JP3023443B2 - 液晶セルパラメータ検出方法 - Google Patents
液晶セルパラメータ検出方法Info
- Publication number
- JP3023443B2 JP3023443B2 JP8313720A JP31372096A JP3023443B2 JP 3023443 B2 JP3023443 B2 JP 3023443B2 JP 8313720 A JP8313720 A JP 8313720A JP 31372096 A JP31372096 A JP 31372096A JP 3023443 B2 JP3023443 B2 JP 3023443B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- crystal cell
- analyzer
- axis
- photodetector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/21—Polarisation-affecting properties
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
- G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
- G01B11/0641—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating with measurement of polarization
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置等に用
いられる液晶セルのパラメータ、特に液晶層の厚みや液
晶分子の配向の捩れの角度を検出する方法に関する。
いられる液晶セルのパラメータ、特に液晶層の厚みや液
晶分子の配向の捩れの角度を検出する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶セルとしては、例えば、すべての液
晶分子が２枚の基板面に対し平行に配向しているが、そ
の配向方向が両基板間で徐々に捩れ、丁度９０度捩れた
ツイステッドネマティック液晶セル（以下、「ＴＮセ
ル」という）や、１８０度から２７０度程度捩れている
スーパーツイステッドネマティック液晶セル（以下、
「ＳＴＮセル」という）等があり、ワードプロセッサや
パーソナルコンピュータのディスプレイ等の各種の液晶
表示装置に広く使われている。このようなＴＮセルやＳ
ＴＮセルにおいては、表示の品質は２枚の基板間の距
離、すなわち液晶層の厚み及び液晶分子の配向の捩れの
角度に強く依存する。また、液晶セルの重要なパラメ−
タの一つであるアンカリングエネルギ−（液晶セル基板
面における方位角方向の配向規制力）は、２枚の基板間
における液晶分子の配向の捩れの角度の変化から求める
ことができる。したがって、液晶セルを製造する際に
は、液晶層の厚み及び液晶分子の配列の捩れの角度を迅
速且つ正確に検出することがきわめて重要である。
晶分子が２枚の基板面に対し平行に配向しているが、そ
の配向方向が両基板間で徐々に捩れ、丁度９０度捩れた
ツイステッドネマティック液晶セル（以下、「ＴＮセ
ル」という）や、１８０度から２７０度程度捩れている
スーパーツイステッドネマティック液晶セル（以下、
「ＳＴＮセル」という）等があり、ワードプロセッサや
パーソナルコンピュータのディスプレイ等の各種の液晶
表示装置に広く使われている。このようなＴＮセルやＳ
ＴＮセルにおいては、表示の品質は２枚の基板間の距
離、すなわち液晶層の厚み及び液晶分子の配向の捩れの
角度に強く依存する。また、液晶セルの重要なパラメ−
タの一つであるアンカリングエネルギ−（液晶セル基板
面における方位角方向の配向規制力）は、２枚の基板間
における液晶分子の配向の捩れの角度の変化から求める
ことができる。したがって、液晶セルを製造する際に
は、液晶層の厚み及び液晶分子の配列の捩れの角度を迅
速且つ正確に検出することがきわめて重要である。
【０００３】従来、液晶層の厚みを検出する方法として
は、液晶セルの静電容量や光学的位相差を測定すること
によって液晶層の厚みを検出する方法、液晶を封入する
前の空セルの状態で光干渉や静電容量を測定することに
よって液晶層の厚みを検出する方法、３次元形状測定法
を用いて２枚の基板の間隔を測定することによって液晶
層の厚みを検出する方法等が知られている。また、液晶
分子の配向の捩れの角度を検出する方法としては、２枚
の偏光板の間に液晶セルを配置し、光弾性変調素子によ
り光路差を調節して透過光強度特性のカ−ブフィッティ
ングを行うことによって液晶分子の配向の捩れの角度を
検出する方法等が知られている。また、２枚の偏光板の
間に液晶セルを配置し、液晶セル及び偏光板のいずれか
もしくはその両方を回転させて透過光強度が最大もしく
は最小となる角度を求め、ジョーンズマトリクス表示を
用いて液晶層の厚み及び液晶分子の配向の捩れの角度を
求める方法等が知られている。これらは、「Ｊ．Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．」（Ｖｏｌ．６９，頁１３０４）、「Ｊ
ｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．」（Ｖｏｌ．３３，頁
Ｌ４３４−Ｌ４３６）、「Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈ
ｙｓ．」（Ｖｏｌ．３３，頁Ｌ１２４２−Ｌ１２４
４）、「Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．」（Ｖｏ
ｌ．３５，頁４４３４−４４３７）、「第２２回液晶討
論会講演予稿集」（頁１３９−１４０）等に記載されて
いる。
は、液晶セルの静電容量や光学的位相差を測定すること
によって液晶層の厚みを検出する方法、液晶を封入する
前の空セルの状態で光干渉や静電容量を測定することに
よって液晶層の厚みを検出する方法、３次元形状測定法
を用いて２枚の基板の間隔を測定することによって液晶
層の厚みを検出する方法等が知られている。また、液晶
分子の配向の捩れの角度を検出する方法としては、２枚
の偏光板の間に液晶セルを配置し、光弾性変調素子によ
り光路差を調節して透過光強度特性のカ−ブフィッティ
ングを行うことによって液晶分子の配向の捩れの角度を
検出する方法等が知られている。また、２枚の偏光板の
間に液晶セルを配置し、液晶セル及び偏光板のいずれか
もしくはその両方を回転させて透過光強度が最大もしく
は最小となる角度を求め、ジョーンズマトリクス表示を
用いて液晶層の厚み及び液晶分子の配向の捩れの角度を
求める方法等が知られている。これらは、「Ｊ．Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．」（Ｖｏｌ．６９，頁１３０４）、「Ｊ
ｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．」（Ｖｏｌ．３３，頁
Ｌ４３４−Ｌ４３６）、「Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈ
ｙｓ．」（Ｖｏｌ．３３，頁Ｌ１２４２−Ｌ１２４
４）、「Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．」（Ｖｏ
ｌ．３５，頁４４３４−４４３７）、「第２２回液晶討
論会講演予稿集」（頁１３９−１４０）等に記載されて
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の方法は、液晶セルの静電容量や光学的位相差を測定
するものであるため液晶層の厚みを正確に検出すること
が難しい、光弾性変調素子や位相補償素子等の光路差変
調素子を必要とするため装置が複雑、高価となる、透過
光強度特性のカ−ブフィッィングを行いあるいは偏光板
や液晶セルを回転させて透過光強度が最大もしくは最小
となる角度を測定するものであるため装置が複雑、高価
であり、誤差が発生し易く、測定に長時間を要する等の
問題点があった。本発明者は、前記問題点を解決するた
めに種々の検討を行った結果、液晶層の厚みや液晶分子
の配向の角度等はスト−クスパラメ−タに基づいて求め
ることができること、スト−クスパラメ−タは簡単な構
成で、短時間に精度よく測定することができることを見
いだした。そこで、本発明は、簡単な構成で、短時間に
精度よく液晶セルにおける液晶層の厚みや液晶分子の配
向の捩れの角度等の液晶セルパラメ−タを検出すること
ができる液晶セルパラメータ検出方法を提供することを
課題とする。
来の方法は、液晶セルの静電容量や光学的位相差を測定
するものであるため液晶層の厚みを正確に検出すること
が難しい、光弾性変調素子や位相補償素子等の光路差変
調素子を必要とするため装置が複雑、高価となる、透過
光強度特性のカ−ブフィッィングを行いあるいは偏光板
や液晶セルを回転させて透過光強度が最大もしくは最小
となる角度を測定するものであるため装置が複雑、高価
であり、誤差が発生し易く、測定に長時間を要する等の
問題点があった。本発明者は、前記問題点を解決するた
めに種々の検討を行った結果、液晶層の厚みや液晶分子
の配向の角度等はスト−クスパラメ−タに基づいて求め
ることができること、スト−クスパラメ−タは簡単な構
成で、短時間に精度よく測定することができることを見
いだした。そこで、本発明は、簡単な構成で、短時間に
精度よく液晶セルにおける液晶層の厚みや液晶分子の配
向の捩れの角度等の液晶セルパラメ−タを検出すること
ができる液晶セルパラメータ検出方法を提供することを
課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、請求項１に記載の発明は、２枚の基板間に液晶を挟
み込んだ液晶セルのストークスパラメータを求め、スト
ークスパラメータに基づいて液晶層の厚み及び基板間の
液晶分子の配向の捻れの角度の少なくとも一方を求める
ことを特徴とする液晶セルパラメータ検出方法である。
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の液晶
セルパラメータ検出方法であって、光源、偏光方向がＹ
軸方向に設定された偏光子、液晶セル、検光子、光検出
器をＺ軸に沿って配置した状態で、検光子の偏光方向を
Ｘ軸方向に設定した時の光検出器の出力Ｉｘを測定し、
検光子の偏光方向をＹ軸方向に設定した時の光検出器の
出力Ｉｙを測定し、検光子の偏光方向をＸ軸及びＹ軸に
対して４５度に設定した時の光検出器の出力Ｉ45を測定
し、これらの測定値Ｉｘ、Ｉｙ、Ｉ45を用いて液晶セル
のストークスパラメータを求めることを特徴とする液晶
セルパラメータ検出方法である。また、請求項３に記載
の発明は、請求項１に記載の液晶セルパラメータ検出方
法であって、光源、偏光方向がＹ軸方向に設定された偏
光子、液晶セル、検光子、光検出器をＺ軸に沿って配置
した状態で、検光子の偏光方向をＸ軸方向に設定した時
の光検出器の出力Ｉｘを測定し、検光子の偏光方向をＹ
軸方向に設定した時の光検出器の出力Ｉｙを測定し、検
光子の偏光方向をＸ軸及びＹ軸に対して４５度に設定し
た時の光検出器の出力Ｉ45を測定し、検光子の偏光方向
をＸ軸方向及びＹ軸方向に対して４５度に設定するとと
もに、液晶セルと検光子との間に、軸方向を検光子の偏
光方向に対して４５度傾けて１／４波長板を配置した時
の光検出器の出力Ｉq45を測定し、これらの測定値Ｉ
ｘ、Ｉｙ、Ｉ45、Ｉq45を用いて液晶セルのストークス
パラメータを求めることを特徴とする液晶セルパラメー
タ検出方法である。前記請求項１〜請求項３に記載の液
晶セルパラメータ検出方法を用いれば、簡単な構成で短
時間に精度よく液晶セルにおける液晶層の厚みや液晶分
子の配向の捻れの角度を検出することができる。
に、請求項１に記載の発明は、２枚の基板間に液晶を挟
み込んだ液晶セルのストークスパラメータを求め、スト
ークスパラメータに基づいて液晶層の厚み及び基板間の
液晶分子の配向の捻れの角度の少なくとも一方を求める
ことを特徴とする液晶セルパラメータ検出方法である。
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の液晶
セルパラメータ検出方法であって、光源、偏光方向がＹ
軸方向に設定された偏光子、液晶セル、検光子、光検出
器をＺ軸に沿って配置した状態で、検光子の偏光方向を
Ｘ軸方向に設定した時の光検出器の出力Ｉｘを測定し、
検光子の偏光方向をＹ軸方向に設定した時の光検出器の
出力Ｉｙを測定し、検光子の偏光方向をＸ軸及びＹ軸に
対して４５度に設定した時の光検出器の出力Ｉ45を測定
し、これらの測定値Ｉｘ、Ｉｙ、Ｉ45を用いて液晶セル
のストークスパラメータを求めることを特徴とする液晶
セルパラメータ検出方法である。また、請求項３に記載
の発明は、請求項１に記載の液晶セルパラメータ検出方
法であって、光源、偏光方向がＹ軸方向に設定された偏
光子、液晶セル、検光子、光検出器をＺ軸に沿って配置
した状態で、検光子の偏光方向をＸ軸方向に設定した時
の光検出器の出力Ｉｘを測定し、検光子の偏光方向をＹ
軸方向に設定した時の光検出器の出力Ｉｙを測定し、検
光子の偏光方向をＸ軸及びＹ軸に対して４５度に設定し
た時の光検出器の出力Ｉ45を測定し、検光子の偏光方向
をＸ軸方向及びＹ軸方向に対して４５度に設定するとと
もに、液晶セルと検光子との間に、軸方向を検光子の偏
光方向に対して４５度傾けて１／４波長板を配置した時
の光検出器の出力Ｉq45を測定し、これらの測定値Ｉ
ｘ、Ｉｙ、Ｉ45、Ｉq45を用いて液晶セルのストークス
パラメータを求めることを特徴とする液晶セルパラメー
タ検出方法である。前記請求項１〜請求項３に記載の液
晶セルパラメータ検出方法を用いれば、簡単な構成で短
時間に精度よく液晶セルにおける液晶層の厚みや液晶分
子の配向の捻れの角度を検出することができる。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の液晶セルパラメ
−タ検出方法の実施の形態を図面を用いて説明する。図
１は、本発明の液晶セルパラメ−タ検出方法を実施する
ための液晶セルパラメ−タ検出装置の一実施の形態の概
略構成図である。図１において、１は光源であり、例え
ば、波長が６３２．８ｎｍのＨｅ−Ｎｅレ−ザが用いら
れる。光源１からの光はＺ軸に沿って照射される。２
は、偏光板（偏光子）であり、偏光方向がＹ軸方向に設
定されている。３は、ＴＮセル、ＳＴＮセル等の液晶セ
ルである。４は、偏光板（検光子）であり、偏光方向を
Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｘ軸及びＹ軸と４５度の角度に設
定可能に設けられている。５は、１／４波長板であり、
その軸方向を偏光板４の偏光方向に対して４５度傾けて
液晶セル３と偏光板４との間に挿入可能に設けられてい
る。６は、フォトダイオ−ド等の光検出器であり、偏光
板４を通過した光の強度を測定し、透過光強度信号を出
力する。７は、デ−タ処理用のパ−ソナルコンピュ−タ
等の処理装置であり、光検出器６から出力される透過光
強度信号に基づいて液晶セル３におけるスト−クスパラ
メ−タ、さらに液晶層の厚みや液晶分子の配向の捩れの
角度等を演算する。
−タ検出方法の実施の形態を図面を用いて説明する。図
１は、本発明の液晶セルパラメ−タ検出方法を実施する
ための液晶セルパラメ−タ検出装置の一実施の形態の概
略構成図である。図１において、１は光源であり、例え
ば、波長が６３２．８ｎｍのＨｅ−Ｎｅレ−ザが用いら
れる。光源１からの光はＺ軸に沿って照射される。２
は、偏光板（偏光子）であり、偏光方向がＹ軸方向に設
定されている。３は、ＴＮセル、ＳＴＮセル等の液晶セ
ルである。４は、偏光板（検光子）であり、偏光方向を
Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｘ軸及びＹ軸と４５度の角度に設
定可能に設けられている。５は、１／４波長板であり、
その軸方向を偏光板４の偏光方向に対して４５度傾けて
液晶セル３と偏光板４との間に挿入可能に設けられてい
る。６は、フォトダイオ−ド等の光検出器であり、偏光
板４を通過した光の強度を測定し、透過光強度信号を出
力する。７は、デ−タ処理用のパ−ソナルコンピュ−タ
等の処理装置であり、光検出器６から出力される透過光
強度信号に基づいて液晶セル３におけるスト−クスパラ
メ−タ、さらに液晶層の厚みや液晶分子の配向の捩れの
角度等を演算する。
【０００７】次に、本発明の液晶セルパラメ−タ検出方
法の基本原理を説明する。ここで、図２に示すような座
標系をとる。図２に示す座標系において、入射側の偏光
板２の偏光方向はＹ軸方向とする。そして、液晶セル３
の光入射側の液晶のダイレクタとＸ軸とのなす角度を
α、液晶セル３における液晶分子の配向の捩れの角度を
φとする。したがって、液晶セル３の出射側の液晶のダ
イレクタは角度φだけ捩れていることになる。また、入
射光は、Ｚ軸（ＸＹ平面に垂直）に入射されるものとす
る。
法の基本原理を説明する。ここで、図２に示すような座
標系をとる。図２に示す座標系において、入射側の偏光
板２の偏光方向はＹ軸方向とする。そして、液晶セル３
の光入射側の液晶のダイレクタとＸ軸とのなす角度を
α、液晶セル３における液晶分子の配向の捩れの角度を
φとする。したがって、液晶セル３の出射側の液晶のダ
イレクタは角度φだけ捩れていることになる。また、入
射光は、Ｚ軸（ＸＹ平面に垂直）に入射されるものとす
る。
【０００８】光入射側の液晶のダイレクタがＸ軸と平行
となるように液晶セル３を配置すると、液晶セル３の偏
光作用を示すジョーンズマトリクスは（１）式のように
表される。
となるように液晶セル３を配置すると、液晶セル３の偏
光作用を示すジョーンズマトリクスは（１）式のように
表される。
【数１】 なお、ａ* はａの共役複素数（虚数部の符号を反転させ
たもの）を表す。（１）式において、ａ、ｂは、
たもの）を表す。（１）式において、ａ、ｂは、
【数２】 であり、また、ｘ、ｕ、ｗは、
【数３】 である。ここで、ｎe は液晶分子の長軸に平行な偏波面
をもつ光（異常光）に対する屈折率、ｎo は液晶分子の
長軸に垂直な偏波面をもつ光（常光）に対する屈折率、
λは光源１から照射される光の波長、θs はプレティル
ト角（液晶分子が基板から傾いている角度）、ｄは液晶
層の厚みである。（１）式における位相因子ｅｘｐ［ｊ
（πｄ／λ）（ｎe ' ＋ｎo ）］は、この場合には重要
でないので、以下では省略する。
をもつ光（異常光）に対する屈折率、ｎo は液晶分子の
長軸に垂直な偏波面をもつ光（常光）に対する屈折率、
λは光源１から照射される光の波長、θs はプレティル
ト角（液晶分子が基板から傾いている角度）、ｄは液晶
層の厚みである。（１）式における位相因子ｅｘｐ［ｊ
（πｄ／λ）（ｎe ' ＋ｎo ）］は、この場合には重要
でないので、以下では省略する。
【０００９】また、液晶セル３を透過した後の光のＸ軸
及びＹ軸方向の電界（偏光）成分Ｅx 及びＥy は(4)式
のようなマトリクスで表される。
及びＹ軸方向の電界（偏光）成分Ｅx 及びＥy は(4)式
のようなマトリクスで表される。
【数４】 ここで、（４）式におけるａ、ｂを
【数５】 と定義すると、（２）式からａ１、ａ２、ｂ１、ｂ２は
（６）式のように表される。
（６）式のように表される。
【数６】
【００１０】一方、（４）式のマトリクスの積からＸ軸
方向及びＹ軸方向の電界成分Ｅx 及びＥy は（７）式の
ように表される。
方向及びＹ軸方向の電界成分Ｅx 及びＥy は（７）式の
ように表される。
【数７】 したがって、液晶セル３を透過した光に対して、偏光状
態を示すストークスパラメータＳ０、Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３
は（８）式のように表される。
態を示すストークスパラメータＳ０、Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３
は（８）式のように表される。
【数８】 なお、Ｓ０は通常は「１」であり、また、完全偏光に対
してはＳ０2 ＝Ｓ１2＋Ｓ２2 ＋Ｓ３2 となる。スト−
クスパラメ−タＳ０〜Ｓ３は、図３に示すようにポアン
カレ球の球面上の位置Ｐを表す。したがって、ポアンカ
レ球の球面上の位置によって偏光状態がわかる。
してはＳ０2 ＝Ｓ１2＋Ｓ２2 ＋Ｓ３2 となる。スト−
クスパラメ−タＳ０〜Ｓ３は、図３に示すようにポアン
カレ球の球面上の位置Ｐを表す。したがって、ポアンカ
レ球の球面上の位置によって偏光状態がわかる。
【００１１】ここで、ストークスパラメータＳ０〜Ｓ３
は（８）式に示されているようにａ１、ａ２、ｂ１、ｂ
２、光入射側の液晶のダイレクタとＸ軸とのなす角度α
の関数であり、また、ａ１、ａ２、ｂ１、ｂ２は（６）
式に示されているように捩れの角度φ、ｕ（すなわち液
晶層の厚みｄ）の関数である。しかしながら、基本的に
はスト−クスパラメ−タＳ１、Ｓ２、Ｓ３の内の２組が
独立したパラメ−タである。したがって、αが既知の場
合には、ストークスパラメータＳ１、Ｓ２、Ｓ３の中の
２組の値を求めることによって捩れの角度φ、ｕ（すな
わち液晶層の厚みｄ）を求めることができる。スト−ク
スパラメ−タとα、φ、ｄの関係を図４に示す。図４
は、液晶としてＫ１５を用い、波長が６３２．８ｎｍの
光を照射し、液晶層の厚みを１０μｍとし、αをそれぞ
れ０度、３０度、６０度とした場合に、φを４０度から
９０度の間で変化させた時のストークスパラメータＳ
１、Ｓ２の変化状態を示したものである。なお、図４に
示すように、αの値によってスト−クスパラメ−タＳ
１、Ｓ２と捩れの角度φとの関係が変化するので、αの
値を選択することによってスト−クスパラメ−タの検出
誤差による捩れの角度φの検出精度への影響を少なくす
ることができる。
は（８）式に示されているようにａ１、ａ２、ｂ１、ｂ
２、光入射側の液晶のダイレクタとＸ軸とのなす角度α
の関数であり、また、ａ１、ａ２、ｂ１、ｂ２は（６）
式に示されているように捩れの角度φ、ｕ（すなわち液
晶層の厚みｄ）の関数である。しかしながら、基本的に
はスト−クスパラメ−タＳ１、Ｓ２、Ｓ３の内の２組が
独立したパラメ−タである。したがって、αが既知の場
合には、ストークスパラメータＳ１、Ｓ２、Ｓ３の中の
２組の値を求めることによって捩れの角度φ、ｕ（すな
わち液晶層の厚みｄ）を求めることができる。スト−ク
スパラメ−タとα、φ、ｄの関係を図４に示す。図４
は、液晶としてＫ１５を用い、波長が６３２．８ｎｍの
光を照射し、液晶層の厚みを１０μｍとし、αをそれぞ
れ０度、３０度、６０度とした場合に、φを４０度から
９０度の間で変化させた時のストークスパラメータＳ
１、Ｓ２の変化状態を示したものである。なお、図４に
示すように、αの値によってスト−クスパラメ−タＳ
１、Ｓ２と捩れの角度φとの関係が変化するので、αの
値を選択することによってスト−クスパラメ−タの検出
誤差による捩れの角度φの検出精度への影響を少なくす
ることができる。
【００１２】次に、図１に示した液晶セルパラメ−タ検
出装置を用いて捩れの角度φ及び液晶層の厚みｄを求め
るためのスト−クスパラメ−タを測定する方法を説明す
る。まず、液晶セル３と光検出器６の間に配置した偏光
板４の偏光方向をＸ軸方向とし、その時の光検出器６の
出力Ｉx を測定する。次に、偏光板４の偏光方向をＹ軸
方向とし、その時の光検出器６の出力Ｉy を測定する。
次に、偏光板４の偏光方向をＸ軸及びＹ軸と４５度の角
度をなすようにし、その時の光検出器６の出力Ｉ45を測
定する。次に、偏光板４の偏光方向をＸ軸及びＹ軸と４
５度の角度をなすようにした状態で、偏光板４と液晶セ
ル３との間に１／４波長板５をその軸方向を偏光板４の
偏光方向に対して４５度傾けて（すなわちＹ軸方向に向
けて）配置し、その時の光検出器６の出力Ｉq45 を測定
する。これらの測定値Ｉx 、Ｉy 、Ｉ45及びＩq45 を用
いてスト−クスパラメ−タを表すと、（９）式のような
る。
出装置を用いて捩れの角度φ及び液晶層の厚みｄを求め
るためのスト−クスパラメ−タを測定する方法を説明す
る。まず、液晶セル３と光検出器６の間に配置した偏光
板４の偏光方向をＸ軸方向とし、その時の光検出器６の
出力Ｉx を測定する。次に、偏光板４の偏光方向をＹ軸
方向とし、その時の光検出器６の出力Ｉy を測定する。
次に、偏光板４の偏光方向をＸ軸及びＹ軸と４５度の角
度をなすようにし、その時の光検出器６の出力Ｉ45を測
定する。次に、偏光板４の偏光方向をＸ軸及びＹ軸と４
５度の角度をなすようにした状態で、偏光板４と液晶セ
ル３との間に１／４波長板５をその軸方向を偏光板４の
偏光方向に対して４５度傾けて（すなわちＹ軸方向に向
けて）配置し、その時の光検出器６の出力Ｉq45 を測定
する。これらの測定値Ｉx 、Ｉy 、Ｉ45及びＩq45 を用
いてスト−クスパラメ−タを表すと、（９）式のような
る。
【数９】 ここで、（Ｉx ＋Ｉy ）は透過光強度の値である。ま
た、（９）式に示すスト−クスパラメ−タは（Ｉx ＋Ｉ
y ）で正規化を行っている。
た、（９）式に示すスト−クスパラメ−タは（Ｉx ＋Ｉ
y ）で正規化を行っている。
【００１３】したがって、前記Ｉx 、Ｉy 、Ｉ45及びＩ
q45 を測定すれば、（９）式に基づいてスト−クスパラ
メ−タＳ１、Ｓ２、Ｓ３を求めることができ、さらに
（８）式、（６）式等に基づいて捩れの角度φ及びｕ
（すなわち液晶層の厚みｄ）を求めることができる。こ
こで、スト−クスパラメ−タＳ１、Ｓ２の２組を測定す
る場合には、Ｉq45の測定は省略することができる。こ
の場合には、１／４波長板５が不要となるので、測定装
置の構成がより簡単になる。以上では、αが既知の場合
について説明したが、αが未知の場合であっても、例え
ば、偏光板２あるいは液晶セル３を回転させて異なるα
に対応するＩx 、Ｉy 、Ｉ45及びＩq45 を測定すること
によりαの値を求めることができる。また、他の方法で
αの値を求めるようにしてもよい。
q45 を測定すれば、（９）式に基づいてスト−クスパラ
メ−タＳ１、Ｓ２、Ｓ３を求めることができ、さらに
（８）式、（６）式等に基づいて捩れの角度φ及びｕ
（すなわち液晶層の厚みｄ）を求めることができる。こ
こで、スト−クスパラメ−タＳ１、Ｓ２の２組を測定す
る場合には、Ｉq45の測定は省略することができる。こ
の場合には、１／４波長板５が不要となるので、測定装
置の構成がより簡単になる。以上では、αが既知の場合
について説明したが、αが未知の場合であっても、例え
ば、偏光板２あるいは液晶セル３を回転させて異なるα
に対応するＩx 、Ｉy 、Ｉ45及びＩq45 を測定すること
によりαの値を求めることができる。また、他の方法で
αの値を求めるようにしてもよい。
【００１４】なお、Ｓ０は１であり、ストークスパラメ
ータの性質からＳ１2 ＋Ｓ２2 ＋Ｓ３2 ＝１となるの
で、測定誤差を少なくするためにこの関係を使用するこ
とができる。すなわち、測定値Ｉx 、Ｉy 、Ｉ45、Ｉq
45 等に測定誤差がある場合にはＳ１ 2 ＋Ｓ２2 ＋Ｓ３
2 ＝１とならなくなるが、測定値から求めたスト−クス
パラメ−タに応じたポアンカレ球の位置に最も近いポア
ンカレ球の球面上の位置を判断し、その位置のスト−ク
スパラメ−タを用いる。これにより、測定誤差を少なく
することができる。
ータの性質からＳ１2 ＋Ｓ２2 ＋Ｓ３2 ＝１となるの
で、測定誤差を少なくするためにこの関係を使用するこ
とができる。すなわち、測定値Ｉx 、Ｉy 、Ｉ45、Ｉq
45 等に測定誤差がある場合にはＳ１ 2 ＋Ｓ２2 ＋Ｓ３
2 ＝１とならなくなるが、測定値から求めたスト−クス
パラメ−タに応じたポアンカレ球の位置に最も近いポア
ンカレ球の球面上の位置を判断し、その位置のスト−ク
スパラメ−タを用いる。これにより、測定誤差を少なく
することができる。
【００１５】本発明の液晶パラメ−タ検出方法を用いて
液晶層の厚み及び液晶分子の配向の捩れの角度を検出し
た場合のデ−タを図５の図表に示す。 （試料１）透明導電膜を付けたガラス基板に配向膜とし
てポリビニルアルコール（ＰＶＡ）膜をスピンコート法
により塗布し、加熱処理を行った後一方向に摩擦（ラビ
ング）することで液晶分子の配向処理を行い、２枚の基
板をガラスファイバスペ−サを介して重ね合わせ、ネマ
ティック液晶Ｅ７を封入したもので、液晶層の厚みを２
５μｍ、捩れの角度を３０度に設定した液晶セル。この
試料１について図１に示した測定装置でスト−クスパラ
メ−タを測定したところ、Ｓ１＝０．６９６、Ｓ２＝
０．６３４、Ｓ３＝０．３３１という値が得られた。そ
して、測定したスト−クスパラメ−タに基づいて本発明
の方法で液晶層の厚みｄ及び液晶分子の配向の捩れの角
度φを求めたところ、ｄ＝２５．３２μｍ、φ＝２９．
７９度という値が得られた。 （試料２）ネマティック液晶Ｅ７を用い、液晶層の厚み
が２５μｍ、捩れの角度が８５度に設定した液晶セル。
試料２については、Ｓ１＝−０．１５８、Ｓ２＝−０．
８７３、Ｓ３＝０．４６０という値が得られ、そして、
ｄ＝２４．８５μｍ、φ＝８５．９７度という値が得ら
れた， （試料３）ネマティック液晶Ｋ１５を用い、液晶層の厚
みが５μｍ、捩れの角度が３０度に設定した液晶セル。
試料３については、Ｓ１＝０．２６５、Ｓ２＝０．５３
４、Ｓ３＝−０．８０７という値が得られ、そして、ｄ
＝４．８７μｍ、φ＝８３．８５度という値が得られ
た。
液晶層の厚み及び液晶分子の配向の捩れの角度を検出し
た場合のデ−タを図５の図表に示す。 （試料１）透明導電膜を付けたガラス基板に配向膜とし
てポリビニルアルコール（ＰＶＡ）膜をスピンコート法
により塗布し、加熱処理を行った後一方向に摩擦（ラビ
ング）することで液晶分子の配向処理を行い、２枚の基
板をガラスファイバスペ−サを介して重ね合わせ、ネマ
ティック液晶Ｅ７を封入したもので、液晶層の厚みを２
５μｍ、捩れの角度を３０度に設定した液晶セル。この
試料１について図１に示した測定装置でスト−クスパラ
メ−タを測定したところ、Ｓ１＝０．６９６、Ｓ２＝
０．６３４、Ｓ３＝０．３３１という値が得られた。そ
して、測定したスト−クスパラメ−タに基づいて本発明
の方法で液晶層の厚みｄ及び液晶分子の配向の捩れの角
度φを求めたところ、ｄ＝２５．３２μｍ、φ＝２９．
７９度という値が得られた。 （試料２）ネマティック液晶Ｅ７を用い、液晶層の厚み
が２５μｍ、捩れの角度が８５度に設定した液晶セル。
試料２については、Ｓ１＝−０．１５８、Ｓ２＝−０．
８７３、Ｓ３＝０．４６０という値が得られ、そして、
ｄ＝２４．８５μｍ、φ＝８５．９７度という値が得ら
れた， （試料３）ネマティック液晶Ｋ１５を用い、液晶層の厚
みが５μｍ、捩れの角度が３０度に設定した液晶セル。
試料３については、Ｓ１＝０．２６５、Ｓ２＝０．５３
４、Ｓ３＝−０．８０７という値が得られ、そして、ｄ
＝４．８７μｍ、φ＝８３．８５度という値が得られ
た。
【００１６】以上のように、本発明では、液晶層の厚み
及び液晶分子の配向の捩れの角度をスト−クスパラメ−
タに基づいて検出するようにしたので、測定装置の構成
が簡単となり、また短時間に測定することができる。す
なわち、図１に示す偏光板４を偏光方向が０度、４５度
および９０度となるように回転させ、また、１／４波長
板５を挿入する操作のみでよいため、高価な素子や、複
雑な制御装置等が不要であり、測定時間も短くてすむ。
さらに、各時点の光の強度を測定するだけでよいので、
静電容量や光学的位相差等を測定する場合に比して測定
精度が高い。
及び液晶分子の配向の捩れの角度をスト−クスパラメ−
タに基づいて検出するようにしたので、測定装置の構成
が簡単となり、また短時間に測定することができる。す
なわち、図１に示す偏光板４を偏光方向が０度、４５度
および９０度となるように回転させ、また、１／４波長
板５を挿入する操作のみでよいため、高価な素子や、複
雑な制御装置等が不要であり、測定時間も短くてすむ。
さらに、各時点の光の強度を測定するだけでよいので、
静電容量や光学的位相差等を測定する場合に比して測定
精度が高い。
【００１７】以上の実施の形態では、図１に示す測定装
置を用いてスト−クスパラメ−タを測定するようにした
が、スト−クスパラメ−タを測定する測定装置はこれに
限定されず、種々の測定装置を用いることができる。
置を用いてスト−クスパラメ−タを測定するようにした
が、スト−クスパラメ−タを測定する測定装置はこれに
限定されず、種々の測定装置を用いることができる。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１〜請求項
３に記載の液晶セルパラメータ検出方法を用いれば、簡
単な構成で、短時間に精度よく液晶層の厚みや液晶分子
の配向の捻れの角度等の液晶セルパラメータを検出する
ことができる。
３に記載の液晶セルパラメータ検出方法を用いれば、簡
単な構成で、短時間に精度よく液晶層の厚みや液晶分子
の配向の捻れの角度等の液晶セルパラメータを検出する
ことができる。
【図１】本発明の液晶セルパラメータ検出方法を実施す
るための液晶セルパラメ−タ検出装置の一実施の形態の
構成図である。
るための液晶セルパラメ−タ検出装置の一実施の形態の
構成図である。
【図２】入射光の偏光方向、液晶分子の配向方向（ダイ
レクタの方向）及び液晶分子の配向の捩れの角度を示す
図である。
レクタの方向）及び液晶分子の配向の捩れの角度を示す
図である。
【図３】ポアンカレ球の図である。
【図４】スト−クスパラメ−タと液晶層の厚み及び液晶
分子の配向の捩れの角度等との関係を示す図である。
分子の配向の捩れの角度等との関係を示す図である。
【図５】複数の液晶セルについて本発明の液晶セルパラ
メ−タ検出方法を用いて液晶セルパラメ−タを検出した
場合のデ−タを示す図表である。
メ−タ検出方法を用いて液晶セルパラメ−タを検出した
場合のデ−タを示す図表である。
１ 光源 ２ 偏光板（偏光子） ３ 液晶セル ４ 偏光板（検光子） ５ １／４波長板 ６ 光検出器 ７ パーソナルコンピュータ
フロントページの続き (72)発明者 何 戦 秋田県秋田市手形山西町 市営住宅21棟 １号 (72)発明者 富樫 義弘 愛知県名古屋市東区矢田南５丁目１番14 号 名菱テクニカ株式会社内 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1337 G01B 11/06 G02F 1/13 101
Claims (3)
- 【請求項１】 ２枚の基板間に液晶を挟み込んだ液晶セ
ルのストークスパラメータを求め、ストークスパラメー
タに基づいて液晶層の厚み及び基板間の液晶分子の配向
の捻れの角度の少なくとも一方を求めることを特徴とす
る液晶セルパラメータ検出方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の液晶セルパラメータ検
出方法であって、光源、偏光方向がＹ軸方向に設定され
た偏光子、液晶セル、検光子、光検出器をＺ軸に沿って
配置した状態で、検光子の偏光方向をＸ軸方向に設定し
た時の光検出器の出力Ｉｘを測定し、検光子の偏光方向
をＹ軸方向に設定した時の光検出器の出力Ｉｙを測定
し、検光子の偏光方向をＸ軸及びＹ軸に対して４５度に
設定した時の光検出器の出力Ｉ45を測定し、これらの測
定値Ｉｘ、Ｉｙ、Ｉ45を用いて液晶セルのストークスパ
ラメータを求めることを特徴とする液晶セルパラメータ
検出方法。 - 【請求項３】 請求項１に記載の液晶セルパラメータ検
出方法であって、光源、偏光方向がＹ軸方向に設定され
た偏光子、液晶セル、検光子、光検出器をＺ軸に沿って
配置した状態で、検光子の偏光方向をＸ軸方向に設定し
た時の光検出器の出力Ｉｘを測定し、検光子の偏光方向
をＹ軸方向に設定した時の光検出器の出力Ｉｙを測定
し、検光子の偏光方向をＸ軸及びＹ軸に対して４５度に
設定した時の光検出器の出力Ｉ45を測定し、検光子の偏
光方向をＸ軸方向及びＹ軸方向に対して４５度に設定す
るとともに、液晶セルと検光子との間に、軸方向を検光
子の偏光方向に対して４５度傾けて１／４波長板を配置
した時の光検出器の出力Ｉq45を測定し、これらの測定
値Ｉｘ、Ｉｙ、Ｉ45、Ｉq45を用いて液晶セルのストー
クスパラメータを求めることを特徴とする液晶セルパラ
メータ検出方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8313720A JP3023443B2 (ja) | 1996-11-25 | 1996-11-25 | 液晶セルパラメータ検出方法 |
| US08/974,994 US5966195A (en) | 1996-11-25 | 1997-11-20 | Method of determining cell thickness and twist angle parameters of liquid crystal cell |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8313720A JP3023443B2 (ja) | 1996-11-25 | 1996-11-25 | 液晶セルパラメータ検出方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10153780A JPH10153780A (ja) | 1998-06-09 |
| JP3023443B2 true JP3023443B2 (ja) | 2000-03-21 |
Family
ID=18044711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8313720A Expired - Fee Related JP3023443B2 (ja) | 1996-11-25 | 1996-11-25 | 液晶セルパラメータ検出方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5966195A (ja) |
| JP (1) | JP3023443B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6300954B1 (en) | 1997-09-12 | 2001-10-09 | Meiryo Tekunika Kabushiki Kaisha | Methods and apparatus for detecting liquid crystal display parameters using stokes parameters |
| KR100612173B1 (ko) * | 1999-09-20 | 2006-08-14 | 오츠카 일렉트로닉스 가부시키가이샤 | 수직 배향 액정 패널의 셀 갭 측정 방법 및 장치 |
| JP3535786B2 (ja) * | 1999-12-03 | 2004-06-07 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | 液晶表示素子評価法及び評価装置 |
| TW418316B (en) * | 2000-04-12 | 2001-01-11 | Unipac Optoelectronics Corp | Method of measuring thickness for the gap of the reflective type liquid crystal display cell |
| US6633358B1 (en) * | 2000-11-15 | 2003-10-14 | The Hong Kong University Of Science And Technology | Methods and apparatus for measurement of LC cell parameters |
| EP1215525A3 (en) * | 2000-12-14 | 2005-03-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for detecting gap of liquid-crystal panel and apparatus therefor |
| WO2002054028A2 (en) * | 2000-12-28 | 2002-07-11 | Fibercontrol | Device to calculate and display the phase transformation of optical polarization |
| JP4094278B2 (ja) * | 2001-11-20 | 2008-06-04 | 日本電気株式会社 | 半透過型アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法 |
| UA74801C2 (en) * | 2002-05-20 | 2006-02-15 | Swedish Lcd Ct | Method for measuring the parameters of a liquid crystal cell |
| US20070075279A1 (en) * | 2005-09-30 | 2007-04-05 | Intergral Vision, Inc. | Method and system for automatically inspecting a display including a layer of liquid crystal material |
| KR101258263B1 (ko) * | 2006-06-30 | 2013-04-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시장치용 배향축 측정시료 및 그 측정 방법 |
| US8125640B2 (en) * | 2008-03-03 | 2012-02-28 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Automated analysis system for detection and quantification of biomolecules by measurement of changes in liquid crystal orientation |
| CN103454790B (zh) * | 2013-08-22 | 2015-10-21 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种检测装置、液晶滴注系统及液晶滴注控制方法 |
| CN116295051B (zh) * | 2023-03-20 | 2024-01-05 | 河北日泰新型管材有限公司 | 一种基于特频光照识别技术的交联聚乙烯管壁厚测量方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4681450A (en) * | 1985-06-21 | 1987-07-21 | Research Corporation | Photodetector arrangement for measuring the state of polarization of light |
| JPH0678949B2 (ja) * | 1986-10-21 | 1994-10-05 | ナカミチ株式会社 | ミユ−ラ−行列測定装置 |
| JPS63103925A (ja) * | 1986-10-21 | 1988-05-09 | Nakamichi Corp | 光デイスクの光学特性測定方法 |
| JPH02103427A (ja) * | 1988-10-12 | 1990-04-16 | Kurisutaru Technol:Kk | ストークスパラメータ測定器 |
| US5298972A (en) * | 1990-01-22 | 1994-03-29 | Hewlett-Packard Company | Method and apparatus for measuring polarization sensitivity of optical devices |
| JPH04307312A (ja) * | 1991-04-03 | 1992-10-29 | Otsuka Denshi Kk | 液晶セルのギャップ厚測定方法 |
| JP3340145B2 (ja) * | 1991-12-20 | 2002-11-05 | 日本分光株式会社 | スト−クスメ−タ |
| JPH0618332A (ja) * | 1992-07-01 | 1994-01-25 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | ストークス・パラメータ測定方法及び装置 |
| US5532823A (en) * | 1993-03-08 | 1996-07-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of measuring optical characteristics of liquid crystal cells, measurement equipment therefor and method for manufacturing liquid crystal devices |
| JPH06289382A (ja) * | 1993-03-30 | 1994-10-18 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| US5691791A (en) * | 1993-07-30 | 1997-11-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Reflective liquid crystal display device and reflector |
-
1996
- 1996-11-25 JP JP8313720A patent/JP3023443B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-11-20 US US08/974,994 patent/US5966195A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10153780A (ja) | 1998-06-09 |
| US5966195A (en) | 1999-10-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3023443B2 (ja) | 液晶セルパラメータ検出方法 | |
| JP3910352B2 (ja) | プレチルト角検出方法及び検出装置 | |
| CN100570310C (zh) | 光学各向异性参数测定方法及测定装置 | |
| EP3052908A1 (en) | Method and apparatus for measuring parameters of optical anisotropy | |
| JP5185160B2 (ja) | 反射型液晶セルのチルト角測定方法及び装置 | |
| JPH11160198A (ja) | 液晶初期配向角測定方法及び液晶初期配向角測定装置 | |
| KR100293008B1 (ko) | 액정프리틸트각의측정방법및액정프리틸트각의측정장치 | |
| US6633358B1 (en) | Methods and apparatus for measurement of LC cell parameters | |
| JP3142805B2 (ja) | 液晶セルパラメータ検出方法及び装置 | |
| US6300954B1 (en) | Methods and apparatus for detecting liquid crystal display parameters using stokes parameters | |
| EP0603863B1 (en) | Birefringent member cell gap measurement method and instrument | |
| JP3142804B2 (ja) | ２次元液晶セルパラメータ検出方法及び装置 | |
| JP2001290118A (ja) | 液晶層の厚み測定方法および厚み測定装置 | |
| Zhou et al. | An improved stokes parameter method for determination of the cell thickness and twist angle of twisted nematic liquid crystal cells | |
| JP3813834B2 (ja) | 液晶パネルパラメータ検出装置 | |
| JPH10153500A (ja) | 光弾性定数の測定方法および測定装置 | |
| JP2001159751A (ja) | 液晶セルパラメータ検出装置 | |
| JP2606152B2 (ja) | プレチルト角測定装置 | |
| JP2778935B2 (ja) | ネマチック液晶素子の方位角方向のアンカリングエネルギ−測定方法 | |
| JP2002062218A (ja) | 光学的異方性物質評価装置 | |
| Nishioka et al. | Novel pretilt angle measurement method for twisted-nematic liquid-crystal cells by apparent retardation measurement | |
| EP0911619A2 (en) | Methods and apparatus for detecting liquid crystal display parameters using stokes parameters | |
| KR100612135B1 (ko) | 편광판의 흡수축 틀어짐 측정 방법 | |
| JP3855080B2 (ja) | 液晶素子の光学特性測定方法及び液晶素子の光学特性測定システム | |
| JP3792315B2 (ja) | セル厚測定方法、セル厚測定装置、及び液晶表示装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110121 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110121 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120121 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120121 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130121 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130121 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140121 Year of fee payment: 14 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |