JP7433493B2 - 表示パネル - Google Patents
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Description
一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明
の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物(コンポジション・
オブ・マター)に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明
の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、
それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。
の回路素子を共にグループ化し、ディスプレイ上又はその近傍のタッチを感知するタッチ
感知回路を形成する構成が知られている(特許文献1)。
ちの一方(駆動電極)として兼用し、他方の電極(センサ用検出電極)は新たに形成する
構成が知られている(特許文献2)。
の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することを課題
の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することを課
題の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供すること
を課題の一とする。または、新規な表示パネル、新規な表示装置、新規な入出力装置、新
規な情報処理装置または新規な半導体装置を提供することを課題の一とする。
態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
る。
および第2の表示素子を備える。
の画素回路を備え、第2の画素回路を備える。
極は、機能層との間に第1の距離を備え、液晶材料を含む層と重なる領域を備え、櫛歯状
の形状を備える。
、第1の電極の櫛歯状の間隙と重なる領域を備える。また、第2の距離は第1の距離より
短い。
極は、機能層との間に第3の距離を備え、液晶材料を含む層と重なる領域を備え、櫛歯状
の形状を備える。
、第3の電極の櫛歯状の間隙と重なる領域を備える。また、第4の距離は第3の距離より
短い。
る、上記の表示パネルである。
または、第1の電極および第2の電極の間に、所定の電界を形成することができる。また
は、液晶材料を含む層に含まれる液晶の配向を制御することができる。その結果、利便性
または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
る、上記の表示パネルである。
または、第3の電極および第4の電極の間に、所定の電界を形成することができる。また
は、液晶材料を含む層に含まれる液晶の配向を制御することができる。その結果、利便性
または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
ネルである。
制御することができる。または、第1の電極および第2の電極の間または第3の電極およ
び第4の電極の間に、所定の電界を形成することができる。または、液晶材料を含む層に
含まれる液晶の配向を制御することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新
規な表示パネルを提供することができる。
路が第2の電極と電気的に接続される、上記の表示パネルである。
または、第1の電極および第2の電極の間に、所定の電界を形成することができる。また
は、液晶材料を含む層に含まれる液晶の配向を制御することができる。その結果、利便性
または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
路が第4の電極と電気的に接続される、上記の表示パネルである。
または、第3の電極および第4の電極の間に、所定の電界を形成することができる。また
は、液晶材料を含む層に含まれる液晶の配向を制御することができる。その結果、利便性
または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
パネルである。
回路および第2の表示素子を備える。
の画素回路を備え、第2の画素回路を備える。
極は機能層との間に第1の距離を備え、液晶材料を含む層と重なる領域を備え、櫛歯状の
形状を備える。
第1の電極の櫛歯状の間隙と重なる領域を備える。また、第2の距離は第1の距離より短
い。
の電極は機能層との間に第3の距離を備え、液晶材料を含む層と重なる領域を備え、櫛歯
状の形状を備える。
第3の電極の櫛歯状の間隙と重なる領域を備える。また、第4の距離は第3の距離より短
い。
る、上記の表示パネルである。
または、第1の電極および第2の電極の間に、所定の電界を形成することができる。また
は、液晶材料を含む層に含まれる液晶の配向を制御することができる。その結果、利便性
または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
る、上記の表示パネルである。
または、第3の電極および第4の電極の間に、所定の電界を形成することができる。また
は、液晶材料を含む層に含まれる液晶の配向を制御することができる。その結果、利便性
または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
を有する表示パネルである。
第1の画素は、第1の画素回路および第1の表示素子を備え、第2の画素は、第2の画素
回路および第2の表示素子を備える。
1の画素回路を備え、第2の画素回路を備える。
極は機能層との間に第1の距離を備え、液晶材料を含む層と重なる領域を備え、櫛歯状の
形状を備える。
、第1の電極の櫛歯状の間隙と重なる領域を備える。また、第2の距離は第1の距離より
短い。
の電極は、機能層との間に第3の距離を備え、液晶材料を含む層と重なる領域を備え、櫛
歯状の形状を備える。
、第3の電極の櫛歯状の間隙と重なる領域を備え、第2の電極と重なる領域を備える。ま
た、第4の距離は第3の距離より短い。
の電極および第4の電極の間に、所定の電界を形成することができる。または、液晶材料
を含む層に含まれる液晶の配向を制御することができる。その結果、利便性または信頼性
に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
一群の複数の画素は、第1の画素または第2の画素を含み、行方向に配設される。
画素は、行方向と交差する列方向に配設される。
に接続される。
て、複数の表示素子を駆動することができる。または、表示領域を用いて、画像情報を表
示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供す
ることができる。
ある。
情報を生成する機能を備え、第1の情報を供給する機能を備える。
を備える。
たは信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。
領域は画素と重なる領域を備える。
子を備える上記の入出力装置である。
る。
域に近接するものとの距離に基づいて変化する検知信号を供給する機能を備え、検知素子
は、制御電極および検知電極を備える。
回路と電気的に接続されていない方を含む。
画素回路と電気的に接続されていない方を含む。
の間に形成するように配置される。
のを検知することができる。または、表示部に近接させる指などをポインタに用いて、位
置情報を入力することができる。または、位置情報を表示部に表示する画像情報に関連付
けることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供する
ことができる。
バイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視線入力装置、姿勢検出
装置、のうち一以上と、上記の表示パネルと、を含む、情報処理装置である。
情報を演算装置に生成させることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規
な情報処理装置を提供することができる。
してブロック図を示しているが、実際の構成要素は機能ごとに完全に切り分けることが難
しく、一つの構成要素が複数の機能に係わることもあり得る。
端子に与えられる電位の高低によって、その呼び方が入れ替わる。一般的に、nチャネル
型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がソースと呼ばれ、高い電位が与えられ
る端子がドレインと呼ばれる。また、pチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えら
れる端子がドレインと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がソースと呼ばれる。本明細書
では、便宜上、ソースとドレインとが固定されているものと仮定して、トランジスタの接
続関係を説明する場合があるが、実際には上記電位の関係に従ってソースとドレインの呼
び方が入れ替わる。
るソース領域、或いは上記半導体膜に接続されたソース電極を意味する。同様に、トラン
ジスタのドレインとは、上記半導体膜の一部であるドレイン領域、或いは上記半導体膜に
接続されたドレイン電極を意味する。また、ゲートはゲート電極を意味する。
ジスタのソースまたはドレインの一方のみが、第2のトランジスタのソースまたはドレイ
ンの一方のみに接続されている状態を意味する。また、トランジスタが並列に接続されて
いる状態とは、第1のトランジスタのソースまたはドレインの一方が第2のトランジスタ
のソースまたはドレインの一方に接続され、第1のトランジスタのソースまたはドレイン
の他方が第2のトランジスタのソースまたはドレインの他方に接続されている状態を意味
する。
給可能、或いは伝送可能な状態に相当する。従って、接続している状態とは、直接接続し
ている状態を必ずしも指すわけではなく、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝
送可能であるように、配線、抵抗、ダイオード、トランジスタなどの回路素子を介して間
接的に接続している状態も、その範疇に含む。
も、実際には、例えば配線の一部が電極として機能する場合など、一の導電膜が、複数の
構成要素の機能を併せ持っている場合もある。本明細書において接続とは、このような、
一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。
電極を、他方がドレイン電極を指す。
ができる。または、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる
。または、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。また
は、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。または、
新規な表示パネル、新規な表示装置、新規な入出力装置、新規な情報処理装置または新規
な半導体装置を提供することができる。
態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は
、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面
、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
素は第1の画素回路および第1の表示素子を備え、第2の画素は第2の画素回路および第
2の表示素子を備える。機能層は第1の表示素子と重なる領域、第2の表示素子と重なる
領域、第1の画素回路、第2の画素回路を備える。
極は機能層との間に第1の距離を備え、液晶材料を含む層と重なる領域を備え、櫛歯状の
形状を備える。第2の電極は機能層との間に第2の距離を備え、液晶材料を含む層と重な
る領域を備え、第1の電極の櫛歯状の間隙と重なる領域を備え、第2の距離は第1の距離
より短い。
の電極は機能層との間に第3の距離を備え、液晶材料を含む層と重なる領域を備え、櫛歯
状の形状を備える。第4の電極は機能層との間に第4の距離を備え、液晶材料を含む層と
重なる領域を備え、第3の電極の櫛歯状の間隙と重なる領域を備え、第4の距離は第3の
距離より短く、第1の距離より長い。
または、第1の電極および第2の電極の間に、所定の電界を形成することができる。また
は、液晶材料を含む層に含まれる液晶の配向を制御することができる。その結果、利便性
または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において
、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、
その繰り返しの説明は省略する。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルの構成について、図1乃至図9、図21
または図22を参照しながら説明する。
態様の表示パネルの一部の分解立体図であり、図1(B)は本発明の一態様の表示パネル
の一部の上面図である。
の切断線Y1-Y2、切断線Y3-Y4における断面図である。また、図2(B)は図2
(A)とは異なる表示パネルの構成を説明する断面図であり、図2(C)は図2(A)お
よび図2(B)とは異なる表示パネルの構成を説明する断面図である。
線Y1-Y2、切断線Y3-Y4に相当する位置における断面図である。
の上面図であり、図5(B)は図5(A)に示す表示パネルの画素の一部を説明する上面
図である。図5(C)は図5(A)に示す表示パネルの断面の構成を説明する模式図であ
る。
切断線X1-X2、切断線X3-X4、図8の切断線X5-X6および切断線X7-X8
における断面図であり、図6(B)は図6(A)の一部を説明する図である。
面図であり、図7(B)は図7(A)の一部を説明する図である。
ば、1以上の整数の値をとる変数pを含む(p)を、最大p個の構成要素のいずれかを特
定する符号の一部に用いる場合がある。また、例えば、1以上の整数の値をとる変数mお
よび変数nを含む(m,n)を、最大m×n個の構成要素のいずれかを特定する符号の一
部に用いる場合がある。
本実施の形態で説明する表示パネル700は、画素702(i,j)と、画素702(i
+1,j)と、機能層520と、を有する(図1(A)、図1(B)または図5(A)参
照)。
板570との間に画素702(i,j)および画素702(i+1,j)を挟む領域を備
える。
画素702(i,j)は、画素回路530(i,j)および表示素子750(i,j)を
備える(図2(A)参照)。例えば、スイッチに用いるトランジスタを画素回路530(
i,j)に用いることができる。
+1,j)を備える。
750(i+1,j)と重なる領域を備え、機能層520は画素回路530(i,j)を
備え、機能層520は画素回路530(i+1,j)を備える。
表示素子750(i,j)は、第1の電極11、第2の電極12および液晶材料を含む層
753を備える。
料を含む層753と重なる領域を備え、第1の電極11は、櫛歯状の形状を備える。例え
ば、屈曲した櫛歯状の形状を第1の電極11に用いることができる(図1(A)参照)。
料を含む層753と重なる領域を備え、第2の電極12は第1の電極11の櫛歯状の間隙
と重なる領域を備える(図2(A)参照)。また、第2の距離d2は、第1の距離d1よ
り短い。
備える。
表示素子750(i+1,j)は、第3の電極13、第4の電極14および液晶材料を含
む層753を備える。例えば、第1の電極11に用いることができる材料を、第4の電極
14に用いることができる。また、第4の電極14は、第1の電極11を形成する工程に
おいて形成することができる。
料を含む層753と重なる領域を備え、第3の電極13は櫛歯状の形状を備える。
料を含む層753と重なる領域を備え、第4の電極14は第3の電極13の櫛歯状の間隙
と重なる領域を備える。また、第4の距離d4は第3の距離d3より短く、第3の距離d
3は第1の距離d1より長い。
材料を含む層753を備える。
画素回路530(i,j)は、第1の電極11と電気的に接続される。なお、表示素子7
50(i,j)が備える第1の電極11および第2の電極12のうち、画素回路530(
i,j)と電気的に接続される電極を電極751(i,j)とする。また、画素回路53
0(i,j)と電気的に接続されない電極を電極752(i,j)とする。なお、電極7
52(i,j)は、例えば配線VCOM1と電気的に接続される(図9参照)。従って、
本実施の形態の画素の構成例2においては、第1の電極11が電極751(i,j)であ
り、第2の電極12が電極752(i,j)である。
または、第1の電極および第2の電極の間に、所定の電界を形成することができる。また
は、液晶材料を含む層に含まれる液晶の配向を制御することができる。その結果、利便性
または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
画素回路530(i+1,j)は、第4の電極14と電気的に接続される(図2(A)参
照)。なお、表示素子750(i+1,j)が備える第3の電極13および第4の電極1
4のうち、画素回路530(i+1,j)と電気的に接続される電極を電極751(i+
1,j)とする。また、画素回路530(i+1,j)と電気的に接続されない電極を電
極752(i+1,j)とする。なお、電極752(i+1,j)は、例えば配線VCO
M1と電気的に接続される(図9参照)。従って、本実施の形態の画素の構成例3におい
ては、第3の電極13が電極752(i+1,j)であり、第4の電極14が電極751
(i+1,j)である。
または、第3の電極および第4の電極の間に、所定の電界を形成することができる。また
は、液晶材料を含む層に含まれる液晶の配向を制御することができる。その結果、利便性
または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
第4の距離d4は、第1の距離d1と等しい(図2(A)参照)。
制御することができる。または、第1の電極および第2の電極の間または第3の電極およ
び第4の電極の間に、所定の電界を形成することができる。または、液晶材料を含む層に
含まれる液晶の配向を制御することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新
規な表示パネルを提供することができる。
第4の距離d4は第2の距離d2と等しく、画素回路530(i,j)は、第2の電極1
2と電気的に接続される(図2(B)参照)。なお、本実施の形態の画素の構成例5にお
いては、第2の電極12が電極751(i,j)であり、第1の電極11が電極752(
i,j)である。例えば、第2の電極12に用いることができる材料を、第4の電極14
に用いることができる。また、第4の電極14は、第2の電極12を形成する工程におい
て形成することができる。
または、第1の電極および第2の電極の間に、所定の電界を形成することができる。また
は、液晶材料を含む層に含まれる液晶の配向を制御することができる。その結果、利便性
または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
第4の距離d4は、第2の距離d2と等しく、画素回路530(i+1,j)は、第4の
電極14と電気的に接続される(図2(B)参照)。なお、本実施の形態の画素の構成例
6においては、第3の電極13が電極752(i+1,j)であり、第4の電極14が電
極751(i+1,j)である。
または、第3の電極および第4の電極の間に、所定の電界を形成することができる。また
は、液晶材料を含む層に含まれる液晶の配向を制御することができる。その結果、利便性
または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
画素702(i,j)は、機能層520の一部と、表示素子750(i,j)と、を有す
る(図5(C)参照)。また、画素702(i,j)は、絶縁膜521A、絶縁膜521
Bまたは絶縁膜521Cを有する(図6(A)参照)。
機能層520は、画素回路530(i,j)を含む(図7(A)参照)。なお、画素回路
530(i,j)は、例えばスイッチSW1に用いることができるトランジスタを含む。
C等を含む(図6(A)および図6(B)参照)。
画素回路530(i,j)は、表示素子750(i,j)を駆動する機能を備える(図9
参照)。
路530(i,j)に用いることができる。
に接続された複数のトランジスタ、直列に接続された複数のトランジスタ、直列と並列が
組み合わされて接続された複数のトランジスタを、一のスイッチに用いることができる。
CSCOM等と電気的に接続される(図9参照)。
的に接続される第1の電極と、を有するトランジスタを、スイッチSW1に用いることが
できる。
れる第1の電極と、配線CSCOMと電気的に接続される第2の電極と、を有する。
ランジスタの第2の電極と電気的に接続される。また、表示素子750(i,j)の電極
752(i,j)は、配線VCOM1と電気的に接続される。これにより、表示素子75
0(i,j)を駆動することができる。
に接続される(図7(A)参照)。また、図示されていない信号線S1(j)は導電膜5
12Aと電気的に接続される。
絶縁膜501Cは、画素回路530(i,j)および基板570の間に挟まれる領域を備
える(図7(A)参照)。
れる領域を備える(図7(A)および図7(B)参照)。
絶縁膜521Aは表示素子750(i,j)および機能層520の間に挟まれる領域を備
える。また、絶縁膜521Aは機能層520および第2の電極12の間に挟まれる領域を
備え、絶縁膜521Aは機能層520および第4の電極14の間に挟まれる領域を備える
(図2(A)および図6(A)参照)。なお、例えば、絶縁膜518を用いる構成におい
て、絶縁膜521Aは省略することができる。
膜521Cは第4の電極14および第3の電極13の間に挟まれる領域を備える。また、
絶縁膜521Bは第1の電極11および第2の電極12の短絡を防止し、絶縁膜521C
は第3の電極13および第4の電極14の短絡を防止する。
え、絶縁膜521Cは第4の電極14および液晶材料を含む層753の間に挟まれる領域
を備える。
また、本実施の形態で説明する表示パネル700は、表示領域231を有する(図11参
照)。
表示領域231は、一群の複数の画素702(i,1)乃至画素702(i,n)と、他
の一群の複数の画素702(1,j)乃至画素702(m,j)と、走査線G1(i)と
、信号線S1(i)と、を有する(図11参照)。なお、iは1以上m以下の整数であり
、jは1以上n以下の整数であり、mおよびnは1以上の整数である。
含み、一群の複数の画素702(i,1)乃至画素702(i,n)は行方向(図中に矢
印R1で示す方向)に配設される。
)を含み、他の一群の複数の画素702(1,j)乃至画素702(m,j)は行方向と
交差する列方向(図中に矢印C1で示す方向)に配設される。
02(i,n)と電気的に接続される。
素702(m,j)と電気的に接続される。
て、複数の表示素子を駆動することができる。または、表示領域を用いて、画像情報を表
示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供す
ることができる。
本実施の形態で説明する表示パネル700は、複数の画素を備える。当該複数の画素は、
色相が互いに異なる色を表示する機能を備える。または、当該複数の画素を用いて、各々
その画素では表示できない色相の色を、加法混色により表示することができる。
なお、色相が異なる色を表示することができる複数の画素を混色に用いる場合において、
それぞれの画素を副画素と言い換えることができる。また、複数の副画素を一組にして、
画素と言い換えることができる。
、画素702(i,j+1)および画素702(i,j+2)を一組にして、画素703
(i,k)と言い換えることができる(図10参照)。なお、kは1以上n以下の整数で
ある。
を一組にして、画素703(i,k)に用いることができる。
示する副画素を一組にして、画素703(i,k)に用いることができる。
る。
また、本実施の形態で説明する表示パネル700は、駆動回路GDまたは駆動回路SDを
備えることができる(図5(A)および図11参照)。
駆動回路GDは、制御情報に基づいて選択信号を供給する機能を有する。
一の走査線に選択信号を供給する機能を備える。これにより、動画像をなめらかに表示す
ることができる。
分に一回未満の頻度で一の走査線に選択信号を供給する機能を備える。これにより、フリ
ッカーが抑制された状態で静止画像を表示することができる。
Bは、駆動回路GDAおよび駆動回路GDBを有する(図12参照)。
と、駆動回路GDBが選択信号を供給する頻度とを、異ならせることができる。具体的に
は、静止画像を表示する一の領域に選択信号を供給する頻度より高い頻度で、動画像を表
示する他の領域に選択信号を供給することができる。これにより、一の領域にフリッカー
が抑制された状態で静止画像を表示し、他の領域に滑らかに動画像を表示することができ
る。
駆動回路SDは、情報V11に基づいて画像信号を供給する機能を有する(図11参照)
。
される画素回路に供給する機能を備える。具体的には、極性が反転する信号を生成する機
能を備える。これにより、例えば、液晶表示素子を駆動することができる。
。具体的には、シリコン基板上に形成された集積回路を駆動回路SDに用いることができ
る。
lm)法を用いて、集積回路を端子に実装することができる。具体的には、異方性導電膜
を用いて、集積回路を端子に実装することができる。
本実施の形態で説明する表示パネル700は、その他、端子519B、機能層720、基
板570、基板770、接合層、封止材705、構造体KB1、機能膜770A、機能膜
770B等を備える(図6(A)または図7(A)参照)。
端子519Bは、例えば、導電膜511Bを備える。端子519Bは、例えば、信号線S
1(j)と電気的に接続することができる。
機能層720は、基板770および表示素子750(i,j)の間に挟まれる領域を備え
る(図6(A)参照)。
たは図7(A)参照)。
る。
膜BMと液晶材料を含む層753の間に挟まれる領域を備える。これにより、着色膜CF
1の厚さに基づく凹凸を平坦にすることができる。または、遮光膜BMまたは着色膜CF
1等から液晶材料を含む層753への不純物の拡散を、抑制することができる。
基板770は、基板570と重なる領域を備える。基板770は、基板570との間に機
能層520を挟む領域を備える。
封止材705は、基板570および基板770の間に挟まれる領域を備え、基板570お
よび基板770を貼り合わせる機能を備える。
。
表示素子750(i,j)は、機能膜770Aおよび機能膜770Bの間に挟まれる領域
を備える。
表示パネル700は、基板570、基板770、構造体KB1または封止材705を有す
る。
21C、絶縁膜518、絶縁膜516、絶縁膜506または絶縁膜501Cを有する。
は配線CSCOMを有する。
る。
料を含む層753または電極752(i,j)を有する。
絶縁膜771、機能膜770Aまたは機能膜770Bを有する。
作製工程中の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する材料を基板570に用いることがで
きる。例えば、厚さ0.7mm以下厚さ0.1mm以上の材料を基板570に用いること
ができる。具体的には、厚さ0.1mm程度まで研磨した材料を用いることができる。
mm)、第8世代(2200mm×2400mm)、第9世代(2400mm×2800
mm)、第10世代(2950mm×3400mm)等の面積が大きなガラス基板を基板
570に用いることができる。これにより、大型の表示装置を作製することができる。
ができる。例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を基板570に用いること
ができる。
ルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラス、石英またはサファイア等を、基板57
0に用いることができる。具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸窒化物
膜等を、基板570に用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、
酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を、基板570に用いることができる。ステ
ンレス・スチールまたはアルミニウム等を、基板570に用いることができる。
ンゲルマニウム等の化合物半導体基板、SOI基板等を基板570に用いることができる
。これにより、半導体素子を基板570に形成することができる。
ができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリ
カーボネートまたはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、基板570に用いる
ことができる。
た複合材料を基板570に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の金属、ガ
ラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散した複合材料を、基板570に用いること
ができる。例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した
複合材料を、基板570に用いることができる。
。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁膜等が積層された材料を、基板
570に用いることができる。具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純物の拡散を防
ぐ酸化シリコン層、窒化シリコン層または酸化窒化シリコン層等から選ばれた一または複
数の膜が積層された材料を、基板570に用いることができる。または、樹脂と樹脂を透
過する不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等
が積層された材料を、基板570に用いることができる。
ト若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルム、樹脂板または積層材料等を基板570に用い
ることができる。
リイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂もしくはシリ
コーン等のシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を基板570に用いることができる。
N)、ポリエーテルサルフォン(PES)またはアクリル等を基板570に用いることが
できる。または、シクロオレフィンポリマー(COP)、シクロオレフィンコポリマー(
COC)等を用いることができる。
また、例えば作製工程中に加わる熱に耐熱性を有する工程用の基板にトランジスタまたは
容量素子等を形成し、形成されたトランジスタまたは容量素子等を基板570に転置する
方法を用いることができる。これにより、例えば可撓性を有する基板にトランジスタまた
は容量素子等を形成できる。
例えば、基板570に用いることができる材料を基板770に用いることができる。例え
ば、基板570に用いることができる材料から選択された透光性を備える材料を、基板7
70に用いることができる。または、片側の表面に、例えば1μm以下の反射防止膜が形
成された材料を基板770に用いることができる。具体的には、誘電体を3層以上、好ま
しくは5層以上、より好ましくは15層以上積層した積層膜を基板770に用いることが
できる。これにより、反射率を0.5%以下好ましくは0.08%以下に抑制することが
できる。または、基板570に用いることができる材料から選択された複屈折が抑制され
た材料を、基板770に用いることができる。
パネルの使用者に近い側に配置される基板770に好適に用いることができる。これによ
り、使用に伴う表示パネルの破損や傷付きを防止することができる。
、トリアセチルセルロース(TAC)等の樹脂フィルムを、基板770に好適に用いるこ
とができる。これにより、重量を低減することができる。または、例えば、落下に伴う破
損等の発生頻度を低減することができる。
ができる。具体的には、厚さを薄くするために研磨した基板を用いることができる。これ
により、機能膜770Aを表示素子750(i,j)に近づけて配置することができる。
その結果、画像のボケを低減し、画像を鮮明に表示することができる。
例えば、有機材料、無機材料または有機材料と無機材料の複合材料を構造体KB1に用い
ることができる。これにより、所定の間隔を、構造体KB1等を挟む構成の間に設けるこ
とができる。
ト、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の複
合材料などを構造体KB1に用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形
成してもよい。
無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を封止材705に用いること
ができる。
ができる。
剤等の有機材料を封止材705に用いることができる。
ド樹脂、イミド樹脂、PVC(ポリビニルクロライド)樹脂、PVB(ポリビニルブチラ
ル)樹脂、EVA(エチレンビニルアセテート)樹脂等を含む接着剤を封止材705に用
いることができる。
例えば、絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料または無機材料と有機材料を含む絶縁性の
複合材料を、絶縁膜521A、絶縁膜521Bまたは絶縁膜521Cに用いることができ
る。
ばれた複数を積層した積層材料を、絶縁膜521A、絶縁膜521Bまたは絶縁膜521
Cに用いることができる。
またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を含む膜を、絶縁膜521A、絶縁膜
521Bまたは絶縁膜521Cに用いることができる。
より、特に窒化シリコン膜を絶縁膜521A、絶縁膜521B、絶縁膜521C等に好適
に用いることができる。
ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の積層材
料もしくは複合材料などを絶縁膜521A、絶縁膜521Bまたは絶縁膜521Cに用い
ることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。これにより、絶縁
膜521A、絶縁膜521B、絶縁膜521Cは、例えば、絶縁膜521A、絶縁膜52
1B、絶縁膜521Cと重なるさまざまな構造に由来する段差を平坦化することができる
。
特性において他の有機材料に比べて優れた特性を備える。これにより、特にポリイミドを
絶縁膜521A、絶縁膜521B、絶縁膜521C等に好適に用いることができる。
例えば、絶縁膜521A、絶縁膜521B、絶縁膜521Cに用いることができる材料を
絶縁膜518に用いることができる。
える材料を絶縁膜518に用いることができる。具体的には、窒化物絶縁膜を絶縁膜51
8に用いることができる。例えば、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化アルミニウム
、窒化酸化アルミニウム等を絶縁膜518に用いることができる。これにより、トランジ
スタの半導体膜への不純物の拡散を抑制することができる。例えば、トランジスタの半導
体膜に用いる酸化物半導体膜からトランジスタの外部への酸素の拡散を抑制することがで
きる。または、トランジスタの外部から酸化物半導体膜への水素または水等の拡散を抑制
することができる。
る。これにより、絶縁膜518に接する膜に水素または窒素を供給することができる。例
えば、酸化物半導体膜に接するように絶縁膜518を形成し、当該酸化物半導体膜に水素
または窒素を供給することができる。または、当該酸化物半導体膜に導電性を付与するこ
とができる。または、当該酸化物半導体膜を第2のゲート電極に用いることができる。
例えば、絶縁膜521A、絶縁膜521B、絶縁膜521Cに用いることができる材料を
絶縁膜516に用いることができる。具体的には、作製方法が異なる膜を積層した積層膜
を絶縁膜516に用いることができる。
リコンまたは酸化窒化シリコン等を含む第1の膜と、厚さが30nm以上500nm以下
、好ましくは50nm以上400nm以下の、酸化シリコンまたは酸化窒化シリコン等を
含む第2の膜とを積層した積層膜を、絶縁膜516に用いることができる。
来するg=2.001に現れる信号のスピン密度が3×1017spins/cm3以下
である膜を第1の膜に用いると好ましい。これにより、例えば、トランジスタの半導体膜
に用いる酸化物半導体膜を、絶縁膜の形成にともなう損傷から、保護することができる。
または、シリコンの欠陥に捉えられる酸素を低減することができる。または、酸素の透過
または移動を容易にすることができる。
由来するg=2.001に現れる信号のスピン密度が1.5×1018spins/cm
3未満、さらには1×1018spins/cm3以下である材料を第2の膜に用いると
好ましい。
例えば、絶縁膜521A、絶縁膜521B、絶縁膜521Cに用いることができる材料を
絶縁膜506に用いることができる。具体的には、酸素の透過を抑制する機能を備える第
1の膜と、酸素を供給する機能を備える第2の膜とを積層した積層膜を、絶縁膜506に
用いることができる。これにより、例えば、トランジスタの半導体膜に用いる酸化物半導
体膜に酸素を拡散することができる。
膜、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜
、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウ
ム膜または酸化ネオジム膜を含む膜を絶縁膜506に用いることができる。
成膜後に酸素を導入した膜を第2の膜に用いることができる。具体的には、イオン注入法
、イオンドーピング法、プラズマイマージョンイオン注入法、プラズマ処理等を用いて成
膜後に酸素を導入することができる。
例えば、絶縁膜521A、絶縁膜521B、絶縁膜521Cに用いることができる材料を
絶縁膜501Cに用いることができる。具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料を絶
縁膜501Cに用いることができる。これにより、画素回路または第2の表示素子等への
不純物の拡散を抑制することができる。
ことができる。
導電性を備える材料を配線等に用いることができる。具体的には、導電性を備える材料を
、信号線S1(j)、走査線G1(i)、配線CSCOM、導電膜ANO、端子519B
、導電膜511Bまたは導電膜511C等に用いることができる。
に用いることができる。
、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属
元素などを、配線等に用いることができる。または、上述した金属元素を含む合金などを
、配線等に用いることができる。特に、銅とマンガンの合金がウエットエッチング法を用
いた微細加工に好適である。
膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タン
タル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、
そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造
等を配線等に用いることができる。
ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を、配線等に用いることができる。
り、グラフェンを含む膜を形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方
法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。
むナノワイヤーを用いることができる。
PC1を電気的に接続することができる。
例えば、光の反射または透過を制御する機能を備える表示素子を、表示素子750(i,
j)に用いることができる。具体的には、液晶素子と偏光板を組み合わせた構成を表示素
子750(i,j)に用いることができる。
d Nematic)モード、FFS(Fringe Field Switching
)モード、ASM(Axially Symmetric aligned Micro
-cell)モード、OCB(Optically Compensated Bire
fringence)モード、FLC(Ferroelectric Liquid C
rystal)モード、AFLC(AntiFerroelectric Liquid
Crystal)モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用い
ることができる。
Vertical Alignment)モード、PVA(Patterned Ve
rtical Alignment)モード、ECB(Electrically Co
ntrolled Birefringence)モード、CPA(Continuou
s Pinwheel Alignment)モード、ASV(Advanced Su
per-View)モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用い
ることができる。
。液晶材料を含む層は、第1電極および第2電極の間の電圧を用いて配向を制御すること
ができる液晶材料を含む。例えば、液晶材料を含む層の厚さ方向(縦方向ともいう)、縦
方向と交差する方向(横方向または斜め方向ともいう)の電界を、液晶材料の配向を制御
する電界に用いることができる。
示素子を用いることにより、表示パネルの消費電力を抑制することができる。例えば、マ
イクロカプセル方式、電気泳動方式、エレクトロウエッティング方式などを用いる表示素
子を、表示素子750(i,j)に用いることができる。具体的には、反射型の液晶表示
素子を表示素子750(i,j)に用いることができる。
例えば、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶、強誘電性
液晶、反強誘電性液晶等を、液晶材料を含む層に用いることができる。または、コレステ
リック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す液
晶材料を用いることができる。または、ブルー相を示す液晶材料を用いることができる。
らに好ましくは1.0×1015Ω・cm以上の固有抵抗率を備える液晶材料を、液晶材
料を含む層753に用いる。これにより、表示素子750(i,j)の透過率の変動を抑
制することができる。または、表示素子750(i,j)のチラツキを抑制することがで
きる。または、表示素子750(i,j)の書き換える頻度を低減することができる。
例えば、配線等に用いる材料を電極751(i,j)または電極751(i+1,j)に
用いることができる。具体的には、透光性を備える材料または、反射性を備える導電膜を
電極751(i,j)または電極751(i+1,j)に用いることができる。例えば、
透光性を備える導電膜と、開口部を備える反射膜と、を積層した積層膜を電極751(i
,j)または電極751(i+1,j)に用いることができる。
例えば、配線等に用いることができる材料を、電極752(i,j)または電極752(
i+1,j)に用いることができる。具体的には、透光性を備える材料または、反射性を
備える導電膜を電極752(i,j)または電極752(i+1,j)に用いることがで
きる。
752(i,j)または電極752(i+1,j)に用いることができる。
i+1,j)に用いることができる。または、厚さ1nm以上10nm以下の金属薄膜を
電極752(i,j)または電極752(i+1,j)に用いることができる。また、銀
を含む金属ナノワイヤーを電極752(i,j)または電極752(i+1,j)に用い
ることができる。
ガリウムを添加した酸化亜鉛、アルミニウムを添加した酸化亜鉛などを、電極752(i
,j)または電極752(i+1,j)に用いることができる。
例えば、ポリイミド等を含む材料を配向膜AF1または配向膜AF2に用いることができ
る。具体的には、液晶材料が所定の方向に配向するようにラビング処理された材料または
光配向技術を用いて形成された材料を用いることができる。
できる。これにより、配向膜AF1を形成する際に必要とされる温度を低くすることがで
きる。その結果、配向膜AF1を形成する際に他の構成に与える損傷を軽減することがで
きる。
所定の色の光を透過する材料を着色膜CF1に用いることができる。これにより、着色膜
CF1を例えばカラーフィルターに用いることができる。
料を、着色膜CF1に用いることができる。これにより、着色膜CF1を透過する光のス
ペクトルの幅を狭くすることができ、表示を鮮やかにすることができる。
する材料を、着色膜CF1に用いることができる。具体的には、イエローの光を透過する
材料、マゼンタの光を透過する材料またはシアンの光を透過する材料を、着色膜CF1に
用いることができる。これにより、着色膜CF1に吸収される光のスペクトルの幅を狭く
することができ、表示を明るくすることができる。
例えば、光の透過を抑制する材料を遮光膜BMに用いることができる。これにより、遮光
膜BMを例えばブラックマトリクスに用いることができる。
ーボンブラックを分散した樹脂を遮光膜に用いることができる。
膜BMに用いることができる。具体的には、黒色クロム膜、酸化第2銅を含む膜、塩化銅
または塩化テルルなどを含む膜を遮光膜BMに用いることができる。
例えば、絶縁膜521A、絶縁膜521B、絶縁膜521Cに用いることができる材料を
絶縁膜771に用いることができる。
る。これにより、絶縁膜771は、例えば、絶縁膜771と重なるさまざまな構造に由来
する段差を平坦化することができる。
例えば、反射防止フィルム、偏光フィルム、位相差フィルム、光拡散フィルムまたは集光
フィルム等を機能膜770Aまたは機能膜770Bに用いることができる。
ルムを機能膜770Aに用いることができる。
膜(アンチ・リフレクション膜)、非光沢処理膜(アンチ・グレア膜)、使用に伴う傷の
発生を抑制するハードコート膜などを、機能膜770Aに用いることができる。
シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路GDに用いることができる。例えば
、トランジスタMD、容量素子等を駆動回路GDに用いることができる。具体的には、ス
イッチSW1に用いることができるトランジスタと同一の工程で形成することができる半
導体膜を備えるトランジスタを用いることができる。
MDに用いることができる。具体的には、半導体膜をゲート電極との間に挟む領域を備え
る導電膜524を有するトランジスタを、トランジスタMDに用いることができる(図6
(B)参照)。
MDに用いることができる。
例えば、同一の工程で形成することができる半導体膜を駆動回路および画素回路のトラン
ジスタに用いることができる。
回路のトランジスタまたは画素回路のトランジスタに用いることができる。
タの製造ラインは、酸化物半導体を半導体に用いるボトムゲート型のトランジスタの製造
ラインに容易に改造できる。また、例えばポリシリコンを半導体に用いるトップゲート型
のトランジスタの製造ラインは、酸化物半導体を半導体に用いるトップゲート型のトラン
ジスタの製造ラインに容易に改造できる。いずれの改造も、既存の製造ラインを有効に活
用することができる。
きる。具体的には、シリコンを含む半導体を半導体膜に用いることができる。例えば、単
結晶シリコン、ポリシリコン、微結晶シリコンまたはアモルファスシリコンなどを半導体
膜に用いたトランジスタを用いることができる。
晶シリコンを用いるトランジスタに比べて低い。
リコンを半導体に用いるトランジスタに比べて高い。これにより、画素の開口率を向上す
ることができる。また、極めて高い精細度で設けられた画素と、ゲート駆動回路およびソ
ース駆動回路を同一の基板上に形成することができる。その結果、電子機器を構成する部
品数を低減することができる。
に用いるトランジスタに比べて優れる。
ムヒ素を含む半導体を半導体膜に用いることができる。
ン類またはグラフェンを含む有機半導体を半導体膜に用いることができる。
には、インジウムを含む酸化物半導体またはインジウムとガリウムと亜鉛を含む酸化物半
導体を半導体膜に用いることができる。
いたトランジスタより小さいトランジスタを用いることができる。具体的には、酸化物半
導体を半導体膜に用いたトランジスタを用いることができる。
と比較して、画素回路が画像信号を保持することができる時間を長くすることができる。
具体的には、フリッカーの発生を抑制しながら、選択信号を30Hz未満、好ましくは1
Hz未満、より好ましくは一分に一回未満の頻度で供給することができる。その結果、表
示パネルの使用者に蓄積する疲労を低減することができる。また、駆動に伴う消費電力を
低減することができる。
例えば、トランジスタをスイッチSW1に用いることができる(図7(B)参照)。
を備える。
と電気的に接続される領域508Bを備える(図7(B)参照)。
08Cを備える。
膜506はゲート絶縁膜の機能を備える。
2Bはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の他方を備える。
を積層した導電膜を、導電膜504に用いることができる。なお、銅を含む膜は、絶縁膜
506との間に、タンタルおよび窒素を含む膜を挟む領域を備える。
含む厚さ200nmの膜とを積層した積層膜を、絶縁膜506に用いることができる。な
お、シリコンおよび窒素を含む膜は、半導体膜508との間に、シリコン、酸素および窒
素を含む膜を挟む領域を備える。
用いることができる。
また、導電膜524を有するトランジスタを、駆動回路または画素回路のトランジスタに
用いることができる(図6(B)参照)。
縁膜516は、導電膜524および半導体膜508の間に挟まれる領域を備える。また、
例えば、導電膜504Eと同じ電位を供給する配線に導電膜524を電気的に接続するこ
とができる。
を積層した導電膜を、導電膜504Eに用いることができる。なお、銅を含む膜は、絶縁
膜506との間に、タンタルおよび窒素を含む膜を挟む領域を備える。
膜と、チタンを含む厚さ100nmの膜とをこの順で積層した導電膜を、導電膜512C
または導電膜512Dに用いることができる。なお、タングステンを含む膜は、半導体膜
508と接する領域を備える。
本実施の形態で説明する表示パネルの構成例は、画素702(i,j)と、画素702(
i+1,j)と、機能層520と、を有する(図2(C)参照)。
画素702(i,j)は、画素回路530(i,j)および表示素子750(i,j)を
備える(図2(C)参照)。
+1,j)を備える。
750(i+1,j)と重なる領域を備え、機能層520は画素回路530(i,j)を
備え、機能層520は画素回路530(i+1,j)を備える。
表示素子750(i,j)は、第1の電極11、第2の電極12および液晶材料を含む層
753を備える。
料を含む層753と重なる領域を備え、第1の電極11は櫛歯状の形状を備える。例えば
、屈曲した櫛歯状の形状を第1の電極11に用いることができる(図8参照)。
料を含む層753と重なる領域を備え、第2の電極12は第1の電極11の櫛歯状の間隙
と重なる領域を備える(図2(C)参照)。また、第2の距離d2は第1の距離d1より
短い。
備える。
表示素子750(i+1,j)は、第3の電極13、第4の電極14および液晶材料を含
む層753を備える。例えば、第1の電極11に用いることができる材料を、第3の電極
13に用いることができる。また、第3の電極13は、第1の電極11を形成する工程に
おいて形成することができる。
液晶材料を含む層753と重なる領域を備え、第3の電極13は、櫛歯状の形状を備える
。
料を含む層753と重なる領域を備え、第4の電極14は第3の電極13の櫛歯状の間隙
と重なる領域を備える。また、第4の距離d4は第3の距離d3より短く、第3の距離d
3は第1の距離d1と等しい。
画素回路530(i,j)は、第1の電極11と電気的に接続される(図2(C)参照)
。なお、本実施の形態の画素の構成例10においては、第1の電極11が電極751(i
,j)であり、第2の電極12が電極752(i,j)である。
または、第1の電極および第2の電極の間に、所定の電界を形成することができる。また
は、液晶材料を含む層に含まれる液晶の配向を制御することができる。その結果、利便性
または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
画素回路530(i+1,j)は第3の電極13と電気的に接続される(図2(C)参照
)。なお、本実施の形態の画素の構成例11においては、第3の電極13が電極751(
i+1,j)であり、第4の電極14が電極752(i+1,j)である。
または、第3の電極および第4の電極の間に、所定の電界を形成することができる。また
は、液晶材料を含む層に含まれる液晶の配向を制御することができる。その結果、利便性
または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
本実施の形態で説明する表示パネル700は、画素702(i,j)と、画素702(i
+1,j)と、機能層520と、絶縁膜521Dと、を有する(図3参照)。
画素702(i,j)は、画素回路530(i,j)および表示素子750(i,j)を
備える。
+1,j)を備える。
750(i+1,j)と重なる領域を備え、機能層520は画素回路530(i,j)を
備え、機能層520は画素回路530(i+1,j)を備える。
表示素子750(i,j)は、第1の電極11、第2の電極12および液晶材料を含む層
753を備える。
料を含む層753と重なる領域を備え、第1の電極11は、櫛歯状の形状を備える。
料を含む層753と重なる領域を備え、第2の電極12は第1の電極11の櫛歯状の間隙
と重なる領域を備える。また、第2の距離d2は第1の距離d1より短い。
表示素子750(i+1,j)は、第3の電極13、第4の電極14および液晶材料を含
む層753を備える。
料を含む層753と重なる領域を備え、第3の電極13は櫛歯状の形状を備える。
料を含む層753と重なる領域を備え、第4の電極14は第3の電極13の櫛歯状の間隙
と重なる領域を備え、第4の電極14は第2の電極12と重なる領域を備える。また、第
4の距離d4は第3の距離d3より短い。
態の表示パネルの構成例3においては、第1の電極11が電極751(i,j)であり、
第2の電極12が電極752(i,j)である。
の形態の表示パネルの構成例3においては、第3の電極13が電極751(i+1,j)
であり、第4の電極14が電極752(i+1,j)である。
の電極および第4の電極の間に、所定の電界を形成することができる。または、液晶材料
を含む層に含まれる液晶の配向を制御することができる。その結果、利便性または信頼性
に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
図4(A)を参照しながら説明する表示パネルは、電極11および液晶材料を含む層75
3の間に絶縁膜521Cを備えない点が、図2(A)を参照しながら説明する表示パネル
の構成とは異なる。ここでは、異なる部分について詳細に説明し、同様の構成を用いるこ
とができる部分について上記の説明を援用する。
には、絶縁膜521B1より薄い酸化シリコンを含む膜を絶縁膜521B2に用いること
ができる。
を含む層753を備える。
ことができる。
図4(B)を参照しながら説明する表示パネルは、電極11および液晶材料を含む層75
3の間に絶縁膜521Cを備えない点と、電極11および電極12の間に絶縁膜521B
に代えて絶縁膜521Cを備える点とが、図2(A)を参照しながら説明する表示パネル
の構成とは異なる。ここでは、異なる部分について詳細に説明し、同様の構成を用いるこ
とができる部分について上記の説明を援用する。
を含む層753を備える。
ことができる。
図4(C)を参照しながら説明する表示パネルは、電極11および液晶材料を含む層75
3の間に絶縁膜521Cを備えない点と、電極14および絶縁膜521Bの間に絶縁膜5
21Eを備える点とが、図2(A)を参照しながら説明する表示パネルの構成とは異なる
。ここでは、異なる部分について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分に
ついて上記の説明を援用する。
できる。
4の電極を形成する際に用いるレジストマスクと同一のレジストマスクを用いて絶縁膜5
21Eを形成することができる。
を含む層753を備える。
図21を参照しながら説明する表示パネルは、櫛歯状の電極11が備える間隙と重なるよ
うに配置された櫛歯状の導電膜を電極12に用いる点と、画素回路530(i,j)が備
えるトランジスタのソース電極またはドレイン電極と同じ工程で形成することができる導
電膜を電極12に用いる点とが、図2を参照しながら説明する表示パネルの構成とは異な
る。
なるように配置された櫛歯状の導電膜を電極14に用いる点が、図2を参照しながら説明
する表示パネルの構成とは異なる。なお、図21(B)を参照しながら説明する表示パネ
ルは、画素回路530(i+1,j)が備えるトランジスタのソース電極またはドレイン
電極と同じ工程で形成することができる導電膜を、電極14に用いる点が、図2(B)を
参照しながら説明する表示パネルの構成とは異なる。
図22を参照しながら説明する表示パネルは、画素回路530(i,j)が備えるトラン
ジスタのゲート電極と同じ工程で形成することができる導電膜を電極12に用いる点が、
図21を参照しながら説明する表示パネルの構成とは異なる。
。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成について、図11および図12を参
照しながら説明する。
る。図12(B-1)乃至図12(B-3)は本発明の一態様の表示装置の外観を説明す
る図である。
本実施の形態で説明する表示装置は、表示パネル700と、制御部238と、を有する(
図11参照)。例えば、実施の形態1で説明する表示パネルを表示パネル700に用いる
ことができる。または、表示パネル700Bを用いることができる。
制御部238は、画像情報V1および制御情報SSを供給される機能を備える。
御部238は、第1の情報V11を供給する機能を備える。
きる。
表示パネル700は、第1の情報V11を供給される機能を備える。
素子750(i,j)を備える。具体的には、透過型の表示素子を表示素子750(i,
j)に用いることができる。これにより、第1の情報V11に基づいて、バックライト7
00BLから供給された光の透過を制御して、画像情報を表示することができる。
たは信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。
B-2)参照)またはノートブックコンピュータ(図12(B-3)参照)などを提供す
ることができる。
伸張回路234は、圧縮された状態で供給される画像情報V1を伸張する機能を備える。
伸張回路234は、記憶部を備える。記憶部は、例えば伸張された画像情報を記憶する機
能を備える。
画像処理回路235Mは、例えば、領域を備える。
して情報V11を生成する機能と、情報V11を供給する機能と、を備える。具体的には
、表示素子750(i,j)が良好な画像を表示するように、情報V11を生成する機能
を備える。
バックライト700BLは、表示パネル700に光を供給する機能を備える。
できる。具体的には、量子ドットを蛍光体に用いた発光ダイオードを用いることができる
。これにより、半値幅が狭く、鮮やかな色の光を発することができる。
えることができる。具体的には、バックライト700BLが射出する光を画素702(i
,j)に集光するように配設してレンズを用いることができる。これにより、バックライ
ト700BLが射出する光を有効に利用することができる。
。
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置の構成について、図13を参照しながら
説明する。
本実施の形態で説明する入出力装置は、入力部240と、表示部230と、を有する(図
13参照)。例えば、実施の形態1に記載の表示パネル700を表示部230に用いるこ
とができる。
を検知する機能を備える。
入力部240は検知領域241を備える。入力部240は発振回路OSCおよび検知回路
DCを備えることができる(図13参照)。
検知領域241は、例えば、単数または複数の検知素子を備えることができる。
他の一群の検知素子775(1,h)乃至検知素子775(p,h)と、を有する(図1
3参照)。なお、gは1以上p以下の整数であり、hは1以上q以下の整数であり、pお
よびqは1以上の整数である。
,h)を含み、行方向(図中に矢印R2で示す方向)に配設される。なお、図13に矢印
R2で示す方向は、図13に矢印R1で示す方向と同じであっても良いし、異なっていて
もよい。
775(g,h)を含み、行方向と交差する列方向(図中に矢印C2で示す方向)に配設
される。
検知素子は近接するポインタを検知する機能を備える。例えば、指やスタイラスペン等を
ポインタに用いることができる。例えば、金属片またはコイル等を、スタイラスペンに用
いることができる。
ンサ、抵抗膜方式の近接センサなどを、検知素子に用いることができる。
、スタイラスペンを検知する検知素子とを、併用することができる。これにより、ポイン
タの種類を判別することができる。または、判別したポインタの種類に基づいて、異なる
命令を検知情報に関連付けることができる。具体的には、ポインタに指を用いたと判別し
た場合は、検知情報をジェスチャーと関連付けることができる。または、ポインターにス
タイラスペンを用いたと判別した場合は、検知情報を描画処理と関連付けることができる
。
きる。または、電磁誘導方式または光学方式の近接センサを用いて、スタイラスペンを検
知することができる。
。
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力パネルの構成について、図14乃至図15を
参照しながら説明する。
る図である。図14(A)は入出力パネルの上面図である。図14(B)および図14(
C)は図14(A)の一部を説明する投影図である。
る図である。図15(A)は制御線および検知信号線が隣接する部分の上面図である。図
15(B)は隣接部に生じる電界を模式的に説明する投影図である。
本実施の形態で説明する入出力パネルは、検知領域241を有する点が、例えば、実施の
形態1において説明する表示パネル700とは異なる。ここでは、異なる部分について詳
細に説明し、同様の構成を用いることができる部分について上記の説明を援用する。
検知領域241は、制御線CL(g)、検知信号線ML(h)および検知素子775(g
,h)を備える(図13参照)。
を供給される機能を備える。
検知素子775(g,h)は、制御線CL(g)および検知信号線ML(h)と電気的に
接続される(図13、図14(A)および図14(B)参照)。
するものとの距離に基づいて変化する検知信号を供給する機能を備える(図15(B)参
照)。
14(B)参照)。
極11または第2の電極12のうち、画素回路530(i,j)と電気的に接続されてい
ない方を含む(図15(A)参照)。例えば、画素回路と電気的に接続されていない電極
752(i,j)を含む複数の電極を制御電極C(g)に用いることができる。
備える電極のうち、画素回路と電気的に接続されていない方の複数を電気的に接続して、
制御電極C(g)または制御線CL(g)に用いることができる(図15(B)参照)。
の電極13または第4の電極14のうち、画素回路530(i+1,j)と電気的に接続
されていない方を含む(図15(A)参照)。例えば、画素回路と電気的に接続されてい
ない電極752(i+1,j)を含む複数の電極を検知電極M(h)に用いることができ
る。
備える電極のうち、画素回路と電気的に接続されていない方の複数を電気的に接続して、
検知電極M(h)または検知信号線ML(h)に用いることができる(図15(B)参照
)。
に用いることができる電極752(i,j)と、検知信号線ML(h)に用いることがで
きる電極752(i+1,j)と、検知信号線ML(h+1)に用いることができる電極
752(i-1,j+1)とは、隣接部X0において互いに隣接する(図15(A)参照
)。
られる電界を、制御電極CL(j)との間に形成するように配置される(図15(B)参
照)。例えば、画素702(i,j)の近傍にある制御電極C(g)と検知電極M(h)
の間に形成される電界の一部は、近接する指等によって遮られる。
を、複数の領域に仕分けることができる。または、複数の領域に異なる電位を供給するこ
とができる。または、複数の領域に仕分けた電極を、検知素子の電極に用いることができ
る。または、異なる電位を制御線に供給することができる。または、検知信号を検知信号
線に供給することができる。または、インセル型の入出力パネルを提供することができる
。または、入出力パネルを構成する部材を削減することができる。
知することができる。または、表示部に近接させる指などをポインタに用いて、位置情報
を入力することができる。または、位置情報を表示部に表示する画像情報に関連付けるこ
とができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することが
できる。
発振回路OSCは、制御線CL(g)と電気的に接続され、制御信号を供給する機能を備
える。例えば、矩形波、のこぎり波また三角波等を制御信号に用いることができる。
検知回路DCは、検知信号線ML(h)と電気的に接続され、検知信号線ML(h)の電
位の変化に基づいて検知信号を供給する機能を備える。なお、検知信号は、例えば、位置
情報P1を含む。
例えば、実施の形態1において説明する表示パネルを表示部230に用いることができる
。または、実施の形態2において説明する表示装置を表示部230に用いることができる
。
検知素子775(g,h)は、制御電極C(g)および検知信号線ML(h)を備える(
図15(A)参照)。
と重なる領域に開口部を備える導電膜を、制御電極C(g)または検知電極M(h)に用
いることができる。これにより、表示パネルの表示を遮ることなく、表示パネルと重なる
領域に近接するものを検知することができる。
)と、他の一群の検知素子775(1,h)乃至検知素子775(p,h)と、を有する
(図14(A)参照)。なお、gは1以上p以下の整数であり、hは1以上q以下の整数
であり、pおよびqは1以上の整数である。
,h)を含み、行方向(図中に矢印R2で示す方向)に配設される。なお、図14(A)
に矢印R2で示す方向は、図13に矢印R1で示す方向と同じであっても良いし、異なっ
ていてもよい。
775(g,h)を含み、行方向と交差する列方向(図中に矢印C2で示す方向)に配設
される。
制御線CL(g)と電気的に接続される制御電極C(g)を含む。例えば、制御線CL(
g)に用いる導電膜と同一の導電膜を制御電極C(g)に用いることができる。これによ
り、制御線CL(g)を制御電極C(g)と一体にすることができる。
は、検知信号線ML(h)と電気的に接続される検知電極M(h)を含む。例えば、検知
信号線ML(h)に用いる導電膜と同一の導電膜を検知電極M(h)に用いることができ
る。これにより、検知信号線ML(h)を検知電極M(h)と一体にすることができる。
)参照)。導電膜BR(g,h)は、制御線CL(g)と重なる領域を備える。
導電膜BR(g,h)の間に挟まれる領域を備える。これにより、制御線CL(g)およ
び導電膜BR(g,h)の短絡を防止することができる。
。
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図16乃至図18を
参照しながら説明する。
6(B)および図16(C)は、情報処理装置200の外観の一例を説明する投影図であ
る。
は、本発明の一態様のプログラムの主の処理を説明するフローチャートであり、図17(
B)は、割り込み処理を説明するフローチャートである。
である。図18(B)は、動作を説明する模式図である。
本実施の形態で説明する情報処理装置200は、入出力装置220と、演算装置210と
、を有する(図16(A)参照)。入出力装置は、演算装置210と電気的に接続される
。また、情報処理装置200は筐体を備えることができる(図16(B)または図16(
C)参照)。
出力装置220は検知部250を備える。また、入出力装置220は通信部290を備え
ることができる。
P1または検知情報S1を供給する機能を備える。
210は画像情報V1を供給する機能を備える。演算装置210は、例えば、位置情報P
1または検知情報S1に基づいて動作する機能を備える。
筐体は表示部230または演算装置210を支持する機能を備える。
御情報SSに基づいて画像を表示する機能を備える。
理装置200が使用される環境の照度を検出する機能を備え、照度情報を供給する機能を
備える。
筐体が受ける光の強さを把握して動作することができる。または、情報処理装置の使用者
は、表示方法を選択することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情
報処理装置を提供することができる。
確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合がある
。例えばタッチセンサが表示パネルに重ねられたタッチパネルは、表示部であるとともに
入力部でもある。
本発明の一態様の情報処理装置200は、筐体または演算装置210を有する。
ス215を備える。
備える。
本発明の一態様の情報処理装置は、演算装置210または入出力装置220を備える。
演算装置210は、演算部211および記憶部212を備える。また、伝送路214およ
び入出力インターフェース215を備える。
演算部211は、例えばプログラムを実行する機能を備える。
記憶部212は、例えば演算部211が実行するプログラム、初期情報、設定情報または
画像等を記憶する機能を有する。
を用いたメモリ等を用いることができる。
入出力インターフェース215は端子または配線を備え、情報を供給し、情報を供給され
る機能を備える。例えば、伝送路214と電気的に接続することができる。また、入出力
装置220と電気的に接続することができる。
出力インターフェース215と電気的に接続することができる。また、演算部211、記
憶部212または入出力インターフェース215と電気的に接続することができる。
入出力装置220は、表示部230、入力部240、検知部250または通信部290を
備える。例えば、実施の形態3において説明する入出力装置を用いることができる。これ
により、消費電力を低減することができる。
表示部230は、制御部238と、駆動回路GDと、駆動回路SDと、表示パネル700
と、を有する(図11参照)。例えば、実施の形態2で説明する表示装置を表示部230
に用いることができる。
さまざまなヒューマンインターフェイス等を入力部240に用いることができる(図16
参照)。
いることができる。なお、表示部230に重なる領域を備えるタッチセンサを用いること
ができる。表示部230と表示部230に重なる領域を備えるタッチセンサを備える入出
力装置を、タッチパネルまたはタッチスクリーンということができる。
ップ、ドラッグ、スワイプまたはピンチイン等)をすることができる。
し、解析結果が所定の条件を満たすとき、特定のジェスチャーが供給されたとすることが
できる。これにより、使用者は、所定のジェスチャーにあらかじめ関連付けられた所定の
操作命令を、当該ジェスチャーを用いて供給できる。
チパネルに沿ってタッチパネルに接触する指を移動するジェスチャーを用いて供給できる
。
検知部250は、周囲の状態を検知して検知情報を供給する機能を備える。具体的には、
照度情報、姿勢情報、圧力情報、位置情報等を供給できる。
ositioning System)信号受信回路、圧力センサ、温度センサ、湿度セ
ンサまたはカメラ等を、検知部250に用いることができる。
通信部290は、ネットワークに情報を供給し、ネットワークから情報を取得する機能を
備える。
本発明の一態様のプログラムは、下記のステップを有する(図17(A)参照)。
第1のステップにおいて、設定を初期化する(図17(A)(S1)参照)。
当該画像情報を表示する所定の表示方法を特定する情報と、を記憶部212から取得する
。具体的には、一の静止画像情報または他の動画像情報を所定の画像情報に用いることが
できる。また、第1のモードまたは第2のモードを所定のモードに用いることができる。
第2のステップにおいて、割り込み処理を許可する(図17(A)(S2)参照)。なお
、割り込み処理が許可された演算装置は、主の処理と並行して割り込み処理を行うことが
できる。割り込み処理から主の処理に復帰した演算装置は、割り込み処理をして得た結果
を主の処理に反映することができる。
から復帰する際に、カウンタを初期値以外の値としてもよい。これにより、プログラムを
起動した後に常に割り込み処理をさせることができる。
第3のステップにおいて、第1のステップまたは割り込み処理において選択された、所定
のモードまたは所定の表示方法を用いて画像情報を表示する(図17(A)(S3)参照
)。なお、所定のモードは情報を表示するモードを特定し、所定の表示方法は画像情報を
表示する方法を特定する。また、例えば、画像情報V1または情報V11を表示する情報
に用いることができる。
または、画像情報V1を表示する他の方法を第2のモードに関連付けることができる。こ
れにより、選択されたモードに基づいて表示方法を選択することができる。
具体的には、30Hz以上、好ましくは60Hz以上の頻度で一の走査線に選択信号を供
給し、選択信号に基づいて表示をする方法を、第1のモードに関連付けることができる。
の動きを滑らかに表示することができる。
作に滑らかに追従するように変化する画像を、使用者が操作中の情報処理装置200に表
示することができる。
具体的には、30Hz未満、好ましくは1Hz未満、より好ましくは一分に一回未満の頻
度で一の走査線に選択信号を供給し、選択信号に基づいて表示をする方法を、第2のモー
ドに関連付けることができる。
を供給すると、フリッカーまたはちらつきが抑制された表示をすることができる。また、
消費電力を低減することができる。
頻度等で表示を更新することができる。
第4のステップにおいて、終了命令が供給された場合は第5のステップに進み、終了命令
が供給されなかった場合は第3のステップに進むように選択する(図17(A)(S4)
参照)。
第5のステップにおいて、終了する(図17(A)(S5)参照)。
割り込み処理は以下の第6のステップ乃至第8のステップを備える(図17(B)参照)
。
第6のステップにおいて、例えば、検知部250を用いて、情報処理装置200が使用さ
れる環境の照度を検出する(図17(B)(S6)参照)。なお、環境の照度に代えて環
境光の色温度や色度を検出してもよい。
第7のステップにおいて、検出した照度情報に基づいて表示方法を決定する。(図17(
B)(S7)参照)。例えば、表示の明るさを暗すぎないように、または明るすぎないよ
うに決定する。
色味を調節してもよい。
第8のステップにおいて、割り込み処理を終了する(図17(B)(S8)参照)。
本発明の一態様の情報処理装置の別の構成について、図18を参照しながら説明する。
(A)は、図17(B)に示す割り込み処理とは異なる割り込み処理を説明するフローチ
ャートである。
するステップを割り込み処理に有する点が、図17(B)を参照しながら説明する割り込
み処理とは異なる。ここでは、異なる部分について詳細に説明し、同様の構成を用いるこ
とができる部分について上記の説明を援用する。
割り込み処理は以下の第6のステップ乃至第8のステップを備える(図18(A)参照)
。
第6のステップにおいて、所定のイベントが供給された場合は、第7のステップに進み、
所定のイベントが供給されなかった場合は、第8のステップに進む(図18(A)(U6
)参照)。例えば、所定の期間に所定のイベントが供給されたか否かを条件に用いること
ができる。具体的には、5秒以下、1秒以下または0.5秒以下好ましくは0.1秒以下
であって0秒より長い期間を所定の期間とすることができる。
第7のステップにおいて、モードを変更する(図18(A)(U7)参照)。具体的には
、第1のモードを選択していた場合は、第2のモードを選択し、第2のモードを選択して
いた場合は、第1のモードを選択する。
的には、駆動回路GDA、駆動回路GDB、および駆動回路GDCを備える表示部230
の駆動回路GDBが選択信号を供給する領域について、表示モードを変更することができ
る(図18(B)参照)。
供給された場合に、当該領域の表示モードを変更することができる。具体的には、駆動回
路GDBが供給する選択信号の頻度を変更することができる。これにより、例えば、駆動
回路GDBが選択信号を供給する領域の表示を、駆動回路GDAおよび駆動回路GDCを
動作することなく更新することができる。または、駆動回路が消費する電力を抑制するこ
とができる。
第8のステップにおいて、割り込み処理を終了する(図18(A)(U8)参照)。なお
、主の処理を実行している期間に割り込み処理を繰り返し実行してもよい。
例えば、マウス等のポインティング装置を用いて供給する、「クリック」や「ドラッグ」
等のイベント、指等をポインタに用いてタッチパネルに供給する、「タップ」、「ドラッ
グ」または「スワイプ」等のイベントを用いることができる。
度等を用いて、所定のイベントに関連付けられた命令の引数を与えることができる。
をイベントに用いることができる。
等を検知部250に用いることができる。
例えば、終了命令を、特定のイベントに関連付けることができる。
り命令」を、所定のイベントに関連付けることができる。なお、「ページめくり命令」を
実行する際に用いるページをめくる速度などを決定する引数を、所定のイベントを用いて
与えることができる。
他の部分を表示する「スクロール命令」などを、所定のイベントに関連付けることができ
る。なお、「スクロール命令」を実行する際に用いる表示を移動する速度などを決定する
引数を、所定のイベントを用いて与えることができる。
に関連付けることができる。なお、生成する画像の明るさを決定する引数を所定のイベン
トに関連付けることができる。また、生成する画像の明るさを決定する引数を、検知部2
50が検知する環境の明るさに基づいて決定してもよい。
る命令などを、所定のイベントに関連付けることができる。
もよい。具体的には、ユーザーが特定の教室、学校、会議室、企業、建物等の内部または
領域にいる場合に、情報を取得する資格を有すると判断してもよい。これにより、例えば
、学校または大学等の教室で配信される教材を受信して、情報処理装置200を教科書等
に用いることができる(図16(C)参照)。または、企業等の会議室で配信される資料
を受信して、会議資料に用いることができる。
。
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図19および図20
を参照しながら説明する。
9(A)は情報処理装置のブロック図であり、図19(B)乃至図19(E)は情報処理
装置の構成を説明する斜視図である。また、図20(A)乃至図20(E)は情報処理装
置の構成を説明する斜視図である。
本実施の形態で説明する情報処理装置5200Bは、演算装置5210と、入出力装置5
220とを、有する(図19(A)参照)。
供給する機能を備える。
90、操作情報を供給する機能および画像情報を供給される機能を備える。また、入出力
装置5220は、検知情報を供給する機能、通信情報を供給する機能および通信情報を供
給される機能を備える。
理装置5200Bの使用者の操作に基づいて操作情報を供給する。
、音声入力装置、視線入力装置などを、入力部5240に用いることができる。
態1において説明する表示パネルを表示部5230に用いることができる。
いる周辺の環境を検知して、検知情報として供給する機能を備える。
部5250に用いることができる。
通信または有線通信により、他の電子機器または通信網と接続する機能を備える。具体的
には、無線構内通信、電話通信、近距離無線通信などの機能を備える。
例えば、円筒状の柱などに沿った外形を表示部5230に適用することができる(図19
(B)参照)。また、使用環境の照度に応じて、表示の明るさを変更する機能を備える。
また、人の存在を検知して、表示内容を変更する機能を備える。これにより、例えば、建
物の柱に設置することができる。または、広告または案内等を表示することができる。ま
たは、デジタル・サイネージ等に用いることができる。
例えば、使用者が使用するポインタの軌跡に基づいて画像情報を生成する機能を備える(
図19(C)参照)。具体的には、対角線の長さが20インチ以上、好ましくは40イン
チ以上、より好ましくは55インチ以上の表示パネルを用いることができる。または、複
数の表示パネルを並べて1つの表示領域に用いることができる。または、複数の表示パネ
ルを並べてマルチスクリーンに用いることができる。これにより、例えば、電子黒板、電
子掲示板、電子看板等に用いることができる。
例えば、使用環境の照度に応じて、表示の明るさを変更する機能を備える(図19(D)
参照)。これにより、例えば、スマートウオッチの消費電力を低減することができる。ま
たは、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像
をスマートウオッチに表示することができる。
表示部5230は、例えば、筐体の側面に沿って緩やかに曲がる曲面を備える(図19(
E)参照)。または、表示部5230は表示パネルを備え、表示パネルは、例えば、前面
、側面および上面に表示する機能を備える。これにより、例えば、携帯電話の前面だけで
なく、側面および上面に画像情報を表示することができる。
例えば、使用環境の照度に応じて、表示の明るさを変更する機能を備える(図20(A)
参照)。これにより、スマートフォンの消費電力を低減することができる。または、例え
ば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をスマート
フォンに表示することができる。
例えば、使用環境の照度に応じて、表示の明るさを変更する機能を備える(図20(B)
参照)。これにより、晴天の日に屋内に差し込む強い外光が当たっても好適に使用できる
ように、映像をテレビジョンシステムに表示することができる。
例えば、使用環境の照度に応じて、表示の明るさを変更する機能を備える(図20(C)
参照)。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用でき
るように、画像をタブレットコンピュータに表示することができる。
例えば、使用環境の照度に応じて、表示の明るさを変更する機能を備える(図20(D)
参照)。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に閲覧でき
るように、被写体をデジタルカメラに表示することができる。
例えば、使用環境の照度に応じて、表示の明るさを変更する機能を備える(図20(E)
参照)。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用でき
るように、画像をパーソナルコンピュータに表示することができる。
。
合は、XとYとが電気的に接続されている場合と、XとYとが機能的に接続されている場
合と、XとYとが直接接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとする
。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず
、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に記載されているものと
する。
、など)であるとする。
とする素子(例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイ
オード、表示素子、発光素子、負荷など)が、XとYとの間に接続されていない場合であ
り、XとYとの電気的な接続を可能とする素子(例えば、スイッチ、トランジスタ、容量
素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など)を介さずに
、XとYとが、接続されている場合である。
とする素子(例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイ
オード、表示素子、発光素子、負荷など)が、XとYとの間に1個以上接続されることが
可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、スイ
ッチは、導通状態(オン状態)、または、非導通状態(オフ状態)になり、電流を流すか
流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択し
て切り替える機能を有している。なお、XとYとが電気的に接続されている場合は、Xと
Yとが直接的に接続されている場合を含むものとする。
とする回路(例えば、論理回路(インバータ、NAND回路、NOR回路など)、信号変
換回路(DA変換回路、AD変換回路、ガンマ補正回路など)、電位レベル変換回路(電
源回路(昇圧回路、降圧回路など)、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など)
、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路(信号振幅または電流量などを大きく出来る
回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など)、信号生成
回路、記憶回路、制御回路など)が、XとYとの間に1個以上接続されることが可能であ
る。なお、一例として、XとYとの間に別の回路を挟んでいても、Xから出力された信号
がYへ伝達される場合は、XとYとは機能的に接続されているものとする。なお、XとY
とが機能的に接続されている場合は、XとYとが直接的に接続されている場合と、XとY
とが電気的に接続されている場合とを含むものとする。
が電気的に接続されている場合(つまり、XとYとの間に別の素子又は別の回路を挟んで
接続されている場合)と、XとYとが機能的に接続されている場合(つまり、XとYとの
間に別の回路を挟んで機能的に接続されている場合)と、XとYとが直接接続されている
場合(つまり、XとYとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合)と
が、本明細書等に開示されているものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示
的に記載されている場合は、単に、接続されている、とのみ明示的に記載されている場合
と同様な内容が、本明細書等に開示されているものとする。
さず)、Xと電気的に接続され、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)が、Z
2を介して(又は介さず)、Yと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース
(又は第1の端子など)が、Z1の一部と直接的に接続され、Z1の別の一部がXと直接
的に接続され、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)が、Z2の一部と直接的
に接続され、Z2の別の一部がYと直接的に接続されている場合では、以下のように表現
することが出来る。
の端子など)とは、互いに電気的に接続されており、X、トランジスタのソース(又は第
1の端子など)、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)、Yの順序で電気的に
接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース(又は第
1の端子など)は、Xと電気的に接続され、トランジスタのドレイン(又は第2の端子な
ど)はYと電気的に接続され、X、トランジスタのソース(又は第1の端子など)、トラ
ンジスタのドレイン(又は第2の端子など)、Yは、この順序で電気的に接続されている
」と表現することができる。または、「Xは、トランジスタのソース(又は第1の端子な
ど)とドレイン(又は第2の端子など)とを介して、Yと電気的に接続され、X、トラン
ジスタのソース(又は第1の端子など)、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など
)、Yは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様
な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トラン
ジスタのソース(又は第1の端子など)と、ドレイン(又は第2の端子など)とを、区別
して、技術的範囲を決定することができる。
は、少なくとも第1の接続経路を介して、Xと電気的に接続され、前記第1の接続経路は
、第2の接続経路を有しておらず、前記第2の接続経路は、トランジスタを介した、トラ
ンジスタのソース(又は第1の端子など)とトランジスタのドレイン(又は第2の端子な
ど)との間の経路であり、前記第1の接続経路は、Z1を介した経路であり、トランジス
タのドレイン(又は第2の端子など)は、少なくとも第3の接続経路を介して、Yと電気
的に接続され、前記第3の接続経路は、前記第2の接続経路を有しておらず、前記第3の
接続経路は、Z2を介した経路である。」と表現することができる。または、「トランジ
スタのソース(又は第1の端子など)は、少なくとも第1の接続経路によって、Z1を介
して、Xと電気的に接続され、前記第1の接続経路は、第2の接続経路を有しておらず、
前記第2の接続経路は、トランジスタを介した接続経路を有し、トランジスタのドレイン
(又は第2の端子など)は、少なくとも第3の接続経路によって、Z2を介して、Yと電
気的に接続され、前記第3の接続経路は、前記第2の接続経路を有していない。」と表現
することができる。または、「トランジスタのソース(又は第1の端子など)は、少なく
とも第1の電気的パスによって、Z1を介して、Xと電気的に接続され、前記第1の電気
的パスは、第2の電気的パスを有しておらず、前記第2の電気的パスは、トランジスタの
ソース(又は第1の端子など)からトランジスタのドレイン(又は第2の端子など)への
電気的パスであり、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)は、少なくとも第3
の電気的パスによって、Z2を介して、Yと電気的に接続され、前記第3の電気的パスは
、第4の電気的パスを有しておらず、前記第4の電気的パスは、トランジスタのドレイン
(又は第2の端子など)からトランジスタのソース(又は第1の端子など)への電気的パ
スである。」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成
における接続経路について規定することにより、トランジスタのソース(又は第1の端子
など)と、ドレイン(又は第2の端子など)とを、区別して、技術的範囲を決定すること
ができる。
、Y、Z1、Z2は、対象物(例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、
層、など)であるとする。
る場合であっても、1つの構成要素が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もあ
る。例えば配線の一部が電極としても機能する場合は、一の導電膜が、配線の機能、及び
電極の機能の両方の構成要素の機能を併せ持っている。したがって、本明細書における電
気的に接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場
合も、その範疇に含める。
M(h) 電極
CL(g) 制御線
ML(h) 信号線
DC 検知回路
OSC 発振回路
P1 位置情報
BM 遮光膜
SD 駆動回路
GD 駆動回路
GDA 駆動回路
GDB 駆動回路
ANO 導電膜
BR(g,h) 導電膜
SS 制御情報
CSCOM 配線
ACF1 導電材料
AF1 配向膜
AF2 配向膜
C11 容量素子
CF1 着色膜
G1(i) 走査線
KB1 構造体
S1 検知情報
S1(j) 信号線
SW1 スイッチ
V1 画像情報
V11 情報
VCOM1 配線
FPC1 フレキシブルプリント基板
11 電極
12 電極
13 電極
14 電極
200 情報処理装置
210 演算装置
211 演算部
212 記憶部
214 伝送路
215 入出力インターフェース
220 入出力装置
230 表示部
231 表示領域
234 伸張回路
235M 画像処理回路
238 制御部
240 入力部
241 検知領域
250 検知部
290 通信部
501C 絶縁膜
504 導電膜
506 絶縁膜
508 半導体膜
508A 領域
508B 領域
508C 領域
511B 導電膜
511C 導電膜
512A 導電膜
512B 導電膜
516 絶縁膜
518 絶縁膜
519B 端子
520 機能層
521 絶縁膜
521A 絶縁膜
521B 絶縁膜
524 導電膜
530(i,j) 画素回路
570 基板
591A 開口部
700 表示パネル
700B 表示パネル
702(i,j) 画素
705 封止材
720 機能層
750(i,j) 表示素子
752 電極
753 液晶材料を含む層
770 基板
770A 機能膜
770B 機能膜
771 絶縁膜
775(g,h) 検知素子
5200B 情報処理装置
5210 演算装置
5220 入出力装置
5230 表示部
5240 入力部
5250 検知部
5290 通信部
Claims (1)
- 第1の画素と、第2の画素と、を有し、
前記第1の画素は、第1のトランジスタ及び第1の表示素子を有し、
前記第2の画素は、第2のトランジスタ及び第2の表示素子を有し、
前記第1の表示素子は、第1の電極と、前記第1の電極上の第2の電極と、前記第2の電極上の液晶材料を含む層と、を有し、
前記第2の電極は、櫛歯状の形状を有し、
前記第1の電極は、前記第2の電極の櫛歯状の間隙と重なる領域を有し、
前記第2の表示素子は、第3の電極と、前記第3の電極上の第4の電極と、前記第4の電極上の前記液晶材料を含む層と、を有し、
前記第4の電極は、櫛歯状の形状を有し、
前記第3の電極は、前記第4の電極の櫛歯状の間隙と重なる領域を有し、
前記第2の電極と前記第3の電極とは、同一の絶縁表面上に接するように配置されている、
表示パネル。
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