JP2003114445A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 表示の品質の向上を図る。
【解決手段】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面の各画素領域に、層間絶縁膜
に対して上層および下層となる一対の電極が層を異にし
て形成され、前記各画素領域のうち選択された２つの画
素領域にて、前記層間絶縁膜に対して下層となる電極が
形成される下地層の前記一方の基板面に対する高さが異
なるとともに、前記層間絶縁膜の膜厚が、前記高さの異
なる各下地層のうち高い方に対して小さく、かつ低い方
に対して大きく設定されている。
ち一方の基板の液晶側の面の各画素領域に、層間絶縁膜
に対して上層および下層となる一対の電極が層を異にし
て形成され、前記各画素領域のうち選択された２つの画
素領域にて、前記層間絶縁膜に対して下層となる電極が
形成される下地層の前記一方の基板面に対する高さが異
なるとともに、前記層間絶縁膜の膜厚が、前記高さの異
なる各下地層のうち高い方に対して小さく、かつ低い方
に対して大きく設定されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に係
り、特に、いわゆる横電界方式と称される液晶表示装置
に関する。
り、特に、いわゆる横電界方式と称される液晶表示装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】いわゆる横電界方式と称される液晶表示
装置は、液晶を介して対向配置される各基板の一方の基
板の液晶側の面の各画素領域に、画素電極とこの画素電
極との間に電界を発生せしめる対向電極が形成され、該
電界のうち基板とほぼ平行な成分によって液晶の光透過
率を制御させるようになっている。
装置は、液晶を介して対向配置される各基板の一方の基
板の液晶側の面の各画素領域に、画素電極とこの画素電
極との間に電界を発生せしめる対向電極が形成され、該
電界のうち基板とほぼ平行な成分によって液晶の光透過
率を制御させるようになっている。
【０００３】また、このような液晶表示装置を、アクテ
ィブ・マトリクス型に適用させたものとして、前記一方
の基板の液晶側の面において、そのｘ方向に延在しｙ方
向に並設されるゲート信号線とｙ方向に延在しｘ方向に
並設されるドレイン信号線とで囲まれた領域を画素領域
とし、これら各画素領域に、ゲート信号線からの走査信
号によって作動するスイッチング素子と、このスイッチ
ング素子を介してドレイン信号線からの映像信号が供給
される画素電極と、この画素電極と離間配置された対向
電極とが形成されている。
ィブ・マトリクス型に適用させたものとして、前記一方
の基板の液晶側の面において、そのｘ方向に延在しｙ方
向に並設されるゲート信号線とｙ方向に延在しｘ方向に
並設されるドレイン信号線とで囲まれた領域を画素領域
とし、これら各画素領域に、ゲート信号線からの走査信
号によって作動するスイッチング素子と、このスイッチ
ング素子を介してドレイン信号線からの映像信号が供給
される画素電極と、この画素電極と離間配置された対向
電極とが形成されている。
【０００４】そして、カラー表示用の場合、前記一方の
基板側にカラーフィルタを形成し、他方の基板側には該
カラーフィルタを形成しない構造のものが知られるに至
っている。近年の高精細化にともない、一方の基板に対
する他方の基板の合わせずれによる影響を低減させるた
めである。
基板側にカラーフィルタを形成し、他方の基板側には該
カラーフィルタを形成しない構造のものが知られるに至
っている。近年の高精細化にともない、一方の基板に対
する他方の基板の合わせずれによる影響を低減させるた
めである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成からなる液晶表示装置は、赤色（Ｒ）、緑色
（Ｇ）、および青色（Ｂ）の各カラーフィルタにおい
て、その層厚が全て均一に形成されていない構成となっ
ている。
うな構成からなる液晶表示装置は、赤色（Ｒ）、緑色
（Ｇ）、および青色（Ｂ）の各カラーフィルタにおい
て、その層厚が全て均一に形成されていない構成となっ
ている。
【０００６】Ｒ、Ｇ、Ｂのそれぞれのカラーフィルタの
透過率、色純度のバランスをとるためにそれぞれの層厚
を独自に設定する場合、あるいは製造上のばらつきによ
り各層厚が均一に形成できない場合があるからである。
透過率、色純度のバランスをとるためにそれぞれの層厚
を独自に設定する場合、あるいは製造上のばらつきによ
り各層厚が均一に形成できない場合があるからである。
【０００７】この場合、該カラーフィルタの上層に、画
素電極および対向電極が層間絶縁膜を介して形成されて
いる場合、前記層間絶縁膜の一方の基板面に対する高さ
が前記カラーフィルタの層厚に反映され、前記画素電極
あるいは対向電極がそれぞれ高さ（一方の基板面からの
高さ）が異なって形成されることになる。
素電極および対向電極が層間絶縁膜を介して形成されて
いる場合、前記層間絶縁膜の一方の基板面に対する高さ
が前記カラーフィルタの層厚に反映され、前記画素電極
あるいは対向電極がそれぞれ高さ（一方の基板面からの
高さ）が異なって形成されることになる。
【０００８】このことは、各画素においての液晶の層厚
が均一にならず、それぞれ同じ光透過率が得られないこ
とになる。
が均一にならず、それぞれ同じ光透過率が得られないこ
とになる。
【０００９】また、画素電極および対向電極との間に介
在される層間絶縁膜がたとえば塗布により形成される樹
脂材等の場合、該層間絶縁膜の厚さが異なる色のカラー
フィルタの画素ごとに異なり、前記画素電極と対向電極
との間の該層間絶縁膜による異なる電圧低下が輝度−電
圧特性をずらすことになり、中間調の色バランスがくず
れることになる。
在される層間絶縁膜がたとえば塗布により形成される樹
脂材等の場合、該層間絶縁膜の厚さが異なる色のカラー
フィルタの画素ごとに異なり、前記画素電極と対向電極
との間の該層間絶縁膜による異なる電圧低下が輝度−電
圧特性をずらすことになり、中間調の色バランスがくず
れることになる。
【００１０】本発明は、このような事情に基づいてなさ
れたものであり、その目的は、表示の品質の向上を図っ
た液晶表示装置を提供することにある。
れたものであり、その目的は、表示の品質の向上を図っ
た液晶表示装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００１２】手段１．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面の各画素領域に、層間絶縁膜に対し
て上層および下層となる一対の電極が層を異にして形成
され、前記各画素領域のうち選択された２つの画素領域
にて、前記層間絶縁膜に対して下層となる電極が形成さ
れる下地層の前記一方の基板面に対する高さが異なると
ともに、前記層間絶縁膜の膜厚が、前記高さの異なる各
下地層のうち高い方に対して小さく、かつ低い方に対し
て大きく設定されていることを特徴とするものである。
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面の各画素領域に、層間絶縁膜に対し
て上層および下層となる一対の電極が層を異にして形成
され、前記各画素領域のうち選択された２つの画素領域
にて、前記層間絶縁膜に対して下層となる電極が形成さ
れる下地層の前記一方の基板面に対する高さが異なると
ともに、前記層間絶縁膜の膜厚が、前記高さの異なる各
下地層のうち高い方に対して小さく、かつ低い方に対し
て大きく設定されていることを特徴とするものである。
【００１３】手段２．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面の各画素領域に、該一方の基板側か
ら、少なくともカラーフィルタの上に層間絶縁膜に対し
て上層および下層となる一対の電極が層を異にして形成
され、前記各画素領域のうち選択された２つの異なる色
のカラーフィルタが形成されている画素領域にて、それ
らのカラーフィルタの表面の前記一方の基板面に対する
高さが異なるとともに、前記層間絶縁膜の膜厚は、次式
（１）、
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面の各画素領域に、該一方の基板側か
ら、少なくともカラーフィルタの上に層間絶縁膜に対し
て上層および下層となる一対の電極が層を異にして形成
され、前記各画素領域のうち選択された２つの異なる色
のカラーフィルタが形成されている画素領域にて、それ
らのカラーフィルタの表面の前記一方の基板面に対する
高さが異なるとともに、前記層間絶縁膜の膜厚は、次式
（１）、
【００１４】
【数１】
０＜画素領域間の層間絶縁膜の膜厚差
＜画素領域間のカラーフィルタの膜厚差 …………（１）
を満足するように設定されていることを特徴とするもの
である。
である。
【００１５】手段３．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面の各画素領域に、該一方の基板側か
ら、少なくともカラーフィルタの上に層間絶縁膜に対し
て上層および下層となる一対の電極が層を異にして形成
され、前記各画素領域のうち選択された２つの異なる色
のカラーフィルタが形成されている画素領域にて、それ
らのカラーフィルタの表面の前記一方の基板面に対する
高さが異なるとともに、前記層間絶縁膜の膜厚は、次式
（２）、
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面の各画素領域に、該一方の基板側か
ら、少なくともカラーフィルタの上に層間絶縁膜に対し
て上層および下層となる一対の電極が層を異にして形成
され、前記各画素領域のうち選択された２つの異なる色
のカラーフィルタが形成されている画素領域にて、それ
らのカラーフィルタの表面の前記一方の基板面に対する
高さが異なるとともに、前記層間絶縁膜の膜厚は、次式
（２）、
【００１６】
【数２】 １／４×画素領域間のカラーフィルタの膜厚差
＜画素領域間の層間絶縁膜の膜厚差
＜３／４×画素領域間のカラーフィルタの膜厚差
……（２）
を満足するように設定されていることを特徴とするもの
である。
である。
【００１７】手段４．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、前記手段２あるいは３の構成を前提として、次
式（３）、
とえば、前記手段２あるいは３の構成を前提として、次
式（３）、
【００１８】
【数３】 層間絶縁膜の膜厚
＜最も厚いカラーフィルタの膜厚の３／２倍 ……（３）
を満足するように設定されていることを特徴とするもの
である。
である。
【００１９】手段５．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、前記手段２あるいは３の構成を前提として、次
式（４）
とえば、前記手段２あるいは３の構成を前提として、次
式（４）
【００２０】
【数４】 最も薄いカラーフィルタの膜厚の１／４
＜層間絶縁膜の膜厚
＜最も厚いカラーフィルタの膜厚の３／２倍 ……（４）
を満足するように設定されていることを特徴とするもの
である。
である。
【００２１】手段６．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面の各画素領域に、層間絶縁膜に対し
て上層および下層となる一対の電極が層を異にして形成
され、各画素領域にて、前記層間絶縁膜に対して下層と
なる電極が形成される下地層の前記一方の基板面に対す
る高さが異なるとともに、前記層間絶縁膜の膜厚が、前
記高さの異なる各下地層のうち高い方に対して小さく、
かつ低い方に対して大きく設定されていることを特徴と
するものである。
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面の各画素領域に、層間絶縁膜に対し
て上層および下層となる一対の電極が層を異にして形成
され、各画素領域にて、前記層間絶縁膜に対して下層と
なる電極が形成される下地層の前記一方の基板面に対す
る高さが異なるとともに、前記層間絶縁膜の膜厚が、前
記高さの異なる各下地層のうち高い方に対して小さく、
かつ低い方に対して大きく設定されていることを特徴と
するものである。
【００２２】手段７．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面に形成された各画素領域に、第１の
保護膜と第２の保護膜とが順次積層された保護膜を介し
て一対の電極が形成され、これら各電極は平面的に観た
場合互いに離間されて電界を発生せしめるようになって
いるとともに、前記保護膜の下層の電極上の第１保護膜
および第２保護膜のそれぞれの層厚ｄ ３、ｄ２と、前記
一対の間の領域の第１保護膜および第２保護膜のそれぞ
れの層厚ｄ３’、ｄ２’との関係が次式（５）、
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面に形成された各画素領域に、第１の
保護膜と第２の保護膜とが順次積層された保護膜を介し
て一対の電極が形成され、これら各電極は平面的に観た
場合互いに離間されて電界を発生せしめるようになって
いるとともに、前記保護膜の下層の電極上の第１保護膜
および第２保護膜のそれぞれの層厚ｄ ３、ｄ２と、前記
一対の間の領域の第１保護膜および第２保護膜のそれぞ
れの層厚ｄ３’、ｄ２’との関係が次式（５）、
【００２３】
【数５】 ｄ３≒ｄ３’，ｄ２＜ｄ２’＜ｄ２+ｄ４ ……（５）
を満足し、前記保護膜の下層の電極上の液晶の層厚ｄ１
と前記一対の間の領域上の液晶の層厚ｄ１’の関係は次
式（６）、
と前記一対の間の領域上の液晶の層厚ｄ１’の関係は次
式（６）、
【００２４】
【数６】 ｄ１≒ｄ１’（但し、ｄ１≦ｄ１’） ……（６）
を満足するように設定されていることを特徴とするもの
である。
である。
【００２５】手段８．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面に形成された各画素領域に、第１の
保護膜と第２の保護膜とが順次積層された保護膜を介し
て一対の電極が形成され、これら各電極は平面的に観た
場合互いに離間されて電界を発生せしめるようになって
いるとともに、選択された２つの各画素領域において、
一方の画素領域の第１の保護膜の膜厚をｘ３、第２の保
護膜の膜厚をｘ２とし、他方の画素領域の第１の保護膜
の膜厚をｙ３、第２の保護膜の膜厚をｙ２とした場合、
次式（７）
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面に形成された各画素領域に、第１の
保護膜と第２の保護膜とが順次積層された保護膜を介し
て一対の電極が形成され、これら各電極は平面的に観た
場合互いに離間されて電界を発生せしめるようになって
いるとともに、選択された２つの各画素領域において、
一方の画素領域の第１の保護膜の膜厚をｘ３、第２の保
護膜の膜厚をｘ２とし、他方の画素領域の第１の保護膜
の膜厚をｙ３、第２の保護膜の膜厚をｙ２とした場合、
次式（７）
【００２６】
【数７】 ｘ２+ｘ３≒ｙ２+ｙ３、ｘ３＞ｙ３、ｘ２＜ｙ２ ……（７）
の関係が成立することを特徴とするものである。
【００２７】また、基板から液晶層までの距離が異なる
と、液晶層の厚みが異なることになる。横電界方式では
駆動電圧は液晶層の厚みに依存する。すなわち、液晶層
が厚いほど、より低い電圧で同じ輝度を得ることができ
る。しかし、このことは逆に、基板から液晶層までの距
離が異なる２つの画素間で、Ｂ−Ｖ曲線が異なり、同一
電圧で同じ階調を表示することができないことを意味す
る。以下に示す各手段は、これを解決する手段を提供す
るものである。
と、液晶層の厚みが異なることになる。横電界方式では
駆動電圧は液晶層の厚みに依存する。すなわち、液晶層
が厚いほど、より低い電圧で同じ輝度を得ることができ
る。しかし、このことは逆に、基板から液晶層までの距
離が異なる２つの画素間で、Ｂ−Ｖ曲線が異なり、同一
電圧で同じ階調を表示することができないことを意味す
る。以下に示す各手段は、これを解決する手段を提供す
るものである。
【００２８】手段９．本発明による液晶表示装置は、例
えば、互いに対向される一対の基板間に挟持された液晶
層と、この液晶層の広がり方向に配置される複数の画素
領域と、前記一対の基板のうちの一方の基板の液晶層側
の面の各画素領域に形成された画素電極および対向電極
を有するものであって、前記対向電極が複数本形成され
た第１の画素と第２の画素を有し、前記一方の基板から
層構造を介した前記対向電極までの距離は、前記第１の
画素にて前記第２の画素より長く、前記画素内での前記
複数本形成された対向電極間の距離は、前記第１の画素
にて前記第２の画素より短く形成されていることを特徴
とするものである。
えば、互いに対向される一対の基板間に挟持された液晶
層と、この液晶層の広がり方向に配置される複数の画素
領域と、前記一対の基板のうちの一方の基板の液晶層側
の面の各画素領域に形成された画素電極および対向電極
を有するものであって、前記対向電極が複数本形成され
た第１の画素と第２の画素を有し、前記一方の基板から
層構造を介した前記対向電極までの距離は、前記第１の
画素にて前記第２の画素より長く、前記画素内での前記
複数本形成された対向電極間の距離は、前記第１の画素
にて前記第２の画素より短く形成されていることを特徴
とするものである。
【００２９】手段１０．本発明による液晶表示装置は、
例えば、互いに対向される一対の基板間に挟持された液
晶層と、この液晶層の広がり方向に配置される複数の画
素領域と、前記一対の基板のうちの一方の基板の液晶層
側の面の各画素領域に形成された画素電極および対向電
極を有するものであって、前記画素電極が複数本形成さ
れた第１の画素と第２の画素を有し、前記一方の基板か
ら層構造を介した前記画素電極までの距離は、前記第１
の画素にて前記第２の画素より長く、前記画素内での前
記複数本形成された画素電極間の距離は、前記第１の画
素にて前記第２の画素より短く形成されていることを特
徴とするものである。
例えば、互いに対向される一対の基板間に挟持された液
晶層と、この液晶層の広がり方向に配置される複数の画
素領域と、前記一対の基板のうちの一方の基板の液晶層
側の面の各画素領域に形成された画素電極および対向電
極を有するものであって、前記画素電極が複数本形成さ
れた第１の画素と第２の画素を有し、前記一方の基板か
ら層構造を介した前記画素電極までの距離は、前記第１
の画素にて前記第２の画素より長く、前記画素内での前
記複数本形成された画素電極間の距離は、前記第１の画
素にて前記第２の画素より短く形成されていることを特
徴とするものである。
【００３０】手段１１．本発明による液晶表示装置は、
例えば互いに対向される一対の基板間に挟持された液晶
層と、この液晶層の広がり方向に配置される複数の画素
領域と、前記一対の基板のうちの一方の基板の液晶層側
の面の各画素領域に形成された画素電極および対向電極
を有するものであって、前記一方の基板から層構造を介
して前記対向電極までの距離がそれぞれ異なる第１の画
素と第２の画素を有し、前記一方の基板から前記対向電
極までの距離は、前記第１の画素にて前記第２の画素よ
り長く、前記画素電極と前記対向電極の間の距離は、前
記第１の画素にて前記第２の画素より短く形成されてい
ることを特徴とするものである。
例えば互いに対向される一対の基板間に挟持された液晶
層と、この液晶層の広がり方向に配置される複数の画素
領域と、前記一対の基板のうちの一方の基板の液晶層側
の面の各画素領域に形成された画素電極および対向電極
を有するものであって、前記一方の基板から層構造を介
して前記対向電極までの距離がそれぞれ異なる第１の画
素と第２の画素を有し、前記一方の基板から前記対向電
極までの距離は、前記第１の画素にて前記第２の画素よ
り長く、前記画素電極と前記対向電極の間の距離は、前
記第１の画素にて前記第２の画素より短く形成されてい
ることを特徴とするものである。
【００３１】手段１２．本発明による液晶表示装置は、
例えば、手段１１において、前記画素電極と対向電極が
異なる層で構成されていることを特徴とするものであ
る。
例えば、手段１１において、前記画素電極と対向電極が
異なる層で構成されていることを特徴とするものであ
る。
【００３２】手段１３．本発明による液晶表示装置は、
例えば、手段１１において、前記画素電極と対向電極が
同層で構成されていることを特徴とするものである。
例えば、手段１１において、前記画素電極と対向電極が
同層で構成されていることを特徴とするものである。
【００３３】手段１４．本発明による液晶表示装置は、
例えば、手段９において前記対向電極が有機膜上に構成
されていることを特徴とするものである。
例えば、手段９において前記対向電極が有機膜上に構成
されていることを特徴とするものである。
【００３４】手段１５．本発明による液晶表示装置は、
例えば、手段１０において前記画素電極が有機膜上に構
成されていることを特徴とするものである。
例えば、手段１０において前記画素電極が有機膜上に構
成されていることを特徴とするものである。
【００３５】手段１６．本発明による液晶表示装置は、
例えば、手段１３において前記画素電極と対向電極が有
機膜上に構成されていることを特徴とするものである。
例えば、手段１３において前記画素電極と対向電極が有
機膜上に構成されていることを特徴とするものである。
【００３６】手段１７．本発明による液晶表示装置は、
例えば、互いに対向される一対の基板間に挟持された液
晶層と、この液晶層の広がり方向に配置される複数の画
素領域と、前記一対の基板のうちの一方の基板の液晶層
側の面の各画素領域に形成された画素電極および対向電
極を有するものであって、前記一方の基板から層構造を
介した前記画素電極の間の距離と前記一方の基板から層
構造を介した前記対向電極の間の距離の差が異なる第１
の画素と第２の画素を有し、前記差は前記第１の画素に
て前記第２の画素より小さく、前記一方の基板と前記画
素電極の間の距離が前記第１の画素にて前記第２の画素
より大きく、前記一方の基板と前記対向電極の間の距離
が前記第１の画素にて前記第２の画素より大きく形成さ
れていることを特徴とするものである。
例えば、互いに対向される一対の基板間に挟持された液
晶層と、この液晶層の広がり方向に配置される複数の画
素領域と、前記一対の基板のうちの一方の基板の液晶層
側の面の各画素領域に形成された画素電極および対向電
極を有するものであって、前記一方の基板から層構造を
介した前記画素電極の間の距離と前記一方の基板から層
構造を介した前記対向電極の間の距離の差が異なる第１
の画素と第２の画素を有し、前記差は前記第１の画素に
て前記第２の画素より小さく、前記一方の基板と前記画
素電極の間の距離が前記第１の画素にて前記第２の画素
より大きく、前記一方の基板と前記対向電極の間の距離
が前記第１の画素にて前記第２の画素より大きく形成さ
れていることを特徴とするものである。
【００３７】手段１８．本発明による液晶表示装置は、
例えば、手段１７において前記画素電極と対向電極が有
機膜を介して異なる層で構成されていることを特徴とす
るものである。
例えば、手段１７において前記画素電極と対向電極が有
機膜を介して異なる層で構成されていることを特徴とす
るものである。
【００３８】手段１９．本発明による液晶表示装置は、
例えば、手段１４ないし１６、あるいは１８のいずれか
において前記有機膜はカラーフィルタであることを特徴
とするものである。
例えば、手段１４ないし１６、あるいは１８のいずれか
において前記有機膜はカラーフィルタであることを特徴
とするものである。
【００３９】手段２０．本発明による液晶表示装置は、
例えば、手段９ないし１１、あるいは１７のいずれかに
おいて前記第１の画素と第２の画素が隣接配置されてい
ることを特徴とするものである。
例えば、手段９ないし１１、あるいは１７のいずれかに
おいて前記第１の画素と第２の画素が隣接配置されてい
ることを特徴とするものである。
【００４０】本発明の更なる手段は本願明細書あるいは
図面により明らかとなるであろう。
図面により明らかとなるであろう。
【００４１】
【発明の実施の形態】以下、本発明による液晶表示装置
の実施例を図面を用いて説明をする。
の実施例を図面を用いて説明をする。
【００４２】実施例１．
《等価回路》図２は本発明による液晶表示装置の一実施
例を示す全体等価回路図である。同図は等価回路である
が、実際の幾何学的配置に対応させて描いている。
例を示す全体等価回路図である。同図は等価回路である
が、実際の幾何学的配置に対応させて描いている。
【００４３】図２において、液晶を介して互いに対向配
置される一対の透明基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２があり、該
液晶は一方の透明基板ＳＵＢ１に対する他方の透明基板
ＳＵＢ２の固定を兼ねるシール材ＳＬによって封入され
ている。
置される一対の透明基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２があり、該
液晶は一方の透明基板ＳＵＢ１に対する他方の透明基板
ＳＵＢ２の固定を兼ねるシール材ＳＬによって封入され
ている。
【００４４】シール材ＳＬによって囲まれた前記一方の
透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面には、そのｘ方向に延在
しｙ方向に並設されたゲート信号線ＧＬとｙ方向に延在
しｙ方向に並設されたドレイン信号線ＤＬとが形成され
ている。
透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面には、そのｘ方向に延在
しｙ方向に並設されたゲート信号線ＧＬとｙ方向に延在
しｙ方向に並設されたドレイン信号線ＤＬとが形成され
ている。
【００４５】各ゲート信号線ＧＬと各ドレイン信号線Ｄ
Ｌとで囲まれた領域は画素領域を構成するとともに、こ
れら各画素領域のマトリクス状の集合体は液晶表示部Ａ
Ｒを構成するようになっている。
Ｌとで囲まれた領域は画素領域を構成するとともに、こ
れら各画素領域のマトリクス状の集合体は液晶表示部Ａ
Ｒを構成するようになっている。
【００４６】また、ｘ方向に並設される各画素領域のそ
れぞれにはそれら各画素領域内に走行された共通の対向
電圧信号線ＣＬが形成されている。この対向電圧信号線
ＣＬは各画素領域の後述する対向電極ＣＴに映像信号に
対して基準となる信号電圧を供給するための信号線とな
るものである。
れぞれにはそれら各画素領域内に走行された共通の対向
電圧信号線ＣＬが形成されている。この対向電圧信号線
ＣＬは各画素領域の後述する対向電極ＣＴに映像信号に
対して基準となる信号電圧を供給するための信号線とな
るものである。
【００４７】各画素領域には、その片側のゲート信号線
ＧＬからの走査信号によって作動される薄膜トランジス
タＴＦＴと、この薄膜トランジスタＴＦＴを介して片側
のドレイン信号線ＤＬからの映像信号が供給される画素
電極ＰＸが形成されている。
ＧＬからの走査信号によって作動される薄膜トランジス
タＴＦＴと、この薄膜トランジスタＴＦＴを介して片側
のドレイン信号線ＤＬからの映像信号が供給される画素
電極ＰＸが形成されている。
【００４８】この画素電極ＰＸは、前記対向電圧信号線
ＣＬと接続された対向電極ＣＴとの間に電界を発生さ
せ、この電界によって液晶の光透過率を制御させるよう
になっている。
ＣＬと接続された対向電極ＣＴとの間に電界を発生さ
せ、この電界によって液晶の光透過率を制御させるよう
になっている。
【００４９】前記ゲート信号線ＧＬのそれぞれの一端は
前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延在端は垂直
走査駆動回路Ｖの出力端子が接続される端子を構成する
ようになっている。また、前記垂直走査駆動回路Ｖの入
力端子は液晶表示パネルの外部に配置されたプリント基
板からの信号が入力されるようになっている。
前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延在端は垂直
走査駆動回路Ｖの出力端子が接続される端子を構成する
ようになっている。また、前記垂直走査駆動回路Ｖの入
力端子は液晶表示パネルの外部に配置されたプリント基
板からの信号が入力されるようになっている。
【００５０】垂直走査駆動回路Ｖは複数個の半導体装置
からなり、互いに隣接する複数のゲート信号線ＧＬどう
しがグループ化され、これら各グループ毎に一個の半導
体装置があてがわれるようになっている。
からなり、互いに隣接する複数のゲート信号線ＧＬどう
しがグループ化され、これら各グループ毎に一個の半導
体装置があてがわれるようになっている。
【００５１】同様に、前記ドレイン信号線ＤＬのそれぞ
れの一端は前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延
在端は映像信号駆動回路Ｈｅの出力端子が接続される端
子を構成するようになっている。また、前記映像信号駆
動回路Ｈｅの入力端子は液晶表示パネルの外部に配置さ
れたプリント基板からの信号が入力されるようになって
いる。
れの一端は前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延
在端は映像信号駆動回路Ｈｅの出力端子が接続される端
子を構成するようになっている。また、前記映像信号駆
動回路Ｈｅの入力端子は液晶表示パネルの外部に配置さ
れたプリント基板からの信号が入力されるようになって
いる。
【００５２】この映像信号駆動回路Ｈｅも複数個の半導
体装置からなり、互いに隣接する複数のドレイン信号線
ＤＬどうしがグループ化され、これら各グループ毎に一
個の半導体装置があてがわれるようになっている。
体装置からなり、互いに隣接する複数のドレイン信号線
ＤＬどうしがグループ化され、これら各グループ毎に一
個の半導体装置があてがわれるようになっている。
【００５３】また、ｘ方向に併設された各画素領域に共
通な前記対向電圧信号線ＣＬは図中右側の端部で共通に
接続され、その接続線はシール材ＳＬを超えて延在さ
れ、その延在端において端子ＣＴＭを構成している。こ
の端子ＣＴＭからは映像信号に対して基準となる電圧が
供給されるようになっている。
通な前記対向電圧信号線ＣＬは図中右側の端部で共通に
接続され、その接続線はシール材ＳＬを超えて延在さ
れ、その延在端において端子ＣＴＭを構成している。こ
の端子ＣＴＭからは映像信号に対して基準となる電圧が
供給されるようになっている。
【００５４】前記各ゲート信号線ＧＬは、垂直走査回路
Ｖからの走査信号によって、その一つが順次選択される
ようになっている。
Ｖからの走査信号によって、その一つが順次選択される
ようになっている。
【００５５】また、前記各ドレイン信号線ＤＬのそれぞ
れには、映像信号駆動回路Ｈｅによって、前記ゲート信
号線ＧＬの選択のタイミングに合わせて映像信号が供給
されるようになっている。
れには、映像信号駆動回路Ｈｅによって、前記ゲート信
号線ＧＬの選択のタイミングに合わせて映像信号が供給
されるようになっている。
【００５６】《画素の構成》図３は、前記画素領域にお
ける構成を示した平面図で、同図のIV−IV線における断
面図を図４に示している。
ける構成を示した平面図で、同図のIV−IV線における断
面図を図４に示している。
【００５７】透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面に、まず、
ｘ方向に延在しｙ方向に並設される一対（一方は図示せ
ず）のゲート信号線ＧＬが形成されている。
ｘ方向に延在しｙ方向に並設される一対（一方は図示せ
ず）のゲート信号線ＧＬが形成されている。
【００５８】これらゲート信号線ＧＬは後述の一対（一
方は図示せず）のドレイン信号線Ｄとともに矩形状の領
域を囲むようになっており、この領域を画素領域として
構成するようになっている。
方は図示せず）のドレイン信号線Ｄとともに矩形状の領
域を囲むようになっており、この領域を画素領域として
構成するようになっている。
【００５９】また、各ゲート信号線ＧＬの間の領域には
該ゲート信号線ＧＬと平行に配置された対向電圧信号線
ＣＬが形成されている。
該ゲート信号線ＧＬと平行に配置された対向電圧信号線
ＣＬが形成されている。
【００６０】このようにゲート信号線ＧＬおよび対向電
圧信号線ＣＬが形成された透明基板のＳＵＢ１表面には
たとえばＳｉＮからなる絶縁膜ＧＩが該ゲート信号線Ｇ
Ｌおよび対向電圧信号線ＣＬをも被って形成されてい
る。
圧信号線ＣＬが形成された透明基板のＳＵＢ１表面には
たとえばＳｉＮからなる絶縁膜ＧＩが該ゲート信号線Ｇ
Ｌおよび対向電圧信号線ＣＬをも被って形成されてい
る。
【００６１】この絶縁膜ＧＩは、後述のドレイン信号線
ＤＬの形成領域においては前記ゲート信号線ＧＬおよび
対向電圧信号線ＣＬに対する層間絶縁膜としての機能
を、後述の薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域において
はそのゲート絶縁膜としての機能を、後述の容量素子Ｃ
ｓｔｇの形成領域においてはその誘電体膜としての機能
を有するようになっている。
ＤＬの形成領域においては前記ゲート信号線ＧＬおよび
対向電圧信号線ＣＬに対する層間絶縁膜としての機能
を、後述の薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域において
はそのゲート絶縁膜としての機能を、後述の容量素子Ｃ
ｓｔｇの形成領域においてはその誘電体膜としての機能
を有するようになっている。
【００６２】そして、この絶縁膜ＧＩの表面であって、
前記ゲート信号線ＧＬの一部に重畳するようにしてたと
えばアモルファスＳｉからなる半導体層ＡＳが形成され
ている。
前記ゲート信号線ＧＬの一部に重畳するようにしてたと
えばアモルファスＳｉからなる半導体層ＡＳが形成され
ている。
【００６３】この半導体層ＡＳは、薄膜トランジスタＴ
ＦＴのそれであって、その上面にドレイン電極ＳＤ１お
よびソース電極ＳＤ２を形成することにより、ゲート信
号線ＧＬの一部をゲート電極とする逆スタガ構造のMIS
型トランジスタを構成することができる。
ＦＴのそれであって、その上面にドレイン電極ＳＤ１お
よびソース電極ＳＤ２を形成することにより、ゲート信
号線ＧＬの一部をゲート電極とする逆スタガ構造のMIS
型トランジスタを構成することができる。
【００６４】ここで、前記ドレイン電極ＳＤ１およびソ
ース電極ＳＤ２はドレイン信号線ＤＬの形成の際に同時
に形成されるようになっている。
ース電極ＳＤ２はドレイン信号線ＤＬの形成の際に同時
に形成されるようになっている。
【００６５】すなわち、ｙ方向に延在されるドレイン信
号線ＤＬが形成され、その一部が前記半導体層ＡＳの上
面にまで延在されてドレイン電極ＳＤ１が形成され、ま
た、このドレイン電極ＳＤ１と薄膜トランジスタＴＦＴ
のチャネル長分だけ離間されてソース電極ＳＤ２が形成
されている。
号線ＤＬが形成され、その一部が前記半導体層ＡＳの上
面にまで延在されてドレイン電極ＳＤ１が形成され、ま
た、このドレイン電極ＳＤ１と薄膜トランジスタＴＦＴ
のチャネル長分だけ離間されてソース電極ＳＤ２が形成
されている。
【００６６】このソース電極ＳＤ２は半導体層ＡＳ面か
ら画素領域側の絶縁膜ＧＩの上面に至るまで若干延在さ
れ、後述の画素電極ＰＸとの接続を図るためのコンタク
ト部が形成されている。
ら画素領域側の絶縁膜ＧＩの上面に至るまで若干延在さ
れ、後述の画素電極ＰＸとの接続を図るためのコンタク
ト部が形成されている。
【００６７】なお、半導体層ＡＳとドレイン電極ＳＤ１
およびソース電極ＳＤ２との界面には高濃度の不純物が
ドープされた薄い層が形成され、この層はコンタクト層
として機能するようになっている。
およびソース電極ＳＤ２との界面には高濃度の不純物が
ドープされた薄い層が形成され、この層はコンタクト層
として機能するようになっている。
【００６８】このコンタクト層は、たとえば半導体ＡＳ
層の形成時に、その表面にすでに高濃度の不純物層が形
成されており、その上面に形成したドレイン電極ＳＤ１
およびソース電極ＳＤ２のパターンをマスクとしてそれ
から露出された前記不純物層をエッチングすることによ
って形成することができる。
層の形成時に、その表面にすでに高濃度の不純物層が形
成されており、その上面に形成したドレイン電極ＳＤ１
およびソース電極ＳＤ２のパターンをマスクとしてそれ
から露出された前記不純物層をエッチングすることによ
って形成することができる。
【００６９】このように薄膜トランジスタＴＦＴ、ドレ
イン信号線ＤＬ、ドレイン電極ＳＤ１、およびソース電極
ＳＤ２が形成された透明基板の表面にはカラーフィルタ
ＦＩＬが形成されている。
イン信号線ＤＬ、ドレイン電極ＳＤ１、およびソース電極
ＳＤ２が形成された透明基板の表面にはカラーフィルタ
ＦＩＬが形成されている。
【００７０】このカラーフィルタＦＩＬはｘ方向に隣接
する他の画素領域のそれとは色を異にし、ｙ方向に隣接
する他の画素領域のそれとは共通の色を有するようにな
っている。
する他の画素領域のそれとは色を異にし、ｙ方向に隣接
する他の画素領域のそれとは共通の色を有するようにな
っている。
【００７１】すなわち、ｙ方向に並設される画素領域群
のカラーフィルタは同色の顔料が含まれた共通の樹脂材
層で形成され、該画素領域群の両脇のｙ方向に並設され
る他の画素領域群に共通に形成され異なる色の顔料が含
まれた樹脂材層からなるカラーフィルタＦＩＬとは別体
で形成されるようになっている。
のカラーフィルタは同色の顔料が含まれた共通の樹脂材
層で形成され、該画素領域群の両脇のｙ方向に並設され
る他の画素領域群に共通に形成され異なる色の顔料が含
まれた樹脂材層からなるカラーフィルタＦＩＬとは別体
で形成されるようになっている。
【００７２】この場合のカラーフィルタＦＩＬは、薄膜
トランジスタＴＦＴの液晶との直接の接触を回避させて
該薄膜トランジスタＴＦＴの特性劣化を防止する保護膜
の役割りをも果たしている。
トランジスタＴＦＴの液晶との直接の接触を回避させて
該薄膜トランジスタＴＦＴの特性劣化を防止する保護膜
の役割りをも果たしている。
【００７３】カラーフィルタＦＩＬの上面には画素電極
ＰＸが形成されている。この画素電極ＰＸはたとえばｙ
方向に延在されｘ方向に並設された複数（この実施例で
は２本）の電極群から構成されている。これら各電極は
対向電圧信号線ＣＬに重畳する部分で共通に接続されて
いるともに、前記薄膜トランジスタＴＦＴに近接する部
分おいて、前記カラーフィルタＦＩＬに形成されたコン
タクトホールＣＨ１を通して該薄膜トランジスタＴＦＴ
のソース電極ＳＤ２のコンタクト部に電気的に接続され
ている。
ＰＸが形成されている。この画素電極ＰＸはたとえばｙ
方向に延在されｘ方向に並設された複数（この実施例で
は２本）の電極群から構成されている。これら各電極は
対向電圧信号線ＣＬに重畳する部分で共通に接続されて
いるともに、前記薄膜トランジスタＴＦＴに近接する部
分おいて、前記カラーフィルタＦＩＬに形成されたコン
タクトホールＣＨ１を通して該薄膜トランジスタＴＦＴ
のソース電極ＳＤ２のコンタクト部に電気的に接続され
ている。
【００７４】そして、このように画素電極ＰＸが形成さ
れたカラーフィルタＦＩＬの上面には該画素電極ＰＸを
も被ってたとえば樹脂材層からなる平坦化膜ＯＣが形成
されている。
れたカラーフィルタＦＩＬの上面には該画素電極ＰＸを
も被ってたとえば樹脂材層からなる平坦化膜ＯＣが形成
されている。
【００７５】さらに、この平坦化膜ＯＣ層の上面には対
向電極ＣＴが形成されている。この対向電極ＣＴは、ｙ
方向に延在されｘ方向に並設された複数（この実施例で
は３本）の電極群から構成されている。
向電極ＣＴが形成されている。この対向電極ＣＴは、ｙ
方向に延在されｘ方向に並設された複数（この実施例で
は３本）の電極群から構成されている。
【００７６】これら各対向電極ＣＴは、平面的に観た場
合、前記画素電極ＰＸを間にして位置付けられるように
なっている。すなわち、これら各対向電極ＣＴは、一方
の側のドレイン信号線ＤＬから他方の側のドレイン信号
線ＤＬにかけて、対向電極ＣＴ、画素電極ＰＸ、対向電
極ＣＴ、画素電極ＰＸ、対向電極ＣＴの順にそれぞれ等
間隔に配置されている。
合、前記画素電極ＰＸを間にして位置付けられるように
なっている。すなわち、これら各対向電極ＣＴは、一方
の側のドレイン信号線ＤＬから他方の側のドレイン信号
線ＤＬにかけて、対向電極ＣＴ、画素電極ＰＸ、対向電
極ＣＴ、画素電極ＰＸ、対向電極ＣＴの順にそれぞれ等
間隔に配置されている。
【００７７】また、このように電極群からなる対向電極
ＣＴは、それらが前記対向電圧信号線ＣＬと重畳された
部分で互いに電気的に接続されているともに、その一部
が前記平坦化膜ＯＣ、カラーフィルタＦＩＬを貫通して
形成されたコンタクトホールＣＨ２を通して前記対向電
圧信号線ＣＬに電気的に接続されている。
ＣＴは、それらが前記対向電圧信号線ＣＬと重畳された
部分で互いに電気的に接続されているともに、その一部
が前記平坦化膜ＯＣ、カラーフィルタＦＩＬを貫通して
形成されたコンタクトホールＣＨ２を通して前記対向電
圧信号線ＣＬに電気的に接続されている。
【００７８】ここで、各対向電極群のうち、両脇に位置
付けられる一対の対向電極ＣＴ、換言すればドレイン信
号線ＤＬに隣接する対向電極ＣＴは他の対向電極ＣＴよ
りも若干その幅が大きく形成されている。
付けられる一対の対向電極ＣＴ、換言すればドレイン信
号線ＤＬに隣接する対向電極ＣＴは他の対向電極ＣＴよ
りも若干その幅が大きく形成されている。
【００７９】この理由は、ドレイン信号線ＤＬからの電
気力線がそれに隣接する対向電極ＣＴに終端させやすく
し、その対向電極ＣＴを越えて画素電極ＰＸに終端する
のを防止するためである。画素電極ＰＸに該電気力線が
終端した場合にそれがノイズとなってしまうからであ
る。
気力線がそれに隣接する対向電極ＣＴに終端させやすく
し、その対向電極ＣＴを越えて画素電極ＰＸに終端する
のを防止するためである。画素電極ＰＸに該電気力線が
終端した場合にそれがノイズとなってしまうからであ
る。
【００８０】また、これら各対向電極ＣＴを電気的に接
続させた部分はその下層の平坦化膜ＯＣを介して各画素
電極ＰＸの電気的に接続させた部分と重畳し、さらに、
この各画素電極ＰＸの電気的に接続させた部分はカラー
フィルタＦＩＬおよび絶縁膜ＧＩを介して対向電圧信号
線ＣＬと重畳され、これらの各重畳部において容量素子
Ｃｓｔｇが形成されるようになっている。
続させた部分はその下層の平坦化膜ＯＣを介して各画素
電極ＰＸの電気的に接続させた部分と重畳し、さらに、
この各画素電極ＰＸの電気的に接続させた部分はカラー
フィルタＦＩＬおよび絶縁膜ＧＩを介して対向電圧信号
線ＣＬと重畳され、これらの各重畳部において容量素子
Ｃｓｔｇが形成されるようになっている。
【００８１】この容量素子Ｃｓｔｇは、たとえば画素電
極ＰＸに供給された映像信号を比較的長く蓄積させる等
の機能をもたせるようになっている。
極ＰＸに供給された映像信号を比較的長く蓄積させる等
の機能をもたせるようになっている。
【００８２】そして、このように対向電極ＣＴが形成さ
れた透明基板ＳＵＢ１の上面には該対向電極ＣＴをも被
って配向膜ＯＲＩ１が形成されている。この配向膜ＯＲ
Ｉ１は液晶と直接に当接する膜で、その表面に形成され
たラビングによって該液晶の分子の初期配向方向を決定
づけるようになっている。
れた透明基板ＳＵＢ１の上面には該対向電極ＣＴをも被
って配向膜ＯＲＩ１が形成されている。この配向膜ＯＲ
Ｉ１は液晶と直接に当接する膜で、その表面に形成され
たラビングによって該液晶の分子の初期配向方向を決定
づけるようになっている。
【００８３】《隣接する他の画素との関係》図１は、互
いに隣接し、赤色のカラーフィルタＦＩＬ（Ｒ）、緑色
のカラーフィルタ（Ｇ）、および青色のカラーフィルタ
（Ｂ）を備える各画素領域の断面を示した図である。な
お、図４に示した画素では画素電極ＰＸが２本、対向電
極ＣＴが３本の場合について示したものであるが、ここ
では説明を簡略するため、画素電極ＰＸが１本、対向電
極ＣＴが２本の場合を示している。図１において、ま
ず、赤色のカラーフィルタＦＩＬ（Ｒ）、緑色のカラー
フィルタ（Ｇ）、および青色のカラーフィルタ（Ｂ）は
それぞれその層厚が異なって形成されている。上述した
ように、それぞれのカラーフィルタＦＩＬの透過率、色
純度のバランスをとるためにそれぞれの層厚を独自に設
定する場合、あるいは製造上のばらつきにより各層厚が
均一に形成できない場合等があるからである。
いに隣接し、赤色のカラーフィルタＦＩＬ（Ｒ）、緑色
のカラーフィルタ（Ｇ）、および青色のカラーフィルタ
（Ｂ）を備える各画素領域の断面を示した図である。な
お、図４に示した画素では画素電極ＰＸが２本、対向電
極ＣＴが３本の場合について示したものであるが、ここ
では説明を簡略するため、画素電極ＰＸが１本、対向電
極ＣＴが２本の場合を示している。図１において、ま
ず、赤色のカラーフィルタＦＩＬ（Ｒ）、緑色のカラー
フィルタ（Ｇ）、および青色のカラーフィルタ（Ｂ）は
それぞれその層厚が異なって形成されている。上述した
ように、それぞれのカラーフィルタＦＩＬの透過率、色
純度のバランスをとるためにそれぞれの層厚を独自に設
定する場合、あるいは製造上のばらつきにより各層厚が
均一に形成できない場合等があるからである。
【００８４】このため、これら各カラーフィルタＦＩＬ
の層厚の違いがそれの上層に形成される平坦化膜ＯＣの
透明基板ＳＵＢ１面からの高さに反映され、該平坦化膜
ＯＣの高さは該カラーフィルタＦＩＬの層厚が大きけれ
ば高く、該カラーフィルタＦＩＬの層厚が小さければ低
く形成されてしまう。
の層厚の違いがそれの上層に形成される平坦化膜ＯＣの
透明基板ＳＵＢ１面からの高さに反映され、該平坦化膜
ＯＣの高さは該カラーフィルタＦＩＬの層厚が大きけれ
ば高く、該カラーフィルタＦＩＬの層厚が小さければ低
く形成されてしまう。
【００８５】なお、この実施例では平坦化膜ＯＣは塗布
で形成される樹脂膜で構成されるものであるが、その名
の通り完全に平坦化させることは製造上困難であり、た
とえ完全に平坦化を望んでも製造を煩雑化させるという
のが実情である。
で形成される樹脂膜で構成されるものであるが、その名
の通り完全に平坦化させることは製造上困難であり、た
とえ完全に平坦化を望んでも製造を煩雑化させるという
のが実情である。
【００８６】このため、カラーフィルタＦＩＬの層厚が
大きい画素では液晶の層厚（液晶ギャップ）が小さく、
カラーフィルタＦＩＬの層厚が小さい画素では液晶の層
厚が大きくなってしまう。
大きい画素では液晶の層厚（液晶ギャップ）が小さく、
カラーフィルタＦＩＬの層厚が小さい画素では液晶の層
厚が大きくなってしまう。
【００８７】なお、液晶は透明基板ＳＵＢ１とこの透明
基板ＳＵＢ１と対向配置される透明基板ＳＵＢ２との間
に介在され、該透明基板２の液晶側の面には少なくとも
カラーフィルタＦＩＬが形成されていない構成となって
いる。
基板ＳＵＢ１と対向配置される透明基板ＳＵＢ２との間
に介在され、該透明基板２の液晶側の面には少なくとも
カラーフィルタＦＩＬが形成されていない構成となって
いる。
【００８８】このように、液晶の層厚が小さい画素領域
では、その部分において一定の液晶の光透過率を得よう
とした場合、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間に印加
する電圧を大きくしなければならず、また、液晶の層厚
が大きい画素領域では画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの
間に印加する電圧を小さくしなければならなくなってし
まう。
では、その部分において一定の液晶の光透過率を得よう
とした場合、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間に印加
する電圧を大きくしなければならず、また、液晶の層厚
が大きい画素領域では画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの
間に印加する電圧を小さくしなければならなくなってし
まう。
【００８９】換言すれば、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴ
との間の電圧を一様にした場合、カラーフィルタＦＩＬ
の層厚に応じて液晶の光透過率がばらつくことになる。
との間の電圧を一様にした場合、カラーフィルタＦＩＬ
の層厚に応じて液晶の光透過率がばらつくことになる。
【００９０】このため、本実施例では、たとえば赤色
（Ｒ）のカラーフィルタ、緑色（Ｇ）のカラーフィル
タ、青色（Ｂ）のカラーフィルタの順に層厚が小さくな
っている場合、これら各カラーフィルタに重畳されてい
る平坦化膜ＯＣの膜厚を順次大きくさせるように設定さ
せている。
（Ｒ）のカラーフィルタ、緑色（Ｇ）のカラーフィル
タ、青色（Ｂ）のカラーフィルタの順に層厚が小さくな
っている場合、これら各カラーフィルタに重畳されてい
る平坦化膜ＯＣの膜厚を順次大きくさせるように設定さ
せている。
【００９１】さらに、詳述すると、平坦化膜ＯＣの膜厚
は、次のような式（１）、
は、次のような式（１）、
【００９２】
【数１】
０＜画素領域間の層間絶縁膜の膜厚差
＜画素領域間のカラーフィルタの膜厚差 …………（１）
を満足するように設定されていることを特徴とする液晶
表示装置。
表示装置。
【００９３】および、カラーフィルタＦＩＬの厚い画素
の方が平坦化膜ＯＣは厚くなっているという関係を満足
するようにして設定されている。
の方が平坦化膜ＯＣは厚くなっているという関係を満足
するようにして設定されている。
【００９４】平坦化膜ＯＣの材料をその粘度等において
従来のものと同じものを使用する場合、その塗布はスピ
ンコートでなされるが、そのスピンの回転数を適当な値
に制御することにより上述したような膜厚で設定するこ
とができる。むろん、スピンコート以外の手法でもよ
い。
従来のものと同じものを使用する場合、その塗布はスピ
ンコートでなされるが、そのスピンの回転数を適当な値
に制御することにより上述したような膜厚で設定するこ
とができる。むろん、スピンコート以外の手法でもよ
い。
【００９５】このように構成した液晶表示装置は、平坦
化膜ＯＣの層厚が厚いことによる駆動電界の減衰に起因
する駆動電圧の上昇を回避でき、液晶の層厚が厚いこと
による複屈折モードに起因する駆動電圧の低下を回避で
きるようになる。
化膜ＯＣの層厚が厚いことによる駆動電界の減衰に起因
する駆動電圧の上昇を回避でき、液晶の層厚が厚いこと
による複屈折モードに起因する駆動電圧の低下を回避で
きるようになる。
【００９６】これらが相補的に働くことにより、液晶に
とっての駆動電圧のばらつきを抑制できるようになる。
とっての駆動電圧のばらつきを抑制できるようになる。
【００９７】さらに、他の実施例として、次の式
（２）、
（２）、
【００９８】
【数２】 １／４×画素間のカラーフィルタの膜厚さ
＜画素間の平坦化膜ＯＣの膜厚差
＜３／４×画素間のカラーフィルタＦＩＬの膜厚差
…………（２）
を満足させることによって、輝度むらをさらに抑制させ
ることができるようになる。
ることができるようになる。
【００９９】そして、上述した構成とする際において、
平坦化膜ＯＣが厚すぎると表面が平坦化してしまうこと
になることから、次の式（３）、
平坦化膜ＯＣが厚すぎると表面が平坦化してしまうこと
になることから、次の式（３）、
【０１００】
【数３】 平坦化膜ＯＣの膜厚
＜最も厚いカラーフィルタＦＩＬの膜厚の３／２倍 ……（３）
を満足させることが好ましい。
【０１０１】さらに、あまり薄すぎるといわゆる段差縮
小効果が少なくなってしまうことから、次の式（４）、
小効果が少なくなってしまうことから、次の式（４）、
【０１０２】
【数４】 最も薄いカラーフィルタＦＩＬの膜厚の１／４
＜平坦化膜ＯＣの膜厚
＜最も厚いカラーフィルタＦＩＬの膜厚の３／２倍 ……（４）
を満足させることが好ましい。
【０１０３】実施例２．図５は、本発明による液晶表示
装置の他の実施例を示す断面図で、図１に対応した図と
なっている。
装置の他の実施例を示す断面図で、図１に対応した図と
なっている。
【０１０４】図１と異なる構成は、ドレイン信号線ＤＬ
の両脇に位置付けられる各対向電極ＣＴを該ドレイン信
号線ＤＬをも被って互いに接続させたことにある。
の両脇に位置付けられる各対向電極ＣＴを該ドレイン信
号線ＤＬをも被って互いに接続させたことにある。
【０１０５】このようにした場合、ドレイン信号線ＤＬ
からのノイズとなる電気力線が該対向電極ＣＴに終端さ
れ、該対向電極ＣＴに隣接する画素電極ＰＸに終端する
のを充分に回避できるようになる。
からのノイズとなる電気力線が該対向電極ＣＴに終端さ
れ、該対向電極ＣＴに隣接する画素電極ＰＸに終端する
のを充分に回避できるようになる。
【０１０６】実施例３．図６は、本発明による液晶表示
装置の他の実施例を示す断面図で、図１に対応した図と
なっている。
装置の他の実施例を示す断面図で、図１に対応した図と
なっている。
【０１０７】図１と異なる構成は、対向電極ＣＴは各画
素領域の全域に及んで形成され、かつ、隣接する対向電
極ＣＴとも互いに接続されていることにある。
素領域の全域に及んで形成され、かつ、隣接する対向電
極ＣＴとも互いに接続されていることにある。
【０１０８】この場合、対向電極ＣＴの材料としては、
たとえばITO(Indium Tin Oxide)等のような透光性のも
のが使用される。
たとえばITO(Indium Tin Oxide)等のような透光性のも
のが使用される。
【０１０９】このようにした場合、対向電極ＣＴの断線
の憂いがなく、かつ全体の抵抗値を大幅に低減させるこ
とができる。
の憂いがなく、かつ全体の抵抗値を大幅に低減させるこ
とができる。
【０１１０】実施例４．図７は、本発明による液晶表示
装置の他の実施例を示す断面図で、図５に対応した図と
なっている。
装置の他の実施例を示す断面図で、図５に対応した図と
なっている。
【０１１１】図５の場合と異なる構成は、平坦化膜ＯＣ
の下層に画素電極ＰＸを上層に対向電極ＣＴが設けられ
ている。
の下層に画素電極ＰＸを上層に対向電極ＣＴが設けられ
ている。
【０１１２】この場合においても、ドレイン信号線ＤＬ
の両脇に位置付けられる各対向電極ＣＴは該ドレイン信
号線ＤＬをも被って互いに接続されている。
の両脇に位置付けられる各対向電極ＣＴは該ドレイン信
号線ＤＬをも被って互いに接続されている。
【０１１３】カラーフィルタＦＩＬによる段差よりも平
坦化膜ＯＣによる段差の方が小さいため、該段差の部分
に形成される対向電極ＣＴを平坦化膜ＯＣ上に形成した
構成となっている。
坦化膜ＯＣによる段差の方が小さいため、該段差の部分
に形成される対向電極ＣＴを平坦化膜ＯＣ上に形成した
構成となっている。
【０１１４】実施例５．図８は、本発明による液晶表示
装置の他の実施例を示す断面図で、図１に対応した図と
なっている。
装置の他の実施例を示す断面図で、図１に対応した図と
なっている。
【０１１５】図１と異なる構成は、平坦化膜ＯＣの上層
に画素電極ＰＸを下層に対向電極ＣＴが設けられてお
り、各電極の層を入れ替えていることにある。
に画素電極ＰＸを下層に対向電極ＣＴが設けられてお
り、各電極の層を入れ替えていることにある。
【０１１６】このようにした場合においても、同様な効
果を奏することができる。
果を奏することができる。
【０１１７】実施例６．図９は、本発明による液晶表示
装置の他の実施例を示す断面図で、たとえば図６に対応
した図となっている。
装置の他の実施例を示す断面図で、たとえば図６に対応
した図となっている。
【０１１８】図６と異なる構成は、透明基板ＳＵＢ２に
おいて、透明基板ＳＵＢ１との間のギャップを図るスペ
ーサは、該透明基板ＳＵＢ２の液晶側の面にたとえば樹
脂材のフォトリソグラフィ技術による選択エッチングに
よって形成されたいわゆる支柱ＳＵＰによって構成され
ている。
おいて、透明基板ＳＵＢ１との間のギャップを図るスペ
ーサは、該透明基板ＳＵＢ２の液晶側の面にたとえば樹
脂材のフォトリソグラフィ技術による選択エッチングに
よって形成されたいわゆる支柱ＳＵＰによって構成され
ている。
【０１１９】本発明を適用するためには、液晶の層厚を
正確に設定しておくことが要求されることから、該支柱
ＳＵＰによるスペーサによってその高さのばらつきを小
さくすることができる。
正確に設定しておくことが要求されることから、該支柱
ＳＵＰによるスペーサによってその高さのばらつきを小
さくすることができる。
【０１２０】この場合、該スペーサの形成個所として
は、その先端が膜厚の最も大きなカラーフィルタＦＩＬ
に当接するように設定されている。膜厚の最も大きなカ
ラーフィルタＦＩＬ上に形成される平坦化膜ＯＣの膜厚
は小さく、そのばらつきが小さいため、該スペーサによ
るギャップの均一を確保できるようになる。
は、その先端が膜厚の最も大きなカラーフィルタＦＩＬ
に当接するように設定されている。膜厚の最も大きなカ
ラーフィルタＦＩＬ上に形成される平坦化膜ＯＣの膜厚
は小さく、そのばらつきが小さいため、該スペーサによ
るギャップの均一を確保できるようになる。
【０１２１】また、スペーサもそれ自体高さが大きいと
そのばらつきが大きくなるが、膜厚の最も大きなカラー
フィルタＦＩＬに当接させることにより、その高さを小
さくしそのばらつきを低減させて、スペーサによるギャ
ップの均一を確保できる。
そのばらつきが大きくなるが、膜厚の最も大きなカラー
フィルタＦＩＬに当接させることにより、その高さを小
さくしそのばらつきを低減させて、スペーサによるギャ
ップの均一を確保できる。
【０１２２】実施例７．図１０は、本発明による液晶表
示装置の他の実施例を示す断面図で、図９に対応した図
となっている。
示装置の他の実施例を示す断面図で、図９に対応した図
となっている。
【０１２３】図９と異なる構成は、該支柱ＳＵＰによる
スペーサは透明基板１の液晶側の面に形成されているこ
とにある。
スペーサは透明基板１の液晶側の面に形成されているこ
とにある。
【０１２４】実施例８．図１１は、本発明による液晶表
示装置の画素の他の実施例を示す平面図である。また、
図１２は図１１のXII−XIIにおける断面図を示してい
る。
示装置の画素の他の実施例を示す平面図である。また、
図１２は図１１のXII−XIIにおける断面図を示してい
る。
【０１２５】図１１に示す液晶表示装置はこれまでの実
施例に示す液晶表示装置とは異なり、カラーフィルタＦ
ＩＬが透明基板ＳＵＢ２側に形成され、該カラーフィル
タＦＩＬをも被って平坦化膜ＯＣが形成されている。
施例に示す液晶表示装置とは異なり、カラーフィルタＦ
ＩＬが透明基板ＳＵＢ２側に形成され、該カラーフィル
タＦＩＬをも被って平坦化膜ＯＣが形成されている。
【０１２６】そして、透明基板ＳＵＢ１の液晶ＬＣ側の
面の各画素領域は、ゲート絶縁膜ＧＩ上に画素電極ＰＸ
が形成され、この画素電極ＰＸを被うたとえばＳｉＮ膜
からなる保護膜ＰＳＶ１および有機材料からなる保護膜
ＰＳＶ２の積層体の上面に対向電極ＣＴが形成されてい
る。
面の各画素領域は、ゲート絶縁膜ＧＩ上に画素電極ＰＸ
が形成され、この画素電極ＰＸを被うたとえばＳｉＮ膜
からなる保護膜ＰＳＶ１および有機材料からなる保護膜
ＰＳＶ２の積層体の上面に対向電極ＣＴが形成されてい
る。
【０１２７】また、この対向電極ＣＴは、このうちドレ
イン信号線ＤＬに隣接されて配置されるものにあって、
該ドレイン信号線ＤＬを被うようにして形成され、かつ
該ドレイン信号線ＤＬを間にして隣接される他の画素領
域の該ドレイン信号線に隣接する他の対向電極ＣＴと接
続されるように形成されている。
イン信号線ＤＬに隣接されて配置されるものにあって、
該ドレイン信号線ＤＬを被うようにして形成され、かつ
該ドレイン信号線ＤＬを間にして隣接される他の画素領
域の該ドレイン信号線に隣接する他の対向電極ＣＴと接
続されるように形成されている。
【０１２８】そして、画素電極ＰＸ上の各保護膜ＰＳＶ
１、ＰＳＶ２のそれぞれの層厚をｄ ３、ｄ２とし、対向
電極ＣＴと画素電極ＰＸの間の領域の各保護膜ＰＳＶ
１、ＰＳＶ２の各保護膜ＰＳＶ１、ＰＳＶ２のそれぞれ
の層厚をｄ３’、ｄ２’とし、それらの関係が次式
（５）、
１、ＰＳＶ２のそれぞれの層厚をｄ ３、ｄ２とし、対向
電極ＣＴと画素電極ＰＸの間の領域の各保護膜ＰＳＶ
１、ＰＳＶ２の各保護膜ＰＳＶ１、ＰＳＶ２のそれぞれ
の層厚をｄ３’、ｄ２’とし、それらの関係が次式
（５）、
【０１２９】
【数５】 ｄ３≒ｄ３’，ｄ２＜ｄ２’＜ｄ２+ｄ４ ……（５）
を満足するときに、画素電極ＰＸの膜厚ｄ４の影響を緩
和でき、画素電極ＰＸ上の液晶の層厚（液晶ギャップ）
ｄ１と対向電極ＣＴと画素電極ＰＸの間の領域上の液晶
ギャップｄ１’の関係は次式（６）、
和でき、画素電極ＰＸ上の液晶の層厚（液晶ギャップ）
ｄ１と対向電極ＣＴと画素電極ＰＸの間の領域上の液晶
ギャップｄ１’の関係は次式（６）、
【０１３０】
【数６】 ｄ１≒ｄ１’（但し、ｄ１≦ｄ１’） ……（６）
となっている。
【０１３１】ここで、ｄ１≦ｄ１’になるのは、実際の
製造において、ｄ１＞ｄ１’となるように製造するのが
困難だからである。
製造において、ｄ１＞ｄ１’となるように製造するのが
困難だからである。
【０１３２】これにより、各画素内における液晶ギャッ
プむらによる電界の集中が緩和されるようになる。
プむらによる電界の集中が緩和されるようになる。
【０１３３】なお、上式（５）、上式（６）での近似は
１００ｎｍ以下であることが望ましい。
１００ｎｍ以下であることが望ましい。
【０１３４】また、対向電極ＣＴと画素電極ＰＸの間に
生じる電界は、これら各電極の間に介在される保護膜Ｐ
ＳＶ１、ＰＳＶ２によって弱められることになる。
生じる電界は、これら各電極の間に介在される保護膜Ｐ
ＳＶ１、ＰＳＶ２によって弱められることになる。
【０１３５】上式（５）の関係より、画素電極ＰＸ上の
保護膜ＰＳＶ１、ＰＳＶ２にかかる電界は、対向電極Ｃ
Ｔと画素電極ＰＸの間の領域の保護膜ＰＳＶ１、ＰＳＶ
２にかかる電界よりも小さくなるため、液晶ギャップｄ
１個所の液晶に電界がかかりやすくなる。
保護膜ＰＳＶ１、ＰＳＶ２にかかる電界は、対向電極Ｃ
Ｔと画素電極ＰＸの間の領域の保護膜ＰＳＶ１、ＰＳＶ
２にかかる電界よりも小さくなるため、液晶ギャップｄ
１個所の液晶に電界がかかりやすくなる。
【０１３６】図１３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、は、画素
電極ＰＸ上の保護膜の厚さｘとそれによる液晶における
電界の変化を示した図であり、これによって明らかとな
るように、保護膜の厚さｘが小さくなるに従って、画素
電極ＰＸ上の電界が大きくなるようになる。
電極ＰＸ上の保護膜の厚さｘとそれによる液晶における
電界の変化を示した図であり、これによって明らかとな
るように、保護膜の厚さｘが小さくなるに従って、画素
電極ＰＸ上の電界が大きくなるようになる。
【０１３７】このため、横電界駆動である本方式におい
て、各画素領域の対向電極ＣＴと画素電極ＰＸとの間に
均一な電界を形成することができるようになる。
て、各画素領域の対向電極ＣＴと画素電極ＰＸとの間に
均一な電界を形成することができるようになる。
【０１３８】ちなみに、従来の構成では、ｄ３≒ｄ３’
ｄ２≒ｄ２’として構成され、画素電極ＰＸの膜厚ｄ４
の影響を受け、画素電極ＰＸ上の液晶ギャップｄ１と対
向電極ＣＴと画素電極ＰＸの間の領域の液晶ギャップｄ
１’の関係は、ｄ１+ｄ４≒ｄ１’となる。
ｄ２≒ｄ２’として構成され、画素電極ＰＸの膜厚ｄ４
の影響を受け、画素電極ＰＸ上の液晶ギャップｄ１と対
向電極ＣＴと画素電極ＰＸの間の領域の液晶ギャップｄ
１’の関係は、ｄ１+ｄ４≒ｄ１’となる。
【０１３９】横電界駆動に用いる複屈折モードの液晶で
は、液晶ギャップが広いほど、液晶駆動の電圧が低下す
る。したがって、液晶ギャップｄ１’の個所の液晶はｄ
１の個所の液晶よりも低電圧で駆動しやすくなる。
は、液晶ギャップが広いほど、液晶駆動の電圧が低下す
る。したがって、液晶ギャップｄ１’の個所の液晶はｄ
１の個所の液晶よりも低電圧で駆動しやすくなる。
【０１４０】また、液晶ギャップｄ１の個所の保護膜Ｐ
ＳＶ２の表面を通る対向電極ＣＴと画素電極ＰＸの間の
最短の長さＸ１は、液晶ギャップｄ１’の個所の保護膜
ＰＳＶ２の表面を通る対向電極ＣＴと画素電極ＰＸの間
の最短の長さＸ１’よりも長く、かつ、上式ｄ３≒
ｄ３’ｄ２≒ｄ２’の関係であることから、式Ｅ＝Ａ×
Ｖ／ｘ（Ｅ：電界、Ｖ：対向電極と画素電極にかかる電
圧、ｘ：保護膜ＰＳＶ２表面を通る対向電極と画素電極
の最短の長さ、Ａ：正の比例定数）により、液晶ギャッ
プｄ１’の個所にかかる電界が液晶ギャップｄ１の個所
にかかる電界よりも著しくなり、画素電極ＰＸ付近の画
素領域の電界が弱くなり、光透過率低下の原因となる。
ＳＶ２の表面を通る対向電極ＣＴと画素電極ＰＸの間の
最短の長さＸ１は、液晶ギャップｄ１’の個所の保護膜
ＰＳＶ２の表面を通る対向電極ＣＴと画素電極ＰＸの間
の最短の長さＸ１’よりも長く、かつ、上式ｄ３≒
ｄ３’ｄ２≒ｄ２’の関係であることから、式Ｅ＝Ａ×
Ｖ／ｘ（Ｅ：電界、Ｖ：対向電極と画素電極にかかる電
圧、ｘ：保護膜ＰＳＶ２表面を通る対向電極と画素電極
の最短の長さ、Ａ：正の比例定数）により、液晶ギャッ
プｄ１’の個所にかかる電界が液晶ギャップｄ１の個所
にかかる電界よりも著しくなり、画素電極ＰＸ付近の画
素領域の電界が弱くなり、光透過率低下の原因となる。
【０１４１】実施例９．図１４は、本発明による液晶表
示装置のある部分における画素の断面図を、また、図１
５は、該液晶表示装置の他の部分における画素の断面図
を示している。たとえば図１６に示す液晶表示装置の液
晶表示部ＡＲにおいて、図中Ｘの部分の画素の断面図を
図１４に、図中Ｙの部分の画素の断面図を図１５に示し
ている。なお、この場合における画素の断面個所は図１
１に示したと同様となっている。
示装置のある部分における画素の断面図を、また、図１
５は、該液晶表示装置の他の部分における画素の断面図
を示している。たとえば図１６に示す液晶表示装置の液
晶表示部ＡＲにおいて、図中Ｘの部分の画素の断面図を
図１４に、図中Ｙの部分の画素の断面図を図１５に示し
ている。なお、この場合における画素の断面個所は図１
１に示したと同様となっている。
【０１４２】図１４と図１５を比較して、まず異なる構
成は、保護膜ＰＳＶ１が液晶表示部ＡＲの個所において
膜厚を異にして形成されている。図１４の場合の保護膜
ＰＳＶ１の膜厚はｘ３であるのに対し、図１５の場合の
保護膜ＰＳＶ１の膜厚はｙ３（＜ｘ３）となっている。
成は、保護膜ＰＳＶ１が液晶表示部ＡＲの個所において
膜厚を異にして形成されている。図１４の場合の保護膜
ＰＳＶ１の膜厚はｘ３であるのに対し、図１５の場合の
保護膜ＰＳＶ１の膜厚はｙ３（＜ｘ３）となっている。
【０１４３】保護膜ＰＳＶ１の形成において、液晶表示
部ＡＲの全域に及んで均一に形成されず、その膜厚にば
らつきがあることを示している。
部ＡＲの全域に及んで均一に形成されず、その膜厚にば
らつきがあることを示している。
【０１４４】ここで、保護膜ＰＳＶ１の上面に形成され
る保護膜ＰＳＶ２は、図１４の場合、その膜厚はｘ２で
あるのに対し、図１５の場合、その膜厚はｙ２（≒
ｘ２）となって、それらはほぼ等しくなっているとす
る。
る保護膜ＰＳＶ２は、図１４の場合、その膜厚はｘ２で
あるのに対し、図１５の場合、その膜厚はｙ２（≒
ｘ２）となって、それらはほぼ等しくなっているとす
る。
【０１４５】このとき、対向電極ＣＴと画素電極ＰＸの
間の領域かかる電界は、液晶ギャップｘ１、ｙ１がｘ１
≒ｙ１の関係を有する（液晶に含有されるビーズの径と
同等）ことから、保護膜ＰＳＶ１の薄い部分で高くなっ
てしまう。
間の領域かかる電界は、液晶ギャップｘ１、ｙ１がｘ１
≒ｙ１の関係を有する（液晶に含有されるビーズの径と
同等）ことから、保護膜ＰＳＶ１の薄い部分で高くなっ
てしまう。
【０１４６】このため、本実施例では、各画素領域にお
いて電界が均一になるように、保護膜ＰＳＶ２は、その
膜厚をｘ２＜ｙ２となるように設定されている。保護膜
ＰＳＶ１の各膜厚のｘ３＞ｙ３の関係を補うためであ
る。
いて電界が均一になるように、保護膜ＰＳＶ２は、その
膜厚をｘ２＜ｙ２となるように設定されている。保護膜
ＰＳＶ１の各膜厚のｘ３＞ｙ３の関係を補うためであ
る。
【０１４７】これにより、次式（７）
【０１４８】
【数７】 ｘ２+ｘ３≒ｙ２+ｙ３、ｘ３＞ｙ３、ｘ２＜ｙ２ ……（７）
の関係が成立する。
【０１４９】上述した各実施例では、保護膜ＰＳＶに対
して画素電極ＰＸがその下層に、対向電極ＣＴが上層に
形成したものであるが、これらは逆に、すなわち、画素
電極が上層に、対向電極が下層に位置付けられた構成の
ものにあっても適用できることはいうまでもない。
して画素電極ＰＸがその下層に、対向電極ＣＴが上層に
形成したものであるが、これらは逆に、すなわち、画素
電極が上層に、対向電極が下層に位置付けられた構成の
ものにあっても適用できることはいうまでもない。
【０１５０】実施例１０．図１７は、本発明による液晶
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１に対応した
図となっている。
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１に対応した
図となっている。
【０１５１】透明基板ＳＵＢ１上の対比する各画素の層
構造の相異によって該透明基板ＳＵＢ１から液晶層まで
の距離が異なると、該液晶層の厚みも異なることにな
る。横電界方式では駆動電圧が液晶層の厚みに依存し、
液晶層が厚いほど、より低い電圧で同じ輝度を得ること
ができる。この場合、図１７に示すように、各画素にお
いて、仮に電極間の距離が全て等しいとすると、図中Ｘ
の領域の画素はＹの領域の画素より駆動電圧が高いこと
になる。このことを図２３にて説明する。図２３は横軸
に電圧Ｖ，縦軸に輝度ＢをとるＢ−Ｖ曲線であり、曲線
Ａは図１７のＸの領域のＢ−Ｖ曲線、曲線ＢはＹの領域
のＢ−Ｖ曲線である。曲線Ａは曲線ＢよりＢ−Ｖカーブ
がゆるやかなものとなり、したがって、ある電圧に対し
表示される階調が異なったものとなってしまうことにな
る。
構造の相異によって該透明基板ＳＵＢ１から液晶層まで
の距離が異なると、該液晶層の厚みも異なることにな
る。横電界方式では駆動電圧が液晶層の厚みに依存し、
液晶層が厚いほど、より低い電圧で同じ輝度を得ること
ができる。この場合、図１７に示すように、各画素にお
いて、仮に電極間の距離が全て等しいとすると、図中Ｘ
の領域の画素はＹの領域の画素より駆動電圧が高いこと
になる。このことを図２３にて説明する。図２３は横軸
に電圧Ｖ，縦軸に輝度ＢをとるＢ−Ｖ曲線であり、曲線
Ａは図１７のＸの領域のＢ−Ｖ曲線、曲線ＢはＹの領域
のＢ−Ｖ曲線である。曲線Ａは曲線ＢよりＢ−Ｖカーブ
がゆるやかなものとなり、したがって、ある電圧に対し
表示される階調が異なったものとなってしまうことにな
る。
【０１５２】そこで、本実施例では、図１７に示すよう
に、電極間の距離において特別な構成としたものであ
る。基板ＳＵＢ１から対向電極ＣＴまでの距離はＸの領
域に相当する画素ではＹの領域に相当する画素より長く
なり、ｄ１０＞ｄ２０の関係になっている。
に、電極間の距離において特別な構成としたものであ
る。基板ＳＵＢ１から対向電極ＣＴまでの距離はＸの領
域に相当する画素ではＹの領域に相当する画素より長く
なり、ｄ１０＞ｄ２０の関係になっている。
【０１５３】この場合、対向電極ＣＴは複数本、たとえ
ば各画素につき２本形成されている。対向電極ＣＴ間の
距離をＸ領域に相当する画素でＬ３，Ｙ領域に相当する
画素でＬ６とすると、Ｌ６＞Ｌ３の関係を満たすように
している。すなわち、Ｘ領域に相当する画素では各対向
電極ＣＴ間の距離が短くなるようにしている。
ば各画素につき２本形成されている。対向電極ＣＴ間の
距離をＸ領域に相当する画素でＬ３，Ｙ領域に相当する
画素でＬ６とすると、Ｌ６＞Ｌ３の関係を満たすように
している。すなわち、Ｘ領域に相当する画素では各対向
電極ＣＴ間の距離が短くなるようにしている。
【０１５４】これにより、同一の電圧を印加した際にＸ
領域とＹ領域にそれぞれ形成される電界強度をより均一
に近づけることが可能となり、両領域のＢ−Ｖカーブの
傾きを近づけることができる。これにより、階調のずれ
を改善することができる。
領域とＹ領域にそれぞれ形成される電界強度をより均一
に近づけることが可能となり、両領域のＢ−Ｖカーブの
傾きを近づけることができる。これにより、階調のずれ
を改善することができる。
【０１５５】また、Ｘの領域に相当する画素での画素電
極ＰＸと対向電極ＣＴの間の距離をＬ１およびＬ２とす
る。そして、Ｙの領域に相当する画素での画素電極ＰＸ
と対向電極ＣＴの間の距離をＬ４およびＬ５とする。こ
のとき、Ｌ４，Ｌ５＞Ｌ１，Ｌ２、あるいは少なくとも
Ｌ４＞Ｌ１もしくはＬ４＞Ｌ２、Ｌ５＞Ｌ１もしくはＬ
５＞Ｌ２のいずれかを満たすことで、同一の電圧を印加
した際にＸ領域とＹ領域にそれぞれ形成される電界強度
をより均一に近づけることが可能となり、両領域のＢ−
Ｖカーブの傾きを近づけることができる。これにより、
階調のずれを改善することができる。
極ＰＸと対向電極ＣＴの間の距離をＬ１およびＬ２とす
る。そして、Ｙの領域に相当する画素での画素電極ＰＸ
と対向電極ＣＴの間の距離をＬ４およびＬ５とする。こ
のとき、Ｌ４，Ｌ５＞Ｌ１，Ｌ２、あるいは少なくとも
Ｌ４＞Ｌ１もしくはＬ４＞Ｌ２、Ｌ５＞Ｌ１もしくはＬ
５＞Ｌ２のいずれかを満たすことで、同一の電圧を印加
した際にＸ領域とＹ領域にそれぞれ形成される電界強度
をより均一に近づけることが可能となり、両領域のＢ−
Ｖカーブの傾きを近づけることができる。これにより、
階調のずれを改善することができる。
【０１５６】なお、図１７では、一例として保護膜ＰＳ
Ｖ１は例えば無機膜、保護膜ＰＳＶ２は有機膜としてい
る。図１７では対向電極ＣＴを映像信号線ＤＬの上に保
護膜ＰＳＶ２を介して配置している。
Ｖ１は例えば無機膜、保護膜ＰＳＶ２は有機膜としてい
る。図１７では対向電極ＣＴを映像信号線ＤＬの上に保
護膜ＰＳＶ２を介して配置している。
【０１５７】これによりドレイン信号線ＤＬと対向電極
ＣＴ間の寄生容量を抑制しつつ、ドレイン信号線ＤＬか
らの漏れ電界をシールドすることができる。寄生容量を
低下し漏れ電界シールドの効果のみを十分奏するには保
護膜ＰＳＶ２にある程度の厚みがあることが望ましく、
この目的から該保護膜ＰＳＶ２には有機膜が望ましい。
しかし、有機膜には塗布装置固有の膜厚ムラが生じやす
いという難点がある。しかし、本実施例の概念により、
膜厚の違いのＢ−Ｖカーブへの影響を回避できるように
なるため、シールド効果のみを十分奏することができる
ようになる。
ＣＴ間の寄生容量を抑制しつつ、ドレイン信号線ＤＬか
らの漏れ電界をシールドすることができる。寄生容量を
低下し漏れ電界シールドの効果のみを十分奏するには保
護膜ＰＳＶ２にある程度の厚みがあることが望ましく、
この目的から該保護膜ＰＳＶ２には有機膜が望ましい。
しかし、有機膜には塗布装置固有の膜厚ムラが生じやす
いという難点がある。しかし、本実施例の概念により、
膜厚の違いのＢ−Ｖカーブへの影響を回避できるように
なるため、シールド効果のみを十分奏することができる
ようになる。
【０１５８】実施例１１．図１８は、本発明による液晶
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１７に対応し
た図となっている。
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１７に対応し
た図となっている。
【０１５９】図１８は図１７の構成に対してさらに改善
を施したものであり、対向電極ＣＴの本数および画素電
極ＰＸの本数を図１７の場合よりも増加させている点に
相異を有する。
を施したものであり、対向電極ＣＴの本数および画素電
極ＰＸの本数を図１７の場合よりも増加させている点に
相異を有する。
【０１６０】また、対向電極ＣＴと画素電極ＰＸが共に
保護膜ＰＳＶ２の上層に形成していることに相異を有す
る。それ以外は図１７の場合と同じであり、図１７の場
合と同様の効果を奏することができる。
保護膜ＰＳＶ２の上層に形成していることに相異を有す
る。それ以外は図１７の場合と同じであり、図１７の場
合と同様の効果を奏することができる。
【０１６１】図１８において、画素電極ＰＸの基板ＳＵ
Ｂ１からの距離はｄ３０＞ｄ３１であり、Ｘの領域にて
Ｙの領域より大きくなっている。この場合、各画素電極
ＰＸの間の距離は、Ｘの領域でＬ７とし、Ｙの領域でＬ
８とした場合、Ｌ８＞Ｌ７の関係を満たすようになって
いる。
Ｂ１からの距離はｄ３０＞ｄ３１であり、Ｘの領域にて
Ｙの領域より大きくなっている。この場合、各画素電極
ＰＸの間の距離は、Ｘの領域でＬ７とし、Ｙの領域でＬ
８とした場合、Ｌ８＞Ｌ７の関係を満たすようになって
いる。
【０１６２】これにより、図１７の場合と同様に、同一
の電圧を印加した際にＸ領域とＹ領域にそれぞれ形成さ
れる電界強度をより均一に近づけることが可能となり、
両領域のＢ−Ｖカーブの傾きを近づけることができる。
したがって、階調のずれを改善することができる。
の電圧を印加した際にＸ領域とＹ領域にそれぞれ形成さ
れる電界強度をより均一に近づけることが可能となり、
両領域のＢ−Ｖカーブの傾きを近づけることができる。
したがって、階調のずれを改善することができる。
【０１６３】実施例１２．図１９は、本発明による液晶
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１７に対応し
た図となっている。
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１７に対応し
た図となっている。
【０１６４】図１７で説明した階調ずれの改善は、隣接
画素間で液晶層の厚みに差を設ける構成として有効とな
る。
画素間で液晶層の厚みに差を設ける構成として有効とな
る。
【０１６５】すなわち、図１９は、隣接画素間で液晶層
の厚みを異ならしめた構成である。ここで保護膜ＰＳＶ
２に代えて、カラーフィルタＦＩＬを形成している。図
１９はゲート信号線ＧＬの延在方向の複数画素の断面構
造を示すものであり、カラーフィルタＦＩＬの色は画素
毎にＲ，Ｇ，Ｂのいずれかが形成されて３原色を構成し
ている。各カラーフィルタＦＩＬの境界はドレイン信号
線ＤＬ上に位置している。
の厚みを異ならしめた構成である。ここで保護膜ＰＳＶ
２に代えて、カラーフィルタＦＩＬを形成している。図
１９はゲート信号線ＧＬの延在方向の複数画素の断面構
造を示すものであり、カラーフィルタＦＩＬの色は画素
毎にＲ，Ｇ，Ｂのいずれかが形成されて３原色を構成し
ている。各カラーフィルタＦＩＬの境界はドレイン信号
線ＤＬ上に位置している。
【０１６６】ここで、液晶表示装置では所定の色を実現
する必要があり、色間でカラーフィルタＦＩＬの厚みを
全く同一にすることは困難となる。このため、図１９に
示すようにカラーフィルタＦＩＬに応じて画素毎に透明
基板ＳＵＢ１から液晶層までの距離が異なり、液晶層の
厚みが異なったものとして構成される。
する必要があり、色間でカラーフィルタＦＩＬの厚みを
全く同一にすることは困難となる。このため、図１９に
示すようにカラーフィルタＦＩＬに応じて画素毎に透明
基板ＳＵＢ１から液晶層までの距離が異なり、液晶層の
厚みが異なったものとして構成される。
【０１６７】このような構造で階調のずれを改善するた
め、少なくとも次の（１）、（２）いずれかに示す構成
を用いることが有効とある。すなわち、 （１）基板面ＳＵＢ１から対向電極ＣＴまでの距離が長
い画素ほど、各対向電極ＣＴ間の距離を短くする。 （２）基板面ＳＵＢ１から対向電極ＣＴまでの距離が長
い画素ほど、各対向電極ＣＴと画素電極ＰＸの間の距離
を短くする。
め、少なくとも次の（１）、（２）いずれかに示す構成
を用いることが有効とある。すなわち、 （１）基板面ＳＵＢ１から対向電極ＣＴまでの距離が長
い画素ほど、各対向電極ＣＴ間の距離を短くする。 （２）基板面ＳＵＢ１から対向電極ＣＴまでの距離が長
い画素ほど、各対向電極ＣＴと画素電極ＰＸの間の距離
を短くする。
【０１６８】この実施例では、たとえば上記の（１）、
（２）の双方の構成を適用し、より階調ずれの改善を図
ったものとしている。
（２）の双方の構成を適用し、より階調ずれの改善を図
ったものとしている。
【０１６９】また、この実施例でのＲ，Ｇ，Ｂの膜厚の
順序は説明のためのものであり、必ずしもこの順序であ
る必要はない。カラーフィルタＦＩＬに使用する各色の
材料の特性に合わせ適宜設定するからである。
順序は説明のためのものであり、必ずしもこの順序であ
る必要はない。カラーフィルタＦＩＬに使用する各色の
材料の特性に合わせ適宜設定するからである。
【０１７０】なお、上記（１）あるいは（２）の少なく
ともいずれかを満たすように構成してもよいことはもち
ろんである。
ともいずれかを満たすように構成してもよいことはもち
ろんである。
【０１７１】実施例１３．図２０は、本発明による液晶
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１９に対応し
た図となっている。
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１９に対応し
た図となっている。
【０１７２】図１９の場合と比較して異なる部分は、対
向電極ＣＴと画素電極ＰＸをカラーフィルタＦＩＬ上に
配置させている点にある。この構成においても実施例１
２で説明した（１）と（２）の構成のうち少なくともい
ずれかを適用することで、階調ずれの低減を実現させる
ことができる。この実施例では前記（１）と（２）の構
成の双方を適用し、さらに階調ずれの改善を図っている
ことにある。
向電極ＣＴと画素電極ＰＸをカラーフィルタＦＩＬ上に
配置させている点にある。この構成においても実施例１
２で説明した（１）と（２）の構成のうち少なくともい
ずれかを適用することで、階調ずれの低減を実現させる
ことができる。この実施例では前記（１）と（２）の構
成の双方を適用し、さらに階調ずれの改善を図っている
ことにある。
【０１７３】実施例１４．図１２は、本発明による液晶
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１９に対応し
た図となっている。
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１９に対応し
た図となっている。
【０１７４】図１９の場合と比較して異なる構成は、カ
ラーフィルタＦＩＬ上にオーバーコート膜ＯＣが形成さ
れている点である。そして対向電極ＣＴが該オーバーコ
ート膜ＯＣの上層に、画素電極ＰＸが該オーバーコート
膜ＯＣの下層に形成されている点である。
ラーフィルタＦＩＬ上にオーバーコート膜ＯＣが形成さ
れている点である。そして対向電極ＣＴが該オーバーコ
ート膜ＯＣの上層に、画素電極ＰＸが該オーバーコート
膜ＯＣの下層に形成されている点である。
【０１７５】この構成でも実施例１２で示した（１）の
構成と（２）の構成のうち少なくともいずれかを適用す
ることで、階調ずれの低減を実現させることができる。
構成と（２）の構成のうち少なくともいずれかを適用す
ることで、階調ずれの低減を実現させることができる。
【０１７６】さらに本実施例では、オーバーコート膜Ｏ
Ｃの膜厚のカラーフィルタＦＩＬに対する関係に特徴を
有する。すなわち、カラーフィルタＦＩＬの厚い画素で
はオーバーコート膜ＯＣを薄くし、カラーフィルタＦＩ
Ｌの薄い画素ではオーバーコート膜ＯＣを厚くするよう
に構成している。これにより、色の異なる画素間の液晶
層の厚みの違いを、オーバーコート膜ＯＣのない状態よ
り低減することができる。この結果、階調ずれを低減す
ることができる。
Ｃの膜厚のカラーフィルタＦＩＬに対する関係に特徴を
有する。すなわち、カラーフィルタＦＩＬの厚い画素で
はオーバーコート膜ＯＣを薄くし、カラーフィルタＦＩ
Ｌの薄い画素ではオーバーコート膜ＯＣを厚くするよう
に構成している。これにより、色の異なる画素間の液晶
層の厚みの違いを、オーバーコート膜ＯＣのない状態よ
り低減することができる。この結果、階調ずれを低減す
ることができる。
【０１７７】オーバーコート膜ＯＣは、粘性を適切に設
定した液状のオーバーコート材料を塗布し、数十秒程度
の放置後、透明基板ＳＵＢ１ごと該オーバーコート材料
を加熱することで図２１に示す構成を実現することがで
きる。
定した液状のオーバーコート材料を塗布し、数十秒程度
の放置後、透明基板ＳＵＢ１ごと該オーバーコート材料
を加熱することで図２１に示す構成を実現することがで
きる。
【０１７８】この実施例では液晶層の厚みの差を低減す
る構造上の特徴と、実施例１２に示した（１）の構成と
（２）の構成との双方を適用することで、階調ずれをさ
らに改善することができる。
る構造上の特徴と、実施例１２に示した（１）の構成と
（２）の構成との双方を適用することで、階調ずれをさ
らに改善することができる。
【０１７９】実施例１５．図２２は本発明による液晶表
示装置の他の実施例を示す構成図で、図１９に対応した
図となっている。
示装置の他の実施例を示す構成図で、図１９に対応した
図となっている。
【０１８０】図１９の場合と比較して異なる構成は、画
素電極ＰＸもオーバーコート膜ＯＣの上層にある点であ
る。
素電極ＰＸもオーバーコート膜ＯＣの上層にある点であ
る。
【０１８１】この構成でも実施例１２に示す（１）の構
成と（２）の構成の少なくともいずれかを適用すること
で、階調ずれの低減を実現できる。
成と（２）の構成の少なくともいずれかを適用すること
で、階調ずれの低減を実現できる。
【０１８２】上述した各実施例はそれぞれ単独に、ある
いは組み合わせて用いても良い。それぞれの実施例での
効果を単独であるいは相乗して奏することができるから
である。
いは組み合わせて用いても良い。それぞれの実施例での
効果を単独であるいは相乗して奏することができるから
である。
【０１８３】
【発明の効果】以上説明したことから明らかとなるよう
に、本発明による液晶表示装置によれば、表示の品質の
向上を図ることができる。
に、本発明による液晶表示装置によれば、表示の品質の
向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による液晶表示装置の一実施例を示す断
面図である。
面図である。
【図２】本発明による液晶表示装置の一実施例を示す全
体等価回路図である。
体等価回路図である。
【図３】本発明による液晶表示装置の画素の一実施例を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図４】図３のIV−IV線における断面図である。
【図５】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す
断面図である。
断面図である。
【図６】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す
断面図である。
断面図である。
【図７】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す
断面図である。
断面図である。
【図８】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す
断面図である。
断面図である。
【図９】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す
断面図である。
断面図である。
【図１０】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図１１】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す平面図である。
例を示す平面図である。
【図１２】図１１のXII−XII線における断面図である。
【図１３】本発明による効果を説明する説明図である。
【図１４】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図１５】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図１６】図１４および図１５に示す各画素の個所を示
すために必要な説明図である。
すために必要な説明図である。
【図１７】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図１８】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図１９】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２０】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２１】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２２】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２３】Ｂ−Ｖカーブのずれの説明図である。
ＳＵＢ…透明基板、ＧＬ…ゲート信号線、ＤＬ…ドレイ
ン信号線、ＡＳ…半導体層、ＴＦＴ…薄膜トランジス
タ、ＰＸ…画素電極、ＣＴ…対向電極、ＧＩ…絶縁膜、
ＰＳＶ…保護膜、ＯＲＩ…配向膜、ＬＣ…液晶。
ン信号線、ＡＳ…半導体層、ＴＦＴ…薄膜トランジス
タ、ＰＸ…画素電極、ＣＴ…対向電極、ＧＩ…絶縁膜、
ＰＳＶ…保護膜、ＯＲＩ…配向膜、ＬＣ…液晶。
フロントページの続き
(72)発明者 桶 隆太郎
千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立
製作所ディスプレイグループ内
(72)発明者 柳川 和彦
千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立
製作所ディスプレイグループ内
Ｆターム(参考） 2H048 BA02 BB02 BB07 BB08 BB44
2H090 HA04 HB07X JA05 KA04
LA15
2H091 FA02Y FD03 GA02 GA07
LA18 LA20
2H092 GA14 GA17 JA24 JB04 JB13
KB25 KB26 NA03 PA08
Claims (26)
- 【請求項１】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面の各画素領域に、層間絶縁膜
に対して上層および下層となる一対の電極が層を異にし
て形成され、 前記各画素領域のうち選択された２つの画素領域にて、
前記層間絶縁膜に対して下層となる電極が形成される下
地層の前記一方の基板面に対する高さが異なるととも
に、 前記層間絶縁膜の膜厚が、前記高さの異なる各下地層の
うち高い方に対して小さく、かつ低い方に対して大きく
設定されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面の各画素領域に、該一方の基
板側から、少なくともカラーフィルタの上に層間絶縁膜
に対して上層および下層となる一対の電極が層を異にし
て形成され、 前記各画素領域のうち選択された２つの異なる色のカラ
ーフィルタが形成されている画素領域にて、それらのカ
ラーフィルタの表面の前記一方の基板面に対する高さが
異なるとともに、前記層間絶縁膜の膜厚は、次式
（１）、 【数１】 ０＜画素領域間の層間絶縁膜の膜厚差 ＜画素領域間のカラーフィルタの膜厚差 …………（１） を満足するように設定されていることを特徴とする液晶
表示装置。 - 【請求項３】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面の各画素領域に、該一方の基
板側から、少なくともカラーフィルタの上に層間絶縁膜
に対して上層および下層となる一対の電極が層を異にし
て形成され、 前記各画素領域のうち選択された２つの異なる色のカラ
ーフィルタが形成されている画素領域にて、それらのカ
ラーフィルタの表面の前記一方の基板面に対する高さが
異なるとともに、前記層間絶縁膜の膜厚は、次式
（２）、 【数２】 １／４×画素領域間のカラーフィルタの膜厚差 ＜画素領域間の層間絶縁膜の膜厚差 ＜３／４×画素領域間のカラーフィルタの膜厚差 ……（２） を満足するように設定されていることを特徴とする液晶
表示装置。 - 【請求項４】 次式（３）、 【数３】 層間絶縁膜の膜厚 ＜最も厚いカラーフィルタの膜厚の３／２倍 ……（３） を満足するように設定されていることを特徴とする請求
項２、３のうちいずれか記載の液晶表示装置。 - 【請求項５】 次式（４） 【数４】 最も薄いカラーフィルタの膜厚の１／４ ＜層間絶縁膜の膜厚 ＜最も厚いカラーフィルタの膜厚の３／２倍 ……（４） を満足するように設定されていることを特徴とする請求
項２、３のうちいずれか記載の液晶表示装置。 - 【請求項６】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面の各画素領域に、層間絶縁膜
に対して上層および下層となる一対の電極が層を異にし
て形成され、 各画素領域にて、前記層間絶縁膜に対して下層となる電
極が形成される下地層の前記一方の基板面に対する高さ
が異なるとともに、 前記層間絶縁膜の膜厚が、前記高さの異なる各下地層の
うち高い方に対して小さく、かつ低い方に対して大きく
設定されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項７】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面に形成された各画素領域に、 第１の保護膜と第２の保護膜とが順次積層された保護膜
を介して一対の電極が形成され、 これら各電極は平面的に観た場合互いに離間されて電界
を発生せしめるようになっているとともに、 前記保護膜の下層の電極上の第１保護膜および第２保護
膜のそれぞれの層厚ｄ ３、ｄ２と、前記一対の間の領域
の第１保護膜および第２保護膜のそれぞれの層厚
ｄ３’、ｄ２’との関係が次式（５）、 【数５】 ｄ３≒ｄ３’，ｄ２＜ｄ２’＜ｄ２+ｄ４ ……（５） を満足し、前記保護膜の下層の電極上の液晶の層厚ｄ１
と前記一対の間の領域上の液晶の層厚ｄ１’の関係は次
式（６）、 【数６】 ｄ１≒ｄ１’（但し、ｄ１≦ｄ１’） ……（６） を満足するように設定されていることを特徴とする液晶
表示装置。 - 【請求項８】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面に形成された各画素領域に、 第１の保護膜と第２の保護膜とが順次積層された保護膜
を介して一対の電極が形成され、 これら各電極は平面的に観た場合互いに離間されて電界
を発生せしめるようになっているとともに、 選択された２つの各画素領域において、一方の画素領域
の第１の保護膜の膜厚をｘ３、第２の保護膜の膜厚をｘ
２とし、他方の画素領域の第１の保護膜の膜厚をｙ３、
第２の保護膜の膜厚をｙ２とした場合、次式（７） 【数７】 ｘ２+ｘ３≒ｙ２+ｙ３、ｘ３＞ｙ３、ｘ２＜ｙ２ ……（７） の関係が成立することを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項９】 互いに対向される一対の基板間に挟持さ
れた液晶層と、 この液晶層の広がり方向に配置される複数の画素領域
と、 前記一対の基板のうちの一方の基板の液晶層側の面の各
画素領域に形成された画素電極および対向電極を有する
ものであって、 前記対向電極が複数本形成された第１の画素と第２の画
素を有し、 前記一方の基板から層構造を介した前記対向電極までの
距離は、前記第１の画素にて前記第２の画素より長く、 前記画素内での前記複数本形成された各対向電極間の距
離は、前記第１の画素にて前記第２の画素より短く形成
されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１０】 互いに対向される一対の基板間に挟持
された液晶層と、 この液晶層の広がり方向に配置される複数の画素領域
と、 前記一対の基板のうちの一方の基板の液晶層側の面の各
画素領域に形成された画素電極および対向電極を有する
ものであって、 前記画素電極が複数本形成された第１の画素と第２の画
素を有し、 前記一方の基板から層構造を介して前記画素電極までの
距離は、前記第１の画素にて前記第２の画素より長く、 前記画素内での前記複数本形成された画素電極間の距離
は、前記第１の画素にて前記第２の画素より短く形成さ
れていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１１】 互いに対向される一対の基板間に挟持
された液晶層と、 この液晶層の広がり方向に配置される複数の画素領域
と、 前記一対の基板のうちの一方の基板の液晶層側の面の各
画素領域に形成された画素電極および対向電極を有する
ものであって、 前記一方の基板から層構造を介して前記対向電極までの
距離がそれぞれ異なる第１の画素と第２の画素を有し、 前記一方の基板から前記対向電極までの距離は、前記第
１の画素にて前記第２の画素より長く、 前記画素電極と前記対向電極の間の距離は、前記第１の
画素にて前記第２の画素より短く形成されていることを
特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１２】 前記画素電極と対向電極が異なる層で
構成されていることを特徴とする請求項１１記載の液晶
表示装置。 - 【請求項１３】 前記画素電極と対向電極が同層で構成
されていることを特徴とする請求項１１記載の液晶表示
装置。 - 【請求項１４】 前記対向電極が有機膜上に構成されて
いることを特徴とする請求項９記載の液晶表示装置。 - 【請求項１５】 前記画素電極が有機膜上に構成されて
いることを特徴とする請求項１０記載の液晶表示装置。 - 【請求項１６】 前記画素電極と対向電極が有機膜上に
構成されていることを特徴とする請求項１３記載の液晶
表示装置。 - 【請求項１７】 互いに対向される一対の基板間に挟持
された液晶層と、 この液晶層の広がり方向に配置される複数の画素領域
と、前記一対の基板のうちの一方の基板の液晶層側の面
の各画素領域に形成された画素電極および対向電極を有
するものであって、 前記一方の基板から層構造を介した前記画素電極の間の
距離と前記一方の基板から層構造を介した前記対向電極
の間の距離の差が異なる第１の画素と第２の画素を有
し、 前記差は前記第１の画素にて前記第２の画素より小さ
く、 前記一方の基板と前記画素電極の間の距離が前記第１の
画素にて前記第２の画素より大きく、 前記一方の基板と前記対向電極の間の距離が前記第１の
画素にて前記第２の画素より大きく形成されていること
を特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１８】 前記画素電極と対向電極が有機膜を介
して異なる層で構成されていることを特徴とする請求項
１７記載の液晶表示装置。 - 【請求項１９】 前記有機膜はカラーフィルタであるこ
とを特徴とする請求項１４記載の液晶表示装置。 - 【請求項２０】 前記有機膜はカラーフィルタであるこ
とを特徴とする請求項１５記載の液晶表示装置。 - 【請求項２１】 前記有機膜はカラーフィルタであるこ
とを特徴とする請求項１６記載の液晶表示装置。 - 【請求項２２】 前記有機膜はカラーフィルタであるこ
とを特徴とする請求項１８記載の液晶表示装置。 - 【請求項２３】 前記第１の画素と第２の画素が隣接配
置されていることを特徴とする請求項９記載の液晶表示
装置。 - 【請求項２４】 前記第１の画素と第２の画素が隣接配
置されていることを特徴とする請求項１０記載の液晶表
示装置。 - 【請求項２５】 前記第１の画素と第２の画素が隣接配
置されていることを特徴とする請求項１１記載の液晶表
示装置。 - 【請求項２６】 前記第１の画素と第２の画素が隣接配
置されていることを特徴とする請求項１７記載の液晶表
示装置。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|
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| JP2001231333 | 2001-07-31 | ||
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|---|---|
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|---|---|---|---|
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Cited By (8)
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| A977 | Report on retrieval |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A521 | Written amendment |
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| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| R371 | Transfer withdrawn |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| S631 | Written request for registration of reclamation of domicile |
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|
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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