JP2001249352A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】液晶表示装置の表示部から外側の遮光領域（い
わゆる額縁部）からの光漏れを抑制し、コントラスト比
を高くして良好な表示特性が得られる液晶表示装置及び
その製造方法を提供する。 【解決手段】ＴＦＴ基板は、第１の板状部材上の額縁部
に形成されたＴＦＴに接続された駆動配線と、前記駆動
配線上の絶縁膜と、前記絶縁膜状の画素電極と同じ材質
で形成された導電膜と、前記導電膜上に形成された垂直
配向膜とを有する。また、ＣＦ基板は、第２の板状部材
上の額縁部に形成された遮光膜を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、カラー表示が可能
であり、表示品質が優れた液晶表示装置及びその製造方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】アクティブマトリクス方式の液晶パネル
を用いた表示装置は、非選択時にオフ状態となって信号
を遮断するスイッチを各画素に設けることによってクロ
ストークを防止するものであり、単純マトリクス方式の
液晶パネルを用いた表示装置に比べて優れた表示特性を
示す。特に、スイッチとしてＴＦＴ（Thin Film Transi
stor）を使用した液晶表示装置は、ＴＦＴの駆動能力が
高いので、ＣＲＴ（Cathode-Ray Tube）に匹敵するほど
優れた表示特性を示す。

【０００３】一般的に、液晶パネルは２枚の透明基板の
間に液晶を封入した構造を有している。それらの透明基
板の相互に対向する２つの面のうち、一方の面側にはコ
モン電極、カラーフィルタ及び配向膜等が形成され、他
方の面側にはＴＦＴ、画素電極及び配向膜等が形成され
ている。更に、各透明基板の対向面と反対側の面には、
それぞれ偏光板が貼り付けられている。ＴＮ（Twisted
Nematic ）型液晶の場合、２枚の偏光板は、例えば偏光
板の偏光軸が互いに直交するように配置されている。こ
れによれば、電界をかけない状態では光を透過し、電界
を印加した状態では遮光するモード、すなわちノーマリ
ーホワイトモードとなる。その反対に、２枚の偏光板の
偏光軸が平行な場合にはノーマリーブラックモードとな
る。以下、ＴＦＴ及び画素電極が形成された基板をＴＦ
Ｔ基板と呼び、コモン電極及びカラーフィルタが形成さ
れた基板をＣＦ基板と呼ぶ。

【０００４】近年、液晶表示装置のより一層の高性能化
が要求されており、特に視角特性の改善及び表示品質の
向上が強く要求されている。このような要求を満たすも
のとして、垂直配向（Vertically Alligned ：ＶＡ) 型
液晶表示装置、特にＭＶＡ(Multi Vertical Alignment)
型液晶表示装置が有望視されている。図９（ａ）は、従
来のＭＶＡ型液晶表示装置の一例を示す断面図である。

【０００５】この液晶表示装置は、ＴＦＴ基板５１０
と、ＣＦ基板５２０と、これらの基板５１０，５２０間
に封入された垂直配向型液晶５２９とにより構成されて
いる。また、ＴＦＴ基板５１０の下及びＣＦ基板５２０
の上には、それぞれ偏光板（図示せず）が、例えば偏光
軸を直交させて配置されている。ＴＦＴ基板５１０は、
以下のように形成されている。すなわち、透明ガラス基
板５１１上には、マトリックス状に配列された複数の画
素電極５１６と、画素電極５１６に接続されたＴＦＴ
（図示せず）と、そのＴＦＴを介して画素電極５１６に
画像データを供給するデータバスライン及びゲートバス
ライン（いずれも図示せず）とが形成されている。画素
電極５１６は、ＩＴＯ（Indium-Tin Oxide：インジウム
酸化スズ）等の透明導電体により形成されている。

【０００６】また、画素電極５１６の上にはドメイン規
制用突起部５１７が形成されている。さらに、画素電極
５１６及び突起部５１７の表面はポリイミド等からなる
配向膜（図示せず）に覆われている。一方、ＣＦ基板５
２０は以下のように構成されている。すなわち、ガラス
基板５２１の下側にはＣｒ（クロム）等からなるブラッ
クマトリクス５２２が形成されており、このブラックマ
トリクス５２２により画素間の領域が遮光されるように
なっている。また、ガラス基板５２１の下側には、各画
素ごとに、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）の
いずれか１色のカラーフィルタ５２３が形成されてい
る。カラーフィルタ５２３の下にはＩＴＯ等の透明導電
体からなるコモン電極５２４が形成されている。コモン
電極の下にはドメイン規制用突起部５２５が形成されて
いる。また、コモン電極５２４及び突起部５２５の表面
は、ポリイミド等からなる配向膜（図示せず）に覆われ
ている。

【０００７】このように構成された液晶表示装置におい
て、電圧を印加しない状態では、液晶分子５２９ａは配
向膜に垂直に配向する。この場合は、ＴＦＴ基板５１０
の下側から偏光板を通って入射した光は、ＣＦ基板５２
０の上に配置された偏光板により遮断されるため、暗表
示となる。一方、画素電極５１６とコモン電極５２４と
の間に十分な電圧を印加すると、図９（ｂ）に示すよう
に、液晶分子５２９ａは電界に垂直な方向に配列する。
この場合に、突起部５１７，５２５の両側では液晶分子
５２９の倒れる方向が異なり、いわゆる配向分割（マル
チドメイン）が達成される。この状態では、ＴＦＴ基板
５１０の下側から偏光板を通って入射した光は、ＣＦ基
板５２０の上に配置された偏光板を通過するため、明表
示となる。各画素の印加電圧を制御することにより、液
晶表示装置に所望の画像を表示することができる。ま
た、上述した配向分割により斜め方向の光の漏れが抑制
され、視角特性が改善される。

【０００８】ところで、ＴＦＴ液晶表示装置には、複数
のＴＦＴのゲート部及びドレイン部に信号を送るため
に、ゲート部にはゲートバスライン、ドレイン部にはデ
ータバスラインとなる駆動配線がそれぞれ接続され、Ｔ
ＦＴが駆動される。液晶表示装置で高いコントラスト比
を得るためには、これらの駆動配線の近傍から光が漏れ
ると画像表示に悪影響を及ぼすため、光を遮断する必要
がある。

【０００９】図１０はＣＦ基板を示す平面図である。Ｃ
Ｆ基板には、青色（Ｂ）２６３Ｂ、赤色（Ｒ）２６３
Ｒ、緑色（Ｇ）２６３Ｇのカラーフィルタ及びＴＦＴ基
板とＣＦ基板の間隔を一定に保つためのスペーサ２６５
ａが形成されている。画素領域以外からの光漏れを抑制
するために、ＴＦＴ基板の液晶表示部内の駆動配線領域
及び液晶表示部領域から外部から信号を受信する端子部
へ接続するための駆動配線領域にブラックマトリクス２
６２を遮光層として選択的に形成することにより、画素
領域以外からの光漏れを遮断している。ブラックマトリ
クスの材料としては、Ｃｒ、又はカラーフィルタのよう
な樹脂を２色以上積層したもの等を使用している。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】従来の液晶表示装置で
は、上述したような方法で液晶表示部以外の駆動配線領
域からの光漏れを防止している。ブラックマトリクスを
Ｃｒ（クロム）又は十分な厚さの黒色樹脂で形成すると
光漏れは発生しない。しかし、Ｃｒや黒色樹脂を使用す
る場合、成膜工程やパターニング工程が別途必要にな
り、ＣＦ基板の製造コストが高い原因となっている。Ｃ
Ｆ基板の製造コストを削減するために、赤色樹脂、青色
樹脂、緑色樹脂で構成されるカラーフィルタを２層又は
３層積層してブラックマトリクスとすることが提案され
ている。

【００１１】しかし、カラーフィルタの製造工程で同時
にブラックマトリクスを形成する場合は、駆動時に表示
部より外側の遮光領域（いわゆる額縁部）で光漏れが発
生するため、液晶表示装置のコントラスト比を高くでき
ず、表示特性を向上させることができない問題がある。
本発明は、以上の問題を鑑みてなされたものであり、遮
光領域（額縁部）でも光漏れを確実に防止し、従来に比
べてより良好な表示特性が得られる液晶表示装置及びそ
の製造方法を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記した課題は、第１の
発明である表示領域に複数の画素電極及び複数の薄膜ト
ランジスタが形成されたＴＦＴ基板と、前記表示領域に
複数のカラーフィルター及びコモン電極が形成されたＣ
Ｆ基板と、前記ＴＦＴ基板と前記ＣＦ基板との間に封入
された液晶とを有する液晶表示装置において、前記ＴＦ
Ｔ基板が、前記表示領域より外側の遮光領域上に形成さ
れ、前記薄膜トランジスタに接続された駆動配線と、前
記駆動配線を被覆する絶縁膜と、前記絶縁膜の面上に形
成された前記駆動配線を覆う導電膜とを有することを特
徴とする液晶表示装置により解決する。

【００１３】本発明によれば、ＴＦＴが複数形成された
液晶表示部と外部の駆動回路と接続されるための端子部
との間に敷設されたＴＦＴを駆動させるための駆動配線
領域と液晶層との間に、すなわち額縁部の駆動配線領域
と液晶層との間に、液晶を制御するためのＴＦＴに接続
された画素電極と同じ材料の導電膜を有している。これ
によれば、額縁部の駆動配線領域上に画素電極と同じ導
電膜を形成しているので、ＴＦＴを駆動させるためにゲ
ートバスラインやデータバスラインに電流を流すことに
より電界が発生しても額縁部の駆動配線上に導電膜があ
るため電界が液晶層内に進入することを防止することが
できる。

【００１４】一つの好ましい形態においては、額縁部の
液晶層の下に液晶分子を垂直に配向させる配向膜を有し
ている。額縁部の駆動配線領域上の液晶分子の下にも液
晶分子を配向させる配向膜が形成されているので、液晶
を動作させる前の時点で光漏れの原因となる傾斜してい
る液晶分子の数を少なくすることができる。以上のよう
に、垂直型液晶表示装置において、駆動配線領域で電界
が発生してもほとんどの液晶分子がＴＦＴ基板に対して
垂直に保たれるため光漏れが大幅に抑制され高いコント
ラスト比が得られ表示特性を向上させることができる。

【００１５】さらに、駆動配線上に形成された導電膜
は、前記ＣＦ基板のコモン電極と電気的に接続されてい
ることが好ましい。液晶パネル使用時は、コモン電極に
は所定の電圧が印加されており、駆動配線上の導電膜と
コモン電極が同じ電位になるため電界は発生せず、さら
に液晶分子は垂直に保たれ、光漏れが抑制される。上記
した課題は、第２の発明である板状部材の上に、薄膜ト
ランジスタと、前記薄膜トランジスタのゲート電極に接
続されて表示領域からその周囲の遮光領域に延び出した
ゲートバスラインと、前記薄膜トランジスタのドレイン
電極に接続されて表示領域からその周囲の遮光領域に延
び出したデータバスラインとを形成する工程と、前記板
状部材の上に、前記薄膜トランジスタ、前記ゲートバス
ライン及び前記データバスラインを覆う絶縁膜を形成す
る工程と、前記絶縁膜に前記薄膜トランジスタに連絡す
るコンタクトホールを形成する工程と、前記板状部材の
上側全面に導電膜を形成し、該導電膜をパターニングし
て、前記薄膜トランジスタに接続した画素電極を形成す
るとともに、前記遮光領域上に前記導電膜を残存させる
工程とを有することを特徴とする液晶表示装置の製造方
法により解決する。

【００１６】これによれば、第１の発明での作用で述べ
たように額縁部での光漏れが抑制され高いコントラスト
比が得られるため、液晶表示装置の表示特性を向上させ
ることができる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて図を参照しながら説明する。 （本願発明者の調査）本願発明者は、負の誘電率異方性
を有する垂直配向型液晶を使用したＭＶＡ（Multi Vert
ical Alignment) 型の液晶パネルにおいて、ＴＦＴ基板
の額縁部に敷設された駆動配線領域での光漏れに関して
調査を行い、その漏れに係わる問題点を把握した。

【００１８】図２はシフトレジスタを有する液晶パネル
の全体を示す模式図である。図３は液晶パネルの概略を
示す平面図、図４は図２における矢印Ｂで示す線の領域
における額縁部の駆動配線の平面拡大図である。本説明
ではシフトレジスタを有する液晶パネルを元に説明す
る。なお、ＴＡＢを実装するような液晶パネルでも事情
は同じである。

【００１９】図４における斜めに配線された駆動配線２
０は、図３に示すように、液晶表示部１１の外部の額縁
部にＣＦ基板側でのブラックマトリクス１０が形成され
た領域に重なり隠れた領域に配置されている。まず、Ｃ
Ｆ基板にカラーフィルタの製造方法で樹脂を積層させて
形成したブラックマトリクス１０を使用した場合におい
て、額縁部での駆動配線領域での光漏れは、どのような
配線の位置関係で発生しやすいかについて調査した。そ
の結果によれば、図４に示すように、額縁部のデータバ
スライン領域の光漏れは、液晶表示部の横方向の軸に対
して斜めに配置された領域で発生することが分かった。

【００２０】さらに詳細に説明するとゲートバスライ
ン、データバスラインの光漏れが発生する駆動配線の位
置関係は表１のような結果となった。

【００２１】

【表１】 光漏れが発生する駆動配線において、ゲートバスライン
は、液晶表示部の縦方向の軸に対して、６．９°の方向
で配置されており、配線幅１２μｍ、配線ピッチが３５
μｍであった。また、データバスラインは、液晶表示部
の横方向の軸に対して、１５．３°又は２４．５°の方
向に配置されており、配線幅１０μｍ、配線ピッチが２
５μｍであることが分かった。

【００２２】次にゲートバスライン領域での光漏れにつ
いて説明する。図５（ａ）は、従来の額縁部のゲートバ
スライン３８領域の光漏れを説明する模式図である。本
願発明者は、以下のようにゲートバスライン３８領域の
光漏れの原因を推測した。ゲートバスライン３８は、複
数のＴＦＴのゲート電極（図示せず）に接続されてお
り、ＴＦＴを駆動させる時には正のパルス電圧が印加さ
れる。この時、コモン電極３６には所定の電圧が印加さ
れており、ゲートバスライン３８とコモン電極３６の電
位差により電界が発生して液晶分子４０が基板３０に対
し斜めに配列するため、ＣＦ基板３７のブラックマトリ
クス３５を通過した光が偏光板（図示せず）を通過して
光漏れが発生する。

【００２３】次にデータバスラインでの光漏れについて
説明する。図５（ｂ）は、従来の額縁部のデータバスラ
イン領域の光漏れを説明する模式図である。本願発明者
は以下のようにデータバスライン３９領域の光漏れを推
測した。データバスライン３９は、複数のＴＦＴのドレ
イン部（図示せず）に接続され、交流反転する電圧を駆
動配線１行ごとに反転させて液晶に印加される。つま
り、隣り合うバスライン３９間に正負の異なる電圧が印
加されるため、図５（ｂ）のような電界が発生し、ゲー
トバスライン３８の時と同様に液晶分子４０が基板３０
に対し斜めに配列するため光漏れが発生する。

【００２４】図６は、額縁部のゲートバスライン３８領
域での光漏れの時間依存性を示すグラフである。これに
よれば、額縁部は表示を点灯した直後が最も明るく、１
分程度経過すると明るさが低下して暗くなり、光漏れが
気にならなくなることが分かった。この時定数１分程度
という値は、液晶部分の時定数が１０秒程度であるの
で、層構成のどの部分に相応するのか分からないが、光
漏れの明るさがゲート電圧とコモン電圧に依存すること
は次に説明する図７から明らかである。

【００２５】図７はコモン電極３６の電圧を０Ｖとした
時の光漏れのゲートバスライン３８の印加電圧依存性を
示すグラフである。ブラックマトリクス３５の樹脂を青
色単色及び青色／赤色積層と変えて実験を行ったが、光
漏れは、ゲートバスライン３８の電圧とコモン電極３６
の電圧に依存していることを確認した。図７のＯＤ値は
−Ｌｏｇ（光の出射強度／光の入射強度）で定義されて
おり、数値が大きいほど光漏れが少ないことを意味す
る。実際に液晶を駆動させるには、コモン電極３６への
印加電圧が５．０Ｖ程度，ゲートバスライン３８への印
加電圧が−５．５Ｖ程度であるので、図７での−１０．
５Ｖ付近のＯＤ値に相当することが分かった。

【００２６】以上の結果より、額縁部のゲートバスライ
ン領域での光漏れは、コモン電極とデータバスラインへ
の印加電圧に依存することがわかった。図８はデータバ
スライン３９の近傍部分での輝度のデータバスライン３
９への印加電圧（階調）依存性を示すグラフである。こ
れによれば、表示部に白（１６／１６階調）を表示して
いる時、最も明るくなっており、光漏れは、隣り合うデ
ータバスライン３９間に印加される正負の電圧に依存し
ていることを確認した。これに比べて、複数のデータベ
ースライン３９に同電位の電圧を印加させた場合は、光
漏れが確認されなかった。

【００２７】以上の結果より、額縁部のデータバスライ
ン３９領域の光漏れは、データバスラインへ３９の印加
電圧（階調）を上げるに従い増加することが分かった。
表２に本願発明者の実験結果のまとめを示す。

【００２８】

【表２】 ＣＦ基板側に形成された青色／赤色樹脂を積層したブラ
ックマトリクスを使用した場合、膜厚を厚くした方がＯ
Ｄ値が小さく光漏れが少ない結果となった。また、黒色
樹脂を使用した場合は、この実験では膜厚が薄かったた
めＯＤ値が低い結果となった。本願発明者は、青色／赤
色樹脂で膜厚が厚い条件（３．７μｍ）において、光漏
れが少なく比較的表示特性がよいと判定したが、膜厚が
薄い条件（２．６μｍ）では、光漏れが多く表示特性が
悪いと判定した。

【００２９】液晶パネルは、さらなる画像の高品質化が
求められており、以上の本願発明者の実験結果よりさら
に高い額縁部のＯＤ値が要求されている。ＭＶＡ型液晶
パネルにおいて、樹脂を積層してブラックマトリックス
とした場合に、樹脂の膜厚が比較的薄くてもさらなる高
いＯＤ値が期待できる本発明の実施の形態について説明
する。

【００３０】図１（ａ）は本発明の実施の形態における
図２での矢印Ａで示す線の位置のゲートバスライン領域
の断面図である。図１（ｂ）は本発明における図２での
矢印Ｂで示す線の位置及び図４での矢印Ｄで示す位置の
データバスライン領域の断面図である。液晶パネルは、
図２に示すように、表示部６９、画素６１１、ＴＦＴ６
１２に接続されたデータバスライン６１４、ゲートバス
ライン６１５、シフトレジスタ回路６４，６７により構
成されている。画素６１１は、それぞれＴＦＴ６１２
と、補助容量６１３とが設けられている。なお、図２で
は、画素６１１を模式化して図示しており、実際の画素
は、画素電極及び対向電極とそれらの間に封入された負
の誘電率異方性を有する垂直配向型液晶とで構成されて
いる。

【００３１】表示部６９内の構成は基本的に従来と同様
であるので、その詳細な説明は省略する。本発明の実施
の形態の液晶パネルの額縁部の構造を標準的な逆スタガ
ー型ＴＦＴ基板の構造に沿って説明する。液晶パネルの
額縁部は、図１に示すようにＴＦＴ基板６１とＣＦ基板
６２との間に負の異方性を有する垂直配向型液晶（ネガ
型）５５を封入した構造を有している。また、ＴＦＴ基
板６１の下側及びＣＦ基板６２上側にはそれぞれ偏光板
（図示せず）が配置されている。これらの偏光板は、偏
光軸が相互に垂直になるように配置されている。

【００３２】まず、本発明の実施の形態の液晶パネルの
額縁部のゲートバスライン５９領域上の構造を説明す
る。ＴＦＴ基板６１の額縁部は、図１（ａ）に示すよう
に、ガラス又はプラスチック等の透明材料からなる基板
５０（以下、単に「ガラス基板」という」と、このガラ
ス基板５０の上に形成されてＴＦＴ６１２のゲート部に
接続されているゲートバスライン５９、絶縁膜５１，５
２と、ＴＦＴ６１２に接続されている画素電極（図示せ
ず）と同じ材料で同じ工程で形成された導電膜５３と、
導電膜５３上に形成された垂直配向膜５４とにより構成
されている。導電膜５３は、透明膜でありＩＴＯ（イン
ジュウム酸化スズ）等で形成される。導電膜５３は駆動
配線領域で発生した電界が液晶層５５に侵入するのを防
止する。また、配向膜５４は液晶分子を基板５０に対し
て垂直に配向させる。絶縁膜は５１，５２は、シリコン
酸化膜やシリコン窒化膜等からなる。

【００３３】一方、ＣＦ基板６２の額縁部では、ガラス
基板５８の下側にＩＴＯ等からなる導電膜であるコモン
電極５７、ブラックマトリクス５６、配向膜５４が形成
されている。このブラックマトリクス５６は、カラーフ
ィルターの製造工程で形成され、赤色と青色等のレジス
トを組み合わて額縁領域に形成される。なお、好ましい
形態においては、図１（ａ）のようにＴＦＴ基板の導電
膜５３とＣＦ基板のコモン電極５７とを配線６３で電気
的に接続してもよい。

【００３４】また、額縁部のコモン電極５７は、必ずし
も必要ではない。額縁部では、コモン電極５７がフォト
エッチングや選択デポジション等により存在しない構造
としてもよい。本発明の実施の形態の液晶パネルの額縁
部は、以上のような構造のＴＦＴ基板とＣＦ基板との間
に負の誘電率異方性を有する垂直配向型液晶が封入され
た構造となっている。

【００３５】次に、額縁部のデータバスライン６０領域
上の構造を説明する。ＴＦＴ基板６１の額縁部は、図１
（ｂ）に示すように、ガラス基板５０と、ガラス基板５
０の上に形成された絶縁膜５１，５２、ＴＦＴのドレイ
ンに接続されているデータバスライン６０、ＴＦＴに接
続されている画素電極と同じ材料で同じ工程で形成され
た導電膜５３、導電膜５３上にさらに全面に配向膜５４
が形成されている。導電膜５３は、透明膜でありＩＴＯ
（インジュウム酸化スズ）等により形成される。ゲート
バスライン５９部と同様に、導電膜５３はデータバスラ
イン領域で発生した電界が液晶層５５に侵入するのを防
止するための導電膜となり、配向膜５４は液晶封入時に
液晶が傾斜しないようにするための垂直配向膜となる。
絶縁膜１１２、１１３は、シリコン酸化膜やシリコン窒
化膜等からなる。

【００３６】一方、ＣＦ基板６２の額縁部は、ゲートバ
スライン５９領域のＣＦ基板と同様な構造となってい
る。なお、好ましい形態においては、ゲートバスライン
５９領域と同様に、図１（ｂ）のようにＴＦＴ基板の導
電膜５３とＣＦ基板のコモン電極５７とを配線６３で電
気的に接続してもよい。

【００３７】また、額縁部のコモン電極５７は、必ずし
も必要ではない。額縁部では、コモン電極５７がフォト
エッチングや選択デポジション等により存在しない構造
としてもよい。本実施の形態においては、ゲートバスラ
イン５９及びデータバスライン６０領域上に、導電膜５
３が０．０７μｍ、配向膜５４が０．１μｍ形成されて
いる。このため、コモン電極５７とゲートバスライン５
９との間又はデータライン６０間で電位差により電界が
発生しても導電膜５３によって液晶層５５への進入が防
止され、かつ液晶層５５の下側には配向膜５４が形成さ
れているため、傾斜している液晶分子が少なくなり光漏
れが抑制される。

【００３８】さらに、好ましい形態においては、ゲート
バスライン５９及びデータバスライン６０上の導電膜５
３とコモン電極５７が配線６３で電気的に接続されてい
る。コモン電極５７には所定の電圧Ｖｃが印加される
が、この場合、導電膜５３とコモン電極５７は接続され
ているため同電位になり、電位差により電界が発生する
ことはないためさらに光漏れが抑制される。

【００３９】次に、本発明の実施の形態の液晶パネルの
製造方法について説明する。ＴＦＴ基板６１は、逆スタ
ガー型ＴＦＴの方法によって形成する。すなわち、ガラ
ス基板５０上にゲートバスライン５９を形成し、その上
に絶縁膜（ゲート絶縁膜）５１を形成する。次に、ＴＦ
Ｔの活性層となるシリコン層（額縁部には存在しないた
め図示せず）を形成し、さらにデータバスライン６０、
ＴＦＴのソース電極（額縁部には存在しないため図示せ
ず）、ドレイン電極（額縁部には存在しないため図示せ
ず）を形成する。次いで、ガラス基板５０全面に絶縁膜
（最終保護膜）５２を形成する。その上にＩＴＯをＴＦ
Ｔのソース部に接続されるようにして形成して画素電極
（額縁部には存在しないため図示せず）とし、この工程
と同時にＩＴＯを額縁領域上にも形成して駆動配線上の
導電膜５３とする。この駆動配線上の導電膜５３は、額
縁部の駆動配線領域で発生した電界が液晶層５５へ進入
するのを防止するための導電膜となる。その後、ガラス
基板５０の上側全面に配向膜５４を形成する。この配向
膜５４は、光漏れの原因となる液晶分子の傾斜を防止す
るための垂直配向膜となる。これにより、図１のＴＦＴ
基板６１が完成する。

【００４０】次に、ＣＦ基板６２の製造方法について説
明する。ガラス基板５８全面にＩＴＯを約１．５μｍの
厚さに成膜してコモン電極５７を形成する。次に、ガラ
ス基板５８全面に、顔料分散タイプの感光性赤色レジス
トを塗布露光現像して、赤色画素部（額縁部には存在し
ないので図示せず）に赤色カラーフィルタを形成し、こ
れと同時に額縁部にも赤色レジストを形成する。

【００４１】次に、顔料分散タイプの感光性緑色レジス
トを塗布露光現像して、緑色画素部（額縁部には存在し
ないので図示せず）のみに緑色カラーフィルタを形成す
る。この工程では、額縁部には緑色レジストを形成しな
い。次に、顔料分散タイプの感光性青色レジストを塗布
露光現像して、青色画素部（額縁部には存在しないので
図示せず）に青色カラーフィルタを形成し、これと同時
に額縁部にも青色レジストを形成する。

【００４２】以上により、駆動配線の額縁部には赤色と
青色とのレジストを積層としたブラックマトリックス５
６が形成される。また、同時に液晶パネルの表示部には
赤色、緑色及び青色のカラーフィルターが同時に形成さ
れる。上記実施例では、ブラックマトリックス５６の材
料として赤色と青色のレジストを積層にしたが、カラー
フィルタの製造工程で使用する他の色と組み合わせても
よい。

【００４３】次に、透明基板５８全面に、垂直配向膜５
４を形成する。これにより、ＣＦ基板６２が完成する。
このようにして、形成したＴＦＴ基板６１とＣＦ基板６
２を配向膜５４が形成された面を相互に対向させ配置さ
せる。そして、どちらかの基板にシール材を塗布してＴ
ＦＴ基板６１とＣＦ基板６２を接合する。その後、これ
らの基板間に垂直配向型液晶を注入して、液晶封入口を
樹脂で封止する。これにより、本発明の実施の形態の液
晶パネルが完成する。

【００４４】本発明の実施の形態によれば、ＴＦＴ基板
６１の額縁部の駆動配線領域上に導電膜５３をＴＦＴの
画素電極の形成と同時に形成し、かつ、垂直配向膜５４
を表示部だけではなく額縁部にも形成している。以上の
工程は、慣用技術で形成可能であり特別な工程を追加す
ることなく、本発明の液晶パネルを製造することができ
る。

【００４５】本発明は、その精神また主要な特徴から逸
脱することなく、他のいろいろな形で実施することがで
きる。そのため、前述の実施の形態はあらゆる点で単な
る例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明
の範囲は、特許請求範囲によって示すものであって、実
施の形態には、なんら拘束されない。さらに、特許請求
範囲の均等範囲に属する変形や変更は、すべて本発明の
範囲内のものである。

【００４６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の液晶表示
装置は、ＴＦＴを駆動させるための額縁部の駆動配線領
域と液晶層との間に表示部の画素電極と同じ導電膜を画
素電極形成と同時に形成し、かつ液晶分子を垂直に配向
させる配向膜を有している。額縁部の駆動配線領域上に
画素電極と同じ導電膜を有しているので、ＴＦＴを駆動
させるためにゲートバスラインやデータバスラインに電
流を流すことにより、ゲートバスラインとコモン電極間
又はデータバスライン間で電界が発生しても駆動配線上
に導電膜があるため、電界が液晶層内に進入することを
防止できる。そのため、ＭＶＡ型液晶パネルの光漏れの
原因となる液晶分子の傾斜を防止できるので光漏れを抑
制することができる。かつ、駆動配線領域上の液晶分子
の下にも液晶分子を配向させる配向膜が形成されている
ので、傾斜している液晶分子の数が少なくなり、高いコ
ントラスト比が得られ表示特性が向上する。

【００４７】さらに、本発明では、額縁部の駆動配線領
域上の導電膜とＣＦ基板側のコモン電極とが電気的に接
続される。コモン電極には所定の電圧が印加されてお
り、駆動配線上の導電膜とコモン電極が同じ電位になる
ため両者の間では電界は発生せず、電界が液晶層へ進入
するのをさらに防止することができるので、さらに光漏
れが抑制され高いコントラスト比が得られ表示特性が向
上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（ａ）は本発明の実施の形態の液晶パネル
の額縁部のゲートバスライン部の断面図、図１（ｂ）は
同じくデータバスライン部の断面図である。

【図２】図２はシフトレジスタを有する液晶パネルを示
す平面図である。

【図３】図３は図２の液晶パネルの概略を示す概略平面
図である。

【図４】図４は図２の額縁部のデータバスライン部を拡
大した平面図である。

【図５】図５は液晶パネルの額縁部での光漏れが発生す
るメカニズムを説明した断面図である。

【図６】図６は液晶パネルの額縁部でのゲートバスライ
ンでの光漏れの時間依存性を示すグラフである。

【図７】図７は液晶パネルの額縁部ＯＤ値のゲートバス
ラインへの印加電圧依存性を示すグラフである。

【図８】図８は額縁部のデータバスラインの階調輝度特
性を示すグラフである。

【図９】図９（ａ），図９（ｂ）はＭＶＡ型液晶装置の
一例を示す断面図である。

【図１０】図１０は、ＣＦ基板を示す平面図である。

【符号の説明】

１０，３５，５６ ブラックマトリクス、 ２０ データバスライン、 ２１ ゲートバスライン、 ２２ ブラックマトリクス領域、 ２３ 画素電極、 ２４ ＴＦＴ、 ３０ ＴＦＴ基板、 ３１，３２ 絶縁膜、 ３３ 配向膜、 ３７ ＣＦ基板、 ３８ ゲートバスライン、 ３９ データバスライン、 ４０ 液晶分子、 ５０，５８ ガラス基板、 ５１，５２ 絶縁膜、 ５３ 導電膜、 ５４ 配向膜、 ５５ 液晶層、 ５７ コモン電極、 ６１ ＴＦＴ基板、 ６２ ＣＦ基板、 ６３ 配線、 ５９，６１５ ゲートバスライン、 ６０，６１４ データバスライン、 ６５ アナログスイッチ、 ６０ 液晶パネル、 ６４，６７ シフトレジスタ、 ６９ 表示部。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 谷口 洋二 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 澤崎 学 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 池田 政博 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 2H090 HA03 LA01 LA04 LA15 MA01 2H091 FA02Y FA34Y FA35Y FB08 FB12 FD04 FD05 GA06 GA07 GA13 LA03 LA17 2H092 GA34 GA35 GA59 JA24 JB24 JB33 JB53 JB56 NA01 PA02 PA08 PA09

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 表示領域に複数の画素電極及び複数の薄
   膜トランジスタが形成されたＴＦＴ基板と、前記表示領
   域に複数のカラーフィルター及びコモン電極が形成され
   たＣＦ基板と、前記ＴＦＴ基板と前記ＣＦ基板との間に
   封入された液晶とを有する液晶表示装置において、前記
   ＴＦＴ基板が、 前記表示領域より外側の遮光領域上に形成され、前記薄
   膜トランジスタに接続された駆動配線と、 前記駆動配線を被覆する絶縁膜と、 前記絶縁膜の面上に形成された前記駆動配線を覆う導電
   膜とを有することを特徴とする液晶表示装置。
2. 【請求項２】 前記導電膜の面上に配向膜が形成されて
   いることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 【請求項３】 前記ＣＦ基板の前記遮光領域上に遮光膜
   が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液
   晶表示装置。
4. 【請求項４】 前記導電膜は、前記ＣＦ基板の前記遮光
   領域に形成された電極と電気的に接続されていることを
   特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
5. 【請求項５】 板状部材の上に、薄膜トランジスタと、
   前記薄膜トランジスタのゲート電極に接続されて表示領
   域からその周囲の遮光領域に延び出したゲートバスライ
   ンと、前記薄膜トランジスタのドレイン電極に接続され
   て表示領域からその周囲の遮光領域に延び出したデータ
   バスラインとを形成する工程と、 前記板状部材の上に、前記薄膜トランジスタ、前記ゲー
   トバスライン及び前記データバスラインを覆う絶縁膜を
   形成する工程と、 前記絶縁膜に前記薄膜トランジスタに連絡するコンタク
   トホールを形成する工程と、 前記板状部材の上側全面に導電膜を形成し、該導電膜を
   パターニングして、前記薄膜トランジスタに接続した画
   素電極を形成するとともに、前記遮光領域上に前記導電
   膜を残存させる工程とを有することを特徴とする液晶表
   示装置の製造方法。