JP2002062218A

JP2002062218A - 光学的異方性物質評価装置

Info

Publication number: JP2002062218A
Application number: JP2000249145A
Authority: JP
Inventors: Hitoshi Fukushima; 均福島; Haruo Tajima; 晴雄田島
Original assignee: Seiko Epson Corp; Nippon Laser and Electronics Lab
Current assignee: Seiko Epson Corp; Nippon Laser and Electronics Lab
Priority date: 2000-08-21
Filing date: 2000-08-21
Publication date: 2002-02-28

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】液晶セル等のように光学的異方性物質を封入し
たセル部材の電界印加下の光学的異方性物質の配向をマ
クロ的、ミクロ的に同時評価する光学的異方性物質評価
装置の提供。【解決手段】所定の間隔相対配置光透過性基板内面に電
極を設け、光学的異方性物質が封入されたセル部材が密
着され、一方の外周面側光源からの光を密着側に位置す
る光透過性基板の電極における光学的異方性物質界面に
照射すると共に該界面からの反射光を他方の外周面側に
配置された受光手段に受光させるプリズムで表面プラズ
モン共鳴角を検出する。セル部材に相対配置される撮像
手段によりセル部材のバルク層の光学的異方性物質の配
向状態を撮像する。制御手段は一対の電極間に所定周期
で電圧を印加し、電圧印加タイミングに同期した読取り
タイミングで、少なくとも受光手段からの電気信号を読
取り記憶、封入された液晶組成をマクロ的及びミクロ的
に同時評価する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は、例えば液晶セル等
のように光学的異方性物質を封入したセル部材において
電界印加下における光学的異方性物質の配向をマクロ的
及びミクロ的に同時評価する光学的異方性物質評価装置
に関する。

【０００２】

【発明が解決しようとする課題】例えば液晶セル内に封
入される光学的異方性を有した液晶にあっては、誘電異
方性及び光学屈折率異方性が異なる多種類の液晶組成を
組み合わせて電界印加時に高速で配向させることにより
最適な光学的特性を得ている。

【０００３】上記した誘電異方性や光学屈折率異方性が
異なる多種類の液晶組成中から最適特性の液晶組成を選
択するには、電界印加下において夫々の液晶組成がどの
ように配向が変化しているかを正確に評価する必要があ
る。

【０００４】従来の電界印加下における液晶組成の評価
方法としては、偏光顕微鏡により液晶バルク層における
液晶組成の配向の変化を観察して評価しているが、該偏
光顕微鏡による評価方法は液晶バルクにおける液晶組成
の配向変化のみしか評価することができず、液晶セルの
光学的特性を決定する重要な要素である基板上に製膜さ
れた金属薄膜と液晶界面における極微小な配向の変化を
観察して評価することができなかった。

【０００５】また、誘電異方性を持つ配向膜にあって
は、電界印加下においてそれ自体が配向変化してこれに
接する液晶分子を配向させることが知られているが、従
来の偏光顕微鏡では配向膜自体の配向の変化を観察して
評価することができなかった。

【０００６】本発明は、上記した従来の欠点を解決する
ために発明されたものであり、その課題とする処は、光
学的異方性物質バルクにおける光学的異方性物質の配向
の変化と共に基板と光学的異方性物質界面における微小
な配向の変化をも高精度に同時検出することができる光
学的異方性物質評価装置を提供することにある。

【０００７】本発明の他の課題は、光学特性に優れた光
学的異方性物質を封入したセル部材を開発する際に電界
応答性に優れた光学的異方性物質を選択する手間や時
間、コストを著しく低減することができる光学的異方性
物質評価装置を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、所定
の間隔をおいて相対配置された光透過性基板の内面に電
極が設けられると共に光学的異方性物質が封入されたセ
ル部材と、セル部材が密着され、一方の外周面側に配置
された光源からの光を密着側に位置する光透過性基板の
電極における光学的異方性物質界面に照射すると共に該
界面からの反射光を他方の外周面側に配置された受光手
段に受光させるプリズムからなる表面プラズモン共鳴角
検出手段と、セル部材に相対配置され、セル部材のバル
ク層における光学的異方性物質の配向状態を撮像する撮
像手段と、一対の電極間に所定周期で電圧を印加する電
圧印加手段と、電圧印加タイミングに同期した読取りタ
イミングで、少なくとも受光手段からの電気信号を読取
って記憶する制御手段とからなる。

【０００９】そして撮像手段により電界印加下における
前記バルク層の配向を検出すると同時に表面プラズモン
共鳴角検出手段により前記界面における光学的異方性物
質の配向を検出して封入された液晶組成をマクロ的及び
ミクロ的に同時評価することができる。

【００１０】請求項２の発明は、所定の間隔をおいて相
対配置された光透過性基板の内面に電極が設けられると
共に光学的異方性物質が封入されたセル部材と、セル部
材が密着され、一方の外周面側に配置された光源からの
光を密着側に位置する光透過性基板の電極における光学
的異方性物質界面に照射すると共に該界面からの反射光
を他方の外周面側に配置された受光手段に受光させるプ
リズムからなる表面プラズモン共鳴角検出手段と、セル
部材に相対配置され、セル部材のバルク層における光学
的異方性物質の配向状態を撮像する撮像手段と、一対の
電極間に所定周期で電圧を印加する電圧印加手段と、電
圧印加タイミングに同期した読取りタイミングで、前記
撮像手段からの撮像信号及び受光手段からの電気信号を
夫々読取って記憶する制御手段とからなる。

【００１１】そして撮像手段により電界印加下における
前記バルク層の配向を検出すると同時に表面プラズモン
共鳴角検出手段により前記界面における光学的異方性物
質の配向を検出して封入された液晶組成をマクロ的及び
ミクロ的に同時評価することができる。

【００１２】

【発明の実施形態】以下、本発明の実施形態を図に従っ
て説明する。実施形態１図１及び図２において、光学的異方性物質評価装置１の
フレーム（図示せず）には光学屈折率が１．５０〜２．
００、好適例としては１．７５からなる半円柱プリズム
３が設けられ、該半円柱プリズム３の図示する左外周面
側には光照射装置５が、また半円柱プリズム３の図示す
る右外周面側には受光装置７が夫々配置されている。こ
れら半円柱プリズム３、光照射装置５及び受光装置７に
より表面プラズモン共鳴角検出装置（以下、ＳＰＲ装
置）８を構成している。

【００１３】光照射装置５は適宜波長（５００〜９００
ｎｍ）のレーザ光を出力するレーザ光源９と、レーザ光
源９から出力されたレーザ光を所定の角度幅（５０〜８
５°）で、半円柱プリズム３上に密着された液晶セル１
９における第２基板２３の金属薄膜２３ａ境界にて所定
のビーム径で収束させる第１光学レンズ１１とから構成
される。

【００１４】なお、金属薄膜２３ａの境界に対しては、
第１光学レンズ１１により所定のビーム径で収束する光
の他に該境界の所定の領域全体にわたる平行光や拡大光
を照射してもよい。

【００１５】受光装置７は、前記境界から反射して所定
角度幅の反射レーザ光を平行光にする第２光学レンズ１
３と、第２光学レンズ１３を透過した平行レーザ光を受
光してその光強度に応じた電気信号を出力するフォトダ
イオードアレイやＣＣＤ等の光検出器１５とから構成さ
れる。

【００１６】半円柱プリズム３の上平面には被評価対象
になる光学異方性物質としての液晶組成１７が封入され
たセル部材を構成する液晶セル１９が、半円柱プリズム
３とほぼ等しい光学屈折率のマッチングオイル、シリコ
ンシート（図示せず）を介して密着される。液晶セル１
９としては封入される液晶組成１７の種類、組み合わせ
毎に用意されている。

【００１７】液晶セル１９は所定の微小間隔（５〜１０
μｍ）をおいて相対配置された光透過形の第１及び第２
基板２１・２３間に液晶組成１７を封入してなる。そし
て第１及び第２基板２１・２３の相対面には電極薄膜を
構成する金属薄膜２１ａ・２３ａが夫々製膜される。上
方に位置する第１基板２１に製膜される金属薄膜２１ａ
としては光透過形のＩＴＯ薄膜、オスミウム薄膜が適し
ている。また、下方に位置する第２基板２３に製膜され
る金属薄膜２３ａとしては金（Ａｕ）または銀（Ａｇ）
の薄膜が適している。

【００１８】また、上方に位置する金属薄膜２１ａには
所定のプレチルト角にラビング加工された配向膜２５が
製膜され、該配向膜２５により封入された液晶組成１７
の液晶分子を所定の角度（プレチルト角）に配向させ
る。該液晶組成１７としては例えば商品名ＴＬ２１５
（メルク社製）が適している。

【００１９】液晶セル１９の上方には偏光顕微鏡２７
が、その光軸を液晶セル１９の平面に対して直交させて
配置されている。該偏光顕微鏡２７は公知の構造で、例
えば偏光顕微鏡２７の光軸上に４５°の角度を設けて傾
斜配置される半透鏡２９と、光軸と直交する側方に配置
され、白色光、ハロゲン光を出力する光源３１と、光源
３１からの光を半透鏡２９において平行光にする光学的
レンズ３３と、半透鏡２９からの光を液晶セル１９上に
て所定のビーム径で収束させる対物レンズ３６と、光学
的レンズ３３と半透鏡２９との光路上にて回動可能に配
置されるポーラライザ３５と、光軸上に配置され、液晶
セル１９からの反射像を撮像するＣＣＤ等の撮像部材３
７と、半透鏡２９と光学的レンズ４０の間に位置する光
軸上にて回転可能に設けられるアナライザー３９とから
構成される。

【００２０】該偏光顕微鏡２７は、光源３１から出力さ
れる光を回転するアナライザー３９を介して液晶セル１
９上に照射した後に液晶セル１９からの反射光を、回転
するアナライザー３９を介して撮像部材３７に受光させ
ることにより液晶バルクの撮像データを得て液晶分子の
配向状態を観察する。

【００２１】図３において、制御手段としてのＣＰＵ４
１にはパルスゼネレータ４３が接続され、該パルスゼネ
レータ４３は第１及び第２基板２１・２３に接続されて
いる。該パルスゼネレータ４３は図示しないキーボード
等の入力装置からＣＰＵ４１を介して評価開始指令デー
タが入力されると、所定周期毎に電圧５〜１５Ｖの直流
電圧を第１及び第２基板２１・２３間に印加すると共に
出力タイミングに一致するタイミング信号をＣＰＵ４１
に出力する。

【００２２】ＣＰＵ４１には光検出器１５及び撮像部材
３７がＡ／Ｄ変換回路４５・４７を介して夫々接続さ
れ、Ａ／Ｄ変換回路４５・４７はパルスゼネレータ４３
からのタイミング信号を所定数で分周した読取り信号に
基づいて光検出器１５及び撮像部材３７から出力される
電気信号を読み込み、デジタル信号へ夫々変換してＳＰ
Ｒデータ及び撮像データに生成する。これらＣＰＵ４１
はＳＰＲデータ及び撮像データをＲＡＭ４９のＳＰＲデ
ータ領域４９ａ及び撮像データ領域４９ｂに夫々記憶さ
せる。

【００２３】ＣＰＵ４１には外部出力制御回路５１が接
続され、入力装置を介してＣＰＵ４１に外部出力指示デ
ータが入力されると、ＣＰＵ４１はＳＰＲデータ領域４
９ａに記憶されたＳＰＲデータ及び撮像データ領域４９
ｂに記憶された撮像データを読取り信号による時間との
関係で演算処理して夫々の表示データに生成し、外部出
力制御回路５１の各記憶領域５１ａ・５１ｂに記憶させ
る。そして外部出力制御回路５１は各記憶領域５１ａ・
５１ｂに記憶された夫々のデータを、プリンタや表示装
置等の外部装置５３に出力する。

【００２４】なお、図中に符号５５で示す部材は、評価
プログラムデータを記憶するハードディスク（ＨＤ）ま
たはＲＯＭ等のプログラムメモリである。そしてＣＰＵ
４１、パルスゼネレータ４３、Ａ／Ｄ変換回路４５・４
７、ＲＡＭ４９、外部出力制御回路５１はパーソナルコ
ンピュータにより実現される。

【００２５】次に、上記のように構成された光学的異方
性物質評価装置による評価作用を説明する。半円柱プリ
ズム３に、評価しようとする液晶組成１７が封入された
液晶セル１９を密着させた状態で光照射装置により所定
の角度幅で、第２基板２３における金属薄膜２３ａとの
境界に収束するレーザ光を照射すると共に受光装置７に
より前記境界からの反射光を受光させる。また、偏光顕
微鏡２７により液晶セル１９における液晶バルクを検鏡
して液晶分子の配光状態を撮像する。

【００２６】次に、上記状態にてパルスゼネレータ４３
から金属薄膜２１ａ・２３ａ間に所定周期毎で、所定電
圧（５〜１５Ｖ）の直流電圧を印加すると、印加された
電界により液晶組成１７の液晶分子を配向させる。この
とき、液晶バルクにおける液晶分子の配向変化は偏光顕
微鏡２７により、また金属薄膜２３ａと液晶組成１７界
面における液晶分子の配向変化はＳＰＲ装置８により夫
々同時に検出される。

【００２７】即ち、偏光顕微鏡２７により印加される直
流電圧の電圧変化に伴って液晶バルク内における液晶分
子のマクロ的な配向の変化を撮像する。また、上記ＳＰ
Ｒ装置８により液晶セル１９における第２基板２３と金
属薄膜２３ａの境界に照射されて全反射する反射レーザ
光が、金属薄膜２３ａに接する液晶分子が、印加される
直流電圧の電圧変動に伴って配向変化して吸光度、従っ
て共鳴角が変化することによる界面における液晶分子の
ミクロ的な配向の変化を検出する。

【００２８】このとき、偏光顕微鏡２７により観察され
る液晶バルクの液晶分子が配向変化していない状態であ
っても、ＳＰＲ装置８は前記界面における液晶分子の極
微小な配向の変化を検出することができる。即ち、液晶
バルクにおける液晶分子のマクロ的な配向の変化と共に
前記界面における液晶分子のミクロ的な配向の変化を同
時に検出することができる。そして偏光顕微鏡２７によ
る液晶バルクの撮像データ及びＳＰＲ装置８によるＳＰ
Ｒデータは以下のようにして読み込まれて記憶される。

【００２９】即ち、図４に示すようにＣＰＵ４１はパル
スゼネレータ４３からのタイミング信号を、例えば１／
１００００に分周して読取り信号を生成して該Ａ／Ｄ変
換回路４５・４７に出力し、該読取り信号に基づいて受
光装置７からのＳＰＲ信号及び撮像部材３７からの撮像
信号を読込んでデジタル信号のＳＰＲデータ及び撮像デ
ータに生成する。

【００３０】そしてＣＰＵ４１は読み込まれたＳＰＲデ
ータ及び撮像データを、ＲＡＭ４９のＳＰＲデータ領域
４９ａ及び撮像データ領域４９ｂに夫々記憶させる。な
お、撮像部材３７からの撮像データはＳＰＲデータに比
べて１サンプル当りのデータ量が多くなるため、ＳＰＲ
データを読み込むための読取り信号に比べて周期が長い
読取り信号を生成して読み込んでもよい。

【００３１】そしてＣＰＵ４１は入力装置からＳＰＲデ
ータの外部出力指示信号が入力されると、ＳＰＲデータ
領域４９ａからアクセスしたＳＰＲデータを読取り信号
の出力タイミング（時間）との関係で演算処理してグラ
フデータを生成して外部出力制御回路５１へ出力し、外
部装置５３に表面プラズモン共鳴角と時間の関数からな
るグラフを外部出力（印字または表示）させる。（図５
に示す）

【００３２】また、ＣＰＵ４１は入力装置から撮像デー
タの外部出力指示信号が入力されると、撮像データ領域
４９ｂからアクセスした撮像データを外部出力制御回路
５１へ出力し、外部装置５３に液晶バルクの像を外部出
力（印字または表示）させる。

【００３３】本実施形態は、偏光顕微鏡２７により電界
印加下における液晶バルクの液晶分子の配向をマクロ的
に検出すると同時にＳＰＲ装置８により電界印加下にお
ける金属薄膜２３ａと液晶組成１７界面の液晶分子の配
向をミクロ的に検出して電界印加下の液晶分子の配向を
総合的に評価することができる。

【００３４】これにより電界応答性に優れた液晶組成１
７を簡易、かつ短時間に選択することができ、液晶セル
１９の開発期間を大幅に短縮すると共に開発コストを低
減することができる。

【００３５】実施形態２図６は実施形態２により評価しようとする液晶セルの拡
大断面図である。液晶セルにあっては、誘電異方性配向
膜を採用し、該誘電異方性配向膜を電界により配向させ
ることによりこれに接する液晶分子を配向させて液晶バ
ルク全体を配向させることが知られている。

【００３６】本実施形態は電界印加下における誘電異方
性配向膜の配向を評価するのに適用したことを特徴とす
る。本実施形態の説明中において、液晶セル以外の構成
については実施形態１と同様であるため、その詳細な説
明を省略する。誘電異方性配向膜の電界特性を評価する
際に使用する液晶セル６１を以下のように構成する。

【００３７】図６に示すように、所定の間隔（約５〜１
０μｍ）をおいて相対する一対の基板６３・６５の内、
偏光顕微鏡２７側（上方）に位置する基板６３の内面
に、ＩＴＯ薄膜やオスミウム薄膜等の電極薄膜６３ａを
製膜すると共に電極薄膜６３ａに、封入される液晶組成
の液晶分子を、平面に対してほぼ直角に配向するプレチ
ルト角にラビング加工された配向膜６７を製膜する。

【００３８】他方の基板６５内面には金薄膜または銀薄
膜等からなる電極薄膜６５ａを製膜し、該金属薄膜６５
ａに評価しようとする誘電異方性配向膜６９を製膜す
る。誘電異方性配向膜６９としては電極薄膜６５ａ上に
安定吸着可能で誘電異方性を有した、例えばシラン系化
合物やチオール形化合物を含む一般の化合物の単分子膜
が適している。

【００３９】そして一対の基板６３・６５内に封入され
る液晶組成１７としては、誘電異方性がほぼ零に近い液
晶組成と、光学屈折率異方性が大きい液晶組成を、電界
印加下において液晶分子が配向しない割合で混合して調
整する。具体的には例えば商品名ＴＬ２１５と商品名Ｍ
Ｘ９６１２０（共にメルク社製）を等量混合して誘電異
方性が例に近い液晶組成に調整する。この液晶セル６１
は金属薄膜６５ａに製膜される誘電異方性配向膜６９の
種類毎に予め製作される。

【００４０】そして評価しようとする誘電異方性配向膜
６９が製膜された液晶セル６１を半円柱プリズム３の上
平面に密着させた後に電極薄膜６３ａ・６５ａ間に、所
定の直流電圧を印加すると、封入された液晶バルク中の
液晶組成自体、誘電異方性が極小であるため、液晶組成
中の液晶分子は電界印加下でほとんど配向が変化しない
か、極微小で配向が変化する。オペレータは偏光顕微鏡
２７により液晶バルク中における液晶分子のマクロ的な
配向の変化を確認する。

【００４１】一方、誘電異方性配向膜６９自体、誘電異
方性が高いため、上記電界印加下においては誘電異方性
配向膜６９がミクロ的に配向が変化し、この配向の変化
をＳＰＲ装置８により検出する。

【００４２】上記と同様にＳＰＲ装置８により検出され
たＳＰＲ信号を読み取ってＳＰＲデータに生成し、偏光
顕微鏡２７による撮像データと共にＳＰＲデータにより
電界印加下における誘電異方性配向膜６９の特性を評価
する。

【００４３】なお、電界印加下において誘電異方性配向
膜６９自体の配向が変化しても、液晶組成の誘電異方性
が極小であるため、液晶分子に配向の変化が生じない
が、電界印加下において誘電異方性配向膜６９の配向が
変化すると、これに接する液晶分子の配向が変化し、液
晶分子の配向増幅作用により液晶バルク中の液晶組成全
体の配向を変化させる。この液晶バルク中における液晶
組成の配向の変化は偏光顕微鏡２７により評価する。

【００４４】上記説明においては、液晶セル１９の金属
薄膜２１ａ・２３ａ間に直流電圧を印加して液晶組成１
７や誘電異方性配向膜６９を配向させる構成としたが、
印加電圧としては交流電圧であってもよい。この場合の
交流電圧としては５〜１５Vpp（peak to peak）、５〜
５０Hzであればよい。

【００４５】

【発明の効果】本発明は、光学的異方性物質バルクにお
ける光学的異方性物質の配向の変化と共に基板と光学的
異方性物質界面における微小な配向の変化をも高精度に
同時検出することができる。また、光学特性に優れた光
学的異方性物質を封入したセル部材を開発する際に電界
応答性に優れた光学的異方性物質を選択する手間や時
間、コストを著しく低減することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】光学的異方性物質評価装置の概略を示す説明図
である。

【図２】図１のＡ箇所を拡大して示す説明図である。

【図３】光学的異方性物質評価装置の電気的ブロック図
である。

【図４】タイミング信号と印加電圧と読取り信号の関係
を示すチャートである。

【図５】液晶組成界面のＳＰＲデータを示すチャートで
ある。

【図６】実施形態２により評価しようとする液晶セルの
拡大断面図である。

【符号の説明】

１−光学的異方性物質評価装置、３−半円柱プリズム、
７−受光手段としての受光部材、９−レーザ光源、８−
表面プラズモン共鳴角検出装置、１７−光学異方性物質
としての液晶組成、１９−セル部材を構成する液晶セ
ル、２１・２３−第１及び第２基板、２１ａ・２３ａ−
電極薄膜を構成する金属薄膜、３７−撮像手段を構成す
る撮像部材、４１−制御手段としてのＣＰＵ、４３−電
圧印加手段としてのパルスゼネレータ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者田島晴雄名古屋市熱田区三本松町20番９号日本レーザ電子株式会社内Ｆターム(参考） 2G059 AA02 BB16 CC20 DD13 FF05 FF06 GG01 GG03 GG04 HH01 HH02 HH06 JJ11 JJ19 JJ22 KK03 MM01 MM07 MM09 MM10 PP04 2G086 EE10 2H088 FA11 FA30 HA03 HA06 MA20

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】所定の間隔をおいて相対配置された光透過
性基板の内面に電極が設けられると共に光学的異方性物
質が封入されたセル部材と、セル部材が密着され、一方
の外周面側に配置された光源からの光を密着側に位置す
る光透過性基板の電極における光学的異方性物質界面に
照射すると共に該界面からの反射光を他方の外周面側に
配置された受光手段に受光させるプリズムからなる表面
プラズモン共鳴角検出手段と、セル部材に相対配置さ
れ、セル部材のバルク層における光学的異方性物質の配
向状態を撮像する撮像手段と、一対の電極間に所定周期
で電圧を印加する電圧印加手段と、電圧印加タイミング
に同期した読取りタイミングで、少なくとも受光手段か
らの電気信号を読取って記憶する制御手段とからなり、
電界印加下における前記バルク層の配向及び前記界面に
おける光学的異方性物質の配向を同時評価可能にした光
学的異方性物質評価装置。
【請求項２】所定の間隔をおいて相対配置された光透過
性基板の内面に電極が設けられると共に光学的異方性物
質が封入されたセル部材と、セル部材が密着され、一方
の外周面側に配置された光源からの光を密着側に位置す
る光透過性基板の電極における光学的異方性物質界面に
照射すると共に該界面からの反射光を他方の外周面側に
配置された受光手段に受光させるプリズムからなる表面
プラズモン共鳴角検出手段と、セル部材に相対配置さ
れ、セル部材のバルク層における光学的異方性物質の配
向状態を撮像する撮像手段と、一対の電極間に所定周期
で電圧を印加する電圧印加手段と、電圧印加タイミング
に同期した読取りタイミングで、前記撮像手段からの撮
像信号及び受光手段からの電気信号を夫々読取って記憶
する制御手段とからなり、電界印加下における前記バル
ク層の配向及び前記界面における光学的異方性物質の配
向を同時評価可能にした光学的異方性物質評価装置。
【請求項３】相対面に電極が設けられると共に一方の電
極板上に誘電異方性配向膜が製膜された一対の光透過性
基板内に光学的異方性物質が封入されたセル部材と、セ
ル部材が密着され、一方の外周面側に配置された光源か
らの光を密着側に位置する光透過性基板の電極における
光学的異方性物質界面に照射すると共に該界面からの反
射光を他方の外周面側に配置された受光手段に受光させ
るプリズムからなる表面プラズモン共鳴角検出手段と、
セル部材に相対配置され、前記セル部材のバルク層にお
ける光学的異方性物質の配向状態を撮像する撮像手段
と、一対の電極間に所定周期で電圧を印加する電圧印加
手段と、電圧印加タイミングに同期した読取りタイミン
グで、少なくとも受光手段からの電気信号を読取って記
憶する制御手段とからなり、電界印加下における前記バ
ルク層における配向及び前記誘電異方性配向膜の配向を
同時評価可能にした光学的異方性物質評価装置。
【請求項４】相対面に電極が設けられると共に一方の電
極板上に誘電異方性配向膜が製膜された一対の光透過性
基板内に光学的異方性物質が封入されたセル部材と、セ
ル部材が密着され、一方の外周面側に配置された光源か
らの光を密着側に位置する光透過性基板の電極における
光学的異方性物質界面に照射すると共に該界面からの反
射光を他方の外周面側に配置された受光手段に受光させ
るプリズム部材からなる表面プラズモン共鳴角検出手段
と、セル部材に相対配置され、セル部材のバルク層にお
ける光学的異方性物質の配向状態を撮像する撮像手段
と、一対の電極間に電圧を所定周期で印加する電圧印加
手段と、電圧印加タイミングに同期した読取りタイミン
グで、前記撮像手段から撮像信号及び受光手段からの電
気信号を読取って記憶する制御手段とからなり、電界印
加下における前記バルク層における配向及び前記誘電異
方性配向膜の配向を同時評価可能にした光学的異方性物
質評価装置。
【請求項５】請求項１〜４において、光学的異方性物質
は液晶である光学的異方性物質評価装置。
【請求項６】請求項１〜４において、読取り制御手段に
よる読取りタイミングは電圧印加タイミングを分周した
タイミングとした光学的異方性物質評価装置。