zinc Oxide)、I
ZO(Indium Zinc Oxide)等からなる透光性の導電膜が形
成されその四辺のそれぞれは対向電圧信号線ＣＬに重畳
されて形成されることにより該対向電圧信号線ＣＬと電
気的に接続されている。
【００４４】この透光性の導電膜はこの領域Ａにおいて
対向電極ＣＴとして機能するようになっている。
対向電極ＣＴとして機能するようになっている。
【００４５】このようにゲート信号線ＧＬおよび対向電
圧信号線ＣＬ（対向電極ＣＴ）が形成された透明基板Ｓ
ＵＢ１の表面にはたとえばＳｉＮからなる絶縁膜ＧＩが
該ゲート信号線ＧＬおよび対向電圧信号線ＣＬ（対向電
極）をも被って形成されている。
圧信号線ＣＬ（対向電極ＣＴ）が形成された透明基板Ｓ
ＵＢ１の表面にはたとえばＳｉＮからなる絶縁膜ＧＩが
該ゲート信号線ＧＬおよび対向電圧信号線ＣＬ（対向電
極）をも被って形成されている。
【００４６】この絶縁膜ＧＩは、後述のドレイン信号線
ＤＬの形成領域においては前記ゲート信号線ＧＬおよび
対向電圧信号線ＣＬに対する層間絶縁膜としての機能
を、後述の薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域において
はそのゲート絶縁膜としての機能を、後述の容量素子Ｃ
ｓｔｇの形成領域においてはその誘電体膜としての機能
を有するようになっている。
ＤＬの形成領域においては前記ゲート信号線ＧＬおよび
対向電圧信号線ＣＬに対する層間絶縁膜としての機能
を、後述の薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域において
はそのゲート絶縁膜としての機能を、後述の容量素子Ｃ
ｓｔｇの形成領域においてはその誘電体膜としての機能
を有するようになっている。
【００４７】そして、この絶縁膜ＧＩの表面であって、
前記ゲート信号線ＧＬの一部に重畳するようにしてたと
えばアモルファスＳｉからなる半導体層ＡＳが形成され
ている。
前記ゲート信号線ＧＬの一部に重畳するようにしてたと
えばアモルファスＳｉからなる半導体層ＡＳが形成され
ている。
【００４８】この半導体層ＡＳは、薄膜トランジスタＴ
ＦＴのそれであって、その上面にドレイン電極ＳＤ１お
よびソース電極ＳＤ２を形成することにより、ゲート信
号線ＧＬの一部をゲート電極とする逆スタガ構造のMIS
型トランジスタを構成することができる。
ＦＴのそれであって、その上面にドレイン電極ＳＤ１お
よびソース電極ＳＤ２を形成することにより、ゲート信
号線ＧＬの一部をゲート電極とする逆スタガ構造のMIS
型トランジスタを構成することができる。
【００４９】ここで、前記ドイレン電極ＳＤ１およびソ
ース電極ＳＤ２はドレイン信号線ＤＬの形成の際に同時
に形成されるようになっている。
ース電極ＳＤ２はドレイン信号線ＤＬの形成の際に同時
に形成されるようになっている。
【００５０】すなわち、ｙ方向に延在されｘ方向に並設
されるドレイン信号線ＤＬが形成され、その一部が前記
半導体層ＡＳの上面にまで延在されてドレイン電極ＳＤ
１が形成され、また、このドレイン電極ＳＤ１と薄膜ト
ランジスタＴＦＴのチャネル長分だけ離間されてソース
電極ＳＤ２が形成されている。
されるドレイン信号線ＤＬが形成され、その一部が前記
半導体層ＡＳの上面にまで延在されてドレイン電極ＳＤ
１が形成され、また、このドレイン電極ＳＤ１と薄膜ト
ランジスタＴＦＴのチャネル長分だけ離間されてソース
電極ＳＤ２が形成されている。
【００５１】このソース電極ＳＤ２は半導体層ＡＳ面か
ら画素領域側の絶縁膜ＧＩの上面に及んで延在され画素
電極ＰＸが一体に形成されている。
ら画素領域側の絶縁膜ＧＩの上面に及んで延在され画素
電極ＰＸが一体に形成されている。
【００５２】この画素電極ＰＸは、まず、領域Ｂにおい
て、その領域における各対向電極ＣＴのそれぞれの間に
ｙ方向に延在されて２個形成され、それらは領域Ａとの
境界に形成された対向電圧信号線ＣＬ上にて互いに一体
的に接続されている。
て、その領域における各対向電極ＣＴのそれぞれの間に
ｙ方向に延在されて２個形成され、それらは領域Ａとの
境界に形成された対向電圧信号線ＣＬ上にて互いに一体
的に接続されている。
【００５３】これにより、画素領域の領域Ｂにおいて
は、対向電極ＣＴと画素電極ＰＸとが交互に、すなわ
ち、一方のドレイン信号線ＤＬ側から、対向電極ＣＴ、
画素電極ＰＸ、対向電極ＣＴ、画素電極ＰＸ、対向電極
ＣＴというように形成されている。
は、対向電極ＣＴと画素電極ＰＸとが交互に、すなわ
ち、一方のドレイン信号線ＤＬ側から、対向電極ＣＴ、
画素電極ＰＸ、対向電極ＣＴ、画素電極ＰＸ、対向電極
ＣＴというように形成されている。
【００５４】また、該画素電極ＰＸは、領域Ａにおい
て、その領域における対向電極ＣＴに重畳するようにｙ
方向に延在されｘ方向に並設された複数の電極群からな
り、それら各電極は領域Ｂとの境界に形成された前記対
向電圧信号線ＣＬ上にて互いに一体的に接続されてい
る。
て、その領域における対向電極ＣＴに重畳するようにｙ
方向に延在されｘ方向に並設された複数の電極群からな
り、それら各電極は領域Ｂとの境界に形成された前記対
向電圧信号線ＣＬ上にて互いに一体的に接続されてい
る。
【００５５】この領域Ａにおける画素電極ＰＸの本数は
領域Ｂにおける画素電極ＰＸのそれよりも多く形成され
ている。領域Ａにおいては、該画素電極ＰＸはその辺部
（エッジ部）と対向電極ＣＴとの間に集中して電界が発
生するからである。
領域Ｂにおける画素電極ＰＸのそれよりも多く形成され
ている。領域Ａにおいては、該画素電極ＰＸはその辺部
（エッジ部）と対向電極ＣＴとの間に集中して電界が発
生するからである。
【００５６】該対向電圧信号線ＣＬ上において各画素電
極ＰＸの接続部は比較的大きな面積を有し、この部分に
おいて該対向電圧信号線ＣＬとの間に前記絶縁膜ＧＩを
誘電体膜とする容量素子Ｃｓｔｇが形成されるようにな
っている。
極ＰＸの接続部は比較的大きな面積を有し、この部分に
おいて該対向電圧信号線ＣＬとの間に前記絶縁膜ＧＩを
誘電体膜とする容量素子Ｃｓｔｇが形成されるようにな
っている。
【００５７】この容量素子Ｃｓｔｇは、たとえば画素電
極ＰＸに供給された映像信号を比較的長く蓄積させる等
の機能をもたせるようになっている。
極ＰＸに供給された映像信号を比較的長く蓄積させる等
の機能をもたせるようになっている。
【００５８】このように薄膜トランジスタＴＦＴ、ドイ
レン信号線ＤＬ、ドレイン電極ＳＤ１、ソース電極ＳＤ
２、および画素電極ＰＸが形成された透明基板ＳＵＢ１
の表面にはたとえばＳｉＮからなる保護膜ＰＳＶが形成
されている。この保護膜ＰＳＶは前記薄膜トランジスタ
ＴＦＴの液晶との直接の接触を回避する膜で、該薄膜ト
ランジスタＴＦＴの特性劣化を防止せんとするようにな
っている。
レン信号線ＤＬ、ドレイン電極ＳＤ１、ソース電極ＳＤ
２、および画素電極ＰＸが形成された透明基板ＳＵＢ１
の表面にはたとえばＳｉＮからなる保護膜ＰＳＶが形成
されている。この保護膜ＰＳＶは前記薄膜トランジスタ
ＴＦＴの液晶との直接の接触を回避する膜で、該薄膜ト
ランジスタＴＦＴの特性劣化を防止せんとするようにな
っている。
【００５９】なお、前記保護膜ＰＳＶとしては、たとえ
ば樹脂からなる有機材料層、あるいは無機材料層と有機
材料層との積層体で構成してもよい。このようにした場
合、その表面を平坦化できその上に形成する配向膜のラ
ビング性を良好にできる。
ば樹脂からなる有機材料層、あるいは無機材料層と有機
材料層との積層体で構成してもよい。このようにした場
合、その表面を平坦化できその上に形成する配向膜のラ
ビング性を良好にできる。
【００６０】そして、この保護膜ＰＳＶの上面には配向
膜（図示せず）が形成されている。この配向膜は液晶と
直接に当接する膜で、その表面に形成されたラビングに
よって該液晶の分子の初期配向方向を決定づけるように
なっている。
膜（図示せず）が形成されている。この配向膜は液晶と
直接に当接する膜で、その表面に形成されたラビングに
よって該液晶の分子の初期配向方向を決定づけるように
なっている。
【００６１】このように構成された液晶表示装置は、各
画素領域に領域Ａと領域Ｂとを備え、領域Ａにおいて
は、画素電極ＰＸの絶縁膜ＧＩを介した直下にその周辺
をも含めて対向電極ＣＴとの間に電界を発生せしめるよ
うになる。この場合、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの
間の距離は前記絶縁膜ＧＩのほぼ厚さ分となり、比較的
強度の大きな電界を形成することができることから高速
応答性を向上させることができるようになる。
画素領域に領域Ａと領域Ｂとを備え、領域Ａにおいて
は、画素電極ＰＸの絶縁膜ＧＩを介した直下にその周辺
をも含めて対向電極ＣＴとの間に電界を発生せしめるよ
うになる。この場合、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの
間の距離は前記絶縁膜ＧＩのほぼ厚さ分となり、比較的
強度の大きな電界を形成することができることから高速
応答性を向上させることができるようになる。
【００６２】なお、液晶を駆動させる電界は前記画素電
極ＰＸと対向電極ＣＴの間に発生する電界のうち透明基
板ＳＵＢ１とほぼ平行な成分である。このことから、こ
の領域Ａにおける各画素電極ＰＸは隣接する画素電極Ｐ
Ｘとの間の距離を比較的狭くし、画素電極ＰＸと対向電
極ＣＴとの間に透明基板ＳＵＢ１とほぼ平行な成分の電
界を多くするように構成している。したがって、領域Ａ
における画素電極ＰＸは領域Ｂにおける画素電極ＰＸの
本数よりも多くの本数で形成されている。
極ＰＸと対向電極ＣＴの間に発生する電界のうち透明基
板ＳＵＢ１とほぼ平行な成分である。このことから、こ
の領域Ａにおける各画素電極ＰＸは隣接する画素電極Ｐ
Ｘとの間の距離を比較的狭くし、画素電極ＰＸと対向電
極ＣＴとの間に透明基板ＳＵＢ１とほぼ平行な成分の電
界を多くするように構成している。したがって、領域Ａ
における画素電極ＰＸは領域Ｂにおける画素電極ＰＸの
本数よりも多くの本数で形成されている。
【００６３】一方、領域Ｂにおいては、画素電極ＰＸと
対向電極ＣＴは前記絶縁膜ＧＩを介してそれらが交互に
配置されそれらの離間距離が比較的大きいことから、画
素電極ＰＸと対向電極ＣＴの間に発生する電界は透明基
板ＳＵＢ１にほぼ平行な成分が多くなる。このことは、
液晶の前記成分による挙動の性質から広視野角特性に優
れたものとなる。
対向電極ＣＴは前記絶縁膜ＧＩを介してそれらが交互に
配置されそれらの離間距離が比較的大きいことから、画
素電極ＰＸと対向電極ＣＴの間に発生する電界は透明基
板ＳＵＢ１にほぼ平行な成分が多くなる。このことは、
液晶の前記成分による挙動の性質から広視野角特性に優
れたものとなる。
【００６４】このように、領域ＡとＢで電極の本数を制
御することにより、広視野角、高速応答、高開口率の両
立を図ることができる。
御することにより、広視野角、高速応答、高開口率の両
立を図ることができる。
【００６５】したがって、このように構成された液晶表
示装置は、広視野角特性および高速応答性を共に備えた
ものとして画像表示がされるようになる。
示装置は、広視野角特性および高速応答性を共に備えた
ものとして画像表示がされるようになる。
【００６６】実施例２．図３は、本発明による液晶表示
装置の他の実施例を示す構成図で、図１に対応した図と
なっている。
装置の他の実施例を示す構成図で、図１に対応した図と
なっている。
【００６７】図１の場合と比較して異なる構成は、画素
領域の領域Ａにおいて画素電極ＰＸは保護膜ＰＳＶの上
面に形成していることにある。
領域の領域Ａにおいて画素電極ＰＸは保護膜ＰＳＶの上
面に形成していることにある。
【００６８】この場合、該画素電極ＰＸは画素領域の中
央をｘ方向に走行する対向電圧信号線ＣＬ上で互いに共
通に接続され、その接続部の一部は保護膜ＰＳＶ、絶縁
膜ＧＩに貫通して形成されたスルーホールＴＨを通して
該対向電圧信号線ＣＬに電気的に接続されている。
央をｘ方向に走行する対向電圧信号線ＣＬ上で互いに共
通に接続され、その接続部の一部は保護膜ＰＳＶ、絶縁
膜ＧＩに貫通して形成されたスルーホールＴＨを通して
該対向電圧信号線ＣＬに電気的に接続されている。
【００６９】また、前記画素電極ＰＸは金属等の非透光
性の材料で形成しても、またＩＴＯ等の透光性の材料で
形成してもよいことはもちろんである。
性の材料で形成しても、またＩＴＯ等の透光性の材料で
形成してもよいことはもちろんである。
【００７０】このように構成した場合にも、広視野角特
性および高速応答性を得られることができる。
性および高速応答性を得られることができる。
【００７１】実施例３．図４は、本発明による液晶表示
装置の他の実施例を示す構成図で、図１に対応した図と
なっている。
装置の他の実施例を示す構成図で、図１に対応した図と
なっている。
【００７２】図１の場合と比較して異なる構成は、画素
領域の領域Ａおよび領域Ｂにおいて各画素電極ＰＸは保
護膜ＰＳＶの上面に形成していることにある。
領域の領域Ａおよび領域Ｂにおいて各画素電極ＰＸは保
護膜ＰＳＶの上面に形成していることにある。
【００７３】これにより、領域間で本数が大幅に異な
り、エッチングの残渣の生じ易い画素電極ＰＸを最上層
とできるため、ドレイン信号線ＤＬや対向電極ＣＴ等の
他の導電層との短絡不良を低減することができる。
り、エッチングの残渣の生じ易い画素電極ＰＸを最上層
とできるため、ドレイン信号線ＤＬや対向電極ＣＴ等の
他の導電層との短絡不良を低減することができる。
【００７４】この場合、薄膜トランジスタＴＦＴに近接
して配置される画素電極ＰＸの一端は保護膜ＰＳＶ、絶
縁膜ＧＩに貫通して形成されたスルーホールＴＨを通し
て該薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極に電気的に接
続されている。
して配置される画素電極ＰＸの一端は保護膜ＰＳＶ、絶
縁膜ＧＩに貫通して形成されたスルーホールＴＨを通し
て該薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極に電気的に接
続されている。
【００７５】また、前記画素電極ＰＸは金属等の非透光
性の材料で形成しても、またＩＴＯ等の透光性の材料で
形成してもよいことはもちろんである。
性の材料で形成しても、またＩＴＯ等の透光性の材料で
形成してもよいことはもちろんである。
【００７６】このように構成した場合にも、広視野角特
性および高速応答性を得られることができる。
性および高速応答性を得られることができる。
【００７７】実施例４．図５は、本発明による液晶表示
装置の他の実施例を示す構成図で、図１に対応した図と
なっている。
装置の他の実施例を示す構成図で、図１に対応した図と
なっている。
【００７８】図１の場合と比較して異なる構成は、ま
ず、画素電極ＰＸが絶縁膜ＧＩの上面に形成され、対向
電極ＣＴが保護膜ＰＳＶの上面に形成されていることに
ある。
ず、画素電極ＰＸが絶縁膜ＧＩの上面に形成され、対向
電極ＣＴが保護膜ＰＳＶの上面に形成されていることに
ある。
【００７９】すなわち、画素電極ＰＸは、領域Ｂにおい
て、薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ２と一体
に形成され、領域Ａとの境界部にて互いに電気的な接続
がされている。領域Ａにおける画素電極ＰＸはその領域
の僅かな周辺を除く中央部にて矩形状に形成され、その
材料はたとえばＩＴＯ等の透光性の導電層から構成され
ている。
て、薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ２と一体
に形成され、領域Ａとの境界部にて互いに電気的な接続
がされている。領域Ａにおける画素電極ＰＸはその領域
の僅かな周辺を除く中央部にて矩形状に形成され、その
材料はたとえばＩＴＯ等の透光性の導電層から構成され
ている。
【００８０】保護膜ＰＳＶは、たとえばＳｉＮ等の無機
材料からなる保護膜ＰＳＶ１と樹脂等の有機材料からな
る保護膜ＰＳＶ２の順次積層体から構成されている。
材料からなる保護膜ＰＳＶ１と樹脂等の有機材料からな
る保護膜ＰＳＶ２の順次積層体から構成されている。
【００８１】対向電極ＣＴは、領域Ｂにおいて各画素電
極ＰＸを間に配置させるように形成され、領域Ａにおい
て前記画素電極ＰＸと重畳するようにしてｙ方向に延在
しｘ方向に並設される多数の電極群から構成されてい
る。
極ＰＸを間に配置させるように形成され、領域Ａにおい
て前記画素電極ＰＸと重畳するようにしてｙ方向に延在
しｘ方向に並設される多数の電極群から構成されてい
る。
【００８２】また、これら各対向電極ＣＴは、ゲート信
号線ＧＬを被う部分、ドレイン信号線ＤＬを被う部分、
および領域Ａと領域Ｂとを画する部分に形成された同一
の材料層に一体的に形成されている。
号線ＧＬを被う部分、ドレイン信号線ＤＬを被う部分、
および領域Ａと領域Ｂとを画する部分に形成された同一
の材料層に一体的に形成されている。
【００８３】ここで、ドレイン信号線ＤＬを被う前記材
料層は上述した対向電極ＣＴと同様に対向電極ＣＴの機
能を有するとともに、ドレイン信号線ＤＬからの電界に
よる電気力線を終端させるようにして隣接する画素電極
ＰＸへの該電気力線の終端を回避している。該画素電極
ＰＸへの該電気力線の終端はそれがノイズとして表示に
影響を及ぼすからである。
料層は上述した対向電極ＣＴと同様に対向電極ＣＴの機
能を有するとともに、ドレイン信号線ＤＬからの電界に
よる電気力線を終端させるようにして隣接する画素電極
ＰＸへの該電気力線の終端を回避している。該画素電極
ＰＸへの該電気力線の終端はそれがノイズとして表示に
影響を及ぼすからである。
【００８４】このため、ドレイン信号線ＤＬを被う前記
材料層はその中心軸が該ドレイン信号線のそれとほぼ一
致づけられ、その幅は該ドレイン信号線のそれよりも大
きくなるように形成されている。
材料層はその中心軸が該ドレイン信号線のそれとほぼ一
致づけられ、その幅は該ドレイン信号線のそれよりも大
きくなるように形成されている。
【００８５】また、前記対向電極ＣＴは金属等の非透光
性の材料で形成しても、またＩＴＯ等の透光性の材料で
形成してもよいことはもちろんである。
性の材料で形成しても、またＩＴＯ等の透光性の材料で
形成してもよいことはもちろんである。
【００８６】このように構成した場合にも、広視野角特
性および高速応答性を得られることができる。
性および高速応答性を得られることができる。
【００８７】本実施例では対向電極ＣＴを最上層とした
ことにより、領域Ａ、Ｂで該対向電極ＣＴを一体かつマ
トリクス状に形成できるため、給電抵抗を低減すること
ができる。さらに、ドレイン信号線ＤＬ上の対向電極Ｃ
Ｔを各領域毎に開口率への影響なく最適化することがで
き、開口率が向上する。
ことにより、領域Ａ、Ｂで該対向電極ＣＴを一体かつマ
トリクス状に形成できるため、給電抵抗を低減すること
ができる。さらに、ドレイン信号線ＤＬ上の対向電極Ｃ
Ｔを各領域毎に開口率への影響なく最適化することがで
き、開口率が向上する。
【００８８】実施例５．図６は、本発明による液晶表示
装置の他の実施例を示す構成図で、図１に対応した図と
なっている。
装置の他の実施例を示す構成図で、図１に対応した図と
なっている。
【００８９】図１の場合と比較して異なる構成は、画素
領域の領域Ａにおける対向電極ＣＴを光反射率の良好な
金属層に代え、この領域Ａを画素領域の光反射部として
形成している。すなわち、前記対向電極ＣＴに反射電極
を兼ねるようにして形成している。
領域の領域Ａにおける対向電極ＣＴを光反射率の良好な
金属層に代え、この領域Ａを画素領域の光反射部として
形成している。すなわち、前記対向電極ＣＴに反射電極
を兼ねるようにして形成している。
【００９０】ちなみに領域Ｂは図１の場合と同様の構成
を用い光透過部としている。
を用い光透過部としている。
【００９１】なお、領域Ａの対向電極ＣＴは対向電圧信
号線ＣＬと一体に形成するようにしてもよく、この実施
例ではそのように構成している。
号線ＣＬと一体に形成するようにしてもよく、この実施
例ではそのように構成している。
【００９２】また、この実施例では、画素領域の領域Ａ
および領域Ｂにおける各画素電極ＰＸは該画素領域の上
部に形成された対向電圧信号線ＣＬに重畳させて形成す
る容量素子Ｃｓｔｇの他方の電極から、領域Ａに及んで
形成する電極と領域Ｂにまで及んで形成する電極とで構
成するようにしている。
および領域Ｂにおける各画素電極ＰＸは該画素領域の上
部に形成された対向電圧信号線ＣＬに重畳させて形成す
る容量素子Ｃｓｔｇの他方の電極から、領域Ａに及んで
形成する電極と領域Ｂにまで及んで形成する電極とで構
成するようにしている。
【００９３】また、前記画素電極ＰＸは金属等の非透光
性の材料で形成しても、またＩＴＯ等の透光性の材料で
形成してもよいことはもちろんである。
性の材料で形成しても、またＩＴＯ等の透光性の材料で
形成してもよいことはもちろんである。
【００９４】このように構成した場合にも、広視野角特
性および高速応答性を得られることができる。
性および高速応答性を得られることができる。
【００９５】本実施例では、領域Ａを反射領域とするこ
とで、領域Ｂを反射領域とした場合より透過率と反射率
の双方を向上でき、一見相反する高反射率、高開口率を
同時に実現できる。
とで、領域Ｂを反射領域とした場合より透過率と反射率
の双方を向上でき、一見相反する高反射率、高開口率を
同時に実現できる。
【００９６】実施例６．図７は、本発明による液晶表示
装置の他の実施例を示す構成図で、図６に対応した図と
なっている。
装置の他の実施例を示す構成図で、図６に対応した図と
なっている。
【００９７】図６の場合と比較して異なる構成は、画素
領域の領域Ａにおける画素電極ＰＸと領域Ｂにおける画
素電極ＰＸは、それぞれ該各領域の境界部に形成された
対向電圧信号線ＣＬに重畳させて形成する容量素子Ｃｓ
ｔｇの他方の電極から、それぞれ領域Ａに及んで形成す
る電極と領域Ｂに及んで形成する電極とで構成するよう
にしている。
領域の領域Ａにおける画素電極ＰＸと領域Ｂにおける画
素電極ＰＸは、それぞれ該各領域の境界部に形成された
対向電圧信号線ＣＬに重畳させて形成する容量素子Ｃｓ
ｔｇの他方の電極から、それぞれ領域Ａに及んで形成す
る電極と領域Ｂに及んで形成する電極とで構成するよう
にしている。
【００９８】このように構成した場合、容量素子Ｃｓｔ
ｇの他方の電極は画素領域のほぼ中央をｘ方向に延在す
るように形成され、これが遮光膜としての機能を有する
ようになる。このため、領域Ａおよび領域Ｂのそれぞれ
の表示において光の混在をなくすことができるようにな
る。
ｇの他方の電極は画素領域のほぼ中央をｘ方向に延在す
るように形成され、これが遮光膜としての機能を有する
ようになる。このため、領域Ａおよび領域Ｂのそれぞれ
の表示において光の混在をなくすことができるようにな
る。
【００９９】また、前記画素電極ＰＸは金属等の非透光
性の材料で形成しても、またＩＴＯ等の透光性の材料で
形成してもよいことはもちろんである。
性の材料で形成しても、またＩＴＯ等の透光性の材料で
形成してもよいことはもちろんである。
【０１００】このように構成した場合にも、広視野角特
性および高速応答性を得られることができる。
性および高速応答性を得られることができる。
【０１０１】実施例７．図８は、本発明による液晶表示
装置の他の実施例を示す構成図で、図７に対応した図と
なっている。
装置の他の実施例を示す構成図で、図７に対応した図と
なっている。
【０１０２】図７の場合と比較して異なる構成は、光反
射部を構成する領域Ａと光透過部を構成する領域Ｂとを
逆にして構成したものである。
射部を構成する領域Ａと光透過部を構成する領域Ｂとを
逆にして構成したものである。
【０１０３】このような構成は、実施例５においても同
様に適用できることはもちろんである。
様に適用できることはもちろんである。
【０１０４】画素電極ＰＸの多い領域Ａでは、画素電極
ＰＸ間のエッチング残渣の発生率は領域Ｂより相対的に
高いものとなる。そして、薄膜トランジスタＴＦＴの近
傍は構造が複雑なため、より発生しやすい。しかし、本
実施例では、反射領域が薄膜トランジスタＴＦＴ側にあ
るため、残渣発生部は反射部となるため、反射率の低下
を招くことはなく、反射率を安定して確保することがで
きる。
ＰＸ間のエッチング残渣の発生率は領域Ｂより相対的に
高いものとなる。そして、薄膜トランジスタＴＦＴの近
傍は構造が複雑なため、より発生しやすい。しかし、本
実施例では、反射領域が薄膜トランジスタＴＦＴ側にあ
るため、残渣発生部は反射部となるため、反射率の低下
を招くことはなく、反射率を安定して確保することがで
きる。
【０１０５】実施例８．図９は、本発明による液晶表示
装置の他の実施例を示す構成図で、図６に対応した図と
なっている。
装置の他の実施例を示す構成図で、図６に対応した図と
なっている。
【０１０６】図６の場合と比較して、画素領域の領域Ａ
は同様の構成となっている。しかし、領域Ｂにおいて
は、保護膜ＰＳＶ１の上面に保護膜ＰＳＶ２が形成さ
れ、この保護膜ＰＳＶ２の上面に対向電極ＣＴが形成さ
れている。
は同様の構成となっている。しかし、領域Ｂにおいて
は、保護膜ＰＳＶ１の上面に保護膜ＰＳＶ２が形成さ
れ、この保護膜ＰＳＶ２の上面に対向電極ＣＴが形成さ
れている。
【０１０７】光反射部である領域Ａにおいて光は液晶層
を２回通過するのに対し、光透過部である領域Ｂにおい
て１回通過することによる光透過率の差異による不都合
を回避するため、該領域Ｂにおいては１次の複屈折モー
ドにし領域Ａにおいては２次の複屈折モードにするよう
に構成されている。
を２回通過するのに対し、光透過部である領域Ｂにおい
て１回通過することによる光透過率の差異による不都合
を回避するため、該領域Ｂにおいては１次の複屈折モー
ドにし領域Ａにおいては２次の複屈折モードにするよう
に構成されている。
【０１０８】すなわち、複屈折モードで表示する場合、
一般に、一軸性複屈折性媒体を直交配置した２枚の偏光
板の間に挿入した際の光透過率Ｔ／Ｔ０は次式（１）で
表される。
一般に、一軸性複屈折性媒体を直交配置した２枚の偏光
板の間に挿入した際の光透過率Ｔ／Ｔ０は次式（１）で
表される。
【０１０９】
【数１】 Ｔ／Ｔ０＝ｓｉｎ２（２χｅｆｆ）・ｓｉｎ２（πｄｅｆｆ・Δｎ／
λ）
……（１）
ここで、χｅｆｆは液晶組成物の実効的な光軸方向（光
軸と変更透過軸とのなす角）、ｄｅｆｆは複屈折性を有
する実効的な液晶組成物層の厚み、Δｎは屈折率異方
性、λは光の波長を示している。
軸と変更透過軸とのなす角）、ｄｅｆｆは複屈折性を有
する実効的な液晶組成物層の厚み、Δｎは屈折率異方
性、λは光の波長を示している。
【０１１０】ここで、液晶組成物層の光軸方向を実効的
な値とした理由は、実際のセル内で界面上で液晶分子は
固定されており、電界印加時にはセル内で全ての液晶分
子が互いに平行かつ一様に配向しているのではなく、特
に界面近傍では大きな変形が起こっていることから、そ
れらの平均値として一様状態を想定した際の見かけの値
で取り扱うことにしたからである。
な値とした理由は、実際のセル内で界面上で液晶分子は
固定されており、電界印加時にはセル内で全ての液晶分
子が互いに平行かつ一様に配向しているのではなく、特
に界面近傍では大きな変形が起こっていることから、そ
れらの平均値として一様状態を想定した際の見かけの値
で取り扱うことにしたからである。
【０１１１】たとえば低電圧印加時に暗状態に高電圧印
加時に明状態となるノーマリクローズ特性を得るため、
偏光板の配置として一方の偏光板の透過軸（あるいは吸
収軸）を液晶分子配向方向（ラビング方向）にほぼ平行
に、他方の偏光板の透過軸を該液晶分子配向方向にほぼ
垂直にすればよいことになる。
加時に明状態となるノーマリクローズ特性を得るため、
偏光板の配置として一方の偏光板の透過軸（あるいは吸
収軸）を液晶分子配向方向（ラビング方向）にほぼ平行
に、他方の偏光板の透過軸を該液晶分子配向方向にほぼ
垂直にすればよいことになる。
【０１１２】電界無印加時には上式（１）のχｅｆｆが
０であるのでＴ／Ｔ０は０となる。一方、電界印加時に
はその強度に応じてχｅｆｆの値が増大し、４５°の際
に最大となる。
０であるのでＴ／Ｔ０は０となる。一方、電界印加時に
はその強度に応じてχｅｆｆの値が増大し、４５°の際
に最大となる。
【０１１３】この場合、光の波長をたとえば０．５５５
μｍとすると無彩色でかつ透過率を最大とするには実効
的なｄｅｆｆ・Δｎを２分の１波長である０．２８μｍ
とすればよい。
μｍとすると無彩色でかつ透過率を最大とするには実効
的なｄｅｆｆ・Δｎを２分の１波長である０．２８μｍ
とすればよい。
【０１１４】このことは、１次の複屈折モードを用いる
領域Ｂの液晶層に対して２次の複屈折モードを用いる領
域Ａの液晶層の厚さは約３倍、すなわち２．５倍から
３．５倍程度とすることによって、それら各領域の表示
を最適なものとすることができる。
領域Ｂの液晶層に対して２次の複屈折モードを用いる領
域Ａの液晶層の厚さは約３倍、すなわち２．５倍から
３．５倍程度とすることによって、それら各領域の表示
を最適なものとすることができる。
【０１１５】なお、図９において、対向電極ＣＴはドレ
イン信号線ＤＬを被うようにして形成されるものを含
み、上述したように該ドレイン信号線ＤＬからの電界に
よる電気力線を終端させる機能をももたせている。この
対向電極ＣＴは保護膜ＰＳＶ２、保護膜ＰＳＶ１、およ
び絶縁膜ＧＩを貫通するスルーホールを通して、領域Ａ
に形成され領域Ｂ側に若干延在されて形成されている対
向電極ＣＴに電気的な接続がなされている。
イン信号線ＤＬを被うようにして形成されるものを含
み、上述したように該ドレイン信号線ＤＬからの電界に
よる電気力線を終端させる機能をももたせている。この
対向電極ＣＴは保護膜ＰＳＶ２、保護膜ＰＳＶ１、およ
び絶縁膜ＧＩを貫通するスルーホールを通して、領域Ａ
に形成され領域Ｂ側に若干延在されて形成されている対
向電極ＣＴに電気的な接続がなされている。
【０１１６】実施例９．図１０は、本発明による液晶表
示装置の他の実施例を示す構成図で、図９に対応した図
となっている。
示装置の他の実施例を示す構成図で、図９に対応した図
となっている。
【０１１７】図９の場合と比較して異なる構成は、ま
ず、画素領域の領域Ｂに形成した保護膜ＰＳＶ２を領域
Ａにも形成し、この領域Ａの該保護膜ＰＳＶ２にその僅
かな周辺を除く中央部に開口を設けた構成としている。
ず、画素領域の領域Ｂに形成した保護膜ＰＳＶ２を領域
Ａにも形成し、この領域Ａの該保護膜ＰＳＶ２にその僅
かな周辺を除く中央部に開口を設けた構成としている。
【０１１８】そして、該保護膜ＰＳＶ２の表面に形成す
る対向電極は領域Ａ側のドレイン信号線ＤＬおよびゲー
ト信号線ＧＬをも被って形成している。
る対向電極は領域Ａ側のドレイン信号線ＤＬおよびゲー
ト信号線ＧＬをも被って形成している。
【０１１９】このことから、ドレイン信号線ＤＬはその
全体にわたってシールド機能を有する対向電極ＣＴに被
われ、開口率の向上、縦スメアの低減等の効果を奏する
ようになる。
全体にわたってシールド機能を有する対向電極ＣＴに被
われ、開口率の向上、縦スメアの低減等の効果を奏する
ようになる。
【０１２０】実施例１０．図１１は、本発明による液晶
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１０（ａ）に
対応した図となっている。
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１０（ａ）に
対応した図となっている。
【０１２１】図１０（ａ）の場合と比較して異なる構成
は、保護膜ＰＳＶ２の上面に形成される対向電極ＣＴを
金属のような非透光性の材料層で構成したことにある。
は、保護膜ＰＳＶ２の上面に形成される対向電極ＣＴを
金属のような非透光性の材料層で構成したことにある。
【０１２２】これにより、この対向電極ＣＴは低抵抗の
材料を選択し、直接に対向電圧信号を供給することがで
きるため、スルーホールが存在しない構成とすることが
できる。
材料を選択し、直接に対向電圧信号を供給することがで
きるため、スルーホールが存在しない構成とすることが
できる。
【０１２３】また、対向電極ＣＴ自体をブラックマトリ
クスとしての機能を兼ねることができるようになる。
クスとしての機能を兼ねることができるようになる。
【０１２４】実施例１１．図１２は、本発明による液晶
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１１に対応し
た図となっている。
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１１に対応し
た図となっている。
【０１２５】図１１の場合と比較して異なる構成は、保
護膜ＰＳＶ２の上面に形成される対向電極ＣＴと、領域
Ａにおいて絶縁膜ＧＩの下層に形成される対向電極ＣＴ
とを保護膜ＰＳＶ２、保護膜ＰＳＶ１、および絶縁膜Ｇ
Ｉを貫通するスルーホールＴＨを通して接続されてい
る。
護膜ＰＳＶ２の上面に形成される対向電極ＣＴと、領域
Ａにおいて絶縁膜ＧＩの下層に形成される対向電極ＣＴ
とを保護膜ＰＳＶ２、保護膜ＰＳＶ１、および絶縁膜Ｇ
Ｉを貫通するスルーホールＴＨを通して接続されてい
る。
【０１２６】図１１に示したように、保護膜ＰＳＶ２の
上面に形成される対向電極ＣＴに直接に対向電圧信号を
供給することによって、図１１に示した対向電圧信号線
ＣＬを形成しなくてもよい効果を奏する。
上面に形成される対向電極ＣＴに直接に対向電圧信号を
供給することによって、図１１に示した対向電圧信号線
ＣＬを形成しなくてもよい効果を奏する。
【０１２７】実施例１２．図１３は、本発明による液晶
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図７に対応した
図となっている。
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図７に対応した
図となっている。
【０１２８】図７の場合と比較して異なる構成は、光反
射部である領域Ａにおいてその保護膜ＰＳＶ１の上面に
保護膜ＰＳＶ２が形成されていることにある。
射部である領域Ａにおいてその保護膜ＰＳＶ１の上面に
保護膜ＰＳＶ２が形成されていることにある。
【０１２９】光反射部の液晶層の厚さを光透過部のそれ
よりも小さく構成するためである。
よりも小さく構成するためである。
【０１３０】光反射部において光を液晶層を２回通過す
ることから、その分だけ液晶層の層厚を小さくするよう
にしたものである。
ることから、その分だけ液晶層の層厚を小さくするよう
にしたものである。
【０１３１】これにより、領域Ａ、Ｂの双方を一次の複
屈折モードを用いて表示を行なうことができる。これに
は保護膜ＰＳＶ２の厚みが液晶層の厚みの１／２〜３／
２であることが望ましい。領域Ａ、Ｂそれぞれの透過
率、反射率を最大化するためである。
屈折モードを用いて表示を行なうことができる。これに
は保護膜ＰＳＶ２の厚みが液晶層の厚みの１／２〜３／
２であることが望ましい。領域Ａ、Ｂそれぞれの透過
率、反射率を最大化するためである。
【０１３２】実施例１３．図１４は、本発明による液晶
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１３に対応し
た図となっている。
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１３に対応し
た図となっている。
【０１３３】図１３の場合と比較して異なる構成は、光
反射部である領域Ａに形成された保護膜ＰＳＶ２の上面
に画素電極ＰＸを形成した構成としていることにある。
この画素電極ＰＸは透光性の材料層で構成してもよい。
反射部である領域Ａに形成された保護膜ＰＳＶ２の上面
に画素電極ＰＸを形成した構成としていることにある。
この画素電極ＰＸは透光性の材料層で構成してもよい。
【０１３４】この場合、各画素電極ＰＸは光透過部であ
る領域Ｂとの境界部で互いに電気的接続がなされている
とともに、保護膜ＰＳＶ１に形成されたスルーホールを
通して領域Ｂの画素電極ＰＸと電気的な接続がなされて
いる。
る領域Ｂとの境界部で互いに電気的接続がなされている
とともに、保護膜ＰＳＶ１に形成されたスルーホールを
通して領域Ｂの画素電極ＰＸと電気的な接続がなされて
いる。
【０１３５】実施例１４．図１５は、本発明による液晶
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１４に対応し
た図となっている。
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１４に対応し
た図となっている。
【０１３６】図１４の場合と比較して異なる構成は、画
素領域の領域Ａにおいて、画素電極ＰＸはドレイン信号
線ＤＬと同層に形成され、対向電極ＣＴは保護膜ＰＳＶ
２の表面に形成されている。
素領域の領域Ａにおいて、画素電極ＰＸはドレイン信号
線ＤＬと同層に形成され、対向電極ＣＴは保護膜ＰＳＶ
２の表面に形成されている。
【０１３７】この場合の対向電極ＣＴは該領域における
ドレイン信号線ＤＬをも被って形成され、たとえば非透
光性の金属から構成されて反射電極を兼ねるようになっ
ている。
ドレイン信号線ＤＬをも被って形成され、たとえば非透
光性の金属から構成されて反射電極を兼ねるようになっ
ている。
【０１３８】この結果、領域Ａの対向電極ＣＴと領域Ｂ
の対向電極ＣＴはそれぞれ層を異ならしめ、それぞれの
対応する画素電極ＰＸとの関係で最適設定が可能とな
る。
の対向電極ＣＴはそれぞれ層を異ならしめ、それぞれの
対応する画素電極ＰＸとの関係で最適設定が可能とな
る。
【０１３９】また、この実施例では、領域Ｂにおける保
護膜ＰＳＶ２の開口部の側壁面に領域Ａに形成されてい
る保護膜ＰＳＶ２上の対向電極ＣＴが延在され、該側壁
面を被った構成となっている。
護膜ＰＳＶ２の開口部の側壁面に領域Ａに形成されてい
る保護膜ＰＳＶ２上の対向電極ＣＴが延在され、該側壁
面を被った構成となっている。
【０１４０】対向電極ＣＴはたとえば金属等の非透光性
の材料で形成されていることから遮光膜として機能し、
該保護膜ＰＳＶ２の側壁面におけるリバースチルトドメ
インの発生を抑制することができる。
の材料で形成されていることから遮光膜として機能し、
該保護膜ＰＳＶ２の側壁面におけるリバースチルトドメ
インの発生を抑制することができる。
【０１４１】実施例１５．図１６は、本発明による液晶
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図６に対応した
図となっている。
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図６に対応した
図となっている。
【０１４２】図６の場合と比較して、画素領域の領域Ａ
においては図６の場合と同様であるが、領域Ｂにおいて
は、その部分における対向電極ＣＴは該領域の僅かな周
辺を除いた中央部にたとえばＩＴＯ等の透光性の材料で
形成され、画素電極ＰＸは領域Ａの各画素電極ＰＸをそ
れぞれそのまま延在させて構成されていることにある。
においては図６の場合と同様であるが、領域Ｂにおいて
は、その部分における対向電極ＣＴは該領域の僅かな周
辺を除いた中央部にたとえばＩＴＯ等の透光性の材料で
形成され、画素電極ＰＸは領域Ａの各画素電極ＰＸをそ
れぞれそのまま延在させて構成されていることにある。
【０１４３】実施例１６．図１７は、本発明による液晶
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１６に対応し
た図となっている。
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１６に対応し
た図となっている。
【０１４４】図１６の場合と比較して異なる構成は、保
護膜ＰＳＶ１の上面に有機材料からなる保護膜ＰＳＶ２
が形成され、かつ、画素領域の領域Ｂにおいてその僅か
な周辺を除く中央部に開口が形成された構成となってい
る。
護膜ＰＳＶ１の上面に有機材料からなる保護膜ＰＳＶ２
が形成され、かつ、画素領域の領域Ｂにおいてその僅か
な周辺を除く中央部に開口が形成された構成となってい
る。
【０１４５】実施例１７．図１８は、本発明による液晶
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１７に対応し
た図となっている。
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１７に対応し
た図となっている。
【０１４６】図１７の場合と比較して異なる構成は、画
素領域の領域Ｂにおける画素電極ＰＸの本数が一部取り
除かれた構成となっている。
素領域の領域Ｂにおける画素電極ＰＸの本数が一部取り
除かれた構成となっている。
【０１４７】実施例１８．図１９は、本発明による液晶
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１８に対応し
た図となっている。
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１８に対応し
た図となっている。
【０１４８】図１８の場合と比較して、画素領域の領域
Ｂにおける画素電極ＰＸの数は領域Ａにおけるそれより
も少なく構成されているが、該画素電極ＰＸのそれぞれ
の間隔を等しく設定するようになっている。
Ｂにおける画素電極ＰＸの数は領域Ａにおけるそれより
も少なく構成されているが、該画素電極ＰＸのそれぞれ
の間隔を等しく設定するようになっている。
【０１４９】実施例１９．図２０は、本発明による液晶
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１９に対応し
た図となっている。
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１９に対応し
た図となっている。
【０１５０】図１９の場合と比較して異なる構成は、画
素領域の領域Ａにおいて、画素電極ＰＸをドレイン信号
線ＤＬと同層に形成するとともに、金属等の非透光性の
材料で構成している。
素領域の領域Ａにおいて、画素電極ＰＸをドレイン信号
線ＤＬと同層に形成するとともに、金属等の非透光性の
材料で構成している。
【０１５１】そして、保護膜ＰＳＶ１の上面に有機材料
からなる保護膜ＰＳＶ２をさらに形成し、その上面に対
向電極ＣＴを形成している。この場合の対向電極ＣＴは
その領域のドレイン信号線ＤＬを被うようにして形成
し、金属等の非透光性の材料で構成している。
からなる保護膜ＰＳＶ２をさらに形成し、その上面に対
向電極ＣＴを形成している。この場合の対向電極ＣＴは
その領域のドレイン信号線ＤＬを被うようにして形成
し、金属等の非透光性の材料で構成している。
【０１５２】
【発明の効果】以上説明したことから明らかになるよう
に、本発明による液晶表示装置によれば、広視野角特性
および高速応答性に優れたものを得ることができる。
に、本発明による液晶表示装置によれば、広視野角特性
および高速応答性に優れたものを得ることができる。
【図１】本発明による液晶表示装置の画素の一実施例を
示す構成図である。
示す構成図である。
【図２】本発明による液晶表示装置の一実施例を示す構
成図である。
成図である。
【図３】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例
を示す構成図である。
を示す構成図である。
【図４】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例
を示す構成図である。
を示す構成図である。
【図５】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例
を示す構成図である。
を示す構成図である。
【図６】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例
を示す構成図である。
を示す構成図である。
【図７】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例
を示す構成図である。
を示す構成図である。
【図８】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図９】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例
を示す構成図である。
を示す構成図である。
【図１０】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す構成図である。
例を示す構成図である。
【図１１】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す平面図である。
例を示す平面図である。
【図１２】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す平面図である。
例を示す平面図である。
【図１３】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す構成図である。
例を示す構成図である。
【図１４】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す構成図である。
例を示す構成図である。
【図１５】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す構成図である。
例を示す構成図である。
【図１６】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す構成図である。
例を示す構成図である。
【図１７】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す構成図である。
例を示す構成図である。
【図１８】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す構成図である。
例を示す構成図である。
【図１９】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す構成図である。
例を示す構成図である。
【図２０】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す構成図である。
例を示す構成図である。
ＳＵＢ１，２…透明基板、ＧＬ…ゲート信号線、ＤＬ…
ドレイン信号線、ＣＬ…対向電圧信号線、ＴＦＴ…薄膜
トランジスタ、ＰＸ…画素電極、ＣＴ…対向電極、Ｃｓ
ｔｇ…容量素子、ＧＩ…絶縁膜、ＰＳＶ１…保護膜（無
機材料）、ＰＳＶ２…保護膜（有機材料）。
ドレイン信号線、ＣＬ…対向電圧信号線、ＴＦＴ…薄膜
トランジスタ、ＰＸ…画素電極、ＣＴ…対向電極、Ｃｓ
ｔｇ…容量素子、ＧＩ…絶縁膜、ＰＳＶ１…保護膜（無
機材料）、ＰＳＶ２…保護膜（有機材料）。
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 2H090 HA02 HB02X HB07X HD05
KA04 LA01 MA02
2H092 GA14 GA21 GA26 HA04 JA24
JB69 NA05 NA25 QA06
Claims (8)
- 【請求項１】 液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信
号線とこれらゲート信号線と交差して並設された複数の
ドレイン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、 この画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって
作動するスイッチング素子と、このスイッチング素子を
介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素
電極と、この画素電極との間に電界を生じせしめる対向
電極とを備え、 前記画素領域は区分された各領域からなり、一方の領域
には絶縁膜の下層に該領域の僅かな周辺を除く中央に形
成された透光性の材料からなる対向電極と該絶縁膜の上
層に該対向電極に重畳されて一方向に延在し該方向に交
差する方向に並設される電極群からなる画素電極が形成
され、 他方の領域には絶縁層の下層に一方向に延在し該方向に
交差する方向に並設される電極群からなる対向電極と該
絶縁膜の上層に一方向に延在し該方向に交差する方向に
並設される電極群からなり、前記対向電極と交互に配置
される画素電極が形成されていることを特徴とする液晶
表示装置。 - 【請求項２】 液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信
号線とこれらゲート信号線と交差して並設された複数の
ドレイン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、 この画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって
作動するスイッチング素子と、このスイッチング素子を
介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素
電極と、この画素電極との間に電界を生じせしめる対向
電極とを備え、 前記画素領域は区分された各領域からなり、一方の領域
には絶縁膜の下層に該領域の僅かな周辺を除く中央に形
成された透光性の材料からなる画素電極と該絶縁膜の上
層に該画素電極に重畳されて一方向に延在し該方向に交
差する方向に並設される電極群からなる対向電極が形成
され、 他方の領域には絶縁層の下層に一方向に延在し該方向に
交差する方向に並設される電極群からなる画素電極と該
絶縁膜の上層に一方向に延在し該方向に交差する方向に
並設される電極群からなり、前記画素電極と交互に配置
される対向電極が形成され、 前記各領域の各対向電極はドレイン信号線を被って形成
されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記各領域に形成される前記絶縁膜のそ
れぞれは無機材料からなる保護膜と有機材料からなる保
護膜との順次積層体から構成され、かつ対向電極のそれ
ぞれは透光性の材料から構成されていることを特徴とす
る請求項２に記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信
号線とこれらゲート信号線と交差して並設された複数の
ドレイン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、 この画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって
作動するスイッチング素子と、このスイッチング素子を
介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素
電極と、この画素電極との間に電界を生じせしめる対向
電極とを備え、 前記画素領域は区分された各領域からなり、一方の領域
には絶縁膜の下層に該領域の僅かな周辺を除く中央に形
成された反射電極を兼ねる対向電極と該絶縁膜の上層に
該対向電極に重畳されて一方向に延在し該方向に交差す
る方向に並設される電極群からなる画素電極が形成さ
れ、 他方の領域には絶縁層の下層に一方向に延在し該方向に
交差する方向に並設される電極群からなる対向電極と該
絶縁膜の上層に一方向に延在し該方向に交差する方向に
並設される電極群からなり、前記対向電極と交互に配置
される画素電極が形成されていることを特徴とする液晶
表示装置。 - 【請求項５】 液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信
号線とこれらゲート信号線と交差して並設された複数の
ドレイン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、 この画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって
作動するスイッチング素子と、このスイッチング素子を
介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素
電極と、この画素電極との間に電界を生じせしめる対向
電極とを備え、 前記画素領域は区分された各領域からなり、一方の領域
には絶縁膜の下層に該領域の僅かな周辺を除く中央に形
成された反射電極を兼ねる対向電極と該絶縁膜の上層に
該対向電極に重畳されて一方向に延在し該方向に交差す
る方向に並設される電極群からなる画素電極が形成さ
れ、 他方の領域には絶縁層の下層に一方向に延在し該方向に
交差する方向に並設される電極群からなる対向電極と該
絶縁膜の上層に一方向に延在し該方向に交差する方向に
並設される電極群からなり、前記対向電極と交互に配置
される画素電極が形成され、 前記絶縁膜は前記他方の領域においてその層厚が前記一
方の領域よりも厚く形成されていることによって、前記
一方の領域の液晶層の層厚から前記他方の領域のそれよ
りも約３倍となっていることを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項６】 前記一方の領域における絶縁膜は無機材
料からなる保護膜で形成され前記他方の領域における絶
縁膜は無機材料からなる保護膜と有機材料からなる保護
膜との順次積層体から形成されているともに、前記対向
電極は少なくともドレイン信号線を被っているものも含
むことを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。 - 【請求項７】 液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信
号線とこれらゲート信号線と交差して並設された複数の
ドレイン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、 この画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって
作動するスイッチング素子と、このスイッチング素子を
介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素
電極と、この画素電極との間に電界を生じせしめる対向
電極とを備え、 前記画素領域は区分された各領域からなり、一方の領域
には絶縁膜の下層に該領域の僅かな周辺を除く中央に形
成された反射電極を兼ねる対向電極と該絶縁膜の上層に
該対向電極に重畳されて一方向に延在し該方向に交差す
る方向に並設される電極群からなる画素電極が形成さ
れ、 他方の領域には絶縁層の下層に一方向に延在し該方向に
交差する方向に並設される電極群からなる対向電極と該
絶縁膜の上層に一方向に延在し該方向に交差する方向に
並設される電極群からなり、前記対向電極と交互に配置
される画素電極が形成され、 前記絶縁膜は前記一方の領域においてその層厚が前記他
方の領域よりも厚く形成されていることを特徴とする液
晶表示装置。 - 【請求項８】 前記他方の領域における絶縁膜は無機材
料からなる保護膜で形成され前記一方の領域における絶
縁膜は無機材料からなる保護膜と有機材料からなる保護
膜との順次積層体から形成されていることを特徴とする
請求項７に記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002005577A JP4002105B2 (ja) | 2002-01-15 | 2002-01-15 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002005577A JP4002105B2 (ja) | 2002-01-15 | 2002-01-15 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003207795A true JP2003207795A (ja) | 2003-07-25 |
| JP4002105B2 JP4002105B2 (ja) | 2007-10-31 |
Family
ID=27644580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002005577A Expired - Fee Related JP4002105B2 (ja) | 2002-01-15 | 2002-01-15 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4002105B2 (ja) |
Cited By (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006126602A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2007133294A (ja) * | 2005-11-14 | 2007-05-31 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶装置及び電子機器 |
| JP2007139934A (ja) * | 2005-11-16 | 2007-06-07 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2007206292A (ja) * | 2006-02-01 | 2007-08-16 | Hitachi Displays Ltd | 半透過型液晶表示装置 |
| JP2007219546A (ja) * | 2007-05-14 | 2007-08-30 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
| JP2007279478A (ja) * | 2006-04-10 | 2007-10-25 | Fujifilm Corp | 液晶表示装置 |
| JP2007279268A (ja) * | 2006-04-05 | 2007-10-25 | Hitachi Displays Ltd | 半透過型液晶表示装置 |
| JP2007286086A (ja) * | 2006-04-12 | 2007-11-01 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2007293290A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-11-08 | Nec Corp | 液晶パネル、液晶表示装置及び端末装置 |
| JP2007310273A (ja) * | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置、及びその製造方法 |
| JP2007309965A (ja) * | 2006-05-16 | 2007-11-29 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
| KR100816145B1 (ko) | 2005-06-09 | 2008-03-21 | 엡슨 이미징 디바이스 가부시키가이샤 | 액정 장치 및 전자 기기 |
| JP2008070688A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶装置、及び電子機器 |
| JP2008107525A (ja) * | 2006-10-25 | 2008-05-08 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
| JP2008170482A (ja) * | 2007-01-06 | 2008-07-24 | Seiko Epson Corp | 液晶装置及び電子機器 |
| JP2008191669A (ja) * | 2007-02-05 | 2008-08-21 | Boe Hydis Technology Co Ltd | フリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置 |
| US7420635B2 (en) | 2005-02-03 | 2008-09-02 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal display and electronic apparatus having a quasi-isotropic liquid crystal material |
| JP2008225488A (ja) * | 2008-04-04 | 2008-09-25 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置および電子機器 |
| JP2008224762A (ja) * | 2007-03-08 | 2008-09-25 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶表示装置 |
| JP2009031378A (ja) * | 2007-07-25 | 2009-02-12 | Sony Corp | 液晶表示装置 |
| JP2009037090A (ja) * | 2007-08-03 | 2009-02-19 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2009133916A (ja) * | 2007-11-28 | 2009-06-18 | Sony Corp | 液晶表示装置 |
| US7593078B2 (en) | 2006-07-13 | 2009-09-22 | Hitachi Displays, Ltd. | Transflective liquid crystal display device having liquid crystal layer in the reflective portion thicker than in the transmissive portion |
| JP2010122713A (ja) * | 2010-03-10 | 2010-06-03 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2010204536A (ja) * | 2009-03-05 | 2010-09-16 | Nec Lcd Technologies Ltd | 液晶表示素子及びそれを用いた画像表示装置 |
| US7843540B2 (en) | 2005-02-28 | 2010-11-30 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal display device and electronic apparatus |
| WO2010137209A1 (ja) * | 2009-05-29 | 2010-12-02 | シャープ株式会社 | 液晶表示素子、液晶表示装置、及び、液晶表示素子の表示方法 |
| WO2011013262A1 (ja) * | 2009-07-30 | 2011-02-03 | シャープ株式会社 | 液晶表示素子、液晶表示装置、及び、液晶表示素子の表示方法 |
| US7924355B2 (en) | 2007-06-21 | 2011-04-12 | Hitachi Displays, Ltd. | Liquid crystal display device |
| US7995168B2 (en) * | 2005-05-25 | 2011-08-09 | Sony Corporation | Transflective liquid crystal display having a relationship between the electrode spacing and cell gap in the reflection and transmission regions |
| KR101107681B1 (ko) | 2004-12-29 | 2012-01-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계방식 액정표시소자 및 그 제조방법 |
| KR101108859B1 (ko) * | 2004-11-08 | 2012-01-31 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반투과형 횡전계 방식 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| JP2012022344A (ja) * | 2011-11-01 | 2012-02-02 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置、及びその製造方法 |
| JP2012113332A (ja) * | 2012-03-23 | 2012-06-14 | Sony Mobile Display Corp | 液晶表示装置 |
| KR101163397B1 (ko) | 2005-06-30 | 2012-07-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반사투과형 액정표시소자 및 그 제조방법 |
| KR101192755B1 (ko) | 2005-04-20 | 2012-10-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반투과형 액정표시소자 |
| JP2013178567A (ja) * | 2013-05-14 | 2013-09-09 | Nlt Technologies Ltd | 液晶表示素子及びそれを用いた画像表示装置 |
| JP2015036701A (ja) * | 2013-08-12 | 2015-02-23 | Ｎｌｔテクノロジー株式会社 | 横電界方式液晶表示装置 |
| JP2017219705A (ja) * | 2016-06-08 | 2017-12-14 | 三菱電機株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP2018136539A (ja) * | 2017-02-21 | 2018-08-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置 |
-
2002
- 2002-01-15 JP JP2002005577A patent/JP4002105B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (63)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100439984C (zh) * | 2004-10-29 | 2008-12-03 | 株式会社日立显示器 | 液晶显示装置 |
| US7768614B2 (en) | 2004-10-29 | 2010-08-03 | Hitachi Displays, Ltd. | Liquid crystal display device having particular electrodes in transmission region and in reflection region |
| JP4550551B2 (ja) * | 2004-10-29 | 2010-09-22 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
| KR100835037B1 (ko) * | 2004-10-29 | 2008-06-03 | 가부시키가이샤 히타치 디스프레이즈 | 액정표시장치 |
| US7538845B2 (en) | 2004-10-29 | 2009-05-26 | Hitachi Displays, Ltd. | Liquid crystal display device having particular electrodes in transmission region and in reflection region |
| KR100778165B1 (ko) * | 2004-10-29 | 2007-11-22 | 가부시키가이샤 히타치 디스프레이즈 | 액정표시장치 |
| JP2006126602A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
| KR101108859B1 (ko) * | 2004-11-08 | 2012-01-31 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반투과형 횡전계 방식 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR101107681B1 (ko) | 2004-12-29 | 2012-01-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계방식 액정표시소자 및 그 제조방법 |
| US7639327B2 (en) | 2005-02-03 | 2009-12-29 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal display and electronic apparatus having a quasi-isotropic liquid crystal material |
| US7420635B2 (en) | 2005-02-03 | 2008-09-02 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal display and electronic apparatus having a quasi-isotropic liquid crystal material |
| US7843540B2 (en) | 2005-02-28 | 2010-11-30 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal display device and electronic apparatus |
| KR101192755B1 (ko) | 2005-04-20 | 2012-10-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반투과형 액정표시소자 |
| US7995168B2 (en) * | 2005-05-25 | 2011-08-09 | Sony Corporation | Transflective liquid crystal display having a relationship between the electrode spacing and cell gap in the reflection and transmission regions |
| KR100816145B1 (ko) | 2005-06-09 | 2008-03-21 | 엡슨 이미징 디바이스 가부시키가이샤 | 액정 장치 및 전자 기기 |
| KR101163397B1 (ko) | 2005-06-30 | 2012-07-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반사투과형 액정표시소자 및 그 제조방법 |
| JP2007133294A (ja) * | 2005-11-14 | 2007-05-31 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶装置及び電子機器 |
| JP2007139934A (ja) * | 2005-11-16 | 2007-06-07 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
| US7982832B2 (en) | 2006-02-01 | 2011-07-19 | Hitachi Displays, Ltd. | Transflective liquid crystal display device |
| US8149345B2 (en) | 2006-02-01 | 2012-04-03 | Hitachi Displays, Ltd. | Transflective liquid crystal display device |
| JP2007206292A (ja) * | 2006-02-01 | 2007-08-16 | Hitachi Displays Ltd | 半透過型液晶表示装置 |
| US8040448B2 (en) | 2006-02-01 | 2011-10-18 | Hitachi Displays, Ltd. | Transflective liquid crystal display device |
| US8134663B2 (en) | 2006-03-27 | 2012-03-13 | Nlt Technologies, Ltd. | Liquid crystal panel, liquid crystal display device and terminal device |
| US8395731B2 (en) | 2006-03-27 | 2013-03-12 | Nlt Technologies, Ltd. | Liquid crystal panel, liquid crystal display device and terminal device |
| JP2007293290A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-11-08 | Nec Corp | 液晶パネル、液晶表示装置及び端末装置 |
| JP2007279268A (ja) * | 2006-04-05 | 2007-10-25 | Hitachi Displays Ltd | 半透過型液晶表示装置 |
| JP2007279478A (ja) * | 2006-04-10 | 2007-10-25 | Fujifilm Corp | 液晶表示装置 |
| JP2007286086A (ja) * | 2006-04-12 | 2007-11-01 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2007309965A (ja) * | 2006-05-16 | 2007-11-29 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2007310273A (ja) * | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置、及びその製造方法 |
| US7593078B2 (en) | 2006-07-13 | 2009-09-22 | Hitachi Displays, Ltd. | Transflective liquid crystal display device having liquid crystal layer in the reflective portion thicker than in the transmissive portion |
| JP2008070688A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶装置、及び電子機器 |
| JP2008107525A (ja) * | 2006-10-25 | 2008-05-08 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
| JP2008170482A (ja) * | 2007-01-06 | 2008-07-24 | Seiko Epson Corp | 液晶装置及び電子機器 |
| JP2008191669A (ja) * | 2007-02-05 | 2008-08-21 | Boe Hydis Technology Co Ltd | フリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置 |
| JP2008224762A (ja) * | 2007-03-08 | 2008-09-25 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶表示装置 |
| JP2007219546A (ja) * | 2007-05-14 | 2007-08-30 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
| JP4711439B2 (ja) * | 2007-05-14 | 2011-06-29 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 表示装置 |
| US7924355B2 (en) | 2007-06-21 | 2011-04-12 | Hitachi Displays, Ltd. | Liquid crystal display device |
| JP2009031378A (ja) * | 2007-07-25 | 2009-02-12 | Sony Corp | 液晶表示装置 |
| JP2009037090A (ja) * | 2007-08-03 | 2009-02-19 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
| US8164720B2 (en) | 2007-08-03 | 2012-04-24 | Hitachi Displays, Ltd. | Liquid crystal display apparatus |
| JP2009133916A (ja) * | 2007-11-28 | 2009-06-18 | Sony Corp | 液晶表示装置 |
| JP2008225488A (ja) * | 2008-04-04 | 2008-09-25 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置および電子機器 |
| JP2010204536A (ja) * | 2009-03-05 | 2010-09-16 | Nec Lcd Technologies Ltd | 液晶表示素子及びそれを用いた画像表示装置 |
| US8669973B2 (en) | 2009-05-29 | 2014-03-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display element, liquid crystal display device, and method for displaying with liquid crystal display element |
| WO2010137209A1 (ja) * | 2009-05-29 | 2010-12-02 | シャープ株式会社 | 液晶表示素子、液晶表示装置、及び、液晶表示素子の表示方法 |
| JP5220921B2 (ja) * | 2009-05-29 | 2013-06-26 | シャープ株式会社 | 液晶表示素子、液晶表示装置、及び、液晶表示素子の表示方法 |
| US9007284B2 (en) | 2009-07-30 | 2015-04-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display element, liquid crystal display device, and display method employed in liquid crystal display element |
| WO2011013262A1 (ja) * | 2009-07-30 | 2011-02-03 | シャープ株式会社 | 液晶表示素子、液晶表示装置、及び、液晶表示素子の表示方法 |
| JP4629152B2 (ja) * | 2010-03-10 | 2011-02-09 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
| JP2010122713A (ja) * | 2010-03-10 | 2010-06-03 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2012022344A (ja) * | 2011-11-01 | 2012-02-02 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置、及びその製造方法 |
| JP2012113332A (ja) * | 2012-03-23 | 2012-06-14 | Sony Mobile Display Corp | 液晶表示装置 |
| JP2013178567A (ja) * | 2013-05-14 | 2013-09-09 | Nlt Technologies Ltd | 液晶表示素子及びそれを用いた画像表示装置 |
| JP2015036701A (ja) * | 2013-08-12 | 2015-02-23 | Ｎｌｔテクノロジー株式会社 | 横電界方式液晶表示装置 |
| CN104375338A (zh) * | 2013-08-12 | 2015-02-25 | Nlt科技股份有限公司 | 横向电场型液晶显示装置 |
| JP2017219705A (ja) * | 2016-06-08 | 2017-12-14 | 三菱電機株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP2018136539A (ja) * | 2017-02-21 | 2018-08-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置 |
| US11353754B2 (en) | 2017-02-21 | 2022-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel, display device, input/output device, and data processing device |
| JP7138444B2 (ja) | 2017-02-21 | 2022-09-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示パネル |
| US11640086B2 (en) | 2017-02-21 | 2023-05-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel, display device, input/output device, and data processing device |
| JP7433493B2 (ja) | 2017-02-21 | 2024-02-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示パネル |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4002105B2 (ja) | 2007-10-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4002105B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP3971778B2 (ja) | 表示装置 | |
| JP4117148B2 (ja) | 半透過型液晶表示装置 | |
| US5852485A (en) | Liquid crystal display device and method for producing the same | |
| EP2372443B1 (en) | Liquid crystal display device | |
| US6950167B2 (en) | Liquid crystal display device | |
| US7298430B2 (en) | Liquid crystal display device | |
| US20080309845A1 (en) | Liquid crystal display panel and device thereof | |
| JP4607158B2 (ja) | 液晶表示装置及び電子機器 | |
| JP2003195330A (ja) | 液晶表示装置 | |
| KR20010106862A (ko) | 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR20020046621A (ko) | 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR20010056590A (ko) | 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
| CN107843996B (zh) | 触控显示面板与显示装置 | |
| US6326641B1 (en) | Liquid crystal display device having a high aperture ratio | |
| KR20050115098A (ko) | 다중 도메인 액정 표시 장치 및 그에 사용되는 표시판 | |
| US20060066781A1 (en) | Color filter panel, and liquid crystal display including color filter panel | |
| JP5164672B2 (ja) | 液晶表示装置、電子機器 | |
| KR20060114921A (ko) | 액정 표시 장치 | |
| KR102168876B1 (ko) | 액정 표시 장치 | |
| KR20040077017A (ko) | 액정 표시 장치 | |
| JP4363473B2 (ja) | 半透過型液晶表示パネル及び電子機器 | |
| JPH09230378A (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
| JP4661506B2 (ja) | 半透過型液晶表示パネル | |
| KR100848210B1 (ko) | 표시 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050106 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070727 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070814 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070816 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100824 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4002105 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100824 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110824 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110824 Year of fee payment: 4 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110824 Year of fee payment: 4 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110824 Year of fee payment: 4 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| S631 | Written request for registration of reclamation of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313631 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110824 Year of fee payment: 4 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110824 Year of fee payment: 4 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313121 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110824 Year of fee payment: 4 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110824 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120824 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120824 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130824 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |