JP2022174174A - 表示パネル - Google Patents

Abstract

【課題】利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供する。【解決手段】第１の画素と、第２の画素と、機能層を有する表示パネルであって、第１の画素は第１の表示素子を備え、第２の画素は第２の表示素子を備える。機能層は第１の画素回路、第２の画素回路を備える。第１の表示素子は、第１の電極、第２の電極および液晶材料を含む層を備える。第１の電極は機能層との間に第１の距離を備え、第２の電極は機能層との間に第２の距離を備え、第１の電極および第２の電極は液晶材料を含む層と重なる領域を備え、第２の距離は第１の距離より短い。第２の表示素子は、第３の電極、第４の電極および前記液晶材料を含む層を備える。第３の電極は機能層との間に第３の距離を備え、第４の電極は機能層との間に第４の距離を備え、第４の距離は第３の距離より短く、第１の距離より長い。【選択図】図２

Description

本発明の一態様は、表示パネル、表示装置、入出力装置または情報処理装置に関する。

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の
一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明
の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・
オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明
の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、
それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。

積層された表示画素における駆動線及び感知線のようなタッチ信号線並びに接地領域など
の回路素子を共にグループ化し、ディスプレイ上又はその近傍のタッチを感知するタッチ
感知回路を形成する構成が知られている（特許文献１）。

液晶表示素子に元々備えられている表示用の共通電極を、一対のタッチセンサ用電極のう
ちの一方（駆動電極）として兼用し、他方の電極（センサ用検出電極）は新たに形成する
構成が知られている（特許文献２）。

特開２０１１－１９７６８５号公報 特開２００９－２４４９５８号公報

本発明の一態様は、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することを課題
の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することを課題
の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することを課
題の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供すること
を課題の一とする。または、新規な表示パネル、新規な表示装置、新規な入出力装置、新
規な情報処理装置または新規な半導体装置を提供することを課題の一とする。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

（１）本発明の一態様は、第１の画素と、第２の画素と、機能層を有する表示パネルであ
る。

第１の画素は第１の画素回路および第１の表示素子を備え、第２の画素は第２の画素回路
および第２の表示素子を備える。

機能層は第１の表示素子と重なる領域を備え、第２の表示素子と重なる領域を備え、第１
の画素回路を備え、第２の画素回路を備える。

第１の表示素子は、第１の電極、第２の電極および液晶材料を含む層を備える。第１の電
極は、機能層との間に第１の距離を備え、液晶材料を含む層と重なる領域を備え、櫛歯状
の形状を備える。

第２の電極は、機能層との間に第２の距離を備え、液晶材料を含む層と重なる領域を備え
、第１の電極の櫛歯状の間隙と重なる領域を備える。また、第２の距離は第１の距離より
短い。

第２の表示素子は、第３の電極、第４の電極および液晶材料を含む層を備える。第３の電
極は、機能層との間に第３の距離を備え、液晶材料を含む層と重なる領域を備え、櫛歯状
の形状を備える。

第４の電極は、機能層との間に第４の距離を備え、液晶材料を含む層と重なる領域を備え
、第３の電極の櫛歯状の間隙と重なる領域を備える。また、第４の距離は第３の距離より
短い。

そして、第３の距離は第１の距離より長い。

（２）また、本発明の一態様は、上記の第１の画素回路が第１の電極と電気的に接続され
る、上記の表示パネルである。

これにより、例えば、画像情報に基づいて、第１の電極の電位を制御することができる。
または、第１の電極および第２の電極の間に、所定の電界を形成することができる。また
は、液晶材料を含む層に含まれる液晶の配向を制御することができる。その結果、利便性
または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

（３）また、本発明の一態様は、上記の第２の画素回路が第４の電極と電気的に接続され
る、上記の表示パネルである。

これにより、例えば、画像情報に基づいて、第４の電極の電位を制御することができる。
または、第３の電極および第４の電極の間に、所定の電界を形成することができる。また
は、液晶材料を含む層に含まれる液晶の配向を制御することができる。その結果、利便性
または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

（４）また、本発明の一態様は、上記の第４の距離が第１の距離と等しい、上記の表示パ
ネルである。

これにより、例えば、画像情報に基づいて、第１の電極の電位または第４の電極の電位を
制御することができる。または、第１の電極および第２の電極の間または第３の電極およ
び第４の電極の間に、所定の電界を形成することができる。または、液晶材料を含む層に
含まれる液晶の配向を制御することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新
規な表示パネルを提供することができる。

（５）また、本発明の一態様は、上記の第４の距離が第２の距離と等しく、第１の画素回
路が第２の電極と電気的に接続される、上記の表示パネルである。

これにより、例えば、画像情報に基づいて、第２の電極の電位を制御することができる。
または、第１の電極および第２の電極の間に、所定の電界を形成することができる。また
は、液晶材料を含む層に含まれる液晶の配向を制御することができる。その結果、利便性
または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

（６）また、本発明の一態様は、上記の第４の距離が第２の距離と等しく、第２の画素回
路が第４の電極と電気的に接続される、上記の表示パネルである。

これにより、例えば、画像情報に基づいて、第４の電極の電位を制御することができる。
または、第３の電極および第４の電極の間に、所定の電界を形成することができる。また
は、液晶材料を含む層に含まれる液晶の配向を制御することができる。その結果、利便性
または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

（７）また、本発明の一態様は、第１の画素と、第２の画素と、機能層と、を有する表示
パネルである。

第１の画素は、第１の画素回路および第１の表示素子を備え、第２の画素は、第２の画素
回路および第２の表示素子を備える。

機能層は第１の表示素子と重なる領域を備え、第２の表示素子と重なる領域を備え、第１
の画素回路を備え、第２の画素回路を備える。

第１の表示素子は、第１の電極、第２の電極および液晶材料を含む層を備える。第１の電
極は機能層との間に第１の距離を備え、液晶材料を含む層と重なる領域を備え、櫛歯状の
形状を備える。

第２の電極は機能層との間に第２の距離を備え、液晶材料を含む層と重なる領域を備え、
第１の電極の櫛歯状の間隙と重なる領域を備える。また、第２の距離は第１の距離より短
い。

第２の表示素子は、第３の電極、第４の電極および前記液晶材料を含む層を備える。第３
の電極は機能層との間に第３の距離を備え、液晶材料を含む層と重なる領域を備え、櫛歯
状の形状を備える。

第４の電極は機能層との間に第４の距離を備え、液晶材料を含む層と重なる領域を備え、
第３の電極の櫛歯状の間隙と重なる領域を備える。また、第４の距離は第３の距離より短
い。

そして、第３の距離は第１の距離と等しい。

（８）また、本発明の一態様は、上記の第１の画素回路が第１の電極と電気的に接続され
る、上記の表示パネルである。

これにより、例えば、画像情報に基づいて、第１の電極の電位を制御することができる。
または、第１の電極および第２の電極の間に、所定の電界を形成することができる。また
は、液晶材料を含む層に含まれる液晶の配向を制御することができる。その結果、利便性
または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

（９）また、本発明の一態様は、上記の第２の画素回路が第３の電極と電気的に接続され
る、上記の表示パネルである。

これにより、例えば、画像情報に基づいて、第３の電極の電位を制御することができる。
または、第３の電極および第４の電極の間に、所定の電界を形成することができる。また
は、液晶材料を含む層に含まれる液晶の配向を制御することができる。その結果、利便性
または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

（１０）また、本発明の一態様は、第１の画素と、第２の画素と、機能層と、絶縁膜と、
を有する表示パネルである。
第１の画素は、第１の画素回路および第１の表示素子を備え、第２の画素は、第２の画素
回路および第２の表示素子を備える。

機能層は、第１の表示素子と重なる領域を備え、第２の表示素子と重なる領域を備え、第
１の画素回路を備え、第２の画素回路を備える。

第１の表示素子は、第１の電極、第２の電極および液晶材料を含む層を備える。第１の電
極は機能層との間に第１の距離を備え、液晶材料を含む層と重なる領域を備え、櫛歯状の
形状を備える。

第２の電極は、機能層との間に第２の距離を備え、液晶材料を含む層と重なる領域を備え
、第１の電極の櫛歯状の間隙と重なる領域を備える。また、第２の距離は第１の距離より
短い。

第２の表示素子は、第３の電極、第４の電極および前記液晶材料を含む層を備える。第３
の電極は、機能層との間に第３の距離を備え、液晶材料を含む層と重なる領域を備え、櫛
歯状の形状を備える。

第４の電極は、機能層との間に第４の距離を備え、液晶材料を含む層と重なる領域を備え
、第３の電極の櫛歯状の間隙と重なる領域を備え、第２の電極と重なる領域を備える。ま
た、第４の距離は第３の距離より短い。

そして、絶縁膜は第２の電極および第４の電極の間に挟まれる領域を備える。

これにより、例えば、画像情報に基づいて、第１の電極および第２の電極の間または第３
の電極および第４の電極の間に、所定の電界を形成することができる。または、液晶材料
を含む層に含まれる液晶の配向を制御することができる。その結果、利便性または信頼性
に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

（１１）また、本発明の一態様は、表示領域を有する上記の表示パネルである。

表示領域は、一群の複数の画素、他の一群の複数の画素、走査線および信号線を備える。
一群の複数の画素は、第１の画素または第２の画素を含み、行方向に配設される。

他の一群の複数の画素は前記第１の画素および前記第２の画素を含み、他の一群の複数の
画素は、行方向と交差する列方向に配設される。

走査線は一群の複数の画素と電気的に接続され、信号線は他の一群の複数の画素と電気的
に接続される。

これにより、複数の画素に画像情報を供給することができる。または、画像情報に基づい
て、複数の表示素子を駆動することができる。または、表示領域を用いて、画像情報を表
示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供す
ることができる。

（１２）また、本発明の一態様は、上記の表示パネルと、制御部と、を有する表示装置で
ある。

制御部は、画像情報および制御情報を供給される機能を備え、画像情報に基づいて第１の
情報を生成する機能を備え、第１の情報を供給する機能を備える。

表示パネルは、第１の情報を供給される機能を備え、第１の情報に基づいて表示する機能
を備える。

これにより、表示パネルを用いて画像情報を表示することができる。その結果、利便性ま
たは信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。

（１３）また、本発明の一態様は、入力部と、表示部と、を有する入出力装置である。

表示部は、上記の表示パネルを備える。

入力部は検知領域を備え、検知領域に近接するものを検知する機能を備える。また、検知
領域は画素と重なる領域を備える。

（１４）また、本発明の一態様は、上記の検知領域が、制御線、検知信号線および検知素
子を備える上記の入出力装置である。

制御線は制御信号を供給する機能を備え、検知信号線は検知信号を供給される機能を備え
る。

検知素子は制御線および検知信号線と電気的に接続され、制御信号および画素と重なる領
域に近接するものとの距離に基づいて変化する検知信号を供給する機能を備え、検知素子
は、制御電極および検知電極を備える。

制御電極は制御線と電気的に接続され、第１の電極または第２の電極のうち、第１の画素
回路と電気的に接続されていない方を含む。

検知電極は検知信号線と電気的に接続され、第３の電極または第４の電極のうち、第２の
画素回路と電気的に接続されていない方を含む。

検知電極は画素と重なる領域に近接するモノによって一部が遮られる電界を、制御電極と
の間に形成するように配置される。

これにより、表示部を用いて画像情報を表示しながら、表示部と重なる領域に近接するも
のを検知することができる。または、表示部に近接させる指などをポインタに用いて、位
置情報を入力することができる。または、位置情報を表示部に表示する画像情報に関連付
けることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供する
ことができる。

（１５）また、本発明の一態様は、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデ
バイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視線入力装置、姿勢検出
装置、のうち一以上と、上記の表示パネルと、を含む、情報処理装置である。

これにより、さまざまな入力装置を用いて供給する情報に基づいて、画像情報または制御
情報を演算装置に生成させることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規
な情報処理装置を提供することができる。

本明細書に添付した図面では、構成要素を機能ごとに分類し、互いに独立したブロックと
してブロック図を示しているが、実際の構成要素は機能ごとに完全に切り分けることが難
しく、一つの構成要素が複数の機能に係わることもあり得る。

本明細書においてトランジスタが有するソースとドレインは、トランジスタの極性及び各
端子に与えられる電位の高低によって、その呼び方が入れ替わる。一般的に、ｎチャネル
型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がソースと呼ばれ、高い電位が与えられ
る端子がドレインと呼ばれる。また、ｐチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えら
れる端子がドレインと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がソースと呼ばれる。本明細書
では、便宜上、ソースとドレインとが固定されているものと仮定して、トランジスタの接
続関係を説明する場合があるが、実際には上記電位の関係に従ってソースとドレインの呼
び方が入れ替わる。

本明細書においてトランジスタのソースとは、活性層として機能する半導体膜の一部であ
るソース領域、或いは上記半導体膜に接続されたソース電極を意味する。同様に、トラン
ジスタのドレインとは、上記半導体膜の一部であるドレイン領域、或いは上記半導体膜に
接続されたドレイン電極を意味する。また、ゲートはゲート電極を意味する。

本明細書においてトランジスタが直列に接続されている状態とは、例えば、第１のトラン
ジスタのソースまたはドレインの一方のみが、第２のトランジスタのソースまたはドレイ
ンの一方のみに接続されている状態を意味する。また、トランジスタが並列に接続されて
いる状態とは、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方が第２のトランジスタ
のソースまたはドレインの一方に接続され、第１のトランジスタのソースまたはドレイン
の他方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方に接続されている状態を意味
する。

本明細書において接続とは、電気的な接続を意味しており、電流、電圧または電位が、供
給可能、或いは伝送可能な状態に相当する。従って、接続している状態とは、直接接続し
ている状態を必ずしも指すわけではなく、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝
送可能であるように、配線、抵抗、ダイオード、トランジスタなどの回路素子を介して間
接的に接続している状態も、その範疇に含む。

本明細書において回路図上は独立している構成要素どうしが接続されている場合であって
も、実際には、例えば配線の一部が電極として機能する場合など、一の導電膜が、複数の
構成要素の機能を併せ持っている場合もある。本明細書において接続とは、このような、
一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。

また、本明細書中において、トランジスタの第１の電極または第２の電極の一方がソース
電極を、他方がドレイン電極を指す。

本発明の一態様によれば、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供すること
ができる。または、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる
。または、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。また
は、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。または、
新規な表示パネル、新規な表示装置、新規な入出力装置、新規な情報処理装置または新規
な半導体装置を提供することができる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は
、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面
、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

実施の形態に係る表示パネルの画素の構成を説明する図。 実施の形態に係る表示パネルの画素の構成を説明する断面図。 実施の形態に係る表示パネルの画素の構成を説明する断面図。 実施の形態に係る表示パネルの画素の構成を説明する断面図。 実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する上面図および断面図。 実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する断面図。 実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する断面図。 実施の形態に係る表示パネルの画素の構成を説明する下面図。 実施の形態に係る表示パネルの画素回路を説明する回路図。 実施の形態に係る表示パネルの画素と副画素を説明する上面図。 実施の形態に係る表示パネルを用いた表示装置の構成を説明するブロック図。 実施の形態に係る表示パネルの構成を説明するブロック図。 実施の形態に係る入出力装置の構成を説明するブロック図。 実施の形態に係る入出力装置の構成を説明する上面図および投影図。 実施の形態に係る入出力装置の構成を説明する上面図および投影図。 実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明するブロック図および投影図。 実施の形態に係る情報処理装置の駆動方法を説明するフロー図。 実施の形態に係る情報処理装置の駆動方法を説明する図。 実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図。 実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図。 実施の形態に係る表示パネルの画素の構成を説明する断面図。 実施の形態に係る表示パネルの画素の構成を説明する断面図。

本発明の一態様の表示パネルは、第１の画素と、第２の画素と、機能層を有し、第１の画
素は第１の画素回路および第１の表示素子を備え、第２の画素は第２の画素回路および第
２の表示素子を備える。機能層は第１の表示素子と重なる領域、第２の表示素子と重なる
領域、第１の画素回路、第２の画素回路を備える。

第１の表示素子は、第１の電極、第２の電極および液晶材料を含む層を備える。第１の電
極は機能層との間に第１の距離を備え、液晶材料を含む層と重なる領域を備え、櫛歯状の
形状を備える。第２の電極は機能層との間に第２の距離を備え、液晶材料を含む層と重な
る領域を備え、第１の電極の櫛歯状の間隙と重なる領域を備え、第２の距離は第１の距離
より短い。

第２の表示素子は、第３の電極、第４の電極および前記液晶材料を含む層を備える。第３
の電極は機能層との間に第３の距離を備え、液晶材料を含む層と重なる領域を備え、櫛歯
状の形状を備える。第４の電極は機能層との間に第４の距離を備え、液晶材料を含む層と
重なる領域を備え、第３の電極の櫛歯状の間隙と重なる領域を備え、第４の距離は第３の
距離より短く、第１の距離より長い。

これにより、例えば、画像情報に基づいて、第１の電極の電位を制御することができる。
または、第１の電極および第２の電極の間に、所定の電界を形成することができる。また
は、液晶材料を含む層に含まれる液晶の配向を制御することができる。その結果、利便性
または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定さ
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において
、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、
その繰り返しの説明は省略する。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルの構成について、図１乃至図９、図２１
または図２２を参照しながら説明する。

図１は本発明の一態様の表示パネルの構成を説明する図である。図１（Ａ）は本発明の一
態様の表示パネルの一部の分解立体図であり、図１（Ｂ）は本発明の一態様の表示パネル
の一部の上面図である。

図２は本発明の一態様の表示パネルの構成を説明する図である。図２（Ａ）は図１（Ｂ）
の切断線Ｙ１－Ｙ２、切断線Ｙ３－Ｙ４における断面図である。また、図２（Ｂ）は図２
（Ａ）とは異なる表示パネルの構成を説明する断面図であり、図２（Ｃ）は図２（Ａ）お
よび図２（Ｂ）とは異なる表示パネルの構成を説明する断面図である。

図３は本発明の一態様の表示パネルの構成を説明する図である。図３は図１（Ｂ）の切断
線Ｙ１－Ｙ２、切断線Ｙ３－Ｙ４に相当する位置における断面図である。

図５は本発明の一態様の表示パネルの構成を説明する図である。図５（Ａ）は表示パネル
の上面図であり、図５（Ｂ）は図５（Ａ）に示す表示パネルの画素の一部を説明する上面
図である。図５（Ｃ）は図５（Ａ）に示す表示パネルの断面の構成を説明する模式図であ
る。

図６および図７は表示パネルの構成を説明する断面図である。図６（Ａ）は図５（Ａ）の
切断線Ｘ１－Ｘ２、切断線Ｘ３－Ｘ４、図８の切断線Ｘ５－Ｘ６および切断線Ｘ７－Ｘ８
における断面図であり、図６（Ｂ）は図６（Ａ）の一部を説明する図である。

図７（Ａ）は図８の切断線Ｘ９－Ｘ１０、図５（Ａ）の切断線Ｘ１１－Ｘ１２における断
面図であり、図７（Ｂ）は図７（Ａ）の一部を説明する図である。

図８は図５（Ａ）に示す表示パネルの画素の一部を説明する下面図である。

図９は本発明の一態様の表示パネルが備える画素回路の構成を説明する回路図である。

なお、本明細書において、１以上の整数を値にとる変数を符号に用いる場合がある。例え
ば、１以上の整数の値をとる変数ｐを含む（ｐ）を、最大ｐ個の構成要素のいずれかを特
定する符号の一部に用いる場合がある。また、例えば、１以上の整数の値をとる変数ｍお
よび変数ｎを含む（ｍ，ｎ）を、最大ｍ×ｎ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一
部に用いる場合がある。

＜表示パネルの構成例１．＞
本実施の形態で説明する表示パネル７００は、画素７０２（ｉ，ｊ）と、画素７０２（ｉ
＋１，ｊ）と、機能層５２０と、を有する（図１（Ａ）、図１（Ｂ）または図５（Ａ）参
照）。

なお、表示パネル７００は基板５７０および基板７７０を有する。また、基板７７０は基
板５７０との間に画素７０２（ｉ，ｊ）および画素７０２（ｉ＋１，ｊ）を挟む領域を備
える。

《画素の構成例１．》
画素７０２（ｉ，ｊ）は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）および表示素子７５０（ｉ，ｊ）を
備える（図２（Ａ）参照）。例えば、スイッチに用いるトランジスタを画素回路５３０（
ｉ，ｊ）に用いることができる。

画素７０２（ｉ＋１，ｊ）は、画素回路５３０（ｉ＋１，ｊ）および表示素子７５０（ｉ
＋１，ｊ）を備える。

機能層５２０は表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備え、機能層５２０は表示素子
７５０（ｉ＋１，ｊ）と重なる領域を備え、機能層５２０は画素回路５３０（ｉ，ｊ）を
備え、機能層５２０は画素回路５３０（ｉ＋１，ｊ）を備える。

なお、機能層５２０は、基板７７０と基板５７０との間に挟まれる領域を備える。

《表示素子７５０（ｉ，ｊ）の構成例１．》
表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、第１の電極１１、第２の電極１２および液晶材料を含む層
７５３を備える。

第１の電極１１は機能層５２０との間に第１の距離ｄ１を備え、第１の電極１１は液晶材
料を含む層７５３と重なる領域を備え、第１の電極１１は、櫛歯状の形状を備える。例え
ば、屈曲した櫛歯状の形状を第１の電極１１に用いることができる（図１（Ａ）参照）。

第２の電極１２は機能層５２０との間に第２の距離ｄ２を備え、第２の電極１２は液晶材
料を含む層７５３と重なる領域を備え、第２の電極１２は第１の電極１１の櫛歯状の間隙
と重なる領域を備える（図２（Ａ）参照）。また、第２の距離ｄ２は、第１の距離ｄ１よ
り短い。

なお、液晶材料を含む層７５３は、基板７７０および機能層５２０の間に挟まれる領域を
備える。

《表示素子７５０（ｉ＋１，ｊ）の構成例１．》
表示素子７５０（ｉ＋１，ｊ）は、第３の電極１３、第４の電極１４および液晶材料を含
む層７５３を備える。例えば、第１の電極１１に用いることができる材料を、第４の電極
１４に用いることができる。また、第４の電極１４は、第１の電極１１を形成する工程に
おいて形成することができる。

第３の電極１３は機能層５２０との間に第３の距離ｄ３を備え、第３の電極１３は液晶材
料を含む層７５３と重なる領域を備え、第３の電極１３は櫛歯状の形状を備える。

第４の電極１４は機能層５２０との間に第４の距離ｄ４を備え、第４の電極１４は液晶材
料を含む層７５３と重なる領域を備え、第４の電極１４は第３の電極１３の櫛歯状の間隙
と重なる領域を備える。また、第４の距離ｄ４は第３の距離ｄ３より短く、第３の距離ｄ
３は第１の距離ｄ１より長い。

例えば、表示素子７５０（ｉ＋１，ｊ）は、表示素子７５０（ｉ，ｊ）と同じ厚さの液晶
材料を含む層７５３を備える。

《画素の構成例２．》
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、第１の電極１１と電気的に接続される。なお、表示素子７
５０（ｉ，ｊ）が備える第１の電極１１および第２の電極１２のうち、画素回路５３０（
ｉ，ｊ）と電気的に接続される電極を電極７５１（ｉ，ｊ）とする。また、画素回路５３
０（ｉ，ｊ）と電気的に接続されない電極を電極７５２（ｉ，ｊ）とする。なお、電極７
５２（ｉ，ｊ）は、例えば配線ＶＣＯＭ１と電気的に接続される（図９参照）。従って、
本実施の形態の画素の構成例２においては、第１の電極１１が電極７５１（ｉ，ｊ）であ
り、第２の電極１２が電極７５２（ｉ，ｊ）である。

これにより、例えば、画像情報に基づいて、第１の電極の電位を制御することができる。
または、第１の電極および第２の電極の間に、所定の電界を形成することができる。また
は、液晶材料を含む層に含まれる液晶の配向を制御することができる。その結果、利便性
または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

《画素の構成例３．》
画素回路５３０（ｉ＋１，ｊ）は、第４の電極１４と電気的に接続される（図２（Ａ）参
照）。なお、表示素子７５０（ｉ＋１，ｊ）が備える第３の電極１３および第４の電極１
４のうち、画素回路５３０（ｉ＋１，ｊ）と電気的に接続される電極を電極７５１（ｉ＋
１，ｊ）とする。また、画素回路５３０（ｉ＋１，ｊ）と電気的に接続されない電極を電
極７５２（ｉ＋１，ｊ）とする。なお、電極７５２（ｉ＋１，ｊ）は、例えば配線ＶＣＯ
Ｍ１と電気的に接続される（図９参照）。従って、本実施の形態の画素の構成例３におい
ては、第３の電極１３が電極７５２（ｉ＋１，ｊ）であり、第４の電極１４が電極７５１
（ｉ＋１，ｊ）である。

これにより、例えば、画像情報に基づいて、第４の電極の電位を制御することができる。
または、第３の電極および第４の電極の間に、所定の電界を形成することができる。また
は、液晶材料を含む層に含まれる液晶の配向を制御することができる。その結果、利便性
または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

《画素の構成例４．》
第４の距離ｄ４は、第１の距離ｄ１と等しい（図２（Ａ）参照）。

これにより、例えば、画像情報に基づいて、第１の電極の電位または第４の電極の電位を
制御することができる。または、第１の電極および第２の電極の間または第３の電極およ
び第４の電極の間に、所定の電界を形成することができる。または、液晶材料を含む層に
含まれる液晶の配向を制御することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新
規な表示パネルを提供することができる。

《画素の構成例５．》
第４の距離ｄ４は第２の距離ｄ２と等しく、画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、第２の電極１
２と電気的に接続される（図２（Ｂ）参照）。なお、本実施の形態の画素の構成例５にお
いては、第２の電極１２が電極７５１（ｉ，ｊ）であり、第１の電極１１が電極７５２（
ｉ，ｊ）である。例えば、第２の電極１２に用いることができる材料を、第４の電極１４
に用いることができる。また、第４の電極１４は、第２の電極１２を形成する工程におい
て形成することができる。

これにより、例えば、画像情報に基づいて、第２の電極の電位を制御することができる。
または、第１の電極および第２の電極の間に、所定の電界を形成することができる。また
は、液晶材料を含む層に含まれる液晶の配向を制御することができる。その結果、利便性
または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

《画素の構成例６．》
第４の距離ｄ４は、第２の距離ｄ２と等しく、画素回路５３０（ｉ＋１，ｊ）は、第４の
電極１４と電気的に接続される（図２（Ｂ）参照）。なお、本実施の形態の画素の構成例
６においては、第３の電極１３が電極７５２（ｉ＋１，ｊ）であり、第４の電極１４が電
極７５１（ｉ＋１，ｊ）である。

これにより、例えば、画像情報に基づいて、第４の電極の電位を制御することができる。
または、第３の電極および第４の電極の間に、所定の電界を形成することができる。また
は、液晶材料を含む層に含まれる液晶の配向を制御することができる。その結果、利便性
または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

《画素の構成例７．》
画素７０２（ｉ，ｊ）は、機能層５２０の一部と、表示素子７５０（ｉ，ｊ）と、を有す
る（図５（Ｃ）参照）。また、画素７０２（ｉ，ｊ）は、絶縁膜５２１Ａ、絶縁膜５２１
Ｂまたは絶縁膜５２１Ｃを有する（図６（Ａ）参照）。

《機能層の構成例１．》
機能層５２０は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）を含む（図７（Ａ）参照）。なお、画素回路
５３０（ｉ，ｊ）は、例えばスイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタを含む。

また、機能層５２０は、絶縁膜５１８、絶縁膜５１６、絶縁膜５０６または絶縁膜５０１
Ｃ等を含む（図６（Ａ）および図６（Ｂ）参照）。

《画素回路５３０（ｉ，ｊ）》
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、表示素子７５０（ｉ，ｊ）を駆動する機能を備える（図９
参照）。

スイッチ、トランジスタ、ダイオード、抵抗素子、インダクタまたは容量素子等を画素回
路５３０（ｉ，ｊ）に用いることができる。

例えば、単数または複数のトランジスタをスイッチに用いることができる。または、並列
に接続された複数のトランジスタ、直列に接続された複数のトランジスタ、直列と並列が
組み合わされて接続された複数のトランジスタを、一のスイッチに用いることができる。

例えば、画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、信号線Ｓ１（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）および配線
ＣＳＣＯＭ等と電気的に接続される（図９参照）。

画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ１および容量素子Ｃ１１を含む。

例えば、走査線Ｇ１（ｉ）と電気的に接続されるゲート電極と、信号線Ｓ１（ｊ）と電気
的に接続される第１の電極と、を有するトランジスタを、スイッチＳＷ１に用いることが
できる。

容量素子Ｃ１１は、スイッチＳＷ１に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続さ
れる第１の電極と、配線ＣＳＣＯＭと電気的に接続される第２の電極と、を有する。

なお、表示素子７５０（ｉ，ｊ）の電極７５１（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ１に用いるト
ランジスタの第２の電極と電気的に接続される。また、表示素子７５０（ｉ，ｊ）の電極
７５２（ｉ，ｊ）は、配線ＶＣＯＭ１と電気的に接続される。これにより、表示素子７５
０（ｉ，ｊ）を駆動することができる。

具体的には、開口部５９１Ａにおいて、電極７５１（ｉ，ｊ）は導電膜５１２Ｂと電気的
に接続される（図７（Ａ）参照）。また、図示されていない信号線Ｓ１（ｊ）は導電膜５
１２Ａと電気的に接続される。

《絶縁膜５０１Ｃ、絶縁膜５１８、絶縁膜５１６、絶縁膜５０６等》
絶縁膜５０１Ｃは、画素回路５３０（ｉ，ｊ）および基板５７０の間に挟まれる領域を備
える（図７（Ａ）参照）。

絶縁膜５１８は、表示素子７５０（ｉ，ｊ）および画素回路５３０（ｉ，ｊ）の間に挟ま
れる領域を備える（図７（Ａ）および図７（Ｂ）参照）。

絶縁膜５１６は、絶縁膜５１８および絶縁膜５０１Ｃの間に挟まれる領域を備える。

絶縁膜５０６は、絶縁膜５１６および絶縁膜５０１Ｃの間に挟まれる領域を備える。

《絶縁膜５２１Ａ、絶縁膜５２１Ｂ、絶縁膜５２１Ｃ》
絶縁膜５２１Ａは表示素子７５０（ｉ，ｊ）および機能層５２０の間に挟まれる領域を備
える。また、絶縁膜５２１Ａは機能層５２０および第２の電極１２の間に挟まれる領域を
備え、絶縁膜５２１Ａは機能層５２０および第４の電極１４の間に挟まれる領域を備える
（図２（Ａ）および図６（Ａ）参照）。なお、例えば、絶縁膜５１８を用いる構成におい
て、絶縁膜５２１Ａは省略することができる。

絶縁膜５２１Ｂは第２の電極１２および第１の電極１１の間に挟まれる領域を備え、絶縁
膜５２１Ｃは第４の電極１４および第３の電極１３の間に挟まれる領域を備える。また、
絶縁膜５２１Ｂは第１の電極１１および第２の電極１２の短絡を防止し、絶縁膜５２１Ｃ
は第３の電極１３および第４の電極１４の短絡を防止する。

絶縁膜５２１Ｃは第１の電極１１および液晶材料を含む層７５３の間に挟まれる領域を備
え、絶縁膜５２１Ｃは第４の電極１４および液晶材料を含む層７５３の間に挟まれる領域
を備える。

＜表示パネルの構成例２．＞
また、本実施の形態で説明する表示パネル７００は、表示領域２３１を有する（図１１参
照）。

《表示領域２３１》
表示領域２３１は、一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と、他
の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）と、走査線Ｇ１（ｉ）と
、信号線Ｓ１（ｉ）と、を有する（図１１参照）。なお、ｉは１以上ｍ以下の整数であり
、ｊは１以上ｎ以下の整数であり、ｍおよびｎは１以上の整数である。

一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は画素７０２（ｉ，ｊ）を
含み、一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は行方向（図中に矢
印Ｒ１で示す方向）に配設される。

他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は画素７０２（ｉ，ｊ
）を含み、他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は行方向と
交差する列方向（図中に矢印Ｃ１で示す方向）に配設される。

走査線Ｇ１（ｉ）は、行方向に配設される一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７
０２（ｉ，ｎ）と電気的に接続される。

信号線Ｓ１（ｊ）は、列方向に配設される他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画
素７０２（ｍ，ｊ）と電気的に接続される。

これにより、複数の画素に画像情報を供給することができる。または、画像情報に基づい
て、複数の表示素子を駆動することができる。または、表示領域を用いて、画像情報を表
示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供す
ることができる。

＜表示パネルの構成例３．＞
本実施の形態で説明する表示パネル７００は、複数の画素を備える。当該複数の画素は、
色相が互いに異なる色を表示する機能を備える。または、当該複数の画素を用いて、各々
その画素では表示できない色相の色を、加法混色により表示することができる。

《画素の構成例８．》
なお、色相が異なる色を表示することができる複数の画素を混色に用いる場合において、
それぞれの画素を副画素と言い換えることができる。また、複数の副画素を一組にして、
画素と言い換えることができる。

例えば、画素７０２（ｉ，ｊ）を副画素と言い換えることができ、画素７０２（ｉ，ｊ）
、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）および画素７０２（ｉ，ｊ＋２）を一組にして、画素７０３
（ｉ，ｋ）と言い換えることができる（図１０参照）。なお、ｋは１以上ｎ以下の整数で
ある。

具体的には、青色を表示する副画素、緑色を表示する副画素および赤色を表示する副画素
を一組にして、画素７０３（ｉ，ｋ）に用いることができる。

また、例えば、シアンを表示する副画素、マゼンタを表示する副画素およびイエローを表
示する副画素を一組にして、画素７０３（ｉ，ｋ）に用いることができる。

また、例えば、白色を表示する副画素等を上記の一組に加えて、画素に用いることができ
る。

＜表示パネルの構成例４．＞
また、本実施の形態で説明する表示パネル７００は、駆動回路ＧＤまたは駆動回路ＳＤを
備えることができる（図５（Ａ）および図１１参照）。

《駆動回路ＧＤ》
駆動回路ＧＤは、制御情報に基づいて選択信号を供給する機能を有する。

一例を挙げれば、制御情報に基づいて、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で
一の走査線に選択信号を供給する機能を備える。これにより、動画像をなめらかに表示す
ることができる。

例えば、制御情報に基づいて、３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満、より好ましくは一
分に一回未満の頻度で一の走査線に選択信号を供給する機能を備える。これにより、フリ
ッカーが抑制された状態で静止画像を表示することができる。

また、表示パネルは、複数の駆動回路を有することができる。例えば、表示パネル７００
Ｂは、駆動回路ＧＤＡおよび駆動回路ＧＤＢを有する（図１２参照）。

また、例えば、複数の駆動回路を備える場合、駆動回路ＧＤＡが選択信号を供給する頻度
と、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給する頻度とを、異ならせることができる。具体的に
は、静止画像を表示する一の領域に選択信号を供給する頻度より高い頻度で、動画像を表
示する他の領域に選択信号を供給することができる。これにより、一の領域にフリッカー
が抑制された状態で静止画像を表示し、他の領域に滑らかに動画像を表示することができ
る。

《駆動回路ＳＤ》
駆動回路ＳＤは、情報Ｖ１１に基づいて画像信号を供給する機能を有する（図１１参照）
。

駆動回路ＳＤは画像信号を生成する機能と、当該画像信号を一の表示素子と電気的に接続
される画素回路に供給する機能を備える。具体的には、極性が反転する信号を生成する機
能を備える。これにより、例えば、液晶表示素子を駆動することができる。

例えば、シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路ＳＤに用いることができる
。具体的には、シリコン基板上に形成された集積回路を駆動回路ＳＤに用いることができ
る。

例えば、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ ｇｌａｓｓ）法またはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉ
ｌｍ）法を用いて、集積回路を端子に実装することができる。具体的には、異方性導電膜
を用いて、集積回路を端子に実装することができる。

＜表示パネルの構成例５．＞
本実施の形態で説明する表示パネル７００は、その他、端子５１９Ｂ、機能層７２０、基
板５７０、基板７７０、接合層、封止材７０５、構造体ＫＢ１、機能膜７７０Ａ、機能膜
７７０Ｂ等を備える（図６（Ａ）または図７（Ａ）参照）。

《端子５１９Ｂ》
端子５１９Ｂは、例えば、導電膜５１１Ｂを備える。端子５１９Ｂは、例えば、信号線Ｓ
１（ｊ）と電気的に接続することができる。

《機能層７２０》
機能層７２０は、基板７７０および表示素子７５０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備え
る（図６（Ａ）参照）。

機能層７２０は、遮光膜ＢＭ、着色膜ＣＦ１または絶縁膜７７１を備える。

遮光膜ＢＭは、表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える（図６（Ａ）ま
たは図７（Ａ）参照）。

着色膜ＣＦ１は、基板７７０および表示素子７５０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備え
る。

絶縁膜７７１は、着色膜ＣＦ１と液晶材料を含む層７５３の間に挟まれる領域または遮光
膜ＢＭと液晶材料を含む層７５３の間に挟まれる領域を備える。これにより、着色膜ＣＦ
１の厚さに基づく凹凸を平坦にすることができる。または、遮光膜ＢＭまたは着色膜ＣＦ
１等から液晶材料を含む層７５３への不純物の拡散を、抑制することができる。

《基板５７０、基板７７０》
基板７７０は、基板５７０と重なる領域を備える。基板７７０は、基板５７０との間に機
能層５２０を挟む領域を備える。

基板７７０は、表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。

《封止材７０５、構造体ＫＢ１》
封止材７０５は、基板５７０および基板７７０の間に挟まれる領域を備え、基板５７０お
よび基板７７０を貼り合わせる機能を備える。

構造体ＫＢ１は、機能層５２０および基板７７０の間に所定の間隙を設ける機能を備える
。

《機能膜７７０Ａ、機能膜７７０Ｂ等》
表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、機能膜７７０Ａおよび機能膜７７０Ｂの間に挟まれる領域
を備える。

＜構成要素の例＞
表示パネル７００は、基板５７０、基板７７０、構造体ＫＢ１または封止材７０５を有す
る。

また、表示パネル７００は、機能層５２０、絶縁膜５２１Ａ、絶縁膜５２１Ｂ、絶縁膜５
２１Ｃ、絶縁膜５１８、絶縁膜５１６、絶縁膜５０６または絶縁膜５０１Ｃを有する。

また、表示パネル７００は、信号線Ｓ１（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、配線ＶＣＯＭ１また
は配線ＣＳＣＯＭを有する。

また、表示パネル７００は、端子５１９Ｂ、導電膜５１１Ｂまたは導電膜５１１Ｃを有す
る。

また、表示パネル７００は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）またはスイッチＳＷ１を有する。

また、表示パネル７００は、表示素子７５０（ｉ，ｊ）、電極７５１（ｉ，ｊ）、液晶材
料を含む層７５３または電極７５２（ｉ，ｊ）を有する。

また、表示パネル７００は、配向膜ＡＦ１、配向膜ＡＦ２、着色膜ＣＦ１、遮光膜ＢＭ、
絶縁膜７７１、機能膜７７０Ａまたは機能膜７７０Ｂを有する。

また、表示パネル７００は、駆動回路ＧＤまたは駆動回路ＳＤを有する。

《基板５７０》
作製工程中の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する材料を基板５７０に用いることがで
きる。例えば、厚さ０．７ｍｍ以下厚さ０．１ｍｍ以上の材料を基板５７０に用いること
ができる。具体的には、厚さ０．１ｍｍ程度まで研磨した材料を用いることができる。

例えば、第６世代（１５００ｍｍ×１８５０ｍｍ）、第７世代（１８７０ｍｍ×２２００
ｍｍ）、第８世代（２２００ｍｍ×２４００ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００
ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等の面積が大きなガラス基板を基板
５７０に用いることができる。これにより、大型の表示装置を作製することができる。

有機材料、無機材料または有機材料と無機材料等の複合材料等を基板５７０に用いること
ができる。例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を基板５７０に用いること
ができる。

具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラス、クリスタルガラス、ア
ルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラス、石英またはサファイア等を、基板５７
０に用いることができる。具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸窒化物
膜等を、基板５７０に用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、
酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を、基板５７０に用いることができる。ステ
ンレス・スチールまたはアルミニウム等を、基板５７０に用いることができる。

例えば、シリコンや炭化シリコンからなる単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコ
ンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板等を基板５７０に用いることができる
。これにより、半導体素子を基板５７０に形成することができる。

例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を基板５７０に用いること
ができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリ
カーボネートまたはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、基板５７０に用いる
ことができる。

例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料等の膜を樹脂フィルム等に貼り合わせ
た複合材料を基板５７０に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の金属、ガ
ラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散した複合材料を、基板５７０に用いること
ができる。例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した
複合材料を、基板５７０に用いることができる。

また、単層の材料または複数の層が積層された材料を、基板５７０に用いることができる
。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁膜等が積層された材料を、基板
５７０に用いることができる。具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純物の拡散を防
ぐ酸化シリコン層、窒化シリコン層または酸化窒化シリコン層等から選ばれた一または複
数の膜が積層された材料を、基板５７０に用いることができる。または、樹脂と樹脂を透
過する不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等
が積層された材料を、基板５７０に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネー
ト若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルム、樹脂板または積層材料等を基板５７０に用い
ることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポ
リイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂もしくはシリ
コーン等のシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を基板５７０に用いることができる。

具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥ
Ｎ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）またはアクリル等を基板５７０に用いることが
できる。または、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（
ＣＯＣ）等を用いることができる。

また、紙または木材などを基板５７０に用いることができる。

例えば、可撓性を有する基板を基板５７０に用いることができる。

なお、トランジスタまたは容量素子等を基板に直接形成する方法を用いることができる。
また、例えば作製工程中に加わる熱に耐熱性を有する工程用の基板にトランジスタまたは
容量素子等を形成し、形成されたトランジスタまたは容量素子等を基板５７０に転置する
方法を用いることができる。これにより、例えば可撓性を有する基板にトランジスタまた
は容量素子等を形成できる。

《基板７７０》
例えば、基板５７０に用いることができる材料を基板７７０に用いることができる。例え
ば、基板５７０に用いることができる材料から選択された透光性を備える材料を、基板７
７０に用いることができる。または、片側の表面に、例えば１μｍ以下の反射防止膜が形
成された材料を基板７７０に用いることができる。具体的には、誘電体を３層以上、好ま
しくは５層以上、より好ましくは１５層以上積層した積層膜を基板７７０に用いることが
できる。これにより、反射率を０．５％以下好ましくは０．０８％以下に抑制することが
できる。または、基板５７０に用いることができる材料から選択された複屈折が抑制され
た材料を、基板７７０に用いることができる。

例えば、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラスまたはサファイア等を、表示
パネルの使用者に近い側に配置される基板７７０に好適に用いることができる。これによ
り、使用に伴う表示パネルの破損や傷付きを防止することができる。

例えば、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）
、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）等の樹脂フィルムを、基板７７０に好適に用いるこ
とができる。これにより、重量を低減することができる。または、例えば、落下に伴う破
損等の発生頻度を低減することができる。

また、例えば、厚さ０．７ｍｍ以下厚さ０．１ｍｍ以上の材料を基板７７０に用いること
ができる。具体的には、厚さを薄くするために研磨した基板を用いることができる。これ
により、機能膜７７０Ａを表示素子７５０（ｉ，ｊ）に近づけて配置することができる。
その結果、画像のボケを低減し、画像を鮮明に表示することができる。

《構造体ＫＢ１》
例えば、有機材料、無機材料または有機材料と無機材料の複合材料を構造体ＫＢ１に用い
ることができる。これにより、所定の間隔を、構造体ＫＢ１等を挟む構成の間に設けるこ
とができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネー
ト、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の複
合材料などを構造体ＫＢ１に用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形
成してもよい。

《封止材７０５》
無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を封止材７０５に用いること
ができる。

例えば、熱溶融性の樹脂または硬化性の樹脂等の有機材料を、封止材７０５に用いること
ができる。

例えば、反応硬化型接着剤、光硬化型接着剤、熱硬化型接着剤または／および嫌気型接着
剤等の有機材料を封止材７０５に用いることができる。

具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミ
ド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラ
ル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を含む接着剤を封止材７０５に用
いることができる。

《絶縁膜５２１Ａ、絶縁膜５２１Ｂ、絶縁膜５２１Ｃ》
例えば、絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料または無機材料と有機材料を含む絶縁性の
複合材料を、絶縁膜５２１Ａ、絶縁膜５２１Ｂまたは絶縁膜５２１Ｃに用いることができ
る。

具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸化窒化物膜等またはこれらから選
ばれた複数を積層した積層材料を、絶縁膜５２１Ａ、絶縁膜５２１Ｂまたは絶縁膜５２１
Ｃに用いることができる。

例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等
またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を含む膜を、絶縁膜５２１Ａ、絶縁膜
５２１Ｂまたは絶縁膜５２１Ｃに用いることができる。

なお、窒化シリコン膜は緻密な膜であり、不純物の拡散を抑制する機能に優れる。これに
より、特に窒化シリコン膜を絶縁膜５２１Ａ、絶縁膜５２１Ｂ、絶縁膜５２１Ｃ等に好適
に用いることができる。

例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、
ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の積層材
料もしくは複合材料などを絶縁膜５２１Ａ、絶縁膜５２１Ｂまたは絶縁膜５２１Ｃに用い
ることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。これにより、絶縁
膜５２１Ａ、絶縁膜５２１Ｂ、絶縁膜５２１Ｃは、例えば、絶縁膜５２１Ａ、絶縁膜５２
１Ｂ、絶縁膜５２１Ｃと重なるさまざまな構造に由来する段差を平坦化することができる
。

なお、ポリイミドは熱的安定性、絶縁性、靱性、低誘電率、低熱膨張率、耐薬品性などの
特性において他の有機材料に比べて優れた特性を備える。これにより、特にポリイミドを
絶縁膜５２１Ａ、絶縁膜５２１Ｂ、絶縁膜５２１Ｃ等に好適に用いることができる。

《絶縁膜５１８》
例えば、絶縁膜５２１Ａ、絶縁膜５２１Ｂ、絶縁膜５２１Ｃに用いることができる材料を
絶縁膜５１８に用いることができる。

例えば、酸素、水素、水、アルカリ金属、アルカリ土類金属等の拡散を抑制する機能を備
える材料を絶縁膜５１８に用いることができる。具体的には、窒化物絶縁膜を絶縁膜５１
８に用いることができる。例えば、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化アルミニウム
、窒化酸化アルミニウム等を絶縁膜５１８に用いることができる。これにより、トランジ
スタの半導体膜への不純物の拡散を抑制することができる。例えば、トランジスタの半導
体膜に用いる酸化物半導体膜からトランジスタの外部への酸素の拡散を抑制することがで
きる。または、トランジスタの外部から酸化物半導体膜への水素または水等の拡散を抑制
することができる。

例えば、水素または窒素を供給する機能を有する材料を絶縁膜５１８に用いることができ
る。これにより、絶縁膜５１８に接する膜に水素または窒素を供給することができる。例
えば、酸化物半導体膜に接するように絶縁膜５１８を形成し、当該酸化物半導体膜に水素
または窒素を供給することができる。または、当該酸化物半導体膜に導電性を付与するこ
とができる。または、当該酸化物半導体膜を第２のゲート電極に用いることができる。

《絶縁膜５１６》
例えば、絶縁膜５２１Ａ、絶縁膜５２１Ｂ、絶縁膜５２１Ｃに用いることができる材料を
絶縁膜５１６に用いることができる。具体的には、作製方法が異なる膜を積層した積層膜
を絶縁膜５１６に用いることができる。

例えば、厚さが５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の酸化シ
リコンまたは酸化窒化シリコン等を含む第１の膜と、厚さが３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下
、好ましくは５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の、酸化シリコンまたは酸化窒化シリコン等を
含む第２の膜とを積層した積層膜を、絶縁膜５１６に用いることができる。

具体的には、ＥＳＲ測定により観測することができるシリコンのダングリングボンドに由
来するｇ＝２．００１に現れる信号のスピン密度が３×１０^１７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ^３以下
である膜を第１の膜に用いると好ましい。これにより、例えば、トランジスタの半導体膜
に用いる酸化物半導体膜を、絶縁膜の形成にともなう損傷から、保護することができる。
または、シリコンの欠陥に捉えられる酸素を低減することができる。または、酸素の透過
または移動を容易にすることができる。

また、例えば、ＥＳＲ測定により観測することができるシリコンのダングリングボンドに
由来するｇ＝２．００１に現れる信号のスピン密度が１．５×１０^１８ｓｐｉｎｓ／ｃｍ
^３未満、さらには１×１０^１８ｓｐｉｎｓ／ｃｍ^３以下である材料を第２の膜に用いると
好ましい。

《絶縁膜５０６》
例えば、絶縁膜５２１Ａ、絶縁膜５２１Ｂ、絶縁膜５２１Ｃに用いることができる材料を
絶縁膜５０６に用いることができる。具体的には、酸素の透過を抑制する機能を備える第
１の膜と、酸素を供給する機能を備える第２の膜とを積層した積層膜を、絶縁膜５０６に
用いることができる。これにより、例えば、トランジスタの半導体膜に用いる酸化物半導
体膜に酸素を拡散することができる。

具体的には、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン
膜、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜
、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウ
ム膜または酸化ネオジム膜を含む膜を絶縁膜５０６に用いることができる。

例えば、酸素雰囲気下において形成された膜を第２の膜に用いることができる。または、
成膜後に酸素を導入した膜を第２の膜に用いることができる。具体的には、イオン注入法
、イオンドーピング法、プラズマイマージョンイオン注入法、プラズマ処理等を用いて成
膜後に酸素を導入することができる。

《絶縁膜５０１Ｃ》
例えば、絶縁膜５２１Ａ、絶縁膜５２１Ｂ、絶縁膜５２１Ｃに用いることができる材料を
絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料を絶
縁膜５０１Ｃに用いることができる。これにより、画素回路または第２の表示素子等への
不純物の拡散を抑制することができる。

例えば、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜を絶縁膜５０１Ｃに用いる
ことができる。

《配線、端子、導電膜》
導電性を備える材料を配線等に用いることができる。具体的には、導電性を備える材料を
、信号線Ｓ１（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、配線ＣＳＣＯＭ、導電膜ＡＮＯ、端子５１９Ｂ
、導電膜５１１Ｂまたは導電膜５１１Ｃ等に用いることができる。

例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを配線等
に用いることができる。

具体的には、アルミニウム、金、白金、銀、銅、クロム、タンタル、チタン、モリブデン
、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属
元素などを、配線等に用いることができる。または、上述した金属元素を含む合金などを
、配線等に用いることができる。特に、銅とマンガンの合金がウエットエッチング法を用
いた微細加工に好適である。

具体的には、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン
膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タン
タル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、
そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造
等を配線等に用いることができる。

具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、
ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を、配線等に用いることができる。

具体的には、グラフェンまたはグラファイトを含む膜を配線等に用いることができる。

例えば、酸化グラフェンを含む膜を形成し、酸化グラフェンを含む膜を還元することによ
り、グラフェンを含む膜を形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方
法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。

例えば、金属ナノワイヤーを含む膜を配線等に用いることができる。具体的には、銀を含
むナノワイヤーを用いることができる。

具体的には、導電性高分子を配線等に用いることができる。

なお、例えば、導電材料ＡＣＦ１を用いて、端子５１９Ｂとフレキシブルプリント基板Ｆ
ＰＣ１を電気的に接続することができる。

《表示素子７５０（ｉ，ｊ）》
例えば、光の反射または透過を制御する機能を備える表示素子を、表示素子７５０（ｉ，
ｊ）に用いることができる。具体的には、液晶素子と偏光板を組み合わせた構成を表示素
子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。

例えば、ＩＰＳ（Ｉｎ－Ｐｌａｎｅ－Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅ
ｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ
）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉｃｒｏ
－ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅ
ｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃ
ｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ
Ｃｒｙｓｔａｌ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用い
ることができる。

また、例えば垂直配向（ＶＡ）モード、具体的には、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ－Ｄｏｍａｉｎ
Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅ
ｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏ
ｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＣＰＡ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕ
ｓ Ｐｉｎｗｈｅｅｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｓｕ
ｐｅｒ－Ｖｉｅｗ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用い
ることができる。

表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、第１電極と、第２電極と、液晶材料を含む層と、を有する
。液晶材料を含む層は、第１電極および第２電極の間の電圧を用いて配向を制御すること
ができる液晶材料を含む。例えば、液晶材料を含む層の厚さ方向（縦方向ともいう）、縦
方向と交差する方向（横方向または斜め方向ともいう）の電界を、液晶材料の配向を制御
する電界に用いることができる。

またはシャッター方式のＭＥＭＳ表示素子、光干渉方式のＭＥＭＳ表示素子等反射型の表
示素子を用いることにより、表示パネルの消費電力を抑制することができる。例えば、マ
イクロカプセル方式、電気泳動方式、エレクトロウエッティング方式などを用いる表示素
子を、表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、反射型の液晶表示
素子を表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。

《液晶材料を含む層７５３》
例えば、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶、強誘電性
液晶、反強誘電性液晶等を、液晶材料を含む層に用いることができる。または、コレステ
リック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す液
晶材料を用いることができる。または、ブルー相を示す液晶材料を用いることができる。

例えば、ネガ型の液晶材料を、液晶材料を含む層に用いることができる。

例えば、１．０×１０^１３Ω・ｃｍ以上、好ましくは１．０×１０^１４Ω・ｃｍ以上、さ
らに好ましくは１．０×１０^１５Ω・ｃｍ以上の固有抵抗率を備える液晶材料を、液晶材
料を含む層７５３に用いる。これにより、表示素子７５０（ｉ，ｊ）の透過率の変動を抑
制することができる。または、表示素子７５０（ｉ，ｊ）のチラツキを抑制することがで
きる。または、表示素子７５０（ｉ，ｊ）の書き換える頻度を低減することができる。

《電極７５１（ｉ，ｊ）または電極７５１（ｉ＋１，ｊ）》
例えば、配線等に用いる材料を電極７５１（ｉ，ｊ）または電極７５１（ｉ＋１，ｊ）に
用いることができる。具体的には、透光性を備える材料または、反射性を備える導電膜を
電極７５１（ｉ，ｊ）または電極７５１（ｉ＋１，ｊ）に用いることができる。例えば、
透光性を備える導電膜と、開口部を備える反射膜と、を積層した積層膜を電極７５１（ｉ
，ｊ）または電極７５１（ｉ＋１，ｊ）に用いることができる。

《電極７５２（ｉ，ｊ）、電極７５２（ｉ＋１，ｊ）》
例えば、配線等に用いることができる材料を、電極７５２（ｉ，ｊ）または電極７５２（
ｉ＋１，ｊ）に用いることができる。具体的には、透光性を備える材料または、反射性を
備える導電膜を電極７５２（ｉ，ｊ）または電極７５２（ｉ＋１，ｊ）に用いることがで
きる。

例えば、導電性酸化物、光が透過する程度に薄い金属膜または金属ナノワイヤー等を電極
７５２（ｉ，ｊ）または電極７５２（ｉ＋１，ｊ）に用いることができる。

具体的には、インジウムを含む導電性酸化物を電極７５２（ｉ，ｊ）または電極７５２（
ｉ＋１，ｊ）に用いることができる。または、厚さ１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の金属薄膜を
電極７５２（ｉ，ｊ）または電極７５２（ｉ＋１，ｊ）に用いることができる。また、銀
を含む金属ナノワイヤーを電極７５２（ｉ，ｊ）または電極７５２（ｉ＋１，ｊ）に用い
ることができる。

具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、
ガリウムを添加した酸化亜鉛、アルミニウムを添加した酸化亜鉛などを、電極７５２（ｉ
，ｊ）または電極７５２（ｉ＋１，ｊ）に用いることができる。

《配向膜ＡＦ１、配向膜ＡＦ２》
例えば、ポリイミド等を含む材料を配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２に用いることができ
る。具体的には、液晶材料が所定の方向に配向するようにラビング処理された材料または
光配向技術を用いて形成された材料を用いることができる。

例えば、可溶性のポリイミドを含む膜を配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２に用いることが
できる。これにより、配向膜ＡＦ１を形成する際に必要とされる温度を低くすることがで
きる。その結果、配向膜ＡＦ１を形成する際に他の構成に与える損傷を軽減することがで
きる。

《着色膜ＣＦ１》
所定の色の光を透過する材料を着色膜ＣＦ１に用いることができる。これにより、着色膜
ＣＦ１を例えばカラーフィルターに用いることができる。

例えば、青色の光を透過する材料、緑色の光を透過する材料または赤色の光を透過する材
料を、着色膜ＣＦ１に用いることができる。これにより、着色膜ＣＦ１を透過する光のス
ペクトルの幅を狭くすることができ、表示を鮮やかにすることができる。

また、例えば、青色の光を吸収する材料、緑色の光を吸収する材料または赤色の光を吸収
する材料を、着色膜ＣＦ１に用いることができる。具体的には、イエローの光を透過する
材料、マゼンタの光を透過する材料またはシアンの光を透過する材料を、着色膜ＣＦ１に
用いることができる。これにより、着色膜ＣＦ１に吸収される光のスペクトルの幅を狭く
することができ、表示を明るくすることができる。

《遮光膜ＢＭ》
例えば、光の透過を抑制する材料を遮光膜ＢＭに用いることができる。これにより、遮光
膜ＢＭを例えばブラックマトリクスに用いることができる。

具体的には、顔料または染料を含む樹脂を遮光膜ＢＭに用いることができる。例えば、カ
ーボンブラックを分散した樹脂を遮光膜に用いることができる。

または、無機化合物、無機酸化物、複数の無機酸化物の固溶体を含む複合酸化物等を遮光
膜ＢＭに用いることができる。具体的には、黒色クロム膜、酸化第２銅を含む膜、塩化銅
または塩化テルルなどを含む膜を遮光膜ＢＭに用いることができる。

《絶縁膜７７１》
例えば、絶縁膜５２１Ａ、絶縁膜５２１Ｂ、絶縁膜５２１Ｃに用いることができる材料を
絶縁膜７７１に用いることができる。

例えば、ポリイミド、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等を絶縁膜７７１に用いることができ
る。これにより、絶縁膜７７１は、例えば、絶縁膜７７１と重なるさまざまな構造に由来
する段差を平坦化することができる。

《機能膜７７０Ａ、機能膜７７０Ｂ》
例えば、反射防止フィルム、偏光フィルム、位相差フィルム、光拡散フィルムまたは集光
フィルム等を機能膜７７０Ａまたは機能膜７７０Ｂに用いることができる。

具体的には、円偏光フィルムを機能膜７７０Ａに用いることができる。また、光拡散フィ
ルムを機能膜７７０Ａに用いることができる。

また、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、反射防止
膜（アンチ・リフレクション膜）、非光沢処理膜（アンチ・グレア膜）、使用に伴う傷の
発生を抑制するハードコート膜などを、機能膜７７０Ａに用いることができる。

《駆動回路ＧＤ》
シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路ＧＤに用いることができる。例えば
、トランジスタＭＤ、容量素子等を駆動回路ＧＤに用いることができる。具体的には、ス
イッチＳＷ１に用いることができるトランジスタと同一の工程で形成することができる半
導体膜を備えるトランジスタを用いることができる。

例えば、スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタと異なる構成をトランジスタ
ＭＤに用いることができる。具体的には、半導体膜をゲート電極との間に挟む領域を備え
る導電膜５２４を有するトランジスタを、トランジスタＭＤに用いることができる（図６
（Ｂ）参照）。

なお、スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタと同一の構成を、トランジスタ
ＭＤに用いることができる。

《トランジスタの構成例１．》
例えば、同一の工程で形成することができる半導体膜を駆動回路および画素回路のトラン
ジスタに用いることができる。

例えば、ボトムゲート型のトランジスタまたはトップゲート型のトランジスタなどを駆動
回路のトランジスタまたは画素回路のトランジスタに用いることができる。

ところで、例えば、アモルファスシリコンを半導体に用いるボトムゲート型のトランジス
タの製造ラインは、酸化物半導体を半導体に用いるボトムゲート型のトランジスタの製造
ラインに容易に改造できる。また、例えばポリシリコンを半導体に用いるトップゲート型
のトランジスタの製造ラインは、酸化物半導体を半導体に用いるトップゲート型のトラン
ジスタの製造ラインに容易に改造できる。いずれの改造も、既存の製造ラインを有効に活
用することができる。

例えば、１４族の元素を含む半導体を半導体膜に用いるトランジスタを利用することがで
きる。具体的には、シリコンを含む半導体を半導体膜に用いることができる。例えば、単
結晶シリコン、ポリシリコン、微結晶シリコンまたはアモルファスシリコンなどを半導体
膜に用いたトランジスタを用いることができる。

なお、半導体にポリシリコンを用いるトランジスタの作製に要する温度は、半導体に単結
晶シリコンを用いるトランジスタに比べて低い。

また、ポリシリコンを半導体に用いるトランジスタの電界効果移動度は、アモルファスシ
リコンを半導体に用いるトランジスタに比べて高い。これにより、画素の開口率を向上す
ることができる。また、極めて高い精細度で設けられた画素と、ゲート駆動回路およびソ
ース駆動回路を同一の基板上に形成することができる。その結果、電子機器を構成する部
品数を低減することができる。

ポリシリコンを半導体に用いるトランジスタの信頼性は、アモルファスシリコンを半導体
に用いるトランジスタに比べて優れる。

また、化合物半導体を用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、ガリウ
ムヒ素を含む半導体を半導体膜に用いることができる。

また、有機半導体を用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、ポリアセ
ン類またはグラフェンを含む有機半導体を半導体膜に用いることができる。

例えば、酸化物半導体を半導体膜に用いるトランジスタを利用することができる。具体的
には、インジウムを含む酸化物半導体またはインジウムとガリウムと亜鉛を含む酸化物半
導体を半導体膜に用いることができる。

一例を挙げれば、オフ状態におけるリーク電流が、半導体膜にアモルファスシリコンを用
いたトランジスタより小さいトランジスタを用いることができる。具体的には、酸化物半
導体を半導体膜に用いたトランジスタを用いることができる。

これにより、アモルファスシリコンを半導体膜に用いたトランジスタを利用する画素回路
と比較して、画素回路が画像信号を保持することができる時間を長くすることができる。
具体的には、フリッカーの発生を抑制しながら、選択信号を３０Ｈｚ未満、好ましくは１
Ｈｚ未満、より好ましくは一分に一回未満の頻度で供給することができる。その結果、表
示パネルの使用者に蓄積する疲労を低減することができる。また、駆動に伴う消費電力を
低減することができる。

《トランジスタの構成例２．》
例えば、トランジスタをスイッチＳＷ１に用いることができる（図７（Ｂ）参照）。

トランジスタは、半導体膜５０８、導電膜５０４、導電膜５１２Ａおよび導電膜５１２Ｂ
を備える。

半導体膜５０８は、導電膜５１２Ａと電気的に接続される領域５０８Ａ、導電膜５１２Ｂ
と電気的に接続される領域５０８Ｂを備える（図７（Ｂ）参照）。

半導体膜５０８は、領域５０８Ａおよび領域５０８Ｂの間に導電膜５０４と重なる領域５
０８Ｃを備える。

導電膜５０４はゲート電極の機能を備える。

絶縁膜５０６は、半導体膜５０８および導電膜５０４の間に挟まれる領域を備える。絶縁
膜５０６はゲート絶縁膜の機能を備える。

導電膜５１２Ａはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の一方を備え、導電膜５１
２Ｂはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の他方を備える。

例えば、タンタルおよび窒素を含む厚さ１０ｎｍの膜と、銅を含む厚さ３００ｎｍの膜と
を積層した導電膜を、導電膜５０４に用いることができる。なお、銅を含む膜は、絶縁膜
５０６との間に、タンタルおよび窒素を含む膜を挟む領域を備える。

例えば、シリコンおよび窒素を含む厚さ４００ｎｍの膜と、シリコン、酸素および窒素を
含む厚さ２００ｎｍの膜とを積層した積層膜を、絶縁膜５０６に用いることができる。な
お、シリコンおよび窒素を含む膜は、半導体膜５０８との間に、シリコン、酸素および窒
素を含む膜を挟む領域を備える。

例えば、インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含む厚さ２５ｎｍの膜を、半導体膜５０８に
用いることができる。

《トランジスタの構成例３．》
また、導電膜５２４を有するトランジスタを、駆動回路または画素回路のトランジスタに
用いることができる（図６（Ｂ）参照）。

導電膜５２４は、導電膜５０４Ｅとの間に半導体膜５０８を挟む領域を備える。なお、絶
縁膜５１６は、導電膜５２４および半導体膜５０８の間に挟まれる領域を備える。また、
例えば、導電膜５０４Ｅと同じ電位を供給する配線に導電膜５２４を電気的に接続するこ
とができる。

例えば、タンタルおよび窒素を含む厚さ１０ｎｍの膜と、銅を含む厚さ３００ｎｍの膜と
を積層した導電膜を、導電膜５０４Ｅに用いることができる。なお、銅を含む膜は、絶縁
膜５０６との間に、タンタルおよび窒素を含む膜を挟む領域を備える。

例えば、タングステンを含む厚さ５０ｎｍの膜と、アルミニウムを含む厚さ４００ｎｍの
膜と、チタンを含む厚さ１００ｎｍの膜とをこの順で積層した導電膜を、導電膜５１２Ｃ
または導電膜５１２Ｄに用いることができる。なお、タングステンを含む膜は、半導体膜
５０８と接する領域を備える。

＜表示パネルの構成例６．＞
本実施の形態で説明する表示パネルの構成例は、画素７０２（ｉ，ｊ）と、画素７０２（
ｉ＋１，ｊ）と、機能層５２０と、を有する（図２（Ｃ）参照）。

《画素の構成例９．》
画素７０２（ｉ，ｊ）は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）および表示素子７５０（ｉ，ｊ）を
備える（図２（Ｃ）参照）。

画素７０２（ｉ＋１，ｊ）は、画素回路５３０（ｉ＋１，ｊ）および表示素子７５０（ｉ
＋１，ｊ）を備える。

機能層５２０は表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備え、機能層５２０は表示素子
７５０（ｉ＋１，ｊ）と重なる領域を備え、機能層５２０は画素回路５３０（ｉ，ｊ）を
備え、機能層５２０は画素回路５３０（ｉ＋１，ｊ）を備える。

なお、機能層５２０は、基板７７０と基板５７０との間に挟まれる領域を備える。

《表示素子７５０（ｉ，ｊ）の構成例２．》
表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、第１の電極１１、第２の電極１２および液晶材料を含む層
７５３を備える。

第１の電極１１は機能層５２０との間に第１の距離ｄ１を備え、第１の電極１１は液晶材
料を含む層７５３と重なる領域を備え、第１の電極１１は櫛歯状の形状を備える。例えば
、屈曲した櫛歯状の形状を第１の電極１１に用いることができる（図８参照）。

第２の電極１２は機能層５２０との間に第２の距離ｄ２を備え、第２の電極１２は液晶材
料を含む層７５３と重なる領域を備え、第２の電極１２は第１の電極１１の櫛歯状の間隙
と重なる領域を備える（図２（Ｃ）参照）。また、第２の距離ｄ２は第１の距離ｄ１より
短い。

なお、液晶材料を含む層７５３は、基板７７０および機能層５２０の間に挟まれる領域を
備える。

《表示素子７５０（ｉ＋１，ｊ）の構成例２．》
表示素子７５０（ｉ＋１，ｊ）は、第３の電極１３、第４の電極１４および液晶材料を含
む層７５３を備える。例えば、第１の電極１１に用いることができる材料を、第３の電極
１３に用いることができる。また、第３の電極１３は、第１の電極１１を形成する工程に
おいて形成することができる。

第３の電極１３は、機能層５２０との間に第３の距離ｄ３を備える。第３の電極１３は、
液晶材料を含む層７５３と重なる領域を備え、第３の電極１３は、櫛歯状の形状を備える
。

第４の電極１４は機能層５２０との間に第４の距離ｄ４を備え、第４の電極１４は液晶材
料を含む層７５３と重なる領域を備え、第４の電極１４は第３の電極１３の櫛歯状の間隙
と重なる領域を備える。また、第４の距離ｄ４は第３の距離ｄ３より短く、第３の距離ｄ
３は第１の距離ｄ１と等しい。

《画素の構成例１０．》
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、第１の電極１１と電気的に接続される（図２（Ｃ）参照）
。なお、本実施の形態の画素の構成例１０においては、第１の電極１１が電極７５１（ｉ
，ｊ）であり、第２の電極１２が電極７５２（ｉ，ｊ）である。

これにより、例えば、画像情報に基づいて、第１の電極の電位を制御することができる。
または、第１の電極および第２の電極の間に、所定の電界を形成することができる。また
は、液晶材料を含む層に含まれる液晶の配向を制御することができる。その結果、利便性
または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

《画素の構成例１１．》
画素回路５３０（ｉ＋１，ｊ）は第３の電極１３と電気的に接続される（図２（Ｃ）参照
）。なお、本実施の形態の画素の構成例１１においては、第３の電極１３が電極７５１（
ｉ＋１，ｊ）であり、第４の電極１４が電極７５２（ｉ＋１，ｊ）である。

これにより、例えば、画像情報に基づいて、第３の電極の電位を制御することができる。
または、第３の電極および第４の電極の間に、所定の電界を形成することができる。また
は、液晶材料を含む層に含まれる液晶の配向を制御することができる。その結果、利便性
または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

＜表示パネルの構成例７．＞
本実施の形態で説明する表示パネル７００は、画素７０２（ｉ，ｊ）と、画素７０２（ｉ
＋１，ｊ）と、機能層５２０と、絶縁膜５２１Ｄと、を有する（図３参照）。

《画素の構成例１２．》
画素７０２（ｉ，ｊ）は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）および表示素子７５０（ｉ，ｊ）を
備える。

画素７０２（ｉ＋１，ｊ）は、画素回路５３０（ｉ＋１，ｊ）および表示素子７５０（ｉ
＋１，ｊ）を備える。

機能層５２０は表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備え、機能層５２０は表示素子
７５０（ｉ＋１，ｊ）と重なる領域を備え、機能層５２０は画素回路５３０（ｉ，ｊ）を
備え、機能層５２０は画素回路５３０（ｉ＋１，ｊ）を備える。

《表示素子７５０（ｉ，ｊ）の構成例３．》
表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、第１の電極１１、第２の電極１２および液晶材料を含む層
７５３を備える。

第１の電極１１は機能層５２０との間に第１の距離ｄ１を備え、第１の電極１１は液晶材
料を含む層７５３と重なる領域を備え、第１の電極１１は、櫛歯状の形状を備える。

第２の電極１２は機能層５２０との間に第２の距離ｄ２を備え、第２の電極１２は液晶材
料を含む層７５３と重なる領域を備え、第２の電極１２は第１の電極１１の櫛歯状の間隙
と重なる領域を備える。また、第２の距離ｄ２は第１の距離ｄ１より短い。

《表示素子７５０（ｉ＋１，ｊ）の構成例３．》
表示素子７５０（ｉ＋１，ｊ）は、第３の電極１３、第４の電極１４および液晶材料を含
む層７５３を備える。

第３の電極１３は機能層５２０との間に第３の距離ｄ３を備え、第３の電極１３は液晶材
料を含む層７５３と重なる領域を備え、第３の電極１３は櫛歯状の形状を備える。

第４の電極１４は機能層５２０との間に第４の距離ｄ４を備え、第４の電極１４は液晶材
料を含む層７５３と重なる領域を備え、第４の電極１４は第３の電極１３の櫛歯状の間隙
と重なる領域を備え、第４の電極１４は第２の電極１２と重なる領域を備える。また、第
４の距離ｄ４は第３の距離ｄ３より短い。

絶縁膜５２１Ｄは第２の電極１２および第４の電極１４の間に挟まれる領域を備える。

なお、画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、第１の電極１１と電気的に接続される。本実施の形
態の表示パネルの構成例３においては、第１の電極１１が電極７５１（ｉ，ｊ）であり、
第２の電極１２が電極７５２（ｉ，ｊ）である。

また、画素回路５３０（ｉ＋１，ｊ）は、第３の電極１３と電気的に接続される。本実施
の形態の表示パネルの構成例３においては、第３の電極１３が電極７５１（ｉ＋１，ｊ）
であり、第４の電極１４が電極７５２（ｉ＋１，ｊ）である。

これにより、例えば、画像情報に基づいて、第１の電極および第２の電極の間または第３
の電極および第４の電極の間に、所定の電界を形成することができる。または、液晶材料
を含む層に含まれる液晶の配向を制御することができる。その結果、利便性または信頼性
に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

＜表示パネルの構成例８．＞
図４（Ａ）を参照しながら説明する表示パネルは、電極１１および液晶材料を含む層７５
３の間に絶縁膜５２１Ｃを備えない点が、図２（Ａ）を参照しながら説明する表示パネル
の構成とは異なる。ここでは、異なる部分について詳細に説明し、同様の構成を用いるこ
とができる部分について上記の説明を援用する。

例えば、絶縁膜５２１Ｂは、絶縁膜５２１Ｂ１および絶縁膜５２１Ｂ２を備える。具体的
には、絶縁膜５２１Ｂ１より薄い酸化シリコンを含む膜を絶縁膜５２１Ｂ２に用いること
ができる。

例えば、表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、表示素子７５０（ｉ＋１，ｊ）より厚い液晶材料
を含む層７５３を備える。

例えば、電極１３および電極１４の間隔を、電極１１および電極１２の間隔と同じにする
ことができる。

＜表示パネルの構成例９．＞
図４（Ｂ）を参照しながら説明する表示パネルは、電極１１および液晶材料を含む層７５
３の間に絶縁膜５２１Ｃを備えない点と、電極１１および電極１２の間に絶縁膜５２１Ｂ
に代えて絶縁膜５２１Ｃを備える点とが、図２（Ａ）を参照しながら説明する表示パネル
の構成とは異なる。ここでは、異なる部分について詳細に説明し、同様の構成を用いるこ
とができる部分について上記の説明を援用する。

例えば、表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、表示素子７５０（ｉ＋１，ｊ）より厚い液晶材料
を含む層７５３を備える。

例えば、電極１３および電極１４の間隔を、電極１１および電極１２の間隔と同じにする
ことができる。

＜表示パネルの構成例１０．＞
図４（Ｃ）を参照しながら説明する表示パネルは、電極１１および液晶材料を含む層７５
３の間に絶縁膜５２１Ｃを備えない点と、電極１４および絶縁膜５２１Ｂの間に絶縁膜５
２１Ｅを備える点とが、図２（Ａ）を参照しながら説明する表示パネルの構成とは異なる
。ここでは、異なる部分について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分に
ついて上記の説明を援用する。

例えば、絶縁膜５２１Ｃより薄い酸化シリコンを含む膜を絶縁膜５２１Ｂに用いることが
できる。

例えば、窒化シリコンを含む膜を絶縁膜５２１Ｅに用いることができる。具体的には、第
４の電極を形成する際に用いるレジストマスクと同一のレジストマスクを用いて絶縁膜５
２１Ｅを形成することができる。

例えば、表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、表示素子７５０（ｉ＋１，ｊ）より厚い液晶材料
を含む層７５３を備える。

＜表示パネルの構成例１１．＞
図２１を参照しながら説明する表示パネルは、櫛歯状の電極１１が備える間隙と重なるよ
うに配置された櫛歯状の導電膜を電極１２に用いる点と、画素回路５３０（ｉ，ｊ）が備
えるトランジスタのソース電極またはドレイン電極と同じ工程で形成することができる導
電膜を電極１２に用いる点とが、図２を参照しながら説明する表示パネルの構成とは異な
る。

また、図２１を参照しながら説明する表示パネルは、櫛歯状の電極１３が備える間隙と重
なるように配置された櫛歯状の導電膜を電極１４に用いる点が、図２を参照しながら説明
する表示パネルの構成とは異なる。なお、図２１（Ｂ）を参照しながら説明する表示パネ
ルは、画素回路５３０（ｉ＋１，ｊ）が備えるトランジスタのソース電極またはドレイン
電極と同じ工程で形成することができる導電膜を、電極１４に用いる点が、図２（Ｂ）を
参照しながら説明する表示パネルの構成とは異なる。

＜表示パネルの構成例１２．＞
図２２を参照しながら説明する表示パネルは、画素回路５３０（ｉ，ｊ）が備えるトラン
ジスタのゲート電極と同じ工程で形成することができる導電膜を電極１２に用いる点が、
図２１を参照しながら説明する表示パネルの構成とは異なる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成について、図１１および図１２を参
照しながら説明する。

図１１は本発明の一態様の表示装置の構成を説明するブロック図である。

図１２（Ａ）は図１１に示す表示パネルの構成とは異なる構成を説明するブロック図であ
る。図１２（Ｂ－１）乃至図１２（Ｂ－３）は本発明の一態様の表示装置の外観を説明す
る図である。

＜表示装置の構成例＞
本実施の形態で説明する表示装置は、表示パネル７００と、制御部２３８と、を有する（
図１１参照）。例えば、実施の形態１で説明する表示パネルを表示パネル７００に用いる
ことができる。または、表示パネル７００Ｂを用いることができる。

《制御部２３８》
制御部２３８は、画像情報Ｖ１および制御情報ＳＳを供給される機能を備える。

制御部２３８は、画像情報Ｖ１に基づいて第１の情報Ｖ１１を生成する機能を備える。制
御部２３８は、第１の情報Ｖ１１を供給する機能を備える。

例えば、伸張回路２３４または画像処理回路２３５Ｍを、制御部２３８に用いることがで
きる。

《表示パネル７００》
表示パネル７００は、第１の情報Ｖ１１を供給される機能を備える。

表示パネル７００は、第１の情報Ｖ１１に基づいて表示する機能を備える。

表示パネル７００は画素７０２（ｉ，ｊ）を備える。また、画素７０２（ｉ，ｊ）は表示
素子７５０（ｉ，ｊ）を備える。具体的には、透過型の表示素子を表示素子７５０（ｉ，
ｊ）に用いることができる。これにより、第１の情報Ｖ１１に基づいて、バックライト７
００ＢＬから供給された光の透過を制御して、画像情報を表示することができる。

これにより、表示パネルを用いて画像情報を表示することができる。その結果、利便性ま
たは信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。

例えば、テレビジョン受像システム（図１２（Ｂ－１）参照）、映像モニター（図１２（
Ｂ－２）参照）またはノートブックコンピュータ（図１２（Ｂ－３）参照）などを提供す
ることができる。

《伸張回路２３４》
伸張回路２３４は、圧縮された状態で供給される画像情報Ｖ１を伸張する機能を備える。
伸張回路２３４は、記憶部を備える。記憶部は、例えば伸張された画像情報を記憶する機
能を備える。

《画像処理回路２３５Ｍ》
画像処理回路２３５Ｍは、例えば、領域を備える。

領域は、例えば、画像情報Ｖ１に含まれる情報を記憶する機能を備える。

また、画像処理回路２３５Ｍは、例えば、所定の特性曲線に基づいて画像情報Ｖ１を補正
して情報Ｖ１１を生成する機能と、情報Ｖ１１を供給する機能と、を備える。具体的には
、表示素子７５０（ｉ，ｊ）が良好な画像を表示するように、情報Ｖ１１を生成する機能
を備える。

《バックライト７００ＢＬ》
バックライト７００ＢＬは、表示パネル７００に光を供給する機能を備える。

例えば、発光ダイオードまたは有機ＥＬ素子等をバックライト７００ＢＬに用いることが
できる。具体的には、量子ドットを蛍光体に用いた発光ダイオードを用いることができる
。これにより、半値幅が狭く、鮮やかな色の光を発することができる。

バックライト７００ＢＬは、例えば、微小なレンズを、画素７０２（ｉ，ｊ）との間に備
えることができる。具体的には、バックライト７００ＢＬが射出する光を画素７０２（ｉ
，ｊ）に集光するように配設してレンズを用いることができる。これにより、バックライ
ト７００ＢＬが射出する光を有効に利用することができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置の構成について、図１３を参照しながら
説明する。

図１３は本発明の一態様の入出力装置の構成を説明するブロック図である。

＜入出力装置の構成例＞
本実施の形態で説明する入出力装置は、入力部２４０と、表示部２３０と、を有する（図
１３参照）。例えば、実施の形態１に記載の表示パネル７００を表示部２３０に用いるこ
とができる。

入力部２４０は検知領域２４１を備える。入力部２４０は検知領域２４１に近接するもの
を検知する機能を備える。

検知領域２４１は、画素７０２（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。

《入力部２４０》
入力部２４０は検知領域２４１を備える。入力部２４０は発振回路ＯＳＣおよび検知回路
ＤＣを備えることができる（図１３参照）。

《検知領域２４１》
検知領域２４１は、例えば、単数または複数の検知素子を備えることができる。

検知領域２４１は、一群の検知素子７７５（ｇ，１）乃至検知素子７７５（ｇ，ｑ）と、
他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）と、を有する（図１
３参照）。なお、ｇは１以上ｐ以下の整数であり、ｈは１以上ｑ以下の整数であり、ｐお
よびｑは１以上の整数である。

一群の検知素子７７５（ｇ，１）乃至検知素子７７５（ｇ，ｑ）は、検知素子７７５（ｇ
，ｈ）を含み、行方向（図中に矢印Ｒ２で示す方向）に配設される。なお、図１３に矢印
Ｒ２で示す方向は、図１３に矢印Ｒ１で示す方向と同じであっても良いし、異なっていて
もよい。

また、他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）は、検知素子
７７５（ｇ，ｈ）を含み、行方向と交差する列方向（図中に矢印Ｃ２で示す方向）に配設
される。

《検知素子》
検知素子は近接するポインタを検知する機能を備える。例えば、指やスタイラスペン等を
ポインタに用いることができる。例えば、金属片またはコイル等を、スタイラスペンに用
いることができる。

具体的には、静電容量方式の近接センサ、電磁誘導方式の近接センサ、光学方式の近接セ
ンサ、抵抗膜方式の近接センサなどを、検知素子に用いることができる。

また、複数の方式の検知素子を併用することもできる。例えば、指を検知する検知素子と
、スタイラスペンを検知する検知素子とを、併用することができる。これにより、ポイン
タの種類を判別することができる。または、判別したポインタの種類に基づいて、異なる
命令を検知情報に関連付けることができる。具体的には、ポインタに指を用いたと判別し
た場合は、検知情報をジェスチャーと関連付けることができる。または、ポインターにス
タイラスペンを用いたと判別した場合は、検知情報を描画処理と関連付けることができる
。

具体的には、静電容量方式または光学方式の近接センサを用いて、指を検知することがで
きる。または、電磁誘導方式または光学方式の近接センサを用いて、スタイラスペンを検
知することができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力パネルの構成について、図１４乃至図１５を
参照しながら説明する。

図１４は本発明の一態様の入出力装置に用いることができる入出力パネルの構成を説明す
る図である。図１４（Ａ）は入出力パネルの上面図である。図１４（Ｂ）および図１４（
Ｃ）は図１４（Ａ）の一部を説明する投影図である。

図１５は本発明の一態様の入出力装置に用いることができる入出力パネルの構成を説明す
る図である。図１５（Ａ）は制御線および検知信号線が隣接する部分の上面図である。図
１５（Ｂ）は隣接部に生じる電界を模式的に説明する投影図である。

＜入出力パネルの構成例＞
本実施の形態で説明する入出力パネルは、検知領域２４１を有する点が、例えば、実施の
形態１において説明する表示パネル７００とは異なる。ここでは、異なる部分について詳
細に説明し、同様の構成を用いることができる部分について上記の説明を援用する。

《検知領域２４１》
検知領域２４１は、制御線ＣＬ（ｇ）、検知信号線ＭＬ（ｈ）および検知素子７７５（ｇ
，ｈ）を備える（図１３参照）。

制御線ＣＬ（ｇ）は制御信号を供給する機能を備え、検知信号線ＭＬ（ｈ）は、検知信号
を供給される機能を備える。

《検知素子７７５（ｇ，ｈ）》
検知素子７７５（ｇ，ｈ）は、制御線ＣＬ（ｇ）および検知信号線ＭＬ（ｈ）と電気的に
接続される（図１３、図１４（Ａ）および図１４（Ｂ）参照）。

検知素子７７５（ｇ，ｈ）は、制御信号および画素７０２（ｉ，ｊ）と重なる領域に近接
するものとの距離に基づいて変化する検知信号を供給する機能を備える（図１５（Ｂ）参
照）。

検知素子７７５（ｇ，ｈ）は、制御電極Ｃ（ｇ）と、検知電極Ｍ（ｈ）と、を備える（図
１４（Ｂ）参照）。

制御電極Ｃ（ｇ）は制御線ＣＬ（ｇ）と電気的に接続され、制御電極Ｃ（ｇ）は第１の電
極１１または第２の電極１２のうち、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続されてい
ない方を含む（図１５（Ａ）参照）。例えば、画素回路と電気的に接続されていない電極
７５２（ｉ，ｊ）を含む複数の電極を制御電極Ｃ（ｇ）に用いることができる。

具体的には、行方向（図中に矢印Ｒ２で示す方向）に配設される複数の画素の表示素子が
備える電極のうち、画素回路と電気的に接続されていない方の複数を電気的に接続して、
制御電極Ｃ（ｇ）または制御線ＣＬ（ｇ）に用いることができる（図１５（Ｂ）参照）。

検知電極Ｍ（ｈ）は検知信号線ＭＬ（ｈ）と電気的に接続され、検知電極Ｍ（ｈ）は第３
の電極１３または第４の電極１４のうち、画素回路５３０（ｉ＋１，ｊ）と電気的に接続
されていない方を含む（図１５（Ａ）参照）。例えば、画素回路と電気的に接続されてい
ない電極７５２（ｉ＋１，ｊ）を含む複数の電極を検知電極Ｍ（ｈ）に用いることができ
る。

具体的には、列方向（図中に矢印Ｃ２で示す方向）に配設される複数の画素の表示素子が
備える電極のうち、画素回路と電気的に接続されていない方の複数を電気的に接続して、
検知電極Ｍ（ｈ）または検知信号線ＭＬ（ｈ）に用いることができる（図１５（Ｂ）参照
）。

例えば、画素回路と電気的に接続されていない方の複数の電極のうち、制御線ＣＬ（ｇ）
に用いることができる電極７５２（ｉ，ｊ）と、検知信号線ＭＬ（ｈ）に用いることがで
きる電極７５２（ｉ＋１，ｊ）と、検知信号線ＭＬ（ｈ＋１）に用いることができる電極
７５２（ｉ－１，ｊ＋１）とは、隣接部Ｘ０において互いに隣接する（図１５（Ａ）参照
）。

検知電極Ｍ（ｈ）は画素７０２（ｉ，ｊ）と重なる領域に近接するモノによって一部が遮
られる電界を、制御電極ＣＬ（ｊ）との間に形成するように配置される（図１５（Ｂ）参
照）。例えば、画素７０２（ｉ，ｊ）の近傍にある制御電極Ｃ（ｇ）と検知電極Ｍ（ｈ）
の間に形成される電界の一部は、近接する指等によって遮られる。

これにより、検知領域に配置された画素回路と電気的に接続されていない方の複数の電極
を、複数の領域に仕分けることができる。または、複数の領域に異なる電位を供給するこ
とができる。または、複数の領域に仕分けた電極を、検知素子の電極に用いることができ
る。または、異なる電位を制御線に供給することができる。または、検知信号を検知信号
線に供給することができる。または、インセル型の入出力パネルを提供することができる
。または、入出力パネルを構成する部材を削減することができる。

また、表示部を用いて画像情報を表示しながら、表示部と重なる領域に近接するものを検
知することができる。または、表示部に近接させる指などをポインタに用いて、位置情報
を入力することができる。または、位置情報を表示部に表示する画像情報に関連付けるこ
とができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することが
できる。

《発振回路ＯＳＣ》
発振回路ＯＳＣは、制御線ＣＬ（ｇ）と電気的に接続され、制御信号を供給する機能を備
える。例えば、矩形波、のこぎり波また三角波等を制御信号に用いることができる。

《検知回路ＤＣ》
検知回路ＤＣは、検知信号線ＭＬ（ｈ）と電気的に接続され、検知信号線ＭＬ（ｈ）の電
位の変化に基づいて検知信号を供給する機能を備える。なお、検知信号は、例えば、位置
情報Ｐ１を含む。

《表示部２３０》
例えば、実施の形態１において説明する表示パネルを表示部２３０に用いることができる
。または、実施の形態２において説明する表示装置を表示部２３０に用いることができる
。

《検知素子７７５（ｇ，ｈ）》
検知素子７７５（ｇ，ｈ）は、制御電極Ｃ（ｇ）および検知信号線ＭＬ（ｈ）を備える（
図１５（Ａ）参照）。

画素７０２（ｉ，ｊ）と重なる領域に透光性を有する導電膜または画素７０２（ｉ，ｊ）
と重なる領域に開口部を備える導電膜を、制御電極Ｃ（ｇ）または検知電極Ｍ（ｈ）に用
いることができる。これにより、表示パネルの表示を遮ることなく、表示パネルと重なる
領域に近接するものを検知することができる。

なお、検知領域２４１は、一群の検知素子７７５（ｇ，１）乃至検知素子７７５（ｇ，ｑ
）と、他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）と、を有する
（図１４（Ａ）参照）。なお、ｇは１以上ｐ以下の整数であり、ｈは１以上ｑ以下の整数
であり、ｐおよびｑは１以上の整数である。

一群の検知素子７７５（ｇ，１）乃至検知素子７７５（ｇ，ｑ）は、検知素子７７５（ｇ
，ｈ）を含み、行方向（図中に矢印Ｒ２で示す方向）に配設される。なお、図１４（Ａ）
に矢印Ｒ２で示す方向は、図１３に矢印Ｒ１で示す方向と同じであっても良いし、異なっ
ていてもよい。

また、他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）は、検知素子
７７５（ｇ，ｈ）を含み、行方向と交差する列方向（図中に矢印Ｃ２で示す方向）に配設
される。

行方向に配設される一群の検知素子７７５（ｇ，１）乃至検知素子７７５（ｇ，ｑ）は、
制御線ＣＬ（ｇ）と電気的に接続される制御電極Ｃ（ｇ）を含む。例えば、制御線ＣＬ（
ｇ）に用いる導電膜と同一の導電膜を制御電極Ｃ（ｇ）に用いることができる。これによ
り、制御線ＣＬ（ｇ）を制御電極Ｃ（ｇ）と一体にすることができる。

列方向に配設される他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）
は、検知信号線ＭＬ（ｈ）と電気的に接続される検知電極Ｍ（ｈ）を含む。例えば、検知
信号線ＭＬ（ｈ）に用いる導電膜と同一の導電膜を検知電極Ｍ（ｈ）に用いることができ
る。これにより、検知信号線ＭＬ（ｈ）を検知電極Ｍ（ｈ）と一体にすることができる。

検知信号線ＭＬ（ｈ）は、導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）を含む（図１４（Ｂ）または図１５（Ｂ
）参照）。導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）は、制御線ＣＬ（ｇ）と重なる領域を備える。

また、検知素子７７５（ｇ，ｈ）は絶縁膜を備える。絶縁膜は、制御線ＣＬ（ｇ）および
導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）の間に挟まれる領域を備える。これにより、制御線ＣＬ（ｇ）およ
び導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）の短絡を防止することができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図１６乃至図１８を
参照しながら説明する。

図１６（Ａ）は本発明の一態様の情報処理装置の構成を説明するブロック図である。図１
６（Ｂ）および図１６（Ｃ）は、情報処理装置２００の外観の一例を説明する投影図であ
る。

図１７は、本発明の一態様のプログラムを説明するフローチャートである。図１７（Ａ）
は、本発明の一態様のプログラムの主の処理を説明するフローチャートであり、図１７（
Ｂ）は、割り込み処理を説明するフローチャートである。

図１８（Ａ）は、本発明の一態様のプログラムの割り込み処理を説明するフローチャート
である。図１８（Ｂ）は、動作を説明する模式図である。

＜情報処理装置の構成例１．＞
本実施の形態で説明する情報処理装置２００は、入出力装置２２０と、演算装置２１０と
、を有する（図１６（Ａ）参照）。入出力装置は、演算装置２１０と電気的に接続される
。また、情報処理装置２００は筐体を備えることができる（図１６（Ｂ）または図１６（
Ｃ）参照）。

入出力装置２２０は表示部２３０および入力部２４０を備える（図１６（Ａ）参照）。入
出力装置２２０は検知部２５０を備える。また、入出力装置２２０は通信部２９０を備え
ることができる。

入出力装置２２０は画像情報Ｖ１または制御情報ＳＳを供給される機能を備え、位置情報
Ｐ１または検知情報Ｓ１を供給する機能を備える。

演算装置２１０は位置情報Ｐ１または検知情報Ｓ１を供給させる機能を備える。演算装置
２１０は画像情報Ｖ１を供給する機能を備える。演算装置２１０は、例えば、位置情報Ｐ
１または検知情報Ｓ１に基づいて動作する機能を備える。

なお、筐体は入出力装置２２０または演算装置２１０を収納する機能を備える。または、
筐体は表示部２３０または演算装置２１０を支持する機能を備える。

表示部２３０は画像情報Ｖ１に基づいて画像を表示する機能を備える。表示部２３０は制
御情報ＳＳに基づいて画像を表示する機能を備える。

入力部２４０は、位置情報Ｐ１を供給する機能を備える。

検知部２５０は検知情報Ｓ１を供給する機能を備える。検知部２５０は、例えば、情報処
理装置２００が使用される環境の照度を検出する機能を備え、照度情報を供給する機能を
備える。

これにより、情報処理装置は、情報処理装置が使用される環境において、情報処理装置の
筐体が受ける光の強さを把握して動作することができる。または、情報処理装置の使用者
は、表示方法を選択することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情
報処理装置を提供することができる。

以下に、情報処理装置を構成する個々の要素について説明する。なお、これらの構成は明
確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合がある
。例えばタッチセンサが表示パネルに重ねられたタッチパネルは、表示部であるとともに
入力部でもある。

《構成例》
本発明の一態様の情報処理装置２００は、筐体または演算装置２１０を有する。

演算装置２１０は、演算部２１１、記憶部２１２、伝送路２１４、入出力インターフェー
ス２１５を備える。

また、本発明の一態様の情報処理装置は、入出力装置２２０を有する。

入出力装置２２０は、表示部２３０、入力部２４０、検知部２５０および通信部２９０を
備える。

《情報処理装置》
本発明の一態様の情報処理装置は、演算装置２１０または入出力装置２２０を備える。

《演算装置２１０》
演算装置２１０は、演算部２１１および記憶部２１２を備える。また、伝送路２１４およ
び入出力インターフェース２１５を備える。

《演算部２１１》
演算部２１１は、例えばプログラムを実行する機能を備える。

《記憶部２１２》
記憶部２１２は、例えば演算部２１１が実行するプログラム、初期情報、設定情報または
画像等を記憶する機能を有する。

具体的には、ハードディスク、フラッシュメモリまたは酸化物半導体を含むトランジスタ
を用いたメモリ等を用いることができる。

《入出力インターフェース２１５、伝送路２１４》
入出力インターフェース２１５は端子または配線を備え、情報を供給し、情報を供給され
る機能を備える。例えば、伝送路２１４と電気的に接続することができる。また、入出力
装置２２０と電気的に接続することができる。

伝送路２１４は配線を備え、情報を供給し、情報を供給される機能を備える。例えば、入
出力インターフェース２１５と電気的に接続することができる。また、演算部２１１、記
憶部２１２または入出力インターフェース２１５と電気的に接続することができる。

《入出力装置２２０》
入出力装置２２０は、表示部２３０、入力部２４０、検知部２５０または通信部２９０を
備える。例えば、実施の形態３において説明する入出力装置を用いることができる。これ
により、消費電力を低減することができる。

《表示部２３０》
表示部２３０は、制御部２３８と、駆動回路ＧＤと、駆動回路ＳＤと、表示パネル７００
と、を有する（図１１参照）。例えば、実施の形態２で説明する表示装置を表示部２３０
に用いることができる。

《入力部２４０》
さまざまなヒューマンインターフェイス等を入力部２４０に用いることができる（図１６
参照）。

例えば、キーボード、マウス、タッチセンサ、マイクまたはカメラ等を入力部２４０に用
いることができる。なお、表示部２３０に重なる領域を備えるタッチセンサを用いること
ができる。表示部２３０と表示部２３０に重なる領域を備えるタッチセンサを備える入出
力装置を、タッチパネルまたはタッチスクリーンということができる。

例えば、使用者は、タッチパネルに触れた指をポインタに用いて様々なジェスチャー（タ
ップ、ドラッグ、スワイプまたはピンチイン等）をすることができる。

例えば、演算装置２１０は、タッチパネルに接触する指の位置または軌跡等の情報を解析
し、解析結果が所定の条件を満たすとき、特定のジェスチャーが供給されたとすることが
できる。これにより、使用者は、所定のジェスチャーにあらかじめ関連付けられた所定の
操作命令を、当該ジェスチャーを用いて供給できる。

一例を挙げれば、使用者は、画像情報の表示位置を変更する「スクロール命令」を、タッ
チパネルに沿ってタッチパネルに接触する指を移動するジェスチャーを用いて供給できる
。

《検知部２５０》
検知部２５０は、周囲の状態を検知して検知情報を供給する機能を備える。具体的には、
照度情報、姿勢情報、圧力情報、位置情報等を供給できる。

例えば、光検出器、姿勢検出器、加速度センサ、方位センサ、ＧＰＳ（Ｇｌｏｂａｌ ｐ
ｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍ）信号受信回路、圧力センサ、温度センサ、湿度セ
ンサまたはカメラ等を、検知部２５０に用いることができる。

《通信部２９０》
通信部２９０は、ネットワークに情報を供給し、ネットワークから情報を取得する機能を
備える。

《プログラム》
本発明の一態様のプログラムは、下記のステップを有する（図１７（Ａ）参照）。

［第１のステップ］
第１のステップにおいて、設定を初期化する（図１７（Ａ）（Ｓ１）参照）。

例えば、起動時に表示する所定の画像情報と、当該画像情報を表示する所定のモードと、
当該画像情報を表示する所定の表示方法を特定する情報と、を記憶部２１２から取得する
。具体的には、一の静止画像情報または他の動画像情報を所定の画像情報に用いることが
できる。また、第１のモードまたは第２のモードを所定のモードに用いることができる。

［第２のステップ］
第２のステップにおいて、割り込み処理を許可する（図１７（Ａ）（Ｓ２）参照）。なお
、割り込み処理が許可された演算装置は、主の処理と並行して割り込み処理を行うことが
できる。割り込み処理から主の処理に復帰した演算装置は、割り込み処理をして得た結果
を主の処理に反映することができる。

なお、カウンタの値が初期値であるとき、演算装置に割り込み処理をさせ、割り込み処理
から復帰する際に、カウンタを初期値以外の値としてもよい。これにより、プログラムを
起動した後に常に割り込み処理をさせることができる。

［第３のステップ］
第３のステップにおいて、第１のステップまたは割り込み処理において選択された、所定
のモードまたは所定の表示方法を用いて画像情報を表示する（図１７（Ａ）（Ｓ３）参照
）。なお、所定のモードは情報を表示するモードを特定し、所定の表示方法は画像情報を
表示する方法を特定する。また、例えば、画像情報Ｖ１または情報Ｖ１１を表示する情報
に用いることができる。

例えば、画像情報Ｖ１を表示する一の方法を、第１のモードに関連付けることができる。
または、画像情報Ｖ１を表示する他の方法を第２のモードに関連付けることができる。こ
れにより、選択されたモードに基づいて表示方法を選択することができる。

《第１のモード》
具体的には、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で一の走査線に選択信号を供
給し、選択信号に基づいて表示をする方法を、第１のモードに関連付けることができる。

例えば、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で選択信号を供給すると、動画像
の動きを滑らかに表示することができる。

例えば、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で画像を更新すると、使用者の操
作に滑らかに追従するように変化する画像を、使用者が操作中の情報処理装置２００に表
示することができる。

《第２のモード》
具体的には、３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満、より好ましくは一分に一回未満の頻
度で一の走査線に選択信号を供給し、選択信号に基づいて表示をする方法を、第２のモー
ドに関連付けることができる。

３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満、より好ましくは一分に一回未満の頻度で選択信号
を供給すると、フリッカーまたはちらつきが抑制された表示をすることができる。また、
消費電力を低減することができる。

例えば、情報処理装置２００を時計に用いる場合、１秒に一回の頻度または１分に一回の
頻度等で表示を更新することができる。

［第４のステップ］
第４のステップにおいて、終了命令が供給された場合は第５のステップに進み、終了命令
が供給されなかった場合は第３のステップに進むように選択する（図１７（Ａ）（Ｓ４）
参照）。

例えば、割り込み処理において供給された終了命令を判断に用いてもよい。

［第５のステップ］
第５のステップにおいて、終了する（図１７（Ａ）（Ｓ５）参照）。

《割り込み処理》
割り込み処理は以下の第６のステップ乃至第８のステップを備える（図１７（Ｂ）参照）
。

［第６のステップ］
第６のステップにおいて、例えば、検知部２５０を用いて、情報処理装置２００が使用さ
れる環境の照度を検出する（図１７（Ｂ）（Ｓ６）参照）。なお、環境の照度に代えて環
境光の色温度や色度を検出してもよい。

［第７のステップ］
第７のステップにおいて、検出した照度情報に基づいて表示方法を決定する。（図１７（
Ｂ）（Ｓ７）参照）。例えば、表示の明るさを暗すぎないように、または明るすぎないよ
うに決定する。

なお、第６のステップにおいて環境光の色温度や環境光の色度を検出した場合は、表示の
色味を調節してもよい。

［第８のステップ］
第８のステップにおいて、割り込み処理を終了する（図１７（Ｂ）（Ｓ８）参照）。

＜情報処理装置の構成例２．＞
本発明の一態様の情報処理装置の別の構成について、図１８を参照しながら説明する。

図１８（Ａ）は、本発明の一態様のプログラムを説明するフローチャートである。図１８
（Ａ）は、図１７（Ｂ）に示す割り込み処理とは異なる割り込み処理を説明するフローチ
ャートである。

なお、情報処理装置の構成例２は、供給された所定のイベントに基づいて、モードを変更
するステップを割り込み処理に有する点が、図１７（Ｂ）を参照しながら説明する割り込
み処理とは異なる。ここでは、異なる部分について詳細に説明し、同様の構成を用いるこ
とができる部分について上記の説明を援用する。

《割り込み処理》
割り込み処理は以下の第６のステップ乃至第８のステップを備える（図１８（Ａ）参照）
。

［第６のステップ］
第６のステップにおいて、所定のイベントが供給された場合は、第７のステップに進み、
所定のイベントが供給されなかった場合は、第８のステップに進む（図１８（Ａ）（Ｕ６
）参照）。例えば、所定の期間に所定のイベントが供給されたか否かを条件に用いること
ができる。具体的には、５秒以下、１秒以下または０．５秒以下好ましくは０．１秒以下
であって０秒より長い期間を所定の期間とすることができる。

［第７のステップ］
第７のステップにおいて、モードを変更する（図１８（Ａ）（Ｕ７）参照）。具体的には
、第１のモードを選択していた場合は、第２のモードを選択し、第２のモードを選択して
いた場合は、第１のモードを選択する。

例えば、表示部２３０の一部の領域について、表示モードを変更することができる。具体
的には、駆動回路ＧＤＡ、駆動回路ＧＤＢ、および駆動回路ＧＤＣを備える表示部２３０
の駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給する領域について、表示モードを変更することができ
る（図１８（Ｂ）参照）。

例えば、所定のイベントが、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給する領域の入力部２４０に
供給された場合に、当該領域の表示モードを変更することができる。具体的には、駆動回
路ＧＤＢが供給する選択信号の頻度を変更することができる。これにより、例えば、駆動
回路ＧＤＢが選択信号を供給する領域の表示を、駆動回路ＧＤＡおよび駆動回路ＧＤＣを
動作することなく更新することができる。または、駆動回路が消費する電力を抑制するこ
とができる。

［第８のステップ］
第８のステップにおいて、割り込み処理を終了する（図１８（Ａ）（Ｕ８）参照）。なお
、主の処理を実行している期間に割り込み処理を繰り返し実行してもよい。

《所定のイベント》
例えば、マウス等のポインティング装置を用いて供給する、「クリック」や「ドラッグ」
等のイベント、指等をポインタに用いてタッチパネルに供給する、「タップ」、「ドラッ
グ」または「スワイプ」等のイベントを用いることができる。

また、例えば、ポインタが指し示すスライドバーの位置、スワイプの速度、ドラッグの速
度等を用いて、所定のイベントに関連付けられた命令の引数を与えることができる。

例えば、検知部２５０が検知した情報をあらかじめ設定された閾値と比較して、比較結果
をイベントに用いることができる。

具体的には、筐体に押し込むことができるように配設されたボタン等に接する感圧検知器
等を検知部２５０に用いることができる。

《所定のイベントに関連付ける命令》
例えば、終了命令を、特定のイベントに関連付けることができる。

例えば、表示されている一の画像情報から他の画像情報に表示を切り替える「ページめく
り命令」を、所定のイベントに関連付けることができる。なお、「ページめくり命令」を
実行する際に用いるページをめくる速度などを決定する引数を、所定のイベントを用いて
与えることができる。

例えば、一の画像情報の表示されている一部分の表示位置を移動して、一部分に連続する
他の部分を表示する「スクロール命令」などを、所定のイベントに関連付けることができ
る。なお、「スクロール命令」を実行する際に用いる表示を移動する速度などを決定する
引数を、所定のイベントを用いて与えることができる。

例えば、表示方法を設定する命令または画像情報を生成する命令などを、所定のイベント
に関連付けることができる。なお、生成する画像の明るさを決定する引数を所定のイベン
トに関連付けることができる。また、生成する画像の明るさを決定する引数を、検知部２
５０が検知する環境の明るさに基づいて決定してもよい。

例えば、プッシュ型のサービスを用いて配信される情報を、通信部２９０を用いて取得す
る命令などを、所定のイベントに関連付けることができる。

なお、情報を取得する資格の有無を、検知部２５０が検知する位置情報を用いて判断して
もよい。具体的には、ユーザーが特定の教室、学校、会議室、企業、建物等の内部または
領域にいる場合に、情報を取得する資格を有すると判断してもよい。これにより、例えば
、学校または大学等の教室で配信される教材を受信して、情報処理装置２００を教科書等
に用いることができる（図１６（Ｃ）参照）。または、企業等の会議室で配信される資料
を受信して、会議資料に用いることができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。

（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図１９および図２０
を参照しながら説明する。

図１９および図２０は、本発明の一態様の情報処理装置の構成を説明する図である。図１
９（Ａ）は情報処理装置のブロック図であり、図１９（Ｂ）乃至図１９（Ｅ）は情報処理
装置の構成を説明する斜視図である。また、図２０（Ａ）乃至図２０（Ｅ）は情報処理装
置の構成を説明する斜視図である。

＜情報処理装置＞
本実施の形態で説明する情報処理装置５２００Ｂは、演算装置５２１０と、入出力装置５
２２０とを、有する（図１９（Ａ）参照）。

演算装置５２１０は、操作情報を供給される機能を備え、操作情報に基づいて画像情報を
供給する機能を備える。

入出力装置５２２０は、表示部５２３０、入力部５２４０、検知部５２５０、通信部５２
９０、操作情報を供給する機能および画像情報を供給される機能を備える。また、入出力
装置５２２０は、検知情報を供給する機能、通信情報を供給する機能および通信情報を供
給される機能を備える。

入力部５２４０は操作情報を供給する機能を備える。例えば、入力部５２４０は、情報処
理装置５２００Ｂの使用者の操作に基づいて操作情報を供給する。

具体的には、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ
、音声入力装置、視線入力装置などを、入力部５２４０に用いることができる。

表示部５２３０は表示パネルおよび画像情報を表示する機能を備える。例えば、実施の形
態１において説明する表示パネルを表示部５２３０に用いることができる。

検知部５２５０は検知情報を供給する機能を備える。例えば、情報処理装置が使用されて
いる周辺の環境を検知して、検知情報として供給する機能を備える。

具体的には、照度センサ、撮像装置、姿勢検出装置、圧力センサ、人感センサなどを検知
部５２５０に用いることができる。

通信部５２９０は通信情報を供給される機能および供給する機能を備える。例えば、無線
通信または有線通信により、他の電子機器または通信網と接続する機能を備える。具体的
には、無線構内通信、電話通信、近距離無線通信などの機能を備える。

《情報処理装置の構成例１．》
例えば、円筒状の柱などに沿った外形を表示部５２３０に適用することができる（図１９
（Ｂ）参照）。また、使用環境の照度に応じて、表示の明るさを変更する機能を備える。
また、人の存在を検知して、表示内容を変更する機能を備える。これにより、例えば、建
物の柱に設置することができる。または、広告または案内等を表示することができる。ま
たは、デジタル・サイネージ等に用いることができる。

《情報処理装置の構成例２．》
例えば、使用者が使用するポインタの軌跡に基づいて画像情報を生成する機能を備える（
図１９（Ｃ）参照）。具体的には、対角線の長さが２０インチ以上、好ましくは４０イン
チ以上、より好ましくは５５インチ以上の表示パネルを用いることができる。または、複
数の表示パネルを並べて１つの表示領域に用いることができる。または、複数の表示パネ
ルを並べてマルチスクリーンに用いることができる。これにより、例えば、電子黒板、電
子掲示板、電子看板等に用いることができる。

《情報処理装置の構成例３．》
例えば、使用環境の照度に応じて、表示の明るさを変更する機能を備える（図１９（Ｄ）
参照）。これにより、例えば、スマートウオッチの消費電力を低減することができる。ま
たは、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像
をスマートウオッチに表示することができる。

《情報処理装置の構成例４．》
表示部５２３０は、例えば、筐体の側面に沿って緩やかに曲がる曲面を備える（図１９（
Ｅ）参照）。または、表示部５２３０は表示パネルを備え、表示パネルは、例えば、前面
、側面および上面に表示する機能を備える。これにより、例えば、携帯電話の前面だけで
なく、側面および上面に画像情報を表示することができる。

《情報処理装置の構成例５．》
例えば、使用環境の照度に応じて、表示の明るさを変更する機能を備える（図２０（Ａ）
参照）。これにより、スマートフォンの消費電力を低減することができる。または、例え
ば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をスマート
フォンに表示することができる。

《情報処理装置の構成例６．》
例えば、使用環境の照度に応じて、表示の明るさを変更する機能を備える（図２０（Ｂ）
参照）。これにより、晴天の日に屋内に差し込む強い外光が当たっても好適に使用できる
ように、映像をテレビジョンシステムに表示することができる。

《情報処理装置の構成例７．》
例えば、使用環境の照度に応じて、表示の明るさを変更する機能を備える（図２０（Ｃ）
参照）。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用でき
るように、画像をタブレットコンピュータに表示することができる。

《情報処理装置の構成例８．》
例えば、使用環境の照度に応じて、表示の明るさを変更する機能を備える（図２０（Ｄ）
参照）。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に閲覧でき
るように、被写体をデジタルカメラに表示することができる。

《情報処理装置の構成例９．》
例えば、使用環境の照度に応じて、表示の明るさを変更する機能を備える（図２０（Ｅ）
参照）。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用でき
るように、画像をパーソナルコンピュータに表示することができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。

例えば、本明細書等において、ＸとＹとが接続されている、と明示的に記載されている場
合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場
合と、ＸとＹとが直接接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとする
。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず
、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に記載されているものと
する。

ここで、Ｘ、Ｙは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層
、など）であるとする。

ＸとＹとが直接的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能
とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイ
オード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に接続されていない場合であ
り、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量
素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）を介さずに
、ＸとＹとが、接続されている場合である。

ＸとＹとが電気的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能
とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイ
オード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが
可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、スイ
ッチは、導通状態（オン状態）、または、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか
流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択し
て切り替える機能を有している。なお、ＸとＹとが電気的に接続されている場合は、Ｘと
Ｙとが直接的に接続されている場合を含むものとする。

ＸとＹとが機能的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの機能的な接続を可能
とする回路（例えば、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号変
換回路（ＤＡ変換回路、ＡＤ変換回路、ガンマ補正回路など）、電位レベル変換回路（電
源回路（昇圧回路、降圧回路など）、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など）
、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路（信号振幅または電流量などを大きく出来る
回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生成
回路、記憶回路、制御回路など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能であ
る。なお、一例として、ＸとＹとの間に別の回路を挟んでいても、Ｘから出力された信号
がＹへ伝達される場合は、ＸとＹとは機能的に接続されているものとする。なお、ＸとＹ
とが機能的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合と、ＸとＹ
とが電気的に接続されている場合とを含むものとする。

なお、ＸとＹとが電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹと
が電気的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟んで
接続されている場合）と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの
間に別の回路を挟んで機能的に接続されている場合）と、ＸとＹとが直接接続されている
場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合）と
が、本明細書等に開示されているものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示
的に記載されている場合は、単に、接続されている、とのみ明示的に記載されている場合
と同様な内容が、本明細書等に開示されているものとする。

なお、例えば、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１を介して（又は介
さず）、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ
２を介して（又は介さず）、Ｙと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース
（又は第１の端子など）が、Ｚ１の一部と直接的に接続され、Ｚ１の別の一部がＸと直接
的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２の一部と直接的
に接続され、Ｚ２の別の一部がＹと直接的に接続されている場合では、以下のように表現
することが出来る。

例えば、「ＸとＹとトランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２
の端子など）とは、互いに電気的に接続されており、Ｘ、トランジスタのソース（又は第
１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙの順序で電気的に
接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第
１の端子など）は、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子な
ど）はＹと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トラ
ンジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この順序で電気的に接続されている
」と表現することができる。または、「Ｘは、トランジスタのソース（又は第１の端子な
ど）とドレイン（又は第２の端子など）とを介して、Ｙと電気的に接続され、Ｘ、トラン
ジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など
）、Ｙは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様
な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トラン
ジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別
して、技術的範囲を決定することができる。

または、別の表現方法として、例えば、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）
は、少なくとも第１の接続経路を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は
、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した、トラ
ンジスタのソース（又は第１の端子など）とトランジスタのドレイン（又は第２の端子な
ど）との間の経路であり、前記第１の接続経路は、Ｚ１を介した経路であり、トランジス
タのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路を介して、Ｙと電気
的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有しておらず、前記第３の
接続経路は、Ｚ２を介した経路である。」と表現することができる。または、「トランジ
スタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路によって、Ｚ１を介
して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、
前記第２の接続経路は、トランジスタを介した接続経路を有し、トランジスタのドレイン
（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路によって、Ｚ２を介して、Ｙと電
気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有していない。」と表現
することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なく
とも第１の電気的パスによって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の電気
的パスは、第２の電気的パスを有しておらず、前記第２の電気的パスは、トランジスタの
ソース（又は第１の端子など）からトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）への
電気的パスであり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３
の電気的パスによって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の電気的パスは
、第４の電気的パスを有しておらず、前記第４の電気的パスは、トランジスタのドレイン
（又は第２の端子など）からトランジスタのソース（又は第１の端子など）への電気的パ
スである。」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成
における接続経路について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子
など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定すること
ができる。

なお、これらの表現方法は、一例であり、これらの表現方法に限定されない。ここで、Ｘ
、Ｙ、Ｚ１、Ｚ２は、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、
層、など）であるとする。

なお、回路図上は独立している構成要素同士が電気的に接続しているように図示されてい
る場合であっても、１つの構成要素が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もあ
る。例えば配線の一部が電極としても機能する場合は、一の導電膜が、配線の機能、及び
電極の機能の両方の構成要素の機能を併せ持っている。したがって、本明細書における電
気的に接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場
合も、その範疇に含める。

Ｃ（ｇ） 電極
Ｍ（ｈ） 電極
ＣＬ（ｇ） 制御線
ＭＬ（ｈ） 信号線
ＤＣ 検知回路
ＯＳＣ 発振回路
Ｐ１ 位置情報
ＢＭ 遮光膜
ＳＤ 駆動回路
ＧＤ 駆動回路
ＧＤＡ 駆動回路
ＧＤＢ 駆動回路
ＡＮＯ 導電膜
ＢＲ（ｇ，ｈ） 導電膜
ＳＳ 制御情報
ＣＳＣＯＭ 配線
ＡＣＦ１ 導電材料
ＡＦ１ 配向膜
ＡＦ２ 配向膜
Ｃ１１ 容量素子
ＣＦ１ 着色膜
Ｇ１（ｉ） 走査線
ＫＢ１ 構造体
Ｓ１ 検知情報
Ｓ１（ｊ） 信号線
ＳＷ１ スイッチ
Ｖ１ 画像情報
Ｖ１１ 情報
ＶＣＯＭ１ 配線
ＦＰＣ１ フレキシブルプリント基板
１１ 電極
１２ 電極
１３ 電極
１４ 電極
２００ 情報処理装置
２１０ 演算装置
２１１ 演算部
２１２ 記憶部
２１４ 伝送路
２１５ 入出力インターフェース
２２０ 入出力装置
２３０ 表示部
２３１ 表示領域
２３４ 伸張回路
２３５Ｍ 画像処理回路
２３８ 制御部
２４０ 入力部
２４１ 検知領域
２５０ 検知部
２９０ 通信部
５０１Ｃ 絶縁膜
５０４ 導電膜
５０６ 絶縁膜
５０８ 半導体膜
５０８Ａ 領域
５０８Ｂ 領域
５０８Ｃ 領域
５１１Ｂ 導電膜
５１１Ｃ 導電膜
５１２Ａ 導電膜
５１２Ｂ 導電膜
５１６ 絶縁膜
５１８ 絶縁膜
５１９Ｂ 端子
５２０ 機能層
５２１ 絶縁膜
５２１Ａ 絶縁膜
５２１Ｂ 絶縁膜
５２４ 導電膜
５３０（ｉ，ｊ） 画素回路
５７０ 基板
５９１Ａ 開口部
７００ 表示パネル
７００Ｂ 表示パネル
７０２（ｉ，ｊ） 画素
７０５ 封止材
７２０ 機能層
７５０（ｉ，ｊ） 表示素子
７５２ 電極
７５３ 液晶材料を含む層
７７０ 基板
７７０Ａ 機能膜
７７０Ｂ 機能膜
７７１ 絶縁膜
７７５（ｇ，ｈ） 検知素子
５２００Ｂ 情報処理装置
５２１０ 演算装置
５２２０ 入出力装置
５２３０ 表示部
５２４０ 入力部
５２５０ 検知部
５２９０ 通信部

Claims (1)

1. 第１の画素と、第２の画素と、を有し、
   前記第１の画素は、第１のトランジスタおよび第１の表示素子を有し、
   前記第２の画素は、第２のトランジスタおよび第２の表示素子を有し、
   前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタを含む機能層は、前記第１の表示素子と重なる領域を有し、
   前記機能層は、前記第２の表示素子と重なる領域を有し、
   前記第１の表示素子は、第１の電極、第２の電極および液晶材料を含む層を有し、
   前記第１の電極は、前記機能層との間に第１の距離を有し、
   前記第１の電極は、前記液晶材料を含む層と重なる領域を有し、
   前記第１の電極は、櫛歯状の形状を有し、
   前記第２の電極は、前記機能層との間に第２の距離を有し、
   前記第２の電極は、前記液晶材料を含む層と重なる領域を有し、
   前記第２の電極は、前記第１の電極の櫛歯状の間隙と重なる領域を有し、
   前記第２の距離は、前記第１の距離より短く、
   前記第２の表示素子は、第３の電極、第４の電極および前記液晶材料を含む層を有し、
   前記第３の電極は、前記機能層との間に第３の距離を有し、
   前記第３の電極は、前記液晶材料を含む層と重なる領域を有し、
   前記第３の電極は、櫛歯状の形状を有し、
   前記第４の電極は、前記機能層との間に第４の距離を有し、
   前記第４の電極は、前記液晶材料を含む層と重なる領域を有し、
   前記第４の電極は、前記第３の電極の櫛歯状の間隙と重なる領域を有し、
   前記第４の距離は、前記第３の距離より短く、
   前記第３の距離は、前記第１の距離より長く、
   前記第１の電極と前記第４の電極は、同一の絶縁表面上に接するように配置されている表示パネル。

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