JP2000121496A - 配向膜評価方法及び装置並びに配向膜評価プログラムを記録した記録媒体 - Google Patents
配向膜評価方法及び装置並びに配向膜評価プログラムを記録した記録媒体Info
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- JP2000121496A JP2000121496A JP10291726A JP29172698A JP2000121496A JP 2000121496 A JP2000121496 A JP 2000121496A JP 10291726 A JP10291726 A JP 10291726A JP 29172698 A JP29172698 A JP 29172698A JP 2000121496 A JP2000121496 A JP 2000121496A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光学的異方性を有する薄膜試料の分子配向状
態を広範囲にかつ短時間で評価することが可能な配向膜
評価方法及び装置並びに配向膜評価プログラムを記録し
た記録媒体を提供する。 【解決手段】 単色光源６から出射された単色光は偏光
子２を通過してｐ偏光のみが試料２０の表面にブリュー
スター角１で当たって反射し、検光子３を通過してｓ偏
光のみが色光検出器７によって検出される。単色光光源
６および単色光検出器７を異方向に置くことにより、異
方軸の向きを限定することを可能にする。
態を広範囲にかつ短時間で評価することが可能な配向膜
評価方法及び装置並びに配向膜評価プログラムを記録し
た記録媒体を提供する。 【解決手段】 単色光源６から出射された単色光は偏光
子２を通過してｐ偏光のみが試料２０の表面にブリュー
スター角１で当たって反射し、検光子３を通過してｓ偏
光のみが色光検出器７によって検出される。単色光光源
６および単色光検出器７を異方向に置くことにより、異
方軸の向きを限定することを可能にする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】液晶分子に初期配向を与える
液晶配向膜等、分子配向に異方性がある薄膜の分子の配
向状態を評価する配向膜評価方法及び装置並びに配向膜
評価プログラムを記録した記録媒体に関する。
液晶配向膜等、分子配向に異方性がある薄膜の分子の配
向状態を評価する配向膜評価方法及び装置並びに配向膜
評価プログラムを記録した記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】異方性薄膜の評価方法として反射光を利
用するものについては、反射光強度の入射角及び入射方
位依存性から測定する方法（磯部「薄膜の屈折率膜厚測
定法」特開平０３−０６５６３７）、試料を面内回転さ
せ反射光の偏光状態の入射方位依存性から配向部の誘電
率、膜厚及び主誘電率座標の方向、無配向部の誘電率と
膜厚を決定する方法（広沢「異方性薄膜評価方法及び評
価装置」特願平０８−４９３２０）、赤外線を用いて二
色差を用いるもの（石橋ら「配向膜評価装置」特開平０
７−１５１６４０）、可視光線を利用し、入射角を変化
させるもの（磯部「異方性薄膜の屈折率及び膜厚測定方
法」特開平０５−００５６９９）が提案されている。
用するものについては、反射光強度の入射角及び入射方
位依存性から測定する方法（磯部「薄膜の屈折率膜厚測
定法」特開平０３−０６５６３７）、試料を面内回転さ
せ反射光の偏光状態の入射方位依存性から配向部の誘電
率、膜厚及び主誘電率座標の方向、無配向部の誘電率と
膜厚を決定する方法（広沢「異方性薄膜評価方法及び評
価装置」特願平０８−４９３２０）、赤外線を用いて二
色差を用いるもの（石橋ら「配向膜評価装置」特開平０
７−１５１６４０）、可視光線を利用し、入射角を変化
させるもの（磯部「異方性薄膜の屈折率及び膜厚測定方
法」特開平０５−００５６９９）が提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来方法によれ
ば、結晶性が高い無機物の薄膜では、結晶構造と光学的
異方性の相関が明らかになっているものも多いため、分
子配向と等価な結晶配向に関して定量的な評価が可能で
ある。しかし、上記した何れの方法においても一回で測
定できる面積が狭い、あるいは、測定に時間を要すると
いう問題がある。本発明は前記事情に鑑み案出されたも
のであって、本発明の目的は、短時間で広面積の評価が
可能な配向膜評価方法及び装置並びに配向評価プログラ
ムを記録した記録媒体を提供することにある。
ば、結晶性が高い無機物の薄膜では、結晶構造と光学的
異方性の相関が明らかになっているものも多いため、分
子配向と等価な結晶配向に関して定量的な評価が可能で
ある。しかし、上記した何れの方法においても一回で測
定できる面積が狭い、あるいは、測定に時間を要すると
いう問題がある。本発明は前記事情に鑑み案出されたも
のであって、本発明の目的は、短時間で広面積の評価が
可能な配向膜評価方法及び装置並びに配向評価プログラ
ムを記録した記録媒体を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の配向膜評価方法
は、単色のｐ偏光を試料薄膜に該試料薄膜のブリュース
ター角で入射して発生する反射光のｓ偏光成分の強度を
測定し、測定された前記ｓ偏光成分の強度に基づいて前
記試料薄膜の分子配向状態を評価することを特徴とす
る。本発明の配向膜評価装置は、単色のｐ偏光を試料薄
膜に該試料薄膜のブリュースター角で入射して発生する
反射光のｓ偏光成分の強度を測定し、測定された前記ｓ
偏光成分の強度に基づいて前記試料薄膜の分子配向状態
を評価するように構成されたことを特徴とする。本発明
は、単色のｐ偏光を試料薄膜に該試料薄膜のブリュース
ター角で入射して発生する反射光のｓ偏光成分の強度を
測定する測定ステップと、測定された前記ｓ偏光成分の
強度に基づいて前記試料薄膜の分子配向状態を評価する
評価ステップとをコンピュータに実行させるための配向
膜評価プログラムを記録したことを特徴とする。
は、単色のｐ偏光を試料薄膜に該試料薄膜のブリュース
ター角で入射して発生する反射光のｓ偏光成分の強度を
測定し、測定された前記ｓ偏光成分の強度に基づいて前
記試料薄膜の分子配向状態を評価することを特徴とす
る。本発明の配向膜評価装置は、単色のｐ偏光を試料薄
膜に該試料薄膜のブリュースター角で入射して発生する
反射光のｓ偏光成分の強度を測定し、測定された前記ｓ
偏光成分の強度に基づいて前記試料薄膜の分子配向状態
を評価するように構成されたことを特徴とする。本発明
は、単色のｐ偏光を試料薄膜に該試料薄膜のブリュース
ター角で入射して発生する反射光のｓ偏光成分の強度を
測定する測定ステップと、測定された前記ｓ偏光成分の
強度に基づいて前記試料薄膜の分子配向状態を評価する
評価ステップとをコンピュータに実行させるための配向
膜評価プログラムを記録したことを特徴とする。
【０００５】本発明の配向膜評価方法及び装置並びに配
向膜評価プログラムを記録した記憶媒体では、単色のｐ
偏光を試料薄膜に該試料薄膜のブリュースター角で入射
して発生する反射光のｓ偏光成分の強度が測定され、測
定された前記ｓ偏光成分の強度に基づいて前記試料薄膜
の分子配向状態が評価される。したがって、試料表面に
単色光をブリュースター角で入射した際に発生する反射
光の偏光状態を測定することにより、試料薄膜中分子の
配向状態を評価することが可能となる。また、試料薄膜
に単色光を入射させる光源、試料薄膜からの反射光を検
出する検出器を複数個並列に配置し、あるいは、試料薄
膜を平行移動させることにより、短時間で広範囲にわた
る配向膜の分子配向状態の評価が可能となる。
向膜評価プログラムを記録した記憶媒体では、単色のｐ
偏光を試料薄膜に該試料薄膜のブリュースター角で入射
して発生する反射光のｓ偏光成分の強度が測定され、測
定された前記ｓ偏光成分の強度に基づいて前記試料薄膜
の分子配向状態が評価される。したがって、試料表面に
単色光をブリュースター角で入射した際に発生する反射
光の偏光状態を測定することにより、試料薄膜中分子の
配向状態を評価することが可能となる。また、試料薄膜
に単色光を入射させる光源、試料薄膜からの反射光を検
出する検出器を複数個並列に配置し、あるいは、試料薄
膜を平行移動させることにより、短時間で広範囲にわた
る配向膜の分子配向状態の評価が可能となる。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の配向膜評価装置の
実施の形態について説明し、同時に配向膜評価方法と配
向評価プログラムを記録した記録媒体について説明す
る。図１は本実施の形態の配向膜評価装置の構成を示す
概念図、図２は異方向測定の概念図である。
実施の形態について説明し、同時に配向膜評価方法と配
向評価プログラムを記録した記録媒体について説明す
る。図１は本実施の形態の配向膜評価装置の構成を示す
概念図、図２は異方向測定の概念図である。
【０００７】透明体の表面で反射した単色光が、入射面
に垂直な面内に振動面を持つ直線偏光（ｓ偏光）となる
ような入射角をブリュースター角という。反射光に着目
すると、入射面内に振動面をもつ直線偏光（ｐ偏光）
が、０でもあると言える。ブリュースター角をθＢと書
くと、透明体の屈折率ｎとの間に下記（１）式が成り立
つ。 ｔａｎθＢ＝ｎ （１） 例えば、屈折率１．５のガラスでは、ブリュースター角
θＢは５６°である。
に垂直な面内に振動面を持つ直線偏光（ｓ偏光）となる
ような入射角をブリュースター角という。反射光に着目
すると、入射面内に振動面をもつ直線偏光（ｐ偏光）
が、０でもあると言える。ブリュースター角をθＢと書
くと、透明体の屈折率ｎとの間に下記（１）式が成り立
つ。 ｔａｎθＢ＝ｎ （１） 例えば、屈折率１．５のガラスでは、ブリュースター角
θＢは５６°である。
【０００８】また、等方性薄膜に対して、試料表面に偏
光子（ｐ偏光のみを通す）を通し、ブリュースター角で
単色光を当てるとその反射光は検出されないが、異方性
薄膜においては、複屈折性のためその反射光はｐ偏光及
びｓ偏光となる。すなわち、単色光検出器の前に検光子
を置けば、異方性、等方性をｓ偏光の強度から判断する
ことが可能となる。さらにブリュースター角では、反射
光のｐ偏光成分の強度が０になるので、異方性によって
生じた微弱なｓ偏光成分の強度の精度よい測定が可能と
なる。また、試料ステージを平行移動させることによ
り、短時間に広面積の測定を可能にする。図１に示すよ
うに、単色光源６から出射された単色光は偏光子２を通
過してｐ偏光のみが試料２０の表面にブリュースター角
１で当たって反射し、検光子３を通過してｓ偏光のみが
色光検出器７によって検出されるように構成されてい
る。図中矢線は単色光を示し、太線はｐ、ｓ両偏光を示
し、細線はｓ偏光を示す。また、４は液晶配向不良個
所、５は試料の移動方向を示す。
光子（ｐ偏光のみを通す）を通し、ブリュースター角で
単色光を当てるとその反射光は検出されないが、異方性
薄膜においては、複屈折性のためその反射光はｐ偏光及
びｓ偏光となる。すなわち、単色光検出器の前に検光子
を置けば、異方性、等方性をｓ偏光の強度から判断する
ことが可能となる。さらにブリュースター角では、反射
光のｐ偏光成分の強度が０になるので、異方性によって
生じた微弱なｓ偏光成分の強度の精度よい測定が可能と
なる。また、試料ステージを平行移動させることによ
り、短時間に広面積の測定を可能にする。図１に示すよ
うに、単色光源６から出射された単色光は偏光子２を通
過してｐ偏光のみが試料２０の表面にブリュースター角
１で当たって反射し、検光子３を通過してｓ偏光のみが
色光検出器７によって検出されるように構成されてい
る。図中矢線は単色光を示し、太線はｐ、ｓ両偏光を示
し、細線はｓ偏光を示す。また、４は液晶配向不良個
所、５は試料の移動方向を示す。
【０００９】ただ、単色光光源６および単色光検出器７
を等方向に置くのみであると、異方軸の向きまで限定す
るのは難しい。そこで、単色光光源６および単色光検出
器７を異方向に置くことにより、異方軸の向きを限定す
ることを可能にする。図２において、単色光光源６の光
軸が試料２０の所定方向（例えば長手方向）に対して０
°の角度をもっている状態（入射方位が０°）を矢印
８、４５°の角度をもっている状態（入射方位が４５
°）を矢印９で示す。また、単色光検出器７の光軸が試
料２０の所定方向に対して０°の角度をもっている状態
を矢印１２、４５°の角度をもっている状態を矢印１１
で示す。同図の矢印１０の向きに試料２０の薄膜の分子
が配向していれば、単色光検出器７が矢印１２の状態
（単色光検出器７と試料２０との角度が０°）である場
合にはｓ偏光が観測されず、単色光検出器７が矢印１１
の状態（単色光検出器７と試料２０との角度が４５°）
である場合にｓ偏光が観測される。すなわち、単色光光
源６と単色光検出器７の光軸を試料２０に対して異方向
に置くことで試料２０の薄膜の分子配向方向を知ること
ができる。
を等方向に置くのみであると、異方軸の向きまで限定す
るのは難しい。そこで、単色光光源６および単色光検出
器７を異方向に置くことにより、異方軸の向きを限定す
ることを可能にする。図２において、単色光光源６の光
軸が試料２０の所定方向（例えば長手方向）に対して０
°の角度をもっている状態（入射方位が０°）を矢印
８、４５°の角度をもっている状態（入射方位が４５
°）を矢印９で示す。また、単色光検出器７の光軸が試
料２０の所定方向に対して０°の角度をもっている状態
を矢印１２、４５°の角度をもっている状態を矢印１１
で示す。同図の矢印１０の向きに試料２０の薄膜の分子
が配向していれば、単色光検出器７が矢印１２の状態
（単色光検出器７と試料２０との角度が０°）である場
合にはｓ偏光が観測されず、単色光検出器７が矢印１１
の状態（単色光検出器７と試料２０との角度が４５°）
である場合にｓ偏光が観測される。すなわち、単色光光
源６と単色光検出器７の光軸を試料２０に対して異方向
に置くことで試料２０の薄膜の分子配向方向を知ること
ができる。
【００１０】上述した実施の形態によれば、試料表面に
単色光をブリュースター角で入射した際に発生する反射
光の偏光状態を測定することにより、試料薄膜中分子の
配向状態を評価することが可能となる。また、光源、検
出器を複数個並列に配置し、あるいは、試料ステージを
平行移動させることにより、短時間で広範囲な測定が可
能となる。以上のような配向膜評価装置によれば短時間
で試料薄膜の分子配向状態を評価することができる。ま
た、試料ステージを回転する、あるいは光源、検出器を
互いに入射方位が異なるように配置することによって、
試料薄膜中分子の配向方位を測定することが可能とな
る。他にも、測定系を真空中、不活性ガス雰囲気にする
ことにより、試料の酸化等の変化を防ぐことが可能とな
る。
単色光をブリュースター角で入射した際に発生する反射
光の偏光状態を測定することにより、試料薄膜中分子の
配向状態を評価することが可能となる。また、光源、検
出器を複数個並列に配置し、あるいは、試料ステージを
平行移動させることにより、短時間で広範囲な測定が可
能となる。以上のような配向膜評価装置によれば短時間
で試料薄膜の分子配向状態を評価することができる。ま
た、試料ステージを回転する、あるいは光源、検出器を
互いに入射方位が異なるように配置することによって、
試料薄膜中分子の配向方位を測定することが可能とな
る。他にも、測定系を真空中、不活性ガス雰囲気にする
ことにより、試料の酸化等の変化を防ぐことが可能とな
る。
【００１１】以下、本発明の配向膜評価装置の実施例を
図面を用いて以下に説明する。 [実施例１]実施例１について図３を参照して説明する。
１３は全単色光路が真空中を通るようにするために、試
料や光学素子を含め配向膜評価装置全体を収納するため
の容器であり、ガスの導入口１４と排出口１５が備えら
れている。容器１３の材質は厚さ１ｃｍのアクリル樹脂
製のものと覗き窓がついたステンレス製のものの２種を
試みた。試料２０は導入用の扉１８から容器１３の中に
入れるように構成されている。１６は単色光光源（単色
光線源）である。単色光光源１６から出た単色光線はｐ
偏光のみを通す偏光子１７を通過し、試料２０の薄膜表
面に到達して反射する。試料２０の薄膜表面から反射さ
れた単色光線は、さらにｓ偏光のみを通す検光子２３を
通過し単色光検出器１９により測定されるように構成さ
れている。さらに、入射単色光線に対して試料面の傾き
を確認するためにオートコリメータ２２を取り付けてい
る。２５は測定制御用のコンピュータである。
図面を用いて以下に説明する。 [実施例１]実施例１について図３を参照して説明する。
１３は全単色光路が真空中を通るようにするために、試
料や光学素子を含め配向膜評価装置全体を収納するため
の容器であり、ガスの導入口１４と排出口１５が備えら
れている。容器１３の材質は厚さ１ｃｍのアクリル樹脂
製のものと覗き窓がついたステンレス製のものの２種を
試みた。試料２０は導入用の扉１８から容器１３の中に
入れるように構成されている。１６は単色光光源（単色
光線源）である。単色光光源１６から出た単色光線はｐ
偏光のみを通す偏光子１７を通過し、試料２０の薄膜表
面に到達して反射する。試料２０の薄膜表面から反射さ
れた単色光線は、さらにｓ偏光のみを通す検光子２３を
通過し単色光検出器１９により測定されるように構成さ
れている。さらに、入射単色光線に対して試料面の傾き
を確認するためにオートコリメータ２２を取り付けてい
る。２５は測定制御用のコンピュータである。
【００１２】なお、試料傾き調整の能率をあげるため
に、オートコリメータ２２によって観測される試料２０
からの反射光位置は、ＣＣＤカメラ（不図示）によりモ
ニターされ容器１３外に設けられているデイスプレイ２
４に映し出されるように構成されている。試料２０を載
置する試料ステージ２１は試料２０を広範囲で測定する
ために平行移動ステージによって構成されている。図４
にこの試料ステージ２１の詳細な構成を示す。図４にお
いて、２６はローラー、２０は試料、２７は試料ステー
ジ調節器、２８はレールを示す。試料ステージ調整器２
７は試料ステージ２１を該試料ステージ２１の面と直交
する軸と平行方向に移動可能に、かつ、該軸の軸回りに
回転可能に、そして試料ステージ２１の面が上記軸に対
して揺動可能に支持するように構成されている。すなわ
ち、試料ステージ調整器２７は試料ステージ２１の高
さ、回転位置、傾き（あおり）を調整するように構成さ
れている。そして、試料ステージ調整器２７は、平行に
配設された２本のレール２８上でレール２８の延在方向
に移動可能に支持されている。２個のローラー２６は試
料ステージ２７の移動方向上において試料ステージ調整
器２７を挟む位置に配設され、各ローラー２６には試料
ステージ調整器２７の端部に一端が固着された糸２６Ａ
の他端が巻回されており、各ローラー２６が回転するこ
とで試料ステージ調整器２７と試料ステージ２１をレー
ル２８に沿って平行移動させるように構成されている。
に、オートコリメータ２２によって観測される試料２０
からの反射光位置は、ＣＣＤカメラ（不図示）によりモ
ニターされ容器１３外に設けられているデイスプレイ２
４に映し出されるように構成されている。試料２０を載
置する試料ステージ２１は試料２０を広範囲で測定する
ために平行移動ステージによって構成されている。図４
にこの試料ステージ２１の詳細な構成を示す。図４にお
いて、２６はローラー、２０は試料、２７は試料ステー
ジ調節器、２８はレールを示す。試料ステージ調整器２
７は試料ステージ２１を該試料ステージ２１の面と直交
する軸と平行方向に移動可能に、かつ、該軸の軸回りに
回転可能に、そして試料ステージ２１の面が上記軸に対
して揺動可能に支持するように構成されている。すなわ
ち、試料ステージ調整器２７は試料ステージ２１の高
さ、回転位置、傾き（あおり）を調整するように構成さ
れている。そして、試料ステージ調整器２７は、平行に
配設された２本のレール２８上でレール２８の延在方向
に移動可能に支持されている。２個のローラー２６は試
料ステージ２７の移動方向上において試料ステージ調整
器２７を挟む位置に配設され、各ローラー２６には試料
ステージ調整器２７の端部に一端が固着された糸２６Ａ
の他端が巻回されており、各ローラー２６が回転するこ
とで試料ステージ調整器２７と試料ステージ２１をレー
ル２８に沿って平行移動させるように構成されている。
【００１３】測定を自動で行なうために、単色光光源１
６、単色光検出器１９、試料ステージ２１、試料ステー
ジ調整器２７の動作およびデータの取り込みはコンピュ
ータ２５（図３）により制御されるように構成されてい
る。なお、コンピュータ２５による制御については後で
詳述する（図１０参照）。コンピュータ２５による制御
による試料ステージ２１の調整終了後、ローラー２６で
糸を巻き込むことにより、試料ステージ２１をレール２
８上で平行移動（移動速度は約２０ｍｍ/ｓ）させるよ
うに構成されている。
６、単色光検出器１９、試料ステージ２１、試料ステー
ジ調整器２７の動作およびデータの取り込みはコンピュ
ータ２５（図３）により制御されるように構成されてい
る。なお、コンピュータ２５による制御については後で
詳述する（図１０参照）。コンピュータ２５による制御
による試料ステージ２１の調整終了後、ローラー２６で
糸を巻き込むことにより、試料ステージ２１をレール２
８上で平行移動（移動速度は約２０ｍｍ/ｓ）させるよ
うに構成されている。
【００１４】この配向膜評価装置を用いて測定した試料
は以下の手順で作成した。すなわち、ガラス基板（コー
ニング７０５９）上に日産化学製ポリイミドＰＩ−Ｃを
スピンコ−トし、９０゜Ｃで３０分加熱後、２５０゜Ｃ
で６０分加熱して試料Ｃとした。この際にファイブラボ
社製のエリプソメータＭＡＲＹ−１０２を用いて入射角
７０°で膜厚を測定したところ、７２ｎｍであった。そ
の後に直径５０ｍｍの布ローラーを用いて、押し込み長
０．０５ｍｍ、回転速度８００ｒｐｍ、基板移動速度３
０ｍｍ／ｓで２回のラビングを行った。また、参照試料
として焼成後のラビングを施さない試料もあわせて作成
した。ラビングを施さない試料面上の１０点をＨｅ−Ｎ
ｅレ−ザを光源としたエリプソメータで測定したところ
膜厚５９±４ｍｍ、屈折率１．６２±０．１となった。
なお、使用した試料は２５０℃で焼成をしなければポリ
アミック酸のままであるが、大気中の水蒸気で加水分解
するおそれがある。そこで、希ガス中（アルゴン）で測
定をおこなった。
は以下の手順で作成した。すなわち、ガラス基板（コー
ニング７０５９）上に日産化学製ポリイミドＰＩ−Ｃを
スピンコ−トし、９０゜Ｃで３０分加熱後、２５０゜Ｃ
で６０分加熱して試料Ｃとした。この際にファイブラボ
社製のエリプソメータＭＡＲＹ−１０２を用いて入射角
７０°で膜厚を測定したところ、７２ｎｍであった。そ
の後に直径５０ｍｍの布ローラーを用いて、押し込み長
０．０５ｍｍ、回転速度８００ｒｐｍ、基板移動速度３
０ｍｍ／ｓで２回のラビングを行った。また、参照試料
として焼成後のラビングを施さない試料もあわせて作成
した。ラビングを施さない試料面上の１０点をＨｅ−Ｎ
ｅレ−ザを光源としたエリプソメータで測定したところ
膜厚５９±４ｍｍ、屈折率１．６２±０．１となった。
なお、使用した試料は２５０℃で焼成をしなければポリ
アミック酸のままであるが、大気中の水蒸気で加水分解
するおそれがある。そこで、希ガス中（アルゴン）で測
定をおこなった。
【００１５】図５は実施例１の測定結果を示す線図であ
る。横軸が試料移動時間（ｔｉｍｅ（ｓｅｃ））、縦軸
がｓ偏光強度（ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ（ａ．ｕ．））であ
る。黒丸で示すデータがラビングありに対応し、白丸で
示すデータがラビングなしに対応している。ラビングを
施していない等方性薄膜試料では、反射光強度はほとん
ど観測されなかったのに対して、ラビングを施した異方
性薄膜試料では、強度が観測されているのがわかる。す
なわち、液晶配向膜の分子配向状態の測定が可能となっ
ている。
る。横軸が試料移動時間（ｔｉｍｅ（ｓｅｃ））、縦軸
がｓ偏光強度（ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ（ａ．ｕ．））であ
る。黒丸で示すデータがラビングありに対応し、白丸で
示すデータがラビングなしに対応している。ラビングを
施していない等方性薄膜試料では、反射光強度はほとん
ど観測されなかったのに対して、ラビングを施した異方
性薄膜試料では、強度が観測されているのがわかる。す
なわち、液晶配向膜の分子配向状態の測定が可能となっ
ている。
【００１６】図６は、試料ステージを移動させずに基板
の入れる向きを変え、その際のｓ偏光強度を測定した結
果を示す線図である。横軸が試料方位角（基板の向き
（度））、縦軸がｓ偏光強度（ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ
（ａ．ｕ．））である。図６に示されているように、試
料方位角が２０度付近でｓ偏光強度が最小になっている
のがわかる。つまり、液晶配向膜の向き（試料薄膜の分
子配向方位）も測定可能であることが確かめられた。
の入れる向きを変え、その際のｓ偏光強度を測定した結
果を示す線図である。横軸が試料方位角（基板の向き
（度））、縦軸がｓ偏光強度（ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ
（ａ．ｕ．））である。図６に示されているように、試
料方位角が２０度付近でｓ偏光強度が最小になっている
のがわかる。つまり、液晶配向膜の向き（試料薄膜の分
子配向方位）も測定可能であることが確かめられた。
【００１７】[実施例２]図３、図４と同様の装置を使用
して測定を行った。また、不良個所検出効果を測定した
試料は以下の手順で作成した。すなわち、ガラス基板
（コーニング７０５９）上に日産化学製ポリイミドＰＩ
−Ｃをスピンコ−トし、９０゜Ｃで３０分加熱して試料
Ｃとした。この際にファイブラボ社製のエリプソメータ
ＭＡＲＹ−１０２を用いて入射角７０°で膜厚を測定し
たところ、７０ｎｍであった。その後に直径５０ｍｍの
布ローラーを用いて、押し込み長０．０５ｍｍ、回転速
度８００ｒｐｍ、基板移動速度３０ｍｍ／ｓで２回のラ
ビングを行った。その際、試料表面に２ｍｍ角のガラス
片を置き、ラビングを施さない部分を作成した。ラビン
グを施さない試料面上の１０点をＨｅ−Ｎｅレ−ザを光
源としたエリプソメータで測定したところ膜厚５６±３
ｍｍ、屈折率１．６０±０．２となった。なお、実施例
１同様、使用した試料は２５０℃焼成をしないためポリ
アミック酸のままであり、大気中の水蒸気で加水分解す
るおそれがある。そこで、真空中で測定をおこなった。
図７は実施例２の測定結果を示す線図である。横軸が試
料移動時間（ｔｉｍｅ（ｓｅｃ））、縦軸がｓ偏光強度
（ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ（ａ．ｕ．））である。黒丸で示
すデータが不良個所付きのラビングありに対応し、白丸
で示すデータがラビングなしに対応している。試料ステ
ージ２１を平行移動させながら、反射光強度を測定する
と、図７に示すとおり、欠陥部分と思われるところで、
ｓ偏光成分の反射光強度が減少していることが観測でき
た。
して測定を行った。また、不良個所検出効果を測定した
試料は以下の手順で作成した。すなわち、ガラス基板
（コーニング７０５９）上に日産化学製ポリイミドＰＩ
−Ｃをスピンコ−トし、９０゜Ｃで３０分加熱して試料
Ｃとした。この際にファイブラボ社製のエリプソメータ
ＭＡＲＹ−１０２を用いて入射角７０°で膜厚を測定し
たところ、７０ｎｍであった。その後に直径５０ｍｍの
布ローラーを用いて、押し込み長０．０５ｍｍ、回転速
度８００ｒｐｍ、基板移動速度３０ｍｍ／ｓで２回のラ
ビングを行った。その際、試料表面に２ｍｍ角のガラス
片を置き、ラビングを施さない部分を作成した。ラビン
グを施さない試料面上の１０点をＨｅ−Ｎｅレ−ザを光
源としたエリプソメータで測定したところ膜厚５６±３
ｍｍ、屈折率１．６０±０．２となった。なお、実施例
１同様、使用した試料は２５０℃焼成をしないためポリ
アミック酸のままであり、大気中の水蒸気で加水分解す
るおそれがある。そこで、真空中で測定をおこなった。
図７は実施例２の測定結果を示す線図である。横軸が試
料移動時間（ｔｉｍｅ（ｓｅｃ））、縦軸がｓ偏光強度
（ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ（ａ．ｕ．））である。黒丸で示
すデータが不良個所付きのラビングありに対応し、白丸
で示すデータがラビングなしに対応している。試料ステ
ージ２１を平行移動させながら、反射光強度を測定する
と、図７に示すとおり、欠陥部分と思われるところで、
ｓ偏光成分の反射光強度が減少していることが観測でき
た。
【００１８】[実施例３]試料薄膜の分子配向状態の面内
分布測定を行うため、図１のように、単色光光源６と単
色光検出器７をそれぞれ３個並列に配設した。ここで、
単色光光源６と単色光検出器７は、奥、中央、手前の３
個所に配置されている。そして、試料ステージ２１を平
行移動させて測定を行った。また、不良個所検出効果を
測定した試料は以下の手順で作成した。すなわち、ガラ
ス基板（コーニング７０５９）上に日産化学製ポリイミ
ドＰＩ−Ｃをスピンコ−トし、９０゜Ｃで３０分加熱し
て試料Ｃとした。この際にファイブラボ社製のエリプソ
メータＭＡＲＹ−１０２を用いて入射角７０°で膜厚を
測定したところ、６９ｎｍであった。その後に直径５０
ｎｍの布ローラーを用いて、押し込み長０．０５ｍｍ、
回転速度８００ｒｐｍ、基板移動速度３０ｍｍ／ｓで２
回のラビングを行った。
分布測定を行うため、図１のように、単色光光源６と単
色光検出器７をそれぞれ３個並列に配設した。ここで、
単色光光源６と単色光検出器７は、奥、中央、手前の３
個所に配置されている。そして、試料ステージ２１を平
行移動させて測定を行った。また、不良個所検出効果を
測定した試料は以下の手順で作成した。すなわち、ガラ
ス基板（コーニング７０５９）上に日産化学製ポリイミ
ドＰＩ−Ｃをスピンコ−トし、９０゜Ｃで３０分加熱し
て試料Ｃとした。この際にファイブラボ社製のエリプソ
メータＭＡＲＹ−１０２を用いて入射角７０°で膜厚を
測定したところ、６９ｎｍであった。その後に直径５０
ｎｍの布ローラーを用いて、押し込み長０．０５ｍｍ、
回転速度８００ｒｐｍ、基板移動速度３０ｍｍ／ｓで２
回のラビングを行った。
【００１９】その際、試料表面に２ｍｍ角のガラス片を
置き、ラビングを施さない部分を作成した。ラビングを
施さない試料面上の１０点をＨｅ−Ｎｅレ−ザを光源と
したエリプソメータで測定したところ膜厚５５±４ｍ
ｍ、屈折率１．６１±０．３となった。なお、実施例１
同様、使用した試料は２５０℃焼成をしないためポリア
ミック酸のままであり、大気中の水蒸気で加水分解する
おそれがある。そこで、真空中で測定をおこなった。図
８は実施例３の測定結果を示す線図である。横軸が試料
移動時間（ｔｉｍｅ（ｓｅｃ））、縦軸がｓ偏光強度
（ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ（ａ．ｕ．））である。図８にお
いて、符号ａ、ｂ、ｃはそれぞれ単色光光源６と単色光
検出器７の配置個所が奥、真ん中、手前に対応してい
る。図８に示すとおり、単色光光源６と単色光検出器７
の配置個所が中央である測定結果Ｂにおいて、欠陥部分
と思われるところで、反射光強度が減少していることが
観測できた。実施例３では単色光光源６と単色光検出器
７をそれぞれ３個並列に配設し、試料ステージ２１を平
行移動させて測定を行うことにより、分子配向状態の面
内分布測定を広範囲にかつ短時間で行うことができた。
置き、ラビングを施さない部分を作成した。ラビングを
施さない試料面上の１０点をＨｅ−Ｎｅレ−ザを光源と
したエリプソメータで測定したところ膜厚５５±４ｍ
ｍ、屈折率１．６１±０．３となった。なお、実施例１
同様、使用した試料は２５０℃焼成をしないためポリア
ミック酸のままであり、大気中の水蒸気で加水分解する
おそれがある。そこで、真空中で測定をおこなった。図
８は実施例３の測定結果を示す線図である。横軸が試料
移動時間（ｔｉｍｅ（ｓｅｃ））、縦軸がｓ偏光強度
（ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ（ａ．ｕ．））である。図８にお
いて、符号ａ、ｂ、ｃはそれぞれ単色光光源６と単色光
検出器７の配置個所が奥、真ん中、手前に対応してい
る。図８に示すとおり、単色光光源６と単色光検出器７
の配置個所が中央である測定結果Ｂにおいて、欠陥部分
と思われるところで、反射光強度が減少していることが
観測できた。実施例３では単色光光源６と単色光検出器
７をそれぞれ３個並列に配設し、試料ステージ２１を平
行移動させて測定を行うことにより、分子配向状態の面
内分布測定を広範囲にかつ短時間で行うことができた。
【００２０】[実施例４]異なった入射方位の測定を行う
ため、光源を試料に対して方位角０°と４５°の２方向
に設置した。それぞれの光は試料で交差し、同一の位置
からの反射光強度の方位依存性が測定できるようにし
た。その他は、実施例１と同様な装置構成を使用した。
ガラス基板（コーニング７０５９）上に日産化学製ポリ
イミドＰＩ−Ｃをスピンコ−トし、９０゜Ｃで３０分加
熱して試料Ｃとした。この際に、ファイブラボ社製のエ
リプソメータＭＡＲＹ−１０２を用いて入射角７０°で
膜厚を測定したところ、７０ｎｍであった。その後に直
径５０ｍｍの布ローラーを用いて、押し込み長０．０５
ｍｍ、回転速度８００ｒｐｍ、基板移動速度３０ｍｍ／
ｓで２回のラビングを行った。ラビングを施さない試料
面上の１０点をＨｅ−Ｎｅレ−ザを光源としたエリプソ
メータで測定したところ膜厚５５±２ｍｍ、屈折率１．
６４±０．２となった。なお、実施例１同様、使用した
試料は２５０℃焼成をしないためポリアミック酸のまま
であり、大気中の水蒸気で加水分解するおそれがある。
そこで、希ガス中で測定をおこなった。
ため、光源を試料に対して方位角０°と４５°の２方向
に設置した。それぞれの光は試料で交差し、同一の位置
からの反射光強度の方位依存性が測定できるようにし
た。その他は、実施例１と同様な装置構成を使用した。
ガラス基板（コーニング７０５９）上に日産化学製ポリ
イミドＰＩ−Ｃをスピンコ−トし、９０゜Ｃで３０分加
熱して試料Ｃとした。この際に、ファイブラボ社製のエ
リプソメータＭＡＲＹ−１０２を用いて入射角７０°で
膜厚を測定したところ、７０ｎｍであった。その後に直
径５０ｍｍの布ローラーを用いて、押し込み長０．０５
ｍｍ、回転速度８００ｒｐｍ、基板移動速度３０ｍｍ／
ｓで２回のラビングを行った。ラビングを施さない試料
面上の１０点をＨｅ−Ｎｅレ−ザを光源としたエリプソ
メータで測定したところ膜厚５５±２ｍｍ、屈折率１．
６４±０．２となった。なお、実施例１同様、使用した
試料は２５０℃焼成をしないためポリアミック酸のまま
であり、大気中の水蒸気で加水分解するおそれがある。
そこで、希ガス中で測定をおこなった。
【００２１】試料の配置は図２に示した。試料に平行な
方位が０°、斜方位が４５°である。図９は実施例４の
測定結果を示す線図である。横軸が試料移動時間（ｔｉ
ｍｅ（ｓｅｃ））、縦軸がｓ偏光強度（ｉｎｔｅｎｓｉ
ｔｙ（ａ．ｕ．））である。黒丸が４５°で入射、白丸
が０°で入射した場合。図９中、黒丸で示すデータが４
５°入射の場合、白丸で示すデータが０°入射の場合に
対応している。図９に示すように、０°入射で反射光強
度はほとんど観測されなかったのに対して、４５°入射
でｓ偏光強度が観測されていることによって、試料の配
向膜方位が０°の向きになっていることがわかる。実施
例４では、試料薄膜の分子配向方位を測定することがで
きた。
方位が０°、斜方位が４５°である。図９は実施例４の
測定結果を示す線図である。横軸が試料移動時間（ｔｉ
ｍｅ（ｓｅｃ））、縦軸がｓ偏光強度（ｉｎｔｅｎｓｉ
ｔｙ（ａ．ｕ．））である。黒丸が４５°で入射、白丸
が０°で入射した場合。図９中、黒丸で示すデータが４
５°入射の場合、白丸で示すデータが０°入射の場合に
対応している。図９に示すように、０°入射で反射光強
度はほとんど観測されなかったのに対して、４５°入射
でｓ偏光強度が観測されていることによって、試料の配
向膜方位が０°の向きになっていることがわかる。実施
例４では、試料薄膜の分子配向方位を測定することがで
きた。
【００２２】次に、コンピュータ２５（図３）について
説明する。前述したように、コンピュータ２５は、単色
光光源１６、単色光検出器１９、試料ステージ２１、試
料ステージ調整器２７の動作およびデータの取り込みを
制御するように構成されている。コンピュータ２５は、
例えば、何れも図示しないＣＰＵ、該ＣＰＵに接続され
る、ディスプレイ、プリンタ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、ハード
ディスク装置、フロッピーディスク装置、キーボード、
インターフェース部などを備えて構成されている。フロ
ッピーディスク装置は、フロッピーディスク（記憶媒
体）から情報を読み取ると共に、フロッピーディスクに
情報を記録するように構成されている。インターフェー
ス部は、単色光光源１６、単色光検出器１９、試料ステ
ージ２１などと接続され、ＣＰＵと信号の授受を行うと
共に、単色光光源１６、単色光検出器１９、試料ステー
ジ２１と信号の授受を行うことでこれら単色光光源１
６、単色光検出器１９、試料ステージ２１の制御を司る
ように構成されている。コンピュータ２５には、本発明
の配向膜評価プログラムがロードされており、この配向
膜評価プログラムがコンピュータ２５によって実行され
ることで、次述する図１０のフローチャートに示す動作
が実行されるようになっている。なお、配向膜評価プロ
グラムをコンピュータ２５にロードする際には、例え
ば、フロッピーディスクに記録された配向膜評価プログ
ラムをフロッピーディスク装置によって読み取ることで
ロードすればよい。また、配向膜評価プログラムを記録
する記憶媒体はフロッピーディスクに限定されるもので
はなく、ＣＤ−ＲＯＭ、ＲＯＭ、ＲＡＭなど他の記憶媒
体であってもよいことはもちろんである。
説明する。前述したように、コンピュータ２５は、単色
光光源１６、単色光検出器１９、試料ステージ２１、試
料ステージ調整器２７の動作およびデータの取り込みを
制御するように構成されている。コンピュータ２５は、
例えば、何れも図示しないＣＰＵ、該ＣＰＵに接続され
る、ディスプレイ、プリンタ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、ハード
ディスク装置、フロッピーディスク装置、キーボード、
インターフェース部などを備えて構成されている。フロ
ッピーディスク装置は、フロッピーディスク（記憶媒
体）から情報を読み取ると共に、フロッピーディスクに
情報を記録するように構成されている。インターフェー
ス部は、単色光光源１６、単色光検出器１９、試料ステ
ージ２１などと接続され、ＣＰＵと信号の授受を行うと
共に、単色光光源１６、単色光検出器１９、試料ステー
ジ２１と信号の授受を行うことでこれら単色光光源１
６、単色光検出器１９、試料ステージ２１の制御を司る
ように構成されている。コンピュータ２５には、本発明
の配向膜評価プログラムがロードされており、この配向
膜評価プログラムがコンピュータ２５によって実行され
ることで、次述する図１０のフローチャートに示す動作
が実行されるようになっている。なお、配向膜評価プロ
グラムをコンピュータ２５にロードする際には、例え
ば、フロッピーディスクに記録された配向膜評価プログ
ラムをフロッピーディスク装置によって読み取ることで
ロードすればよい。また、配向膜評価プログラムを記録
する記憶媒体はフロッピーディスクに限定されるもので
はなく、ＣＤ−ＲＯＭ、ＲＯＭ、ＲＡＭなど他の記憶媒
体であってもよいことはもちろんである。
【００２３】図１０はコンピュータ２５の制御動作を示
すフローチャートである。まず、試料位置合わせの動作
が開始される（Ｓ１０）。試料位置合わせの動作は、単
色光検出器７の焦点調整と薄膜試料２０による単色光の
反射強度の最大化調整とを行うために行われる（Ｓ１
２）。すなわち、試料２０の高さの調整（Ｓ１２Ａ）
と、試料ステージ２１のあおり（傾き）の調整（Ｓ１２
Ｂ）と、水平方向の位置の調整（回転角度の調整も含
む）（Ｓ１２Ｃ）が試料ステージ調整器２７を制御する
ことによって行われる。試料位置調整が完了したか否か
を判定し（Ｓ１４）、判定結果が否定であればＳ１０に
戻り、肯定であれば測定位置に移動し（Ｓ１６）、測定
を開始する（Ｓ１８）。測定が完了したか否かを判定し
（Ｓ２０）、判定結果が否定であればＳ１０に移行し、
肯定であれば測定結果に基づいて試料薄膜の分子配向状
態の面内分布、分子配向方位などを決定することにより
試料薄膜の分子配向状態を評価する（Ｓ２２）。すなわ
ち、ステップＳ１０、Ｓ１２（Ｓ１２Ａ、Ｓ１２Ｂ、Ｓ
１２Ｃ）、Ｓ１４、Ｓ１６、Ｓ１８が特許請求の範囲の
測定ステップに対応しており、ステップＳ２２が特許請
求の範囲の評価ステップに対応している。
すフローチャートである。まず、試料位置合わせの動作
が開始される（Ｓ１０）。試料位置合わせの動作は、単
色光検出器７の焦点調整と薄膜試料２０による単色光の
反射強度の最大化調整とを行うために行われる（Ｓ１
２）。すなわち、試料２０の高さの調整（Ｓ１２Ａ）
と、試料ステージ２１のあおり（傾き）の調整（Ｓ１２
Ｂ）と、水平方向の位置の調整（回転角度の調整も含
む）（Ｓ１２Ｃ）が試料ステージ調整器２７を制御する
ことによって行われる。試料位置調整が完了したか否か
を判定し（Ｓ１４）、判定結果が否定であればＳ１０に
戻り、肯定であれば測定位置に移動し（Ｓ１６）、測定
を開始する（Ｓ１８）。測定が完了したか否かを判定し
（Ｓ２０）、判定結果が否定であればＳ１０に移行し、
肯定であれば測定結果に基づいて試料薄膜の分子配向状
態の面内分布、分子配向方位などを決定することにより
試料薄膜の分子配向状態を評価する（Ｓ２２）。すなわ
ち、ステップＳ１０、Ｓ１２（Ｓ１２Ａ、Ｓ１２Ｂ、Ｓ
１２Ｃ）、Ｓ１４、Ｓ１６、Ｓ１８が特許請求の範囲の
測定ステップに対応しており、ステップＳ２２が特許請
求の範囲の評価ステップに対応している。
【００２４】以上詳述したように実施例１乃至４によれ
ば、薄膜試料の表面に偏光子２、検光子３を通し、ブリ
ュースター角で単色光を当てることにより、試料薄膜中
の分子の配向状態を評価することが可能となった。ま
た、試料ステージ２１を平行に移動する、あるいは単色
光光源６、単色光検出器７を複数個並列に配置し、試料
薄膜２０を載置する試料ステージ２１を平行移動させた
りすることですることにより、短時間で広面積の評価が
可能となった。さらに、試料ステージ２１を回転させ、
単色光光源６、単色光検出器７を互いに入射方位が異な
るように配置することによって、分子配向方位の評価が
可能となった。
ば、薄膜試料の表面に偏光子２、検光子３を通し、ブリ
ュースター角で単色光を当てることにより、試料薄膜中
の分子の配向状態を評価することが可能となった。ま
た、試料ステージ２１を平行に移動する、あるいは単色
光光源６、単色光検出器７を複数個並列に配置し、試料
薄膜２０を載置する試料ステージ２１を平行移動させた
りすることですることにより、短時間で広面積の評価が
可能となった。さらに、試料ステージ２１を回転させ、
単色光光源６、単色光検出器７を互いに入射方位が異な
るように配置することによって、分子配向方位の評価が
可能となった。
【００２５】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明の配向膜評
価方法及び装置並びに配向膜評価プログラムを記録した
記憶媒体では、単色のｐ偏光を試料薄膜に該試料薄膜の
ブリュースター角で入射して発生する反射光のｓ偏光成
分の強度が測定され、測定された前記ｓ偏光成分の強度
に基づいて前記試料薄膜の分子配向状態が評価される。
したがって、試料表面に単色光をブリュースター角で入
射した際に発生する反射光の偏光状態を測定することに
より、試料薄膜中分子の配向状態を評価することが可能
となる。また、試料薄膜に単色光を入射させる単色光光
源、試料薄膜からの反射光を検出する単色光検出器を複
数個並列に配置したり、試料薄膜を平行移動させたりす
ることで、短時間で広範囲にわたる配向膜の分子配向状
態の評価が可能となる。
価方法及び装置並びに配向膜評価プログラムを記録した
記憶媒体では、単色のｐ偏光を試料薄膜に該試料薄膜の
ブリュースター角で入射して発生する反射光のｓ偏光成
分の強度が測定され、測定された前記ｓ偏光成分の強度
に基づいて前記試料薄膜の分子配向状態が評価される。
したがって、試料表面に単色光をブリュースター角で入
射した際に発生する反射光の偏光状態を測定することに
より、試料薄膜中分子の配向状態を評価することが可能
となる。また、試料薄膜に単色光を入射させる単色光光
源、試料薄膜からの反射光を検出する単色光検出器を複
数個並列に配置したり、試料薄膜を平行移動させたりす
ることで、短時間で広範囲にわたる配向膜の分子配向状
態の評価が可能となる。
【図１】本実施の形態の配向膜評価装置の構成を示す概
念図である。
念図である。
【図２】異方向測定の概念図である。
【図３】実施例１の配向膜評価装置の構成図である。
【図４】試料ステージの構成を示す説明図である。
【図５】実施例１の測定結果を示す線図である。
【図６】実施例１の測定結果を示す線図である。
【図７】実施例２の測定結果を示す線図である。
【図８】実施例３の測定結果を示す線図である。
【図９】実施例４の測定結果を示す線図である。
【図１０】コンピュータの制御動作を示すフローチャー
トである。
トである。
１……ブリュースター角、２……偏光子、３……検光
子、５……試料の移動方向、６……単色光光源、７……
単色光検出器、２０……試料薄膜、２５……コンピュー
タ。
子、５……試料の移動方向、６……単色光光源、７……
単色光検出器、２０……試料薄膜、２５……コンピュー
タ。
Claims (25)
- 【請求項１】 単色のｐ偏光を試料薄膜に該試料薄膜の
ブリュースター角で入射して発生する反射光のｓ偏光成
分の強度を測定し、測定された前記ｓ偏光成分の強度に
基づいて前記試料薄膜の分子配向状態を評価することを
特徴とする配向膜評価方法。 - 【請求項２】 前記ｓ偏光成分の強度の測定は、前記試
料薄膜を該試料薄膜の反射面に対して平行に移動して行
われ、前記試料薄膜の分子配向状態の評価は前記試料薄
膜の分子配向状態の面内分布を決定することによって行
われることを特徴とする請求項１記載の配向膜評価方
法。 - 【請求項３】 前記ｓ偏光成分の強度の測定は、前記試
料薄膜を該試料薄膜の反射面と直交する軸回りに回転さ
せて行われ、前記試料薄膜の分子配向状態の評価は前記
試料薄膜の分子配向方位を決定することによって行われ
ることを特徴とする請求項１記載の配向膜評価方法。 - 【請求項４】 前記ｓ偏光成分の強度の測定は、複数個
並列に配置された単色光検出器によって行われ、前記試
料薄膜の分子配向状態の評価は前記試料薄膜の分子配向
状態の面内分布を決定することによって行われることを
特徴とする請求項１記載の配向膜評価方法。 - 【請求項５】 前記ｓ偏光成分の強度の測定は、互いに
前記試料薄膜の反射面に対する入射方位が異なるように
配置された複数個の単色光検出器によって行われ、前記
試料薄膜の分子配向状態の評価は前記試料薄膜の分子配
向状態の面内分布及び方位を決定することによって行わ
れることを特徴とする請求項１記載の配向膜評価方法。 - 【請求項６】 前記ｓ偏光成分の強度の測定は、前記試
料薄膜を該試料薄膜の反射面に対して平行に移動すると
共に、複数個並列に配置された単色光検出器によって行
われ、前記試料薄膜の分子配向状態の評価は前記試料薄
膜の分子配向状態の面内分布を決定することによって行
われることを特徴とする請求項１記載の配向膜評価方
法。 - 【請求項７】 前記ｓ偏光成分の強度の測定は、前記試
料薄膜を該試料薄膜の反射面に対して平行に移動すると
共に、互いに前記試料薄膜の反射面に対する入射方位が
異なるように配置された複数個の単色光検出器によって
行われ、前記試料薄膜の分子配向状態の評価は前記試料
薄膜の分子配向方位の分布を決定することによって行わ
れることを特徴とする請求項１記載の配向膜評価方法。 - 【請求項８】 真空中に前記試料薄膜と前記試料薄膜に
対する入射単色光路及び反射単色光光路を置くことを特
徴とする請求項１乃至７に何れか１項記載の配向膜評価
方法。 - 【請求項９】 希ガス中に前記試料薄膜と前記試料薄膜
に対する入射単色光路及び反射単色光光路を置くことを
特徴とする請求項１乃至７に何れか１項記載の配向膜評
価方法。 - 【請求項１０】 単色のｐ偏光を試料薄膜に該試料薄膜
のブリュースター角で入射して発生する反射光のｓ偏光
成分の強度を測定し、測定された前記ｓ偏光成分の強度
に基づいて前記試料薄膜の分子配向状態を評価するよう
に構成されたことを特徴とする配向膜評価装置。 - 【請求項１１】 前記ｓ偏光成分の強度の測定は、前記
試料薄膜を該試料薄膜の反射面に対して平行に移動して
行われ、前記試料薄膜の分子配向状態の評価は前記試料
薄膜の分子配向状態の面内分布を決定することによって
行われることを特徴とする請求項１０記載の配向膜評価
装置。 - 【請求項１２】 前記ｓ偏光成分の強度の測定は、前記
試料薄膜を該試料薄膜の反射面と直交する軸回りに回転
させて行われ、前記試料薄膜の分子配向状態の評価は前
記試料薄膜の分子配向方位を決定することによって行わ
れることを特徴とする請求項１０記載の配向膜評価装
置。 - 【請求項１３】 前記ｓ偏光成分の強度の測定は、複数
個並列に配置された単色光検出器によって行われ、前記
試料薄膜の分子配向状態の評価は前記試料薄膜の分子配
向状態の面内分布を決定することによって行われること
を特徴とする請求項１０記載の配向膜評価装置。 - 【請求項１４】 前記ｓ偏光成分の強度の測定は、互い
に前記試料薄膜の反射面に対する入射方位が異なるよう
に配置された複数個の単色光検出器によって行われ、前
記試料薄膜の分子配向状態の評価は前記試料薄膜の分子
配向状態の面内分布及び方位を決定することによって行
われることを特徴とする請求項１０記載の配向膜評価装
置。 - 【請求項１５】 前記ｓ偏光成分の強度の測定は、前記
試料薄膜を該試料薄膜の反射面に対して平行に移動する
と共に、複数個並列に配置された単色光検出器によって
行われ、前記試料薄膜の分子配向状態の評価は前記試料
薄膜の分子配向状態の面内分布を決定することによって
行われることを特徴とする請求項１０記載の配向膜評価
装置。 - 【請求項１６】 前記ｓ偏光成分の強度の測定は、前記
試料薄膜を該試料薄膜の反射面に対して平行に移動する
と共に、互いに前記試料薄膜の反射面に対する入射方位
が異なるように配置された複数個の単色光検出器によっ
て行われ、前記試料薄膜の分子配向状態の評価は前記試
料薄膜の分子配向方位の分布を決定することによって行
われることを特徴とする請求項１０記載の配向膜評価装
置。 - 【請求項１７】 真空中に前記試料薄膜と前記試料薄膜
に対する入射単色光路及び反射単色光光路を置くことを
特徴とする請求項１０乃至１６に何れか１項記載の配向
膜評価装置。 - 【請求項１８】 希ガス中に前記試料薄膜と前記試料薄
膜に対する入射単色光路及び反射単色光光路を置くこと
を特徴とする請求項１０乃至１６に何れか１項記載の配
向膜評価装置。 - 【請求項１９】 単色のｐ偏光を試料薄膜に該試料薄膜
のブリュースター角で入射して発生する反射光のｓ偏光
成分の強度を測定する測定ステップと、測定された前記
ｓ偏光成分の強度に基づいて前記試料薄膜の分子配向状
態を評価する評価ステップとをコンピュータに実行させ
るための配向膜評価プログラムを記録した記録媒体。 - 【請求項２０】 前記ｓ偏光成分の強度の測定は、前記
試料薄膜を該試料薄膜の反射面に対して平行に移動して
行われ、前記試料薄膜の分子配向状態の評価は前記試料
薄膜の分子配向状態の面内分布を決定することによって
行われることを特徴とする請求項１９記載の配向膜評価
プログラムを記録した記録媒体。 - 【請求項２１】 前記ｓ偏光成分の強度の測定は、前記
試料薄膜を該試料薄膜の反射面と直交する軸回りに回転
させて行われ、前記試料薄膜の分子配向状態の評価は前
記試料薄膜の分子配向方位を決定することによって行わ
れることを特徴とする請求項１９記載の配向膜評価プロ
グラムを記録した記録媒体。 - 【請求項２２】 前記ｓ偏光成分の強度の測定は、複数
個並列に配置された単色光検出器によって行われ、前記
試料薄膜の分子配向状態の評価は前記試料薄膜の分子配
向状態の面内分布を決定することによって行われること
を特徴とする請求項１９記載の配向膜評価プログラムを
記録した記録媒体。 - 【請求項２３】 前記ｓ偏光成分の強度の測定は、互い
に前記試料薄膜の反射面に対する入射方位が異なるよう
に配置された複数個の単色光検出器によって行われ、前
記試料薄膜の分子配向状態の評価は前記試料薄膜の分子
配向状態の面内分布及び方位を決定することによって行
われることを特徴とする請求項１９記載の配向膜評価プ
ログラムを記録した記録媒体。 - 【請求項２４】 前記ｓ偏光成分の強度の測定は、前記
試料薄膜を該試料薄膜の反射面に対して平行に移動する
と共に、複数個並列に配置された単色光検出器によって
行われ、前記試料薄膜の分子配向状態の評価は前記試料
薄膜の分子配向状態の面内分布を決定することによって
行われることを特徴とする請求項１９記載の配向膜評価
プログラムを記録した記録媒体。 - 【請求項２５】 前記ｓ偏光成分の強度の測定は、前記
試料薄膜を該試料薄膜の反射面に対して平行に移動する
と共に、互いに前記試料薄膜の反射面に対する入射方位
が異なるように配置された複数個の単色光検出器によっ
て行われ、前記試料薄膜の分子配向状態の評価は前記試
料薄膜の分子配向方位の分布を決定することによって行
われることを特徴とする請求項１９記載の配向膜評価プ
ログラムを記録した記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10291726A JP2000121496A (ja) | 1998-10-14 | 1998-10-14 | 配向膜評価方法及び装置並びに配向膜評価プログラムを記録した記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10291726A JP2000121496A (ja) | 1998-10-14 | 1998-10-14 | 配向膜評価方法及び装置並びに配向膜評価プログラムを記録した記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000121496A true JP2000121496A (ja) | 2000-04-28 |
Family
ID=17772610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10291726A Pending JP2000121496A (ja) | 1998-10-14 | 1998-10-14 | 配向膜評価方法及び装置並びに配向膜評価プログラムを記録した記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000121496A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020040593A (ko) * | 2000-11-22 | 2002-05-30 | 가네꼬 히사시 | 막의 규칙도 및 배향방위를 고속으로 측정하는 것이가능한 이방성 박막평가방법 및 장치 |
| US6486951B2 (en) | 2000-03-24 | 2002-11-26 | Nec Corporation | Method of evaluating an anisotropic thin film and an evaluating apparatus |
| KR101280335B1 (ko) * | 2005-01-24 | 2013-07-01 | 가부시키가이샤 모리텍스 | 광학적 이방성 파라미터 측정 방법 및 측정 장치 |
-
1998
- 1998-10-14 JP JP10291726A patent/JP2000121496A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6486951B2 (en) | 2000-03-24 | 2002-11-26 | Nec Corporation | Method of evaluating an anisotropic thin film and an evaluating apparatus |
| KR20020040593A (ko) * | 2000-11-22 | 2002-05-30 | 가네꼬 히사시 | 막의 규칙도 및 배향방위를 고속으로 측정하는 것이가능한 이방성 박막평가방법 및 장치 |
| KR101280335B1 (ko) * | 2005-01-24 | 2013-07-01 | 가부시키가이샤 모리텍스 | 광학적 이방성 파라미터 측정 방법 및 측정 장치 |
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