CN113805389A - 像素阵列基板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种包括基板、多个像素结构及平坦层的像素阵列基板。基板具有多个像素区。多个像素结构对应设置于基板的这些像素区。每一像素结构包括主动元件、反射式电极以及辅助电极。反射式电极设置于对应的像素区，且反射式电极与主动元件电性连接。辅助电极电性连接反射式电极与主动元件。反射式电极于基板上的垂直投影重叠于辅助电极于基板上的垂直投影。反射式电极于基板上的垂直投影面积不大于辅助电极于基板上的垂直投影面积。平坦层设置于辅助电极与主动元件之间，且覆盖主动元件。一种采用此像素阵列基板的显示装置也被提出。

Description

像素阵列基板及显示装置
技术领域
本发明涉及一种显示技术，尤其涉及一种像素阵列基板及显示装置。
背景技术
一般薄膜晶体管液晶显示面板(TFT-LCD)可分为穿透式、反射式，以及半穿透半反射式三大类，其分类的依据在于光源的利用以及薄膜晶体管阵列基板(TFT array)的差异。其中，反射式薄膜晶体管液晶显示面板(reflective TFT-LCD panel)主要是利用前光源(front-light)或是外界光源作为光源，其薄膜晶体管阵列基板上的像素电极为金属或其他具有良好反射特性材质的反射式电极，适于将前光源或是外界光源反射。目前反射式液晶显示面板的反射式电极多设置于平坦层上，且为了增加反射式电极与平坦层之间的附着力(adhesion)，通常会在反射式电极与平坦层之间设置透明导电膜，例如铟锡氧化物(indium tin oxide，ITO)。然而，此膜层的设置会增加额外的制程工序以及制程变异。换句话说，会造成生产良率的下降并增加额外的生产成本。
发明内容
本发明提供一种像素阵列基板，其像素结构的制程裕度较大。
本发明提供一种显示装置，其生产良率较高。
本发明的像素阵列基板，包括基板、多个像素结构及平坦层。基板具有多个像素区。多个像素结构对应设置于基板的这些像素区。每一像素结构包括主动元件、反射式电极以及辅助电极。反射式电极设置于对应的像素区，且反射式电极与主动元件电性连接。辅助电极电性连接反射式电极与主动元件。反射式电极于基板上的垂直投影重叠于辅助电极于基板上的垂直投影。反射式电极于基板上的垂直投影面积不大于辅助电极于基板上的垂直投影面积。平坦层设置于辅助电极与主动元件之间，且覆盖主动元件。
在本发明的一实施例中，上述的像素阵列基板的辅助电极直接接触平坦层与反射式电极。
在本发明的一实施例中，上述的像素阵列基板的辅助电极的材质包括金属氧化物。
在本发明的一实施例中，上述的像素阵列基板的辅助电极在第一方向上具有第一宽度。反射式电极在第一方向上具有第二宽度，且第一宽度与第二宽度的差值小于等于11微米。
在本发明的一实施例中，上述的像素阵列基板的辅助电极在第一方向上具有相对的第一侧边与第二侧边。反射式电极在第一方向上具有相对的第三侧边与第四侧边。第一侧边与第三侧边之间具有第一间距，第二侧边与第四侧边之间具有第二间距。第一间距与第二间距的总和为小于等于11微米。
在本发明的一实施例中，上述的像素阵列基板的辅助电极的材质包括金属或合金。
在本发明的一实施例中，上述的像素阵列基板的辅助电极在第一方向上具有第一宽度。反射式电极在第一方向上具有第二宽度，且第一宽度与第二宽度的差值大于等于0.5微米且小于等于4.5微米。
在本发明的一实施例中，上述的像素阵列基板的辅助电极在第一方向上具有相对的第一侧边与第二侧边。反射式电极在第一方向上具有相对的第三侧边与第四侧边。第一侧边与第三侧边之间具有第一间距。第二侧边与第四侧边之间具有第二间距，且第一间距与第二间距的其中一者大于等于0.25微米且小于等于2.25微米。
在本发明的一实施例中，上述的像素阵列基板的反射式电极具有背离基板的第一表面。辅助电极具有未被反射式电极覆盖的第二表面，且第一表面与第二表面定义出像素结构的反射面。
在本发明的一实施例中，上述的像素阵列基板的反射式电极为透明保护层与金属反射层的堆叠结构，且金属反射层设置于透明保护层与辅助电极之间。
在本发明的一实施例中，上述的像素阵列基板的辅助电极于可见光波段的反射率不同于反射式电极于可见光波段的反射率。
在本发明的一实施例中，上述的像素阵列基板的反射式电极的材质包括银或银合金，辅助电极为金属层与金属氧化层的堆叠结构，且金属氧化层设置于金属层与平坦层之间。
本发明的显示装置，包括像素阵列基板、显示介质层以及对向基板。显示介质层夹设于像素阵列基板与对向基板之间。像素阵列基板包括基板、多个像素结构以及平坦层。基板具有多个像素区。多个像素结构对应设置于基板的这些像素区。每一像素结构包括主动元件、反射式电极以及辅助电极。反射式电极设置于对应的像素区，且反射式电极与主动元件电性连接。辅助电极电性连接反射式电极与主动元件。反射式电极于基板上的垂直投影重叠于辅助电极于基板上的垂直投影。反射式电极于基板上的垂直投影面积不大于辅助电极于基板上的垂直投影面积。平坦层设置于辅助电极与主动元件之间，且覆盖主动元件。
在本发明的一实施例中，上述的显示装置的辅助电极直接接触平坦层与反射式电极。反射式电极的材质包括银或银合金。平坦层的材质包括有机绝缘材料。
在本发明的一实施例中，上述的显示装置的辅助电极的材质包括金属氧化物。
在本发明的一实施例中，上述的显示装置的辅助电极在第一方向上具有第一宽度。反射式电极在第一方向上具有第二宽度，且第一宽度与第二宽度的差值小于等于11微米。
在本发明的一实施例中，上述的显示装置的辅助电极在第一方向上具有相对的第一侧边与第二侧边。反射式电极在第一方向上具有相对的第三侧边与第四侧边。第一侧边与第三侧边之间具有第一间距。第二侧边与第四侧边之间具有第二间距。第一间距与第二间距的总和小于等于11微米。
在本发明的一实施例中，上述的显示装置的辅助电极的材质包括金属或合金。
在本发明的一实施例中，上述的显示装置的辅助电极在第一方向上具有第一宽度。反射式电极在第一方向上具有第二宽度，且第一宽度与第二宽度的差值大于等于0.5微米且小于等于4.5微米。
在本发明的一实施例中，上述的显示装置的辅助电极在第一方向上具有相对的第一侧边与第二侧边。反射式电极在第一方向上具有相对的第三侧边与第四侧边。第一侧边与第三侧边之间具有第一间距。第二侧边与第四侧边之间具有第二间距，且第一间距与第二间距的其中一者大于等于0.25微米且小于等于2.25微米。
基于上述，在本发明的一实施例的像素阵列基板与显示装置中，为了提升反射式电极与平坦层之间的附着力，像素结构的反射式电极与平坦层之间夹设有辅助电极，且反射式电极于基板上的垂直投影面积不大于辅助电极于基板上的垂直投影面。据此，可增加像素阵列基板的制程裕度，有助于提升显示装置的生产良率。
附图说明
图1是本发明的第一实施例的显示装置的俯视示意图；
图2是图1的显示装置的剖视示意图；
图3是本发明的第二实施例的显示装置的俯视示意图；
图4是图3的显示装置的剖视示意图；
图5是本发明的第三实施例的显示装置的剖视示意图；
图6是图5的显示装置的剖视示意图；
图7是本发明的第四实施例的显示装置的剖视示意图；
图8是本发明的第五实施例的显示装置的剖视示意图。
附图标记说明
10、10A、11、12、13：显示装置；
100、100A、100B、100C、100D：像素阵列基板；
101：基板；
110：栅绝缘层；
120：绝缘层；
130：平坦层；
130r：开口；
130s：表面；
135：光学微结构；
141：金属反射层；
142：透明保护层；
151：金属层；
152：金属氧化层；
200：对向基板；
210：导电层；
AE、AE-A、AE-B：辅助电极；
AE-As、PE-Bs：表面；
AEa、AEb、AEc、AEd、AE-Aa、AE-Ab、AE-Ac、AE-Ad：侧边；
D：漏极；
DL：数据线；
DML：显示介质层；
G：栅极；
GL：扫描线；
PA：像素区；
PE、PE-A、PE-B、PE-C：反射式电极；
PEa、PEb、PEc、PEd、PE-Aa、PE-Ab、PE-Ac、PE-Ad、PE-Ba、PE-Bb、PE-Bc、PE-Bd、PE-Ca、PE-Cb：侧边；
PS：间隙物；
PX、PX-A、PX-B、PX-C、PX-D：像素结构；
S：源极；
SC：半导体图案；
S1、S2、S3、S4、S1’、S2’、S3’、S4’、S1”、S2”、S3”、S4”：间距；
T：主动元件；
W1、W2、W3、W4、W1’、W2’、W3’、W4’、W1”、W2”、W3”、W4”：宽度；
X、Y、Z：方向；
A-A’、B-B’、C-C’：剖线。
具体实施方式
有关本发明的前述及其它技术内容、特点与功效，在以下配合参考附图的一优选实施例的详细说明中，将可清楚地呈现。以下实施例中所提到方向用语，例如：上、下、左、右、前或后等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明并非用来限制本发明。以下将列举一些本发明的实施例以详细说明本公开。只要有可能，相同的构件符号在附图和描述中用来表示相同或相似的部分。
图1是本发明的第一实施例的显示装置的俯视示意图。图2是图1的显示装置的剖视示意图。图2对应图1的剖线A-A’。特别说明的是，为清楚呈现起见，图1仅示出扫描线GL、数据线DL以及图2的基板101、反射式电极PE与辅助电极AE。
请参照图1及图2，显示装置10包括像素阵列基板100、对向基板200以及显示介质层DML。像素阵列基板100与对向基板200相对设置。显示介质层DML夹设于像素阵列基板100与对向基板200之间。在本实施例中，显示介质层DML例如是液晶层，且包括多个液晶分子(未示出)，对向基板200例如是彩色滤光基板。举例来说，彩色滤光基板可包括多个彩色滤光图案(未示出)与遮光图案层(未示出)，但本发明不以此为限。在其他实施例中，对向基板200也可不设有彩色滤光图案。换句话说，显示装置10例如是液晶显示面板。应可理解的是，为了将显示介质层DML的厚度控制在一特定值，显示装置10还包括夹设于像素阵列基板100与对向基板200之间的间隙物PS。间隙物PS的材质可包括蚀刻材料，但不以此为限。
进一步而言，像素阵列基板100包括基板101、多条数据线DL、多条扫描线GL以及多个像素结构PX。基板101具有多个像素区PA。举例来说，多条数据线DL沿着方向X排列且在方向Y上延伸，多条扫描线GL沿着方向Y排列且在方向X上延伸，其中方向X相交于方向Y。也就是说，这些数据线DL相交于这些扫描线GL并定义出像素阵列基板100的多个像素区PA。这些像素结构PX设置于基板101的这些像素区PA内，且各自包括彼此电性连接的主动元件T与反射式电极PE。举例来说，每一个像素结构PX的主动元件T可电性连接至对应的一条扫描线GL与对应的一条数据线DL，但不以此为限。反射式电极PE除了用于驱动显示介质层DML的液晶分子(未示出)以外，还可用于反射来自周围环境或前光源的光线，以达到显示的效果。在本实施例中，反射式电极PE的材质可包括金属(例如银)、合金(例如银合金)、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或其他合适的材料。
在本实施例中，显示装置10还可包括设置于对向基板200上的导电层210(例如是共电极层)，且此导电层210与像素结构PX的反射式电极PE之间所形成的电场可驱使显示介质层DML的多个液晶分子(未示出)转动以形成对应此电场大小的排列分布。在本实施例中，导电层210为光穿透式电极，光穿透式电极的材质包括金属氧化物，例如：铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、或其它合适的氧化物、或者是上述至少两者的堆栈层。
举例来说，在本实施例中，显示介质层DML可以电控双折射型(electricallycontrolled birefringence，ECB)的模式驱动，但本发明不以此为限。在其他实施例中，显示介质层DML也可以扭转向列(Twisted Nematic，TN)、超扭转向列(Super TwistedNematic，STN)、垂直排列(Vertical Alignment，VA)或光学补偿弯曲(OpticallyCompensated Birefringence，OCB)的模式驱动。应可理解的是，在不同的驱动模式下，显示装置的对向基板200上也可不设有导电层210，且显示介质层DML是以横向电场切换(In-Plane Switching，IPS)或边缘场切换(Fringe Field Switching，FFS)的模式驱动。
在本实施例中，形成主动元件T的方法可包括以下步骤：于基板101上依序形成栅极G、栅绝缘层110、半导体图案SC、源极S、漏极D以及绝缘层120，但不以此为限。半导体图案SC在基板101的法线方向(例如方向Z)上重叠于栅极G。源极S与漏极D重叠于半导体图案SC，并电性连接于半导体图案SC的不同两区，例如源极区(未示出)与漏极区(未示出)。举例来说，在本实施例中，主动元件T的栅极G可选地设置于半导体图案SC的下方，以形成底部栅极型薄膜晶体管(bottom-gate TFT)，但本发明不以此为限。在其他实施例中，主动元件的栅极也可选地配置在半导体图案的上方，以形成顶部栅极型薄膜晶体管(top-gate TFT)。在本实施例中，主动元件T的源极S与漏极D以及数据线DL可选地为同一膜层，而栅极G与扫描线GL可选地为同一膜层，但不以此为限。
需说明的是，栅极G、源极S、漏极D、半导体图案SC、栅绝缘层110以及绝缘层120分别可由任何所属技术领域的技术人员所周知的用于显示面板的任一栅极、任一源极、任一漏极、任一半导体图案、任一栅绝缘层以及任一绝缘层来实现，且栅极G、源极S、漏极D、半导体图案SC、栅绝缘层110以及绝缘层120分别可通过任何所属技术领域的技术人员所周知的任一方法来形成，故于此不加以赘述。
在本实施例中，像素阵列基板100还可包括设置于绝缘层120上的平坦层130。平坦层130覆盖主动元件T，且具有重叠于主动元件T的漏极D的开口130r。反射式电极PE设置于平坦层130上，并延伸入开口130r以电性连接主动元件T的漏极D。平坦层130的材质可包括有机绝缘材料、无机绝缘材料、或上述的组合。为了增加外来光线经由反射式电极PE反射后的出光均匀度，平坦层130的表面130s可设有多个光学微结构135，但本发明不以此为限。
为了增加反射式电极PE与平坦层130之间的附着力以避免反射式电极PE自平坦层130上剥离，像素阵列基板100的像素结构PX还包括连接于反射式电极PE与平坦层130(或主动元件T)之间的辅助电极AE。平坦层130位于辅助电极AE与主动元件T之间。在本实施例中，辅助电极AE直接覆盖(或接触)平坦层130并延伸入平坦层130的开口130r以直接电性连接主动元件T的漏极D，而反射式电极PE直接覆盖(或接触)辅助电极AE以电性连接主动元件T的漏极D。举例来说，辅助电极AE的材质可以是金属氧化物，包括铟锡氧化物(indium tinoxide，ITO)、铟锌氧化物(indium zinc oxide，IZO)、氧化铟(In2O3)、二氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)、氧化镉(CdO)、氮化钛(TiN)、氧化锌铝(AZO)或氧化锌镓(GZO)，但不以此为限。
应注意的是，反射式电极PE于基板101上的垂直投影完全重叠于辅助电极AE于基板101上的垂直投影，且反射式电极PE于基板101上的垂直投影面积不大于辅助电极AE于基板101上的垂直投影面积。据此，可增加辅助电极AE与反射式电极PE之间的对位容许误差(alignment margin)和蚀刻的容许变异量。换句话说，可增加像素阵列基板100的制程裕度，有助于提升显示装置10的生产良率。
在本实施例中，反射式电极PE于基板101上的垂直投影面积可选地小于辅助电极AE于基板101上的垂直投影面积，但不以此为限。举例来说，辅助电极AE在方向X上具有宽度W1，反射式电极PE在方向X上具有宽度W2，且辅助电极AE的宽度W1大于反射式电极PE的宽度W2。相似地，辅助电极AE与反射式电极PE在方向Y上分别具有宽度W3与宽度W4，且辅助电极AE的宽度W3大于反射式电极PE的宽度W4。在本实施例中，辅助电极AE的宽度W1与反射式电极PE的宽度W2的差值以及辅助电极AE的宽度W3与反射式电极PE的宽度W4的差值都小于等于11微米，但不以此为限。
从另一观点来说，辅助电极AE在方向X上具有相对的侧边AEa与侧边AEb，反射式电极PE在方向X上具有相对的侧边PEa与侧边PEb。辅助电极AE的侧边AEa与反射式电极PE的侧边PEa之间具有第一间距S1，且第一间距S1大于等于0微米且小于等于5.5微米。辅助电极AE的侧边AEb与反射式电极PE的侧边PEb之间具有第二间距S2，在本实施例中，第一间距S1与第二间距S2的总和小于等于11微米，但不以此为限。
相似地，辅助电极AE在方向Y上具有相对的侧边AEc与侧边AEd，反射式电极PE在方向Y上具有相对的侧边PEc与侧边PEd。辅助电极AE的侧边AEc与反射式电极PE的侧边PEc之间具有第三间距S3，且第三间距S3大于等于0微米且小于等于5.5微米。辅助电极AE的侧边AEd与反射式电极PE的侧边PEd之间具有第四间距S4，在本实施例中，第三间距S3与第四间距S4的总和小于等于11微米，但不以此为限。
举例来说，在本实施例中，辅助电极AE的侧边AEa与反射式电极PE的侧边PEa之间的第一间距S1大致上可等于辅助电极AE的侧边AEb与反射式电极PE的侧边PEb之间的第二间距S2，辅助电极AE的侧边AEc与反射式电极PE的侧边PEc之间的第三间距S3大致上可等于辅助电极AE的侧边AEd与反射式电极PE的侧边PEd之间的第四间距S4，但本发明不以此为限。
进一步而言，为了避免反射式电极PE在后续的制程中发生氧化反应而使其反射率下降，本实施例的反射式电极PE可以是金属反射层141与透明保护层142的堆叠结构。金属反射层141设置于透明保护层142与辅助电极AE之间。在本实施例中，金属反射层141的材质包括银或银合金，透明保护层142的材质包括铟锡氧化物、无机绝缘材料(例如是氧化硅或氮化硅)或有机绝缘材料(例如有机树酯)，但本发明不以此为限。
以下将列举另一些实施例以详细说明本公开，其中相同的构件将标示相同的符号，并且省略相同技术内容的说明，省略部分请参考前述实施例，以下不再赘述。
图3是本发明的第二实施例的显示装置的俯视示意图。图4是图3的显示装置的剖视示意图。图4对应图3的剖线B-B’。特别说明的是，为清楚呈现起见，图3仅示出扫描线GL、数据线DL以及图4的基板101、反射式电极PE-A与辅助电极AE。请参照图3及图4，本实施例的显示装置10A与图1及图2的显示装置10的差异在于：反射式电极与辅助电极的相对位置不同。
在本实施例中，辅助电极AE的侧边AEa与反射式电极PE-A的侧边PE-Aa之间的第一间距S1’小于辅助电极AE的侧边AEb与反射式电极PE-A的侧边PE-Ab之间的第二间距S2’，辅助电极AE的侧边AEc与反射式电极PE-A的侧边PE-Ac之间的第三间距S3’大于辅助电极AE的侧边AEd与反射式电极PE-A的侧边PE-Ad之间的第四间距S4’。也就是说，反射式电极PE-A于辅助电极AE上的垂直投影较靠近辅助电极AE的侧边AEa与侧边AEd。举例来说，在像素结构PX-A的制造过程中，由于辅助电极AE与反射式电极PE-A是在不同的蚀刻步骤中所形成，反射式电极PE-A与辅助电极AE之间的对位误差以及反射式电极PE-A的蚀刻变异量造成反射式电极PE-A产生相对于辅助电极AE的上述偏移。
也因此，通过辅助电极AE于基板101上的垂直投影面积大于反射式电极PE-A于基板101上的垂直投影面积，可避免反射式电极PE-A直接接触平坦层130而造成附着力的下降。从另一观点来说，可增加辅助电极AE与反射式电极PE-A之间的对位容许误差(alignment margin)和蚀刻的容许变异量。换句话说，可增加像素阵列基板100A的制程裕度，有助于提升显示装置10A的生产良率。
图5是本发明的第三实施例的显示装置的剖视示意图。图6是图5的显示装置的剖视示意图。图6对应图5的剖线C-C’。特别说明的是，为清楚呈现起见，图5仅示出扫描线GL、数据线DL以及图6的基板101、反射式电极PE-B与辅助电极AE-A。请参照图5及图6，本实施例的显示装置11与图2的显示装置10的差异在于：辅助电极的材质不同以及反射式电极的组成与配置不同。在本实施例中，像素阵列基板100B的像素结构PX-B的辅助电极AE-A的材质可包括金属或合金,例如:钼、铝、或钼铝合金，但不以此为限。在其他实施例中，辅助电极AE-A的材质也可包括镍、铬、铜、钛、或上述材料的组合。另一方面，本实施例的反射式电极PE-A可不具有如图2所示的透明保护层142。
值得一提的是，辅助电极AE-A于可见光波段的反射率可不同于反射式电极PE-B于可见光波段的反射率。在本实施例中，反射式电极PE-B的材质例如是银合金，辅助电极AE-A的材质例如是钼铝合金。也因此，反射式电极PE-B的反射率可达96％以上，辅助电极AE-A的反射率可达88％以上。换句话说，在本实施例中，反射式电极PE-B背离基板101的表面PE-Bs与辅助电极AE-A未被反射式电极PE-B覆盖的表面AE-As可定义出像素结构PX-B的反射面。据此，相较于前述实施例(即图2的显示装置10)，本实施例的辅助电极AE-A还可提升像素结构PX-B的整体反射率。
举例来说，由于蚀刻液(例如铝酸)对于辅助电极AE-A与反射式电极PE-B的蚀刻速率不同，在像素结构PX-B的制造过程中，可使用同一光罩进行图案化并于同一蚀刻步骤中形成辅助电极AE-A与反射式电极PE-B。换句话说，可简化像素结构PX-B的制程工序，并增加其设计裕度。
在本实施例中，辅助电极AE-A的宽度W1”与反射式电极PE-B的宽度W2”的差值以及辅助电极AE-A的宽度W3”与反射式电极PE-B的宽度W4”的差值都可大于等于0.5微米且小于等于4.5微米。举例来说，辅助电极AE-A的侧边AE-Aa与反射式电极PE-B的侧边PE-Ba之间的第一间距S1”、辅助电极AE-A的侧边AE-Ab与反射式电极PE-B的侧边PE-Bb之间的第二间距S2”、辅助电极AE-A的侧边AE-Ac与反射式电极PE-B的侧边PE-Bc之间的第三间距S3”以及辅助电极AE-A的侧边AE-Ad与反射式电极PE-B的侧边PE-Bd之间的第四间距S4”可选地都大于等于0.25微米且小于等于2.25微米，但不以此为限。在其他实施例中，第三间距S3”与第四间距S4”的其中一者大于等于0.25微米且小于等于2.25微米。据此，可增加辅助电极AE-A与反射式电极PE-B之间的对位容许误差(alignment margin)和蚀刻的容许变异量。换句话说，可增加像素阵列基板100B的制程裕度，有助于提升显示装置11的生产良率。
图7是本发明的第四实施例的显示装置的剖视示意图。请参照图7，本实施例的显示装置12与图6的显示装置11的差异在于：辅助电极的组成不同。具体而言，像素阵列基板100C的像素结构PX-C的辅助电极AE-B为金属层151与金属氧化层152的堆叠结构，且金属氧化层152设置于金属层151与平坦层130之间。在本实施例中，金属层151的材质例如包括钼、铝或钼铝合金，金属氧化层152的材质例如包括铟锡氧化物，但不以此为限。
举例来说，金属层151于基板101上的垂直投影可完全重叠于金属氧化层152于基板101上的垂直投影。更具体地说，在本实施例中，辅助电极AE-B的金属层151在基板101的法线方向(例如方向Z)上可与金属氧化层152切齐。然而，本发明不限于此，根据其他实施例，辅助电极的金属层也可不切齐金属氧化层，且曝露出金属氧化层的部分表面。也就是说，辅助电极的金属氧化层于基板101上的垂直投影面积可选地大于金属层于基板101上的垂直投影面积。
图8是本发明的第五实施例的显示装置的剖视示意图。请参照图8，本实施例的显示装置13与图2的显示装置10的差异在于：反射式电极的配置不同。在本实施例中，像素阵列基板100D的像素结构PX-D的反射式电极PE-C在方向Z上可切齐辅助电极AE。举例来说，像素阵列基板100D的像素结构PX-D的反射式电极PE-C的侧边PE-Ca与侧边PE-Cb可分别对齐辅助电极AE的侧边AEa与侧边AEb。也即，像素结构PX-D的反射式电极PE-C在方向X上的宽度可等于辅助电极AE在方向X上的宽度。更具体地说，在本实施例中，像素结构PX-D的反射式电极PE-C于基板101上的垂直投影面积可选地等于辅助电极AE于基板101上的垂直投影面积，但不以此为限。
纵上所述，在本发明的一实施例的像素阵列基板与显示装置中，为了提升反射式电极与平坦层之间的附着力，像素结构的反射式电极与平坦层之间夹设有辅助电极，且反射式电极于基板上的垂直投影面积不大于辅助电极于基板上的垂直投影面。据此，可增加像素阵列基板的制程裕度，有助于提升显示装置的生产良率。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (20)

1.一种像素阵列基板，其特征在于，包括：
基板，具有多个像素区；
多个像素结构，对应设置于所述基板的所述多个像素区，每一所述像素结构包括：
主动元件；
反射式电极，设置于对应的所述像素区，且所述反射式电极与所述主动元件电性连接；以及
辅助电极，电性连接所述反射式电极与所述主动元件，其中所述反射式电极于所述基板上的垂直投影重叠于所述辅助电极于所述基板上的垂直投影，且所述反射式电极于所述基板上的垂直投影面积不大于所述辅助电极于所述基板上的垂直投影面积；以及
平坦层，设置于所述辅助电极与所述主动元件之间，且覆盖所述主动元件。
2.根据权利要求1所述的像素阵列基板，其特征在于，所述辅助电极直接接触所述平坦层与所述反射式电极。
3.根据权利要求2所述的像素阵列基板，其特征在于，所述辅助电极的材质包括金属氧化物。
4.根据权利要求1所述的像素阵列基板，其特征在于，所述辅助电极在第一方向上具有第一宽度，所述反射式电极在所述第一方向上具有第二宽度，所述第一宽度与所述第二宽度的差值小于等于11微米。
5.根据权利要求1所述的像素阵列基板，其特征在于，所述辅助电极在第一方向上具有相对的第一侧边与第二侧边，所述反射式电极在所述第一方向上具有相对的第三侧边与第四侧边，所述第一侧边与所述第三侧边之间具有第一间距，所述第二侧边与所述第四侧边之间具有第二间距，所述第一间距与所述第二间距的总和小于等于11微米。
6.根据权利要求2所述的像素阵列基板，其特征在于，所述辅助电极的材质包括金属或合金。
7.根据权利要求6所述的像素阵列基板，其特征在于，所述辅助电极在第一方向上具有第一宽度，所述反射式电极在所述第一方向上具有第二宽度，所述第一宽度与所述第二宽度的差值大于等于0.5微米且小于等于4.5微米。
8.根据权利要求6所述的像素阵列基板，其特征在于，所述辅助电极在第一方向上具有相对的第一侧边与第二侧边，所述反射式电极在所述第一方向上具有相对的第三侧边与第四侧边，所述第一侧边与所述第三侧边之间具有第一间距，所述第二侧边与所述第四侧边之间具有第二间距，且所述第一间距与所述第二间距的其中一者大于等于0.25微米且小于等于2.25微米。
9.根据权利要求1所述的像素阵列基板，其特征在于，所述反射式电极具有背离所述基板的第一表面，所述辅助电极具有未被所述反射式电极覆盖的第二表面，且所述第一表面与所述第二表面定义出所述像素结构的反射面。
10.根据权利要求1所述的像素阵列基板，其特征在于，所述反射式电极为透明保护层与金属反射层的堆叠结构，且所述金属反射层设置于所述透明保护层与所述辅助电极之间。
11.根据权利要求1所述的像素阵列基板，其特征在于，所述辅助电极于可见光波段的反射率不同于所述反射式电极于可见光波段的反射率。
12.根据权利要求1所述的像素阵列基板，其特征在于，所述反射式电极的材质包括银或银合金，所述辅助电极为金属层与金属氧化层的堆叠结构，且所述金属氧化层设置于所述金属层与所述平坦层之间。
13.一种显示装置，其特征在于，包括：
像素阵列基板，包括：
基板，具有多个像素区；
多个像素结构，对应设置于所述基板的所述多个像素区，每一所述像素结构包括：
主动元件；
反射式电极，设置于对应的所述像素区，且所述反射式电极与所述主动元件电性连接；以及
辅助电极，电性连接所述反射式电极与所述主动元件，其中所述反射式电极于所述基板上的垂直投影重叠于所述辅助电极于所述基板上的垂直投影，且所述反射式电极于所述基板上的垂直投影面积不大于所述辅助电极于所述基板上的垂直投影面积；以及
平坦层，设置于所述辅助电极与所述主动元件之间，且覆盖所述主动元件；
显示介质层；以及
对向基板，其中所述显示介质层夹设于所述像素阵列基板与所述对向基板之间。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其特征在于，所述辅助电极直接接触所述平坦层与所述反射式电极，所述反射式电极的材质包括银或银合金，所述平坦层的材质包括有机绝缘材料。
15.根据权利要求13所述的显示装置，其特征在于，所述辅助电极的材质包括金属氧化物。
16.根据权利要求13所述的显示装置，其特征在于，所述辅助电极在第一方向上具有第一宽度，所述反射式电极在所述第一方向上具有第二宽度，所述第一宽度与所述第二宽度的差值小于等于11微米。
17.根据权利要求13所述的显示装置，其特征在于，所述辅助电极在第一方向上具有相对的第一侧边与第二侧边，所述反射式电极在所述第一方向上具有相对的第三侧边与第四侧边，所述第一侧边与所述第三侧边之间具有第一间距，所述第二侧边与所述第四侧边之间具有第二间距，所述第一间距与所述第二间距的总和小于等于11微米。
18.根据权利要求13所述的显示装置，其特征在于，所述辅助电极的材质包括金属或合金。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其特征在于，所述辅助电极在第一方向上具有第一宽度，所述反射式电极在所述第一方向上具有第二宽度，所述第一宽度与所述第二宽度的差值大于等于0.5微米且小于等于4.5微米。
20.根据权利要求18所述的显示装置，其特征在于，所述辅助电极在第一方向上具有相对的第一侧边与第二侧边，所述反射式电极在所述第一方向上具有相对的第三侧边与第四侧边，所述第一侧边与所述第三侧边之间具有第一间距，所述第二侧边与所述第四侧边之间具有第二间距，且所述第一间距与所述第二间距的其中一者大于等于0.25微米且小于等于2.25微米。
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