KR101300035B1 - 반사형 및 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법 - Google Patents

반사형 및 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 기판과; 상기 기판 상에 게이트 절연막을 개재하여 서로 교차하여 화소영역을 정의하며 형성된 게이트 배선 및 데이터 배선과; 상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 연결되는 박막트랜지스터와; 상기 박막트랜지스터 위로 상기 기판 전면에 형성되며 그 표면에 다수의 올록볼록한 요철을 가지며 형성된 제 1 보호층과; 상기 제 1 보호층 위로 형성되며 그 표면에 미세 요철이 구비된 미세 요철 보조층과; 상기 미세 요철 보조층 위로 상기 제 1 보호층 표면에 구비된 상기 다수의 올록볼록한 요철에 의해 이를 반영하여 다수의 제 1 요철을 가지며, 상기 다수의 제 1 요철을 포함하는 표면에 상기 제 1 요철보다 작은 다수의 미세 요철이 형성된 것이 특징인 반사판을 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조 방법을 제공한다.

Description

반사형 및 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법{An array substrate for reflective and trans-flective type liquid crystal display device and method of fabricating the same}
본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반사효율을 향상시킨 반사형 및 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
최근 정보화 사회로 시대가 급발전함에 따라 박형화, 경량화, 저 소비전력화 등의 우수한 특성을 가지는 평판 표시 장치(flat panel display)의 필요성이 대두되었다.
이러한 평판 표시 장치는 스스로 빛을 발하느냐 그렇지 못하냐에 따라 나눌 수 있는데, 스스로 빛을 발하여 화상을 표시하는 것을 발광형 표시장치라 하고, 그렇지 못하고 외부의 광원을 이용하여 화상을 표시하는 것을 수광형 표시장치라고 한다. 발광형 표시장치로는 플라즈마 표시장치(plasma display device)와 전계 방출 표시장치(field emission display device), 전계 발광 표시 장치(electro luminescence display device) 등이 있으며, 수광형 표시 장치로는 액정표시장치(liquid crystal display device)가 있다.
이중 액정표시장치가 해상도, 컬러표시, 화질 등이 우수하여 노트북이나 데스크탑 모니터에 활발하게 적용되고 있다.
일반적으로 액정표시장치는 전극이 각각 형성되어 있는 두 기판을 두 전극이 형성되어 있는 면이 서로 대향하도록 배치하고, 두 기판 사이에 액정을 주입한 다음, 두 전극에 전압을 인가하여 생성되는 전기장에 의해 액정 분자를 움직여 빛의 투과율을 조절하여 화상을 표현하는 장치이다.
그런데, 액정표시장치는 앞서 언급한 바와 같이 스스로 빛을 발하지 못하므로 별도의 광원이 필요하다.
따라서, 액정패널 뒷면에 백라이트(backlight) 유닛을 구성하고, 상기 백라이트 유닛으로부터 나오는 빛을 액정패널에 입사시켜, 액정의 배열에 따라 빛의 양을 조절함으로써 화상을 표시한다.
이러한 액정표시장치를 투과형(transmission type) 액정표시장치라고 하는데, 투과형 액정표시장치는 백라이트와 같은 인위적인 배면광원을 사용하므로 어두운 외부 환경에서도 밝은 화상을 구현할 수 있으나, 백라이트로 인한 전력소비(power consumption)가 큰 단점이 있다.
이와 같은 단점을 보완하기 위해 반사형(reflection type) 액정표시장치가 제안되었다.
반사형 액정표시장치는 외부의 자연광이나 인조광을 반사시킴으로써 액정의 배열에 따라 빛의 투과율을 조절하는 형태로 투과형 액정표시장치에 비해 전력소비가 적다. 이러한 반사형 액정표시장치에서 하부 어레이 기판 상에 형성되는 화소전극은 반사가 잘 되는 도전 물질로 형성하고, 상부의 컬러필터 기판에 형성되는 공통전극은 외부광을 투과시키기 위해 투명 도전 물질로 형성한다.
도 1은 종래의 반사형 액정표시장치용 어레이 기판에 있어, 박막트랜지스터를 포함하는 하나의 화소영역을 절단한 단면을 도시한 도면이다.
도시한 바와 같이, 게이트 배선(미도시)과 데이터 배선(30)이 교차하여 정의되는 화소영역(P)에 있어, 기판(10) 상에 게이트 전극(15)과, 게이트 절연막(20)과, 반도체층(25)과 소스 및 드레인 전극(33, 36)을 포함하는 박막트랜지스터(Tr)가 형성되어 있다.
또한, 상기 박막트랜지스터(Tr) 위로 무기절연물질로써 제 1 보호층(39)이 형성되어 있으며, 상기 제 1 보호층(39) 위로 유기절연물질로써 그 표면이 올록볼록한 엠보싱 구조를 가지며, 상기 드레인 전극(36)을 노출시키는 드레인 콘택홀(47)을 갖는 제 2 보호층(45)이 형성되어 있다.
또한, 상기 제 2 보호층(45) 위로는 상기 무기절연물질로 이루어지며 상기 드레인 전극(36)을 노출시키는 드레인 콘택홀(47)을 갖는 제 3 보호층(52)이 형성되고 있으며, 상기 제 3 보호층(52) 위에는 반사효율이 우수한 금속물질로써 각 화소영역(P)별로 독립된 구조를 가지며 상기 드레인 콘택홀(47)을 통해 상기 드레인 전극(36)과 접촉하며 반사판(54)이 형성되어 있다. 이때, 상기 반사판(54)은 반사판(54) 본연의 역할을 하는 동시에 반사전극으로서의 역할을 한다. 또한, 상기 반사판(54)과 그 하부에 위치하는 상기 제 3 보호층(52)은 모두 그 하부에 위치한 상기 제 2 보호층(45)이 올록볼록한 엠보싱 구조를 이룸으로서 이를 반영하여 올록볼록한 엠보싱 구조를 이룬다.
한편, 전술한 바와 같은 구조를 갖는 종래의 반사형 액정표시장치는 반사판(52)이 엠보싱 구조를 가짐으로써 평탄한 구조의 반사판을 구비한 반사형 액정표시장치 대비 반사효율이 우수하며 시인성이 향상되고 있다.
하지만, 전술한 엠보싱 구조를 갖는 반사판(52)을 구비한 반사형 액정표시장치는 상기 반사판(52)에 의한 반사율은 통상 65%가 되고 있으며, 주로 개인 휴대기기의 표시장치로 이용되는 특성상 더욱더 반사효율이 향상되어 시인성이 우수한 반사형 액정표시장치가 요구되고 있는 실정이다.
본 발명은 전술한 바와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 반사판의 반사효율을 더욱 극대화시킬 수 있는 반사판 구조를 갖는 반사형 액정표시장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 실시예에 의한 액정표시장치용 어레이 기판은, 기판과; 상기 기판 상에 게이트 절연막을 개재하여 서로 교차하여 화소영역을 정의하며 형성된 게이트 배선 및 데이터 배선과; 상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 연결되는 박막트랜지스터와; 상기 박막트랜지스터 위로 상기 기판 전면에 형성되며 그 표면에 다수의 올록볼록한 제 1 요철을 가지며 형성된 제 1 보호층과; 상기 제 1 보호층 위로 형성되며 그 표면에 제 1 미세 요철이 구비된 미세 요철 보조층과; 상기 제 1 미세 요철 보조층 위로 상기 제 1 보호층 표면에 구비된 상기 다수의 올록볼록한 제 1 요철에 의해 이를 반영하여 다수의 제 2 요철을 가지며, 상기 다수의 제 2 요철을 포함하는 표면에 상기 제 2 요철보다 작은 다수의 제 2 미세 요철이 형성된 것이 특징인 반사판을 포함한다.
이때, 상기 제 1 보호층은 무기절연물질로 이루어져 그 요철 형태의 단면은 각진 형태를 갖거나, 또는 유기절연물질로 이루어져 그 요철 형태의 단면은 곡선 형태를 가져 엠보싱 구조를 이루는 것이 특징이다.
또한, 상기 미세 요철 보조층은 게르마늄(Ge)으로 이루어지거나, 또는 게르마늄 화합물 이루어지며 H2O2가 포함된 식각액에 의해서 표면처리 된 것이 특징이며, 이때, 상기 게르마늄 화합물은 GeC 또는 GeSi 인 것이 특징이다.
또한, 상기 제 1 보호층과 상기 미세 요철 보조층은 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극을 노출시키는 드레인 콘택홀이 구비되며, 상기 반사판은 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접촉하는 것이 특징이다.
또한, 상기 화소영역은 반사부와 투과부로 나뉘고, 상기 반사판과 상기 미세 요철 보조층은 상기 반사부에 형성되며, 상기 반사판 상부로 제 2 보호층이 형성되며, 상기 제 2 보호층 위로 상기 반사부와 투과부에 대응하여 상기 화소영역 별로 화소전극이 형성된 것이 특징이며, 이때, 상기 제 2 보호층과 상기 미세 요철 보조층 및 상기 제 1 보호층에는 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극을 노출시키는 드레인 콘택홀이 구비되며, 상기 화소전극은 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접촉하며, 상기 제 1 보호층은 상기 투과부에 대응하는 부분이 제거되어 투과홀이 구비된 것이 특징이다.
또한, 상기 게이트 배선이 형성된 동일한 층에 상기 게이트 배선과 이격하며 나란하게 공통배선이 형성되며, 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극은 상기 공통배선과 중첩하도록 형성함으로써 상기 서로 중첩하는 공통전극과 상기 드레인 전극은 스토리지 커패시터를 이루는 것이 특징이다.
본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법은, 기판 상에 게이트 절연막을 개재하여 서로 교차하여 화소영역을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선을 형성하는 단계와; 상기 게이트 배선 및 데이터 배선 연결되는 박막트랜지스터를 형성하는 단계와; 상기 박막트랜지스터 위로 그 표면에 다수의 올록볼록한 제 1 요철을 갖도록 제 1 보호층을 형성하는 단계와; 상기 제 1 보호층 위로 형성되며 그 표면에 제 1 미세 요철이 구비된 미세 요철 보조층을 형성하는 단계와; 상기 미세 요철 보조층 위로 상기 제 1 보호층 표면에 구비된 상기 다수의 올록볼록한 제 1 요철에 의해 이를 반영하여 다수의 제 2 요철을 가지며, 상기 다수의 제 2 요철을 포함하는 표면에 상기 제 2 요철보다 작은 다수의 제 2 미세 요철이 구비된 반사판을 형성하는 단계를 포함한다.
이때, 상기 박막트랜지스터 위로 그 표면에 다수의 올록볼록한 제 1 요철을 갖도록 제 1 보호층을 형성하는 단계는, 상기 박막트랜지스터 위로 무기절연물질층을 형성하는 단계와; 상기 무기절연물질층 위로 불규칙적으로 이격하는 다수의 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와; 건식식각을 진행하여 상기 다수의 포토레지스트 패턴 외부로 노출된 상기 무기절연물질층을 식각함으로써 그 두께를 낮추어 요부를 이루도록 하고, 상기 포토레지스트 패턴에 의해 가려진 부분은 철부를 이루도록 하는 단계와; 상기 다수의 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함한다.
또한, 상기 박막트랜지스터 위로 그 표면에 다수의 올록볼록한 제 1 요철을 갖도록 제 1 보호층을 형성하는 단계는, 상기 박막트랜지스터 위로 유기절연물질층을 형성하는 단계와; 상기 유기절연물질층에 투과영역과 차단영역이 불규칙적으로 배치된 노광마스크를 이용하여 노광을 실시하는 단계와; 노광된 상기 유기절연물질층을 현상함으로써 상기 유기절연물질층 표면에 철부와 요부를 형성하는 단계와; 상기 현상된 유기절연물질층을 열처리함으로써 상기 철부가 리플로우 되도록 함으로써 올록볼록한 엠보싱 구조를 갖도록 하는 단계를 포함한다. 이때, 상기 박막트랜지스터와 상기 제 1 보호층 사이에 무기절연물질로 이루어진 제 2 보호층을 형성하는 단계를 포함한다.
또한, 상기 제 1 보호층 위로 형성되며 그 표면에 상기 제 1 미세 요철이 구비된 상기 미세 요철 보조층을 형성하는 단계는, 상기 제 1 보호층 위로 게르마늄(Ge) 또는 게르마늄 화합물을 증착하여 미세 요철 보조 물질층을 형성하는 단계와; 상기 미세 요철 보조 물질층을 H2O2를 포함하는 식각액에 수초 내지 수십 초간 노출시킴으로써 그 표면에 제 1 미세 요철을 형성하는 단계를 포함한다. 이때, 상기 게르마늄 화합물은 GeC 또는 GeSi 인 것이 특징이다.
또한, 상기 미세 요철 보조층을 형성하는 단계는 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극에 대응하여 상기 미세 요철 보조층과 상기 제 1 보호층 패터닝함으로써 상기 드레인 전극을 노출시키는 드레인 콘택홀을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 반사판을 형성하는 단계는 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접촉하도록 형성하는 것이 특징이다.
또한, 상기 화소영역은 반사부와 투과부로 나뉘고, 상기 반사판과 상기 미세 요철 보조층은 패터닝함으로써 상기 투과부 및 상기 드레인 전극에 대응하는 부분 일부를 제거하는 단계를 포함하며, 상기 반사판 상부로 상기 화소영역에 제 2 보호층을 형성하는 단계와; 상기 제 2 보호층 위로 상기 반사부와 투과부에 대응하여 상기 각 화소영역별로 화소전극을 형성하는 단계를 포함한다. 이때, 상기 제 2 보호층을 형성하는 단계는 상기 드레인 전극에 대응하여 상기 제 2 보호층과 상기 제 1 보호층을 제거하여 상기 드레인 전극을 노출시키는 드레인 콘택홀을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 화소전극은 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접촉하도록 형성하는 것이 특징이다.
또한, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선을 형성하는 단계는 상기 게이트 배선과 이격하여 나란하게 연장하는 공통배선을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 박막트랜지스터를 형성하는 단계는 상기 드레인 전극을 연장하여 상기 공통배선과 중첩하도록 형성함으로써 서로 중첩하는 상기 공통배선과 상기 드레인 전극이 스토리지 커패시터를 이루도록 하는 것이 특징이다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반사형 또는 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판은 반사판의 표면에 미세 요철이 형성되도록 함으로써 반사율을 향상시키는 효과가 있다.
도 1은 종래의 반사형 액정표시장치용 어레이 기판에 있어, 박막트랜지스터를 포함하는 하나의 화소영역을 절단한 단면을 도시한 도면
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 의한 반사형 액정표시장치용 어레이 기판에 있어 스위칭 소자인 박막트랜지스터를 포함하는 하나의 화소영역에 대한 단면도.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반사형 액정표시장치에 있어서 미세 요철 보조층 표면에 대한 평면 SEM 사진.
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반사형 액정표시장치용 어레이 기판의 하나의 화소영역에 대한 단면도.
도 5는 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 반사형 액정표시장치와 제 1 비교예로서 엠보싱 또는 요철 구조기 미적용된 반사판을 구비한 반사형 액정표시장치 및 엠보싱 구조가 적용된 반사판을 구비한 반사형 액정표시장치의 시야각 변화에 따른 반사율을 나타낸 그래프.
도 6은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판의 하나의 화소영역에 대한 단면도.
도 7a 내지 도 7f는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반사형 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 단계별 공정 단면도.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 의한 반사형 액정표시장치용 어레이 기판에 있어 스위칭 소자인 박막트랜지스터를 포함하는 하나의 화소영역에 대한 단면도이다.
도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판(110)에는 서로 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 게이트 배선(미도시) 및 데이터 배선(130)이 게이트 절연막(120)을 개재하여 그 하부 및 상부에 형성되어 있다.
또한, 상기 게이트 배선(미도시)과 나란하게 이격하며 상기 화소영역(P)을 관통하는 형태로 상기 게이트 배선(미도시)이 형성된 동일한 층에 공통배선(미도시)이 형성되어 있으며, 이때 상기 공통배선(미도시) 중 상기 화소영역(P) 내에 위치하는 부분은 제 1 스토리지 전극(117)를 이루고 있다.
또한, 각 화소영역(P)에는 상기 게이트 배선(미도시) 및 데이터 배선(130)의 교차지점에 부근에 스위칭 소자로서 게이트 전극(115)과, 게이트 절연막(120)과, 액티브층(125a)과 오믹콘택층(125b)을 포함하는 반도체층(125)과, 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극(133, 136)을 포함하는 박막트랜지스터(Tr)가 형성되어 있다.
한편, 상기 드레인 전극(136)은 상기 제 1 스토리지 전극(117)이 형성된 부분까지 연장하여 상기 제 1 스토리지 전극(117)과 중첩하며 제 2 스토리지 전극(137)을 이루고 있으며, 이때 서로 중첩하는 상기 제 1 스토리지 전극(117)과 게이트 절연막(120)과 제 2 스토리지 전극(137)은 스토리지 커패시터(StgC)를 이루고 있다.
또한, 상기 박막트랜지스터(Tr)와 데이터 배선(130) 및 스토리지 커패시터(StgC) 위로 무기절연물질 예를들면 질화실리콘(SiNx) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어지며 그 표면에 요철구조를 갖는 제 1 보호층(140)이 형성되고 있다. 이때 상기 제 1 보호층(140)은 그 평균적인 두께가 1㎛ 내지 2㎛정도가 되며, 요부와 철부의 높이 차는 0.5㎛ 내지 1㎛ 정도가 되고 있는 것이 특징이다.
다음, 상기 표면에 요철 구조를 갖는 상기 제 1 보호층(140) 위로 본 발명에 있어 가장 특징적인 구성요소로서 게르마늄(Ge) 또는 GeSi, GeC 등의 게르마늄 화합물로 이루어지며 표면이 식각 처리되어 미세 요철 구조를 갖는 미세 요철 보조층(150)이 형성되어 있다. 이때, 상기 미세 요철 보조층(150)은 그 하부에 위치한 표면이 요철구조를 갖는 상기 제 1 보호층(140)의 영향으로 상대적으로 큰 크기의 요철 구조를 가지며, 동시에 상기 요철 구조를 갖는 표면에 상기 요철보다 작은 크기의 미세 요철이 형성되고 있는 것이 특징이다.
통상적으로 상기 제 1 보호층(140) 표면에 형성되는 요철은 마스크 공정을 통해 패터닝에 의해 형성된 것이므로 철부 또는 요부의 폭이 2㎛ 내지 10㎛ 정도가 되지만, 상기 미세 요철 보조층(150)은 게르마늄(Ge)의 입자 특성을 이용한 식각에 의해 형성된 것이므로 그 미세 철부 또는 미세 요부 폭은 0.01㎛ 내지 0.5㎛ 정도가 되는 것이 특징이다.
즉, 상기 미세 요철 보조층(150)은 그 높이차가 평균적으로 0.5㎛ 내지 1㎛ 정도인 올록볼록한 요철 구조를 이루며, 상기 볼록볼록한 요철 자체가 울퉁불퉁한 매우 거친 표면을 갖는 것이 특징이다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반사형 액정표시장치에 있어서 미세 요철 보조층 표면에 대한 평면 SEM 사진이다.
도시한 바와 같이, 상기 미세 요철 보조층의 표면에는 매우 미세 요철이 형성되고 있으므로 매우 거친 표면을 가짐을 알 수 있다.
전술한 형태를 갖는 미세요철 보조층을 형성하는 방법에 대해서는 추후 제조 방법을 통해 상세히 설명한다.
다음, 도 2를 참조하면, 상기 미세요철 보조층(150) 위로는 반사효율이 좋은 금속물질 예를들면 알루미늄, 알루미늄네오디뮴(AlNd), 은(Ag), 산화마그네슘(MgO), 산화티타늄(TiOx) 중 어느 하나로서 이루어진 반사판(155)이 형성되고 있다.
이때, 상기 반사판(155)은 상기 제 1 보호층(140)과 상기 미세 요철 보조층(150)이 패터닝되어 상기 드레인 전극(136)을 노출시키며 형성된 드레인 콘택홀(143)을 통해 상기 드레인 전극(136)과 접촉함으로써 각 화소영역(P) 내에서 화소전극으로서의 역할을 하고 있는 것이 특징이다.
이때, 상기 반사판(155)은 그 하부에 위치한 상기 미세 요철 보조층(150)에 영향으로 전체적으로 그 폭이 2㎛ 내지 10㎛정도의 크기(폭)를 가지며 철부 및 요부의 단차가 0.5㎛ 내지 1㎛ 정도인 요철이 구비되고 있으며, 상기 요철의 표면에는 다시 0.01㎛ 내지 0.5㎛정도의 크기(폭)를 갖는 미세 요철이 형성되고 있는 것이 특징이다.
전술한 바와 같은 구성을 갖는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반사형 액정표시장치용 어레이 기판(110)의 반사판(155)은 2㎛ 이상의 크기(폭)를 갖는 상대적으로 큰 크기(폭)를 갖는 요철이 구비되고 있으며, 나아가 상기 요철의 요부 및 철부를 포함하는 표면에 0.01㎛ 내지 0.5㎛ 정도의 크기를 갖는 미세 요철이 불규칙적으로 형성되고 있으므로 외부로부터 입사되는 빛의 산란 특성을 증가시켜 반사효율을 종래의 엠보싱 구조를 갖는 반사판(도 1의 52)의 구비한 반사형 액정표시장치 대비 향상시킬 수 있다.
이렇게 무기절연물질을 이용하여 그 표면에 요철을 갖는 보호층(140)을 형성하고, 상기 보호층(140) 상부에 게르마늄(Ge) 또는 GeSi, GeC 등의 게르마늄 화합물로 이루어진 미세 요철 보조층(150)을 형성한 후, 이의 상부에 반사판(155)을 형성한 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반사형 액정표시장치용 어레이 기판은 패널로 구현시 75% 정도의 반사율을 가짐으로써 통상적으로 65%의 반사율을 갖는 종래의 반사형 액정표시장치용 어레이 기판(도 1의 10) 대비 반사율이 향상되었으며, 반사판(155)이 요철구조를 갖도록 하기 위해 하나의 보호층(140)만을 형성하였으므로 제조 공정이 단순화 되는 장점을 갖는다.
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반사형 액정표시장치용 어레이 기판의 하나의 화소영역에 대한 단면도이다. 설명의 편의를 위해 제 1 실시예와 동일한 구성요소에 대해서는 100을 더하여 도면부호를 부여하였다.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 반사형 액정표시장치용 어레이 기판(210)의 경우, 박막트랜지스터(Tr) 상부에 형성되는 보호층(239, 240)만이 제 1 실시예와 차별점이 있으며, 그 이외의 구성요소는 제 1 실시예와 동일한 구성을 가지므로 제 1 실시예와 차별적인 부분에 대해서만 간단히 설명한다.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 반사형 액정표시장치용 어레이 기판(210)의 경우, 박막트랜지스터(Tr)와 스토리지 커패시터(StgC) 위로 무기절연물질 예를들면 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어진 제 1 보호층(239)이 형성되어 있다.
상기 제 1 보호층(239) 위로 유기절연물질 예를들면 포토아크릴(photo acryl) 또는 벤조사이클로부텐(BCB)로 이루어지며 그 표면에 2㎛ 내지 10㎛ 정도의 크기의 올록볼록한 엠보싱 구조를 갖는 제 2 보호층(240)이 형성되어 있다.
한편, 제 1 실시예의 경우 무기절연물질로 이루어진 보호층(도 2의 140) 특성상 건식식각에 의해 패터닝 됨으로써 요철의 단면구조는 각진 형태를 이루지만, 상기 제 2 보호층(240)의 표면에 구성된 올록볼록한 엠보싱은 제조 공정 상 특징에 의해 열처리 단계를 거침으로써 그 단면이 반원 또는 반 타원형의 곡선 형태를 갖는 것이 특징이다.
상기 제 1 보호층(239)과 상기 제 2 보호층(240)에는 상기 박막트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(236)을 노출시키는 드레인 콘택홀(243)이 구비되고 있다.
다음, 상기 올록볼록한 엠보싱 구조를 갖는 제 2 보호층(240) 위로 제 1 실시예를 통해 설명한 바와 같이 게르마늄(Ge) 또는 GeSi, GeC 등의 게르마늄 화합물으로 이루어져 그 표면에 미세 요철이 구비된 미세 요철 보조층(250)이 구비되어 있으며, 이러한 미세 요철 보조층(250) 위로 반사판(255)이 구비되어 있다.
전술한 구성을 갖는 제 2 실시예에 따른 반사형 액정표시장치용 어레이 기판은 반사판(255)이 올록볼록한 엠보싱 구조를 가지며 상기 엠보싱을 포함하는 표면에는 미세한 요철이 형성됨으로써 제 1 실시예와 마찬가지로 반사효율을 향상시킬 수 있다.
도 5는 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 반사형 액정표시장치와 제 1 비교예로서 엠보싱 또는 요철 구조기 미적용된 반사판을 구비한 반사형 액정표시장치 및 엠보싱 구조가 적용된 반사판을 구비한 반사형 액정표시장치의 시야각 변화에 따른 반사율을 나타낸 그래프이다.
도시한 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반사형 액정표시장치의 경우 시야각 0도에서 73%가 됨을 알 수 있으며, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반사형 액정표시장치의 경우 시야각 0도에서 79%정도의 투과율을 가짐을 알 수 있다.
반면, 제 1 비교예로서 요철 또는 엠보싱 패턴이 미적용된 반사판을 구비한 반사형 액정표시장치의 경우 반사율은 3%정도가 됨을 알 수 있으며, 제 2 비교예로서 엠보싱 구조가 적용된 반사판을 구비한 반사형 액정표시장치의 경우, 반사율은 시야각 0도 즉 정면에서 바라보았을 경우 최대로 63%가 됨을 알 수 있다.
따라서, 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예와 같이 따른 미세 요철 보조층을 구비한 반사형 액정표시장치가 이를 구비하지 않는 종래의 반사형 액정표시장치 대비 투과효율 측면에서 10% 내지 16%정도 더 향상되었음을 알 수 있다.
한편, 도 6은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판의 하나의 화소영역에 대한 단면도이다. 이러한 본 발명의 제 3 실시예에 따른 반사투과형 액정표시장치의 경우 화소영역이 반사판이 구비된 반사(RA)부와 반사판이 제거된 투과부(TA)로 나뉘고 있는 것이 특징이다. 설명의 편의를 위해 하나의 화소영역(P) 내에서 반사판이 형성된 부분을 반사부(RA), 반사판이 제거된 부분을 투과부(TA)라 정의한다. 본 발명의 제 3 실시예에 따른 반사투과형 액정표시장치의 경우 박막트랜지스터가 형성된 부분까지는 제 1 및 제 2 실시예와 동일한 구성을 가지므로 이에 대해서는 설명을 생략하고 차별점이 있는 부분 위주로 설명한다.
도시한 바와 같이, 반사부에 대응하여 박막트랜지스터(Tr) 및 스토리지 커패시터(StgC)가 형성되고 있으며, 이의 상부로 유기절연물질로서 그 표면에 올록볼록한 엠보싱(단면이 곡선형태)구조를 갖는 제 1 보호층(340)이 형성되어 있다. 이때, 상기 제 1 보호층(340)은 유기절연물질 이외에 무기절연물질로 형성되어 그 표면이 올록볼록한 요철 구조(단면이 각진 형태)를 이루어질 수도 있다.
한편, 상기 제 1 보호층(340)이 유기절연물질로 이루어질 경우, 도시한 바와같이 상기 박막트랜지스터(Tr)와 제 1 보호층(340) 사이에는 무기절연물질로 이루어진 제 2 보호층(339)이 더욱 형성될 수 있다.
이때, 상기 제 1 보호층(340)은 투과부(TA)에 대응하여 제거됨으로서 투과홀(Th)이 형성되고 있는 것이 특징이다.
상기 제 1 보호층(340) 상부로 상기 반사부(RA)에는 게르마늄(Ge) 또는 GeSi, GeC 등의 게르마늄 화합물로 이루어지며 그 표면에 미세 요철을 갖는 미세 패턴 보조층(350)이 구비되고 있으며, 상기 미세 패턴 보조층(350) 상부에는 반사판(355)이 구비되어 있다. 이때 상기 미세 패턴 보조층(350)과 이의 상부에 형성된 반사판(355)의 형태는 제 1 및 제 2 실시예를 통해 이미 설명했으므로 생략한다.
한편, 상기 투사부(TA)에는 미세 패턴 보조층(350) 및 반사판(355)은 형성되지 않는 것이 특징이며, 상기 박막트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(336)에 대응하여 개구(op1)가 형성되고 있는 것이 특징이다.
다음, 상기 반사판(355) 위로는 제 3 보호층(360)이 형성되고 있으며, 이때 상기 제 3 보호층(360)과 제 2 및 제 1 보호층(340, 339)에는 상기 제 1 개구(op1)를 관통하며 드레인 전극(336)을 노출시키는 드레인 콘택홀(363)이 구비되고 있다.
다음, 상기 제 3 보호층(360) 상부에는 상기 드레인 콘택홀(363)을 통해 상기 드레인 전극(336)과 접촉하며 상기 반사부(RA) 및 투과부(TA)를 포함하는 화소영역(P)에 대응하여 화소전극(370)이 형성되고 있다.
전수한 구성을 갖는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판의 경우도 제 1 및 제 2 실시예에서 설명한 동일한 이유로 반사부(RA)에서의 반사효율이 향상되는 것이 특징이다.
이후에는 본 발명에 실시예에 따른 반사형 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법에 대해 설명한다.
도 7a 내지 도 7f는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반사형 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 단계별 공정 단면도이다.
우선, 도 7a에 도시한 바와 같이, 투명한 절연 기판(110)상에 제 1 금속물질을 증착하여 전면에 제 1 금속층(미도시)을 형성한 후, 상기 제 1 금속층(미도시) 위로 포토레지스트를 도포하고, 빛의 투과영역과 차단영역을 갖는 마스크(미도시)를 이용하여 노광하고, 상기 노광된 포토레지스트를 현상하고, 현상 후 남아있는 포토레지스트 사이로 노출된 제 1 금속층(미도시)을 식각하는 공정을 포함하는 제 1 마스크 공정을 진행하여 상기 제 1 금속층(미도시)을 패터닝함으로써 게이트 배선(미도시)과 이와 이격하여 나란하게 배치되는 공통배선(미도시)을 형성하고, 동시에 각 화소영역(P) 상에 상기 게이트 배선(미도시)과 연결되는 게이트 전극(115)을 형성한다. 이때, 상기 공통배선(미도시) 중 각 화소영역(P) 내에 위치하는 부분은 제 1 스토리지 전극(117)을 이룬다.
다음, 도 7b에 도시한 바와 같이, 상기 게이트 배선(미도시)과 공통배선(미도시)과 게이트 전극(115) 위로 전면에 무기절연물질인 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)을 증착하여 게이트 절연막(120)을 형성하고, 연속하여 상기 게이트 절연막(120) 위로 순수 비정질 실리콘과, 불순물 비정질 실리콘을 형성함으로써 순수 비정질 실리콘층(미도시)과 불순물 비정질 실리콘층(미도시)을 형성한다.
이후, 상기 불순물 비정질 실리콘층(미도시)과 순수 비정질 실리콘층(미도시)을 패터닝하여 상기 게이트 전극(115)에 대응하여 액티브층(125a) 및 불순물 비정질 실리콘 패턴(미도시)을 형성한다.
다음, 상기 불순물 비정질 실리콘 패턴(미도시) 상부로 금속물질을 증착하여 제 2 금속층(미도시)을 형성하고, 상기 제 2 금속층(미도시)을 패터닝함으로써 상기 게이트 절연막(120) 위로 상기 게이트 배선(미도시)과 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 데이터 배선(130)을 형성하고, 동시에 상기 불순물 비정질 실리콘 패턴(미도시) 상부에서 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극(133, 136)을 형성한다. 이때, 상기 데이터 배선(130)과 소스 전극(133)은 서로 연결되도록 형성하며, 상기 드레인 전극(136)은 상기 공통배선(미도시)과 중첩하도록 형성함으로써 서로 중첩하는 공통배선 부분과 드레인 전극 부분은 각각 제 1 및 제 2 스토리지 전극(117, 137)을 이루도록 한다. 이때, 상기 게이트 절연막(120)을 사이에 두고 서로 중첩하는 상기 제 1 및 제 2 스토리지 전극(117, 137)은 스토리지 커패시터(StgC)를 이룬다.
한편, 도면에 있어서는 상기 비정질 실리콘층(미도시)과 불순물 비정질 실리콘층(미도시)을 1회의 마스크 공정을 진행하여 패터닝하고, 이후 제 2 금속층(미도시)을 또 한차례의 마스크 공정을 진행하여 패터닝함으로써 총 2회의 마스크 공정을 진행하여 형성하는 것을 일례로 보이고 있지만, 상기 비정질 실리콘층(미도시)과 불순물 비정질 실리콘층(미도시)과 제 2 금속층(미도시)을 연속적으로 형성한 후, 회절노광 또는 하프톤 노광 기법을 이용하여 패터닝함으로써 액티브층(125a)과 오믹콘택층(125b)과 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극(133, 136)과 데이터 배선(130)을 형성할 수도 있다. 이 경우, 상기 데이터 배선(130)의 하부에는 상기 액티브층(125a)과 오믹콘택층(125b)을 이루는 동일한 물질로 이루어진 제 1 및 제 2 더미패턴이 형성된다.
한편, 상기 화소영역(P)에 순차 적층된 상기 게이트 전극(115)과 게이트 절연막(120)과 액티브층(125a)과 오믹콘택층(125b)과 소스 및 드레인 전극(133, 136)은 박막트랜지스터(Tr)를 이룬다.
다음, 도 7c에 도시한 바와 같이, 상기 데이터 배선(135)과 박막트랜지스터(Tr)와 스토리지 커패시터(StgC) 위로 전면에 무기절연물질을 1㎛ 내지 2㎛ 정도의 두께를 갖도록 증착하여 제 1 보호층(140)을 형성한다.
이후, 상기 제 1 보호층(140) 위로 불규칙적으로 이격하는 다수의 포토레지스트 패턴(미도시)을 형성하고, 이를 이용하여 건식식각을 진행함으로써 상기 제 1 보호층(140) 표면에 다수의 요부를 형성한다. 이때, 상기 포토레지스트 패턴(미도시)에 의해 가려진 부분은 식각되지 않음으로써 철부를 형성하게 된다.
한편, 제 2 실시예의 경우, 도 4를 참조하면, 상기 데이터 배선(235)과 박막트랜지스터(Tr)와 스토리지 커패시터(StgC) 위로 유기절연물질을 도포하고 이에 대해 빛이 투과영역과 차단영역이 불규칙적으로 배치된 노광 마스크를 이용하여 적절히 빛량을 조절한 노광을 실시한 후, 현상함으로써 제 1 실시예의 무기절연물질로 형성한 제 1 보호층(도 7c의 140)과 동일한 형태를 갖도록 유기절연물질로 이루어진 제 2 보호층(240)을 형성한다. 이러한 경우, 상기 올록볼록한 요철은 그 단면이 각진 형태가 되며, 이렇게 올록볼록한 요철이 형성된 유기절연물질로 이루어진 제 2 보호층(240)에 대해 열처리를 실시하여 리플로우시킴으로서 상기 올록볼록한 요철이 올록볼록한 엠보싱 구조를 이루도록 한다. 한편, 상기 제 2 보호층(240)을 유기절연물질로 형성하는 경우, 상기 제 2 보호층(240)을 형성하기 전에 상기 박막트랜지스터(Tr) 위로 무기절연물질을 증착하여 제 1 보호층(239)을 우선 형성할 수도 있다.
이후, 도 7c를 참조하면, 상기 제 1 보호층(140)을 패터닝함으로써 상기 드레인 전극(136)을 노출시키는 드레인 콘택홀(143)을 형성한다.
다음, 도 7d에 도시한 바와 같이, 그 표면이 올록볼록한 요철 구조를 이루며 상기 드레인 콘택홀(143)이 구비된 상기 제 1 보호층(140) 위로 게르마늄(Ge) 또는 GeSi, GeC 등의 게르마늄 화합물을 전면에 증착하여 미세 패턴 보조 물질층(149)을 형성한다.
이후, 도 7e에 도시한 바와 같이, 상기 미세 요철 보조 물질층(도 7d의 149)이 형성된 기판(110)을 식각액, 특히 게르마늄(Ge)과 반응하는 H2O2를 포함하는 식각액에 노출시킨다. 이 경우, 상기 게르마늄(Ge) 또는 GeSi, GeC 등의 게르마늄 화합물으로 이루어진 상기 미세 요철 보조 물질층(도 7d의 149)은 그 내부를 이루는 게르마늄(Ge) 입자가 상기 미세 요철 보조 물질층(도 7d의 149)의 법선 방향으로 그 장축이 배열된 형태를 갖는다. 따라서, 상기 미세 요철 보조 물질층(도 7d의 149)은 이러한 내부 구조적 특징에 의해 입자와 입자의 경계에서는 식각이 빠른 속도로 진행하고, 게르마늄(Ge), 탄소(C), 실리콘(Si) 입자 부분에 대해서는 상대적으로 늦게 식각이 진행되는 특성에 의해 상기 식각액에 적정시간 일례로 수초 내지 수십 초 노출되며, 그 표면에 입자 크기 단위로 울퉁불퉁한 미세 요철이 형성된다.
다음, 상기 미세 요철이 형성된 상기 미세 요철 보조 물질층(도 7d의 149)을 패터닝함으로써 각 화소영역(P)별로 독립된 형태의 미세 요철 보조층(150)을 이루도록 하며, 동시에 상기 드레인 전극(136)에 대응하여 드레인 전극(136)을 노출시키는 드레인 콘택홀(152)을 형성한다. 상기 드레인 콘택홀(152)은 상기 제 1 보호층(140)을 패터닝 하는 단계(도 7c 참조)에서 형성된 후, 상기 미세 요철 보조 물질층(도 7d의 149)의 패터닝 단계에서 다시 한번 형성되는 것을 일례로 보이고 있지만, 상기 미세 요철 보조 물질층(도 7d의 149)을 패터닝 하는 단계에서 하프톤 노광 또는 회절 노광을 포함하는 패터닝을 실시하여 제 1 보호층(140)까지 함께 제거함으로써 드레인 콘택홀(152)을 형성할 수도 있으며, 이 경우, 상기 제 1 보호층(140) 형성하는 단계(도 7c 참조)에서 드레인 콘택홀(도 7c의 143)을 형성하는 것을 생략할 수 있다.
다음, 도 7f에 도시한 바와 같이, 미세 요철 보조층(150) 위로 반사효율이 우수한 금속물질 예를들면 알루미늄, 알루미늄네오디뮴(AlNd), 은(Ag), 산화마그네슘(MgO), 산화티타늄(TiOx) 중 어느 하나를 증착하여 반사 금속층(미도시)을 형성한다.
이후, 상기 반사 금속층(미도시)을 패터닝하여 상기 드레인 콘택홀(152)을 통해 상기 드레인 전극(136)과 접촉하여 반사전극의 역할을 하는 반사판(155)을 형성함으로써 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반사형 액정표시장치용 어레이 기판(110)을 완성할 수 있다.
한편, 제 3 실시예에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판의 경우, 제 1 실시예에 따른 반사형 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법과 차별점이 있는 부분은 다음과 같다.
도 6을 참조하면, 상기 제 1 보호층(340)을 형성하는 단계에서 드레인 전극(336)에 대해서는 이를 노출시키는 드레인 콘택홀을 형성하지 않고, 투과부(TA)에 대응해서는 상기 제 1 보호층(340)이 제거되도록 함으로써 투과홀(Th)을 형성하고, 상기 미세 요철 보조층(350)과 반사판(355)을 형성하는 단계에서는 상기 드레인 전극(336)에 대응하여 제 1 개구(op1)를 형성하며 동시에 투과부(TA)에 대응해서도 제 2 개구(미도시)를 갖도록 상기 미세 요철 보조층(350)과 반사판(355)을 형성한다.
또한, 상기 반사판(355) 위로 무기절연물질 또는 유기절연물질로 이루어진 제 3 보호층(360)을 형성하고, 상기 제 3 보호층(360)과 제 1 보호층(340)(제 2 보호층(339)이 형성되는 경우 제 2 보호층(339)도 포함)을 패터닝하여 상기 드레인 전극(336)을 노출시키는 드레인 콘택홀(363)을 형성한다.
이후, 상기 제 3 보호층(360) 위로 투명 도전성 물질을 증착하여 투명 도전성 물질층(미도시)을 형성하고, 이를 패터닝함으로써 상기 드레인 콘택홀(363)을 통해 상기 드레인 전극(336)과 접촉하는 화소전극(370)을 각 화소영역(P) 내에 형성함으로써 본 발명의 제 3 실시예에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판(310)을 완성할 수 있다.
110 : 어레이 기판 115 : 게이트 전극
117 : 제 1 스토리지 전극 120 : 게이트 절연막
125 : 반도체층 125a : 액티브층
125b : 오믹 콘택층 130 : 데이터 배선
133 : 소스 전극 136 : 드레인 전극
137 : 제 2 스토리지 전극 140 : 제 1 보호층
143 : 드레인 콘택홀 150 : 미세 요철 보조층
155 : 반사판 P : 화소전극
StgC : 스토리지 커패시터 Tr : 박막트랜지스터

Claims (19)

  1. 기판과;
    상기 기판 상에 게이트 절연막을 개재하여 서로 교차하여 화소영역을 정의하며 형성된 게이트 배선 및 데이터 배선과;
    상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 연결되는 박막트랜지스터와;
    상기 박막트랜지스터 위로 상기 기판 전면에 형성되며 그 표면에 다수의 올록볼록한 제 1 요철을 가지며 형성된 제 1 보호층과;
    상기 제 1 보호층 위로 형성되며 그 표면에 제 1 미세 요철이 구비된 미세 요철 보조층과;
    상기 미세 요철 보조층 위로 상기 제 1 보호층 표면에 구비된 상기 다수의 올록볼록한 제 1 요철에 의해 이를 반영하여 다수의 제 2 요철을 가지며, 상기 다수의 제 2 요철을 포함하는 표면에 상기 제 2 요철보다 작은 다수의 제 2 미세 요철이 형성된 것이 특징인 반사판
    을 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 보호층은 무기절연물질로 이루어져 그 요철 형태의 단면은 각진 형태를 갖거나,
    또는 유기절연물질로 이루어져 그 요철 형태의 단면은 곡선 형태를 가져 엠보싱 구조를 이루는 것이 특징인 액정표시장치용 어레이 기판.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 미세 요철 보조층은 게르마늄(Ge)으로 이루어지거나, 또는 게르마늄 화합물 이루어지며 H2O2가 포함된 식각액에 의해서 표면처리 된 것이 특징인 액정표시장치용 어레이 기판.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 게르마늄 화합물은 GeC 또는 GeSi 인 것이 특징인 액정표시장치용 어레이 기판.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 보호층과 상기 미세 요철 보조층은 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극을 노출시키는 드레인 콘택홀이 구비되며,
    상기 반사판은 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접촉하는 것이 특징인 액정표시장치용 어레이 기판.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 화소영역은 반사부와 투과부로 나뉘고, 상기 반사판과 상기 미세 요철 보조층은 상기 반사부에 형성되며, 상기 반사판 상부로 제 2 보호층이 형성되며, 상기 제 2 보호층 위로 상기 반사부와 투과부에 대응하여 상기 화소영역 별로 화소전극이 형성된 것이 특징인 액정표시장치용 어레이 기판.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 2 보호층과 상기 미세 요철 보조층 및 상기 제 1 보호층에는 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극을 노출시키는 드레인 콘택홀이 구비되며,
    상기 화소전극은 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접촉하는 것이 특징인 액정표시장치용 어레이 기판.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 보호층은 상기 투과부에 대응하는 부분이 제거되어 투과홀이 구비된 것이 특징인 액정표시장치용 어레이 기판.
  9. 제 1 항 또는 제 6 항에 있어서,
    상기 게이트 배선이 형성된 동일한 층에 상기 게이트 배선과 이격하며 나란하게 공통배선이 형성되며, 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극은 상기 공통배선과 중첩하도록 형성함으로써 상기 서로 중첩하는 공통전극과 상기 드레인 전극은 스토리지 커패시터를 이루는 것이 특징인 액정표시장치용 어레이 기판.
  10. 기판 상에 게이트 절연막을 개재하여 서로 교차하여 화소영역을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 배선 및 데이터 배선 연결되는 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;
    상기 박막트랜지스터 위로 그 표면에 다수의 올록볼록한 제 1 요철을 갖도록 제 1 보호층을 형성하는 단계와;
    상기 제 1 보호층 위로 형성되며 그 표면에 제 1 미세 요철이 구비된 미세 요철 보조층을 형성하는 단계와;
    상기 미세 요철 보조층 위로 상기 제 1 보호층 표면에 구비된 상기 다수의 올록볼록한 제 1 요철에 의해 이를 반영하여 다수의 제 2 요철을 가지며, 상기 다수의 제 2 요철을 포함하는 표면에 상기 제 2 요철보다 작은 다수의 제 2 미세 요철이 구비된 반사판을 형성하는 단계
    를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 박막트랜지스터 위로 그 표면에 다수의 올록볼록한 제 1 요철을 갖도록 제 1 보호층을 형성하는 단계는,
    상기 박막트랜지스터 위로 무기절연물질층을 형성하는 단계와;
    상기 무기절연물질층 위로 불규칙적으로 이격하는 다수의 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와;
    건식식각을 진행하여 상기 다수의 포토레지스트 패턴 외부로 노출된 상기 무기절연물질층을 식각함으로써 그 두께를 낮추어 요부를 이루도록 하고, 상기 포토레지스트 패턴에 의해 가려진 부분은 철부를 이루도록 하는 단계와;
    상기 다수의 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계
    를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 박막트랜지스터 위로 그 표면에 다수의 올록볼록한 제 1 요철을 갖도록 제 1 보호층을 형성하는 단계는,
    상기 박막트랜지스터 위로 유기절연물질층을 형성하는 단계와;
    상기 유기절연물질층에 투과영역과 차단영역이 불규칙적으로 배치된 노광마스크를 이용하여 노광을 실시하는 단계와;
    노광된 상기 유기절연물질층을 현상함으로써 상기 유기절연물질층 표면에 철부와 요부를 형성하는 단계와;
    상기 현상된 유기절연물질층을 열처리함으로써 상기 철부가 리플로우 되도록 함으로써 올록볼록한 엠보싱 구조를 갖도록 하는 단계
    를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 박막트랜지스터와 상기 제 1 보호층 사이에 무기절연물질로 이루어진 제 2 보호층을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법.
  14. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 보호층 위로 형성되며 그 표면에 상기 제 1 미세 요철이 구비된 상기 미세 요철 보조층을 형성하는 단계는,
    상기 제 1 보호층 위로 게르마늄(Ge) 또는 게르마늄 화합물을 증착하여 미세 요철 보조 물질층을 형성하는 단계와;
    상기 미세 요철 보조 물질층을 H2O2를 포함하는 식각액에 수초 내지 수십 초간 노출시킴으로써 그 표면에 상기 제 1 미세 요철을 형성하는 단계
    를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 게르마늄 화합물은 GeC 또는 GeSi 인 것이 특징인 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법.
  16. 제 10 항에 있어서,
    상기 미세 요철 보조층을 형성하는 단계는 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극에 대응하여 상기 미세 요철 보조층과 상기 제 1 보호층 패터닝함으로써 상기 드레인 전극을 노출시키는 드레인 콘택홀을 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 반사판을 형성하는 단계는 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접촉하도록 형성하는 것이 특징인 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법.
  17. 제 10 항에 있어서,
    상기 화소영역은 반사부와 투과부로 나뉘고,
    상기 반사판과 상기 미세 요철 보조층은 패터닝함으로써 상기 투과부 및 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극에 대응하는 부분 일부를 제거하는 단계를 포함하며,
    상기 반사판 상부로 상기 화소영역에 제 2 보호층을 형성하는 단계와;
    상기 제 2 보호층 위로 상기 반사부와 투과부에 대응하여 상기 각 화소영역별로 화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 제 2 보호층을 형성하는 단계는
    상기 드레인 전극에 대응하여 상기 제 2 보호층과 상기 제 1 보호층을 제거하여 상기 드레인 전극을 노출시키는 드레인 콘택홀을 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 화소전극은 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접촉하도록 형성하는 것이 특징인 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법.
  19. 제 10 항 또는 제 17 항에 있어서,
    상기 게이트 배선 및 데이터 배선을 형성하는 단계는 상기 게이트 배선과 이격하여 나란하게 연장하는 공통배선을 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 박막트랜지스터를 형성하는 단계는 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극을 연장하여 상기 공통배선과 중첩하도록 형성함으로써 서로 중첩하는 상기 공통배선과 상기 드레인 전극이 스토리지 커패시터를 이루도록 하는 것이 특징인 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법.
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