JP2006091063A - 液晶表示素子 - Google Patents

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Abstract

【課題】 アクティブマトリクス型で半透過反射型の液晶表示素子において、散乱性が大きく、且つ、異方性を持った光散乱反射機能を発揮することができるようにする。
【解決手段】 オーバーコート膜20の上面にはエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等の有機材料からなるギャップ規制膜22がその表面が凸凹となるように設けられている。ギャップ規制膜22の凸凹表面には、この凸凹表面に追従する凸凹表面を有するアルミニウム系金属からなる反射板6が設けられている。反射板6の凸凹表面には、この凸凹表面に追従する凸凹表面を有する自然酸化膜や酸化処理膜等からなる絶縁膜23が設けられている。絶縁膜23を含むオーバーコート膜20の上面にはITOからなる画素電極5が設けられている。この場合、画素電極5と反射板6とは、その間に絶縁膜23が介在されていることにより、電気的に絶縁されている。
【選択図】 図1

Description

この発明は液晶表示素子に関する。
従来の液晶表示素子には、反射型であり、ガラス基板の上面にアルミニウムからなる平坦な反射層が設けられ、反射層を含むガラス基板の上面に絶縁膜が設けられ、絶縁膜の反射層に対応する部分に断面逆台形形状の複数の傾斜面付スルーホールが設けられ、傾斜面付スルーホールを含む絶縁膜の上面に、傾斜面付スルーホールを含む絶縁膜の凸凹表面に追従する凸凹表面を有するITOからなる画素電極が設けられたものがある(例えば、特許文献1参照)。
特開2004−20688号公報
そして、上記構成の液晶表示素子では、平坦な反射層は文字通り光反射機能しか有していないが、画素電極が傾斜面付スルーホールを含む絶縁膜の凸凹表面に追従して凸凹状に形成されているため、この部分での屈折を利用して光散乱機能が発揮され、全体として、外光を散乱反射させるようにしている。
しかしながら、上記構成の液晶表示素子では、凸凹状に形成されITOからなる画素電極の屈折を利用して光散乱機能を発揮しているので、散乱性が小さく、また傾斜面付スルーホールの傾斜角が一様であるので、反射光が規則的となり、十分な光散乱反射が得られないという問題があった。
そこで、この発明は、十分な光散乱反射機能を有する液晶表示素子を提供することを目的とする。
この発明は、上記目的を達成するため、基板上に凸凹表面を有する有機膜を設け、前記有機膜の凸凹表面に該凸凹表面に追従して反射板と画素電極とを少なくとも一部を重合して設けたことを特徴とするものである。
この発明によれば、凸凹状に形成された反射板の凸凹表面で反射するので、十分な光散乱反射機能を有するものとなる。
(第1実施形態)
図1はこの発明の第1実施形態としてのアクティブマトリクス型で半透過反射型の液晶表示素子の要部の断面図を示し、図2はそのうちの薄膜トランジスタ基板側の透過平面図を示す。この場合、図1は図2のA−A線に沿う部分に相当する断面図である。この液晶表示素子は、ガラス基板等からなる薄膜トランジスタ基板1および対向基板31を備えている。
まず、図2を参照して、薄膜トランジスタ基板1側について説明する。薄膜トランジスタ基板1の上面側(対向基板31と対向する内面側)には走査ライン2およびデータライン3がマトリクス状に設けられ、その各交点近傍には薄膜トランジスタ4、画素電極5および反射板6が設けられ、さらにほぼ格子状の補助容量電極7が走査ライン2およびデータライン3と平行して設けられている。ここで、図2を明確にする目的で、画素電極5の縁部に斜めの短い実線のハッチングが記入されている。
この場合、画素電極5のほぼ右半分は透過用画素電極部5aとなっており、ほぼ左半分は反射用画素電極部5bとなっている。画素電極5の四辺部は、その周囲に配置されたほぼ格子状の補助容量電極7と重ね合わされている。反射用画素電極部5bは反射板6の上側に配置されている。これにより、画素電極5のうち、反射板6形成領域および補助容量電極7形成領域を除く領域が実質的な透過用画素領域となっている。すなわち、透過用画素電極部5aのうち、補助容量電極7形成領域を除く領域が実質的な透過用画素領域となっている。反射板6に対応する領域は、反射用画素領域となっている。
補助容量電極7は、ほぼ格子状であり、データライン3と重ね合わされた第1の補助容量電極部7aと、走査ライン2と重ね合わされた第2の補助容量電極部7bと、薄膜トランジスタ4と重ね合わされた第3の補助容量電極部7cとからなっている。この場合、後で説明するが、補助容量電極7は走査ライン2とは別の層上に設けられ、且つ、そのうちの特に第1の補助容量電極7は、厚さ方向において、すなわち、図2における紙面垂直方向において、データライン3と画素電極5との間にそれぞれ絶縁膜を介して設けられている。
そして、第1の補助容量電極7aの幅はデータライン3の幅よりもある程度大きくなっている。これにより、第1の補助容量電極7aは、データライン3と直交する方向の位置ずれがあっても、データライン3が画素電極5と直接対向しないように、データライン3を確実に覆うようになっている。また、第1の補助容量電極7aはデータライン3の配置領域のほぼ全域に亘って配置されている。これにより、第1の補助容量電極7aは、画素電極5に対し、データライン3と平行な方向の位置ずれがあっても、画素電極5の左右辺部と確実に重なり、当該方向の位置合わせずれによる補助容量の変動を確実に防止するようになっている。
第2の補助容量電極7bの幅は走査ライン2の幅よりもある程度大きくなっている。これにより、第2の補助容量電極7bは、走査ライン2と直交する方向の位置ずれがあっても、走査ライン2と確実に重なるようになっている。また、第2の補助容量電極7bは走査ライン2の配置領域のほぼ全域に亘って配置されている。これにより、第2の補助容量電極7bは、画素電極5に対し、走査ライン2と平行な方向の位置ずれがあっても、画素電極5の上下辺部と確実に重なり、当該方向の位置合わせずれによる補助容量の変動を確実に防止するようになっている。
第3の補助容量電極7cおよび反射板6は、薄膜トランジスタ4を覆うように設けられている。これにより、薄膜トランジスタ4への外光の入射を確実に防止するようになっている。また、ほぼ格子状の補助容量電極7および反射板6で画素電極5の実質的な透過用画素領域以外を覆っているので、後述する対向基板31に光漏れ防止用のブラックマスクを設ける必要はなく、開口率を大きくすることができる。
次に、この液晶表示素子の具体的な構造について、図1を参照して説明する。薄膜トランジスタ基板1の上面の所定の箇所にはクロムやモリブデン等からなるゲート電極11を含む走査ライン2(図2参照)が設けられている。ゲート電極11および走査ライン2を含む薄膜トランジスタ基板1の上面には窒化シリコンからなるゲート絶縁膜12が設けられている。
ゲート電極11上におけるゲート絶縁膜12の上面の所定の箇所には真性アモルファスシリコンからなる半導体薄膜13が設けられている。ゲート電極11上における半導体薄膜13の上面の所定の箇所には窒化シリコンからなるチャネル保護膜14が設けられている。チャネル保護膜14の上面両側およびその両側における半導体薄膜13の上面にはn型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層15、16が設けられている。オーミックコンタクト層15、16の上面にはクロムやモリブデン等からなるソース・ドレイン電極17、18が設けられている。
そして、ゲート電極11、ゲート絶縁膜12、半導体薄膜13、チャネル保護膜14、オーミックコンタクト層15、16およびソース・ドレイン電極17、18により、薄膜トランジスタ4が構成されている。
ゲート絶縁膜12の上面の所定の箇所にはデータライン3が設けられている。この場合、データライン3は、下から順に、真性アモルファスシリコン層3a、n型アモルファスシリコン層3b、クロムやモリブデン等からなる金属層3cの3層構造となっている。そして、真性アモルファスシリコン層3a、n型アモルファスシリコン層3bおよび金属層3cは、ソース・ドレイン電極18形成領域における半導体薄膜13、オーミックコンタクト層16およびソース・ドレイン電極18に接続されている。
薄膜トランジスタ4およびデータライン3を含むゲート絶縁膜12の上面には窒化シリコンからなる層間絶縁膜19が設けられている。層間絶縁膜19の上面の所定の箇所にはクロムやモリブデン等からなる補助容量電極7が設けられている。補助容量電極7を含む層間絶縁膜19の上面には窒化シリコンからなるオーバーコート膜20が設けられている。ソース・ドレイン電極17上における層間絶縁膜19およびオーバーコート膜20にはコンタクトホール21が設けられている。
オーバーコート膜20の上面の反射板形成領域にはエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等の有機材料からなるギャップ規制膜(有機膜)22がその表面が凸凹となるように設けられている。ギャップ規制膜22の凸凹表面には、この凸凹表面に追従する凸凹表面を有するアルミニウムやアルミニウム合金等のアルミニウム系金属からなる反射板6が設けられている。反射板6の凸凹表面には、この凸凹表面に追従する凸凹表面を有する自然酸化膜や酸化処理膜等からなる絶縁膜23が設けられている。
絶縁膜23を含むオーバーコート膜20の上面の所定の箇所にはITOからなる画素電極5がコンタクトホール21を介してソース・ドレイン電極17に接続されて設けられている。この場合、絶縁膜23の上面に設けられた画素電極5は、絶縁膜23の凸凹表面に追従する凸凹状となっている。画素電極5と反射板6とは、その間に絶縁膜23が介在されていることにより、電気的に絶縁されている。絶縁膜23の上面に設けられた画素電極5の上面の所定の箇所には樹脂等からなる柱状スペーサ24が設けられている。
次に、表面を凸凹とされたギャップ規制膜22の形成方法について説明する。まず、表面を凸凹とされた型の凸凹表面に、印刷法、スピンコート法、ダイコート法等により、エポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等の有機材料からなるギャップ規制膜形成用膜をその上面が平坦となるように形成する。次に、型の上下を反転して、ギャップ規制膜形成用膜を、図1に示すオーバーコート膜20の上面に転写する。次に、この転写されたギャップ規制膜形成用膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすると、図1に示すように、表面を凸凹とされたギャップ規制膜22が形成される。
ここで、型の凹凸表面は、例えば凹凸を有するローラを樹脂フィルム上に回転しながら熱圧着する方法により形成することができるものであり、図1ではギャップ規制膜22の表面の凹凸はほぼ一様な傾斜角度および深さに図示されているが、ローラの凹凸の傾斜角度および深さを適宜変化することにより、型の凸凹を傾斜角度および深さがランダムなものとすることが可能であり、この型に充填するギャップ規制膜形成用膜の表面、すなわち、ギャップ規制膜22の表面に傾斜角度および深さがランダムな凹凸を形成することができる。
他の形成方法としては、図1に示すオーバーコート膜20の上面に、印刷法、スピンコート法、ダイコート法等により、エポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等の有機材料からなるギャップ規制膜形成用膜をその上面が平坦となるように形成する。次に、ギャップ規制膜形成用膜を半硬化させる。次に、半硬化状態のギャップ規制膜形成用膜の上面に、表面が凸凹のローラを加熱しながら転動させることにより、凸凹を形成する。次に、ギャップ規制膜形成用膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすると、図1に示すように、表面を凸凹とされたギャップ規制膜22が形成される。
なお、図1ではギャップ規制膜22の表面の凹凸は、上面(水平面)に対する傾斜角度が60度以上に図示されているが、これは図面の都合によるもので、実際には、液晶表示素子に入射された光が、垂直方向に反射されるようにするためには、上面に対する傾斜角度が5度〜20度程度のものが多く含まれるようにすることが望ましい。
ギャップ規制膜22上に反射板6を形成するには、通常、スパッタによりギャップ規制膜22上に反射板形成用膜を成膜し、フォトリソグラフィ技術により所望の形状にすればよい。次に、反射板6上に絶縁膜23を形成し、スパッタにより全面にITOを成膜し、フォトリソグラフィ技術により画素電極5を形成する。ここで、反射板形成用膜としてアルミニウム系金属を用いる場合、スパッタにより反射板形成用膜を成膜すると、表面に自然酸化膜が形成されるので、別工程として絶縁膜23を形成する必要がなくなる。別工程として絶縁膜23を形成する場合には、酸化シリコン膜や窒化シリコン膜をCVD法あるいはスパッタで成膜し、エッチング等によりパターニングすればよい。
一方、対向基板31の下面(薄膜トランジスタ1と対向する側の内面)には樹脂からなる赤、緑、青のカラーフィルタ32が設けられている。カラーフィルタ32の下面にはITO等の透明導電材料からなる対向電極33が設けられている。そして、薄膜トランジスタ基板1と対向基板31とは、ギャップ規制膜22上に積層された画素電極5上に柱状スペーサ24を形成し、該柱状スペーサ24、ギャップ規制膜22(画素電極5、反射板6、絶縁膜23を含む)をギャップ部材として、シール材(図示せず)を介して互いに貼り合わされ、シール材の内側における両基板1、31間には液晶34が封入されている。
そして、上記構成の液晶表示素子を透過型として使用する場合には、薄膜トランジスタ基板1の下面側に配置されたバックライト(図示せず)を点灯させると、バックライトからの光が薄膜トランジスタ基板1、ゲート絶縁膜12、層間絶縁膜19、オーバーコート膜20、画素電極5のうちの実質的な透過用画素領域、液晶34、対向電極33、カラーフィルタ32および対向基板1を透過して対向基板31の上面側に出射され、これにより表示を行なう。
一方、上記構成の液晶表示素子を反射型として使用する場合には、バックライトを点灯させず、対向基板31の上面側から入射された外光が対向基板31、カラーフィルタ32、対向電極33、液晶34、画素電極5および絶縁膜23を透過して反射板6で反射され、この反射光が上記とは逆の光路を経て対向基板31の上面側に出射され、これにより表示を行なう。
この場合、反射板6は、アルミニウム系金属により、ギャップ規制膜22の凸凹表面に追従する凸凹表面を有するように形成されているため、この凸凹表面で散乱性が大きく、且つ、異方性を持った光散乱反射機能が発揮される。また、反射板6下のギャップ規制膜22の膜厚により、反射板6と対向電極33との間のギャップが画素電極5の実質的な透過用画素領域と対向電極33との間のギャップの1/3〜2/3、望ましくは1/2程度となるようにしておくと、反射率および透過率が共に最適となるマルチギャップ構造とすることができる。
ところで、上記構成の液晶表示素子では、画素電極5と反射板6とは、その間に絶縁膜23が介在されていることにより、電気的に絶縁されている。この結果、アルミニウム系金属からなる反射板6の表面に自然酸化膜や酸化処理膜等からなる絶縁膜23を形成した後に、ITOからなる画素電極5をフォトリソグラフィ法により形成するとき、ITOからなる画素電極5とアルミニウム系金属からなる反射板6との間に電池反応が発生しないようにすることができる。
また、上記構成の液晶表示素子では、データライン3と画素電極5との間に、データライン3の幅よりも広い形状を有する第1の補助容量電極7aを設けているので、この第1の補助容量電極7aにより、データライン3と画素電極5との間に結合容量が発生するのを防止することができ、したがって垂直クロストークが発生しないようにすることができ、表示特性を向上することができる。
(第2実施形態)
図3はこの発明の第2実施形態としての液晶表示素子の図1同様の断面図を示す。この液晶表示素子において、図1に示す場合と異なる点は、絶縁膜23の代わりに、反射板6およびギャップ規制膜22を含むオーバーコート膜20の上面に窒化シリコンからなる薄い絶縁膜25を設けた点である。この場合、絶縁膜25は、薄いので、反射板6の凸凹表面においては、この凸凹表面に追従して凸凹状に形成されている。また、画素電極5は、絶縁膜25、オーバーコート膜20および層間絶縁膜19に設けられたコンタクトホール21を介してソース・ドレイン電極17に接続されている。
(第3実施形態)
図4はこの発明の第3実施形態としての液晶表示素子の図1同様の断面図を示す。この液晶表示素子において、図1に示す場合と大きく異なる点は、オーバーコート膜20の上面にエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等の有機材料からなる表面凸凹膜26を設け、表面凸凹膜26の凸凹表面に、この凸凹表面に追従する凸凹表面を有する反射板6を設け、反射板6の凸凹表面に、この凸凹表面に追従する凸凹表面を有する絶縁膜23を設け、絶縁膜23を含む表面凸凹膜26の凸凹表面に、この凸凹表面に追従する凸凹表面を有する画素電極5を設けた点である。
この場合、画素電極5は、表面凸凹膜26、オーバーコート膜20および層間絶縁膜19に設けられたコンタクトホール21を介してソース・ドレイン電極17に接続されている。また、反射板6と対向する部分における対向電極33の下面には、エポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等の透明有機材料からなる透明ギャップ規制膜35が設けられている。なお、画素電極5と補助容量電極7との間の絶縁が表面凸凹膜26で十分である場合には、オーバーコート膜20を薄くするかあるいはオーバーコート膜20を省略してもよい。
(第4実施形態)
上記各実施形態では、薄膜トランジスタ4がアモルファスシリコン薄膜トランジスタである場合について説明したが、この発明はポリシリコン薄膜トランジスタにも適用することができる。そこで、次に、図1同様の断面図である図5を参照して、この発明の第4実施形態としてのポリシリコン薄膜トランジスタを備えた液晶表示素子について説明する。
図5に示すように、薄膜トランジスタ基板1の上面には酸化シリコンからなる第1の下地絶縁膜41および窒化シリコンからなる第2の下地絶縁膜42が設けられている。第2の下地絶縁膜42の上面の所定の箇所にはポリシリコンからなる半導体薄膜43が設けられている。この場合、半導体薄膜43の中央部は真性領域からなるチャネル領域43aとされ、その両側はn型不純物注入領域からなるソース領域43bおよびドレイン領域43cとされている。
半導体薄膜43を含む第2の下地絶縁膜42の上面には窒化シリコンからなるゲート絶縁膜12が設けられている。チャネル領域43a上におけるゲート絶縁膜12の上面の所定の箇所にはクロムやモリブデン等からなるゲート電極11が設けられている。また、ゲート絶縁膜12の上面の所定の箇所にはクロムやモリブデン等からなる走査ライン(図示せず)がゲート電極11に接続されて設けられている。
ゲート電極11等を含むゲート絶縁膜12の上面には窒化シリコンからなる第1の層間絶縁膜44が設けられている。ソース領域43bおよびドレイン領域43c上におけるゲート絶縁膜12および第1の層間絶縁膜44にはコンタクトホール45、46が設けられている。
第1の層間絶縁膜44の上面の各所定の箇所にはクロムやモリブデン等からなるソース・ドレイン電極17および18がコンタクトホール45、46を介してソース領域43bおよびドレイン領域43cに接続されて設けられている。第1の層間絶縁膜44の上面の所定の箇所にはクロムやモリブデン等からなるデータライン3がソース・ドレイン電極18に接続されて設けられている。
そして、半導体薄膜43、ゲート絶縁膜12、ゲート電極11、第1の層間絶縁膜44、コンタクトホール45、46、ソース・ドレイン電極17および18により、薄膜トランジスタ4が構成されている。
ソース・ドレイン電極17、18およびデータライン3を含む第1の層間絶縁膜44の上面には窒化シリコンからなる第2の層間絶縁膜47が設けられている。第2の層間絶縁膜47の上面の所定の箇所にはクロムやモリブデン等からなる補助容量電極7が設けられている。補助容量電極7を含む第2の層間絶縁膜47の上面には窒化シリコンからなるオーバーコート膜20が設けられている。ソース・ドレイン電極17上における第2の層間絶縁膜47およびオーバーコート膜20にはコンタクトホール21が設けられている。
オーバーコート膜20の上面の反射板形成領域にはエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等の有機材料からなるギャップ規制膜22がその表面が凸凹となるように設けられている。ギャップ規制膜22の凸凹表面には、この凸凹表面に追従する凸凹表面を有するアルミニウム系金属からなる反射板6が設けられている。反射板6の凸凹表面には、この凸凹表面に追従する凸凹表面を有する自然酸化膜や酸化処理膜等からなる絶縁膜23が設けられている。絶縁膜23を含むオーバーコート膜20の上面の所定の箇所にはITOからなる画素電極5がコンタクトホール21を介してソース・ドレイン電極17に接続されて設けられている。この場合も、絶縁膜23の上面に設けられた画素電極5は、絶縁膜23の凸凹表面に追従する凸凹状となっている。
(その他の実施形態)
上述の実施形態では、ギャップ規制膜(有機膜)22上に反射板6および画素電極5を重合して設けたものとしたが、この順でなく、画素電極5上に反射板6を形成するようにしても良い。この場合、反射板6と画素電極5とを絶縁する必要はなく、電気的に導通するようにようにしてもよい。また、柱状スペーサ24は、ギャップ規制膜22上以外の他の領域に形成することができる。
また、画素電極5(および反射板6)が列方向に直線状に配列されたストライプ配列とし、データライン3および第1の補助容量電極7aをこの画素電極5間において列方向に直線状に形成した場合で説明したが、画素電極5を1行毎に半ピッチずつずらした、所謂、デルタ配列となしたものにも適用することが可能であり、その場合には、データライン3および第1の補助容量電極7aは、画素電極5の各行間において、走査ライン2と平行に画素電極5の半ピッチ分延出されたジグザグ形状に形成される。また、スイッチング素子として薄膜トランジスタを用いているが、ダイオード等、他のスイッチング素子を適用することができる。
この発明の第1実施形態としてのアクティブマトリクス型で半透過反射型の液晶表示素子の要部の断面図。 図1に示す液晶表示素子における薄膜トランジスタ基板側の透過平面図。 この発明の第2実施形態としての液晶表示素子の図1同様の断面図。 この発明の第3実施形態としての液晶表示素子の図1同様の断面図。 この発明の第4実施形態としての液晶表示素子の図1同様の断面図。
符号の説明
1 薄膜トランジスタ基板
2 走査ライン
3 データライン
4 薄膜トランジスタ
5 画素電極
5a 透過用画素電極部
5b 反射用画素電極部
6 反射板
7 補助容量電極
22 ギャップ規制膜

Claims (14)

  1. 基板上に凸凹表面を有する有機膜を設け、前記有機膜の凸凹表面に該凸凹表面に追従して反射板と画素電極とを少なくとも一部を重合して設けたことを特徴とする液晶表示素子。
  2. 請求項1に記載の発明において、前記反射板と前記画素電極との間に絶縁膜が介在されていることを特徴とする液晶表示素子。
  3. 請求項2に記載の発明において、前記絶縁膜は前記反射板の表面に形成された酸化膜からなることを特徴とする液晶表示素子。
  4. 請求項2に記載の発明において、前記絶縁膜は前記反射板の表面に成膜された絶縁膜からなることを特徴とする液晶表示素子。
  5. 請求項1に記載の発明において、前記反射板はアルミニウム系金属からなり、前記画素電極はITOからなることを特徴とする液晶表示素子。
  6. 請求項1に記載の発明において、前記画素電極は、前記反射板上に重合して設けられた反射用画素電極部と、前記反射板に隣接する領域に設けられた透過用画素電極部とを有することを特徴とする液晶表示素子。
  7. 請求項6に記載の発明において、前記有機膜は前記反射板下にのみ設けられたギャップ規制膜からなることを特徴とする液晶表示素子。
  8. 請求項6に記載の発明において、前記有機膜は前記反射用画素電極部下の前記反射板および前記透過用画素電極部下に設けられ、前記基板に対向して配置された対向基板の内面側の前記反射板と対向する部分にギャップ規制膜が設けられていることを特徴とする液晶表示素子。
  9. 請求項1に記載の発明において、前記基板と前記有機膜との間に、薄膜トランジスタが設けられ、前記画素電極は、前記薄膜トランジスタのソース・ドレイン電極に接続されていることを特徴とする液晶表示素子。
  10. 請求項9に記載の発明において、前記薄膜トランジスタと前記有機膜との間に補助容量電極が設けられていることを特徴とする液晶表示素子。
  11. 請求項10に記載の発明において、前記基板上に前記薄膜トランジスタのソース・ドレイン電極に接続されたデータラインが設けられ、前記補助容量電極は中間絶縁膜を介して前記データラインと重ね合わされた部分を有し、前記補助容量電極の前記データラインと重ね合わされた部分の幅は前記データラインの幅よりも広くなっていることを特徴とする液晶表示素子。
  12. 請求項11に記載の発明において、前記補助容量電極は前記画素電極の全周辺部と重ね合わされていることを特徴とする液晶表示素子。
  13. 薄膜トランジスタ基板と対向基板間に液晶が封入された液晶表示素子において、薄膜トランジスタ基板上に設けられた薄膜トランジスタをオーバーコート膜で覆い、該オーバーコート膜上に凹凸表面を有するギャップ規制膜を設け、該ギャップ規制膜の凹凸表面上に反射板を設けると共に、前記ギャップ規制膜上および前記オーバーコート膜の一部領域上に跨って画素電極を設けたことを特徴とする液晶表示素子。
  14. 請求項13に記載の発明において、前記ギャップ規制膜上に形成された前記反射板は、その上面が、液晶表示素子のギャップの1/3〜2/3に位置付けられていることを特徴とする液晶表示素子。
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