JP2007322941A - 半透過型液晶表示装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】広視角な反射特性を有する横方向電界モード(横方向駆動方式)による半透過型液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】
反射領域Hと透過領域Tとを有し、前記反射領域Hには凹凸反射板99を備え、この凹凸反射板99上に平坦化膜5を積層すると共に当該平坦化膜5上に共通電極26および画素電極27を配設して成る半透過型液晶表示装置であって、前記凹凸反射板99は、入射角30°で入射した光を出射角0°〜10°方向に拡散反射可能とする拡散反射機能を備え、前記平坦化膜5はその表面を平坦に設定したこと。
【選択図】図2

Description

本発明は、半透過型液晶表示装置に係り、特に、各画素が光反射型の反射領域と光透過型の透過領域とを備えた半透過型液晶表示装置に関する。
特許文献1に記載の従来例を図10に示す。この図10に示す液晶表示装置100は、下部側基板11と、対向側基板12と、その間に挟まれた状態で保持されている液晶層13とを備えて構成されている。そして、液晶表示装置100の表示部を構成する各画素は、光反射型の反射領域と光透過型の透過領域とを備えている。図10は、特許文献1に開示された一画素分の概略断面図を示すものである。
この図10において、対向側基板12は、透明絶縁性基板22b上に遮光膜としてブラックマトリクス層17と、これと部分的に重なりあっている色層18と、ブラックマトリクス層17と色層18の上に形成された透明なオーバーコート層19とから形成されている。又、液晶表示パネル表面からの接触等による帯電が、液晶層13へ電気的な影響を与えることを防止するために、透明絶縁性基板22bの裏面には、透明な導電層15が形成されている。色層18は、赤(R)、緑(G)及び青(B)の染料または顔料を含む樹脂膜によって形成されている。
又、下部側基板11は、透明絶縁性基板22a上に、走査線28(図示せず)及び駆動用の薄膜トランジスタのゲート電極(図示せず)を形成する第1の金属層と、その上に形成された第1の層間絶縁膜23と、この第1の層間絶縁膜23上に形成されたデータ線24および薄膜トランジスタのソース電極およびドレイン電極(図示せず)を形成する第2の金属層と、この上に形成された第2の層間絶縁膜25と、その上に透明電極により形成された共通電極26及び画素電極27とを有する。
下部側基板11と対向側基板12とは、それぞれの対向面側に配向膜20a、配向膜20bを配し、画素電極27および共通電極26の延伸方向から、10度ないし30度程度の角度を傾けた所定の方向に、液晶層13がホモジニアス配向するように、ラビング処理がなされた後に、相互に向かい合うように貼り合わされている。この角度を液晶分子の初期配向方位と言う。
下部側基板11と対向側基板12との間には、液晶層13の厚みを保持するためのスペーサー(図示せず)が配置されており、また、液晶層13の周囲には、液晶分子を外部に漏らさないためのシール(図示せず)が形成されている。
下部側基板11には、データ信号が供給されるデータ線24と、基準電位が供給される共通電極配線(図示せず)及び共通電極26と、表示すべき画素に対応する画素電極27のほか、走査用信号が供給される走査線(図示せず)と、前述した駆動用の薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor :TFT)30とが、透明絶縁性基板22b上に装備されている。
駆動用の薄膜トランジスタは、ゲート電極とドレイン電極とソース電極とを備え、走査線とデータ線24との交点の近傍に各画素に対応して設けられている。ゲート電極は走査線に、ドレイン電極はデータ線24に、ソース電極は画素電極27にそれぞれ電気的に接続されている。
共通電極26及び画素電極27は何れも櫛歯形状をなしており、各電極の櫛歯は何れもデータ線24と平行に延びている。さらに、共通電極26,画素電極27の櫛歯は、相互に噛み合うようにして且つ共通電極26,画素電極27の櫛歯が相互に隔置されて、配置されている。
前述した透過領域Tおよび反射領域Hの各領域共に、本液晶表示装置100では横電界駆動方式を採っている。本液晶表示装置100において、走査線を介して供給される走査用信号により選択され且つデータ線24を介して供給されるデータ信号が書き込まれた画素にあって、共通電極26と画素電極27との間で、前述した透明絶縁性基板22a、22bに平行な電界を生じさせ、この電界に従って液晶分子の配向方向を透明絶縁性基板22a、22bと平行な平面内において回転させ、所定の表示が行われる。
上記共通電極26と画素電極27に囲まれた縦長の領域をコラム(図示せず)という。上記液晶表示装置100においては、共通電極26及び画素電極27は何れも透明材料であるITOでつくられている。
又、透過領域T及び反射領域Hにおいて、共通電極26は走査線,データ線24よりも液晶層に近い側の層に形成されており、かつ、走査線,データ線24より幅が広く、走査線,データ線24を完全に覆うように形成されている。
更に、上記図10に示すように、反射領域Hにおいて、反射板9は、走査線,データ線24よりも液晶層に近い側の層に形成されており、走査線およびデータ線24を完全に覆うように配設されている。
共通電極26及び反射板9をこのように形成することにより、データ線24及び走査線からの漏れ電界を遮断することができるので、画素電極27と共通電極26との間の電界により制御できる有効な表示領域が拡大し、開口率を向上させることができるようになっている。
更に、図10から分かるように、透過領域Tにおいて、共通電極26とデータ線24との間には、第2の層間絶縁膜25が設けられている。
この第2の層間絶縁膜25の膜厚(d)と誘電率(ε)の比d/εを十分大きくとることにより、データ線24と共通電極26との間の寄生容量を低減させることができる。又、図10で明らかなように、反射領域5において、共通電極26とデータ線24との間には、第2の層間絶縁膜25,第2の絶縁膜8b,反射板9,第3の絶縁膜8cが設けられており、これにより、データ線24と共通電極26との間の距離が適度に設定されて寄生容量の低減化が成されている。
ここで、この従来例にあっては、透過領域Tでは、共通電極26と画素電極27とが何れも第2の層間絶縁膜25上に、反射領域Hでは共通電極26と画素電極27とは何れも第3の絶縁膜8c上に、それぞれ形成されている。これにより、共通電極26と画素電極27とを同一工程にて、且つ同一材料で形成することができ、製造効率の向上が図られている。
更に、層間絶縁膜25形成後、反射領域Hにおいては、第2の絶縁膜8bが形成される。この第2の絶縁膜8bは、通常、凹凸膜と平坦化層の2層構造から成るが、ハーフトーンマスクを用いて1層構造で形成することもできる。
そして、表面が凹凸を有する第2の絶縁膜8bの上には、アルミニュームを素材とした反射板9が形成されている。この反射板9は入射光を乱反射する役割を有する。この反射板9の上に第3の絶縁膜8cが形成され表面が平坦化されている。又、この第3の絶縁膜8cの上に、透過領域Tと同様にITOから成る共通電極26,画素電極27がそれぞれ形成され、その上に配向膜20aが形成され、これによって下部側基板11が構成されている。
特開2003−344837
上述した図10における従来例では、反射部領域Hには凹凸反射板9上に薄い平坦化膜を設け、その上にくし歯電極を設けている。一方、透過部領域Tは、第2の層間膜上に(凹凸層、平坦化層なしに)直接、反射部くし歯と同層のくし歯電極が設けられた構成となっている。
そして、凹凸層+反射部金属+平坦化層の段差により、透過部と反射部とに段差(反射部・透過部段差)を設け、その差で反射部(Δnd(R))と透過部(Δnd(T))と透過部の所定のリタデーション(Retardation:2つの固有偏光の移相差)を形成する構成としている。
ここで、液晶の屈折率異方性(Δn)は、Δn=0.1程度であるので、
Δnd(T)−Δnd(R)=(λ/2)−(λ/4)=137〔nm〕とすると、
1.3〔μm〕程度の反射部・透過部段差を設ける必要がある。この場合、反射部金属(アルミニューム)として膜厚が0.1〜0.3〔μm〕程度必要とするので、「凹凸層+平坦化層」としては1.0〔μm〕程度となる。
又、上記従来例では、反射モードでは、液晶に対して入射する光の角度および出射する光の角度については、何らの規制もなされていない。
ここで、上記従来例にあって、反射モード時に液晶に対して入射する光の角度および出射する光の角度について検討してみる。
上記従来例では、液晶に駆動に際しては、横方向電界駆動方式が採用されている。この駆動方式では、液晶のプレチルト角(pretilt angle )を5°以下(望ましくは0°)にできるだけ近づけることが必要とされている。
このことは、仮に液晶のプレチルトが大きくなると、基板表面で液晶がプレチルトを保持して傾斜して配向することになるため、理想的な横方向電界駆動をしなくなって配向乱れをおこし、コントラストや視野角を低下させて表示品位が劣化するからである。
ここで、上述した凹凸傾斜角、入射角、および出射角の設定と装置全体の動作との関係を更に分析する。
光の入射角が0°〜15°と浅く且つ出射角が0°の場合は、凹凸反射板の傾斜角は浅くてすみ、凹凸膜厚は0.5〔μm〕程度でよい。凹凸段差を緩和するには、平坦化膜として、凹凸膜厚と同程度の平坦化膜が必要であり、平坦化膜の膜厚も0.5〔μm〕程度となる。
このように、凹凸反射板の傾斜角が緩やかな場合は、凹凸膜や平坦化膜が薄くても、くし歯上の平坦化膜の表面の凹凸も比較的起伏が緩やかであり、くし歯電極のパターン形成は比較的に容易であり、また、液晶を横方向電界で駆動しても乱れることはなく、上記表示品位の劣化はあまりない。
一方、入射角が30°〜15°と深く且つ出射角が0°の場合で、凹凸反射板の傾斜角が深い場合には、必要な凹凸膜は厚くする必要がある。かかる場合、くし歯下の平坦膜の表面の凹凸も、平坦化膜の材料・膜厚によっては激しくなる。このため、くし歯電極のパターン形成は困難であり、また、液晶を横方向電界駆動すると、液晶は乱れ、コントラストの低下や視野角の低下を引き起こすことが多い。このため、かかる場合には平坦化膜も厚く形成する必要性がある。
このように、反射領域のくし歯間の平坦性を優先させると、凹凸膜および平坦化膜が共に厚くなることから、上記従来例の構成では、反射透過段差を例えば1.0〔μm〕付近にすることが困難であり、これのため、横方向電界モードによる従来型の半透過型液晶表示装置では、広視角な反射特性を得るのが困難なものとなっていた。
〔発明の目的〕
本発明は、かかる従来例に有する不都合を改善し、広視角な反射特性を有する横方向電界モード(横方向駆動方式)による半透過型液晶表示装置を提供することを、その目的とする。
上記目的を達成するため、本発明にかかる半透過型液晶表示装置は、当該液晶表示を構成する各1画素が、反射領域と透過領域とを備え、前記反射領域には凹凸反射板を備え、この凹凸反射板上に平坦化膜を積層すると共に当該平坦化膜上に共通電極および画素電極を配設されている。そして、前記凹凸反射板は、入射角30°の方向から入射した光を出射角0°〜10°方向に拡散反射可能とする拡散反射機能を備え、前記平坦化膜はその表面を平坦に若しくはこれに近い状態に設定したことを特徴とする(請求項1)。
このため、これによると、駆動用の電極を平坦化膜上に安定して付着形成することができ、これのため、広視角の反射特性を備え且つ装置全体の耐久性向上を図り得るとう効果が得られる。
ここで、前述した液晶に対する駆動方式として、IPSモード又はFFSモードによる横方向電界駆動方式を前記反射領域と透過領域の両方に適用した構成としてもよい(請求項2,3)。
又、前述した凹凸反射板の平均傾斜角を3°乃至12°とすると共に、前記平坦化膜の表面の平均傾斜角の大きさを3°乃至5°の範囲を越えない大きさに設定してもよい(請求項4)。これにより、動作が安定し且つ広視角の反射特性を備えた液晶表示装置が得られる。
ここで、前述した凹凸反射板の平均傾斜角は、6°乃至9°とし且つ前記平均傾斜角の大きさを3°乃至5°の範囲を越えない大きさに設定してもよい(請求項5)。
このようにすると、拡散反射をより実効ある状態に設定することができ、同時に平坦化膜の凹凸部が平坦に近い状態となり、これのため、前述した電極を平坦化膜上に安定して付着形成することができる。
更に、前述した凹凸反射板の凹凸段差については、0.6〔μm〕以上の凹凸段差を有し且つ前記平坦化膜の表面の段差が0.4〔μm〕以下としてもよい(請求項6)。
又、前述した反射領域の液晶層の厚さΔndを約λ/4に設定すると共に前記透過領域の液晶層の厚さΔndを約λ/2に設定し、前記平坦化膜を、前記反射領域から前記透過領域にわたって連続して一体的に形成した構成としてもよい(請求項7)。
ここで、前述した平坦化膜については、その屈折率異方性Δnを0.001以下にしてもよい(請求項8)。
このようにすると平坦化膜を透過領域(透過部)に設けてもコントラストの低下を回避することができ良好な状態を維持することができる。
本発明は上述したように構成され機能するので、これによると、透過部(透過領域)T,反射部(反射領域)Hともに横方向電界駆動する半透過型液晶表示装置において、凹凸反射板の凹凸部の平均傾斜角を例えば3°乃至12に設定して出射角度の拡散を図ったことから、入射角30°の方向からの光を出射角0°〜10°方向に拡散反射させる広視角な反射特性を得ることができ、又、凹凸反射板上に平坦化膜を設けて電極を形成する層の上面を平坦に若しくは平坦に近い状態にしたので、駆動用の電極を安定して付着形成することができ、装置全体の信頼性および耐久性向上を図ることができるという従来にない優れた半透過型液晶表示装置を提供することができる。
以下、本発明の一実施形態を図1乃至図7に基づいて説明する。ここで、前述した従来例と同一の構成部分については同一の符号を用いるものとする。
図1は、本実施形態における半透明型液晶表示装置(IPSモード)101の1画素領域に配置された各電極相互間の位置関係を示す平面図である。この図1に示すように、半透明型液晶表示装置101の各画素は、表示装置全体にマトリクス状に設けられたデータ線24と走査線28によって対応範囲が区画され、特定されている。
図2は、その区画され1画素分の概略部分断面図(図1のE−E’に沿って見た断面)を示す。
上記図1において、図の上半分には透過領域Tが設けられ、また下半分には反射領域Hが設けられている。
そして、この図1乃至図2において、半透明型液晶表示装置101は、下部基板1と、対向基板2と、その間に挟まれた状態で保持されている液晶層3とを備えて構成されている。
この内、対向基板2は、各積層部分が主に表示用の各種機能を備えたものから成り、前述した従来例(図10)の場合とほぼ同様に構成されている。即ち、この対向基板2は、絶縁性の透明基板を基準として、前記液晶側に向けて、遮光膜としてのブラックマトリクス層と、このブラックマトリクス層に部分的に重なり合っている色層と、透明なオーバーコート層と、配向膜とが、順次積層されている。更に、この対向基板2は、前記透明基板の外面側(前記液晶とは反対側)に、接触等によって生じる帯電を除去するための透明部材から成る導電膜、および偏光板が順次積層され、これによって、当該対向基板2の全体が構成されている。ここで、前述した色層は、赤(R),緑(G),および青(B)の染料又は顔料を含む樹脂膜からなっている。
又、下部基板1は、各積層部分が主に表示部材駆動用の各種機能を備えたものから成り、透明絶縁性基板上には、データ信号が供給されるデータ線24と、基準電位が供給される共通電極配線26a,26bおよび共通電極26(26A,26B)と、表示すべき画素に対応する画素電極27A,27Bのほか、走査用信号が供給される走査線28と、前述した駆動用の薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor :TFT)30とが、透明絶縁性基板上に装備されている。
駆動用の薄膜トランジスタ30は、ゲート電極とドレイン電極30aとソース電極30bとを備え、走査線28とデータ線24との交点の近傍に各画素に対応して設けられている。ゲート電極30は走査線28に、ドレイン電極30aはデータ線24に、ソース電極30bは画素電極27A,27Bにそれぞれ電気的に接続されている。
そして、この下部基板1は、前記透明絶縁性基板上に、上述した走査線28,共通電極配線26a,26bおよび薄膜トランジスタ30のゲート金属層と、その上に第1の層間絶縁膜と、この第1の層間絶縁膜上に形成されたデータ線24および薄膜トランジスタ30のソース電極30bとドレイン電極30aを形成する第2の金属層と、この第2の金属層の上に形成された第2の層間絶縁膜とを、又液晶側に配向膜を、備えている。
共通電極26(26A,26B)及び画素電極27(27A,27B)は図1に示すように何れも櫛歯形状をなしており、各電極の櫛歯は何れもデータ線24と平行に延びている。さらに、共通電極26,画素電極27の櫛歯は、相互に噛み合うようにして且つ共通電極26,画素電極27の櫛歯が相互に隔置されて、配置されている。
ここで、符号26Aは反射部共通電極を示し、符号26Bは透過部共通電極を示す。また、符号27Aは反射部画素電極を示し、符号27Bは透過部画素電極を示す(図1参照)。
前述した透過領域Tおよび反射領域Hの各領域は、本液晶表示装置101では、共に横電界駆動方式を採っている。本液晶表示装置101において、走査線28を介して供給される走査用信号により選択され且つデータ線24を介して供給されるデータ信号が書き込まれた画素にあって、共通電極26(26A,26B)と画素電極27(27A,27B)との間で、前述した透明絶縁性基板に平行な電界を生じさせ、この電界に従って液晶分子の配向方向を透明絶縁性基板と平行な平面内において回転させ、これにより、所定の表示が行われる。
〔反射部(反射領域)H〕
反射部領域Hには、下部基板1側の透明絶縁性基板の第2の層間絶縁膜(図示せず)上に反射板の凹凸を形成するための下地膜として下地凹凸膜(凹凸OC)4が凹凸平均で2.0〔μm〕程度形成され、0.7〔μm〕程度の凹凸段差をつけることで凹凸が形成されている。そして、この下地凹凸膜4上には、0.1〜0.4〔μm〕程度の反射板(凹凸反射板)99が形成されている。更に、この反射板99上には、図2に示すように平坦化膜5が2.0〜2.5〔μm〕程度の厚さで、アクリル等により形成されている(図2,図3(B)参照)。
更に、この平坦化膜5上には、くし歯状に反射部画素電極27Aと反射部共通電極26Aとが形成されている。反射部画素電極27Aはコンタクトホール39aを介してTFTのソース電極30bに接続されており、又、反射部共通電極26Aはコンタクトホール39bを介して上述した共通電極配線26aに接続されている(図1参照)。
〔透過部(透過領域)T〕
一方、透過部領域Tには、前述した第2の層間絶縁膜(図示せず)上に、反射部領域Hと共通の平坦化膜5が形成されており(図2参照)、その上にくし状の透過部画素電極27Bと透過部共通電極26Bが形成されている(図3(A)参照)。この画素電極27Bと共通電極26Bは、前述した反射部領域Hと共通化にして当該反射部領域Hから延設してもよい。この画素電極27Bは独立にコンタクトホール39cを介してTFTのソース電極30bに接続されており、又、透過部共通電極26Bはコンタクトホール39dを介して透過部共通電極26Bと接続されている(図1参照)。
下部基板1と対向基板2とは、それぞれの上に前述したように液晶3側に配向膜を配し、図に示すように画素電極27A,27Bおよび共通電極26A,26Bの延伸方向から10°乃至30°程度の角度を傾けた所定の方向に、液晶層がホモジニアス配向するように、ラビング処理がなされた後に、相互に向いあうように貼り合わされている。この角度を液晶分子の初期配向方位という。
又、上記下部基板1と対向基板2との間には、液晶層3の厚みを保持するためのスペーサー(図示せず)が配置されており、また液晶層3の周囲には、液晶を外部に漏らさないためのシール(図示せず)が形成されている。そして、上記液晶層3では、くし歯状の共通電極26A,26Bとこれに対応して前述したように配設された画素電極27A,27Bとの間に印加される電界により、横方向電界による電界駆動(液晶表示)が実行されるようになっている。
〔液晶に入射/出射する光の角度と凹凸反射板の傾斜角の関係〕
ここで、本実施形態における液晶3への入射光および液晶3側からの出射光の角度と凹凸反射板99の傾斜角との関係を説明する。
図4に、入射角θ/出射角θと、凹凸反射板100の傾斜角φとの相対的な関係を示す。
ここで、凹凸反射板100の傾斜角φは、次式によって算定される。
sinθ=nsinθ …………(1)
θ=θ−2φ …………………(2)
sinθ=nsinθ…………(3)
ここで、n=1.0、n=1.6である。前述した図10における従来技術にあっては、入射角(θ)15°で入射した光が出射角(θ)0°の方向に拡散反射するように凹凸反射板9を形成していた。しかしながら、本実施形態に示すように横方向電界駆動を反射領域(凹凸反射板99)に装備した場合にあっては、反射モードにおいて広視野角を実現するためには、入射角(θ)30°で入射した光が出射角(θ)0°〜10°方向に拡散反射するような傾斜角φを備えた凹凸反射板99が、必要となる。
ここで、傾斜角φとは、図5(A)(B)で示すように、凹凸反射板99或いは平坦化膜5の表面5A上における任意の点での接線と下部基板1とのなす角度である。
また、図4に示すように、入射角θが15°方向から入射し、その反射光が0°〜10°方向に拡散反射するときの凹凸反射板99の傾斜角φは、およそ2°〜5°となる。更に、入射角(θ)30°方向からの光が0°〜10°方向に拡散反射するときの凹凸反射板99の傾斜角φは、およそ6°乃至9°となる。
そして、この場合、広視野角を実現する凹凸反射板99の傾斜角φは、従来の凹凸反射板9の傾斜角よりも大きくすればよい。これにより、拡散反射機能を備えた凹凸反射板99を設定することができる。この場合、実験的には、凹凸反射板99の凹凸部の傾斜角φについては、3°乃至12°の範囲でも拡散反射の可能性があることが実験的には確認されている。
ここで、凹凸反射板99の各凹凸の傾斜面全面がある一定の傾斜角φで構成されているものを作成することは困難である。このため、本実施形態では、以下、凹凸反射板99の傾斜角φは、凹凸反射板99の各凹凸傾斜面の全面についての平均傾斜角として取り扱うこととする。
横方向電界駆動を用いて横方向駆動モードを実行する場合、スリット状の細い電極(例えば反射部画素電極27A)を反射領域Hに形成するためには、凹凸反射板99上に平坦化膜5が必要となる。この平坦化膜5の表面の平均傾斜角φ(図5(B)参照)は、平坦化膜5の膜厚を大きくすることで、凹凸反射板99の平均傾斜角φよりも小さくすること(平坦に近い状態)ができる。
今、凹凸反射板99の平均傾斜角φが6°のときの、平坦化膜5の膜厚と平坦化膜表面の平均傾斜角φの変化の様子を、図5(C)のグラフに示す。
ここで、スリット状電極の電極幅を3〔μm〕とした場合の実験例では、平坦化膜表面の平均傾斜角(φ)が2.5°以下、すなわち、平坦化膜厚1.5〔μm〕以上で当該スリット状電極が形成できたが、平坦化膜厚が1.5〔μm〕より小さい場合は、電極の剥れが見られた。
更に、かかる場合、この試みに際し、スリット状電極の電極幅を1.5〔μm〕とした場合の実験例では、平坦化膜表面の平均傾斜角(φ)が1.5°以下、すなわち、平坦化膜厚2.5〔μm〕以上で当該スリット状電極が形成できたが、平坦化膜厚が2.5〔μm〕より小さい場合は、電極の剥れが見られた。このため、この平坦化膜表面の平均傾斜角φについては、1.5°乃至2.5°の範囲内でもスリット状電極の付着形成は期待できる。尚、好ましくは、φ≦1.5°が確認した範囲では電極形成の確実性が高い。
ここで、上述した平坦化膜5については、その屈折率異方性Δnが非常に小さいもの(例えばΔn≦0.001のものを使用した。この屈折率異方性Δnについては小さいもの程よい。
このように、凹凸反射板99上に平坦化膜5を設けることにより、スリット状電極の形成が可能になるほか、反射領域Hの液晶層3に接する面が平坦若しくは平坦に近い状態に設定することで、横方向電界駆動による液晶の面内回転駆動を、更に安定させる働きも同時に得られるという利点も合わせて得ることとなった。
次に、前述した凹凸反射板99を半透過型液晶表示装置に適用した場合における、反射部(反射領域)Hと透過部(透過領域)Tの液晶層形成について説明する。
凹凸反射板99の凹凸部における平均傾斜角(φ)を6°とし、凹凸ピッチを20〔μm〕とすると、凹凸段差の大きさはおよそ1〔μm〕となる。ここで、凹凸ピッチとは凹凸反射板99の凸部の頂点とそれに隣り合う凸部の頂点との距離を示し、凹凸段差とは凹凸反射板99或いは平坦化膜5の各表面での凸部の頂点とそれに隣り合う凹部の頂点との高さの差を示す(図2参照)。
上記凹凸反射板99の形状は、その下に設けられる有機膜としての下地凹凸膜4(以下「凹凸OC4」という) の表面形状に従って形成されている。この凹凸反射板99は、凹凸OC4表面の最下点がD層のPassivation膜(基板)に到達してしまうと当該凹凸反射板99に平坦な部分が現れてしまい、入射光が正反射する割合が大きくなってしまう。このため、反射特性が悪化する。
これを防ぐために、段差形成のばらつきを考慮して凹凸OC4表面の最下点とpassivation 膜(基板)との距離(α)を例えば1.5〔μm〕とすると(図6(A)参照)、凹凸反射板99を形成した後の下地凹凸膜(凹凸OC)4の平均膜厚(β)は図6(A)に示すように、約2.0〔μm〕となる。
この場合、1.5〔μm〕幅のスリット状電極を形成する場合には、凹凸反射板99上に2.5〔μm〕の平坦化膜5が必要であることから、平坦化膜5を形成後の膜厚(γ)は4.5〔μm〕となり、この膜厚が画素内における反射部Hと透過部Tの段差となる(図6(A)参照)。
今、Δnが0.07の液晶材を使用することを想定すると、前述した反射部Hの液晶層3のΔndを137.5nm(λ/4)とする当該反射部Hの液晶層3の厚さは、およそ2〔μm〕となる。
ここで、前述した反射部Hの液晶層3の厚さをこの値にすると、透過部Tの液晶層3は、反射部Hと透過部Tの段差を加えた6.5〔μm〕となる。このため、この液晶層3の厚さは、Δnd=455〔nm〕に相当し、λ/2板液晶層のΔnd=275〔nm〕より大きくなる。
即ち、図6(B)で示すように、透過光強度はsin(πΔnd/λ)に比例するため、透過部Tの液晶層3のΔndが適切な値からはずれると透過光強度が小さくなりコントラストを下げてしまう。
そこで、凹凸反射板99上に塗布する平坦化膜5を透過部Tにも連続形成させることで、反射部Hと透過部Tの段差は2〔μm〕、透過部Tの液晶層3は4〔μm〕となって、Δndは280〔nm〕となり、透過部Tの液晶層3がほぼ最適な厚さになる(図7参照)。
凹凸反射板99上の平坦化膜5表面の段差を完全になくす場合、平坦化膜5の膜厚は、凹凸OC4の平均膜厚(β)に比べて非常に大きくなり、透過部Tへの平坦化膜5の塗布によって反射部Hと透過部Tの段差が適切な値より小さくなる。或いは、この段差がなくなってしまう可能性もある。
このような場合は、ハーフ露光を用いて透過部Tの平坦化膜5を除去して適切な段差を得ることができるが、工程が増えてしまい生産効率の点から好ましくはない。
このため、透過部Tと反射部Hの適切な段差が得られるならば、平坦化膜5の表面は完全に平坦である必要は無い。例えば、スリット状の電極幅を3〔μm〕とする場合には、表面凹凸部の平均傾斜角(φ)は2.5°、電極幅を1.5〔μm〕とするときは平均傾斜角(φ)を1.5°以下の凹凸段差を有するようにしてもよい。
透過部Tと反射部Hの段差を形成するために平坦化膜5を透過部Tと反射部Hに一体形成するようにしたことは既に開示した。この場合、透過部Tにおいては、前述した従来例に比較してこの平坦化膜5が新たに付加されることとなる。図7の構成において、平坦化膜5のΔnが0.1であると、透過部TのΔndは「2500×0.1=250〔nm〕」より、250〔nm〕変化してしまう。このΔndが適切な値から外れると、図6(B)で示したように透過光強度が小さくなる。しかしながら、平坦化膜5のΔnが非常に小さく、例えば0.001程度であると、Δndの変化は2.5〔nm〕に抑えられるため透過光強度の変化はほとんど無く、従ってコントラストを低下させずにすむ。このため、平坦化膜5のΔnは小さいほどよい。

〔他の実施形態〕
図8ないし図9に、他の実施形態を示す。
この他の実施例は、前述した実施形態にかかる凹凸反射板99およびこれに係合する平坦化膜5を、FFSモードの液晶表示装置について実施した場合を示す。
このFFSモードの液晶表示装置は、図8乃至図9に示すように、共通電極56である反射部共通電極56Aを前述した凹凸反射板99と同等に形成された凹凸反射板99Hで兼用するようにし、透過部共通電極56Bを前述した下地基板2に近接して装備した点に特徴を備えている。
即ち、このFFSモードの液晶表示装置では、共通電極と画素電極とが同一の層上には組み込まれてはいない。いずれの場合も、透過部共通電極56Bと前記反射部共通電極56Aとしても機能する凹凸反射板99Hとは、図8および図9(A)(B)に示すように、それぞれ平坦化膜5を介して下地基板2側に配設されている。その他の構成および作用効果については、前述した実施形態と同一となっている。
このようにしても、前述した図1乃至図7の実施形態の場合と同様に機能する液晶表示装置を得ることができる。
以上のように上記各実施形態によると、上述したように種々の試みを行った結果より、以下のことが明らかとなった。
即ち、透過部(透過領域)T,反射部(反射領域)Hともに横方向電界駆動する半透過型液晶表示装置において、凹凸反射板99又は99Hの傾斜角を3°乃至12(好ましくは6°〜9°)に設定することにより、入射角30°の方向からの光を出射角0°〜10°方向に広視角に拡散反射させることが可能となり又、凹凸反射板99又は99H上に平坦化膜5を設けて電極を形成する層の上面を平坦に若しくは平坦に近い状態にしたので、駆動用の電極を安定して付着形成することができ、これにより、装置全体の安定動作および耐久性向上を図ることができる。
更に、平坦化膜5を反射部(反射領域)Hだけでなく透過部(透過領域)Tにも設けたため、反射部Hと透過部Tの液晶層3のΔndをそれぞれλ/4、λ/2とすることができ、これによって、透過部Tと反射部Hとの光学特性のずれによって生じる表示への悪影響を予め有効に排除することができる。
即ち、上記実施形態によると、
1)透過部、反射部ともに横方向電界駆動する半透過型液晶表示装置において、凹凸反射板99,99Hの凹凸部の平均傾斜角を6°〜9°にしたので、入射角30°方向からの光を出射角0°〜10°方向に拡散反射させることができる。
2)又、凹凸反射板99,99H上に平坦化膜5を設けて電極を形成する層を平坦に若しくは平坦に近い状態にしたので、電極を安定して形成することができる。
3)更に平坦化膜を透過部にも設けたため、反射部と透過部の液晶層のΔndをそれぞれλ/4、λ/2とすることができ、かかる点において動作の安定した信頼性の高い半透過型液晶表示装置を提供し得ることとなった。
上記構成は、上記液晶表示装置の光学配置や駆動方法に限定して適用されるものではなく、横方向電界駆動による半透過型液晶表示装置全般に適用できるものである。
本発明の一実施形態の半透過型液晶表示装置における下地基板側の電極およびその配線の相互関係を示す概略構成図である。 図1のE−E’線に沿った画素部分を示す概略断面図である。 図1のF−F’線及びGーG’線に沿った断面図で、図3(A)は図1のF−F’線に沿った透過部(透過領域)を示す部分断面図、図3(B)は図1のG−G’線に沿った反射部(反射領域)を示す部分断面図である。 図1に開示した実施形態の凹凸反射板の傾斜角と光入射角/出射角の関係を示す説明図である。 図1に開示した実施形態の(凹凸反射板上に付した)平坦化膜表面の傾斜角と当該平坦化膜表面に付す電極幅との関係を示す図で、図5(A)は凹凸反射板の傾斜角を示す説明図、図5(B)は平坦化膜表面の傾斜角の傾斜角を示す説明図、図5(C)は平坦化膜厚と平坦化膜表面の平均傾斜角の関係を示す図である。 図1に開示した実施形態における平坦化膜と凹凸反射板との関係を示す図で、図6(A)は平坦化膜と凹凸反射板との相対的な厚さの関係を示す説明図、図6(B)は透過光強度のΔnd依存性を示す図である。 図1に開示した実施形態における平坦化膜部分の透過部(透過領域)と反射部(反射領域)との段差を示す説明図である。 他の実施形態における画素電極と共通電極との関係を示す説明図である。 図8における透過部(透過領域)と反射部(反射領域)の一部を示す断面図で、図9(A)は図8のC−C’線に沿った概略部分断面図、図9(B)は図8のD−D’線に沿った概略部分断面図である。 従来例における半透過型液晶表示装置の画素部分を示す概略部分断面図である。
符号の説明
1 下部基板
2 対向基板
3 液晶層
4 下地凹凸膜(凹凸OC)
5 平坦化膜
5A 平坦化膜の表面
56 共通電極
56A 反射部共通電極
56B 透過部共通電極
57 画素電極
57A 反射部画素電極
57B 透過部画素電極
99,99H 凹凸反射板
101 半透過型液晶表示装置
H 画素領域における反射部(反射領域)
T 画素領域における透過部(透過領域)
φ凹凸反射板の凹凸部における平均傾斜角
φ平坦化膜の表面の凹凸部における平均傾斜角

Claims (8)

  1. 反射領域と透過領域とを有し、前記反射領域には凹凸反射板を備え、この凹凸反射板上に平坦化膜を積層すると共に当該平坦化膜上に共通電極および画素電極を配設して成る半透過型液晶表示装置であって、
    前記凹凸反射板は、入射角30°で入射した光を出射角0°〜10°方向に拡散反射可能とする拡散反射機能を備え、前記平坦化膜はその表面を略平坦に設定したことを特徴とする半透過型液晶表示装置。
  2. 請求項1に記載の半透過型液晶表示装置において、
    前記液晶に対する駆動方式として、IPSモードによる横方向電界駆動方式を前記反射領域と透過領域の両方に適用したことを特徴とした半透過型液晶表示装置。
  3. 請求項1に記載の半透過型液晶表示装置において、
    前記液晶に対する駆動方式として、FFSモードによる横方向電界駆動方式を前記反射領域と透過領域の両方に適用したことを特徴とした半透過型液晶表示装置。
  4. 請求項1,2又は3に記載の半透過型液晶表示装置において、
    前記凹凸反射板の平均傾斜角を3°乃至12°とすると共に、前記平坦化膜の表面の平均傾斜角の大きさを3°乃至5°の範囲を越えない大きさに設定したことを特徴とする半透過型液晶表示装置。
  5. 請求項1,2又は3に記載の半透過型液晶表示装置において、
    前記凹凸反射板の平均傾斜角を6°乃至9°とすると共に、前記平均傾斜角の大きさを3°乃至5°の範囲を越えない大きさに設定したことを特徴とする半透過型液晶表示装置。
  6. 請求項1,2,3,4又は5に記載の半透過型液晶表示装置において、
    前記凹凸反射板が0.6〔μm〕以上の凹凸段差を有し、且つ前記平坦化膜の表面の段差が0.4〔μm〕以下であることを特徴とする半透過型液晶表示装置。
  7. 請求項1,2,3,4,5又は6に記載の半透過型液晶表示装置において、
    前記反射領域の液晶層の厚さΔndを約λ/4とすると共に、前記透過領域の液晶層の厚さΔndを約λ/2に設定し、
    前記平坦化膜を、前記反射部から前記透過部にわたって連続して一体的に形成したことを特徴とする半透過型液晶表示装置。
  8. 請求項1乃至7のいずれか1項に記載の半透過型液晶表示装置において、
    前記平坦化膜の屈折率異方性Δnを0.001以下にしたことを特徴とする半透過型液晶表示装置。
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