JP5103279B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

Description

本発明は液晶表示装置に係り、特に、ＩＰＳ（In Plane Switching）型と称される横電界方式の液晶表示装置に関する。

いわゆるアクティブ・マトリックス型の液晶表示装置は、液晶側の基板面の各画素領域に、ゲート信号線からの走査信号の供給によってオンする薄膜トランジスタと、該オンされた薄膜トランジスタを介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極を備えて構成される。

また、ＩＰＳ型と称される液晶表示装置は、その対向電極が、前記薄膜トランジスタを備える基板（ＴＦＴ基板）側に形成され、前記画素電極との間に前記基板と平行な成分を含む電界を生じさせるように構成されている。

そして、このような構成において、前記画素電極（あるいは対向電極）は、たとえば、画素領域のほぼ全域にわたって形成された面状の透明導電膜で形成され、対向電極（あるいは画素電極）は、前記画素電極（あるいは対向電極）を被って形成される絶縁膜上に前記画素電極（あるいは対向電極）と重畳して配置される複数の並設された線状の透明導電膜で形成されたものが知られている。

このようなＩＰＳ型の液晶表示装置は、画素の開口率を向上でき、また、広視野角に優れたものとして構成することができる。

そして、このような液晶表示装置は、その液晶層の膜厚が比較的薄く形成され、その均一化を図ることにより、コントラストの向上が図れるようになる。 このため、少なくとも、前記ＴＦＴ基板において、前記薄膜トランジスタを被って形成される保護膜として、塗布によって形成される樹脂膜を用いることにより、その表面を平坦化し、その上面に前記画素電極（あるいは対向電極）および対向電極（あるいは画素電極）を形成する技術が知られるに至っている。

なお、本願に関連する公知文献としては、下記の特許文献１ないし３がある。これら特許文献は、いずれも、塗布型の導電膜を用いた表示装置の記載がなされている。しかし、表示装置としては、上述のＩＰＳ型の液晶表示装置を対象としていないものとなっている。
特開２００４−１９１５５７号公報 特開２００４−２２２２４号公報 特開平１１−６５４８２号公報

上述したように、ＩＰＳ型の液晶表示装置において、ＴＦＴ基板の液晶側の表面を平坦にするため、塗布によって樹脂膜を形成する技術が知られている。

しかし、液晶表示装置のさらなるコントランストの向上を図らんとした場合、上述の樹脂膜だけでは充分な平坦化を得られないということが指摘されている。

また、塗布によって樹脂膜を形成する場合、製造工数の増大をもたらすことになり、たとえば液晶表示装置として必須の部材を形成する際に、同時にＴＦＴ基板の液晶側の表面を平坦化できることが要望されている。

本発明の目的は、さらなるコントラストの向上を図ることのできる液晶表示装置を提供することにある。

本発明の他の目的は、製造工数の増大をもたらすことなく、コントラストの向上を図ることのできる液晶表示装置を提供することにある。

なお、上記した課題以外のその他の課題は、本願明細書全体の記載または図面から明らかにされる。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。

（１）本発明の液晶表示装置は、たとえば、液晶側の基板面の各画素領域に、ゲート信号線からの走査信号の供給によってオンする薄膜トランジスタと、該オンされた薄膜トランジスタを介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極と、この画素電極との間に電界を生じさせる対向電極を備え、
前記画素領域は、反射画素部と透過画素部を有し、
前記画素電極と対向電極のうち一方の電極は、前記薄膜トランジスタを被って形成される保護膜の上面において、前記反射画素部に形成された凹凸面を被って形成される面状の金属電極と、該金属電極をも被って前記透過画素部に形成された面状の透明電極とで構成され、
前記画素電極と対向電極のうち他方の電極は、前記一方の電極をも被って形成された絶縁膜の上面に、前記一方の電極と重畳して並設された複数の線状の電極として構成され、
前記一方の電極のうち前記透明電極は、塗布により形成される透明導電膜で形成されており、
前記透明導電膜は、多層からなり、それらは、ＩＴＯの微粒子をインク状にして塗布した後に焼成を経て形成された膜、および導電性ポリマーをインク状にして塗布した後に焼成を経て形成された膜からなることを特徴とする。

なお、上記した構成はあくまで一例であり、本発明は、技術思想を逸脱しない範囲内で適宜変更が可能である。また、上記した構成以外の本発明の構成の例は、本願明細書全体の記載または図面から明らかにされる。

このように構成した液晶表示装置は、さらなるコントラストの向上を図ることができるようになる。また、製造工数の増大をもたらすことなく、コントラストの向上を図ることができるようになる。

本発明のその他の効果については、明細書全体の記載から明らかにされる。

本発明の実施例を、図面を参照しながら説明する。なお、各図および各実施例において、同一または類似の構成要素には同じ符号を付し、説明を省略する。

図２（ａ）は、本発明の液晶表示装置の画素の一実施例を示す平面図である。また、図２（ｂ）は、図２（ａ）に示した画素の等価回路図で幾何学的に対応させて描いている。

図２（ａ）に示す画素は、マトリックス状に配置される複数の画素のうち、図中ｘ方向に配列される３個の画素を示している。これら各画素は、図中左側から、赤色（Ｒ）を担当する画素、緑色（Ｇ）を担当する画素、青色（Ｂ）を担当する画素を示し、カラー表示用の単位画素として示している。

各画素は、図中ｘ方向に延在しｙ方向に並設されるコモン信号線ＣＬとゲート信号線ＧＬ、図中ｙ方向に延在しｘ方向に並設される一対のドレイン信号線ＤＬとの間に形成されるようになっている。なお、図２（ａ）においては、赤色（Ｒ）担当の画素のドレイン信号線はＤＬ（Ｒ）、緑色（Ｇ）担当の画素のドレイン信号線はＤＬ（Ｇ）、青色（Ｂ）担当の画素のドレイン信号線はＤＬ（Ｂ）で示している。

各画素には薄膜トランジスタＴＦＴを備え、この薄膜トランジスタＴＦＴは、前記ゲート信号線ＧＬに走査信号が供給されるとオンになるようになっている。そして、このオンされた前記薄膜トランジスタＴＦＴを通して、ドレイン信号線ＤＬからの映像信号が画素電極ＰＸに供給されるようになっている。

なお、前記薄膜トランジスタＴＦＴの一端の電極（ソース電極）と画素電極ＰＸとの接続は絶縁膜（図１においてＰＡＳ２、ＰＡＳ１で示す）に形成したスルーホールＴＨを通してなされるとともに、前記ソース電極は、ドレイン信号線ＤＬおよびコモン信号線ＣＬと重畳するように延在され、これらドレイン信号線ＤＬおよびコモン信号線ＣＬとの間に容量を形成するようになっている。画素電ＰＸに供給された映像信号を比較的長く蓄積させるためである。

また、画素電極ＰＸ上には絶縁膜（図１において符号ＩＮで示す）を介して対向電極ＣＴが重畳して配置されている。この対向電極ＣＴは、たとえば図中ｙ方向に延在されｘ方向に並設された複数（図ではたとえば２個）の線状の電極で構成され、前記コモン信号線ＣＬと電気的に接続されている。

このように構成された画素は、いわゆる横電界方式と称され、前記画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの間に電圧Ｖ_ＬＣを与えることにより、基板（図１において符号ＳＵＢ１で示す）面に沿った成分を含む電界を生じさせ、液晶分子は該基板面内方向にオンオフ制御されるようになっている。

なお、図２に示す画素領域は、たとえば図中ｙ方向において２分され、図中下側において透過画素部ＴＲ、図中上側において反射画素部ＲＲとして構成されている。後述する説明で明らかとなるように、透過画素部ＴＲにおける画素電極ＰＸは透明導電膜で形成され、反射画素部ＲＲにおける画素電極ＰＸは反射効率の良好な金属膜を含んで形成されている。

図１は、前記画素の断面図で、図２に示した画素において、ドレイン信号線ＤＬ、薄膜トランジスタＴＦＴ、透過画素部ＴＲの対向電極ＣＴ、スルーホールＴＨ、反射画素部ＲＲの対向電極ＣＴを横切る断面を示している。

図１において、まず、基板ＳＵＢ１がある。この基板ＳＵＢ１は図示しない他の基板（図７において符号ＳＵＢ２で示す）との間に液晶ＬＣを挟持するようになっている。

そして、前記基板ＳＵＢ１の液晶ＬＣ側の面には、ゲート信号線ＧＬが形成され、このゲート信号線ＧＬをも被ってゲート絶縁膜ＧＩが形成されている。

前記ゲート絶縁膜ＧＩ上であって前記ゲート信号線ＧＬの一部に重畳するようにして、半導体層ＳＥＣが形成されている。この半導体層ＳＥＣは薄膜トランジスタＴＦＴの半導体層となるもので、この半導体層ＳＥＣ上には、ドレイン信号線ＤＬの一部が重畳されたドレイン電極、およびソース電極ＳＴが形成されている。なお、ドレイン電極およびソース電極ＳＴの間の半導体層ＳＥＣは前記ゲート信号線ＧＬ上においてチャネル領域を形成するようになっている。前記ソース電極ＳＴは、薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域を超えて延在され、その端部はスルーホールＴＨを通して後述する画素電極ＰＸとの電気的接続を図るようになっている。

このようにドレイン信号線ＤＬ、ソース電極ＳＴが形成された基板ＳＵＢの表面には第１保護膜ＰＡＳ１、および第２保護膜ＰＡＳ２が形成されている。第１保護膜ＰＡＳ１は無機絶縁膜によって形成され、第２保護膜ＰＡＳ２は有機絶縁膜によって形成されている。ここで、第２保護膜ＰＡＳ２として有機絶縁膜を用いたのは、塗布形成によって表面を平坦化することができるからである。

反射画素領域ＲＲに相当する前記第２保護膜ＰＡＳ２の表面は、散在された複数の凹面が形成され、これら複数の凹面を被うたとえばＡｌ等の反射効率の良好な金属膜によって画素電極ＰＸ１が形成されている。この画素電極ＰＸ１は、その表面において、前記第２保護膜ＰＡＳ２の表面の凹凸が浮上されて形成され、たとえば太陽等の外来光の入射に対して乱反射させる機能をもたせるようになっている。

また、前記第２保護膜ＰＡＳ２、第１保護膜ＰＡＳ１には、スルーホールＴＨが形成され、前記薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＴの他端の一部を露出させるようになっている。このスルーホールＴＨは、たとえば、前記画素電極ＰＸ１の形成領域と異なる領域に形成され、該スルーホールＴＨを通して、次に説明する画素電極ＰＸ２を前記ソース電極ＳＴに電気的に接続させるようになっている。

前記第２保護膜ＰＡＳ２の上面を、前記画素電極ＰＸ１および前記スルーホールＴＨをも被って画素電極ＰＸ２が形成されている。ここで、この画素電極ＰＸ２の材料は、塗布によって形成される透明導電膜（以下、この明細書において塗布型透明導電膜と称する場合がある）によって構成されている。このため、該画素電極ＰＸ２の表面は、表面に凹凸が形成されている前記画素電極ＰＸ１上、および前記スルーホールＴＨ上においても平坦化させて形成できるという効果を奏するようになる。この画素電極ＰＸ２については、後に詳述する。

また、図１、図２に示した液晶表示装置の画素は、透過画素部ＴＲと反射画素部ＲＲを備えたものであるが、必ずしもこれに限定されることはなく、透過画素部ＴＲのみからなる画素を有する液晶表示装置にも適用できる。前記塗布型透明導電膜を画素電極として形成できることに変わりはないからである。

図３（ａ）ないし（ｄ）は、それぞれ、前記画素電極ＰＸ１の材料として用いられる塗布型透明導電膜を示したものである。

図３（ａ）は、たとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の金属酸化物の微粒子からなり、それをインク状にして塗布した後に、焼成を経て形成された透明導電膜を示している。図３（ｂ）は、たとえば導電性ポリマーからなり、それをインク状にして塗布した後に、焼成を経て形成された透明導電膜を示している。図３（ｃ）は、たとえばＩＴＯ等の金属酸化物の微粒子とたとえば導電性ポリマーの混合材からなり、それをインク状にして塗布した後に、焼成を経て形成された透明導電膜を示している。図３（ｄ）は、たとえば導電性ポリマーからなる透明導電膜を上述のように形成し、その上面に、たとえばＩＴＯ等の金属酸化物の微粒子を上述のように形成した透明導電膜の積層体からなる透明導電膜を示している。なお、図示していないが、たとえばＩＴＯ微粒子からなる透明導電膜と、たとえば導電性ポリマーからなる透明導電膜の順次積層体からなる透明導電膜であってもよい。なお、前記金属酸化物としてはＩＴＯの他に、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、ＩＴＺＯ（Indium Tin Zinc Oxide）等が知られている。これら塗布型透明導電膜は、いずれも、表面を平坦化できる透明導電膜として形成することができる。

前記画素電極ＰＸ１は、その上面に画素電極ＰＸ２を直接積層させることにより、前記スルーホールＴＨを通して薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＴと電気的に接続させる必要がなく、したがって、該スルーホールＴＨの近傍における光透過率の向上を図ることができるようになる。

前記画素電極ＰＸ２が形成された基板ＳＵＢの表面には、該画素電極ＰＸ２をも被って絶縁膜ＩＮが形成され、この絶縁膜ＩＮの上面に対向電極ＣＴが形成されている。前記絶縁膜ＩＮは、前記画素電極ＰＸ２と対向電極ＣＴの層間絶縁膜としての機能、および前記画素電極ＰＸ２と対向電極ＣＴとの間に容量を構成する誘電体膜としての機能を有する。

前記対向電極ＣＴが形成された基板ＳＵＢの表面には、該対向電極ＣＴをも被って配向膜ＯＲＩ１が形成されている。この配向膜ＯＲＩ１は液晶ＬＣと直接に接触する膜で、該液晶ＬＣの分子の初期配向方向を決定させるようになっている。

なお、図１に示した構成では、画素電極ＰＸ１はスルーホールＴＨの形成領域を回避して形成しているが、これに限定されることはなく、該スルーホールＴＨを被うようにして形成してもよい。

このように構成された液晶表示装置は、画素電極ＰＸ２を塗布型透明導電膜によって形成している。このため、該画素電極ＰＸ２の表面を平坦化して形成することができる。前記反射画素部ＲＲにおいて前記画素電極ＰＸ１の表面は凹凸を有し、前記透過画素部ＴＲにおいて前記薄膜トランジスタＴＦＴの表面は凹凸を有するが、前記塗布型透明導電膜からなる画素電極ＰＸ２は、これらの凹凸を吸収し表面に該凹凸を顕在化させないようにすることができる。それ故、この画素電極ＰＸに積層させて形成する絶縁膜ＩＮ、対向電極ＣＴ、および配向膜ＯＲＩ１を形成した場合でも、該配向膜ＯＲＩ１の表面は凹凸が大幅に低減された平坦面とすることができる。したがって、液晶層内に発生する電界の乱れが少なくなり、表示のコントラストを向上させる効果を奏する。

図１に示した構成の場合、保護膜ＰＡＳ２として塗布により形成した樹脂膜を用いている。このため、光透過部ＴＲにおいて、その表面をある程度平坦化できるが、その上層に前記塗布型透明導電膜からなる画素電極ＰＸ２を形成することにより、その表面の平坦化を向上させることができる。

なお、図１に示した構成では、上述の保護膜ＰＡＳ２を形成しているが、この保護膜ＰＡＳ２はなくてもよい。塗布導電膜からなる画素電極ＰＸ２を形成することによって、液晶と接触する側の表面を平坦化することができるからである。したがって、前記保護膜ＰＡＳ２を特に形成する必要がなくなり、製造工数の低減を図ることができるようになる。

また、前記塗布型透明導電膜を以下に示す膜厚に設定することにより、画素電極ＰＸ２として適切なシート抵抗および光透過率を得ることができる。

図４は、塗布型透明導電膜のシート抵抗と透過率の関係を、複数の試料（Ａ、Ｂ、Ｃ）を用いて示したグラフである。前記グラフの縦軸は透過率（％）を、横軸はシート抵抗（Ω／□）を示している。透過率の検出に用いた光の波長λは５００ｎｍとした。また、前記各試料における特性曲線の近傍に示す数値は膜厚（μｍ）を示している。

ここで、前記各試料は、いずれも、電流経路が多いと伝導率は高くなり、材料の光吸収係数と膜厚の積で光吸収が決定づけられることから、膜厚の増加によってシート抵抗と透過率はともに減少する性質を有する。

そして、前記塗布型透明導電膜を上述した電極ＰＸ２として構成する場合、シート抵抗は、画像表示の駆動周波数に追随させるためにある既定値以下でなければならず、透過率は、輝度を低下させないためにある既定値以上でなければならない。このことから、塗布型透明導電膜の膜厚に対し、シート抵抗の透過率はトレードオフの関係にあり、両者が仕様を同時に満たすためには、膜厚に上限および下限が規定されることとなる。

図４に示すグラフでは、その領域のどこの個所を通過するかは前記試料の種類によって異なり、また、ある領域（ある範囲のシート抵抗とある範囲の透過率によって定まる）を限定することにより、試料とその膜厚が特定されるようになっている。図４のグラフの作成において検査した各試料は、いずれも図３（ａ）ないし（ｄ）に示すものを用いており、それらは、得ようとする所望のシート抵抗および透過率の範囲によって、膜厚の範囲を設定できるようになっている。

また、図５は、塗布型透明導電膜の膜厚と平坦化率の関係を、前述した試料と同じ試料（Ａ、Ｂ、Ｃ）を用いて示したグラフである。前記グラフの縦軸は平坦化率を、横軸は膜厚（ｎｍ）を示している。

ここで、平坦化率とは、（Ｒ^ａｍａｘ−Ｒ^ｂｍａｘ）／Ｒ^ａｍａｘで示される値としている。Ｒ^ａｍａｘは下地層の最大高さ、Ｒ^ｂｍａｘは塗布型透明導電膜の最大高さを示している。すなわち、平坦化率は、塗布型透明導電膜の下地層の凹凸の最大高さと該塗布型透明導電膜の表面の最大高さから算出される値で、完全な平坦化の場合は１に、平坦化効果のない場合は０となる。

平坦化率は膜厚に対しほぼ比例する関係にあるが、その比例係数は塗布型透明導電膜の種類に応じて決まる傾向がある。

このため、図４のグラフを用い、このグラフによって既定した塗布型透明導電膜の種類と膜厚により、どの程度の平坦化が実現できるかを特定することができる。また、逆に、必要な範囲の平坦化率を特定することにより、膜厚の範囲を特定することができる。

下記の表は、上記図４に示すグラフ、および図５に示すグラフに基づいて、たとえば前記電極ＰＸ２の膜厚を、用いた塗布型透明導電膜の種類に応じて、設定したものである。これにより、前記電極ＰＸ２において、所望のシート抵抗、透過率、および平坦度を得ることができた。

まず、図１の構成に示すように、電極ＰＸ２が電極ＰＸ１に直接重畳された部分を有する場合について説明する。電極ＰＸ２が電極ＰＸ１に直接重畳された部分を有する場合、それらを合わせた画素電極としてシート抵抗が変化（減少）してしまうからである。

塗布型透明導電膜として、図３（ａ）に示したように、ＩＴＯの微粒子からなり、それをインク状にして塗布した後に、焼成を経て形成された透明導電膜を用いた場合、その膜厚は、０μｍ以上、３μｍ以下とする。これにより得られる塗布型透明導電膜は、シート抵抗が１．０×１０Ｅ９以下、透過率が９０％以下、平坦度は０．２〜０．５にすることができた。

塗布型透明導電膜として、図３（ｂ）に示したように、導電性ポリマーからなり、それをインク状にして塗布した後に、焼成を経て形成された透明導電膜を用いた場合、その膜厚は、０μｍ以上、１μｍ以下とする。これにより得られる塗布型透明導電膜は、シート抵抗が１．０×１０Ｅ９以下、透過率が９０％以下、平坦度は０．０５〜０．３にすることができた。

塗布型透明導電膜として、図３（ｃ）、（ｄ）に示すように、ＩＴＯ微粒子と導電性ポリマーの混合材、積層体で形成した透明導電膜を用いた場合、その膜厚は、０μｍ以上、２μｍ以下とする。これにより得られる塗布型透明導電膜は、シート抵抗が１．０×１０Ｅ９以下、透過率が９０％以下、平坦度は０．０５〜０．４にすることができた。

次に、図１の構成において、反射画素部ＲＲを設けず、透過画素部ＴＲのみの構成とし、したがって画素電極ＰＸ１が形成されていない場合の画素電極ＰＸ２について説明する。

塗布型透明導電膜として、図３（ａ）に示したように、ＩＴＯの微粒子からなり、それをインク状にして塗布した後に、焼成を経て形成された透明導電膜を用いた場合、その膜厚は、０．１μｍ以上、３μｍ以下とする。これにより得られる塗布型透明導電膜は、シート抵抗が１．０×１０Ｅ５以下、透過率が９０％以下、平坦度は０．１〜０．５にすることができた。

塗布型透明導電膜として、図３（ｂ）に示したように、導電性ポリマーからなり、それをインク状にして塗布した後に、焼成を経て形成された透明導電膜を用いた場合、その膜厚は、０．０５μｍ以上、１μｍ以下とする。これにより得られる塗布型透明導電膜は、シート抵抗が１．０×１０Ｅ５以下、透過率が９０％以下、平坦度は０．０１〜０．３にすることができた。

塗布型透明導電膜として、図３（ｃ）、（ｄ）に示すように、ＩＴＯ微粒子と導電性ポリマーの混合材、積層体で形成した透明導電膜を用いた場合、その膜厚は、０．０５μｍ以上、２μｍ以下とする。これにより得られる塗布型透明導電膜は、シート抵抗が１．０×１０Ｅ５以下、透過率が９０％以下、平坦度は０．０１〜０．４にすることができた。

図６は、図１に示した液晶表示装置の製造方法の一実施例を示す工程図である。図６において、ガラスからなる基板ＳＵＢを用意し、該基板ＳＵＢを洗浄する（ＳＴ１）。前記基板ＳＵＢの液晶側の面に、ゲート信号線ＧＬ、ゲート絶縁膜ＧＩ、半導体層ＳＥＣ、ドレイン信号線ＤＬ、ソース電極ＳＴ等を形成することにより、薄膜トランジスタＴＦＴを形成する（ＳＴ２）。前記薄膜トランジスタＴＦＴを被って前記基板ＳＵＢの面に無機絶縁膜からなる保護膜ＰＡＳ１を形成する（ＳＴ３）。前記保護膜ＰＡＳ１の上面に有機絶縁膜からなる保護膜ＰＡＳ２を形成する。なお、この保護膜ＰＡＳ２は必ずしも形成する必要はない（ＳＴ４）。たとえばＡｌからなる金属膜を前記保護膜ＰＡＳ２の上面に形成し（ＳＴ５）、該金属膜をパターニングすることにより画素電極ＰＸ１を形成する（ＳＴ６）。塗布型透明導電膜を形成することにより画素電極ＰＸ２を形成する（ＳＴ７）。前記画素電極ＰＸ２をも被って絶縁膜ＩＮを形成する（ＳＴ８）。前記絶縁膜ＩＮ上に対向電極ＣＴを形成する（ＳＴ９）。前記対向電極ＣＴをも被って配向膜ＯＲＩ１を形成する（ＳＴ１０）。これにより、いわゆるＴＦＴ基板が完成する（ＳＴ１１）。

図７は、図１、図２に示した画素を備える液晶表示装置（パネル）の構成の一実施例を示す斜視分解図である。

図７において、まず、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１があり、このＴＦＴ基板ＳＵＢ１の液晶側の面には、マトリックス状に複数の画素ＰＩＸが形成され、これら各画素ＰＩＸの周辺には駆動回路ＳＣＴが形成されている。前記各画素ＰＸの上面には配向膜ＯＲＩ１が形成され、この配向膜ＯＲＩ１は液晶ＬＣと直接に接触する膜となっている。前記ＴＦＴ基板ＳＵＢ１の前記液晶ＬＣと反対側の面には偏光板ＰＬ１が配置されている。一方、フィルタ基板ＳＵＢ２があり、このフィルタ基板ＳＵＢ２の液晶側の面には、カラーフィルタＣＦが形成されている。前記カラーフィルタＣＦの上面には配向膜ＯＲＩ２が形成され、この配向膜ＯＲＩ２は前記液晶ＬＣと直接に接触する膜となっている。前記フィルタ基板ＳＵＢ２の前記液晶ＬＣと反対側の面に偏光板ＰＬ２が配置されている。

このような構成において、前記配向膜ＯＲＩ１、ＯＲＩ２は液晶ＬＣの分子の初期配向方向を決定する膜となっている。また、偏光板ＰＬ１、ＰＬ２は液晶ＬＣの分子の駆動を可視化できる光学板となっている。

なお、上述した実施例では、塗布型透明導電膜は画素電極ＰＸ２を構成するようにして説明したものである。しかし、図１に示す構成において、図中画素電極ＰＸ１および画素電極ＰＸ１として示す部分を対向電極とし、図中対向電極ＣＴとして示す部分を画素電極として構成することもできる。この場合、図中対向電極ＣＴとして示す部分を薄膜トランジスタＴＦＴと接続し、図中画素電極ＰＸ１および画素電極ＰＸ１として示す部分を映像信号に対して基準となる信号が供給されるようにする。この場合にあって、前記対向電極を上述した構成からなる塗布型透明導電膜で形成することができる。

図８ないし図１１は、図７に示した液晶表示装置（パネル）が備えられた各種機器を示している。図８は、ＰＣ用のモニタを示し、該モニタには本発明による液晶表示装置ＰＮＬが組み込まれている。図９は、携帯電話を示し、該携帯電話には本発明による液晶表示装置ＰＮＬが組み込まれている。図１０は、携帯端末を示し、該携帯端末には本発明による液晶表示装置ＰＮＬが組み込まれている。図１１は、デジタルカメラを示し、該デジタルカメラには本発明による液晶表示装置ＰＮＬが組み込まれている。

本発明の液晶表示装置の画素の構成の一実施例を示す断面図である。 本発明の液晶表示装置の画素の構成の一実施例を示す平面図と等価回路図である。 本発明の液晶表示装置に用いられる塗布型透明導電膜の構成の実施例を示す説明図である。 塗布型透明導電膜のシート抵抗と透過率の関係を示すグラフである。 塗布型透明導電膜の膜厚と平坦化率の関係を示すグラフである。 本発明の液晶表示装置の製造方法の一実施例を示す工程図である。 本発明の液晶表示装置の全体を示す斜視分解図である。 本発明の液晶表示装置が適用されるＰＣ用のモニタを示す図である。 本発明の液晶表示装置が適用される携帯電話を示す図である。 本発明の液晶表示装置が適用される携帯端末を示す図である。 本発明の液晶表示装置が適用されるデジタルカメラを示す図である。

符号の説明

ＧＬ……ゲート信号線、ＣＬ……コモン信号線、ＤＬ……ドレイン信号線、ＴＦＴ……薄膜トランジスタ、ＰＸ……画素電極、ＰＸ１……画素電極（塗布型透明導電膜）、ＰＸ２……画素電極（金属膜）、ＣＴ……対向電極、ＴＨ……スルーホール、ＰＡＳ１、ＰＡＳ２……保護膜、ＩＮ……絶縁膜、ＳＵＢ１……基板（ＴＦＴ基板）、ＳＵＢ２……基板（フィルタ基板）、ＰＩＸ……画素、ＳＣＴ……周辺回路、ＯＲＩ１、ＯＲＩ２……配向膜、ＰＬ１、ＰＬ２……偏光板、ＣＦ……カラーフィルタ、ＬＣ……液晶、ＰＮＬ……液晶表示装置（パネル）。

Claims (1)

1. 液晶側の基板面の各画素領域に、ゲート信号線からの走査信号の供給によってオンする薄膜トランジスタと、該オンされた薄膜トランジスタを介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極と、この画素電極との間に電界を生じさせる対向電極を備え、
   前記画素領域は、反射画素部と透過画素部を有し、
   前記画素電極と対向電極のうち一方の電極は、前記薄膜トランジスタを被って形成される保護膜の上面において、前記反射画素部に形成された凹凸面を被って形成される面状の金属電極と、該金属電極をも被って前記透過画素部に形成された面状の透明電極とで構成され、
   前記画素電極と対向電極のうち他方の電極は、前記一方の電極をも被って形成された絶縁膜の上面に、前記一方の電極と重畳して並設された複数の線状の電極として構成され、
   前記一方の電極のうち前記透明電極は、塗布により形成される透明導電膜で形成されており、
   前記透明導電膜は、多層からなり、それらは、ＩＴＯの微粒子をインク状にして塗布した後に焼成を経て形成された膜、および導電性ポリマーをインク状にして塗布した後に焼成を経て形成された膜からなる
   ことを特徴とする液晶表示装置。

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