WO2010089820A1

WO2010089820A1 - アクティブマトリクス基板、液晶パネル、液晶表示ユニット、液晶表示装置、テレビジョン受像機

Info

Publication number: WO2010089820A1
Application number: PCT/JP2009/005753
Authority: WO
Inventors: 俊英津幡
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2009-02-03
Filing date: 2009-10-29
Publication date: 2010-08-12
Also published as: US8570453B2; US20110279734A1

Abstract

　１画素に、第１トランジスタ（１２）に電気的に接続された第１画素電極（１７ａ）と、第１画素電極（１７ａ）に容量を介して接続された第２画素電極（１７ｂ）とが設けられ、保持容量配線（１８ｊ）はデータ信号線（１５ｊ）と同層に形成され、第２トランジスタ（２１２ｃ）は保持容量配線（１８ｊ）および第１画素電極（１７ａ）に電気的に接続されるとともに、第３トランジスタ（２１２ｂ）は保持容量配線（１８ｊ）および第２画素電極（１７ｂ）に電気的に接続されている。これにより、放電用のトランジスタを有する容量結合型アクティブマトリクス基板において、開口率の低下やゲートバスライン（走査信号線）の負荷増大を抑える。

Description

アクティブマトリクス基板、液晶パネル、液晶表示ユニット、液晶表示装置、テレビジョン受像機

　本発明は、１画素領域に複数の画素電極を有するアクティブマトリクス基板およびこれを用いた液晶表示装置（画素分割方式）に関する。

　液晶表示装置のγ特性の視野角依存性を向上させる（例えば、画面の白浮き等を抑制する）ため、１画素に設けた複数の副画素を異なる輝度に制御し、これら副画素の面積階調によって中間調を表示する液晶表示装置（画素分割方式、例えば特許文献１参照）が提案されている。

　特許文献１記載のアクティブマトリクス基板（図４１参照）では、１画素領域に３つの画素電極（１２１ａ～１２１ｃ）と３つのトランジスタ（１１６・４２１・４２２）と制御電極１１８とが設けられ、ゲートバスライン１１２（ｎ）に接続されたトランジスタ１１６のソース電極１１６ｓと、２つの画素電極１２１ａ・１２１ｃと、画素電極１２１ｂに重なる制御電極１１８とが電気的に接続されている。これにより、画素電極１２１ｂと制御電極１１８との重なり部分に結合容量が形成され、電気的にフローティングである画素電極１２１ｂが結合容量を介して画素電極１２１ａ・１２１ｃに接続される（容量結合型アクティブマトリクス基板）。

　また、ゲートバスライン１１２（ｎ－１）から引き出された配線４１４がゲート電極４２１ｇ・４２２ｇに接続され、補助容量バスライン１１３から引き出された配線４２４と接続部４２３とが接続され、放電用のトランジスタ４２１は、ゲート電極４２１ｇと画素電極１２１ｂと接続部４２３とに接続され、放電用のトランジスタ４２２は、ゲート電極４２２ｇと画素電極１２１ｃと接続部４２３とに接続される。

　このアクティブマトリクス基板を用いた液晶表示装置では、画素電極１２１ａ・１２１ｃに対応する副画素それぞれを明副画素、画素電極１２１ｂに対応する副画素を暗副画素とすることができ、これら明副画素（２個）・暗副画素（１個）の面積階調によって中間調を表示することができる。

　そして、前段のゲートバスライン１１２（ｎ－１）が走査された（放電用のトランジスタ４２１・４２２がＯＮする）ときに３つの画素電極１２１ａ～１２１ｃを補助容量バスライン１１３に繋ぐことができるため、電気的にフローティングである画素電極１２１ｂの焼き付きを抑制することができる。

日本国公開特許公報「特開２００６－３９２９０号公報（公開日：２００６年２月９日）」

　図４１に示すアクティブマトリクス基板では、ゲートバスライン１１２（ｎ－１）と補助容量バスライン１１３とが同層にて平行に配されているため、これらバスラインに接続される放電用のトランジスタ４２１・４２２を設けるには、補助容量バスライン１１３から引き出された配線４２４やゲートバスライン１１２（ｎ－１）から引き出された配線４１４が必要となってくる。しかしながら、この配線４１４・４２４を設けることにより、画素領域内にデットスペースができて開口率が低下し、またゲートバスラインの負荷が大きくなってしまう。

　本発明は、放電用のトランジスタを有する容量結合型アクティブマトリクス基板において、開口率の低下やゲートバスライン（走査信号線）の負荷増大を抑えることを目的とする。

　本発明のアクティブマトリクス基板は、データ信号線の延伸方向を列方向とした場合に、行方向に延伸する走査信号線と、上記データ信号線および走査信号線に接続された第１トランジスタと、上記走査信号線とは別の同一走査信号線に接続された第２および第３トランジスタと、保持容量配線とを備え、１つの画素領域に、上記第１トランジスタに電気的に接続された第１画素電極と、該第１画素電極に容量を介して接続された第２画素電極とが設けられ、上記保持容量配線はデータ信号線と同層に形成され、第２トランジスタは該保持容量配線および第１画素電極に電気的に接続されるとともに、第３トランジスタは該保持容量配線および第２画素電極に電気的に接続されている。

　本発明のアクティブマトリクス基板では、保持容量配線がデータ信号線と同層（走査信号線と別層）に形成されているため、保持容量配線と走査信号線との交差部を設けることができる。したがって、この交差部近傍に第２および第３トランジスタ（放電用トランジスタ）を設けることで、従来（図４１参照）と比較して、開口率の低下やゲートバスライン（走査信号線）の負荷増大を抑えることができる。また、保持容量配線を走査信号線と同層に設ける場合よりも保持容量配線と各画素電極との距離が縮まり、開口率を変えずに保持容量を大きくすることができるというメリットもある。

本液晶パネルの構成例を示す平面図である。図１の液晶パネルの矢視断面図である。図１の液晶パネルの等価回路図である。図１の液晶パネルを備えた液晶表示装置の駆動方法を示すタイミングチャートである。図３の液晶パネルの表示状態を示す模式図である。図１の液晶パネルの変形例を示す平面図である。図６の液晶パネルの矢視断面図である。図１に示す液晶パネルの他の変形例を示す平面図である。図８の液晶パネルの矢視断面図である。図８に示す液晶パネルの他の変形例を示す平面図である。図１０の液晶パネルの矢視断面図である。図１に示す液晶パネルのさらに他の変形例を示す平面図である。図１２の液晶パネルの矢視断面図である。図１２・１３の液晶パネルの修正方法を示す断面図である。本液晶パネルの他の構成を示す等価回路図である。図１５の液晶パネルの構成例を示す平面図である。図１５に示す液晶パネルの他の構成例を示す平面図である。本液晶パネルのさらに他の構成を示す等価回路図である。図１８の液晶パネルの表示状態を示す模式図である。図１８の液晶パネルの構成例を示す平面図である。本液晶パネルのさらに他の構成を示す等価回路図である。図２１の液晶パネルを備えた液晶表示装置の駆動方法を示すタイミングチャートである。図２１の液晶パネルの表示状態を示す模式図である。図２１の液晶パネルの構成例を示す平面図である。図２１に示す液晶パネルの他の構成例を示す平面図である。図２１に示す液晶パネルのさらに他の構成例を示す平面図である。図１５の液晶パネルの走査方向を逆にした場合の構成を示す等価回路図である。図２７の液晶パネルの構成例を示す平面図である。図２７に示す液晶パネルの他の構成例を示す平面図である。本液晶パネルのさらに他の構成を示す平面図である。図１に示す液晶パネルのさらに他の変形例を示す平面図である。本液晶パネルのさらに他の構成を示す平面図である。（ａ）は本液晶表示ユニットの構成を示す模式図であり、（ｂ）は本液晶表示装置の構成を示す模式図である。本液晶表示装置の全体構成を説明するブロック図である。本液晶表示装置の機能を説明するブロック図である。本テレビジョン受像機の機能を説明するブロック図である。本テレビジョン受像機の構成を示す分解斜視図である。Ｒ・Ｇ・Ｂマルチギャップ方式の液晶パネルの断面図である。図６の液晶パネルをＲ・Ｇ・Ｂマルチギャップ方式にしたときの構成例を示す平面図である。図６の液晶パネルをＲ・Ｇ・Ｂマルチギャップ方式にしたときの別の構成例を示す平面図である。従来のアクティブマトリクス基板の構成を示す平面図である。

　本発明にかかる実施の形態の例を、図１～４０を用いて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜のため、以下では走査信号線の延伸方向を行方向とする。ただし、本液晶パネル（あるいはこれに用いられるアクティブマトリクス基板）を備えた液晶表示装置の利用（視聴）状態において、その走査信号線が横方向に延伸していても縦方向に延伸していてもよいことはいうまでもない。なお、液晶パネルの各図では配向規制用構造物を適宜省略記載している。

　図３は本実施の形態にかかる液晶パネルの一部を示す等価回路図である。図３に示すように、本液晶パネルは、列方向（図中上下方向）に延伸するデータ信号線（１５ｊ・１５ｋ）、行方向（図中左右方向）に延伸する走査信号線（１６ｉ・１６ｊ）、行および列方向に並べられた画素（１０1～１０４）、列方向（図中上下方向）に延伸する保持容量配線（１８ｊ・１８ｋ）、および共通電極（対向電極）ｃｏｍを備え、各画素の構造は同一である。なお、画素１０１・１０２が含まれる画素列と、画素１０３・１０４が含まれる画素列とが隣接し、画素１０１・１０３が含まれる画素行と、画素１０２・１０４が含まれる画素行とが隣接している。

　本液晶パネルは、放電用のトランジスタを有する容量結合型液晶パネルであり、例えば１つの画素１０１に対応して、１本のデータ信号線１５ｊと１本の走査信号線１６ｊと３個のトランジスタ１２・２１２ｂ（放電用）・２１２ｃ（放電用）と１本の保持容量配線１８ｊとが設けられ、該画素１０２には３つの画素電極（１７ａ～１７ｃ）が列方向に並べられている。

　画素１０１では、画素電極１７ａ（第１画素電極）が、走査信号線１６ｊに接続されたトランジスタ１２（第１トランジスタ）を介してデータ信号線１５ｊに接続され、画素電極１７ａと画素電極１７ｃ（第３画素電極）とが互いに接続されるとともに、これら画素電極１７ａ・１７ｃと画素電極１７ｂ（第２画素電極）とが結合容量ＣＣを介して接続され、走査信号線１６ｊの直前に走査される走査信号線１６ｉに放電用のトランジスタ２１２ｂ・２１２ｃが接続され、画素電極１７ａ・１７ｃと保持容量配線１８ｊとがトランジスタ２１２ｃを介して接続され、画素電極１７ｂと保持容量配線１８ｊとがトランジスタ２１２ｂを介して接続され、画素電極１７ａ・１７ｃ（電気的接続部分含む）と保持容量配線１８ｊとの間に保持容量ＣＳａｃが形成され、画素電極１７ｂ（電気的接続部分含む）と保持容量配線１８ｊとの間に保持容量ＣＳｂが形成され、画素電極１７ａと共通電極ｃｏｍとの間に液晶容量ＣＬａが形成され、画素電極１７ｂと共通電極ｃｏｍとの間に液晶容量ＣＬｂが形成され、画素電極１７ｃと共通電極ｃｏｍとの間に液晶容量ＣＬｃが形成されている。

　本液晶パネルを備えた液晶表示装置では、図中下から上（矢印の方向）に走査を行う。まず前段の走査信号線１６ｉの走査時（放電用のトランジスタ２１２ｃ・２１２ｂのＯＮ時）に３つの画素電極１７ａ～１７ｃが保持容量配線１８ｊに繋げられ、各画素電極の放電が行われる。ついで自段の走査信号線１６ｊが走査され（トランジスタ１２がＯＮとなり）、画素電極１７ａ・１７ｃがデータ信号線１５ｊに繋げられる。ここで、画素電極１７ａ・１７ｃと画素電極１７ｂとが結合容量ＣＣを介して結合されているため、トランジスタ１２がＯＦＦした後（走査信号線１６ｊの走査後）の画素電極１７ａおよび画素電極１７ｃの電位をｖａｃ、トランジスタ１２がＯＦＦした後（走査信号線１６ｊの走査後）の画素電極１７ｂの電位をｖｂとすれば、|ｖａｃ|≧|ｖｂ|（なお、例えば|ｖｂ|は、ｖｂとｃｏｍ電位＝Ｖｃｏｍとの電位差を意味する）となり、中間調表示時には、画素電極１７ａを含む副画素を明副画素、画素電極１７ｂを含む副画素を暗副画素、画素電極１７ｃを含む副画素を明副画素とし、これら２つの明副画素および１つの暗副画素の面積階調によって表示を行うことができる。これにより、本液晶表示装置の視野角特性を高めることができる。

　そして、画素にデータ信号電位を書き込む直前（１Ｈ前）に、該画素の３つの画素電極を（保持容量配線に）放電させることができるため、フローティングとなる画素電極を含む副画素の焼き付きを抑制し、また、前フレームに書き込まれたデータ信号電位による画素充電率のばらつきも抑えることができる。

　図４は上記液晶表示装置（ノーマリブラックモード）の駆動方法を示すタイミングチャートである。なお、Ｓｊ・Ｓｋはそれぞれデータ信号線１５ｊ・１５ｋに供給される信号電位を示し、ＧＰｉ・ＧＰｊはそれぞれ、走査信号線１６ｉ・１６ｊに供給されるゲートオンパルス信号を示し、Ｖａｃは画素電極１７ａ・１７ｃの電位を示し、Ｖｂは画素電極１７ｂの電位を示す。なお、ＶＡＣは、画素１０３（図３参照）に設けられる画素電極１７Ａ・１７Ｃの電位を示し、ＶＢは画素１０３（図３参照）に設けられる画素電極１７Ｂの電位を示している。

　本駆動方法では、図４に示されるように、走査信号線を順次選択し、データ信号線に供給する信号電位の極性を１水平走査期間（１Ｈ）ごとに反転させるとともに、各フレームにおける同一番目の水平走査期間に供給される信号電位の極性を１フレーム単位で反転させ、かつ同一水平走査期間においては隣接する２本のデータ信号線に逆極性の信号電位を供給する。

　具体的には、連続するフレームＦ１・Ｆ２のＦ１では、走査信号線を順次選択し、データ信号線１５ｊには、（ｎ－１）番目の水平走査期間（走査信号線１６ｉの走査期間含む）にマイナス極性の信号電位を供給し、ｎ番目の水平走査期間（走査信号線１６ｊの走査期間含む）にプラス極性の信号電位を供給し、データ信号線１５ｋには、（ｎ－１）番目の水平走査期間にプラス極性の信号電位を供給し、ｎ番目の水平走査期間にマイナス極性の信号電位を供給する。これにより、図４に示すように、（ｎ－１）番目の水平走査期間終了時に、Ｖａｃ＝Ｖｂ＝ＶＡＣ＝ＶＢ＝Ｖｃｏｍ（保持容量配線１８ｊの電位）、ｎ番目の水平走査期間終了時に|Ｖａｃ|≧|Ｖｂ|かつ|ＶＡＣ|≧|ＶＢ|となり、図５に示すように、画素電極１７ａ（プラス極性）を含む副画素は明副画素（ＢＲ）、画素電極１７ｂ（プラス極性）を含む副画素は暗副画素（ＤＡ）、画素電極１７ｃ（プラス極性）を含む副画素は明副画素（ＢＲ）、画素電極１７Ａ（マイナス極性）を含む副画素は明副画素（ＢＲ）、画素電極１７Ｂ（マイナス極性）を含む副画素は暗副画素（ＤＡ）、画素電極１７Ｃ（マイナス極性）を含む副画素は明副画素（ＢＲ）となる。

　また、Ｆ２では、走査信号線を順次選択し、データ信号線１５ｊには、（ｎ－１）番目の水平走査期間（走査信号線１６ｉの走査期間含む）にプラス極性の信号電位を供給し、ｎ番目の水平走査期間（走査信号線１６ｊの走査期間含む）にマイナス極性の信号電位を供給し、データ信号線１５ｋには、（ｎ－１）番目の水平走査期間にマイナス極性の信号電位を供給し、ｎ番目の水平走査期間にプラス極性の信号電位を供給する。これにより、図４に示すように、（ｎ－１）番目の水平走査期間終了時に、Ｖａｃ＝Ｖｂ＝ＶＡＣ＝ＶＢ＝Ｖｃｏｍ（保持容量配線１８ｊの電位）、ｎ番目の水平走査期間終了時に|Ｖａｃ|≧|Ｖｂ|かつ|ＶＡＣ|≧|ＶＢ|となり、画素電極１７ａ（マイナス極性）を含む副画素は明副画素、画素電極１７ｂ（マイナス極性）を含む副画素は暗副画素、画素電極１７ｃ（マイナス極性）を含む副画素は明副画素、画素電極１７Ａ（プラス極性）を含む副画素は明副画素、画素電極１７Ｂ（プラス極性）を含む副画素は暗副画素、画素電極１７Ｃ（プラス極性）を含む副画素は明副画素となる。

　図３の画素１０１の具体例を図１に示す。図１では、その見易さのために、カラーフィルタ基板（対向基板）側の部材を省略してアクティブマトリクス基板の部材のみ記載している。

　本液晶パネルでは、データ信号線１５ｊおよび走査信号線１６ｊの交差部近傍にトランジスタ１２が配され、データ信号線１５ｊおよび走査信号線１６ｊで画される画素領域を縦断するように保持容量配線１８ｊが設けられている。保持容量配線１８ｊはデータ信号線１５ｊと同層にこれと並行して形成される。上記画素領域には、画素電極１７ａ（第１画素電極）、画素電極１７ｂ（第２画素電極）および画素電極１７ｃがこの順に列方向に並べられ、画素電極１７ａがトランジスタ１２に近接している。

　トランジスタ１２のソース電極はデータ信号線１５ｊに接続され、ドレイン電極はドレイン引き出し電極２７に接続され、走査信号線１６ｊがトランジスタ１２のゲート電極となっている。ドレイン引き出し電極２７は、画素電極１７ａおよび画素電極１７ｂ下を経て、画素電極１７ｃ下に到り、コンタクトホール１１ａを介して画素電極１７ａに接続されるとともに、コンタクトホール１１ｃを介して画素電極１７ｃに接続されている。

　また、保持容量配線１８ｊは、自段の走査信号線１６ｊ上（走査信号線１６ｊとの交差部）から、画素電極１７ａ、画素電極１７ｂ、および画素電極１７ｃ下を経て、前段の走査信号線１６ｉ上（走査信号線１６ｉとの交差部）に到り、保持容量配線１８ｊと走査信号線１６ｉとの交差部近傍にトランジスタ２１２ｂ・２１２ｃが設けられる。そして、前段の走査信号線１６ｉの一部がトランジスタ２１２ｂ・２１２ｃそれぞれのゲート電極として機能し、保持容量配線１８ｊの一部がトランジスタ２１２ｂ・２１２ｃの共通のソース電極として機能し、トランジスタ２１２ｂのドレイン電極はドレイン引き出し電極１２７に接続され、トランジスタ２１２ｃのドレイン電極はコンタクトホール１１１ｃを介して画素電極１７ｃに接続され、ドレイン引き出し電極１２７は、画素電極１７ｃ下を経て画素電極１７ｂ下に到り、コンタクトホール１１１ｂを介して画素電極１７ｂに接続される。

　本液晶パネルでは、ドレイン引き出し電極２７および画素電極１７ｂが層間絶縁膜を介して重なる部分と、ドレイン引き出し電極１２７および画素電極１７ｃが層間絶縁膜を介して重なる部分とに容量が形成され、これらの和が結合容量ＣＣ（図３参照）となっている。さらに、保持容量配線１８ｊおよび画素電極１７ａが層間絶縁膜を介して重なる部分と、保持容量配線１８ｊおよび画素電極１７ｃが層間絶縁膜を介して重なる部分とに容量が形成され、これらの和が保持容量ＣＳａｃ（図３参照）となっている。また、保持容量配線１８ｊおよび画素電極１７ｂが層間絶縁膜を介して重なる部分に容量が形成され、これが保持容量ＣＳｂ（図３参照）となっている。

　図２は図１のＸ－Ｙ矢視断面図である。同図に示すように、本液晶パネルは、アクティブマトリクス基板３と、これに対向するカラーフィルタ基板３０と、両基板（３・３０）間に配される液晶層４０とを備える。アクティブマトリクス基板３では、ガラス基板３１上に走査信号線１６ｉが形成され、これを覆うようにゲート絶縁膜４３が形成されている。ゲート絶縁膜４３の上層には、ドレイン引き出し電極２７、保持容量配線１８ｊ、ドレイン引き出し電極１２７、およびデータ信号線１５ｊが形成されている。なお、断面には含まれないが、ゲート絶縁膜４３の上層には、トランジスタ１２・２１２ｂ・２１２ｃの半導体層（ｉ層およびｎ＋層）と、ｎ＋層に接するソース電極およびドレイン電極が形成されている。さらに、データ信号線、ドレイン引き出し電極、および保持容量配線等からなるメタル層を覆うように層間絶縁膜５１が形成されている。層間絶縁膜５１上には画素電極１７ｂ・１７ｃが形成され、さらに、これら画素電極を覆うように配向膜９が形成されている。なお、図２の断面図には含まれないが、図１のコンタクトホール１１ａ・１１ｃ・１１１ｂ・１１１ｃの形成部では層間絶縁膜５１が刳り貫かれている。

　ゲート絶縁膜４３は、無機絶縁膜（例えば、窒化シリコンＳｉＮｘ）の単層構造としてもよいし、厚い有機絶縁膜（例えば、ＳＯＧ材料からなる絶縁膜）とこれより薄い無機絶縁膜（例えば、窒化シリコンＳｉＮｘ）との積層構造としてもよい。層間絶縁膜５１についても、無機絶縁膜（例えば、窒化シリコンＳｉＮｘ）の単層構造としてもよいし、薄い無機絶縁膜（例えば、窒化シリコンＳｉＮｘ）とこれより厚い有機絶縁膜との複層構造としてもよい。このように層間絶縁膜５１を複層構造とすれば、画素電極と各信号線との寄生容量が低減されるため、例えば画素電極を大きく形成する（開口率を高める）ことができる。なおこの場合、結合容量を確保するため、層間絶縁膜５１を、ドレイン引き出し電極２７および画素電極１７ｂと重なる部分と、ドレイン引き出し電極１２７および画素電極１７ｃと重なる部分とで（局所的に）薄くしておく（例えば、厚い有機絶縁膜を刳り貫いておく）こともできる。

　一方、カラーフィルタ基板３０では、ガラス基板３２上にブラックマトリクス１３および着色層（カラーフィルタ層）１４が形成され、その上層に共通電極（ｃｏｍ）２８が形成され、さらにこれを覆うように配向膜１９が形成されている。

　次に、本液晶パネルの製造方法について説明する。液晶パネルの製造方法には、アクティブマトリクス基板製造工程と、カラーフィルタ基板製造工程と、両基板を貼り合わせて液晶を充填する組み立て工程とが含まれる。

　まず、ガラス、プラスチックなどの基板上に、チタン、クロム、アルミニウム、モリブデン、タンタル、タングステン、銅などの金属膜、それらの合金膜、または、それらの積層膜（厚さ１０００Å～３０００Å）をスパッタリング法により成膜し、その後、フォトリソグラフィー技術（Photo Engraving Process、以下、「ＰＥＰ技術」と称する）によりパターンニングを行い、走査信号線（各トランジスタのゲート電極）を形成する。

　次いで、走査信号線が形成された基板全体に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により窒化シリコンや酸化シリコンなどの無機絶縁膜（厚さ３０００Å～５０００Å程度）を成膜し、ゲート絶縁膜を形成する。

　続いて、ゲート絶縁膜上（基板全体）に、ＣＶＤ法により真性アモルファスシリコン膜（厚さ１０００Å～３０００Å）と、リンがドープされたｎ＋アモルファスシリコン膜（厚さ４００Å～７００Å）とを連続して成膜し、その後、ＰＥＰ技術によってパターニングを行い、ゲート電極上に、真性アモルファスシリコン層とｎ＋アモルファスシリコン層とからなるシリコン積層体を島状に形成する。

　続いて、シリコン積層体が形成された基板全体に、チタン、クロム、アルミニウム、モリブデン、タンタル、タングステン、銅などの金属膜、それらの合金膜、または、それらの積層膜（厚さ１０００Å～３０００Å）をスパッタリング法により成膜し、その後、ＰＥＰ技術によりパターンニングを行い、データ信号線、トランジスタのソース電極・ドレイン電極、保持容量配線、およびドレイン引き出し電極を形成する（メタル層の形成）。

　さらに、ソース電極およびドレイン電極をマスクとして、シリコン積層体を構成するｎ＋アモルファスシリコン層をエッチング除去し、トランジスタのチャネルを形成する。ここで、半導体層は、上記のようにアモルファスシリコン膜により形成させてもよいが、ポリシリコン膜を成膜させてもよく、また、アモルファスシリコン膜およびポリシリコン膜にレーザアニール処理を行って結晶性を向上させてもよい。これにより、半導体層内の電子の移動速度が速くなり、トランジスタ（ＴＦＴ）の特性を向上させることができる。

　次いで、データ信号線などが形成された基板全体に層間絶縁膜を形成する。具体的には、ＳｉＨ_４ガスとＮＨ_３ガスとＮ_２ガスとの混合ガスを用い、基板全面を覆うように、厚さ約３０００ÅのＳｉＮｘからなる無機層間絶縁膜（パッシベーション膜）をＣＶＤにて形成し、さらに必要に応じて、厚さ約３μｍのポジ型感光性アクリル樹脂からなる有機層間絶縁膜をスピンコートやダイコートにて形成する。

　その後、ＰＥＰ技術により層間絶縁膜をエッチング除去して、コンタクトホールを形成する。続いて、コンタクトホールが形成された層間絶縁膜上の基板全体に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、酸化亜鉛、酸化スズなどからなる透明導電膜（厚さ１０００Å～２０００Å）をスパッタリング法により成膜し、その後、ＰＥＰ技術によりパターニングし、各画素電極を形成する。

　最後に、画素電極上の基板全体に、ポリイミド樹脂を厚さ５００Å～１０００Åで印刷し、その後、焼成して、回転布にて一方向にラビング処理を行って、配向膜を形成する。以上のようにして、アクティブマトリクス基板製造される。

　以下に、カラーフィルタ基板製造工程について説明する。

　まず、ガラス、プラスチックなどの基板上（基板全体）に、クロム薄膜、または黒色顔料を含有する樹脂を成膜した後にＰＥＰ技術によってパターンニングを行い、ブラックマトリクスを形成する。次いで、ブラックマトリクスの間隙に、顔料分散法などを用いて、赤、緑および青のカラーフィルタ層（厚さ２μｍ程度）をパターン形成する。

　続いて、カラーフィルタ層上の基板全体に、ＩＴＯ、ＩＺＯ、酸化亜鉛、酸化スズなどからなる透明導電膜（厚さ１０００Å程度）を成膜し、共通電極（ｃｏｍ）を形成する。

　最後に、共通電極上の基板全体に、ポリイミド樹脂を厚さ５００Å～１０００Åで印刷し、その後、焼成して、回転布にて一方向にラビング処理を行って、配向膜を形成する。上記のようにして、カラーフィルタ基板を製造することができる。

　以下に、組み立て工程について、説明する。

　まず、アクティブマトリクス基板およびカラーフィルタ基板の一方に、スクリーン印刷により、熱硬化性エポキシ樹脂などからなるシール材料を液晶注入口の部分を欠いた枠状パターンに塗布し、他方の基板に液晶層の厚さに相当する直径を持ち、プラスチックまたはシリカからなる球状のスペーサーを散布する。

　次いで、アクティブマトリクス基板とカラーフィルタ基板とを貼り合わせ、シール材料を硬化させる。

　最後に、アクティブマトリクス基板およびカラーフィルタ基板並びにシール材料で囲まれる空間に、減圧法により液晶材料を注入した後、液晶注入口にＵＶ硬化樹脂を塗布し、ＵＶ照射によって液晶材料を封止することで液晶層を形成する。以上のようにして、液晶パネルが製造される。

　本液晶パネルでは、放電用のトランジスタを有する容量結合方式のアクティブマトリクス基板において、保持容量配線を、データ信号線と同層にこれと並行するように形成している。したがって、走査信号線および保持容量配線の交差部近傍に放電用トランジスタを設けることが可能となり、従来（図４１参照）のように放電用のトランジスタを設けるために保持容量配線から配線を引き出したり、走査信号線から配線を引き出したりする必要がなくなる。これにより、開口率の低下や走査信号線の負荷増大を抑えることができる。

　また、保持容量配線をメタル層（データ信号線と同層）に形成しているため、保持容量配線をゲート層（走査信号線と同層）に形成する場合と比べて、各画素電極と保持容量配線との距離が小さくなる。したがって、両者（画素電極・保持容量配線）の重なり面積を変えずに（すなわち、開口率を変えずに）保持容量を大きくすることができる。また、保持容量を変えることなく、両者の重なり面積を小さくし、開口率を高めることができる。

　また、結合容量が２箇所（ドレイン引き出し電極２７および画素電極１７ｂが重なる部分と、ドレイン引き出し電極１２７および画素電極１７ｃが重なる部分）に形成されるため、開口率を高めるべくドレイン引き出し電極２７・１２７を細くしても必要な結合容量の値を維持することができる。

　また、保持容量配線がデータ信号線と同層に形成されるため、保持容量配線の一部を、放電用トランジスタ（２１２ｂ・２１２ｃ）の共通のソース電極として機能させることができ、従来のようにコンタクトホールを設ける必要がない。これにより、コンタクトホールでコンタクト不良が起きたり、コンタクトホールによる液晶配向の乱れが生じたりすることが回避される。

　また、データ信号線に接続するトランジスタ１２に短絡等の不良が生じた場合、ドレイン引き出し電極２７をトランジスタ１２のドレイン電極およびコンタクトホール１１ａ間で切断すれば、該画素を黒点化することができる（各フレームにおいて、前段の走査信号線１６ｉが走査された時に保持容量配線１８ｊの電位が画素電極１７ａ・１７ｃに供給されるため）。

　図１の液晶パネルを変形し、図６およびそのＸ－Ｙ断面図である図７に示すように、保持容量配線１８ｊ下に、画素電極１７ａ～１７ｃと重なるように容量電極４７を設け、容量電極４７を、コンタクトホール８１ａを介して画素電極１７ａと接続することもできる。容量電極４７は、図６・７に示されるように、走査信号線１６ｊと同層に形成され、コンタクトホール８１ａの形成部では、ゲート絶縁膜４３および層間絶縁膜５１が刳り貫かれて画素電極１７ａと容量電極４７とが接触している。図６・７の構成によれば、保持容量配線１８ｊと容量電極４７とがゲート絶縁膜４３を介して重なる部分にも保持容量を形成することができ、開口率をほぼそのままにして図３の保持容量ＣＳａｃを大きくすることができる。

　この場合、図６に示すように、容量電極４７の幅を保持容量配線１８ｊのそれよりも若干大きくし、容量電極４７の列方向に沿う２本のエッジの内側に、保持容量配線１８ｊの列方向に沿う２本のエッジが位置するようにすることが望ましい。こうすれば、容量電極４７のアライメントや形成幅がばらついても保持容量の値はばらつき難くなる。また、容量電極４７と画素電極１７ｂとがゲート絶縁膜４３および層間絶縁膜５１のみを介して重なる部分（容量電極４７と画素電極１７ｂとの重なり部分から、容量電極４７と画素電極１７ｂと保持容量配線１８ｊとの重なり部分を除いた部分）に結合容量を形成することができるため、ドレイン引き出し電極２７・１２７を細くすることができる。

　もっとも、保持容量配線１８ｊの幅を容量電極４７のそれよりも若干大きくし、保持容量配線１８ｊの列方向に沿う２本のエッジの内側に、容量電極４７の列方向に沿う２本のエッジが位置するようにしてもよい。こうすれば、保持容量配線１８ｊのアライメントや形成幅がばらついても保持容量の値はばらつき難くなる。また、層間絶縁膜５１を介して保持容量配線１８ｊと画素電極１７ａ～１７ｃとが重なる部分が大きくなり、保持容量の値を大きくすることができる。

　ここで、Ｒ（赤）・Ｇ（緑）・Ｂ（青）画素ごとに液晶層の厚みを変えてリタデーションの波長依存性を補償し、色付きを抑えるマルチギャップ方式の液晶パネルが提案されている。ただ、Ｒ・Ｇ・Ｂ画素ごとに液晶容量が異なるこの方式では、トランジスタＯＦＦ時の引き込み電圧がＲ・Ｇ・Ｂ画素ごとに異なり、これに起因する焼き付きやフリッカが問題となっている。そこで、図６の液晶パネルを図３８に示すようなマルチギャップ方式（Ｒ画素の液晶層の厚みｄＲ＞Ｇ画素の液晶層の厚みｄＧ＞Ｂ画素の液晶層の厚みｄＢ）とする場合には、Ｒ・Ｇ・Ｂ画素ごとに保持容量の値を変える、具体的には、Ｒ画素の保持容量＞Ｇ画素の保持容量＞Ｂ画素の保持容量とすることが望ましい。

　例えば図３９に示すように、Ｒ画素では容量電極４７を画素電極１７ａ～１７ｃに重なる長さとし、Ｇ画素では容量電極４７を画素電極１７ａ・１７ｂのみに重なる長さとし、Ｂ画素では容量電極４７を画素電極１７ａのみに重なる長さとし、さらに各画素の容量電極４７を透明電極で形成しておけば、Ｒ・Ｇ・Ｂ画素の開口率を変えることなく液晶容量のばらつきを保持容量の方で補償することができ、Ｒ・Ｇ・Ｂ画素間で引き込み電圧を揃えることができる。これにより、焼き付きやフリッカを抑制することができる。

　また、図４０に示すように、各画素の容量電極４７を、保持容量配線１８ｊの列方向に沿う２本のエッジの内側に容量電極４７の列方向に沿う２本のエッジが位置するように形成しておき、Ｒ画素の容量電極４７の幅＞Ｇ画素の容量電極４７の幅＞Ｂ画素の容量電極４７の幅としても、Ｒ・Ｇ・Ｂ画素の開口率を変えることなく液晶容量のばらつきを保持容量の方で補償することができ、Ｒ・Ｇ・Ｂ画素間で引き込み電圧を揃えることができる。これにより、焼き付きやフリッカを抑制することができる。

　図６の液晶パネルを変形し、図８およびそのＸ－Ｙ断面図である図９に示すように、ドレイン引き出し電極２７を画素電極１７ａのみと重なるように短縮し、その機能を容量電極４７に持たせることで開口率を高めることも可能である。すなわち、トランジスタ１２のドレイン電極を、コンタクトホール１１ａを介して画素電極１７ａに接続し、保持容量配線１８ｊ下に、画素電極１７ａ～１７ｃと重なるように容量電極４７を設け、容量電極４７を、コンタクトホール８１ａを介して画素電極１７ａに接続するとともに、コンタクトホール８１ｃを介して画素電極１７ｃに接続し、さらに容量電極４７のうち画素電極１７ｂと重なる部分を幅広にする。容量電極４７は、走査信号線１６ｊと同層に形成され、コンタクトホール８１ａの形成部ではゲート絶縁膜４３および層間絶縁膜５１が刳り貫かれて容量電極４７と画素電極１７ａとが接触し、コンタクトホール８１ｃの形成部ではゲート絶縁膜４３および層間絶縁膜５１が刳り貫かれて容量電極４７と画素電極１７ｃとが接触している。

　図８・９の液晶パネルでは、容量電極４７（特に幅広の部分）と画素電極１７ｂとがゲート絶縁膜４３および層間絶縁膜５１のみを介して重なる部分（容量電極４７と画素電極１７ｂとの重なり部分から、容量電極４７と画素電極１７ｂと保持容量配線１８ｊとの重なり部分を除いた部分）と、ドレイン引き出し電極１２７および画素電極１７ｃが層間絶縁膜を介して重なる部分とに容量が形成され、これらの和が結合容量ＣＣ（図３参照）となっている。さらに、保持容量配線１８ｊおよび画素電極１７ａが層間絶縁膜５１を介して重なる部分と、保持容量配線１８ｊおよび画素電極１７ｃが層間絶縁膜５１を介して重なる部分と、保持容量配線１８ｊおよび容量電極４７がゲート絶縁膜４３を介して重なる部分とに容量が形成され、これらの和が保持容量ＣＳａｃ（図３参照）となっている。また、保持容量配線１８ｊおよび画素電極１７ｂが層間絶縁膜を介して重なる部分に容量が形成され、これが保持容量ＣＳｂ（図３参照）となっている。この構成では、ドレイン引き出し電極１２７および画素電極１７ｃが層間絶縁膜を介して重なる部分に容量（結合容量）が形成されるため、この容量次第では容量電極４７に幅広部分を形成しなくてもよい。

　図８の液晶パネルを変形し、図１０およびそのＸ－Ｙ断面図である図１１に示すように、コンタクトホール１１ａとコンタクトホール８１ａを１つのコンタクトホール４１ａにまとめ、コンタクトホール１１１ｃとコンタクトホール８１ｃを１つのコンタクトホール１４１ｃにまとめることもできる。例えば、コンタクトホール４１ａの形成部では、層間絶縁膜５１が刳り貫かれ、ドレイン引き出し電極２７にも、その全体が層間絶縁膜５１の刳り貫き部の中心部分と重なるような刳り貫き部が形成される。さらに、ゲート絶縁膜４３も、ドレイン引き出し電極２７の刳り貫き部の下となる領域が刳り貫かれ、これによって、画素電極１７ａと、ドレイン引き出し電極２７および容量電極４７それぞれとが接触している。コンタクトホール近傍では液晶配向が乱れやすくなることから、上記構成のようにコンタクトホール数を減らすことで、液晶配向の乱れを抑制することができる。

　なお、例えばコンタクトホール４１ａは以下のように形成すればよい。すなわち、層間絶縁膜のエッチングにＣＦ_４ガスとＯ_２ガスとの混合ガスを用いると、コンタクトホール４１ａの形成箇所では層間絶縁膜５１が除去されてドレイン引き出し電極２７の表面（例えば、Ａｌ）が露出することでエッチングが止まり、ドレイン引き出し電極２７の刳り貫き部の形成箇所では、層間絶縁膜５１およびゲート絶縁膜４３が除去されて容量電極４７の表面（例えば、Ａｌ）が露出することでエッチングが止まる。また、この工程によって、走査信号線の端部の上層に位置するゲート絶縁膜および層間絶縁膜を除去して該走査信号線の端部を露出させる（走査信号線の端部を外部接続端子に繋ぐため）こともできる。なお、エッチャントとしては、上記混合ガス以外に、フッ化水素酸(ＨＦ)とフッ化アンモニウム（ＮＨ_４Ｆ）を混合したバッファードフッ酸（ＢＨＦ）を用いることもできる。

　図１の液晶パネルを変形し、図１２およびそのＸ－Ｙ断面図である図１３に示すように、トランジスタ１２が不良となった場合の画素修正のため、走査信号線と同層に、ドレイン引き出し電極２７および保持容量配線１８ｊ両方に重なる渡し電極７７を設けることも可能である。この構成では、トランジスタ１２に短絡等の不良が生じた場合に、図１４に示すように、渡し電極７７およびドレイン引き出し電極２７の交差部をメルトして両者を短絡させるとともに、渡し電極７７および保持容量配線１８ｊの交差部をメルトして両者を短絡させ、かつドレイン引き出し電極２７をトランジスタ１２のドレイン電極およびコンタクトホール１１ａ間で切断する。こうすれば、トランジスタ１２に不良が生じた画素の画素電極１７ａ・１７ｃに、保持容量配線１８ｊの電位が常時供給され、該画素を黒点化修正することができる。なお、開口率を維持する観点から、渡し電極７７は、カラーフィルタ基板に設けられる配向規制構造物（線状突起等の遮光物）と重なるように設けることが望ましい。

　図３の液晶パネルでは１つの画素に３つの画素電極を設けているが、図１５に示すように、１つの画素に２つの画素電極を設けてもよい。図１５の液晶パネルを備えた液晶表示装置では、中間調表示時に、画素電極１７ａを含む副画素を明副画素、画素電極１７ｂを含む副画素を暗副画素とし、これら明副画素および暗副画素の面積階調によって表示を行うことができる。図１５の画素１０１の具体例を図１６に示す。本液晶パネルでは、データ信号線１５ｊおよび走査信号線１６ｊの交差部近傍にトランジスタ１２が配され、データ信号線１５ｊおよび走査信号線１６ｊで画される画素領域を縦断するように保持容量配線１８ｊが設けられる。保持容量配線１８ｊはデータ信号線１５ｊと同層にこれと並行して形成される。上記画素領域には、画素電極１７ａ（第１画素電極）および画素電極１７ｂ（第２画素電極）が列方向に並べられ、画素電極１７ａがトランジスタ１２に近接している。

　そして、トランジスタ１２のソース電極はデータ信号線１５ｊに接続され、ドレイン電極はドレイン引き出し電極２７に接続され、走査信号線１６ｊがトランジスタ１２のゲート電極となっている。ドレイン引き出し電極２７は、画素電極１７ａ下を経て、画素電極１７ｂ下に到り、コンタクトホール１１ｂを介して画素電極１７ｂに接続されている。

　また、保持容量配線１８ｊは、自段の走査信号線１６ｊ上（走査信号線１６ｊとの交差部）から、画素電極１７ａおよび画素電極１７ｂ下を経て、前段の走査信号線１６ｉ上（走査信号線１６ｉとの交差部）に到り、保持容量配線１８ｊと走査信号線１６ｉとの交差部近傍にトランジスタ２１２ａ・２１２ｂが設けられる。そして、前段の走査信号線１６ｉの一部がトランジスタ２１２ａ・２１２ｂそれぞれのゲート電極として機能し、保持容量配線１８ｊの一部がトランジスタ２１２ａ・２１２ｂの共通のソース電極として機能し、トランジスタ２１２ａのドレイン電極はドレイン引き出し電極１２７に接続され、トランジスタ２１２ｂのドレイン電極はコンタクトホール１１１ｂを介して画素電極１７ｂに接続され、ドレイン引き出し電極１２７は、画素電極１７ｂ下を経て画素電極１７ａ下に到り、コンタクトホール１１１ａを介して画素電極１７ａに接続される。

　本液晶パネルでは、ドレイン引き出し電極２７および画素電極１７ａが層間絶縁膜を介して重なる部分と、ドレイン引き出し電極１２７および画素電極１７ｂが層間絶縁膜を介して重なる部分とに容量が形成され、これらの和が結合容量ＣＣ（図１５参照）となっている。さらに、保持容量配線１８ｊおよび画素電極１７ａが層間絶縁膜を介して重なる部分に容量が形成され、これが保持容量ＣＳａ（図１５参照）となっている。また、保持容量配線１８ｊおよび画素電極１７ｂが層間絶縁膜を介して重なる部分に容量が形成され、これが保持容量ＣＳｂ（図１５参照）となっている。

　本液晶パネルでも、図１の液晶パネルと同様に、放電用のトランジスタを有する容量結合方式のアクティブマトリクス基板において、開口率の低下や走査信号線の負荷増大を抑えることができる。また、開口率をそのままに画素電極および保持容量配線間の保持容量を大きくすることができる。また、開口率を高めるべくドレイン引き出し電極（２７・１２７）を細くしても必要な結合容量の値を維持することができる。また、データ信号線に接続するトランジスタに短絡等の不良が生じた場合にも画素の黒点化修正が可能となっている。

　図１６の液晶パネルにおいては、ドレイン引き出し電極２７を画素電極１７ｂ（自段の走査信号線１６ｊから遠い方の画素電極）に接続しているが、図１７に示すように、ドレイン引き出し電極２７を短縮し、これと画素電極１７ａ（自段の走査信号線１６ｊから近い方の画素電極）とをコンタクトホール１１ａを介して接続してもよい。この場合、ドレイン引き出し電極１２７と画素電極１７ｂとが層間絶縁膜を介して重なる部分に、結合容量が形成されているため、これとは別に結合容量を形成しなくてよい。図１７の液晶パネルを備えた液晶表示装置では、中間調表示時に、画素電極１７ａを含む副画素が明副画素、画素電極１７ｂを含む副画素が暗副画素となる。

　なお、図１８に示すように、図１７に示す画素と図１６に示す画素を、行方向に交互に配してもよい（列方向については同一構成とする）。こうすれば、図１９に示すように、明副画素と暗副画素とを市松配置（行および列方向それぞれについて、明副画素と暗副画素とを交互に配する）ことができ、表示品位を高めることができる。なおこの場合、図２０に示すように、行方向に隣り合う画素１０１・１０３でドレイン引き出し電極２７の形状を揃えておく（ともに、一端が走査信号線１６ｉ近傍に位置するとともに他端が走査信号線１６ｊ近傍に位置する形状とする）と、明副画素同士、暗副画素同士の構造が均一となり、また、３色の画素で開口率を揃えることができ、表示品位を高める（例えば、白表示時の色度のムラを抑制する）ことができる。

　図１・１５・１８に示される液晶パネルでは、各画素の画素電極が列方向に並べられ、同一列の画素は同一のデータ信号線に接続されているがこれに限定されない。例えば図２１に示すように、各画素の画素電極を行方向に並べ、同一列に含まれる画素のうち奇数番目のものは隣り合う２本のデータ信号線の一方に接続され、偶数番目のものは上記２本のデータ信号線の他方に接続される構成としてもよい。

　例えば、データ信号線１５ｊ・１５ｋに挟まれた画素１０１では、画素電極１７ａがデータ信号線１５ｊ側に、画素電極１７ｂがデータ信号線１５ｋ側に配され、画素電極１７ａが、走査信号線１６ｊに接続されたトランジスタ１２ａを介してデータ信号線１５ｊに接続され、画素電極１７ａと画素電極１７ｂとが結合容量ＣＣ１を介して接続され、走査信号線１６ｊの直前に走査される走査信号線１６ｉに放電用のトランジスタ２１２ａ・２１２ｂが接続され、画素電極１７ａと保持容量配線１８ｊとがトランジスタ２１２ａを介して接続され、画素電極１７ｂと保持容量配線１８ｊとがトランジスタ２１２ｂを介して接続されている。

　また、画素１０１と列方向に隣り合う画素１０２では、画素電極１７ｅがデータ信号線１５ｊ側に、画素電極１７ｆがデータ信号線１５ｋ側に配され、画素電極１７ｆが、走査信号線１６ｉに接続されたトランジスタ１２ｆを介してデータ信号線１５ｋに接続され、画素電極１７ｆと画素電極１７ｅとが結合容量ＣＣ２を介して接続され、走査信号線１６ｉの直前に走査される走査信号線１６ｈに放電用のトランジスタ２１２ｅ・２１２ｆが接続され、画素電極１７ｅと保持容量配線１８ｊとがトランジスタ２１２ｅを介して接続され、画素電極１７ｆと保持容量配線１８ｊとがトランジスタ２１２ｆを介して接続されている。

　また、データ信号線１５ｋ・１５ｌに挟まれた画素１０３では、画素電極１７Ａがデータ信号線１５ｋ側に、画素電極１７Ｂがデータ信号線１５ｌ側に配され、画素電極１７Ａが、走査信号線１６ｊに接続されたトランジスタ１２Ａを介してデータ信号線１５ｋに接続され、画素電極１７Ａと画素電極１７Ｂとが結合容量ＣＣ３を介して接続され、走査信号線１６ｊの直前に走査される走査信号線１６ｉに放電用のトランジスタ２１２Ａ・２１２Ｂが接続され、画素電極１７Ａと保持容量配線１８ｋとがトランジスタ２１２Ａを介して接続され、画素電極１７Ｂと保持容量配線１８ｋとがトランジスタ２１２Ｂを介して接続されている。

　図２２は上記液晶表示装置（ノーマリブラックモード）の駆動方法を示すタイミングチャートである。なお、Ｓｊ・Ｓｋはそれぞれデータ信号線１５ｊ・１５ｋに供給される信号電位を示し、ＧＰｉ・ＧＰｊはそれぞれ、走査信号線１６ｉ・１６ｊに供給されるゲートオンパルス信号を示し、Ｖａは画素電極１７ａの電位を示し、Ｖｂは画素電極１７ｂの電位を示し、Ｖｅは画素電極１７ｅの電位を示し、Ｖｆは画素電極１７ｆの電位を示し、ＶＡは画素電極１７Ａの電位を示し、ＶＢは画素電極１７Ｂの電位を示している。

　本駆動方法では、図２２に示されるように、走査信号線を順次選択し、データ信号線に供給する信号電位の極性を１垂直走査期間（１Ｖ）ごとに反転させるとともに、隣接する２本のデータ信号線に逆極性の信号電位を供給する。

　具体的には、連続するフレームＦ１・Ｆ２のＦ１では、走査信号線を順次選択し、データ信号線１５ｊには、（ｎ－１）番目の水平走査期間（走査信号線１６ｉの走査期間含む）にプラス極性の信号電位を供給し、ｎ番目の水平走査期間（走査信号線１６ｊの走査期間含む）にもプラス極性の信号電位を供給し、データ信号線１５ｋには、（ｎ－１）番目の水平走査期間（走査信号線１６ｉの走査期間含む）にマイナス極性の信号電位を供給し、ｎ番目の水平走査期間にもマイナス極性の信号電位を供給する。これにより、図２２に示すように、（ｎ－１）番目の水平走査期間終了時に、Ｖａ＝Ｖｂ＝ＶＡ＝ＶＢ＝Ｖｃｏｍ（各保持容量配線１８ｊ・１８ｋの電位）かつ|Ｖｆ|≧|Ｖｅ|となり、ｎ番目の水平走査期間終了時に|Ｖａ|≧|Ｖｂ|かつ|ＶＡ|≧|ＶＢ|となり、図２３に示すように、画素電極１７ａ（プラス極性）を含む副画素は明副画素（ＢＲ）、画素電極１７ｂ（プラス極性）を含む副画素は暗副画素（ＤＡ）、画素電極１７Ａ（マイナス極性）を含む副画素は明副画素（ＢＲ）、画素電極１７Ｂ（マイナス極性）を含む副画素は暗副画素（ＤＡ）、画素電極１７ｅ（マイナス極性）を含む副画素は暗副画素（ＢＲ）、画素電極１７ｆ（マイナス極性）を含む副画素は明副画素（ＤＡ）となる。

　また、Ｆ２では、走査信号線を順次選択し、データ信号線１５ｊには、（ｎ－１）番目の水平走査期間（走査信号線１６ｉの走査期間含む）にマイナス極性の信号電位を供給し、ｎ番目の水平走査期間（走査信号線１６ｊの走査期間含む）にもマイナス極性の信号電位を供給し、データ信号線１５ｋには、（ｎ－１）番目の水平走査期間（走査信号線１６ｉの走査期間含む）にプラス極性の信号電位を供給し、ｎ番目の水平走査期間にもプラス極性の信号電位を供給する。これにより、図２２に示すように、（ｎ－１）番目の水平走査期間終了時に、Ｖａ＝Ｖｂ＝ＶＡ＝ＶＢ＝Ｖｃｏｍ（保持容量配線１８ｊ・１８ｋの電位）かつ|Ｖｆ|≧|Ｖｅ|となり、ｎ番目の水平走査期間終了時に|Ｖａ|≧|Ｖｂ|かつ|ＶＡ|≧|ＶＢ|となり、画素電極１７ａ（マイナス極性）を含む副画素は明副画素（ＢＲ）、画素電極１７ｂ（マイナス極性）を含む副画素は暗副画素（ＤＡ）、画素電極１７Ａ（プラス極性）を含む副画素は明副画素（ＢＲ）、画素電極１７Ｂ（プラス極性）を含む副画素は暗副画素（ＤＡ）、画素電極１７ｅ（プラス極性）を含む副画素は暗副画素（ＢＲ）、画素電極１７ｆ（プラス極性）を含む副画素は明副画素（ＤＡ）となる。

　上記構成によれば、行方向に並ぶ明副画素および暗副画素の面積階調によって表示を行うことができ、本液晶表示装置の視野角特性を高めることができる。また、画素にデータ信号電位を書き込む直前（１Ｈ前）に、該画素の２つの画素電極を（保持容量配線に）放電することができるため、フローティングとなる画素電極を含む副画素の焼き付きを抑制し、また、前フレームに書き込まれたデータ信号電位による画素充電率のばらつきも抑えることができる。

　さらに、図２３に示すように、各データ信号線をＶライン反転駆動（任意のデータ信号線に、一垂直走査期間中同一極性の信号電位を供給）しつつ、画素に書き書き込まれる信号電位の極性分布をドット反転とすることができる。これにより、消費電力が抑制され、ちらつきも低減される。さらに、明副画素と暗副画素とを市松配置（行および列方向それぞれについて、明副画素と暗副画素とを交互に配する）ことができるため、明画素が一列に並ぶことで生じるスジ状のムラが抑制され、鮮明な表示が可能となる。

　図２１の画素１０１～１０４の一具体例を図２４に示す。図２４では、その見易さのために、カラーフィルタ基板（対向基板）側の部材を省略してアクティブマトリクス基板の部材のみ記載している。

　画素１０１では、データ信号線１５ｊおよび走査信号線１６ｊの交差部近傍にトランジスタ１２ａが配され、データ信号線１５ｊ・１５ｋおよび走査信号線１６ｊで画される画素領域を縦断するように保持容量配線１８ｊが設けられる。保持容量配線１８ｊはデータ信号線１５ｊと同層にこれと並行して形成される。上記画素領域には、画素電極１７ａおよび画素電極１７ｂが、画素電極１７ａがトランジスタ１２ａに近接し、かつそれぞれが保持容量配線１８ｊと重なるように行方向に並べられる。

　そして、トランジスタ１２ａのソース電極はデータ信号線１５ｊに接続され、ドレイン電極は画素電極１７ａに接続され、走査信号線１６ｊがトランジスタ１２ａのゲート電極となっている。さらに、画素電極１７ａは、コンタクトホール１８１ａを介して、行方向に伸びる容量電極３７ａに接続されている。容量電極３７ａは走査信号線と同層に形成され、画素電極１７ａ下から保持容量配線１８ｊ下を経て画素電極１７ｂ下に到る。

　また、保持容量配線１８ｊは、自段の走査信号線１６ｊ上（走査信号線１６ｊとの交差部）から、画素電極１７ａおよび画素電極１７ｂのエッジ下を経て、前段の走査信号線１６ｉ上（走査信号線１６ｉとの交差部）に到り、保持容量配線１８ｊと走査信号線１６ｉとの交差部近傍にトランジスタ２１２ａ・２１２ｂが設けられる。そして、前段の走査信号線１６ｉの一部がトランジスタ２１２ａ・２１２ｂそれぞれのゲート電極として機能し、保持容量配線１８ｊの一部がトランジスタ２１２ａ・２１２ｂの共通のソース電極として機能し、トランジスタ２１２ａのドレイン電極はコンタクトホール１１１ａを介して画素電極１７ｂに接続され、トランジスタ２１２ｂのドレイン電極はコンタクトホール１１１ｂを介して画素電極１７ｂに接続される。

　これにより画素１０１では、容量電極３７ａおよび画素電極１７ｂがゲート絶縁膜および層間絶縁膜のみを介して重なる部分（容量電極３７ａと画素電極１７ｂとの重なり部分から、容量電極３７ａと画素電極１７ｂと保持容量配線１８ｊとの重なり部分を除いた部分）に容量が形成され、この容量が結合容量ＣＣ１（図２１参照）となっている。さらに、保持容量配線１８ｊおよび画素電極１７ａが層間絶縁膜を介して重なる部分と、保持容量配線１８ｊおよび容量電極３７ａがゲート絶縁膜を介して重なる部分とに容量が形成され、これらの和が保持容量ＣＳａ（図２１参照）となっている。また、保持容量配線１８ｊおよび画素電極１７ｂが層間絶縁膜を介して重なる部分に容量が形成され、これが保持容量ＣＳｂ（図２１参照）となっている。

　画素１０２では、データ信号線１５ｊに隣接するデータ信号線１５ｋおよび走査信号線１６ｉの交差部近傍にトランジスタ１２ｆが配され、データ信号線１５ｉ・１５ｋおよび走査信号線１６ｉで画される画素領域を縦断するように保持容量配線１８ｊが設けられる。保持容量配線１８ｊはデータ信号線１５ｋと同層にこれと並行して形成される。上記画素領域には、画素電極１７ｅおよび画素電極１７ｆが、画素電極１７ｆがトランジスタ１２ｆに近接し、かつそれぞれが保持容量配線１８ｊと重なるように行方向に並べられる。

　そして、トランジスタ１２ｆのソース電極はデータ信号線１５ｋに接続され、ドレイン電極は画素電極１７ｆに接続され、走査信号線１６ｉがトランジスタ１２ｆのゲート電極となっている。さらに、画素電極１７ｆは、コンタクトホール１８１ｆを介して、行方向に伸びる容量電極３７ｆに接続されている。容量電極３７ｆは走査信号線と同層に形成され、画素電極１７ｆ下から保持容量配線１８ｊ下を経て画素電極１７ｅ下に到る。

　また、保持容量配線１８ｊは、自段の走査信号線１６ｉ上（走査信号線１６ｉとの交差部）から、画素電極１７ｅおよび画素電極１７ｆのエッジ下を経て、前段の走査信号線１６ｈ上（走査信号線１６ｈとの交差部）に到り、保持容量配線１８ｊと走査信号線１６ｈとの交差部近傍にトランジスタ２１２ｅ・２１２ｆが設けられる。そして、前段の走査信号線１６ｈの一部がトランジスタ２１２ｅ・２１２ｆそれぞれのゲート電極として機能し、保持容量配線１８ｊの一部がトランジスタ２１２ｅ・２１２ｆの共通のソース電極として機能し、トランジスタ２１２ｅのドレイン電極はコンタクトホール１１１ｅを介して画素電極１７ｅに接続され、トランジスタ２１２ｆのドレイン電極はコンタクトホール１１１ｆを介して画素電極１７ｆに接続される。

　これにより画素１０２では、容量電極３７ｆおよび画素電極１７ｅがゲート絶縁膜および層間絶縁膜を介して重なる部分に容量が形成され、この容量が結合容量ＣＣ２（図２１参照）となっている。さらに、保持容量配線１８ｊおよび画素電極１７ｆが層間絶縁膜を介して重なる部分と、保持容量配線１８ｊおよび容量電極３７ｆがゲート絶縁膜を介して重なる部分とに容量が形成され、これらの和が保持容量ＣＳｆ（図２１参照）となっている。また、保持容量配線１８ｊおよび画素電極１７ｅが層間絶縁膜を介して重なる部分に容量が形成され、これが保持容量ＣＳｅ（図２１参照）となっている。

　画素１０３では、データ信号線１５ｋおよび走査信号線１６ｊの交差部近傍にトランジスタ１２Ａが配され、データ信号線１５ｋ・１５ｌおよび走査信号線１６ｊで画される画素領域を縦断するように保持容量配線１８ｋが設けられる。保持容量配線１８ｋはデータ信号線１５ｋと同層にこれと並行して形成される。上記画素領域には、画素電極１７Ａおよび画素電極１７Ｂが、画素電極１７Ａがトランジスタ１２Ａに近接し、かつそれぞれが保持容量配線１８ｋと重なるように行方向に並べられる。

　そして、トランジスタ１２Ａのソース電極はデータ信号線１５ｋに接続され、ドレイン電極は画素電極１７Ａに接続され、走査信号線１６ｊがトランジスタ１２Ａのゲート電極となっている。さらに、画素電極１７Ａは、コンタクトホール１８１Ａを介して、行方向に伸びる容量電極３７Ａに接続されている。容量電極３７Ａは走査信号線と同層に形成され、画素電極１７Ａ下から保持容量配線１８ｋ下を経て画素電極１７Ｂ下に到る。

　また、保持容量配線１８ｋは、自段の走査信号線１６ｊ上（走査信号線１６ｊとの交差部）から、画素電極１７Ａおよび画素電極１７Ｂのエッジ下を経て、前段の走査信号線１６ｉ上（走査信号線１６ｉとの交差部）に到り、保持容量配線１８ｋと走査信号線１６ｉとの交差部近傍にトランジスタ２１２Ａ・２１２Ｂが設けられる。そして、前段の走査信号線１６ｉの一部がトランジスタ２１２Ａ・２１２Ｂそれぞれのゲート電極として機能し、保持容量配線１８ｋの一部がトランジスタ２１２Ａ・２１２Ｂの共通のソース電極として機能し、トランジスタ２１２Ａのドレイン電極はコンタクトホール１１１Ａを介して画素電極１７Ａに接続され、トランジスタ２１２Ｂのドレイン電極はコンタクトホール１１１Ｂを介して画素電極１７Ｂに接続される。

　これにより画素１０３では、容量電極３７Ａおよび画素電極１７Ｂがゲート絶縁膜および層間絶縁膜を介して重なる部分に容量が形成され、この容量が結合容量ＣＣ３（図２１参照）となっている。さらに、保持容量配線１８ｊおよび画素電極１７Ａが層間絶縁膜を介して重なる部分と、保持容量配線１８ｊおよび容量電極３７Ａがゲート絶縁膜を介して重なる部分とに容量が形成され、これらの和が保持容量ＣＳＡ（図２１参照）となっている。また、保持容量配線１８ｊおよび画素電極１７Ｂが層間絶縁膜を介して重なる部分に容量が形成され、これが保持容量ＣＳＢ（図２１参照）となっている。

　本液晶パネルでも、図１の液晶パネルと同様に、放電用のトランジスタを有する容量結合方式のアクティブマトリクス基板において、開口率の低下や走査信号線の負荷増大を抑えることができる。また、開口率を変えずに各画素電極および保持容量配線間の保持容量を高めることができる。なお、図２４の液晶パネルをＶＡ（垂直配向）ＴＮモードとした場合には、暗線部分に容量電極（３７ａ等）を配置してもよい。

　図２４の液晶パネルを変形し、図２５のように、各画素に２つの容量電極を点対称に配置してもよい。例えば画素１０１では、画素電極１７ａは、コンタクトホール１８１ａを介して、走査信号線と同層に形成される容量電極３７ａに接続され、容量電極３７ａは、画素電極１７ａ下から行方向に延伸し、保持容量配線１８ｊ下において両側に張り出し、さらに行方向に延伸して画素電極１７ｂ下に到る。また、画素電極１７ｂは、コンタクトホール１８１ｂを介して、走査信号線と同層に形成される容量電極３７ｂに接続され、容量電極３７ｂは、画素電極１７ｂ下から行方向に延伸し、保持容量配線１８ｊ下において両側に張り出し、さらに行方向に延伸して画素電極１７ａ下に到る。

　これにより画素１０１では、容量電極３７ａおよび画素電極１７ｂがゲート絶縁膜および層間絶縁膜を介して重なる部分と、容量電極３７ｂおよび画素電極１７ａがゲート絶縁膜および層間絶縁膜を介して重なる部分とに容量が形成され、これらの和が結合容量ＣＣ１（図２１参照）となる。さらに、保持容量配線１８ｊおよび画素電極１７ａが層間絶縁膜を介して重なる部分と、保持容量配線１８ｊおよび容量電極３７ａがゲート絶縁膜を介して重なる部分とに容量が形成され、これらの和が保持容量ＣＳａ（図２１参照）となっている。また、保持容量配線１８ｊおよび画素電極１７ｂが層間絶縁膜を介して重なる部分と、保持容量配線１８ｊおよび容量電極３７ｂがゲート絶縁膜を介して重なる部分とに容量が形成され、これらの和が保持容量ＣＳｂ（図２１参照）となっている。

　上記構成によれば、２つの箇所で結合容量が形成されるため、結合容量ＣＣ１の値を大きくすることができる。また、コンタクトホール１８１ａでコンタクト不良が発生したり、容量電極３７ａが断線したりしても、容量電極３７ｂによって明副画素および暗副画素の形成は可能となる。また、容量電極３７ａ・３７ｂそれぞれが両側への張り出し部分を有しているため、保持容量ＣＳａ・ＣＳｂの値を大きくすることができる。加えて、容量電極３７ａおよび容量電極３７ｂが、保持容量配線１８ｊ上の点を中心として点対称となっているため、ゲート層に対する画素電極１７ａ・１７ｂのアライメントがある程度行方向にずれても結合容量ＣＣ１の値が補償されるというメリットもある。

　図２５の液晶パネルを変形し、図２６のように、コンタクトホール１１ａとコンタクトホール１８１ａを１つのコンタクトホール４１ａにまとめ、コンタクトホール１１ｆとコンタクトホール１８１ｆを１つのコンタクトホール４１ｆにまとめ、コンタクトホール１１Ａとコンタクトホール１８１Ａを１つのコンタクトホール４１Ａにまとめることもできる。例えば、コンタクトホール４１ａの形成部では、層間絶縁膜が刳り貫かれ、ドレイン引き出し電極にも、その全体が層間絶縁膜の刳り貫き部の中心部分と重なるような刳り貫き部が形成される。さらに、ゲート絶縁膜も、ドレイン引き出し電極の刳り貫き部の下となる領域が刳り貫かれ、これによって、画素電極１７ａと、ドレイン引き出し電極および容量電極３７ａそれぞれとが接触している。コンタクトホール近傍では液晶配向が乱れやすくなることから、上記構成のようにコンタクトホール数を減らすことで、液晶配向の乱れを抑制することができる。

　図２７は、図１５に示す液晶パネルを、走査方向が図中上から下となるように書き換えたものであり、図２８は図２７の一具体例である。本液晶パネルでは、データ信号線１５ｊおよび走査信号線１６ｊの交差部近傍にトランジスタ１２が配され、データ信号線１５ｊおよび走査信号線１６ｊで画される画素領域を縦断するように保持容量配線１８ｊが設けられる。保持容量配線１８ｊはデータ信号線１５ｊと同層にこれと並行して形成される。上記画素領域には、画素電極１７ａ（第１画素電極）および画素電極１７ｂ（第２画素電極）が列方向に並べられ、画素電極１７ａがトランジスタ１２に近接している。

　そして、トランジスタ１２のソース電極はデータ信号線１５ｊに接続され、ドレイン電極は画素電極１７ａに接続され、走査信号線１６ｊがトランジスタ１２のゲート電極となっている。

　また、保持容量配線１８ｊは、前段の走査信号線１６ｉ上（走査信号線１６ｉとの交差部）から、画素電極１７ｂおよび画素電極１７ａ下を経て、自段の走査信号線１６ｊ上（走査信号線１６ｊとの交差部）に到り、保持容量配線１８ｊと走査信号線１６ｉとの交差部近傍にトランジスタ２１２ａ・２１２ｂが設けられる。そして、前段の走査信号線１６ｉの一部がトランジスタ２１２ａ・２１２ｂそれぞれのゲート電極として機能し、保持容量配線１８ｊの一部がトランジスタ２１２ａ・２１２ｂの共通のソース電極として機能し、トランジスタ２１２ａのドレイン電極はドレイン引き出し電極１２７に接続され、トランジスタ２１２ｂのドレイン電極はコンタクトホール１１１ｂを介して画素電極１７ｂに接続され、ドレイン引き出し電極１２７は、画素電極１７ｂ下を経て画素電極１７ａ下に到り、コンタクトホール１１１ａを介して画素電極１７ａに接続される。

　本液晶パネルでは、ドレイン引き出し電極１２７および画素電極１７ｂが層間絶縁膜を介して重なる部分に容量が形成され、この容量が結合容量ＣＣ（図２７参照）となっている。さらに、保持容量配線１８ｊおよび画素電極１７ａが層間絶縁膜を介して重なる部分に容量が形成され、これが保持容量ＣＳａ（図２７参照）となっている。また、保持容量配線１８ｊおよび画素電極１７ｂが層間絶縁膜を介して重なる部分に容量が形成され、これが保持容量ＣＳｂ（図２７参照）となっている。

　上記構成によれば、トランジスタ１２のドレイン電極を画素電極１７ｂに重なるようなドレイン引き出し電極に接続する場合と比較して、（このようなドレイン引き出し電極が不要となる分）開口率を高めることができる。

　図２８の液晶パネルを変形し、図２９のように、画素電極１７ａを行方向に視てＶ字形状とし、画素電極１７ｂを、画素電極１７ａを取り囲む形状とすることもできる。すなわち、画素電極１７ａは、走査信号線に対して３１５°をなす２辺Ｅ１・Ｅ２と、走査信号線に対して４５°をなす２辺Ｅ３・Ｅ４と、辺Ｅ１の一端および辺Ｅ２の一端を結び、データ信号線に平行な辺Ｅ５と、辺Ｅ３の一端および辺Ｅ４の一端を結び、データ信号線に平行な辺Ｅ６と、辺Ｅ２の他端および辺Ｅ４の他端を結び、データ信号線に平行な辺Ｅ７とからなる。

　上記構成によれば、辺Ｅ１とこれに対向する画素電極１７ｂの内周の一部との間隙、辺Ｅ２とこれに対向する画素電極１７ｂの内周の一部との間隙、辺Ｅ３とこれに対向する画素電極１７ｂの内周の一部との間隙、および辺Ｅ４とこれに対向する画素電極１７ｂの内周の一部との間隙を、配向規制構造物として機能させることができる。なお、図２９では結合容量の値を大きくするため、ドレイン引き出し電極１２７から、走査信号線に対して３１５°をなす容量電極６７を延伸させている。容量電極６７は、カラーフィルタ基板側の配向規制構造物（例えば、線状突起）と重なるように形成されるが、ドレイン引き出し電極１２７だけで結合容量の値を確保できる場合にはこれ（容量電極６７）を設けなくてよい。

　図２８の液晶パネルを変形し、図３０のように、１つの画素領域に、データ信号線に沿う底辺をもつ等脚台形形状の画素電極と、これと点対称となるように配された画素電極と、これら２つの画素電極と嵌め合うような形状の画素電極とが設けられる構成とすることもできる。

　本液晶パネルでは、データ信号線１５ｊおよび走査信号線１６ｊの交差部近傍にトランジスタ１２が配され、データ信号線１５ｊおよび走査信号線１６ｊで画される画素領域を縦断するように保持容量配線１８ｊが設けられる。保持容量配線１８ｊはデータ信号線１５ｊと同層にこれと並行して形成される。上記画素領域には、画素電極１７ａｕ・１７ａｖおよび画素電極１７ｂが配される。ここで、画素電極１７ａｕはトランジスタ１２に近接して設けられ、走査信号線に対して３１５度をなすエッジＥ１と走査信号線に対して４５度をなすエッジＥ２を脚とし、データ信号線１５ｊに沿う底辺を有する等脚台形形状である。また、画素電極１７ａｖは、画素中央を中心として画素電極１７ａｕと点対称となるように配され、走査信号線に対して４５度をなすエッジＥ３と走査信号線に対して３１５度をなすエッジＥ４を脚とし、データ信号線１５ｋに沿う底辺を有する等脚台形形状である。そして、トランジスタ１２のソース電極はデータ信号線１５ｊに接続され、ドレイン電極は画素電極１７ａｕに接続され、走査信号線１６ｊがトランジスタ１２のゲート電極となっている。また、画素電極１７ａｕがコンタクトホール２１１ａｕを介して接続電極２２７に接続され、接続電極２２７はコンタクトホール２１１ａｖを介して画素電極１７ａｖに接続される。

　また、保持容量配線１８ｊは、前段の走査信号線１６ｉ上（走査信号線１６ｉとの交差部）から、画素電極１７ｂ下、画素電極１７ａｖ下、画素電極１７ｂ下、画素電極１７ａｕ下、および画素電極１７ｂ下を経て、自段の走査信号線１６ｊ上（走査信号線１６ｊとの交差部）に到り、保持容量配線１８ｊと走査信号線１６ｉとの交差部近傍にトランジスタ２１２ａ・２１２ｂが設けられる。そして、前段の走査信号線１６ｉの一部がトランジスタ２１２ａ・２１２ｂそれぞれのゲート電極として機能し、保持容量配線１８ｊの一部がトランジスタ２１２ａ・２１２ｂの共通のソース電極として機能し、トランジスタ２１２ａのドレイン電極はドレイン引き出し電極１２７に接続され、トランジスタ２１２ｂのドレイン電極はコンタクトホール１１１ｂを介して画素電極１７ｂに接続され、ドレイン引き出し電極１２７は、画素電極１７ｂ下を経て画素電極１７ａｖ下に到り、コンタクトホール１１１ａｖを介して画素電極１７ａｖに接続される。

　本液晶パネルでは、ドレイン引き出し電極１２７および画素電極１７ａｖが層間絶縁膜を介して重なる部分に容量が形成され、この容量が結合容量となっている。さらに、保持容量配線１８ｊおよび画素電極１７ａｖが層間絶縁膜を介して重なる部分と、保持容量配線１８ｊおよび画素電極１７ａｕが層間絶縁膜を介して重なる部分とに容量が形成され、これらの和が保持容量となっている。また、保持容量配線１８ｊおよび画素電極１７ｂが層間絶縁膜を介して重なる部分に容量が形成され、これが保持容量となっている。

　上記構成によれば、辺Ｅ１とこれに対向する画素電極１７ｂの外周の一部との間隙、辺Ｅ２とこれに対向する画素電極１７ｂの外周の一部との間隙、辺Ｅ３とこれに対向する画素電極１７ｂの外周の一部との間隙、および辺Ｅ４とこれに対向する画素電極１７ｂの外周の一部との間隙を、配向規制構造物として機能させることができる。

　図１～３の液晶パネルでは、前段の走査信号線に接続する放電用のトランジスタを２個設け、一方のドレイン電極を画素電極１７ｃ（明副画素に対応する画素電極）に接続し、他方のドレインを画素電極１７ｂ（暗副画素に対応する画素電極）に接続しているがこれに限定されない。例えば、図３１のように、前段の走査信号線に接続する放電用のトランジスタを１個だけ設け、そのドレイン電極を画素電極１７ｂ（暗副画素に対応する画素電極）に接続するような構成も可能である。

　すなわち、図３１では走査信号線１６ｉをゲート電極とする放電用トランジスタとしてトランジスタ２１２ｂのみが設けられており、トランジスタ２１２ｂのソース電極が保持容量配線１８ｊに接続され、ドレイン電極がドレイン引き出し電極１２７およびコンタクトホール１１１ｂを介して画素電極１７ｂに接続されている。その他は図１と同様の構成である。この場合、走査信号線１６ｉが走査されたときに、電気的にフローティングである画素電極１７ｂは放電されるため、暗副画素の焼き付きを防止することができる。そして、図１の液晶パネルと同様に、放電用のトランジスタを有する容量結合方式のアクティブマトリクス基板において、開口率の低下や走査信号線の負荷増大を抑えることができる。また、開口率をそのままに画素電極および保持容量配線間の保持容量を大きくすることができる。また、２箇所で結合容量が形成されるため、開口率を高めるべくドレイン引き出し電極（２７・１２７）を細くしても必要な結合容量の値を維持することができる。

　なお、図３２のような構成でも、放電用のトランジスタを有する容量結合方式のアクティブマトリクス基板において、開口率の低下や走査信号線の負荷増大を抑えることができる。図３２の液晶パネルにおいては、３つの画素電極（１７ａｖ・１７ａｕ・１７ｂ）の形状および接続関係並びにトランジスタ１２の配置および接続関係は図３０の液晶パネルと同一であるが、保持容量配線３１８ｊが、前段の走査信号線１６ｉに沿うように走査信号線１６ｉと同層に形成され、画素電極１７ａｖおよび１７ｂそれぞれと絶縁層を介して重なっている。また、前段の走査信号線１６ｉの一部がトランジスタ２１２ａ・２１２ｂそれぞれのゲート電極として機能し、これらトランジスタ２１２ａおよび２１２ｂの共通のソース電極が、ドレイン引き出し電極３２７およびコンタクトホール３１１を介して保持容量配線３１８ｊに接続され、トランジスタ２１２ａのドレイン電極はコンタクトホール１１１ａｖを介して画素電極１７ａｖに接続され、トランジスタ２１２ｂのドレイン電極はコンタクトホール１１１ｂを介して画素電極１７ｂに接続されている。図３２では放電用のトランジスタとして２つのトランジスタ２１２ａ・２１２ｂを設けているが、例えば、トランジスタ２１２ａを設けずにトランジスタ２１２ｂのみを設けることもできる。

　本実施の形態では、以下のようにして、本液晶表示ユニットおよび液晶表示装置を構成する。すなわち、本液晶パネルの両面に、２枚の偏光板Ａ・Ｂを、偏光板Ａの偏光軸と偏光板Ｂの偏光軸とが互いに直交するように貼り付ける。なお、偏光板には必要に応じて、光学補償シート等を積層してもよい。次に、図３３（ａ）に示すように、ドライバ（ゲートドライバ２０２、ソースドライバ２０１）を接続する。ここでは、一例として、ドライバのＴＣＰ方式による接続について説明する。まず、液晶パネルの端子部にＡＣＦを仮圧着する。ついで、ドライバが乗せられたＴＣＰをキャリアテープから打ち抜き、パネル端子電極に位置合わせし、加熱、本圧着を行う。その後、ドライバＴＣＰ同士を連結するための回路基板２０９（ＰＷＢ）とＴＣＰの入力端子とをＡＣＦで接続する。これにより、液晶表示ユニット２００が完成する。その後、図３３（ｂ）に示すように、液晶表示ユニットの各ドライバ（２０１・２０２）に、回路基板２０３を介して表示制御回路２０９を接続し、照明装置（バックライトユニット）２０４と一体化することで、液晶表示装置２１０となる。

　図３４は、本液晶表示装置の構成を示すブロック図である。同図に示されるように、本液晶表示装置は、表示部（液晶パネル）と、ソースドライバ（ＳＤ）と、ゲートドライバ（ＧＤ）と、表示制御回路とを備えている。ソースドライバはデータ信号線を駆動し、ゲートドライバは走査信号線を駆動し、表示制御回路は、ソースドライバおよびゲートドライバを制御する。

　表示制御回路は、外部の信号源（例えばチューナ）から、表示すべき画像を表すデジタルビデオ信号Ｄｖと、当該デジタルビデオ信号Ｄｖに対応する水平同期信号ＨＳＹおよび垂直同期信号ＶＳＹと、表示動作を制御するための制御信号Ｄｃとを受け取る。また、表示制御回路は、受け取ったこれらの信号Ｄｖ，ＨＳＹ，ＶＳＹ，Ｄｃに基づき、そのデジタルビデオ信号Ｄｖの表す画像を表示部に表示させるための信号として、データスタートパルス信号ＳＳＰと、データクロック信号ＳＣＫと、表示すべき画像を表すデジタル画像信号ＤＡ（ビデオ信号Ｄｖに対応する信号）と、ゲートスタートパルス信号ＧＳＰと、ゲートクロック信号ＧＣＫと、ゲートドライバ出力制御信号（走査信号出力制御信号）ＧＯＥとを生成し、これらを出力する。

　より詳しくは、ビデオ信号Ｄｖを内部メモリで必要に応じてタイミング調整等を行った後に、デジタル画像信号ＤＡとして表示制御回路から出力し、そのデジタル画像信号ＤＡの表す画像の各画素に対応するパルスからなる信号としてデータクロック信号ＳＣＫを生成し、水平同期信号ＨＳＹに基づき１水平走査期間毎に所定期間だけハイレベル（Ｈレベル）となる信号としてデータスタートパルス信号ＳＳＰを生成し、垂直同期信号ＶＳＹに基づき１フレーム期間（１垂直走査期間）毎に所定期間だけＨレベルとなる信号としてゲートスタートパルス信号ＧＳＰを生成し、水平同期信号ＨＳＹに基づきゲートクロック信号ＧＣＫを生成し、水平同期信号ＨＳＹおよび制御信号Ｄｃに基づきゲートドライバ出力制御信号ＧＯＥを生成する。

　上記のようにして表示制御回路において生成された信号のうち、デジタル画像信号ＤＡ、信号電位（データ信号電位）の極性を制御する極性反転信号ＰＯＬ、データスタートパルス信号ＳＳＰ、およびデータクロック信号ＳＣＫは、ソースドライバに入力され、ゲートスタートパルス信号ＧＳＰとゲートクロック信号ＧＣＫとゲートドライバ出力制御信号ＧＯＥとは、ゲートドライバに入力される。

　ソースドライバは、デジタル画像信号ＤＡ、データクロック信号ＳＣＫ、データスタートパルス信号ＳＳＰ、および極性反転信号ＰＯＬに基づき、デジタル画像信号ＤＡの表す画像の各走査信号線における画素値に相当するアナログ電位（信号電位）を１水平走査期間毎に順次生成し、これらのデータ信号をデータ信号線に出力する。

　ゲートドライバは、ゲートスタートパルス信号ＧＳＰおよびゲートクロック信号ＧＣＫと、ゲートドライバ出力制御信号ＧＯＥとに基づき、ゲートオンパルス信号を生成し、これらを走査信号線に出力し、これによって走査信号線を選択的に駆動する。

　上記のようにソースドライバおよびゲートドライバにより表示部（液晶パネル）のデータ信号線および走査信号線が駆動されることで、選択された走査信号線に接続されたトランジスタ（ＴＦＴ）を介して、データ信号線から画素電極に信号電位が書き込まれる。これにより各副画素の液晶層に電圧が印加され、これによってバックライトからの光の透過量が制御され、デジタルビデオ信号Ｄｖの示す画像が各副画素に表示される。

　次に、本液晶表示装置をテレビジョン受信機に適用するときの一構成例について説明する。図３５は、テレビジョン受信機用の液晶表示装置８００の構成を示すブロック図である。液晶表示装置８００は、液晶表示ユニット８４と、Ｙ／Ｃ分離回路８０と、ビデオクロマ回路８１と、Ａ／Ｄコンバータ８２と、液晶コントローラ８３と、バックライト駆動回路８５と、バックライト８６と、マイコン（マイクロコンピュータ）８７と、階調回路８８とを備えている。なお、液晶表示ユニット８４は、液晶パネルと、これを駆動するためのソースドライバおよびゲートドライバとで構成される。

　上記構成の液晶表示装置８００では、まず、テレビジョン信号としての複合カラー映像信号Ｓｃｖが外部からＹ／Ｃ分離回路８０に入力され、そこで輝度信号と色信号に分離される。これらの輝度信号と色信号は、ビデオクロマ回路８１にて光の３原色に対応するアナログＲＧＢ信号に変換され、さらに、このアナログＲＧＢ信号はＡ／Ｄコンバータ８２により、デジタルＲＧＢ信号に変換される。このデジタルＲＧＢ信号は液晶コントローラ８３に入力される。また、Ｙ／Ｃ分離回路８０では、外部から入力された複合カラー映像信号Ｓｃｖから水平および垂直同期信号も取り出され、これらの同期信号もマイコン８７を介して液晶コントローラ８３に入力される。

　液晶表示ユニット８４には、液晶コントローラ８３からデジタルＲＧＢ信号が、上記同期信号に基づくタイミング信号と共に所定のタイミングで入力される。また、階調回路８８では、カラー表示の３原色Ｒ，Ｇ，Ｂそれぞれの階調電位が生成され、それらの階調電位も液晶表示ユニット８４に供給される。液晶表示ユニット８４では、これらのＲＧＢ信号、タイミング信号および階調電位に基づき内部のソースドライバやゲートドライバ等により駆動用信号（データ信号＝信号電位、走査信号等）が生成され、それらの駆動用信号に基づき、内部の液晶パネルにカラー画像が表示される。なお、この液晶表示ユニット８４によって画像を表示するには、液晶表示ユニット内の液晶パネルの後方から光を照射する必要があり、この液晶表示装置８００では、マイコン８７の制御の下にバックライト駆動回路８５がバックライト８６を駆動することにより、液晶パネルの裏面に光が照射される。上記の処理を含め、システム全体の制御はマイコン８７が行う。なお、外部から入力される映像信号（複合カラー映像信号）としては、テレビジョン放送に基づく映像信号のみならず、カメラにより撮像された映像信号や、インターネット回線を介して供給される映像信号なども使用可能であり、この液晶表示装置８００では、様々な映像信号に基づいた画像表示が可能である。

　液晶表示装置８００でテレビジョン放送に基づく画像を表示する場合には、図３６に示すように、液晶表示装置８００にチューナ部９０が接続され、これによって本テレビジョン受像機７０１が構成される。このチューナ部９０は、アンテナ（不図示）で受信した受信波（高周波信号）の中から受信すべきチャンネルの信号を抜き出して中間周波信号に変換し、この中間周波数信号を検波することによってテレビジョン信号としての複合カラー映像信号Ｓｃｖを取り出す。この複合カラー映像信号Ｓｃｖは、既述のように液晶表示装置８００に入力され、この複合カラー映像信号Ｓｃｖに基づく画像が該液晶表示装置８００によって表示される。

　図３７は、本テレビジョン受像機の一構成例を示す分解斜視図である。同図に示すように、本テレビジョン受像機７０１は、その構成要素として、液晶表示装置８００の他に第１筐体８０１および第２筐体８０６を有しており、液晶表示装置８００を第１筐体８０１と第２筐体８０６とで包み込むようにして挟持した構成となっている。第１筐体８０１には、液晶表示装置８００で表示される画像を透過させる開口部８０１ａが形成されている。また、第２筐体８０６は、液晶表示装置８００の背面側を覆うものであり、当該表示装置８００を操作するための操作用回路８０５が設けられると共に、下方に支持用部材８０８が取り付けられている。

　本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、上記実施の形態を技術常識に基づいて適宜変更したものやそれらを組み合わせて得られるものも本発明の実施の形態に含まれる。また、各実施の形態で記載した作用効果等もほんの例示に過ぎない。

　本発明のアクティブマトリクス基板は、データ信号線の延伸方向を列方向とした場合に、行方向に延伸する走査信号線と、上記データ信号線および走査信号線に接続された第１トランジスタと、上記走査信号線とは別の同一走査信号線に接続された第２および第３トランジスタと、保持容量配線とを備え、１つの画素領域に、上記第１トランジスタに電気的に接続された第１画素電極と、該第１画素電極に容量を介して接続された第２画素電極とが設けられ、上記保持容量配線はデータ信号線と同層に形成され、第２トランジスタは該保持容量配線および第１画素電極に電気的に接続されるとともに、第３トランジスタは該保持容量配線および第２画素電極に電気的に接続されていることを特徴とする。

　上記構成では、保持容量配線がデータ信号線と同層（走査信号線と別層）に形成されているため、保持容量配線と走査信号線との交差部を設けることができる。したがって、この交差部近傍に第２および第３トランジスタ（放電用トランジスタ）を設けることで、従来（図４１参照）と比較して、開口率の低下やゲートバスライン（走査信号線）の負荷増大を抑えることができる。また、保持容量配線を走査信号線と同層に設ける場合よりも保持容量配線と各画素電極との距離が縮まり、開口率を変えずに保持容量を大きくすることができるというメリットもある。

　本アクティブマトリクス基板では、第１トランジスタは自段の走査信号線に接続され、第２および第３トランジスタは前段の走査信号線に接続されている構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、上記前段の走査信号線と保持容量配線との交差部近傍に、上記第２および第３トランジスタが設けられている構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、上記保持容量配線は列方向に延伸する構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、上記保持容量配線は、各トランジスタのチャネルを覆う層間絶縁膜を介して第１および第２画素電極それぞれと重なっている構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、第１画素電極に電気的に接続された第１容量電極が設けられ、該第１容量電極と第２画素電極とが絶縁層を介して重なっている構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、上記第１容量電極がデータ信号線と同層に形成されている構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、上記第１容量電極が走査信号線と同層に形成されている構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、上記第１容量電極と保持容量配線とがゲート絶縁膜を介して重なっている構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、第１トランジスタのドレイン電極から引き出されたドレイン引き出し電極の一部が上記第１容量電極として機能する構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、上記第１画素電極、第１トランジスタのドレイン電極から引き出されたドレイン引き出し電極、および第１容量電極が同一のコンタクトホールによって接続されている構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、上記第１容量電極および保持容量配線それぞれと重なる渡し電極が設けられている構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、第１容量電極が平行な２本のエッジを有するとともに、保持容量配線も平行な２本のエッジを有し、平面的に視たときに、第１容量電極の両エッジの内側に保持容量配線の両エッジが位置している構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、第１容量電極が平行な２本のエッジを有するとともに、保持容量配線も平行な２本のエッジを有し、平面的に視たときに、保持容量配線の両エッジの内側に第１容量電極の両エッジが位置している構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、第１および第２画素電極が列方向に並べられている構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、第１および第２画素電極が行方向に並べられている構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、第１画素電極に電気的に接続された第３画素電極を備える構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、第２画素電極に電気的に接続された第２容量電極が設けられ、該第２容量電極と第１画素電極とが絶縁層を介して重なっている構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、第２画素電極に電気的に接続された第２容量電極が設けられ、該第２容量電極と第３画素電極とが絶縁層を介して重なっている構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、第３トランジスタのドレイン電極から引き出されたドレイン引き出し電極の一部が上記第２容量電極として機能する構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、列方向に隣り合う２つの画素領域の一方では、第１トランジスタが、隣接する２つのデータ信号線の一方に接続され、上記２つの画素領域の他方では、第１トランジスタが、上記２つのデータ信号線の他方に接続されている構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、上記２つの画素領域の一方に設けられた第１画素電極と、他方に設けられた第２画素電極とが列方向に隣接する構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、上記保持容量配線は列方向に延伸し、第１および第２画素電極並びにそれらの間隙と重なっている構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、走査信号線と同層に形成された第１および第２容量電極を備え、コンタクトホールを介して第１画素電極に接続された上記第１容量電極が、保持容量配線下を経て第２画素電極下に到る一方、コンタクトホールを介して第２画素電極に接続された上記第２容量電極が、保持容量配線下を経て第１画素電極下に到る構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板は、データ信号線の延伸方向を列方向とした場合に、行方向に延伸する走査信号線と、上記データ信号線および走査信号線に接続された第１トランジスタと、上記走査信号線とは別の走査信号線に接続された第２トランジスタと、保持容量配線とを備え、１つの画素領域に、上記第１トランジスタに電気的に接続された第１画素電極と、該第１画素電極に容量を介して接続された第２画素電極とが設けられ、上記保持容量配線はデータ信号線と同層に形成され、第２トランジスタは該保持容量配線および第２画素電極に電気的に接続されていることを特徴とする。この場合、第１トランジスタは自段の走査信号線に接続され、第２トランジスタは前段の走査信号線に接続されている構成とすることもできる。また、上記前段の走査信号線と保持容量配線との交差部近傍に、上記第２トランジスタが設けられている構成とすることもできる。
また、上記保持容量配線は列方向に延伸する構成とすることもできる。

　本液晶パネルは、上記アクティブマトリクス基板を備えることを特徴とする。

　本液晶表示ユニットは、上記液晶パネルとドライバとを備えることを特徴とする。

　本液晶表示装置は、上記液晶表示ユニットと光源装置とを備えることを特徴とする。また、本液晶表示装置は、上記アクティブマトリクス基板を備え、各データ信号線に、一垂直期間中同一極性の信号電位を供給することを特徴とする。

　本テレビジョン受像機は、上記液晶表示装置と、テレビジョン放送を受信するチューナ部とを備えることを特徴とする。

　本発明のアクティブマトリクス基板およびこれを備えた液晶パネルは、例えば液晶テレビに好適である。

　１０１～１０４　画素
　１２　２１２ｂ・２１２ｃ　トランジスタ
　１５ｊ　１５ｋ　データ信号線
　１６ｉ　１６ｊ　走査信号線
　１７ａ・１７ｂ　画素電極
　１８ｊ・１８ｋ　保持容量配線
　２７　１２７　ドレイン引き出し電極
　４３　ゲート絶縁膜
　５１　層間絶縁膜
　７０１　テレビジョン受像機
　８００　液晶表示装置

Claims

　データ信号線の延伸方向を列方向とした場合に、行方向に延伸する走査信号線と、上記データ信号線および走査信号線に接続された第１トランジスタと、上記走査信号線とは別の同一走査信号線に接続された第２および第３トランジスタと、保持容量配線とを備え、
　１つの画素領域に、上記第１トランジスタに電気的に接続された第１画素電極と、該第１画素電極に容量を介して接続された第２画素電極とが設けられ、
　上記保持容量配線はデータ信号線と同層に形成され、第２トランジスタは該保持容量配線および第１画素電極に電気的に接続されるとともに、第３トランジスタは該保持容量配線および第２画素電極に電気的に接続されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
　第１トランジスタは自段の走査信号線に接続され、第２および第３トランジスタは前段の走査信号線に接続されていることを特徴とする請求項１記載のアクティブマトリクス基板。
　上記前段の走査信号線と保持容量配線との交差部近傍に、上記第２および第３トランジスタが設けられていることを特徴とする請求項１または２記載のアクティブマトリクス基板。
　上記保持容量配線は列方向に延伸することを特徴とする請求項１～３のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
　上記保持容量配線は、各トランジスタのチャネルを覆う層間絶縁膜を介して第１および第２画素電極それぞれと重なっていることを特徴とする請求項１～４のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
　第１画素電極に電気的に接続された第１容量電極が設けられ、
　該第１容量電極と第２画素電極とが絶縁層を介して重なっていることを特徴とする請求項５に記載のアクティブマトリクス基板。
　上記第１容量電極がデータ信号線と同層に形成されていることを特徴とする請求項６記載のアクティブマトリクス基板。
　上記第１容量電極が走査信号線と同層に形成されていることを特徴とする請求項６記載のアクティブマトリクス基板。
　上記第１容量電極と保持容量配線とがゲート絶縁膜を介して重なっていることを特徴とする請求項８記載のアクティブマトリクス基板。
　第１トランジスタのドレイン電極から引き出されたドレイン引き出し電極の一部が上記第１容量電極として機能することを特徴とする請求項７記載のアクティブマトリクス基板。
　上記第１画素電極、第１トランジスタのドレイン電極から引き出されたドレイン引き出し電極、および第１容量電極が同一のコンタクトホールによって接続されていることを特徴とする請求項８記載のアクティブマトリクス基板。
　上記第１容量電極および保持容量配線それぞれと重なる渡し電極が設けられていることを特徴とする請求項７記載のアクティブマトリクス基板。
　第１容量電極が平行な２本のエッジを有するとともに、保持容量配線も平行な２本のエッジを有し、平面的に視たときに、第１容量電極の両エッジの内側に保持容量配線の両エッジが位置していることを特徴とする請求項９に記載のアクティブマトリクス基板。
　第１容量電極が平行な２本のエッジを有するとともに、保持容量配線も平行な２本のエッジを有し、平面的に視たときに、保持容量配線の両エッジの内側に第１容量電極の両エッジが位置していることを特徴とする請求項９に記載のアクティブマトリクス基板。
　第１および第２画素電極が列方向に並べられていることを特徴とする請求項１～１４のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
　第１および第２画素電極が行方向に並べられていることを特徴とする請求項１～１４のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
　第１画素電極に電気的に接続された第３画素電極を備えることを特徴とする請求項１～１６のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
　第２画素電極に電気的に接続された第２容量電極が設けられ、
　該第２容量電極と第１画素電極とが絶縁層を介して重なっていることを特徴とする請求項１～１６のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
　第２画素電極に電気的に接続された第２容量電極が設けられ、
　該第２容量電極と第３画素電極とが絶縁層を介して重なっていることを特徴とする請求項１７に記載のアクティブマトリクス基板。
　第３トランジスタのドレイン電極から引き出されたドレイン引き出し電極の一部が上記第２容量電極として機能することを特徴とする請求項１８または１９記載のアクティブマトリクス基板。
　列方向に隣り合う２つの画素領域の一方では、第１トランジスタが、隣接する２つのデータ信号線の一方に接続され、上記２つの画素領域の他方では、第１トランジスタが、上記２つのデータ信号線の他方に接続されていることを特徴とする請求項１６に記載のアクティブマトリクス基板。
　上記２つの画素領域の一方に設けられた第１画素電極と、他方に設けられた第２画素電極とが列方向に隣接することを特徴とする請求項２１に記載のアクティブマトリクス基板。
　上記保持容量配線は列方向に延伸し、第１および第２画素電極並びにそれらの間隙と重なっていることを特徴とする請求項１６に記載のアクティブマトリクス基板。
　走査信号線と同層に形成された第１および第２容量電極を備え、
　コンタクトホールを介して第１画素電極に接続された上記第１容量電極が、保持容量配線下を経て第２画素電極下に到る一方、コンタクトホールを介して第２画素電極に接続された上記第２容量電極が、保持容量配線下を経て第１画素電極下に到ることを特徴とする請求項２３記載のアクティブマトリクス基板。
　上記第１および第２容量電極が互いに点対称あるいは線対称となるように形成されていることを特徴とする請求項２４記載のアクティブマトリクス基板。
　データ信号線の延伸方向を列方向とした場合に、行方向に延伸する走査信号線と、上記データ信号線および走査信号線に接続された第１トランジスタと、上記走査信号線とは別の走査信号線に接続された第２トランジスタと、保持容量配線とを備え、
　１つの画素領域に、上記第１トランジスタに電気的に接続された第１画素電極と、該第１画素電極に容量を介して接続された第２画素電極とが設けられ、
　上記保持容量配線はデータ信号線と同層に形成され、第２トランジスタは該保持容量配線および第２画素電極に電気的に接続されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
　第１トランジスタは自段の走査信号線に接続され、第２トランジスタは前段の走査信号線に接続されていることを特徴とする請求項２６記載のアクティブマトリクス基板。
　上記前段の走査信号線と保持容量配線との交差部近傍に、上記第２トランジスタが設けられていることを特徴とする請求項２６または２７記載のアクティブマトリクス基板。
　上記保持容量配線は列方向に延伸することを特徴とする請求項２６～２８のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
　請求項１～２９のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板を備えた液晶パネル。
　請求項３０に記載の液晶パネルとドライバとを備えることを特徴とする液晶表示ユニット。
　請求項３１記載の液晶表示ユニットと光源装置とを備えることを特徴とする液晶表示装置。
　請求項２２記載のアクティブマトリクス基板を備え、各データ信号線に、一垂直期間中同一極性の信号電位を供給することを特徴とする液晶表示装置。
　請求項３２または３３記載の液晶表示装置と、テレビジョン放送を受信するチューナ部とを備えることを特徴とするテレビジョン受像機。