KR101163397B1 - 반사투과형 액정표시소자 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반사모드와 투과모드를 선택적으로 구현할 수 있는 반사투과형 프린지필드 액정표시소자에 관한 것으로, 투과영역과 반사영역이 정의된 제1기판 및 제2기판; 상기 제1기판 상에 제1방향으로 배열된 복수의 게이트라인; 상기 게이트라인과 수직으로 교차하여 복수의 화소를 정의하는 데이터라인; 상기 게이트라인과 데이터라인의 교차영역에 형성된 스위칭소자; 상기 반사영역에 형성된 반사판; 상기 반사판을 포함하는 제1기판 전면에 형성된 공통전극; 상기 공통전극 상부에 형성되어, 상기 공통전극과 함께 화소영역 내에서 프린지필드를 형성하는 화소전극; 및 상기 제1기판과 제2기판 사이에 형성된 액정층을 포함하여 구성된 액정표시소자를 제공한다.
반사투과, 프린지필드, 액정표시소자

Description

반사투과형 액정표시소자 및 그 제조방법 {TRANSFLECTIVE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND FABRICATION METHOD THE SAME}
도 1은 본 발명에 의한 액정표시소자를 개략적으로 나타낸 평면도.
도 2는 도 1의 I-I'의 단면을 나타낸 단면도.
도 3a ~ 도 3e는 본 발명에 의한 액정표시소자의 공정평면도.
도 4a ~ 도 4e는 본 발명에 의한 액정표시소자의 공정단면도.
***도면의 주요 부호에 대한 설명***
101: 게이트라인 103: 데이터라인
104: 공통라인 105: 반사판
106: 공통전극 107: 화소전극
111: 게이트절연막 113: 평탄화막
115: 요철 117: 절연막
본 발명은 프린지필드 액정표시소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반사모드와 투과모드를 선택적으로 구현할 수 있도록 한 반사투과형 프린지필드 액정표시 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근, 통신 인프라의 확충에 의해, 컴퓨터 네트워크의 이용이 급속하게 확대하며, 필요한 정보를 언제든지, 어디에서도, 누구라도 이용할 수 있는 환경이 조성되어 왔다. 이에 이동성이 요구되는 개인용 정보통신기기, 웹(web) 단말기, 및 휴대용 단말기 등과 같은 정보통신기기 시장이 폭발적으로 증가함에 따라 무게가 가볍고 소비 전력이 작은 디스플레이에 대한 수요가 늘어나고 있다. 그리고, 종래와는 달리 숫자나 정해진 이미지의 온(on)/오프(off)만 수행하는 수준을 넘어서 정지 화상을 포함하는 다양한 정보를 표현할 수 있는 표시 소자를 요구하고 있다. 이와 같은 요청에 있어서, 칼라 화상 표시가 가능한 모빌 기기에 대한 수요가 급속하게 확대하고 있다. 모빌 기기에 요구되는 특징은 가능한 박형, 경량, 저소비전력으로 장시간 사용이 가능한 것에 있다.
액정표시소자는 가볍고 박형이며 소비전력이 적기 때문에 이와 같은 휴대용 정보통신기기에 많이 적용되고 있으나, 일반적인 투과형 액정표시소자는 백라이트 소자가 필요로 하기 때문에 이를 휴대용 정보기기 등의 표시소자로 사용될 경우 백라이트의 소비 전력으로 휴대용 기기의 일회 충전 후 사용 시간이 단축될 뿐만 아니라 백라이트의 무게, 두께 등으로 인해 휴대성이 떨어지는 문제점이 있다. 이러한 문제점들을 극복하기 위해 근래 제시된 것이 반사형 액정표시소자이다.
반사형 액정표시소자는 주변광을 광원으로 사용하므로 전력소모의 약 70% 이상을 차지하는 백라이트에 의한 전력소모가 없고 백라이트에 의한 두께 및 무게 증가가 없다. 따라서, 매우 적은 전력으로 우수한 표시 품위를 가지는 정보 표시소자 를 실현할 수 있다. 또 모빌기기에서는 그 성격상, 옥외에서의 사용 적응성이 중요하게 되지만, 종래의 투과형 LCD에서는 밝은 외부환경 하에서 패널 표면의 반사에 의해 색대비가 저하되는 시인성에 문제가 있는 반면에, 반사형 LCD에서는 오히려 더욱 선명하게 보이는 특징이 있다.
그러나, 자연광 또는 인조 광원과 같은 주변광이 항상 존재하는 것이 아니기 때문에 반사형 액정표시소자는 자연광이 존재하는 낮이나, 외부 인조광이 존재하는 사무실 및 건물 내부에서는 사용이 가능할지 모르나, 자연광이 존재하지 않는 야간에는 사용할 수 없게 된다.
따라서, 본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은 반사형 액정표시소자와 투과형 액정표시소자의 장점을 수용하면서 주,야간 동시에 사용할 수 있는 반투과형 프린지필드 액정표시소자 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.
기타 본 발명의 다른 목적 및 특징은 이하 발명의 구성 및 특허청구범위에서 상세히 기술될 것이다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위해서 고안된 본 발명의 액정표시소자는 투과영역과 반사영역이 정의된 제1기판 및 제2기판; 상기 제1기판 상에 제1방향으로 배열된 복수의 게이트라인; 상기 게이트라인과 수직으로 교차하여 복수의 화소를 정의하는 데이터라인; 상기 게이트라인과 데이터라인의 교차영역에 형성된 스위 칭소자; 상기 반사영역에 형성된 반사판; 상기 반사판을 포함하는 제1기판 전면에 형성된 공통전극; 상기 공통전극 상부에 형성되어, 상기 공통전극과 함께 화소영역 내에서 프린지필드를 형성하는 화소전극; 및 상기 제1기판과 제2기판 사이에 형성된 액정층을 포함하여 구성된다. 이때, 상기 공통전극은 상기 투과영역과 대응하는 데이터라인의 일부를 노출시키도록 형성되어 있으며, 상기 공통전극과 화소전극 사이에 개재된 절연막을 더 포함하여 구성된다.
또한, 상기 반사판 하부에 형성된 요철; 및 상기 반사판 상부에 형성되어 상기 요철 상부를 평평화시키는 평탄화막을 더 포함하여 구성될 수 있으며, 상기 반사영역의 공통전극은 상기 평탄화막 상에 형성된다.
또한, 상기 반사판과 일체로 형성되며, 상기 공통전극과 전기적으로 접속하는 공통라인을 더 포함하여 구성될 수도 있으며, 상기 공통라인과 공통전극은 패널의 외부에서 전기적으로 연결된다.
그리고, 상기 공통전극 및 화소전극은 투명한 전도성물질로 이루어져 개구율 저하를 최소화 한다.
또한, 본 발명에 의한 액정표시소자는 투과영역과 반사영역이 정의된 제1기판 및 제2기판; 제1기판 상에 제1방향으로 배열된 복수의 게이트라인; 상기 게이트라인과 수직으로 교차하여 복수의 화소를 정의하는 데이터라인; 상기 반사영역에 형성된 요철; 상기 요철 상에 형성된 반사판; 상기 반사판을 포함하는 제1기판 전면에 형성된 게이트절연막; 상기 반사영역과 대응하는 게이트절연막 상에 형성된 평탄화막; 상기 평탄화막을 포함하는 제2기판 전면에 형성되며, 상기 투과영역과 대응하는 데이터라인의 일부를 노출시키는 공통전극; 상기 공통전극을 포함하는 제1기판 전면에 형성된 절연막; 상기 절연막 상에 형성되며, 상기 공통전극과 함께 화소내에 프린지필드를 발생시키는 화소전극; 및 상기 제1기판과 제2기판 사이에 형성된 액정층을 포함하여 구성된다.
또한, 본 발명에 의한 액정표시소자의 제조방법은 투과영역과 반사영역이 정의된 제1기판 및 제2기판을 준비하는 단계; 상기 제1기판의 반사영역에 반사판을 형성하는 단계; 상기 제1기판 상에 제1방향으로 배열된 복수의 게이트라인을 형성하는 단계; 상기 게이트라인과 수직으로 교차하여 복수화소를 정의하는 복수의 데이터라인을 형성하는 단계; 상기 반사판을 포함하는 제1기판 전면에 공통전극을 형성하는 단계; 상기 공통전극 상에 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막 상기 공통전극과 함께 화소내에 프린지필드를 발생시키는 화소전극을 형성하는 단계; 및 상기 제1기판과 제2기판 사이에 액정층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.
이때, 상기 반사판 하부에 요철을 형성하는 단계; 및 상기 요철 및 반사판을 포함하는 제1기판 전면에 게이트절연막을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있으며, 상기 반사영역의 게이트절연막 상부에 평탄화막을 형성하는 단계를 더 포함할 수도 있다. 그리고, 상기 반사영역의 게이트절연막 상부에 평탄화막을 형성하는 단계를 더 포함할 수도 있다.
상기한 바와 같은 본 발명의 액정표시소자는 한 화소내에 투과영역과 반사영역이 함께 마련되어 있기 때문에, 투과형 액정표시소자와 반사형 액정표시소자를 선택적으로 구현할 수 있다.
아울러, 본 발명의 공통전극은 투과영역과 대응하는 데이터라인을 제외한 제1기판 전면에 형성함으로써, 공통전극의 신호지연을 최대한 줄임으로써, 공통신호 지연에 의한 화질불량 예를들면, 크로스토크(crosstalk) 및 그린색감을 띄는 그리니시(greenish)현상을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명은 프린지필드 구동을 통해 액정층 내부에 형성된 모든 액정분자를 구동시킴으로써, 투과율 향상을 꾀하고, 구동전압을 낮출 수가 있다.
이하, 첨부한 도면을 통해 본 발명에 의한 액정표시소자에 대해 더욱 상세하게 설명하도록 한다.
도 1 및 도 2는 본 발명에 의한 반사투과형 액정표시소자를 나타낸 것으로, 도 1은 단위화소를 나타낸 평면도이고, 도 2는 도 1의 I-I'의 단면도이다.
먼저, 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 의한 액정표시소자(100)는 투명한 제1기판(110)상에 제1방향으로 배열된 게이트라인(101)과 상기 게이트라인(101)과 교차하는 데이터라인(103A,103B)에 의해 화소영역이 정의되며, 상기 화소영역은 투과영역과 반사영역로 구분된다.
상기 게이트라인(101)과 데이터라인(103)의 교차영역에는 각 화소를 스위칭하는 스위칭소자(TFT)가 형성되어 있으며, 상기 스위칭소자(TFT)는 게이트라인(101)의 일부로 형성된 게이트전극(101a)과 상기 게이트전극(101a) 위에 형성된 반도체층(미도시)과, 상기 반도체층(105) 상에 데이터라인(103B)으로부터 인출된 소스전극(102a) 및 상기 소스전극(102a)과 소정간격 이격된 드레인전극(102b)으로 구성된다. 이때, 상기 게이트전극(101a)은 상기 게이트라인(101)으로부터 별도로 인 출되어 형성될 수 있으며, 상기 소스전극(102a)과 드레인전극(102b)이 "U"자 구조의 채널을 형성할 수도 있다.
또한, 상기 투과영역 및 반사영역 내에는 프린지필드를 발생시키는 공통전극(106) 및 화소전극(107)이 형성되어 있으며, 상기 공통전극(106)은 투과영역과 대응하는 데이터라인의 일부(103B)를 제외한 제1기판(110)의 전면에 형성되어 있다. 그리고, 상기 화소전극(107)은 상기 공통전극(106) 상에 일정한 거리를 두고 반복적으로 형성되어 있으며, 드레인콘택홀(107a)을 통해 드레인전극(102b)과 전기적으로 접속되어 있다. 이와 같이, 공통전극(106)이 특정영역을 제외하고는 기판 전면에 걸쳐서 형성됨에 따라 공통전극(106)에 인가되는 공통신호지연을 줄여 화질을 향상시킬 수 있는 잇점이 있다. 즉, 종래 공통신호지연에 따라 크로스토크 및 그리니쉬와 같은 화질불량이 발생하였으나, 본 발명에서는 공통전극(106)의 형성면적을 늘여 공통신호의 지연을 방지함으로써, 이러한 문제점들을 해결하여 화질향상을 꾀한다.
한편, 상기 반사영역에는 외부광을 반사시키는 반사판(105)이 형성되어 있으며, 상기 반사판(105)은 상기 게이트라인(101)과 나란하게 배치된 공통라인(104)으로부터 인출된 것이다. 이때, 상기 공통라인(104)과 공통전극(106)은 전기적으로 연결되어 있으며, 이들의 연결부위는 패널의 외곽에 위치하며, 도면에는 보여지지 않는다.
또한, 상기 반사영역에 외부광의 반사효율을 향상시키기 위한 요철을 형성할 수 있으며, 이에 대한 상세한 내용은 도 2를 참조하여 설명하도록 한다.
도 2에 도시된 바와 같이, 상기 반사판(105)은 제1기판(110) 상에 형성된 요철(115) 상부에 형성되는데, 상기 요철(115)은 상기 반사판(105)에 반사되는 외부광의 반사효율을 향상시키는 역할을 한다. 즉, 측면에서 입사되는 광을 시야각 범위 내로 반사시킴으로써, 광효율을 향상시켜 휘도향상을 꾀한다.
또한, 상기 반사판(105)을 포함하는 제1기판(110) 전면에 게이트절연막(111)이 도포되어 있으며, 상기 데이터라인(103A,103B)은 상기 게이트절연막(111) 상에 형성되어 있다. 그리고, 상기 요철(115)과 대응하는 게이트절연막(111) 상부에는 그 표면을 평탄화시키기 위한 평탄화막(113)이 형성되어 있으며, 상기 평탄화막(113)는 반사영역의 셀갭(D2)을 투과영역의 셀갭(D1)보다 작게하여 휘도특성을 좋게한다.
액정표시소자는 도시된 바와 같이, 제1기판(110)과 제2기판(120) 그리고, 상기 제1기판(110)과 제2기판(120) 사이에 형성된 액정층(130)으로 구성되는데, 반사영역에 위치하는 액정층의 △nD1이 λ/4(λ=550nm)가 되도록 설계된 경우, [수학식1]과 같이 투과영역의 셀갭(D2)은 상기 반사영역의 셀갭(D1)의 약 두배로 형성된다.
[수학식1]
△nD1 = λ/4
여기서, △n은 액정의 굴절율 이방성이며, D1=2D2 이므로, △nD2 = λ/2 가 된다. 이때, λ/4는 반사모드에서 액정층(130)을 한번 통과하는 빛의 위상변화 값이 다. 상기와 같이 투과영역과 반사영역에 따른 액정층의 셀갭을 다르게 형성하게 되면, 상기 반사영역를 진행하는 빛의 진행상태와 투과영역를 진행하는 빛의 진행상태의 차이를 최소화 할 수 있으므로, 높은 휘도특성을 얻을 수가 있다.
계속해서, 도 2의 단면구조를 설명하면, 상기 공통전극(106)은 상기 평탄화막(113)을 포함하는 제1기판(110) 전면에 형성되어 있으며, 상기 화소전극(107)은 상기 공통전극(106) 상에 형성된 절연막(117) 상에 형성된다.
아울러, 상기 공통전극(106)과 화소전극(107) 사이에 프린지필드를 발생시키기 위해서는 상기 공통전극(106)과 화소전극(107) 사이의 거리가 셀갭(D2)보다 작게 형성해야 한다.
한편, 도면에 상세하게 도시하지는 않았지만, 상기 제2기판(120)에는 빛샘을 차단하기 위한 블랙매트릭스와 컬러를 구현하는 컬러필터가 형성되어 있다.
상기한 바와 같이 구성된 본 발명의 프린지필드 액정표시소자(100)는 한 화소에 투과영역과 반사영역와 공존하기 때문에, 투과형 액정표시소자와 반사형액정표시소자를 선택적으로 구현할 수 있는 잇점이 있다.
또한, 본 발명은 공통전극(106)과 화소전극(107) 사이에서 발생되는 전계의 직선거리가 종래(수평전계방식 액정표시소자)보다 짧아지기 때문에, 전계의 세기가 커져 응답속도를 향상시키고, 구동전압을 낮출 수가 있다.
더욱이, 상기 공통전극(106)과 화소전극(107) 사이의 거리가 짧아짐에 따라, 종래 수평전계보다 곡률 및 반경이 큰 포물선 형태의 프린지 전계가 형성되어, 상 부측, 즉, 제2기판측에 위치하는 액정분자들을 효율적으로 동작시킴으로써, 투과율을 더욱 향상시킨다.
이하, 도 3a ~ 도 3e 및 도 4a ~ 도 4e는 도 1 및 도 2에 도시된 액정표시소자의 제조방법을 나타낸 것으로, 도 3a ~ 도 3e은 공정평면도이고, 도 4a ~ 도 4e는 공정단면도이다.
우선, 도 3a 및 도 4a에 도시된 바와 같이, 투과영역과 반사영역이 정의된 투명한 제1기판(110)을 준비한 다음, BCB 또는 포토아크릴과 같은 유기막을 증착한 후, 이를 패터닝하여 요철(115)을 형성한다. 도 3a에는 요철이 도시되어 있지 않다. 그리고, 상기 요철(115)을 포함하는 제1기판(110) 상에 게이트라인(101)과, 상기 게이트라인(101)과 나란하게 배열된 공통라인(104) 및 상기 공통라인(104)으로부터 분기된 반사판(105)을 형성한다. 이때, 상기 반사판(105)은 상기 요철(115) 상부에 형성된다.
이어서, 도 3b 및 도 4b에 도시된 바와 같이, 상기 게이트라인(101) 및 반사판(105)을 포함하는 제1기판 전면에 SiNx 또는 SiOx와 같은 무기막을 형성한 후, 상기 게이트라인(101) 상에 비정질 실리콘 및 n+ 비정질 실리콘을 증착하여 패터닝함으로써, 반도체패턴(미도시)을 형성한다. 그리고, 상기 게이트라인(101)과 수직으로 교차하는 데이터라인(103A,103B)을 형성하고, 상기 반도체패턴 상에 소스 및 드레인전극(102a,102b)을 형성한다.
그 후에, 도 3c 및 도 4c에 도시된 바와 같이, 상기 반사영역에 상기 요철(115)을 평탄화하는 평탄화막(113)을 형성한다. 이때, 상기 평탄화막(113)은 BCB 또는 포토아크릴과 같은 유기막을 사용하여 형성할 수 있다.
그리고, 도 3d 및 도 4d에 도시된 바와 같이, 상기 평탄화막(113)을 포함하는 기판 전면에 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 또는 ITZO(Indium Tin Zinc Oxide) 또는 TO(Tin Oxide) 등의 투명한 전도성물질을 증착한 후, 패터닝하여 공통전극(106)을 형성한다. 이때, 상기 공통전극(106)은 투과영역과 대응하는 데이터라인(103B)를 제외한 영역에 형성해야 하며, 이것은, 데이터라인(103A,103B)과 공통전극(106)과의 쇼트방지를 위해서이다.
이어서, 도 3e 및 도 4e에 도시된 바와 같이, 상기 공통전극(106)을 포함하는 기판 전면에 절연막(117)을 형성하고, 상기 드레인전극(102b)을 노출시키는 드레인콘택홀(107a)을 형성한 한, 그 상부에 투명한 전도성물질을 사용하여 화소전극(107)을 형성한다.
마지막으로, 도 3a ~ 도 3e, 도 4a ~ 도 4e를 통해 제작된 기판을 블랙매트릭스 및 컬러필터를 포함하는 제2기판과 합착하고, 그 사이에 액정층을 형성함으로써, 액정표시소자를 완성한다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 한 한화소에 반사영역과 투과영역을 동시에 반사모드 액정표시소자와 투과모드 액정표시소자를 동시에 구현하도록 한다.
또한, 본 발명은 공통전극의 형성면적을 최대한 넓힘으로써, 공통전극의 신호지연을 방지하여, 화질향상을 꾀한다.
전술한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 한 화소에 반사영역에 투과영역을 동 시에 구현함으로써, 사용자가 환경에 적합한 모드를 선택하여 사용할 수 있는 편리함을 제공한다.
또한, 본 발명은 공통신호의 지연을 방지함으로써, 고화질의 액정표시소자를 제공하고, 특히, 프린지필드 구동을 통해 투과율을 더욱 향상시켜, 고휘도의 액정표시소자를 제공한다.

Claims (12)

  1. 투과영역과 반사영역이 정의된 제1기판 및 제2기판;
    상기 제1기판 상에 제1방향으로 배열된 복수의 게이트라인;
    상기 게이트라인과 수직으로 교차하여 복수의 화소를 정의하는 데이터라인;
    상기 게이트라인과 데이터라인의 교차영역에 형성된 스위칭소자;
    상기 반사영역에 형성된 반사판;
    상기 반사판을 포함하는 제1기판 전면에 형성된 공통전극;
    상기 공통전극 상부에 형성되어, 상기 공통전극과 함께 화소영역 내에서 프린지필드를 형성하는 화소전극; 및
    상기 제1기판과 제2기판 사이에 형성된 액정층을 포함하여 구성된 액정표시소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 공통전극은 상기 투과영역과 대응하는 데이터라인의 일부를 노출시키는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 반사판 하부에 형성된 요철; 및
    상기 반사판 상부에 형성되어 상기 요철 상부를 평평화시키는 평탄화막을 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 공통전극은 상기 평탄화막 상에 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 공통전극과 화소전극 사이에 개재된 절연막을 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 반사판과 일체로 형성되며, 상기 공통전극과 전기적으로 접속하는 공통라인을 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 공통전극 및 화소전극은 투명한 전도성물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  8. 투과영역과 반사영역이 정의된 제1기판 및 상기 제1기판과 대향 합착하는 제2기판;
    상기 제1기판 상에 제1방향으로 배열된 복수의 게이트라인;
    상기 게이트라인과 수직으로 교차하여 복수의 화소를 정의하는 데이터라인;
    상기 반사영역에 형성된 요철;
    상기 요철 상에 형성된 반사판;
    상기 반사판을 포함하는 제1기판 전면에 형성된 게이트절연막;
    상기 반사영역과 대응하는 게이트절연막 상에 형성된 평탄화막;
    상기 평탄화막을 포함하는 제1기판 전면에 형성되며, 상기 투과영역과 대응하는 데이터라인의 일부를 노출시키는 공통전극;
    상기 공통전극을 포함하는 제1기판 전면에 형성된 절연막;
    상기 절연막 상에 형성되며, 상기 공통전극과 함께 화소내에 프린지필드를 발생시키는 화소전극; 및
    상기 제1기판과 제2기판 사이에 형성된 액정층을 포함하여 구성된 액정표시소자.
  9. 투과영역과 반사영역이 정의된 제1기판 및 제2기판을 준비하는 단계;
    상기 제1기판의 반사영역에 반사판을 형성하는 단계;
    상기 제1기판 상에 제1방향으로 배열된 복수의 게이트라인을 형성하는 단계;
    상기 게이트라인과 수직으로 교차하여 복수화소를 정의하는 복수의 데이터라인을 형성하는 단계;
    상기 반사판을 포함하는 제1기판 전면에 공통전극을 형성하는 단계;
    상기 공통전극 상에 절연막을 형성하는 단계;
    상기 절연막 상에서, 상기 공통전극과 함께 화소내에 프린지필드를 발생시키는 화소전극을 형성하는 단계; 및
    상기 제1기판과 제2기판 사이에 액정층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 액정표시소자의 제조방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 반사판 하부에 요철을 형성하는 단계; 및
    상기 요철 및 반사판을 포함하는 제1기판 전면에 게이트절연막을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 게이트절연막 상부에서 상기 반사영역과 대응하는 영역에 평탄화막을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  12. 삭제
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003207795A (ja) 2002-01-15 2003-07-25 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JP2004341524A (ja) 2003-05-12 2004-12-02 Hannstar Display Corp 半透過型液晶ディスプレイ装置とその製造方法
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