JP4728830B2 - 光学的異方性パラメータ測定方法及び測定装置 - Google Patents
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Description
この配向膜が液晶分子を整列させることができるのは、一軸性光学的異方性を有しているからであり、配向膜がその全面にわたって均一な一軸性光学的異方性を有していれば液晶ディスプレイに欠陥を生じにくく、光学的異方性の不均一な部分が存在すれば液晶分子の方向が乱れるため液晶ディスプレイが不良品となる。
すなわち、配向膜の品質はそのまま液晶ディスプレイの品質に影響し、配向膜に欠陥があれば液晶分子の方向性が乱れるため、液晶ディスプレイにも欠陥を生ずることになる。
このため従来より、配向膜について、異方性パラメータとなる光学軸の方位角方向、極角方向、膜厚等を測定し、その配向膜の光学的異方性を評価することにより、欠陥の有無を検査する方法が提案されている。
また、測定は反射光強度の絶対量を必要とするため、受光素子の感度の線形性、ダイナミックレンジなどの外的要因による影響により測定精度が左右され、誤差が大きくなる可能性が高く、測定精度の向上が難しいという問題がある。
さらに、非線形最小二乗法により主誘電率の軸の方向と大きさ、膜の厚さ、および規格化定数の6つ以上のパラメータを同時に算出する必要があるため、ローカルミニマムで収束した解を算出してしまう可能性があるだけでなく、計算に膨大な時間を必要とするといった問題がある。
ステージに定置された薄膜試料上の測定点に対してP偏光又はS偏光の単色光を所定の入射角度で照射させる発光光学系と、
その反射光に含まれる偏光成分の内、照射光の偏光方向に直交する偏光成分の反射光強度を入射方向に応じて検出する受光光学系と、
前記発光光学系及び前記受光光学系を測定点に立てられた法線の回りに回転させ、所定角度間隔で設定された複数の入射方向から測定点に光を照射させる回転テーブルと、
前記反射光強度が極小値を示す入射方向のうち、最大ピークとなる二つの極大値に挟まれた極小値または中間ピークとなる二つの極大値に挟まれた極小値が測定された入射方向に基づいてその測定点における光学軸の方位角方向を決定すると共に、前記反射光強度が最大ピークとなる極大値とこれに隣接する中間ピークとなる極大値に挟まれた極小値が測定された入射方向Φ B 、もしくは、最大ピークとなる極大値が測定された入射方向により定まる角度Φ C 、Φ D に基づいて、式(2)又は式(3)により、その測定点における光学軸の極角方向θを算出する演算処理装置とを備え、
当該演算処理装置に対し、前記薄膜試料のラビング方向及びこれに直交する方向を中心に所定の角度範囲内で測定された反射光強度を入力させるように成されたたことを特徴とする。
Φ C :Φ A =0としたときに、最大ピークとなる極大値が測定された入射方向
Φ D :Φ A =0としたときに、最大ピークとなる極大値が測定された入射方向
θ :基板平面からの光学軸の極角方向の角度(傾斜角)
μ :+/−(S偏光入射に対するP偏光の反射強度のとき「+」、P偏光入射に対するS偏光の反射強度のとき「−」)
φ 0 :薄膜への入射角度
φ 2 :基板へ抜けた時の光の角度
N 2 :基板の屈折率
ε 0 :薄膜試料の常光誘電率
入射方向を0〜360°の間で変化させたときに、光学異方性を有する薄膜試料の反射光強度の測定値は、最大ピークとなる二つの極大値が隣接すると共に、中間ピークとなる二つの極大値が隣接し、夫々の極大値の間に四つの極小値を有する波形となる。
なお、この方向は、中間ピークとなる二つの極大値に挟まれた極小値が測定される方向から180°ずれているので、中間ピークとなる二つの極大値に挟まれた極小値が測定される方向からも特定できる。
ここで、式(2)(3)中、極角方向の角度θ以外の変数は、すべて既知もしくは測定値であるから、式(2)によるときは、最大ピークとなる極大値と中間ピークとなる極大値に挟まれた極小値が測定される角度を検出することにより、また、式(3)によるときは、最大ピークとなる極大値が測定される角度を検出することにより算定できる。
ΦB:最大ピークとなる極大値と中間ピークとなる極大値に挟まれた極小値が測定された入射方向
ΦC:最大ピークとなる極大値が測定された入射方向
ΦD:最大ピークとなる極大値が測定された入射方向
θ :基板平面からの光学軸の極角方向の角度(傾斜角)
μ :+/−(S偏光入射に対するP偏光の反射強度のとき「+」、P偏光入射に対するS偏光の反射強度のとき「−」)
φ0:薄膜への入射角度
φ2:基板へ抜けた時の光の角度
N2:基板の屈折率
ε0:薄膜試料の常光誘電率
また、反射光強度が最大ピーク又は中間ピークとなる極大値が存在する角度(方向)は、極角方向に依存し、液晶配向膜を製造する場合、ラビング強度(圧力)によって経験的におおよその極角方向をコントロールしているので、その極角方向に基づき式(3)より特定可能である。
したがって、ラビング方向とこれに直交する方向を中心に例えば所定の角度範囲において光を入射させたり、ラビング方向と反射光強度が最大ピークとなる極大値が存在すると予想される角度(方向)を中心に所定の角度範囲において光を入射させることにより、測定範囲を絞ることができる。
なお、この角度範囲は、液晶配向膜の製造ラインなどにおいては、経験的に測定された方位角方向等の統計上のバラツキに基づき、バラツキが少なければ±20°程度の限定された範囲で足り、ばらつきが多い場合は±45°程度と範囲を広げればよい。
ラビング装置10は、測定装置1及びラビングローラ9を備えた移動フレームF1、F2を備えており、測定装置1を備えた移動フレームF1を退避させた状態で、ラビングローラ9を備えた移動フレームF2を移動させながらラビングを行い、ラビング終了後、ラビングローラ9を備えた移動フレームF2を退避させた状態で、測定装置1を備えた移動フレームF1を所定の位置まで進出させて異方性パラメータの測定を行う。
回転テーブル6は、その回転軸6xが測定点Mに立てられた法線Rに一致するように配され、法線Rに対する回転軸6xの傾きを調整するあおり調整機構12、発光光学系4及び受光光学系5の光軸4x及び5xの交点の高さを配向膜3に一致させるZテーブル(高さ調整機構)13、発光光学系4及び受光光学系5の光軸4x及び5xの交点の位置を任意の測定点Mに一致させるXYテーブル(XY移動機構)14を備えている。
この撮像装置15には、ステージ2に向ってレーザ光を同軸落射させる光源装置(図示せず)が内蔵され、配向膜3で反射されたレーザ光を撮像できるようになっている。
これにより、回転テーブル6の回転軸6xが法線Rに対して傾斜していない場合は、回転テーブル6を回転させても反射光の受光点が移動しないので、あおりがないと判断できる。また、回転テーブル6の回転軸6xが法線Rに対して傾斜している場合は、回転テーブル6を回転させたときにあおりを生じ、反射光の受光点が一定せず閉曲線の軌跡を描くので、この軌跡からあおり量を検出することができる。
光学異方性を有する配向膜3について入射方向を0〜360°まで変化させたときに検出される反射光強度変化は、一般に、図3のグラフG1に示すように、最大ピークとなる二つの極大値Λ1、Λ2と、中間ピークとなる二つの極大値Λ3、Λ4と、夫々の間に、四つの極小値V1〜V4を有する波形となる。
すなわち、図2に示すように、平面図でみて光学軸OXの長手方向から入射されたときに最小値V1、V2が測定され、光学軸OXを含む縦断面において光学軸に対して直交する方向から入射されたときに極小値V3、V4が測定される。
次いで、反射光強度が最大ピークとなる極大値Λ1とこれに隣接する中間ピークとなる極大値Λ3に挟まれた極小値V3が測定された入射方向ν3、反射光強度が最大ピークとなる極大値Λ2とこれに隣接する中間ピークとなる極大値Λ4に挟まれた極小値V4が測定された入射方向ν4、もしくは、最大ピークとなる極大値Λ1又はΛ2が測定された入射方向λ1又はλ2に基づいてその測定点における光学軸の極角方向θが決定される。
この場合、式(2)に基づいて算出する場合は、
ΦB=ν3−ν1=ν4−ν1
とし、式(3)に基づいて算出する場合は、
|ΦC|=|ΦD|=|λ1−λ2|/2=|λ3−λ4|/2
とすればよい。
薄膜試料として、ガラス基板8上に可溶性ポリイミドを塗布し、200℃で加熱した。
このガラス基板8をステージ2の上に定置し、測定装置1をステージ2から退避させた状態で、ラビング装置10をステージ2上に進出させ、ラビングローラ9でラビングを行った。
その後、回転テーブル6を回転させ、撮像装置15であおり量を検出し、あおり調整テーブル11であおり調整を行った後、反射光強度が最大となるようにZテーブル13で、再度高さ調整を行った。
ラビングされた配向膜3は、方位角方向ΦAがそのラビング方向(X方向)と略平行であると予想でき、極角方向θがこれと略直交する位置にあると予想できるので、本例では、ラビング方向を中心に±20°、これと直交する方向(Y方向)を中心に±20°の範囲で2°間隔で反射光強度を測定した。
なお、この測定範囲は、光学軸の予想し得る方位角方向と、経験的に測定されている実際の方位角方向のずれを勘案して、例えば、±45°、±30°など任意の角度範囲に設定すればよい。
この測定データから、光学軸OXの方位角方向ΦA、極角方向θを求めた。
極角方向θを求める際、式(2)の常光誘電率はラビング前のポリイミド膜の誘電率ε0=3.00と設定した。
グラフG2の測定結果に対してフィッティング計算を行い、受光強度が極小となる方位ν1を算出したところ、ν1=0.4°であった。したがって、光学軸OXの方位角方向ΦAはY軸から0.4°傾いていることがわかる。
また、グラフG3の測定結果に対してフィッティング計算を行い、受光強度が極小となる方位ν3を算出し、ΦB=ν3−ν1、常光誘電率ε0=3.00(ラビング前のポリイミド膜の誘電率)として式(2)に基づいて極角方向θを算出したところθ=22.5°であった。
なお、このときの一測定点の測定時間は約2秒であった。
このとき、エリプソメータで測定する時間を入れても、測定時間は一測定点あたり約4秒であり、従来手法と同等の結果を高速に測定することができた。
本例の光学的異方性パラメータ測定装置31において、発光光学系4は、キセノンランプ32が配され、その光軸4xに沿って、反射鏡33の集光点にピンホールスリット34、その透過光を平行化するコリメートレンズ35、干渉フィルタ36、P偏光を透過させる偏光子22が配されている。
このとき、干渉フィルタ35は中心波長450nm、半値全幅2nmに選定され、配向膜3に照射されるビーム径は10mm2、入射角度はブリュースター角付近である60°となるように設定した。
これにより、配向膜3に照射された10mm2の測定エリアAに含まれる複数の測定点Mijからの反射光強度を同時に測定することができる。
ラビング装置10を退避させ、測定装置1を進出させ、Zテーブル13及びXYテーブル14にて高さ調整及びXY位置調整を行い、あおりを調整した後、回転テーブル6を回転させ、入射方向に対する反射光強度の2次元分布測定を行なった。
図5(b)は回転テーブル6の回転に伴い回転した画像を示すもので,各測定点Mijを極座標Mij=(rn,αm)で表わせば、回転テーブル6が角度γだけ回転したときのMijの位置はMij=(rn,αm+γ)で表わされる。
したがって、Mij=(rn,αm+γ)に対応するCCDカメラ39の画素領域で反射光強度を測定すればよい。
図6は、測定された常光誘電率ε0の値から再計算された極角方向θの分布を示す。
これによれば、右側が30〜34°、左側が27〜29°の分布であった。
なお、同じ配向膜3極角方向θを従来方法で10×10=100ポイントを測定したところ、右側が30〜34°、左側が27〜29°の分布であり、測定時間は100ポイントで約100分であり、本発明では、エリプソメータで測定する時間を入れても100ポイントの測定点についての測定時間は約6秒であった。
したがって、従来手法と同等の結果を極めて高速に測定することができた。
この場合、ラビング装置10と同様に、測定装置1のステージ2を光学異方性付与装置のステージと兼用すればよい。
2 ステージ
3 配向膜(薄膜試料)
OX 光学軸
ΦA 方位角方向
θ 極角方向
M 測定点
R 法線
4 発光光学系
5 受光光学系
6 回転テーブル
7 演算処理装置
Claims (5)
- ラビングにより光学的異方性が付与された薄膜試料の異方性パラメータとなる光学軸の方位角方向と極角方向を測定する光学的異方性パラメータ測定装置であって、
ステージに定置された薄膜試料上の測定点に対してP偏光又はS偏光の単色光を所定の入射角度で照射させる発光光学系と、
その反射光に含まれる偏光成分の内、照射光の偏光方向に直交する偏光成分の反射光強度を入射方向に応じて検出する受光光学系と、
前記発光光学系及び前記受光光学系を測定点に立てられた法線の回りに回転させ、所定角度間隔で設定された複数の入射方向から測定点に光を照射させる回転テーブルと、
前記反射光強度が極小値を示す入射方向のうち、最大ピークとなる二つの極大値に挟まれた極小値または中間ピークとなる二つの極大値に挟まれた極小値が測定された入射方向に基づいてその測定点における光学軸の方位角方向Φ A を決定すると共に、前記反射光強度が最大ピークとなる極大値とこれに隣接する中間ピークとなる極大値に挟まれた極小値が測定された入射方向Φ B 、もしくは、最大ピークとなる極大値が測定された入射方向により定まる角度Φ C 、Φ D に基づいて、式(2)又は式(3)により、その測定点における光学軸の極角方向θを算出する演算処理装置とを備え、
当該演算処理装置に対し、前記薄膜試料のラビング方向及びこれに直交する方向を中心に所定の角度範囲内で測定された反射光強度を入力させるように成されたたことを特徴とする光学的異方性パラメータ測定装置。
Φ C :Φ A =0としたときに、最大ピークとなる極大値が測定された入射方向
Φ D :Φ A =0としたときに、最大ピークとなる極大値が測定された入射方向
θ :基板平面からの光学軸の極角方向の角度(傾斜角)
μ :+/−(S偏光入射に対するP偏光の反射強度のとき「+」、P偏光入射に対するS偏光の反射強度のとき「−」)
φ 0 :薄膜への入射角度
φ 2 :基板へ抜けた時の光の角度
N 2 :基板の屈折率
ε 0 :薄膜試料の常光誘電率 - 前記回転テーブルに、前記法線に対する回転軸の傾きを調整するあおり調整機構、発光光学系及び受光光学系の光軸の交点高さを薄膜試料に一致させる高さ調整機構、発光光学系及び受光光学系の光軸の交点位置を任意の測定点に一致させるXY移動機構の少なくともいずれか一を備えた請求項1記載の光学異方性パラメータ測定装置。
- 前記法線を中心として所定角度間隔で入射されるP偏光又はS偏光の単色光の入射方向が、最大ピークとなる二つの極大値に挟まれた極小値が存在すると予想される第一の角度と、最大ピークとなる極大値と中間ピークとなる極大値に挟まれた極小値、最大ピークとなる極大値、あるいは中間ピークとなる極大値のいずれかが存在すると予想される第二の角度を中心として、それぞれ所定の角度範囲で、所定角度間隔で複数設定されてなる請求項1記載の光学的異方性パラメータ測定装置。
- ラビングにより光学的異方性が付与された薄膜試料の異方性パラメータとなる光学軸の方位角方向と極角方向を測定する光学的異方性パラメータ測定装置であって、
ステージに定置された薄膜試料上の測定エリアに対してP偏光又はS偏光の単色光を所定の入射角度で照射させる発光光学系と、
その反射光に含まれる偏光成分の内、照射光の偏光方向に直交する偏光成分の反射光強度分布を測定することにより、測定エリア内に存する各測定点についてそれぞれの反射光強度を入射方向に応じて検出する二次元受光素子を有する受光光学系と、
前記発光光学系及び前記受光光学系を測定エリアに立てられた法線の回りに回転させ、所定角度間隔で設定された複数の入射方向から測定エリアに光を照射させる回転テーブルと、
各測定点について前記反射光強度が極小値を示す入射方向のうち、最大ピークとなる二つの極大値に挟まれた極小値又は中間ピークとなる二つの極大値に挟まれた極小値が測定された入射方向に基づいてその測定点における光学軸の方位角方向Φ A を決定すると共に、前記反射光強度が最大ピークとなる極大値とこれに隣接する中間ピークとなる極大値に挟まれた極小値が測定された入射方向Φ B 、もしくは、最大ピークとなる極大値が測定された入射方向により定まる角度Φ C 、Φ D に基づいて、式(2)又は式(3)により、その測定点における光学軸の極角方向θを決定する演算処理装置を備え、
当該演算処理装置に対し、前記薄膜試料のラビング方向及びこれに直交する方向を中心に所定の角度範囲内で測定された反射光強度を入力させるように成されたことを特徴とする光学的異方性パラメータ測定装置。
Φ C :Φ A =0としたときに、最大ピークとなる極大値が測定された入射方向
Φ D :Φ A =0としたときに、最大ピークとなる極大値が測定された入射方向
θ :基板平面からの光学軸の極角方向の角度(傾斜角)
μ :+/−(S偏光入射に対するP偏光の反射強度のとき「+」、P偏光入射に対するS偏光の反射強度のとき「−」)
φ 0 :薄膜への入射角度
φ 2 :基板へ抜けた時の光の角度
N 2 :基板の屈折率
ε 0 :薄膜試料の常光誘電率 - 前記ステージが、薄膜試料に光学的異方性を付与するラビング装置、光配向処理装置その他の光学異方性付与装置のステージである請求項1又は4記載の光学的異方性パラメータ測定装置。
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