JP2006091063A - 液晶表示素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 オーバーコート膜20の上面にはエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等の有機材料からなるギャップ規制膜22がその表面が凸凹となるように設けられている。ギャップ規制膜22の凸凹表面には、この凸凹表面に追従する凸凹表面を有するアルミニウム系金属からなる反射板6が設けられている。反射板6の凸凹表面には、この凸凹表面に追従する凸凹表面を有する自然酸化膜や酸化処理膜等からなる絶縁膜23が設けられている。絶縁膜23を含むオーバーコート膜20の上面にはITOからなる画素電極5が設けられている。この場合、画素電極5と反射板6とは、その間に絶縁膜23が介在されていることにより、電気的に絶縁されている。
【選択図】 図1
Description
図1はこの発明の第1実施形態としてのアクティブマトリクス型で半透過反射型の液晶表示素子の要部の断面図を示し、図2はそのうちの薄膜トランジスタ基板側の透過平面図を示す。この場合、図1は図2のA−A線に沿う部分に相当する断面図である。この液晶表示素子は、ガラス基板等からなる薄膜トランジスタ基板1および対向基板31を備えている。
図3はこの発明の第2実施形態としての液晶表示素子の図1同様の断面図を示す。この液晶表示素子において、図1に示す場合と異なる点は、絶縁膜23の代わりに、反射板6およびギャップ規制膜22を含むオーバーコート膜20の上面に窒化シリコンからなる薄い絶縁膜25を設けた点である。この場合、絶縁膜25は、薄いので、反射板6の凸凹表面においては、この凸凹表面に追従して凸凹状に形成されている。また、画素電極5は、絶縁膜25、オーバーコート膜20および層間絶縁膜19に設けられたコンタクトホール21を介してソース・ドレイン電極17に接続されている。
図4はこの発明の第3実施形態としての液晶表示素子の図1同様の断面図を示す。この液晶表示素子において、図1に示す場合と大きく異なる点は、オーバーコート膜20の上面にエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等の有機材料からなる表面凸凹膜26を設け、表面凸凹膜26の凸凹表面に、この凸凹表面に追従する凸凹表面を有する反射板6を設け、反射板6の凸凹表面に、この凸凹表面に追従する凸凹表面を有する絶縁膜23を設け、絶縁膜23を含む表面凸凹膜26の凸凹表面に、この凸凹表面に追従する凸凹表面を有する画素電極5を設けた点である。
上記各実施形態では、薄膜トランジスタ4がアモルファスシリコン薄膜トランジスタである場合について説明したが、この発明はポリシリコン薄膜トランジスタにも適用することができる。そこで、次に、図1同様の断面図である図5を参照して、この発明の第4実施形態としてのポリシリコン薄膜トランジスタを備えた液晶表示素子について説明する。
上述の実施形態では、ギャップ規制膜(有機膜)22上に反射板6および画素電極5を重合して設けたものとしたが、この順でなく、画素電極5上に反射板6を形成するようにしても良い。この場合、反射板6と画素電極5とを絶縁する必要はなく、電気的に導通するようにようにしてもよい。また、柱状スペーサ24は、ギャップ規制膜22上以外の他の領域に形成することができる。
2 走査ライン
3 データライン
4 薄膜トランジスタ
5 画素電極
5a 透過用画素電極部
5b 反射用画素電極部
6 反射板
7 補助容量電極
22 ギャップ規制膜
Claims (14)
- 基板上に凸凹表面を有する有機膜を設け、前記有機膜の凸凹表面に該凸凹表面に追従して反射板と画素電極とを少なくとも一部を重合して設けたことを特徴とする液晶表示素子。
- 請求項1に記載の発明において、前記反射板と前記画素電極との間に絶縁膜が介在されていることを特徴とする液晶表示素子。
- 請求項2に記載の発明において、前記絶縁膜は前記反射板の表面に形成された酸化膜からなることを特徴とする液晶表示素子。
- 請求項2に記載の発明において、前記絶縁膜は前記反射板の表面に成膜された絶縁膜からなることを特徴とする液晶表示素子。
- 請求項1に記載の発明において、前記反射板はアルミニウム系金属からなり、前記画素電極はITOからなることを特徴とする液晶表示素子。
- 請求項1に記載の発明において、前記画素電極は、前記反射板上に重合して設けられた反射用画素電極部と、前記反射板に隣接する領域に設けられた透過用画素電極部とを有することを特徴とする液晶表示素子。
- 請求項6に記載の発明において、前記有機膜は前記反射板下にのみ設けられたギャップ規制膜からなることを特徴とする液晶表示素子。
- 請求項6に記載の発明において、前記有機膜は前記反射用画素電極部下の前記反射板および前記透過用画素電極部下に設けられ、前記基板に対向して配置された対向基板の内面側の前記反射板と対向する部分にギャップ規制膜が設けられていることを特徴とする液晶表示素子。
- 請求項1に記載の発明において、前記基板と前記有機膜との間に、薄膜トランジスタが設けられ、前記画素電極は、前記薄膜トランジスタのソース・ドレイン電極に接続されていることを特徴とする液晶表示素子。
- 請求項9に記載の発明において、前記薄膜トランジスタと前記有機膜との間に補助容量電極が設けられていることを特徴とする液晶表示素子。
- 請求項10に記載の発明において、前記基板上に前記薄膜トランジスタのソース・ドレイン電極に接続されたデータラインが設けられ、前記補助容量電極は中間絶縁膜を介して前記データラインと重ね合わされた部分を有し、前記補助容量電極の前記データラインと重ね合わされた部分の幅は前記データラインの幅よりも広くなっていることを特徴とする液晶表示素子。
- 請求項11に記載の発明において、前記補助容量電極は前記画素電極の全周辺部と重ね合わされていることを特徴とする液晶表示素子。
- 薄膜トランジスタ基板と対向基板間に液晶が封入された液晶表示素子において、薄膜トランジスタ基板上に設けられた薄膜トランジスタをオーバーコート膜で覆い、該オーバーコート膜上に凹凸表面を有するギャップ規制膜を設け、該ギャップ規制膜の凹凸表面上に反射板を設けると共に、前記ギャップ規制膜上および前記オーバーコート膜の一部領域上に跨って画素電極を設けたことを特徴とする液晶表示素子。
- 請求項13に記載の発明において、前記ギャップ規制膜上に形成された前記反射板は、その上面が、液晶表示素子のギャップの1/3〜2/3に位置付けられていることを特徴とする液晶表示素子。
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