JP2002162344A - 異方性薄膜評価方法および装置 - Google Patents
異方性薄膜評価方法および装置Info
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
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- G01N21/21—Polarisation-affecting properties
-
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 異方性薄膜の規則度および配向方位を高速に
測定することができると共に、異方性薄膜の構造を正確
に評価することができる異方性薄膜評価方法を提供す
る。 【解決手段】 試料９に対してｐ偏光である第１の照射
光を試料９に照射すると共に、試料９の板面上にて反射
した第１の照射光のｓ偏光成分の強度を検出する第１の
検出工程と、試料９に対してｐ偏光である第２の照射光
を試料９に照射すると共に、試料９の板面上にて反射し
た第２の照射光のｓ偏光成分の強度を検出する第２の検
出工程と、第１および第２の検出工程にて得られた第１
および第２の強度分布を演算処理することにより、試料
９における薄膜の構造を決定する評価工程とを有してい
る。第１および第２の検出工程は、同時に行う。
測定することができると共に、異方性薄膜の構造を正確
に評価することができる異方性薄膜評価方法を提供す
る。 【解決手段】 試料９に対してｐ偏光である第１の照射
光を試料９に照射すると共に、試料９の板面上にて反射
した第１の照射光のｓ偏光成分の強度を検出する第１の
検出工程と、試料９に対してｐ偏光である第２の照射光
を試料９に照射すると共に、試料９の板面上にて反射し
た第２の照射光のｓ偏光成分の強度を検出する第２の検
出工程と、第１および第２の検出工程にて得られた第１
および第２の強度分布を演算処理することにより、試料
９における薄膜の構造を決定する評価工程とを有してい
る。第１および第２の検出工程は、同時に行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶分子に初期配
向を与える液晶配向膜等、光学的な異方性がある薄膜の
評価に関する。
向を与える液晶配向膜等、光学的な異方性がある薄膜の
評価に関する。
【０００２】
【従来の技術】異方性薄膜の評価方法のうち、反射光を
利用するものとしては、反射光強度の入射角および入射
方位依存性から測定する方法（磯部「薄膜の屈折率膜厚
測定法」特開平０３−０６５６３７号公報、第１の方
法）、試料を面内回転させ反射光の偏光状態の入射方位
依存性から配向部の誘電率、膜厚および主誘電率座標の
方向、無配向部の誘電率と膜厚を決定する方法（広沢
「異方性薄膜評価方法および評価装置」特願平０８−４
９３２０号、第２の方法）、赤外線を用いて二色差を用
いるもの（石橋ら「配向膜評価装置」特開平０７−１５
１６４０号公報、第３の方法）、ならびに、可視光線を
利用し、入射角を変化させるもの（磯部「異方性薄膜の
屈折率および膜厚測定方法」特開平０５−００５６９９
号公報、第４の方法）が提案または開示されている。
利用するものとしては、反射光強度の入射角および入射
方位依存性から測定する方法（磯部「薄膜の屈折率膜厚
測定法」特開平０３−０６５６３７号公報、第１の方
法）、試料を面内回転させ反射光の偏光状態の入射方位
依存性から配向部の誘電率、膜厚および主誘電率座標の
方向、無配向部の誘電率と膜厚を決定する方法（広沢
「異方性薄膜評価方法および評価装置」特願平０８−４
９３２０号、第２の方法）、赤外線を用いて二色差を用
いるもの（石橋ら「配向膜評価装置」特開平０７−１５
１６４０号公報、第３の方法）、ならびに、可視光線を
利用し、入射角を変化させるもの（磯部「異方性薄膜の
屈折率および膜厚測定方法」特開平０５−００５６９９
号公報、第４の方法）が提案または開示されている。
【０００３】また、異方性薄膜として液晶表示素子に用
いられている膜、特に、配向処理を施した液晶配向膜と
呼ばれる膜の評価方法としては、膜に直線偏光を入射し
た際に発生する反射光強度を測定することにより異方性
を評価する方法（石原ら「配向膜の液晶配向能評価方
法」特開平０４−０９５８４５号公報、第５の方法）が
開示されている。
いられている膜、特に、配向処理を施した液晶配向膜と
呼ばれる膜の評価方法としては、膜に直線偏光を入射し
た際に発生する反射光強度を測定することにより異方性
を評価する方法（石原ら「配向膜の液晶配向能評価方
法」特開平０４−０９５８４５号公報、第５の方法）が
開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】異方性薄膜の評価方法
として提案または開示された第１乃至第４の方法は、結
晶性が高い無機物の薄膜では、結晶構造と光学的異方性
との相関が明らかになっているものも多いため、分子配
向と等価な結晶配向に関して定量的な評価が可能であ
る。しかし、いずれの方法においても、一回で測定でき
る面積が狭い、あるいは、測定に時間を要するという問
題がある。
として提案または開示された第１乃至第４の方法は、結
晶性が高い無機物の薄膜では、結晶構造と光学的異方性
との相関が明らかになっているものも多いため、分子配
向と等価な結晶配向に関して定量的な評価が可能であ
る。しかし、いずれの方法においても、一回で測定でき
る面積が狭い、あるいは、測定に時間を要するという問
題がある。
【０００５】一方、薄膜試料にｐ偏光した光を基板のブ
リュースター角で入射し、反射光のｓ偏光成分の強度を
測定することにより膜の異方性を評価する方法として、
（伊藤「配向膜評価方法および評価装置ならびに配向膜
評価プログラムの記録媒体」特願平１０−２９１７２６
号、第６の方法）が提案されている。この方法は、ｐ偏
光した光を基板のブリュースター角で入射することで、
反射光中のｐ偏光成分の強度を極く小さくすることが可
能になり、膜の異方性により発生したｓ偏光成分の光の
強度測定の精度を高めることを目的としたものである。
基板の上に直接形成された異方性膜の場合は、この提案
のように基板のブリュースター角で入射することによ
り、反射光のｐ偏光成分を極く小さくすることができる
が、一般に液晶表示素子のように多層膜構造の試料で
は、反射光のｐ偏光成分がなくなるブリュースター角を
明確に定義することができず、適用が困難である。
リュースター角で入射し、反射光のｓ偏光成分の強度を
測定することにより膜の異方性を評価する方法として、
（伊藤「配向膜評価方法および評価装置ならびに配向膜
評価プログラムの記録媒体」特願平１０−２９１７２６
号、第６の方法）が提案されている。この方法は、ｐ偏
光した光を基板のブリュースター角で入射することで、
反射光中のｐ偏光成分の強度を極く小さくすることが可
能になり、膜の異方性により発生したｓ偏光成分の光の
強度測定の精度を高めることを目的としたものである。
基板の上に直接形成された異方性膜の場合は、この提案
のように基板のブリュースター角で入射することによ
り、反射光のｐ偏光成分を極く小さくすることができる
が、一般に液晶表示素子のように多層膜構造の試料で
は、反射光のｐ偏光成分がなくなるブリュースター角を
明確に定義することができず、適用が困難である。
【０００６】また、同様な方法に、ブリュースター角だ
けに限らずある一定入射角でｓ偏光ないしはｐ偏光を異
方性薄膜に入射し、ｐ偏光ないしはｓ偏光（順不同）の
反射光強度に注目する方法として、（広沢ら「異方性薄
膜評価方法および評価装置」特願２０００−０８４１６
７号、第７の方法）が提案されている。これは、異方性
薄膜の光学的異方性の面内分布を広範囲に取れるもので
あるが、薄膜の構造を正確に把握したものではない。即
ち、反射光強度の強弱だけからは、分子の配向方位のず
れによるものか、分子の規則度によるものか切り分けが
できない。
けに限らずある一定入射角でｓ偏光ないしはｐ偏光を異
方性薄膜に入射し、ｐ偏光ないしはｓ偏光（順不同）の
反射光強度に注目する方法として、（広沢ら「異方性薄
膜評価方法および評価装置」特願２０００−０８４１６
７号、第７の方法）が提案されている。これは、異方性
薄膜の光学的異方性の面内分布を広範囲に取れるもので
あるが、薄膜の構造を正確に把握したものではない。即
ち、反射光強度の強弱だけからは、分子の配向方位のず
れによるものか、分子の規則度によるものか切り分けが
できない。
【０００７】以上のような理由により、試料表面に直線
偏光を入射した際に生じる反射光強度の測定のみでは、
膜の構造まで正確に評価することができない。
偏光を入射した際に生じる反射光強度の測定のみでは、
膜の構造まで正確に評価することができない。
【０００８】それ故、本発明の課題は、異方性薄膜の規
則度および配向方位を高速に測定することができると共
に、異方性薄膜の構造を正確に評価することができる異
方性薄膜評価方法および装置を提供することである。
則度および配向方位を高速に測定することができると共
に、異方性薄膜の構造を正確に評価することができる異
方性薄膜評価方法および装置を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、評価す
べき異方性薄膜としての基板状試料に対して、ｐ偏光ま
たはｓ偏光である第１の照射光を、該試料の板面上での
方位角が第１の入射角となるように照射すると共に、前
記試料の板面上にて反射した前記第１の照射光のｓ偏光
またはｐ偏光成分の強度を、前記方位角が第１の反射角
となるように検出する第１の検出工程と、前記基板状試
料に対して、ｐ偏光またはｓ偏光である第２の照射光
を、該試料の板面上での方位角が第２の入射角となるよ
うに照射すると共に、前記試料の板面上にて反射した前
記第２の照射光のｓ偏光またはｐ偏光成分の強度を、前
記方位角が第２の反射角となるように検出する第２の検
出工程と、前記第１および前記第２の検出工程にて得ら
れた第１および第２の強度分布を演算処理することによ
り、前記試料における薄膜の構造を決定する評価工程と
を有し、前記第１および前記第２の検出工程を、同時に
行うことを特徴とする異方性薄膜評価方法が得られる。
べき異方性薄膜としての基板状試料に対して、ｐ偏光ま
たはｓ偏光である第１の照射光を、該試料の板面上での
方位角が第１の入射角となるように照射すると共に、前
記試料の板面上にて反射した前記第１の照射光のｓ偏光
またはｐ偏光成分の強度を、前記方位角が第１の反射角
となるように検出する第１の検出工程と、前記基板状試
料に対して、ｐ偏光またはｓ偏光である第２の照射光
を、該試料の板面上での方位角が第２の入射角となるよ
うに照射すると共に、前記試料の板面上にて反射した前
記第２の照射光のｓ偏光またはｐ偏光成分の強度を、前
記方位角が第２の反射角となるように検出する第２の検
出工程と、前記第１および前記第２の検出工程にて得ら
れた第１および第２の強度分布を演算処理することによ
り、前記試料における薄膜の構造を決定する評価工程と
を有し、前記第１および前記第２の検出工程を、同時に
行うことを特徴とする異方性薄膜評価方法が得られる。
【００１０】本発明によればまた、評価すべき異方性薄
膜としての基板状試料に対して、ｐ偏光またはｓ偏光で
ある第１の照射光を、該試料の板面上での方位角が第１
の入射角となるように照射すると共に、前記試料の板面
上にて反射した前記第１の照射光のｓ偏光またはｐ偏光
成分の強度を、前記方位角が第１の反射角となるように
検出する第１の検出工程と、前記基板状試料に対して、
ｐ偏光またはｓ偏光である第２の照射光を、該試料の板
面上での方位角が第２の入射角となるように照射すると
共に、前記試料の板面上にて反射した前記第２の照射光
のｓ偏光またはｐ偏光成分の強度を、前記方位角が第２
の反射角となるように検出する第２の検出工程と、前記
第１および前記第２の検出工程にて得られた第１および
第２の強度分布を演算処理することにより、前記試料に
おける薄膜の構造を決定する評価工程とを有し、前記第
１および前記第２の検出工程を、連続して行うことを特
徴とする異方性薄膜評価方法が得られる。
膜としての基板状試料に対して、ｐ偏光またはｓ偏光で
ある第１の照射光を、該試料の板面上での方位角が第１
の入射角となるように照射すると共に、前記試料の板面
上にて反射した前記第１の照射光のｓ偏光またはｐ偏光
成分の強度を、前記方位角が第１の反射角となるように
検出する第１の検出工程と、前記基板状試料に対して、
ｐ偏光またはｓ偏光である第２の照射光を、該試料の板
面上での方位角が第２の入射角となるように照射すると
共に、前記試料の板面上にて反射した前記第２の照射光
のｓ偏光またはｐ偏光成分の強度を、前記方位角が第２
の反射角となるように検出する第２の検出工程と、前記
第１および前記第２の検出工程にて得られた第１および
第２の強度分布を演算処理することにより、前記試料に
おける薄膜の構造を決定する評価工程とを有し、前記第
１および前記第２の検出工程を、連続して行うことを特
徴とする異方性薄膜評価方法が得られる。
【００１１】本発明によればさらに、評価すべき異方性
薄膜としての基板状試料に対して、ｐ偏光またはｓ偏光
である第１の照射光を、該試料の板面上での方位角が第
１の入射角となるように照射すると共に、前記試料の板
面上にて反射した前記第１の照射光のｓ偏光またはｐ偏
光成分の強度を、前記方位角が第１の反射角となるよう
に検出する第１の検出手段と、前記基板状試料に対し
て、ｐ偏光またはｓ偏光である第２の照射光を、該試料
の板面上での方位角が第２の入射角となるように照射す
ると共に、前記試料の板面上にて反射した前記第２の照
射光のｓ偏光またはｐ偏光成分の強度を、前記方位角が
第２の反射角となるように検出する第２の検出手段と、
前記第１および前記第２の検出手段によって得られた第
１および第２の強度分布を演算処理することにより、前
記試料における薄膜の構造を決定する評価手段とを有す
ることを特徴とする異方性薄膜評価装置が得られる。
薄膜としての基板状試料に対して、ｐ偏光またはｓ偏光
である第１の照射光を、該試料の板面上での方位角が第
１の入射角となるように照射すると共に、前記試料の板
面上にて反射した前記第１の照射光のｓ偏光またはｐ偏
光成分の強度を、前記方位角が第１の反射角となるよう
に検出する第１の検出手段と、前記基板状試料に対し
て、ｐ偏光またはｓ偏光である第２の照射光を、該試料
の板面上での方位角が第２の入射角となるように照射す
ると共に、前記試料の板面上にて反射した前記第２の照
射光のｓ偏光またはｐ偏光成分の強度を、前記方位角が
第２の反射角となるように検出する第２の検出手段と、
前記第１および前記第２の検出手段によって得られた第
１および第２の強度分布を演算処理することにより、前
記試料における薄膜の構造を決定する評価手段とを有す
ることを特徴とする異方性薄膜評価装置が得られる。
【００１２】本発明によればまた、評価すべき異方性薄
膜としての基板状試料に対して、ｐ偏光またはｓ偏光で
ある照射光を、該試料の板面上での方位角が所定の入射
角となるように照射すると共に、前記試料の板面上にて
反射した前記照射光のｓ偏光またはｐ偏光成分の強度
を、前記方位角が所定の反射角となるように検出する検
出手段と、前記検出手段によって、前記入射角が第１の
入射角であり、かつ、前記反射角が第１の反射角である
第１の検出モードと、該入射角が第２の入射角であり、
かつ、該反射角が第２の反射角である第２の検出モード
とを実行可能なように、前記試料を前記方位角方向に回
転させるための回転ステージと、前記第１および前記第
２の検出モードにて得られた第１および第２の強度分布
を演算処理することにより、前記試料における薄膜の構
造を決定する評価手段とを有することを特徴とする異方
性薄膜評価装置が得られる。
膜としての基板状試料に対して、ｐ偏光またはｓ偏光で
ある照射光を、該試料の板面上での方位角が所定の入射
角となるように照射すると共に、前記試料の板面上にて
反射した前記照射光のｓ偏光またはｐ偏光成分の強度
を、前記方位角が所定の反射角となるように検出する検
出手段と、前記検出手段によって、前記入射角が第１の
入射角であり、かつ、前記反射角が第１の反射角である
第１の検出モードと、該入射角が第２の入射角であり、
かつ、該反射角が第２の反射角である第２の検出モード
とを実行可能なように、前記試料を前記方位角方向に回
転させるための回転ステージと、前記第１および前記第
２の検出モードにて得られた第１および第２の強度分布
を演算処理することにより、前記試料における薄膜の構
造を決定する評価手段とを有することを特徴とする異方
性薄膜評価装置が得られる。
【００１３】本発明によればまた、前記異方性薄膜評価
方法のうちの少くとも前記評価工程をコンピュータによ
って実行させるためのプログラムを記録した記録媒体が
得られる。
方法のうちの少くとも前記評価工程をコンピュータによ
って実行させるためのプログラムを記録した記録媒体が
得られる。
【００１４】
【作用】本発明は、ｐ偏光あるいはｓ偏光を基板の一定
の角度で入射して発生する反射光のｓ偏光あるいはｐ偏
光成分の強度を測定し、検出器を互いに入射方位が異な
るように配置し、各方位で得られた第１および第２の強
度分布の平均から分子の規則度分布を、差を平均で割る
ことにより分子の配向方位分布を決定することができ
る。
の角度で入射して発生する反射光のｓ偏光あるいはｐ偏
光成分の強度を測定し、検出器を互いに入射方位が異な
るように配置し、各方位で得られた第１および第２の強
度分布の平均から分子の規則度分布を、差を平均で割る
ことにより分子の配向方位分布を決定することができ
る。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
面を参照して説明する。
面を参照して説明する。
【００１６】［実施の形態１］図１を参照して、本発明
の実施の形態１による異方性薄膜評価装置は、入射方位
の異なる光源を備えている。具体的には、本装置は、単
色光源１，２と、偏光子３，４と、検光子５，６と、光
検出器７，８と、オートコリメータ１０と、モニタ（デ
ィスプレイ）１１と、コンピュータ１２とを有してい
る。符号９は試料としての、異方性薄膜を示している。
の実施の形態１による異方性薄膜評価装置は、入射方位
の異なる光源を備えている。具体的には、本装置は、単
色光源１，２と、偏光子３，４と、検光子５，６と、光
検出器７，８と、オートコリメータ１０と、モニタ（デ
ィスプレイ）１１と、コンピュータ１２とを有してい
る。符号９は試料としての、異方性薄膜を示している。
【００１７】単色光源１，２には、Ｈｅ−Ｎｅレーザを
用いた。光検出器７，８には、フォトダイオードを用い
た。光検出器７，８で得られた反射光強度分布は、コン
ピュータ１２に取り込まれる。ディスプレイ１１は、オ
ートコリメータ１０の戻り光の様子を観察するモニタで
ある。
用いた。光検出器７，８には、フォトダイオードを用い
た。光検出器７，８で得られた反射光強度分布は、コン
ピュータ１２に取り込まれる。ディスプレイ１１は、オ
ートコリメータ１０の戻り光の様子を観察するモニタで
ある。
【００１８】光源１，２から出た単色光線は、ｐ偏光の
みを通す偏光子３，４を通過し、試料９の薄膜表面から
反射された光線は、さらにｓ偏光のみを通す検光子５，
６を通過し検出器７，８により測定される。さらに、入
射光線に対して試料面の傾きを確認するためにオートコ
リメータ１０を取り付けた。尚、試料傾き調整の能率を
あげるために、オートコリメータ１０での試料９からの
反射光位置は、ＣＣＤカメラ（図示せず）によりモニタ
されディスプレイ１１に映し出した。
みを通す偏光子３，４を通過し、試料９の薄膜表面から
反射された光線は、さらにｓ偏光のみを通す検光子５，
６を通過し検出器７，８により測定される。さらに、入
射光線に対して試料面の傾きを確認するためにオートコ
リメータ１０を取り付けた。尚、試料傾き調整の能率を
あげるために、オートコリメータ１０での試料９からの
反射光位置は、ＣＣＤカメラ（図示せず）によりモニタ
されディスプレイ１１に映し出した。
【００１９】この装置を用いて測定した試料は、以下の
手順で作成した。ガラス基板（コーニング７０５９）上
に日産化学製ポリイミドＰＩ−Ｃをスピンコートし、９
０℃で３０分加熱後、２５０℃で６０分加熱して試料Ｃ
とした。この際に、ファイブラボ社製のエリプソメータ
ＭＡＲＹ−１０２を用いて入射仰角７０°で膜厚を測定
したところ、７２ｎｍであった。試料の片側にアルミニ
ウムでマスクを施し、その後に直径５０ｍｍの布ローラ
ーを用いて、押し込み長０．０５ｍｍ、回転速度８００
ｒｐｍ、基板移動速度３０ｍｍ／ｓで２回のラビングを
行った。その後、ラビングを施した部分にマスクをし、
ラビングを施していない側に、ラビング方向を面内で１
０°ずらし、同様なラビング水準でラビングを施した。
この際にファイブラボ社製のエリプソメータＭＡＲＹ−
１０２を用いて入射仰角５０°で測定したところ、規則
度は左右とも０．１０であった。配向方位は左右で１０
度ずれていた。試料内の分子の配向具合を簡単に図２に
示す。図２中、矢印１３，１４がラビング方向を示す。
符号１５は、薄膜分子を示す。
手順で作成した。ガラス基板（コーニング７０５９）上
に日産化学製ポリイミドＰＩ−Ｃをスピンコートし、９
０℃で３０分加熱後、２５０℃で６０分加熱して試料Ｃ
とした。この際に、ファイブラボ社製のエリプソメータ
ＭＡＲＹ−１０２を用いて入射仰角７０°で膜厚を測定
したところ、７２ｎｍであった。試料の片側にアルミニ
ウムでマスクを施し、その後に直径５０ｍｍの布ローラ
ーを用いて、押し込み長０．０５ｍｍ、回転速度８００
ｒｐｍ、基板移動速度３０ｍｍ／ｓで２回のラビングを
行った。その後、ラビングを施した部分にマスクをし、
ラビングを施していない側に、ラビング方向を面内で１
０°ずらし、同様なラビング水準でラビングを施した。
この際にファイブラボ社製のエリプソメータＭＡＲＹ−
１０２を用いて入射仰角５０°で測定したところ、規則
度は左右とも０．１０であった。配向方位は左右で１０
度ずれていた。試料内の分子の配向具合を簡単に図２に
示す。図２中、矢印１３，１４がラビング方向を示す。
符号１５は、薄膜分子を示す。
【００２０】これらの試料を図１に示された装置に、試
料９として置き、偏光子３，４の方位をｐ偏光成分、検
光子５，６の方位をｓ偏光成分として、出力１ｍＷのＨ
ｅ−Ｎｅレーザ光を入射仰角７０°で入射し、検光子
５，６を通過した光の強度をフォトダイオードで検出し
た。試料面内の入射方位は、ラビング方向と同方向（０
°と定義）と、時計まわりに１０°異なる方向との２方
位で行った。
料９として置き、偏光子３，４の方位をｐ偏光成分、検
光子５，６の方位をｓ偏光成分として、出力１ｍＷのＨ
ｅ−Ｎｅレーザ光を入射仰角７０°で入射し、検光子
５，６を通過した光の強度をフォトダイオードで検出し
た。試料面内の入射方位は、ラビング方向と同方向（０
°と定義）と、時計まわりに１０°異なる方向との２方
位で行った。
【００２１】入射の面内方位がラビングと同じ場合の観
察結果を図３に、１０度ずらした場合の結果を図４に示
した。図３と図４との差を、図３および図４の平均で割
ることにより、図５のように配向方位の違いがわかる。
また、図３および図４の平均から、図６のように規則度
の違いがわかる。
察結果を図３に、１０度ずらした場合の結果を図４に示
した。図３と図４との差を、図３および図４の平均で割
ることにより、図５のように配向方位の違いがわかる。
また、図３および図４の平均から、図６のように規則度
の違いがわかる。
【００２２】以上のように、光学的異方性の面内分布だ
けでなく、分子の配向方位および規則度の面内分布も測
定することができる。
けでなく、分子の配向方位および規則度の面内分布も測
定することができる。
【００２３】［実施の形態２］実施の形態１と同様な装
置を用いて、以下の手順で作成した。ガラス基板（コー
ニング７０５９）上に日産化学製ポリイミドＰＩ−Ａを
スピンコートし、９０℃で３０分加熱後、２５０℃で６
０分加熱して試料Ａとした。試料の片側にアルミニウム
でマスクを施し、その後に直径５０ｍｍの布ローラーを
用いて、押し込み長０．０５ｍｍ、回転速度８００ｒｐ
ｍ、基板移動速度３０ｍｍ／ｓで２回のラビングを行っ
た。その後、ラビングを施した部分にマスクをし、ラビ
ングを施していない側に、押し込み長０．０５ｍｍ、回
転速度３００ｒｐｍ、基板移動速度５０ｍｍ／ｓで１回
の弱ラビングを行った。この際にファイブラボ社製のエ
リプソメータＭＡＲＹ−１０２を用いて入射仰角５０°
で測定したところ、規則度は左が０．０１、右が０．１
０であった。配向方位は、左右とも同じであった。試料
内の分子の配向具合を簡単に図７に示す。１６，１７が
ラビング方向、８が薄膜分子である。
置を用いて、以下の手順で作成した。ガラス基板（コー
ニング７０５９）上に日産化学製ポリイミドＰＩ−Ａを
スピンコートし、９０℃で３０分加熱後、２５０℃で６
０分加熱して試料Ａとした。試料の片側にアルミニウム
でマスクを施し、その後に直径５０ｍｍの布ローラーを
用いて、押し込み長０．０５ｍｍ、回転速度８００ｒｐ
ｍ、基板移動速度３０ｍｍ／ｓで２回のラビングを行っ
た。その後、ラビングを施した部分にマスクをし、ラビ
ングを施していない側に、押し込み長０．０５ｍｍ、回
転速度３００ｒｐｍ、基板移動速度５０ｍｍ／ｓで１回
の弱ラビングを行った。この際にファイブラボ社製のエ
リプソメータＭＡＲＹ−１０２を用いて入射仰角５０°
で測定したところ、規則度は左が０．０１、右が０．１
０であった。配向方位は、左右とも同じであった。試料
内の分子の配向具合を簡単に図７に示す。１６，１７が
ラビング方向、８が薄膜分子である。
【００２４】この試料を図１に示した装置に試料９とし
て配置し、偏光子方位をｐ偏光成分、検光子方位をｓ偏
光成分として出力１ｍＷのＨｅ−Ｎｅレーザ光を入射仰
角７０°で入射し、検光子を通過した光の強度をフォト
ダイオードで検出した。試料面内の入射方位はラビング
方向と同方向（０°と定義）と時計まわりに１０°異な
る方向の２方位で行った。
て配置し、偏光子方位をｐ偏光成分、検光子方位をｓ偏
光成分として出力１ｍＷのＨｅ−Ｎｅレーザ光を入射仰
角７０°で入射し、検光子を通過した光の強度をフォト
ダイオードで検出した。試料面内の入射方位はラビング
方向と同方向（０°と定義）と時計まわりに１０°異な
る方向の２方位で行った。
【００２５】入射の面内方位がラビングと同じ場合の観
察結果を図８に、１０度ずらした場合の結果を図９に示
した。図８、図９の差を図８と図９の平均で割ることに
より、図１０のように配向方位の違いがわかる。また、
図８、図９の平均から、図１０のように規則度の違いが
わかる。
察結果を図８に、１０度ずらした場合の結果を図９に示
した。図８、図９の差を図８と図９の平均で割ることに
より、図１０のように配向方位の違いがわかる。また、
図８、図９の平均から、図１０のように規則度の違いが
わかる。
【００２６】以上のように、光学的異方性の面内分布だ
けでなく、分子の配向方位および規則度の面内分布も測
定することができる。
けでなく、分子の配向方位および規則度の面内分布も測
定することができる。
【００２７】［実施の形態３］実施の形態１と同様な装
置を用いて、以下の手順で作成した。ガラス基板（コー
ニング７０５９）上に日産化学製ポリイミドＰＩ−Ｂを
スピンコートし、９０℃で３０分加熱後、２５０℃で６
０分加熱して試料Ｂとした。試料の片側にアルミニウム
でマスクを施し、その後に直径５０ｍｍの布ローラーを
用いて、押し込み長０．０５ｍｍ、回転速度８００ｒｐ
ｍ、基板移動速度３０ｍｍ／ｓで２回のラビングを行っ
た。その後、ラビングを施した部分にマスクをし、ラビ
ングを施していない側に、ラビング方向を時計周りに１
０度ずらし、押し込み長０．０５ｍｍ、回転速度３００
ｒｐｍ、基板移動速度５０ｍｍ／ｓで１回の弱ラビング
を行った。この際にファイブラボ社製のエリプソメータ
ＭＡＲＹ−１０２を用いて入射仰角５０°で測定したと
ころ、左半分の規則度が０．０５、右半分が０．１５で
あった。配向方位は、左右で１０度ずれていた。試料内
の分子の配向具合を簡単に図２に示す。１９，２０がラ
ビング方向、２１が薄膜分子である。
置を用いて、以下の手順で作成した。ガラス基板（コー
ニング７０５９）上に日産化学製ポリイミドＰＩ−Ｂを
スピンコートし、９０℃で３０分加熱後、２５０℃で６
０分加熱して試料Ｂとした。試料の片側にアルミニウム
でマスクを施し、その後に直径５０ｍｍの布ローラーを
用いて、押し込み長０．０５ｍｍ、回転速度８００ｒｐ
ｍ、基板移動速度３０ｍｍ／ｓで２回のラビングを行っ
た。その後、ラビングを施した部分にマスクをし、ラビ
ングを施していない側に、ラビング方向を時計周りに１
０度ずらし、押し込み長０．０５ｍｍ、回転速度３００
ｒｐｍ、基板移動速度５０ｍｍ／ｓで１回の弱ラビング
を行った。この際にファイブラボ社製のエリプソメータ
ＭＡＲＹ−１０２を用いて入射仰角５０°で測定したと
ころ、左半分の規則度が０．０５、右半分が０．１５で
あった。配向方位は、左右で１０度ずれていた。試料内
の分子の配向具合を簡単に図２に示す。１９，２０がラ
ビング方向、２１が薄膜分子である。
【００２８】この試料を図１に示した装置に試料９とし
て置き、偏光子方位をｐ偏光成分、検光子方位をｓ偏光
成分として出力１ｍＷのＨｅ−Ｎｅレーザ光を入射仰角
７０°で入射し、検光子を通過した光の強度をフォトダ
イオードで検出した。試料面内の入射方位はラビング方
向と同方向（０°と定義）と時計まわりに１０°異なる
方向の２方位で行った。
て置き、偏光子方位をｐ偏光成分、検光子方位をｓ偏光
成分として出力１ｍＷのＨｅ−Ｎｅレーザ光を入射仰角
７０°で入射し、検光子を通過した光の強度をフォトダ
イオードで検出した。試料面内の入射方位はラビング方
向と同方向（０°と定義）と時計まわりに１０°異なる
方向の２方位で行った。
【００２９】入射の面内方位がラビングと同じ場合の観
察結果を図１３に、１０度ずらした場合の結果を図１４
に示した。図１３、図１４の平均を図１３と図１４の差
で割ることにより、図１５のように配向方位の違いがわ
かる。また、図１３、図１４の平均から、図１６のよう
に規則度の違いがわかる。
察結果を図１３に、１０度ずらした場合の結果を図１４
に示した。図１３、図１４の平均を図１３と図１４の差
で割ることにより、図１５のように配向方位の違いがわ
かる。また、図１３、図１４の平均から、図１６のよう
に規則度の違いがわかる。
【００３０】以上のように、光学的異方性の面内分布だ
けでなく、分子の配向方位および規則度の面内分布も測
定することができる。
けでなく、分子の配向方位および規則度の面内分布も測
定することができる。
【００３１】［実施の形態４］本発明の一実施の形態と
して試料を面内回転させるステージを備えた装置の構成
を図１７を用いて説明する。２２は単色光源でＨｅ−Ｎ
ｅレーザを用いた。２３は偏光子、３０は試料、２４は
検光子、２５は光検出器でフォトダイオードを用いた。
２５で得られた反射光強度分布は、２６のコンピュータ
に取り込まれる。２７の試料ステージで試料を面内回転
した。２８はオートコリメータ、２９はオートコリメー
タの戻り光の様子を観察するモニタである。光源２２か
ら出た単色光線はｐ偏光のみを通す偏光子２３を通過
し、試料３０の薄膜表面から反射された光線は、さらに
ｓ偏光のみを通す検光子２４を通過し検出器２５により
測定される。さらに、入射光線に対して試料面の傾きを
確認するためにオートコリメータ２８を取り付けた。
尚、試料傾き調整の能率をあげるために、オートコリメ
ータでの試料からの反射光位置はＣＣＤカメラによりモ
ニタされディスプレイ２９に映し出した。
して試料を面内回転させるステージを備えた装置の構成
を図１７を用いて説明する。２２は単色光源でＨｅ−Ｎ
ｅレーザを用いた。２３は偏光子、３０は試料、２４は
検光子、２５は光検出器でフォトダイオードを用いた。
２５で得られた反射光強度分布は、２６のコンピュータ
に取り込まれる。２７の試料ステージで試料を面内回転
した。２８はオートコリメータ、２９はオートコリメー
タの戻り光の様子を観察するモニタである。光源２２か
ら出た単色光線はｐ偏光のみを通す偏光子２３を通過
し、試料３０の薄膜表面から反射された光線は、さらに
ｓ偏光のみを通す検光子２４を通過し検出器２５により
測定される。さらに、入射光線に対して試料面の傾きを
確認するためにオートコリメータ２８を取り付けた。
尚、試料傾き調整の能率をあげるために、オートコリメ
ータでの試料からの反射光位置はＣＣＤカメラによりモ
ニタされディスプレイ２９に映し出した。
【００３２】この装置を用いて測定した試料は以下の手
順で作成した。ガラス基板（コーニング７０５９）上に
日産化学製ポリイミドＰＩ−Ｃをスピンコートし、９０
℃で３０分加熱後、２５０℃で６０分加熱して試料Ｄと
した。この際にファイブラボ社製のエリプソメータＭＡ
ＲＹ−１０２を用いて入射仰角７０°で膜厚を測定した
ところ、７２ｎｍであった。試料の片側にアルミニウム
でマスクを施し、その後に直径５０ｍｍの布ローラーを
用いて、押し込み長０．０５ｍｍ、回転速度８００ｒｐ
ｍ、基板移動速度３０ｍｍ／ｓで２回のラビングを行っ
た。その後、ラビングを施した部分にマスクをし、ラビ
ングを施していない側に、ラビング方向を面内で１０°
ずらし、同様なラビング水準でラビングを施した。この
際にファイブラボ社製のエリプソメータＭＡＲＹ−１０
２を用いて入射仰角５０°で測定したところ、規則度は
左右とも０．１０であった。配向方位は左右で１０度ず
れていた。
順で作成した。ガラス基板（コーニング７０５９）上に
日産化学製ポリイミドＰＩ−Ｃをスピンコートし、９０
℃で３０分加熱後、２５０℃で６０分加熱して試料Ｄと
した。この際にファイブラボ社製のエリプソメータＭＡ
ＲＹ−１０２を用いて入射仰角７０°で膜厚を測定した
ところ、７２ｎｍであった。試料の片側にアルミニウム
でマスクを施し、その後に直径５０ｍｍの布ローラーを
用いて、押し込み長０．０５ｍｍ、回転速度８００ｒｐ
ｍ、基板移動速度３０ｍｍ／ｓで２回のラビングを行っ
た。その後、ラビングを施した部分にマスクをし、ラビ
ングを施していない側に、ラビング方向を面内で１０°
ずらし、同様なラビング水準でラビングを施した。この
際にファイブラボ社製のエリプソメータＭＡＲＹ−１０
２を用いて入射仰角５０°で測定したところ、規則度は
左右とも０．１０であった。配向方位は左右で１０度ず
れていた。
【００３３】これらの試料を図１７に示したようなステ
ージ上におき、偏光子方位をｐ偏光成分、検光子方位を
ｓ偏光成分として出力１ｍＷのＨｅ−Ｎｅレーザ光を入
射仰角７０°で入射し、検光子を通過した光の強度をフ
ォトダイオードで検出した。試料面内の入射方位は、試
料ステージを回転させて、ラビング方向と同方向（０°
と定義）と時計まわりに１０°異なる方向の２方位で行
った。
ージ上におき、偏光子方位をｐ偏光成分、検光子方位を
ｓ偏光成分として出力１ｍＷのＨｅ−Ｎｅレーザ光を入
射仰角７０°で入射し、検光子を通過した光の強度をフ
ォトダイオードで検出した。試料面内の入射方位は、試
料ステージを回転させて、ラビング方向と同方向（０°
と定義）と時計まわりに１０°異なる方向の２方位で行
った。
【００３４】入射の面内方位がラビングと同じ場合の観
察結果を図１８に、１０度回転させた場合の結果を図１
９に示した。図１８、図１９の差をとると、図２０のよ
うに配向方位の違いがわかる。また、図１８、図１９の
平均から、図２０のように規則度の違いがわかる。
察結果を図１８に、１０度回転させた場合の結果を図１
９に示した。図１８、図１９の差をとると、図２０のよ
うに配向方位の違いがわかる。また、図１８、図１９の
平均から、図２０のように規則度の違いがわかる。
【００３５】以上のように、光学的異方性の面内分布だ
けでなく、分子の配向方位および規則度の面内分布も測
定することができる。
けでなく、分子の配向方位および規則度の面内分布も測
定することができる。
【００３６】［実施の形態５］本発明の一実施の形態と
して入射方位の異なる光源を備えた装置の構成を図１を
用いて説明する。１，２は単色光源でＨｅ−Ｎｅレーザ
を用いた。３，４は偏光子、９は試料、５，６は検光
子、７，８は光検出器でフォトダイオードを用いた。
７，８で得られた反射光強度分布は、１２のコンピュー
タに取り込まれる。１０はオートコリメータ、１１はオ
ートコリメータの戻り光の様子を観察するモニタであ
る。光源１，２から出た単色光線はｓ偏光のみを通す偏
光子３，４を通過し、試料９の薄膜表面から反射された
光線は、さらにｐ偏光のみを通す検光子５，６を通過し
検出器７，８により測定される。さらに、入射光線に対
して試料面の傾きを確認するためにオートコリメータ１
０を取り付けた。尚、試料傾き調整の能率をあげるため
に、オートコリメータでの試料からの反射光位置はＣＣ
Ｄカメラによりモニタされディスプレイ１１に映し出し
た。
して入射方位の異なる光源を備えた装置の構成を図１を
用いて説明する。１，２は単色光源でＨｅ−Ｎｅレーザ
を用いた。３，４は偏光子、９は試料、５，６は検光
子、７，８は光検出器でフォトダイオードを用いた。
７，８で得られた反射光強度分布は、１２のコンピュー
タに取り込まれる。１０はオートコリメータ、１１はオ
ートコリメータの戻り光の様子を観察するモニタであ
る。光源１，２から出た単色光線はｓ偏光のみを通す偏
光子３，４を通過し、試料９の薄膜表面から反射された
光線は、さらにｐ偏光のみを通す検光子５，６を通過し
検出器７，８により測定される。さらに、入射光線に対
して試料面の傾きを確認するためにオートコリメータ１
０を取り付けた。尚、試料傾き調整の能率をあげるため
に、オートコリメータでの試料からの反射光位置はＣＣ
Ｄカメラによりモニタされディスプレイ１１に映し出し
た。
【００３７】この装置を用いて測定した試料は以下の手
順で作成した。ガラス基板（コーニング７０５９）上に
日産化学製ポリイミドＰＩ−Ｃをスピンコートし、９０
℃で３０分加熱後、２５０℃で６０分加熱して試料Ｅと
した。この際に、ファイブラボ社製のエリプソメータＭ
ＡＲＹ−１０２を用いて入射仰角７０°で膜厚を測定し
たところ、７０ｎｍであった。試料の片側にアルミニウ
ムでマスクを施し、その後に直径５０ｍｍの布ローラー
を用いて、押し込み長０．０５ｍｍ、回転速度８００ｒ
ｐｍ、基板移動速度３０ｍｍ／ｓで２回のラビングを行
った。その後、ラビングを施した部分にマスクをし、ラ
ビングを施していない側に、ラビング方向を面内で１０
°ずらし、同様なラビング水準でラビングを施した。こ
の際にファイブラボ社製のエリプソメータＭＡＲＹ−１
０２を用いて入射仰角５０°で測定したところ、規則度
は左右とも０．１１であった。配向方位は左右で１０度
ずれていた。
順で作成した。ガラス基板（コーニング７０５９）上に
日産化学製ポリイミドＰＩ−Ｃをスピンコートし、９０
℃で３０分加熱後、２５０℃で６０分加熱して試料Ｅと
した。この際に、ファイブラボ社製のエリプソメータＭ
ＡＲＹ−１０２を用いて入射仰角７０°で膜厚を測定し
たところ、７０ｎｍであった。試料の片側にアルミニウ
ムでマスクを施し、その後に直径５０ｍｍの布ローラー
を用いて、押し込み長０．０５ｍｍ、回転速度８００ｒ
ｐｍ、基板移動速度３０ｍｍ／ｓで２回のラビングを行
った。その後、ラビングを施した部分にマスクをし、ラ
ビングを施していない側に、ラビング方向を面内で１０
°ずらし、同様なラビング水準でラビングを施した。こ
の際にファイブラボ社製のエリプソメータＭＡＲＹ−１
０２を用いて入射仰角５０°で測定したところ、規則度
は左右とも０．１１であった。配向方位は左右で１０度
ずれていた。
【００３８】これらの試料を図１に示したようなステー
ジ上におき、偏光子方位をｓ偏光成分、検光子方位をｐ
偏光成分として出力１ｍＷのＨｅ−Ｎｅレーザ光を入射
仰角７０°で入射し、検光子を通過した光の強度をフォ
トダイオードで検出した。試料面内の入射方位はラビン
グ方向と同方向（０°と定義）と時計まわりに１０°異
なる方向の２方位で行った。
ジ上におき、偏光子方位をｓ偏光成分、検光子方位をｐ
偏光成分として出力１ｍＷのＨｅ−Ｎｅレーザ光を入射
仰角７０°で入射し、検光子を通過した光の強度をフォ
トダイオードで検出した。試料面内の入射方位はラビン
グ方向と同方向（０°と定義）と時計まわりに１０°異
なる方向の２方位で行った。
【００３９】入射の面内方位がラビングと同じ場合の観
察結果を図２２に、１０度ずらした場合の結果を図２３
に示した。図２２、図２３の差を図２２と図２３の平均
で割ることにより、図２４のように配向方位の違いがわ
かる。また、図２２、図２３の平均から、図２５のよう
に規則度の違いがわかる。
察結果を図２２に、１０度ずらした場合の結果を図２３
に示した。図２２、図２３の差を図２２と図２３の平均
で割ることにより、図２４のように配向方位の違いがわ
かる。また、図２２、図２３の平均から、図２５のよう
に規則度の違いがわかる。
【００４０】以上のように、光学的異方性の面内分布だ
けでなく、分子の配向方位および規則度の面内分布も測
定することができる。
けでなく、分子の配向方位および規則度の面内分布も測
定することができる。
【００４１】
【発明の効果】試料表面に偏光子を用いてｐ偏光または
ｓ偏光の光を入射した際に発生する反射光を、入射光と
直交する方位に設定された検光子を通して検出された入
射方位の異なる光強度分布を演算処理することにより、
膜の規則度、配向方位を高速で測定することができる。
ｓ偏光の光を入射した際に発生する反射光を、入射光と
直交する方位に設定された検光子を通して検出された入
射方位の異なる光強度分布を演算処理することにより、
膜の規則度、配向方位を高速で測定することができる。
【図１】本発明の実施の形態１〜３および５による異方
性薄膜評価方法に用いられる異方性薄膜評価装置の構成
を示す模式図である。
性薄膜評価方法に用いられる異方性薄膜評価装置の構成
を示す模式図である。
【図２】試料の薄膜分子の配向具合を示す概念図であ
る。
る。
【図３】ラビングと同方向の入射方位から、ｐ偏光の光
を入射した際に発生した反射光中のｓ偏光成分の検出強
度測定結果を示す概念図である。
を入射した際に発生した反射光中のｓ偏光成分の検出強
度測定結果を示す概念図である。
【図４】ラビングと１０度異なる入射方位から、ｐ偏光
の光を入射した際に発生した反射光中のｓ偏光成分の検
出強度測定結果を示す概念図である。
の光を入射した際に発生した反射光中のｓ偏光成分の検
出強度測定結果を示す概念図である。
【図５】図３と図４の強度分布の差を両者の平均でわか
ることにより得られた薄膜分子の方位角の面内分布を示
す概念図である。
ることにより得られた薄膜分子の方位角の面内分布を示
す概念図である。
【図６】図３と図４の強度分布平均から得られた薄膜分
子の規則度の面内分布を示す概念図である。
子の規則度の面内分布を示す概念図である。
【図７】試料の薄膜分子の配向具合を示す概念図であ
る。
る。
【図８】ラビングと同方向の入射方位から、ｐ偏光の光
を入射した際に発生した反射光中のｓ偏光成分の検出強
度測定結果を示す概念図である。
を入射した際に発生した反射光中のｓ偏光成分の検出強
度測定結果を示す概念図である。
【図９】ラビングと１０度異なる入射方位から、ｐ偏光
の光を入射した際に発生した反射光中のｓ偏光成分の検
出強度測定結果を示す概念図である。
の光を入射した際に発生した反射光中のｓ偏光成分の検
出強度測定結果を示す概念図である。
【図１０】図８と図９の強度分布の差を両者の平均でわ
かることにより得られた薄膜分子の方位角の面内分布を
示す概念図である。
かることにより得られた薄膜分子の方位角の面内分布を
示す概念図である。
【図１１】図８と図９の強度分布平均から得られた薄膜
分子の規則度の面内分布を示す概念図である。
分子の規則度の面内分布を示す概念図である。
【図１２】試料の薄膜分子の配向具合を示す概念図であ
る。
る。
【図１３】ラビングと同方向の入射方位から、ｐ偏光の
光を入射した際に発生した反射光中のｓ偏光成分の検出
強度測定結果を示す概念図である。
光を入射した際に発生した反射光中のｓ偏光成分の検出
強度測定結果を示す概念図である。
【図１４】ラビングと１０度異なる入射方位から、ｐ偏
光の光を入射した際に発生した反射光中のｓ偏光成分の
検出強度測定結果を示す概念図である。
光の光を入射した際に発生した反射光中のｓ偏光成分の
検出強度測定結果を示す概念図である。
【図１５】図１３と図１４の強度分布の差を両者の平均
でわかることにより得られた薄膜分子の方位角の面内分
布を示す概念図である。
でわかることにより得られた薄膜分子の方位角の面内分
布を示す概念図である。
【図１６】図１３と図１４の強度分布平均から得られた
薄膜分子の規則度の面内分布を示す概念図である。
薄膜分子の規則度の面内分布を示す概念図である。
【図１７】本発明の実施の形態４による異方性薄膜評価
方法に用いられる異方性薄膜評価装置の構成を示す模式
図である。
方法に用いられる異方性薄膜評価装置の構成を示す模式
図である。
【図１８】ラビング方向と同方向の入射方位から、ｐ偏
光の光を入射した際に発生した反射光中のｓ偏光成分の
検出強度測定結果を示す概念図である。
光の光を入射した際に発生した反射光中のｓ偏光成分の
検出強度測定結果を示す概念図である。
【図１９】試料ステージを回転させることにより、ラビ
ング方向と１０度異なる入射方位でｐ偏光の光を入射し
た際に発生した反射光中のｓ偏光成分の検出強度測定結
果を示す概念図である。
ング方向と１０度異なる入射方位でｐ偏光の光を入射し
た際に発生した反射光中のｓ偏光成分の検出強度測定結
果を示す概念図である。
【図２０】図１８と図１９の強度分布の差から得られた
薄膜分子の方位度の面内分布を示す概念図である。
薄膜分子の方位度の面内分布を示す概念図である。
【図２１】図１８と図１９の強度分布平均から得られた
薄膜分子の規則度の面内分布を示す概念図である。
薄膜分子の規則度の面内分布を示す概念図である。
【図２２】ラビングと同方向の入射方位から、ｓ偏光の
光を入射した際に発生した反射光中のｐ偏光成分の検出
強度測定結果を示す概念図である。
光を入射した際に発生した反射光中のｐ偏光成分の検出
強度測定結果を示す概念図である。
【図２３】ラビングと１０度異なる入射方位から、ｓ偏
光の光を入射した際に発生した反射光中のｐ偏光成分の
検出強度測定結果を示す概念図である。
光の光を入射した際に発生した反射光中のｐ偏光成分の
検出強度測定結果を示す概念図である。
【図２４】図２２と図２３の強度分布の差を両者の平均
でわることにより得られた薄膜分子の方位角の面内分布
を示す概念図である。
でわることにより得られた薄膜分子の方位角の面内分布
を示す概念図である。
【図２５】図２２と図２３の強度分布平均から得られた
薄膜分子の規則度の面内分布を示す概念図である。
薄膜分子の規則度の面内分布を示す概念図である。
１，２ 単色光源 ３，４ 偏光子 ９ 試料 ５，６ 検光子 ７，８ 光検出器 １２ コンピュータ １０ オートコリメータ １１ ディスプレイ １３，１４ ラビング方向 １５ 薄膜分子 １６，１７ ラビング方向 １８ 薄膜分子 １９，２０ ラビング方向 ２１ 薄膜分子 ２２ 単色光源 ２３ 偏光子 ３０ 試料 ２４ 検光子 ２５ 光検出器 ２６ コンピュータ ２７ 試料ステージ ２８ オートコリメータ ２９ ディスプレイ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田ノ岡 大輔 愛知県名古屋市熱田区三本松町20番９号 日本レーザ電子株式会社内 Ｆターム(参考） 2G059 AA05 BB10 BB16 DD13 EE02 EE05 GG01 GG03 GG04 JJ19 KK01 KK03 KK04 MM01 MM03 PP04 2H088 FA11 FA30 HA18 MA20 2H090 HB08Y JB02 LA05 LA09 MB01
Claims (13)
- 【請求項１】 評価すべき異方性薄膜としての基板状試
料に対して、ｐ偏光またはｓ偏光である第１の照射光
を、該試料の板面上での方位角が第１の入射角となるよ
うに照射すると共に、前記試料の板面上にて反射した前
記第１の照射光のｓ偏光またはｐ偏光成分の強度を、前
記方位角が第１の反射角となるように検出する第１の検
出工程と、 前記基板状試料に対して、ｐ偏光またはｓ偏光である第
２の照射光を、該試料の板面上での方位角が第２の入射
角となるように照射すると共に、前記試料の板面上にて
反射した前記第２の照射光のｓ偏光またはｐ偏光成分の
強度を、前記方位角が第２の反射角となるように検出す
る第２の検出工程と、 前記第１および前記第２の検出工程にて得られた第１お
よび第２の強度分布を演算処理することにより、前記試
料における薄膜の構造を決定する評価工程とを有し、 前記第１および前記第２の検出工程を、同時に行うこと
を特徴とする異方性薄膜評価方法。 - 【請求項２】 前記評価工程では、前記第１および前記
第２の検出工程にて得られた前記第１および前記第２の
強度分布の平均を取ることにより、前記試料における薄
膜分子の規則度を決定する請求項１に記載の異方性薄膜
評価方法。 - 【請求項３】 前記評価工程では、前記第１および前記
第２の検出工程にて得られた前記第１および前記第２の
強度分布の差をとる、あるいは差を平均で割ることによ
り、前記試料における薄膜分子の方位を決定する請求項
１に記載の異方性薄膜評価方法。 - 【請求項４】 評価すべき異方性薄膜としての基板状試
料に対して、ｐ偏光またはｓ偏光である第１の照射光
を、該試料の板面上での方位角が第１の入射角となるよ
うに照射すると共に、前記試料の板面上にて反射した前
記第１の照射光のｓ偏光またはｐ偏光成分の強度を、前
記方位角が第１の反射角となるように検出する第１の検
出工程と、 前記基板状試料に対して、ｐ偏光またはｓ偏光である第
２の照射光を、該試料の板面上での方位角が第２の入射
角となるように照射すると共に、前記試料の板面上にて
反射した前記第２の照射光のｓ偏光またはｐ偏光成分の
強度を、前記方位角が第２の反射角となるように検出す
る第２の検出工程と、 前記第１および前記第２の検出工程にて得られた第１お
よび第２の強度分布を演算処理することにより、前記試
料における薄膜の構造を決定する評価工程とを有し、 前記第１および前記第２の検出工程を、連続して行うこ
とを特徴とする異方性薄膜評価方法。 - 【請求項５】 前記評価工程では、前記第１および前記
第２の検出工程にて得られた前記第１および前記第２の
強度分布の平均を取ることにより、前記試料における薄
膜分子の規則度を決定する請求項４に記載の異方性薄膜
評価方法。 - 【請求項６】 前記評価工程では、前記第１および前記
第２の検出工程にて得られた前記第１および前記第２の
強度分布の差をとる、あるいは差を平均で割ることによ
り、前記試料における薄膜分子の方位を決定する請求項
４に記載の異方性薄膜評価方法。 - 【請求項７】 評価すべき異方性薄膜としての基板状試
料に対して、ｐ偏光またはｓ偏光である第１の照射光
を、該試料の板面上での方位角が第１の入射角となるよ
うに照射すると共に、前記試料の板面上にて反射した前
記第１の照射光のｓ偏光またはｐ偏光成分の強度を、前
記方位角が第１の反射角となるように検出する第１の検
出手段と、 前記基板状試料に対して、ｐ偏光またはｓ偏光である第
２の照射光を、該試料の板面上での方位角が第２の入射
角となるように照射すると共に、前記試料の板面上にて
反射した前記第２の照射光のｓ偏光またはｐ偏光成分の
強度を、前記方位角が第２の反射角となるように検出す
る第２の検出手段と、 前記第１および前記第２の検出手段によって得られた第
１および第２の強度分布を演算処理することにより、前
記試料における薄膜の構造を決定する評価手段とを有す
ることを特徴とする異方性薄膜評価装置。 - 【請求項８】 前記評価手段は、前記第１および前記第
２の検出手段によって得られた前記第１および前記第２
の強度分布の平均を取ることにより、前記試料における
薄膜分子の規則度を決定する請求項７に記載の異方性薄
膜評価装置。 - 【請求項９】 前記評価手段は、前記第１および前記第
２の検出手段によって得られた前記第１および前記第２
の強度分布の差をとる、あるいは差を平均で割ることに
より、前記試料における薄膜分子の方位を決定する請求
項７に記載の異方性薄膜評価装置。 - 【請求項１０】 評価すべき異方性薄膜としての基板状
試料に対して、ｐ偏光またはｓ偏光である照射光を、該
試料の板面上での方位角が所定の入射角となるように照
射すると共に、前記試料の板面上にて反射した前記照射
光のｓ偏光またはｐ偏光成分の強度を、前記方位角が所
定の反射角となるように検出する検出手段と、 前記検出手段によって、前記入射角が第１の入射角であ
り、かつ、前記反射角が第１の反射角である第１の検出
モードと、該入射角が第２の入射角であり、かつ、該反
射角が第２の反射角である第２の検出モードとを実行可
能なように、前記試料を前記方位角方向に回転させるた
めの回転ステージと、 前記第１および前記第２の検出モードにて得られた第１
および第２の強度分布を演算処理することにより、前記
試料における薄膜の構造を決定する評価手段とを有する
ことを特徴とする異方性薄膜評価装置。 - 【請求項１１】 前記評価手段は、前記第１および前記
第２の検出モードにて得られた前記第１および前記第２
の強度分布の平均を取ることにより、前記試料における
薄膜分子の規則度を決定する請求項１０に記載の異方性
薄膜評価装置。 - 【請求項１２】 前記評価手段は、前記第１および前記
第２の検出モードにて得られた前記第１および前記第２
の強度分布の差をとる、あるいは差を平均で割ることに
より、前記試料における薄膜分子の方位を決定する請求
項１０に記載の異方性薄膜評価装置。 - 【請求項１３】 請求項１または４に記載の異方性薄膜
評価方法のうちの少くとも前記評価工程をコンピュータ
によって実行させるためのプログラムを記録した記録媒
体。
Priority Applications (3)
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|---|---|---|---|
| JP2000355331A JP2002162344A (ja) | 2000-11-22 | 2000-11-22 | 異方性薄膜評価方法および装置 |
| KR1020010072717A KR20020040593A (ko) | 2000-11-22 | 2001-11-21 | 막의 규칙도 및 배향방위를 고속으로 측정하는 것이가능한 이방성 박막평가방법 및 장치 |
| TW090128905A TW499564B (en) | 2000-11-22 | 2001-11-22 | Anisotropic film evaluating method and device by measuring film regularity and orientation in high speed |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000355331A JP2002162344A (ja) | 2000-11-22 | 2000-11-22 | 異方性薄膜評価方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002162344A true JP2002162344A (ja) | 2002-06-07 |
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ID=18827758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000355331A Withdrawn JP2002162344A (ja) | 2000-11-22 | 2000-11-22 | 異方性薄膜評価方法および装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
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| KR (1) | KR20020040593A (ja) |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005106820A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | General Electric Co <Ge> | 光沢面測定のための協調偏光 |
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|---|---|---|---|---|
| KR101280335B1 (ko) * | 2005-01-24 | 2013-07-01 | 가부시키가이샤 모리텍스 | 광학적 이방성 파라미터 측정 방법 및 측정 장치 |
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|---|---|---|---|---|
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| JP2000121496A (ja) * | 1998-10-14 | 2000-04-28 | Nec Corp | 配向膜評価方法及び装置並びに配向膜評価プログラムを記録した記録媒体 |
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2000
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-
2001
- 2001-11-21 KR KR1020010072717A patent/KR20020040593A/ko not_active Application Discontinuation
- 2001-11-22 TW TW090128905A patent/TW499564B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
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Also Published As
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