JP3384398B2 - 液晶装置、その製造方法および電子機器 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、銀合金等を用いて
光を反射する反射型または半透過半反射型の液晶装置、
その製造方法、および、該液晶表示装置を表示部に用い
た電子機器に関する。
光を反射する反射型または半透過半反射型の液晶装置、
その製造方法、および、該液晶表示装置を表示部に用い
た電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】周知のように、液晶表示装置は、液晶そ
れ自体が発光するのではなく、単に光の偏光状態を制御
することによって表示を行うものである。このため、液
晶表示装置には、パネルに対して必ず何らかの形で光を
入射させる構成が必要となり、この点において、他の表
示装置、例えば、エレクトロルミネッセンス装置や、プ
ラズマディスプレイなどとは大きく相違する。
れ自体が発光するのではなく、単に光の偏光状態を制御
することによって表示を行うものである。このため、液
晶表示装置には、パネルに対して必ず何らかの形で光を
入射させる構成が必要となり、この点において、他の表
示装置、例えば、エレクトロルミネッセンス装置や、プ
ラズマディスプレイなどとは大きく相違する。
【０００３】ここで、液晶表示装置は、光源をパネルの
裏側に配置し、その光がパネルを通過して観察者に視認
される透過型と、観察側からの入射光がパネルによって
反射して観察者に視認される反射型との２つのタイプに
大別される。このうち、透過型では、パネルの裏側に配
置される光源（ゆえにバックライトと呼ばれる）から発
せられた光が、導光板によってパネル全体に導かれた
後、偏光板→背面側基板→電極→液晶→電極→観察側基
板→偏光板という経路を辿って、観察者に視認される。
これに対して反射型では、パネルに入射した光が、偏光
板→観察側基板→電極→液晶→電極まで到達すると、反
射膜で反射して、いま来た経路を逆に辿って観察者に視
認される。このように、反射型では、光の入射経路・反
射経路という二重の経路を有するために、各部での光損
失が大きい。このため、透過型と比較すると、環境から
の採光（外光）量が、パネルの裏側に配置される光源ほ
ど多くないので、観察者に視認される光量が少なくなる
結果、表示画面が暗い、という欠点がある。が、反射型
は、日光が当たる屋外でも視認性が高い点や、光源がな
くても表示が可能である点など、透過型と比較して特筆
すべき多くの利点を有する。このため、反射型の液晶表
示装置は、携帯型電子機器などの表示部として広く用い
られている。
裏側に配置し、その光がパネルを通過して観察者に視認
される透過型と、観察側からの入射光がパネルによって
反射して観察者に視認される反射型との２つのタイプに
大別される。このうち、透過型では、パネルの裏側に配
置される光源（ゆえにバックライトと呼ばれる）から発
せられた光が、導光板によってパネル全体に導かれた
後、偏光板→背面側基板→電極→液晶→電極→観察側基
板→偏光板という経路を辿って、観察者に視認される。
これに対して反射型では、パネルに入射した光が、偏光
板→観察側基板→電極→液晶→電極まで到達すると、反
射膜で反射して、いま来た経路を逆に辿って観察者に視
認される。このように、反射型では、光の入射経路・反
射経路という二重の経路を有するために、各部での光損
失が大きい。このため、透過型と比較すると、環境から
の採光（外光）量が、パネルの裏側に配置される光源ほ
ど多くないので、観察者に視認される光量が少なくなる
結果、表示画面が暗い、という欠点がある。が、反射型
は、日光が当たる屋外でも視認性が高い点や、光源がな
くても表示が可能である点など、透過型と比較して特筆
すべき多くの利点を有する。このため、反射型の液晶表
示装置は、携帯型電子機器などの表示部として広く用い
られている。
【０００４】ただ、反射型では、環境からの採光がほと
んどない場合、観察者が、表示を視認することができな
い、という本質的な欠点を有する。そこで、近年では、
パネルの背面にバックライトを設けるとともに、反射膜
を、観察側からの入射光を反射させるだけでなく、背面
からの光を一部透過させる構成とした半透過半反射型な
るものも登場しつつある。この半透過半反射型では、外
光がほとんどない場合には、バックライトを点灯させる
ことで透過型となり、これによって表示の視認性が確保
される一方、外光が十分にある場合には、バックライト
を消灯させることで反射型となり、これによって、低消
費電力が図られる構成となっている。すなわち、外光の
強弱に応じて透過型または反射型を選択することで、表
示の視認性を確保するとともに、低消費電力を図る構成
となっている。
んどない場合、観察者が、表示を視認することができな
い、という本質的な欠点を有する。そこで、近年では、
パネルの背面にバックライトを設けるとともに、反射膜
を、観察側からの入射光を反射させるだけでなく、背面
からの光を一部透過させる構成とした半透過半反射型な
るものも登場しつつある。この半透過半反射型では、外
光がほとんどない場合には、バックライトを点灯させる
ことで透過型となり、これによって表示の視認性が確保
される一方、外光が十分にある場合には、バックライト
を消灯させることで反射型となり、これによって、低消
費電力が図られる構成となっている。すなわち、外光の
強弱に応じて透過型または反射型を選択することで、表
示の視認性を確保するとともに、低消費電力を図る構成
となっている。
【０００５】ところで、反射型や半透過半反射型にあっ
て、反射膜の構成材料には、一般には、アルミニウムが
用いられていたが、近年では、反射率を向上させて明る
い表示を得るために、銀単体または銀を主成分とする銀
合金（以下、「銀合金等」という）を用いることが検討
されている。
て、反射膜の構成材料には、一般には、アルミニウムが
用いられていたが、近年では、反射率を向上させて明る
い表示を得るために、銀単体または銀を主成分とする銀
合金（以下、「銀合金等」という）を用いることが検討
されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、液晶表
示装置において、反射膜を銀合金等から形成した後に、
なんらかの高温処理を施すと、当該反射膜の反射率が低
下してしまう、という問題があった。
示装置において、反射膜を銀合金等から形成した後に、
なんらかの高温処理を施すと、当該反射膜の反射率が低
下してしまう、という問題があった。
【０００７】本発明は、上述した事情に鑑みてなされた
もので、その目的とするところは、反射膜に銀合金等を
用いる場合に、その後の高温処理によって当該反射膜の
反射率が低下するのを防止した液晶装置、その製造方法
及び電子機器を提供することにある。
もので、その目的とするところは、反射膜に銀合金等を
用いる場合に、その後の高温処理によって当該反射膜の
反射率が低下するのを防止した液晶装置、その製造方法
及び電子機器を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】まず、銀合金等の反射膜
に高温処理を施すと、当該反射膜の反射率が低下する理
由は、当該高温処理により当該反射膜の結晶粒子（グレ
インスケール）が成長するためである、と本件発明者は
考える。そこで、本発明の一つの形態に係る液晶装置
は、第１の基板と第２の基板とが対向して配置され、前
記第１の基板と前記第２の基板との間隙に液晶が封入さ
れた液晶装置であって、前記第１の基板に設けられて、
銀を含む反射膜と、前記反射膜上に形成された保護膜
と、前記保護膜上に設けられた第１の透明電極と、前記
第１の透明電極上に設けられた配向膜とを具備する構成
となっている。この構成によれば、銀合金等から形成さ
れた反射膜には、その全面を覆うように保護膜が形成さ
れる。このため、反射膜の形成後において、配向膜の高
温処理がなされても、反射膜を構成する結晶粒子の成長
が抑えられるので、これによる反射率の低下が防止され
ることとなる。
に高温処理を施すと、当該反射膜の反射率が低下する理
由は、当該高温処理により当該反射膜の結晶粒子（グレ
インスケール）が成長するためである、と本件発明者は
考える。そこで、本発明の一つの形態に係る液晶装置
は、第１の基板と第２の基板とが対向して配置され、前
記第１の基板と前記第２の基板との間隙に液晶が封入さ
れた液晶装置であって、前記第１の基板に設けられて、
銀を含む反射膜と、前記反射膜上に形成された保護膜
と、前記保護膜上に設けられた第１の透明電極と、前記
第１の透明電極上に設けられた配向膜とを具備する構成
となっている。この構成によれば、銀合金等から形成さ
れた反射膜には、その全面を覆うように保護膜が形成さ
れる。このため、反射膜の形成後において、配向膜の高
温処理がなされても、反射膜を構成する結晶粒子の成長
が抑えられるので、これによる反射率の低下が防止され
ることとなる。
【０００９】この構成において、前記第１の基板に設け
られた第１の配線をさらに有し、前記第１の配線は、金
属膜を有し、該金属膜の結晶粒子は、前記反射膜の結晶
粒子よりも平均粒子径が大きいことが好ましい。第１の
配線では、反射率の低下が問題にはならないので、結晶
粒子を成長させたもの、あるいは、結晶粒子の大きなも
のを用いて、その配線を低抵抗化することができる。ま
た、前記反射膜および前記金属膜は、銀単体または銀を
主成分とする銀合金からなることが好ましい。また、本
発明の液晶装置は、第１の基板と第２の基板とが対向し
て配置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間隙
に液晶が封入された液晶装置であって、前記第１の基板
に設けられ、銀を含む反射膜と、前記反射膜上に形成さ
れた保護膜と、前記保護膜上に設けられた第１の透明電
極と、前記第１の透明電極上に設けられた配向膜と、前
記第１の基板に設けられた第１の配線と、を具備し、前
記第１の配線は、金属膜を有し、前記反射膜および前記
金属膜は、銀単体または銀を主成分とする銀合金からな
り、前記反射膜および前記金属膜は、前記反射膜の反射
率が前記金属膜の反射率よりも高くなるように形成され
てなることを特徴とする。また、本発明の液晶装置は、
第１の基板と第２の基板とが対向して配置され、前記第
１の基板と前記第２の基板との間隙に液晶が封入された
液晶装置であって、前記第１の基板に設けられ、銀を含
む反射膜と、前記反射膜上に形成された保護膜と、前記
保護膜上に設けられた第１の透明電極と、前記第１の透
明電極上に設けられた配向膜と、前記第１の基板に設け
られた第１の配線と、を具備し、前記第１の配線は、金
属膜を有し、前記反射膜および前記金属膜は、銀単体ま
たは銀を主成分とする銀合金からなり、前記反射膜およ
び前記金属膜は、前記金属膜の配線抵抗が前記反射膜の
配線抵抗よりも低くなるように形成されてなることを特
徴とする。また、前記第１の配線は、前記第１の透明電
極が引き出された部分を含み、前記第１の透明電極が引
き出された部分は前記金属膜上に積層されていることが
好ましい。また、前記第２の基板上には第２の透明電極
が設けられ、前記第１の配線は、導通材を介して前記第
２の透明電極に導通していることが好ましい。また、前
記保護膜は、酸化チタンを含むことが好ましい。ここ
で、前記反射膜の結晶粒子の平均粒子径は、0.1nm〜6 .
0nmであり、前記金属膜の結晶粒子の平均粒子径は、2.0
nm〜20nmであることが望ましい。このように反射膜と金
属膜との結晶粒子の平均粒子径をそれぞれ設定すると、
反射膜としての機能と、配線としての機能とを、それぞ
れ適切に発揮させることができる。
られた第１の配線をさらに有し、前記第１の配線は、金
属膜を有し、該金属膜の結晶粒子は、前記反射膜の結晶
粒子よりも平均粒子径が大きいことが好ましい。第１の
配線では、反射率の低下が問題にはならないので、結晶
粒子を成長させたもの、あるいは、結晶粒子の大きなも
のを用いて、その配線を低抵抗化することができる。ま
た、前記反射膜および前記金属膜は、銀単体または銀を
主成分とする銀合金からなることが好ましい。また、本
発明の液晶装置は、第１の基板と第２の基板とが対向し
て配置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間隙
に液晶が封入された液晶装置であって、前記第１の基板
に設けられ、銀を含む反射膜と、前記反射膜上に形成さ
れた保護膜と、前記保護膜上に設けられた第１の透明電
極と、前記第１の透明電極上に設けられた配向膜と、前
記第１の基板に設けられた第１の配線と、を具備し、前
記第１の配線は、金属膜を有し、前記反射膜および前記
金属膜は、銀単体または銀を主成分とする銀合金からな
り、前記反射膜および前記金属膜は、前記反射膜の反射
率が前記金属膜の反射率よりも高くなるように形成され
てなることを特徴とする。また、本発明の液晶装置は、
第１の基板と第２の基板とが対向して配置され、前記第
１の基板と前記第２の基板との間隙に液晶が封入された
液晶装置であって、前記第１の基板に設けられ、銀を含
む反射膜と、前記反射膜上に形成された保護膜と、前記
保護膜上に設けられた第１の透明電極と、前記第１の透
明電極上に設けられた配向膜と、前記第１の基板に設け
られた第１の配線と、を具備し、前記第１の配線は、金
属膜を有し、前記反射膜および前記金属膜は、銀単体ま
たは銀を主成分とする銀合金からなり、前記反射膜およ
び前記金属膜は、前記金属膜の配線抵抗が前記反射膜の
配線抵抗よりも低くなるように形成されてなることを特
徴とする。また、前記第１の配線は、前記第１の透明電
極が引き出された部分を含み、前記第１の透明電極が引
き出された部分は前記金属膜上に積層されていることが
好ましい。また、前記第２の基板上には第２の透明電極
が設けられ、前記第１の配線は、導通材を介して前記第
２の透明電極に導通していることが好ましい。また、前
記保護膜は、酸化チタンを含むことが好ましい。ここ
で、前記反射膜の結晶粒子の平均粒子径は、0.1nm〜6 .
0nmであり、前記金属膜の結晶粒子の平均粒子径は、2.0
nm〜20nmであることが望ましい。このように反射膜と金
属膜との結晶粒子の平均粒子径をそれぞれ設定すると、
反射膜としての機能と、配線としての機能とを、それぞ
れ適切に発揮させることができる。
【００１０】また、第１の配線における金属膜は、前記
反射膜の上に設けられていることが好ましい。すなわ
ち、第１の配線における金属膜を、反射膜の後に設ける
のである。さらに、第１の配線は、前記金属膜に積層さ
れた金属酸化物膜をさらに有することが好ましい。金属
膜には、化学的に、より安定な金属酸化物膜が積層され
るので、その腐食等が防止される。
反射膜の上に設けられていることが好ましい。すなわ
ち、第１の配線における金属膜を、反射膜の後に設ける
のである。さらに、第１の配線は、前記金属膜に積層さ
れた金属酸化物膜をさらに有することが好ましい。金属
膜には、化学的に、より安定な金属酸化物膜が積層され
るので、その腐食等が防止される。
【００１１】一方、液晶装置が第１の配線を有する構成
においては、さらに、前記第２の基板に設けられた第２
の透明電極と、前記第１の配線に出力信号を供給するド
ライバＩＣとを有し、前記第１の配線は、第２の透明電
極と導通材を介して接続されていることが好ましい。第
２の基板に設けられた第２の透明電極は、第１の基板に
設けられる第１の配線に、導通材によって接続されるの
で、配線が第１の基板側に寄せられる。さらに、第１の
配線に出力信号を供給するドライバＩＣを設けると、外
部との接続点数を減らすことが可能となる。ここで、第
１の配線のうち、金属膜は、前記ドライバＩＣとの接続
部分を避けて形成されていることが好ましい。金属膜の
基板密着性が不足している場合に、当該金属膜を、応力
の加わる部分に設けるのを防ぐためである。
においては、さらに、前記第２の基板に設けられた第２
の透明電極と、前記第１の配線に出力信号を供給するド
ライバＩＣとを有し、前記第１の配線は、第２の透明電
極と導通材を介して接続されていることが好ましい。第
２の基板に設けられた第２の透明電極は、第１の基板に
設けられる第１の配線に、導通材によって接続されるの
で、配線が第１の基板側に寄せられる。さらに、第１の
配線に出力信号を供給するドライバＩＣを設けると、外
部との接続点数を減らすことが可能となる。ここで、第
１の配線のうち、金属膜は、前記ドライバＩＣとの接続
部分を避けて形成されていることが好ましい。金属膜の
基板密着性が不足している場合に、当該金属膜を、応力
の加わる部分に設けるのを防ぐためである。
【００１２】また、液晶装置が第１の配線を有する構成
においては、さらに、前記第１の基板に設けられた第２
の配線と、前記液晶を駆動するドライバＩＣとをさらに
有し、前記第２の配線は、金属膜を有し、前記ドライバ
ＩＣには、前記第２の配線を介して入力信号が供給され
ていても良い。ここで、入力信号がドライバＩＣに第２
の配線を介して供給される場合、第２の配線のうち、金
属膜は、前記ドライバＩＣとの接続部分を避けて形成さ
れていることが好ましい。上述したように、金属膜の基
板密着性が不足していることがあるからである。さら
に、液晶装置が第２の配線を有する場合、ドライバＩＣ
に入力信号を供給する外部回路基板をさらに有し、前記
外部回路基板は、前記第２の配線に接続され、前記金属
膜は、前記外部回路基板との接続部分を避けて形成され
ている構成とするのが好ましい。外部回路基板をリペア
する際に、金属膜も剥離してしまうのを防止するためで
ある。
においては、さらに、前記第１の基板に設けられた第２
の配線と、前記液晶を駆動するドライバＩＣとをさらに
有し、前記第２の配線は、金属膜を有し、前記ドライバ
ＩＣには、前記第２の配線を介して入力信号が供給され
ていても良い。ここで、入力信号がドライバＩＣに第２
の配線を介して供給される場合、第２の配線のうち、金
属膜は、前記ドライバＩＣとの接続部分を避けて形成さ
れていることが好ましい。上述したように、金属膜の基
板密着性が不足していることがあるからである。さら
に、液晶装置が第２の配線を有する場合、ドライバＩＣ
に入力信号を供給する外部回路基板をさらに有し、前記
外部回路基板は、前記第２の配線に接続され、前記金属
膜は、前記外部回路基板との接続部分を避けて形成され
ている構成とするのが好ましい。外部回路基板をリペア
する際に、金属膜も剥離してしまうのを防止するためで
ある。
【００１３】ところで、液晶装置においては、前記第１
の透明電極に接続された第１の配線と、前記第１の配線
に接続されたドライバＩＣとをさらに有し、前記第１の
配線は、金属膜を有する構成としても良い。この構成で
は、第１の透明電極には、第１の配線を介したドライバ
ＩＣによって信号が供給されることになる。ここで、第
１の配線のうち、金属膜は、前記ドライバＩＣとの接続
部分を避けて形成されているのが好ましい。上述したよ
うに、金属膜の基板密着性が不足していることがあるか
らである。また、第１の透明電極に第１の配線が接続さ
れる場合に、前記第１の基板に設けられた第２の配線を
さらに有し、前記第２の配線は、金属膜を有し、前記ド
ライバＩＣには、前記第２の配線を介して入力信号が供
給されている構成としても良い。さらに、第２の配線を
有する場合に、前記第２の配線に入力信号を供給する外
部回路基板をさらに有し、前記第２の配線における金属
膜は、前記外部回路基板との接続部分を避けて形成され
ている構成としても良い。そして、本発明の一つの形態
における電子機器は、上記液晶装置を備えるので、反射
膜の反射率の低下が防止されて、明るい表示が可能にな
る。
の透明電極に接続された第１の配線と、前記第１の配線
に接続されたドライバＩＣとをさらに有し、前記第１の
配線は、金属膜を有する構成としても良い。この構成で
は、第１の透明電極には、第１の配線を介したドライバ
ＩＣによって信号が供給されることになる。ここで、第
１の配線のうち、金属膜は、前記ドライバＩＣとの接続
部分を避けて形成されているのが好ましい。上述したよ
うに、金属膜の基板密着性が不足していることがあるか
らである。また、第１の透明電極に第１の配線が接続さ
れる場合に、前記第１の基板に設けられた第２の配線を
さらに有し、前記第２の配線は、金属膜を有し、前記ド
ライバＩＣには、前記第２の配線を介して入力信号が供
給されている構成としても良い。さらに、第２の配線を
有する場合に、前記第２の配線に入力信号を供給する外
部回路基板をさらに有し、前記第２の配線における金属
膜は、前記外部回路基板との接続部分を避けて形成され
ている構成としても良い。そして、本発明の一つの形態
における電子機器は、上記液晶装置を備えるので、反射
膜の反射率の低下が防止されて、明るい表示が可能にな
る。
【００１４】ところで、反射膜に銀が含まれる場合、当
該反射膜の波長／反射率の特性は、一般的に用いられる
アルミニウムほどフラットではなく、低波長になるにつ
れて反射率が低下する傾向がある。このため、銀を含む
反射性導電膜による反射光は、青色成分の光が少なる結
果、黄色味を帯びてしまう。そこで、本発明の一つの形
態に係る液晶装置は、第１の基板と第２の基板とが対向
して配置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間
隙に液晶が封入された液晶装置であって、前記第１の基
板に設けられて、銀を含む反射膜と、前記反射膜上に設
けられた保護膜とを有し、前記保護膜は、可視光におけ
る短波長側の光（青）に対する反射率が長波長側の光
（緑・赤）に対する反射率よりも高い構成となってい
る。この構成により、青色成分の光は、反射膜により反
射する前に保護膜によって反射する成分が多くなるの
で、該保護膜と銀を含む反射膜とを併せた反射光に黄色
味が帯びるのが防止されることになる。このような保護
膜としては、酸化チタンを含むものが考えられ、その屈
折率が１．８以上であることが望ましい。
該反射膜の波長／反射率の特性は、一般的に用いられる
アルミニウムほどフラットではなく、低波長になるにつ
れて反射率が低下する傾向がある。このため、銀を含む
反射性導電膜による反射光は、青色成分の光が少なる結
果、黄色味を帯びてしまう。そこで、本発明の一つの形
態に係る液晶装置は、第１の基板と第２の基板とが対向
して配置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間
隙に液晶が封入された液晶装置であって、前記第１の基
板に設けられて、銀を含む反射膜と、前記反射膜上に設
けられた保護膜とを有し、前記保護膜は、可視光におけ
る短波長側の光（青）に対する反射率が長波長側の光
（緑・赤）に対する反射率よりも高い構成となってい
る。この構成により、青色成分の光は、反射膜により反
射する前に保護膜によって反射する成分が多くなるの
で、該保護膜と銀を含む反射膜とを併せた反射光に黄色
味が帯びるのが防止されることになる。このような保護
膜としては、酸化チタンを含むものが考えられ、その屈
折率が１．８以上であることが望ましい。
【００１５】また、反射光に黄色味を帯びるのを防止す
るためには、保護膜によって、青色成分の光が多く反射
させる構成のほか、着色層による補正によっても可能で
ある。すなわち、本発明の一つの形態に係る液晶装置
は、第１の基板と第２の基板とが対向して配置され、前
記第１の基板と前記第２の基板との間隙に液晶が封入さ
れた液晶装置であって、前記第１の基板に設けられて、
銀を含む反射膜と、前記反射膜上に設けられた第１の透
明電極と、前記第２の基板に設けられた第２の透明電極
とを有し、前記第１の透明電極と前記第２の透明電極の
交差に対応してドットが形成されるとともに、該ドット
の複数によって１画素が構成され、前記１画素を構成す
るドットには、互いに異なる着色層が割り当てられ、前
記着色層は、青色系および赤色系の着色層を含み、ｘｙ
色度図（ＣＩＥ１９３１）において、白色座標点から前
記青色系の着色層を透過した光の座標点までの距離が、
白色座標点から前記赤色系の着色層を透過した光の座標
点までの距離よりも長くなるように規定した構成となっ
ている。この構成によれば、着色層によって赤色よりも
青色が強調されるので、反射光に黄色味を帯びるのが防
止される。
るためには、保護膜によって、青色成分の光が多く反射
させる構成のほか、着色層による補正によっても可能で
ある。すなわち、本発明の一つの形態に係る液晶装置
は、第１の基板と第２の基板とが対向して配置され、前
記第１の基板と前記第２の基板との間隙に液晶が封入さ
れた液晶装置であって、前記第１の基板に設けられて、
銀を含む反射膜と、前記反射膜上に設けられた第１の透
明電極と、前記第２の基板に設けられた第２の透明電極
とを有し、前記第１の透明電極と前記第２の透明電極の
交差に対応してドットが形成されるとともに、該ドット
の複数によって１画素が構成され、前記１画素を構成す
るドットには、互いに異なる着色層が割り当てられ、前
記着色層は、青色系および赤色系の着色層を含み、ｘｙ
色度図（ＣＩＥ１９３１）において、白色座標点から前
記青色系の着色層を透過した光の座標点までの距離が、
白色座標点から前記赤色系の着色層を透過した光の座標
点までの距離よりも長くなるように規定した構成となっ
ている。この構成によれば、着色層によって赤色よりも
青色が強調されるので、反射光に黄色味を帯びるのが防
止される。
【００１６】さらにまた、本発明の一つの形態に係る液
晶装置は、第１の基板と第２の基板とが対向して配置さ
れ、前記第１の基板と前記第２の基板との間隙に液晶が
封入された液晶装置であって、前記第１の基板に設けら
れて、金属を含む反射膜と、前記反射膜に積層された第
１の透明電極と、前記第１の基板に設けられた配線とを
有し、前記配線は、金属膜を有し、前記金属膜の結晶粒
子は、前記反射膜の結晶粒子よりも平均粒子径が大きい
構成となっている。この構成において、前記第１の基板
の一辺側に設けられ、前記第２の基板とは重なり合わな
い第１の張り出し領域と、前記第１の基板にあって、前
記一辺と交差する辺側に設けられ、前記第２の基板とは
重なり合わない第２の張り出し領域とを有し、前記配線
は、前記第１の張り出し領域、および、第２の張り出し
領域の双方にわたって設けられている構成も好ましい。
そして、本発明の一つの形態における電子機器は、上記
液晶装置を備えるので、反射膜の反射率の低下が防止さ
れて、明るい表示が可能になる。
晶装置は、第１の基板と第２の基板とが対向して配置さ
れ、前記第１の基板と前記第２の基板との間隙に液晶が
封入された液晶装置であって、前記第１の基板に設けら
れて、金属を含む反射膜と、前記反射膜に積層された第
１の透明電極と、前記第１の基板に設けられた配線とを
有し、前記配線は、金属膜を有し、前記金属膜の結晶粒
子は、前記反射膜の結晶粒子よりも平均粒子径が大きい
構成となっている。この構成において、前記第１の基板
の一辺側に設けられ、前記第２の基板とは重なり合わな
い第１の張り出し領域と、前記第１の基板にあって、前
記一辺と交差する辺側に設けられ、前記第２の基板とは
重なり合わない第２の張り出し領域とを有し、前記配線
は、前記第１の張り出し領域、および、第２の張り出し
領域の双方にわたって設けられている構成も好ましい。
そして、本発明の一つの形態における電子機器は、上記
液晶装置を備えるので、反射膜の反射率の低下が防止さ
れて、明るい表示が可能になる。
【００１７】次に、本発明の一つの形態に係る液晶装置
の製造方法は、第１の基板と第２の基板とが対向して配
置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間隙に液
晶が封入された液晶装置であって、銀を含む反射膜を前
記第１の基板上に形成する工程と、保護膜を前記反射膜
上に設ける工程と、配線を構成する金属膜を前記第１の
基板上に形成する工程と、透明電極を前記保護膜上に設
ける工程と、配向膜を前記透明電極上に設ける工程と、
を具備し、前記金属膜の結晶粒子の平均粒子径を、前記
反射膜の結晶粒子の平均粒子径よりも大きくすることを
特徴とする。この方法によれば、銀を含む反射膜には、
その全面を覆うように保護膜が形成される。このため、
反射膜の形成後において、配向膜の高温処理がなされて
も、反射膜を構成する結晶粒子の成長が抑えられるの
で、これによる反射率の低下が防止されることとなる。
ここで、金属膜を有する第１の配線を、前記第１の基板
に設ける工程をさらに有し、該金属膜の結晶粒子を、前
記反射膜の結晶粒子よりも平均粒子径が大きくすること
が好ましい。また、本発明の液晶装置の製造方法は、第
１の基板と第２の基板とが対向して配置され、前記第１
の基板と前記第２の基板との間隙に液晶が封入された液
晶装置であって、銀単体または銀を主成分とする銀合金
からなる反射膜を前記第１の基板上に形成する工程と、
保護膜を前記反射膜上に設ける工程と、銀単体または銀
を主成分とする銀合金からなるとともに配線を構成する
金属膜を前記第１の基板上に形成する工程と、透明電極
を前記保護膜上に設ける工程と、配向膜を前記透明電極
上に設ける工程と、を具備し、前記反射膜の反射率を、
前記金属膜の反射率よりも高くすることを特徴とする。
また、本発明の液晶装置の製造方法は、第１の基板と第
２の基板とが対向して配置され、前記第１の基板と前記
第２の基板との間隙に液晶が封入された液晶装置であっ
て、銀単体または銀を主成分とする銀合金からなる反射
膜を前記第１の基板上に形成する工程と、保護膜を前記
反射膜上に設ける工程と、銀単体または銀を主成分とす
る銀合金からなるとともに配線を構成する金属膜を前記
第１の基板上に形成する工程と、透明電極を前記保護膜
上に設ける工程と、配向膜を前記透明電極上に設ける工
程と、を具備し、前記金属膜の配線抵抗を、前記反射膜
の配線抵抗よりも低くすることを特徴とする。また、本
発明の液晶装置の製造方法は、第１の基板と第２の基板
とが対向して配置され、前記第１の基板と前記第２の基
板との間隙に液晶が封入された液晶装置であって、銀を
含む反射膜、および配線を構成する金属膜を前記第１の
基板上に形成する工程と、保護膜を前記反射膜上に設け
る工程と、透明電極を前記保護膜上に設ける工程と、配
向膜を前記透明電極上に設ける工程と、を具備し、前記
金属膜の結晶粒子の平均粒子径を、前記反射膜の結晶粒
子の平均粒子径よりも大きくすることを特徴とする。ま
た、本発明の液晶装置の製造方法は、第１の基板と第２
の基板とが対向して配置され、前記第１の基板と前記第
２の基板との間隙に液晶が封入された液晶装置であっ
て、銀単体または銀を主成分とする銀合金からなる反射
膜、および銀単体または銀を主成分とする銀合金からな
るとともに配線を構成する金属膜を前記第１の基板上に
形成する工程と、保護膜を前記反射膜上に設ける工程
と、透明電極を前記保護膜上に設ける工程と、配向膜を
前記透明電極上に設ける工程と、を具備し、前記反射膜
の反射率を、前記金属膜の反射率よりも高くすることを
特徴とする。また、本発明の液晶装置の製造方法は、第
１の基板と第２の基板とが対向して配置され、前記第１
の基板と前記第２の基板との間隙に液晶が封入された液
晶装置であって、銀単体または銀を主成分とする銀合金
からなる反射膜、および銀単体または銀を主成分とする
銀合金からなるとともに配線を構成する金属膜を前記第
１の基板上に形成する工程と、保護膜を前記反射膜上に
設ける工程と、透明電極を前記保護膜上に設ける工程
と、配向膜を前記透明電極上に設ける工程と、を具備
し、前記金属膜の配線抵抗を、前記反射膜の配線抵抗よ
りも低くすることを特徴とする。
の製造方法は、第１の基板と第２の基板とが対向して配
置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間隙に液
晶が封入された液晶装置であって、銀を含む反射膜を前
記第１の基板上に形成する工程と、保護膜を前記反射膜
上に設ける工程と、配線を構成する金属膜を前記第１の
基板上に形成する工程と、透明電極を前記保護膜上に設
ける工程と、配向膜を前記透明電極上に設ける工程と、
を具備し、前記金属膜の結晶粒子の平均粒子径を、前記
反射膜の結晶粒子の平均粒子径よりも大きくすることを
特徴とする。この方法によれば、銀を含む反射膜には、
その全面を覆うように保護膜が形成される。このため、
反射膜の形成後において、配向膜の高温処理がなされて
も、反射膜を構成する結晶粒子の成長が抑えられるの
で、これによる反射率の低下が防止されることとなる。
ここで、金属膜を有する第１の配線を、前記第１の基板
に設ける工程をさらに有し、該金属膜の結晶粒子を、前
記反射膜の結晶粒子よりも平均粒子径が大きくすること
が好ましい。また、本発明の液晶装置の製造方法は、第
１の基板と第２の基板とが対向して配置され、前記第１
の基板と前記第２の基板との間隙に液晶が封入された液
晶装置であって、銀単体または銀を主成分とする銀合金
からなる反射膜を前記第１の基板上に形成する工程と、
保護膜を前記反射膜上に設ける工程と、銀単体または銀
を主成分とする銀合金からなるとともに配線を構成する
金属膜を前記第１の基板上に形成する工程と、透明電極
を前記保護膜上に設ける工程と、配向膜を前記透明電極
上に設ける工程と、を具備し、前記反射膜の反射率を、
前記金属膜の反射率よりも高くすることを特徴とする。
また、本発明の液晶装置の製造方法は、第１の基板と第
２の基板とが対向して配置され、前記第１の基板と前記
第２の基板との間隙に液晶が封入された液晶装置であっ
て、銀単体または銀を主成分とする銀合金からなる反射
膜を前記第１の基板上に形成する工程と、保護膜を前記
反射膜上に設ける工程と、銀単体または銀を主成分とす
る銀合金からなるとともに配線を構成する金属膜を前記
第１の基板上に形成する工程と、透明電極を前記保護膜
上に設ける工程と、配向膜を前記透明電極上に設ける工
程と、を具備し、前記金属膜の配線抵抗を、前記反射膜
の配線抵抗よりも低くすることを特徴とする。また、本
発明の液晶装置の製造方法は、第１の基板と第２の基板
とが対向して配置され、前記第１の基板と前記第２の基
板との間隙に液晶が封入された液晶装置であって、銀を
含む反射膜、および配線を構成する金属膜を前記第１の
基板上に形成する工程と、保護膜を前記反射膜上に設け
る工程と、透明電極を前記保護膜上に設ける工程と、配
向膜を前記透明電極上に設ける工程と、を具備し、前記
金属膜の結晶粒子の平均粒子径を、前記反射膜の結晶粒
子の平均粒子径よりも大きくすることを特徴とする。ま
た、本発明の液晶装置の製造方法は、第１の基板と第２
の基板とが対向して配置され、前記第１の基板と前記第
２の基板との間隙に液晶が封入された液晶装置であっ
て、銀単体または銀を主成分とする銀合金からなる反射
膜、および銀単体または銀を主成分とする銀合金からな
るとともに配線を構成する金属膜を前記第１の基板上に
形成する工程と、保護膜を前記反射膜上に設ける工程
と、透明電極を前記保護膜上に設ける工程と、配向膜を
前記透明電極上に設ける工程と、を具備し、前記反射膜
の反射率を、前記金属膜の反射率よりも高くすることを
特徴とする。また、本発明の液晶装置の製造方法は、第
１の基板と第２の基板とが対向して配置され、前記第１
の基板と前記第２の基板との間隙に液晶が封入された液
晶装置であって、銀単体または銀を主成分とする銀合金
からなる反射膜、および銀単体または銀を主成分とする
銀合金からなるとともに配線を構成する金属膜を前記第
１の基板上に形成する工程と、保護膜を前記反射膜上に
設ける工程と、透明電極を前記保護膜上に設ける工程
と、配向膜を前記透明電極上に設ける工程と、を具備
し、前記金属膜の配線抵抗を、前記反射膜の配線抵抗よ
りも低くすることを特徴とする。
【００１８】また、本発明の一つの形態に係る液晶装置
の製造方法は、第１の基板と第２の基板とが対向して置
され、前記第１の基板と前記第２の基板との間隙に液晶
が封入された液晶装置であって、銀を含む反射膜を、前
記第１の基板に設ける工程と、保護膜を、前記反射膜上
に設ける工程とを有し、前記保護膜を、可視光における
短波長側の光に対する反射率が長波長側の光に対する反
射率よりも高くしたものである。これにより、青色成分
の光は、反射膜により反射する前に保護膜によって反射
する成分が多くなるので、該保護膜と銀を含む反射膜と
を併せた反射光に黄色味が帯びるのが防止されることに
なる。このような保護膜としては、酸化チタンを含むも
のが考えられ、その屈折率が１．８以上であることが望
ましい。
の製造方法は、第１の基板と第２の基板とが対向して置
され、前記第１の基板と前記第２の基板との間隙に液晶
が封入された液晶装置であって、銀を含む反射膜を、前
記第１の基板に設ける工程と、保護膜を、前記反射膜上
に設ける工程とを有し、前記保護膜を、可視光における
短波長側の光に対する反射率が長波長側の光に対する反
射率よりも高くしたものである。これにより、青色成分
の光は、反射膜により反射する前に保護膜によって反射
する成分が多くなるので、該保護膜と銀を含む反射膜と
を併せた反射光に黄色味が帯びるのが防止されることに
なる。このような保護膜としては、酸化チタンを含むも
のが考えられ、その屈折率が１．８以上であることが望
ましい。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００２０】＜第１実施形態＞はじめに、本発明の第１
実施形態に係る液晶表示装置について説明する。この液
晶表示装置は、外光が十分である場合には、反射型とし
て機能する一方、外光が不十分である場合には、バック
ライトを点灯させることで、主として透過型として機能
する半透過半反射型のものである。
実施形態に係る液晶表示装置について説明する。この液
晶表示装置は、外光が十分である場合には、反射型とし
て機能する一方、外光が不十分である場合には、バック
ライトを点灯させることで、主として透過型として機能
する半透過半反射型のものである。
【００２１】＜全体構成＞図１は、この液晶表示装置の
うち、液晶パネルの全体構成を示す斜視図である。ま
た、図２は、この液晶パネルを、図１におけるＸ方向に
沿って破断した場合の構成を示す部分断面図であり、図
３は、この液晶パネルを図１におけるＹ方向に沿って破
断した場合の構成を示す部分断面図である。これらの図
に示されるように、液晶表示装置を構成する液晶パネル
１００は、観察者側に位置する観察側基板２００と、そ
の背面側に位置する背面側基板３００とが、スペーサを
兼ねる導電性粒子１１４の混入されたシール材１１０に
よって一定の間隙を保って貼り合わせられるとともに、
この間隙に例えばＴＮ（Twisted Nematic）型の液晶１
６０が封入された構成となっている。なお、シール材１
１０は、観察側基板２００の内周縁に沿っていずれか一
方の基板に枠状に形成されるが、液晶１６０を封入する
ために、その一部が開口している。このため、液晶の封
入後に、その開口部分が封止材１１２によって封止され
ている。
うち、液晶パネルの全体構成を示す斜視図である。ま
た、図２は、この液晶パネルを、図１におけるＸ方向に
沿って破断した場合の構成を示す部分断面図であり、図
３は、この液晶パネルを図１におけるＹ方向に沿って破
断した場合の構成を示す部分断面図である。これらの図
に示されるように、液晶表示装置を構成する液晶パネル
１００は、観察者側に位置する観察側基板２００と、そ
の背面側に位置する背面側基板３００とが、スペーサを
兼ねる導電性粒子１１４の混入されたシール材１１０に
よって一定の間隙を保って貼り合わせられるとともに、
この間隙に例えばＴＮ（Twisted Nematic）型の液晶１
６０が封入された構成となっている。なお、シール材１
１０は、観察側基板２００の内周縁に沿っていずれか一
方の基板に枠状に形成されるが、液晶１６０を封入する
ために、その一部が開口している。このため、液晶の封
入後に、その開口部分が封止材１１２によって封止され
ている。
【００２２】さて、観察側基板２００にあって背面側基
板３００との対向面には、複数のコモン電極２１４が、
Ｘ方向に延在して形成される一方、背面側基板３００に
あって観察側基板２００との対向面には、複数のセグメ
ント電極３１４が、Ｙ方向に延在して形成されている。
したがって、本実施形態では、セグメント電極（第１の
透明電極）３１４とコモン電極（第２の透明電極）２１
４とが互いに交差する領域において、両電極により液晶
１６０に電圧が印加されるので、この交差領域がサブ画
素として機能することになる。
板３００との対向面には、複数のコモン電極２１４が、
Ｘ方向に延在して形成される一方、背面側基板３００に
あって観察側基板２００との対向面には、複数のセグメ
ント電極３１４が、Ｙ方向に延在して形成されている。
したがって、本実施形態では、セグメント電極（第１の
透明電極）３１４とコモン電極（第２の透明電極）２１
４とが互いに交差する領域において、両電極により液晶
１６０に電圧が印加されるので、この交差領域がサブ画
素として機能することになる。
【００２３】また、背面側基板３００にあって観察側基
板２００から張り出した２辺には、コモン電極２１４を
駆動するためのドライバＩＣ１２２、および、セグメン
ト電極３１４を駆動するためのドライバＩＣ１２４が、
それぞれ後述するようにＣＯＧ（Chip On Glass）技術
により実装されている。さらに、この２辺のうち、ドラ
イバＩＣ１２４が実装される領域の外側には、ＦＰＣ
（Flexible Printed Circuit）基板１５０が接合されて
いる。
板２００から張り出した２辺には、コモン電極２１４を
駆動するためのドライバＩＣ１２２、および、セグメン
ト電極３１４を駆動するためのドライバＩＣ１２４が、
それぞれ後述するようにＣＯＧ（Chip On Glass）技術
により実装されている。さらに、この２辺のうち、ドラ
イバＩＣ１２４が実装される領域の外側には、ＦＰＣ
（Flexible Printed Circuit）基板１５０が接合されて
いる。
【００２４】ここで、観察側基板２００に形成されたコ
モン電極２１４は、シール材１１０に混入された導電性
粒子１１４を介し、背面側基板３００に形成された配線
（第１の配線）３５０の一端に接続されている。一方、
配線３５０の他端は、ドライバＩＣ１２２の出力側バン
プ（突起電極）に接続されている。すなわち、ドライバ
ＩＣ１２２は、配線３５０、導電性粒子１１４およびコ
モン電極２１４という経路でコモン信号を供給する構成
となっている。なお、ドライバＩＣ１２２の入力側バン
プとＦＰＣ基板（外部回路基板）１５０との間は、配線
（第２の配線）３６０により接続されている。また、背
面側基板３００に形成されたセグメント電極３１４は、
ドライバＩＣ１２４の出力側バンプに接続されている。
すなわち、ドライバＩＣ１２４は、セグメント電極３１
４に、セグメント信号を直接供給する構成となってい
る。なお、ドライバＩＣ１２４の入力側バンプとＦＰＣ
基板１５０との間は、配線（第２の配線）３７０により
接続されている。
モン電極２１４は、シール材１１０に混入された導電性
粒子１１４を介し、背面側基板３００に形成された配線
（第１の配線）３５０の一端に接続されている。一方、
配線３５０の他端は、ドライバＩＣ１２２の出力側バン
プ（突起電極）に接続されている。すなわち、ドライバ
ＩＣ１２２は、配線３５０、導電性粒子１１４およびコ
モン電極２１４という経路でコモン信号を供給する構成
となっている。なお、ドライバＩＣ１２２の入力側バン
プとＦＰＣ基板（外部回路基板）１５０との間は、配線
（第２の配線）３６０により接続されている。また、背
面側基板３００に形成されたセグメント電極３１４は、
ドライバＩＣ１２４の出力側バンプに接続されている。
すなわち、ドライバＩＣ１２４は、セグメント電極３１
４に、セグメント信号を直接供給する構成となってい
る。なお、ドライバＩＣ１２４の入力側バンプとＦＰＣ
基板１５０との間は、配線（第２の配線）３７０により
接続されている。
【００２５】ここで、液晶パネルには、実際には、図２
または図３に示されるように観察側基板２００の手前側
（観察者側）に偏光板１２１や位相差板１２３が設けら
れる一方、背面側基板３００の背面側（観察者側とは反
対側）に偏光板１２１や位相差板１３３などが設けられ
るが、図１においては、図示を省略している。また、背
面側基板３００の背面側には、外光が少ない場合に透過
型として用いるためのバックライトが設けられるが、こ
れについても図示を省略している。
または図３に示されるように観察側基板２００の手前側
（観察者側）に偏光板１２１や位相差板１２３が設けら
れる一方、背面側基板３００の背面側（観察者側とは反
対側）に偏光板１２１や位相差板１３３などが設けられ
るが、図１においては、図示を省略している。また、背
面側基板３００の背面側には、外光が少ない場合に透過
型として用いるためのバックライトが設けられるが、こ
れについても図示を省略している。
【００２６】＜表示領域＞次に、液晶パネル１００にお
ける表示領域の詳細について説明する。まず、観察側基
板２００の詳細について説明する。図２または図３に示
されるように、基板２００の外面には、位相差板１２３
および偏光板１２１が貼り付けられる。一方、基板２０
０の内面には、遮光膜２０２が形成されて、サブ画素間
の混色を防止するとともに、表示領域を規定する額縁と
して機能している。さらに、コモン電極２１４とセグメ
ント電極３１４とが交差する領域に対応して（遮光膜２
０２の開口領域に対応して）、カラーフィルタ（着色
層）２０４が所定の配列で設けられている。なお、本実
施形態では、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のカラーフ
ィルタ２０４が、データ系の表示に好適なストライプ配
列（図４参照）となっており、Ｒ、Ｇ、Ｂのサブ画素の
３個で略正方形状の１画素を構成しているが、本発明を
これに限定する趣旨ではない。
ける表示領域の詳細について説明する。まず、観察側基
板２００の詳細について説明する。図２または図３に示
されるように、基板２００の外面には、位相差板１２３
および偏光板１２１が貼り付けられる。一方、基板２０
０の内面には、遮光膜２０２が形成されて、サブ画素間
の混色を防止するとともに、表示領域を規定する額縁と
して機能している。さらに、コモン電極２１４とセグメ
ント電極３１４とが交差する領域に対応して（遮光膜２
０２の開口領域に対応して）、カラーフィルタ（着色
層）２０４が所定の配列で設けられている。なお、本実
施形態では、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のカラーフ
ィルタ２０４が、データ系の表示に好適なストライプ配
列（図４参照）となっており、Ｒ、Ｇ、Ｂのサブ画素の
３個で略正方形状の１画素を構成しているが、本発明を
これに限定する趣旨ではない。
【００２７】次に、絶縁材からなる平坦化膜２０５は、
遮光膜２０２およびカラーフィルタ２０４による段差を
平坦化するものであり、この平坦化された面に、ＩＴＯ
等の透明導電材料からなるコモン電極２１４がＸ方向
（図２においては紙面左右方向、図３においては紙面垂
直方向）に延在して帯状に複数形成されている。そし
て、平坦化膜２０５やコモン電極２１４の表面には、ポ
リイミド等からなる配向膜２０８が形成されて、背面側
基板３００と貼り合わせる前に、所定の方向にラビング
処理が施される。また、遮光膜２０２、カラーフィルタ
２０４および平坦化膜２０５は、表示領域外では不要で
あるから、シール材１１０の領域近傍では、設けられて
いない。
遮光膜２０２およびカラーフィルタ２０４による段差を
平坦化するものであり、この平坦化された面に、ＩＴＯ
等の透明導電材料からなるコモン電極２１４がＸ方向
（図２においては紙面左右方向、図３においては紙面垂
直方向）に延在して帯状に複数形成されている。そし
て、平坦化膜２０５やコモン電極２１４の表面には、ポ
リイミド等からなる配向膜２０８が形成されて、背面側
基板３００と貼り合わせる前に、所定の方向にラビング
処理が施される。また、遮光膜２０２、カラーフィルタ
２０４および平坦化膜２０５は、表示領域外では不要で
あるから、シール材１１０の領域近傍では、設けられて
いない。
【００２８】続いて、背面側基板３００の構成について
説明する。基板３００の外面には、位相差板１３３およ
び偏光板１３１が貼り付けられる。一方、基板３００の
内面全面には、下地膜３０１が形成されている。この下
地膜３０１の表面には、さらに、反射膜３０２が形成さ
れている。この反射膜３０２は、低温スパッタリングな
どにより成膜された銀単体または銀を主成分とする銀合
金からなるものであり、観察側基板２００の側から入射
した光を反射して、再び観察側基板２００に戻すために
用いられる。この際、反射膜３０２は、完全な鏡面であ
る必要はなく、むしろ適度に乱反射する構成が良い。こ
のためには、反射膜３０２を、ある程度、起伏のある面
に形成するのが望ましいが、この点については、本出願
と直接関係しないので、その説明を省略することとす
る。
説明する。基板３００の外面には、位相差板１３３およ
び偏光板１３１が貼り付けられる。一方、基板３００の
内面全面には、下地膜３０１が形成されている。この下
地膜３０１の表面には、さらに、反射膜３０２が形成さ
れている。この反射膜３０２は、低温スパッタリングな
どにより成膜された銀単体または銀を主成分とする銀合
金からなるものであり、観察側基板２００の側から入射
した光を反射して、再び観察側基板２００に戻すために
用いられる。この際、反射膜３０２は、完全な鏡面であ
る必要はなく、むしろ適度に乱反射する構成が良い。こ
のためには、反射膜３０２を、ある程度、起伏のある面
に形成するのが望ましいが、この点については、本出願
と直接関係しないので、その説明を省略することとす
る。
【００２９】また、反射膜３０２には、透過型としても
用いることができるように、バックライトによる光を透
過させるための開口部３０９が、サブ画素１個あたり２
つ設けられている（図４参照）。なお、基板３００の表
面に下地膜３０１が設けられる理由は、その表面に形成
される反射膜３０２の基板密着性を向上させるためであ
る。
用いることができるように、バックライトによる光を透
過させるための開口部３０９が、サブ画素１個あたり２
つ設けられている（図４参照）。なお、基板３００の表
面に下地膜３０１が設けられる理由は、その表面に形成
される反射膜３０２の基板密着性を向上させるためであ
る。
【００３０】次に、開口部３０９が設けられた反射膜３
０２を覆うように、絶縁性の保護膜３０３が内面全面に
設けられている。この保護膜３０３は、反射膜３０２を
保護するほか、反射膜３０２の反射率の低下を防止し、
さらには、観察側基板２００の側から入射した光のう
ち、青色成分の光を多く反射させる膜としての機能を兼
ね備えたものである。さらに、保護膜３０３表面には、
ＩＴＯ等の透明導電材料からなるセグメント電極３１４
がＹ方向に延在して帯状に複数形成されている。そし
て、セグメント電極３１４や保護膜３０３の表面には、
ポリイミド等からなる配向膜３０８が形成されて、観察
側基板２００と貼り合わせる前に、所定の方向にラビン
グ処理が施される。なお、配向膜３０８や、その下層の
反射膜３０２は、表示領域外では不要であるから、シー
ル材１１０の領域近傍およびその外側では設けられてい
ない。また、このような背面側基板３００の製造プロセ
スについては、便宜上、各種の配線を説明した後に詳述
することにする。
０２を覆うように、絶縁性の保護膜３０３が内面全面に
設けられている。この保護膜３０３は、反射膜３０２を
保護するほか、反射膜３０２の反射率の低下を防止し、
さらには、観察側基板２００の側から入射した光のう
ち、青色成分の光を多く反射させる膜としての機能を兼
ね備えたものである。さらに、保護膜３０３表面には、
ＩＴＯ等の透明導電材料からなるセグメント電極３１４
がＹ方向に延在して帯状に複数形成されている。そし
て、セグメント電極３１４や保護膜３０３の表面には、
ポリイミド等からなる配向膜３０８が形成されて、観察
側基板２００と貼り合わせる前に、所定の方向にラビン
グ処理が施される。なお、配向膜３０８や、その下層の
反射膜３０２は、表示領域外では不要であるから、シー
ル材１１０の領域近傍およびその外側では設けられてい
ない。また、このような背面側基板３００の製造プロセ
スについては、便宜上、各種の配線を説明した後に詳述
することにする。
【００３１】＜シール材近傍＞次に、液晶パネル１００
のうち、シール材１１０が形成される領域近傍につい
て、図２および図３のほか、図４および図５をも参照し
て説明する。ここで、図４は、シール材１１０が形成さ
れる領域のうち、ドライバＩＣ１２２が実装される辺の
近傍領域における配線の詳細な構成を、観察側から透視
して示す平面図であり、図５は、そのＡ−Ａ’の断面図
である。まず、コモン電極２１４と配線３５０とについ
て説明する。これらの図に示されるように、観察側基板
２００におけるコモン電極２１４は、シール材１１０が
形成される領域まで延設される一方、背面側基板３００
にあっては、配線３５０を構成する透明導電膜３５２
が、コモン電極２１４に対向するように、シール材１１
０が形成される領域まで延設されている。このため、シ
ール材１１０中に、スペーサを兼ねた球状の導電性粒子
１１４を適切な割合で分散させると、コモン電極２１４
と透明導電膜３５４とが、当該導電性粒子１１４を介し
て電気的に接続されることになる。
のうち、シール材１１０が形成される領域近傍につい
て、図２および図３のほか、図４および図５をも参照し
て説明する。ここで、図４は、シール材１１０が形成さ
れる領域のうち、ドライバＩＣ１２２が実装される辺の
近傍領域における配線の詳細な構成を、観察側から透視
して示す平面図であり、図５は、そのＡ−Ａ’の断面図
である。まず、コモン電極２１４と配線３５０とについ
て説明する。これらの図に示されるように、観察側基板
２００におけるコモン電極２１４は、シール材１１０が
形成される領域まで延設される一方、背面側基板３００
にあっては、配線３５０を構成する透明導電膜３５２
が、コモン電極２１４に対向するように、シール材１１
０が形成される領域まで延設されている。このため、シ
ール材１１０中に、スペーサを兼ねた球状の導電性粒子
１１４を適切な割合で分散させると、コモン電極２１４
と透明導電膜３５４とが、当該導電性粒子１１４を介し
て電気的に接続されることになる。
【００３２】ここで、配線３５０は、背面側基板３００
の対向面において、コモン電極２１４とドライバＩＣ１
２２の出力端との間を電気的に接続するものであって、
反射性導電膜３５２と透明導電膜３５４とが積層された
構成となっている。このうち、反射性導電膜３５２は、
本実施形態では、高温スパッタリングなどにより成膜さ
れた銀単体または銀を主成分とする銀合金からなる導電
層をパターニングしたものである。すなわち、本実施形
態における反射性導電膜３５２は、反射膜３０２とは、
銀合金等からなる導電層をパターニングしたものである
点では共通であるが、導電層それ自体は、成膜工程が相
違したものとなっている。また、透明導電膜３５４は、
セグメント電極３１４と同一のＩＴＯ等からなる導電層
を、反射性導電膜３５２よりも一回り広くなるように、
詳細には、断面的にみると図５に示されるように、反射
性導電膜３５２からはみ出したエッジ部分が保護膜３０
３に接するように、パターニングしたものである。ただ
し、シール材１１０が形成される領域には、図２、図３
または図４に示されるように、反射性導電膜３５２は積
層されずに、透明導電膜３５４のみが設けられる。
の対向面において、コモン電極２１４とドライバＩＣ１
２２の出力端との間を電気的に接続するものであって、
反射性導電膜３５２と透明導電膜３５４とが積層された
構成となっている。このうち、反射性導電膜３５２は、
本実施形態では、高温スパッタリングなどにより成膜さ
れた銀単体または銀を主成分とする銀合金からなる導電
層をパターニングしたものである。すなわち、本実施形
態における反射性導電膜３５２は、反射膜３０２とは、
銀合金等からなる導電層をパターニングしたものである
点では共通であるが、導電層それ自体は、成膜工程が相
違したものとなっている。また、透明導電膜３５４は、
セグメント電極３１４と同一のＩＴＯ等からなる導電層
を、反射性導電膜３５２よりも一回り広くなるように、
詳細には、断面的にみると図５に示されるように、反射
性導電膜３５２からはみ出したエッジ部分が保護膜３０
３に接するように、パターニングしたものである。ただ
し、シール材１１０が形成される領域には、図２、図３
または図４に示されるように、反射性導電膜３５２は積
層されずに、透明導電膜３５４のみが設けられる。
【００３３】次に、セグメント電極３１４の引き出しに
ついて説明する。図３に示されるように、セグメント電
極３１４は、保護膜３０３上に形成された状態でシール
材１１０の枠外に引き出されるとともに、反射性導電膜
３５２と同一の銀合金等の導電層をパターニングした反
射性導電膜３１２に積層され、配線３１０としてドライ
バＩＣ１２４の出力側バンプまで引き出されている。こ
こで、シール材１１０の枠外において、セグメント電極
３１４は、積層関係にある反射性導電膜３１２よりも一
回り広くなるように、具体的には、断面的にみると、図
５の括弧書に示されるように、反射性導電膜３１２から
はみ出したエッジ部分が保護膜３０３に接するように、
パターニングされている。
ついて説明する。図３に示されるように、セグメント電
極３１４は、保護膜３０３上に形成された状態でシール
材１１０の枠外に引き出されるとともに、反射性導電膜
３５２と同一の銀合金等の導電層をパターニングした反
射性導電膜３１２に積層され、配線３１０としてドライ
バＩＣ１２４の出力側バンプまで引き出されている。こ
こで、シール材１１０の枠外において、セグメント電極
３１４は、積層関係にある反射性導電膜３１２よりも一
回り広くなるように、具体的には、断面的にみると、図
５の括弧書に示されるように、反射性導電膜３１２から
はみ出したエッジ部分が保護膜３０３に接するように、
パターニングされている。
【００３４】なお、本実施形態において、反射膜３０２
は、シール材１１０の枠内では電気的に浮いた状態とな
っている。このため、反射膜３０２とセグメント電極３
１４との距離が約２μｍ程度となるように保護膜３０３
が形成されて、セグメント電極３１４の各々が、反射膜
３０２に対して容量的に結合しないよう構成となってい
る。また、図２または図３における導電性粒子１１４の
径は、説明の便宜上、実際よりもかなり大きくしてあ
り、このため、シール材１１０の幅方向に１個だけ設け
られたように見えるが、実際には、図４に示されるよう
に、シール材１１０の幅方向に多数の導電性粒子１１４
が配置する構成となる。
は、シール材１１０の枠内では電気的に浮いた状態とな
っている。このため、反射膜３０２とセグメント電極３
１４との距離が約２μｍ程度となるように保護膜３０３
が形成されて、セグメント電極３１４の各々が、反射膜
３０２に対して容量的に結合しないよう構成となってい
る。また、図２または図３における導電性粒子１１４の
径は、説明の便宜上、実際よりもかなり大きくしてあ
り、このため、シール材１１０の幅方向に１個だけ設け
られたように見えるが、実際には、図４に示されるよう
に、シール材１１０の幅方向に多数の導電性粒子１１４
が配置する構成となる。
【００３５】＜ドライバＩＣの実装領域、ＦＰＣ基板の
接合領域の近傍＞続いて、背面側基板３００のうち、ド
ライバＩＣ１２２、１２４が実装される領域や、ＦＰＣ
基板１５０が接合される領域の近傍について説明する。
ここで、図６は、これらの領域における構成を、配線を
中心にして示す断面図であり、図７は、このうち、ドラ
イバＩＣ１２２の実装領域における配線の構成を、観察
側から見て示す平面図である。なお、上述したように、
背面側基板３００には、セグメント電極３１４のほか、
配線３５０、３６０、３７０が設けられるが、ここで
は、ドライバＩＣ１２２に関連する配線３５０、３６０
を例にとって説明する。
接合領域の近傍＞続いて、背面側基板３００のうち、ド
ライバＩＣ１２２、１２４が実装される領域や、ＦＰＣ
基板１５０が接合される領域の近傍について説明する。
ここで、図６は、これらの領域における構成を、配線を
中心にして示す断面図であり、図７は、このうち、ドラ
イバＩＣ１２２の実装領域における配線の構成を、観察
側から見て示す平面図である。なお、上述したように、
背面側基板３００には、セグメント電極３１４のほか、
配線３５０、３６０、３７０が設けられるが、ここで
は、ドライバＩＣ１２２に関連する配線３５０、３６０
を例にとって説明する。
【００３６】まず、これらの図に示されるように、ドラ
イバＩＣ１２２によるコモン信号をコモン電極２１４ま
で供給するための配線３５０は、上述したように、反射
性導電膜３５２と透明導電膜３５４との積層膜からなる
が、ドライバＩＣ１２２が実装される領域では、シール
材１１０の形成領域と同様に、反射性導電膜３５２が設
けられずに、透明導電膜３５４のみとなっている。
イバＩＣ１２２によるコモン信号をコモン電極２１４ま
で供給するための配線３５０は、上述したように、反射
性導電膜３５２と透明導電膜３５４との積層膜からなる
が、ドライバＩＣ１２２が実装される領域では、シール
材１１０の形成領域と同様に、反射性導電膜３５２が設
けられずに、透明導電膜３５４のみとなっている。
【００３７】また、ＦＰＣ基板１５０から供給される各
種信号をドライバＩＣ１２２まで供給するための配線３
６０は、配線３５０と同様に、反射性導電膜３６２と透
明導電膜３６４との積層膜から構成されている。このう
ち、反射性導電膜３６２は、反射性導電膜３５２と同一
の銀合金等からなる導電層をパターニングしたものであ
り、また、透明導電膜３６４は、セグメント電極３１４
や透明導電膜３５４と同一のＩＴＯ等からなる導電層
を、反射性導電膜３６２よりも一回り広くなるように、
詳細には、断面的にみると図５の括弧書に示されるよう
に、反射性導電膜３６２からはみ出したエッジ部分が保
護膜３０３に接するように、パターニングしたものであ
る。ただし、配線３６０のうち、ドライバＩＣ１２２が
実装される領域、および、ＦＰＣ基板１５０が接合され
る領域（図７では図示省略）では、反射性導電膜３６２
が設けられずに、透明導電膜３６４のみとなっている。
種信号をドライバＩＣ１２２まで供給するための配線３
６０は、配線３５０と同様に、反射性導電膜３６２と透
明導電膜３６４との積層膜から構成されている。このう
ち、反射性導電膜３６２は、反射性導電膜３５２と同一
の銀合金等からなる導電層をパターニングしたものであ
り、また、透明導電膜３６４は、セグメント電極３１４
や透明導電膜３５４と同一のＩＴＯ等からなる導電層
を、反射性導電膜３６２よりも一回り広くなるように、
詳細には、断面的にみると図５の括弧書に示されるよう
に、反射性導電膜３６２からはみ出したエッジ部分が保
護膜３０３に接するように、パターニングしたものであ
る。ただし、配線３６０のうち、ドライバＩＣ１２２が
実装される領域、および、ＦＰＣ基板１５０が接合され
る領域（図７では図示省略）では、反射性導電膜３６２
が設けられずに、透明導電膜３６４のみとなっている。
【００３８】そして、このような配線３５０、３６０に
対して、ドライバＩＣ１２２は、例えば次のようにして
ＣＯＧ実装される。まず、直方体形状のドライバＩＣ１
２２の一面には、その周縁部分に電極が複数設けられる
が、このような各電極には、例えば金（Au）などからな
るバンプ１２９ａまたは１２９ｂを予め個々に形成して
おく。そして、第１に、背面側基板３００にあってドラ
イバＩＣ１２２が実装されるべき領域に、エポキシ等の
接着材１３０に導電性粒子１３４を均一に分散させたシ
ート状の異方性導電膜を載置し、第２に、電極形成面を
下側にしたドライバＩＣ１２２と背面側基板３００とで
異方性導電膜を挟持し、第３に、ドライバＩＣ１２２
を、位置決めした後に、当該異方性導電膜を介して背面
側基板３００に加圧・加熱する。
対して、ドライバＩＣ１２２は、例えば次のようにして
ＣＯＧ実装される。まず、直方体形状のドライバＩＣ１
２２の一面には、その周縁部分に電極が複数設けられる
が、このような各電極には、例えば金（Au）などからな
るバンプ１２９ａまたは１２９ｂを予め個々に形成して
おく。そして、第１に、背面側基板３００にあってドラ
イバＩＣ１２２が実装されるべき領域に、エポキシ等の
接着材１３０に導電性粒子１３４を均一に分散させたシ
ート状の異方性導電膜を載置し、第２に、電極形成面を
下側にしたドライバＩＣ１２２と背面側基板３００とで
異方性導電膜を挟持し、第３に、ドライバＩＣ１２２
を、位置決めした後に、当該異方性導電膜を介して背面
側基板３００に加圧・加熱する。
【００３９】これにより、ドライバＩＣ１２２のうち、
コモン信号を供給する出力側バンプ１２９ａは、配線３
５０を構成する透明導電膜３５４に、また、ＦＰＣ基板
１５０からの信号を入力する入力側バンプ１２９ｂは、
配線３６０を構成する透明導電膜３６４に、それぞれ、
接着材１３０中の導電性粒子１３４を介して電気的に接
続されることとなる。この際、接着材１３０は、ドライ
バＩＣ１２２の電極形成面を、湿気や、汚染、応力など
から保護する封止材を兼ねることになる。
コモン信号を供給する出力側バンプ１２９ａは、配線３
５０を構成する透明導電膜３５４に、また、ＦＰＣ基板
１５０からの信号を入力する入力側バンプ１２９ｂは、
配線３６０を構成する透明導電膜３６４に、それぞれ、
接着材１３０中の導電性粒子１３４を介して電気的に接
続されることとなる。この際、接着材１３０は、ドライ
バＩＣ１２２の電極形成面を、湿気や、汚染、応力など
から保護する封止材を兼ねることになる。
【００４０】なお、ここでは、ドライバＩＣ１２２に関
連する配線３５０、３６０を例にとって説明したが、ド
ライバＩＣ１２４に関連する配線３１０、および、ＦＰ
Ｃ基板１５０から供給される各種信号をドライバＩＣ１
２４まで供給するための配線３７０についても、それぞ
れ図５において括弧書で示されるように、配線３５０、
３６０と同様な構成となっている。すなわち、ドライバ
ＩＣ１２４によるセグメント信号をセグメント電極３１
４に供給するため配線３１０は、上述したように、反射
性導電膜３１２と透明導電膜３１４との積層膜となって
いるが、ドライバＩＣ１２４が実装される領域では、反
射性導電膜３１２が設けられずに、セグメント電極３１
４の透明導電膜のみとなっている。換言すれば、反射性
導電膜３１２は、ドライバＩＣ１２４との接合部分を避
けて形成されている。
連する配線３５０、３６０を例にとって説明したが、ド
ライバＩＣ１２４に関連する配線３１０、および、ＦＰ
Ｃ基板１５０から供給される各種信号をドライバＩＣ１
２４まで供給するための配線３７０についても、それぞ
れ図５において括弧書で示されるように、配線３５０、
３６０と同様な構成となっている。すなわち、ドライバ
ＩＣ１２４によるセグメント信号をセグメント電極３１
４に供給するため配線３１０は、上述したように、反射
性導電膜３１２と透明導電膜３１４との積層膜となって
いるが、ドライバＩＣ１２４が実装される領域では、反
射性導電膜３１２が設けられずに、セグメント電極３１
４の透明導電膜のみとなっている。換言すれば、反射性
導電膜３１２は、ドライバＩＣ１２４との接合部分を避
けて形成されている。
【００４１】また、ＦＰＣ基板１５０から供給される各
種信号をドライバＩＣ１２４まで供給するための配線３
７０は、同様に、反射性導電膜３７２と透明導電膜３７
４とが積層された構成となっている。このうち、反射性
導電膜３７２は、反射性導電膜３１２、３５２、３６２
と同一の導電層をパターニングしたものであり、透明導
電膜３７４は、透明導電膜３１４、３５４、３６４と同
一の導電層を、反射性導電膜３７２よりも一回り広く、
反射性導電膜３７２からはみ出したエッジ部分が保護膜
３０３に接するように、パターニングしたものである
（特に図５参照）。ただし、配線３７０のうち、ドライ
バＩＣ１２４が実装される領域、および、ＦＰＣ基板１
５０が接合される領域では、反射性導電膜３７２が設け
られずに、透明導電膜３７４のみとなっている。換言す
れば、反射性導電膜３７２は、ドライバＩＣ１２４との
接合部分、および、ＦＰＣ基板１５０との接合部分を避
けて形成されている。そして、このような積層膜たる配
線３１０、３７０に対して、ドライバＩＣ１２４は、ド
ライバＩＣ１２２と同様に、異方性導電膜を介して接続
されることになる。
種信号をドライバＩＣ１２４まで供給するための配線３
７０は、同様に、反射性導電膜３７２と透明導電膜３７
４とが積層された構成となっている。このうち、反射性
導電膜３７２は、反射性導電膜３１２、３５２、３６２
と同一の導電層をパターニングしたものであり、透明導
電膜３７４は、透明導電膜３１４、３５４、３６４と同
一の導電層を、反射性導電膜３７２よりも一回り広く、
反射性導電膜３７２からはみ出したエッジ部分が保護膜
３０３に接するように、パターニングしたものである
（特に図５参照）。ただし、配線３７０のうち、ドライ
バＩＣ１２４が実装される領域、および、ＦＰＣ基板１
５０が接合される領域では、反射性導電膜３７２が設け
られずに、透明導電膜３７４のみとなっている。換言す
れば、反射性導電膜３７２は、ドライバＩＣ１２４との
接合部分、および、ＦＰＣ基板１５０との接合部分を避
けて形成されている。そして、このような積層膜たる配
線３１０、３７０に対して、ドライバＩＣ１２４は、ド
ライバＩＣ１２２と同様に、異方性導電膜を介して接続
されることになる。
【００４２】また、配線３６０、３７０に対して、ＦＰ
Ｃ基板１５０を接合する場合にも、同様に異方性導電膜
が用いられる。これにより、ＦＰＣ基板１５０におい
て、ポリイミド等の基材１５２に形成された配線１５４
は、配線３６０を構成する透明導電膜３６４、および、
配線３７０を構成する透明導電膜３７４に対し、それぞ
れ接着材１４０中の導電性粒子１４４を介して電気的に
接続されることとなる。
Ｃ基板１５０を接合する場合にも、同様に異方性導電膜
が用いられる。これにより、ＦＰＣ基板１５０におい
て、ポリイミド等の基材１５２に形成された配線１５４
は、配線３６０を構成する透明導電膜３６４、および、
配線３７０を構成する透明導電膜３７４に対し、それぞ
れ接着材１４０中の導電性粒子１４４を介して電気的に
接続されることとなる。
【００４３】＜製造プロセス＞ここで、上述した液晶表
示装置の製造プロセス、特に、背面側基板の製造プロセ
スについて、図８および図９を参照して説明する。な
お、ここでは、セグメント電極３１４と配線３５０とを
中心にして、シールの枠内（表示領域）、シール材およ
びシールの枠外にわけて説明することとする。
示装置の製造プロセス、特に、背面側基板の製造プロセ
スについて、図８および図９を参照して説明する。な
お、ここでは、セグメント電極３１４と配線３５０とを
中心にして、シールの枠内（表示領域）、シール材およ
びシールの枠外にわけて説明することとする。
【００４４】まず、図８（ａ）に示すように、基板３０
０の内面全面に、Ta2O5やSiO2などをスパッタリングな
どにより堆積して、下地膜３０１を形成する。続いて、
同図（ｂ）に示されるように、銀単体または銀を主成分
とする反射性の導電層３０２’を、比較的低温度（約２
００℃程度）においてスパッタリングなどにより成膜す
る。この導電層３０２’としては、本実施形態では、例
えば重量比で９８％程度の銀（Ag）に白金（Pt）・銅
（Cu）を含むＡＰＣ合金を用いるが、ほかに、銀・銅・
金を含む合金、銀・ルテニウム（Ru）・銅の合金などを
用いても良い。続いて、同図（ｃ）に示すように、導電
層３０２’を、フォトリソグラフィ技術およびエッチン
グ技術を用いてパターニングして、開口部３０９ととも
に反射膜３０２を形成する。
０の内面全面に、Ta2O5やSiO2などをスパッタリングな
どにより堆積して、下地膜３０１を形成する。続いて、
同図（ｂ）に示されるように、銀単体または銀を主成分
とする反射性の導電層３０２’を、比較的低温度（約２
００℃程度）においてスパッタリングなどにより成膜す
る。この導電層３０２’としては、本実施形態では、例
えば重量比で９８％程度の銀（Ag）に白金（Pt）・銅
（Cu）を含むＡＰＣ合金を用いるが、ほかに、銀・銅・
金を含む合金、銀・ルテニウム（Ru）・銅の合金などを
用いても良い。続いて、同図（ｃ）に示すように、導電
層３０２’を、フォトリソグラフィ技術およびエッチン
グ技術を用いてパターニングして、開口部３０９ととも
に反射膜３０２を形成する。
【００４５】この後、同図（ｄ）に示すように、反射膜
３０２を覆うように、例えば酸化チタンを含んだ保護膜
３０３を基板全面に形成する。そして、同図（ｅ）に示
すように、この保護膜３０３の上に、銀単体または銀を
主成分とする反射性の導電層３５２’を、比較的高温度
（約４００℃程度）においてスパッタリングなどにより
成膜する。この導電層３５２’としては、反射膜３０２
を構成する導電層３０２’と同様に、銀・パラチウム・
銅のＡＰＣ合金や、銀・銅・金の合金、銀・ルテニウム
（Ru）・銅の合金などが望ましい。
３０２を覆うように、例えば酸化チタンを含んだ保護膜
３０３を基板全面に形成する。そして、同図（ｅ）に示
すように、この保護膜３０３の上に、銀単体または銀を
主成分とする反射性の導電層３５２’を、比較的高温度
（約４００℃程度）においてスパッタリングなどにより
成膜する。この導電層３５２’としては、反射膜３０２
を構成する導電層３０２’と同様に、銀・パラチウム・
銅のＡＰＣ合金や、銀・銅・金の合金、銀・ルテニウム
（Ru）・銅の合金などが望ましい。
【００４６】次に、図９（ｆ）に示すように、導電層３
５２’を、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技
術を用いてパターニングして、配線３５０を構成する反
射性導電膜３５２のほか、配線３１０、３６０、３７０
を構成する反射性導電膜３１２、３６２、３７２を形成
する。この後、同図（ｇ）に示すように、ＩＴＯ等の透
明導電層３１４’を、スパッタリングやイオンプレーテ
ィング法などを用いて成膜する。
５２’を、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技
術を用いてパターニングして、配線３５０を構成する反
射性導電膜３５２のほか、配線３１０、３６０、３７０
を構成する反射性導電膜３１２、３６２、３７２を形成
する。この後、同図（ｇ）に示すように、ＩＴＯ等の透
明導電層３１４’を、スパッタリングやイオンプレーテ
ィング法などを用いて成膜する。
【００４７】続いて、同図（ｈ）に示されるように、導
電層３１４’を、フォトリソグラフィ技術およびエッチ
ング技術を用いて、シール枠内においてはセグメント電
極３１４を、シール枠外においては透明導電膜３５４、
３６４、３７４を、それぞれパターニングして形成す
る。この際、反射性導電膜３１２、３５２、３６２、３
７２が露出しないように、セグメント電極３１４、透明
導電膜３５４、３６４、３７４の周縁部分が保護膜３０
３に接するように残しておく。これにより、導電層３１
４’の成膜後には、反射性導電膜３１２、３５２、３６
２、３７２の表面が露出することはないので、これらの
腐食・剥離等が防止されることになる。
電層３１４’を、フォトリソグラフィ技術およびエッチ
ング技術を用いて、シール枠内においてはセグメント電
極３１４を、シール枠外においては透明導電膜３５４、
３６４、３７４を、それぞれパターニングして形成す
る。この際、反射性導電膜３１２、３５２、３６２、３
７２が露出しないように、セグメント電極３１４、透明
導電膜３５４、３６４、３７４の周縁部分が保護膜３０
３に接するように残しておく。これにより、導電層３１
４’の成膜後には、反射性導電膜３１２、３５２、３６
２、３７２の表面が露出することはないので、これらの
腐食・剥離等が防止されることになる。
【００４８】そして、例えばポリイミド溶液を塗布・印
刷した後、焼成して、配向膜３０８を形成する。さら
に、当該配向膜３０８にラビング処理を施す。以降の製
造プロセスについては図示を省略するが、このような形
成された背面側基板３００と、同様に配向膜２０８にラ
ビング処理を施した観察側基板２００とを、導電性粒子
１１４を適切に分散させたシール材１１０により貼り合
わせ、次に、真空に近い状態にして、シール材１１０の
開口部分に液晶１６０を滴下する。そして、常圧に戻す
ことで、シール枠内に液晶１６０を浸透させた後、当該
開口部分を封止材１１２で封止する。この後、上述した
ように、ドライバＩＣ１２２、１２４およびＦＰＣ基板
１５０を実装することで、図１に示されるような液晶パ
ネル１００となる。
刷した後、焼成して、配向膜３０８を形成する。さら
に、当該配向膜３０８にラビング処理を施す。以降の製
造プロセスについては図示を省略するが、このような形
成された背面側基板３００と、同様に配向膜２０８にラ
ビング処理を施した観察側基板２００とを、導電性粒子
１１４を適切に分散させたシール材１１０により貼り合
わせ、次に、真空に近い状態にして、シール材１１０の
開口部分に液晶１６０を滴下する。そして、常圧に戻す
ことで、シール枠内に液晶１６０を浸透させた後、当該
開口部分を封止材１１２で封止する。この後、上述した
ように、ドライバＩＣ１２２、１２４およびＦＰＣ基板
１５０を実装することで、図１に示されるような液晶パ
ネル１００となる。
【００４９】このような第１実施形態において、反射膜
３０２になる導電層３０２’は、図８（ｂ）において低
温度で成膜されるので、その反射率が高い。この後、同
図（ｅ）や、図９（ｉ）において、比較的高い温度で処
理されるが、反射膜３０２は、保護膜３０３によって覆
われているので、当該反射膜３０２における結晶粒子の
成長が抑えられる結果、当該反射膜３０２における反射
率の低下が防止されることとなる。一方、反射性導電膜
３５２になる導電層３５２’は、高い温度で成膜される
ので、さらに、図９（ｉ）において高音処理がなされ
る。このため、導電層３５２’の結晶粒子が大きくなる
結果、その配線抵抗が低くなる。すなわち、本実施形態
において、反射膜３０２では、反射率が高い状態が保た
れる一方、反射性導電膜３１２、３５２、３６２、３７
２では、その配線抵抗が低減されることとなる。なお、
反射膜３０２における結晶粒子の平均粒子径は、0.1nm
〜6.0nmであり、反射性導電膜３１２、３５２、３６
２、３７２における結晶粒子の平均粒子径は、2.0nm〜2
0nmであることが、本件発明者によって確認されてい
る。また、反射性導電膜３１２、３５２、３６２、３７
２の反射率は、結晶粒子が成長により低下するが、これ
らの反射性導電膜は、反射膜としてではなく、配線層と
して用いているため、反射率の低下は問題にならない。
３０２になる導電層３０２’は、図８（ｂ）において低
温度で成膜されるので、その反射率が高い。この後、同
図（ｅ）や、図９（ｉ）において、比較的高い温度で処
理されるが、反射膜３０２は、保護膜３０３によって覆
われているので、当該反射膜３０２における結晶粒子の
成長が抑えられる結果、当該反射膜３０２における反射
率の低下が防止されることとなる。一方、反射性導電膜
３５２になる導電層３５２’は、高い温度で成膜される
ので、さらに、図９（ｉ）において高音処理がなされ
る。このため、導電層３５２’の結晶粒子が大きくなる
結果、その配線抵抗が低くなる。すなわち、本実施形態
において、反射膜３０２では、反射率が高い状態が保た
れる一方、反射性導電膜３１２、３５２、３６２、３７
２では、その配線抵抗が低減されることとなる。なお、
反射膜３０２における結晶粒子の平均粒子径は、0.1nm
〜6.0nmであり、反射性導電膜３１２、３５２、３６
２、３７２における結晶粒子の平均粒子径は、2.0nm〜2
0nmであることが、本件発明者によって確認されてい
る。また、反射性導電膜３１２、３５２、３６２、３７
２の反射率は、結晶粒子が成長により低下するが、これ
らの反射性導電膜は、反射膜としてではなく、配線層と
して用いているため、反射率の低下は問題にならない。
【００５０】＜表示動作等＞次に、このような構成に係
る液晶表示装置の表示動作について簡単に説明する。ま
ず、上述したドライバＩＣ１２２は、コモン電極２１４
の各々に対し、水平走査期間毎に所定の順番で選択電圧
を印加する一方、ドライバＩＣ１２４は、選択電圧が印
加されたコモン電極２１４に位置するサブ画素１行分の
表示内容に応じたセグメント信号を、対応するセグメン
ト電極３１４を介してそれぞれ供給する。この際、コモ
ン電極２１４およびセグメント電極３１４とで印加され
る電圧差にしたがって、当該領域における液晶１６０の
配向状態がサブ画素毎に制御される。
る液晶表示装置の表示動作について簡単に説明する。ま
ず、上述したドライバＩＣ１２２は、コモン電極２１４
の各々に対し、水平走査期間毎に所定の順番で選択電圧
を印加する一方、ドライバＩＣ１２４は、選択電圧が印
加されたコモン電極２１４に位置するサブ画素１行分の
表示内容に応じたセグメント信号を、対応するセグメン
ト電極３１４を介してそれぞれ供給する。この際、コモ
ン電極２１４およびセグメント電極３１４とで印加され
る電圧差にしたがって、当該領域における液晶１６０の
配向状態がサブ画素毎に制御される。
【００５１】ここで、図２または図３において、観察側
からの外光は、偏光板１２１および位相差板１２３を経
ることで、所定の偏光状態となり、さらに、観察側基板
２００→カラーフィルタ２０４→コモン電極２１４→液
晶１６０→セグメント電極３１４→保護膜３０３→とい
う経路を介して反射膜３０２に到達し、ここで反射し
て、今来た経路を逆に辿る。したがって、反射型におい
ては、コモン電極２１４とセグメント電極３１４との間
に印加された電圧差により液晶１６０の配向状態が変化
することによって、外光のうち、反射膜３０２による反
射後、偏光板１２１を通過して最終的に観察者に視認さ
れる光の量が、サブ画素毎に制御されることになる。
からの外光は、偏光板１２１および位相差板１２３を経
ることで、所定の偏光状態となり、さらに、観察側基板
２００→カラーフィルタ２０４→コモン電極２１４→液
晶１６０→セグメント電極３１４→保護膜３０３→とい
う経路を介して反射膜３０２に到達し、ここで反射し
て、今来た経路を逆に辿る。したがって、反射型におい
ては、コモン電極２１４とセグメント電極３１４との間
に印加された電圧差により液晶１６０の配向状態が変化
することによって、外光のうち、反射膜３０２による反
射後、偏光板１２１を通過して最終的に観察者に視認さ
れる光の量が、サブ画素毎に制御されることになる。
【００５２】なお、反射型において、低波長側（青色
側）の光は、反射膜３０２により反射する成分と比較し
て、その上層に位置する保護膜３０３で反射する成分が
多くなる。ここで、本実施形態において、このような保
護膜３０３が設けられる理由は、次の通りである。すな
わち、本実施形態において反射膜３０２に用いているＡ
ＰＣ合金の反射率は、図１０に示されるように、一般に
用いられるアルミニウム（Al）ほどフラットではなく、
低波長になるにつれて反射率が低下する傾向がある。こ
のため、反射膜３０２により反射した光は、青色成分が
少なくなって、黄色味を帯びる傾向があるので、反射膜
３０２を単独で用いると、特にカラー表示を行う場合に
は、色再現性に悪影響を与えることになる。そこで、青
色成分の光については、反射膜３０２で反射される成分
よりも、それ以前に、保護膜３０３で反射される成分を
多くしているのである。これにより、反射膜３１２と該
保護膜３０３とを併せた反射光に黄色味が帯びるのが防
止されることになる。
側）の光は、反射膜３０２により反射する成分と比較し
て、その上層に位置する保護膜３０３で反射する成分が
多くなる。ここで、本実施形態において、このような保
護膜３０３が設けられる理由は、次の通りである。すな
わち、本実施形態において反射膜３０２に用いているＡ
ＰＣ合金の反射率は、図１０に示されるように、一般に
用いられるアルミニウム（Al）ほどフラットではなく、
低波長になるにつれて反射率が低下する傾向がある。こ
のため、反射膜３０２により反射した光は、青色成分が
少なくなって、黄色味を帯びる傾向があるので、反射膜
３０２を単独で用いると、特にカラー表示を行う場合に
は、色再現性に悪影響を与えることになる。そこで、青
色成分の光については、反射膜３０２で反射される成分
よりも、それ以前に、保護膜３０３で反射される成分を
多くしているのである。これにより、反射膜３１２と該
保護膜３０３とを併せた反射光に黄色味が帯びるのが防
止されることになる。
【００５３】ここで、本件発明者は、保護膜３０３（と
反射膜３０２との境界面）における屈折率ｎをパラメー
タとして、（保護膜３０３とＡＰＣ合金たる反射膜３０
２とを併せた）反射光の波長／反射率の特性がどのよう
に変化するかを実験した。この実験結果を図１０に示
す。この図に示されるように、保護膜３０３における屈
折率ｎを１．８以上であれば、アルミニウムと比較して
反射率が高水準に維持された上で、波長／反射率の特性
が実用的にフラットになることが判る。
反射膜３０２との境界面）における屈折率ｎをパラメー
タとして、（保護膜３０３とＡＰＣ合金たる反射膜３０
２とを併せた）反射光の波長／反射率の特性がどのよう
に変化するかを実験した。この実験結果を図１０に示
す。この図に示されるように、保護膜３０３における屈
折率ｎを１．８以上であれば、アルミニウムと比較して
反射率が高水準に維持された上で、波長／反射率の特性
が実用的にフラットになることが判る。
【００５４】一方、背面側基板３００の背面側に位置す
るバックライト（図示省略）を点灯させた場合、当該バ
ックライトによる光は、偏光板１３１および位相差板１
３３を経ることで、所定の偏光状態となり、さらに、背
面側基板３００→開口部３０９→保護膜３０３→セグメ
ント電極３１４→液晶１６０→コモン電極２１４→カラ
ーフィルタ２０４→観察側基板２００→偏光板１２１と
いう経路を介して観察側に出射する。したがって、透過
型においても、コモン電極２１４とセグメント電極３１
４との間に印加された電圧差により液晶１６０の配向状
態が変化することによって、開口部３０９を透過した光
のうち、偏光板を通過して最終的に観察者に視認される
光の量が、サブ画素毎に制御されることになる。
るバックライト（図示省略）を点灯させた場合、当該バ
ックライトによる光は、偏光板１３１および位相差板１
３３を経ることで、所定の偏光状態となり、さらに、背
面側基板３００→開口部３０９→保護膜３０３→セグメ
ント電極３１４→液晶１６０→コモン電極２１４→カラ
ーフィルタ２０４→観察側基板２００→偏光板１２１と
いう経路を介して観察側に出射する。したがって、透過
型においても、コモン電極２１４とセグメント電極３１
４との間に印加された電圧差により液晶１６０の配向状
態が変化することによって、開口部３０９を透過した光
のうち、偏光板を通過して最終的に観察者に視認される
光の量が、サブ画素毎に制御されることになる。
【００５５】したがって、本実施形態に係る液晶表示装
置では、外光が十分であれば反射型となり、外光が弱け
れば、バックライトを点灯させることで主として透過型
となるので、いずれの型においても表示が可能となる。
ここで、本実施形態では、光を反射する反射膜３０２
に、銀を主成分とする銀合金を用いているので、さら
に、この反射膜３０２が保護膜３０３で覆われることに
よって、当該反射膜３０２を構成する銀合金の結晶粒子
の成長が抑えられて、反射率の低下が防止されているの
で、観察側に戻る光が多くなる結果、反射型として機能
する場合に明るい表示が可能となっている。
置では、外光が十分であれば反射型となり、外光が弱け
れば、バックライトを点灯させることで主として透過型
となるので、いずれの型においても表示が可能となる。
ここで、本実施形態では、光を反射する反射膜３０２
に、銀を主成分とする銀合金を用いているので、さら
に、この反射膜３０２が保護膜３０３で覆われることに
よって、当該反射膜３０２を構成する銀合金の結晶粒子
の成長が抑えられて、反射率の低下が防止されているの
で、観察側に戻る光が多くなる結果、反射型として機能
する場合に明るい表示が可能となっている。
【００５６】一方、配線３１０、３５０、３６０、３７
０は、それぞれセグメント電極３１４、透明導電膜３５
４、３６４、３７４と、反射膜３０２と同一導電層から
なる反射性導電膜３１４、３５２、３６２、３７２とを
積層した構成となっているので、いずれかの単一層で配
線を形成する場合と比較して、低抵抗化が図られてい
る。さらに、反射性導電膜３１２、３５２、３６２、３
７２は、高温スパッタリングにより成膜した導電層３５
２’をパターニングしたものであるため、その結晶にお
ける平均粒子径は、低音スパッタリングによる導電層３
０２’の結晶における平均粒子径よりも大きい。このた
め、反射性導電膜３１２、３５２、３６２、３７２は、
反射膜３０２よりも低抵抗化されているので、セグメン
ト電極３１４における積層部分や、配線３５０、３６
０、３７０の積層部分では、抵抗値が低く抑えられてい
る。特に、ＦＰＣ基板１５０からドライバＩＣ１２２の
入力側バンプに至るまでの配線３６０には、コモン信号
を供給するドライバＩＣ１２２の電源ラインが含まれる
ので、比較的高い電圧が印加され、しかも、その配線距
離は、配線３７０と比較して長い。このため、配線３６
０が高抵抗であると、電圧降下による影響を無視するこ
とができなくなる。これに対して、本実施形態における
配線３６０では、積層により低抵抗化が図られているの
で、電圧降下の影響が少なくなる。さらに、セグメント
電極３１４、透明導電膜３５４、３６４、３７４は、そ
れぞれ反射性導電膜３１２、３５２、３６４、３７４の
表面が露出しないように覆っているので、水分侵入によ
る腐食等が防止される結果、信頼性が高められている。
０は、それぞれセグメント電極３１４、透明導電膜３５
４、３６４、３７４と、反射膜３０２と同一導電層から
なる反射性導電膜３１４、３５２、３６２、３７２とを
積層した構成となっているので、いずれかの単一層で配
線を形成する場合と比較して、低抵抗化が図られてい
る。さらに、反射性導電膜３１２、３５２、３６２、３
７２は、高温スパッタリングにより成膜した導電層３５
２’をパターニングしたものであるため、その結晶にお
ける平均粒子径は、低音スパッタリングによる導電層３
０２’の結晶における平均粒子径よりも大きい。このた
め、反射性導電膜３１２、３５２、３６２、３７２は、
反射膜３０２よりも低抵抗化されているので、セグメン
ト電極３１４における積層部分や、配線３５０、３６
０、３７０の積層部分では、抵抗値が低く抑えられてい
る。特に、ＦＰＣ基板１５０からドライバＩＣ１２２の
入力側バンプに至るまでの配線３６０には、コモン信号
を供給するドライバＩＣ１２２の電源ラインが含まれる
ので、比較的高い電圧が印加され、しかも、その配線距
離は、配線３７０と比較して長い。このため、配線３６
０が高抵抗であると、電圧降下による影響を無視するこ
とができなくなる。これに対して、本実施形態における
配線３６０では、積層により低抵抗化が図られているの
で、電圧降下の影響が少なくなる。さらに、セグメント
電極３１４、透明導電膜３５４、３６４、３７４は、そ
れぞれ反射性導電膜３１２、３５２、３６４、３７４の
表面が露出しないように覆っているので、水分侵入によ
る腐食等が防止される結果、信頼性が高められている。
【００５７】また、観察側基板２００に設けられるコモ
ン電極２１４は、導電性粒子１１４および配線３５０を
介して背面側基板３００に引き出され、さらに、配線３
６０によりドライバＩＣ１２４の実装領域まで引き回さ
れているので、本実施形態では、パッシブマトリクス型
であるにもかかわらず、ＦＰＣ基板１５０との接合が片
面の１箇所で済んでいる。このため、実装工程の簡易化
が図られることになる。
ン電極２１４は、導電性粒子１１４および配線３５０を
介して背面側基板３００に引き出され、さらに、配線３
６０によりドライバＩＣ１２４の実装領域まで引き回さ
れているので、本実施形態では、パッシブマトリクス型
であるにもかかわらず、ＦＰＣ基板１５０との接合が片
面の１箇所で済んでいる。このため、実装工程の簡易化
が図られることになる。
【００５８】くわえて、セグメント電極３１４のうち、
ドライバＩＣ１２４が実装される領域では、透明導電膜
３１２が積層されていない。また、配線３５０のうち、
シール材１１０に含まれることになる領域、および、ド
ライバＩＣ１２２が実装される領域では、反射性導電膜
３５２が積層されずに、透明導電膜３５４のみとなって
いる。同様に、配線３６０のうち、ドライバＩＣ１２２
が実装される領域、および、ＦＰＣ基板１５０が接合さ
れる領域では、反射性導電膜３６２が積層されずに、透
明導電膜３６４のみとなっており、また、配線３７０の
うち、ドライバＩＣ１２４が実装される領域、および、
ＦＰＣ基板１５０が接合される領域では、反射性導電膜
３７２が積層されずに、透明導電膜３７４のみとなって
いる。
ドライバＩＣ１２４が実装される領域では、透明導電膜
３１２が積層されていない。また、配線３５０のうち、
シール材１１０に含まれることになる領域、および、ド
ライバＩＣ１２２が実装される領域では、反射性導電膜
３５２が積層されずに、透明導電膜３５４のみとなって
いる。同様に、配線３６０のうち、ドライバＩＣ１２２
が実装される領域、および、ＦＰＣ基板１５０が接合さ
れる領域では、反射性導電膜３６２が積層されずに、透
明導電膜３６４のみとなっており、また、配線３７０の
うち、ドライバＩＣ１２４が実装される領域、および、
ＦＰＣ基板１５０が接合される領域では、反射性導電膜
３７２が積層されずに、透明導電膜３７４のみとなって
いる。
【００５９】これは、銀合金等は他の材料との密着性に
欠けるので、応力が加わる部分に設けるのは好ましくな
いからである。すなわち、配線の低抵抗化を優先させる
ならば、セグメント電極または透明導電膜の下層全域に
わたって反射性導電膜を形成する構成が望ましいが、こ
のような構成では、例えば、ドライバＩＣの実装工程に
おける接続不良の発生により、当該ドライバＩＣを交換
する際、密着性が低いために当該反射性導電膜が基板か
ら剥離してしまう可能性がある。また、導電性粒子１１
４、１３４、１４４は、プラスティック等の非導電性粒
子の表面に金（Au）などの金属を被覆したものからなる
が、この被覆金属との密着性は、透明導電膜の単層の方
が良好である。そこで、本実施形態では、シール材１１
０に含まれることになる領域、ドライバＩＣ１２２、１
２４が実装される領域、および、ＦＰＣ基板１５０が接
合される領域には、銀合金等からなる反射性導電膜を積
層せずに、ＩＴＯ等からなる透明導電膜のみとして、反
射性導電膜の剥離を未然に防止しているのである。
欠けるので、応力が加わる部分に設けるのは好ましくな
いからである。すなわち、配線の低抵抗化を優先させる
ならば、セグメント電極または透明導電膜の下層全域に
わたって反射性導電膜を形成する構成が望ましいが、こ
のような構成では、例えば、ドライバＩＣの実装工程に
おける接続不良の発生により、当該ドライバＩＣを交換
する際、密着性が低いために当該反射性導電膜が基板か
ら剥離してしまう可能性がある。また、導電性粒子１１
４、１３４、１４４は、プラスティック等の非導電性粒
子の表面に金（Au）などの金属を被覆したものからなる
が、この被覆金属との密着性は、透明導電膜の単層の方
が良好である。そこで、本実施形態では、シール材１１
０に含まれることになる領域、ドライバＩＣ１２２、１
２４が実装される領域、および、ＦＰＣ基板１５０が接
合される領域には、銀合金等からなる反射性導電膜を積
層せずに、ＩＴＯ等からなる透明導電膜のみとして、反
射性導電膜の剥離を未然に防止しているのである。
【００６０】＜第２実施形態＞上述した第１実施形態
は、低温スパッタリングを用いて、反射率の高い反射膜
３０２（導電層３０２’）を形成する一方、高温スパッ
タリングを用いて、配線抵抗の低い反射性導電膜３１
２、３５２、３６２、３７２（導電層３５２’）を形成
するものであった。しかしながら、第１実施形態におい
て、銀合金等の成膜には、低温・高温スパッタリングの
２回が必要であるから、製造プロセスがそれだけ複雑化
する、という欠点がある。そこで、反射膜や反射性導電
膜などのようなの銀合金膜の成膜を１回で済ました第２
実施形態について説明する。
は、低温スパッタリングを用いて、反射率の高い反射膜
３０２（導電層３０２’）を形成する一方、高温スパッ
タリングを用いて、配線抵抗の低い反射性導電膜３１
２、３５２、３６２、３７２（導電層３５２’）を形成
するものであった。しかしながら、第１実施形態におい
て、銀合金等の成膜には、低温・高温スパッタリングの
２回が必要であるから、製造プロセスがそれだけ複雑化
する、という欠点がある。そこで、反射膜や反射性導電
膜などのようなの銀合金膜の成膜を１回で済ました第２
実施形態について説明する。
【００６１】この第２実施形態に係る液晶表示装置のう
ち、液晶パネル１００の全体構成については第１実施形
態（図１参照）とほぼ同様であるが、その内面構造にお
いて若干の相違がある。すなわち、Ｘ方向およびＹ方向
のそれぞれに沿って破断した場合の構成については、そ
れぞれ図１１および図１２に示される通りであり、保護
膜３０３がシール枠およびシール枠外では設けられてお
らず、シール枠内のみにおいて反射膜３０２を覆うよう
に形成されている点で、図２および図３に示される第１
実施形態と相違している。このため、配線３１０、３５
０、３６０、３７０における積層部分では、図１３や、
図１４に示される部分断面図のように、保護膜３０３が
設けられない。このため、反射性導電膜３１２、３５
２、３６２、３７２や、透明導電膜３１４、３５４、３
６４、３７４の周縁部分は、下地膜３０１に接するよう
に設けられることになる。ここで、図１３は、第２実施
形態における液晶パネルの配線部分の構成を示す断面図
であって、第１実施形態における図５に相当する図であ
り、図１４は、第２実施形態の液晶パネルにおいて、ド
ライバＩＣの実装領域近傍を示す部分断面図であって、
第１実施形態における図６に相当する図である。なお、
その他の構成については、第１実施形態と同様であるの
で、その説明を省略することとする。
ち、液晶パネル１００の全体構成については第１実施形
態（図１参照）とほぼ同様であるが、その内面構造にお
いて若干の相違がある。すなわち、Ｘ方向およびＹ方向
のそれぞれに沿って破断した場合の構成については、そ
れぞれ図１１および図１２に示される通りであり、保護
膜３０３がシール枠およびシール枠外では設けられてお
らず、シール枠内のみにおいて反射膜３０２を覆うよう
に形成されている点で、図２および図３に示される第１
実施形態と相違している。このため、配線３１０、３５
０、３６０、３７０における積層部分では、図１３や、
図１４に示される部分断面図のように、保護膜３０３が
設けられない。このため、反射性導電膜３１２、３５
２、３６２、３７２や、透明導電膜３１４、３５４、３
６４、３７４の周縁部分は、下地膜３０１に接するよう
に設けられることになる。ここで、図１３は、第２実施
形態における液晶パネルの配線部分の構成を示す断面図
であって、第１実施形態における図５に相当する図であ
り、図１４は、第２実施形態の液晶パネルにおいて、ド
ライバＩＣの実装領域近傍を示す部分断面図であって、
第１実施形態における図６に相当する図である。なお、
その他の構成については、第１実施形態と同様であるの
で、その説明を省略することとする。
【００６２】＜製造プロセス＞次に、第２実施形態に係
る液晶表示装置の製造プロセス、特に、背面側基板の製
造プロセスについて、図１５および図１６を参照して説
明する。なお、ここでも第１実施形態と同様に、セグメ
ント電極３１４と配線３５０とを中心にして、シールの
枠内（表示領域）、シール材およびシールの枠外にわけ
て説明することとする。なお、第２実施形態において、
下地膜３０１に反射膜３０２となる導電層３０２’を低
温スパッタリングにより成膜する工程までについては、
第１実施形態（図８（ａ）、（ｂ）参照）と共通である
ので、以降の工程を中心に説明することとする。
る液晶表示装置の製造プロセス、特に、背面側基板の製
造プロセスについて、図１５および図１６を参照して説
明する。なお、ここでも第１実施形態と同様に、セグメ
ント電極３１４と配線３５０とを中心にして、シールの
枠内（表示領域）、シール材およびシールの枠外にわけ
て説明することとする。なお、第２実施形態において、
下地膜３０１に反射膜３０２となる導電層３０２’を低
温スパッタリングにより成膜する工程までについては、
第１実施形態（図８（ａ）、（ｂ）参照）と共通である
ので、以降の工程を中心に説明することとする。
【００６３】すなわち、図１５（ｃ）に示すように、低
温スパッタリングで成膜された導電層３０２’をフォト
リソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてパター
ニングして、シール枠内においては開口部３０９ととも
に反射膜３０２を、シール枠外においては反射性導電膜
３５２のほか、同時に反射性導電膜３１２、３６２、３
７２を、それぞれ形成する。
温スパッタリングで成膜された導電層３０２’をフォト
リソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてパター
ニングして、シール枠内においては開口部３０９ととも
に反射膜３０２を、シール枠外においては反射性導電膜
３５２のほか、同時に反射性導電膜３１２、３６２、３
７２を、それぞれ形成する。
【００６４】この後、同図（ｄ）に示すように、シール
枠内において、反射膜３０２を覆うように、例えば酸化
チタンなどから保護膜３０３を形成する。この後、約４
００℃程度の温度でアニール処理する。この際、反射膜
３０２を構成する銀合金等の結晶粒子は、保護膜３０３
によって抑えられるので、当該結晶粒子は成長せず、し
たがって、当該反射膜３０２の反射率は低下しない。一
方、反射性導電膜３１２、３５２、３６２、３７２を構
成する銀合金等については、その結晶粒子が成長するの
で、反射率は低下するものの、配線抵抗は低減すること
になる。
枠内において、反射膜３０２を覆うように、例えば酸化
チタンなどから保護膜３０３を形成する。この後、約４
００℃程度の温度でアニール処理する。この際、反射膜
３０２を構成する銀合金等の結晶粒子は、保護膜３０３
によって抑えられるので、当該結晶粒子は成長せず、し
たがって、当該反射膜３０２の反射率は低下しない。一
方、反射性導電膜３１２、３５２、３６２、３７２を構
成する銀合金等については、その結晶粒子が成長するの
で、反射率は低下するものの、配線抵抗は低減すること
になる。
【００６５】この後については、第１実施形態における
図９（ｇ）、図９（ｈ）、図９（ｉ）と同様である。す
なわち、第１に、図１５（ｆ）に示すように、ＩＴＯ等
の透明導電層３１４’を、スパッタリングやイオンプレ
ーティング法などを用いて成膜し、第２に、図１６
（ｇ）に示すように、反射性導電膜３１２、３５２、３
６２、３７２をそれぞれ覆うように、導電層３１４’を
パターニングしてセグメント電極３１４および透明導電
膜３５４、３６４、３７４をそれぞれ形成し、第３に、
図１６（ｈ）に示すように、シール枠内においてポリイ
ミド等の有機膜からなる配向膜３０８を形成して、当該
配向膜３０８にラビング処理を施す。
図９（ｇ）、図９（ｈ）、図９（ｉ）と同様である。す
なわち、第１に、図１５（ｆ）に示すように、ＩＴＯ等
の透明導電層３１４’を、スパッタリングやイオンプレ
ーティング法などを用いて成膜し、第２に、図１６
（ｇ）に示すように、反射性導電膜３１２、３５２、３
６２、３７２をそれぞれ覆うように、導電層３１４’を
パターニングしてセグメント電極３１４および透明導電
膜３５４、３６４、３７４をそれぞれ形成し、第３に、
図１６（ｈ）に示すように、シール枠内においてポリイ
ミド等の有機膜からなる配向膜３０８を形成して、当該
配向膜３０８にラビング処理を施す。
【００６６】そして、第１実施形態と同様に、観察側基
板２００と背面側基板３００との貼り合わせ、液晶１６
０の注入・封止、および、ドライバＩＣ１２２、１２４
並びにＦＰＣ基板１５０に実装を経て、第２実施形態に
おける液晶パネル１００となる。なお、表示動作につい
ても第１実施形態と同様である。
板２００と背面側基板３００との貼り合わせ、液晶１６
０の注入・封止、および、ドライバＩＣ１２２、１２４
並びにＦＰＣ基板１５０に実装を経て、第２実施形態に
おける液晶パネル１００となる。なお、表示動作につい
ても第１実施形態と同様である。
【００６７】この第２実施形態において、反射性導電膜
３１２、３５２、３６２、３７２は、反射膜３０２を構
成する銀合金等の導電層３０２’をパターニングしたも
のであって、その後のアニール処理により結晶粒子を成
長させたものであるから、反射膜３０２よりも低抵抗と
なる。一方、反射膜３０２は保護膜３０３により覆われ
ているので、その結晶粒子の成長が抑えられる結果、反
射率は低下しないことになる。したがって、第２実施形
態によれば、第１実施形態における反射膜３０２の反射
率低下防止と、反射性導電膜３１２、３５２、３６２、
３７２の配線抵抗の低減との効果を維持した上で、反射
膜や反射性導電膜などのようなの銀合金膜の成膜が１回
で済むので、製造プロセスの簡略化を図ることが可能と
なる。
３１２、３５２、３６２、３７２は、反射膜３０２を構
成する銀合金等の導電層３０２’をパターニングしたも
のであって、その後のアニール処理により結晶粒子を成
長させたものであるから、反射膜３０２よりも低抵抗と
なる。一方、反射膜３０２は保護膜３０３により覆われ
ているので、その結晶粒子の成長が抑えられる結果、反
射率は低下しないことになる。したがって、第２実施形
態によれば、第１実施形態における反射膜３０２の反射
率低下防止と、反射性導電膜３１２、３５２、３６２、
３７２の配線抵抗の低減との効果を維持した上で、反射
膜や反射性導電膜などのようなの銀合金膜の成膜が１回
で済むので、製造プロセスの簡略化を図ることが可能と
なる。
【００６８】＜第１および第２実施形態の応用＞ところ
で、第１、第２実施形態において、銀を含む反射膜３０
２は、保護膜３０３によって覆われるために、電気的に
浮いた状態となる。このため、特に相隣接するセグメン
ト電極３１４同士が反射膜３０２を介して容量結合し
て、表示品位が低下する可能性がある。このため、実施
形態にあっては、反射膜３０２とセグメント電極３１４
との距離が約２μｍ程度となるように保護膜３０３を厚
く形成して、両者が容量結合しないような構成とした。
ただし、このような構成において、厚付けした保護膜３
０３が均一でないと、セルギャップの乱れによる表示品
位の低下を招くことになる。
で、第１、第２実施形態において、銀を含む反射膜３０
２は、保護膜３０３によって覆われるために、電気的に
浮いた状態となる。このため、特に相隣接するセグメン
ト電極３１４同士が反射膜３０２を介して容量結合し
て、表示品位が低下する可能性がある。このため、実施
形態にあっては、反射膜３０２とセグメント電極３１４
との距離が約２μｍ程度となるように保護膜３０３を厚
く形成して、両者が容量結合しないような構成とした。
ただし、このような構成において、厚付けした保護膜３
０３が均一でないと、セルギャップの乱れによる表示品
位の低下を招くことになる。
【００６９】そこで、図１７に示されるように反射膜３
０２を平面的にみてセグメント電極３１４と重なるよう
に略同一幅でパターニングする構成とするのが望まし
い。このように構成にすると、保護膜３０３が多少薄く
ても、ある一のセグメント電極３１４は、その直下の反
射膜３０２には容量結合するが、隣接するセグメント電
極３１４には容量結合しにくくなるので、表示品位の低
下を防止することができる。さらに、このような構成に
おいて、セグメント電極３１４とその直下の反射膜３０
２との接続点を設けて両者を物理的に接続する構成とし
ても良い。
０２を平面的にみてセグメント電極３１４と重なるよう
に略同一幅でパターニングする構成とするのが望まし
い。このように構成にすると、保護膜３０３が多少薄く
ても、ある一のセグメント電極３１４は、その直下の反
射膜３０２には容量結合するが、隣接するセグメント電
極３１４には容量結合しにくくなるので、表示品位の低
下を防止することができる。さらに、このような構成に
おいて、セグメント電極３１４とその直下の反射膜３０
２との接続点を設けて両者を物理的に接続する構成とし
ても良い。
【００７０】＜第３実施形態＞上述した第１、第２実施
形態では、カラーフィルタ２０４が観察側基板２００に
設けられていたが、本発明は、これに限られず、背面側
基板３００に設ける構成としても良い。ただし、カラー
フィルタは、反射膜３０２を形成した後、すなわち、反
射膜３０２の上面に設けなければならない。ここで、カ
ラーフィルタとして、例えば、着色料を含有するアクリ
ル系樹脂を用いる場合、当該樹脂を乾燥・硬化させるた
めの高音処理によって、反射膜３０２を組成する銀合金
等の結晶粒子が成長して、反射率が低下する可能性があ
る点に留意しなければならない。そこで、このような点
に留意して、カラーフィルタを背面側基板３００に設け
た第３実施形態について説明することにする。
形態では、カラーフィルタ２０４が観察側基板２００に
設けられていたが、本発明は、これに限られず、背面側
基板３００に設ける構成としても良い。ただし、カラー
フィルタは、反射膜３０２を形成した後、すなわち、反
射膜３０２の上面に設けなければならない。ここで、カ
ラーフィルタとして、例えば、着色料を含有するアクリ
ル系樹脂を用いる場合、当該樹脂を乾燥・硬化させるた
めの高音処理によって、反射膜３０２を組成する銀合金
等の結晶粒子が成長して、反射率が低下する可能性があ
る点に留意しなければならない。そこで、このような点
に留意して、カラーフィルタを背面側基板３００に設け
た第３実施形態について説明することにする。
【００７１】この第３実施形態に係る液晶表示装置のう
ち、液晶パネル１００の全体構成については第１実施形
態（図１参照）と同様であるが、その内面構造について
は相違がある。ここで、図１８および図１９は、それぞ
れ液晶パネルをＸ方向およびＹ方向のそれぞれに沿って
破断した場合の構成を示す部分断面図である。これらの
図に示されるように、カラーフィルタ３０５は、観察側
基板２００ではなく背面側基板３００に設けられる。こ
のため、観察側基板２００には、遮光膜２０２や平坦化
膜２０５（図２、図３参照）が設けられず、コモン電極
２１４を構成する透明導電膜が図において直接設けられ
ている。また、配向膜２０８は、観察側基板２００の対
向面や、コモン電極２１４の表面に設けられることにな
る。
ち、液晶パネル１００の全体構成については第１実施形
態（図１参照）と同様であるが、その内面構造について
は相違がある。ここで、図１８および図１９は、それぞ
れ液晶パネルをＸ方向およびＹ方向のそれぞれに沿って
破断した場合の構成を示す部分断面図である。これらの
図に示されるように、カラーフィルタ３０５は、観察側
基板２００ではなく背面側基板３００に設けられる。こ
のため、観察側基板２００には、遮光膜２０２や平坦化
膜２０５（図２、図３参照）が設けられず、コモン電極
２１４を構成する透明導電膜が図において直接設けられ
ている。また、配向膜２０８は、観察側基板２００の対
向面や、コモン電極２１４の表面に設けられることにな
る。
【００７２】また、観察側基板３００にあって保護膜３
０３の表面には、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色
のカラーフィルタ３０５が、コモン電極２１４とセグメ
ント電極３１４との交差領域に対応して、ストライプ配
列（図４参照）にて設けられている。さらに、これら各
色のカラーフィルタ３０５による段差を平坦化するため
に、絶縁材からなる平坦化膜３０７が設けられ、この平
坦化された面に、ＩＴＯ等の透明導電材料からなるセグ
メント電極３１４がＹ方向に延在して帯状に複数形成さ
れている。そして、セグメント電極３１４や平坦化膜３
０７の表面には、ポリイミド等からなる配向膜３０８が
形成されて、観察側基板２００と貼り合わせる前に、所
定の方向にラビング処理が施される。
０３の表面には、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色
のカラーフィルタ３０５が、コモン電極２１４とセグメ
ント電極３１４との交差領域に対応して、ストライプ配
列（図４参照）にて設けられている。さらに、これら各
色のカラーフィルタ３０５による段差を平坦化するため
に、絶縁材からなる平坦化膜３０７が設けられ、この平
坦化された面に、ＩＴＯ等の透明導電材料からなるセグ
メント電極３１４がＹ方向に延在して帯状に複数形成さ
れている。そして、セグメント電極３１４や平坦化膜３
０７の表面には、ポリイミド等からなる配向膜３０８が
形成されて、観察側基板２００と貼り合わせる前に、所
定の方向にラビング処理が施される。
【００７３】なお、本実施形態において、反射膜３０２
は、シール材１１０の枠内では電気的に浮いた状態とな
っている。このため、反射膜３０２とセグメント電極３
１４との距離が約２μｍ程度となるように、保護膜３０
３、カラーフィルタ３０５および平坦化膜３０７が形成
されて、セグメント電極３１４の各々が、反射膜３０２
に対して容量的に結合しないよう構成となっている。ま
た、本実施形態における保護膜３０３は、反射膜３０２
を保護する膜のほか、カラーフィルタ３０５を形成する
際における高温処理により、反射膜３０２の反射率が低
下するのを防止する膜、さらには、観察側基板２００の
側から入射した光のうち、青色成分の光を多く反射させ
る膜としての機能を兼ね備えたものである。一方、本実
施形態において、配向膜３０８や、その下層の平坦化膜
３０７、保護膜３０３は、表示領域外では不要であるか
ら、シール材１１０の領域近傍およびその外側では設け
られていない。このため、セグメント電極３１４は、図
１９に示されるように、シール材１１０の領域近傍で
は、下地膜３０１の表面に形成されることになる。さら
に、本実施形態における配線３１０、３５０、３６０、
３７０については、第２実施形態と同様であるので、そ
の断面構成や、ドライバＩＣ周辺の構成については、図
１３および図１４と同様となる。
は、シール材１１０の枠内では電気的に浮いた状態とな
っている。このため、反射膜３０２とセグメント電極３
１４との距離が約２μｍ程度となるように、保護膜３０
３、カラーフィルタ３０５および平坦化膜３０７が形成
されて、セグメント電極３１４の各々が、反射膜３０２
に対して容量的に結合しないよう構成となっている。ま
た、本実施形態における保護膜３０３は、反射膜３０２
を保護する膜のほか、カラーフィルタ３０５を形成する
際における高温処理により、反射膜３０２の反射率が低
下するのを防止する膜、さらには、観察側基板２００の
側から入射した光のうち、青色成分の光を多く反射させ
る膜としての機能を兼ね備えたものである。一方、本実
施形態において、配向膜３０８や、その下層の平坦化膜
３０７、保護膜３０３は、表示領域外では不要であるか
ら、シール材１１０の領域近傍およびその外側では設け
られていない。このため、セグメント電極３１４は、図
１９に示されるように、シール材１１０の領域近傍で
は、下地膜３０１の表面に形成されることになる。さら
に、本実施形態における配線３１０、３５０、３６０、
３７０については、第２実施形態と同様であるので、そ
の断面構成や、ドライバＩＣ周辺の構成については、図
１３および図１４と同様となる。
【００７４】＜製造プロセス＞次に、第３実施形態に係
る液晶表示装置の製造プロセス、特に、背面側基板の製
造プロセスについて、図２０および図２１を参照して説
明する。なお、ここでも第１、第２実施形態と同様に、
セグメント電極３１４と配線３５０とを中心にして、シ
ールの枠内（表示領域）、シール材およびシールの枠外
にわけて説明することとする。なお、第３実施形態にお
いて、下地膜３０１に反射膜３０２となる導電層３０
２’を低温スパッタリングにより成膜する工程までにつ
いては、第１、第２実施形態（図８（ａ）、図８（ｂ）
および図１５（ａ）、図１５（ｂ）参照）と共通である
ので、以降の工程を中心に説明することとする。
る液晶表示装置の製造プロセス、特に、背面側基板の製
造プロセスについて、図２０および図２１を参照して説
明する。なお、ここでも第１、第２実施形態と同様に、
セグメント電極３１４と配線３５０とを中心にして、シ
ールの枠内（表示領域）、シール材およびシールの枠外
にわけて説明することとする。なお、第３実施形態にお
いて、下地膜３０１に反射膜３０２となる導電層３０
２’を低温スパッタリングにより成膜する工程までにつ
いては、第１、第２実施形態（図８（ａ）、図８（ｂ）
および図１５（ａ）、図１５（ｂ）参照）と共通である
ので、以降の工程を中心に説明することとする。
【００７５】すなわち、図２０（ｃ）に示すように、低
温スパッタリングで成膜された導電層３０２’をフォト
リソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてパター
ニングして、シール枠内においては開口部３０９ととも
に反射膜３０２を、シール枠外においては反射性導電膜
３５２のほか、同時に反射性導電膜３１２、３６２、３
７２を、それぞれ形成する。
温スパッタリングで成膜された導電層３０２’をフォト
リソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてパター
ニングして、シール枠内においては開口部３０９ととも
に反射膜３０２を、シール枠外においては反射性導電膜
３５２のほか、同時に反射性導電膜３１２、３６２、３
７２を、それぞれ形成する。
【００７６】この後、同図（ｄ）に示すように、シール
枠内において、反射膜３０２を覆うように、例えば酸化
チタンなどから保護膜３０３を形成する。そして、同図
（ｅ）に示すように、この保護膜３０３の上に、Ｒ
（赤）、Ｇ（緑）、青（Ｂ）の各色のカラーフィルタ３
０５を、フォトリソグラフィや、印刷、転写等の技術を
用いて、所定の配列で形成する。ここで、カラーフィル
タ３０５は、赤色、緑色、青色のいずれかの着色料を含
有するアクリル系樹脂からなる。このため、当該樹脂を
保護膜３０３上に形成した後、乾燥・硬化させるため
に、高音処理が施されるが、反射膜３０２を組成する銀
合金等の結晶粒子の成長は保護膜３０３によって抑えら
れるので、当該反射膜３０２の反射率が低下するのが防
止されることとなる。一方、この高音処理によって、反
射性導電膜３１２、３５２、３６２、３７２の配線抵抗
は、結晶粒子の成長により低下することになる。なお、
相隣接するサブ画素同士の混色によるコントラストの低
下を防止するために、カラーフィルタ３０５の隙間に
は、クロム等の遮光層が設けられる場合もあるが、本実
施形態では図示を省略している。
枠内において、反射膜３０２を覆うように、例えば酸化
チタンなどから保護膜３０３を形成する。そして、同図
（ｅ）に示すように、この保護膜３０３の上に、Ｒ
（赤）、Ｇ（緑）、青（Ｂ）の各色のカラーフィルタ３
０５を、フォトリソグラフィや、印刷、転写等の技術を
用いて、所定の配列で形成する。ここで、カラーフィル
タ３０５は、赤色、緑色、青色のいずれかの着色料を含
有するアクリル系樹脂からなる。このため、当該樹脂を
保護膜３０３上に形成した後、乾燥・硬化させるため
に、高音処理が施されるが、反射膜３０２を組成する銀
合金等の結晶粒子の成長は保護膜３０３によって抑えら
れるので、当該反射膜３０２の反射率が低下するのが防
止されることとなる。一方、この高音処理によって、反
射性導電膜３１２、３５２、３６２、３７２の配線抵抗
は、結晶粒子の成長により低下することになる。なお、
相隣接するサブ画素同士の混色によるコントラストの低
下を防止するために、カラーフィルタ３０５の隙間に
は、クロム等の遮光層が設けられる場合もあるが、本実
施形態では図示を省略している。
【００７７】続いて、図２１（ｆ）に示すように、カラ
ーフィルタ３０５の保護と平坦化のためにアクリル樹脂
やエポキシ樹脂により平坦化（オーバーコート）膜３０
７を形成する。この後、同図（ｇ）に示すように、平坦
化膜３０７により平坦化された面に、ＩＴＯ等の透明導
電層３１４’を、スパッタリングなどにより成膜する。
次に、同図（ｈ）に示されるように、導電層３１４’
を、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用
いてパターニングして、シール枠内においてはセグメン
ト電極３１４を、シール枠外においては透明導電膜３５
４、３６４、３７４を、それぞれ形成する。この際、反
射性導電膜３１２、３５２、３６２、３７２が露出しな
いように、セグメント電極３１４、透明導電膜３５４、
３６４、３７４の周縁部分が下地膜３０１に接するよう
に残しておく。これにより、導電層３１４’の成膜後に
は、反射性導電膜３１２、３５２、３６２、３７２の表
面が露出することはないので、これらの腐食・剥離等が
防止されることになる。
ーフィルタ３０５の保護と平坦化のためにアクリル樹脂
やエポキシ樹脂により平坦化（オーバーコート）膜３０
７を形成する。この後、同図（ｇ）に示すように、平坦
化膜３０７により平坦化された面に、ＩＴＯ等の透明導
電層３１４’を、スパッタリングなどにより成膜する。
次に、同図（ｈ）に示されるように、導電層３１４’
を、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用
いてパターニングして、シール枠内においてはセグメン
ト電極３１４を、シール枠外においては透明導電膜３５
４、３６４、３７４を、それぞれ形成する。この際、反
射性導電膜３１２、３５２、３６２、３７２が露出しな
いように、セグメント電極３１４、透明導電膜３５４、
３６４、３７４の周縁部分が下地膜３０１に接するよう
に残しておく。これにより、導電層３１４’の成膜後に
は、反射性導電膜３１２、３５２、３６２、３７２の表
面が露出することはないので、これらの腐食・剥離等が
防止されることになる。
【００７８】そして、同図（ｉ）に示すように、ポリイ
ミド等の有機膜からなる配向膜３０８を形成して、当該
配向膜３０８にラビング処理を施す。以降の製造プロセ
スについては、第１、第２実施形態と同様に、観察側基
板２００と背面側基板３００との貼り合わせ、液晶１６
０の注入・封止、および、ドライバＩＣ１２２、１２４
並びにＦＰＣ基板１５０に実装を経て、第３実施形態に
おける液晶パネル１００となる。なお、表示動作につい
ても第１実施形態と同様である。
ミド等の有機膜からなる配向膜３０８を形成して、当該
配向膜３０８にラビング処理を施す。以降の製造プロセ
スについては、第１、第２実施形態と同様に、観察側基
板２００と背面側基板３００との貼り合わせ、液晶１６
０の注入・封止、および、ドライバＩＣ１２２、１２４
並びにＦＰＣ基板１５０に実装を経て、第３実施形態に
おける液晶パネル１００となる。なお、表示動作につい
ても第１実施形態と同様である。
【００７９】この第３実施形態において、反射性導電膜
３１２、３５２、３６２、３７２は、反射膜３０２を構
成する銀合金等の導電層３０２’をパターニングしたも
のであって、その後におけるカラーフィルタ３０５や配
向膜３０８の高音処理により結晶粒子を成長させたもの
であるから、反射膜３０２よりも低抵抗となる。一方、
反射膜３０２は保護膜３０２により覆われているので、
その結晶粒子の成長が抑えられる結果、反射率は低下し
ないことになる。したがって、第３実施形態によれば、
第２実施形態と同様に、反射膜３０２の反射率低下防止
と、反射性導電膜３１２、３５２、３６２、３７２の配
線抵抗の低減とが達成されることになる。
３１２、３５２、３６２、３７２は、反射膜３０２を構
成する銀合金等の導電層３０２’をパターニングしたも
のであって、その後におけるカラーフィルタ３０５や配
向膜３０８の高音処理により結晶粒子を成長させたもの
であるから、反射膜３０２よりも低抵抗となる。一方、
反射膜３０２は保護膜３０２により覆われているので、
その結晶粒子の成長が抑えられる結果、反射率は低下し
ないことになる。したがって、第３実施形態によれば、
第２実施形態と同様に、反射膜３０２の反射率低下防止
と、反射性導電膜３１２、３５２、３６２、３７２の配
線抵抗の低減とが達成されることになる。
【００８０】＜第３実施形態の応用＞ところで、第３実
施形態において、銀を含む反射膜３０２は、保護膜３０
３によって覆われるために、電気的に浮いた状態とな
る。このため、特に相隣接するセグメント電極３１４同
士が反射膜３０２を介して容量結合して、表示品位が低
下する可能性がある。そこで、実施形態にあっては、反
射膜３０２とセグメント電極３１４との距離が約２μｍ
程度となるように保護膜３０３、カラーフィルタ３０５
および平坦化膜３０７を形成して、両者が容量結合しな
いような構成とした。ただし、このような構成では、カ
ラーフィルタの有無により段差が生じやすくなり、平坦
化膜３０７によって表面が最終的に均一でなければ、セ
ルギャップの乱れにより表示品位の低下を招くことにな
る。
施形態において、銀を含む反射膜３０２は、保護膜３０
３によって覆われるために、電気的に浮いた状態とな
る。このため、特に相隣接するセグメント電極３１４同
士が反射膜３０２を介して容量結合して、表示品位が低
下する可能性がある。そこで、実施形態にあっては、反
射膜３０２とセグメント電極３１４との距離が約２μｍ
程度となるように保護膜３０３、カラーフィルタ３０５
および平坦化膜３０７を形成して、両者が容量結合しな
いような構成とした。ただし、このような構成では、カ
ラーフィルタの有無により段差が生じやすくなり、平坦
化膜３０７によって表面が最終的に均一でなければ、セ
ルギャップの乱れにより表示品位の低下を招くことにな
る。
【００８１】そこで、図２２に示されるように反射膜３
０２を平面的にみてセグメント電極３１４と重なるよう
に略同一幅でパターニングする構成とするのが望まし
い。このように構成にすると、反射膜３０２とセグメン
ト電極３１４との距離が狭くても、ある一のセグメント
電極３１４は、その直下の反射膜３０２には容量結合す
るが、隣接するセグメント電極３１４には容量結合しに
くくなるので、表示品位の低下を防止することができ
る。さらに、セグメント電極３１４と、パターニングし
た反射膜３０２とを、図２３における接続点ＣＰを設け
て両者を物理的に接続する構成としても良い。
０２を平面的にみてセグメント電極３１４と重なるよう
に略同一幅でパターニングする構成とするのが望まし
い。このように構成にすると、反射膜３０２とセグメン
ト電極３１４との距離が狭くても、ある一のセグメント
電極３１４は、その直下の反射膜３０２には容量結合す
るが、隣接するセグメント電極３１４には容量結合しに
くくなるので、表示品位の低下を防止することができ
る。さらに、セグメント電極３１４と、パターニングし
た反射膜３０２とを、図２３における接続点ＣＰを設け
て両者を物理的に接続する構成としても良い。
【００８２】＜第４実施形態＞上述した第１、第２およ
び第３実施形態では、反射膜３０２において青色成分の
光が減衰して反射する点を考慮し、反射膜３０２の表面
に設けた保護膜３０３によって、青色成分の光を多く反
射させる構成としたが、本発明は、これに限られない。
すなわち、反射膜３０２によって減衰する青色成分の光
を、赤色・緑色成分と比較して相対的に高める機能につ
いては、保護膜３０３以外の層・膜に持たせる構成とし
ても良い。そこで、このような機能を、カラーフィルタ
に持たせた第４実施形態について説明する。
び第３実施形態では、反射膜３０２において青色成分の
光が減衰して反射する点を考慮し、反射膜３０２の表面
に設けた保護膜３０３によって、青色成分の光を多く反
射させる構成としたが、本発明は、これに限られない。
すなわち、反射膜３０２によって減衰する青色成分の光
を、赤色・緑色成分と比較して相対的に高める機能につ
いては、保護膜３０３以外の層・膜に持たせる構成とし
ても良い。そこで、このような機能を、カラーフィルタ
に持たせた第４実施形態について説明する。
【００８３】なお、この第４実施形態における保護膜３
０３は、第１、第２および第３実施形態のように、青色
成分の光を多く反射させる膜としての機能を有さず、単
に、反射膜３０２の保護（および、高音処理による結晶
粒子の成長抑制）の機能しか有さない。このため、第４
実施形態における保護膜３０３として、SiO2やSiNな
ど、単なる透明性材料を用いることができる。また、第
４実施形態におけるカラーフィルタについては、第１、
第２実施形態のように観察側基板２００に設けても良
く、また、第３実施形態のように背面側基板に設けても
良い。要は、次に述べるような特性を持つようにＲ
（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の色を設定すれば良いので
ある。
０３は、第１、第２および第３実施形態のように、青色
成分の光を多く反射させる膜としての機能を有さず、単
に、反射膜３０２の保護（および、高音処理による結晶
粒子の成長抑制）の機能しか有さない。このため、第４
実施形態における保護膜３０３として、SiO2やSiNな
ど、単なる透明性材料を用いることができる。また、第
４実施形態におけるカラーフィルタについては、第１、
第２実施形態のように観察側基板２００に設けても良
く、また、第３実施形態のように背面側基板に設けても
良い。要は、次に述べるような特性を持つようにＲ
（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の色を設定すれば良いので
ある。
【００８４】図２４は、本実施形態におけるカラーフィ
ルタのＲ、Ｇ、Ｂの各色についての透過率／波長の特性
を示す図である。なお、この図においては、透過光の強
度が最大となる透過率を１００％として正規化してあ
る。次に、図２５は、本実施形態におけるカラーフィル
タの透過光Ｒ、Ｇ、Ｂを、ＣＩＥ（Commission Interna
tionale de l'Eclairage：国際照明委員会）１３９１標
準表色系において示したｘｙ色度図である。
ルタのＲ、Ｇ、Ｂの各色についての透過率／波長の特性
を示す図である。なお、この図においては、透過光の強
度が最大となる透過率を１００％として正規化してあ
る。次に、図２５は、本実施形態におけるカラーフィル
タの透過光Ｒ、Ｇ、Ｂを、ＣＩＥ（Commission Interna
tionale de l'Eclairage：国際照明委員会）１３９１標
準表色系において示したｘｙ色度図である。
【００８５】この図に示されるように、本実施形態にお
いて、青のカラーフィルタを透過した光の座標Ｂは、赤
のカラーフィルタを透過した光の座標Ｒよりも、Ｗ（白
色：ここでは、ｘ＝０．３００、ｙ＝０．３０１として
いる）からみて外側に位置しているので、Ｂの彩度は、
ＧやＲと比較して高い。すなわち、本実施形態では、Ｂ
の座標からＷの座標までの距離Ｌ１は、Ｇの座標からＷ
の座標までの距離Ｌ２や、特にＲの座標からＷの座標ま
での距離Ｌ３よりも、長くなるように、カラーフィルタ
の透過光特性が設定されている。このようなＢの座標に
設定された色は、具体的には、図２６に示されるよう
に、ｘｙ色度図における一般的な色区分である青緑（Ｂ
Ｇ）およぶ青（Ｂ）の領域に含まれる。このため、本実
施形態では、カラーフィルタを透過しただけの光につい
てみれば、青色成分が強調されることになる。ただし、
青色成分が強調された光は、銀を含む反射膜３０２の反
射によって、青色成分が減殺して、観察側に出射するこ
とになる。このため、観察側への反射光（戻り光）は、
強さと量とが程良くバランスした白色になる。
いて、青のカラーフィルタを透過した光の座標Ｂは、赤
のカラーフィルタを透過した光の座標Ｒよりも、Ｗ（白
色：ここでは、ｘ＝０．３００、ｙ＝０．３０１として
いる）からみて外側に位置しているので、Ｂの彩度は、
ＧやＲと比較して高い。すなわち、本実施形態では、Ｂ
の座標からＷの座標までの距離Ｌ１は、Ｇの座標からＷ
の座標までの距離Ｌ２や、特にＲの座標からＷの座標ま
での距離Ｌ３よりも、長くなるように、カラーフィルタ
の透過光特性が設定されている。このようなＢの座標に
設定された色は、具体的には、図２６に示されるよう
に、ｘｙ色度図における一般的な色区分である青緑（Ｂ
Ｇ）およぶ青（Ｂ）の領域に含まれる。このため、本実
施形態では、カラーフィルタを透過しただけの光につい
てみれば、青色成分が強調されることになる。ただし、
青色成分が強調された光は、銀を含む反射膜３０２の反
射によって、青色成分が減殺して、観察側に出射するこ
とになる。このため、観察側への反射光（戻り光）は、
強さと量とが程良くバランスした白色になる。
【００８６】＜液晶パネルの別構成＞上述した実施形態
では、コモン電極２１４をドライバＩＣ１２２により、
セグメント電極３１４をドライバＩＣ１２４により、そ
れぞれ駆動する構成（図１参照）としたが、本発明は、
これに限られず、例えば図２７に示されるように、両者
を１チップ化したタイプにも適用可能である。この図に
示される液晶表示装置では、観察側基板２００にコモン
電極２１４がＸ方向に複数本延在して形成される点にお
いて実施形態と共通であるが、上半分のコモン電極２１
４が左側から、下半分のコモン電極２１４が右側から、
それぞれ配線３５０を介し引き出されてドライバＩＣ１
２６に接続されている点において実施形態と相違してい
る。
では、コモン電極２１４をドライバＩＣ１２２により、
セグメント電極３１４をドライバＩＣ１２４により、そ
れぞれ駆動する構成（図１参照）としたが、本発明は、
これに限られず、例えば図２７に示されるように、両者
を１チップ化したタイプにも適用可能である。この図に
示される液晶表示装置では、観察側基板２００にコモン
電極２１４がＸ方向に複数本延在して形成される点にお
いて実施形態と共通であるが、上半分のコモン電極２１
４が左側から、下半分のコモン電極２１４が右側から、
それぞれ配線３５０を介し引き出されてドライバＩＣ１
２６に接続されている点において実施形態と相違してい
る。
【００８７】ここで、ドライバＩＣ１２６は、実施形態
におけるドライバＩＣ１２２、１２４を１チップ化した
ものであり、このため、シール材１１０の枠外において
セグメント電極３１４とも接続されている。すなわち、
シール枠外では、反射性導電膜３１２とセグメント電極
３１４とが積層された配線３１０であるが、ドライバＩ
Ｃ１２６と接続される領域では、反射性導電膜３１２が
積層されていないので、セグメント電極３１４と接続さ
れることになる。
におけるドライバＩＣ１２２、１２４を１チップ化した
ものであり、このため、シール材１１０の枠外において
セグメント電極３１４とも接続されている。すなわち、
シール枠外では、反射性導電膜３１２とセグメント電極
３１４とが積層された配線３１０であるが、ドライバＩ
Ｃ１２６と接続される領域では、反射性導電膜３１２が
積層されていないので、セグメント電極３１４と接続さ
れることになる。
【００８８】そして、ＦＰＣ基板１５０は、外部回路
（図示省略）からドライバＩＣ１２６を制御するための
信号等を、配線３６０（３７０）を介して供給すること
になる。なお、図２７に示される液晶表示装置におい
て、コモン電極２１４の本数が少ないのであれば、当該
コモン電極２１４を片側一方からのみ引き出す構成とし
ても良い。
（図示省略）からドライバＩＣ１２６を制御するための
信号等を、配線３６０（３７０）を介して供給すること
になる。なお、図２７に示される液晶表示装置におい
て、コモン電極２１４の本数が少ないのであれば、当該
コモン電極２１４を片側一方からのみ引き出す構成とし
ても良い。
【００８９】一方、図２８に示されるように、ドライバ
ＩＣ１２６を液晶パネル１００に実装しないタイプにも
適用可能である。すなわち、この図に示される液晶表示
装置では、ドライバＩＣ１２６がフリップチップ等の技
術によりＦＰＣ基板１５０に実装されている。また、Ｔ
ＡＢ（Tape Automated Bonding）技術を用いて、ドライ
バＩＣ１２６をそのインナーリードでボンディングする
一方、液晶パネル１００とはそのアウターリードで接合
する構成としても良い。ただし、このような構成では、
画素数が多くなるにつれて、ＦＰＣ基板１５０との接続
点数が増加することになる。
ＩＣ１２６を液晶パネル１００に実装しないタイプにも
適用可能である。すなわち、この図に示される液晶表示
装置では、ドライバＩＣ１２６がフリップチップ等の技
術によりＦＰＣ基板１５０に実装されている。また、Ｔ
ＡＢ（Tape Automated Bonding）技術を用いて、ドライ
バＩＣ１２６をそのインナーリードでボンディングする
一方、液晶パネル１００とはそのアウターリードで接合
する構成としても良い。ただし、このような構成では、
画素数が多くなるにつれて、ＦＰＣ基板１５０との接続
点数が増加することになる。
【００９０】＜応用例・変形例＞なお、上述した実施形
態では、半透過半反射型の液晶表示装置としたが、開口
部３０９を設けずに、単なる反射型としても良い。反射
型とする場合には、バックライトに代えて、必要に応じ
て観察者側から光を照射するフロントライトを設けても
良い。また、半透過半反射型とする場合、反射膜３０２
に、開口部３０９を必ずしも設ける必要がない。すなわ
ち、背面側基板３００側からの入射光の一部が、なんら
かの構成によって、液晶１６０を介し観察者に視認され
れば良い。例えば、反射膜３０２の膜厚をごく薄くすれ
ば、開口部３０９を設けることなく、半透過半反射パタ
ーンとして機能することになる。
態では、半透過半反射型の液晶表示装置としたが、開口
部３０９を設けずに、単なる反射型としても良い。反射
型とする場合には、バックライトに代えて、必要に応じ
て観察者側から光を照射するフロントライトを設けても
良い。また、半透過半反射型とする場合、反射膜３０２
に、開口部３０９を必ずしも設ける必要がない。すなわ
ち、背面側基板３００側からの入射光の一部が、なんら
かの構成によって、液晶１６０を介し観察者に視認され
れば良い。例えば、反射膜３０２の膜厚をごく薄くすれ
ば、開口部３０９を設けることなく、半透過半反射パタ
ーンとして機能することになる。
【００９１】一方、実施形態では、コモン電極２１４と
配線３５０との導通を、シール材１１０に混入された導
電性粒子１１４により図る構成としたが、シール材１１
０の枠外に別途設けられた領域において導通を図る構成
としても良い。さらに、コモン電極２１４およびセグメ
ント電極３１４は、互いに相対的な関係にあるため、観
察側基板２００にセグメント電極を形成するとともに、
背面側基板３００にコモン電極を形成しても良い。くわ
えて、実施形態にあっては、スイッチング素子を用いな
いで液晶を駆動するパッシブマトリクス型としたが、サ
ブ画素毎にＴＦＤ（Thin Film Diode：薄膜ダイオー
ド）素子や、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子を設
けて、これらにより駆動する構成としても良い。また、
実施形態では、カラー表示を行う液晶表示装置として説
明したが、単に、白黒表示を行う液晶表示装置としても
良いのはもちろんである。
配線３５０との導通を、シール材１１０に混入された導
電性粒子１１４により図る構成としたが、シール材１１
０の枠外に別途設けられた領域において導通を図る構成
としても良い。さらに、コモン電極２１４およびセグメ
ント電極３１４は、互いに相対的な関係にあるため、観
察側基板２００にセグメント電極を形成するとともに、
背面側基板３００にコモン電極を形成しても良い。くわ
えて、実施形態にあっては、スイッチング素子を用いな
いで液晶を駆動するパッシブマトリクス型としたが、サ
ブ画素毎にＴＦＤ（Thin Film Diode：薄膜ダイオー
ド）素子や、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子を設
けて、これらにより駆動する構成としても良い。また、
実施形態では、カラー表示を行う液晶表示装置として説
明したが、単に、白黒表示を行う液晶表示装置としても
良いのはもちろんである。
【００９２】さらにまた、実施形態では、液晶としてＴ
Ｎ型を用いたが、ＢＴＮ（Bi-stable Twisted Nemati
c）型・強誘電型などのメモリ性を有する双安定型や、
高分子分散型、さらには、分子の長軸方向と短軸方向と
で可視光の吸収に異方性を有する染料（ゲスト）を一定
の分子配列の液晶（ホスト）に溶解して、染料分子を液
晶分子と平行に配列させたＧＨ（ゲストホスト）型など
の液晶を用いても良い。また、電圧無印加時には液晶分
子が両基板に対して垂直方向に配列する一方、電圧印加
時には液晶分子が両基板に対して水平方向に配列する、
という垂直配向（ホメオトロピック配向）の構成として
も良いし、電圧無印加時には液晶分子が両基板に対して
水平方向に配列する一方、電圧印加時には液晶分子が両
基板に対して垂直方向に配列する、という平行（水平）
配向（ホモジニアス配向）の構成としても良い。このよ
うに、本発明では、液晶や配向方式として、種々のもの
に適用することが可能である。
Ｎ型を用いたが、ＢＴＮ（Bi-stable Twisted Nemati
c）型・強誘電型などのメモリ性を有する双安定型や、
高分子分散型、さらには、分子の長軸方向と短軸方向と
で可視光の吸収に異方性を有する染料（ゲスト）を一定
の分子配列の液晶（ホスト）に溶解して、染料分子を液
晶分子と平行に配列させたＧＨ（ゲストホスト）型など
の液晶を用いても良い。また、電圧無印加時には液晶分
子が両基板に対して垂直方向に配列する一方、電圧印加
時には液晶分子が両基板に対して水平方向に配列する、
という垂直配向（ホメオトロピック配向）の構成として
も良いし、電圧無印加時には液晶分子が両基板に対して
水平方向に配列する一方、電圧印加時には液晶分子が両
基板に対して垂直方向に配列する、という平行（水平）
配向（ホモジニアス配向）の構成としても良い。このよ
うに、本発明では、液晶や配向方式として、種々のもの
に適用することが可能である。
【００９３】＜電子機器＞次に、上述した液晶表示装置
を具体的な電子機器に用いた例のいくつかについて説明
する。
を具体的な電子機器に用いた例のいくつかについて説明
する。
【００９４】＜その１：モバイル型コンピュータ＞ま
ず、この実施形態に係る液晶表示装置を、モバイル型の
パーソナルコンピュータに適用した例について説明す
る。図２９は、このパーソナルコンピュータの構成を示
す斜視図である。図において、パーソナルコンピュータ
１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０
４と、液晶表示ユニット１１０６とから構成されてい
る。この液晶表示ユニット１１０６は、先に述べた液晶
パネル１００の背面にバックライト（図示省略）を付加
することにより構成されている。これにより、外光があ
れば反射型として、外光が不十分であればバックライト
を点灯させることで透過型として、表示が視認できるよ
うになっている。
ず、この実施形態に係る液晶表示装置を、モバイル型の
パーソナルコンピュータに適用した例について説明す
る。図２９は、このパーソナルコンピュータの構成を示
す斜視図である。図において、パーソナルコンピュータ
１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０
４と、液晶表示ユニット１１０６とから構成されてい
る。この液晶表示ユニット１１０６は、先に述べた液晶
パネル１００の背面にバックライト（図示省略）を付加
することにより構成されている。これにより、外光があ
れば反射型として、外光が不十分であればバックライト
を点灯させることで透過型として、表示が視認できるよ
うになっている。
【００９５】＜その２：携帯電話＞次に、液晶表示装置
を、携帯電話の表示部に適用した例について説明する。
図３０は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。図
において、携帯電話１２００は、複数の操作ボタン１２
０２のほか、受話口１２０４、送話口１２０６ととも
に、上述した液晶パネル１００を備えるものである。な
お、この液晶パネル１００の背面にも、視認性を高める
ためのバックライト（図示省略）が必要に応じて設けら
れる。
を、携帯電話の表示部に適用した例について説明する。
図３０は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。図
において、携帯電話１２００は、複数の操作ボタン１２
０２のほか、受話口１２０４、送話口１２０６ととも
に、上述した液晶パネル１００を備えるものである。な
お、この液晶パネル１００の背面にも、視認性を高める
ためのバックライト（図示省略）が必要に応じて設けら
れる。
【００９６】＜その３：ディジタルスチルカメラ＞さら
に、液晶表示装置をファインダに用いたディジタルスチ
ルカメラについて説明する。図３１は、このディジタル
スチルカメラの構成を示す斜視図であるが、外部機器と
の接続についても簡易的に示すものである。通常のカメ
ラは、被写体の光像によってフィルムを感光するのに対
し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像
をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子に
より光電変換して撮像信号を生成するものである。ここ
で、ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース１
３０２の背面には、上述した液晶パネル１００が設けら
れ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて、表示を行う構成
となっている。このため、液晶パネル１００は、被写体
を表示するファインダとして機能する。また、ケース１
３０２の前面側（図においては裏面側）には、光学レン
ズやＣＣＤなどを含んだ受光ユニット１３０４が設けら
れている。
に、液晶表示装置をファインダに用いたディジタルスチ
ルカメラについて説明する。図３１は、このディジタル
スチルカメラの構成を示す斜視図であるが、外部機器と
の接続についても簡易的に示すものである。通常のカメ
ラは、被写体の光像によってフィルムを感光するのに対
し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像
をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子に
より光電変換して撮像信号を生成するものである。ここ
で、ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース１
３０２の背面には、上述した液晶パネル１００が設けら
れ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて、表示を行う構成
となっている。このため、液晶パネル１００は、被写体
を表示するファインダとして機能する。また、ケース１
３０２の前面側（図においては裏面側）には、光学レン
ズやＣＣＤなどを含んだ受光ユニット１３０４が設けら
れている。
【００９７】ここで、撮影者が液晶パネル１００に表示
された被写体像を確認して、シャッタボタン１３０６を
押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回
路基板１３０８のメモリに転送・格納される。また、こ
のディジタルスチルカメラ１３００にあっては、ケース
１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、デ
ータ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。
そして、図に示されるように、前者のビデオ信号出力端
子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、また、後者の
データ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコン
ピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続され
る。さらに、所定の操作によって、回路基板１３０８の
メモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０
や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成
となっている。
された被写体像を確認して、シャッタボタン１３０６を
押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回
路基板１３０８のメモリに転送・格納される。また、こ
のディジタルスチルカメラ１３００にあっては、ケース
１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、デ
ータ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。
そして、図に示されるように、前者のビデオ信号出力端
子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、また、後者の
データ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコン
ピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続され
る。さらに、所定の操作によって、回路基板１３０８の
メモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０
や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成
となっている。
【００９８】なお、電子機器としては、図２９のパーソ
ナルコンピュータや、図３０の携帯電話、図３１のディ
ジタルスチルカメラの他にも、液晶テレビや、ビューフ
ァインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カ
ーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワ
ードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、Ｐ
ＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられ
る。そして、これらの各種電子機器の表示部として、上
述した表示装置が適用可能なのは言うまでもない。
ナルコンピュータや、図３０の携帯電話、図３１のディ
ジタルスチルカメラの他にも、液晶テレビや、ビューフ
ァインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カ
ーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワ
ードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、Ｐ
ＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられ
る。そして、これらの各種電子機器の表示部として、上
述した表示装置が適用可能なのは言うまでもない。
【００９９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、反
射型または半透過半反射型の液晶表示装置において反射
膜に銀合金等を用いる場合に、その後の高温処理によっ
て当該反射膜の反射率の低下が防止されるとともに、配
線の抵抗が低く抑えられる。
射型または半透過半反射型の液晶表示装置において反射
膜に銀合金等を用いる場合に、その後の高温処理によっ
て当該反射膜の反射率の低下が防止されるとともに、配
線の抵抗が低く抑えられる。
【図１】 本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置の
全体構成を示す斜視図である。
全体構成を示す斜視図である。
【図２】 同液晶表示装置を構成する液晶パネルをＸ方
向に沿って破断した場合の構成を示す部分断面図であ
る。
向に沿って破断した場合の構成を示す部分断面図であ
る。
【図３】 同液晶パネルをＹ方向に沿って破断した場合
の構成を示す部分断面図である。
の構成を示す部分断面図である。
【図４】 同液晶パネルにおける画素の構成およびシー
ル材近傍の構成を示す平面図である。
ル材近傍の構成を示す平面図である。
【図５】 図４におけるＡ−Ａ’線の断面図である。
【図６】 同液晶パネルにおいて、ドライバＩＣの実装
領域近傍を示す部分断面図である。
領域近傍を示す部分断面図である。
【図７】 同液晶パネルの背面側基板においてドライバ
ＩＣの実装領域近傍を示す部分平面図である。
ＩＣの実装領域近傍を示す部分平面図である。
【図８】 （ａ）〜（ｅ）は、それぞれ同液晶パネルに
おける背面側基板の製造プロセスを示す断面図である。
おける背面側基板の製造プロセスを示す断面図である。
【図９】 （ｆ）〜（ｉ）は、それぞれ同液晶パネルに
おける背面側基板の製造プロセスを示す断面図である。
おける背面側基板の製造プロセスを示す断面図である。
【図１０】 銀およびアルミニウムの反射特性を示す図
である。
である。
【図１１】 本発明の第２実施形態に係る液晶表示装置
の液晶パネルをＸ方向に沿って破断した場合の構成を示
す部分断面図である。
の液晶パネルをＸ方向に沿って破断した場合の構成を示
す部分断面図である。
【図１２】 同液晶パネルをＹ方向に沿って破断した場
合の構成を示す部分断面図である。
合の構成を示す部分断面図である。
【図１３】 同液晶パネルの配線部分の構成を示す断面
図である。
図である。
【図１４】 同液晶パネルにおいて、ドライバＩＣの実
装領域近傍を示す部分断面図である。
装領域近傍を示す部分断面図である。
【図１５】 （ａ）〜（ｆ）は、それぞれ同液晶パネル
における背面側基板の製造プロセスを示す断面図であ
る。
における背面側基板の製造プロセスを示す断面図であ
る。
【図１６】 （ｇ）および（ｈ）は、それぞれ同液晶パ
ネルにおける背面側基板の製造プロセスを示す断面図で
ある。
ネルにおける背面側基板の製造プロセスを示す断面図で
ある。
【図１７】 第１または第２実施形態の応用例に係る液
晶パネルをＸ方向に沿って破断した場合の構成を示す部
分断面図である。
晶パネルをＸ方向に沿って破断した場合の構成を示す部
分断面図である。
【図１８】 本発明の第３実施形態に係る液晶表示装置
の液晶パネルをＸ方向に沿って破断した場合の構成を示
す部分断面図である。
の液晶パネルをＸ方向に沿って破断した場合の構成を示
す部分断面図である。
【図１９】 同液晶パネルをＹ方向に沿って破断した場
合の構成を示す部分断面図である。
合の構成を示す部分断面図である。
【図２０】 （ａ）〜（ｅ）は、それぞれ同液晶パネル
における背面側基板の製造プロセスを示す断面図であ
る。
における背面側基板の製造プロセスを示す断面図であ
る。
【図２１】 （ｆ）〜（ｉ）は、それぞれ同液晶パネル
における背面側基板の製造プロセスを示す断面図であ
る。
における背面側基板の製造プロセスを示す断面図であ
る。
【図２２】 第３実施形態の応用例に係る液晶パネルを
Ｘ方向に沿って破断した場合の構成を示す部分断面図で
ある。
Ｘ方向に沿って破断した場合の構成を示す部分断面図で
ある。
【図２３】 別の応用例に係る液晶パネルをＹ方向に沿
って破断した場合の構成を示す部分断面図である。
って破断した場合の構成を示す部分断面図である。
【図２４】 本発明の第４実施形態に係る液晶表示装置
の液晶パネルにおけるカラーフィルタの特性を示す図で
ある。
の液晶パネルにおけるカラーフィルタの特性を示す図で
ある。
【図２５】 同カラーフィルタによる着色光のｘｙ色度
図である。
図である。
【図２６】 ｘｙ色度図において、同カラーフィルタに
よる青色光として適当な領域を示す図である。
よる青色光として適当な領域を示す図である。
【図２７】 実施形態に係る液晶パネルの別構成を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図２８】 同液晶パネルの変形例を示す斜視図であ
る。
る。
【図２９】 実施形態に係る液晶パネルを適用した電子
機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す斜
視図である。
機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す斜
視図である。
【図３０】 同液晶パネルを適用した電子機器の一例た
る携帯電話の構成を示す斜視図である。
る携帯電話の構成を示す斜視図である。
【図３１】 同液晶パネルを適用した電子機器の一例た
るディジタルスチルカメラの背面側の構成を示す斜視図
である。
るディジタルスチルカメラの背面側の構成を示す斜視図
である。
１００…液晶パネル
１１０…シール材
１１２…封止材
１１４…導電性粒子（導通材）
１２２、１２４、１２６…ドライバＩＣ
１２９ａ、１２９ｂ…バンプ
１３０、１４０…接着材
１３４、１４４…導電性粒子
１５０…ＦＰＣ基板
１６０…液晶
２００…基板（第１の基板）
２０２…遮光膜
２０４、３０５…カラーフィルタ
２０８…配向膜
２１４…コモン電極（第２の透明電極）
３００…基板（第２の基板）
３０１…下地膜
３０２…反射膜
３０３…保護膜
３０８…配向膜
３０９…開口部
３１２、３５２、３６２、３７２…反射性導電膜
３１４…セグメント電極（第１の透明電極）
３５０、３６０、３７０…配線
３５４、３６４、３７４…透明導電膜
１１００…パーソナルコンピュータ
１２００…携帯電話
１３００…ディジタルスチルカメラ
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平５−281531（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−181483（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−337924（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−152623（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−222372（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−37146（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−2707（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−171717（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−333177（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−265000（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−175121（ＪＰ，Ａ)
特開2000−47200（ＪＰ，Ａ)
特開2001−83502（ＪＰ，Ａ)
特開2000−21885（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G02F 1/1345
G02F 1/1343
G02F 1/1335
G02F 1/1333
G02F 1/1362
G02F 1/13 101
Claims (21)
- 【請求項１】 第１の基板と第２の基板とが対向して配
置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間隙に液
晶が封入された液晶装置であって、 前記第１の基板に設けられ、銀を含む反射膜と、 前記反射膜上に形成された保護膜と、 前記保護膜上に設けられた第１の透明電極と、 前記第１の透明電極上に設けられた配向膜と、 前記第１の基板に設けられた第１の配線と、 を具備し、 前記第１の配線は、金属膜を有し、 該金属膜の結晶粒子は、前記反射膜の結晶粒子よりも平
均粒子径が大きいことを特徴とする液晶装置。 - 【請求項２】 第１の基板と第２の基板とが対向して配
置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間隙に液
晶が封入された液晶装置であって、 前記第１の基板に設けられ、銀を含む反射膜と、 前記反射膜上に形成された保護膜と、 前記保護膜上に設けられた第１の透明電極と、 前記第１の透明電極上に設けられた配向膜と、 前記第１の基板に設けられた第１の配線と、 を具備し、 前記第１の配線は、金属膜を有し、 前記反射膜および前記金属膜は、銀単体または銀を主成
分とする銀合金からなり、 前記反射膜および前記金属膜は、前記反射膜の反射率が
前記金属膜の反射率よりも高くなるように形成されてな
ることを特徴とする液晶装置。 - 【請求項３】 第１の基板と第２の基板とが対向して配
置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間隙に液
晶が封入された液晶装置であって、 前記第１の基板に設けられ、銀を含む反射膜と、 前記反射膜上に形成された保護膜と、 前記保護膜上に設けられた第１の透明電極と、 前記第１の透明電極上に設けられた配向膜と、 前記第１の基板に設けられた第１の配線と、 を具備し、 前記第１の配線は、金属膜を有し、 前記反射膜および前記金属膜は、銀単体または銀を主成
分とする銀合金からなり、 前記反射膜および前記金属膜は、前記金属膜の配線抵抗
が前記反射膜の配線抵抗よりも低くなるように形成され
てなることを特徴とする液晶装置。 - 【請求項４】 前記第１の配線は、前記第１の透明電極
が引き出された部分を含み、 前記第１の透明電極が引き出された部分は前記金属膜上
に積層されていることを特徴とする請求項１乃至３のい
ずれか１項に記載の液晶装置。 - 【請求項５】 前記第２の基板上には第２の透明電極が
設けられ、 前記第１の配線は、導通材を介して前記第２の透明電極
に導通していることを特徴とする請求項１乃至３のいず
れか１項に記載の液晶装置。 - 【請求項６】 前記反射膜および前記金属膜は、銀単体
または銀を主成分とする銀合金からなることを特徴とす
る請求項１に記載の液晶装置。 - 【請求項７】 前記保護膜は、酸化チタンを含むことを
特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の液晶
装置。 - 【請求項８】 前記反射膜の結晶粒子の平均粒子径は、
0.1nm〜6.0nmであり、 前記金属膜の結晶粒子の平均粒子径は、2.0nm〜20nmで
あることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。 - 【請求項９】 前記金属膜は、前記反射膜の上に設けら
れていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。 - 【請求項１０】 前記第１の配線は、前記金属膜に積層
された金属酸化物膜をさらに有することを特徴とする請
求項１に記載の液晶装置。 - 【請求項１１】 前記第２の基板に設けられた第２の透
明電極と、 前記第１の配線に出力信号を供給するドライバＩＣとを
さらに有し、 前記第１の配線は、第２の透明電極と導通材を介して接
続されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装
置。 - 【請求項１２】 前記第１の基板に設けられた第２の配
線と、 前記液晶を駆動するドライバＩＣとをさらに有し、 前記第２の配線は、金属膜を有し、 前記ドライバＩＣには、前記第２の配線を介して入力信
号が供給されていることを特徴とする請求項１に記載の
液晶装置。 - 【請求項１３】 第１の基板と第２の基板とが対向して
配置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間隙に
液晶が封入された液晶装置であって、 前記第１の基板に設けられ、金属を含む反射膜と、 前記反射膜に積層された第１の透明電極と、 前記第１の基板に設けられた配線とを有し、 前記配線は、金属膜を有し、 前記金属膜の結晶粒子は、前記反射膜の結晶粒子よりも
平均粒子径が大きいことを特徴とする液晶装置。 - 【請求項１４】 前記第１の基板の一辺側に設けられ、
前記第２の基板とは重なり合わない第１の張り出し領域
と、 前記第１の基板にあって、前記一辺と交差する辺側に設
けられ、前記第２の基板とは重なり合わない第２の張り
出し領域とを有し、 前記配線は、前記第１の張り出し領域、および、第２の
張り出し領域の双方にわたって設けられていることを特
徴とする請求項１１に記載の液晶装置。 - 【請求項１５】 請求項１乃至１４のいずれか１項に記
載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。 - 【請求項１６】 第１の基板と第２の基板とが対向して
配置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間隙に
液晶が封入された液晶装置であって、 銀を含む反射膜を前記第１の基板上に形成する工程と、 保護膜を前記反射膜上に設ける工程と、 配線を構成する金属膜を前記第１の基板上に形成する工
程と、 透明電極を前記保護膜上に設ける工程と、 配向膜を前記透明電極上に設ける工程と、 を具備し、 前記金属膜の結晶粒子の平均粒子径を、前記反射膜の結
晶粒子の平均粒子径よりも大きくすることを特徴とする
液晶装置の製造方法。 - 【請求項１７】 第１の基板と第２の基板とが対向して
配置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間隙に
液晶が封入された液晶装置であって、 銀単体または銀を主成分とする銀合金からなる反射膜を
前記第１の基板上に形成する工程と、 保護膜を前記反射膜上に設ける工程と、 銀単体または銀を主成分とする銀合金からなるとともに
配線を構成する金属膜を前記第１の基板上に形成する工
程と、 透明電極を前記保護膜上に設ける工程と、 配向膜を前記透明電極上に設ける工程と、 を具備し、 前記反射膜の反射率を、前記金属膜の反射率よりも高く
することを特徴とする液晶装置の製造方法。 - 【請求項１８】 第１の基板と第２の基板とが対向して
配置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間隙に
液晶が封入された液晶装置であって、 銀単体または銀を主成分とする銀合金からなる反射膜を
前記第１の基板上に形成する工程と、 保護膜を前記反射膜上に設ける工程と、 銀単体または銀を主成分とする銀合金からなるとともに
配線を構成する金属膜を前記第１の基板上に形成する工
程と、 透明電極を前記保護膜上に設ける工程と、 配向膜を前記透明電極上に設ける工程と、 を具備し、 前記金属膜の配線抵抗を、前記反射膜の配線抵抗よりも
低くすることを特徴とする液晶装置の製造方法。 - 【請求項１９】 第１の基板と第２の基板とが対向して
配置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間隙に
液晶が封入された液晶装置であって、 銀を含む反射膜、および配線を構成する金属膜を前記第
１の基板上に形成する工程と、 保護膜を前記反射膜上に設ける工程と、 透明電極を前記保護膜上に設ける工程と、 配向膜を前記透明電極上に設ける工程と、 を具備し、 前記金属膜の結晶粒子の平均粒子径を、前記反射膜の結
晶粒子の平均粒子径よりも大きくすることを特徴とする
液晶装置の製造方法。 - 【請求項２０】 第１の基板と第２の基板とが対向して
配置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間隙に
液晶が封入された液晶装置であって、 銀単体または銀を主成分とする銀合金からなる反射膜、
および銀単体または銀を主成分とする銀合金からなると
ともに配線を構成する金属膜を前記第１の基板上に形成
する工程と、 保護膜を前記反射膜上に設ける工程と、 透明電極を前記保護膜上に設ける工程と、 配向膜を前記透明電極上に設ける工程と、 を具備し、 前記反射膜の反射率を、前記金属膜の反射率よりも高く
することを特徴とする液晶装置の製造方法。 - 【請求項２１】 第１の基板と第２の基板とが対向して
配置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間隙に
液晶が封入された液晶装置であって、 銀単体または銀を主成分とする銀合金からなる反射膜、
および銀単体または銀を主成分とする銀合金からなると
ともに配線を構成する金属膜を前記第１の基板上に形成
する工程と、 保護膜を前記反射膜上に設ける工程と、 透明電極を前記保護膜上に設ける工程と、 配向膜を前記透明電極上に設ける工程と、 を具備し、 前記金属膜の配線抵抗を、前記反射膜の配線抵抗よりも
低くすることを特徴とする液晶装置の製造方法。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001103496A JP3384398B2 (ja) | 2000-05-25 | 2001-04-02 | 液晶装置、その製造方法および電子機器 |
| TW090111853A TWI232989B (en) | 2000-05-25 | 2001-05-17 | Liquid crystal display (LCD) and electronic apparatus |
| EP01304534A EP1158345B1 (en) | 2000-05-25 | 2001-05-23 | Liquid crystal device with a reflector and a conductor made of a silver alloy and method of manufacturing |
| DE60126866T DE60126866T2 (de) | 2000-05-25 | 2001-05-23 | Flüssigkristallvorrichtung mit einem Reflektor und einem Leiter aus einer Silberlegierung und Herstellungsverfahren |
| CNA2004100322406A CN1529202A (zh) | 2000-05-25 | 2001-05-24 | 液晶装置、其制造方法和电子装置 |
| US09/865,197 US6798476B2 (en) | 2000-05-25 | 2001-05-24 | Liquid crystal device, method for making the same, and electronic apparatus |
| KR10-2001-0028659A KR100418272B1 (ko) | 2000-05-25 | 2001-05-24 | 액정 장치, 그 제조 방법 및 전자기기 |
| CN01122200A CN1326180A (zh) | 2000-05-25 | 2001-05-24 | 液晶装置、其制造方法和电子装置 |
| US10/795,745 US6831717B2 (en) | 2000-05-25 | 2004-03-08 | Liquid crystal device, method for making the same, and electronic apparatus |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000154699 | 2000-05-25 | ||
| JP2000154697 | 2000-05-25 | ||
| JP2000-154699 | 2000-05-25 | ||
| JP2000-154697 | 2000-05-25 | ||
| JP2001103496A JP3384398B2 (ja) | 2000-05-25 | 2001-04-02 | 液晶装置、その製造方法および電子機器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002049033A JP2002049033A (ja) | 2002-02-15 |
| JP3384398B2 true JP3384398B2 (ja) | 2003-03-10 |
Family
ID=27343507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001103496A Expired - Fee Related JP3384398B2 (ja) | 2000-05-25 | 2001-04-02 | 液晶装置、その製造方法および電子機器 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6798476B2 (ja) |
| EP (1) | EP1158345B1 (ja) |
| JP (1) | JP3384398B2 (ja) |
| KR (1) | KR100418272B1 (ja) |
| CN (2) | CN1529202A (ja) |
| DE (1) | DE60126866T2 (ja) |
| TW (1) | TWI232989B (ja) |
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| JP3823016B2 (ja) * | 2000-07-21 | 2006-09-20 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
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-
2001
- 2001-04-02 JP JP2001103496A patent/JP3384398B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-05-17 TW TW090111853A patent/TWI232989B/zh active
- 2001-05-23 DE DE60126866T patent/DE60126866T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-05-23 EP EP01304534A patent/EP1158345B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-05-24 CN CNA2004100322406A patent/CN1529202A/zh active Pending
- 2001-05-24 US US09/865,197 patent/US6798476B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-05-24 KR KR10-2001-0028659A patent/KR100418272B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-05-24 CN CN01122200A patent/CN1326180A/zh active Pending
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- 2004-03-08 US US10/795,745 patent/US6831717B2/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
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|---|---|
| EP1158345A3 (en) | 2003-09-03 |
| US20020008815A1 (en) | 2002-01-24 |
| EP1158345B1 (en) | 2007-02-28 |
| KR100418272B1 (ko) | 2004-02-11 |
| KR20010107724A (ko) | 2001-12-07 |
| US6798476B2 (en) | 2004-09-28 |
| DE60126866D1 (de) | 2007-04-12 |
| DE60126866T2 (de) | 2007-12-20 |
| CN1326180A (zh) | 2001-12-12 |
| TWI232989B (en) | 2005-05-21 |
| US20040169799A1 (en) | 2004-09-02 |
| JP2002049033A (ja) | 2002-02-15 |
| CN1529202A (zh) | 2004-09-15 |
| US6831717B2 (en) | 2004-12-14 |
| EP1158345A2 (en) | 2001-11-28 |
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