JP4094278B2 - 半透過型アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

半透過型アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4094278B2
JP4094278B2 JP2001355210A JP2001355210A JP4094278B2 JP 4094278 B2 JP4094278 B2 JP 4094278B2 JP 2001355210 A JP2001355210 A JP 2001355210A JP 2001355210 A JP2001355210 A JP 2001355210A JP 4094278 B2 JP4094278 B2 JP 4094278B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
reflective
liquid crystal
region
thickness
insulating film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2001355210A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2003156756A (ja
Inventor
道昭 坂本
統 助川
英徳 池野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Tianma Japan Ltd
Original Assignee
NEC Corp
NEC LCD Technologies Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, NEC LCD Technologies Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP2001355210A priority Critical patent/JP4094278B2/ja
Priority to TW091133190A priority patent/TW552457B/zh
Priority to US10/298,908 priority patent/US7015996B2/en
Priority to CNB021513686A priority patent/CN1251010C/zh
Priority to KR1020020072562A priority patent/KR100568197B1/ko
Publication of JP2003156756A publication Critical patent/JP2003156756A/ja
Priority to US11/264,256 priority patent/US7609343B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4094278B2 publication Critical patent/JP4094278B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133553Reflecting elements
    • G02F1/133555Transflectors
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133371Cells with varying thickness of the liquid crystal layer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Optical Filters (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は液晶表示装置に関し、特に外部からの入射光を反射して表示光源とするとともに、後背部の光源からの光を透過させる半透過型液晶表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、装置内部に反射板を有し、この反射板により外部からの入射光を反射して表示光源とすることにより、光源としてのバックライトを備える必要のない反射型の液晶表示置(liquid crystal display:LCD)、および、光源としてバックライトを備えた透過型液晶表示装置が知られている。
【0003】
反射型液晶表示装置は、透過型液晶表示装置よりも低消費電力化、薄型化、軽量化が達成できるため、主に携帯端末用として利用されている。その理由は、外部から入射した光を装置内部の反射板で反射させることにより表示光源として利用できるので、バックライトが不要になるからである。一方で透過型液晶表示装置は、周囲の光が暗い場合において反射型液晶表示装置よりも視認性が良いという特性を持つ。
【0004】
現在の液晶表示装置の基本構造は、TN(ツイステッドネマテッィク)方式、一枚偏光板方式、STN(スーパーツイステッドネマテッィク)方式、GH(ゲストホスト)方式、PDLC(高分子分散)方式、コレステリック方式等を用いた液晶と、これを駆動するためのスイッチング素子と、液晶セル内部又は外部に設けた反射板またはバックライトとから構成されている。これらの一般的な液晶表示装置は、薄膜トランジスタ(TFT)又は金属/絶縁膜/金属構造ダイオード(MIM)をスイッチング素子として用いて高精細及び高画質を実現できるアクティブマトリクス駆動方式が採用され、これに反射板またはバックライトが付随した構造となっている。
【0005】
従来の反射型液晶表示装置と透過型液晶表示装置の利点を併せ持つ液晶表示装置として、図13に示すように、下部側基板の画素電極1の周囲を通り互いに直交するようにゲート配線2とドレイン配線3が設けられ、画素電極1に薄膜トランジスタ4が設けられ、薄膜トランジスタ4のゲート電極およびドレイン電極にゲート配線2およびドレイン配線3が接続され、画素電極1に金属膜からなる反射領域5とITOからなる透過領域6が形成された半透過型液晶表示装置が開示されている(特許第2955277号公報参照)。
【0006】
上記のように、画素電極に透過領域と反射領域を設けることにより、周囲の光が明るい場合にはバックライトを消して反射型液晶表示装置として使用可能であり、低消費電力という反射型液晶表示装置の特性が発揮される。また、周囲の光が暗い場合にバックライトを点灯させて透過型液晶表示装置として使用すると、周囲が暗い場合での視認性向上という透過型液晶表示装置の特性が発揮される。以下、反射型液晶表示装置としても透過型液晶表示装置としても使用可能な液晶表示装置を、半透過型液晶表示装置と呼ぶことにする。
【0007】
しかし従来の半透過型液晶表示装置では、反射領域5では入射光が液晶層を往復し、透過領域6では入射光が液晶層を通過するために、液晶層における光の経路差が発生してしまい、両領域でのリタデーションの相異によって出射光強度を最適化できないという問題が存在した。その問題を解決するために特許第2955277号公報に記載された液晶表示装置には、図14に示す液晶表示装置の断面図のように、反射領域5の透明電極7下に絶縁層8設けて絶縁層8の上または下に反射板9を配置することで、反射領域5での液晶層の膜厚drと透過領域6での液晶層の膜厚dfに差を設ける構造が開示されている。
【0008】
図16はツイスト角φ=0°における液晶層の膜厚に基づいて、透過モードでの出射光の強度と、反射モードでの出射光の強度を計算した結果を示したグラフである。透過モードと反射モードの出射光強度は液晶層の厚さによって異なることが分かる。従って、反射領域の液晶層の膜厚drと透過領域の液晶層の膜厚dfの比率を1:2程度にすることにより、反射領域5と透過領域6との光の経路差を解消して出射光の特性が近似される。このような半透過型液晶表示装置の反射領域と透過領域の出射光強度の最適化について本願発明者はさら検討を行った。その検討結果を以下に示す。
(1)反射領域と透過領域の出射光強度の最適化
図15は半透過型液晶表示装置の各部位における偏光状態を示す図であり、図17は、液晶の膜厚と液晶のツイスト角との関係を示す図である。図15では図14の絶縁層8の上に反射電極10を配置し、反射板を兼用する構成を前提とする。 図15に示すように、半透過型液晶表示装置は、下部側基板11と、対向側基板12と、両基板間に狭持されている液晶層13と、下部側基板11の下方に配置されているバックライト光源28と、下部側基板11及び対向側基板12の各々の外側に設けられる位相差板20a、20b及び偏光板23a、23bを具備している。
【0009】
(上側の偏光板、λ/4板の配置)
反射領域をノーマリーホワイト、すなわち対向側基板と反射電極及び透過電極の間に電圧がかからずに液晶がねている状態で白、液晶が立っている状態で黒とするため、液晶層13と偏光板23bとの間に位相差板(λ/4板)20bを配置する。λ/4板20bを偏光板23bの光学軸に対して45°回転させて挟むことにより、偏光板23bを通過した直線偏光(水平)は、右まわり円偏光となる。右回り円偏光となった光は反射領域の液晶層の膜厚drを所定の値にすることで反射電極10に直線偏光として到達する。反射電極10では直線偏光は直線偏光として反射され、液晶層10を出射するときは右まわり円偏光となる。これがλ/4板20bにより直線偏光(水平)となり、水平方向に光学軸を持つ偏光板23bを出射し、白表示となる。
【0010】
次に、液晶層13に電圧がかかった場合は液晶が立つ。このとき、液晶層13に右回り円偏光として入射した光は反射電極10まで右周り円偏光のまま到達し、反射電極10により右まわり円偏光は左まわり円偏光として反射する。そして、左周り円偏光のまま液晶層13を出射したのち、λ/4板20bにより直線偏光(垂直)として変換され、偏光板23bに吸収されて光は出射しない。このため黒表示となる。
【0011】
(下側のλ/4板、偏光板の配置)
透過の場合、電圧のかけた状態で黒表示となるように下側のλ/4板20a、偏光板23aの光学軸の配置角が決定される。下側偏光板23aは上側の偏光板23bとクロスニコルに、すなわち90°回転した方向に配置される。また、上側のλ/4板20bの影響をキャンセル(補償)するため、下側のλ/4板20aもまた90°回転して配置される。液晶は電圧をかけた状態では立っているため、光の偏光状態は変化しないので、結局、偏光板23a、23bがクロスニコルに配置されていることと光学的には等価となり、電圧がかけた状態で黒表示となる。以上のようにして、半透過型液晶表示装置の光学部材の配置、および光学軸の配置角が決定される。
【0012】
以上の配置角で光学部材を配置し、液晶のツイスト角φを0°〜90°の範囲で変化させた時の、それぞれ白の反射率および透過率が最大となる最適な反射領域の液晶層の膜厚dr及び透過領域の液晶層の膜厚dfを図17に示す。図17より、透過領域と反射領域の最適な液晶層の厚さは、液晶のツイスト角72°で一致し、液晶のツイスト角が小さくなるにつれ、反射領域の最適な液晶層の厚さの方が透過領域の最適な液晶層の膜厚よりも小さくなる。液晶としてΔn=0.086のネマティック液晶を用い、ツイスト角を72°に設定したときの透過領域と反射領域の最適な液晶層の膜厚はdr=df=2.7μm、ツイスト角を
0°に設定したたときの透過領域と反射領域の最適な液晶層の膜厚はdr=1.5μm、df=2.9μmである。
(2)反射板の法線方向に効率よく反射するための条件
図18(a)は、反射板1に入射する光Liと、反射板32に反射して観察者が視認する光Lrとを模式的に示したものである。入射光Li及び反射光Lrが反射板32の法線方向となす角をそれぞれ入射角Ti及び反射角Trとする。入射光Liは、凸パターン33及び第2の絶縁膜34により凹凸状に形成されれている反射電極35で反射されるので、入射角Tiと反射角Trは異なる値となる。
【0013】
図18(b)は、凹凸状の反射電極35の一点Aに入射した光の反射について模式的に示した図である。ここでは、簡便のために反射電極35の表面形状と反射板32のみを図示している。
【0014】
入射光Liが凹凸状の反射電極35のA点に入射すると、入射光LiはA点における反射電極35の接平面での反射となるため、反射光LrはA点における法線方向を対称軸とした方向に反射する。
【0015】
ここで、A点における反射電極35の接平面と反射板32とのなす角はA点における傾斜角θと定義すると、反射光Liの反射方向の分布は反射電極35の凹凸の傾斜角θの分布に依存することになる。このため、観察者Pが反射板32の輝度に関して主観評価を行い、明るい反射であると認識するように傾斜角θの分布を設計することが重要となる。
【0016】
反射型液晶表示装置や半透過型液晶表示装置を使用する状況を検討すると、図19(a)に示すように、反射板32の法線方向と0乃至―60度の角度にある光源Sからの入射光Liが、−10乃至+20度の角度に反射される反射光Lrを観察者Pが視認する状況と、図19(b)に示すように、反射板32のA点への左右20度内の方向からの入射光Liを左右20度以内の方向で観察者Pが反射光Lrを視認する状況と、が支配的であると考えられる。
【0017】
反射板32に形成されている凹凸パターンに、観察者Pから見て水平方向に伸びた形状の凹凸を多く含めることにより、図19(a)に示したように、光源Sからの入射光Liを効率的に観察者Pへの反射光Lrとするような指向性を伴った反射板32を設計することができる。
【0018】
図20は反射板32に形成され凹凸パターンの平面図である。図中の傾斜部分が凸パターン33の形成されている領域であり、白抜きの三角形で示されている領域が凹部が形成されている領域である。図20においては、凹部を示す三角形は規則的に配列されているが、実際には、ある程度の乱雑さをもって三角形が配列されている。ここでは複数の三角形の3辺を凸パターン33が画定している例を示したが、凹凸パターンとしては複数の線状凸パターンにより四角形や楕円形などの閉じた図形(閉図形)が形成されるものであればよい。
【0019】
図21は図20の2点間の模式的な断面図である。凸パターン33の中心間距離をL、凸パターン33の幅をW、凸パターン33の高さをD、第2の絶縁膜34の高さが極小となる高さをd、第2絶縁膜34の高さが最大となる点と最小となる点の高さ差を△D、すなわち反射電極の表面の凹凸段差とする。第2絶縁膜層34の上面に塗布されたアルミニウム膜(反射電極35)は薄いため、その厚さは無視し、図示しない。
【0020】
図19(a)において、反射角0〜10度の反射率が高くなるように反射電極の表面形状を決める必要がある。反射電極の表面形状は、図21に示す反射電極31の表面の凹凸段差△Dと、凸パターン(第1の絶縁膜)33の中心間距離Lによって概略決まる。
【0021】
最近の液晶表示装置は高精細であることが要求されている。また、携帯電話等の携帯機器では、より明るい画面の要請から半透過型が主流になりつつある。高精細化、半透過化により、一画素に含まれる三角形(凹部)の数が少なくなると、反射光同士の干渉が発生するという問題が生じる。一画素に含まれる三角形の数が少なくなると、一画素の中で干渉をキャンセルすることが難しくなるからである。そこで凸パターン(第1の絶縁膜)33の中心間距離Lはできるだけ小さくする必要があるが、これは露光精度等の製造上の能力で決まるため、現在の中心間距離Lは60〜80μmである。そこで、反射電極の表面形状は、反射電極31の表面の凹凸段差△Dとで概略決まることになる。
【0022】
【発明が解決しようとする課題】
半透過型液晶表示装置の市場要求は明るい表示がポイントだが、上述したように明るい表示を実現するには、
(1)液晶のツイスト角に応じて、それぞれ白の反射率および透過率が最大となる最適な反射領域の液晶層の膜厚dr及び透過領域の液晶層の膜厚dfを図17に示すように設定する必要がある。
(2)反射板の法線方向に効率よく反射するために、最適な反射電極の表面形状を設定する必要がある。
【0023】
従って本発明は、これらの条件をともに満足する、反射領域においても透過領域においても輝度を最大にする半透過型液晶表示装置を提供することを課題とする。
【0024】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の液晶表示装置は、配線及び薄膜トランジスタが形成された下部側基板と、前記下部側基板に対向して配置される対向側基板とによって狭持された液晶層を有し、前記下部側基板に凹凸表面を備える反射用絶縁膜が形成され、前記反射用絶縁膜の上に形成されて表面が凹凸の反射電極を備える反射領域と、前記下部側基板に透過用絶縁膜が形成され、前記透過用絶縁膜の上に透明電極が形成されている透過領域とが設けられ、前記対向基板の前記反射領域に対応する位置に反射用色層が形成され、前記対向基板の前記透過領域に対応する位置に透過用色層が形成され、前記反射用色層及び前記透過用色層を覆うように共通電極が形成され、前記反射電極及び透明電極と前記共通電極との間に電圧を印加する液晶表示装置であって、前記反射電極の表面の高さと前記透明電極の表面の高さは異なり、前記反射用色層と前記透過用色層の膜厚も異なり、前記液晶層のツイスト角は0度以上60度以下であり、前記液晶層の透過領域の膜厚は2.8μm以上、2.9μm以下であり、前記液晶層の反射領域の膜厚は1.5μm以上、2μm以下であり、前記反射電極の前記凹凸段差は0.5μm以上、1μm以下であり、前記反射用絶縁膜は有機絶縁膜からなり、前記有機絶縁膜の平均膜厚は1.5μm以上であることを特徴とする。前記反射用色層と前記透過用色層の膜厚の差は、好ましくは、0.5μm以上、1.2μm以下である。
【0025】
それぞれ白の反射率および透過率が最大となる最適な反射領域の液晶層の膜厚dr及び透過領域の液晶層の膜厚dfになるように、反射電極の表面の高さと透明電極の表面の高さ、及び反射用色層と透過用色層の膜厚を設定することができる。下部側基板の高さと色層の膜厚の両者を設定できることによって、設定の自由度が大きくなる。また、有機絶縁膜の平均膜厚を1.5μm以上に設定することによって、反射板の法線方向に効率よく反射することができる。また、有機絶縁膜の平均膜厚を2μm以上に設定することによって、ばらつきを考慮し、反射板の法線方向に効率よく反射することが確実にできる。
【0026】
本発明の液晶表示装置は、前記反射電極の表面の高さと前記透明電極の表面の高さの差は、前記反射用絶縁膜の膜厚、前記透過用絶縁膜の膜厚、前記反射電極の膜厚、前記透明電極の膜厚によって決まることを特徴とする。
【0027】
透過用絶縁膜が無機膜のみを有する場合は、反射電極と透明電極の表面の高さの差は、反射絶縁膜と反射電極の積層膜の膜厚になる。透過用絶縁膜が無機膜のみを有する場合は、反射電極と透明電極の表面の高さの差は、反射用絶縁膜と反射電極の積層膜の膜厚と透過用絶縁膜と透明電極の積層膜の膜厚の差になる。
【0028】
本発明の液晶表示装置は、前記反射用絶縁膜の膜厚は前記透過用絶縁膜の膜厚より厚く、前記反射用色層の膜厚は前記透過用色層の膜厚より薄いことを特徴とする。
【0029】
ツイスト角が60度以下では、通常このような構成で、それぞれ白の反射率および透過率が最大となるように設定することができる。
【0030】
本発明の液晶表示装置は、前記透過用絶縁膜は無機膜のみを有することを特徴とする。
【0031】
透過用絶縁膜は薄い無機膜のみを有することによって、透過領域の透過率を高くすることができる。
【0032】
本発明の液晶表示装置は、前記反射用絶縁膜の膜厚は前記透過用絶縁膜の膜厚より厚く、前記反射用色層の膜厚は前記透過用色層の膜厚より厚いことを特徴とする。
【0033】
ツイスト角が60度以上では、通常このような構成で、それぞれ白の反射率および透過率が最大となるように設定することができる。
【0038】
本発明の液晶表示装置は、前記反射電極の表面の凹凸段差は0.5μm以上、1μm以下であることを特徴とする。
【0039】
反射電極の表面の凹凸段差を0.5μm以上、1μm以下に形成することによって、反射板の法線方向に効率よく反射することができる。
【0040】
本発明の液晶表示装置は、前記反射用絶縁膜は第1の反射用有機絶縁膜と第2の反射用有機絶縁膜を有し、第1の反射用有機絶縁膜の膜厚は1μm以上であることを特徴とする。
【0041】
第1の反射用有機絶縁膜の膜厚を1μm以上形成することによって、反射電極の表面の凹凸段差を0.5μm以上にすることができる。
【0042】
本発明の液晶表示装置は、前記反射用絶縁膜は第1の反射用有機絶縁膜と第2の反射用有機絶縁膜を有し、第1の反射用有機絶縁膜の膜厚は2μm以上であることを特徴とする。
【0043】
第1の反射用有機絶縁膜の膜厚を2μm以上形成することによって、ばらつきを考慮しても、反射電極の表面の凹凸段差を確実に0.5μm以上にすることができる。
【0044】
本発明の液晶表示装置は、前記反射電極の表面の前記凹凸の凸部で閉じて形成される凹部のパターンは三角形、四角形または、楕円形であり、前記パターンは、所定の乱雑さをもって配列されていることを特徴とする。
【0059】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の形態につき図面を参照して説明する。以下は本発明の一実施形態であって本発明を限定するものではない。
【0060】
(実施の形態1) 図1は、本発明の一実施の形態に係る半透過型液晶表示装置の部分断面図であり、ツイスト角φ=0°の場合である。図1に示すように、半透過型液晶表示装置は、装置内部に、下部側基板11、下部側基板11に対向して配置された対向側基板12、及び下部側基板11と対向側基板12の間に挟み込まれた液晶層13を有している。この半透過型液晶表示装置は、例えば、薄膜トランジスタ(thin film transistor:TFT)をスイッチング素子として各画素毎に設けた、アクティブマトリクス方式を採用している。
【0061】
下部側基板11は、絶縁性基板14、絶縁保護膜15、TFT16、パシベーション膜21、反射用有機絶縁膜17、反射電極18及び透明電極19を有している。絶縁性基板14の上には、絶縁保護膜15が積層され、絶縁保護膜15の上には、TFT16が形成されている。TFT16は、絶縁性基板14上のゲート電極16a、ゲート電極16aを覆う絶縁保護膜15上のドレイン電極16b、半導体層16c、及びソース電極16dを有している。ドレイン電極16b、半導体層16c、ソース電極16dはパシベーション膜21によって覆われ、パシベーション膜21の上には透明電極19が形成されている。
【0062】
各表示セルは反射領域5と透過領域6を具備している。反射領域5では、パシベーション膜21の上に凸パターンから成る第1の反射用有機絶縁膜17aと第2の反射用有機絶縁膜17bが積層されている。第2の反射用有機絶縁膜17bには、TFT16のソース電極16dに達するコンタクトホール22が開けられている。更に、コンタクトホール22と共に第2の反射用有機絶縁膜17bを覆って、反射電極18が積層されている。反射電極18及び透明電極19は、コンタクトホール22を介してTFT16のソース電極16dに接続され画素電極としての機能を有する。また、反射電極18は反射板としての機能も有する。
【0063】
反射電極18及び透明電極19を覆って、液晶分子を配向させるためのポリイミド等の配向膜が積層され(図示せず)、ラビングが施されることにより液晶層13の液晶分子の配向方向が決定される。対向側基板12の液晶層13と接する面も配向膜で覆われている(図示せず)。
【0064】
対向側基板12は、絶縁性基板27、絶縁性基板27の上に形成された色層26、色層2の上に形成され液晶層13と接する透明電極25を有している。反射領域の色層の膜厚は透過領域の色層の膜厚よりdcだけ薄く設定されている。ただし、異なる膜厚の境界は、反射領域5と透過領域6の境界、すなわち、反射電極18が形成された領域と透明電極6が形成された領域の境界とは少しずらしてある。これは、液晶のディスクリを目立たなくするためである。
【0065】
また、下部側基板11の液晶層13と反対側には、バックライト28が設けられている。このバックライト28からの光は、透過領域6の絶縁性基板14および絶縁保護膜15、パシベーション膜21及び透明電極19を透過して液晶層13に達し、液晶層13を経て透明電極25から対向側基板12の外に出射される。
【0066】
図17から、ツイスト角φ=0°の場合の最適な反射領域の液晶層の膜厚drは1.5μm、透過領域の液晶層の膜厚dfは2.9μmであり、反射用有機絶縁膜、すなわち第1の反射用有機絶縁膜17aと第2の反射用有機絶縁膜17bの積層膜の膜厚drを2μm、透過用有機絶縁膜の膜厚dfを0μm、反射用色層の膜厚を透過用色層の膜厚より0.6μm薄く、絶縁性基板14と27の間隔を適宜設定することによって実現できる。ここで、表面に凹凸が形成されている積層された反射用有機絶縁膜17の膜厚は平均膜厚で考える。
【0067】
次に、図1に示す半透過型液晶表示装置の下部側基板11及び対向側基板12の製造方法について説明する。
【0068】
図2は、図1に示す半透過型液晶表示装置の下部側基板11の製造工程を示す説明図である。先ず、絶縁性基板14の上に、ゲート電極16aを形成して絶縁保護膜15を積層し、絶縁保護膜15の上に、ドレイン電極16b、半導体層16c及びソース電極16dをそれぞれ形成して、スイッチング素子としてのTFT16の基板を形成し、TFT16を覆うようにパシベーション膜21を形成し、パシベーション膜21の上に透明電極19を形成する((a)参照)。透明電極19の上に有機樹脂を塗布した後、露光・現像処理を行って凸パターン形成マスクにより、反射領域5に反射電極18の表面に凹凸パターンを形成するための複数の凸パターンである第1の反射用有機絶縁膜17aを形成する((b)参照)。第1の反射用有機絶縁膜17aの材質はアクリル樹脂で、日本合成化学製PC415G(15cp)を用いた。このとき、透過領域6には第1の反射用有機絶縁膜17aが形成されないようなマスクになっている。熱焼成により有機樹脂の角部分が丸みを帯びるものとなる((c)参照)。焼成は230℃で1時間行った。次に、第1の反射用有機絶縁膜17aを覆うように、有機樹脂からなる層間膜を塗布して、滑らかな凹凸形状とした後、露光・現像処理を行って透過領域の層間膜を削除する。層間膜の材質はアクリル樹脂で、日本合成化学製PC405G(5−10cp)を用いた。その後、層間膜の熱焼成を行い第2の反射用有機絶縁膜17bを形成する。焼成は230℃で1時間行った。更に、ソース電極16dまで通じるコンタクトホール22を第2の反射用有機絶縁膜17bに形成する((d)参照)。次に、各々100nm以上、好ましくは200nm以上のバリアメタルであるMoと反射メタルであるAlを連続成膜する。さらに、Al/Moをウェットエッチングにより一括エッチングして、反射領域6の反射電極19のパターニングを行う((e)参照)。
なお、第1の反射用有機絶縁膜17a、第2の反射用有機絶縁膜17aの膜厚はそれぞれの有機樹脂の塗布厚で制御することができる。
【0069】
液晶層における光の経路差と同様のことが色層についても言える。すなわち、反射領域では入射光が色層を往復し、透過領域では入射光が色層を1回通過するために、反射領域と透過領域の色度域を一致させるために、色毎に透過領域用の色層と反射領域用の色層を設ける必要がある。透過領域と反射領域で異なった樹脂又は異なった膜厚の色層、若しくは樹脂も膜厚も異なった色層によってこれを実現することができる。特開2000−267081には、反射領域の色層の厚さを透過領域の色層の厚さの半分にすることによって色度域を一致させる技術が開示されている。本発明では、反射率、透過率最大になるように色層の厚さも含めて調整し、色度域の調整は色層の厚さと色層の材質によって制御することを特徴とする。この製造方法を含めて以下に対向側基板12の製造方法を示す。
【0070】
図3は、図1に示す半透過型液晶表示装置の対向側基板12の製造工程を示す説明図である。先ず、対向側基板12の絶縁性基板27の全面に遮光膜を形成し、パターニングして反射領域と透過領域の境界近傍に遮光層29を形成する((a)参照)。次に、対向側基板12の絶縁性基板27の全面に、例えば赤色の透過領域用樹脂層を形成し、パターニングして赤色の透過領域の色層26R−fを形成する((b)参照)。続いて、全面に、赤色の反射領域用樹脂層を形成し、パターニングして赤色の反射領域の色層26R−rを形成する((c)参照)。同様にして、緑色の透過領域用樹脂層、緑色の反射領域用樹脂層、青色の透過領域用樹脂層、青色の反射領域用樹脂層を形成した後、全面を覆うようにスパットによってITOを形成する。各樹脂層の膜厚は、各樹脂層を形成するときの膜厚で制御することができる。このようにして、色毎及び領域毎に異なった樹脂、異なった膜厚の色層を形成することができる。各色の反射領域と透過領域の境界近傍に遮光層29を形成することによって、パターニング精度のずれによって、反射領域の色層と反射領域の色層の間に色層のない領域が発生しても、そこから光漏れが発生することを防ぐことができる。遮光層29は1画素(本明細書では、色が異なる画素はそれぞれ別の画素として扱う)の反射領域と透過領域の境界近傍のみに形成しても構わない。半透過型液晶表示装置では、表示の明るさを優先させるため、画素間の遮光層は省かれることが多いためである。
【0071】
図4に対向側基板12の他の製造工程の説明図を示す。先ず、対向側基板12の絶縁性基板27の全面に、例えば赤色の第1の樹脂層を形成し、パターニングして赤色の第1の色層26R−1を赤色の透過領域及び反射領域に形成する((a)参照)。続いて、全面に、赤色の第2の樹脂層を形成し、パターニングして赤色の第2の色層26R−2を赤色の透過領域に形成する((b)参照)。このようにして、赤色の反射領域には赤色の第1の色層26R−1が、赤色の透過領域には赤色の第1の色層26R−1と赤色の第2の色層26R−2の積層膜が形成される。従って、赤色の透過領域の色味は赤色の第1の色層26R−1と赤色の第2の色層26R−2によって決まる。同様にして、緑色の透過領域用樹脂層、緑色の反射領域用樹脂層、青色の透過領域用樹脂層、青色の反射領域用樹脂層を形成した後、全面を覆うようにスパットによってITOを形成する。各樹脂層の膜厚は、各樹脂層を形成するときの膜厚で制御することができる。
【0072】
図5に対向側基板12の他の製造工程の説明図を示す。先ず、対向側基板12の絶縁性基板27の全面に、例えば赤色の第1の樹脂層を形成し、パターニングして赤色の第1の色層26R−1を赤色の透過領域に形成する((a)参照)。続いて、全面に、赤色の第2の樹脂層を形成し、パターニングして赤色の第2の色層26R−2を赤色の透過領域及び反射領域に形成する((b)参照)。このようにして、赤色の透過領域には赤色の第1の色層26R−1と赤色の第2の色層26R−2の積層膜が、赤色の反射領域には赤色の第2の色層26R−2が形成される。従って、赤色の透過領域の色味は赤色の第1の色層26R−1と赤色の第2の色層26R−2によって決まる。同様にして、緑色の透過領域用樹脂層、緑色の反射領域用樹脂層、青色の透過領域用樹脂層、青色の反射領域用樹脂層を形成した後、全面を覆うようにスパットによってITOを形成する。各樹脂層の膜厚は、各樹脂層を形成するときの膜厚で制御することができる。
【0073】
図4,5の製造方法においても遮光層を形成しても構わない。しかし、遮光層29を形成しないでも、パターニング精度のずれによって、反射領域の色層と反射領域の色層の間に色層のない領域が発生することはない。
【0074】
(実施の形態2) 本発明の実施の形態2に係る半透過型液晶表示装置の部分断面図を図6に示す。ツイスト角はφ=60°の場合である。図1と同様に、下部側基板11、対向側基板12、液晶層13を有し、各表示セルは反射領域5と透過領域6を具備している。図1と異なるのは、図17に示した液晶層の最適な膜厚に従って、反射領域5の液晶層の膜厚drを2μm、透過領域6の液晶層の膜厚dfを2.8μmとし、また液晶層の膜厚を以上のように設定するために、反射領域5の色層の膜厚を透過領域6の色層の膜厚より1.2μm薄くした点である。下部側基板11、対向側基板12の製造方法も図2、3と同じため省略する。
【0075】
なお、ツイスト角60°の場合は、ツイスト角0°の場合に比べ、下部側基板と対向側基板のツイスト角がずれているため透過率は50〜75%に低下するが、黒が沈み、コントラストが高くなる。また、斜めから表示面を見た場合でも、下部側基板と対向側基板のツイスト角がずれているため補償され、色シフトが小さくなる。これに対して、ツイスト角0°の場合は、透過率が100%と高い反面、黒浮きが大きく、コントラストが低下し、色シフトも大きい。
【0076】
(実施の形態3) 本発明の実施の形態3は、実施の形態2と同様ツイスト角60°の場合であるが、透過用有機絶縁膜の膜厚を1.7μm形成することによって、反射領域と透過領域の色層の膜厚の差を0.5μmに縮小している。色層の膜厚差が1.2μmもあると、色層の段差が基板の平面方法にずれたとき、反射領域では液晶層の膜厚が0.8μmに、透過領域では液晶層の膜厚が4μmになり、その部分の色味が変化してしまう。色層の膜厚差を縮小することによって、色味の変化を緩和させ、良好な表示を得ることができる。
【0077】
図7に本発明の実施の形態3に係る半透過型液晶表示装置の部分断面図を示す。
図1、図6と同様に、下部側基板11、対向側基板12、液晶層13を有し、各表示セルは反射領域5と透過領域6を具備している。反射領域5の液晶層の膜厚drを2μm、透過領域6の液晶層の膜厚dfを2.8μmとしている点は図6と同様であるが、図6では透過用有機絶縁膜の膜厚dfo=0μmに対して、図7では透過用有機絶縁膜の膜厚dfo=1.7μmに設定している。これは上記のように、反射領域と透過領域の色層の膜厚の差を0.5μmに縮小するためであり、反射領域5の色層の膜厚を透過領域6の色層の膜厚より0.5μm厚く設定している。
【0078】
図8は、図7に示す半透過型液晶表示装置の下部側基板11の製造工程を示す説明図である。先ず、絶縁性基板14の上に、ゲート電極16aを形成して絶縁保護膜15を積層し、絶縁保護膜15の上に、ドレイン電極16b、半導体層16c及びソース電極16dをそれぞれ形成して、スイッチング素子としてのTFT16の基板を形成し、TFT16を覆うようにパシベーション膜21を形成する((a)参照)。パシベーション膜21の上に透明電極19を形成しない点が図2と異なっている。図2と同様の方法で、反射領域5のパシベーション膜21の上に第1の反射用有機絶縁膜17aを形成し、熱焼成により有機樹脂の角部分が丸みを帯びるものとなる((b)参照)。次に、第1の反射用有機絶縁膜17a及び透過領域を覆うように、有機樹脂からなる層間膜を塗布して、滑らかな凹凸形状とした後、露光・現像処理を行う。その後、層間膜の熱焼成を行い第2の反射用有機絶縁膜17b及び透過用有機絶縁膜10を形成する。更に、ソース電極16dまで通じるコンタクトホール22を第2の反射用有機絶縁膜17bに形成する((c)参照)。次に、透過用有機絶縁膜10の上にのみスパッタでITOを形成する。さらに、全面に各々100nm以上、好ましくは200nm以上のバリアメタルであるMoと反射メタルであるAlを連続成膜する。さらに、Al/Moをウェットエッチングにより一括エッチングして、反射領域6の反射電極19のパターニングを行う((d参照)。なお、対向側基板12は、実施の形態1の図2、3と同じ方法で製造することができる。
【0079】
上述の実施例ではノーマリホワイトについて記載したが、本発明はノーマリホワイトに限定されるものではない。ノーマリブラック、すなわち対向側基板と反射電極及び透過電極の間に電圧がかからない状態では液晶が立っており、黒表示となり、電圧を印加すると液晶が寝る状態になり、白表示となる液晶にも本発明を適用することができる。ノーマリブラックの液晶としてはVA液晶がある。VA液晶は、液晶分子が電圧を印加しない状態で垂直に配向されており、電圧を印加すると水平に寝る垂直配向モードの液晶である。VA液晶のツイスト角は0度で、反射領域で出射光強度最大となる液晶層の膜厚は約2μm、透過領域で出射光強度最大となる液晶層の膜厚は約4μmである。
【0080】
上述の反射領域及び透過領域での出射光強度最大の液晶層の膜厚の記載(例えば図16、図17)は、液晶の複屈折Δn=0.086の場合であり、出射光強度はΔnと液晶層の膜厚で規定されるため、Δnが変われば出射光強度最大の液晶層の膜厚も変わる。しかし、現状使用できる液晶の範囲ではΔnは大きく変化はしない。
【0081】
(実施の形態4) 図1の反射電極18の表面の高さdroは、透明電極19、第1の反射用有機絶縁膜17a、第2の反射用有機絶縁膜17b、反射電極18の各膜厚によって決まる。透明電極19の高さdfoは透明電極19の膜厚によって決まる。
【0082】
一方、第1の反射用有機絶縁膜17a及び第2の反射用有機絶縁膜17bの膜厚によって、反射板の法線方向に効率よく反射するための最適な反射電極の表面形状を設定することができる。図9は図19で定義した反射角に対する反射率が、第1の反射用有機絶縁膜17a及び第2の反射用有機絶縁膜17bの膜厚によってどのように変化するかを評価した結果である。グラフa〜e(X,Y)のXは第1の反射用有機絶縁膜17aの膜厚、Yは第2の反射用有機絶縁膜17bの膜厚を示している。例えば、グラフaの第1の反射用有機絶縁膜17aの膜厚は2μm、第2の反射用有機絶縁膜17bの膜厚は0.8μmである。
【0083】
図21において、凸パターン33の中心間距離Lが一定とすると、反射電極の表面の凹凸段差△Dが小さいと正反射成分が多くなり、反射板の法線方向への反射は少なくなる。一方、反射電極の表面の凹凸段差△Dが大きいと、反射角が大きくなり過ぎて、反射板の法線方向への反射は少なくなる。従って、反射板の法線方向に効率よく反射するための最適な反射電極の表面の凹凸段差△Dが存在すると考えられる。そこで、第1の反射用有機絶縁膜17a、第2の反射用有機絶縁膜17bの膜厚を変化させて、反射電極の表面の凹凸段差△Dと反射率の関係を評価した。ここで、反射率は図19で定義した反射角0度のときの値である。結果を図10に示す。反射電極の表面の凹凸段差△Dが0.5〜1μmのとき反射率が最大になることが分かる。
【0084】
次に、第1の反射用有機絶縁膜17a、第2の反射用有機絶縁膜17bの膜厚を変化させて、反射電極の表面の凹凸段差△Dが0.5〜1μmになる条件を評価した。結果を図11に示す。第1の反射用有機絶縁膜17aの膜厚を厚くすると、反射電極の表面の凹凸段差△Dも大きくなる傾向にあるが、第1の反射用有機絶縁膜17aの膜厚を厚くすると第2の反射用有機絶縁膜17bの膜厚も厚くする必要があることが分かる。
【0085】
次に、第1の反射用有機絶縁膜17aの膜厚と第2の反射用有機絶縁膜17bの膜厚の結果決まる反射用絶縁膜の膜厚と反射率の関係を評価した。表面には凹凸を形成するため、膜厚は平均値で評価した。反射率は図19で定義した反射角0度のときの値である。結果を図12に示す。反射率は、反射用絶縁膜の膜厚が1.5μmで飽和することが分かる。ただし、ばらつきがあるので、反射用絶縁膜の膜厚を2μm以上にすると、反射率が確実に飽和した状態になる。
【0086】
以上の評価から、反射板の法線方向に効率よく反射するためには、反射用有機絶縁膜の膜厚を1.5μm以上、より好ましくは2μm以上にし、反射電極の表面の凹凸段差△Dを0.5〜1μmになるように形成することが望ましい。
【0087】
(実施の形態5)
実施の形態4の評価結果を考慮し、ツイスト角φを変化させたときの反射用電極18と透明電極19の表面の高さの差、反射用色層と透過用色層の膜厚の差をシミュレーションで求めた値を表1に示す。単位はμmである。ここでは、図1の形態、すなわち透過用有機絶縁膜は形成しない場合を想定した。透過率を高くできるからである。複屈折△nは0.086とした。液晶層の膜厚段差とは透過領域と反射領域の液晶層の膜厚の差を示し、色層の膜厚段差も透過領域と反射領域の液晶層の膜厚の差を示す。ただし、図1と同様、透過領域の色の膜厚の方が反射領域の膜厚より厚いとした。反射領域の色層は入射波と反射波で光が2度通過することから、色度域を透過領域と調整するには、透過領域より薄くする方が好ましいためである。また、図1の説明では反射領域の反射電極の膜厚は0として扱ったが、ここでは0.3μmに設定した。各ツイスト角について反射用有機絶縁膜の膜厚が2種類あるのは、反射電極の反射特性が膜厚によって変わるが、それによって、色層の膜厚段差も変わるためである。例えば、ツイスト角55度では、反射用有機絶縁膜の膜厚を2.2μmに設定すると、図12から反射率を確実に確保することができるが、色層の膜厚段差が大きくなるという欠点がある。一方、反射用有機絶縁膜の膜厚を1.7μmに設定すると、色層の膜厚段差が小さくできる長所があるが、図12から反射率はほぼ確実だが、大きくばらつくと予定値より多少低下する可能性がある。
【0088】
【表1】
Figure 0004094278
【0089】
【発明の効果】
反射用絶縁膜を反射板の反射効率最大の膜厚に設定し、透過用有機絶縁膜の膜厚はゼロに設定する。そのとき反射領域及び透過領域の液晶層の膜厚を出射強度最大になるように反射領域及び透過領域の色層の膜厚を調整する。このように
反射領域の液晶の膜厚は反射用絶縁膜の膜厚と反射用色層の膜厚によって調整し、透過領域の液晶の膜厚は透過用色層の膜厚によって調整することによって、容易に明るい表示の半透過型液晶表示装置を提供することができる。しかも、透過領域には有機絶縁膜が存在しないため、その分透過率は向上する。
【0090】
一方、上記設定において、反射領域と透過領域の色層の膜厚の差が大きくなる場合は、反射用絶縁膜の膜厚を変えることなく制御できる範囲で有機絶縁膜を含む透過用絶縁膜の膜厚を調整し、反射領域と透過領域の色層の膜厚の差を抑制することができる。このように反射領域の液晶の膜厚は反射用絶縁膜の膜厚と反射用色層の膜厚によって調整し、透過領域の液晶の膜厚は透過用絶縁膜の膜厚と透過用色層の膜厚によって調整することによって、容易に明るい表示の半透過型液晶表示装置を提供することができる。しかも、反射領域と透過領域の色層の膜厚の差が所定の範囲に抑えられるため、下部側基板の反射領域と透過領域の境界と対向側基板の色層の反射領域と透過領域の境界が平面方向にずれても、色味の変化を許容範囲内に抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施の形態1の半透過型液晶表示装置の部分断面図である。
【図2】実施の形態1の下部側基板の製造工程を示す断面図である。
【図3】実施の形態1の対向側基板の製造工程を示す断面図である。
【図4】実施の形態1の対向側基板の他の製造工程を示す断面図である。
【図5】実施の形態1の対向側基板の他の製造工程を示す断面図である。
【図6】実施の形態2の半透過型液晶表示装置の部分断面図である。
【図7】実施の形態3の半透過型液晶表示装置の部分断面図である。
【図8】実施の形態3の下部側基板の製造工程を示す断面図である。
【図9】実施の形態4の反射角と反射率の関係を示す図である。
【図10】実施の形態4の反射用有機絶縁膜の膜厚の凹凸段差と反射率の関係を示す図である。
【図11】実施の形態4の第1の反射用有機絶縁膜の膜厚と反射用有機絶縁膜の膜厚の凹凸段差の関係を示す図である。
【図12】実施の形態4の反射用有機絶縁膜の膜厚と反射率の関係を示す図である。
【図13】従来の半透過型液晶表示装置の平面図である。
【図14】従来の半透過型液晶表示装置の断面図である。
【図15】半透過型液晶表示装置の各部位における偏光状態を示す図である。
【図16】液晶層の膜厚と透過モード、反射モードでの出射光の強度を示す図である。
【図17】半透過型液晶表示装置の各部位における液晶のツイスト角と最適膜厚を示す図である。
【図18】入射光と反射光との関係を示す模式図である。
【図19】光源、反射板及び観察者相互間の位置関係を示す模式図である。
【図20】従来の凹凸パターンの平面図である。
【図21】図20に示した凹凸パターンの断面図である。
【符号の説明】
1 画素電極
2 ゲート配線
3 ドレイン配線
4 薄膜トランジスタ
5 反射領域
6 透過領域
7 透明電極
8 絶縁層
9、32 反射板
10 透過用有機絶縁膜
11 下部側基板
12 対向側基板
13 液晶層
14 絶縁性基板(下部側)
15 絶縁保護膜
17 反射用有機絶縁膜
17a 第1の反射用有機絶縁膜
17b 第2の反射用有機絶縁膜
18、35 反射電極
19 透明電極(下部側)
20 位相差板(λ/4板)
20a 位相差板(下部側)
20b 位相差板(対向側)
21 パシベーション膜
22 コンタクトホール
23 偏光板
23a 偏光板(下部側)
23b 偏光板(対向側)
25 透明電極(対向側)
26 色層
27 絶縁性基板(対向側)
28 バックライト
29 遮光層
33 凸パターン(第1の絶縁膜)
34 第2の絶縁膜

Claims (5)

  1. 配線及び薄膜トランジスタが形成された下部側基板と、前記下部側基板に対向して配置される対向側基板とによって狭持された液晶層を有し、前記下部側基板に凹凸表面を備える反射用絶縁膜が形成され、前記反射用絶縁膜の上に形成されて表面が凹凸の反射電極を備える反射領域と、前記下部側基板に透過用絶縁膜が形成され、前記透過用絶縁膜の上に透明電極が形成されている透過領域とが設けられ、前記対向基板の前記反射領域に対応する位置に反射用色層が形成され、前記対向基板の前記透過領域に対応する位置に透過用色層が形成され、前記反射用色層及び前記透過用色層を覆うように共通電極が形成され、前記反射電極及び透明電極と前記共通電極との間に電圧を印加する液晶表示装置であって、
    前記反射電極の表面の高さと前記透明電極の表面の高さは異なり、
    前記反射用色層と前記透過用色層の膜厚も異なり、
    前記液晶層のツイスト角は0度以上60度以下であり、
    前記液晶層の透過領域の膜厚は2.8μm以上、2.9μm以下であり、
    前記液晶層の反射領域の膜厚は1.5μm以上、2μm以下であり、
    前記反射電極の前記凹凸段差は0.5μm以上、1μm以下であり、
    前記反射用絶縁膜は有機絶縁膜からなり、前記有機絶縁膜の平均膜厚は1.5μm以上である
    ことを特徴とする液晶表示装置。
  2. 前記反射用色層と前記透過用色層の膜厚の差が0.5μm以上、1.2μm以下であることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
  3. 前記反射用絶縁膜の膜厚は前記透過用絶縁膜の膜厚より厚く、前記反射用色層の膜厚は前記透過用色層の膜厚より薄いことを特徴とする請求項1または2に記載の液晶表示装置。
  4. 前記透過用絶縁膜は無機膜のみを有することを特徴とする請求項1〜3の何れか一項に記載の液晶表示装置。
  5. 前記反射電極の表面の前記凹凸の凸部で閉じて形成される凹部のパターンは三角形、四角形または、楕円形であり、前記パターンは、所定の乱雑さをもって配列されていることを特徴とする請求項1から4の何れか一項に記載の液晶表示装置。
JP2001355210A 2001-11-20 2001-11-20 半透過型アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法 Expired - Lifetime JP4094278B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001355210A JP4094278B2 (ja) 2001-11-20 2001-11-20 半透過型アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法
TW091133190A TW552457B (en) 2001-11-20 2002-11-12 Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
US10/298,908 US7015996B2 (en) 2001-11-20 2002-11-19 Transflective liquid crystal display device with varying liquid crystal layer thickness as a function of liquid crystal layer twist angle
CNB021513686A CN1251010C (zh) 2001-11-20 2002-11-20 液晶显示器及其制造方法
KR1020020072562A KR100568197B1 (ko) 2001-11-20 2002-11-20 액정표시장치 및 그 제조방법
US11/264,256 US7609343B2 (en) 2001-11-20 2005-11-02 Liquid crystal display device and method of manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001355210A JP4094278B2 (ja) 2001-11-20 2001-11-20 半透過型アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003156756A JP2003156756A (ja) 2003-05-30
JP4094278B2 true JP4094278B2 (ja) 2008-06-04

Family

ID=19166948

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001355210A Expired - Lifetime JP4094278B2 (ja) 2001-11-20 2001-11-20 半透過型アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US7015996B2 (ja)
JP (1) JP4094278B2 (ja)
KR (1) KR100568197B1 (ja)
CN (1) CN1251010C (ja)
TW (1) TW552457B (ja)

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3675404B2 (ja) 2001-09-25 2005-07-27 セイコーエプソン株式会社 半透過・反射型液晶装置、およびそれを用いた電子機器
TWI358053B (en) * 2002-12-06 2012-02-11 Samsung Electronics Co Ltd Liquid crystal display device having a thin film t
JP3925432B2 (ja) * 2003-02-28 2007-06-06 ソニー株式会社 液晶表示装置
KR100913299B1 (ko) * 2003-03-17 2009-08-26 삼성전자주식회사 어레이 기판과 이를 갖는 반사-투과형 액정 표시 장치
JP2004302359A (ja) * 2003-04-01 2004-10-28 Casio Comput Co Ltd 液晶表示装置
TWI255375B (en) * 2003-04-25 2006-05-21 Sanyo Electric Co Display device
JP4260563B2 (ja) * 2003-07-17 2009-04-30 アルプス電気株式会社 半透過反射型液晶表示パネルおよび半透過反射型液晶表示装置ならびに半透過反射型液晶表示パネルの製造方法
JP4165337B2 (ja) * 2003-08-18 2008-10-15 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置、及び電子機器
JP4089631B2 (ja) 2003-09-16 2008-05-28 ソニー株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
US8064003B2 (en) * 2003-11-28 2011-11-22 Tadahiro Ohmi Thin film transistor integrated circuit device, active matrix display device, and manufacturing methods of the same
KR100993820B1 (ko) * 2003-12-05 2010-11-12 삼성전자주식회사 컬러 필터 기판, 이를 갖는 액정 표시 패널, 이를 갖는액정 표시 장치 및 그 제조방법
US7379136B2 (en) 2003-12-29 2008-05-27 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Transflective type liquid crystal display device and method for fabricating the same
KR101000399B1 (ko) * 2003-12-31 2010-12-13 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법
JP2005331848A (ja) 2004-05-21 2005-12-02 Nec Lcd Technologies Ltd 液晶表示装置
TWI384274B (zh) * 2004-09-17 2013-02-01 Tpo Hong Kong Holding Ltd 半穿透半反射液晶顯示裝置
JP2006091063A (ja) 2004-09-21 2006-04-06 Casio Comput Co Ltd 液晶表示素子
JP2006113259A (ja) * 2004-10-14 2006-04-27 Alps Electric Co Ltd Ocbモード半透過反射型液晶表示装置
KR100671160B1 (ko) 2004-10-19 2007-01-17 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반투과형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100648223B1 (ko) * 2005-05-11 2006-11-24 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 반투과형 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치
KR20070008099A (ko) * 2005-07-13 2007-01-17 삼성전자주식회사 표시기판, 이를 포함하는 액정표시패널 및 이의 제조방법
JP2007047462A (ja) * 2005-08-10 2007-02-22 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 液晶表示装置
JP4837375B2 (ja) * 2005-12-22 2011-12-14 Nltテクノロジー株式会社 半透過型液晶表示装置及び携帯端末装置
JP2007212969A (ja) * 2006-02-13 2007-08-23 Nec Lcd Technologies Ltd 反射板及び該反射板を備える液晶表示装置並びにその製造方法
JP2007304383A (ja) * 2006-05-12 2007-11-22 Epson Imaging Devices Corp 液晶装置、液晶装置の製造方法、および電子機器
JP2008089922A (ja) * 2006-09-29 2008-04-17 Dainippon Printing Co Ltd 半透過型液晶表示装置用液晶駆動側基板
CN101191934B (zh) * 2006-12-01 2010-05-19 群康科技(深圳)有限公司 半穿透半反射式液晶显示器
JP4513027B2 (ja) 2006-12-20 2010-07-28 ソニー株式会社 表示装置の製造方法
US20080204636A1 (en) * 2007-02-26 2008-08-28 Chi Mei Optoelectronics Corporation Transflective liquid crystal display
CN100462828C (zh) * 2007-11-09 2009-02-18 友达光电股份有限公司 主动元件阵列基板、其像素结构及其驱动方法
CN101571654A (zh) * 2008-04-28 2009-11-04 上海天马微电子有限公司 液晶显示装置
KR101300035B1 (ko) * 2010-05-05 2013-08-29 엘지디스플레이 주식회사 반사형 및 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법
TWM415322U (en) * 2011-04-01 2011-11-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd Liquid crystal panel
CN102402039A (zh) * 2011-12-14 2012-04-04 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板、液晶显示装置及阵列基板的制造方法
CN102707481B (zh) * 2012-03-15 2016-01-13 京东方科技集团股份有限公司 液晶显示面板及其制作方法、液晶显示器
KR101959468B1 (ko) * 2015-03-26 2019-03-18 주식회사 엘지화학 액정 소자 및 이의 용도
KR101959470B1 (ko) * 2015-03-27 2019-03-18 주식회사 엘지화학 반사형 액정 소자 및 이의 용도
CN106774655B (zh) * 2016-12-06 2019-09-13 Oppo广东移动通信有限公司 盖板、传感器组件、终端及屏幕亮度的调整方法
JP6681588B2 (ja) * 2017-02-16 2020-04-15 パナソニックIpマネジメント株式会社 光学デバイス及び光学デバイスの製造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3023443B2 (ja) * 1996-11-25 2000-03-21 佐藤 進 液晶セルパラメータ検出方法
JP2955277B2 (ja) 1997-07-28 1999-10-04 シャープ株式会社 液晶表示装置
US6195140B1 (en) * 1997-07-28 2001-02-27 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display in which at least one pixel includes both a transmissive region and a reflective region
US6215538B1 (en) 1998-01-26 2001-04-10 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display including both color filter and non-color filter regions for increasing brightness
JP3406242B2 (ja) 1998-10-15 2003-05-12 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP2000267081A (ja) 1999-03-17 2000-09-29 Toshiba Corp 液晶表示装置
JP3590737B2 (ja) 1999-04-13 2004-11-17 松下電器産業株式会社 液晶表示素子
JP3744342B2 (ja) 1999-12-03 2006-02-08 セイコーエプソン株式会社 液晶装置および電子機器
KR100691316B1 (ko) 2000-02-29 2007-03-12 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정표시장치용 컬러필터 형성방법
US6999139B2 (en) * 2000-02-29 2006-02-14 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Method for fabricating transflective color LCD device and the transflective color LCD device
KR100367280B1 (ko) * 2000-05-08 2003-01-09 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정표시장치 제작방법
KR100700635B1 (ko) * 2000-10-27 2007-03-27 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반투과형 액정표시장치용 컬러필터 및 그의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20060055851A1 (en) 2006-03-16
KR100568197B1 (ko) 2006-04-07
US7015996B2 (en) 2006-03-21
KR20030041839A (ko) 2003-05-27
US7609343B2 (en) 2009-10-27
TW552457B (en) 2003-09-11
US20030095217A1 (en) 2003-05-22
CN1421735A (zh) 2003-06-04
TW200300515A (en) 2003-06-01
CN1251010C (zh) 2006-04-12
JP2003156756A (ja) 2003-05-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4094278B2 (ja) 半透過型アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法
JP5093709B2 (ja) 液晶表示装置
JP4057871B2 (ja) 液晶表示装置
US6906765B2 (en) Color filter layer and display device using the same
US5691791A (en) Reflective liquid crystal display device and reflector
JP3335130B2 (ja) 液晶表示装置
US6215538B1 (en) Liquid crystal display including both color filter and non-color filter regions for increasing brightness
EP1365278B1 (en) Reflective liquid crystal display device
US7259816B2 (en) Liquid crystal display device and electronic apparatus
JP3873827B2 (ja) 液晶装置及び電子機器
KR101222421B1 (ko) 액정 표시 장치
JP2003121820A (ja) 反射型液晶表示装置用基板およびそれを用いた反射型液晶表示装置
JP3827587B2 (ja) 反射型又は半透過型液晶表示装置
JP2001042332A (ja) 液晶表示素子
KR19990085274A (ko) 반사형 액정표시소자 및 그 반사판
JP3653065B2 (ja) 異方性反射板、液晶表示装置及び異方性反射板並びに液晶表示装置の製造方法
KR20030058228A (ko) 반투과 액정표시장치 및 그 제조방법
JP5085017B2 (ja) 液晶表示パネル

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040812

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20050307

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20061003

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20070123

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070410

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070607

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20071120

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080116

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20080128

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080212

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080305

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110314

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4094278

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110314

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110314

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110314

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120314

Year of fee payment: 4

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120314

Year of fee payment: 4

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130314

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140314

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term